JP2001293320A - 排ガス冷却方法 - Google Patents
排ガス冷却方法Info
- Publication number
- JP2001293320A JP2001293320A JP2000115394A JP2000115394A JP2001293320A JP 2001293320 A JP2001293320 A JP 2001293320A JP 2000115394 A JP2000115394 A JP 2000115394A JP 2000115394 A JP2000115394 A JP 2000115394A JP 2001293320 A JP2001293320 A JP 2001293320A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exhaust gas
- cooling
- sec
- temperature
- dioxin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Chimneys And Flues (AREA)
- Treating Waste Gases (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 排ガス中に含まれるダイオキシン等の有機ハ
ロゲン化合物を、効率よく低減または抑制することがで
きる排ガス冷却方法を得ること。 【解決手段】 有機ハロゲン化合物を含有する２００℃
以上の温度域の排ガスを冷却する排ガス冷却方法であっ
て、排ガスを１００℃／ｓｅｃ以上の速度で冷却する。
ロゲン化合物を、効率よく低減または抑制することがで
きる排ガス冷却方法を得ること。 【解決手段】 有機ハロゲン化合物を含有する２００℃
以上の温度域の排ガスを冷却する排ガス冷却方法であっ
て、排ガスを１００℃／ｓｅｃ以上の速度で冷却する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、排ガスを冷却して
排ガス中に含まれるダイオキシン等の有機ハロゲン化合
物を低減または抑制するための排ガス冷却方法に関する
ものである。
排ガス中に含まれるダイオキシン等の有機ハロゲン化合
物を低減または抑制するための排ガス冷却方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】焼却炉等から排出された８００℃以上の
高温排ガスは、ボイラ等の熱回収装置を経る際に、例え
ば２５０℃〜３５０℃に冷却され、その後、電気集塵器
などの集塵装置に導入されて処理されていた。しかし、
ごみ焼却を代表として様々な分野で、猛毒であるダイオ
キシン類が３００℃付近の温度において生成することが
知られるようになり、３００℃付近の集塵処理は敬遠さ
れ、２００℃以下でバグフィルタを用いた低温集塵が主
流になってきた。排ガスを２００℃以下に冷却するに
は、例えば、水噴霧による排ガス冷却、エコノマイザー
等による熱交換、大気導入や自然放熱による冷却など、
様々な手法が用いられている。
高温排ガスは、ボイラ等の熱回収装置を経る際に、例え
ば２５０℃〜３５０℃に冷却され、その後、電気集塵器
などの集塵装置に導入されて処理されていた。しかし、
ごみ焼却を代表として様々な分野で、猛毒であるダイオ
キシン類が３００℃付近の温度において生成することが
知られるようになり、３００℃付近の集塵処理は敬遠さ
れ、２００℃以下でバグフィルタを用いた低温集塵が主
流になってきた。排ガスを２００℃以下に冷却するに
は、例えば、水噴霧による排ガス冷却、エコノマイザー
等による熱交換、大気導入や自然放熱による冷却など、
様々な手法が用いられている。
【０００３】発生し排ガスに含まれるダイオキシン等の
有機ハロゲン化物を除去するには、活性炭等の薬剤添
加、活性炭吸着塔、ダイオキシン酸化分解触媒、放射線
照射などの各種技術が検討され、すでに実用化されてき
た。また、ダイオキシン等の有機ハロゲン化合物を含む
排ガスを冷却する技術として、例えば、特公平６ー７７
６６２号公報には、３００℃〜４００℃の温度域の冷却
速度を３０℃／ｓｅｃ〜１００℃／ｓｅｃになるように
して、この排ガスを２５０℃以下に急冷する技術が開示
されている。
有機ハロゲン化物を除去するには、活性炭等の薬剤添
加、活性炭吸着塔、ダイオキシン酸化分解触媒、放射線
照射などの各種技術が検討され、すでに実用化されてき
た。また、ダイオキシン等の有機ハロゲン化合物を含む
排ガスを冷却する技術として、例えば、特公平６ー７７
６６２号公報には、３００℃〜４００℃の温度域の冷却
速度を３０℃／ｓｅｃ〜１００℃／ｓｅｃになるように
して、この排ガスを２５０℃以下に急冷する技術が開示
されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、排ガス
を２００℃以下に冷却する従来技術は、排ガスに含まれ
るダイオキシン等の有機ハロゲン化合物を効果的に低減
または抑制することに主眼がなく、概ね、後段の集塵装
置に適した排ガス温度を得るための手段にとどまってい
た。すなわち、排ガス冷却過程で、十分にダイオキシン
等の有機ハロゲン化合物を低減または抑制することがで
きないという問題があった。また、排ガスに含まれるダ
イオキシン等の有機ハロゲン化合物を除去するときに、
その前段の排ガス冷却過程で十分な低減が達成されてい
ないので、ダイオキシン等の有機ハロゲン化合物の上記
除去手段に過剰な負荷がかかり、処理コストが高騰する
という問題もあった。
を２００℃以下に冷却する従来技術は、排ガスに含まれ
るダイオキシン等の有機ハロゲン化合物を効果的に低減
または抑制することに主眼がなく、概ね、後段の集塵装
置に適した排ガス温度を得るための手段にとどまってい
た。すなわち、排ガス冷却過程で、十分にダイオキシン
等の有機ハロゲン化合物を低減または抑制することがで
きないという問題があった。また、排ガスに含まれるダ
イオキシン等の有機ハロゲン化合物を除去するときに、
その前段の排ガス冷却過程で十分な低減が達成されてい
ないので、ダイオキシン等の有機ハロゲン化合物の上記
除去手段に過剰な負荷がかかり、処理コストが高騰する
という問題もあった。
【０００５】さらに、特公平６ー７７６６２号公報に開
示された技術は、排ガスの冷却速度が３０℃／ｓｅｃ〜
１００℃／ｓｅｃの範囲であり、排ガスに含まれるダイ
オキシン等の有機ハロゲン化合物を効率よく低減または
抑制することができないという問題があった。
示された技術は、排ガスの冷却速度が３０℃／ｓｅｃ〜
１００℃／ｓｅｃの範囲であり、排ガスに含まれるダイ
オキシン等の有機ハロゲン化合物を効率よく低減または
抑制することができないという問題があった。
【０００６】本発明は上記のような課題を解決するため
になされたもので、排ガス中に含まれるダイオキシン等
の有機ハロゲン化合物を、効率よく低減または抑制する
ことができる排ガス冷却方法を得ることを目的とする。
になされたもので、排ガス中に含まれるダイオキシン等
の有機ハロゲン化合物を、効率よく低減または抑制する
ことができる排ガス冷却方法を得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、有機ハロゲン
化合物を含有する２００℃以上の温度域の排ガスを冷却
する排ガス冷却方法であって、排ガスを１００℃／ｓｅ
ｃ以上の速度で冷却する。また、排ガスを１００℃／ｓ
ｅｃ以上の速度で１８０℃以下に冷却する。
化合物を含有する２００℃以上の温度域の排ガスを冷却
する排ガス冷却方法であって、排ガスを１００℃／ｓｅ
ｃ以上の速度で冷却する。また、排ガスを１００℃／ｓ
ｅｃ以上の速度で１８０℃以下に冷却する。
【０００８】さらに、有機ハロゲン化合物を含有する２
００℃以上の温度域の排ガスを冷却する排ガス冷却方法
であって、排ガスを１００℃／ｓｅｃ以上の速度で冷却
したのち、１００℃／ｓｅｃ以下の速度でさらに二次冷
却する。また、排ガスを１００℃／ｓｅｃ以上の速度で
１８０℃以下に冷却したのち、１００℃／ｓｅｃ以下の
速度でさらに二次冷却する。さらに、二次冷却の速度を
３０℃／ｓｅｃ以下とする。
００℃以上の温度域の排ガスを冷却する排ガス冷却方法
であって、排ガスを１００℃／ｓｅｃ以上の速度で冷却
したのち、１００℃／ｓｅｃ以下の速度でさらに二次冷
却する。また、排ガスを１００℃／ｓｅｃ以上の速度で
１８０℃以下に冷却したのち、１００℃／ｓｅｃ以下の
速度でさらに二次冷却する。さらに、二次冷却の速度を
３０℃／ｓｅｃ以下とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】［実施の形態１］図１は本発明に
かかる実施の形態１の排ガスの処理フローを示す説明図
である。１は排ガス発生装置で、都市ごみ、汚泥、産業
廃棄物、焼却残査、汚染土壌などを処理する廃棄物焼却
炉、廃棄物溶融炉、廃棄物ガス化炉をはじめ、スクラッ
プ溶解炉、電炉、転炉、高炉、アルミ溶解炉などの各種
金属精練炉、各種発電ボイラ、各種化学薬品製造炉、そ
の他、ダイオキシン等の有機ハロゲン化合物を含有する
２００℃以上の排ガスを発生する装置である。
かかる実施の形態１の排ガスの処理フローを示す説明図
である。１は排ガス発生装置で、都市ごみ、汚泥、産業
廃棄物、焼却残査、汚染土壌などを処理する廃棄物焼却
炉、廃棄物溶融炉、廃棄物ガス化炉をはじめ、スクラッ
プ溶解炉、電炉、転炉、高炉、アルミ溶解炉などの各種
金属精練炉、各種発電ボイラ、各種化学薬品製造炉、そ
の他、ダイオキシン等の有機ハロゲン化合物を含有する
２００℃以上の排ガスを発生する装置である。
【００１０】上記の排ガス発生装置１によって発生する
排ガスに含まれる有機ハロゲン化合物とは、厚生省によ
って清掃工場へのガイドラインが毒性換算値により指定
されているダイオキシン類、およびダイオキシン類の前
駆物質、関連物質と称されるクロロベンゼン、クロロフ
ェノール、ＰＣＢなどや、塩素以外のハロゲン元素で一
部が置換されたこれら化学物質の総称である。ダイオキ
シン類とは、ポリジベンゾパラジオキシンとポリジベン
ゾフランの総称であって、通常、毒性換算濃度によって
評価されるものである。２は排ガス発生装置１の下流側
に配設された熱回収装置で、高温排ガスの熱回収を行う
蒸気式ボイラ、その他の熱回収手段または冷却手段を指
すが、この装置は省略してもよい。
排ガスに含まれる有機ハロゲン化合物とは、厚生省によ
って清掃工場へのガイドラインが毒性換算値により指定
されているダイオキシン類、およびダイオキシン類の前
駆物質、関連物質と称されるクロロベンゼン、クロロフ
ェノール、ＰＣＢなどや、塩素以外のハロゲン元素で一
部が置換されたこれら化学物質の総称である。ダイオキ
シン類とは、ポリジベンゾパラジオキシンとポリジベン
ゾフランの総称であって、通常、毒性換算濃度によって
評価されるものである。２は排ガス発生装置１の下流側
に配設された熱回収装置で、高温排ガスの熱回収を行う
蒸気式ボイラ、その他の熱回収手段または冷却手段を指
すが、この装置は省略してもよい。
【００１１】３は熱回収装置２の下流側に配設されて排
ガスを冷却する排ガス冷却装置で、水噴霧式、空冷式、
その他熱媒体噴霧の排ガス減温塔、エコノマイザ、ガス
エアヒータ等の熱交換手段、その他排ガス冷却手段を用
いればよいが、排ガス冷却速度が１００℃／ｓｅｃ以上
となる手段、例えば、微細水滴の得られるスプレーノズ
ルを装備した減温塔を用いることが望ましい。この排ガ
ス減温冷却装置３によって、熱回収装置２からの２００
℃以上の排ガスを、１００℃／ｓｅｃ以上の冷却速度に
よって、１８０℃以下に冷却することにより、排ガス中
に含まれるダイオキシン等の有機ハロゲン化合物を低減
または抑制するようにしたものである。
ガスを冷却する排ガス冷却装置で、水噴霧式、空冷式、
その他熱媒体噴霧の排ガス減温塔、エコノマイザ、ガス
エアヒータ等の熱交換手段、その他排ガス冷却手段を用
いればよいが、排ガス冷却速度が１００℃／ｓｅｃ以上
となる手段、例えば、微細水滴の得られるスプレーノズ
ルを装備した減温塔を用いることが望ましい。この排ガ
ス減温冷却装置３によって、熱回収装置２からの２００
℃以上の排ガスを、１００℃／ｓｅｃ以上の冷却速度に
よって、１８０℃以下に冷却することにより、排ガス中
に含まれるダイオキシン等の有機ハロゲン化合物を低減
または抑制するようにしたものである。
【００１２】この場合、排ガスの冷却速度を１００℃／
ｓｅｃ以下にすると、有機ハロゲン化合物であるダイオ
キシンの低減効果は低くなり、さらに、５０℃／ｓｅｃ
以下ではかえって増加してしまう不具合がある。なお、
冷却速度の上限は実施可能な範囲内であればよく、上限
値に特に定めはない。４は排ガス冷却装置３の下流側に
配設された集塵装置で、バグフィルタ、電気集塵器、慣
性力集塵器、湿式集塵器等の既存の集塵装置が用いられ
ている。
ｓｅｃ以下にすると、有機ハロゲン化合物であるダイオ
キシンの低減効果は低くなり、さらに、５０℃／ｓｅｃ
以下ではかえって増加してしまう不具合がある。なお、
冷却速度の上限は実施可能な範囲内であればよく、上限
値に特に定めはない。４は排ガス冷却装置３の下流側に
配設された集塵装置で、バグフィルタ、電気集塵器、慣
性力集塵器、湿式集塵器等の既存の集塵装置が用いられ
ている。
【００１３】上記のように構成した排ガスの処理工程を
説明する。排ガス発生装置１から８００℃以上の排ガス
が排出されると、この排ガスは熱回収装置２で熱回収さ
れて、例えば２５０℃〜３５０℃の温度となる。次に、
排ガス冷却装置３において、有機ハロゲン化物を含有す
る２００℃以上の排ガスに微細水滴を噴霧し、１００℃
／ｓｅｃ以上の排ガス冷却速度となるようにして、所定
温度以下に冷却する。この所定温度以下とは、１８０℃
以下であることが好ましい。こうして、排ガス冷却装置
３によって、排ガスを集塵装置４に適した温度、例えば
１５０℃〜２００℃の温度まで冷却したあと、集塵装置
４に導入し、ここで、排ガス中のばいじん及び酸性成分
を除去する。集塵装置４を経た排ガスは、脱硝塔（図示
せず）などの別の排ガス処理装置に導入されて処理され
るか、そのまま大気中に放散される。
説明する。排ガス発生装置１から８００℃以上の排ガス
が排出されると、この排ガスは熱回収装置２で熱回収さ
れて、例えば２５０℃〜３５０℃の温度となる。次に、
排ガス冷却装置３において、有機ハロゲン化物を含有す
る２００℃以上の排ガスに微細水滴を噴霧し、１００℃
／ｓｅｃ以上の排ガス冷却速度となるようにして、所定
温度以下に冷却する。この所定温度以下とは、１８０℃
以下であることが好ましい。こうして、排ガス冷却装置
３によって、排ガスを集塵装置４に適した温度、例えば
１５０℃〜２００℃の温度まで冷却したあと、集塵装置
４に導入し、ここで、排ガス中のばいじん及び酸性成分
を除去する。集塵装置４を経た排ガスは、脱硝塔（図示
せず）などの別の排ガス処理装置に導入されて処理され
るか、そのまま大気中に放散される。
【００１４】上記の排ガスの冷却技術によれば、ダイオ
キシン等の有機ハロゲン化合物を含有する排ガスを、１
００℃／ｓｅｃ以上の冷却速度で冷却するので、排ガス
冷却過程およびその後の集塵装置４内の滞留過程で、排
ガス中に含まれるダイオキシンが新たに生成されること
を未然に防ぎながら、ダイオキシン等の有機ハロゲン化
合物を効果的に低減または抑制することができる。ま
た、排ガスを、１００℃／ｓｅｃ以上の冷却速度で１８
０℃以下に冷却した場合は、冷却後の排ガスが十分長い
時間滞留したとしても、有機ハロゲン化合物であるダイ
オキシンが再合成されるのを確実に防ぎながら、ダイオ
キシン等の有機ハロゲン化合物を非常に効果的に低減ま
たは抑制することができる。
キシン等の有機ハロゲン化合物を含有する排ガスを、１
００℃／ｓｅｃ以上の冷却速度で冷却するので、排ガス
冷却過程およびその後の集塵装置４内の滞留過程で、排
ガス中に含まれるダイオキシンが新たに生成されること
を未然に防ぎながら、ダイオキシン等の有機ハロゲン化
合物を効果的に低減または抑制することができる。ま
た、排ガスを、１００℃／ｓｅｃ以上の冷却速度で１８
０℃以下に冷却した場合は、冷却後の排ガスが十分長い
時間滞留したとしても、有機ハロゲン化合物であるダイ
オキシンが再合成されるのを確実に防ぎながら、ダイオ
キシン等の有機ハロゲン化合物を非常に効果的に低減ま
たは抑制することができる。
【００１５】［実施例１］図２は、排ガス冷却速度（℃
／ｓｅｃ）と有機ハロゲン化合物であるダイオキシンの
低減率（％）との関係を示す線図である。実施条件とし
て、図１で示す排ガス発生装置１としてはごみ焼却炉、
熱回収装置２としてはボイラ、排ガス減温装置３として
は水噴霧式減温塔、集塵装置４としてはバグフィルタを
用いたもので、図１中の排ガス減温装置３の入口のＡ点
と集塵装置４の入口のＢ点で排ガス中のダイオキシン濃
度を測定し、Ａ点からＢ点に至る排ガス冷却過程でのダ
イオキシン低減率を算出し、排ガス冷却速度の効果を調
べた。ダイオキシンの低減効果は、排ガス減温装置３に
よって排ガスを冷却する前の排ガス中のダイオキシン濃
度ａと、排ガス減温装置３で冷却した後の排ガス中のダ
イオキシン濃度ｂとの比較によるもので、低減率は
｛（ａーｂ）／ａ｝×１００％で示される。なお、Ａ点
の温度は一律の２８０℃、Ｂ点の温度は１８０℃、２０
０℃、２２０℃の３水準とした。
／ｓｅｃ）と有機ハロゲン化合物であるダイオキシンの
低減率（％）との関係を示す線図である。実施条件とし
て、図１で示す排ガス発生装置１としてはごみ焼却炉、
熱回収装置２としてはボイラ、排ガス減温装置３として
は水噴霧式減温塔、集塵装置４としてはバグフィルタを
用いたもので、図１中の排ガス減温装置３の入口のＡ点
と集塵装置４の入口のＢ点で排ガス中のダイオキシン濃
度を測定し、Ａ点からＢ点に至る排ガス冷却過程でのダ
イオキシン低減率を算出し、排ガス冷却速度の効果を調
べた。ダイオキシンの低減効果は、排ガス減温装置３に
よって排ガスを冷却する前の排ガス中のダイオキシン濃
度ａと、排ガス減温装置３で冷却した後の排ガス中のダ
イオキシン濃度ｂとの比較によるもので、低減率は
｛（ａーｂ）／ａ｝×１００％で示される。なお、Ａ点
の温度は一律の２８０℃、Ｂ点の温度は１８０℃、２０
０℃、２２０℃の３水準とした。
【００１６】図２に示すように、排ガスの冷却速度が１
００℃／ｓｅｃ以上で、有機ハロゲン化合物であるダイ
オキシンの低減が顕著であるが、１００℃／ｓｅｃ以下
ではその効果が低く、５０℃以下ではさらにその効果が
低くなり、ときにはダイオキシンが増加してしまうこと
（負の低減率）があることを示している。また、排ガス
冷却温度を１８０℃以上である２００℃、２２０℃と高
温にすると、ダイオキシンの低減率が極端に減少するこ
とも示している。
００℃／ｓｅｃ以上で、有機ハロゲン化合物であるダイ
オキシンの低減が顕著であるが、１００℃／ｓｅｃ以下
ではその効果が低く、５０℃以下ではさらにその効果が
低くなり、ときにはダイオキシンが増加してしまうこと
（負の低減率）があることを示している。また、排ガス
冷却温度を１８０℃以上である２００℃、２２０℃と高
温にすると、ダイオキシンの低減率が極端に減少するこ
とも示している。
【００１７】さらに、別の調査では、冷却後の排ガス温
度を２００℃〜２５０℃とした際に、その後の集塵装置
４内で排ガスが滞留する間に、有機ハロゲン化合物であ
るダイオキシンがかえって増加してしまう不具合があ
り、さらに程度は低いが、冷却後の温度を１８０℃〜２
００℃としたときにも、わずかに増加する場合があるこ
とが判明した。このことは、図２における２００℃（黒
丸点）と２２０℃（三角点）が、１８０℃（白丸点）よ
りも低減率が極端に低いことからも確認できる。これら
の傾向は、排ガス冷却速度が相対的に遅い場合に、より
顕著であることも同時に判明した。すなわち、排ガス冷
却温度を２５０℃以下とするだけでは、１８０℃〜２５
０℃における上述の不具合が発生し、効果的にダイオキ
シン等の有機ハロゲン化物を低減または抑制することが
できない。
度を２００℃〜２５０℃とした際に、その後の集塵装置
４内で排ガスが滞留する間に、有機ハロゲン化合物であ
るダイオキシンがかえって増加してしまう不具合があ
り、さらに程度は低いが、冷却後の温度を１８０℃〜２
００℃としたときにも、わずかに増加する場合があるこ
とが判明した。このことは、図２における２００℃（黒
丸点）と２２０℃（三角点）が、１８０℃（白丸点）よ
りも低減率が極端に低いことからも確認できる。これら
の傾向は、排ガス冷却速度が相対的に遅い場合に、より
顕著であることも同時に判明した。すなわち、排ガス冷
却温度を２５０℃以下とするだけでは、１８０℃〜２５
０℃における上述の不具合が発生し、効果的にダイオキ
シン等の有機ハロゲン化物を低減または抑制することが
できない。
【００１８】［実施の形態２］実施の形態２では、実施
の形態１で示した排ガス冷却装置３内に二次冷却手段
（図示せず）を設けたものであるが、排ガス冷却装置３
の下流側後部に二次冷却手段（図示せず）を設けてもよ
い。これらの二次冷却手段は、排ガス冷却装置３と同様
の手段でもよく、単に空洞容器でもよく、排ガス冷却装
置３内の下流部または煙道に開閉制御可能な外気吸引口
を設けただけのものであってもよい。そして、この二次
冷却手段によって、排ガス冷却速度が１００℃／ｓｅｃ
以下、好ましくは３０℃以下／ｓｅｃ以下となるように
二次冷却をおこなう。なお、集塵装置４の入口には温度
センサを設置し、フィードバック制御等によって、集塵
装置４に適した所望の排ガス温度を得るようにしてあ
る。その他の構成は、実施の形態１で示した場合と実質
的に同様なので説明を省略する。
の形態１で示した排ガス冷却装置３内に二次冷却手段
（図示せず）を設けたものであるが、排ガス冷却装置３
の下流側後部に二次冷却手段（図示せず）を設けてもよ
い。これらの二次冷却手段は、排ガス冷却装置３と同様
の手段でもよく、単に空洞容器でもよく、排ガス冷却装
置３内の下流部または煙道に開閉制御可能な外気吸引口
を設けただけのものであってもよい。そして、この二次
冷却手段によって、排ガス冷却速度が１００℃／ｓｅｃ
以下、好ましくは３０℃以下／ｓｅｃ以下となるように
二次冷却をおこなう。なお、集塵装置４の入口には温度
センサを設置し、フィードバック制御等によって、集塵
装置４に適した所望の排ガス温度を得るようにしてあ
る。その他の構成は、実施の形態１で示した場合と実質
的に同様なので説明を省略する。
【００１９】上記のように構成した排ガスの処理工程を
説明する。排ガス発生装置１から８００℃以上の排ガス
が排出されると、この排ガスは熱回収装置２で熱回収さ
れて、例えば２５０〜３５０℃の温度となる。次に、排
ガス冷却装置３において、まず、２００℃以上の排ガス
に微細水滴を噴霧し、１００℃／ｓｅｃ以上の排ガス冷
却速度となるようにして、所定温度以下に冷却する。こ
のときの冷却温度は、１８０℃以下とすることが好まし
い。さらに、二次冷却手段内で、排ガス冷却速度が１０
０℃／ｓｅｃ以下、望ましくは３０℃／ｓｅｃ以下とな
るようにして二次冷却を行う。そして、集塵装置４の入
口に設置した温度センサを用い、フィードバック制御等
により集塵装置４に適した所望の排ガス温度を得る。こ
うして、排ガス冷却装置３によって、排ガスを集塵装置
４に適した温度、例えば１５０℃〜２００℃の温度まで
冷却したあと、集塵装置４に導入し、ここで、排ガス中
のばいじん及び酸性成分を除去する。集塵装置４を経た
排ガスは、脱硝塔（図示せず）などの別の排ガス処理装
置に導入されて処理されるか、そのまま大気中に放散さ
れる。
説明する。排ガス発生装置１から８００℃以上の排ガス
が排出されると、この排ガスは熱回収装置２で熱回収さ
れて、例えば２５０〜３５０℃の温度となる。次に、排
ガス冷却装置３において、まず、２００℃以上の排ガス
に微細水滴を噴霧し、１００℃／ｓｅｃ以上の排ガス冷
却速度となるようにして、所定温度以下に冷却する。こ
のときの冷却温度は、１８０℃以下とすることが好まし
い。さらに、二次冷却手段内で、排ガス冷却速度が１０
０℃／ｓｅｃ以下、望ましくは３０℃／ｓｅｃ以下とな
るようにして二次冷却を行う。そして、集塵装置４の入
口に設置した温度センサを用い、フィードバック制御等
により集塵装置４に適した所望の排ガス温度を得る。こ
うして、排ガス冷却装置３によって、排ガスを集塵装置
４に適した温度、例えば１５０℃〜２００℃の温度まで
冷却したあと、集塵装置４に導入し、ここで、排ガス中
のばいじん及び酸性成分を除去する。集塵装置４を経た
排ガスは、脱硝塔（図示せず）などの別の排ガス処理装
置に導入されて処理されるか、そのまま大気中に放散さ
れる。
【００２０】上記の排ガスの冷却技術によれば、１００
℃／ｓｅｃ以上の排ガス冷却速度によって排ガス中のダ
イオキシン等の有機ハロゲン化合物を十分に低減した状
態にし、続いて１００℃／ｓｅｃ以下の緩速冷却を実施
するので、ダイオキシンの再合成はなされず、かつ、二
次冷却が緩速冷却であるため、下流側の集塵装置に適し
た所望の温度に精度よく制御することができる。とく
に、緩速冷却を３０℃／ｓｅｃ以下と十分遅い冷却速度
とした場合は、下流側の集塵装置に適した所望の温度に
高精度で制御することができる。
℃／ｓｅｃ以上の排ガス冷却速度によって排ガス中のダ
イオキシン等の有機ハロゲン化合物を十分に低減した状
態にし、続いて１００℃／ｓｅｃ以下の緩速冷却を実施
するので、ダイオキシンの再合成はなされず、かつ、二
次冷却が緩速冷却であるため、下流側の集塵装置に適し
た所望の温度に精度よく制御することができる。とく
に、緩速冷却を３０℃／ｓｅｃ以下と十分遅い冷却速度
とした場合は、下流側の集塵装置に適した所望の温度に
高精度で制御することができる。
【００２１】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
は、有機ハロゲン化合物を含有する２００℃以上の温度
域の排ガスを冷却する排ガス冷却方法であって、排ガス
を１００℃／ｓｅｃ以上の速度で冷却するようにしたの
で、排ガス中に含まれるダイオキシン等の有機ハロゲン
化合物を効果的に低減または抑制することができる。ま
た、排ガスを１００℃／ｓｅｃ以上の速度で１８０℃以
下に冷却するようにしたので、排ガス中に含まれるダイ
オキシン等の有機ハロゲン化合物を非常に効果的に低減
または抑制することができる。
は、有機ハロゲン化合物を含有する２００℃以上の温度
域の排ガスを冷却する排ガス冷却方法であって、排ガス
を１００℃／ｓｅｃ以上の速度で冷却するようにしたの
で、排ガス中に含まれるダイオキシン等の有機ハロゲン
化合物を効果的に低減または抑制することができる。ま
た、排ガスを１００℃／ｓｅｃ以上の速度で１８０℃以
下に冷却するようにしたので、排ガス中に含まれるダイ
オキシン等の有機ハロゲン化合物を非常に効果的に低減
または抑制することができる。
【００２２】さらに、有機ハロゲン化合物を含有する２
００℃以上の温度域の排ガスを冷却する排ガス冷却方法
であって、排ガスを１００℃／ｓｅｃ以上の速度で冷却
したのち、１００℃／ｓｅｃ以下の速度でさらに二次冷
却するようにしたので、ダイオキシンが生成されること
なく、集塵装置への導入排ガス温度を安定して制御する
ことができる。また、排ガスを１００℃／ｓｅｃ以上の
速度で１８０℃以下に冷却したのち、１００℃／ｓｅｃ
以下の速度でさらに二次冷却するようにしたので、ダイ
オキシンが生成されることなく、集塵装置への導入排ガ
ス温度を非常に安定して制御することができる。さら
に、二次冷却の速度を３０℃／ｓｅｃ以下としたので、
ダイオキシンが生成されることなく、集塵器への導入排
ガス温度を非常に安定して制御することができる。
００℃以上の温度域の排ガスを冷却する排ガス冷却方法
であって、排ガスを１００℃／ｓｅｃ以上の速度で冷却
したのち、１００℃／ｓｅｃ以下の速度でさらに二次冷
却するようにしたので、ダイオキシンが生成されること
なく、集塵装置への導入排ガス温度を安定して制御する
ことができる。また、排ガスを１００℃／ｓｅｃ以上の
速度で１８０℃以下に冷却したのち、１００℃／ｓｅｃ
以下の速度でさらに二次冷却するようにしたので、ダイ
オキシンが生成されることなく、集塵装置への導入排ガ
ス温度を非常に安定して制御することができる。さら
に、二次冷却の速度を３０℃／ｓｅｃ以下としたので、
ダイオキシンが生成されることなく、集塵器への導入排
ガス温度を非常に安定して制御することができる。
【図１】本発明の実施の形態１の排ガス処理フローを示
す説明図である。
す説明図である。
【図２】実施の形態１の排ガス冷却速度とダイオキシン
の低減率との関係を示す線図である。
の低減率との関係を示す線図である。
１ 排ガス発生装置 ２ 熱回収装置 ３ 排ガス冷却装置 ４ 集塵装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｆ２３Ｊ 15/00 Ｆ２３Ｊ 15/00 Ｚ Ｆターム(参考） 3K065 HA02 HA03 JA15 JA18 3K070 DA05 DA09 DA28 DA30 DA32 DA37 DA49 DA50 4D002 AA21 BA13 BA14 CA01 DA35 GA01 GB03 GB20 HA10
Claims (5)
- 【請求項１】 有機ハロゲン化合物を含有する２００℃
以上の温度域の排ガスを冷却する排ガス冷却方法であっ
て、該排ガスを１００℃／ｓｅｃ以上の速度で冷却する
ことを特徴とする排ガス冷却方法。 - 【請求項２】 排ガスを１００℃／ｓｅｃ以上の速度で
１８０℃以下に冷却することを特徴とする請求項１記載
の排ガス冷却方法。 - 【請求項３】 有機ハロゲン化合物を含有する２００℃
以上の温度域の排ガスを冷却する排ガス冷却方法であっ
て、該排ガスを１００℃／ｓｅｃ以上の速度で冷却した
のち、１００℃／ｓｅｃ以下の速度でさらに二次冷却す
ることを特徴とする排ガス冷却方法。 - 【請求項４】 排ガスを１００℃／ｓｅｃ以上の速度で
１８０℃以下に冷却したのち、１００℃／ｓｅｃ以下の
速度でさらに二次冷却することを特徴とする請求項３記
載の排ガス冷却方法。 - 【請求項５】 二次冷却の速度を３０℃／ｓｅｃ以下と
したことを特徴とする請求項３または４記載の排ガス冷
却方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000115394A JP2001293320A (ja) | 2000-04-17 | 2000-04-17 | 排ガス冷却方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000115394A JP2001293320A (ja) | 2000-04-17 | 2000-04-17 | 排ガス冷却方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001293320A true JP2001293320A (ja) | 2001-10-23 |
Family
ID=18627044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000115394A Withdrawn JP2001293320A (ja) | 2000-04-17 | 2000-04-17 | 排ガス冷却方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001293320A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005186014A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Kobelco Eco-Solutions Co Ltd | 廃棄物処理設備における有機塩素化合物排出媒体中の有機塩素化合物増加抑制方法及び装置 |
| JP2013545060A (ja) * | 2010-09-23 | 2013-12-19 | テノヴァ ソシエタ ペル アチオニ | 製鉄所プラントの燃焼ガスの急速冷却のための熱交換器、こうした熱交換器を含む製鉄所の燃焼ガスの処理のための装置及び関連処理方法 |
-
2000
- 2000-04-17 JP JP2000115394A patent/JP2001293320A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005186014A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Kobelco Eco-Solutions Co Ltd | 廃棄物処理設備における有機塩素化合物排出媒体中の有機塩素化合物増加抑制方法及び装置 |
| JP2013545060A (ja) * | 2010-09-23 | 2013-12-19 | テノヴァ ソシエタ ペル アチオニ | 製鉄所プラントの燃焼ガスの急速冷却のための熱交換器、こうした熱交換器を含む製鉄所の燃焼ガスの処理のための装置及び関連処理方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6214885B2 (ja) | 排熱回収システムおよび排熱回収方法 | |
| JP2011056500A (ja) | 燃焼排ガス処理装置及び処理方法 | |
| JP3285692B2 (ja) | 焼却炉における飛灰処理装置 | |
| JP6364682B2 (ja) | 焼却プラント及び廃熱回収方法 | |
| JP2001293320A (ja) | 排ガス冷却方法 | |
| JP2001212430A (ja) | 廃棄物焼却炉の排ガス処理方法及びその設備 | |
| JP3491141B2 (ja) | 排ガス処理方法および装置 | |
| JP2000262854A (ja) | 排ガス処理方法および装置 | |
| JPH10337432A (ja) | 排ガス処理方法及びその装置 | |
| JP3664941B2 (ja) | 灰溶融炉の排ガス処理方法およびそのシステム | |
| JP2007038164A (ja) | 排ガス処理システム | |
| JPH11128741A (ja) | 触媒、触媒の使用方法、排ガス処理設備、排ガス処理方法 | |
| JPH0521609B2 (ja) | ||
| JP2000079320A (ja) | 焼却炉排ガスの高度処理方法 | |
| JP2002224532A (ja) | 排ガスの処理方法および処理システム | |
| JP2000051657A (ja) | 残留物質及び煤煙ガスの処理 | |
| JP2001300243A (ja) | 排ガス冷却方法及び排ガス減温装置 | |
| JPH11351528A (ja) | ごみの燃焼による発電方法と装置 | |
| JP3306849B2 (ja) | 廃棄物焼却方法 | |
| JP4386597B2 (ja) | 廃棄物焼却設備 | |
| JPH10151319A (ja) | 灰溶融炉排ガスのダイオキシン除去装置および方法 | |
| JP3826714B2 (ja) | 廃棄物の処理方法 | |
| JP2000271440A (ja) | 排ガス中の有害物質の分解除去方法とその装置 | |
| JPH11169638A (ja) | 排ガス処理方法及び装置 | |
| JPH09234325A (ja) | 排ガス処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20050519 |