JP2001276986A - Laser processing apparatus and method - Google Patents

Laser processing apparatus and method

Info

Publication number
JP2001276986A
JP2001276986A JP2000091967A JP2000091967A JP2001276986A JP 2001276986 A JP2001276986 A JP 2001276986A JP 2000091967 A JP2000091967 A JP 2000091967A JP 2000091967 A JP2000091967 A JP 2000091967A JP 2001276986 A JP2001276986 A JP 2001276986A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
processing
laser
warp
warpage
amount
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000091967A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shoji Minokoshi
昌二 美濃越
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP2000091967A priority Critical patent/JP2001276986A/en
Publication of JP2001276986A publication Critical patent/JP2001276986A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high-speed, highly stable laser processing system concerning a laser processing apparatus provided for a large-scale glass substrate and the like, in which a focused point for processing is fed back to a subject substrate by measuring a warped amount in advance when occurred a gap of the focused point for processing caused by bending owing to an own weight of the glass substrate and the like, and in which a stable processing performance can be maintained. SOLUTION: The system is provided with a warp measuring portion 6 measuring a warped amount of a processing object in advance, a measuring and feedback controlling portion 2 determining a warped function showing the warped amount at a full range of the processed object, and Z axis portion 5 adjusting a focusing point of a laser beam on the object by moving an object lens focusing the laser beam for processing while referring to the warped function or by moving the object up and down.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はレーザ加工装置及び
方法に関し、特に、基板等の自重による撓みに沿って加
工用レーザ光の焦点をフィードバック制御するレーザ加
工装置及び方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser processing apparatus and method, and more particularly, to a laser processing apparatus and method for feedback-controlling the focal point of a processing laser beam along deflection of a substrate or the like due to its own weight.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、ガラス計測が安定していなかった
ため実用化されていなかった。従って、ステージを停止
状態にして画像処理方式でピントを合わせて、その場で
加工する方法を採っていた。
2. Description of the Related Art Conventionally, glass measurement has not been stable and has not been put to practical use. Therefore, a method has been adopted in which the stage is stopped, the image is focused by an image processing method, and processing is performed on the spot.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】この従来のレーザ加工
装置は、ステージを停止状態にして画像処理方式でピン
トを合わせて、その場で加工する方法を採っていたた
め、大きな対象基板の撓みを吸収して、安定したレーザ
加工を高速で行うことができなかった。
The conventional laser processing apparatus employs a method in which the stage is stopped and the image processing method is used to focus and perform processing on the spot, thereby absorbing a large deflection of the target substrate. As a result, stable laser processing could not be performed at high speed.

【0004】本発明の目的は、以上の問題点を解決し、
大型ガラス基板等を対象とするレーザ加工装置におい
て、ガラス基板等の自重による撓みによる加工焦点ずれ
が発生しても、反り量を予めセンサによって測定を行っ
ておくことにより加工焦点を対象基板に対してフィード
バックし、安定した加工性能を維持できる高速、高安定
のレーザ加工システムを提供することにある。
[0004] An object of the present invention is to solve the above problems,
In laser processing equipment for large glass substrates, etc., even if the processing focus shifts due to bending due to its own weight of the glass substrate, etc., the processing focus is measured in advance by a sensor to move the processing focus to the target substrate. It is an object of the present invention to provide a high-speed, high-stability laser processing system that can feed back and maintain stable processing performance.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明のレーザ加工装置
は、予め加工対象物の反り量の計測を行う反り計測手段
と、この反り量の計測結果を基本関数に当てはめて、前
記加工対象物の全域の反りを示す反り撓み関数を決定す
る反り関数決定手段と、前記反り関数を参照しつつ、加
工用のレーザ光を収束させる対物レンズを移動させ、あ
るいは対象物を昇降させて、前記レーザ光の焦点を対象
物に合わせる焦点制御手段とを有している。
SUMMARY OF THE INVENTION A laser processing apparatus according to the present invention comprises: a warp measuring means for measuring a warpage amount of an object to be processed in advance; A warp function determining means for determining a warp deflection function indicating the entire area of the warp, and moving the objective lens for converging the processing laser light while referring to the warp function, or moving the object up and down, Focus control means for focusing the light on the object.

【0006】本発明によれば、予め、基板の反り量を計
測しておくことにより反りが大きい基板に対しても安定
した加工品質を得ることができかつ、加工時は高速な制
御ができるためスループットも向上できる。
According to the present invention, by measuring the amount of warpage of a substrate in advance, stable processing quality can be obtained even for a substrate having a large warpage, and high-speed control can be performed during processing. Throughput can also be improved.

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。
Next, an embodiment of the present invention will be described in detail.

【0008】第1図は、本発明のレーザ加工装置の第1
の実施形態を示すブロック図である。
FIG. 1 shows a first embodiment of a laser processing apparatus according to the present invention.
It is a block diagram showing an embodiment.

【0009】図1を参照すると、本実施例は、主制御部
1と、計測/フィードバック制御部2と、レーザ制御部
3と、XYステージ制御部4と、Z軸部5と、反り計測
部6とレーザ加工部7と、XYステージ部8とを含む。
Referring to FIG. 1, this embodiment includes a main control unit 1, a measurement / feedback control unit 2, a laser control unit 3, an XY stage control unit 4, a Z-axis unit 5, a warp measurement unit. 6, a laser processing unit 7, and an XY stage unit 8.

【0010】主制御部1は、基板反り計測指令を、計測
/フィードバック制御部2に対して出力する。また、主
制御部1は、反り計測部6が基板9の対角線上を計測で
きるようにXYステーシ゛制御部4に対して基板9を移
動させる動作指令を出力する。また、加工用のレーザ光
を制御するためのレーザ制御部3を制御する。
The main controller 1 outputs a board warpage measurement command to the measurement / feedback controller 2. In addition, the main control unit 1 outputs an operation command to move the substrate 9 to the XY station control unit 4 so that the warp measurement unit 6 can measure the diagonal line of the substrate 9. Further, it controls the laser control unit 3 for controlling the processing laser light.

【0011】反り計測部6は、A/D変換部61と、セ
ンサアンプ部62と、基板反り測定センサ63とを備え
ている。基板反り測定センサ63は、基板の表面または
裏面までの距離を測定し、センサアンプ部62からアナ
ログ電圧で出力される。本出力はA/D変換部61に入
りデジタルに変換され、計測/フィードバック制御部2
に伝達される。本情報と、Z軸部5のXY軸エンコーダ
/リニアスケールパルス高速カウンタ54の情報とが、
XY座標値と関連付けられて計測/フィードバック制御
部2において記憶される。これらが連続的に実施される
ことにより基板9の対角線上の複数点についての基板9
の全領域における反り量が計測され、最終的に基板9全
域の反り量を示す反り関数が計測/フィードバック制御
部2において決定される。
The warp measuring unit 6 includes an A / D converter 61, a sensor amplifier 62, and a board warpage measuring sensor 63. The substrate warpage measurement sensor 63 measures the distance to the front surface or the back surface of the substrate, and is output from the sensor amplifier 62 as an analog voltage. This output enters the A / D converter 61 and is converted into a digital signal.
Is transmitted to This information and the information of the XY-axis encoder / linear scale pulse high-speed counter 54 of the Z-axis unit 5 are:
The measurement / feedback control unit 2 stores the data in association with the XY coordinate values. By continuously performing these operations, the substrate 9 at a plurality of points on the diagonal line of the substrate 9 is
Is measured in the entire area of the substrate 9, and finally, the measurement / feedback control unit 2 determines a warp function indicating the amount of warpage in the entire area of the substrate 9.

【0012】Z軸部5は、Z軸モータコントローラ部5
1と、Z軸モータドライバ部52と、Z軸モータ53
と、XY軸エンコーダ/リニアスケールパルス高速カウ
ンタ54と、Z軸昇降ステージ55とを備えている。Z
軸モータコントローラ部51は、上位の計測/フィード
バック制御部2からのZ軸指令に従って、Z軸モータド
ライバ部52を制御する。Z軸モータ53はZ軸昇降ス
テージ55に繋がっており、Z軸モータ53が制御され
ることによりZ軸昇降ステージ55のスライド部が昇降
し、結果としてレーザ加工部7の対物レンズ72が昇降
する。XY軸エンコーダ/リニアスケールパルス高速カ
ウンタ54は、上述のようにXYステージの現在位置情
報を取得するために使用される。また、基板9の位置情
報(XY座標値)は反り撓み関数に当てはめられ得られ
る反り量及び撓み量がZ軸を制御するために用いられ
る。なお、Z軸部5は、基板9を昇降する基板昇降部
(図示せず)を有し、対物レンズ72を移動させるとと
もに基板9を昇降させて、加工用のレーザ光の焦点を基
板に合わせるように構成しても良い。また、基板9のみ
を昇降させて、加工用のレーザ光の焦点を基板に合わせ
るよう構成しても良い。
The Z-axis unit 5 includes a Z-axis motor controller 5
1, a Z-axis motor driver 52, and a Z-axis motor 53
And a XY-axis encoder / linear scale pulse high-speed counter 54 and a Z-axis elevating stage 55. Z
The axis motor controller 51 controls the Z-axis motor driver 52 in accordance with the Z-axis command from the higher-order measurement / feedback controller 2. The Z-axis motor 53 is connected to the Z-axis elevating stage 55. When the Z-axis motor 53 is controlled, the slide portion of the Z-axis elevating stage 55 moves up and down. As a result, the objective lens 72 of the laser processing unit 7 moves up and down. . The XY axis encoder / linear scale pulse high-speed counter 54 is used to acquire the current position information of the XY stage as described above. Further, the positional information (XY coordinate values) of the substrate 9 is used to control the Z-axis by the amount of warp and the amount of warp obtained by being applied to the warp warp function. The Z-axis unit 5 has a substrate elevating unit (not shown) that elevates and lowers the substrate 9, moves the objective lens 72 and elevates the substrate 9, and focuses the processing laser light on the substrate. It may be configured as follows. Alternatively, the substrate 9 alone may be moved up and down so that the laser beam for processing is focused on the substrate.

【0013】レーザ加工部7は、レーザ制御部により制
御されるレーザ71と、対物レンズ72とを備えてい
る。レーザ71は、基板9の加工を行う主体であり、本
レーザ71から出力されるレーザビームは、エキスパン
ダ等を介して対物レンズ72に伝送される。対物レンズ
72はZ軸部5のZ軸昇降ステージ55のスライド側に
固定され、Z軸モータ53が制御されることにより昇降
する。
The laser processing section 7 includes a laser 71 controlled by a laser control section and an objective lens 72. The laser 71 is a main body that processes the substrate 9, and the laser beam output from the laser 71 is transmitted to the objective lens 72 via an expander or the like. The objective lens 72 is fixed to the slide side of the Z-axis elevating stage 55 of the Z-axis unit 5 and moves up and down by controlling the Z-axis motor 53.

【0014】XYステージ部8は、XYステージ制御部
81とパルス分配器82とXYステージエンコーダ/リ
ニアスケール83、XYステージモータ84とを備えて
いる。XYステージエンコーダ/リニアスケール83は
XYステージ10に付属しており、ステージの現在位置
情報をパルスでXYステージドライバ部81に伝送して
いる。
The XY stage section 8 includes an XY stage control section 81, a pulse distributor 82, an XY stage encoder / linear scale 83, and an XY stage motor 84. The XY stage encoder / linear scale 83 is attached to the XY stage 10, and transmits the current position information of the stage to the XY stage driver unit 81 in pulses.

【0015】XYステージ制御部4は、主制御部1の指
令に従ってXYステージドライバ部81を用いてXYス
テージモータ84を制御する。パルス分配器82は、X
Yステージエンコーダ/リニアスケール83とXYステ
ージドライバ部の間に入り、パルス情報をZ軸部XY軸
エンコーダ/リニアスケールパルス高速カウンタにも分
配伝送する。
The XY stage controller 4 controls an XY stage motor 84 using an XY stage driver 81 in accordance with a command from the main controller 1. The pulse distributor 82 has X
The pulse information enters between the Y stage encoder / linear scale 83 and the XY stage driver unit, and the pulse information is also distributed and transmitted to the Z axis unit XY axis encoder / linear scale pulse high speed counter.

【0016】基板9は、XYステージ10の上に固定さ
れる。加工の制約上基板9は裏面を触ることができない
ため、基板が1m×1m等に大型化した場合は、その自
重による撓みが無視できない。
The substrate 9 is fixed on an XY stage 10. Since the back surface of the substrate 9 cannot be touched due to processing restrictions, when the substrate is enlarged to 1 m × 1 m or the like, the deflection due to its own weight cannot be ignored.

【0017】次に、図2を参照して本実施形態の動作に
ついて詳細に説明する。
Next, the operation of this embodiment will be described in detail with reference to FIG.

【0018】図2は、図1の基板の反り計測及び対物レ
ンズ高さ制御の動作を示すフローチャートである。
FIG. 2 is a flowchart showing the operations of the warpage measurement and the objective lens height control of the substrate of FIG.

【0019】まず、主制御部1は基板反り計測指令を、
計測/フィードバック制御部2に対して出力する(ステ
ップS1)。主制御部1はその後、XYステーシ゛制御
部4に対して、図3に示すような軌跡で、基板9上を基
板反りセンサ63が基板9の対角線に沿って計測できる
ように動作指令を出力する(ステップS2)。このとき
計測/フィードバック制御部2は、Z軸高さを計測高さ
に制御して基板9の反り測定を基板反り測定センサ63
を用いて行う。このとき同時に、計測/フィードバック
制御部2は、Z軸部XY軸エンコーダ/リニアスケール
パルス高速カウンタ54から得られるパルスカウント値
からXYステージ10の位置を認識する。計測が終了か
判断し(ステップS3)、終了でなければステップS2
に戻り、この計測を計測が終了するまで繰り返す。
First, the main controller 1 issues a board warpage measurement command,
Output to the measurement / feedback control unit 2 (step S1). The main control unit 1 thereafter outputs an operation command to the XY station control unit 4 so that the substrate warpage sensor 63 can measure the diagonal line of the substrate 9 on the substrate 9 with a locus as shown in FIG. (Step S2). At this time, the measurement / feedback control unit 2 controls the Z-axis height to the measurement height to measure the warpage of the substrate 9 by the substrate warpage measurement sensor 63.
This is performed using At the same time, the measurement / feedback control unit 2 recognizes the position of the XY stage 10 from the pulse count value obtained from the Z-axis unit XY-axis encoder / linear scale pulse high-speed counter 54. It is determined whether or not the measurement is completed (step S3).
And this measurement is repeated until the measurement is completed.

【0020】この結果得られるデータは次のようにな
る。 (X軸位置データX1,Y軸位置データY1,計測データZ1) (X軸位置データX2,Y軸位置データY2,計測データZ2) … (X軸位置データXn−1,Y軸位置データYn−1,計測データZn−1) (X軸位置データXn,Y軸位置データYn,計測データZn) 次に、得られたデータに基づいて基板反り関数を決定す
る(ステップS4)。なお、基板反り関数F(x,y)
は一般に次のように表現できる。 F(x,y)=C(x−a)n(x+a)n(y−b)
n(y+b)n ここで、x,yは、図4に示すように基板9の中心位置
を原点とした場合の任意の位置を表し、a,bは基板の
縦横寸法の1/2の長さを表す。ステップS4において
は、上記複数組のX軸位置データ、Y軸位置データ及び
計測データから基板反り関数F(x,y)の一般式にお
けるCとnを決定する。
The data obtained as a result is as follows. (X-axis position data X1, Y-axis position data Y1, measurement data Z1) (X-axis position data X2, Y-axis position data Y2, measurement data Z2) ... (X-axis position data Xn-1, Y-axis position data Yn- 1, measurement data Zn-1) (X-axis position data Xn, Y-axis position data Yn, measurement data Zn) Next, a substrate warping function is determined based on the obtained data (step S4). Note that the substrate warpage function F (x, y)
Can be generally expressed as: F (x, y) = C (x−a) n (x + a) n (y−b)
n (y + b) n Here, x and y represent arbitrary positions when the center position of the substrate 9 is taken as the origin as shown in FIG. 4, and a and b are の 長 of the vertical and horizontal dimensions of the substrate. Represents In step S4, C and n in the general equation of the substrate warping function F (x, y) are determined from the plural sets of X-axis position data, Y-axis position data, and measurement data.

【0021】そして加工動作を開始する(ステップS
5)。すなわち、主制御部1は、計測フィードバック制
御部2に対して加工指令を出力する。加工指令を受けた
計測フィードバック制御部2は、XYステ―ジ部8のパ
ルス分配器82からのXY位置情報、及び基板反りセン
サ63と対物レンズ72の相対距離情報から、加工位置
の座標x,yを算出し(ステップS6)、これを基板反
り関数F(x,y)に代入してその位置での反り量を算
出する(ステップS7)。この結果から得られる補正量
分のパルスをZ軸コントローラ部51に伝送し、Z軸モ
ータ53を制御する(ステップS8)。そして、加工が
終了したか判断し(ステップS9)、終了していなけれ
ばステップS6にもどり、これを連続して繰り返す。
Then, the machining operation is started (Step S)
5). That is, the main control unit 1 outputs a machining command to the measurement feedback control unit 2. Upon receiving the processing command, the measurement feedback control unit 2 determines the coordinates x, of the processing position from the XY position information from the pulse distributor 82 of the XY stage unit 8 and the relative distance information between the substrate warpage sensor 63 and the objective lens 72. y is calculated (step S6), and this is substituted into the substrate warping function F (x, y) to calculate the amount of warpage at that position (step S7). The pulses corresponding to the correction amount obtained from this result are transmitted to the Z-axis controller 51 to control the Z-axis motor 53 (step S8). Then, it is determined whether or not the processing has been completed (step S9). If not completed, the process returns to step S6, and this is repeated continuously.

【0022】以上の動作によって、対物レンズ72と基
板9の距離をほぼ一定に保ちながら、加工を行うことが
でき、かつ、基板の反りを比較的単純な形の関数に表現
できるため、演算時間を短縮でき、単位時間当たりのフ
ィードバック回数を増やすことができるので、加工時は
高速な制御ができ、スループットが向上できる。
By the above operation, the processing can be performed while keeping the distance between the objective lens 72 and the substrate 9 almost constant, and the warpage of the substrate can be expressed as a relatively simple function. Can be reduced, and the number of feedbacks per unit time can be increased, so that high-speed control can be performed at the time of machining and the throughput can be improved.

【0023】次に、本発明の第2の実施形態について図
面を参照して詳細に説明する。
Next, a second embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

【0024】図5を参照すると、本実施形態では、レー
ザ加工部7が、図1に示された第1の実施形態例におけ
るレーザ加工部が1ビームであるのに対して、マルチビ
ーム(図5では4ビーム)を有する点で異なる。また、
基板反り計測は同様の処理を行うが、加工を行う時は、
それぞれのビームの加工位置が異なるため各ビームの加
工点のx,y座標はそれぞれ、以下の式により4点につ
いて、それぞれ算出される。 x1=x+Δxb1 y1=y+Δyb1 x2=x+Δxb2 y2=y+Δyb2 x3=x+Δxb3 y3=y+Δyb3 x4=x+Δxb4 y4=y+Δyb4 ここで、x1,x2,x3,x4は、各ビームの加工点
のx座標であり、y1,y2,y3,y4は、各ビーム
の加工点のy座標であり、x,yは計測センサの計測点
のxy座標であり、Δxb1,Δxb2,Δxb3,Δ
xb4は計測センサから、各ビーム加工点までのx軸方
向オフセット量であり、Δyb1,Δyb2,Δyb
3,Δyb4は計測センサから、各ビーム加工点までの
y軸方向オフセット量を表す。
Referring to FIG. 5, in the present embodiment, the laser processing unit 7 has a multi-beam (see FIG. 1) structure while the laser processing unit in the first embodiment shown in FIG. 5 has four beams). Also,
The same processing is performed for substrate warpage measurement, but when processing is performed,
Since the processing position of each beam is different, the x and y coordinates of the processing point of each beam are respectively calculated for the four points by the following equations. x1 = x + [Delta] xb1 y1 = y + [Delta] yb1 x2 = x + [Delta] xb2 y2 = y + [Delta] yb2 x3 = x + [Delta] xb3 y3 = y + [Delta] yb3 x4 = x + [Delta] xb4 y4 = y + [Delta] yb4 Here, x1, x2, x3, and x4 are x, y at the coordinates of x1, y2, and y at x2. , Y3, y4 are the y coordinates of the processing point of each beam, x, y are the xy coordinates of the measurement point of the measurement sensor, Δxb1, Δxb2, Δxb3, Δ
xb4 is an offset amount in the x-axis direction from the measurement sensor to each beam processing point, and Δyb1, Δyb2, Δyb
3, Δyb4 represents the offset amount in the y-axis direction from the measurement sensor to each beam processing point.

【0025】反り関数F(x,y)は、計測センサが
(x,y)の位置にあるとき、各ビームのZ軸反りフィ
ードバック高さは、それぞれF(x1,y1),F(x
2,y2),F(x3,y3),F(x4,y4)とな
る。このフィードバックを連続して繰り返すことによ
り、各ビームを独立に制御することが可能である。
The warp function F (x, y) is such that when the measurement sensor is at the position of (x, y), the Z-axis warp feedback height of each beam is F (x1, y1), F (x
2, y2), F (x3, y3) and F (x4, y4). By continuously repeating this feedback, each beam can be controlled independently.

【0026】[0026]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、予
め、基板の反り量を計測しておくことにより反りが大き
い基板に対しても安定した加工品質を得ることができか
つ、加工時は高速な制御ができるためスループットも向
上できる。
As described above, according to the present invention, by measuring the amount of warpage of a substrate in advance, a stable processing quality can be obtained even for a substrate having a large warpage, Can perform high-speed control, thereby improving the throughput.

【0027】その理由は、基板の反りを比較的単純な形
の関数に表現できるため、演算時間を短縮でき、単位時
間当たりのフィードバック回数を増やすことができるた
めである。
The reason is that the warpage of the substrate can be expressed as a relatively simple function, so that the calculation time can be reduced and the number of feedbacks per unit time can be increased.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施形態の構成を示すブロック
図である。
FIG. 1 is a block diagram illustrating a configuration of a first exemplary embodiment of the present invention.

【図2】図1の基板の反り計測及び対物レンズ高さ制御
の動作を示すフローチャートである。
FIG. 2 is a flowchart showing operations of measuring the warpage of the substrate and controlling the height of an objective lens in FIG. 1;

【図3】図2のステップS2の基板反りデータサンプリ
ング時のXYステージの動きを示す説明図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram showing the movement of an XY stage at the time of sampling substrate warpage data in step S2 of FIG. 2;

【図4】基板外形に対する基板上の座標(x、y)の位
置関係を示す説明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram showing a positional relationship of coordinates (x, y) on a substrate with respect to the outer shape of the substrate.

【図5】本発明の第2の実施形態の構成を示すブロック
図である。
FIG. 5 is a block diagram showing a configuration of a second exemplary embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 主制御部 2 計測/フィードバック制御部 3 レーザ制御部 4 XYステージ制御部 5 Z軸部 6 反り計測部 7 レーザ加工部 8 XYステージ部 9 基板 10 XYステージ 51 Z軸モータコントローラ部 52 Z軸モータドライバ部 53 Z軸モータ 54 XY軸エンコーダ/リニアスケールパルス高速カ
ウンタ 55 Z軸昇降ステージ 61 A/D変換部 62 センサアンプ部 63 基板反り測定センサ 71 レーザ 72 対物レンズ 81 XYステージ制御部 82 パルス分配器 83 XYステージエンコーダ/リニアスケール 84 XYステージモータ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Main control part 2 Measurement / feedback control part 3 Laser control part 4 XY stage control part 5 Z-axis part 6 Warpage measurement part 7 Laser processing part 8 XY stage part 9 Substrate 10 XY stage 51 Z-axis motor controller part 52 Z-axis motor Driver unit 53 Z-axis motor 54 XY-axis encoder / linear scale pulse high-speed counter 55 Z-axis elevating stage 61 A / D conversion unit 62 Sensor amplifier unit 63 Board warpage measurement sensor 71 Laser 72 Objective lens 81 XY stage control unit 82 Pulse distributor 83 XY stage encoder / linear scale 84 XY stage motor

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】予め加工対象物の反り量の計測を行う反り
計測手段と、この反り量の計測結果を基本関数に当ては
めて、前記加工対象物の全域の反りを示す反り撓み関数
を決定する反り関数決定手段と、前記反り関数を参照し
つつ、加工用のレーザ光を収束させる対物レンズを移動
させ、あるいは対象物を昇降させて、前記レーザ光の焦
点を対象物に合わせる焦点制御手段とを有することを特
徴とするレーザ加工装置。
1. A warp measuring means for measuring the amount of warpage of an object to be processed in advance, and applying a measurement result of the amount of warp to a basic function to determine a warp bending function indicating the entire area of the object to be processed. Warp function determining means, while referring to the warp function, moving the objective lens for converging the processing laser light, or moving the object up and down, focus control means to focus the laser light on the object A laser processing apparatus comprising:
【請求項2】ガラス基板等加工対象物に対して反り量を
計測する第1のステップと、この反り量の計測結果を基
本関数に当てはめて、対象物全域の反りを示す反り関数
を決定する第2のステップとを有することを特徴とする
レーザ加工方法。
2. A first step of measuring the amount of warpage of an object to be processed such as a glass substrate, and applying the measurement result of the amount of warpage to a basic function to determine a warp function indicating the warpage of the entire object. And a second step.
【請求項3】前記第1のステップは、対角線上の限定さ
れた領域を計測し、第2のステップは対角線上の限定さ
れた領域を計測した計測結果から前記反り関数を決定す
ることを特徴とする請求項2に記載のレーザ加工方法。
3. The method according to claim 1, wherein the first step measures a limited area on a diagonal line, and the second step determines the warp function from a measurement result obtained by measuring the limited area on a diagonal line. The laser processing method according to claim 2, wherein
【請求項4】前記反り関数を参照しつつ、加工用のレー
ザ光を収束させる対物レンズを移動させ、あるいは対象
物を昇降させて、前記レーザ光の焦点と対象物とを合わ
せる制御を行う第3のステップを更に有することを特徴
とする請求項2又は3に記載のレーザ加工方法。
4. A method for controlling the focus of the laser light and the object by moving an objective lens for converging the processing laser light or moving the object up and down while referring to the warp function. The laser processing method according to claim 2, further comprising a third step.
【請求項5】前記第3のステップは、計測点と加工点と
のオフセット量を求めるステップと、前記反り関数を参
照して対応する計測点における反りに対しての補正量を
算出するステップとを有することを特徴とする請求項4
に記載のレーザ加工方法。
5. The method according to claim 1, wherein the third step includes a step of obtaining an offset amount between the measurement point and the processing point; and a step of calculating a correction amount for warpage at the corresponding measurement point with reference to the warp function. 5. The method according to claim 4, wherein
2. The laser processing method according to 1. above.
【請求項6】前記第3のステップは、計測点と複数の加
工点とのオフセット量をそれぞれ求めるステップと、前
記反り関数を参照して各加工点に対し計測点における反
りに対しての補正量をそれぞれ算出するステップと、各
加工点に対する補正量に基づいて各加工点における加工
用レーザ光の焦点を独立に対象物に合わせるステップと
を有することを特徴とする請求項4に記載のレーザ加工
方法。
6. The method according to claim 1, wherein the third step is a step of obtaining an offset amount between the measurement point and the plurality of processing points, and the step of correcting a warpage at the measurement point for each processing point with reference to the warp function. 5. The laser according to claim 4, further comprising a step of calculating the amount of each laser beam and a step of independently focusing a processing laser beam at each processing point on an object based on a correction amount for each processing point. Processing method.
JP2000091967A 2000-03-29 2000-03-29 Laser processing apparatus and method Pending JP2001276986A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000091967A JP2001276986A (en) 2000-03-29 2000-03-29 Laser processing apparatus and method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000091967A JP2001276986A (en) 2000-03-29 2000-03-29 Laser processing apparatus and method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001276986A true JP2001276986A (en) 2001-10-09

Family

ID=18607370

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000091967A Pending JP2001276986A (en) 2000-03-29 2000-03-29 Laser processing apparatus and method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001276986A (en)

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006122982A (en) * 2004-10-29 2006-05-18 Tokyo Electron Ltd Laser processing apparatus and method
JP2009082932A (en) * 2007-09-28 2009-04-23 Pulstec Industrial Co Ltd Laser beam machining apparatus and laser beam machining method
JP2010234420A (en) * 2009-03-31 2010-10-21 Mitsubishi Electric Corp Laser beam machining apparatus and laser beam machining method
JP2011000600A (en) * 2009-06-17 2011-01-06 Disco Abrasive Syst Ltd Condenser lens and laser beam machining device
JP2011177771A (en) * 2010-03-03 2011-09-15 Hitachi High-Technologies Corp Laser beam machining method, laser beam machining apparatus, and method for manufacturing solar panel
EP2564972A1 (en) * 2011-09-05 2013-03-06 ALLTEC Angewandte Laserlicht Technologie Gesellschaft mit beschränkter Haftung Marking apparatus with a plurality of lasers, deflection means and telescopic means for each laser beam
WO2013080252A1 (en) * 2011-11-29 2013-06-06 パナソニック株式会社 Method for forming crystalline thin film, and method for manufacturing thin film transistor
CN103764336A (en) * 2011-09-05 2014-04-30 奥迪克激光应用技术股份有限公司 Marking apparatus with a plurality of gas lasers with resonator tubes and individually adjustable deflection means
KR101399533B1 (en) 2006-09-21 2014-05-30 비아 메카닉스 가부시키가이샤 Perforating method and laser machining apparatus
US9071034B2 (en) 2011-09-05 2015-06-30 Alltec Angewandte Laserlicht Technologie Gmbh Laser device
US9077141B2 (en) 2011-09-05 2015-07-07 Alltec Angewandte Laserlicht Technologie Gmbh Gas laser device and gas reservoir
US9077140B2 (en) 2011-09-05 2015-07-07 Alltec Angewandte Laserlight Technologie GmbH Laser device and method for generating laser light
US9073349B2 (en) 2011-09-05 2015-07-07 Alltec Angewandte Laserlicht Technologie Gmbh Marking apparatus
US9139019B2 (en) 2011-09-05 2015-09-22 Alltec Angewandte Laserlicht Technologie Gmbh Marking device for marking an object with marking light
US9300106B2 (en) 2011-09-05 2016-03-29 Alltec Angewandte Laserlicht Technologie Gmbh Laser device with a laser unit and a fluid container for a cooling means of said laser
US9348026B2 (en) 2011-09-05 2016-05-24 Alltec Angewandte Laserlicht Technologie Gmbh Device and method for determination of a position of an object by means of ultrasonic waves
US9577399B2 (en) 2011-09-05 2017-02-21 Alltec Angew Andte Laserlicht Technologie Gmbh Marking apparatus with a plurality of lasers and individually adjustable sets of deflection means
US9595801B2 (en) 2011-09-05 2017-03-14 Alltec Angewandte Laserlicht Technologie Gmbh Marking apparatus with a plurality of lasers and a combining deflection device
US9664898B2 (en) 2011-09-05 2017-05-30 Alltec Angewandte Laserlicht Technologie Gmbh Laser device and method for marking an object
US10236654B2 (en) 2011-09-05 2019-03-19 Alltec Angewandte Laserlight Technologie GmbH Marking apparatus with at least one gas laser and heat dissipator
JP2020044619A (en) * 2018-09-20 2020-03-26 川崎重工業株式会社 Robot system and robot control method
KR102233261B1 (en) * 2020-08-14 2021-03-30 (주)세우인코퍼레이션 Apparatus and method for OLED mask making
KR102243720B1 (en) * 2019-12-23 2021-04-23 주식회사 에스에프에이 Apparatus for etching substrates
JP7283982B2 (en) 2019-06-04 2023-05-30 ビアメカニクス株式会社 LASER PROCESSING APPARATUS AND LASER PROCESSING METHOD

Cited By (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7710582B2 (en) 2004-10-29 2010-05-04 Tokyo Electron Limited Laser processing apparatus and laser processing method for cutting and removing a part of a surface region of a substrate
JP2006122982A (en) * 2004-10-29 2006-05-18 Tokyo Electron Ltd Laser processing apparatus and method
KR101399533B1 (en) 2006-09-21 2014-05-30 비아 메카닉스 가부시키가이샤 Perforating method and laser machining apparatus
JP2009082932A (en) * 2007-09-28 2009-04-23 Pulstec Industrial Co Ltd Laser beam machining apparatus and laser beam machining method
JP2010234420A (en) * 2009-03-31 2010-10-21 Mitsubishi Electric Corp Laser beam machining apparatus and laser beam machining method
JP2011000600A (en) * 2009-06-17 2011-01-06 Disco Abrasive Syst Ltd Condenser lens and laser beam machining device
JP2011177771A (en) * 2010-03-03 2011-09-15 Hitachi High-Technologies Corp Laser beam machining method, laser beam machining apparatus, and method for manufacturing solar panel
EA026082B1 (en) * 2011-09-05 2017-02-28 Алльтек Ангевандте Лазерлихт Технологи Гмбх Marking apparatus comprising a plurality of lasers, and deflection means and telescopic means for each laser
US9348026B2 (en) 2011-09-05 2016-05-24 Alltec Angewandte Laserlicht Technologie Gmbh Device and method for determination of a position of an object by means of ultrasonic waves
CN103764336A (en) * 2011-09-05 2014-04-30 奥迪克激光应用技术股份有限公司 Marking apparatus with a plurality of gas lasers with resonator tubes and individually adjustable deflection means
CN103781584A (en) * 2011-09-05 2014-05-07 奥迪克激光应用技术股份有限公司 Marking apparatus with a plurality of lasers, deflection means and telescopic means for each laser beam
WO2013034210A1 (en) * 2011-09-05 2013-03-14 Alltec Angewandte Laserlicht Technologie Gmbh Marking apparatus with a plurality of lasers, deflection means and telescopic means for each laser beam
US10236654B2 (en) 2011-09-05 2019-03-19 Alltec Angewandte Laserlight Technologie GmbH Marking apparatus with at least one gas laser and heat dissipator
US9071034B2 (en) 2011-09-05 2015-06-30 Alltec Angewandte Laserlicht Technologie Gmbh Laser device
US9077141B2 (en) 2011-09-05 2015-07-07 Alltec Angewandte Laserlicht Technologie Gmbh Gas laser device and gas reservoir
US9077140B2 (en) 2011-09-05 2015-07-07 Alltec Angewandte Laserlight Technologie GmbH Laser device and method for generating laser light
US9073349B2 (en) 2011-09-05 2015-07-07 Alltec Angewandte Laserlicht Technologie Gmbh Marking apparatus
US9139019B2 (en) 2011-09-05 2015-09-22 Alltec Angewandte Laserlicht Technologie Gmbh Marking device for marking an object with marking light
US9664898B2 (en) 2011-09-05 2017-05-30 Alltec Angewandte Laserlicht Technologie Gmbh Laser device and method for marking an object
US9300106B2 (en) 2011-09-05 2016-03-29 Alltec Angewandte Laserlicht Technologie Gmbh Laser device with a laser unit and a fluid container for a cooling means of said laser
US9595801B2 (en) 2011-09-05 2017-03-14 Alltec Angewandte Laserlicht Technologie Gmbh Marking apparatus with a plurality of lasers and a combining deflection device
US9573223B2 (en) 2011-09-05 2017-02-21 Alltec Angewandte Laserlicht Technologie Gmbh Marking apparatus with a plurality of gas lasers with resonator tubes and individually adjustable deflection means
US9573227B2 (en) 2011-09-05 2017-02-21 Alltec Angewandte Laserlight Technologie GmbH Marking apparatus with a plurality of lasers, deflection means, and telescopic means for each laser beam
US9577399B2 (en) 2011-09-05 2017-02-21 Alltec Angew Andte Laserlicht Technologie Gmbh Marking apparatus with a plurality of lasers and individually adjustable sets of deflection means
EP2564972A1 (en) * 2011-09-05 2013-03-06 ALLTEC Angewandte Laserlicht Technologie Gesellschaft mit beschränkter Haftung Marking apparatus with a plurality of lasers, deflection means and telescopic means for each laser beam
WO2013080252A1 (en) * 2011-11-29 2013-06-06 パナソニック株式会社 Method for forming crystalline thin film, and method for manufacturing thin film transistor
US9218968B2 (en) 2011-11-29 2015-12-22 Joled Inc Method for forming crystalline thin-film and method for manufacturing thin film transistor
JPWO2013080252A1 (en) * 2011-11-29 2015-04-27 パナソニック株式会社 Method for forming crystalline thin film and method for manufacturing thin film transistor
JP2020044619A (en) * 2018-09-20 2020-03-26 川崎重工業株式会社 Robot system and robot control method
JP7182407B2 (en) 2018-09-20 2022-12-02 川崎重工業株式会社 Robot system and robot control method
JP7283982B2 (en) 2019-06-04 2023-05-30 ビアメカニクス株式会社 LASER PROCESSING APPARATUS AND LASER PROCESSING METHOD
KR102243720B1 (en) * 2019-12-23 2021-04-23 주식회사 에스에프에이 Apparatus for etching substrates
KR102233261B1 (en) * 2020-08-14 2021-03-30 (주)세우인코퍼레이션 Apparatus and method for OLED mask making

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2001276986A (en) Laser processing apparatus and method
JP2725020B2 (en) Electron beam exposure system
JP5037850B2 (en) Electron beam exposure system
JP2004261701A (en) Paste coating applicator
CN113348056A (en) Industrial robot device with improved tool path generation and method for operating an industrial robot device according to an improved tool path
JP5213783B2 (en) Laser processing apparatus and laser processing method
JP3000162B2 (en) Arc welding equipment
CN112828454B (en) Two-dimensional galvanometer online plane precision compensation system and compensation method thereof
JPH11142139A (en) Measurement error correction method for automatic three-dimensional measurement device
JP2007304713A (en) Robot teaching path correction method and operation device using robot
JP3209078B2 (en) Laser processing equipment
CN114509992A (en) Method for compensating the distance between a handling device and two workpieces in relative movement
JP2649283B2 (en) Robot machining control method
JPS6111815A (en) Compensating system of positional shift of robot
CN110919184A (en) Compensation method of mobile laser galvanometer welding system
CN110616427A (en) System and method for controlling laser cladding height of inner hole
US20130255091A1 (en) Machining apparatus with on-machine measuring function
JPH1034571A (en) Robot dislocation correcting device
JPH05173639A (en) Position controller and its control method
KR20040092954A (en) Method of calibrating X-Y stage of laser system and an apparatus thereof
JP3161101B2 (en) Charged particle beam drawing system
JPH05169351A (en) Thermal displacement compensation method of machine tool
KR101186258B1 (en) Synchronizing Method for Stage and Scanner in Laser Processing Apparatus
JP3201758B2 (en) Backlash correction method
JPS6182641A (en) Method and appratus for adjusting deflector of receiver with three electron guns

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20030311