JP2001274133A - Substrate-treating apparatus and method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、液
晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、
光ディスク用基板等の基板(以下「基板」という)を処
理する基板処理装置において、その処理液による基板処
理でのより一層の均一化を図ることが可能な基板処理装
置および基板処理方法に関する。The present invention relates to a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display, a glass substrate for a photomask,
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for processing a substrate (hereinafter, referred to as a "substrate") such as an optical disk substrate, which can achieve more uniform substrate processing with a processing liquid.
【0002】[0002]
【従来の技術】基板を処理槽に貯留された処理液に浸漬
して処理する基板処理装置が存在する。このような基板
処理装置においては、フッ酸等の薬液および純水(以
下、薬液および純水を総称して処理液とする)へのロッ
ト(バッチ処理を行うときの一組の複数の基板)の浸漬
処理を繰り返し、基板表面の汚染物質を除去したり、基
板表面の酸化膜をエッチングしたり、レジスト膜を剥離
したりする一連の基板処理を達成している。2. Description of the Related Art There is a substrate processing apparatus for processing a substrate by immersing the substrate in a processing solution stored in a processing tank. In such a substrate processing apparatus, a lot (a set of a plurality of substrates when performing batch processing) to a chemical solution such as hydrofluoric acid and pure water (hereinafter, the chemical solution and pure water are collectively referred to as a processing solution) Is repeated to remove contaminants on the substrate surface, etch an oxide film on the substrate surface, and peel off the resist film to achieve a series of substrate treatments.
【0003】図13はそのような処理の一例を表す図で
あり、処理槽161の下側に配置された処理液の供給管
163から一定の方向に向けて処理液Lを供給する場合
を示している。このような基板処理装置においては、た
とえば図13に示すように、1組(2つ)の矢印AR9
で代表されるような1種類の流れを形成することにより
処理液の供給が行われる。FIG. 13 is a diagram showing an example of such processing, and shows a case where a processing liquid L is supplied in a certain direction from a processing liquid supply pipe 163 arranged below the processing tank 161. ing. In such a substrate processing apparatus, for example, as shown in FIG.
The processing liquid is supplied by forming one kind of flow as represented by
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな1種類の流れにより基板処理が行われている場合に
おいては、処理槽内において処理液の流れがよどむ部分
(たとえば部分P1)が存在することがある。そして、
この「よどみ」が生じた部分においては、パーティクル
や反応生成物が滞留することとなったり、あるいは処理
液の濃度分布の不均一性を生じさせるなどの事態を招来
することになる。すなわち、このような「よどみ」は、
基板処理の均一化を阻害する要因となるという問題があ
る。However, when the substrate processing is performed by such one kind of flow, there is a portion (for example, a portion P1) where the flow of the processing liquid is stagnant in the processing tank. There is. And
In the portion where the “stagnation” has occurred, particles and reaction products may stay, or a situation may occur in which the concentration distribution of the processing solution becomes non-uniform. That is, such "stagnation"
There is a problem that it becomes a factor that hinders uniform processing of the substrate.
【0005】また、基板処理の均一性の低下という上記
のような問題は、基板を浸漬して処理する基板処理装置
のみならず、浸漬せずに保持した基板に対して処理液を
供給することにより基板処理を行う基板処理装置におい
ても同様に起こり得る。[0005] Further, the above problem that the uniformity of the substrate processing is deteriorated is caused not only by the substrate processing apparatus for immersing the substrate but also by supplying the processing liquid to the substrate held without immersion. This can also occur in a substrate processing apparatus that performs substrate processing by using the above method.
【0006】そこで、本発明は前記問題点に鑑み、基板
に対する処理液の供給にあたって、その均一性を向上さ
せることが可能な基板処理装置および基板処理方法を提
供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of improving the uniformity in supplying a processing liquid to a substrate.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1に記載の基板処理装置は、処理槽中に貯留
された処理液により基板の浸漬処理を行う基板処理装置
であって、処理槽内の互いに異なる位置に設けられ、処
理槽内に貯留された処理液に浸漬された基板に対して処
理液を供給することが可能な複数の供給手段と、前記複
数の供給手段のうちいずれの供給手段を用いて処理液の
供給を行うかを選択的に切り換える切換手段と、を備え
ることを特徴とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for performing a substrate immersion process using a processing liquid stored in a processing tank. A plurality of supply means provided at different positions in the processing tank and capable of supplying a processing liquid to a substrate immersed in the processing liquid stored in the processing tank; and Switching means for selectively switching which supply means is used to supply the processing liquid.
【0008】請求項2に記載の基板処理装置は、請求項
1に記載の基板処理装置において、前記複数の供給手段
は、少なくとも3つの供給手段で構成され、前記少なく
とも3つの供給手段のそれぞれは、浸漬基板の周囲の互
いに異なる位置に設けられ、前記浸漬基板の主面の中心
に向かう方向に対して相対的に所定の側にずれた相互に
異なる位置に対して処理液を供給することが可能であ
り、前記切換手段は、前記少なくとも3つの供給手段を
所定の順序で選択して、当該選択した供給手段から処理
液を供給するように切り換えることを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the first aspect, the plurality of supply units include at least three supply units, and each of the at least three supply units is It is provided at different positions around the immersion substrate, and it is possible to supply the processing liquid to mutually different positions shifted to a predetermined side relative to the direction toward the center of the main surface of the immersion substrate. It is possible that the switching means selects the at least three supply means in a predetermined order and switches so as to supply the processing liquid from the selected supply means.
【0009】請求項3に記載の基板処理装置は、請求項
1または請求項2に記載の基板処理装置において、前記
供給手段は、基板表面の剥離処理を行う処理液を基板に
対して供給することにより、基板の剥離処理を行うこと
を特徴とする。According to a third aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus of the first or second aspect, the supply unit supplies a processing liquid for performing a peeling process on the substrate surface to the substrate. Accordingly, the substrate is separated.
【0010】請求項4に記載の基板処理装置は、請求項
1ないし請求項3のいずれかに記載の基板処理装置にお
いて、処理槽内の互いに異なる位置に設けられ、処理槽
内に貯留された処理液を排出することが可能な複数の排
出手段と、前記切換手段は、前記複数の排出手段のうち
いずれの排出手段を用いて処理液の排出を行うかを選択
的に切り換えることを特徴とする。According to a fourth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to any one of the first to third aspects, the substrate processing apparatus is provided at different positions in the processing tank and stored in the processing tank. A plurality of discharge units capable of discharging the processing liquid; and the switching unit selectively switches which of the plurality of discharge units is used to discharge the processing liquid. I do.
【0011】また、請求項5に記載の基板処理方法は、
処理槽中に貯留された処理液によって基板の浸漬処理を
行う基板処理方法であって、前記処理槽内の互いに異な
る位置に設けられた複数の供給手段のうち1つ以上の供
給手段を含む第1の組合せに係る供給手段を用いて、前
記処理槽内の処理液に浸漬された基板に対して処理液を
供給する第1の工程と、前記複数の供給手段のうち1つ
以上の供給手段を含む組合せであって、前記第1の工程
で用いられた第1の組合せとは異なる第2の組合せに係
る供給手段を用いて、前記基板に対して処理液を供給す
る第2の工程と、を含むことを特徴とする。Further, the substrate processing method according to the fifth aspect is characterized in that:
A substrate processing method for performing immersion processing of a substrate using a processing liquid stored in a processing tank, the method including at least one supply unit among a plurality of supply units provided at different positions in the processing tank. A first step of supplying a processing liquid to a substrate immersed in the processing liquid in the processing bath using a supply means according to a combination of one or more of the plurality of supply means; A second step of supplying a processing liquid to the substrate using supply means according to a second combination different from the first combination used in the first step. , Is included.
【0012】さらに、請求項6に記載の基板処理装置
は、基板表面に対して処理液を供給する処理を行う基板
処理装置であって、処理槽内の互いに異なる位置に設け
られ、処理槽空間内の所定位置に保持された基板表面に
対して処理液を吐出供給することが可能な複数の供給手
段と、前記複数の供給手段のうちいずれの供給手段を用
いて処理液の供給を行うかを選択的に切り換える切換手
段と、を備えることを特徴とする。A substrate processing apparatus according to a sixth aspect of the present invention is a substrate processing apparatus for performing processing for supplying a processing liquid to a surface of a substrate. A plurality of supply units capable of discharging and supplying the processing liquid to the surface of the substrate held at a predetermined position in the inside, and which one of the plurality of supply units supplies the processing liquid. And a switching unit for selectively switching between (a) and (b).
【0013】また、請求項7に記載の基板処理装置は、
処理槽中に貯留された処理液により基板の浸漬処理を行
う基板処理装置であって、前記処理槽内の浸漬基板に対
して処理液を供給することにより第1の流れを形成する
ことが可能な第1の供給手段と、前記処理槽において前
記第1の供給手段よりも下側に配置され、前記浸漬基板
に対して処理液を供給することが可能な第2の供給手段
と、前記第1の供給手段と前記第2の供給手段との間に
設けられ、第2の供給手段から供給された処理液の流れ
を整えて、第1の流れとは異なる第2の流れを形成する
整流手段と、前記第1の供給手段を用いて前記第1の流
れを形成する動作と、前記第2の供給手段および整流手
段を用いて前記第2の流れを形成する動作とを選択的に
切り換える切換手段と、を備えることを特徴とする。Further, the substrate processing apparatus according to claim 7 is
A substrate processing apparatus for performing immersion processing of a substrate using a processing liquid stored in a processing tank, wherein a first flow can be formed by supplying a processing liquid to an immersion substrate in the processing tank. A first supply unit, a second supply unit disposed below the first supply unit in the processing tank, and capable of supplying a processing liquid to the immersion substrate; A rectifier that is provided between the first supply unit and the second supply unit, regulates the flow of the processing liquid supplied from the second supply unit, and forms a second flow different from the first flow; Means and an operation for forming the first flow using the first supply means and an operation for forming the second flow using the second supply means and the rectifying means. Switching means.
【0014】請求項8に記載の基板処理装置は、請求項
7に記載の基板処理装置において、前記切換手段は、前
記第1の供給手段を用いた第1の流れを有する処理液の
供給を行った後に、前記第2の供給手段を用いた第2の
流れを有する処理液の供給を行うように、前記第1の流
れを形成する動作と前記第2の流れを形成する動作との
切り換えを行うことを特徴とする。According to an eighth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus of the seventh aspect, the switching means supplies the processing liquid having the first flow using the first supply means. After performing, the operation of forming the first flow and the operation of forming the second flow are switched so that the processing liquid having the second flow is supplied using the second supply unit. Is performed.
【0015】[0015]
【発明の実施の形態】<A.第1実施形態> <A1.基板処理装置の全体構成>図1は、本発明に係
る基板処理装置1の全体構成を示す斜視図である。図示
のように、この基板処理装置1は、未処理基板を収納し
ているカセットCSが投入されるカセット搬入部2と、
このカセット搬入部2からのカセットCSが載置され内
部から複数の基板(ロット)が同時に取り出される基板
取出部3と、カセットCSから取り出された未処理基板
が順次浸漬処理される基板処理部5と、浸漬処理後の複
数の処理済み基板が同時にカセットCS中に収納される
基板収納部7と、処理済み基板を収納しているカセット
CSが払い出されるカセット搬出部8とを備える。さら
に、装置の前側には、基板取出部3から基板収納部7に
亙って基板移載搬送機構9が配置されており、浸漬処理
前、浸漬処理中及び浸漬処理後のロットを一箇所から別
の箇所に搬送したり移載したりする。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS <A. First Embodiment><A1. Overall Configuration of Substrate Processing Apparatus> FIG. 1 is a perspective view showing the overall configuration of a substrate processing apparatus 1 according to the present invention. As shown in the drawing, the substrate processing apparatus 1 includes a cassette loading unit 2 into which a cassette CS containing unprocessed substrates is loaded,
A substrate unloading unit 3 on which the cassette CS from the cassette loading unit 2 is placed and a plurality of substrates (lots) are simultaneously extracted from the inside, and a substrate processing unit 5 on which unprocessed substrates unloaded from the cassette CS are sequentially immersed. A substrate storage unit 7 in which a plurality of processed substrates after the immersion processing are simultaneously stored in the cassette CS; and a cassette unloading unit 8 from which the cassette CS storing the processed substrates is discharged. Further, on the front side of the apparatus, a substrate transfer / transportation mechanism 9 is arranged from the substrate unloading section 3 to the substrate storage section 7, and a lot before, during and after the immersion processing can be selected from one place. Convey or transfer to another location.
【0016】カセット搬入部2は、水平移動、昇降移動
及び垂直軸回りの回転が可能なカセット移載ロボットC
R1を備え、カセットステージ2a上の所定位置に載置
された一対のカセットCSを基板取出部3に移載する。The cassette loading section 2 includes a cassette transfer robot C capable of horizontal movement, vertical movement, and rotation about a vertical axis.
R1 is provided, and a pair of cassettes CS mounted at predetermined positions on the cassette stage 2a are transferred to the substrate extracting section 3.
【0017】基板取出部3は、昇降移動する一対のホル
ダ3a、3bを備える。そして、各ホルダ3a、3bの
上面にはガイド溝が刻設されており、カセットCS中の
未処理基板を垂直かつ互いに平行に支持することを可能
にする。したがって、ホルダ3a、3bが上昇すると、
カセットCS中から基板が押し上げられる。カセットC
S上方に押し上げられた基板は、基板移載搬送機構9に
設けられた搬送ロボットTRに受け渡され、水平移動後
に基板処理部5に投入される。The substrate unloading section 3 includes a pair of holders 3a and 3b which move up and down. A guide groove is formed on the upper surface of each of the holders 3a and 3b, so that unprocessed substrates in the cassette CS can be supported vertically and parallel to each other. Therefore, when the holders 3a and 3b rise,
The substrate is pushed up from inside the cassette CS. Cassette C
The substrate pushed upward S is transferred to the transfer robot TR provided in the substrate transfer / transfer mechanism 9, and is loaded into the substrate processing unit 5 after horizontal movement.
【0018】基板処理部5は、フッ酸等の薬液を貯留し
て薬液処理を行う薬液槽CBを備える薬液処理部52
と、純水を貯留して水洗処理を行う水洗槽WBを有する
水洗処理部54と、薬液または純水を貯留して単一槽内
で各種の薬液処理や水洗処理を行う多機能槽MBを有す
る多機能処理部56とを備える。なお、本明細書におい
ては、基板に何らかの処理を行う薬液槽CB、水洗槽W
B、多機能槽MBを総称して処理用槽とする。The substrate processing section 5 includes a chemical processing section 52 having a chemical tank CB for storing a chemical such as hydrofluoric acid and performing chemical processing.
And a washing unit 54 having a washing tank WB for storing pure water and performing washing processing, and a multi-function tank MB for storing various chemicals and washing in a single tank by storing chemicals or pure water. And a multifunctional processing unit 56 having the same. In this specification, a chemical solution tank CB and a washing tank W for performing some processing on a substrate are used.
B, the multi-function tank MB is collectively referred to as a processing tank.
【0019】基板処理部5において、薬液処理部52お
よび水洗処理部54の後方側には、第1基板浸漬機構5
5が配置されており、これに設けた上下動及び横行可能
なリフターLH1によって、搬送ロボットTRから受け
取った基板を薬液処理部52の薬液槽CBに浸漬した
り、水洗処理部54の水洗槽WBに浸漬したりする。リ
フターLH1は、薬液槽CBと水洗槽WBとの間で基板
を搬送することが可能であるとともに、それら処理用槽
に対して基板を昇降させることによって当該基板を処理
用槽に貯留された処理液中に浸漬しまたはその処理液か
ら離脱させることができる。In the substrate processing section 5, a first substrate immersion mechanism 5 is provided behind the chemical processing section 52 and the washing processing section 54.
The substrate received from the transport robot TR is immersed in the chemical tank CB of the chemical processing section 52, and the washing tank WB of the water washing section 54 is arranged by the lifter LH1 that can be moved up and down and traversed. Or soak in The lifter LH1 can transfer the substrate between the chemical solution tank CB and the washing tank WB, and raises and lowers the substrate with respect to the processing tanks so that the substrate is stored in the processing tank. It can be immersed in a liquid or separated from the processing liquid.
【0020】また、多機能処理部56の後方側には、第
2基板浸漬機構57が配置されており、これに設けた上
下動可能なリフターLH2によって、搬送ロボットTR
から受け取った基板を多機能処理部56の多機能槽MB
内に支持する。リフターLH2は、基板を保持して多機
能槽MBに当該基板を搬入するとともに多機能槽MBか
ら当該基板を搬出する役割を担っており、多機能槽MB
に対して基板を昇降させることによって当該基板を多機
能槽MBに貯留された処理液中に浸漬しまたはその処理
液から離脱させることができる。なお、52a、56a
はリフターLH1、LH2にそれぞれ設けられた基板を
支持するための基板受部を示す。A second substrate immersion mechanism 57 is disposed behind the multi-function processing unit 56, and is provided with a vertically movable lifter LH2 to transfer the robot TR.
Of the substrate received from the multi-function processing unit 56 in the multi-function tank MB
Support within. The lifter LH2 has a role of holding the substrate, loading the substrate into the multi-function tank MB, and carrying out the substrate from the multi-function tank MB.
By raising and lowering the substrate with respect to the substrate, the substrate can be immersed in or removed from the processing liquid stored in the multi-function tank MB. In addition, 52a, 56a
Indicates a substrate receiving portion for supporting substrates provided on the lifters LH1 and LH2.
【0021】また、多機能処理部56には、蓋58が設
けられている。蓋58は、その下部に駆動機構(図示省
略)を有しており、当該駆動機構によって多機能槽MB
の上端部を開閉する開閉動作を行うことができる。蓋5
8は、多機能槽MBの上端部を閉鎖することにより、多
機能槽MBに貯留された処理液への汚染物質の流入を防
止するとともに、多機能槽MB内の雰囲気が外部に漏洩
するのを防ぐ役割を有している。The multi-function processing section 56 is provided with a lid 58. The lid 58 has a drive mechanism (not shown) at its lower part, and the multifunction tank MB is driven by the drive mechanism.
Opening / closing operation for opening / closing the upper end portion of the camera. Lid 5
8 prevents the inflow of contaminants into the processing liquid stored in the multi-function tank MB by closing the upper end of the multi-function tank MB, and prevents the atmosphere in the multi-function tank MB from leaking to the outside. Has the role of preventing.
【0022】基板収納部7は、基板取出部3と同様の構
造を有し、昇降可能な一対のホルダ7a、7bによっ
て、搬送ロボットTRに把持された処理済み基板を受け
取ってカセットCS中に収納する。The substrate storage unit 7 has the same structure as the substrate unloading unit 3, and receives the processed substrate held by the transport robot TR by a pair of vertically movable holders 7a and 7b and stores the processed substrate in the cassette CS. I do.
【0023】また、カセット搬出部8は、カセット搬入
部2と同様の構造を有し、移動自在のカセット移載ロボ
ットCR2を備え、基板収納部7上に載置された一対の
カセットCSをカセットステージ8a上の所定位置に移
載する。The cassette carry-out section 8 has the same structure as the cassette carry-in section 2 and includes a movable cassette transfer robot CR2, and a pair of cassettes CS mounted on the substrate accommodating section 7. It is transferred to a predetermined position on the stage 8a.
【0024】基板移載搬送機構9は、水平移動及び昇降
移動が可能な搬送ロボットTRを備える。そして、この
搬送ロボットTRに設けた一対の回転可能なハンド9
1、92よってロットを把持することにより、基板取出
部3のホルダ3a、3bに支持された基板を基板処理部
5の第1基板浸漬機構55に設けたリフターLH1側に
移載したり、このリフターLH1側から隣りの第2基板
浸漬機構57に設けたリフターLH2側に基板を移載し
たり、このリフターLH2側から基板収納部7のホルダ
7a、7bに基板を移載したりする。The substrate transfer / transfer mechanism 9 includes a transfer robot TR that can move horizontally and vertically. Then, a pair of rotatable hands 9 provided on the transport robot TR are provided.
By holding the lot by the first and the second 92, the substrate supported by the holders 3a and 3b of the substrate unloading unit 3 is transferred to the lifter LH1 side provided in the first substrate immersion mechanism 55 of the substrate processing unit 5, or The substrate is transferred from the lifter LH1 to the lifter LH2 provided in the adjacent second substrate immersion mechanism 57, or the substrate is transferred from the lifter LH2 to the holders 7a and 7b of the substrate storage unit 7.
【0025】<A2.基板処理装置の制御機構>次に、
上記基板処理装置1の制御機構について説明する。図2
は、図1の基板処理装置1の制御機構を説明するための
機能ブロック図である。この基板処理装置1には、卓上
型コンピュータ等からなる制御部30が組み込まれてお
り、オペレータは制御部30を介して装置に指令を与え
たり、処理パターンや処理条件の設定を行ったりでき
る。<A2. Control mechanism of substrate processing equipment>
A control mechanism of the substrate processing apparatus 1 will be described. FIG.
FIG. 2 is a functional block diagram for explaining a control mechanism of the substrate processing apparatus 1 of FIG. The substrate processing apparatus 1 incorporates a control unit 30 including a desktop computer or the like, and an operator can give commands to the apparatus via the control unit 30 and set processing patterns and processing conditions.
【0026】制御部30は、その本体部であるCPU3
1と、読み出し専用メモリーであるROM32と、読み
書き自在のメモリーであるRAM33と、制御用ソフト
ウェアやレシピ(処理手順を既述したファイル)などを
記憶しておく磁気ディスク34と、付随する入出力機器
とのインターフェイスである入出力ポート35と、基板
処理装置1を直接制御する装置とのインターフェイスで
あるネットワークポート36と、基板処理装置1外部に
設けられているホストコンピュータなどと通信を行う通
信ポート37とを備えている。また、制御部30には、
入出力ポート35を介してディスプレイ38とキーボー
ド39とが付随して設けられており、オペレータはディ
スプレイ38の表示を確認しつつ、キーボード39から
コマンドやパラメータを入力することができる。The control unit 30 has a CPU 3 as its main unit.
1, a ROM 32 that is a read-only memory, a RAM 33 that is a readable and writable memory, a magnetic disk 34 that stores control software and recipes (files whose processing procedures have been described), and associated input / output devices An input / output port 35 which is an interface with the substrate processing apparatus 1, a network port 36 which is an interface with an apparatus which directly controls the substrate processing apparatus 1, and a communication port 37 which communicates with a host computer or the like provided outside the substrate processing apparatus 1. And The control unit 30 includes:
A display 38 and a keyboard 39 are additionally provided via the input / output port 35, and the operator can input commands and parameters from the keyboard 39 while checking the display on the display 38.
【0027】制御部30に入力された指令は、処理用の
ソフトウェアに基づいて処理され、必要に応じて制御部
30からネットワークポート36を介してマスターコン
トローラ40および槽コントローラ50などに伝達され
る。マスターコントローラ40は、搬送ロボットTR
(図1参照)の動作を制御する。また、槽コントローラ
50は、槽制御装置51に指令を伝達して、各処理用槽
への注排液などを制御する。なお、槽コントローラ50
を介した制御部30による処理用槽への供給および排出
の制御などについては後に詳述する。The command input to the control unit 30 is processed based on processing software, and is transmitted from the control unit 30 to the master controller 40 and the tank controller 50 via the network port 36 as necessary. The master controller 40 includes the transfer robot TR
(See FIG. 1). Further, the tank controller 50 transmits a command to the tank control device 51 to control liquid injection into and out of each processing tank. The tank controller 50
The control of supply and discharge to and from the processing tank by the control unit 30 via the control unit 30 will be described later in detail.
【0028】<A3.処理用槽の構成>次に、基板処理
装置1に設けられている処理用槽の構成について説明す
る。ここでは、処理用槽の一例として多機能処理部56
の多機能槽MBについて説明する。図3は、多機能槽M
B(MB1)の構成を示す図である。多機能槽MBは、
主として処理槽61、回収部62、およびそれらに付随
する注排液機構によって構成されている。処理槽61
は、多機能槽MBの主要部であり、純水または薬液(フ
ッ酸等)を貯留することが可能であり、その処理液中に
基板Wを浸漬することによって基板Wの表面処理を進行
させる槽である。<A3. Configuration of Processing Tank> Next, the configuration of the processing tank provided in the substrate processing apparatus 1 will be described. Here, as an example of the processing tank, the multifunctional processing unit 56
The multi-function tank MB will be described. FIG. 3 shows a multi-function tank M
FIG. 3 is a diagram showing a configuration of B (MB1). Multi-function tank MB
It is mainly composed of a processing tank 61, a recovery section 62, and a liquid injection / drainage mechanism associated therewith. Processing tank 61
Is a main part of the multi-function tank MB, can store pure water or a chemical solution (hydrofluoric acid or the like), and advances the surface treatment of the substrate W by immersing the substrate W in the treatment liquid. It is a tank.
【0029】処理槽61の内部壁面においては、複数
(ここでは4本)の処理液の供給管63a,63b,6
3c,63dが設けられている。これらの供給管63
a,63b,63c,63dは、円筒形状(図ではその
断面形状が表されている)を有しており、その円筒表面
に処理液を供給するための孔(図示せず)を有してい
る。また、各供給管63a,63b,63c,63d
は、それぞれ、図3において、処理槽61の左上方、左
下方、右上方、右下方の位置にそれぞれ配置されてお
り、それぞれ、バルブ64a,64b,64c,64d
を介して、処理液の供給源65a,65b,65c,6
5dに接続されている。On the inner wall surface of the processing tank 61, supply pipes 63a, 63b, 6
3c and 63d are provided. These supply pipes 63
Each of a, 63b, 63c, and 63d has a cylindrical shape (the cross-sectional shape is shown in the figure), and has a hole (not shown) for supplying a processing liquid to the cylindrical surface. I have. In addition, each supply pipe 63a, 63b, 63c, 63d
Are arranged at upper left, lower left, upper right, and lower right positions of the processing tank 61 in FIG. 3, respectively, and the valves 64a, 64b, 64c, 64d are respectively provided.
Through the processing liquid supply sources 65a, 65b, 65c, 6
5d.
【0030】そして、たとえば供給管63aは、バルブ
64aを開状態にすることにより、処理液の供給源65
aにおいて蓄えられた処理液を、供給管63aの表面に
設けられた孔から処理槽61に対して供給することがで
きる。なお、簡略化のため図示していないが、供給源6
5aにおいては、それぞれ、複数の種類の処理液を選択
するための選択バルブなどを有しており、この選択用バ
ルブとバルブ64とを用いて、所望の処理液を供給する
ことができる。また、他の供給管63b,63c,63
dについても同様であり、それぞれ、バルブ64b,6
4c,64dを介して、同様の処理液の供給源65b,
65c,65dに蓄えられる処理液を供給することがで
きる。さらに、処理槽61の供給管63から供給された
処理液は、やがてその上方から溢れ出て(オーバーフロ
ーして)、回収部62によって回収された後、排出され
る。The supply pipe 63a is connected to the processing liquid supply source 65 by opening the valve 64a.
The processing liquid stored in a can be supplied to the processing tank 61 from a hole provided on the surface of the supply pipe 63a. Although not shown for simplicity, the source 6
5a has a selection valve or the like for selecting a plurality of types of processing liquids, and a desired processing liquid can be supplied using the selection valve and the valve 64. Further, the other supply pipes 63b, 63c, 63
The same applies to d, where the valves 64b, 6
4c and 64d, supply sources 65b,
The processing liquid stored in 65c and 65d can be supplied. Further, the processing liquid supplied from the supply pipe 63 of the processing tank 61 eventually overflows (overflows) from above, is recovered by the recovery unit 62, and is then discharged.
【0031】また、処理槽61の底部には、排出用バル
ブ66eと排液部67eとが設けられている。この排出
用バルブ66eを閉状態としておくことにより、上記の
ようなオーバーフロー処理を行うことができる。また、
この排出用バルブ66eを開状態とすることにより、処
理槽61に貯留された処理液を排液部67eに向けて短
時間で排出することなどが可能であり、処理槽61内の
処理液の全入れ替えなどの動作を行うことが可能であ
る。At the bottom of the processing tank 61, a discharge valve 66e and a liquid discharge section 67e are provided. By closing the discharge valve 66e, the overflow process described above can be performed. Also,
By opening the discharge valve 66e, the processing liquid stored in the processing tank 61 can be discharged to the drainage section 67e in a short time, and the like. It is possible to perform operations such as a total replacement.
【0032】ここにおいて、この処理槽61において
は、エッチング処理やレジスト膜の剥離処理を行うこと
ができる。たとえば、基板のエッチング処理には、フッ
酸などの薬液が用いられ、また、基板上のレジスト膜な
どの不要物を除去する剥離処理には、(1)オゾン(O
3)を純水に溶解したオゾン(O3)水、(2)オゾン
(O3)水と炭酸水素ナトリウム(NaHCO3)などの
重炭酸イオンを含む添加物との混合液、(3)硫酸(H
2SO4)と過酸化水素水(H2O)との混合液、(4)
硫酸(H2SO4)とオゾンとの混合液、(5)有機剥離
液、あるいは(6)有機剥離液で処理した後の基板を洗
浄処理するイソプロピルアルコール液などのリンス液が
使用される。Here, in the processing tank 61, an etching process or a stripping process of a resist film can be performed. For example, a chemical solution such as hydrofluoric acid is used for etching the substrate, and (1) ozone (O 2 O) is used for the stripping process for removing unnecessary substances such as a resist film on the substrate.
3 ) Ozone (O 3 ) water dissolved in pure water, (2) a mixture of ozone (O 3 ) water and an additive containing bicarbonate ions such as sodium hydrogen carbonate (NaHCO 3 ), (3) sulfuric acid (H
Mixed solution of 2 SO 4 ) and hydrogen peroxide solution (H 2 O), (4)
A rinsing liquid such as a mixed liquid of sulfuric acid (H 2 SO 4 ) and ozone, (5) an organic stripping liquid, or (6) an isopropyl alcohol liquid for cleaning a substrate after being treated with the organic stripping liquid is used.
【0033】このうち、有機剥離液としては、たとえ
ば、1−メチル−2ピロリドン、テトラヒドロチオフェ
ン1.1−ジオキシド、イソプロパノールアミン、ジメ
チルスルホシキド、モノエタノールアミン、2−(2ア
ミノエトキシ)エタノール、ヒドロキシアミン、カテコ
ール、N−メチルピロリドン、アロマテイックジオー
ル、パーフレン、フェノールを主成分とする薬液が使用
される。より具体的には、たとえば、1−メチル−2
ピロリドンとテトラヒドロチオフェン1.1−ジオキシ
ドとイソプロパノールアミンとの混合液、ジメチルス
ルホシキドとモノエタノールアミンとの混合液、2−
(2アミノエトキシ)エタノールとヒドロキシアミンと
カテコールとの混合液、2−(2アミノエトキシ)エ
タノールとN−メチルピロリドンとの混合液、モノエ
タノールアミンと水とアロマテイックジオールとの混合
液、パーフレンとフェノールとの混合液、の(6種類
の)混合液のそれぞれが、有機剥離剤として用いられ
る。Among them, examples of the organic stripping solution include 1-methyl-2-pyrrolidone, tetrahydrothiophene 1.1-dioxide, isopropanolamine, dimethyl sulfoxide, monoethanolamine, 2- (2aminoethoxy) ethanol, A chemical solution containing hydroxyamine, catechol, N-methylpyrrolidone, aromatic diol, perfrene, and phenol as main components is used. More specifically, for example, 1-methyl-2
A mixture of pyrrolidone, tetrahydrothiophene 1.1-dioxide and isopropanolamine, a mixture of dimethyl sulfoxide and monoethanolamine,
A mixed solution of (2aminoethoxy) ethanol, hydroxyamine and catechol, a mixed solution of 2- (2aminoethoxy) ethanol and N-methylpyrrolidone, a mixed solution of monoethanolamine, water and aromatic diol, perfrene Each of the (six types) of mixed solutions of phenol and phenol is used as an organic release agent.
【0034】また、処理槽61における処理の種類など
によって、供給管63a,63b,63c,63dから
供給される処理液の供給量(流量)が変化する。これ
は、バルブ64a,64b,64c,64dの開閉量
や、図示しない処理液供給用のポンプの圧力などを制御
することにより行われる。特に、上述の剥離処理におい
ては、大流量の処理液(したがって大きな液圧を有する
処理液)を基板に対して供給することにより、基板の表
面に付着した不要なレジスト膜などを剥離することが可
能になる。The supply amount (flow rate) of the processing liquid supplied from the supply pipes 63a, 63b, 63c, 63d changes depending on the type of processing in the processing tank 61 and the like. This is performed by controlling the opening / closing amounts of the valves 64a, 64b, 64c, 64d and the pressure of a processing liquid supply pump (not shown). In particular, in the above-described stripping treatment, unnecessary resist films and the like adhering to the surface of the substrate can be stripped by supplying a large flow rate of the processing liquid (therefore, a processing liquid having a large liquid pressure) to the substrate. Will be possible.
【0035】さらに、処理対象となる複数の基板Wは、
処理槽61に貯留された処理液に浸漬された状態におい
て、起立状態で保持されている。そして、図3に示すよ
うに、供給管63aは基板Wの左上方から処理液を供給
し、供給管63bは基板Wの左下方から処理液を供給
し、供給管63cは基板Wの右上方から処理液を供給
し、供給管63dは基板Wの右下方から処理液を供給す
る。つぎに、これらの複数の供給管63a,63b,6
3c,63dを用いた処理動作について詳述する。Further, a plurality of substrates W to be processed are
In a state of being immersed in the processing liquid stored in the processing tank 61, it is held upright. Then, as shown in FIG. 3, the supply pipe 63a supplies the processing liquid from the upper left of the substrate W, the supply pipe 63b supplies the processing liquid from the lower left of the substrate W, and the supply pipe 63c supplies the processing liquid from the upper right of the substrate W. The supply pipe 63d supplies the processing liquid from the lower right of the substrate W. Next, these supply pipes 63a, 63b, 6
The processing operation using 3c and 63d will be described in detail.
【0036】<A4.動作> <第1の動作>ここでは、上記の4つの供給管63a,
63b,63c,63dを用いて選択的に処理液を基板
に対して供給する場合について説明する。図4は、各供
給管63a,63b,63c,63dからの処理液の供
給方向を示す模式図であり、図5は、各供給管63a,
63b,63c,63dからの処理液の供給動作を示す
動作図(タイミングチャート)である。また、図6は、
異なる時刻における、各供給管63a,63b,63
c,63dからの処理液の供給状況を示す図である。<A4. Operation><FirstOperation> Here, the four supply pipes 63a,
The case where the processing liquid is selectively supplied to the substrate by using 63b, 63c, and 63d will be described. FIG. 4 is a schematic diagram showing the supply direction of the processing liquid from each supply pipe 63a, 63b, 63c, 63d, and FIG.
It is an operation | movement figure (timing chart) which shows the supply operation of the processing liquid from 63b, 63c, 63d. Also, FIG.
Supply pipes 63a, 63b, 63 at different times
It is a figure which shows the supply situation of the processing liquid from c, 63d.
【0037】図4に示すように、これら4つの供給管の
それぞれは、(処理槽内の処理液に)浸漬された基板
(浸漬基板)Wの周辺部の互いに異なる位置に設けら
れ、浸漬基板の主面(図では円形面)の中心Cに向かう
方向に対して相対的に所定の側(図では左側)にずれた
相互に異なる位置に対して処理液を供給するように構成
されている。たとえば、供給管63aは基板の中心Cに
向かって中心Cの左側にずれた位置に対して処理液を供
給し、供給管63bも基板の中心Cに向かって中心Cの
左側にずれた位置に対して処理液を供給する。他の供給
管63c,63dについても同様であり、基板の中心C
に向かって(同一の)左側にずれた位置に対して処理液
を供給する。As shown in FIG. 4, each of these four supply pipes is provided at different positions on the periphery of a substrate (immersion substrate) W immersed (in a processing solution in a processing tank). The processing liquid is supplied to mutually different positions shifted to a predetermined side (the left side in the figure) relative to the direction toward the center C of the main surface (the circular surface in the figure). . For example, the supply pipe 63a supplies the processing liquid to a position shifted to the left of the center C toward the center C of the substrate, and the supply pipe 63b also shifts to a position shifted to the left of the center C toward the center C of the substrate. The processing liquid is supplied to the processing liquid. The same applies to the other supply pipes 63c and 63d.
The processing liquid is supplied to a position shifted to the (same) left side toward.
【0038】この実施形態においては、このような4つ
の供給管63a,63b,63c,63dの全てから同
時に処理液を供給するのではなく、4つの供給管63
a,63b,63c,63dのそれぞれからの処理液の
供給が、所定の順序で切り換えて行われる場合を例示す
る。このような切換動作は、上記の制御部30の指令に
基づいて、槽コントローラ50を介して、各バルブ64
a,64b,64c,64dの開閉などを伴うことによ
り実現される。In this embodiment, the processing liquid is not supplied from all of the four supply pipes 63a, 63b, 63c and 63d at the same time.
The case where the supply of the processing liquid from each of a, 63b, 63c, and 63d is performed by switching in a predetermined order will be exemplified. Such a switching operation is performed by the valves 64 through the tank controller 50 based on the command from the control unit 30.
a, 64b, 64c, 64d.
【0039】つぎに、図5の動作図をも参照しながら、
このような切換動作について説明する。図5の動作図に
示すように、まず、時刻t0において、供給管63aか
らの供給が開始される。図6(a)は、供給管63aか
らのみ処理液が供給される様子を示す。そして、所定時
間Δt経過後、時刻t1において、供給管63aからの
供給が停止され、今度は、供給管63aに代わって、供
給管63cからの供給が開始される。図6(b)は、供
給管63cからのみ処理液が供給される様子を示す。つ
ぎに、時刻t2において、供給管63cからの供給が停
止され、供給管63dからの供給が開始される。図6
(c)は、供給管63dからのみ処理液が供給される様
子を示す。さらに、時刻t3において、供給管63dか
らの供給が停止され、供給管63bからの供給が開始さ
れる。図6(d)は、供給管63bからのみ処理液が供
給される様子を示す。その後、時刻t4において、供給
管63bからの処理液の供給が停止される。また、この
各供給管63からの処理液の供給時間Δt(=t1−t
0,t2−t1,...)は、たとえば、数秒から数十秒
である。この供給時間は、処理槽61の大きさおよび処
理液の流量などに応じて適切な値が設定される。Next, referring also to the operation diagram of FIG.
Such a switching operation will be described. As shown in the operation diagram of FIG. 5, first, at time t0, supply from the supply pipe 63a is started. FIG. 6A shows a state where the processing liquid is supplied only from the supply pipe 63a. Then, after a predetermined time Δt has elapsed, at time t1, the supply from the supply pipe 63a is stopped, and the supply from the supply pipe 63c is started instead of the supply pipe 63a. FIG. 6B shows a state in which the processing liquid is supplied only from the supply pipe 63c. Next, at time t2, the supply from the supply pipe 63c is stopped, and the supply from the supply pipe 63d is started. FIG.
(C) shows a state where the processing liquid is supplied only from the supply pipe 63d. Further, at time t3, the supply from the supply pipe 63d is stopped, and the supply from the supply pipe 63b is started. FIG. 6D shows a state where the processing liquid is supplied only from the supply pipe 63b. Thereafter, at time t4, the supply of the processing liquid from the supply pipe 63b is stopped. Further, the processing liquid supply time Δt (= t1−t) from each supply pipe 63
0, t2-t1,...) Is, for example, several seconds to several tens of seconds. The supply time is set to an appropriate value according to the size of the processing tank 61 and the flow rate of the processing liquid.
【0040】以降、順次、時刻t4,t5,...におい
て供給管63a,63b,からの供給が開始されるとと
もに、時刻t5,t6,...において供給管63c,6
3dからの供給が停止される。すなわち、図6(a)〜
(d)に示される各動作をこの順序で繰り返すことによ
り、4つの供給管からの処理液の供給動作を行う。Thereafter, the supply from the supply pipes 63a, 63b is started sequentially at times t4, t5,... And the supply pipes 63c, 6 at times t5, t6,.
The supply from 3d is stopped. That is, FIG.
By repeating each operation shown in (d) in this order, an operation of supplying the processing liquid from the four supply pipes is performed.
【0041】ここにおいて、4つの供給管63a,63
b,63c,63dのうちいずれの供給管を用いて処理
液の供給を行うかを選択的に切り換えて処理液の供給動
作を行うので、図6(a)〜(d)に示すように、処理
液の様々な流れ(ここでは4種類の流れ)を形成するこ
とができる。したがって、一定の流れが継続することに
起因する「よどみ」等の発生を抑制することができるの
で、処理液を基板に対して供給するにあたって、その均
一性を向上させることができる。Here, the four supply pipes 63a, 63
Since the processing liquid supply operation is performed by selectively switching which of the supply pipes b, 63c, and 63d is used to supply the processing liquid, the processing liquid supply operation is performed, as shown in FIGS. Various flows (here, four types of flows) of the processing liquid can be formed. Therefore, the occurrence of “stagnation” or the like due to the continuation of a constant flow can be suppressed, and the uniformity of the processing liquid when it is supplied to the substrate can be improved.
【0042】さらに、浸漬基板Wの主面の中心Cに向か
う方向に対して所定の側(同一の側)にずれた相互に異
なる位置に対して処理液を供給する4つの供給管63
a,63b,63c,63dによって、所定の順序(こ
こでは、供給管の配置位置に関して時計回りの順序)で
処理液が供給されるので、各供給管63a,63b,6
3c,63dのそれぞれによる供給時点においては、図
6(a)〜(d)のそれぞれに示す独自の流れが形成さ
れる一方で、さらに大きな時間単位で考察すると、基板
の中心Cに対して(時計回りに)回転するような処理液
の流れを形成することが可能である。したがって、基板
に対して均一な処理が可能になる。Further, four supply pipes 63 for supplying the processing liquid to mutually different positions shifted to a predetermined side (the same side) with respect to the direction toward the center C of the main surface of the immersion substrate W.
The processing liquid is supplied in a predetermined order (here, the clockwise order with respect to the arrangement position of the supply pipes) by a, 63b, 63c, and 63d.
At the time of supply by each of 3c and 63d, the unique flow shown in each of FIGS. 6A to 6D is formed, while considering in a larger time unit, ( It is possible to form a flow of the processing liquid that rotates (clockwise). Therefore, uniform processing can be performed on the substrate.
【0043】なお、4つの供給管63a,63b,63
c,63dから同時に処理液を供給する場合には、別個
の供給管63a,63b,63c,63dから供給され
る処理液の相互間による流れが干渉するため、基板の中
心に対して回転するような処理液の流れを形成すること
が困難であるのに対して、上記のように時間的に異なる
タイミングで各供給管から処理液を供給する場合には、
このような相互干渉が抑制されるため、基板の中心Cに
対して回転するような処理液の流れを効率的に形成する
ことが可能になる。特に、上述の剥離処理を行う場合に
おいては、大流量の処理液(したがって大きな液圧を有
する処理液)を基板Wに対して供給するにあたって、各
供給管63a,63b,63c,63dのそれぞれから
供給される処理液同士が互いに干渉することなく、各供
給時間にわたる各供給管のそれぞれから供給される処理
液の液圧を十分に利用した上で、処理液の供給を行うこ
とが可能である。これにより、基板の表面に付着した不
要なレジスト膜などの剥離をより有効に行うことができ
る。The four supply pipes 63a, 63b, 63
When the processing liquids are supplied simultaneously from c and 63d, the flow of the processing liquid supplied from the separate supply pipes 63a, 63b, 63c and 63d interferes with each other. When it is difficult to form a flow of the processing liquid, when the processing liquid is supplied from each supply pipe at different timings as described above,
Since such mutual interference is suppressed, it is possible to efficiently form a flow of the processing liquid that rotates with respect to the center C of the substrate. In particular, in the case of performing the above-described stripping process, when supplying a large flow rate of the processing liquid (therefore, a processing liquid having a high liquid pressure) to the substrate W, the supply pipes 63a, 63b, 63c, and 63d are used to supply the processing liquid. It is possible to supply the processing liquid after sufficiently utilizing the pressure of the processing liquid supplied from each supply pipe over each supply time without the supplied processing liquids interfering with each other. . This makes it possible to more effectively remove unnecessary resist films and the like adhering to the surface of the substrate.
【0044】また、基板Wは、それ自身が回転されるこ
となく固定された状態で保持されるので、基板Wなどか
らのパーティクルの発生も最小限に止めることができ
る。Since the substrate W is held in a fixed state without being rotated, generation of particles from the substrate W and the like can be minimized.
【0045】さらに、上記においては、4つの供給管に
より処理液の供給を行ったが、少なくとも3つの供給管
からの処理液の供給を行うことにより、同様の処理を行
うことができる。たとえば、基板Wの周囲の異なる3カ
所(たとえば、基板Wの左上位置と基板Wの右上位置と
基板Wの直下位置との合計3カ所)の位置に設けられた
3つの供給管を用いても同様の処理を行うことが可能で
ある。Further, in the above description, the processing liquid is supplied through the four supply pipes. However, the same processing can be performed by supplying the processing liquid through at least three supply pipes. For example, three supply pipes provided at three different positions around the substrate W (for example, a total of three positions including an upper left position of the substrate W, an upper right position of the substrate W, and a position immediately below the substrate W) may be used. Similar processing can be performed.
【0046】<その他の動作>上記においては、浸漬基
板Wの主面の中心Cに向かう方向に対して所定の側(左
側)にずれた位置に対して処理液を供給する4つの供給
管を用いる場合において、供給管の配置位置に関して時
計回りの順序(すなわち、供給管63a,63c,63
d,63bの順)で処理液が供給される場合を例示した
が、これに限定されない。たとえば、浸漬基板Wの主面
の中心Cに対して右側にずれた位置に対して処理液を供
給する4つの供給管を用いて、供給管の配置位置に関し
て反時計回りの順序(すなわち、供給管63a,63
b,63d,63cの順)で処理液を供給してもよい。
また、これら4つの供給管からの処理液の供給順序は、
さらに別の順序(たとえば、供給管63a,63b,6
3c,63dの順)であってもよい。<Other Operations> In the above, the four supply pipes for supplying the processing liquid to a position shifted to a predetermined side (left side) with respect to the direction toward the center C of the main surface of the immersion substrate W are provided. When used, the clockwise order (that is, the supply pipes 63a, 63c,
Although the case where the processing liquid is supplied in the order of (d, 63b) is illustrated, the invention is not limited to this. For example, using four supply pipes for supplying the processing liquid to a position shifted to the right with respect to the center C of the main surface of the immersion substrate W, a counterclockwise order (that is, the supply Tubes 63a, 63
b, 63d, and 63c in this order).
The supply order of the processing liquid from these four supply pipes is as follows.
Still another order (for example, supply pipes 63a, 63b, 6)
3c, 63d).
【0047】さらには、所定の時刻において、4つの供
給管のうちの2つ以上を組合せて処理液の供給を行うよ
うにしてもよい。すなわち、2つ以上の供給管が同時に
処理液の供給を行うべきであるとして選択されてもよ
い。たとえば、(1)供給管63a,63cを同時に用
いて処理液の供給を行う動作と供給管63b,63dを
同時に用いて処理液の供給を行う動作とを交互に行うよ
うな動作であってもよく、あるいは、(2)所定の時刻
において供給管63a,63bを同時に用いて処理液の
供給を行い、別の時刻において、供給管63a,63
b,63cを同時に用いて処理液の供給を行い、さらに
別の時刻において、供給管63a,63b,63c,6
3dを同時に用いて処理液の供給を行う動作を繰り返す
ような動作であってもよい。このような場合であって
も、4つの供給管63a,63b,63c,63dのう
ちいずれの供給管を用いて処理液の供給を行うかを選択
的に切り換えて処理液の供給動作が行われるので、処理
液の様々な流れを形成することが可能である。Further, at a predetermined time, two or more of the four supply pipes may be combined to supply the processing liquid. That is, it may be selected that two or more supply pipes should simultaneously supply the processing liquid. For example, (1) an operation in which the operation of supplying the processing liquid using the supply pipes 63a and 63c simultaneously and the operation of supplying the processing liquid using the supply pipes 63b and 63d simultaneously are performed alternately. (2) At a predetermined time, supply of the processing liquid is performed simultaneously using the supply pipes 63a and 63b, and at another time, the supply pipes 63a and 63b are supplied.
b and 63c are simultaneously used to supply the processing liquid, and at another time, the supply pipes 63a, 63b, 63c and 6 are supplied.
The operation may be such that the operation of supplying the processing liquid using 3d simultaneously is repeated. Even in such a case, the processing liquid supply operation is performed by selectively switching which of the four supply pipes 63a, 63b, 63c, 63d is used to supply the processing liquid. Therefore, it is possible to form various flows of the processing liquid.
【0048】<A5.変形例>上記第1実施形態におい
ては、処理槽61に貯留された処理液がオーバーフロー
によって回収部62を介して排出される場合を示した
が、これに限定されない。たとえば、図7に示すような
オーバーフローを用いない閉鎖系の多機能槽MB(MB
4)を有する基板処理装置にも適用することが可能であ
る。<A5. Modifications> In the first embodiment described above, the case where the processing liquid stored in the processing tank 61 is discharged via the recovery unit 62 due to overflow has been described, but the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 7, a closed multifunctional tank MB (MB
The present invention can also be applied to a substrate processing apparatus having the method 4).
【0049】図7においては、図3の多機能槽MB1と
同一の要素については同一の参照符号を付して示してい
る。図7の多機能槽MB4は、多機能槽MB1と同様の
構成に加えて、さらに、排出用バルブ66a,66b,
66c,66dと、排液部67a,67b,67c,6
7dとを有している。これらの排出用バルブ66a,6
6b,66c,66dなどを用いることにより、供給管
63a,63b,63c,63dから供給された処理液
を処理槽61から回収することができる。In FIG. 7, the same elements as those of the multi-function tank MB1 of FIG. 3 are denoted by the same reference numerals. The multi-function tank MB4 in FIG. 7 has the same configuration as the multi-function tank MB1, and further includes discharge valves 66a, 66b,
66c, 66d, and drainage sections 67a, 67b, 67c, 6
7d. These discharge valves 66a, 6
By using 6b, 66c, 66d and the like, the processing liquid supplied from the supply pipes 63a, 63b, 63c, 63d can be recovered from the processing tank 61.
【0050】なお、ここでは、処理槽61内の互いに異
なる位置に設けられ、処理槽61内に貯留された処理液
を排出することが可能な複数の供給管63a,63b,
63c,63dを排出管として共用することにより処理
液の排出を行う場合を示すが、供給管63a,63b,
63c,63dとは別個に排出専用の排出管を設けても
よい。Here, a plurality of supply pipes 63 a, 63 b, provided at different positions in the processing tank 61 and capable of discharging the processing liquid stored in the processing tank 61.
The case where the processing liquid is discharged by sharing the discharge pipes 63c and 63d is shown.
A discharge pipe dedicated to discharge may be provided separately from 63c and 63d.
【0051】そして、これらの供給管63a,63b,
63c,63dのいずれかから、処理液の排出が行われ
る。この排出動作は、上記の供給動作に前後して行う
(すなわち、排出動作と供給動作とを順次に行う)よう
にしてもよく、あるいは、供給動作と同時に行うように
してもよい。供給管と排出管とを共用した上で、供給動
作と排出動作とを同時に行うときには、その時点で供給
動作を行っている供給管以外の供給管が、排出動作を行
う排出管として選択される。Then, these supply pipes 63a, 63b,
The discharge of the processing liquid is performed from either of 63c and 63d. This discharge operation may be performed before or after the supply operation (that is, the discharge operation and the supply operation are performed sequentially), or may be performed simultaneously with the supply operation. When the supply operation and the discharge operation are performed simultaneously while the supply tube and the discharge tube are shared, a supply tube other than the supply tube performing the supply operation at that time is selected as the discharge tube performing the discharge operation. .
【0052】この排出動作において、いずれの供給管6
3a,63b,63c,63dから排出を行うかは、上
記の制御部30などによってあらかじめ定められた手順
によって選択的に切り換えられる。これにより、処理液
の様々な流れを形成することができるので、処理液を基
板に対して供給するにあたって、その均一性を向上させ
ることができる。In this discharging operation, any of the supply pipes 6
Whether to discharge from 3a, 63b, 63c, 63d is selectively switched by a procedure predetermined by the control unit 30 or the like. Accordingly, since various flows of the processing liquid can be formed, the uniformity of the processing liquid when supplying the processing liquid to the substrate can be improved.
【0053】なお、ここでは、閉鎖系の多機能槽MBに
おいて、処理液の排出を行う排出管(供給管と共用)を
処理槽61内の複数の位置に設ける場合を示したが、こ
れに限定されず、オーバーフローを用いる多機能槽MB
において上記のような排出管を設けてもよい。Here, in the closed multi-function tank MB, a case is shown in which discharge pipes for discharging the processing liquid (shared with the supply pipe) are provided at a plurality of positions in the processing tank 61. Multifunctional tank MB using overflow without limitation
In, a discharge pipe as described above may be provided.
【0054】<B.第2実施形態>つぎに、第2実施形
態について説明する。図8は、第2実施形態に係る基板
処理装置の多機能槽MB(MB2)を示す模式図であ
る。第2実施形態の基板処理装置は、第1実施形態の基
板処理装置と同様の構成を有しており、ここでは相違点
を中心に説明する。<B. Second Embodiment> Next, a second embodiment will be described. FIG. 8 is a schematic diagram illustrating a multi-function tank MB (MB2) of the substrate processing apparatus according to the second embodiment. The substrate processing apparatus according to the second embodiment has the same configuration as that of the substrate processing apparatus according to the first embodiment, and the following description will focus on differences.
【0055】この第2実施形態における基板処理におい
ては、処理槽61において処理液を貯留せずに基板Wの
処理を行う点で、処理槽61に貯留された処理液に基板
Wを浸漬して基板処理を行う第1実施形態と大きく相違
する。この第2実施形態では、図9に示すような、孔h
を有する供給管63を用いて、空間内に保持された基板
W(図8)に対して、処理液を吹き付ける(吐出供給す
る)ことにより、基板表面の処理を行うことができる。
この供給管は、円筒断面内の所定の角度θにわたる円弧
部分において、吐出部として機能する複数個の孔Hを有
している。そして、この孔Hから処理液を噴出(吐出)
させることにより、基板Wへの処理液の吹き付け(吐出
供給)を行うことができる。In the substrate processing according to the second embodiment, the substrate W is immersed in the processing liquid stored in the processing tank 61 in that the processing of the substrate W is performed without storing the processing liquid in the processing tank 61. This is significantly different from the first embodiment in which substrate processing is performed. In the second embodiment, a hole h as shown in FIG.
The processing of the substrate surface can be performed by spraying (discharging and supplying) the processing liquid to the substrate W (FIG. 8) held in the space using the supply pipe 63 having
This supply pipe has a plurality of holes H functioning as a discharge portion in an arc portion extending over a predetermined angle θ in the cylindrical cross section. Then, the processing liquid is ejected (discharged) from the hole H.
By doing so, it is possible to spray (discharge and supply) the processing liquid onto the substrate W.
【0056】ここで、基板Wは、リフターLH(LH2
など)による昇降により、処理槽61空間内の所定位置
(図示の位置)に到達することが可能であり、基板処理
時においてその所定位置に保持される。そして、各供給
管63a,63b,63c,63dは、円筒面において
円弧上に設けられた複数の孔Hから処理液を噴出させる
ことにより、処理槽空間内の所定位置に保持された基板
Wの表面に対して処理液を供給する。そして、複数の供
給管のうちいずれの供給管を用いて処理液の供給を行う
かを選択的に切り換えることにより、上記と同様の処理
を行うことができる。Here, the substrate W is connected to the lifter LH (LH2
And the like, it is possible to reach a predetermined position (position shown in the drawing) in the space of the processing tank 61, and is held at the predetermined position during substrate processing. The supply pipes 63a, 63b, 63c, and 63d eject the processing liquid from a plurality of holes H provided on the cylindrical surface in an arc, thereby forming the substrate W held at a predetermined position in the processing tank space. Supply the treatment liquid to the surface. Then, by selectively switching which of the plurality of supply pipes is used to supply the processing liquid, the same processing as described above can be performed.
【0057】ここにおいて、基板W上において、その主
面全体をいくつか(ここでは4つ)の領域に区分してお
き、複数の供給管63a,63b,63c,63dのそ
れぞれに対して処理液を吹き付けるべき領域を各供給管
に対する吐出対象領域として割り当てている。そして、
これらの各吐出対象領域に対応する供給管から所定の順
序で順次に処理液を吐出することによって、基板に対し
て処理液を均一に供給することが可能になる。また、1
つの供給管による吐出供給によって基板Wの全面に対し
て処理液を供給する場合に比べて、各供給管が担当すべ
き吐出領域を小さく設定することが可能である。Here, the entire main surface of the substrate W is divided into several (here, four) regions, and the processing liquid is supplied to each of the plurality of supply pipes 63a, 63b, 63c, 63d. Is assigned as a discharge target region for each supply pipe. And
By sequentially discharging the processing liquid from the supply pipes corresponding to the respective discharge target areas in a predetermined order, the processing liquid can be uniformly supplied to the substrate. Also, 1
As compared with the case where the processing liquid is supplied to the entire surface of the substrate W by the discharge supply by one supply pipe, it is possible to set a smaller discharge area to be handled by each supply pipe.
【0058】また、これらの供給管63a,63b,6
3c,63dから同時に処理液を噴出させた場合には、
複数の供給管のそれぞれから供給される処理液が相互に
衝突することによって、互いの処理液の流れの方向や強
さが減衰することになり、基板に接触する際の処理液の
液圧が低下する。しかしながら、この第2実施形態にお
いては、上記第1実施形態と同様に、複数の供給管から
の処理液の供給を同時ではなく時間的にずらして行う。
言い換えれば、処理槽61内の互いに異なる位置に設け
られた供給管から基板に対して処理液を供給するにあた
って、複数の供給管のうちいずれの供給管を用いて処理
液の供給を行うかを選択的に切り換える。したがって、
複数の供給管から供給される処理液が相互に衝突するこ
とによる基板に対する液圧の低下を防止することができ
る。したがって、基板に対する処理液の均一な供給を効
率的に行うことができる。The supply pipes 63a, 63b, 6
When the processing liquid is ejected simultaneously from 3c and 63d,
When the processing liquid supplied from each of the plurality of supply pipes collides with each other, the flow direction and strength of each processing liquid are attenuated, and the liquid pressure of the processing liquid when contacting the substrate is reduced. descend. However, in the second embodiment, as in the first embodiment, the supply of the processing liquid from the plurality of supply pipes is performed not at the same time but at different times.
In other words, when supplying the processing liquid to the substrate from the supply pipes provided at different positions in the processing tank 61, which of the plurality of supply pipes is used to supply the processing liquid is determined. Selectively switch. Therefore,
It is possible to prevent a decrease in the liquid pressure on the substrate due to the collision of the processing liquids supplied from the plurality of supply pipes with each other. Therefore, uniform supply of the processing liquid to the substrate can be efficiently performed.
【0059】<C.第3実施形態> <C1.構成>つぎに、第3実施形態について説明す
る。第3実施形態の基板処理装置は、各処理用槽以外の
構成においては、第1実施形態の基板処理装置と同様の
構成を有しており、ここでは、第3実施形態の処理用槽
の一例として多機能槽について説明する。<C. Third Embodiment><C1.Configuration> Next, a third embodiment will be described. The substrate processing apparatus of the third embodiment has the same configuration as that of the substrate processing apparatus of the first embodiment except for the configuration of each processing tank. A multifunctional tank will be described as an example.
【0060】図10は、第3実施形態に係る基板処理装
置の多機能槽MB(MB3)を示す模式図である。以下
に示すように、第3実施形態の多機能槽MB3は、上記
の各第1および第2実施形態とは、供給管の配置や、上
下に配置される供給管の間に処理液の流れを整える整流
板が設けられる点などにおいて異なっている。FIG. 10 is a schematic diagram showing a multi-function tank MB (MB3) of the substrate processing apparatus according to the third embodiment. As shown below, the multifunctional tank MB3 of the third embodiment is different from the first and second embodiments in the arrangement of the supply pipes and the flow of the processing liquid between the supply pipes arranged vertically. This is different in that a rectifying plate for adjusting the pressure is provided.
【0061】まず、多機能槽MBは、主として処理槽6
1、回収部62、およびそれらに付随する注排液機構に
よって構成されている。処理槽61は、多機能槽MBの
主要部であり、純水または薬液(フッ酸等)を貯留する
ことが可能であり、その処理液中に基板Wを浸漬するこ
とによって基板Wの表面処理を進行させる槽である。First, the multi-function tank MB mainly includes the processing tank 6.
1, a collection unit 62 and a liquid supply / drainage mechanism attached thereto. The processing tank 61 is a main part of the multi-function tank MB, and can store pure water or a chemical solution (such as hydrofluoric acid). The surface processing of the substrate W is performed by immersing the substrate W in the processing liquid. Is a tank for proceeding.
【0062】処理槽61の内部壁面においては、複数
(ここでは4本)の処理液の供給管63g,63h,6
3i,63jが設けられている。これらの供給管63
g,63h,63i,63jは、円筒形状(図ではその
断面形状が表されている)を有しており、その円筒表面
に処理液を供給するための孔(図示せず)を有してい
る。これらの供給管63g,63h,63i,63j
は、処理槽61の下方において、上下2段に分かれた位
置にそれぞれ配置されており、より具体的には、供給管
63g,63iは上段位置(上側)に配置され、供給管
63h,63jは下段位置(供給管63g,63iより
も下側の位置)に配置されている。On the inner wall surface of the processing tank 61, supply pipes 63g, 63h, 6
3i and 63j are provided. These supply pipes 63
Each of g, 63h, 63i, and 63j has a cylindrical shape (the cross-sectional shape is shown in the figure), and has a hole (not shown) for supplying a processing liquid to the cylindrical surface. I have. These supply pipes 63g, 63h, 63i, 63j
Are arranged in two lower and upper stages below the processing tank 61. More specifically, the supply pipes 63g and 63i are arranged at an upper position (upper side), and the supply pipes 63h and 63j are It is arranged at a lower position (a position below the supply pipes 63g and 63i).
【0063】また、これらの供給管63g,63h,6
3i,63jは、それぞれ、バルブ64g,64h,6
4i,64jを介して、処理液の供給源65g,65
h,65i,65jに接続されている。そして、たとえ
ば供給管63gは、バルブ64gを開状態にすることに
より、処理液の供給源65gにおいて蓄えられた処理液
を、供給管63gの表面に設けられた孔から処理槽61
に対して供給することができる。なお、簡略化のため図
示していないが、供給源65gにおいては、それぞれ、
複数の種類の処理液を選択するための選択バルブなどを
有しており、この選択用バルブとバルブ64とを用い
て、所望の処理液を供給することができる。また、他の
供給管63h,63i,63jについても同様であり、
それぞれ、バルブ64h,64i,64jを介して、同
様の処理液の供給源65h,65i,65jに蓄えられ
る処理液を供給することができる。さらに、処理槽61
の供給管63から供給された処理液は、やがてその上方
から溢れ出て(オーバーフローして)、回収部62によ
って回収された後、排出される。The supply pipes 63g, 63h, 6
3i and 63j are valves 64g, 64h and 6 respectively.
4i and 64j, supply sources 65g and 65
h, 65i, 65j. For example, the supply pipe 63g opens the valve 64g to allow the processing liquid stored in the processing liquid supply source 65g to pass through the hole provided on the surface of the supply pipe 63g into the processing tank 61g.
Can be supplied. Although not shown for simplicity, in the supply source 65g,
A selection valve for selecting a plurality of types of processing solutions is provided, and a desired processing solution can be supplied using the selection valve and the valve 64. The same applies to the other supply pipes 63h, 63i, 63j,
The processing liquid stored in the similar processing liquid supply sources 65h, 65i, 65j can be supplied via the valves 64h, 64i, 64j, respectively. Further, the processing tank 61
The processing liquid supplied from the supply pipe 63 soon overflows from above (overflows), is recovered by the recovery unit 62, and is then discharged.
【0064】また、処理槽61の底部には、排出用バル
ブ66kと排液部67kとが設けられている。この排出
用バルブ66kを閉状態としておくことにより、上記の
ようなオーバーフロー処理を行うことができる。また、
この排出用バルブ66kを開状態とすることにより、処
理槽61に貯留された処理液を排液部67kに向けて短
時間で排出することなどが可能であり、処理槽61内の
処理液の全入れ替えなどの動作を行うことが可能であ
る。At the bottom of the processing tank 61, a discharge valve 66k and a liquid discharge section 67k are provided. The overflow process described above can be performed by closing the discharge valve 66k. Also,
By opening the discharge valve 66k, the processing liquid stored in the processing tank 61 can be discharged to the drainage section 67k in a short time, and the like. It is possible to perform operations such as a total replacement.
【0065】ここにおいて、この処理槽においては、エ
ッチング処理やレジスト膜の剥離処理を行うことができ
る。処理液については、第1実施形態において詳述した
ものなどを用いることができる。Here, in this processing tank, an etching treatment and a resist film peeling treatment can be performed. As the treatment liquid, those described in detail in the first embodiment can be used.
【0066】また、処理槽61における処理の種類など
によって、供給管63g,63h,63i,63jから
供給される処理液の供給量(流量)が変化する。これ
は、バルブ64g,64h,64i,64jの開閉量
や、図示しない処理液供給用のポンプの圧力などを制御
することにより行われる。特に、上述の剥離処理におい
ては、大流量の処理液を供給し、基板に対して大きな液
圧を有する処理液を供給することにより、基板の表面に
付着した不要なレジスト膜などを剥離することが可能に
なる。The supply amount (flow rate) of the processing liquid supplied from the supply pipes 63g, 63h, 63i, 63j changes depending on the type of processing in the processing tank 61 and the like. This is performed by controlling the opening / closing amounts of the valves 64g, 64h, 64i, 64j and the pressure of a processing liquid supply pump (not shown). In particular, in the above-described stripping process, a large flow rate of a processing liquid is supplied, and a processing liquid having a large liquid pressure is supplied to the substrate, thereby removing an unnecessary resist film or the like attached to the surface of the substrate. Becomes possible.
【0067】さらに、処理対象となる複数の基板Wは、
処理槽61に貯留された処理液に浸漬された状態におい
て、起立状態で保持されている。これらの基板Wに対し
て、後述するように、上記の上側に配置される供給管6
3g,63iを用いて処理液の第1の流れを形成する動
作と、下側に配置される供給管63h,63jおよび整
流板68を用いて第2の流れを形成する動作とを切り換
えることにより、処理槽61内に異なる2種類の流れを
形成することにより、基板処理を行う。Further, a plurality of substrates W to be processed are:
In a state of being immersed in the processing liquid stored in the processing tank 61, it is held upright. As described later, the supply pipe 6 arranged on the upper side
By switching between the operation of forming the first flow of the processing liquid using 3g and 63i and the operation of forming the second flow using the supply pipes 63h and 63j and the rectifying plate 68 arranged below. The substrate processing is performed by forming two different flows in the processing tank 61.
【0068】そのため、上側に配置される供給管63
g,63iと下側に配置される供給管63h,63jと
の間には、整流板68が設けられている。この整流板6
8は、薄板状の部材の全面にわたって多数の微小孔HL
を有する構成を有している。Therefore, the supply pipe 63 arranged on the upper side
A flow straightening plate 68 is provided between g, 63i and supply pipes 63h, 63j arranged on the lower side. This current plate 6
8 has a large number of micro holes HL over the entire surface of the thin plate member.
.
【0069】そして、整流板68の下側に配置される
(下段の)供給管63h,63jから供給される処理液
は、基板Wの下方のあらゆる位置に存在する微小孔HL
(整流板68)を介して基板Wへと向かうことになるの
で、基板Wに対して下側から上側へと(一定の方向に)
向かう流れ(並進流)(図12(b)参照)が形成され
ることになる。すなわち、整流板68は、下段の供給管
63h,63jから供給される処理液の流れを整える機
能を有している。The processing liquid supplied from the supply pipes 63h and 63j (lower stage) disposed below the current plate 68 is supplied to the micro holes HL existing at all positions below the substrate W.
(Rectifier plate 68), the substrate W is directed toward the substrate W, so that the substrate W is moved from the lower side to the upper side (in a certain direction).
A heading flow (translational flow) (see FIG. 12B) is formed. That is, the current plate 68 has a function of adjusting the flow of the processing liquid supplied from the lower supply pipes 63h and 63j.
【0070】一方、整流板68の上側に配置される供給
管63g,63iから供給される処理液は、整流板68
を介さずに直接的に基板Wに対して供給され、たとえ
ば、処理槽61内において左右対称に大きく循環するよ
うな流れ(循環流)(図12(a)参照)が形成され
る。これにより、処理槽61内の基板Wの表面処理にあ
たって、高効率のパーティクルの排出効果を有すること
が可能である。On the other hand, the processing liquid supplied from the supply pipes 63g and 63i disposed above the rectifying plate 68
The flow is directly supplied to the substrate W without passing through the processing tank 61, and a flow (circulation flow) (see FIG. 12A) that circulates largely symmetrically in the processing tank 61 is formed. Thereby, in the surface treatment of the substrate W in the processing tank 61, it is possible to have a highly efficient particle discharging effect.
【0071】このような上段の供給管63g,63iを
用いた処理液の供給と下段の供給管63h,63jおよ
び整流板68を用いた処理液の供給とは、それぞれ異な
る流れを形成する。したがって、これらの2種類の流れ
を切り換えて動作させることにより、より適切な処理液
の供給を行うことができる。The supply of the processing liquid using the upper supply pipes 63g and 63i and the supply of the processing liquid using the lower supply pipes 63h and 63j and the rectifying plate 68 form different flows. Therefore, by switching and operating these two types of flows, more appropriate supply of the processing liquid can be performed.
【0072】つぎに、これらの複数の供給管63g,6
3h,63i,63jなどを用いた処理動作について詳
述する。Next, the plurality of supply pipes 63g, 6
Processing operations using 3h, 63i, 63j, etc. will be described in detail.
【0073】<C2.動作>図11は、第3実施形態に
おける動作を示すフローチャートである。図11に示す
ように、薬液処理A(ステップSP10)を行った後
に、第1の純水リンス処理(ステップSP20)、第2
の純水リンス処理(ステップSP30)、および薬液処
理C(ステップSP40)を行う場合について説明す
る。<C2. Operation> FIG. 11 is a flowchart showing the operation in the third embodiment. As shown in FIG. 11, after performing the chemical solution treatment A (step SP10), a first pure water rinsing process (step SP20),
The case of performing the pure water rinsing process (step SP30) and the chemical solution process C (step SP40) will be described.
【0074】まず、ステップSP10において、上段の
供給管63g,63iを用いて、薬液処理Aを行うため
の処理液(薬液)を供給する。これにより、所定の薬液
による基板Wの表面等に対する処理を進行させる。First, in step SP10, a processing liquid (chemical liquid) for performing the chemical liquid processing A is supplied using the upper supply pipes 63g and 63i. Thereby, the processing on the surface of the substrate W and the like by the predetermined chemical solution is advanced.
【0075】つぎに、ステップSP20において、第1
の純水リンス処理B1を行う。それに先だって、上記の
薬液処理Aから純水リンス処理B1に移行するに際して
は、排出用バルブ66kを開くことにより処理槽61に
貯留されていた薬液を急速に排出した後、純水を供給す
ることが可能である。あるいは、基板Wを雰囲気中に露
出させることが好ましくない場合には、純水を追加供給
することにより、徐々に薬液を排出するようにすること
も可能である。Next, in step SP20, the first
Of pure water rinse B1. Prior to that, when shifting from the chemical treatment A to the pure water rinsing treatment B1, the chemical stored in the treatment tank 61 is rapidly discharged by opening the discharge valve 66k, and then pure water is supplied. Is possible. Alternatively, when it is not preferable to expose the substrate W to the atmosphere, it is possible to gradually discharge the chemical solution by additionally supplying pure water.
【0076】そして、この純水リンス処理B1において
は、上段の供給管63g,63iを用いて、所定の流量
(たとえば、22リットル/分)の処理液を供給する。
これにより、図12(a)の矢印AR1に示すように、
処理槽61内において左右対称に大きく循環するような
流れ(循環流)を形成して、基板Wの表面等に対する純
水リンス処理を進行させる。なお、この純水リンス処理
B1においては、下段の供給管63h,63jからの処
理液の供給は、ゼロ(すなわち停止)もしくは微量の供
給のみを行うものとする。In the pure water rinsing process B1, a processing liquid at a predetermined flow rate (for example, 22 liters / minute) is supplied using the upper supply pipes 63g and 63i.
Thereby, as shown by the arrow AR1 in FIG.
A flow (circulation flow) that largely circulates symmetrically in the processing tank 61 is formed, and a pure water rinsing process is performed on the surface of the substrate W or the like. In the pure water rinsing process B1, the supply of the processing liquid from the lower supply pipes 63h and 63j is performed only at zero (that is, stopped) or at a small amount.
【0077】このような第1の純水リンス処理B1を所
定時間行った後、次の第2の純水リンス処理B2に移行
する。After performing the first pure water rinsing process B1 for a predetermined time, the process proceeds to the next second pure water rinsing process B2.
【0078】次の純水リンス処理B2(ステップSP3
0)においては、下段の供給管63h,63jを用い
て、所定の流量(たとえば、22リットル/分)の処理
液を供給する。これにより、図12(b)に示すよう
に、基板Wに対して下側から上側へと向かう流れ(並進
流)を形成して、基板Wの表面等に対する純水リンス処
理を進行させる。なお、この純水リンス処理B1におい
ては、上段の供給管63g,63iからの処理液の供給
は、ゼロ(すなわち停止)もしくは微量の供給のみを行
うものとする。The next pure water rinsing process B2 (step SP3
In 0), the processing liquid is supplied at a predetermined flow rate (for example, 22 liters / minute) using the lower supply pipes 63h and 63j. Thus, as shown in FIG. 12B, a flow (translational flow) from the lower side to the upper side is formed on the substrate W, and the pure water rinsing process is performed on the surface of the substrate W and the like. In the pure water rinsing process B1, the supply of the processing liquid from the upper supply pipes 63g and 63i is performed only at zero (that is, stopped) or at a small amount.
【0079】ここにおいて、第1の純水リンス処理B1
においては、図12(a)の矢印に示すような、処理槽
61内において左右対称に大きく循環するような流れ
(矢印AR1)を形成することにより、非常に高効率に
パーティクルの排出処理を行うことが可能であるが、こ
のような1種類の流れによる処理を継続する場合には、
処理槽61内の所定の部分においては「よどみ」が生じ
ることがある。たとえば、図12(a)においては、処
理槽61の上方から回収部62へと溢れ出る流れと、矢
印AR1で示す流れとの間に挟まれた部分P1において
「よどみ」が生じている場合を示している。Here, the first pure water rinsing treatment B1
In FIG. 12A, as shown by an arrow in FIG. 12A, a flow (arrow AR1) that largely symmetrically circulates in the processing tank 61 is formed, thereby performing a very efficient particle discharge process. Although it is possible to continue the processing by such one kind of flow,
“Stagnation” may occur in a predetermined portion in the processing tank 61. For example, in FIG. 12A, a case where “stagnation” occurs in a portion P1 sandwiched between the flow overflowing from above the processing tank 61 to the collection unit 62 and the flow indicated by the arrow AR1. Is shown.
【0080】しかしながら、この第3実施形態において
は、次の第2の純水リンス処理B2において、図12
(b)の矢印AR2に示すように、供給管63h,63
jを用いた処理液の供給により浸漬基板の下側から上側
へと向かう流れ(AR2)を形成して処理を行う。した
がって、循環流(AR1)とは異なる流れを処理槽内に
生じさせることができる。これにより、循環流だけを用
いた場合に部分P1などの所定の位置に滞留しやすい滞
留物をも排出することが可能になるので、より効率的な
基板処理を行うことが可能である。However, in the third embodiment, in the next second pure water rinsing process B2,
As shown by the arrow AR2 in (b), the supply pipes 63h, 63
The processing is performed by forming a flow (AR2) from the lower side to the upper side of the immersion substrate by supplying the processing liquid using j. Therefore, a flow different from the circulation flow (AR1) can be generated in the processing tank. This makes it possible to discharge even the stagnant matter that tends to stay at a predetermined position such as the portion P1 when only the circulating flow is used, so that more efficient substrate processing can be performed.
【0081】上記のように、2種類の流れを適宜に使い
分けることにより、適切な処理液(純水)の供給を行う
ことが可能であり、純水リンス処理を効率よく行うこと
ができる。As described above, by appropriately using the two types of flows, it is possible to supply an appropriate processing liquid (pure water), and it is possible to efficiently perform the pure water rinsing processing.
【0082】そして、このような純水リンス処理の後、
次の薬液処理Cがこれらの基板Wに対して行われる(ス
テップSP40)。薬液処理Cは、薬液処理Aと同一ま
たは別個の薬液を用いて行われる。Then, after such pure water rinsing treatment,
The next chemical solution processing C is performed on these substrates W (step SP40). Chemical treatment C is performed using the same or different chemicals as chemical treatment A.
【0083】なお、ここでは、第1の純水リンス処理B
1の処理の後、第2の純水リンス処理B2の処理を行う
場合について説明したが、これに限定されず、たとえ
ば、逆であってもよい。この場合であっても、2種類の
流れを適宜に使い分けることにより、適切な処理液の供
給を行うことが可能である。Here, the first pure water rinsing process B
Although the case of performing the second pure water rinsing process B2 after the first process has been described, the present invention is not limited to this, and may be reversed, for example. Even in this case, it is possible to appropriately supply the processing liquid by appropriately using the two types of flows.
【0084】<D.その他>上記においては、第1実施
形態と第2実施形態とにおいてそれぞれ別個の実施形態
に係る基板処理装置であるとして示したが、これに限定
されず、第1実施形態において示した浸漬処理と、第2
実施形態において示した処理液の吐出供給処理とを、順
次に行うことが可能な多機能槽を有する基板処理装置で
あってもよい。たとえば、まず、第1実施形態において
示した浸漬処理によって薬液処理などを行った後、処理
槽61内の処理液(薬液)を排出し、第2実施形態にお
いて示した処理液(純水)の吐出供給処理により純水リ
ンス処理を行ってもよい。<D. Others> In the above description, the substrate processing apparatus according to the first embodiment and the substrate processing apparatus according to the second embodiment are respectively described as separate embodiments. However, the present invention is not limited thereto. , Second
A substrate processing apparatus having a multi-function tank capable of sequentially performing the processing liquid discharge and supply processing described in the embodiment may be used. For example, first, after performing a chemical treatment by the immersion treatment shown in the first embodiment, the treatment liquid (chemical solution) in the treatment tank 61 is discharged, and the treatment liquid (pure water) shown in the second embodiment is discharged. A pure water rinsing process may be performed by a discharge supply process.
【0085】[0085]
【発明の効果】以上のように、請求項1ないし請求項4
に記載の基板処理装置によれば、複数の供給手段のうち
いずれの供給手段を用いて処理液の供給を行うかを選択
的に切り換えることができるので、処理液の様々な流れ
を形成することができる。したがって、一定の流れが継
続することに起因する「よどみ」等の発生を抑制するこ
とができるので、処理液を基板に対して供給するにあた
って、その均一性を向上させることができる。As described above, claims 1 to 4 are as described above.
According to the substrate processing apparatus described in (1), it is possible to selectively switch which of the plurality of supply units is used to supply the processing liquid, so that various flows of the processing liquid can be formed. Can be. Therefore, the occurrence of “stagnation” or the like due to the continuation of a constant flow can be suppressed, and the uniformity of the processing liquid when it is supplied to the substrate can be improved.
【0086】特に、請求項2に記載の基板処理装置によ
れば、少なくとも3つの供給手段のそれぞれは、浸漬基
板の主面の中心に向かう方向に対して相対的に所定の側
にずれた相互に異なる位置に対して、所定の順序で処理
液を供給するので、基板の中心に対して回転するような
処理液の流れを形成することが可能であり、基板に対し
て均一な処理が可能になる。[0086] In particular, according to the substrate processing apparatus of the second aspect, each of the at least three supply means is mutually shifted to a predetermined side with respect to the direction toward the center of the main surface of the immersion substrate. Since the processing liquid is supplied to the different positions in a predetermined order, it is possible to form a flow of the processing liquid that rotates with respect to the center of the substrate, thereby enabling uniform processing of the substrate. become.
【0087】また、請求項4に記載の基板処理装置によ
れば、複数の排出手段のうちいずれの排出手段を用いて
処理液の排出を行うかを選択的に切り換えるので、処理
液の様々な流れを形成することができる。したがって、
処理液を基板に対して供給するにあたって、その均一性
を向上させることができる。According to the substrate processing apparatus of the fourth aspect, which of the plurality of discharging means is used to selectively discharge the processing liquid is used, so that various types of processing liquid can be used. A flow can be formed. Therefore,
In supplying the processing liquid to the substrate, the uniformity can be improved.
【0088】さらに、請求項5に記載の基板処理方法に
よれば、第1の工程と第2の工程とにおいて、互いに異
なる組合せに係る供給手段を用いて、互いに異なる処理
液の流れを形成することができる。したがって、一定の
流れが継続することに起因する「よどみ」等の発生を抑
制することができるので、処理液を基板に対して供給す
るにあたって、その均一性を向上させることができる。Further, according to the substrate processing method of the present invention, in the first step and the second step, different flows of the processing liquid are formed by using the supply means according to different combinations. be able to. Therefore, the occurrence of “stagnation” or the like due to the continuation of a constant flow can be suppressed, and the uniformity of the processing liquid when it is supplied to the substrate can be improved.
【0089】また、請求項6に記載の基板処理装置によ
れば、複数の供給手段のうちいずれの供給手段を用いて
処理液の吐出供給を行うかを選択的に切り換えることが
できるので、複数の供給手段から供給される処理液が相
互に衝突することによる基板に対する液圧の低下を防止
することができる。したがって、処理液を基板に対して
供給するにあたって、その均一性を向上させることがで
きる。Further, according to the substrate processing apparatus of the present invention, it is possible to selectively switch which of the plurality of supply units is used to supply and discharge the processing liquid. This can prevent the processing liquids supplied from the supply means from colliding with each other and thereby lowering the liquid pressure on the substrate. Therefore, when supplying the processing liquid to the substrate, the uniformity can be improved.
【0090】さらに、請求項7に記載の基板処理装置に
よれば、第1の供給手段を用いて第1の流れを形成する
動作と、第2の供給手段および整流手段を用いて第2の
流れを形成する動作とを切り換えることにより、処理液
に関する2種類の流れを形成することができる。したが
って、この2種類の流れを切り換えて用いることによ
り、「よどみ」を解消して、適切な基板処理を行うこと
が可能である。Further, according to the substrate processing apparatus of the seventh aspect, the operation of forming the first flow by using the first supply means and the second operation by using the second supply means and the rectification means. By switching between the flow forming operation and the flow forming operation, two types of flows relating to the processing liquid can be formed. Therefore, by switching and using these two types of flows, it is possible to eliminate “stagnation” and perform appropriate substrate processing.
【0091】また、請求項8に記載の基板処理装置によ
れば、第1の供給手段を用いた処理液の供給により第1
の流れを形成して効率よく処理を行った後に、第2の供
給手段を用いた処理液を供給することにより、第1の流
れとは異なる第2の流れを処理槽内に生じさせることが
できる。したがって、第1の流れによって所定の処理を
行った後、第2の流れを用いることによって、第1の流
れだけを用いた場合に所定の位置に滞留しやすい滞留物
をも排出することが可能になるので、より効率的な基板
処理を行うことが可能である。Further, according to the substrate processing apparatus of the eighth aspect, the first processing means supplies the processing liquid by using the first supply means.
After the flow is formed and the processing is performed efficiently, by supplying the processing liquid using the second supply means, a second flow different from the first flow can be generated in the processing tank. it can. Therefore, after performing a predetermined process by the first flow, by using the second flow, it is also possible to discharge a stagnant substance that easily stays at a predetermined position when only the first flow is used. Therefore, more efficient substrate processing can be performed.
【図1】本発明に係る基板処理装置1の全体構成を示す
斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing an overall configuration of a substrate processing apparatus 1 according to the present invention.
【図2】基板処理装置1の制御機構を説明するための機
能ブロック図である。FIG. 2 is a functional block diagram for explaining a control mechanism of the substrate processing apparatus 1.
【図3】多機能槽MB(MB1)の構成を示す図であ
る。FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a multi-function tank MB (MB1).
【図4】各供給管63a,63b,63c,63dから
の処理液の供給方向を示す模式図である。FIG. 4 is a schematic diagram showing a supply direction of a processing liquid from each supply pipe 63a, 63b, 63c, 63d.
【図5】各供給管63a,63b,63c,63dから
の処理液の供給動作を示す動作図(タイミングチャー
ト)である。FIG. 5 is an operation diagram (timing chart) illustrating an operation of supplying a processing liquid from each supply pipe 63a, 63b, 63c, 63d.
【図6】異なる時刻における、各供給管63a,63
b,63c,63dからの処理液の供給状況を示す図で
ある。FIG. 6 shows supply pipes 63a and 63 at different times.
It is a figure which shows the supply situation of the processing liquid from b, 63c, 63d.
【図7】変形例に係る多機能槽MB(MB4)を示す図
である。FIG. 7 is a view showing a multi-function tank MB (MB4) according to a modification.
【図8】第2実施形態に係る基板処理装置の多機能槽M
B(MB2)を示す模式図である。FIG. 8 is a multifunctional tank M of the substrate processing apparatus according to the second embodiment.
It is a schematic diagram which shows B (MB2).
【図9】供給管63を示す斜視図である。FIG. 9 is a perspective view showing a supply pipe 63.
【図10】第3実施形態に係る基板処理装置の多機能槽
MB(MB3)を示す模式図である。FIG. 10 is a schematic diagram showing a multi-function tank MB (MB3) of the substrate processing apparatus according to the third embodiment.
【図11】第3実施形態における動作を示すフローチャ
ートである。FIG. 11 is a flowchart showing an operation in the third embodiment.
【図12】第1の流れ(循環流)と第2の流れ(並進
流)とを示す模式図である。FIG. 12 is a schematic diagram showing a first flow (circulating flow) and a second flow (translational flow).
【図13】従来例を説明する図である。FIG. 13 is a diagram illustrating a conventional example.
1 基板処理装置 5 基板処理部 56 多機能処理部 61 処理槽 62 回収部 63,63a〜63d,63g〜63j 供給管 64,64a〜64d,64g〜64j バルブ 65a〜65d,65g〜65j 供給源 66a〜66e,66g〜66k 排出用バルブ 67a〜67e,67g〜67k 排液部 68 整流板 H,HL 孔 L 処理液 MB,MB1〜MB4 多機能槽 W 基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 5 Substrate processing part 56 Multifunctional processing part 61 Processing tank 62 Collection part 63, 63a-63d, 63g-63j Supply pipe 64, 64a-64d, 64g-64j Valve 65a-65d, 65g-65j Supply source 66a -66e, 66g-66k Discharge valve 67a-67e, 67g-67k Drainage part 68 Rectifying plate H, HL hole L Treatment liquid MB, MB1-MB4 Multifunctional tank W Substrate
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/306 H01L 21/306 J (72)発明者 今井 正芳 京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神 北町1番地の1 大日本スクリーン製造株 式会社内 Fターム(参考) 3B201 AA02 AA03 AB42 BB02 BB05 BB24 BB25 BB33 BB62 BB87 BB93 BB95 CB15 CC01 CD41 5F043 AA01 CC16 EE02 EE04 EE27 5F046 MA10 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 21/306 H01L 21/306 J (72) Inventor Masayoshi Imai 4 1-chome Tenjin Kitamachi 1 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. F-term (reference) 3B201 AA02 AA03 AB42 BB02 BB05 BB24 BB25 BB33 BB62 BB87 BB93 BB95 CB15 CC01 CD41 5F043 AA01 CC16 EE02 EE04 EE27 5F046 MA10
Claims (8)
の浸漬処理を行う基板処理装置であって、 処理槽内の互いに異なる位置に設けられ、処理槽内に貯
留された処理液に浸漬された基板に対して処理液を供給
することが可能な複数の供給手段と、 前記複数の供給手段のうちいずれの供給手段を用いて処
理液の供給を行うかを選択的に切り換える切換手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。1. A substrate processing apparatus for performing immersion processing of a substrate with a processing liquid stored in a processing tank, provided at different positions in the processing tank, and immersed in the processing liquid stored in the processing tank. A plurality of supply means capable of supplying the processing liquid to the substrate, and a switching means for selectively switching which of the plurality of supply means is used to supply the processing liquid. ,
A substrate processing apparatus comprising:
て、 前記複数の供給手段は、少なくとも3つの供給手段で構
成され、 前記少なくとも3つの供給手段のそれぞれは、浸漬基板
の周囲の互いに異なる位置に設けられ、前記浸漬基板の
主面の中心に向かう方向に対して相対的に所定の側にず
れた相互に異なる位置に対して処理液を供給することが
可能であり、 前記切換手段は、前記少なくとも3つの供給手段を所定
の順序で選択して、当該選択した供給手段から処理液を
供給するように切り換えることを特徴とする基板処理装
置。2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the plurality of supply units include at least three supply units, and each of the at least three supply units is different from each other around an immersion substrate. It is possible to supply the processing liquid to mutually different positions shifted to a predetermined side relatively to the direction toward the center of the main surface of the immersion substrate, the switching means, A substrate processing apparatus, wherein the at least three supply units are selected in a predetermined order, and switching is performed so as to supply a processing liquid from the selected supply unit.
理装置において、 前記供給手段は、基板表面の剥離処理を行う処理液を基
板に対して供給することにより、基板の剥離処理を行う
ことを特徴とする基板処理装置。3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the supply unit performs the substrate peeling process by supplying a processing liquid for performing the substrate surface peeling process to the substrate. A substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned.
載の基板処理装置において、 処理槽内の互いに異なる位置に設けられ、処理槽内に貯
留された処理液を排出することが可能な複数の排出手段
と、 前記切換手段は、前記複数の排出手段のうちいずれの排
出手段を用いて処理液の排出を行うかを選択的に切り換
えることを特徴とする基板処理装置。4. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate processing apparatus is provided at different positions in the processing tank and can discharge the processing liquid stored in the processing tank. A substrate processing apparatus, wherein: a plurality of discharge units; and the switching unit selectively switches which one of the plurality of discharge units is used to discharge the processing liquid.
板の浸漬処理を行う基板処理方法であって、 前記処理槽内の互いに異なる位置に設けられた複数の供
給手段のうち1つ以上の供給手段を含む第1の組合せに
係る供給手段を用いて、前記処理槽内の処理液に浸漬さ
れた基板に対して処理液を供給する第1の工程と、 前記複数の供給手段のうち1つ以上の供給手段を含む組
合せであって、前記第1の工程で用いられた第1の組合
せとは異なる第2の組合せに係る供給手段を用いて、前
記基板に対して処理液を供給する第2の工程と、を含む
ことを特徴とする基板処理方法。5. A substrate processing method for performing immersion processing of a substrate by using a processing liquid stored in a processing tank, wherein at least one of a plurality of supply units provided at different positions in the processing tank is provided. A first step of supplying a processing liquid to a substrate immersed in the processing liquid in the processing tank using a supply unit according to a first combination including a supply unit; A processing liquid is supplied to the substrate by using a supply unit according to a second combination that is different from the first combination used in the first step and is a combination including one or more supply units. And a second step.
を行う基板処理装置であって、 処理槽内の互いに異なる位置に設けられ、処理槽空間内
の所定位置に保持された基板表面に対して処理液を吐出
供給することが可能な複数の供給手段と、 前記複数の供給手段のうちいずれの供給手段を用いて処
理液の供給を行うかを選択的に切り換える切換手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。6. A substrate processing apparatus for performing processing for supplying a processing liquid to a substrate surface, wherein the substrate processing apparatus is provided at different positions in a processing tank and is provided at a predetermined position in a processing tank space. A plurality of supply units capable of discharging and supplying the processing liquid, and a switching unit for selectively switching which of the plurality of supply units is used to supply the processing liquid;
A substrate processing apparatus comprising:
の浸漬処理を行う基板処理装置であって、 前記処理槽内の浸漬基板に対して処理液を供給すること
により第1の流れを形成することが可能な第1の供給手
段と、 前記処理槽において前記第1の供給手段よりも下側に配
置され、前記浸漬基板に対して処理液を供給することが
可能な第2の供給手段と、 前記第1の供給手段と前記第2の供給手段との間に設け
られ、第2の供給手段から供給された処理液の流れを整
えて、第1の流れとは異なる第2の流れを形成する整流
手段と、 前記第1の供給手段を用いて前記第1の流れを形成する
動作と、前記第2の供給手段および整流手段を用いて前
記第2の流れを形成する動作とを選択的に切り換える切
換手段と、を備えることを特徴とする基板処理装置。7. A substrate processing apparatus for performing immersion processing of a substrate using a processing liquid stored in a processing tank, wherein the first flow is performed by supplying the processing liquid to the immersion substrate in the processing tank. A first supply unit that can be formed; and a second supply unit that is disposed below the first supply unit in the processing tank and that can supply a processing liquid to the immersion substrate. Means, provided between the first supply means and the second supply means, for regulating the flow of the processing liquid supplied from the second supply means, and providing a second processing liquid different from the first flow. Rectification means for forming a flow; operation for forming the first flow using the first supply means; operation for forming the second flow using the second supply means and rectification means; Switching means for selectively switching between the substrates. Management apparatus.
て、 前記切換手段は、前記第1の供給手段を用いた第1の流
れを有する処理液の供給を行った後に、前記第2の供給
手段を用いた第2の流れを有する処理液の供給を行うよ
うに、前記第1の流れを形成する動作と前記第2の流れ
を形成する動作との切り換えを行うことを特徴とする基
板処理装置。8. The substrate processing apparatus according to claim 7, wherein the switching unit supplies the processing liquid having the first flow using the first supply unit, and then performs the second supply. Substrate processing, wherein the operation of forming the first flow and the operation of forming the second flow are switched so as to supply the processing liquid having the second flow using the means. apparatus.
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