JP2001284235A - Projection exposure system and device manufacturing method - Google Patents

Projection exposure system and device manufacturing method

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JP2001284235A
JP2001284235A JP2000099012A JP2000099012A JP2001284235A JP 2001284235 A JP2001284235 A JP 2001284235A JP 2000099012 A JP2000099012 A JP 2000099012A JP 2000099012 A JP2000099012 A JP 2000099012A JP 2001284235 A JP2001284235 A JP 2001284235A
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JP
Japan
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light
light source
exposure apparatus
exposure
projection exposure
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JP2000099012A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshinori Miwa
良則 三輪
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Canon Inc
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Publication date
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enable inert gas which restrains an optical path space from varying in transmittance to be controlled in concentration so as to improve exposure control more in accuracy. SOLUTION: A light volume sensor 91 detects the volume of light emitted from a light source 91 on prescribed timing. When a detected light volume varies, for instance, decreases, the piping 97c system is increased in gas feed rate by a prescribed volume by an instruction issued from a main control device 30. On the other hand, when a detected light volume by the sensor 91 increases, the piping 97c system is decreased in gas feed rate by a prescribed volume. By a gas feed control as mentioned above, a light absorbing material inside a projection optical system 12 can be substantially and very accurately kept constant in concentration.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明が属する技術分野】本発明は例えば半導体素子、
液晶素子、薄膜磁気ヘッド等の各種デバイスを製造する
ためのリソグラフィ工程でフォトマスクやレチクル等の
原板(以下、レチクルと呼ぶ)上の回路パターンを感光
剤を塗布したウェハ等の基板上に投影転写するための露
光装置、この装置を用いた露光方法、及びデバイスを製
造する際に好適なものである。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a semiconductor device, for example,
In a lithography process for manufacturing various devices such as a liquid crystal element and a thin film magnetic head, a circuit pattern on an original plate (hereinafter, referred to as a reticle) such as a photomask or a reticle is projected and transferred onto a substrate such as a wafer coated with a photosensitive agent. Exposure apparatus, an exposure method using this apparatus, and a device suitable for manufacturing a device.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体素子などの回路パターンの微細化
を向上させるため、露光装置は解像力及び転写忠実度を
高めることが要求される。その要求に応えるための一条
件として、ウェハなどの基板上に塗布された感光剤を適
正な露光量で露光するための制御(露光量制御)を高精
度で行う必要がある。
2. Description of the Related Art In order to improve the miniaturization of circuit patterns of semiconductor elements and the like, an exposure apparatus is required to increase the resolution and the transfer fidelity. As one condition for meeting the demand, it is necessary to perform control (exposure amount control) for exposing a photosensitive agent applied on a substrate such as a wafer with an appropriate exposure amount with high accuracy.

【0003】この種の投影露光装置で用いられる露光方
式としては、ステップアンドリピート方式とステップア
ンドスキャン方式とがある。前者における露光量制御方
法としては、照明光学系内部に設けたセンサで各ショッ
ト露光の間に露光量を計測し、そのセンサからウエハに
いたる光学系(照明光学系の一部と投影光学系)の透過
率を予めある値に仮定しておいてこれを乗算しウエハ上
の推定露光量を求め、これに基づいて次ショットの露光
量を光量調整手段(たとえば、光源出力やNDフィルタ
ー等)を加減する方式が主流である。
There are a step-and-repeat method and a step-and-scan method as an exposure method used in this type of projection exposure apparatus. In the former exposure amount control method, a sensor provided inside the illumination optical system measures the exposure amount during each shot exposure, and the optical system from the sensor to the wafer (part of the illumination optical system and the projection optical system) Is assumed to be a certain value in advance, and is multiplied by this to obtain an estimated exposure amount on the wafer. Based on this, the exposure amount of the next shot is adjusted by light amount adjusting means (for example, a light source output or an ND filter). The method of adjusting is the mainstream.

【0004】また、ステップアンドスキャン方式におい
ては、各ショットをスキャン中、複数パルスで露光する
が、この間、常時、照明光学系内部のセンサで光量を測
定し、ショット内での積算露光量がある所定値(=レジ
ストから決まる最適露光量)に達する様に光源の出力
(例えば、1パルスあたりのエネルギや発振周波数)を
加減する方式がとられている。この場合も、ステップア
ンドリピート方式と同様に、センサからウエハにいたる
光学系(照明光学系の一部と投影光学系)の透過率を予
めある値に仮定しておいてこれを乗算してウエハ上の露
光量を推定している。
In the step-and-scan method, each shot is exposed with a plurality of pulses during scanning. During this time, the amount of light is constantly measured by a sensor inside the illumination optical system, and there is an integrated exposure amount in the shot. A method is used in which the output of the light source (for example, energy per pulse or oscillation frequency) is adjusted so as to reach a predetermined value (= optimal exposure amount determined from the resist). In this case, as in the step-and-repeat method, the transmittance of the optical system (part of the illumination optical system and the projection optical system) from the sensor to the wafer is assumed to be a certain value in advance, and the transmittance is multiplied by a certain value. The above exposure is estimated.

【0005】図14にステップアンドスキャン方式の従
来例を示す。1は光源で、例えば波長248nmの紫外
光を発するKrFエキシマレーザやArFエキシマレー
ザ(193nm)、Fレーザ(157nm)などであ
る。
FIG. 14 shows a conventional example of the step-and-scan method. 1 is a light source, for example, KrF excimer laser or an ArF excimer laser which emits ultraviolet light having a wavelength of 248 nm (193 nm), and the like F 2 laser (157 nm).

【0006】2は減光部材(ND)で、例えば透過率の
異なる複数のNDが複数構成されている。そして、ウェ
ハ14面上で最適な露光量となるようにND駆動手段2
1により組み合わされ、細かい減光率の調整が可能とな
っている。
Reference numeral 2 denotes a dimming member (ND), for example, a plurality of NDs having different transmittances. Then, the ND driving unit 2 controls the ND driving unit 2 so that the optimum exposure amount is obtained on the surface of the wafer 14.
1 to enable fine adjustment of the dimming rate.

【0007】3はビーム成形光学系で、複数の光学素子
やズームレンズから構成されている。ビーム成形光学系
3はレンズ系駆動手段22により駆動することで、後段
のオプティカルインテグレータ4に入射する光束の強度
分布及び角度分布を所望の分布にコントロールしてい
る。オプティカルインテグレータ4は複数の微小レンズ
を2次元的に配置した構成からなり、その射出面近傍に
2次光源を形成している。
Reference numeral 3 denotes a beam shaping optical system which includes a plurality of optical elements and a zoom lens. The beam shaping optical system 3 is driven by the lens system driving unit 22 to control the intensity distribution and the angle distribution of the light beam incident on the optical integrator 4 at the subsequent stage to a desired distribution. The optical integrator 4 has a configuration in which a plurality of microlenses are two-dimensionally arranged, and forms a secondary light source near the exit surface thereof.

【0008】オプティカルインテグレータ4の射出面近
傍には、絞り5が配置され絞り駆動機構23により絞り
の大きさ及び形状を可変としている。6は集光レンズで
オプティカルインテグレータ4の射出面近傍で形成され
た複数の2次光源から射出された光束を集光し、被照射
面であるスキャンブレード7b面に重畳照射してその面
を均一にしている。
A stop 5 is arranged near the exit surface of the optical integrator 4, and the size and shape of the stop are made variable by a stop driving mechanism 23. Reference numeral 6 denotes a condensing lens which collects light beams emitted from a plurality of secondary light sources formed in the vicinity of the emission surface of the optical integrator 4 and superimposes the light beams on the surface of the scan blade 7b, which is the surface to be irradiated, to make the surface uniform. I have to.

【0009】18はハーフミラーで、オプティカルイン
テグレータ4から射出された光束の数%を反射し、積算
露光量センサ17に導光している。17は、露光時の光
量を常時検出するためのディテクタ(照度計、検出器)
であり、ウェハ14面、レチクル10面と光学的に共役
な位置に配置され、その出力に応じた信号を主制御装置
30に送っている。
Reference numeral 18 denotes a half mirror which reflects a few% of the light beam emitted from the optical integrator 4 and guides it to the integrated exposure amount sensor 17. 17 is a detector (illuminometer, detector) for constantly detecting the amount of light during exposure
It is arranged at a position optically conjugate with the surface of the wafer 14 and the surface of the reticle 10, and sends a signal corresponding to the output to the main controller 30.

【0010】スキャンブレード7bは複数の可動な遮光
板から成り、スキャンブレード駆動装置24により任意
の開口形状が形成されるようにして、ウェハ14面上の
露光範囲を規制している。
The scan blade 7b is composed of a plurality of movable light-shielding plates, and regulates the exposure range on the surface of the wafer 14 so that an arbitrary opening shape is formed by the scan blade driving device 24.

【0011】更にスキャンプレード7bは、レチクルス
テージ11、ウェハステージ15と同期して図中矢印方
向に走査移動する。また、スキャンブレード7b近傍に
は、走査露光後の露光面における照度均一性の向上を図
るため、可変スリット7aが配置されている。
Further, the scan blade 7b scans and moves in the direction of the arrow in the figure in synchronization with the reticle stage 11 and the wafer stage 15. A variable slit 7a is arranged near the scan blade 7b in order to improve the illuminance uniformity on the exposed surface after the scanning exposure.

【0012】8a、8bは結像レンズで、スキャンブレ
ード7bの開口形状を被照射面としてのレチクル10面
上に転写し、レチクル面10上の必要な領域を均一に照
明している。
Reference numerals 8a and 8b denote imaging lenses, which transfer the opening shape of the scan blade 7b onto the reticle 10 as a surface to be illuminated, and uniformly illuminate a required area on the reticle surface 10.

【0013】ここで、レーザ1より後段からレチクル1
0より前段の光学系を総称して照明光学系と呼ぶことと
する。
Here, the reticle 1 is disposed after the laser 1.
The optical systems preceding 0 are collectively referred to as an illumination optical system.

【0014】レチクル10はレチクルステージ11によ
って保持され、レチクルステージ11はレチクルステー
ジ駆動装置25によって制御されている。
The reticle 10 is held by a reticle stage 11, and the reticle stage 11 is controlled by a reticle stage driving device 25.

【0015】12はレチクル10面上の回路パターンを
ウェハ14面上に縮小投影する投影光学系であり、複数
のレンズ(12a〜12n)から成る。13は投影光学
系の瞳領域を制限するNA絞りで、NA絞り駆動装置2
6にてその開口寸法を変化させ、投影光学系12のNA
を可変としている。14はレチクル10面上の回路パタ
ーンが投影転写されるウェハ(基板)であり、露光面に
位置している。15はウェハ14を保持し光軸方向及び
光軸と直交する平面に沿って2次元的に動くウェハステ
ージである。ウェハステージ15はウェハステージ駆動
装置27によって制御されている。
Reference numeral 12 denotes a projection optical system for reducing and projecting a circuit pattern on the reticle 10 on the wafer 14 and comprises a plurality of lenses (12a to 12n). Reference numeral 13 denotes an NA stop for limiting a pupil area of the projection optical system, and an NA stop driving device 2
6, the aperture size is changed, and the NA of the projection optical system 12 is changed.
Is variable. Reference numeral 14 denotes a wafer (substrate) on which a circuit pattern on the reticle 10 is projected and transferred, and is located on the exposure surface. Reference numeral 15 denotes a wafer stage that holds the wafer 14 and moves two-dimensionally along a plane orthogonal to the optical axis direction and the optical axis. The wafer stage 15 is controlled by a wafer stage driving device 27.

【0016】露光時には、レチクルステージ11とウェ
ハステージ15が同期しながら、図中矢印の方向に走査
露光を行う。
At the time of exposure, the reticle stage 11 and the wafer stage 15 perform scanning exposure in the direction of the arrow in FIG.

【0017】16はウェハ14面上に入射する露光光の
光量を検出するためのディテクタ(照度計、検出器)で
あり、ウェハ14面に受光部を一致させ照射領域内の照
明光をウェハステージ15の駆動と共に移動して受光
し、その出力に応じた信号を主制御装置30に送ってい
る。30は主制御装置であり、各装置21〜27を制御
している。
Reference numeral 16 denotes a detector (illuminometer, detector) for detecting the amount of exposure light incident on the surface of the wafer 14, the light receiving portion of which is aligned with the surface of the wafer 14, and the illumination light in the irradiation area is transmitted to the wafer stage. The light receiving unit 15 moves along with the driving of the light receiving unit 15 and receives the light, and sends a signal corresponding to the output to the main control device 30. Reference numeral 30 denotes a main controller, which controls each of the devices 21 to 27.

【0018】ステップアンドスキャン方式の露光方法
は、レチクル10とウェハ14が図14の矢印方向に同
期しながら走査露光を行う。投影光学系の縮小倍率が1
/βの際には、ウェハステージ15の走査速度がV(m
m/sec)のとき、レチクルステージ11の走査速度
はβV(mm/sec)である。また、ウェハステージ
15の走査方向とレチクルステージ11の走査方向は、
互いに反対の方向である。
In the exposure method of the step-and-scan method, the reticle 10 and the wafer 14 perform scanning exposure while synchronizing in the direction of the arrow in FIG. The reduction ratio of the projection optical system is 1
/ Β, the scanning speed of the wafer stage 15 is V (m
m / sec), the scanning speed of the reticle stage 11 is βV (mm / sec). The scanning direction of the wafer stage 15 and the scanning direction of the reticle stage 11 are
The directions are opposite to each other.

【0019】ここで、従来の露光量制御方法について説
明する。
Here, a conventional exposure amount control method will be described.

【0020】各種照明モード(NA/σ条件や輪帯照明
条件)に対するウェハ面14上照度をディテクタ16で
計測し、照明光学系内にある積算露光量測定センサ17
との出力較正を予めおこなっておき、較正結果を記憶し
ておく。合わせて、各種照明モードにおいて、露光領域
の照度分布をディテクタ16を2次元的に移動させて計
測し、走査露光したときに照度分布が均一になるような
形状を可変スリット7aで達成し、記憶しておく。
The illuminance on the wafer surface 14 in various illumination modes (NA / σ conditions and annular illumination conditions) is measured by a detector 16 and an integrated exposure amount measuring sensor 17 in an illumination optical system.
Output calibration is performed in advance, and the calibration result is stored. In addition, in various illumination modes, the illuminance distribution of the exposure area is measured by moving the detector 16 two-dimensionally, and the variable slit 7a achieves a shape such that the illuminance distribution becomes uniform when scanning exposure is performed. Keep it.

【0021】次に任意の照明モードが指定され、そのと
きの露光量が設定されると、ウェハステージ15の走査
速度V(mm/sec)と可変スリット7aの走査方向
の幅W(mm)、レーザ発振周波数F(Hz)が式
(1)を満足するように各々決定される。
Next, when an arbitrary illumination mode is designated and the exposure amount at that time is set, the scanning speed V (mm / sec) of the wafer stage 15, the width W (mm) of the variable slit 7a in the scanning direction, The laser oscillation frequency F (Hz) is determined so as to satisfy Expression (1).

【0022】V = F×W/n (1) ここに、nは露光パルス数で、露光面上の1点に注目し
たとき、走査露光中に照射されるパルスの数である。
V = F × W / n (1) where n is the number of exposure pulses, which is the number of pulses applied during scanning exposure when focusing on one point on the exposure surface.

【0023】パルス数は使用するレジストの感度と光源
のパルスエネルギーなどから最小値が決定され、露光に
は最小値以上のパルス数が必要である。
The minimum value of the number of pulses is determined from the sensitivity of the resist to be used and the pulse energy of the light source, and the exposure requires a pulse number equal to or greater than the minimum value.

【0024】実際の露光では、スループット向上のため
に走査速度Vを高く維持する必要がある。そこで、可変
スリットの走査方向の幅W(mm)は照明モード毎に固
定となるので、パルス数nの最小条件を満たすように、
光源1の出力(パルスエネルギーや発振周波数F)やN
D2の調整を行い、常時積算露光量測定センサ17でモ
ニタしながら露光量のフィードバック制御を行ってい
た。
In actual exposure, it is necessary to keep the scanning speed V high in order to improve the throughput. Therefore, the width W (mm) of the variable slit in the scanning direction is fixed for each illumination mode, so that the minimum condition of the pulse number n is satisfied.
The output (pulse energy and oscillation frequency F) of the light source 1 and N
The adjustment of D2 is performed, and the feedback control of the exposure amount is performed while constantly monitoring the integrated exposure amount measurement sensor 17.

【0025】つまり、露光中の露光量制御は照明光学系
内のセンサで常時行っているが、そのセンサの出力値と
実際の露光面の照度との較正は露光を停止して行う必要
があった。
That is, the exposure amount control during the exposure is always performed by the sensor in the illumination optical system, but the calibration of the output value of the sensor and the illuminance of the actual exposure surface needs to be performed after stopping the exposure. Was.

【0026】[0026]

【発明が解決しようとする課題】近年の露光装置は解像
度の更なる向上を図るため、露光波長をi線(波長:3
65nm)からKrFエキシマレーザ(248nm)、
ArFエキシマレーザ(193nm)と短くしてきてい
る。今後もFレーザ(157nm)など更なる短波長
化が進んでいくと考えられる。
In recent exposure apparatuses, the exposure wavelength is set to i-line (wavelength: 3) in order to further improve the resolution.
65 nm) to KrF excimer laser (248 nm),
It has been shortened to an ArF excimer laser (193 nm). It also considered proceed is an F 2 laser (157 nm), such as a further shorter wavelength.

【0027】露光波長が短くなると、フォトンエネルギ
ーが高くなるため、光学部材(硝子材料やコーティング
材料)や光路中雰囲気の物質などと光化学反応を起こす
可能性が高くなる。その結果として、光学系の透過率が
変化してしまうことが懸念される。
When the exposure wavelength is shortened, the photon energy is increased, so that the possibility of causing a photochemical reaction with an optical member (a glass material or a coating material) or a substance in an atmosphere in an optical path is increased. As a result, there is a concern that the transmittance of the optical system changes.

【0028】たとえば、石英に関する基礎研究のデータ
からは、レーザ照射によって短期的吸収と長期的劣化の
両方が存在し、さらには、照射を休止すると一旦吸収が
低下(透過率の回復)し、再度照射を開始すると再びそ
れまでの吸収曲線に回帰(吸収の復帰)するという知見
が得られている。従って、露光装置においても、透過率
変動の程度は、露光条件(レーザパルスのエネルギー、
パルス数、照明モード、レチクル透過率、露光の休止度
等)によって複雑に異なってくる。
For example, from the data of basic research on quartz, laser irradiation shows both short-term absorption and long-term deterioration, and furthermore, once the irradiation is stopped, the absorption temporarily drops (recovery of transmittance), and again. It has been found that when irradiation is started, the absorption curve returns to the previous absorption curve (recovery of absorption). Therefore, also in the exposure apparatus, the degree of the transmittance variation depends on the exposure conditions (energy of laser pulse,
It depends on the number of pulses, the illumination mode, the reticle transmittance, the degree of rest of exposure, etc.).

【0029】従って、図14に示すような従来の露光装
置では、常時光量をモニターしている積算露光量センサ
17が照明光学系内に配置されているため、ハーフミラ
ー18以降の光学系の透過率変化が発生すると、ウェハ
14面上の露光量を正確にモニターすることが出来なく
なり、露光量制御の正確性が低下することになる。
Therefore, in the conventional exposure apparatus as shown in FIG. 14, since the integrated exposure amount sensor 17 which constantly monitors the light amount is arranged in the illumination optical system, the light transmitted through the optical system after the half mirror 18 is transmitted. When the rate change occurs, it becomes impossible to accurately monitor the exposure amount on the surface of the wafer 14, and the accuracy of the exposure amount control is reduced.

【0030】また、露光量制御の正確性を向上させるた
めには、頻繁に露光を停止して露光面の照度を計測し、
積算露光量センサ17の出力を較正させなければなら
ず、スループットの低下を招くことになる。
In order to improve the accuracy of the exposure control, the exposure is frequently stopped and the illuminance on the exposed surface is measured.
The output of the integrated exposure sensor 17 must be calibrated, which causes a decrease in throughput.

【0031】更に、これらのレンズが置かれる雰囲気の
光路空間の透過率の変動も問題である。
Further, there is also a problem in the variation of the transmittance in the optical path space of the atmosphere in which these lenses are placed.

【0032】そこで、本発明は、光路空間の透過率を検
出することができる投影露光装置を提供することを目的
としている。
Accordingly, an object of the present invention is to provide a projection exposure apparatus capable of detecting the transmittance in the optical path space.

【0033】又、本発明は、光路空間透過率の変動を押
さえる不活性ガスパージ制御が可能となり、露光量制御
精度を更に向上することが可能な、高性能で高信頼性の
投影露光装置を提供することを課題としている。
Further, the present invention provides a high-performance and high-reliability projection exposure apparatus capable of performing inert gas purge control for suppressing fluctuations in optical path space transmittance and further improving exposure amount control accuracy. The challenge is to do.

【0034】[0034]

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めの本発明は、第1の光源からの光で原板上のパターン
を基板上に投影する露光装置において、該第1の光源と
は別の第2の光源と、該第2の光源からの光の光量を検
出する光量検出手段を備え、該光量検出手段により該第
1の光源から該基板までの露光光路の雰囲気の内、少な
くとも一部の雰囲気を通過した該第2の光源からの光の
光量を検出する。
According to the present invention, there is provided an exposure apparatus for projecting a pattern on an original onto a substrate by using light from a first light source. A second light source; and a light amount detecting unit that detects a light amount of the light from the second light source. The light amount detecting unit detects at least an atmosphere in an exposure optical path from the first light source to the substrate. The amount of light from the second light source that has passed through a part of the atmosphere is detected.

【0035】又、本発明は、所定の気体に対して露光光
よりも吸収が大きい光を使って露光光路の少なくとも一
部における前記気体濃度変化を検出する。
Further, according to the present invention, the change in the gas concentration in at least a part of the exposure light path is detected using light having a larger absorption than the exposure light for a predetermined gas.

【0036】[0036]

【発明の実施の形態】図1は、第1光源による投影露光
を説明するためのブロック図であり、第2光源を省略し
た図である。この装置は、例えば半導体素子、液晶素
子、薄膜磁気ヘッド等の各種デバイスを製造する際に用
いるステップアンドスキャン方式の露光装置をモデルと
している。この装置では、投影光学系12のNA絞り1
3面上部に光検出器40が配置されている。その他の光
学系及び装置は図14の符号に対応している。ここで、
第1光源はF2エキシマレーザー(波長157nm)で
あるが、ArFエキシマレーザー(波長193nm)や
KrFエキシマレーザー(波長248nm)である構成
も取れる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a block diagram for explaining projection exposure by a first light source, in which a second light source is omitted. This apparatus is modeled on a step-and-scan exposure apparatus used for manufacturing various devices such as a semiconductor element, a liquid crystal element, and a thin-film magnetic head. In this apparatus, the NA stop 1 of the projection optical system 12 is
The photodetector 40 is arranged on the upper part of the three surfaces. Other optical systems and devices correspond to the reference numerals in FIG. here,
The first light source is an F 2 excimer laser (wavelength 157 nm), but may be an ArF excimer laser (wavelength 193 nm) or a KrF excimer laser (wavelength 248 nm).

【0037】光検出器40は、照明光学系全系及び投影
光学系の一部を透過してきた光を受光するため、従来よ
りもウェハ14面上の露光量を正確にモニターして、露
光量制御することが可能となっている。
Since the photodetector 40 receives light transmitted through the entire illumination optical system and a part of the projection optical system, the photodetector 40 monitors the exposure amount on the surface of the wafer 14 more accurately than in the past, and It is possible to control.

【0038】露光中はレチクルステージ11上にレチク
ル10が配置され、レチクル10上の回路パターンを照
明する。照明により発生する回路パターンの回折光は、
投影光学系12によりウェハ14面上で再結像してい
る。この結像に寄与する回折光は、NA絞り13でけら
れることのない、0〜±1次(低次)の回折光である。
一方、高次の回折光はNA絞り13や投影光学系12の
外側に向かって飛ぶため、結像には寄与しない。
During exposure, the reticle 10 is placed on the reticle stage 11 and illuminates the circuit pattern on the reticle 10. The diffracted light of the circuit pattern generated by illumination is
The image is re-imaged on the surface of the wafer 14 by the projection optical system 12. The diffracted light that contributes to the image formation is 0- ± 1st-order (lower-order) diffracted light that is not shaken by the NA diaphragm 13.
On the other hand, the high-order diffracted light flies toward the outside of the NA stop 13 and the projection optical system 12, and does not contribute to image formation.

【0039】従って、NA絞り13面上に光検出器40
を配置することで高次回折光を受光し、その光量変化を
モニターすることで、ウェハ14面近傍までの光学系の
透過率変化を検出することができる。また、検出した透
過率変化を積算露光量測定センサ17の結果に反映させ
て、光源1の出力やND2の調整に対してフィードバッ
ク制御を行うことで、より正確な露光量制御が可能とな
る。
Accordingly, the photodetector 40 is provided on the surface of the NA stop 13.
By disposing high-order diffracted light and monitoring the change in the amount of light, a change in the transmittance of the optical system up to the vicinity of the surface of the wafer 14 can be detected. Further, by performing feedback control on the output of the light source 1 and the adjustment of the ND 2 by reflecting the detected change in the transmittance in the result of the integrated exposure amount measurement sensor 17, more accurate exposure amount control becomes possible.

【0040】図2は、図1の投影露光装置による露光量
制御方法を示すフローチャートである。
FIG. 2 is a flowchart showing an exposure amount control method by the projection exposure apparatus of FIG.

【0041】ステップ100において、各種照明モード
(NA/σ条件や輪帯照明条件)に対するウェハ面14
上照度をディテクタ16で計測し、照明光学系内にある
積算露光量測定センサ17との出力較正を予めおこなっ
ておき、較正結果を記憶しておく。
In step 100, the wafer surface 14 for various illumination modes (NA / σ conditions and annular illumination conditions)
The upper illuminance is measured by the detector 16, output calibration with the integrated exposure amount measuring sensor 17 in the illumination optical system is performed in advance, and the calibration result is stored.

【0042】ステップ200において、各種照明モード
において、露光面の照度分布をディテクタ16を2次元
的に移動させて計測し、走査露光したときに照度分布が
均一になるような条件を可変スリット7aで記憶してお
く。
In step 200, in various illumination modes, the illuminance distribution on the exposure surface is measured by moving the detector 16 two-dimensionally, and conditions for making the illuminance distribution uniform during scanning exposure are set by the variable slit 7a. Remember.

【0043】次にステップ300において、任意の照明
モードが指定され、そのときの露光量が設定されると、
ウェハステージ15の走査速度V(mm/sec)と可
変スリット7aの走査方向の幅W(mm)、レーザ発振
周波数F(Hz)が、前述の式(1)を満足するように
各々決定される。
Next, in step 300, when an arbitrary illumination mode is designated and the exposure amount at that time is set,
The scanning speed V (mm / sec) of the wafer stage 15, the width W (mm) of the variable slit 7a in the scanning direction, and the laser oscillation frequency F (Hz) are determined so as to satisfy the above expression (1). .

【0044】次にステップ400において、実際の露光
工程に入るため、任意のパターンが描画されたレチクル
10が露光領域に配置され、レチクル10とウェハ14
が同期しながら走査露光を行う。投影光学系の縮小倍率
が1/βの際には、ウェハステージ15の走査速度がV
(mm/sec)のとき、レチクルステージ11の走査
速度はβV(mm/sec)である。また、走査方向は
ウェハステージとレチクルステージは互いに反対の方向
である。
Next, in step 400, in order to enter the actual exposure step, the reticle 10 on which an arbitrary pattern is drawn is placed in the exposure area, and the reticle 10 and the wafer 14
Perform scanning exposure in synchronism. When the reduction magnification of the projection optical system is 1 / β, the scanning speed of the wafer stage 15 is V
At (mm / sec), the scanning speed of the reticle stage 11 is βV (mm / sec). The scanning direction is the direction opposite to that of the wafer stage and the reticle stage.

【0045】そして、ステップ500において、NA絞
り13上の光検出器40に到達する光量を、走査露光中
のあるタイミングで定期的に計測する。
In step 500, the amount of light reaching the photodetector 40 on the NA diaphragm 13 is periodically measured at a certain timing during the scanning exposure.

【0046】更に、ステップ510において、その計測
信号の変動を検出することで、光学系の透過率変化を逐
次算出する。
Further, in step 510, a change in the transmittance of the optical system is sequentially calculated by detecting a change in the measurement signal.

【0047】一方、ステップ520において、積算露光
量センサ17で露光量をモニターしておく。
On the other hand, in step 520, the exposure amount is monitored by the integrated exposure amount sensor 17.

【0048】最後に、ステップ600において、計算に
より求められた透過率変化は、積算露光量測定センサ1
7からの値に反映され、より正確な露光量制御が実行さ
れる。
Finally, in step 600, the change in the transmittance obtained by the calculation is calculated by the integrated exposure amount measuring sensor 1.
7, the exposure amount is more accurately controlled.

【0049】図3は、回折光を発生するレチクルパター
ン上を走査して露光する様子を説明するための平面図で
ある。レチクル透過率、及びパターンに応じた回折光の
飛び方が逐次変化するため、光検出器40に到達する光
量が露光中常に変動してしまう点に注意が必要である。
FIG. 3 is a plan view for explaining how a reticle pattern that generates diffracted light is scanned and exposed. It is necessary to pay attention to the fact that the amount of light reaching the photodetector 40 always fluctuates during the exposure because the diffracted light fly according to the reticle transmittance and the pattern changes successively.

【0050】そこで、光検出器40で計測するタイミン
グを考慮し、光学系の透過率変化のみを的確に把握する
方法が必要である。
Therefore, it is necessary to provide a method for accurately grasping only the change in the transmittance of the optical system in consideration of the timing measured by the photodetector 40.

【0051】図4は走査露光中、検出器40に到達する
光量を2種類のレチクルについてモニターした結果であ
る。検出される光量は、レチクルパターンの違いやショ
ット内の時間(走査露光中)の影響を含んで変動してい
るが、ショット毎には周期性を持っている。従って、シ
ョット内の検出光量の積算値(1ショット中の総検出光
量)や平均値を1データとして取得し、逐次データ毎の
変化を検出することで、光学系の透過率変化を検出する
方法が考えられる。また、ショット内の特定のタイミン
グ(走査露光領域のある特定のポイント)にあるときの
光量を1データとして、その変化を逐次検出しても良
い。
FIG. 4 shows the result of monitoring the amount of light reaching the detector 40 during scanning exposure for two types of reticles. The detected light amount fluctuates including the influence of the difference in the reticle pattern and the time within the shot (during scanning exposure), but each shot has periodicity. Accordingly, a method of detecting the change in the transmittance of the optical system by acquiring the integrated value (total detected light amount in one shot) or the average value of the detected light amounts in a shot as one data and sequentially detecting a change for each data. Can be considered. Further, a change in the light amount at a specific timing (a specific point in the scanning exposure area) within a shot may be set as one data and the change may be sequentially detected.

【0052】図5は、図1の投影露光装置を用いた別の
露光量制御方法を示すフローチャートである。各種照明
モードに対するウェハ14面上照度と積算露光量測定セ
ンサ17との出力較正から、設定露光量を実現するため
のパラメータ決定までは図2と同様である。
FIG. 5 is a flowchart showing another exposure amount control method using the projection exposure apparatus of FIG. The processes from the calibration of the illuminance on the wafer 14 surface for various illumination modes and the output of the integrated exposure amount measuring sensor 17 to the determination of the parameters for realizing the set exposure amount are the same as those in FIG.

【0053】図2で示した方法と異なる点は、ステップ
501であり、回折光を発生させる専用マークをレチク
ル上に設けて、非露光中の特定のタイミング(例えばシ
ョット間毎、アライメント計測時、もしくはウェハ交換
時)に上記専用マークからの回折光を光検出器40で受
光する点である。
The difference from the method shown in FIG. 2 is step 501, in which a special mark for generating diffracted light is provided on the reticle, and a specific timing during non-exposure (for example, between shots, during alignment measurement, Or at the time of wafer replacement), in that the photodetector 40 receives the diffracted light from the dedicated mark.

【0054】レチクル10上に描画される専用マーク
は、使用される照明モードを予め想定して設計されるよ
うにし、光検出器40に確実に回折光が到達するように
なっている。こうして検出された信号に基づいて、光学
系の透過率変化を計算する。
The special mark drawn on the reticle 10 is designed by assuming the illumination mode to be used in advance, so that the diffracted light reaches the photodetector 40 without fail. Based on the signal thus detected, a change in the transmittance of the optical system is calculated.

【0055】算出された透過率変化は積算露光量測定セ
ンサ17からの値に反映され、光源1の出力やND2の
調整にフィードバックされることで、より正確な露光量
制御が可能となる。
The calculated change in the transmittance is reflected on the value from the integrated exposure amount measuring sensor 17 and is fed back to the output of the light source 1 and the adjustment of the ND 2, thereby enabling more accurate exposure amount control.

【0056】透過率測定のタイミングはショット間やア
ライメント計測時、ウェハ交換時などの非露光時を見は
からって計測を行うため、特別な計測時間を設ける必要
がなく生産効率の優れた露光量制御が可能となる。
The transmittance measurement is performed while taking into account the non-exposure time between shots, alignment measurement, wafer exchange, etc., so that there is no need to provide a special measurement time and the exposure is excellent in production efficiency. The amount can be controlled.

【0057】尚、専用マークは図4のレチクル基準マー
ク101等のように予め設けられているマークを使用し
ても良い。
Incidentally, as the special mark, a mark provided in advance, such as the reticle reference mark 101 in FIG. 4, may be used.

【0058】尚、本実施例ではステップアンドスキャン
方式の露光装置について説明したが、ステップアンドリ
ピート方式の露光装置についても同様の効果が期待でき
る。ステップアンドリピート方式では回折光を発生させ
るレチクルパターンが固定されているため、ショット毎
の検出光量の積算値や平均値を1データとして、その変
化を検出することで光学系の透過率変化を求めれば良
い。
In this embodiment, the exposure apparatus of the step-and-scan type has been described. However, the same effect can be expected with an exposure apparatus of the step-and-repeat type. In the step-and-repeat method, the reticle pattern that generates the diffracted light is fixed, so that the change in the transmittance of the optical system can be obtained by detecting the change in the integrated value or average value of the detected light amount for each shot as one data. Good.

【0059】図6は、投影露光装置の別の例を示す概略
図であり、第2光源を省略した図である。ステップアン
ドスキャン方式の露光装置をモデルとしている。図1の
投影露光装置のブロック図と異なる点は、投影光学系1
2のNA絞り13面下部に光検出器41を配置している
点である。その他の光学系及び装置は図1の符号に対応
している。
FIG. 6 is a schematic diagram showing another example of the projection exposure apparatus, in which the second light source is omitted. The model is a step-and-scan exposure apparatus. The difference from the block diagram of the projection exposure apparatus of FIG.
2 is that the photodetector 41 is arranged below the surface of the NA stop 13. Other optical systems and devices correspond to those in FIG.

【0060】露光中ウェハ14面上で発生する反射散乱
光のうち、NA絞り13下部の光検出器41に到達する
光に注目し、NA絞り13下部に光検出器41を配置し
て、受光した光量変化を検出する。
Focusing on the light scattered on the surface of the wafer 14 during exposure that reaches the photodetector 41 below the NA aperture 13, the photodetector 41 is arranged below the NA aperture 13 to receive light. The detected light quantity change is detected.

【0061】検出された光量変化から透過率変化を算出
し、この結果は積算露光量測定センサ17からの値に反
映され、より正確な露光量制御が実行される。
A change in the transmittance is calculated from the detected change in the amount of light, and the result is reflected in the value from the integrated exposure amount measuring sensor 17, so that more accurate exposure amount control is executed.

【0062】光検出器41は、照明光学系及び投影光学
系の全てを透過して、ウェハ14面上で反射してきた光
を受光するため、従来よりもウェハ14面上の露光量を
正確にモニターして、露光量制御することが可能となっ
ている。
The photodetector 41 receives the light reflected on the surface of the wafer 14 through all of the illumination optical system and the projection optical system, so that the amount of exposure on the surface of the wafer 14 can be more accurately than in the prior art. It is possible to monitor and control the exposure amount.

【0063】図6の装置を使用する露光量制御方法を図
2を用いて説明する。各種照明モードに対するウェハ1
4面上の照度と積算露光量測定センサ17との出力較正
から、設定露光量を実現するためのパラメータ決定まで
は第1の露光量制御方法と同じである。
An exposure control method using the apparatus shown in FIG. 6 will be described with reference to FIG. Wafer 1 for various illumination modes
The process from the calibration of the illuminance on the four surfaces and the output of the integrated exposure amount measurement sensor 17 to the determination of the parameters for realizing the set exposure amount is the same as the first exposure amount control method.

【0064】その後の工程では、ステップ500におい
て、露光中に、NA絞り13下部の光検出器41に到達
する光量を定期的に検出する。そして、ステップ510
において、検出結果は逐次比較され、透過率変化が計算
される。
In the subsequent steps, in step 500, during exposure, the amount of light reaching the photodetector 41 below the NA aperture 13 is periodically detected. And step 510
In, the detection results are sequentially compared, and the change in transmittance is calculated.

【0065】算出された透過率変化を積算露光量測定セ
ンサ17の結果に反映させて、光源1の出力やND2の
調整に対してフィードバック制御を行うことで、より正
確な露光量制御が可能となる。
By reflecting the calculated change in the transmittance on the result of the integrated exposure amount measuring sensor 17 and performing feedback control on the output of the light source 1 and the adjustment of the ND 2, more accurate exposure amount control becomes possible. Become.

【0066】走査露光の場合、図3に示したように、回
折光を発生するレチクルパターン上を走査して露光す
る。従って、レチクル透過率によって光量が逐次変化す
る。また、露光中のウェハ14面上には、数種類の回路
を何層にも積み上げたパターンが形成されることが多
く、反射散乱光の飛ぶ方向はウェハ14上に形成されて
いるパターン形状に依存するため、光検出器41に到達
する光量が露光中常に変動してしまう点に注意が必要で
ある。
In the case of scanning exposure, as shown in FIG. 3, exposure is performed by scanning a reticle pattern that generates diffracted light. Therefore, the light amount changes sequentially according to the reticle transmittance. Also, a pattern in which several types of circuits are stacked in many layers is often formed on the surface of the wafer 14 during exposure, and the direction in which the reflected scattered light travels depends on the pattern shape formed on the wafer 14. Therefore, it is necessary to pay attention to the fact that the amount of light reaching the photodetector 41 always changes during exposure.

【0067】従って、光検出器41でモニターするタイ
ミングを考慮し、光学系の透過率変化のみを的確に把握
する方法が必要である。例えば、ショット内の積算値検
出光量(1ショット中の総検出光量)や平均値を1デー
タとして、その変化を検出することで、光学系の透過率
変化を検出する方法や、ショット内の特定のタイミング
(走査露光領域のある特定のポイント)にあるときの光
量を1データとして、その変化を検出しても良い。
Therefore, it is necessary to provide a method for accurately grasping only the change in the transmittance of the optical system in consideration of the timing monitored by the photodetector 41. For example, a method of detecting a change in the transmittance of an optical system by detecting a change in an integrated value detection light amount (a total detection light amount in one shot) or an average value in one shot as one data, and a method of identifying a change in a shot. At the timing (a certain point in the scanning exposure area) as one data, the change may be detected.

【0068】図6の装置を用いる別の露光量制御方法を
図5を用いて説明する。各種照明モードに対するウェハ
16面上照度と積算露光量測定センサ17との出力較正
から、設定露光量を実現するためのパラメータ決定まで
は第1〜第3の露光方法と同様である。
Another exposure amount control method using the apparatus of FIG. 6 will be described with reference to FIG. The processes from the calibration of the illuminance on the surface of the wafer 16 for various illumination modes and the output of the integrated exposure amount measuring sensor 17 to the determination of the parameters for realizing the set exposure amount are the same as the first to third exposure methods.

【0069】異なる点は、ステップ501であり、ウェ
ハ14からの反射光を発生させる専用マークをウェハス
テージ15上に設けて、非露光中(ショット間毎、もし
くはアライメント計測時、もしくはウェハ交換時)に上
記専用マークからの反射光を光検出器41で受光する点
である。
The difference is in step 501, in which a dedicated mark for generating reflected light from the wafer 14 is provided on the wafer stage 15, and during non-exposure (each shot, during alignment measurement, or when replacing the wafer). Another point is that the reflected light from the dedicated mark is received by the photodetector 41.

【0070】ウェハステージ15上に描画される専用マ
ークは、使用される照明モードを予め想定して設計され
るようにし、光検出器41に確実に反射光が到達するよ
うになっている。
The special mark drawn on the wafer stage 15 is designed by assuming the illumination mode to be used in advance, so that the reflected light reaches the photodetector 41 without fail.

【0071】ステップ510において、こうして検出さ
れた信号に基づいて、光学系の透過率変化を計算する。
In step 510, a change in the transmittance of the optical system is calculated based on the signal thus detected.

【0072】算出された透過率変化は積算露光量測定セ
ンサ17からの値に反映され、光源1の出力やND2の
調整にフィードバックされることで、より正確な露光量
制御が可能となる。
The calculated change in the transmittance is reflected on the value from the integrated exposure amount measuring sensor 17 and is fed back to the output of the light source 1 and the adjustment of the ND 2, thereby enabling more accurate exposure amount control.

【0073】透過率測定のタイミングはショット間やア
ライメント計測時、ウェハ交換時などの非露光時を見は
からって計測を行うため、特別な計測時間を設ける必要
がなく生産効率の優れた露光量制御が可能となる。
The transmittance is measured at the time of non-exposure such as between shots, alignment measurement, and wafer exchange, so that it is not necessary to provide a special measurement time, and the exposure is excellent in production efficiency. The amount can be controlled.

【0074】尚、専用マークはアライメント計測用マー
クなど、予め設けられているマークを使用しても良い。
Note that a mark provided in advance, such as an alignment measurement mark, may be used as the dedicated mark.

【0075】以上から、投影光学系を含めた概全光学系
の透過率変化を考慮して、より正確な露光量制御が可能
となる。
As described above, more accurate exposure amount control can be performed in consideration of the transmittance change of the almost entire optical system including the projection optical system.

【0076】図7は、図1の投影露光装置に、さらに光
路雰囲気の変動を検出する手段を備えた本発明の投影露
光装置のブロック図である。
FIG. 7 is a block diagram of a projection exposure apparatus according to the present invention, which further comprises means for detecting a change in the optical path atmosphere in the projection exposure apparatus of FIG.

【0077】光検出器40は積算露光量センサ17の光
路分岐部以降の光学系のトータル効率変動のモニターを
しているもので、詳しくは、光学素子の効率変動と光路
空間の効率変動を合わせてモニターするものである。
The photodetector 40 monitors the total efficiency variation of the optical system after the optical path branching portion of the integrated exposure sensor 17. More specifically, the photodetector 40 combines the efficiency variation of the optical element and the efficiency variation of the optical path space. To monitor.

【0078】図7の装置は、光路雰囲気の変動のみを独
立して、かつ高精度に検出することで、積算露光量セン
サ17の光路分岐部以降の光学系効率変動をより小さく
押さえ、さらに残った変動分を露光量制御により高精度
に反映すると共に、光学素子の効率変動のみを露光装置
が自動で検知できることを狙いとしている。以下、図に
従って説明する。
The apparatus shown in FIG. 7 independently and accurately detects only a change in the light path atmosphere, thereby suppressing a change in the efficiency of the optical system after the light path branching portion of the integrated exposure amount sensor 17 to a smaller extent and further reducing the change. It is intended that the fluctuations can be reflected with high precision by controlling the exposure amount, and that the exposure apparatus can automatically detect only the fluctuations in the efficiency of the optical element. Hereinafter, description will be made with reference to the drawings.

【0079】図7において、図1と同じ要素については
同じ番号を付け説明は省略する。91は光源1とは別の
光源で、本実施例においては発光源として重水素ランプ
を用いた場合について述べる。光源91から射出した光
は、投影光学系12内のレンズ空間を通過して光量セン
サー92に入射する。この時、光源91から光量センサ
ー92までの光路に存在する気体成分と、光源91から
の光の波長により、光量センサー92で検出される光量
が変動することになるが、図8及び図10を用いて詳し
く説明する。
In FIG. 7, the same elements as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. Reference numeral 91 denotes a light source different from the light source 1, and in this embodiment, a case where a deuterium lamp is used as a light source will be described. The light emitted from the light source 91 passes through the lens space in the projection optical system 12 and enters the light amount sensor 92. At this time, the light amount detected by the light amount sensor 92 fluctuates depending on the gas component existing in the optical path from the light source 91 to the light amount sensor 92 and the wavelength of the light from the light source 91. This will be described in detail with reference to FIG.

【0080】図8は酸素の光吸収特性を示す図であり、
横軸に波長(単位nm)、縦軸に吸収係数(cm当り)
を示している。吸収係数をk、酸素レイヤーの厚さを
x、ガス分圧をpとした時、光の透過率(I/I0)は
次式で示される。
FIG. 8 is a graph showing light absorption characteristics of oxygen.
Wavelength (unit: nm) on the horizontal axis, absorption coefficient (per cm) on the vertical axis
Is shown. When the absorption coefficient is k, the thickness of the oxygen layer is x, and the gas partial pressure is p, the light transmittance (I / I 0 ) is expressed by the following equation.

【0081】I/I0=exp(−k・p・x) 図8によると、波長200nm付近から180nm付近
にかけて不連続な強い吸収帯が存在し、180nmから
130nm付近までは連続した強い吸収帯があることが
わかる。
I / I 0 = exp (−k · p · x) According to FIG. 8, there is a discontinuous strong absorption band from a wavelength around 200 nm to around 180 nm, and a continuous strong absorption band from 180 nm to around 130 nm. It turns out that there is.

【0082】従って、酸素のガス分圧の変動を検出する
場合は、光源1として158nm付近の発振波長を有す
るFエキシマレーザーを用いた場合は、光源91の光
の波長としては、光源1の発振波長より短波長で140
nmより長波長の光を用い、光源1として193nm付
近の発振波長を有するArFエキシマレーザーを用いた
場合は、光源91の光として140nmから170nm
の波長を用いることで、露光波長を用いる場合より高感
度に酸素分圧の変動を検出することが可能である。
Therefore, when detecting a variation in the partial pressure of oxygen gas, when an F 2 excimer laser having an oscillation wavelength of around 158 nm is used as the light source 1, the light wavelength of the light source 91 is 140 at shorter wavelength than oscillation wavelength
When light having a wavelength longer than nm is used and an ArF excimer laser having an oscillation wavelength near 193 nm is used as the light source 1, the light of the light source 91 is 140 to 170 nm.
By using this wavelength, it is possible to detect the fluctuation of the oxygen partial pressure with higher sensitivity than when using the exposure wavelength.

【0083】図9は水蒸気の光吸収特性を示す図であ
り、横軸に波長(単位nm)、縦軸に吸収係数(cm当
り)を示している。
FIG. 9 is a diagram showing the light absorption characteristics of water vapor, in which the horizontal axis represents the wavelength (unit: nm) and the vertical axis represents the absorption coefficient (per cm).

【0084】この特性から水蒸気分圧の変動を検出する
場合は、光源1として158nm付近の発振波長を有す
るFエキシマレーザーを用いた場合は、光源91の光
の波長としては、光源1の発振波長より長波長で、17
0nmより短波長の光を用いることで、より高感度に水
蒸気分圧の変動を検出することが可能である。
When detecting a variation in the partial pressure of water vapor from this characteristic, when an F 2 excimer laser having an oscillation wavelength of around 158 nm is used as the light source 1, the light wavelength of the light source 91 is Longer than the wavelength, 17
By using light having a wavelength shorter than 0 nm, it is possible to detect fluctuations in water vapor partial pressure with higher sensitivity.

【0085】図10は光源91に用いられる重水素ラン
プの放射強度を示す。横軸に波長、縦軸に放射強度を示
す。120nm付近から165nm付近までの波長に関
しての放射線の存在が見られる。
FIG. 10 shows the radiation intensity of the deuterium lamp used for the light source 91. The horizontal axis shows the wavelength, and the vertical axis shows the radiation intensity. The presence of radiation is seen for wavelengths from around 120 nm to around 165 nm.

【0086】従って、図10に示す特性の重水素ランプ
から、特定の波長を取出して光源91の射出光として用
いることができる。
Therefore, a specific wavelength can be extracted from the deuterium lamp having the characteristics shown in FIG.

【0087】図11を用いて光源91内の構成を説明す
る。
The configuration inside the light source 91 will be described with reference to FIG.

【0088】光源91内部には、重水素ランプ100、
波長選択装置102、光路分割素子103、参照光セン
サー104が収納され、さらに光源91全体を覆う筐体
105内部は、不図示の不活性ガス置換手段によりヘリ
ウムガス、あるいは窒素ガスによりパージされている。
重水素ランプ100から射出した光は、波長選択装置1
02により使用波長のみ取出される。波長選択手段とし
ては、グレーティング素子やプリズムを用いた分光器を
用いてもよいし、波長選択フィルターを用いてもよい。
選択された波長の光は光路分割素子103により二分割
され、一方は光量センサー92へ、他方は参照光センサ
ー104に入射する。参照光センサー104と光量セン
サー92の出力は、いずれも主制御装置30により信号
処理される。
In the light source 91, a deuterium lamp 100,
The inside of the housing 105 that houses the wavelength selection device 102, the optical path splitting element 103, and the reference light sensor 104, and further covers the entire light source 91, is purged with helium gas or nitrogen gas by an inert gas replacement unit (not shown). .
The light emitted from the deuterium lamp 100 is transmitted to the wavelength selection device 1
02, only the used wavelength is extracted. As the wavelength selection means, a spectroscope using a grating element or a prism may be used, or a wavelength selection filter may be used.
The light of the selected wavelength is split into two by the optical path splitting element 103, one of which is incident on the light quantity sensor 92 and the other is incident on the reference light sensor 104. Outputs of the reference light sensor 104 and the light amount sensor 92 are both subjected to signal processing by the main controller 30.

【0089】図11の構成によれば、光源91から光量
センサー92までの光路106中に存在する光吸収ガス
の分圧変動を、重水素ランプ100の出力変動とは分離
して高精度にモニターすることができる。
According to the configuration shown in FIG. 11, the variation in the partial pressure of the light absorbing gas existing in the optical path 106 from the light source 91 to the light quantity sensor 92 is monitored with high accuracy separately from the variation in the output of the deuterium lamp 100. can do.

【0090】尚、波長選択装置102としては任意の波
長を選択できる構成であってもよく、例えばモノクロメ
ータを用いたり、複数の波長選択フィルターを配列して
切換えてもよい。使用波長の選択は、着目する光吸収ガ
スの種類に応じて、あるいは光路106の距離、光量セ
ンサー92や参照光センサー104の感度、重水素ラン
プ100の出力などに応じて選択されるのが望ましい。
The wavelength selection device 102 may be configured to be able to select an arbitrary wavelength. For example, a monochromator may be used or a plurality of wavelength selection filters may be arranged and switched. The selection of the wavelength to be used is desirably made according to the type of the light-absorbing gas of interest or according to the distance of the optical path 106, the sensitivity of the light amount sensor 92 and the reference light sensor 104, the output of the deuterium lamp 100, and the like. .

【0091】図9の不活性ガス供給装置93は、露光光
路を外気と遮断する密閉筐体94、95、96及び投影
光学系12内にそれぞれ配管97a、97b、97c、
97dを介してガス供給するものである。
The inert gas supply device 93 shown in FIG. 9 includes pipes 97a, 97b, 97c,
The gas is supplied via 97d.

【0092】密閉筐体94は、光源1から結像レンズ8
bまでの光路を内部に収納するとともに、排気口98a
を備えている。
The closed casing 94 is provided between the light source 1 and the imaging lens 8.
b is housed inside, and the exhaust port 98a
It has.

【0093】密閉筐体95は、結像レンズ8bとレチク
ル10及びレチクルステージ11を内部に収納すると共
に、排気口98bを備えている。密閉筐体96はウェハ
14とウェハステージ15及びディテクタ16を内部に
収納すると共に、排気口98dを備えている。
The closed casing 95 houses the imaging lens 8b, the reticle 10 and the reticle stage 11, and has an exhaust port 98b. The closed casing 96 houses the wafer 14, the wafer stage 15, and the detector 16 therein, and has an exhaust port 98d.

【0094】また、投影光学系12も密閉筐体を形成し
ており、排気口98cを備えている。
The projection optical system 12 also forms a closed housing, and has an exhaust port 98c.

【0095】各々の密閉筐体と投影光学系12の接続部
は、光路中に不図示のガラスが配置され、露光光を透過
させると共に、空間分割を行っている。
At the connection between each of the sealed housings and the projection optical system 12, glass (not shown) is arranged in the optical path to allow exposure light to pass therethrough and perform space division.

【0096】次に図7の本発明の投影露光装置の動作に
ついて説明する。
Next, the operation of the projection exposure apparatus of the present invention shown in FIG. 7 will be described.

【0097】光量センサー92は所定のタイミングで光
源91からの光量を検出する。検出値が変動した場合、
例えば検出光量が低下した場合は、主制御装置30から
の指令により、不活性ガス供給装置93から配管97c
系統のガス供給量を所定量増加させる。また、光量セン
サー92の検出光量が増加した場合は、逆に配管97c
系統へのガス供給量を所定量減少させる。このようなガ
ス供給制御により、投影光学系12内の光吸収物質濃度
は、実質的に高精度で一定に維持される。前述の通り、
露光中において光検出器40は検出値が変動した場合積
算露光量測定センサ17からの値に反映して露光量制御
を行うが、特に本発明のように光検出器40が投影光学
系12の光路途中に配置された場合は、光検出器40以
降の光路空間の効率を一定に維持することでより高精度
な露光量制御が達成される。
The light quantity sensor 92 detects the light quantity from the light source 91 at a predetermined timing. If the detection value fluctuates,
For example, when the detected light amount decreases, the pipe 97c is supplied from the inert gas supply device 93 by a command from the main controller 30.
The gas supply amount of the system is increased by a predetermined amount. On the other hand, when the light amount detected by the light amount sensor 92 increases, the piping 97c
The gas supply amount to the system is reduced by a predetermined amount. By such gas supply control, the concentration of the light absorbing substance in the projection optical system 12 is maintained at a substantially high accuracy and constant. As mentioned above,
If the detected value fluctuates during the exposure, the photodetector 40 controls the exposure amount by reflecting the value from the integrated exposure amount measurement sensor 17. Particularly, as in the present invention, the photodetector 40 is controlled by the projection optical system 12. In the case of being arranged in the middle of the optical path, by maintaining the efficiency of the optical path space after the photodetector 40 constant, more accurate exposure amount control can be achieved.

【0098】次に、上述の動作において光量センサー9
2の検出光量が一定に維持され、かつ光検出器40の検
出値変動量が所定の値を越えた場合は、主制御装置30
からの指令により露光動作を停止するとともに、主制御
装置30に接続された表示器に警告を表示する。これ
は、光学素子の効率が所定量以上低下した状態であり、
露光性能への悪影響を防止する目的である。
Next, in the above operation, the light amount sensor 9
In the case where the detected light amount of No. 2 is kept constant and the amount of change in the detection value of the photodetector 40 exceeds a predetermined value, the main controller 30
The exposure operation is stopped in response to a command from the CPU, and a warning is displayed on a display connected to the main controller 30. This is a state where the efficiency of the optical element has decreased by a predetermined amount or more,
The purpose is to prevent adverse effects on exposure performance.

【0099】露光動作停止後の処置としては、例えばウ
ェハ14が露光光路から退避した状態で所定のタイミン
グで光源1を発振させ、同時に光検出器40及び光量セ
ンサー92の検出結果から光学素子効率が通常状態に復
帰したならば、自動で表示器99の警告表示を停止し露
光動作を再開してもよい。
As a measure after stopping the exposure operation, for example, the light source 1 is oscillated at a predetermined timing while the wafer 14 is retracted from the exposure optical path, and at the same time, the optical element efficiency is determined from the detection results of the photodetector 40 and the light amount sensor 92. After returning to the normal state, the warning display on the display 99 may be automatically stopped and the exposure operation may be restarted.

【0100】さらには、露光動作停止中の所定のタイミ
ングで、積算露光量センサ17の較正をディテクタ16
を基準に実施するなどの確認動作を行っても良い。
Further, at a predetermined timing during which the exposure operation is stopped, the calibration of the integrated exposure amount sensor 17 is performed by the detector 16.
A confirmation operation such as execution based on the above may be performed.

【0101】また、通常露光動作中において、光検出器
40及び光量センサー92の検出結果に基き、表示器9
9に光学素子効率を常時、または任意のタイミングで表
示することも可能である。
During the normal exposure operation, based on the detection results of the photodetector 40 and the light amount sensor 92, the display 9
It is also possible to display the optical element efficiency at all times or at any timing.

【0102】図12は、光源91及び光量センサー92
を照明光学系に備えた実施形態である。図7と較正要素
および動作例は同様であるため、説明は省略する。
FIG. 12 shows a light source 91 and a light amount sensor 92.
In the illumination optical system. Since the calibration element and the operation example are the same as those in FIG. 7, the description will be omitted.

【0103】図12に示すように、光源91及び光量セ
ンサー92の配置は、図9の実施例のように露光光路を
必ずしも通過する必要は無く、露光光路と同一空間内の
雰囲気を通過していれば、本発明の効果は得られる。
尚、光量センサー92の検出結果に応じて不活性ガス供
給源93からは配管97a系統のガス供給量が制御され
ることになる。
As shown in FIG. 12, the arrangement of the light source 91 and the light quantity sensor 92 does not necessarily have to pass through the exposure light path as in the embodiment of FIG. 9, but passes through the atmosphere in the same space as the exposure light path. Then, the effect of the present invention can be obtained.
The amount of gas supplied from the inert gas supply source 93 to the pipe 97a is controlled according to the detection result of the light amount sensor 92.

【0104】図6においてさらに光路雰囲気の変動を検
出する手段を備えた実施形態も同様に可能である。
In FIG. 6, an embodiment further provided with means for detecting a change in the atmosphere of the optical path is also possible.

【0105】以上、図7〜12について説明したが、光
量センサー92によるガス透過率検出箇所については一
ヶ所に限定するものではなく、密閉筐体94、95、9
6、及び投影光学系12の内、必要に応じて複数箇所に
ついて検出してもよいし、密閉筐体の分割形態がこれま
で述べた4分割以外の構成であっても、本発明は適用可
能である。
As described above with reference to FIGS. 7 to 12, the gas permeability detecting portion by the light amount sensor 92 is not limited to one, and the closed casings 94, 95, and 9 are not limited to one.
6 and the projection optical system 12 may be detected at a plurality of positions as necessary, and the present invention is applicable even if the closed housing is divided into configurations other than the above-described four-divided configuration. It is.

【0106】上記各実施例はステップ&スキャン式の露
光装置であったが、本発明はステップ&リピート方式の
露光装置にも適応できる。
Although each of the above embodiments is a step & scan type exposure apparatus, the present invention can also be applied to a step & repeat type exposure apparatus.

【0107】又、F2エキシマレーザーを露光光源に用
いる場合、各レンズは螢石(CaF2)やこれと同等の
透過率を持つ材料で形成する。又、必要に応じてレンズ
の替わりに回折光学素子を用いるのもよい。更に、投影
光学系としては、屈折系のほかに反射屈折系を用いても
よい。
When an F 2 excimer laser is used as an exposure light source, each lens is formed of fluorite (CaF 2 ) or a material having the same transmittance as this. Further, a diffractive optical element may be used instead of a lens as necessary. Further, as the projection optical system, a catadioptric system may be used in addition to the refractive system.

【0108】図13は半導体デバイス(ICやLSIな
どの半導体チップ、或いは液晶パネルやCCDなど)の
製造のフローを示す。
FIG. 13 shows a flow of manufacturing a semiconductor device (a semiconductor chip such as an IC or an LSI, or a liquid crystal panel or a CCD).

【0109】ステップ1(回路設計)ではデバイスの回
路設計を行う。ステップ2(マスク製作)では設計した
回路パターンを形成したマスクを製作する。
In step 1 (circuit design), the circuit of the device is designed. Step 2 is a process for making a mask on the basis of the circuit pattern design.

【0110】一方、ステップ3(ウェハ製造)ではシリ
コンなどの材料を用いてウェハを製造する。ステップ4
(ウェハプロセス)は前工程と呼ばれ、前記用意したマ
スクとウェハを用いてリソグラフィ技術によってウェハ
上に実際の回路を形成する。
In step 3 (wafer manufacture), a wafer is manufactured using a material such as silicon. Step 4
The (wafer process) is called a pre-process, and an actual circuit is formed on the wafer by lithography using the prepared mask and wafer.

【0111】次のステップ5(組立)は後工程と呼ば
れ、ステップ4によって作製されたウェハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシ
ング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封
入)などの工程を含む。
The next step 5 (assembly) is called a post-process, and is a process for forming a semiconductor chip using the wafer produced in step 4, and includes an assembly process (dicing and bonding) and a packaging process (chip encapsulation). And the like.

【0112】ステップ6(検査)ではステップ5で作製
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが
完成し、これが出荷(ステップ7)される。
In step 6 (inspection), inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the semiconductor device manufactured in step 5 are performed. Through these steps, a semiconductor device is completed and shipped (step 7).

【0113】[0113]

【発明の効果】以上説明した本発明によれば、光路空間
の光透過率変化を検出することができ、たとえば従来以
上に光路空間透過率の変動を押さえる不活性ガスパージ
制御が可能となり、高性能で高信頼性の露光装置の達成
が可能である。
According to the present invention described above, a change in light transmittance in the optical path space can be detected. For example, an inert gas purge control that suppresses a change in the light path spatial transmittance can be performed more than in the prior art. Thus, a highly reliable exposure apparatus can be achieved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】第1光源による投影露光を説明するためのブロ
ック図
FIG. 1 is a block diagram for explaining projection exposure by a first light source.

【図2】露光量制御方法を説明するためのフローチャー
FIG. 2 is a flowchart for explaining an exposure amount control method;

【図3】レチクルステージの平面図FIG. 3 is a plan view of a reticle stage.

【図4】NA絞上の受光器においてショット毎に得られ
る信号強度の波形図
FIG. 4 is a waveform diagram of a signal intensity obtained for each shot in a photodetector on an NA stop.

【図5】別の露光量制御方法を説明するためのフローチ
ャート
FIG. 5 is a flowchart for explaining another exposure amount control method;

【図6】第1光源による他の投影露光を説明するための
ブロック図
FIG. 6 is a block diagram for explaining another projection exposure by a first light source.

【図7】第2光源を付加した本発明の投影露光装置のブ
ロック図
FIG. 7 is a block diagram of a projection exposure apparatus of the present invention to which a second light source is added.

【図8】酸素の光吸収特性を示すグラフFIG. 8 is a graph showing light absorption characteristics of oxygen.

【図9】水蒸気の光吸収特性を示すグラフFIG. 9 is a graph showing light absorption characteristics of water vapor.

【図10】真空紫外重水素ランプの放射強度を示すグラ
FIG. 10 is a graph showing the radiation intensity of a vacuum ultraviolet deuterium lamp.

【図11】第2光源のブロック図FIG. 11 is a block diagram of a second light source.

【図12】照明光学系内に第2光源を備えた本発明の投
影露光装置
FIG. 12 is a projection exposure apparatus of the present invention including a second light source in an illumination optical system.

【図13】デバイス製造工程のフローチャートFIG. 13 is a flowchart of a device manufacturing process.

【図14】従来の投影露光装置のブロック図FIG. 14 is a block diagram of a conventional projection exposure apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1:光源 2:減光部材 3:ビーム成形光学系 4:オプティカルインテグレータ 5:絞り 6:集光レンズ 7a:可変スリット 7b:スキャンブレード 8a、8b:結像レンズ 9:ミラー 10:レチクル 11:レチクルステージ 12:投影光学系 12a・・・12n:投影光学系
を構成する単レンズ 13:NA絞り 14:ウェハ 15:ウェハステージ 16:ディテクタ 17:積算露光量計測センサ 18:ハーフミラー 21:ND駆動手段 22:レンズ系駆動手段 23:絞り駆動手段 24:スキャンブレード可動装置 25:レチクルステージ駆動装置 26:NA絞り駆動装置 27:ウェハステージ駆動装置 30:主制御装置 40、41:光検出器 91:光源 92:光量センサー 93:不活性ガス供給装置 94:密閉筐体 95:密閉筐体 96:密閉筐体 97a、97b、97c、97d:配管 98a、98b、98c、98d:排気口 99:表示器 100:重水素ランプ 101:レチクル基準マーク 102:波長選択装置 103:光路分割素子 104:参照光センサー 105:筐体 106:光路
1: Light source 2: Dimming member 3: Beam shaping optical system 4: Optical integrator 5: Aperture 6: Condensing lens 7a: Variable slit 7b: Scan blade 8a, 8b: Imaging lens 9: Mirror 10: Reticle 11: Reticle Stage 12: Projection optical system 12a... 12n: Single lens constituting the projection optical system 13: NA stop 14: Wafer 15: Wafer stage 16: Detector 17: Integrated exposure amount measurement sensor 18: Half mirror 21: ND driving means 22: lens system driving means 23: aperture driving means 24: scan blade movable device 25: reticle stage driving device 26: NA aperture driving device 27: wafer stage driving device 30: main control device 40, 41: photodetector 91: light source 92: Light intensity sensor 93: Inert gas supply device 94: Sealed housing 95 Sealed housing 96: Sealed housing 97a, 97b, 97c, 97d: Piping 98a, 98b, 98c, 98d: Exhaust port 99: Display 100: Deuterium lamp 101: Reticle reference mark 102: Wavelength selector 103: Optical path split Element 104: Reference light sensor 105: Housing 106: Optical path

Claims (18)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1の光源からの光で原板上のパターン
を基板上に投影する露光装置において、該第1の光源と
は別の第2の光源と、該第2の光源からの光の光量を検
出する光量検出手段を備え、該光量検出手段により該第
1の光源から該基板までの露光光路の雰囲気の内、少な
くとも一部の雰囲気を通過した該第2の光源からの光の
光量を検出することを特徴とする投影露光装置。
1. An exposure apparatus for projecting a pattern on an original onto a substrate using light from a first light source, wherein the second light source is different from the first light source, and the light from the second light source is different from the first light source. Light amount detecting means for detecting the amount of light from the second light source passing through at least a part of the atmosphere of the exposure light path from the first light source to the substrate by the light amount detecting means. A projection exposure apparatus characterized by detecting a light amount.
【請求項2】 前記第2の光源は、前記第1の光源から
射出する光の波長とは異なる波長の光を射出することを
特徴とする請求項1記載の投影露光装置。
2. The projection exposure apparatus according to claim 1, wherein the second light source emits light having a wavelength different from the wavelength of light emitted from the first light source.
【請求項3】 前記第2の光源からの光は、前記第1の
光源からの光よりも酸素吸収係数が大きい波長を有する
ことを特徴とする請求項1記載の投影露光装置。
3. The projection exposure apparatus according to claim 1, wherein the light from the second light source has a wavelength having a larger oxygen absorption coefficient than the light from the first light source.
【請求項4】 前記第2の光源からの光は、前記第1の
光源からの光よりも水蒸気吸収係数が大きい波長を有す
ることを特徴とする請求項1記載の投影露光装置。
4. The projection exposure apparatus according to claim 1, wherein the light from the second light source has a wavelength having a larger water vapor absorption coefficient than the light from the first light source.
【請求項5】 前記第2の光源として、重水素ランプを
用いたことを特徴とする請求項1記載の投影露光装置。
5. The projection exposure apparatus according to claim 1, wherein a deuterium lamp is used as the second light source.
【請求項6】 所定の気体に対して露光光よりも吸収が
大きい光を使って露光光路の少なくとも一部における前
記気体濃度変化を検出することを特徴とする投影露光装
置。
6. A projection exposure apparatus, wherein a change in gas concentration in at least a part of an exposure optical path is detected by using light having a larger absorption than exposure light for a predetermined gas.
【請求項7】 前記吸収が大きい光は、前記露光光の波
長とは異なることを特徴とする請求項6記載の投影露光
装置。
7. The projection exposure apparatus according to claim 6, wherein the light having a large absorption is different from a wavelength of the exposure light.
【請求項8】 前記吸収が大きい光は、前記露光光より
も酸素吸収係数が大きい波長を有することを特徴とする
請求項6記載の投影露光装置。
8. The projection exposure apparatus according to claim 6, wherein the light having a large absorption has a wavelength having a larger oxygen absorption coefficient than the exposure light.
【請求項9】 前記吸収が大きい光は、前記露光光より
も水蒸気吸収係数が大きい波長を有することを特徴とす
る請求項6記載の投影露光装置。
9. The projection exposure apparatus according to claim 6, wherein the light having a large absorption has a wavelength having a larger water vapor absorption coefficient than the exposure light.
【請求項10】 前記吸収が大きい光の光源として、重
水素ランプを用いたことを特徴とする請求項6記載の投
影露光装置。
10. The projection exposure apparatus according to claim 6, wherein a deuterium lamp is used as a light source of the light having a large absorption.
【請求項11】 該基板上の積算露光量をパターン投影
中常時検出する積算露光量検出手段を備えることを特徴
とする請求項1乃至10のいずれか1項記載の投影光装
置。
11. The projection light apparatus according to claim 1, further comprising integrated exposure amount detecting means for constantly detecting the integrated exposure amount on said substrate during pattern projection.
【請求項12】 前記第2の光源からの光は、該積算露
光量検出手段から該基板までの光路雰囲気の少なくとも
一部を通過することを特徴とする請求項11記載の投影
露光装置。
12. The projection exposure apparatus according to claim 11, wherein the light from the second light source passes through at least a part of an optical path atmosphere from the integrated exposure amount detection means to the substrate.
【請求項13】 該第1の光源から該基板までの光路の
少なくとも一部の光路空間を不活性ガス雰囲気に制御す
る雰囲気制御手段を備え、前記受光手段の検出結果を該
雰囲気制御手段の制御に反映することを特徴とする請求
項1乃至12のいずれか1項記載の投影露光装置。
13. An atmosphere control means for controlling an optical path space of at least a part of an optical path from the first light source to the substrate to an inert gas atmosphere, and controlling a detection result of the light receiving means by the atmosphere control means. The projection exposure apparatus according to claim 1, wherein the projection exposure apparatus reflects the result.
【請求項14】 前記受光手段と前記光量検出手段の両
方を備え、該受光手段と該光量検出手段の検出結果に応
じて、露光装置の露光動作を停止すると共に、表示器に
警告を表示することを特徴とする請求項1乃至13のい
ずれか1項記載の投影露光装置。
14. An exposure apparatus comprising both the light receiving means and the light quantity detecting means, stopping an exposure operation of the exposure device and displaying a warning on a display in accordance with a detection result of the light receiving means and the light quantity detecting means. The projection exposure apparatus according to claim 1, wherein:
【請求項15】 前記第2の光源は、所定の波長を選択
する波長選択手段を備えることを特徴とする請求項1記
載の投影露光装置。
15. The projection exposure apparatus according to claim 1, wherein the second light source includes a wavelength selection unit that selects a predetermined wavelength.
【請求項16】 前記パターンで発生する回折光のうち
露光に用いない光の光量を検出する第2の光量検出手段
を有し、該手段の検出結果により光学系の透過率の変化
を検出することを特徴とする請求項1乃至15のいずれ
か1項記載の投影露光装置。
16. A second light amount detecting means for detecting a light amount of light not used for exposure among diffracted lights generated in the pattern, and detecting a change in transmittance of the optical system based on a detection result of the means. The projection exposure apparatus according to claim 1, wherein:
【請求項17】 前記基板で生じた反射光、散乱光、及
び回折光の光量を検出する第3の光量検出手段を有し、
該手段の検出結果により光学系の透過率の変化を検出す
ることを特徴とする請求項1乃至16のいずれか1項記
載の投影露光装置。
And a third light amount detecting means for detecting light amounts of reflected light, scattered light and diffracted light generated on the substrate,
17. The projection exposure apparatus according to claim 1, wherein a change in transmittance of the optical system is detected based on a detection result of the means.
【請求項18】 請求項1〜17のいずれか1項記載の
投影露光装置を使用して、デバイスパターンでウエハを
露光する段階と、該露光したウエハを現像する段階とを
含むことを特徴とするデバイスの製造方法。
18. A method comprising: exposing a wafer with a device pattern using the projection exposure apparatus according to claim 1; and developing the exposed wafer. Method of manufacturing devices.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005136423A (en) * 2003-10-30 2005-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method of manufacturing device
US8223316B2 (en) 2008-03-03 2012-07-17 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and device manufacturing method
WO2019131144A1 (en) * 2017-12-26 2019-07-04 東京エレクトロン株式会社 Light irradiation device

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005136423A (en) * 2003-10-30 2005-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method of manufacturing device
JP2009065222A (en) * 2003-10-30 2009-03-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8223316B2 (en) 2008-03-03 2012-07-17 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and device manufacturing method
WO2019131144A1 (en) * 2017-12-26 2019-07-04 東京エレクトロン株式会社 Light irradiation device
KR20200097777A (en) * 2017-12-26 2020-08-19 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Light irradiation device
JPWO2019131144A1 (en) * 2017-12-26 2020-11-19 東京エレクトロン株式会社 Light irradiation device
KR102667236B1 (en) * 2017-12-26 2024-05-21 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 light irradiation device

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