JP2001284816A - Multilayer circuit board and its manufacturing method - Google Patents

Multilayer circuit board and its manufacturing method

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JP2001284816A
JP2001284816A JP2000101429A JP2000101429A JP2001284816A JP 2001284816 A JP2001284816 A JP 2001284816A JP 2000101429 A JP2000101429 A JP 2000101429A JP 2000101429 A JP2000101429 A JP 2000101429A JP 2001284816 A JP2001284816 A JP 2001284816A
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silver
circuit board
multilayer circuit
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component
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Hirotsugu Kawakami
弘倫 川上
Toshiki Tanaka
俊樹 田中
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a multilayer circuit board of high reliability, which has a silver based conductor pattern and little fluctuation in resistance of a thick film resistor. SOLUTION: This multilayer circuit board has an insulating layer provided with the silver based conductor pattern which has silver based conductor as a main body and contains inorganic additive component such as copper oxide and chromium oxide, and a thick film resistor of ruthenium oxide or the like. The insulating layer contains (A) silver and/or silver compound and (B) at least one kind of inorganic component (copper oxide or chromium oxide) which constitutes the inorganic additive component.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、銀系導体材料を主
成分とする銀系導体パターンと厚膜抵抗体とを備えた絶
縁層を有する多層回路基板およびその製造方法に関する
ものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multilayer circuit board having an insulating layer provided with a silver-based conductor pattern mainly composed of a silver-based conductor material and a thick-film resistor, and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、パーソナルコンピュータや移動体
通信端末等の各種電子部品は、ICやLSIのような半
導体集積回路素子の利用によって小型化・高密度化され
ており、これに伴って、これらの半導体集積回路素子を
搭載するハイブリッドICやパッケージ等に用いられる
回路基板に対する小型化、高密度化の要求も高まってい
る。
2. Description of the Related Art In recent years, various electronic components such as personal computers and mobile communication terminals have been reduced in size and density by utilizing semiconductor integrated circuit elements such as ICs and LSIs. There is also an increasing demand for circuit boards used for hybrid ICs, packages, and the like on which the semiconductor integrated circuit element is mounted to be smaller and have higher densities.

【0003】これら回路基板に対する小型化、高密度化
への要求を満足するためには、回路基板に形成する導体
パターンを微細化すると共に、それを多層化することが
必要となる。そこで、例えばハイブリッドIC用の回路
基板においては、アルミナ等のベース基板上に、ガラス
を主体とする絶縁層を介して、複数層の導体パターンを
配設した多層回路基板が開発されている。
In order to satisfy the demand for miniaturization and high density of these circuit boards, it is necessary to miniaturize a conductor pattern formed on the circuit board and to multiply the conductor pattern. Therefore, for a circuit board for a hybrid IC, for example, a multilayer circuit board has been developed in which a plurality of conductive patterns are arranged on a base substrate of alumina or the like via an insulating layer mainly composed of glass.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】さらに、ハイブリッド
ICのような多層回路基板においては、その小型化、高
密度化と共に、高機能化、高付加価値化が要求されてい
る。そこで、多層回路基板の内層や表層に、比抵抗の小
さな銀や銅等を主体とした導体パターンを配設し、さら
に、同じく内層や表層に、酸化ルテニウム等の厚膜抵抗
体を形成するといった試みがなされている。
Further, in a multi-layer circuit board such as a hybrid IC, there is a demand for high performance and high added value as well as miniaturization and high density. Therefore, a conductor pattern mainly composed of silver, copper, or the like having a small specific resistance is disposed on the inner layer or the surface layer of the multilayer circuit board, and a thick film resistor such as ruthenium oxide is formed on the inner layer or the surface layer. Attempts have been made.

【0005】ところで、ハイブリッドICのような多層
回路基板は、例えば、 (1)アルミナ等からなる絶縁性のベース基板上に、銀
粉末を主成分とし、さらにガラスや酸化銅等の無機添加
成分を含む銀系導体ペーストをスクリーン印刷し、これ
を所定の温度で焼成して銀系導体パターンを形成する。 (2)非晶質ガラスや結晶化ガラスを主成分とする絶縁
ペーストを塗布し、これを所定の温度で焼成して絶縁層
(インシュレーター)を形成する。 (3)抵抗用ペーストを印刷し、これを焼き付けて厚膜
抵抗体を形成する。 (4)銀粉末や無機添加成分を主とする銀系導体ペース
ト、あるいは、銅粉末や無機添加成分を主とする銅系導
体ペーストをスクリーン印刷して、厚膜抵抗体に導通し
た導体パターンを形成し、これを所定の温度で焼成す
る。 (5)樹脂やガラス等からなる保護膜を形成する。 といった工程を経て形成される。
Incidentally, a multilayer circuit board such as a hybrid IC is composed of, for example, (1) a silver powder as a main component and an inorganic additive component such as glass or copper oxide on an insulating base substrate made of alumina or the like. The silver-based conductor paste is screen-printed and fired at a predetermined temperature to form a silver-based conductor pattern. (2) An insulating paste mainly composed of amorphous glass or crystallized glass is applied and baked at a predetermined temperature to form an insulating layer (insulator). (3) A resistor paste is printed and baked to form a thick film resistor. (4) A silver-based conductor paste mainly containing silver powder or an inorganic additive component, or a copper-based conductor paste mainly containing copper powder or an inorganic additive component is screen-printed to form a conductor pattern that is electrically connected to the thick film resistor. Formed and fired at a predetermined temperature. (5) A protective film made of resin, glass, or the like is formed. It is formed through such a process.

【0006】しかしながら、上述した厚膜印刷法で多層
回路基板を作製する場合、絶縁層(インシュレーター)
を焼成する際に、その下地となっている銀系導体パター
ン中の銀や無機添加成分が絶縁層中に拡散することがあ
る。さらに、絶縁層の形成後、厚膜抵抗体を焼き付ける
ときには、銀系導体パターン中の銀や無機添加成分、さ
らには、絶縁層中に拡散した銀やの無機添加成分が、厚
膜抵抗体中に拡散することがある。
However, when manufacturing a multilayer circuit board by the above-described thick film printing method, an insulating layer (insulator) is required.
When baking is performed, silver and inorganic additive components in the silver-based conductor pattern serving as the base may diffuse into the insulating layer. Further, when the thick film resistor is baked after the formation of the insulating layer, the silver and inorganic additive components in the silver-based conductor pattern, and further, the silver and inorganic additive components diffused into the insulating layer, are diffused into the thick film resistor. May spread to.

【0007】例えば、酸化ルテニウム等を主体とする厚
膜抵抗体中に、銀が拡散したり、ガラスや酸化銅等の無
機添加成分が拡散すると、厚膜抵抗体の抵抗値が大きく
ばらついてしまい、所望の抵抗値が得られなくなってし
まう。特に、多層回路基板の使用時には、銀系導体パタ
ーンや厚膜抵抗体に電圧が負荷されるので、銀等の拡散
による経時的な抵抗値変動が生じ易い。
For example, when silver diffuses into a thick film resistor mainly composed of ruthenium oxide or the like or an inorganic additive component such as glass or copper oxide diffuses, the resistance value of the thick film resistor greatly varies. Thus, a desired resistance value cannot be obtained. In particular, when a multilayer circuit board is used, since a voltage is applied to the silver-based conductor pattern and the thick-film resistor, the resistance value is likely to fluctuate over time due to diffusion of silver or the like.

【0008】ところで、銀系導体パターン中に含まれる
銀や無機添加成分が絶縁層中へ拡散するのを抑えること
ができれば、厚膜抵抗体の抵抗値のバラツキをある程度
は抑制することができる。しかしながら、厚膜抵抗体へ
の銀や無機添加成分の拡散量は、厚膜抵抗体や絶縁層の
焼成条件、銀系導体パターンの面積やその形成位置、絶
縁層の厚みや材質等によって種々変動するので、その拡
散量を一定に制御することは非常に困難である。
By the way, if the diffusion of silver and inorganic components contained in the silver-based conductor pattern into the insulating layer can be suppressed, the variation in the resistance value of the thick film resistor can be suppressed to some extent. However, the amount of diffusion of silver and inorganic additives into the thick-film resistor varies depending on the firing conditions of the thick-film resistor and the insulating layer, the area and position of the silver-based conductor pattern, the thickness and the material of the insulating layer, and the like. Therefore, it is very difficult to control the diffusion amount to be constant.

【0009】本発明は、上述した実情に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、銀系導体パターンと厚膜抵抗
体とを備えた絶縁層を有する多層回路基板において、厚
膜抵抗体の抵抗値の変動が少なく、信頼性の高い多層回
路基板、ならびに、そのような多層回路基板の製造方法
を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a multi-layer circuit board having an insulating layer provided with a silver-based conductor pattern and a thick-film resistor. It is an object of the present invention to provide a highly reliable multi-layer circuit board with little change in resistance value and a method for manufacturing such a multi-layer circuit board.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、銀
系導体および無機添加成分を含む銀系導体パターンと厚
膜抵抗体とを備えた絶縁層を有する多層回路基板におい
て、前記絶縁層には、 (A)銀および/または銀化合物 (B)前記無機添加成分を構成する少なくとも1種の無
機成分 が含有されていることを特徴とする多層回路基板に係る
ものである。
That is, the present invention relates to a multilayer circuit board having an insulating layer provided with a silver-based conductor pattern containing a silver-based conductor and an inorganic additive component and a thick-film resistor. The present invention relates to a multilayer circuit board comprising (A) silver and / or a silver compound and (B) at least one inorganic component constituting the inorganic additive component.

【0011】本発明の多層回路基板において、前記絶縁
層には、前記銀および/または銀化合物が、金属銀換算
で、0.001〜5重量%含有されていることを特徴と
する。
In the multilayer circuit board according to the present invention, the insulating layer contains the silver and / or the silver compound in an amount of 0.001 to 5% by weight in terms of metallic silver.

【0012】また、本発明の多層回路基板において、前
記絶縁層には、前記無機成分が、酸化物換算で、0.0
01〜10重量%含有されていることを特徴とする。
Further, in the multilayer circuit board according to the present invention, the inorganic component may be contained in the insulating layer in an amount of 0.00 in terms of oxide.
It is characterized by containing 0.1 to 10% by weight.

【0013】また、本発明の多層回路基板において、前
記無機成分はガラス成分を含有することを特徴とする。
Further, in the multilayer circuit board of the present invention, the inorganic component contains a glass component.

【0014】また、本発明の多層回路基板において、前
記無機成分は、銅、クロム、ビスマスおよびセリウムか
らなる群より選ばれる少なくとも1種の金属酸化物、金
属イオンまたは金属コロイドを含有することを特徴とす
る。
Further, in the multilayer circuit board of the present invention, the inorganic component contains at least one metal oxide, metal ion or metal colloid selected from the group consisting of copper, chromium, bismuth and cerium. And

【0015】さらに、本発明の多層回路基板において、
前記厚膜抵抗体は、前記絶縁層を介して前記導体パター
ンに対向して設けられていることを特徴とする。
Further, in the multilayer circuit board of the present invention,
The thick film resistor is provided so as to face the conductor pattern via the insulating layer.

【0016】また、本発明は、基板上に、銀系導体およ
び無機添加成分を含む銀系導体パターンを形成する工程
と、前記銀系導体パターン上に、銀および/または銀化
合物と、前記無機添加成分を構成する少なくとも1種の
無機成分とを含有する絶縁層を形成する工程と、前記絶
縁層上に厚膜抵抗体を形成する工程と、を有することを
特徴とする多層回路基板の製造方法を提供するものであ
る。
Further, the present invention provides a step of forming a silver-based conductor pattern containing a silver-based conductor and an inorganic additive component on a substrate, and forming silver and / or a silver compound on the silver-based conductor pattern. Manufacturing a multilayer circuit board, comprising: a step of forming an insulating layer containing at least one inorganic component constituting an additive component; and a step of forming a thick-film resistor on the insulating layer. It provides a method.

【0017】本発明の多層回路基板の製造方法において
は、前記絶縁層に、前記銀および/または銀化合物を、
金属銀換算で、0.001〜5重量%含有させることを
特徴とする。
In the method for manufacturing a multilayer circuit board according to the present invention, the silver and / or silver compound may be added to the insulating layer.
It is characterized by containing 0.001 to 5% by weight in terms of metallic silver.

【0018】また、本発明の多層回路基板の製造方法に
おいては、前記絶縁層に、前記無機成分を、酸化物換算
で、0.001〜10重量%含有させることを特徴とす
る。
In the method of manufacturing a multilayer circuit board according to the present invention, the insulating layer contains the inorganic component in an amount of 0.001 to 10% by weight in terms of oxide.

【0019】また、本発明の多層回路基板の製造方法に
おいては、前記無機成分にガラス成分を含有させること
を特徴とする。
Further, in the method for manufacturing a multilayer circuit board of the present invention, the inorganic component contains a glass component.

【0020】また、本発明の多層回路基板の製造方法に
おいては、前記無機成分に、銅、クロム、ビスマスおよ
びセリウムからなる群より選ばれる少なくとも1種の金
属酸化物、金属イオンまたは金属コロイドを含有させる
ことを特徴とする。
In the method for manufacturing a multilayer circuit board according to the present invention, the inorganic component contains at least one metal oxide, metal ion or metal colloid selected from the group consisting of copper, chromium, bismuth and cerium. It is characterized by making it.

【0021】また、本発明の多層回路基板の製造方法に
おいては、前記厚膜抵抗体を、前記絶縁層を介して前記
銀系導体パターンに対向して形成することを特徴とす
る。
In the method of manufacturing a multilayer circuit board according to the present invention, the thick film resistor is formed so as to face the silver-based conductor pattern via the insulating layer.

【0022】また、本発明の多層回路基板の製造方法に
おいては、非晶質ガラス粉末および/または結晶化ガラ
ス粉末に、前記銀および/または銀化合物、前記無機成
分をそれぞれ添加、混合することにより混合粉末を作製
した後、この混合粉末をガラス化し、しかる後、得られ
たガラス粉末を含むペースト状組成物またはスラリー状
組成物を焼成することによって、前記絶縁層を形成する
ことを特徴とする。
In the method for manufacturing a multilayer circuit board according to the present invention, the silver and / or silver compound and the inorganic component are added to and mixed with the amorphous glass powder and / or the crystallized glass powder, respectively. After preparing the mixed powder, the mixed powder is vitrified, and thereafter, the insulating layer is formed by firing the paste composition or the slurry composition containing the obtained glass powder. .

【0023】また、本発明の多層回路基板の製造方法に
おいては、前記銀および/または銀化合物と前記無機成
分とを混合してなる第1の混合粉末に熱処理を施した
後、前記第1の混合粉末に、非晶質ガラス粉末および/
または結晶化ガラス粉末を混合して第2の混合粉末を作
製し、しかる後、前記第2の混合粉末を含むペースト状
組成物またはスラリー状組成物を焼成することによっ
て、前記絶縁層を形成することを特徴とする。
In the method for manufacturing a multilayer circuit board of the present invention, the first mixed powder obtained by mixing the silver and / or silver compound with the inorganic component is subjected to a heat treatment, Amorphous glass powder and / or
Alternatively, the insulating layer is formed by mixing a crystallized glass powder to form a second mixed powder, and then firing the paste-like composition or the slurry-like composition containing the second mixed powder. It is characterized by the following.

【0024】また、本発明の多層回路基板の製造方法に
おいては、非晶質ガラス粉末および/または結晶化ガラ
ス粉末に、前記銀および/または銀化合物、前記無機成
分を添加、混合した後、得られた混合粉末を含むペース
ト状組成物またはスラリー状組成物を焼成することによ
って、前記絶縁層を形成することを特徴とする。
In the method for producing a multilayer circuit board according to the present invention, the silver and / or silver compound and the inorganic component are added to and mixed with the amorphous glass powder and / or the crystallized glass powder. The insulating layer is formed by firing a paste-like composition or a slurry-like composition containing the obtained mixed powder.

【0025】さらに、本発明は、本発明の多層回路基板
の少なくとも一方主面上に実装部品を搭載したことを特
徴とする電子部品、並びに、本発明の多層回路基板ある
いは本発明の電子部品を備える電子装置を提供するもの
である。
Further, the present invention provides an electronic component characterized by mounting components on at least one principal surface of the multilayer circuit board of the present invention, and a multilayer circuit board of the present invention or an electronic component of the present invention. The present invention provides an electronic device provided with the electronic device.

【0026】本発明の多層回路基板によれば、銀系導体
および無機添加成分を含む銀系導体パターンと厚膜抵抗
体とを備えた絶縁層を有する多層回路基板において、こ
の絶縁層には、銀および/または銀化合物、前記無機添
加成分を構成する少なくとも1種の無機成分、がそれぞ
れ含有されているので、絶縁層における銀や無機添加成
分の含有量の変動幅を最小限に留めることができ、これ
によって、厚膜抵抗体への銀や無機添加成分の拡散量の
変動割合を最小限に抑制することができる。したがっ
て、銀系導体パターンの面積や形成位置、絶縁層の厚み
や材質等によらず、銀系導体や無機添加成分の拡散によ
る経時的な抵抗値変動を抑え、抵抗値のバラツキが少な
く高精度の厚膜抵抗体を備えた信頼性の高い多層回路基
板を得ることができる。
According to the multilayer circuit board of the present invention, in a multilayer circuit board having an insulating layer provided with a silver-based conductor pattern including a silver-based conductor and an inorganic additive component and a thick-film resistor, the insulating layer includes: Since silver and / or a silver compound and at least one inorganic component constituting the inorganic additive component are respectively contained, the fluctuation range of the content of silver and the inorganic additive component in the insulating layer can be minimized. Thus, the fluctuation rate of the diffusion amount of silver or the inorganic additive component into the thick film resistor can be suppressed to a minimum. Therefore, regardless of the area and position of the silver-based conductor pattern, the thickness and the material of the insulating layer, the variation of the resistance value over time due to the diffusion of the silver-based conductor and the inorganic additive component is suppressed, and the variation in the resistance value is small and the precision is high And a highly reliable multilayer circuit board provided with the thick film resistor.

【0027】ここで、前記無機添加成分とは、銀系導体
パターンの接着強度や温度特性等の各種特性を改善する
ために添加される銀系導体以外の成分であって、例え
ば、ガラス、酸化銅、酸化クロム等の無機成分から構成
されるものである。
Here, the inorganic additive component is a component other than the silver-based conductor added to improve various characteristics such as the adhesive strength and the temperature characteristics of the silver-based conductor pattern, and is, for example, glass, oxide, or the like. It is composed of inorganic components such as copper and chromium oxide.

【0028】また、本発明の多層回路基板の製造方法に
よれば、基板上に、銀系導体および無機添加成分を含む
導体パターンを形成する工程と、前記導体パターン上
に、銀および/または銀化合物と、前記無機添加成分を
構成する少なくとも1種の無機成分とを含有する絶縁層
を形成する工程と、前記絶縁層上に厚膜抵抗体を形成す
る工程と、を有するので、高精度の厚膜抵抗体を備えた
信頼性の高い多層回路基板を再現性良く製造することが
できる。
Further, according to the method for manufacturing a multilayer circuit board of the present invention, a step of forming a conductor pattern containing a silver-based conductor and an inorganic additive component on a substrate, and forming silver and / or silver on the conductor pattern A step of forming an insulating layer containing a compound and at least one inorganic component constituting the inorganic additive component, and a step of forming a thick-film resistor on the insulating layer; A highly reliable multilayer circuit board having a thick film resistor can be manufactured with good reproducibility.

【0029】さらに、本発明の電子部品によれば、本発
明の多層回路基板の少なくとも一方主面に、チップコン
デンサやチップインダクタ、さらにはICやLSI等の
実装部品を搭載しているので、信頼性が高く、小型化お
よび高密度化を達成した電子部品となる。さらに、本発
明の電子装置によれば、本発明の多層回路基板や本発明
の電子部品を備えているので、信頼性が高く、小型化を
達成した移動体通信機器等の電子装置となる。
Further, according to the electronic component of the present invention, since at least one principal surface of the multilayer circuit board of the present invention is mounted with a chip capacitor, a chip inductor, and a mounting component such as an IC or an LSI, reliability is improved. It is an electronic component that has high performance and achieves miniaturization and high density. Further, according to the electronic device of the present invention, since the electronic device of the present invention includes the multilayer circuit board of the present invention and the electronic component of the present invention, the electronic device has high reliability and is downsized, such as a mobile communication device.

【0030】[0030]

【発明の実施の形態】本発明は、Ag、Ag−Pt、A
g−Pd等の銀系導体を主成分とし、ガラス、酸化銅、
酸化クロム等の無機添加成分を含む銀系導体パターン
と、酸化ルテニウム等を主成分とする厚膜抵抗体と、を
備えた絶縁層を有する多層回路基板において、この絶縁
層には、あらかじめ、銀および/または銀化合物、無機
添加成分を構成する少なくとも1種の無機成分、をそれ
ぞれ含有した多層回路基板およびその製造方法に係るも
のである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to Ag, Ag-Pt, A
silver-based conductor such as g-Pd as a main component, glass, copper oxide,
In a multilayer circuit board having an insulating layer including a silver-based conductor pattern containing an inorganic additive component such as chromium oxide, and a thick-film resistor mainly containing ruthenium oxide or the like, the insulating layer includes silver in advance. And / or a multilayer circuit board containing a silver compound and at least one inorganic component constituting an inorganic additive component, and a method for producing the same.

【0031】本発明において、前記絶縁層には、前記銀
および/または銀化合物が、金属銀換算で、0.001
〜5重量%含有されていることが望ましい。すなわち、
絶縁層における銀および/または銀化合物の含有量が
0.001〜5重量%であると、絶縁層の高い絶縁性を
保持したまま、絶縁層における銀(銀イオンや銀コロイ
ドを含む)拡散量の変動割合を最小限に抑えることがで
き、これによって、厚膜抵抗体の経時的な抵抗値変動を
十分に抑制することができる。
In the present invention, the silver and / or silver compound is contained in the insulating layer in an amount of 0.001 in terms of metallic silver.
-5% by weight is desirable. That is,
When the content of silver and / or silver compound in the insulating layer is 0.001 to 5% by weight, the diffusion amount of silver (including silver ions and silver colloid) in the insulating layer while maintaining high insulating properties of the insulating layer Of the thick film resistor can be sufficiently suppressed.

【0032】ところが、絶縁層における銀や銀化合物の
含有量が金属銀換算で0.001重量%未満の場合、絶
縁層中の銀拡散量の変動割合が大きくなってしまい、厚
膜抵抗体の抵抗値が変動し易くなる。他方、絶縁層にお
ける銀や銀化合物の含有量が金属銀換算で5重量%を超
えると、絶縁層の絶縁性が低下し、多層回路基板の信頼
性を損なうことがある。
However, when the content of silver or silver compound in the insulating layer is less than 0.001% by weight in terms of metallic silver, the variation rate of the diffusion amount of silver in the insulating layer becomes large, and the thickness of the thick film resistor becomes large. The resistance value tends to fluctuate. On the other hand, when the content of silver or a silver compound in the insulating layer exceeds 5% by weight in terms of metallic silver, the insulating property of the insulating layer is reduced, and the reliability of the multilayer circuit board may be impaired.

【0033】なお、絶縁層における銀および/または銀
化合物の含有量は、金属銀換算で、0.1〜2重量%が
さらに望ましい。また、前記銀化合物としては、酸化
銀、硝酸銀、炭酸銀等が挙げられる。
The silver and / or silver compound content in the insulating layer is more desirably 0.1 to 2% by weight in terms of metallic silver. Examples of the silver compound include silver oxide, silver nitrate, and silver carbonate.

【0034】また、前記絶縁層には、、前記無機成分
が、酸化物換算で、0.001〜10重量%含有されて
いることが望ましい。すなわち、絶縁層における無機成
分の含有量が酸化物換算で0.001〜10重量%であ
ると、高い絶縁性を保持したまま、絶縁層における無機
成分の拡散量変動割合を最小限に抑えることができ、こ
れによって、厚膜抵抗体の経時的な抵抗値変動を十分に
抑制することができる。
It is preferable that the insulating layer contains the inorganic component in an amount of 0.001 to 10% by weight in terms of oxide. That is, when the content of the inorganic component in the insulating layer is 0.001 to 10% by weight in terms of oxide, it is possible to minimize the variation ratio of the diffusion amount of the inorganic component in the insulating layer while maintaining high insulating properties. Accordingly, the variation of the resistance value of the thick film resistor over time can be sufficiently suppressed.

【0035】ただし、絶縁層における無機成分の含有量
が酸化物換算で0.001重量%未満であると、絶縁層
中の無機成分拡散量の変動割合が大きくなって、厚膜抵
抗体の抵抗値が変動し易くなる。他方、絶縁層における
前記無機成分の含有量が酸化物換算で、10重量%を超
えると、絶縁層の比誘電率を上昇させることがあり、あ
るいは、厚膜抵抗体との相互反応が生じて、その抵抗値
変動を引き起こすことがある。
However, when the content of the inorganic component in the insulating layer is less than 0.001% by weight in terms of oxide, the variation rate of the diffusion amount of the inorganic component in the insulating layer becomes large, and the resistance of the thick film resistor becomes large. Values fluctuate easily. On the other hand, when the content of the inorganic component in the insulating layer exceeds 10% by weight in terms of oxide, the dielectric constant of the insulating layer may be increased, or interaction with the thick film resistor may occur. May cause the resistance value to fluctuate.

【0036】なお、絶縁層における前記無機成分の含有
量は、酸化物換算で、0.1〜5重量%がさらに望まし
い。また、前記無機成分は、例えば、ガラス成分、酸化
銅、酸化クロム、酸化ビスマス、酸化セリウム、酸化
鉛、酸化ニッケル、酸化マンガン等が挙げられる。
The content of the inorganic component in the insulating layer is more preferably 0.1 to 5% by weight in terms of oxide. Examples of the inorganic component include a glass component, copper oxide, chromium oxide, bismuth oxide, cerium oxide, lead oxide, nickel oxide, and manganese oxide.

【0037】さらに、絶縁層における銀の拡散量変動
と、前記無機成分の拡散量変動とを十分に抑制するため
には、絶縁層に含有される銀および/または銀化合物の
含有量を金属銀換算で0.001〜5重量%とし、か
つ、前記無機成分の含有量を酸化物換算で0.001〜
10重量%とすることが望ましい。
Further, in order to sufficiently suppress the variation in the amount of diffusion of silver in the insulating layer and the variation in the amount of diffusion of the inorganic component, the content of silver and / or a silver compound contained in the insulating layer must be reduced by metallic silver. 0.001 to 5% by weight in terms of conversion, and the content of the inorganic component is 0.001 to 5% in terms of oxide.
Desirably, it is 10% by weight.

【0038】また、本発明においては、前記絶縁層中の
前記無機成分として、ガラス成分が含まれていることが
望ましい。このガラス成分は、例えば、SiO2−B2
3−PbO系、SiO2−B23−Bi23系、SiO2
−B23−ZnO系、SiO 2−B23−アルカリ金属
酸化物系等であってよく、非晶質ガラス、結晶化ガラス
を問わない。このように、前記絶縁層がガラス成分を主
体とするものである場合、前述の銀が経時的に拡散し易
くなるが、本発明によれば、その拡散を十分に抑制する
ことができる。
Further, in the present invention, the insulating layer
As the inorganic component, a glass component may be contained.
desirable. This glass component is, for example, SiO 2Two-BTwoO
Three-PbO-based, SiOTwo-BTwoOThree-BiTwoOThreeSystem, SiOTwo
-BTwoOThree-ZnO-based, SiO Two-BTwoOThree-Alkali metal
Oxide-based, etc., amorphous glass, crystallized glass
Regardless. Thus, the insulating layer mainly contains the glass component.
If it is a body, the above-mentioned silver easily diffuses over time.
However, according to the present invention, the diffusion is sufficiently suppressed.
be able to.

【0039】また、前記絶縁層中の前記無機成分として
は、銅、クロム、ビスマスおよびセリウムからなる群よ
り選ばれる少なくとも1種の金属酸化物、金属イオンま
たは金属コロイドが含まれていてよい。例えば、酸化銅
は、接着強度を向上させることが可能な無機添加成分と
して導体パターン中に含有されることがあるが、酸化銅
による銅イオンや銅コロイドは絶縁層中のガラス成分と
反応して、厚膜抵抗体の抵抗値変動を引き起こし易い。
これに対して、本発明によれば、前記絶縁層中に、あら
かじめ無機添加成分を構成する少なくとも1種の無機性
分を所定量含有しているので、厚膜抵抗体の経時的な抵
抗値変動を十分に抑制し、高精度の多層回路基板を形成
することができる。
Further, the inorganic component in the insulating layer may include at least one metal oxide, metal ion or metal colloid selected from the group consisting of copper, chromium, bismuth and cerium. For example, copper oxide may be contained in the conductor pattern as an inorganic additive component capable of improving the adhesive strength, but copper ions and copper colloid by the copper oxide react with the glass component in the insulating layer. In addition, the resistance value of the thick film resistor tends to fluctuate.
On the other hand, according to the present invention, since the insulating layer contains a predetermined amount of at least one inorganic component constituting the inorganic additive component in advance, the resistance value of the thick film resistor over time is reduced. Variations can be sufficiently suppressed, and a highly accurate multilayer circuit board can be formed.

【0040】また、本発明において、前記厚膜抵抗体
は、前記絶縁層を介して前記銀系導体パターンに対向し
て設けられていてよい。すなわち、銀系導体パターンと
厚膜抵抗体とが絶縁層を挟んで対向して配置されている
と、銀系導体パターン中の銀等が近接する厚膜抵抗体中
へ拡散し易くなり、その抵抗値バラツキが大きくなる傾
向がある。これに対して、本発明によれば、絶縁層中に
所定量の銀と無機添加成分とがあらかじめ含有されてい
るので、銀系導体パターン中の銀等が絶縁層中へ拡散し
ても、絶縁層の構成成分量の変動割合が最小限に抑えら
れて、安定かつ高精度の抵抗値を有する厚膜抵抗体を得
ることができ、かつ、絶縁層の絶縁信頼性を十分に確保
できる。
In the present invention, the thick film resistor may be provided so as to face the silver-based conductor pattern via the insulating layer. That is, when the silver-based conductor pattern and the thick-film resistor are arranged to face each other with the insulating layer interposed therebetween, silver and the like in the silver-based conductor pattern are easily diffused into the adjacent thick-film resistor. Resistance value variation tends to increase. In contrast, according to the present invention, since a predetermined amount of silver and an inorganic additive component are contained in the insulating layer in advance, even if silver or the like in the silver-based conductor pattern diffuses into the insulating layer, The variation ratio of the component amount of the insulating layer is minimized, so that a thick film resistor having a stable and highly accurate resistance value can be obtained, and the insulation reliability of the insulating layer can be sufficiently ensured.

【0041】また、本発明の多層回路基板の製造方法に
おいて、前記絶縁層は、以下の(1)〜(3)のいずれ
かの方法で形成することが望ましい。 (1)非晶質ガラス粉末および/または結晶化ガラス粉
末に、前記銀および/または銀化合物、前記無機成分を
それぞれ添加、混合することにより混合粉末を作製した
後、この混合粉末をガラス化し、しかる後、得られたガ
ラス粉末を含むペースト状組成物またはスラリー状組成
物を焼成する。 (2)前記銀および/または銀化合物と前記無機成分と
を混合してなる第1の混合粉末に熱処理を施した後、前
記第1の混合粉末に、非晶質ガラス粉末および/または
結晶化ガラス粉末を混合して第2の混合粉末を作製し、
しかる後、前記第2の混合粉末を含むペースト状組成物
またはスラリー状組成物を焼成する。 (3)非晶質ガラス粉末および/または結晶化ガラス粉
末に、前記銀および/または銀化合物、前記無機成分を
添加、混合した後、得られた混合粉末を含むペースト状
組成物またはスラリー状組成物を焼成する。
In the method of manufacturing a multilayer circuit board according to the present invention, it is preferable that the insulating layer is formed by any one of the following methods (1) to (3). (1) After adding and mixing the silver and / or the silver compound and the inorganic component to the amorphous glass powder and / or the crystallized glass powder, a mixed powder is produced, and then the mixed powder is vitrified. Thereafter, the paste composition or the slurry composition containing the obtained glass powder is fired. (2) After subjecting a first mixed powder obtained by mixing the silver and / or silver compound and the inorganic component to a heat treatment, the first mixed powder is mixed with an amorphous glass powder and / or crystallized. Mixing the glass powder to produce a second mixed powder,
Thereafter, the paste-like composition or the slurry-like composition containing the second mixed powder is fired. (3) After adding and mixing the silver and / or the silver compound and the inorganic component to the amorphous glass powder and / or the crystallized glass powder, a paste composition or a slurry composition containing the obtained mixed powder. The object is fired.

【0042】なお、前記絶縁層は、上述したように種々
の手法により作製することができるが、特に、抵抗値バ
ラツキを効率良く低減できるので、上記の(2)に示し
た手法が望ましい。
The insulating layer can be manufactured by various methods as described above. However, the method shown in the above (2) is preferable because the variation in resistance can be reduced efficiently.

【0043】次に、本発明を実施形態に基づいて説明す
る。
Next, the present invention will be described based on embodiments.

【0044】<第1の実施形態:グリーンシート積層法
による多層回路基板および電子部品>図1に示す電子部
品1は、絶縁層2a、2b、2c、2d、2e、2f、
2gおよび2hを順次積層してなり、その内部に、銀系
の内層導体パターン3a、3b、3cおよび3d、酸化
ルテニウム等を主成分とする厚膜抵抗体4aおよび4b
を有した多層回路基板2上に、チップコンデンサ7や半
導体IC8等の実装部品を搭載したものである。
<First Embodiment: Multilayer Circuit Board and Electronic Component by Green Sheet Laminating Method> The electronic component 1 shown in FIG. 1 has insulating layers 2a, 2b, 2c, 2d, 2e, 2f,
2g and 2h are sequentially laminated, and inside thereof, silver-based inner conductor patterns 3a, 3b, 3c and 3d, thick film resistors 4a and 4b mainly containing ruthenium oxide or the like.
A mounting component such as a chip capacitor 7 and a semiconductor IC 8 is mounted on a multilayer circuit board 2 having

【0045】そして、多層回路基板2の一方主面には、
電極パッド、表面配線等の表層導体パターンが形成され
ており、かつ、チップコンデンサ7や半導体IC8等の
表面実装部品が搭載されている。このチップコンデンサ
7や半導体IC8等の表面実装部品は、多層回路基板2
の表層導体パターン、ビアホール5、内層導体パターン
3aや3d等に接続されている。
On one main surface of the multilayer circuit board 2,
A surface layer conductor pattern such as an electrode pad and a surface wiring is formed, and surface mount components such as a chip capacitor 7 and a semiconductor IC 8 are mounted. The surface mount components such as the chip capacitor 7 and the semiconductor IC 8 are formed on the multilayer circuit board 2.
, The via conductors 5, the inner conductor patterns 3a and 3d, and the like.

【0046】そして、多層回路基板2を構成する絶縁層
2a、2b、2c、2d、2e、2f、2gおよび2h
は、結晶化ガラス材料、非晶質ガラス材料を主成分とし
て形成されており、さらに、本発明の特徴的構成に基づ
いて、銀および/または銀化合物、酸化銅、酸化クロム
等の無機成分がそれぞれ所定量含有されている。
The insulating layers 2a, 2b, 2c, 2d, 2e, 2f, 2g and 2h constituting the multilayer circuit board 2
Is formed mainly of a crystallized glass material and an amorphous glass material, and further has an inorganic component such as silver and / or a silver compound, copper oxide, and chromium oxide based on the characteristic structure of the present invention. Each is contained in a predetermined amount.

【0047】次に、図1に示した多層回路基板2の作製
方法例を説明する。
Next, an example of a method for manufacturing the multilayer circuit board 2 shown in FIG. 1 will be described.

【0048】まず、絶縁層2a〜2hの材料として、例
えば、アルミナセラミック粉末と、CaO−Al23
SiO2を主原料とするガラス粉末とを用意した後、ア
ルミナセラミック粉末100重量部に対してガラス粉末
20〜30重量部を添加し、これを混合する。そして、
得られた混合粉末に、銀および/または銀化合物、無機
成分を所定量添加した後、有機バインダ、分散剤、可塑
剤、有機溶媒等を適量添加し、これらを混合することに
よって、絶縁体層用セラミックスラリーを調製する。そ
の後、絶縁層用セラミックスラリーをドクターブレード
法等によってシート状に成形して、絶縁層用セラミック
グリーンシートを得る。
First, as a material of the insulating layers 2a to 2h, for example, alumina ceramic powder and CaO--Al 2 O 3-
After preparing a glass powder mainly composed of SiO 2 , 20 to 30 parts by weight of the glass powder is added to 100 parts by weight of the alumina ceramic powder and mixed. And
After adding a predetermined amount of silver and / or a silver compound and an inorganic component to the obtained mixed powder, an appropriate amount of an organic binder, a dispersant, a plasticizer, an organic solvent and the like are added, and these are mixed to form an insulator layer. Prepare ceramic slurry for use. Thereafter, the ceramic slurry for the insulating layer is formed into a sheet shape by a doctor blade method or the like to obtain a ceramic green sheet for the insulating layer.

【0049】このようにして得られた絶縁層用セラミッ
クグリーンシートに必要に応じてビアホール用孔を開
け、その孔に銀系導体ペーストや銀系導体粉を充填して
ビアホールを形成し、さらに、必要に応じて銀系導体パ
ターンを形成する。また、所定の絶縁層用セラミックグ
リーンシートには、酸化ルテニウム等からなる厚膜抵抗
体を印刷する。そして、得られた絶縁体層用セラミック
グリーンシートをそれぞれ所定枚数、所定の順に積み重
ねる。
The ceramic green sheet for an insulating layer thus obtained is provided with holes for via holes as necessary, and the holes are filled with a silver-based conductor paste or silver-based conductor powder to form via holes. A silver-based conductor pattern is formed as needed. A thick film resistor made of ruthenium oxide or the like is printed on a predetermined ceramic green sheet for an insulating layer. Then, a predetermined number of the obtained ceramic green sheets for an insulator layer are stacked in a predetermined order.

【0050】この後、積み重ねられたセラミックグリー
ンシートをプレスして積層体ブロックを形成する。必要
に応じて、作製したブロックを適当な大きさに切断した
り、溝を形成したりしてもよい。そして、このブロック
を1000℃以下で焼成することにより、図1に示した
ように、厚膜抵抗体4aおよび4b等を内蔵した多層回
路基板2を得る。そして、チップコンデンサ7や半導体
IC8を搭載し、さらに、厚膜抵抗体9を印刷すること
により、電子部品1を完成する。
Thereafter, the stacked ceramic green sheets are pressed to form a laminate block. If necessary, the produced block may be cut into an appropriate size or a groove may be formed. Then, by firing this block at 1000 ° C. or lower, a multilayer circuit board 2 including the thick film resistors 4a and 4b and the like is obtained as shown in FIG. Then, the electronic component 1 is completed by mounting the chip capacitor 7 and the semiconductor IC 8 and printing the thick film resistor 9.

【0051】すなわち、多層回路基板2においては、銀
系内層導体パターンや銀系表層導体パターン等による銀
や無機添加成分が、絶縁層2a、2b、2c、2d、2
e、2f、2gおよび2h中へ拡散した場合であって
も、これらの絶縁層中には、上述した所定量の銀や無機
成分が含有されているので、絶縁層中の銀成分量や、無
機成分量の変動幅を小さくすることができる。
That is, in the multilayer circuit board 2, silver or an inorganic additive component due to a silver-based inner conductor pattern, a silver-based surface conductor pattern, or the like is added to the insulating layers 2 a, 2 b, 2 c, 2 d, 2.
e, 2f, 2g, and 2h, even if they diffuse into the insulating layers, since these insulating layers contain the above-mentioned predetermined amount of silver and inorganic components, the amount of silver components in the insulating layers, The variation width of the amount of the inorganic component can be reduced.

【0052】すると、絶縁層に隣接して設けられた厚膜
抵抗体4a、4bおよび9中への銀拡散量の変動幅、無
機成分拡散量の変動幅を最小限に抑制することができ、
焼成条件、銀系導体パターンの面積やその形成位置、絶
縁体層の厚み等による拡散量変動にかかわらず、さらに
は、その使用時の経時的な変化にかかわらず、所望の抵
抗値を有した高精度の厚膜抵抗体4a、4bおよび9を
形成することができる。
Then, the fluctuation width of the silver diffusion amount and the fluctuation width of the inorganic component diffusion amount into the thick film resistors 4a, 4b and 9 provided adjacent to the insulating layer can be suppressed to a minimum.
Regardless of the variation in the amount of diffusion due to the firing conditions, the area of the silver-based conductor pattern and its formation position, the thickness of the insulator layer, etc. High-precision thick film resistors 4a, 4b and 9 can be formed.

【0053】また、本実施形態による多層回路基板2の
ように、厚膜抵抗体4aは、絶縁層2bを挟んで銀系導
体パターン3aに対向して設けられていてもよい。銀系
導体パターンと厚膜抵抗体とが絶縁層を挟んで対向して
配置されていると、銀系導体パターン中の成分拡散によ
る厚膜抵抗体の抵抗値の変化率が特に大きくなる傾向が
あるが、本実施形態によれば、絶縁層2b中に上述した
量の銀と無機添加成分とが含有されているので、銀系導
体パターン3a中の銀をはじめとする成分が絶縁層2b
中へ拡散しても、絶縁層2bの構成成分量の変動割合を
最小限の抑えて、安定かつ高精度の抵抗値を有する厚膜
抵抗体を得ることができると同時に、絶縁層の絶縁信頼
性を十分に確保できる。
Further, like the multilayer circuit board 2 according to the present embodiment, the thick film resistor 4a may be provided to face the silver-based conductor pattern 3a with the insulating layer 2b interposed therebetween. When the silver-based conductor pattern and the thick-film resistor are disposed to face each other with the insulating layer interposed therebetween, the rate of change in the resistance of the thick-film resistor due to component diffusion in the silver-based conductor pattern tends to be particularly large. However, according to the present embodiment, since the insulating layer 2b contains the above-described amounts of silver and the inorganic additive component, silver and other components in the silver-based conductor pattern 3a are not included in the insulating layer 2b.
Even if it diffuses into the insulating layer 2b, it is possible to obtain a thick-film resistor having a stable and high-precision resistance value while minimizing the variation ratio of the component amount of the insulating layer 2b, and at the same time, to improve the insulation reliability of the insulating layer. Nature can be sufficiently secured.

【0054】また、多層回路基板2を構成する絶縁層2
a、2b、2c、2d、2e、2f、2gおよび2h
は、非晶質ガラスや結晶化ガラスを主成分とするガラス
セラミックス層であってよい。すなわち、ガラスセラミ
ックス層においては銀等の拡散速度が大きく、したがっ
て、厚膜抵抗体の抵抗値が特にばらつき易い。しかしな
がら、このような場合であっても、ガラスセラミックス
層中に上述した量の銀および/または銀化合物、無機成
分をそれぞれ含有していると、安定かつ高精度の抵抗値
を有する厚膜抵抗体を得ることができ、これと同時に、
ガラスセラミックス層の絶縁性を十分に確保できる。
The insulating layer 2 forming the multilayer circuit board 2
a, 2b, 2c, 2d, 2e, 2f, 2g and 2h
May be a glass-ceramic layer mainly composed of amorphous glass or crystallized glass. That is, the diffusion rate of silver or the like is high in the glass ceramic layer, and therefore, the resistance value of the thick film resistor is particularly likely to vary. However, even in such a case, when the glass ceramic layer contains the silver and / or silver compound and the inorganic component in the above-described amounts, respectively, the thick film resistor having a stable and highly accurate resistance value. And at the same time,
The insulating property of the glass ceramic layer can be sufficiently ensured.

【0055】また、銀系の内層導体パターンあるいは表
層パターンは、Agのみを主成分とする導体パターンで
あってもよいが、Ag−Pd、Ag−Pt等を主成分と
する導体パターンであってもよい。このような場合も、
銀等の拡散による厚膜抵抗体の抵抗値変動が認められる
からである。また、銀系導体パターンは、例えば銀系導
体ペーストの印刷、焼成によって形成することができ、
銀系導体ペーストはAg、Ag−Pd、Ag−Pt等の
導体材料、有機バインダおよび有機溶剤の他、ガラスフ
リットやセラミックスフィラー等を含有していてもよ
い。
The silver-based inner conductor pattern or surface pattern may be a conductor pattern mainly composed of Ag alone, but is a conductor pattern mainly composed of Ag-Pd, Ag-Pt or the like. Is also good. In such a case,
This is because a change in the resistance value of the thick film resistor due to diffusion of silver or the like is recognized. Further, the silver-based conductor pattern can be formed by, for example, printing and firing a silver-based conductor paste,
The silver-based conductor paste may contain a glass frit, a ceramic filler, and the like, in addition to a conductor material such as Ag, Ag-Pd, and Ag-Pt, an organic binder and an organic solvent.

【0056】そして、上述したように、多層回路基板2
における各絶縁層の絶縁性を向上させ、各厚膜抵抗体の
抵抗値変動を抑制できるので、絶縁層の薄層化や導体パ
ターンの高密度化にも十分対応することができ、信頼性
に優れ、小型で高密度な電子部品1を達成できる。
Then, as described above, the multilayer circuit board 2
Insulation of each insulating layer can be improved, and the fluctuation of the resistance value of each thick film resistor can be suppressed. An excellent, compact and high-density electronic component 1 can be achieved.

【0057】なお、本実施形態においては、多層回路基
板を構成する全ての絶縁層に上述した量の銀や無機成分
を含有させる必要はなく、少なくとも銀系導体パターン
または厚膜抵抗体を備える絶縁層(ここでは、絶縁層2
b、2c、2fおよび2g)に上述した量の銀と、上述
した量の無機成分とを含有させればよい。
In the present embodiment, it is not necessary for all the insulating layers constituting the multilayer circuit board to contain the above-mentioned amount of silver or inorganic component. Layer (here, insulating layer 2
b, 2c, 2f and 2g) may contain the above-mentioned amount of silver and the above-mentioned amount of inorganic component.

【0058】<第2の実施形態:厚膜印刷法による多層
回路基板および電子部品>図2に示す電子部品21は、
アルミナ等からなるベース基板11と、その上下両主面
に設けられた非晶質ガラス、結晶化ガラス等からなる第
1の絶縁層14aおよび14bと、第1の絶縁層14a
および14bの上に設けられた第2の絶縁層18aおよ
び18bと、をそれぞれ備えた多層回路基板22上に、
コンデンサ、コイル、半導体IC等の実装部品20が搭
載されてたものである。
<Second Embodiment: Multilayer Circuit Board and Electronic Component by Thick Film Printing> Electronic component 21 shown in FIG.
A base substrate 11 made of alumina or the like, first insulating layers 14a and 14b made of amorphous glass, crystallized glass or the like provided on both upper and lower main surfaces thereof, and a first insulating layer 14a
And 14b, the second insulating layers 18a and 18b provided on the multilayer circuit board 22, respectively.
A mounting component 20 such as a capacitor, a coil, and a semiconductor IC is mounted thereon.

【0059】そして、ベース基板11には、ビアホール
用貫通孔に銀系導体を主成分とする導体材料を充填した
ビアホール12が設けられており、ベース基板11の上
下両主面には、銀系導体および無機添加成分を含む第1
の導体パターン13aおよび13bがそれぞれ配設され
ている。
The base substrate 11 is provided with via holes 12 in which through-holes for via holes are filled with a conductive material containing a silver-based conductor as a main component. First containing conductor and inorganic additive component
Conductor patterns 13a and 13b are provided respectively.

【0060】また、第1の絶縁層14aおよび14bに
は、あらかじめビアホール用貫通孔が設けられており、
このビアホール用貫通孔に銀系導体を主成分とする導体
材料が充填されたビアホール15aおよび15bがそれ
ぞれ設けられ、さらに、第1の絶縁層14aおよび14
bの表面には、例えば、酸化ルテニウム等からなる厚膜
抵抗体16aおよび16b、さらに、厚膜抵抗体16a
および16bと導通する第2の導体パターン17aおよ
び17bがそれぞれ配設されている。
The first insulating layers 14a and 14b are provided with through holes for via holes in advance.
Via holes 15a and 15b filled with a conductor material mainly composed of a silver-based conductor are provided in the through holes for via holes, and the first insulating layers 14a and 14b are further provided.
b, the thick film resistors 16a and 16b made of, for example, ruthenium oxide and the like, and the thick film resistors 16a
Second conductor patterns 17a and 17b, which are electrically connected to the first and second conductor patterns 16b and 16b, respectively, are provided.

【0061】なお、この多層回路基板22において、第
2の絶縁層18aの表面には、コンデンサ、コイル、半
導体IC等の実装部品20が搭載されており、実装部品
20は、はんだ等による電極19を介して第2の導体パ
ターンと導通されている。
In this multi-layer circuit board 22, a mounting component 20 such as a capacitor, a coil, and a semiconductor IC is mounted on the surface of the second insulating layer 18a. Through the second conductor pattern.

【0062】次に、図2に示した多層回路基板22の製
造方法例を説明する。
Next, an example of a method for manufacturing the multilayer circuit board 22 shown in FIG. 2 will be described.

【0063】まず、ベース基板11を準備する。このベ
ース基板11としては、例えば、厚みが0.5mm程度
のアルミナ焼成板や低温焼成セラミック板等を用いるこ
とが可能である。次いで、ベース基板11に、パンチン
グやレーザ加工等によって、ビアホール用貫通孔した
後、ビアホール用貫通孔に銀系導体を主成分とする導体
材料を充填し、これを空気中、850℃程度で焼成する
ことにより、ビアホール12を形成する。
First, the base substrate 11 is prepared. As the base substrate 11, for example, an alumina fired plate or a low-temperature fired ceramic plate having a thickness of about 0.5 mm can be used. Next, after a through hole for a via hole is formed in the base substrate 11 by punching, laser processing, or the like, the through hole for the via hole is filled with a conductor material mainly composed of a silver-based conductor, and fired in air at about 850 ° C. By doing so, a via hole 12 is formed.

【0064】次に、ベース基板11の上下両主面に、銀
系導体および無機添加成分を含む導体ペーストをスクリ
ーン印刷し、これを同じく、空気中、850℃程度で焼
成することにより、第1の導体パターン13aおよび1
3bを形成する。
Next, a conductor paste containing a silver-based conductor and an inorganic additive component is screen-printed on the upper and lower main surfaces of the base substrate 11 and is similarly baked at about 850 ° C. in the air to form the first paste. Conductor patterns 13a and 1
3b is formed.

【0065】次に、、第1の導体パターン13aおよび
13bを形成したベース基板11の両主面に、結晶化ガ
ラスや非晶質ガラスを主成分とし、銀や銀化合物、その
他の無機成分を含有する絶縁ペーストをスクリーン印刷
することにより、ビアホール用貫通孔を有する第1の絶
縁層14aおよび14bを設け、さらに、該ビアホール
用貫通孔に銀系導体を主成分とする導体材料を充填し、
これを空気中、850℃程度で焼成することにより、ビ
アホール15aおよび15bを有した第1の絶縁層14
aおよび14bを形成する。
Next, on both main surfaces of the base substrate 11 on which the first conductor patterns 13a and 13b are formed, silver, a silver compound, and other inorganic components are mainly composed of crystallized glass or amorphous glass. The first insulating layers 14a and 14b having through holes for via holes are provided by screen-printing the containing insulating paste, and the through holes for via holes are further filled with a conductive material mainly containing a silver-based conductor,
This is baked at about 850 ° C. in the air to form a first insulating layer 14 having via holes 15a and 15b.
a and 14b are formed.

【0066】次いで、第1の絶縁層14aおよび14b
の表面に、酸化ルテニウム等を主成分とする抵抗体ペー
ストをスクリーン印刷し、これを空気中にて850℃程
度で焼き付けることによって、厚膜抵抗体16aおよび
16bをそれぞれ形成する。さらに、第1の絶縁層14
aおよび14bの表面には、銀系導体および無機添加成
分を含有する導体ペーストをスクリーン印刷した後、空
気中、750℃程度で焼成することにより、第2の導体
パターン17aおよび17bを形成する。さらに、第1
の絶縁層14aおよび14bの表面に、非晶質ガラスや
結晶化ガラスを主成分とする絶縁ペーストをスクリーン
印刷することによって、先に形成した厚膜抵抗体16a
および16b、第2の導体パターン17aおよび17b
を保護する第2の絶縁層(保護膜)18aおよび18b
を形成し、多層回路基板22を作製する。
Next, the first insulating layers 14a and 14b
A thick paste resistor 16a and 16b is formed by screen-printing a resistor paste mainly containing ruthenium oxide or the like on the surface of the substrate and baking it at about 850 ° C. in the air. Further, the first insulating layer 14
The second conductor patterns 17a and 17b are formed on the surfaces of the conductor patterns a and 14b by screen-printing a conductor paste containing a silver-based conductor and an inorganic additive component, followed by firing at about 750 ° C. in air. Furthermore, the first
The surface of the insulating layers 14a and 14b is screen printed with an insulating paste mainly composed of amorphous glass or crystallized glass to form the thick film resistor 16a formed earlier.
And 16b, second conductor patterns 17a and 17b
Insulating layers (protective films) 18a and 18b for protecting
Is formed, and a multilayer circuit board 22 is manufactured.

【0067】そして、第2の絶縁層18a上の所定箇所
にはんだ(例えばクリームはんだ)を配した後、実装部
品20を搭載し、これをリフローすることにより、実装
部品20を、はんだ19を介して第2の導体パターン1
7aに接続させ、図2に示した電子部品21を完成す
る。
Then, after the solder (for example, cream solder) is arranged at a predetermined position on the second insulating layer 18a, the mounted component 20 is mounted, and the mounted component 20 is reflowed. And the second conductor pattern 1
7a to complete the electronic component 21 shown in FIG.

【0068】すなわち、本実施形態による多層回路基板
22においては、銀系内層導体パターンや銀系表層導体
パターン等による銀や無機添加成分が、絶縁層14aお
よび14b中へ拡散した場合であっても、これらの絶縁
層中には、上述した所定量の銀や無機成分が含有されて
いるので、絶縁層中の銀成分量や、無機成分量の変動幅
を小さくすることができる。
That is, in the multilayer circuit board 22 according to the present embodiment, even when silver or an inorganic additive component due to the silver-based inner conductor pattern or the silver-based surface conductor pattern diffuses into the insulating layers 14a and 14b. Since these insulating layers contain the above-mentioned predetermined amounts of silver and inorganic components, it is possible to reduce the fluctuation range of the amounts of silver components and inorganic components in the insulating layers.

【0069】すなわち、絶縁層14aおよび14bに隣
接して設けられた厚膜抵抗体16aおよび16b中への
銀拡散量の変動幅、無機成分拡散量の変動幅を最小限に
抑制することができ、焼成条件、銀系導体パターンの面
積やその形成位置、絶縁体層の厚み等による拡散量変動
にかかわらず、さらには、その使用時の経時的な拡散量
変化にかかわらず、所望の抵抗値を有した高精度の厚膜
抵抗体16aおよび16bを形成することができる。
That is, the fluctuation width of the silver diffusion amount and the fluctuation width of the inorganic component diffusion amount into the thick film resistors 16a and 16b provided adjacent to the insulating layers 14a and 14b can be suppressed to a minimum. , Regardless of the diffusion amount variation due to the firing conditions, the area of the silver-based conductor pattern and its formation position, the thickness of the insulator layer, and the like, and further, regardless of the diffusion amount variation over time during use. It is possible to form the high-precision thick film resistors 16a and 16b having the following.

【0070】また、本実施形態による多層回路基板21
においては、厚膜抵抗体16aが絶縁層14aを挟んで
銀系導体パターン13aに対向して設けられているが、
絶縁層14a中に所定量の銀および無機成分が含有され
ているので、銀系導体パターン13a中の銀をはじめと
する成分が絶縁層14a中へ拡散しても、絶縁層14a
の構成成分量の変動割合を最小限の抑えて、安定かつ高
精度の抵抗値を有する厚膜抵抗体16aを得ることがで
きると同時に、絶縁層14aの絶縁信頼性を十分に確保
できる。
The multilayer circuit board 21 according to the present embodiment
In, the thick film resistor 16a is provided to face the silver-based conductor pattern 13a with the insulating layer 14a interposed therebetween.
Since a predetermined amount of silver and an inorganic component are contained in the insulating layer 14a, even if silver and other components in the silver-based conductor pattern 13a diffuse into the insulating layer 14a, the insulating layer 14a
And the thick film resistor 16a having a stable and highly accurate resistance value can be obtained, and the insulation reliability of the insulating layer 14a can be sufficiently ensured.

【0071】そして、上述したように、多層回路基板2
2における各絶縁層の絶縁性を向上させ、各厚膜抵抗体
の抵抗値変動を抑制できるので、絶縁層の薄層化や導体
パターンの高密度化にも十分対応することができ、信頼
性に優れ、小型で高密度な電子部品21を達成できる。
Then, as described above, the multilayer circuit board 2
2 can improve the insulating properties of each insulating layer and suppress the fluctuation of the resistance value of each thick film resistor, so that it can sufficiently cope with the thinning of the insulating layer and the high density of the conductor pattern, And a small and high-density electronic component 21 can be achieved.

【0072】また、本実施形態においては、多層回路基
板22の絶縁層18aおよび18bに上述した量の銀と
無機成分とを含有させてもよい。
In the present embodiment, the above-mentioned amounts of silver and inorganic components may be contained in the insulating layers 18a and 18b of the multilayer circuit board 22.

【0073】以上、本発明を具体的な多層回路基板およ
び電子部品に基づいて説明したが、本発明は、上述のグ
リーンシート積層法による電子部品1や、厚膜印刷法に
よる電子部品21に限定されるものではない。本発明の
電子部品は、例えば、チップコンデンサ、チップLCフ
ィルタ等の高周波回路用の電子部品の他、VCO(Volt
age Controlled Oscillator)やPLL(Phase Locked
Loop)等の高周波モジュール、マルチチップモジュール
用基板、ICパッケージ用基板等の電子部品であってよ
い。また、多層回路基板における絶縁層は、セラミック
からなる絶縁層に限定されるものではなく、樹脂からな
る絶縁層であってもよい。
While the present invention has been described based on specific multilayer circuit boards and electronic components, the present invention is limited to the electronic component 1 formed by the above-described green sheet lamination method and the electronic component 21 formed by the thick film printing method. It is not something to be done. The electronic components of the present invention include, for example, high-frequency circuit electronic components such as chip capacitors and chip LC filters, as well as VCOs (Volt
age Controlled Oscillator) and PLL (Phase Locked)
Electronic components such as a high-frequency module such as a loop), a substrate for a multichip module, and a substrate for an IC package. Further, the insulating layer in the multilayer circuit board is not limited to the insulating layer made of ceramic, but may be an insulating layer made of resin.

【0074】[0074]

【実施例】以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説
明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to specific embodiments.

【0075】実施例1:厚膜印刷による多層回路基板 <導体ペースト>導体ペーストに添加するガラス粉末の
出発原料としてSiO2、H3BO3、ZnO、Bi
23、PbOをそれぞれ準備し、これらを下記表1の組
成となるように混合した後、得られた混合物を1100
℃の温度下で溶融して溶融ガラスを作製した。そして、
この溶融ガラスを純水中へ投入して急冷した後、粉砕し
て、下記表1中のガラス番号1〜2で示されるガラス粉
末を得た。
Example 1 Multilayer Circuit Board by Thick Film Printing <Conductor Paste> SiO 2 , H 3 BO 3 , ZnO, Bi as starting materials for glass powder to be added to the conductor paste
After preparing 2 O 3 and PbO, respectively, and mixing them so as to have the composition shown in Table 1 below, the obtained mixture was mixed with 1100
It was melted at a temperature of ° C to produce a molten glass. And
This molten glass was put into pure water, rapidly cooled, and then pulverized to obtain glass powders represented by glass numbers 1-2 in Table 1 below.

【0076】[0076]

【表1】 [Table 1]

【0077】次いで、下記表2に示す組成となるよう
に、ガラス番号1〜2のガラス粉末およびAg粉末に加
えて、Cu粉末、Cr23粉末、Bi23粉末およびC
eO2粉末からなる無機粉末を添加、混合して、導体組
成物番号1〜2で表される導体組成物を作製した。そし
て、得られた導体組成物85重量部に、エチルセルロー
ス系樹脂をα−テルピネオールに溶解してなる有機ビヒ
クル15重量部を加えて混練し、Ag系導体ペーストを
作製した。
Next, Cu powder, Cr 2 O 3 powder, Bi 2 O 3 powder and C 2 O 3 powder were added to the glass powders of glass numbers 1 and 2 and the Ag powder so that the compositions shown in Table 2 below were obtained.
adding an inorganic powder consisting of eO 2 powder, it was mixed to prepare a conductor composition represented by the conductor composition numbers 1-2. Then, to 85 parts by weight of the obtained conductor composition, 15 parts by weight of an organic vehicle obtained by dissolving an ethylcellulose-based resin in α-terpineol was added and kneaded to prepare an Ag-based conductor paste.

【0078】[0078]

【表2】 [Table 2]

【0079】<絶縁ペースト>絶縁ペースト用ガラスの
出発原料としてSiO2、MgCO3、CaCO3、H3
3、K2CO3をそれぞれ準備し、これらを下記表3の
組成となるように混合した後、得られた混合物を160
0℃の温度下で溶融して溶融ガラスを作製した。そし
て、この溶融ガラスを純水中へ投入して急冷した後、粉
砕して、下記表3中のガラス番号3で示されるガラス粉
末を得た。
<Insulating Paste> SiO 2 , MgCO 3 , CaCO 3 , H 3 B are used as starting materials for insulating paste glass.
O 3 and K 2 CO 3 were prepared and mixed to obtain the composition shown in Table 3 below.
Melting was performed at a temperature of 0 ° C. to produce a molten glass. Then, the molten glass was put into pure water, rapidly cooled, and then pulverized to obtain a glass powder represented by glass number 3 in Table 3 below.

【0080】[0080]

【表3】 [Table 3]

【0081】他方、表2〜3に示したガラス番号1〜3
のガラス粉末、Ag粉末、CuO粉末、Cr23粉末、
Bi23粉末、CeO2粉末をそれぞれ準備し、これら
を下記表4の組成となるように混合した後、得られた混
合物を1600℃の温度下で溶融させて溶融ガラスを作
製した。次いで、この溶融ガラスを純水中へ投入して急
冷した後、粉砕して、下記表4中のガラス番号4〜17
で示される組成のガラス粉末を用意した。
On the other hand, glass numbers 1 to 3 shown in Tables 2 to 3
Glass powder, Ag powder, CuO powder, Cr 2 O 3 powder,
A Bi 2 O 3 powder and a CeO 2 powder were prepared, respectively, and were mixed so as to have the composition shown in Table 4 below. Then, the obtained mixture was melted at a temperature of 1600 ° C. to produce a molten glass. Next, the molten glass was put into pure water, rapidly cooled, and then pulverized to obtain a glass number 4 to 17 in Table 4 below.
Was prepared.

【0082】[0082]

【表4】 [Table 4]

【0083】さらに、表2に示したガラス番号1〜2の
ガラス粉末、Ag粉末、CuO粉末、Cr23粉末、B
23粉末、CeO2粉末をそれぞれ準備し、これらを
下記表5の組成となるように混合した後、得られた混合
物を1000℃の温度下で熱処理し、粉砕して、下記表
5の無機粉末番号1〜2で示される組成の無機粉末を用
意した。
Further, glass powders of glass numbers 1 and 2 shown in Table 2, Ag powder, CuO powder, Cr 2 O 3 powder,
After preparing i 2 O 3 powder and CeO 2 powder, respectively, and mixing them so as to have the composition shown in Table 5 below, the resulting mixture was heat-treated at a temperature of 1000 ° C., and pulverized. Inorganic powders having the compositions indicated by No. 1 and No. 2 were prepared.

【0084】[0084]

【表5】 [Table 5]

【0085】そして、ガラス番号3〜17のガラス粉
末、無機粉末番号1〜2の無機粉末、金属Ag粉末、C
uO粉末、Cr23粉末、Bi23粉末、CeO2粉末
を下記表6〜7の組成となるように混合して、絶縁組成
物番号1〜31で表される絶縁組成物を作製した。そし
て、得られた絶縁組成物60重量部に、エチルセルロー
ス系樹脂をα−テルピネオールに溶解してなる有機ビヒ
クル40重量部を加えて混錬し、絶縁ペーストを作製し
た。
Then, glass powders having glass numbers 3 to 17, inorganic powders having inorganic powder numbers 1 and 2, metal Ag powder, C
The uO powder, the Cr 2 O 3 powder, the Bi 2 O 3 powder, and the CeO 2 powder are mixed so as to have the compositions shown in Tables 6 to 7 below, thereby producing insulating compositions represented by insulating composition numbers 1 to 31. did. Then, to 60 parts by weight of the obtained insulating composition, 40 parts by weight of an organic vehicle obtained by dissolving an ethylcellulose-based resin in α-terpineol was added and kneaded to prepare an insulating paste.

【0086】なお、下記表6〜7の「添加物の添加形
態」について、は、Ag粉末や他の無機粉末を含ま
ず、ガラス番号3のガラス粉末のみからなる絶縁ペース
ト(絶縁組成物番号1)、は、ガラス番号3のガラス
粉末に、Ag粉末や他の無機粉末を添加し、これらを溶
融、ガラス化してなるガラス粉末(ガラス粉末番号4〜
17)を用いた絶縁ペースト(絶縁組成物番号2〜1
3、27〜28)、は、ガラス番号3のガラス粉末
に、ガラス番号1〜2のガラス粉末、Ag粉末、他の無
機粉末を熱処理した無機粉末(無機粉末番号1〜2)を
添加、混合し、これを絶縁組成物として用いた絶縁ペー
スト(絶縁組成物番号14、29)、は、ガラス番号
3のガラス粉末に、Ag粉末や他の無機粉末を添加、混
合し、これを絶縁組成物として用いた絶縁ペースト(絶
縁組成物番号14〜26、30〜31)、をそれぞれ意
味する。
The “addition forms of additives” in Tables 6 and 7 below indicate that an insulating paste (insulating composition No. 1) made of only glass No. 3 without Ag powder or other inorganic powders was used. ) Is a glass powder obtained by adding Ag powder or other inorganic powder to glass powder of glass No. 3 and melting and vitrifying them.
17) (insulating composition numbers 2-1)
3, 27-28) is to add and mix glass powder of glass No. 3 with glass powder of glass No. 1-2, Ag powder, and inorganic powder obtained by heat-treating other inorganic powder (inorganic powder No. 1-2). An insulating paste (insulating composition Nos. 14, 29) using this as an insulating composition is obtained by adding and mixing Ag powder or other inorganic powder to glass powder of glass No. 3, Means insulating pastes (insulating composition numbers 14 to 26, 30 to 31), respectively.

【0087】[0087]

【表6】 [Table 6]

【0088】[0088]

【表7】 [Table 7]

【0089】次に、導体組成物番号1〜2の導体組成物
を主成分とするAg系導体ペーストと、絶縁組成物番号
1〜31の絶縁組成物を主成分とする絶縁ガラスペース
トとを、下記表9に示す組み合わせで印刷、焼成するこ
とによって、図3〜4に示す構成の多層回路基板A〜E
を作製した。以下、図3および図4を参照に、多層回路
基板A〜Eを説明する。
Next, an Ag-based conductor paste containing the conductor compositions of the conductor composition numbers 1 and 2 as a main component and an insulating glass paste containing the insulation composition of the insulation composition numbers 1 to 31 as a main component were used. By printing and firing in the combinations shown in Table 9 below, the multilayer circuit boards A to E having the configurations shown in FIGS.
Was prepared. Hereinafter, the multilayer circuit boards A to E will be described with reference to FIGS.

【0090】(1)多層回路基板A まず、絶縁性基板31aとして厚み0.635mmのア
ルミナ基板を準備し、その上に、先に作製した絶縁ガラ
スペーストをスクリーン印刷した後、空気中、850℃
で焼成して絶縁層32aを形成した。次いで、先に作製
したAg系導体ペーストをスクリーン印刷した後、空気
中、850℃で焼成して、上層導体パターン33aを形
成した。ここで、上層導体パターン33aは厚膜抵抗体
を形成するための間隔1mmのターミナル電極である。
(1) Multilayer circuit board A First, an alumina substrate having a thickness of 0.635 mm is prepared as the insulating substrate 31a, and the insulating glass paste prepared above is screen-printed thereon, and then is heated at 850 ° C. in air.
To form an insulating layer 32a. Next, after the Ag-based conductor paste prepared above was screen-printed, it was baked at 850 ° C. in air to form an upper-layer conductor pattern 33a. Here, the upper conductor pattern 33a is a terminal electrode with a spacing of 1 mm for forming a thick film resistor.

【0091】そして、抵抗体用ペーストを上層導体パタ
ーン33aの両側0.5mmに重ね合わせるように塗布
した後、これを焼成し、1mm平方の厚膜抵抗体34a
を形成して、図3(A)に示す多層回路基板Aを作製し
た。なお、抵抗体用ペーストとしては、公称シート抵抗
値100Ω/□、10KΩ/□のRu系抵抗用ペースト
をそれぞれ用いた。
Then, a resistor paste is applied so as to overlap with 0.5 mm on both sides of the upper conductor pattern 33a, and then fired to form a 1 mm square thick film resistor 34a.
Was formed to produce a multilayer circuit board A shown in FIG. As the resistor paste, a Ru-based resistor paste having a nominal sheet resistance value of 100Ω / □ and 10KΩ / □ was used.

【0092】(2)多層回路基板B まず、絶縁性基板31bとして厚み0.635mmのア
ルミナ基板を準備し、その上にAg系導体ペーストをス
クリーン印刷した後、空気中、850℃で焼成して下層
導体パターン35bを形成した。ここで、下層導体パタ
ーン35bは10mm平方の電極とした。その後、下層
導体パターン35b上に先に作製した絶縁ガラスペース
トをスクリーン印刷し、空気中、850℃で焼成して絶
縁層32bを形成した。次いで、Ag系導体ペーストを
スクリーン印刷した後、空気中、850℃で焼成して、
同じくAg系の上層導体パターン33bを形成した。こ
こで、上層導体パターン33bは厚膜抵抗体を形成する
ための間隔1mmのターミナル電極である。
(2) Multilayer Circuit Board B First, an alumina substrate having a thickness of 0.635 mm is prepared as the insulating substrate 31b, and an Ag-based conductor paste is screen-printed thereon, and then fired at 850 ° C. in air. The lower conductor pattern 35b was formed. Here, the lower conductor pattern 35b was a 10 mm square electrode. Thereafter, the insulating glass paste prepared above was screen-printed on the lower conductive pattern 35b, and fired at 850 ° C. in air to form the insulating layer 32b. Next, after the Ag-based conductor paste is screen-printed, it is baked at 850 ° C. in air,
Similarly, an Ag-based upper conductor pattern 33b was formed. Here, the upper conductor pattern 33b is a terminal electrode with a spacing of 1 mm for forming a thick film resistor.

【0093】そして、抵抗体用ペーストを上層導体パタ
ーン33bの両側0.5mmに重ね合わせるように塗布
した後、これを焼成し、1mm平方の厚膜抵抗体34b
を形成して、図3(B)に示す多層回路基板Bを作製し
た。なお、抵抗体用ペーストとしては、上述したのと同
様のRu系抵抗体用ペーストを用いた。
Then, after a resistor paste is applied so as to overlap 0.5 mm on both sides of the upper conductor pattern 33b, it is baked and baked to form a 1 mm square thick film resistor 34b.
Was formed to produce a multilayer circuit board B shown in FIG. As the resistor paste, the same Ru-based resistor paste as described above was used.

【0094】(3)多層回路基板C まず、絶縁性基板31cとして厚み0.635mmのア
ルミナ基板を準備し、その上にAg系導体ペーストをス
クリーン印刷した後、空気中、850℃で焼成して下層
導体パターン35cを形成した。ここで、下層導体パタ
ーン35cは150μm間隔の幅100μmラインとし
た。その後、下層導体パターン35c上に先に作製した
絶縁ガラスペーストをスクリーン印刷し、空気中、85
0℃で焼成して絶縁層32cを形成した。次いで、Ag
系導体ペーストをスクリーン印刷した後、空気中、85
0℃で焼成して、上層導体パターン33cを形成した。
ここで、上層導体パターン33cは厚膜抵抗体を形成す
るための間隔1mmのターミナル電極である。
(3) Multilayer Circuit Board C First, an alumina substrate having a thickness of 0.635 mm is prepared as the insulating substrate 31c, and an Ag-based conductor paste is screen-printed thereon, and then fired at 850 ° C. in air. The lower conductor pattern 35c was formed. Here, the lower conductor pattern 35c was a line of 100 μm width at an interval of 150 μm. After that, the insulating glass paste prepared above is screen-printed on the lower conductor pattern 35c, and the screen is printed in air.
By baking at 0 ° C., an insulating layer 32c was formed. Then Ag
After screen printing the system conductor paste, in air, 85
The upper conductor pattern 33c was formed by firing at 0 ° C.
Here, the upper conductor pattern 33c is a terminal electrode with an interval of 1 mm for forming a thick film resistor.

【0095】そして、抵抗体用ペーストを上層導体パタ
ーン33cの両側0.5mmに重ね合わせるように塗布
した後、これを焼成し、1mm平方の厚膜抵抗体34c
を形成して、図3(C)に示す多層回路基板Cを作製し
た。なお、抵抗体用ペーストとしては、上述したのと同
様のRu系抵抗体用ペーストを用いた。
Then, after a resistor paste is applied so as to overlap 0.5 mm on both sides of the upper conductor pattern 33c, it is baked, and is fired to form a 1 mm square thick film resistor 34c.
Was formed to produce a multilayer circuit board C shown in FIG. As the resistor paste, the same Ru-based resistor paste as described above was used.

【0096】(4)多層回路基板D まず、絶縁性基板31dとして厚み0.635mmのア
ルミナ基板を準備した。次いで、絶縁性基板31d上に
先に作製した絶縁ガラスペーストをスクリーン印刷し、
空気中、850℃で焼成して絶縁層32dを形成した。
次いで、Ag系導体ペーストをスクリーン印刷した後、
空気中、850℃で焼成して上層導体パターン35dを
形成した。ここで、下層導体パターン35dは間隔1m
mのターミナル電極、および、このターミナル電極と平
行に間隔200μmおいて形成した幅500μmのライ
ン電極である。
(4) Multilayer Circuit Board D First, an alumina substrate having a thickness of 0.635 mm was prepared as the insulating substrate 31d. Next, the insulating glass paste prepared earlier is screen-printed on the insulating substrate 31d,
The resultant was fired at 850 ° C. in the air to form an insulating layer 32d.
Next, after screen printing the Ag-based conductor paste,
The upper conductor pattern 35d was formed by firing at 850 ° C. in the air. Here, the lower conductor pattern 35d is 1 m apart.
m terminal electrode and a 500 μm wide line electrode formed at a distance of 200 μm in parallel with the terminal electrode.

【0097】引き続いて、抵抗体用ペーストを上層導体
パターン33dの両側0.5mmに重ね合わせるように
塗布した後、これを焼成し、1mm平方の厚膜抵抗体3
4dを形成して、図3(D)に示す多層回路基板Dを作
製した。なお、抵抗体用ペーストとしては、上述したの
と同様のRu系抵抗体用ペーストを用いた。
Subsequently, a paste for resistor was applied so as to overlap 0.5 mm on both sides of the upper conductor pattern 33d, and then baked to obtain a thick film resistor 3 of 1 mm square.
4D was formed to produce a multilayer circuit board D shown in FIG. As the resistor paste, the same Ru-based resistor paste as described above was used.

【0098】(5)多層回路基板E まず、絶縁性基板31eとして厚み0.635mmのア
ルミナ基板を準備し、その上にAg系導体ペーストをス
クリーン印刷した後、空気中、850℃で焼成して下層
導体パターン35eを形成した。ここで、下層導体パタ
ーン35eは、コンデンサの一方電極用としての直径8
mmの円板状電極である。次いで、導体パターン35e
上に、先に作製した絶縁ガラスペーストをスクリーン印
刷し、空気中、850℃で焼成して絶縁層32eを形成
した。次いで、Ag系導体ペーストをスクリーン印刷し
た後、空気中、850℃で焼成して、同じくAg系の上
層導体パターン33eを形成し、図4に示す多層回路基
板Eを作製した。ここで、導体パターン33eはコンデ
ンサの他方電極としての500μm周囲にガード電極3
6を有する直径4mmの円板状電極である。
(5) Multilayer Circuit Board E First, an alumina substrate having a thickness of 0.635 mm is prepared as the insulating substrate 31e, and an Ag-based conductor paste is screen-printed thereon, and then fired at 850 ° C. in air. A lower conductor pattern 35e was formed. The lower conductor pattern 35e has a diameter of 8 for one electrode of the capacitor.
mm disk-shaped electrode. Next, the conductor pattern 35e
The above-prepared insulating glass paste was screen-printed thereon and fired at 850 ° C. in air to form an insulating layer 32e. Next, after the Ag-based conductor paste was screen-printed, it was baked at 850 ° C. in air to form an Ag-based upper layer conductor pattern 33e, thereby producing a multilayer circuit board E shown in FIG. Here, the conductor pattern 33e has a guard electrode 3 around 500 μm as the other electrode of the capacitor.
6 is a disk-shaped electrode with a diameter of 4 mm.

【0099】以上のようにして、厚膜印刷法による5種
類の多層回路基板を完成した。なお、多層回路基板A〜
Dは抵抗値評価用の多層回路基板であり、多層回路基板
Eは絶縁抵抗、および、比誘電率評価用の多層回路基板
である。
As described above, five types of multilayer circuit boards were completed by the thick film printing method. In addition, the multilayer circuit boards A to
D is a multilayer circuit board for evaluating a resistance value, and multilayer circuit board E is a multilayer circuit board for evaluating insulation resistance and relative permittivity.

【0100】次に、多層回路基板A〜Dについて、厚膜
抵抗体34a〜34dの抵抗値変化率を計測した。ここ
では、上層導体パターン33a〜33dをテスターにて
計測することによって、多層回路基板Aの厚膜抵抗体3
4aの抵抗値を基準値としたときの多層回路基板B、C
およびDにおける厚膜抵抗体34b、34cおよび34
dの抵抗値変化率を求めた。
Next, the resistance change rates of the thick film resistors 34a to 34d of the multilayer circuit boards A to D were measured. Here, the upper-layer conductor patterns 33a to 33d are measured with a tester, so that the thick-film resistor 3 of the multilayer circuit board A is measured.
Multilayer circuit boards B and C when resistance value of 4a is used as a reference value
Thick film resistors 34b, 34c and 34 in FIGS.
The rate of change in resistance value of d was determined.

【0101】他方、多層回路基板Eについて、絶縁層3
2eの絶縁信頼性を測定した。ここでは、ガード電極3
6でガードをとり、85℃、85%RHの条件下で、導
体パターン35eと導体パターン33eとの間に100
Vの電圧を1000時間印加した後、直流100Vを1
分間印可して、絶縁抵抗(LogIR)を測定した。
On the other hand, with respect to the multilayer circuit board E, the insulating layer 3
The insulation reliability of 2e was measured. Here, the guard electrode 3
The guard is taken at 6 and 100 ° C between the conductor pattern 35e and the conductor pattern 33e under the condition of 85 ° C. and 85% RH.
After applying a voltage of 1000 V for 1000 hours,
After applying for one minute, the insulation resistance (LogIR) was measured.

【0102】さらに、多層回路基板Eについて、絶縁層
32eの容量値と膜厚を測定し、比誘電率に換算した。
ここでは、ガード電極36でガードをとり、25℃、1
MHzの条件下で、導体パターン35eと導体パターン
33eとの間でLCRメーターを用い容量値を計測し
た。また、導体パターン35eと導体パターン33eと
の間に設けた絶縁層32eの膜厚は、それを破断し、そ
の断面から、金属顕微鏡を用いて計測した。そして、こ
れらの容量値と膜厚、さらに電極面積により、比誘電率
を求めた。
Further, with respect to the multilayer circuit board E, the capacitance value and the film thickness of the insulating layer 32e were measured and converted into a relative dielectric constant.
Here, a guard is provided by the guard electrode 36, and the temperature is 25 ° C.
Under the condition of MHz, the capacitance value was measured between the conductor pattern 35e and the conductor pattern 33e using an LCR meter. The thickness of the insulating layer 32e provided between the conductor pattern 35e and the conductor pattern 33e was measured by using a metal microscope from a cross section of the insulation layer 32e. Then, the relative dielectric constant was determined from the capacitance value, the film thickness, and the electrode area.

【0103】絶縁組成物番号1〜31の絶縁組成物を用
いた多層回路基板A〜Dの抵抗値変化率、多層回路基板
Eの絶縁信頼性、比誘電率の測定結果を併せて下記表8
に示す(例1〜32)。
Table 8 below shows the measurement results of the resistance change rates of the multilayer circuit boards A to D, the insulation reliability of the multilayer circuit board E, and the relative dielectric constant using the insulating compositions of the insulating composition numbers 1 to 31.
(Examples 1 to 32).

【0104】[0104]

【表8】 [Table 8]

【0105】表8から、例4〜10、例14、例17〜
23、例28〜32のように、Ag系導体パターン、厚
膜抵抗体を備えた絶縁層中にAg粉末が金属Ag量に換
算して0.001〜5重量%含有されており、かつ、導
体ペースト中のAg以外の無機粉末が少なくとも1成分
以上、その合計が酸化物に換算して0.001〜10重
量%含有されている多層回路基板は、絶縁層の絶縁抵抗
が高く、かつ、低誘電率であり、かつ、厚膜抵抗体の抵
抗値変化率が小さいことがわかった。つまり、Ag系導
体パターンを有する多層回路基板において、安定かつ高
精度の抵抗体を、絶縁層の絶縁信頼性を損なうことな
く、かつ、比誘電率を大きく上昇させることなく、形成
することができた。
From Table 8, Examples 4 to 10, Example 14, and Examples 17 to
23, as in Examples 28 to 32, the insulating layer provided with the Ag-based conductor pattern and the thick-film resistor contains 0.001 to 5% by weight of Ag powder in terms of the amount of metallic Ag, and A multilayer circuit board containing at least one or more inorganic powders other than Ag in the conductor paste, the total of which is 0.001 to 10% by weight in terms of oxide, has a high insulation resistance of the insulating layer, and It was found that the dielectric constant was low and the rate of change in resistance of the thick film resistor was small. That is, in a multilayer circuit board having an Ag-based conductor pattern, a stable and highly accurate resistor can be formed without impairing the insulation reliability of the insulating layer and without significantly increasing the relative permittivity. Was.

【0106】また、添加物の添加形態を変えた例6、例
14、例19、例29〜30をそれぞれ比較すると、A
g粉末や導体ペースト中のAg以外の無機粉末を添加す
る場合、これら添加物をあらかじめ熱処理し、それをガ
ラス粉末に添加した絶縁組成物が、極めて効率良く抵抗
値の変化率を抑制できたことが分かる。
Further, when Examples 6, 14, 19, and 29 to 30 in which the addition form of the additive was changed were compared,
When adding inorganic powders other than Ag in the g powder and the conductor paste, these additives were heat-treated in advance, and the insulating composition obtained by adding the additives to the glass powder was able to suppress the rate of change of the resistance value extremely efficiently. I understand.

【0107】これに対して、例1〜3、例15〜16、
例27のように、絶縁層中のAg粉末が金属Ag量に換
算して0.001重量%未満もしくは、導体ペースト中
のAg以外の無機粉末がその合計が酸化物に換算して
0.001重量%未満しか含有されていない場合、絶縁
抵抗に優れ、低誘電率が得られるものの、厚膜抵抗体の
抵抗値変化が発生し、また、得られる抵抗値にバラツキ
が生じてしまった。
On the other hand, Examples 1 to 3, Examples 15 to 16,
As in Example 27, the amount of Ag powder in the insulating layer was less than 0.001% by weight in terms of the amount of metallic Ag, or the total amount of inorganic powders other than Ag in the conductive paste was 0.001% in terms of oxide. When the content is less than 10% by weight, the insulation resistance is excellent and a low dielectric constant can be obtained, but the resistance value of the thick film resistor changes, and the obtained resistance value varies.

【0108】また、例11、例13、例24、例26の
ように絶縁層中のAg粉末が5重量%を超える場合、厚
膜抵抗体の抵抗値変化率を抑制できるものの、絶縁抵抗
が小さくなってしまい、絶縁信頼性が低下してしまっ
た。また、例12、例25のように、導体ペースト中の
Ag以外の無機成分が酸化物に換算して10重量%を超
える場合、絶縁層の比誘電率が10を超えてしまった。
When the amount of Ag powder in the insulating layer exceeds 5% by weight as in Examples 11, 13, 24 and 26, the rate of change in the resistance of the thick film resistor can be suppressed, but the insulation resistance is reduced. As a result, the insulation reliability was reduced. Also, as in Examples 12 and 25, when the inorganic component other than Ag in the conductor paste exceeded 10% by weight in terms of oxide, the relative dielectric constant of the insulating layer exceeded 10.

【0109】実施例2:グリーンシート積層法による多
層回路基板 <導体ペースト>まず、実施例1と同様にして、上述し
た表1に示すガラス粉末(ガラス番号1〜2)を得た。
また、実施例1と同様にして、上述の表2に示す導体組
成物(導体組成物番号1〜2)を主成分とする導体ペー
ストを作製した。
Example 2: Multi-layering by a green sheet laminating method
Layer Circuit Board <Conductor Paste> First, in the same manner as in Example 1, the glass powders (glass numbers 1 and 2) shown in Table 1 described above were obtained.
In the same manner as in Example 1, a conductor paste containing the conductor compositions (conductor composition numbers 1 and 2) shown in Table 2 as main components was prepared.

【0110】<セラミックグリーンシート>まず、実施
例1と同様にして、上述した表3〜4に示すガラス粉末
(ガラス番号3〜17)を得た。さらに、実施例1と同
様にして、上述した表5に示す無機粉末(無機粉末番号
1〜2)を得た。
<Ceramic Green Sheet> First, in the same manner as in Example 1, the above-mentioned glass powders (glass numbers 3 to 17) shown in Tables 3 and 4 were obtained. Further, in the same manner as in Example 1, the above-mentioned inorganic powders (inorganic powder numbers 1-2) shown in Table 5 were obtained.

【0111】次いで、ガラス番号3〜17のガラス粉
末、無機粉末番号1〜2の無機粉末、金属Ag粉末、C
uO粉末、Cr23粉末、Bi23粉末、CeO2粉末
を、上述した表6〜7の組成となるように混合して、試
料番号1〜31で表される絶縁組成物を形成した。さら
に、得られた絶縁組成物に有機バインダ、溶剤(トルエ
ン)を所定量添加混合して、ボールミルで十分混練し、
均一に分散させた後、減圧下で脱泡し、グリーンシート
用スラリーを調整した。
Next, glass powders of glass numbers 3 to 17, inorganic powders of inorganic powder numbers 1 and 2, metal Ag powder, C
The uO powder, the Cr 2 O 3 powder, the Bi 2 O 3 powder, and the CeO 2 powder are mixed so as to have the compositions shown in Tables 6 to 7 above to form insulating compositions represented by Sample Nos. 1 to 31. did. Further, a predetermined amount of an organic binder and a solvent (toluene) were added to the obtained insulating composition, mixed and kneaded sufficiently with a ball mill,
After uniformly dispersing, defoaming was performed under reduced pressure to prepare a green sheet slurry.

【0112】そして、得られたグリーンシート用スラリ
ーを用いて、ドクターブレードを用いたキャスティング
法により、キャリアフィルム上に0.1mm厚に塗布
し、これを乾燥させた後、キャリアフィルムから剥が
し、厚み100μmのセラミックグリーンシートを作製
した。
Then, the obtained green sheet slurry was applied to a thickness of 0.1 mm on a carrier film by a casting method using a doctor blade, dried, and then peeled off from the carrier film. A 100 μm ceramic green sheet was produced.

【0113】絶縁組成物番号1〜31の絶縁組成物から
なるセラミックグリーンシート上に、導体ペースト番号
1〜2のAg系導体パターンを、それぞれ下記表9〜1
0に示す組み合わせ印刷した。その後、Ag系導体パタ
ーンを備えるセラミックグリーンシートを複数枚積層、
圧着し、一体焼成することによって、図5〜6に示す多
層回路基板a〜eを作製した。以下、図5および図6を
参照に、多層回路基板a〜eの構成を説明する。
The Ag-based conductor patterns of the conductor paste numbers 1 and 2 were placed on ceramic green sheets made of the insulation compositions of the insulation composition numbers 1 to 31, respectively, as shown in Tables 9-1 below.
0 was printed. Thereafter, a plurality of ceramic green sheets having an Ag-based conductor pattern are laminated,
The multi-layer circuit boards a to e shown in FIGS. Hereinafter, the configurations of the multilayer circuit boards a to e will be described with reference to FIGS.

【0114】(1)多層回路基板a 先に作製したセラミックグリーンシート上に、Ag系導
体ペーストをスクリーン印刷し、さらに抵抗体用ペース
トを印刷した。次いで、これらを圧着した後、500
℃、1時間脱脂処理し、さらに、50℃/分で昇温し
て、850℃、10分間一体焼成した。
(1) Multilayer Circuit Board a An Ag-based conductor paste was screen-printed on the ceramic green sheet prepared above, and further a resistor paste was printed. Next, after these are pressed, 500
The mixture was degreased for 1 hour at a temperature of 50 ° C./min, and then baked at 850 ° C. for 10 minutes.

【0115】そして、図5(A)に示すように、セラミ
ックグリーンシートを焼成してなる絶縁層41a上に、
Ag系導体ペーストによる導体パターン42a、抵抗体
用ペーストによる厚膜抵抗体44aを備える多層回路基
板aを得た。
Then, as shown in FIG. 5A, an insulating layer 41a formed by firing a ceramic green sheet is placed on the insulating layer 41a.
A multilayer circuit board a having a conductor pattern 42a made of an Ag-based conductor paste and a thick film resistor 44a made of a resistor paste was obtained.

【0116】なお、導体パターン42aは厚膜抵抗体を
形成するための間隔1mmのターミナル電極である。ま
た、厚膜抵抗体44aは、導体パターン42aの両側
0.5mmに重ね合わせるように形成した1mm平方の
厚膜抵抗体であり、公称シート抵抗値100Ω/□、1
0KΩ/□のRu系抵抗体用ペーストをそれぞれ用いて
形成した。
Note that the conductor pattern 42a is a terminal electrode with a spacing of 1 mm for forming a thick film resistor. The thick film resistor 44a is a 1 mm square thick film resistor formed so as to overlap 0.5 mm on both sides of the conductor pattern 42a, and has a nominal sheet resistance of 100Ω / □,
It was formed by using a Ru-based resistor paste of 0 KΩ / □.

【0117】(2)多層回路基板b まず、先に作製したセラミックグリーンシート上に、A
g系導体ペーストをスクリーン印刷した後、同様のセラ
ミックグリーンシートを積み重ねた。次いで、同じくA
g系導体ペーストをスクリーン印刷した後、抵抗体用ペ
ーストを印刷した。引き続いて、これらを圧着した後、
500℃、1時間脱脂処理し、さらに、50℃/分で昇
温して、850℃、10分間一体焼成した。
(2) Multilayer circuit board b First, A was placed on the previously prepared ceramic green sheet.
After screen printing the g-based conductor paste, similar ceramic green sheets were stacked. Next, A
After screen printing of the g-based conductor paste, the resistor paste was printed. Then, after crimping these,
Degreasing treatment was performed at 500 ° C. for 1 hour, and the temperature was increased at 50 ° C./min.

【0118】そして、図5(B)に示すように、セラミ
ックグリーンシートを焼成してなる絶縁層41b内に、
Ag系導体ペーストによる下層導体パターン43bを有
し、絶縁層41b上には、Ag系導体ペーストによる上
層導体パターン42b、および、抵抗体用ペーストによ
る厚膜抵抗体44bを備える多層回路基板bを得た。
Then, as shown in FIG. 5B, the insulating layer 41b formed by firing the ceramic green sheets is
A multilayer circuit board b having a lower conductor pattern 43b made of an Ag-based conductor paste and having an upper conductor pattern 42b made of an Ag-based conductor paste and a thick film resistor 44b made of a resistor paste is formed on the insulating layer 41b. Was.

【0119】なお、下層導体パターン43bは10mm
平方の電極であり、上層導体パターン42bは厚膜抵抗
体を形成するための間隔1mmのターミナル電極であ
る。また、厚膜抵抗体44bは、導体パターン42bの
両側0.5mmに重ね合わせるように形成した1mm平
方の厚膜抵抗体であり、上述したのと同様の抵抗体用ペ
ーストを用いて形成した。
The lower conductor pattern 43b has a thickness of 10 mm.
The upper conductor pattern 42b is a square-shaped electrode, and is a terminal electrode with an interval of 1 mm for forming a thick-film resistor. The thick-film resistor 44b is a 1-mm square thick-film resistor formed so as to overlap 0.5 mm on both sides of the conductor pattern 42b, and is formed using the same resistor paste as described above.

【0120】(3)多層回路基板c まず、先に作製したセラミックグリーンシート上に、A
g系導体ペーストをスクリーン印刷した後、同様のセラ
ミックグリーンシートを積み重ねた。次いで、同じくA
g系導体ペーストをスクリーン印刷した後、抵抗体用ペ
ーストを印刷した。引き続いて、これらを圧着した後、
500℃、1時間脱脂処理し、さらに、50℃/分で昇
温して、850℃、10分間一体焼成した。
(3) Multilayer circuit board c First, A was placed on the previously prepared ceramic green sheet.
After screen printing the g-based conductor paste, similar ceramic green sheets were stacked. Next, A
After screen printing of the g-based conductor paste, the resistor paste was printed. Then, after crimping these,
Degreasing treatment was performed at 500 ° C. for 1 hour, and the temperature was increased at 50 ° C./min.

【0121】そして、図5(C)に示すように、セラミ
ックグリーンシートを焼成してなる絶縁層41c内に、
Ag系導体ペーストによる下層導体パターン43cを有
し、絶縁層41c上には、Ag系導体ペーストによる上
層導体パターン42c、および、抵抗体用ペーストによ
る厚膜抵抗体44cを備える多層回路基板cである。
Then, as shown in FIG. 5C, the insulating layer 41c formed by firing the ceramic green sheet is placed inside the insulating layer 41c.
The multilayer circuit board c has a lower conductor pattern 43c made of an Ag-based conductor paste, and has an upper conductor pattern 42c made of an Ag-based conductor paste and a thick film resistor 44c made of a resistor paste on the insulating layer 41c. .

【0122】なお、下層導体パターン43cは150μ
m間隔、幅100μmのライン電極であり、上層導体パ
ターン42cは厚膜抵抗体を形成するための間隔1mm
のターミナル電極である。また、厚膜抵抗体44cは、
導体パターン42cの両側0.5mmに重ね合わせるよ
うに形成した1mm平方の厚膜抵抗体であり、上述した
のと同様の抵抗体用ペーストを用いて形成した。
The lower conductor pattern 43c has a size of 150 μm.
It is a line electrode having an interval of m and a width of 100 μm, and the upper conductor pattern 42c has an interval of 1 mm for forming a thick film resistor.
Terminal electrode. The thick film resistor 44c is
It is a 1 mm square thick film resistor formed so as to overlap 0.5 mm on both sides of the conductor pattern 42c, and was formed using the same resistor paste as described above.

【0123】(4)多層回路基板d まず、先に作製したセラミックグリーンシート上に、A
g系導体ペーストをスクリーン印刷し、さらに、抵抗体
用ペーストを印刷した。引き続いて、これらを圧着した
後、500℃、1時間脱脂処理し、さらに、50℃/分
で昇温して、850℃、10分間一体焼成した。
(4) Multilayer circuit board d First, A was placed on the previously prepared ceramic green sheet.
The g-based conductor paste was screen-printed, and further a resistor paste was printed. Subsequently, after they were pressed, they were degreased at 500 ° C. for 1 hour, and were further heated at 50 ° C./minute and baked at 850 ° C. for 10 minutes.

【0124】そして、図5(D)に示すように、セラミ
ックグリーンシートを焼成してなる絶縁層41d上に、
Ag系導体ペーストによる上層導体パターン42d、お
よび、抵抗体用ペーストによる厚膜抵抗体44dを備え
る多層回路基板dを得た。
Then, as shown in FIG. 5D, an insulating layer 41d obtained by firing a ceramic green sheet is placed on the insulating layer 41d.
A multilayer circuit board d including an upper conductor pattern 42d made of an Ag-based conductor paste and a thick film resistor 44d made of a resistor paste was obtained.

【0125】なお、導体パターン42dは間隔1mmの
ターミナル電極およびこのターミナル電極と平行に間隔
200μmおいて形成した幅500μmのライン電極で
ある。また、厚膜抵抗体44dは、導体パターン42d
の両側0.5mmに重ね合わせた1mm平方の厚膜抵抗
体であり、上述したのと同様の抵抗体用ペーストを用い
て形成した。
The conductor pattern 42d is a terminal electrode having a spacing of 1 mm and a line electrode having a width of 500 μm formed in parallel with the terminal electrode at a spacing of 200 μm. The thick-film resistor 44d is connected to the conductor pattern 42d.
Is a 1 mm square thick film resistor superimposed on both sides of 0.5 mm, and formed using the same resistor paste as described above.

【0126】(5)多層回路基板e まず、先に作製したセラミックグリーンシート上に、A
g系導体ペーストをスクリーン印刷した後、同様のセラ
ミックグリーンシートを積み重ねた。次いで、同じくA
g系導体ペーストをスクリーン印刷した後、抵抗体用ペ
ーストを印刷した。さらに、この上に、SiO2−B2
3−アルカリ金属酸化物系ガラスを主成分とする絶縁ペ
ーストを印刷した。その後、これらを圧着した後、50
0℃、1時間脱脂処理し、さらに、50℃/分で昇温し
て、850℃、10分間一体焼成した。
(5) Multilayer circuit board e First, A was placed on the ceramic green sheet prepared earlier.
After screen printing the g-based conductor paste, similar ceramic green sheets were stacked. Next, A
After screen printing of the g-based conductor paste, the resistor paste was printed. Furthermore, on top of this, SiO 2 —B 2 O
An insulating paste containing 3 -alkali metal oxide-based glass as a main component was printed. Then, after crimping these, 50
After degreasing at 0 ° C. for 1 hour, the temperature was raised at 50 ° C./min, and calcination was performed at 850 ° C. for 10 minutes.

【0127】そして、図5(E)に示すように、セラミ
ックグリーンシートを焼成してなる絶縁層41e内に、
Ag系導体ペーストによる下層導体パターン43eを有
し、絶縁層41e上には、Ag系導体ペーストによる上
層導体パターン42e、および、抵抗体用ペーストによ
る厚膜抵抗体44e、および、絶縁ペーストによる絶縁
層45を備えた多層回路基板eである。
Then, as shown in FIG. 5 (E), the insulating layer 41e formed by firing the ceramic green sheet is placed inside the insulating layer 41e.
It has a lower conductor pattern 43e made of an Ag-based conductor paste, and an upper conductor pattern 42e made of an Ag-based conductor paste, a thick film resistor 44e made of a resistor paste, and an insulating layer made of an insulating paste are formed on the insulating layer 41e. 45 is a multilayer circuit board e including

【0128】なお、下層導体パターン43eは10mm
平方の電極であり、上層導体パターン42eは厚膜抵抗
体を形成するための間隔1mmのターミナル電極であ
る。また、厚膜抵抗体44eは、導体パターン42eの
両側0.5mmに重ね合わせた1mm平方の厚膜抵抗体
であり、上述したのと同様の抵抗体用ペーストを用いて
形成した。
The lower conductor pattern 43e is 10 mm
The upper layer conductor pattern 42e is a terminal electrode with a 1 mm interval for forming a thick film resistor. The thick-film resistor 44e is a 1-mm square thick-film resistor superimposed on 0.5 mm on both sides of the conductor pattern 42e, and is formed using the same resistor paste as described above.

【0129】(6)多層回路基板f まず、先に作製したセラミックグリーンシート上に、A
g系導体ペーストをスクリーン印刷した後、この上に同
様のセラミックグリーンシートを積み重ね、さらに、同
じくAg系導体ペーストをスクリーン印刷した。引き続
いて、これらを圧着した後、500℃、1時間脱脂処理
し、さらに、50℃/分で昇温して、850℃、10分
間一体焼成した。
(6) Multilayer circuit board f First, A was placed on the previously prepared ceramic green sheet.
After the g-based conductor paste was screen-printed, the same ceramic green sheets were stacked thereon, and the Ag-based conductor paste was also screen-printed. Subsequently, after they were pressed, they were degreased at 500 ° C. for 1 hour, and were further heated at 50 ° C./minute and baked at 850 ° C. for 10 minutes.

【0130】そして、図6に示すように、セラミックグ
リーンシートを焼成してなる絶縁層46f上に、コンデ
ンサの一方電極用としての直径8mmの導体パターン4
3f、セラミックグリーンシートによる絶縁層41f、
コンデンサの他方電極としての500μm周囲にガード
電極47を有する直径4mmの導体パターン22fとを
備えた多層回路基板fである。
Then, as shown in FIG. 6, a conductor pattern 4 having a diameter of 8 mm for one electrode of a capacitor is formed on an insulating layer 46f formed by firing a ceramic green sheet.
3f, an insulating layer 41f of a ceramic green sheet,
This is a multilayer circuit board f provided with a conductor pattern 22f having a diameter of 4 mm and having a guard electrode 47 around 500 μm as the other electrode of the capacitor.

【0131】以上のようにして、グリーンシート積層法
による6種の多層回路基板を完成させた。なお、多層回
路基板a〜eは抵抗値評価用の多層回路基板であり、多
層回路基板fは絶縁抵抗、および、比誘電率評価用の多
層回路基板である。
As described above, six types of multilayer circuit boards were completed by the green sheet laminating method. The multilayer circuit boards a to e are multilayer circuit boards for evaluating a resistance value, and the multilayer circuit board f is a multilayer circuit board for evaluating an insulation resistance and a relative dielectric constant.

【0132】次に、多層回路基板a〜eについて、厚膜
抵抗体44a〜44eの抵抗値変化率を計測した。ここ
では、上層導体パターン42a〜42eをテスターにて
計測することによって、多層回路基板aの厚膜抵抗体4
4aの抵抗値を基準値としたときの多層回路基板b、
c、dおよびeにおける厚膜抵抗体44b、44c、4
4dおよび44eの抵抗値変化率を求めた。
Next, the resistance change rates of the thick film resistors 44a to 44e were measured for the multilayer circuit boards a to e. Here, the upper-layer conductor patterns 42a to 42e are measured by a tester, so that the thick-film resistor 4 of the multilayer circuit board a is measured.
A multilayer circuit board b using the resistance value of 4a as a reference value,
Thick film resistors 44b, 44c, 4 in c, d and e
The resistance change rates of 4d and 44e were determined.

【0133】他方、多層回路基板fについて、絶縁層4
1fの絶縁信頼性を測定した。ここでは、ガード電極4
7でガードをとり、85℃、85%RHの条件下で、導
体パターン43fと導体パターン42fとの間に100
Vの電圧を1000時間印加した後、直流100Vを1
分間印可して、絶縁抵抗(LogIR)を測定した。
On the other hand, for the multilayer circuit board f, the insulating layer 4
The insulation reliability of 1f was measured. Here, the guard electrode 4
7, a guard is provided between the conductor pattern 43f and the conductor pattern 42f under the conditions of 85 ° C. and 85% RH.
After applying a voltage of 1000 V for 1000 hours,
After applying for one minute, the insulation resistance (LogIR) was measured.

【0134】さらに、多層回路基板fについて、絶縁層
41fの容量値と膜厚を測定し、比誘電率に換算した。
ここでは、ガード電極47でガードをとり、25℃、1
MHzの条件下で、導体パターン43fと導体パターン
42fとの間でLCRメーターを用い容量値を計測し
た。また、導体パターン43fと導体パターン24fの
間に設けた絶縁層41fの膜厚は、それを破断し、その
断面を金属顕微鏡によって計測した。そして、これらの
容量値と膜厚、さらに電極面積により、比誘電率を求め
た。
Further, with respect to the multilayer circuit board f, the capacitance value and the film thickness of the insulating layer 41f were measured and converted into the relative permittivity.
Here, a guard is provided by a guard electrode 47, and the temperature is controlled at 25 ° C., 1
Under the condition of MHz, the capacitance value was measured between the conductor pattern 43f and the conductor pattern 42f using an LCR meter. The thickness of the insulating layer 41f provided between the conductor pattern 43f and the conductor pattern 24f was measured by breaking it and measuring its cross section with a metallographic microscope. Then, the relative dielectric constant was determined from the capacitance value, the film thickness, and the electrode area.

【0135】絶縁組成物番号1〜31で表される絶縁組
成物を用いた各種多層回路基板の抵抗値変化率、多層回
路基板fの絶縁信頼性、比誘電率の測定結果を合わせて
下記表9〜10に示す(例33〜64)。
The following table shows the measurement results of the resistance change rate of various multilayer circuit boards using the insulating compositions represented by the insulating composition numbers 1 to 31, the insulation reliability of the multilayer circuit board f, and the relative dielectric constant. 9 to 10 (Examples 33 to 64).

【0136】[0136]

【表9】 [Table 9]

【0137】[0137]

【表10】 [Table 10]

【0138】表9〜10から、例36〜42、例46、
例49〜55、例60〜64のように、Ag系導体パタ
ーン、厚膜抵抗体を備えた絶縁層中に、Ag粉末が金属
Ag量に換算して0.001〜5重量%含有されてお
り、かつ、導体パターン中のAg以外の無機粉末の合計
が、酸化物に換算して0.001〜10重量%含有され
ている多層回路基板は、絶縁層の絶縁抵抗が高く、か
つ、低誘電率であり、かつ、厚膜抵抗体の抵抗値変化率
が小さいことがわかった。つまり、Ag系導体パターン
を有する多層回路基板において、安定かつ高精度の抵抗
体を、絶縁層の絶縁信頼性を損なうことなく、かつ、比
誘電率を大きく上昇させることなく、形成することがで
きた。
From Tables 9 to 10, Examples 36 to 42, Example 46,
As in Examples 49 to 55 and Examples 60 to 64, the insulating layer provided with the Ag-based conductor pattern and the thick film resistor contains 0.001 to 5% by weight of Ag powder in terms of the amount of metal Ag. The multilayer circuit board in which the total amount of inorganic powders other than Ag in the conductor pattern is 0.001 to 10% by weight in terms of oxide has a high insulation resistance of the insulating layer and a low insulation resistance. It was found that it was a dielectric constant and the rate of change in resistance of the thick film resistor was small. That is, in a multilayer circuit board having an Ag-based conductor pattern, a stable and highly accurate resistor can be formed without impairing the insulation reliability of the insulating layer and without significantly increasing the relative permittivity. Was.

【0139】また、添加物の添加形態を変えた例38、
例46、例51、例61〜例62をそれぞれ比較する
と、Ag粉末やその他の無機粉末を添加する場合、ガラ
ス粉末に対して、あらかじめ熱処理たこれら無機粉末を
添加した方が、効率良く抵抗値の変化率を抑制できたこ
とが分かる。
Further, Example 38 in which the addition form of the additive was changed,
Comparing Example 46, Example 51, and Example 61 to Example 62, when Ag powder and other inorganic powders are added, it is more efficient to add these inorganic powders which have been heat-treated in advance to the glass powder, more efficiently. It can be seen that the rate of change of was able to be suppressed.

【0140】これに対して、例33〜35、例47〜4
8、例59のように、絶縁層中のAg粉末が金属Ag量
に換算して0.001重量%未満、もしくは、導体ペー
スト中のAg以外の無機粉末の合計が酸化物換算で0.
001重量%未満しか含有されていない場合、絶縁抵抗
に優れ、低誘電率が得られるものの、厚膜抵抗体の抵抗
値が変化し、また、得られる抵抗値に大きなバラツキが
生じてしまった。
On the other hand, Examples 33 to 35 and Examples 47 to 4
8. As in Example 59, the amount of Ag powder in the insulating layer is less than 0.001% by weight in terms of the amount of metallic Ag, or the total of inorganic powders other than Ag in the conductive paste is 0.
When the content is less than 001% by weight, the insulation resistance is excellent and a low dielectric constant can be obtained, but the resistance value of the thick film resistor changes, and the obtained resistance value largely varies.

【0141】また、例43、例45、例56、例58の
ように絶縁層中のAg粉末が5重量%を超える場合、厚
膜抵抗体の抵抗値変化率を抑制できるものの、絶縁抵抗
が小さくなってしまい、絶縁信頼性が低下してしまっ
た。また、例44、例57のように、絶縁層における導
体ペースト中のAg以外の無機粉末量が酸化物に換算し
て10重量%を超える場合、絶縁層の比誘電率が10を
超えてしまった。
When the amount of Ag powder in the insulating layer exceeds 5% by weight as in Examples 43, 45, 56 and 58, the rate of change in the resistance of the thick film resistor can be suppressed, but the insulation resistance is reduced. As a result, the insulation reliability was reduced. Also, as in Examples 44 and 57, when the amount of inorganic powder other than Ag in the conductor paste in the insulating layer exceeds 10% by weight in terms of oxide, the relative dielectric constant of the insulating layer exceeds 10. Was.

【0142】以上、表8〜10から明らかなように、特
に、その絶縁層中にAg粉末が金属Ag量に換算して
0.001〜5重量%含有されており、かつ、導体ペー
スト中のAg以外の無機粉末の合計が酸化物換算で0.
001〜10重量%含有されている場合、厚膜印刷法に
よる場合も、グリーンシート積層法による場合も、絶縁
層の絶縁信頼性を損なうことが無く、かつ、比誘電率を
10以上に高めること無く、変化率±10%以内の安定
した抵抗値を有する厚膜抵抗体を形成することができ
た。
As is clear from Tables 8 to 10, in particular, the insulating layer contains 0.001 to 5% by weight of Ag powder in terms of the amount of metallic Ag, The total amount of inorganic powders other than Ag is 0.
001 to 10% by weight, the thick film printing method and the green sheet laminating method do not impair the insulation reliability of the insulating layer and increase the relative dielectric constant to 10 or more. Thus, a thick film resistor having a stable resistance value within a change rate of ± 10% was able to be formed.

【0143】すなわち、Ag系導体パターンを有する多
層回路基板に厚膜抵抗体を形成するに際し、導体パター
ンの面積、位置、絶縁層の厚み等によるAg電極成分の
拡散量変化にかかわらず、精度良い抵抗値を有する厚膜
抵抗体を形成することができた。
That is, when a thick film resistor is formed on a multilayer circuit board having an Ag-based conductor pattern, the precision is high regardless of the diffusion amount of the Ag electrode component due to the area and position of the conductor pattern and the thickness of the insulating layer. A thick film resistor having a resistance value could be formed.

【0144】[0144]

【発明の効果】本発明の多層回路基板によれば、銀系導
体および無機添加成分を含む導体パターンと厚膜抵抗体
とを備えた絶縁層を有する多層回路基板において、この
絶縁層には、(A)銀および/または銀化合物、(B)
前記無機添加成分を構成する少なくとも1種の無機成
分、がそれぞれ含有されているので、絶縁層中の銀や無
機添加成分の含有量変動を最小限に留め、厚膜抵抗体へ
の銀や無機添加成分の拡散量変動割合を最低限に抑制す
ることができる。したがって、銀系導体パターンの面積
や形成位置、絶縁層の厚みや材質等によらず、銀系導体
や無機添加成分の拡散による経時的な抵抗値変動を抑
え、高精度の厚膜抵抗体を備えた信頼性の高い多層回路
基板を得ることができる。
According to the multilayer circuit board of the present invention, in a multilayer circuit board having an insulating layer provided with a conductor pattern containing a silver-based conductor and an inorganic additive component and a thick film resistor, (A) silver and / or a silver compound, (B)
Since at least one inorganic component constituting the inorganic additive component is contained, variation in the content of silver and the inorganic additive component in the insulating layer is minimized, and silver and inorganic components in the thick film resistor are minimized. The fluctuation rate of the diffusion amount of the additive component can be suppressed to the minimum. Therefore, regardless of the area and formation position of the silver-based conductor pattern, the thickness and the material of the insulating layer, the variation of the resistance value over time due to the diffusion of the silver-based conductor and the inorganic additive component is suppressed, and a high-precision thick film resistor is formed. A highly reliable multi-layer circuit board having the same can be obtained.

【0145】本発明の多層回路基板の製造方法によれ
ば、基板上に、銀系導体および無機添加成分を含む導体
パターンを形成する工程と、前記導体パターン上に、銀
および/または銀化合物と、前記無機添加成分を構成す
る少なくとも1種の無機成分とを含有する絶縁層を形成
する工程と、前記絶縁層上に厚膜抵抗体を形成する工程
と、を有するので、高精度の厚膜抵抗体を備えた信頼性
の高い多層回路基板を再現性良く製造することができ
る。
According to the method for manufacturing a multilayer circuit board of the present invention, a step of forming a conductor pattern containing a silver-based conductor and an inorganic additive component on a substrate, and a step of forming a silver and / or silver compound on the conductor pattern A step of forming an insulating layer containing at least one inorganic component constituting the inorganic additive component, and a step of forming a thick-film resistor on the insulating layer, so that a high-precision thick film A highly reliable multilayer circuit board having a resistor can be manufactured with good reproducibility.

【0146】本発明の電子部品によれば、本発明の多層
回路基板の少なくとも一方主面に、チップコンデンサや
チップインダクタ、さらにはICやLSI等の実装部品
を搭載しているので、信頼性が高く、小型化および高密
度化を達成した電子部品となる。さらに、本発明の電子
装置によれば、本発明の多層回路基板や本発明の電子部
品を備えているので、信頼性が高く、小型化を達成した
移動体通信機器等の電子装置となる。
According to the electronic component of the present invention, since at least one principal surface of the multilayer circuit board of the present invention has mounted thereon a chip capacitor, a chip inductor, and a mounted component such as an IC or LSI, the reliability is improved. It is an electronic component that is high and has achieved miniaturization and high density. Further, according to the electronic device of the present invention, since the electronic device of the present invention includes the multilayer circuit board of the present invention and the electronic component of the present invention, the electronic device has high reliability and is downsized, such as a mobile communication device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1実施形態による多層回路基板(グ
リーンシート積層法)の概略断面図である。
FIG. 1 is a schematic sectional view of a multilayer circuit board (green sheet laminating method) according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2実施形態による多層回路基板(厚
膜印刷法)の概略断面図である。
FIG. 2 is a schematic sectional view of a multilayer circuit board (thick film printing) according to a second embodiment of the present invention.

【図3】抵抗値評価用の多層回路基板(厚膜印刷法)の
概略断面図である。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a multilayer circuit board (thick film printing method) for evaluating a resistance value.

【図4】絶縁信頼性および比誘電率評価用の多層回路基
板(厚膜印刷法)の概略断面図である。
FIG. 4 is a schematic sectional view of a multilayer circuit board (thick film printing method) for evaluating insulation reliability and relative permittivity.

【図5】抵抗値評価用の多層回路基板(グリーンシート
積層法)の概略断面図である。
FIG. 5 is a schematic sectional view of a multilayer circuit board for evaluating a resistance value (green sheet laminating method).

【図6】絶縁信頼性および比誘電率評価用の多層回路基
板(グリーンシート積層法)の概略断面図である。
FIG. 6 is a schematic sectional view of a multilayer circuit board (green sheet laminating method) for evaluating insulation reliability and relative permittivity.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…電子部品 2…多層回路基板 2a、2b、2c、2d、2e、2f、2g、2h…絶
縁層 3a、3b、3c、3d…内層導体パターン 4a、4b、9…厚膜抵抗体
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Electronic component 2 ... Multilayer circuit board 2a, 2b, 2c, 2d, 2e, 2f, 2g, 2h ... Insulating layer 3a, 3b, 3c, 3d ... Inner-layer conductor pattern 4a, 4b, 9 ... Thick film resistor

Claims (17)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 銀系導体および無機添加成分を含む銀系
導体パターンと厚膜抵抗体とを備えた絶縁層を有する多
層回路基板において、前記絶縁層には、 (A)銀および/または銀化合物 (B)前記無機添加成分を構成する少なくとも1種の無
機成分 が含有されていることを特徴とする、多層回路基板。
1. A multilayer circuit board having an insulating layer provided with a silver-based conductor pattern containing a silver-based conductor and an inorganic additive component and a thick film resistor, wherein the insulating layer comprises: (A) silver and / or silver Compound (B) A multilayer circuit board comprising at least one inorganic component constituting the inorganic additive component.
【請求項2】 前記絶縁層には、前記銀および/または
銀化合物が、金属銀換算で、0.001〜5重量%含有
されていることを特徴とする、請求項1に記載の多層回
路基板。
2. The multilayer circuit according to claim 1, wherein the insulating layer contains the silver and / or the silver compound in an amount of 0.001 to 5% by weight in terms of metallic silver. substrate.
【請求項3】 前記絶縁層には、前記無機成分が、酸化
物換算で、0.001〜10重量%含有されていること
を特徴とする、請求項1又は2に記載の多層回路基板。
3. The multilayer circuit board according to claim 1, wherein the insulating layer contains the inorganic component in an amount of 0.001 to 10% by weight in terms of oxide.
【請求項4】 前記無機成分はガラス成分を含有するこ
とを特徴とする、請求項1乃至3のいずれかに記載の多
層回路基板。
4. The multilayer circuit board according to claim 1, wherein said inorganic component contains a glass component.
【請求項5】 前記無機成分は、銅、クロム、ビスマス
およびセリウムからなる群より選ばれる少なくとも1種
の金属酸化物、金属イオンまたは金属コロイドを含有す
ることを特徴とする、請求項1乃至4のいずれかに記載
の多層回路基板。
5. The method according to claim 1, wherein the inorganic component contains at least one metal oxide, metal ion or metal colloid selected from the group consisting of copper, chromium, bismuth and cerium. The multilayer circuit board according to any one of the above.
【請求項6】 前記厚膜抵抗体は、前記絶縁層を介して
前記導体パターンに対向して設けられていることを特徴
とする、請求項1乃至5のいずれかに記載の多層回路基
板。
6. The multilayer circuit board according to claim 1, wherein said thick-film resistor is provided to face said conductor pattern with said insulating layer interposed therebetween.
【請求項7】 基板上に、銀系導体および無機添加成分
を含む銀系導体パターンを形成する工程と、 前記導体パターン上に、銀および/または銀化合物と、
前記無機添加成分を構成する少なくとも1種の無機成分
とを含有する絶縁層を形成する工程と、 前記絶縁層上に厚膜抵抗体を形成する工程と、 を有することを特徴とする、多層回路基板の製造方法。
7. A step of forming a silver-based conductor pattern containing a silver-based conductor and an inorganic additive component on a substrate; and silver and / or a silver compound on the conductor pattern.
A step of forming an insulating layer containing at least one inorganic component constituting the inorganic additive component; and a step of forming a thick-film resistor on the insulating layer. Substrate manufacturing method.
【請求項8】 前記絶縁層に、前記銀および/または銀
化合物を、金属銀換算で、0.001〜5重量%含有さ
せることを特徴とする、請求項7に記載の多層回路基板
の製造方法。
8. The multilayer circuit board according to claim 7, wherein said insulating layer contains said silver and / or silver compound in an amount of 0.001 to 5% by weight in terms of metallic silver. Method.
【請求項9】 前記絶縁層に、前記無機成分を、酸化物
換算で、0.001〜10重量%含有させることを特徴
とする、請求項7又は8に記載の多層回路基板の製造方
法。
9. The method according to claim 7, wherein the insulating layer contains the inorganic component in an amount of 0.001 to 10% by weight in terms of oxide.
【請求項10】 前記無機成分にガラス成分を含有させ
ることを特徴とする、請求項7乃至9のいずれかに記載
の多層回路基板の製造方法。
10. The method for manufacturing a multilayer circuit board according to claim 7, wherein a glass component is contained in the inorganic component.
【請求項11】 前記無機成分に、銅、クロム、ビスマ
スおよびセリウムからなる群より選ばれる少なくとも1
種の金属酸化物、金属イオンまたは金属コロイドを含有
させることを特徴とする、請求項7乃至10のいずれか
に記載の多層回路基板の製造方法。
11. The method according to claim 1, wherein the inorganic component is at least one selected from the group consisting of copper, chromium, bismuth and cerium.
The method for producing a multilayer circuit board according to any one of claims 7 to 10, further comprising a metal oxide, a metal ion, or a metal colloid.
【請求項12】 前記厚膜抵抗体を、前記絶縁層を介し
て前記銀系導体パターンに対向して形成することを特徴
とする、請求項7乃至11のいずれかに記載の多層回路
基板の製造方法。
12. The multilayer circuit board according to claim 7, wherein said thick-film resistor is formed so as to face said silver-based conductor pattern via said insulating layer. Production method.
【請求項13】 非晶質ガラス粉末および/または結晶
化ガラス粉末に、前記銀および/または銀化合物、前記
無機成分をそれぞれ添加、混合することにより混合粉末
を作製した後、この混合粉末をガラス化し、しかる後、
得られたガラス粉末を含むペースト状組成物またはスラ
リー状組成物を焼成することによって、前記絶縁層を形
成することを特徴とする、請求項7乃至12のいずれか
に記載の多層回路基板の製造方法。
13. A mixed powder is prepared by adding and mixing said silver and / or silver compound and said inorganic component to an amorphous glass powder and / or a crystallized glass powder, respectively. And then
The method of manufacturing a multilayer circuit board according to claim 7, wherein the insulating layer is formed by firing the paste-like composition or the slurry-like composition containing the obtained glass powder. Method.
【請求項14】 前記銀および/または銀化合物と前記
無機成分とを混合してなる第1の混合粉末に熱処理を施
した後、前記第1の混合粉末に、非晶質ガラス粉末およ
び/または結晶化ガラス粉末を混合して第2の混合粉末
を作製し、しかる後、前記第2の混合粉末を含むペース
ト状組成物またはスラリー状組成物を焼成することによ
って、前記絶縁層を形成することを特徴とする、請求項
7乃至12のいずれかに記載の多層回路基板の製造方
法。
14. After subjecting a first mixed powder obtained by mixing the silver and / or silver compound and the inorganic component to a heat treatment, the first mixed powder is mixed with an amorphous glass powder and / or Forming a second mixed powder by mixing the crystallized glass powder and then baking the paste-like composition or the slurry-like composition containing the second mixed powder to form the insulating layer; The method for manufacturing a multilayer circuit board according to any one of claims 7 to 12, wherein:
【請求項15】 非晶質ガラス粉末および/または結晶
化ガラス粉末に、前記銀および/または銀化合物、前記
無機成分を添加、混合した後、得られた混合粉末を含む
ペースト状組成物またはスラリー状組成物を焼成するこ
とによって、前記絶縁層を形成することを特徴とする、
請求項7乃至12のいずれかに記載の多層回路基板の製
造方法。
15. A paste-like composition or slurry containing the mixed powder obtained after adding and mixing the silver and / or silver compound and the inorganic component to the amorphous glass powder and / or the crystallized glass powder. Forming the insulating layer by firing the composition.
A method for manufacturing a multilayer circuit board according to claim 7.
【請求項16】 請求項1乃至6のいずれかに記載の多
層回路基板の少なくとも一方主面上に実装部品を搭載し
たことを特徴とする、電子部品。
16. An electronic component, wherein a mounting component is mounted on at least one main surface of the multilayer circuit board according to claim 1.
【請求項17】 請求項1乃至6のいずれかに記載の多
層回路基板あるいは請求項16に記載の電子部品を備え
ることを特徴とする、電子装置。
17. An electronic device comprising the multilayer circuit board according to claim 1 or the electronic component according to claim 16.
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