JP2001277105A - 研磨材及び共摺り表面加工法 - Google Patents
研磨材及び共摺り表面加工法Info
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- JP2001277105A JP2001277105A JP2000096672A JP2000096672A JP2001277105A JP 2001277105 A JP2001277105 A JP 2001277105A JP 2000096672 A JP2000096672 A JP 2000096672A JP 2000096672 A JP2000096672 A JP 2000096672A JP 2001277105 A JP2001277105 A JP 2001277105A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 微小球形プラスチックを２枚の加工物の間に
介在させ、共摺り加工により超精密表面粗さの加工物を
得ること。 【解決手段】 半導体シリコンウエハ、液晶パネルのプ
ラスチック基板やガラス基板等の超精密表面仕上げにお
いて、被加工物の表面を傷つけることなく要求を満たす
方法として、超微小球形プラスチックの粒子径が０．０
１〜１０μｍの研磨材を共摺り加工の両被加工物間に介
在させることにより、研磨材粒子径以下の表面粗さに加
工すること。
介在させ、共摺り加工により超精密表面粗さの加工物を
得ること。 【解決手段】 半導体シリコンウエハ、液晶パネルのプ
ラスチック基板やガラス基板等の超精密表面仕上げにお
いて、被加工物の表面を傷つけることなく要求を満たす
方法として、超微小球形プラスチックの粒子径が０．０
１〜１０μｍの研磨材を共摺り加工の両被加工物間に介
在させることにより、研磨材粒子径以下の表面粗さに加
工すること。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子・電気分野に
おいて、例えば半導体シリコンウエハ、液晶パネルのプ
ラスチック基板・ガラス基板等の超精密表面平滑性が要
求される成形物あるいは加工物の表面仕上加工法に関す
るものである。
おいて、例えば半導体シリコンウエハ、液晶パネルのプ
ラスチック基板・ガラス基板等の超精密表面平滑性が要
求される成形物あるいは加工物の表面仕上加工法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】種々の被加工物の表面精密加工法には、
ラッピング法，バフ加工法，噴射加工法等がある。これ
らはいずれも被加工物を何らかの研磨材を用いて研磨加
工する。特殊な例として被加工物同志を摺り合わせて表
面平滑性を得る方法、即ち、共摺り表面加工法がある。
この共摺り表面加工法において、適当な研磨材と研削液
を併用する場合もある。この際使用する研磨材は微小な
ものでは殆ど破砕品で、かえって被加工物の表面をが傷
つけることがある。
ラッピング法，バフ加工法，噴射加工法等がある。これ
らはいずれも被加工物を何らかの研磨材を用いて研磨加
工する。特殊な例として被加工物同志を摺り合わせて表
面平滑性を得る方法、即ち、共摺り表面加工法がある。
この共摺り表面加工法において、適当な研磨材と研削液
を併用する場合もある。この際使用する研磨材は微小な
ものでは殆ど破砕品で、かえって被加工物の表面をが傷
つけることがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、被加
工物の表面平滑性（表面粗さ）を飛躍的に改善するた
め、被加工物同志の共摺り表面加工を行う際の研磨材と
して超微小の球形プラスチックを使用することにある。
工物の表面平滑性（表面粗さ）を飛躍的に改善するた
め、被加工物同志の共摺り表面加工を行う際の研磨材と
して超微小の球形プラスチックを使用することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は 粒子径が０．
０１〜１０μｍの微小球形プラスチックからなる研磨材
に関し、更には被加工物を共摺り表面加工法により表面
処理するにおいて、粒子径が０．０１〜１０μｍの微小
球形プラスチック研磨材を用いることを特徴とする共摺
り表面加工法に関するものである。
０１〜１０μｍの微小球形プラスチックからなる研磨材
に関し、更には被加工物を共摺り表面加工法により表面
処理するにおいて、粒子径が０．０１〜１０μｍの微小
球形プラスチック研磨材を用いることを特徴とする共摺
り表面加工法に関するものである。
【０００５】かかる超微小の球形プラスチックの製法
は、特願平１１ー１３２３３７号明細書「熱硬化性樹脂
製研磨材」、特願平１０ー１８８６７号明細書「熱硬化
性樹脂製研磨材」に記されている製品を分級して得られ
る。この方法を適用すれば粒子径０．５〜１０μｍ程度
の研磨材が得られる。さらに微小なものは、特開平１１
−１４０１８１号公報に記載されている方法にて得るこ
とができる。この方法では粒子径が０．０１〜１０μｍ
程度の超微小の球形プラスチックを任意に得ることがで
きる。本発明においては、かかる微小球形プラスチック
を研磨材として使用するものである。更には、共摺り表
面加工法において、微小球形プラスチックを研磨材とし
て使用することにより、被研磨物を少なくとも前記の研
磨材粒子径以下の表面粗さにまで加工することが出来る
ので、精密な表面加工法として適している。
は、特願平１１ー１３２３３７号明細書「熱硬化性樹脂
製研磨材」、特願平１０ー１８８６７号明細書「熱硬化
性樹脂製研磨材」に記されている製品を分級して得られ
る。この方法を適用すれば粒子径０．５〜１０μｍ程度
の研磨材が得られる。さらに微小なものは、特開平１１
−１４０１８１号公報に記載されている方法にて得るこ
とができる。この方法では粒子径が０．０１〜１０μｍ
程度の超微小の球形プラスチックを任意に得ることがで
きる。本発明においては、かかる微小球形プラスチック
を研磨材として使用するものである。更には、共摺り表
面加工法において、微小球形プラスチックを研磨材とし
て使用することにより、被研磨物を少なくとも前記の研
磨材粒子径以下の表面粗さにまで加工することが出来る
ので、精密な表面加工法として適している。
【０００６】微小球形プラスチック研磨材の粒子径が
０．０１μｍ未満のものは製造が困難であり、一方１０
μｍを越えるものは目的とする被研磨物の表面粗さの改
善が不十分である。
０．０１μｍ未満のものは製造が困難であり、一方１０
μｍを越えるものは目的とする被研磨物の表面粗さの改
善が不十分である。
【０００７】
【実施例】以下、本発明を実施例により、具体的に説明
する。
する。
【０００８】実施例１ 特開平１１−１４０１８１号公報の実施例１に記載され
た方法により得た平均粒子径５００ｎｍのポリイミド樹
脂微粒子１００ｇに水７０ｇを加え、高速攪拌機（ホモ
ジナイザー）を用いて十分懸濁・分散させた。被加工物
として通常の押し出し法で得られたポリエーテルスルホ
ンのフィルム（厚さ２５０μｍ、最大表面粗さ５００ｎ
ｍ）を２枚重ね、片方は移動させながらもう片方は固定
させて共摺りを１分間行った。この際２枚のフィルムの
間に上記ポリイミド樹脂微粒子の懸濁液を介在させた。
接点圧力を１０ｇ／ｃｍとした。その結果、最大表面粗
さ３００ｎｍのフィルムが得られた。
た方法により得た平均粒子径５００ｎｍのポリイミド樹
脂微粒子１００ｇに水７０ｇを加え、高速攪拌機（ホモ
ジナイザー）を用いて十分懸濁・分散させた。被加工物
として通常の押し出し法で得られたポリエーテルスルホ
ンのフィルム（厚さ２５０μｍ、最大表面粗さ５００ｎ
ｍ）を２枚重ね、片方は移動させながらもう片方は固定
させて共摺りを１分間行った。この際２枚のフィルムの
間に上記ポリイミド樹脂微粒子の懸濁液を介在させた。
接点圧力を１０ｇ／ｃｍとした。その結果、最大表面粗
さ３００ｎｍのフィルムが得られた。
【０００９】実施例２ 特開平１１−１４０１８１号公報の実施例５に記載され
た方法により得た平均粒子径６０ｎｍのポリイミド樹脂
微粒子１００ｇを水８０ｇに十分分散させ、実施例１に
おいて使用したポリエーテルスルホンフィルムを実施例
１と同様の条件にて処理した。その結果、最大表面粗さ
４０ｎｍのフィルムが得られた。
た方法により得た平均粒子径６０ｎｍのポリイミド樹脂
微粒子１００ｇを水８０ｇに十分分散させ、実施例１に
おいて使用したポリエーテルスルホンフィルムを実施例
１と同様の条件にて処理した。その結果、最大表面粗さ
４０ｎｍのフィルムが得られた。
【００１０】比較例１ 実施例１と同様の共摺りを行う際、介在させる研磨材と
して市販のものでは最小の球形研磨材である東芝バロテ
ィーニ（株）製ガラスマイクロビーズＭＢ−１０（平均
粒子径１０μｍ）１００ｇを水５０ｇに分散させて使用
した。処理後の表面粗さは改善されず、最大表面粗さ１
μｍのフィルムが得られた。
して市販のものでは最小の球形研磨材である東芝バロテ
ィーニ（株）製ガラスマイクロビーズＭＢ−１０（平均
粒子径１０μｍ）１００ｇを水５０ｇに分散させて使用
した。処理後の表面粗さは改善されず、最大表面粗さ１
μｍのフィルムが得られた。
【００１１】比較例２ 使用済みのメラミン樹脂製食器を衝撃式粉砕機で粉砕
し、２５０メッシュ篩（目開き６３μｍ）を通過させ、
平均粒度２０μｍの粉砕物を得た。この粉砕物１００ｇ
を水６０ｇに分散させて実施例１と同様に共摺りを行っ
た。処理後の表面粗さは改善されず、最大表面粗さ５μ
ｍのフィルムが得られた。
し、２５０メッシュ篩（目開き６３μｍ）を通過させ、
平均粒度２０μｍの粉砕物を得た。この粉砕物１００ｇ
を水６０ｇに分散させて実施例１と同様に共摺りを行っ
た。処理後の表面粗さは改善されず、最大表面粗さ５μ
ｍのフィルムが得られた。
【００１２】
【発明の効果】以上の実施例からも明らかなように、共
摺り表面加工法により被加工物表面を加工する際に、粒
子径０．０１〜１０μｍの微小球形プラスチックを研磨
材として介在させることにより被加工物の表面平滑性を
前記研磨材の粒子径以下に加工することが出来る。
摺り表面加工法により被加工物表面を加工する際に、粒
子径０．０１〜１０μｍの微小球形プラスチックを研磨
材として介在させることにより被加工物の表面平滑性を
前記研磨材の粒子径以下に加工することが出来る。
Claims (4)
- 【請求項１】 粒子径が０．０１〜１０μｍの微小球形
プラスチックからなる研磨材。 - 【請求項２】 被加工物を共摺り表面加工法により表面
処理するにおいて、粒子径が０．０１〜１０μｍの微小
球形プラスチック研磨材を用いることを特徴とする共摺
り表面加工法。 - 【請求項３】 プラスチック研磨材が、メラミン樹脂，
フェノール樹脂又はポリイミド樹脂からなる研磨材であ
る請求項２記載の共摺り表面加工法。 - 【請求項４】 被加工物が、プラスチック成形物，プラ
スチックフィルム，板ガラス又は金属成形物ないし加工
物である請求項２又は３記載の共摺り表面加工法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000096672A JP2001277105A (ja) | 2000-03-31 | 2000-03-31 | 研磨材及び共摺り表面加工法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000096672A JP2001277105A (ja) | 2000-03-31 | 2000-03-31 | 研磨材及び共摺り表面加工法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001277105A true JP2001277105A (ja) | 2001-10-09 |
Family
ID=18611405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000096672A Pending JP2001277105A (ja) | 2000-03-31 | 2000-03-31 | 研磨材及び共摺り表面加工法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001277105A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7037839B2 (en) | 2002-10-02 | 2006-05-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for polishing organic film on semiconductor substrate by use of resin particles, and slurry |
| CN100346451C (zh) * | 2003-06-02 | 2007-10-31 | 株式会社东芝 | 有机膜的化学机械抛光及制造半导体器件的方法 |
-
2000
- 2000-03-31 JP JP2000096672A patent/JP2001277105A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7037839B2 (en) | 2002-10-02 | 2006-05-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for polishing organic film on semiconductor substrate by use of resin particles, and slurry |
| CN100346451C (zh) * | 2003-06-02 | 2007-10-31 | 株式会社东芝 | 有机膜的化学机械抛光及制造半导体器件的方法 |
| US7452819B2 (en) | 2003-06-02 | 2008-11-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Chemical mechanical polishing method of organic film and method of manufacturing semiconductor device |
| US8685857B2 (en) | 2003-06-02 | 2014-04-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Chemical mechanical polishing method of organic film and method of manufacturing semiconductor device |
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