JP2001291957A - Wiring board and manufacturing method therefor - Google Patents
Wiring board and manufacturing method thereforInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】ビルドアップ方式の多層プリ
ント配線板、テープキャリア等の配線基板及びその製造
方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wiring board such as a build-up type multilayer printed wiring board and a tape carrier, and a method of manufacturing the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】電子機器の小型化により、使用される配
線基板の配線層の高密度化が急速に進められている。そ
こで、コアとなる多層プリント基板の表面に絶縁層と配
線層を交互に積み上げて形成していくビルドアップ方式
の多層プリント配線板や、ポリイミドテープ等のテープ
の両面に配線層を形成するテープキャリアに代表される
ような配線基板が大量に生産されるようになってきた。
これら配線基板の配線層間の導通はビアホール用穴に導
体を形成したビアホールによって行われる。従来のビア
ホールは、ビアホール用穴の壁面に無電解銅めっき及び
電解銅めっきの技術を適用して銅からなる導体層を形成
していたが、この方法では、穴の内部は開口したままで
あり、ビアホールの上にビアホールを形成することが難
しいため、配線パターンの設計自由度が損なわれるとい
う問題を有していた。また、穴内部に気泡ができるため
に、部品実装等の工程で気泡が膨張して破裂し、断線す
る等、配線基板の信頼性を損なうおそれがあった。そこ
で、ビアホール上にビアホールを積み上げることができ
るように、また、配線基板の信頼性を損なう恐れがない
ように、ビアホール用穴内を銅で埋めてしまうフィルド
ビアと呼ばれる方法が注目されている。2. Description of the Related Art With the miniaturization of electronic equipment, the density of wiring layers of wiring boards used has been rapidly increased. Therefore, a build-up type multilayer printed wiring board in which insulating layers and wiring layers are alternately stacked on the surface of a multilayer printed circuit board serving as a core, or a tape carrier that forms wiring layers on both sides of a tape such as a polyimide tape. In recent years, a large number of wiring boards have been produced.
Conduction between the wiring layers of these wiring boards is performed by via holes in which conductors are formed in the via hole holes. In the conventional via hole, a conductor layer made of copper was formed on the wall surface of the hole for the via hole by applying electroless copper plating and electrolytic copper plating technology, but in this method, the inside of the hole remains open. In addition, since it is difficult to form a via hole on the via hole, there is a problem that the degree of freedom in designing a wiring pattern is impaired. In addition, since air bubbles are formed inside the hole, there is a possibility that the reliability of the wiring board may be impaired, such as expansion and rupture of the air bubbles in a process such as component mounting and disconnection. Therefore, a method called a filled via in which the inside of the via hole is filled with copper so that the via hole can be stacked on the via hole and there is no risk of impairing the reliability of the wiring board is attracting attention.
【0003】ビルドアップ方式の多層プリント配線板で
のビアホールの形成方法は、まず配線層上に絶縁樹脂を
塗布、貼着等の手段で形成し、絶縁樹脂を露光及び現像
で、あるいはレーザー加工でビアホール用穴を形成する
ことによって絶縁層を形成する。その後無電解銅めっき
によりビアホール用穴の側面に触媒処理等で導電性を付
与した後、電解銅めっきで所定膜厚の導体層を形成する
のが一般的である。テープキャリアの場合には、一方の
面に導体層が形成されたポリイミドテープを用意し、他
方の面側からレーザー加工やポリイミドエッチングによ
って、ビアホール用穴を形成し、その後無電解銅めっき
によりビアホール用穴の側面に触媒処理等で導電性を付
与した後、電解銅めっきで所定膜厚の導体層を形成する
というものである。[0003] A via hole is formed in a multilayer printed wiring board of a build-up type by first forming an insulating resin on a wiring layer by means such as coating and sticking, and exposing and developing the insulating resin or by laser processing. An insulating layer is formed by forming a via hole. After that, it is general that a conductive layer having a predetermined thickness is formed by electrolytic copper plating after imparting conductivity to the side surface of the via hole by catalytic treatment or the like by electroless copper plating. In the case of a tape carrier, prepare a polyimide tape with a conductor layer formed on one side, form a via hole hole by laser processing or polyimide etching from the other side, and then use a non-electrolytic copper plating for a via hole. After imparting conductivity to the side surface of the hole by catalytic treatment or the like, a conductor layer having a predetermined thickness is formed by electrolytic copper plating.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところで、これらの配
線基板でフィルドビアを形成する場合、ビアホール用穴
の直径が50μm以上で、アスペクト比(直径/深さ)
1未満のものに対しては十分に埋め込みが可能である
が、直径が50μm未満、アスペクト比が1以上といっ
た微細度の高いビアホール用穴に対しては完全な埋め込
みが行われないことが明らかとなった。これは、電解銅
めっきの場合、電流は微細なビアホール用穴の入り口に
集中し易く、ビアホール用穴内への銅析出が完全に行わ
れない前にビアホール用穴の入り口が塞がってしまうた
めである。When a filled via is formed from these wiring boards, the diameter of the via hole is 50 μm or more, and the aspect ratio (diameter / depth) is increased.
It can be satisfactorily buried in a hole having a diameter of less than 1, but it is apparent that complete burying is not performed in a fine via hole having a diameter of less than 50 μm and an aspect ratio of 1 or more. became. This is because in the case of electrolytic copper plating, the current tends to concentrate at the entrance of the fine via hole, and the entrance of the via hole is blocked before the copper is completely deposited in the via hole. .
【0005】そのため、特殊な添加剤を用いて入り口が
塞がってしまうことを抑制し、ビアホール用穴内に導体
を埋め込む方法が盛んに開発されており、ある程度の効
果はあるが、ビアホール用穴がさらに微細になるとこの
方式でも不十分である。[0005] For this reason, a method of embedding a conductor in a via-hole has been actively developed by using a special additive to prevent the entrance from being blocked, and although there is a certain effect, the via-hole is more effective. This method is not sufficient for finer patterns.
【0006】本発明は、上記問題点に鑑み考案されたも
ので、目的とするところは、微細なビアホール用穴(穴
径50μm以下、アスペクト比1以上)にも導体が完全
に充填され、信頼性の高い配線基板及びその製造方法を
提供することである。The present invention has been devised in view of the above problems, and an object is to completely fill a fine via hole (a hole diameter of 50 μm or less and an aspect ratio of 1 or more) with a conductor. It is an object of the present invention to provide a highly reliable wiring board and a method for manufacturing the same.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明に於いて上記問題
を解決するために、請求項1においては、絶縁層を介し
て配線層がビアホールで電気的に接続され、ビアホール
の一方の端が配線層で閉塞され、ビアホール内が金属導
体にて充填されてなる配線基板において、前記ビアホー
ルが、その一端を閉塞する配線層部の絶縁層側面を触媒
にて置換反応され、無電解めっきによって充填されてな
ることを特徴としている。In order to solve the above-mentioned problems in the present invention, in claim 1, the wiring layer is electrically connected to the wiring layer via the insulating layer, and one end of the via hole is connected to the wiring layer. In a wiring board which is closed with a wiring layer and the inside of a via hole is filled with a metal conductor, the via hole is replaced by a catalyst on the side of the insulating layer of the wiring layer portion which closes one end thereof, and is filled by electroless plating. It is characterized by being done.
【0008】また、請求項2においては、配線基板の製
造方法であって、ビアホール用穴が形成された絶縁層の
底部が導体によって閉塞されている材料に対し、ビアホ
ール用穴の底部の導体を触媒にて置換反応させ、無電解
めっきすることによって前記ビアホール内を充填するこ
とを特徴としている。According to a second aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a wiring board, wherein the conductor at the bottom of the via hole is formed of a material whose bottom is closed by the conductor. It is characterized in that the via hole is filled by performing a substitution reaction with a catalyst and performing electroless plating.
【0009】さらにまた、請求項3においては、請求項
2記載の配線基板の製造方法において、前記置換反応
が、2価パラジウムイオンを含有する触媒液を用いて行
われることを特徴としている。そして、請求項4におい
ては、請求項3記載の配線基板の製造方法において、2
価パラジウムイオンを含有する前記触媒液が、少なくと
も塩酸、塩化パラジウム、塩酸ヒドラジンを含有するこ
とを特徴としている。[0009] In a third aspect of the present invention, in the method for manufacturing a wiring board according to the second aspect, the substitution reaction is performed using a catalyst solution containing divalent palladium ion. According to a fourth aspect of the present invention, in the method for manufacturing a wiring board according to the third aspect,
The catalyst solution containing a valence palladium ion contains at least hydrochloric acid, palladium chloride, and hydrazine hydrochloride.
【0010】[0010]
【発明の実施の形態】本発明においては、無電解めっき
でビアホール用穴底部の導体、例えば銅からなる配線層
あるいは配線をパターニングする前の銅層上に無電解め
っきによって金属導体を析出させる際、予め、ビアホー
ル用穴の底部の露出した導体上のみに触媒付与処理を施
すものであり、好ましくは2価パラジウムイオンを含有
する触媒液をるものである。この触媒液は、少なくとも
塩酸、塩化パラジウム、塩酸ヒドラジンを含む溶液から
なり、触媒液の濃度の一例として、パラジウム濃度が1
0〜200mg/L、塩酸(35%)濃度が20〜15
0mL/L、塩酸ヒドラジンが10〜1000mg/L
が好適である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the present invention, a metal conductor is deposited by electroless plating on a conductor at the bottom of a via hole, for example, a copper wiring layer or a copper layer before wiring is patterned by electroless plating. The catalyst application treatment is performed in advance only on the exposed conductor at the bottom of the via hole, and preferably, a catalyst solution containing divalent palladium ion is used. This catalyst solution is composed of a solution containing at least hydrochloric acid, palladium chloride, and hydrazine hydrochloride.
0-200 mg / L, hydrochloric acid (35%) concentration 20-15
0 mL / L, hydrazine hydrochloride is 10 to 1000 mg / L
Is preferred.
【0011】さらに、無電解めっきにて、ビアホール用
穴の底部の導体表面から金属導体の析出を行い、フィル
ドビアホールを形成する。無電解めっきは、電解めっき
で問題となる電流の穴口への集中を考慮する必要がない
ため、好都合である。また、電流分布の偏りによる膜厚
ばらつきの問題がなく、膜厚のばらつきを小さくするこ
とが容易である。Furthermore, a metal conductor is deposited from the conductor surface at the bottom of the via hole by electroless plating to form a filled via hole. Electroless plating is advantageous because it is not necessary to consider the concentration of current at the hole, which is a problem in electrolytic plating. In addition, there is no problem of film thickness variation due to uneven current distribution, and it is easy to reduce the film thickness variation.
【0012】以下本発明の実施形態についてさらに詳細
に説明する。図1(a)〜(d)に本発明の実施形態の
一例を示す。まず、両面に配線層2a及び配線層2bが
形成された絶縁基板1(図1(a)参照)の両面に絶縁
層3を形成する(図1(b)参照)。次に、絶縁層3の
所定位置にレーザー加工等によりビアホール用穴4a及
びビアホール用穴4bを形成し、ビアホール用穴4a及
びビアホール用穴4bを触媒液を用いて置換反応処理を
行って、ビアホール用穴4a及びビアホール用穴4b内
の底部の配線層2a及び配線層2bの露出面に触媒核を
形成する(図1(c)参照)。さらに、無電解めっきを
行ってビアホール用穴4a及びビアホール用穴4b内の
配線層表面から金属導体を析出させビアホール5a及び
ビアホール5bを形成する(図1(d)参照)。Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail. 1A to 1D show an example of an embodiment of the present invention. First, an insulating layer 3 is formed on both surfaces of an insulating substrate 1 (see FIG. 1A) having a wiring layer 2a and a wiring layer 2b formed on both surfaces (see FIG. 1B). Next, a via hole 4a and a via hole 4b are formed at predetermined positions of the insulating layer 3 by laser processing or the like, and the via hole 4a and the via hole 4b are subjected to a substitution reaction process using a catalyst solution. Catalyst nuclei are formed on the exposed surfaces of the wiring layers 2a and 2b at the bottoms in the holes 4a and the via holes 4b (see FIG. 1 (c)). Further, electroless plating is performed to deposit a metal conductor from the surface of the wiring layer in the via hole 4a and the via hole 4b to form the via holes 5a and 5b (see FIG. 1D).
【0013】このビアホール5a及びビアホール5bの
目的は下層と上層との配線層を電気的に接続するもので
あるから、必ずビアホール用穴4a及びビアホール用穴
4bは下層の配線層2a及び配線層2b上に設けられ、
ビアホール用穴4a及びビアホール用穴4bの底には配
線層の材料である銅が露出するようになっている。そし
て、ビアホール用穴4a及びビアホール用穴4bの露出
した銅表面を触媒液を用いて置換反応することによっ
て、無電解めっきでの導体析出はこの触媒核が付与され
た穴底の配線層表面から開始され、ビアホール用穴入り
口に向かって成長してビアホール5a及びビアホール5
bが形成される。Since the purpose of the via holes 5a and 5b is to electrically connect the lower and upper wiring layers, the via hole 4a and the via hole 4b must be connected to the lower wiring layer 2a and the wiring layer 2b. Provided above,
Copper, which is a material of the wiring layer, is exposed at the bottoms of the via hole 4a and the via hole 4b. The exposed copper surfaces of the via hole holes 4a and the via hole holes 4b undergo a substitution reaction using a catalyst solution, so that conductor deposition by electroless plating starts from the surface of the wiring layer at the bottom of the hole provided with the catalyst nuclei. The via hole 5a and the via hole 5
b is formed.
【0014】従来の方法では、触媒付与処理を穴の底だ
けでなく、ビアホール用穴の壁面に対しても行っていた
ため、無電解めっきは穴底からだけでなく、側面からも
成長していく。無電解めっきの場合には、電解めっきに
比べて電流のビアホール用穴入り口への金属導体析出集
中の問題は軽減されるが、ビアホール用穴の入り口の部
分の方がめっき液成分の供給速度が高いために、やや析
出速度が高くなり、どうしても、微細なビアホール用穴
についてはボイドが残存することが避けられない。In the conventional method, the catalyst application treatment is performed not only on the bottom of the hole but also on the wall surface of the via hole, so that the electroless plating grows not only from the bottom of the hole but also from the side. . In the case of electroless plating, the problem of concentration of metal conductor deposition at the entrance of the via hole is reduced as compared with electrolytic plating, but the supply rate of the plating solution component is lower at the entrance of the via hole. Due to the high temperature, the deposition rate is slightly increased, and it is inevitable that voids remain in the fine via hole.
【0015】ビアホール用穴4a及びビアホール用穴4
bに導体を析出させる無電解めっきとしては、電気伝導
度の点から無電解銅めっきが一般的に使用されるが、め
っき液中での樹脂の安定性などを考慮すると、操作性の
点から無電解Niめっきを使用することもできる。無電
解めっきを実施する時は、液の攪拌を十分に行って、微
細ビアホール用穴内へ反応すべきイオンの供給が十分に
行われるようにする。攪拌方法としては、空気攪拌、ポ
ンプ循環による方法など、従来、使用されている方法を
採用することができる。また、めっき液の循環、濾過を
行うことにより、めっき液中に存在する微細粒子を除
き、それらが核となって発生する異常析出を防止する。Via hole 4a and via hole 4
As electroless plating for depositing a conductor on b, electroless copper plating is generally used from the viewpoint of electrical conductivity, but from the viewpoint of operability, considering the stability of the resin in the plating solution. Electroless Ni plating can also be used. When performing electroless plating, the solution is sufficiently agitated so that ions to be reacted are sufficiently supplied into the fine via hole. As the stirring method, a conventionally used method such as a method using air stirring or a pump circulation can be adopted. In addition, by circulating and filtering the plating solution, fine particles present in the plating solution are removed, and abnormal precipitation that occurs as a nucleus thereof is prevented.
【0016】ビアホール用穴4a及びビアホール用穴4
bは、レーザ光を用いて従来公知の方法で形成すること
ができる。さらに、デスミア処理によってビアホール用
穴内のクリーニングを行う。これは、ビアホール用穴内
に残存したスミアによって層間の接続の信頼性が低下す
るのを防止するためである。Via hole 4a and via hole 4
b can be formed by a conventionally known method using a laser beam. Further, the inside of the via hole is cleaned by a desmear process. This is to prevent the smear remaining in the via hole from deteriorating the reliability of the connection between the layers.
【0017】以下、本発明の製造方法を用いてビルドア
ップ方式の多層プリント配線板を作製する作製事例につ
いて説明する。図2(a)〜(d)は本発明の製造方法
を用いてビルドアップ方式の多層プリント配線板を製造
する一例を、図3(a)〜(f)は本発明の製造方法を
用いてビルドアップ方式の多層プリント配線板を製造す
る他の例を、図4(a)〜(f)は本発明の製造方法を
用いてビルドアップ方式の多層プリント配線板を製造す
るさらに他の例をそれぞれ示す。Hereinafter, an example of manufacturing a multilayer printed wiring board of a build-up system using the manufacturing method of the present invention will be described. 2A to 2D show an example of manufacturing a build-up type multilayer printed wiring board using the manufacturing method of the present invention, and FIGS. 3A to 3F show the manufacturing method of the present invention. FIGS. 4A to 4F show still another example of manufacturing a build-up multilayer printed wiring board using the manufacturing method of the present invention. Shown respectively.
【0018】<事例1>まず、絶縁基板11の両面に配
線層12a及び配線層12bを形成する(図2(a)参
照)。次に、配線層12a及び配線層12bが形成され
た絶縁基板11の両面に絶縁層13を形成し、配線層1
2a及び配線層12b上の絶縁層13の所定位置にレー
ザー加工にてビアホール用穴14a及びビアホール用穴
14bを形成し、2価パラジウムイオンを含有する触媒
液にてビアホール用穴14a及びビアホール用穴14b
を置換反応処理して、ビアホール用穴14a及びビアホ
ール用穴14b内の配線層12a及び配線層12b表面
に触媒核を形成する(図2(b)参照)。<Case 1> First, a wiring layer 12a and a wiring layer 12b are formed on both surfaces of an insulating substrate 11 (see FIG. 2A). Next, an insulating layer 13 is formed on both surfaces of the insulating substrate 11 on which the wiring layers 12a and 12b are formed.
Via holes 14a and 14b are formed at predetermined positions of the insulating layer 13 on the wiring layer 12a and the wiring layer 12b by laser processing, and the via holes 14a and the via holes are formed with a catalyst solution containing divalent palladium ions. 14b
Is subjected to a substitution reaction treatment to form catalyst nuclei on the surfaces of the wiring layers 12a and 12b in the via hole holes 14a and the via hole holes 14b (see FIG. 2B).
【0019】次に、無電解銅めっきを行って、ビアホー
ル用穴14a及びビアホール用穴14b内に銅を析出さ
せ、ビアホール15a及びビアホール15bを形成する
(図2(c)参照)。次に、両面に公知の方法で配線層
16a及び配線層16bを形成して、所定の配線層12
a及び配線層12bと配線層16a及び配線層16bと
がビアホール15a及びビアホール15bにて電気的に
接続された4層のビルドアップ多層プリント配線板を得
る(図2(d)参照)。さらに、必要に応じて、上記の
工程を繰り返すことにより、所望層数のビルドアップ多
層プリント配線板を得ることができる。Then, copper is deposited in the via hole 14a and the via hole 14b by electroless copper plating to form the via holes 15a and 15b (see FIG. 2C). Next, a wiring layer 16a and a wiring layer 16b are formed on both surfaces by a known method, and a predetermined wiring layer 12a is formed.
a and the wiring layer 12b and the wiring layer 16a and the wiring layer 16b are electrically connected to each other via the via holes 15a and the via holes 15b to obtain a four-layer build-up multilayer printed wiring board (see FIG. 2D). Further, if necessary, by repeating the above steps, a build-up multilayer printed wiring board having a desired number of layers can be obtained.
【0020】<事例2>まず、絶縁基板21の両面に配
線層22a及び配線層22bを形成する(図3(a)参
照)。次に、配線層22a及び配線層22bが形成され
た絶縁基板21の両面に絶縁層23及び導体層24を形
成する(図3(b)参照)。次に、導体層24をパター
ニング処理して、導体層24の所定位置にビアホール用
穴形成用の開口部25を形成する(図3(c)参照)。<Case 2> First, a wiring layer 22a and a wiring layer 22b are formed on both surfaces of an insulating substrate 21 (see FIG. 3A). Next, an insulating layer 23 and a conductor layer 24 are formed on both surfaces of the insulating substrate 21 on which the wiring layers 22a and 22b are formed (see FIG. 3B). Next, the conductor layer 24 is patterned to form openings 25 for forming via holes at predetermined positions of the conductor layer 24 (see FIG. 3C).
【0021】次に、開口部25より導体層24をマスク
にしてレーザーを照射し、デスミア処理を行ってビアホ
ール用穴26a及びビアホール用穴26bを形成する。
さらに、ビアホール用穴26a及びビアホール用穴26
bを除く導体層24上にレジスト層27を形成して、2
価パラジウムイオンを含有する触媒液にてビアホール用
穴26a及びビアホール用穴26bを置換反応処理し
て、ビアホール用穴26a及びビアホール用穴26b内
の配線層22a及び配線層22b表面に触媒核を形成す
る(図3(d)参照)。Next, a laser beam is irradiated from the opening 25 using the conductor layer 24 as a mask, and a desmear process is performed to form a via hole 26a and a via hole 26b.
Furthermore, the via hole 26a and the via hole 26
b, a resist layer 27 is formed on the conductor layer 24 except for
The via hole 26a and the via hole 26b are replaced with a catalyst solution containing valence palladium ions to form catalyst nuclei on the surfaces of the wiring layer 22a and the wiring layer 22b in the via hole 26a and the via hole 26b. (See FIG. 3D).
【0022】次に、無電解銅めっきにて、ビアホール用
穴26a及びビアホール用穴26b内に銅を析出させ、
ビアホール28a及びビアホール28bを形成する(図
3(e)参照)。Next, copper is deposited in the via hole 26a and the via hole 26b by electroless copper plating.
Via holes 28a and 28b are formed (see FIG. 3E).
【0023】次に、レジスト層27を剥離処理し、導体
層24をパターニング処理して配線層24a及び配線層
24bを形成して、所定の配線層22a及び配線層22
bと配線層24a及び配線層24bとがビアホール28
a及びビアホール28bにて電気的に接続された4層の
ビルドアップ多層プリント配線板を得る(図3(f)参
照)。さらに、必要に応じて、上記の工程を繰り返すこ
とにより、所望層数のビルドアップ多層プリント配線板
を得ることができる。Next, the resist layer 27 is peeled off, and the conductor layer 24 is patterned to form wiring layers 24a and 24b.
b and the wiring layer 24a and the wiring layer 24b
Then, a four-layer build-up multilayer printed wiring board electrically connected by the via hole 28a and the via hole 28b is obtained (see FIG. 3F). Further, if necessary, by repeating the above steps, a build-up multilayer printed wiring board having a desired number of layers can be obtained.
【0024】<事例3>まず、絶縁基板31の両面に配
線層32a及び配線層32bを形成する(図4(a)参
照)。次に、配線層32a及び配線層32bが形成され
た絶縁基板31の両面に樹脂層付の銅箔をラミネートし
て、絶縁層33及び導体層34を形成する(図4(b)
参照)。次に、導体層34をパターニング処理して、導
体層34の所定位置にビアホール用穴形成用の開口部3
5を形成する(図4(c)参照)。<Case 3> First, a wiring layer 32a and a wiring layer 32b are formed on both surfaces of an insulating substrate 31 (see FIG. 4A). Next, a copper foil with a resin layer is laminated on both sides of the insulating substrate 31 on which the wiring layer 32a and the wiring layer 32b are formed to form the insulating layer 33 and the conductor layer 34 (FIG. 4B).
reference). Next, the conductor layer 34 is subjected to a patterning process so that the opening 3 for forming a via hole is formed at a predetermined position of the conductor layer 34.
5 (see FIG. 4C).
【0025】次に、開口部35より導体層34をマスク
にしてレーザーを照射し、デスミア処理してビアホール
用穴36a及びをビアホール用穴36bを形成する。さ
らに、2価パラジウムイオンを含有する触媒液にてビア
ホール用穴36a及びビアホール用穴36bを置換反応
処理して、ビアホール用穴36a及びビアホール用穴3
6b内の配線層32a及び配線層32b表面に触媒核を
形成する(図4(d)参照)。Next, a laser is irradiated from the opening 35 using the conductor layer 34 as a mask, and desmearing is performed to form a via hole 36a and a via hole 36b. Further, the via-hole 36a and the via-hole 36b are subjected to a substitution reaction treatment with a catalyst solution containing divalent palladium ion, and the via-hole 36a and the via-hole 3 are removed.
Catalyst nuclei are formed on the surfaces of the wiring layer 32a and the wiring layer 32b in 6b (see FIG. 4D).
【0026】次に、無電解銅めっきにて、ビアホール用
穴36a及びビアホール用穴36b内に銅を析出させ、
ビアホール38a及びビアホール38bを形成する(図
4(e)参照)。Next, copper is deposited in the via hole 36a and the via hole 36b by electroless copper plating.
A via hole 38a and a via hole 38b are formed (see FIG. 4E).
【0027】次に、導体層34をパターニング処理して
配線層34a及び配線層34bを形成して、所定の配線
層32a及び配線層32bと配線層34a及び配線層3
4bとがビアホール38a及びビアホール38bにて電
気的に接続された4層のビルドアップ多層プリント配線
板を得る(図4(f)参照)。さらに、必要に応じて、
上記の工程を繰り返すことにより、所望層数のビルドア
ップ多層プリント配線板を得ることができる。Next, the conductor layer 34 is patterned to form a wiring layer 34a and a wiring layer 34b, and the predetermined wiring layers 32a and 32b and the wiring layers 34a and 34a are formed.
Thus, a four-layer build-up multilayer printed wiring board electrically connected to the via hole 38a and the via hole 38b is obtained (see FIG. 4F). In addition, if necessary,
By repeating the above steps, a desired number of build-up multilayer printed wiring boards can be obtained.
【0028】上記ビアホール形成用の無電解めっき液
は、特に限定しないが、無電解銅めっきで、ホルマリン
を還元剤として使用する一般的な浴のほか、グリオキシ
ル酸やコバルト(II)塩を還元剤として使用した浴も
使用できる。無電解Niめっきは、次亜リン酸塩を還元
剤として使用した中リンタイプと呼ばれる浴が、析出速
度、安定性等の点で使用されやすいが、ボロンやヒドラ
ジンを還元剤として使用した浴も使用可能である。The electroless plating solution for forming the via hole is not particularly limited, but is not limited to a general bath using formalin as a reducing agent in electroless copper plating, and a reducing agent such as glyoxylic acid or cobalt (II) salt. The bath used as can also be used. In the electroless Ni plating, a medium phosphorus type bath using hypophosphite as a reducing agent is easily used in terms of deposition rate, stability and the like, but a bath using boron or hydrazine as a reducing agent is also available. Can be used.
【0029】上記本発明の製造方法を用いて、ビルドア
ップ方式の多層プリント配線板を製造することにより、
直径50μm未満、アスペクト比1以上の微細ビアホー
ル用穴内に完全に金属導体が埋め込まれたビアホールを
有するビルドアップ方式の多層プリント配線板の製造が
可能となる。By using the manufacturing method of the present invention to manufacture a build-up type multilayer printed wiring board,
It is possible to manufacture a build-up type multilayer printed wiring board having a via hole in which a metal conductor is completely embedded in a fine via hole hole having a diameter of less than 50 μm and an aspect ratio of 1 or more.
【0030】[0030]
【実施例】以下実施例により本発明を詳細に説明する。 <実施例1>図2(a)〜(d)に示す製造工程にて、
まず、絶縁基板11の両面に配線層12a及び配線層1
2bが形成された2層積層板に35μm厚の絶縁層13
を形成し、絶縁層13の所定位置にレーザー加工により
穴開け加工を行い、デスミア処理、中和処理を行って、
穴径20μm、深さ35μm(アスペクト比1.75)
のビアホール用穴14a及び穴径50μm、深さ35μ
m(アスペクト比0.7)のビアホール用穴14bを形
成した。The present invention will be described in detail with reference to the following examples. <Embodiment 1> In the manufacturing process shown in FIGS.
First, the wiring layer 12a and the wiring layer 1 are formed on both surfaces of the insulating substrate 11.
The insulating layer 13 having a thickness of 35 μm is formed on the two-layer laminate on which the second layer 2b is formed.
Is formed, and a predetermined position of the insulating layer 13 is perforated by laser processing, desmearing and neutralization are performed.
Hole diameter 20μm, depth 35μm (aspect ratio 1.75)
Via hole 14a and hole diameter 50 μm, depth 35 μm
Via holes 14b of m (aspect ratio 0.7) were formed.
【0031】次に、脱脂処理、過硫酸ナトリウム(10
0g/L)と硫酸(20mL/L)の混合溶液にてソフ
トエッチング及び2%硫酸溶液にてビアホール用穴14
a及びビアホール用穴14b内の配線層12a及び配線
層12bの表面処理を行って、塩化パラジウム(Pdと
して50mg/L)、35%塩酸(80mL/L)及び
塩酸ヒドラジン(200mg/L)からなる処理液にて
25℃、5分間処理して、ビアホール用穴14a及びビ
アホール用穴14b内の配線層12a及び配線層12b
表面に触媒核を形成した。Next, a degreasing treatment was performed using sodium persulfate (10%).
0 g / L) and sulfuric acid (20 mL / L) in a soft etching and a 2% sulfuric acid solution in via holes 14.
a and palladium chloride (50 mg / L as Pd), 35% hydrochloric acid (80 mL / L) and hydrazine hydrochloride (200 mg / L) by subjecting the wiring layer 12a and the wiring layer 12b in the via hole hole 14b to a surface treatment. The wiring layer 12a and the wiring layer 12b in the via hole 14a and the via hole 14b are treated with a processing solution at 25 ° C. for 5 minutes.
A catalyst nucleus was formed on the surface.
【0032】次に、70℃の無電解銅めっき液KC−5
00(日鉱メタルプレーティング)を用いてビアホール
用穴14a及びビアホール用穴14bに無電解銅めっき
を行い、ビアホール15a及びビアホール15bを形成
した。Next, an electroless copper plating solution KC-5 at 70 ° C.
Via holes 15a and 15b were formed by electroless copper plating on the via hole holes 14a and 14b using 00 (Nikko Metal Plating).
【0033】次に、絶縁層13及びビアホール表面をキ
ャタポジット44(シップレイ社製)処理液にてコロイ
ド触媒付与して、さらにアクセラレータ19(シップレ
イ社製)にて処理した後無電解銅めっき及び電解銅めっ
きを行って35μm厚の導体層を形成し、パターニング
処理を行って、配線層16a及び配線層16bを形成し
て、ビルドアップ方式による実施例1の4層プリント配
線板を作製した。Next, the surface of the insulating layer 13 and the via hole are treated with a cataposit 44 (manufactured by Shipley) using a colloid catalyst, and further treated by an accelerator 19 (manufactured by Shipley). A conductor layer having a thickness of 35 μm was formed by performing copper plating, patterning was performed, and the wiring layer 16a and the wiring layer 16b were formed. Thus, a four-layer printed wiring board of Example 1 was produced by a build-up method.
【0034】<実施例2>図3(a)〜(f)に示す製
造工程にて、まず、絶縁基板21の両面に配線層22a
及び配線層22bを形成し、さらに、絶縁層23及び導
体層24を形成し、導体層24をパターニング処理し
て、導体層24の所定位置にビアホール用穴形成用の開
口部25を形成した。<Embodiment 2> In the manufacturing steps shown in FIGS. 3A to 3F, first, the wiring layers 22a are formed on both surfaces of the insulating substrate 21.
Then, an insulating layer 23 and a conductor layer 24 were formed, and the conductor layer 24 was subjected to patterning processing to form an opening 25 for forming a via hole in a predetermined position of the conductor layer 24.
【0035】次に、開口部25より導体層24をマスク
にしてレーザーを照射し絶縁層23に穴開け加工を行
い、デスミア処理、中和処理を行って、穴径20μm、
深さ35μm(アスペクト比1.75)のビアホール用
穴26a及び穴径50μm、深さ35μm(アスペクト
比0.7)のビアホール用穴26bを形成した。Next, a laser beam is radiated from the opening 25 using the conductor layer 24 as a mask to form a hole in the insulating layer 23, and a desmear treatment and a neutralization treatment are performed.
A via hole 26a having a depth of 35 μm (aspect ratio 1.75) and a via hole 26b having a hole diameter of 50 μm and a depth of 35 μm (aspect ratio 0.7) were formed.
【0036】次に、実施例1と同様の方法で、脱脂、ソ
フトエッチング及びビアホール用穴26a及びビアホー
ル用穴26b内の配線層22a及び配線層22bの表面
処理を行って、塩化パラジウム(Pdとして50mg/
L)、35%塩酸(80mL/L)及び塩酸ヒドラジン
(200mg/L)からなる処理液にて25℃、5分間
処理して、ビアホール用穴26a及びビアホール用穴2
6b内の配線層22a及び配線層22b表面に触媒核を
形成した。Next, in the same manner as in Example 1, degreasing, soft etching, and surface treatment of the wiring layer 22a and the wiring layer 22b in the via hole hole 26a and the via hole hole 26b are performed to obtain palladium chloride (Pd). 50mg /
L), a treatment solution containing 35% hydrochloric acid (80 mL / L) and hydrazine hydrochloride (200 mg / L) at 25 ° C. for 5 minutes to form via-hole 26 a and via-hole 2.
Catalyst nuclei were formed on the surfaces of the wiring layer 22a and the wiring layer 22b in 6b.
【0037】次に、70℃の無電解銅めっき液KC−5
00(日鉱メタルプレーティング)を用いてビアホール
用穴26a及びビアホール用穴26bに無電解銅めっき
を行い、ビアホール28a及びビアホール28bを形成
した。Next, an electroless copper plating solution KC-5 at 70 ° C.
Electroless copper plating was performed on the via hole holes 26a and the via hole holes 26b using 00 (Nikko Metal Plating) to form the via holes 28a and 28b.
【0038】次に、導体層24のパターニング処理を行
って、配線層24a及び配線層24bを形成して、ビル
ドアップ方式による実施例2の4層プリント配線板を作
製した。Next, the wiring layer 24a and the wiring layer 24b were formed by patterning the conductor layer 24, and the four-layer printed wiring board of Example 2 was produced by the build-up method.
【0039】<実施例3>図4(a)〜(f)に示す製
造工程にて、まず、絶縁基板31の両面に配線層32a
及び配線層32bを形成し、さらに、樹脂層付の銅箔を
ラミネートして絶縁層33及び導体層34を形成し、導
体層34をパターニング処理して、導体層34の所定位
置にビアホール用穴形成用の開口部35を形成した。<Embodiment 3> In the manufacturing process shown in FIGS. 4A to 4F, first, the wiring layers 32a are formed on both surfaces of the insulating substrate 31.
And a wiring layer 32b, and further, laminating a copper foil with a resin layer to form an insulating layer 33 and a conductor layer 34, patterning the conductor layer 34, and forming a via hole hole at a predetermined position of the conductor layer 34. An opening 35 for formation was formed.
【0040】次に、開口部35より導体層34をマスク
にしてレーザーを照射し絶縁層33に穴開け加工を行
い、デスミア処理、中和処理を行って、穴径20μm、
深さ35μm(アスペクト比1.75)のビアホール用
穴36a及び穴径50μm、深さ35μm(アスペクト
比0.7)のビアホール用穴36bを形成した。Next, a laser beam is radiated from the opening 35 using the conductor layer 34 as a mask, a hole is formed in the insulating layer 33, and a desmear treatment and a neutralization treatment are performed.
A via hole 36a having a depth of 35 μm (aspect ratio 1.75) and a via hole 36b having a hole diameter of 50 μm and a depth of 35 μm (aspect ratio 0.7) were formed.
【0041】次に、実施例1と同様の方法で、脱脂、ソ
フトエッチング及びビアホール用穴36a及びビアホー
ル用穴36b内の配線層32a及び配線層32bの表面
処理を行って、塩化パラジウム(Pdとして50mg/
L)、35%塩酸(80mL/L)及び塩酸ヒドラジン
(200mg/L)からなる処理液にて25℃、5分間
処理して、ビアホール用穴36a及びビアホール用穴3
6b内の配線層32a及び配線層32b表面に触媒核を
形成した。Next, in the same manner as in Example 1, degreasing, soft etching, and surface treatment of the wiring layer 32a and the wiring layer 32b in the via-hole 36a and the via-hole 36b were performed to obtain palladium chloride (Pd). 50mg /
L), a treatment solution consisting of 35% hydrochloric acid (80 mL / L) and hydrazine hydrochloride (200 mg / L) at 25 ° C. for 5 minutes to form a via hole 36 a and a via hole 3.
Catalyst nuclei were formed on the surfaces of the wiring layer 32a and the wiring layer 32b in 6b.
【0042】次に、70℃の無電解銅めっき液KC−5
00(日鉱メタルプレーティング)を用いてビアホール
用穴36a及びビアホール用穴36bに無電解銅めっき
を行い、ビアホール38a及びビアホール38bを形成
した。Next, an electroless copper plating solution KC-5 at 70 ° C.
Using 00 (Nikko Metal Plating), the via holes 36a and 36b were subjected to electroless copper plating to form via holes 38a and 38b.
【0043】次に、導体層34のパターニング処理を行
って、配線層34a及び配線層34bを形成して、ビル
ドアップ方式による実施例3の4層プリント配線板を作
製した。Next, the conductor layer 34 was patterned to form a wiring layer 34a and a wiring layer 34b, thereby producing a four-layer printed wiring board of Example 3 by a build-up method.
【0044】<比較例1>図5(a)〜(d)に示す製
造工程にて、まず、絶縁基板41の両面に配線層42a
及び配線層42bが形成された2層積層板に35μm厚
の絶縁層43を形成し、絶縁層43の所定位置にレーザ
ー加工により穴開け加工を行い、デスミア処理、中和処
理を行って、穴径20μm、深さ35μm(アスペクト
比1.75)のビアホール用穴44a及び穴径50μ
m、深さ35μm(アスペクト比0.7)のビアホール
用穴44bを形成した。<Comparative Example 1> In the manufacturing steps shown in FIGS. 5A to 5D, first, the wiring layers 42a are formed on both surfaces of the insulating substrate 41.
An insulating layer 43 having a thickness of 35 μm is formed on the two-layer laminate on which the wiring layer 42b is formed, and a predetermined position of the insulating layer 43 is drilled by laser processing, desmearing and neutralization are performed. Via hole hole 44a having a diameter of 20 μm and a depth of 35 μm (aspect ratio 1.75) and a hole diameter of 50 μm
A via hole 44b having a depth of 35 μm (aspect ratio 0.7) was formed.
【0045】次に、脱脂処理、過硫酸ナトリウム(10
0g/L)と硫酸(20mL/L)の混合溶液にてソフ
トエッチング及び2%硫酸溶液にてビアホール用穴44
a及びビアホール用穴44b内の配線層42a及び配線
層42bの表面処理を行って、絶縁層43表面及びビア
ホール用穴14a及びビアホール用穴14b内をキャタ
ポジット44(シップレイ社製)処理液にてコロイド触
媒付与して、さらにアクセラレータ19(シップレイ社
製)にて処理した後無電解銅めっきにてビアホール用穴
44a及びビアホール用穴44b内及び絶縁層43表面
に1μm厚の銅の薄膜導体層を形成し、引き続き電解銅
めっきを行い、ビアホール45a、ビアホール45b及
び35μm厚の導体層46を形成した。Next, a degreasing treatment was performed using sodium persulfate (10%).
0 g / L) and sulfuric acid (20 mL / L) in a soft etching and a 2% sulfuric acid solution for via holes 44.
a and the surface of the wiring layer 42a and the wiring layer 42b in the via hole hole 44b are subjected to a surface treatment, and the surface of the insulating layer 43 and the inside of the via hole hole 14a and the inside of the via hole hole 14b are treated with a cataposit 44 (manufactured by Shipley). After applying a colloid catalyst and further processing with an accelerator 19 (manufactured by Shipley), a 1 μm thick copper thin film conductor layer is formed in the via hole holes 44 a and the via hole holes 44 b and on the surface of the insulating layer 43 by electroless copper plating. The via hole 45a, the via hole 45b and the conductor layer 46 having a thickness of 35 μm were formed by performing electrolytic copper plating.
【0046】次に、導体層46のパターニング処理を行
って、配線層46a及び配線層46bを形成して、ビル
ドアップ方式による比較例1の4層プリント配線板を作
製した。Next, the conductor layer 46 was patterned to form a wiring layer 46a and a wiring layer 46b, thereby producing a four-layer printed wiring board of Comparative Example 1 by a build-up method.
【0047】<比較例2>図5(a)〜(d)に示す製
造工程にて、まず、絶縁基板41の両面に配線層42a
及び配線層42bが形成された2層積層板に35μm厚
の絶縁層43を形成し、絶縁層43の所定位置にレーザ
ー加工により穴開け加工を行い、デスミア処理、中和処
理を行って、穴径20μm、深さ35μm(アスペクト
比1.75)のビアホール用穴44a及び穴径50μ
m、深さ35μm(アスペクト比0.7)のビアホール
用穴44bを形成した。<Comparative Example 2> In the manufacturing steps shown in FIGS. 5A to 5D, first, the wiring layers 42a
An insulating layer 43 having a thickness of 35 μm is formed on the two-layer laminate on which the wiring layer 42b is formed, and a predetermined position of the insulating layer 43 is drilled by laser processing, desmearing and neutralization are performed. Via hole hole 44a having a diameter of 20 μm and a depth of 35 μm (aspect ratio 1.75) and a hole diameter of 50 μm
A via hole 44b having a depth of 35 μm (aspect ratio 0.7) was formed.
【0048】次に、脱脂処理、過硫酸ナトリウム(10
0g/L)と硫酸(20mL/L)の混合溶液にてソフ
トエッチング及び2%硫酸溶液にてビアホール用穴44
a及びビアホール用穴44b内の配線層42a及び配線
層42bの表面処理を行って、絶縁層43表面及びビア
ホール用穴14a及びビアホール用穴14b内をキャタ
ポジット (シップレイ)処理液にてコロイド触
媒付与して、無電解銅めっきにて、ビアホール45a、
ビアホール45b及び35μm厚の導体層46を形成し
た。Next, a degreasing treatment was performed using sodium persulfate (10%).
0 g / L) and sulfuric acid (20 mL / L) in a soft etching and a 2% sulfuric acid solution for via holes 44.
a and the surface of the insulating layer 43 and the inside of the via hole 14a and the inside of the via hole 14b are subjected to a surface treatment of the wiring layer 42a and the wiring layer 42b in the via hole hole 44b, and a colloid catalyst is applied with a cataposit (shiplay) treatment liquid. Then, by electroless copper plating, via holes 45a,
A via hole 45b and a conductor layer 46 having a thickness of 35 μm were formed.
【0049】次に、導体層46のパターニング処理を行
って、配線層46a及び配線層46bを形成して、ビル
ドアップ方式による比較例2の4層プリント配線板を作
製した。Next, the conductor layer 46 was patterned to form a wiring layer 46a and a wiring layer 46b, thereby producing a four-layer printed wiring board of Comparative Example 2 by a build-up method.
【0050】上記実施例及び比較例で得られた4層プリ
ント配線板をクロスセクションにてビアホールの断面を
観察し、銅導体の埋め込み状況を観察した。その結果を
表1に示す。観察数は100ビアホールとした。The cross section of the via hole was observed on the four-layer printed wiring boards obtained in the above Examples and Comparative Examples in a cross section, and the state of embedding of the copper conductor was observed. Table 1 shows the results. The number of observations was 100 via holes.
【0051】[0051]
【表1】 [Table 1]
【0052】表1の結果から分かるように、本発明のビ
アホール形成方法で形成した微細ビアホール用穴(穴径
20μm)のビアホールは銅導体が完全に埋め込まれて
おり、ボイドの発生は全く観察されなかった。これに対
し、従来の方法で形成した微細ビアホール用穴(穴径2
0μm)のビアホールにはかなりの数のボイドが観察さ
れた。このように、本発明のビアホール形成方法で形成
した微細ビアホール用穴への金属埋め込みは完全に行わ
れ、フィルドビアの信頼性が向上できることが明らかと
なった。As can be seen from the results shown in Table 1, the via holes of the fine via hole holes (hole diameter 20 μm) formed by the via hole forming method of the present invention are completely filled with copper conductors, and generation of voids is observed at all. Did not. On the other hand, the fine via hole hole (hole diameter 2
(0 μm), a considerable number of voids were observed in the via hole. As described above, it is clear that the metal is completely buried in the fine via hole hole formed by the via hole forming method of the present invention, and the reliability of the filled via can be improved.
【0053】[0053]
【発明の効果】以上のように、本発明によれば微細なビ
アホール用穴が、無電解めっきによって完全に充填され
ているため、気泡等の発生もなくフィルドビアの信頼性
を向上でき、また、ビアホール上に高い信頼性でビアホ
ールを積み上げることができ、配線パターンの自由度が
損なわれることもない優れた配線基板を提供することが
できる。またそのような配線基板を高い信頼性で製造す
ることが可能となり、優れた実用上の効果を発揮する。As described above, according to the present invention, since the fine via hole is completely filled by electroless plating, the reliability of the filled via can be improved without generation of bubbles and the like. A via hole can be stacked on the via hole with high reliability, and an excellent wiring board can be provided which does not impair the flexibility of the wiring pattern. In addition, such a wiring board can be manufactured with high reliability, and an excellent practical effect is exhibited.
【図1】(a)〜(d)は、本発明の製造方法の一例を
示す構成断面図である。FIGS. 1A to 1D are cross-sectional views showing an example of a manufacturing method of the present invention.
【図2】(a)〜(d)は、本発明の製造方法を用いて
ビルドアップ方式の多層プリント配線板を製造する製造
工程の一例を示す構成断面図である。FIGS. 2A to 2D are cross-sectional views showing an example of a manufacturing process for manufacturing a build-up type multilayer printed wiring board using the manufacturing method of the present invention.
【図3】(a)〜(f)は、本発明の製造方法を用いて
ビルドアップ方式の多層プリント配線板を製造する製造
工程の他の例を示す構成断面図である。FIGS. 3A to 3F are sectional views showing another example of a manufacturing process for manufacturing a build-up type multilayer printed wiring board using the manufacturing method of the present invention.
【図4】(a)〜(f)は、本発明の製造方法を用いて
ビルドアップ方式の多層プリント配線板を製造する製造
工程のさらに他の例を示す構成断面図である。FIGS. 4A to 4F are sectional views showing still another example of a manufacturing process for manufacturing a build-up type multilayer printed wiring board using the manufacturing method of the present invention.
【図5】(a)〜(d)は、従来のビルドアップ方式の
多層プリント配線板を製造する製造工程の一例を示す構
成断面図である。FIGS. 5A to 5D are cross-sectional views showing an example of a manufacturing process for manufacturing a conventional build-up type multilayer printed wiring board.
1、 、11、21、31、41……絶縁基板 2a、2b、12a、12b、22a、22b、32
a、32b、42a、42b……配線層 3、 、13、23、33、43……絶縁層 4a、4b、14a、14b、26a、26b、36
a、36b、44a、44b……ビアホール用穴 5a、5b、15a、15b、28a、28b、38
a、38b、45a、45b……ビアホール 16a、16b、24a、24b、34a、34b、4
6a、46b……配線層 24、 、34、46……導体層 25、 35……開口部 27……レジスト層1,, 11, 21, 31, 41 ... Insulating substrate 2a, 2b, 12a, 12b, 22a, 22b, 32
a, 32b, 42a, 42b ... wiring layers 3, 13, 13, 23, 33, 43 ... insulating layers 4a, 4b, 14a, 14b, 26a, 26b, 36
a, 36b, 44a, 44b... Via hole holes 5a, 5b, 15a, 15b, 28a, 28b, 38
a, 38b, 45a, 45b... Via holes 16a, 16b, 24a, 24b, 34a, 34b, 4
6a, 46b Wiring layer 24, 34, 46 Conductor layer 25, 35 Opening 27 Resist layer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5E317 AA24 BB12 CC25 CC32 CD27 GG17 5E343 AA07 BB24 BB67 CC73 CC74 DD43 GG13 5E346 AA41 CC32 DD23 FF03 FF07 FF13 FF22 FF24 GG15 HH07 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 5E317 AA24 BB12 CC25 CC32 CD27 GG17 5E343 AA07 BB24 BB67 CC73 CC74 DD43 GG13 5E346 AA41 CC32 DD23 FF03 FF07 FF13 FF22 FF24 GG15 HH07
Claims (4)
的に接続され、ビアホールの一方の端が配線層で閉塞さ
れ、ビアホール内が金属導体にて充填されてなる配線基
板において、前記ビアホールが、その一端を閉塞する配
線層部の絶縁層側面を触媒にて置換反応され、無電解め
っきによって充填されてなることを特徴とする配線基
板。1. A wiring board in which a wiring layer is electrically connected via a via hole via an insulating layer, one end of the via hole is closed by the wiring layer, and the inside of the via hole is filled with a metal conductor. Wherein the side surface of the insulating layer of the wiring layer portion, which closes one end, is replaced by a catalyst and filled by electroless plating.
が導体によって閉塞されている材料に対し、ビアホール
用穴の底部の導体を触媒にて置換反応させ、無電解めっ
きすることによって前記ビアホール内を充填することを
特徴とする配線基板の製造方法。2. A method in which a conductor at the bottom of a via hole is subjected to a substitution reaction with a catalyst for a material in which the bottom of the insulating layer in which the via hole is formed is closed by a conductor, and the via hole is formed by electroless plating. A method for manufacturing a wiring board, wherein the inside is filled.
含有する触媒液を用いて行われることを特徴とする請求
項2記載の配線基板の製造方法。3. The method according to claim 2, wherein the substitution reaction is performed using a catalyst solution containing divalent palladium ions.
液が、少なくとも塩酸、塩化パラジウム、塩酸ヒドラジ
ンを含有することを特徴とする請求項3記載の配線基板
の製造方法。4. The method according to claim 3, wherein the catalyst solution containing divalent palladium ions contains at least hydrochloric acid, palladium chloride and hydrazine hydrochloride.
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2000
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