JPH04328207A - Conductor compound and wiring board - Google Patents

Conductor compound and wiring board

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JPH04328207A
JPH04328207A JP12533991A JP12533991A JPH04328207A JP H04328207 A JPH04328207 A JP H04328207A JP 12533991 A JP12533991 A JP 12533991A JP 12533991 A JP12533991 A JP 12533991A JP H04328207 A JPH04328207 A JP H04328207A
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JP
Japan
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conductor
glass
wiring board
sio2
zno
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Withdrawn
Application number
JP12533991A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Katsuhiko Igarashi
克彦 五十嵐
Taiji Miyauchi
泰治 宮内
Takashi Kamiya
貴志 神谷
Keizo Kawamura
敬三 川村
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TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To provide a conductor compound excellent in solder wettability and the bonding strength with circuit board by using three sorts of glass frit. CONSTITUTION:An Ag alloy with Pd and/or Pt is used as a conductor, and therewith a conductor compound is produced by dispersing an inorganic binder incl. glass frit in a vehicle. An amorphous glass of PbO-B2O3-SiO2-MnO2 type, a crystallized glass of ZnO-B2O3-SiO2-MnO2 type, and a low melting point glass of PbO-B2O3-SiO2-ZnO type are used to the glass frit, wherein their contents shall range 6-20wt.% for 100 parts by wt. conductor. According to this constitution, the compound excels in the solder wettability and gives good bonding strength with a circuit board at the initial stage and after aging. The circuit board can be prevented from deterioration after anti-moisture, and load aging, and generation of shortcircuit in thin wire patterns.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路等の素
子を実装する配線基板に外部導体を形成するための導体
組成物と、この導体組成物によって外部導体を形成した
配線基板とに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a conductor composition for forming an external conductor on a wiring board on which an element such as a semiconductor integrated circuit is mounted, and a wiring board having an external conductor formed from this conductor composition.

【0002】0002

【従来の技術】近年、基板材料と導体とを約1000℃
以下の低温で同時焼成して得られる配線基板の開発が進
められている。このような低温焼成配線基板の基板材料
は、アルミナーガラス複合体を主成分としたものである
。一方、導体材料は、従来のWやMoに代り、導通抵抗
が低いAg系の材料の使用が可能となっている。
[Prior Art] In recent years, substrate materials and conductors have been heated to approximately 1000°C.
Development of wiring boards that can be obtained by co-firing at the following low temperatures is underway. The substrate material of such a low-temperature fired wiring board is mainly composed of an alumina glass composite. On the other hand, as the conductor material, instead of the conventional W or Mo, it is now possible to use an Ag-based material with low conduction resistance.

【0003】このような配線基板の内部導体としてはA
gが用いられているが、外部導体は実装部品と半田付け
されるので、外部導体には半田濡れ性が良好であること
が要求され、主にAg合金系材料が用いられている。
The internal conductor of such a wiring board is A.
However, since the outer conductor is soldered to the mounted component, the outer conductor is required to have good solder wettability, and Ag alloy-based materials are mainly used.

【0004】また、半田後の接着強度は、初期において
も経時後においても十分高いことが必要である。一般に
エージング劣化は、半田中のSnのAg中への拡散が原
因であるとされているが、長時間にわたり、高温にさら
されるような場合にも、十分な接着強度を示すエージン
グ特性に優れたものであることが必要とされる。
[0004] Furthermore, the adhesive strength after soldering must be sufficiently high both at the initial stage and after aging. Generally, aging deterioration is thought to be caused by the diffusion of Sn in the solder into the Ag. It needs to be something.

【0005】ところで、導体組成物は、Ag系等の導体
金属粉末とガラスフリットを含む無機結合剤とをビヒク
ル中に分散して得られている。
By the way, the conductor composition is obtained by dispersing conductive metal powder such as Ag-based metal powder and an inorganic binder containing glass frit in a vehicle.

【0006】そこで、半田濡れ性と接着強度とを向上さ
せるために、外部導体用の導体組成物におけるガラスフ
リットのガラス組成に対し種々の提案がなされている(
特公昭62−32562号、特開昭63−207001
号、特開昭64−86404号、特開平1−29809
0号等)。
In order to improve the solder wettability and adhesive strength, various proposals have been made for the glass composition of the glass frit in the conductor composition for the external conductor.
JP 62-32562, JP 63-207001
No., JP-A-64-86404, JP-A-1-29809
0 etc.).

【0007】ところで、このような配線基板は、通常、
基板材料のグリーンシートに内部導体パターンを形成後
、これを積層して焼成したのち、外部導体パターンを形
成して焼成し、さらに抵抗体パターンを形成して焼成し
て作製される。そして、抵抗体パターンは、導電体ない
し抵抗体粒子とガラスフリットを含む無機結合剤とをビ
ヒクル中に分散した抵抗体組成物を印刷して形成されて
いる。
By the way, such a wiring board usually has
After an internal conductor pattern is formed on a green sheet of substrate material, these are laminated and fired, an external conductor pattern is formed and fired, and a resistor pattern is further formed and fired. The resistor pattern is formed by printing a resistor composition in which conductor or resistor particles and an inorganic binder containing glass frit are dispersed in a vehicle.

【0008】このように、焼成後の外部導体パターンに
抵抗体パターンを印刷、焼成すると、導体中のガラスと
抵抗体中のガラスとが反応して、導体のガラスが押し出
されるブリードアウト現象が生じてしまい、抵抗体の電
気特性に悪影響を及ぼしてしまうという問題がある。特
に、配線パターンを微細にし、かつ膜厚を薄くした高密
度配線基板では、このブリードアウト現象によりショー
トが生じやすい。また、エージングないし耐湿負荷エー
ジングにより、マイグレーション等が生じやすく信頼性
が低下する。
[0008] As described above, when a resistor pattern is printed and fired on an external conductor pattern after firing, the glass in the conductor and the glass in the resistor react, causing a bleed-out phenomenon in which the glass in the conductor is pushed out. There is a problem in that the electrical characteristics of the resistor are adversely affected. In particular, in high-density wiring boards with fine wiring patterns and thin film thickness, short circuits are likely to occur due to this bleed-out phenomenon. Further, due to aging or moisture-resistant load aging, migration is likely to occur, reducing reliability.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、半田
濡れ性に優れ、かつ接着強度が高く、ブリードアウト現
象が防止された導体組成物および配線基板を提供するこ
とにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a conductor composition and a wiring board that have excellent solder wettability, high adhesive strength, and are prevented from bleed-out.

【0010】0010

【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
の構成(1)〜(8)の本発明により達成される。
[Means for Solving the Problems] Such objects are achieved by the present invention having the following configurations (1) to (8).

【0011】(1)AgとPdおよび/またはPtとを
含有する導体と、ガラスフリットを含む無機結合剤とを
ビヒクル中に分散した導体組成物において、前記ガラス
フリットがPbO−B2 O3 −SiO2 −MnO
2 系の非晶質ガラスと、ZnO−B2 O3 −Si
O2 −MnO2 系の結晶化ガラスと、PbO−B2
 O3 −SiO2 −ZnO系の低融点ガラスとを含
有し、前記ガラスフリットは、前記導体に対して6〜2
0wt% 含有されることを特徴とする導体組成物。
(1) A conductor composition in which a conductor containing Ag, Pd and/or Pt, and an inorganic binder containing a glass frit are dispersed in a vehicle, wherein the glass frit is PbO-B2O3-SiO2- MnO
2-based amorphous glass and ZnO-B2O3-Si
O2-MnO2-based crystallized glass and PbO-B2
O3 -SiO2 -ZnO-based low melting point glass, and the glass frit has a melting point of 6 to 2 with respect to the conductor.
A conductor composition characterized in that it contains 0 wt%.

【0012】(2)  前記ガラスフリットのガラス組
成は、PbO30〜50wt% 、B2 O3 10〜
25wt% 、SiO2 5〜15wt% 、MnO2
 1〜20wt% 、ZnO8〜25wt% である上
記(1)に記載の導体組成物。
(2) The glass composition of the glass frit is 30 to 50 wt% PbO and 10 to 50 wt% B2O3.
25wt%, SiO2 5-15wt%, MnO2
The conductor composition according to (1) above, which contains 1 to 20 wt% of ZnO and 8 to 25 wt% of ZnO.

【0013】(3)  前記非晶質ガラスに対する前記
結晶化ガラスの割合が重量比で0.2〜0.85である
上記(1)または(2)に記載の導体組成物。
(3) The conductor composition according to (1) or (2) above, wherein the ratio of the crystallized glass to the amorphous glass is 0.2 to 0.85 by weight.

【0014】(4)  前記低融点ガラスを導体に対し
て1〜4wt% 含有する上記(1)ないし(3)のい
ずれかに記載の導体組成物。
(4) The conductor composition according to any one of (1) to (3) above, which contains the low melting point glass in an amount of 1 to 4 wt% based on the conductor.

【0015】(5)  前記無機結合剤が、さらに、T
iO2 、ZrO2 、CoO、NiO、Al2 O3
 、Bi2 O3 およびSb2 O3 のうちの少な
くとも一種以上を、前記導体に対して10ppm 〜2
wt% 含有する上記(1)ないし(4)のいずれかに
記載の導体組成物。
(5) The inorganic binder further contains T.
iO2, ZrO2, CoO, NiO, Al2O3
, Bi2 O3 and Sb2 O3 in an amount of 10 ppm to 2
The conductor composition according to any one of (1) to (4) above, containing wt%.

【0016】(6)  上記(1)ないし(5)のいず
れかに記載の導体組成物を用いて外部導体を形成した配
線基板。
(6) A wiring board in which an external conductor is formed using the conductor composition according to any one of (1) to (5) above.

【0017】(7)  前記外部導体と接して、ガラス
を35〜95wt% 含有する抵抗体を有する上記(6
)に記載の配線基板。
(7) The above (6) having a resistor containing 35 to 95 wt% of glass in contact with the outer conductor.
).The wiring board described in ).

【0018】(8)  前記ガラスは非晶質ガラスを9
0wt% 以上含有する上記(7)に記載の配線基板。
(8) The glass is amorphous glass.
The wiring board according to (7) above, containing 0 wt% or more.

【0019】[0019]

【作用】本発明では導体組成物のガラスフリット成分を
PbO−B2 O3 −SiO2 −MnO2 系の非
晶質ガラス、ZnO−B2 O3 −SiO2 −Mn
O2系の結晶化ガラスおよびPbO−B2 O3 −S
iO2 −ZnO2 系の低融点ガラスを所定割合で含
む混合物としている。
[Operation] In the present invention, the glass frit component of the conductor composition is PbO-B2 O3 -SiO2 -MnO2-based amorphous glass, ZnO-B2 O3 -SiO2 -Mn
O2-based crystallized glass and PbO-B2 O3 -S
The mixture contains iO2-ZnO2-based low melting point glass in a predetermined proportion.

【0020】このように結晶化ガラスが存在することに
より、外部導体中のガラス成分と抵抗体中のガラス成分
とが反応するのを抑制することができ、導体中のガラス
のブリードアウト現象の発生が防止される。この結果、
耐湿負荷エージング後の電気特性の劣化を防止すること
ができる。また、導体層のパターンを例えば200μm
 以下の細線パターンとしてその膜厚も薄くした高密度
配線基板においてもショートの発生が有効に防止される
The presence of crystallized glass in this way makes it possible to suppress the reaction between the glass component in the external conductor and the glass component in the resistor, thereby preventing the occurrence of the bleed-out phenomenon of the glass in the conductor. is prevented. As a result,
Deterioration of electrical characteristics after humidity-resistant load aging can be prevented. In addition, the pattern of the conductor layer is, for example, 200 μm.
The occurrence of short circuits can be effectively prevented even in a high-density wiring board with a thin line pattern and a thin film thickness as described below.

【0021】また、このようなガラス組成とすることに
よって、半田濡れ性も十分である。さらには半田後の接
着強度は初期およびエージング後のいずれにおいても十
分である。特に、導体素子等を半田付けしたときの半田
中のSnが導体中へ拡散し、これが基板と導体との接着
強度を低下させることを防止することができる。
[0021] Further, by using such a glass composition, the solder wettability is also sufficient. Furthermore, the adhesive strength after soldering is sufficient both at the initial stage and after aging. In particular, it is possible to prevent Sn in the solder when a conductor element or the like is soldered from diffusing into the conductor and reducing the adhesive strength between the substrate and the conductor.

【0022】[0022]

【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。
[Specific Configuration] The specific configuration of the present invention will be explained in detail below.

【0023】本発明の導体組成物は、導体の基本組成と
なるAgとPdおよび/またはPtとを含有する。すな
わち、Ag−Pd、Ag−Pt、Ag−Pd−Ptのい
ずれかの合金を含有する。
The conductor composition of the present invention contains Ag and Pd and/or Pt, which are the basic composition of the conductor. That is, it contains any one of Ag-Pd, Ag-Pt, and Ag-Pd-Pt alloys.

【0024】このように、Ag合金を用いることによっ
て、Ag単独とするよりも、Pdの場合、耐マイグレー
ション性、耐半田喰われ性が向上する効果が得られ、P
tの場合は、少量の添加より半田濡れ性が向上する効果
が得られる。
[0024] As described above, by using an Ag alloy, it is possible to obtain the effect of improving migration resistance and solder eating resistance in the case of Pd, compared to using Ag alone.
In the case of t, the effect of improving solder wettability can be obtained by adding a small amount.

【0025】このようなAg合金におけるAg、Pd、
Ptの割合は、目的に応じて適宜決定されるが、Ag−
Pd合金では、Pdの含有率を5〜25wt%とするこ
とが好ましい。Pd含有率が5wt% 未満であると、
Pd添加の効果が得られず、また25wt% を超える
と導体の導電性が悪くなるからである。
[0025] In such an Ag alloy, Ag, Pd,
The proportion of Pt is determined appropriately depending on the purpose, but Ag-
In the Pd alloy, the Pd content is preferably 5 to 25 wt%. When the Pd content is less than 5 wt%,
This is because the effect of adding Pd cannot be obtained, and if it exceeds 25 wt%, the conductivity of the conductor deteriorates.

【0026】また、Ag−Pt合金では、Ptの含有率
を0.5〜5wt% とすることが好ましい。Pt含有
率が0.5wt% 未満であると、Pt添加の効果が得
られず、また5wt% を超えると導体の導電性が悪く
なるからである。
[0026] Furthermore, in the Ag-Pt alloy, the Pt content is preferably 0.5 to 5 wt%. If the Pt content is less than 0.5 wt%, the effect of Pt addition cannot be obtained, and if it exceeds 5 wt%, the conductivity of the conductor deteriorates.

【0027】また、Ag−Pd−Pt合金では、Pdの
含有率を5〜25wt% とし、Ptの含有率を0.5
〜5wt% とすることが好ましい。このような含有率
とすることによってPd、Pt添加の効果を得ることが
でき、導体の導電性も十分とすることができる。
In addition, in the Ag-Pd-Pt alloy, the Pd content is 5 to 25 wt%, and the Pt content is 0.5 wt%.
It is preferable to set it to 5 wt%. With such a content, the effects of adding Pd and Pt can be obtained, and the conductor can also have sufficient electrical conductivity.

【0028】本発明の導体組成物は、ペースト状であり
、このような状態ではAgとPdおよび/またはPtと
が別個に存在していてもよい。この場合、後の焼成によ
りAg合金となる。
The conductor composition of the present invention is in the form of a paste, and in such a state Ag, Pd and/or Pt may exist separately. In this case, an Ag alloy is formed by subsequent firing.

【0029】このようなAg合金、あるいは、上記のよ
うにAg合金となる金属は、通常、ペースト状の組成物
中に粒子として存在する。
[0029] Such an Ag alloy, or a metal that becomes an Ag alloy as described above, is usually present in the form of particles in a paste-like composition.

【0030】Ag合金粒子の平均粒径は、0.01〜1
0μm 程度とするのが好ましい。その理由は、平均粒
径が0.01μm 未満であると導体の収縮率が大きく
なりすぎ、また10μm を超えると導体組成物の印刷
性、分散性が悪くなるからである。
[0030] The average particle size of the Ag alloy particles is 0.01 to 1
It is preferable to set it to about 0 μm. This is because if the average particle diameter is less than 0.01 μm, the shrinkage rate of the conductor becomes too large, and if it exceeds 10 μm, the printability and dispersibility of the conductor composition deteriorate.

【0031】また、Ag合金となる金属の粒子では、A
g粒子、Pd粒子、Pt粒子ともに、平均粒径は0.0
1〜10μm 程度とするのが好ましい。その理由は、
平均粒径が0.01μm 未満であると上記Ag合金粒
子の場合と同様、収縮率の点で不十分となり、また10
μm を超えるとPdの添加による耐マイグレーション
性の改善効果等が小さくなるからである。
[0031] In addition, in the metal particles forming Ag alloy, A
The average particle size of g particles, Pd particles, and Pt particles is 0.0.
It is preferable to set it as about 1-10 micrometers. The reason is,
If the average particle size is less than 0.01 μm, as in the case of the Ag alloy particles described above, the shrinkage rate will be insufficient, and 10
This is because if it exceeds .mu.m, the effect of improving migration resistance due to the addition of Pd becomes small.

【0032】本発明では、導体に対し、無機結合剤とし
てガラスフリットを6〜20wt% 、好ましくは8〜
14wt% 含有する。
In the present invention, 6 to 20 wt%, preferably 8 to 20 wt% of glass frit is added as an inorganic binder to the conductor.
Contains 14wt%.

【0033】この場合のガラスフリットは、PbO−B
2 O3−SiO2 −MnO2 系の非晶質ガラス、
ZnO−B2 O3 −SiO2 −MnO2 系の結
晶化ガラスおよびPbO−B2 O3 −SiO2 −
ZnO系の低融点ガラスの混合物である。
[0033] The glass frit in this case is PbO-B
2 O3-SiO2 -MnO2-based amorphous glass,
ZnO-B2 O3 -SiO2 -MnO2-based crystallized glass and PbO-B2 O3 -SiO2 -
It is a mixture of ZnO-based low melting point glasses.

【0034】本発明の特徴は、このような3種類のガラ
スが混在するところにあり、またガラスフリットの含有
量を上記範囲とすることによって、本発明の効果が得ら
れる。
The feature of the present invention is that these three types of glass are mixed, and the effects of the present invention can be obtained by setting the content of the glass frit within the above range.

【0035】ガラスフリットが6wt% 未満となると
、エージング特性が悪化し、20wt% を超えると半
田濡れ性が不十分となり、かつブリードアウト現象が生
じる。
When the glass frit content is less than 6 wt %, aging characteristics deteriorate, and when it exceeds 20 wt %, solder wettability becomes insufficient and a bleed-out phenomenon occurs.

【0036】また、結晶化ガラスの非晶質ガラスに対す
る割合は、重量比で〔結晶化ガラス/非晶質ガラス〕が
0.2〜0.85、好ましくは0.4〜0.75とする
のがよい。このような割合とすることによって、ブリー
ドアウト現象をより一層良好に防止する。0.2未満で
はブリードアウト現象の防止の効果が減少し、0.85
を超えると半田濡れ性が不十分となる。
Furthermore, the ratio of crystallized glass to amorphous glass is such that the weight ratio [crystalline glass/amorphous glass] is 0.2 to 0.85, preferably 0.4 to 0.75. It is better. By setting such a ratio, the bleed-out phenomenon can be better prevented. If it is less than 0.2, the effect of preventing the bleed-out phenomenon will decrease, and 0.85
If it exceeds 20%, solder wettability will be insufficient.

【0037】また、導体に対する低融点ガラスの含有量
は、1〜4wt% 、好ましくは2.5〜3.5wt%
 とするのがよい。このような割合とすることによって
、半田濡れ性が良好となる。1wt% 未満となると半
田濡れ性が悪化してくる。また、4wt% を超えると
半田濡れ性の効果がみられず、ブリードアウト現象も生
じてくる。
[0037] The content of the low melting point glass in the conductor is 1 to 4 wt%, preferably 2.5 to 3.5 wt%.
It is better to By setting such a ratio, solder wettability becomes good. If it is less than 1 wt%, solder wettability will deteriorate. Moreover, if it exceeds 4 wt%, no effect on solder wettability will be observed and a bleed-out phenomenon will occur.

【0038】また、各ガラスの主成分となる各酸化物の
割合は、wt% で表示して以下のものであり、また、
軟化点は以下の通りのものである。
[0038] Furthermore, the proportions of each oxide, which is the main component of each glass, are as follows expressed in wt%;
The softening points are as follows.

【0039】なお、軟化点は、3.5×3.5×12m
mの試料を用い、荷重3gにて、示差熱膨張を用いて測
定したものである。
[0039]The softening point is 3.5 x 3.5 x 12 m.
Measurements were made using differential thermal expansion using a sample of m and a load of 3 g.

【0040】(1)非晶質ガラス PbO(55〜65)−B2 O3 (15〜25)−
SiO2 (5〜15)−MnO2 (5〜15)軟化
点450〜520℃、特に480℃程度
(1) Amorphous glass PbO(55-65)-B2O3(15-25)-
SiO2 (5-15)-MnO2 (5-15) Softening point 450-520°C, especially about 480°C

【0041】(
2)結晶化ガラス ZnO(55〜65)−B2 O3 (15〜25)−
SiO2 (5〜15)−MnO2 (5〜15)軟化
点530〜610℃、特に550℃程度
[0041](
2) Crystallized glass ZnO (55-65)-B2O3 (15-25)-
SiO2 (5-15)-MnO2 (5-15) Softening point 530-610°C, especially around 550°C

【0042】(
3)低融点ガラス PbO(70〜85)−B2 O3 (8〜12)−S
iO2 (1〜3)−ZnO(3〜10) 軟化点300〜400℃程度
[0042](
3) Low melting point glass PbO (70-85)-B2 O3 (8-12)-S
iO2 (1-3)-ZnO (3-10) Softening point around 300-400℃

【0043】本発明におけるガラスフリットは、上記の
ように、3種のガラスが混在するものであるが、このガ
ラスフリットを構成する各酸化物の割合は以下の通りで
ある。
The glass frit of the present invention is a mixture of three types of glass as described above, and the proportions of each oxide constituting this glass frit are as follows.

【0044】PbO:30〜65wt% 、好ましくは
45〜60wt% B2 O3 :10〜25wt% 、好ましくは14〜
20wt%SiO2 :5〜15wt% 、好ましくは
7〜11wt%MnO2 :1〜20wt% 、好まし
くは3〜15wt%ZnO:8〜25wt% 、好まし
くは10〜20wt%
PbO: 30-65 wt%, preferably 45-60 wt% B2 O3: 10-25 wt%, preferably 14-60 wt%
20wt%SiO2: 5-15wt%, preferably 7-11wt%MnO2: 1-20wt%, preferably 3-15wt%ZnO: 8-25wt%, preferably 10-20wt%

【0045】このような含有量と
することによって本発明の効果が得られる。
[0045] By setting the content as above, the effects of the present invention can be obtained.

【0046】PbOが30wt% 未満となると、エー
ジング特性が不十分となる傾向にあり、65wt% を
超えると、ブリードアウト現象が発生してくる。
When PbO is less than 30 wt%, the aging properties tend to be insufficient, and when it exceeds 65 wt%, a bleed-out phenomenon occurs.

【0047】また、B2 O3 が10wt% 未満と
なってもエージング特性が不十分となる傾向にあり、2
5wt% を超えると、ブリードアウト現象が発生して
くる。また、SiO2 が5wt%未満となってもエー
ジング特性が不十分となる傾向にあり、15wt% を
超えるとブリードアウト現象が発生してくる。さらにM
nO2 が1wt% 未満となってもエージング特性が
不十分となる傾向にあり、20wt% を超えると半田
濡れ性が悪くなってくる。また、ZnOが8wt%未満
となるとブリードアウト現象が発生し、25wt% を
超えると、半田濡れ性が悪くなってくる。
[0047] Furthermore, even if B2O3 is less than 10 wt%, the aging properties tend to be insufficient;
If it exceeds 5 wt%, a bleed-out phenomenon will occur. Further, even if the SiO2 content is less than 5 wt%, the aging properties tend to be insufficient, and if it exceeds 15 wt%, a bleed-out phenomenon occurs. Further M
Even if nO2 is less than 1 wt%, aging characteristics tend to be insufficient, and if it exceeds 20 wt%, solder wettability deteriorates. Furthermore, if the ZnO content is less than 8 wt%, a bleed-out phenomenon occurs, and if it exceeds 25 wt%, the solder wettability deteriorates.

【0048】このようなガラスは、0.1〜10μm 
の平均粒径の粉末として用いられる。
[0048] Such glass has a thickness of 0.1 to 10 μm.
It is used as a powder with an average particle size of

【0049】平均粒径が0.1μm 未満となると、粉
砕時の不純物混入が著しくなり、10μm を超えると
、印刷性が悪くなる傾向にある。
When the average particle size is less than 0.1 μm, contamination with impurities during pulverization becomes significant, and when it exceeds 10 μm, printability tends to deteriorate.

【0050】さらに、本発明では、無機結合剤としてガ
ラスフリットのほかにTiO2 、ZrO2 、CoO
、NiO、Al2 O3 、Bi2 O3 およびSb
2 O3 から選ばれる少なくとも一種の化合物を添加
する。このときの添加量は、導体に対し、10ppm 
〜2wt% とするのがよい。上記化合物を上記範囲と
して添加することによって半田濡れ性およびエージング
特性をさらに改善することができる。10ppm 未満
では、エージング特性の改善効果が少なくなり、2wt
% を超えると半田濡れ性が不十分となってくる。
Furthermore, in the present invention, in addition to glass frit, TiO2, ZrO2, and CoO2 are used as inorganic binders.
, NiO, Al2O3, Bi2O3 and Sb
At least one compound selected from 2 O3 is added. The amount added at this time is 10 ppm to the conductor.
It is preferable to set it to ~2wt%. By adding the above compound in the above range, solder wettability and aging characteristics can be further improved. If it is less than 10 ppm, the effect of improving aging characteristics will be reduced, and if it is less than 2wt.
%, solder wettability becomes insufficient.

【0051】本発明に用いるビヒクルとしては、エチル
セルロース、ニトロセルロース、アクリル系樹脂等のバ
インダー、テルピネオール、ブチルカルビトール等の溶
剤、その他分散剤、活性剤等が挙げられ、これらのうち
任意のものが目的に応じて適宜添加される。
Vehicles used in the present invention include binders such as ethyl cellulose, nitrocellulose, and acrylic resins, solvents such as terpineol and butyl carbitol, other dispersants, and activators. Any one of these may be used. It is added as appropriate depending on the purpose.

【0052】なお、一般に、導体組成物中の上記ビヒク
ルの含有率は、10〜70wt%程度である。
[0052] Generally, the content of the vehicle in the conductor composition is about 10 to 70 wt%.

【0053】本発明の導体組成物は、前記のAg合金粒
あるいはAg粒とPd粒および/またはPt粒の金属粒
と、前記のガラスフリットを含む無機結合剤とを混合し
、これにバインダー、溶剤等のビヒクルを加え、これら
を混練してスラリー化することにより得ることができる
。ここで、ペースト組成物の粘度は、3万〜30万cp
s 程度に調製しておくのがよい。
The conductor composition of the present invention is prepared by mixing the above-mentioned Ag alloy grains or metal grains of Ag grains and Pd grains and/or Pt grains with the above-mentioned inorganic binder containing glass frit, and adding a binder, It can be obtained by adding a vehicle such as a solvent and kneading these to form a slurry. Here, the viscosity of the paste composition is 30,000 to 300,000 cp.
It is best to prepare it in advance.

【0054】本発明の導体組成物は、基板上に所定のパ
ターンに印刷されて焼成するなどして使用される。
The conductor composition of the present invention is used by printing a predetermined pattern on a substrate and baking it.

【0055】このように、本発明の導体組成物を用いて
外部導体とした多層配線基板の一構成例が図1に示され
ている。図1は、多層配線基板の部分断面図である。
FIG. 1 shows an example of the structure of a multilayer wiring board in which the conductor composition of the present invention is used as an external conductor. FIG. 1 is a partial cross-sectional view of a multilayer wiring board.

【0056】同図に示すように、多層配線基板1は、複
数の層を積層し、焼成により一体化した絶縁体の基板4
を有し、この基板4の内部には、所定パターンの内部導
体2が形成され、この内部導体2が基板4の表面に露出
した部分に外部導体3が形成されている。
As shown in the figure, the multilayer wiring board 1 is made up of an insulating substrate 4 in which a plurality of layers are laminated and integrated by firing.
An internal conductor 2 having a predetermined pattern is formed inside the substrate 4, and an external conductor 3 is formed at a portion of the internal conductor 2 exposed on the surface of the substrate 4.

【0057】基板4の構成材料としては、内部導体2等
とともに同時焼成可能なものとして、アルミナ−ホウケ
イ酸ガラス、アルミナ−鉛ホウケイ酸ガラス、アルミナ
−ホウケイ酸バリウムガラス、アルミナ−ホウケイ酸カ
ルシウムガラス、アルミナ−ホウケイ酸ストロンチウム
ガラス、アルミナ−ホウケイ酸マグネシウムガラス等の
酸化物骨材とガラスとを含む低温焼結材料が好ましい。
The constituent materials of the substrate 4 include alumina-borosilicate glass, alumina-lead borosilicate glass, alumina-barium borosilicate glass, alumina-calcium borosilicate glass, and others that can be fired simultaneously with the internal conductor 2 and the like. Low temperature sintered materials containing oxide aggregate and glass such as alumina-strontium borosilicate glass and alumina-magnesium borosilicate glass are preferred.

【0058】このような基板材料において、ガラスの含
有率は、一般に50〜80wt%程度とするのがよい。
[0058] In such a substrate material, the glass content is generally preferably about 50 to 80 wt%.

【0059】内部導体2は、通常多層配線され、基板4
の厚さ方向に形成されたスルーホール5を介して互いに
導通されている。
The internal conductor 2 is usually multi-layered and connected to the substrate 4.
They are electrically connected to each other via a through hole 5 formed in the thickness direction.

【0060】外部導体3は、基板4の表面に形成され、
チップインダクタ、チップコンデンサ等のチップ部品や
半導体集積回路素子、ダイオード等の素子等の表面実装
部品7を半田6により半田付けするためのパッドとして
用いられ、あるいは抵抗体8への導通用として用いられ
る。なお、表面を覆うように絶縁被覆層が形成されてい
てもよい。
The external conductor 3 is formed on the surface of the substrate 4,
It is used as a pad for soldering surface-mounted components 7 such as chip components such as chip inductors and chip capacitors, semiconductor integrated circuit elements, elements such as diodes, etc. with solder 6, or for conduction to resistor 8. . Note that an insulating coating layer may be formed to cover the surface.

【0061】本発明の導体組成物は、上記外部導体3を
形成するのに適用される。
The conductor composition of the present invention is applied to form the above-mentioned outer conductor 3.

【0062】なお、内部導体2は、導電性が良いことを
優先させる点でAgを主体とする導体、特にAgとする
のが好ましい。内部導体用組成物は、導体と、導体に対
し、5〜10wt% 程度のガラスフリットとを含有す
る。
Note that the internal conductor 2 is preferably made of a conductor mainly composed of Ag, particularly Ag, since good conductivity is given priority. The internal conductor composition contains a conductor and a glass frit in an amount of about 5 to 10 wt% based on the conductor.

【0063】また、内部導体2の膜厚は、通常5〜20
μm 程度、外部導体3の膜厚は、通常5〜20μm 
程度とされる。そして、内部導体および外部導体の導通
抵抗は、その組成にもよるが、一般的に、前者は2〜1
0mΩ/□、後者は、10〜30mΩ/□程度とするの
がよい。
Further, the film thickness of the internal conductor 2 is usually 5 to 20 mm.
The film thickness of the outer conductor 3 is usually 5 to 20 μm.
It is considered to be a degree. The conduction resistance of the inner conductor and outer conductor depends on their composition, but generally the former is 2 to 1
The latter is preferably about 10 to 30 mΩ/□.

【0064】さらに、抵抗体8は、酸化ルテニウム、鉛
ルテニウムパイロクロア等の抵抗体とガラスフリットと
を含有する。抵抗体粒子の粒径は、0.05〜0.5μ
m 程度とし、この抵抗体に対し、ガラスフリットの含
有量は35〜95wt% 程度である。
Furthermore, the resistor 8 contains a resistor such as ruthenium oxide, lead ruthenium pyrochlore, and glass frit. The particle size of the resistor particles is 0.05 to 0.5μ
The glass frit content is about 35 to 95 wt% with respect to this resistor.

【0065】ガラスフリットは、一般にPbO45〜6
0wt% 、B2 O3 10〜20wt% 、SiO
2 20〜30wt% 、ZnO0〜8wt% 程度、
軟化点450〜600℃程度とし、ガラスフリット中、
非晶質ガラスが90wt% 以上含有される。そして、
このような抵抗体中のガラスフリットに対し、本発明に
従い、ブリードアウト現象が良好に防止されるものであ
る。
[0065] Glass frit is generally made of PbO45-6
0wt%, B2O3 10-20wt%, SiO
2 20-30wt%, ZnO 0-8wt%,
The softening point is about 450 to 600℃, and in the glass frit,
Amorphous glass is contained in an amount of 90 wt% or more. and,
According to the present invention, the bleed-out phenomenon of the glass frit in such a resistor can be effectively prevented.

【0066】このような多層配線基板は、例えば以下の
ようにして製造する。
[0066] Such a multilayer wiring board is manufactured, for example, as follows.

【0067】まず、基板材料となるグリーンシートを作
製する。
First, a green sheet to be used as a substrate material is prepared.

【0068】このグリーンシートは、基板の原材料であ
るアルミナ粉末等の骨材とガラス粉末(例えば、ホウケ
イ酸ガラス)とを所定量混合し、これにバインダー樹脂
、溶剤等を加え、これらを混練してスラリー化し、例え
ばドクターブレード法により0.1〜0.3mm程度の
厚さのグリーンシートを所定枚数作製する。
This green sheet is made by mixing a predetermined amount of aggregate such as alumina powder, which is the raw material for the substrate, and glass powder (for example, borosilicate glass), adding a binder resin, a solvent, etc. to this, and kneading these. The slurry is made into a slurry, and a predetermined number of green sheets having a thickness of about 0.1 to 0.3 mm are produced by, for example, a doctor blade method.

【0069】次いで、グリーンシートにパンチングマシ
ーンや金型プレスを用いてスルーホール5を形成し、そ
の後、内部導体用組成物を各グリーンシート上に例えば
スクリーン印刷法により印刷し、所定パターンの内部導
体層を形成するとともにスルーホール5内に充填する。
Next, through holes 5 are formed in the green sheets using a punching machine or a mold press, and then a composition for internal conductors is printed on each green sheet by, for example, a screen printing method to form internal conductors in a predetermined pattern. A layer is formed and the through hole 5 is filled.

【0070】次いで、各グリーンシートを重ね合せ、熱
プレス(約40〜120℃、50〜1000Kgf/c
m2)を加えてグリーンシートの積層体とし、必要に応
じて脱バインダー処理、切断用溝の形成等を行なう。
[0070] Next, the green sheets were stacked and heat pressed (approximately 40 to 120°C, 50 to 1000 kgf/c).
m2) to form a laminate of green sheets, and if necessary, the binder is removed, cutting grooves are formed, etc.

【0071】その後、グリーンシートの積層体を通常空
気中で800〜1000℃程度の温度で焼成、一体化し
、基板4に内部導体2が形成された多層配線基板を得る
[0071] Thereafter, the green sheet laminate is baked and integrated in normal air at a temperature of about 800 to 1000°C to obtain a multilayer wiring board in which the internal conductor 2 is formed on the board 4.

【0072】そして、外部導体用ペーストをスクリーン
印刷法等により印刷し、焼成して外部導体3を形成する
。さらに、抵抗体材料ペーストを印刷して焼成し、抵抗
体8を形成する。なお、これら外部導体3や抵抗体8は
基板4と一体同時焼成して形成してもよい。ただし、基
板を焼成後、基板上に印刷、焼成するときには、接着強
度が低いものとなるが、本発明の適用により接着強度は
きわめて高いものとなる。
Then, the external conductor paste is printed by screen printing or the like and fired to form the external conductor 3. Furthermore, the resistor material paste is printed and fired to form the resistor 8. Note that these external conductors 3 and resistors 8 may be formed by integrally firing with the substrate 4. However, when printing and firing on the substrate after firing the substrate, the adhesive strength will be low, but by applying the present invention, the adhesive strength will be extremely high.

【0073】その後、所定の表面実装部品7を外部導体
3に半田付けし、必要に応じ、絶縁被覆層を形成して図
1に示す多層配線基板1が得られる。
Thereafter, predetermined surface mount components 7 are soldered to the external conductor 3, and if necessary, an insulating coating layer is formed to obtain the multilayer wiring board 1 shown in FIG.

【0074】なお、基板も上記グリーンシート法に代り
印刷法により作製してもよい。
Note that the substrate may also be produced by a printing method instead of the green sheet method described above.

【0075】以上では、本発明を多層配線基板に適用し
た場合の例を説明したが、本発明は、これに限らず、同
時焼成配線基板のような単層の基板等にも適用すること
ができる。
[0075] Above, an example in which the present invention is applied to a multilayer wiring board has been described, but the present invention is not limited to this, but can also be applied to a single layer board such as a co-fired wiring board. can.

【0076】[0076]

【実施例】以下、本発明の具体的実施例について説明す
る。
[Examples] Specific examples of the present invention will be described below.

【0077】実施例1 (1)導体組成物の作製 表1に示すような成分組成となるような導体組成物の導
体100重量部に対し、ビヒクルとしてエチルセルロー
ス系樹脂および高沸点溶剤(テルピネオール)を20〜
40重量部加え、混練して、表1の導体組成物1〜10
を得た。
Example 1 (1) Preparation of conductor composition To 100 parts by weight of a conductor of a conductor composition having the component composition shown in Table 1, an ethyl cellulose resin and a high boiling point solvent (terpineol) were added as a vehicle. 20~
Add 40 parts by weight and knead to obtain conductor compositions 1 to 10 in Table 1.
I got it.

【0078】なお、導体は焼成時にAg合金になるよう
に添加し、Ag粒子は平均粒径10μm のもの、Pd
粒子は1μm のもの、Pt粒子は1μm のもの、ガ
ラスは平均粒径8μm のもの、酸化物添加剤は平均粒
径5μm のものをそれぞれ用いた。
[0078] The conductor was added to form an Ag alloy during firing, and the Ag particles had an average particle size of 10 μm, and the Pd
The particles used were 1 μm, the Pt particles were 1 μm, the glass had an average particle size of 8 μm, and the oxide additive had an average particle size of 5 μm.

【0079】[0079]

【表1】[Table 1]

【0080】表1には、ガラスフリット中の結晶化ガラ
スの非晶質ガラスに対する割合(重量比)、低融点ガラ
スの導体に対する割合(wt% )も併記している。
Table 1 also shows the ratio (weight ratio) of crystallized glass to amorphous glass in the glass frit and the ratio (wt%) of low melting point glass to the conductor.

【0081】また、表2には使用した非晶質ガラス、結
晶化ガラスおよび低融点ガラスの組成が示されている。
Table 2 also shows the compositions of the amorphous glass, crystallized glass, and low melting point glass used.

【0082】[0082]

【表2】[Table 2]

【0083】(2)グリーンシートの作製α−アルミナ
:40wt%、ガラス粉末:60wt%の組成で厚さ1
00〜300μm のグリーンシートを作製した(この
場合のガラスはAl2 O3 −B2 O3 −SiO
2 −MO系、但しM=Ca、Ba、Sr、Mg)。
(2) Preparation of green sheet With a composition of α-alumina: 40 wt% and glass powder: 60 wt%, the thickness is 1.
A green sheet with a diameter of 00 to 300 μm was produced (the glass in this case was Al2 O3 -B2 O3 -SiO
2 -MO system, where M=Ca, Ba, Sr, Mg).

【0084】(3)抵抗体ペーストの作製RuO2 (
粒径0.1μm )を9.1wt% 、ガラス粉末77
.8wt% 、添加剤としてZrSiO4 を4.1w
t% 、TCR調整剤としてCuOとMnOとNb2O
5 とを合計で9wt% 用いて抵抗体ペーストを作製
した。ガラス組成はPbO47.8wt% 、B2 O
3 16.7wt% 、SiO2 27.8wt% 、
ZnO5wt% 、Al2 O3 5.2wt% の非
晶質ガラスを用いた。
(3) Preparation of resistor paste RuO2 (
9.1 wt% of glass powder (particle size 0.1 μm)
.. 8wt%, 4.1w of ZrSiO4 as an additive
t%, CuO, MnO and Nb2O as TCR modifiers
A resistor paste was prepared using 9wt% of 5 and 5 in total. Glass composition is PbO47.8wt%, B2O
3 16.7wt%, SiO2 27.8wt%,
Amorphous glass containing 5 wt% ZnO and 5.2 wt% Al2O3 was used.

【0085】(4)配線基板の作製 前記のグリーンシートにAg内部導体形成後、熱プレス
により積層してグリーンシート積層体を得た。その後、
この積層体を脱脂後、空気中で温度900℃で同時焼成
した配線基板を得た。
(4) Preparation of wiring board After forming an Ag internal conductor on the green sheet, the green sheets were laminated by hot pressing to obtain a green sheet laminate. after that,
After degreasing this laminate, a wiring board was obtained by co-firing in air at a temperature of 900°C.

【0086】この配線基板にスクリーン印刷により、導
体組成物を、縮率15%にて、焼成後の寸法が2mm×
2mm、膜厚12±2μm のパッドになるように印刷
し、空気中で850℃で焼成した。
[0086] A conductor composition was applied to this wiring board by screen printing at a shrinkage rate of 15%, and the dimensions after firing were 2 mm ×
The pad was printed to a thickness of 2 mm and a film thickness of 12±2 μm, and baked at 850° C. in air.

【0087】得られた各基板について、導体の初期およ
びエージング後の接着強度、導体の半田濡れ性を以下の
ようにして調べた。
For each of the obtained substrates, the adhesive strength of the conductor at the initial stage and after aging, and the solder wettability of the conductor were examined as follows.

【0088】(a)接着強度試験 デュポン社の剥離試験に準じた。被着した導体膜の横方
向に直径0.8mmの銅線をのばし導体膜に重なる部分
について半田付けし、その半田付けの終わる一端からの
びた銅線を導体膜被着面にほぼ垂直でかつ導体膜を剥離
する方向に引っ張り試験機を用いて引っ張り、剥離した
時の荷重を読んだ。エージングは、150℃の恒温槽に
所定時間放置し、同様に荷重を読んだ。
(a) Adhesive strength test The test was conducted according to DuPont's peel test. Stretch a copper wire with a diameter of 0.8 mm in the horizontal direction of the conductor film and solder the part that overlaps with the conductor film, and then connect the copper wire extending from one end of the soldered end to the conductor film almost perpendicular to the surface to which the conductor film is applied. The membrane was pulled in the direction of peeling using a tensile tester, and the load at the time of peeling was read. For aging, the sample was left in a constant temperature bath at 150° C. for a predetermined period of time, and the load was read in the same manner.

【0089】(b)半田濡れ性 各サンプルを230℃の溶融半田に約5秒間浸漬し、パ
ッドの濡れ面積率により評価した。
(b) Solder wettability Each sample was immersed in molten solder at 230° C. for about 5 seconds, and evaluated based on the wetted area ratio of the pad.

【0090】また、上記と同じ配線基板上に導体組成物
を印刷し、焼成し、巾200μm 、厚さ15μm の
細線パターンの導体層を形成した。この後、さらにこの
導体層上の線端部に前記の抵抗体ペーストを用いて導体
層より広巾に印刷し、上記と同様に焼成した。
Further, a conductor composition was printed on the same wiring board as above and fired to form a conductor layer having a fine line pattern with a width of 200 μm and a thickness of 15 μm. Thereafter, the above-mentioned resistor paste was further printed on the wire ends on the conductor layer in a wider width than the conductor layer, and baked in the same manner as above.

【0091】この配線基板を用いてブリードアウト現象
の発生の有無を以下のようにして調べた。
Using this wiring board, the presence or absence of a bleed-out phenomenon was investigated as follows.

【0092】(c)ブリードアウト現象の発生の有無光
学顕微鏡により、抵抗体近傍の細線導体パターン端部を
観察し、下記の4段階で評価した。この評価については
◎、△、×、××で示す。 ◎    ブリードアウト全くなし △    10μm 以下の距離にブリードアウト観察
×    50μm 以下の距離にブリードアウト観察
××  50μm を超える距離にブリードアウト観察
(c) Occurrence of bleed-out phenomenon The end portion of the thin wire conductor pattern near the resistor was observed using an optical microscope and evaluated on the following four scales. This evaluation is indicated by ◎, △, ×, and XX. ◎ No bleed-out at all △ Bleed-out observed at a distance of 10 μm or less × Bleed-out observed at a distance of 50 μm or less × × Bleed-out observed at a distance of more than 50 μm

【0093】これらの結果を表3に示す。なお、表3に
は導体抵抗の値も併記する。
[0093] These results are shown in Table 3. Note that Table 3 also shows the values of conductor resistance.

【0094】[0094]

【表3】[Table 3]

【0095】[0095]

【発明の効果】本発明の外部導体は、半田濡れ性が良好
で、かつ初期およびエージング後の基板との接着強度も
十分である。またブリードアウト現象の発生を防止する
ことができ、配線間のショートや電気特性の劣下を防止
することができる。
Effects of the Invention The external conductor of the present invention has good solder wettability and sufficient adhesion strength to the substrate both initially and after aging. Furthermore, it is possible to prevent the occurrence of a bleed-out phenomenon, and it is possible to prevent short circuits between wirings and deterioration of electrical characteristics.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】本発明の導体組成物を用いて作製した多層配線
基板の部分断面図である。
FIG. 1 is a partial cross-sectional view of a multilayer wiring board manufactured using the conductor composition of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1  多層配線基板 2  内部導体 3  外部導体 4  基板 5  スルーホール 6  半田 7  表面実装部品 8  抵抗体 1 Multilayer wiring board 2 Internal conductor 3 External conductor 4 Board 5 Through hole 6 Solder 7 Surface mount parts 8 Resistor

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  AgとPdおよび/またはPtとを含
有する導体と、ガラスフリットを含む無機結合剤とをビ
ヒクル中に分散した導体組成物において、前記ガラスフ
リットがPbO−B2 O3 −SiO2 −MnO2
 系の非晶質ガラスと、ZnO−B2 O3 −SiO
2 −MnO2 系の結晶化ガラスと、PbO−B2 
O3 −SiO2 −ZnO系の低融点ガラスとを含有
し、前記ガラスフリットは、前記導体に対して6〜20
wt% 含有されることを特徴とする導体組成物。
1. A conductor composition in which a conductor containing Ag and Pd and/or Pt and an inorganic binder containing a glass frit are dispersed in a vehicle, wherein the glass frit is PbO-B2O3-SiO2-MnO2.
system amorphous glass and ZnO-B2O3-SiO
2-MnO2-based crystallized glass and PbO-B2
O3 -SiO2 -ZnO-based low melting point glass, and the glass frit has a melting point of 6 to 20 with respect to the conductor.
A conductor composition characterized in that it contains wt%.
【請求項2】  前記ガラスフリットのガラス組成は、
PbO30〜65wt%、B2 O3 10〜25wt
% 、SiO2 5〜15wt% 、MnO2 1〜2
0wt% 、ZnO8〜25wt% である請求項1に
記載の導体組成物。
2. The glass composition of the glass frit is:
PbO30-65wt%, B2O3 10-25wt
%, SiO2 5-15wt%, MnO2 1-2
The conductor composition according to claim 1, wherein the ZnO content is 0 wt% and ZnO is 8 to 25 wt%.
【請求項3】  前記非晶質ガラスに対する前記結晶化
ガラスの割合が重量比で0.2〜0.85である請求項
1または2に記載の導体組成物。
3. The conductor composition according to claim 1, wherein the ratio of the crystallized glass to the amorphous glass is 0.2 to 0.85 by weight.
【請求項4】  前記低融点ガラスを導体に対して1〜
4wt% 含有する請求項1ないし3のいずれかに記載
の導体組成物。
4. The low melting point glass is 1 to 1 with respect to the conductor.
The conductor composition according to any one of claims 1 to 3, containing 4 wt%.
【請求項5】  前記無機結合剤が、さらに、TiO2
 、ZrO2 、CoO、NiO、Al2 O3 、B
i2 O3 およびSb2 O3 のうちの少なくとも
一種以上を、前記導体に対して10ppm 〜2wt%
 含有する請求項1ないし4のいずれかに記載の導体組
成物。
5. The inorganic binder further comprises TiO2
, ZrO2, CoO, NiO, Al2O3, B
At least one of i2 O3 and Sb2 O3 is added in an amount of 10 ppm to 2 wt% relative to the conductor.
The conductor composition according to any one of claims 1 to 4, comprising:
【請求項6】  請求項1ないし5のいずれかに記載の
導体組成物を用いて外部導体を形成した配線基板。
6. A wiring board in which an outer conductor is formed using the conductor composition according to any one of claims 1 to 5.
【請求項7】  前記外部導体と接して、ガラスを35
〜95wt% 含有する抵抗体を有する請求項6に記載
の配線基板。
7. In contact with the outer conductor, the glass is
The wiring board according to claim 6, further comprising a resistor containing up to 95 wt%.
【請求項8】  前記ガラスは非晶質ガラスを90wt
% 以上含有する請求項7に記載の配線基板。
8. The glass is 90wt amorphous glass.
% or more of the wiring board according to claim 7.
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JP (1) JPH04328207A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002280205A (en) * 2001-03-21 2002-09-27 Kamaya Denki Kk Chip-shaped resistor and its manufacturing method
JP2005063975A (en) * 2003-08-14 2005-03-10 E I Du Pont De Nemours & Co Thick-film conductor paste for automotive glass
CN1317214C (en) * 2003-09-04 2007-05-23 株式会社村田制作所 Conductive paste and ceramic electronic component
JP2015511205A (en) * 2011-12-22 2015-04-16 ヘレウス プレシャス メタルズ ノース アメリカ コンショホーケン エルエルシー Low resistance contact solar cell paste

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