JP2001272645A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JP2001272645A JP2001272645A JP2000086821A JP2000086821A JP2001272645A JP 2001272645 A JP2001272645 A JP 2001272645A JP 2000086821 A JP2000086821 A JP 2000086821A JP 2000086821 A JP2000086821 A JP 2000086821A JP 2001272645 A JP2001272645 A JP 2001272645A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 配向膜等の劣化を大幅に減少させる。
【解決手段】 液晶表示プロジェクタに用いられる液晶
表示装置であって、その液晶と接触して配置される配向
膜は青色の波長域で吸収係数が低い材料で構成されてい
る。
表示装置であって、その液晶と接触して配置される配向
膜は青色の波長域で吸収係数が低い材料で構成されてい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係
り、たとえば液晶プロジェクタに用いられる液晶表示装
置に関する。
り、たとえば液晶プロジェクタに用いられる液晶表示装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶プロジェクタは、液晶表示装置（液
晶表示パネル）を介した光源の光を該液晶プロジェクタ
から離れて配置されたスクリーン上に照射させるもの
で、該液晶表示装置の映像がそのまま該スクリーン上に
投影されるようになっている。
晶表示パネル）を介した光源の光を該液晶プロジェクタ
から離れて配置されたスクリーン上に照射させるもの
で、該液晶表示装置の映像がそのまま該スクリーン上に
投影されるようになっている。
【０００３】そして、近年、液晶表示装置の高精細化が
進むにつれ、光源の強度も増加していく傾向にある。
進むにつれ、光源の強度も増加していく傾向にある。
【０００４】このため、その光源として超高圧水銀ラン
プが用いられたものが知られるに到っている。
プが用いられたものが知られるに到っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな液晶プロジェクタにおいて、たとえば配向膜等の劣
化が比較的短い時間で生じることが指摘されるに到っ
た。
うな液晶プロジェクタにおいて、たとえば配向膜等の劣
化が比較的短い時間で生じることが指摘されるに到っ
た。
【０００６】この原因を追及した結果、超高圧水銀ラン
プのスペクトル強度分布が可視光４００ｎｍ〜４５０ｎ
ｍの範囲で強いピークを有し、この部分の光で配向膜等
が劣化してしまうことが確認された。
プのスペクトル強度分布が可視光４００ｎｍ〜４５０ｎ
ｍの範囲で強いピークを有し、この部分の光で配向膜等
が劣化してしまうことが確認された。
【０００７】本発明は、このような事情に基づいてなさ
れたもので、その目的は、配向膜等の劣化を大幅に減少
させた液晶表示装置を提供することにある。
れたもので、その目的は、配向膜等の劣化を大幅に減少
させた液晶表示装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。すなわち、本発明による液晶表示
装置は、液晶表示プロジェクタに用いられる液晶表示装
置であって、その液晶と接触して配置される配向膜は青
色の波長域で吸収係数が低い材料で構成されていること
を特徴とするものである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。すなわち、本発明による液晶表示
装置は、液晶表示プロジェクタに用いられる液晶表示装
置であって、その液晶と接触して配置される配向膜は青
色の波長域で吸収係数が低い材料で構成されていること
を特徴とするものである。
【０００９】このように構成された液晶表示装置は、青
色の波長域の範囲で強いピークを有し、この部分の光で
配向膜等が劣化してしまうことに鑑み、該範囲での吸収
係数が低い材料で配向膜を構成したものである。このた
め、配向膜の劣化を大幅に低減させることができるよう
になる。
色の波長域の範囲で強いピークを有し、この部分の光で
配向膜等が劣化してしまうことに鑑み、該範囲での吸収
係数が低い材料で配向膜を構成したものである。このた
め、配向膜の劣化を大幅に低減させることができるよう
になる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明による液晶表示装置
の実施例を図面を用いて説明する。 〔実施例１〕図１は、本発明による液晶表示装置におけ
る一画素の部分を示した断面図である。
の実施例を図面を用いて説明する。 〔実施例１〕図１は、本発明による液晶表示装置におけ
る一画素の部分を示した断面図である。
【００１１】この液晶表示装置は、この実施例では液晶
プロジェクタに用いられるそれを示している。
プロジェクタに用いられるそれを示している。
【００１２】同図において、石英基板ＳＵＢ１がある。
この石英基板ＳＵＢ１は液晶を介して対向配置される他
の石英基板ＳＵＢ２とで、液晶表示装置（液晶表示パネ
ル）の外囲器を構成し、光源は該他の石英基板側ＳＵＢ
２に配置されるようになっている。
この石英基板ＳＵＢ１は液晶を介して対向配置される他
の石英基板ＳＵＢ２とで、液晶表示装置（液晶表示パネ
ル）の外囲器を構成し、光源は該他の石英基板側ＳＵＢ
２に配置されるようになっている。
【００１３】石英基板ＳＵＢ１はＴＦＴ基板とも称さ
れ、その液晶側の面には、まずその薄膜トランジスタＴ
ＦＴの形成領域において、多結晶Ｓｉからなる半導体層
ＡＳが形成されている。
れ、その液晶側の面には、まずその薄膜トランジスタＴ
ＦＴの形成領域において、多結晶Ｓｉからなる半導体層
ＡＳが形成されている。
【００１４】そして、この半導体層ＡＳを被うようにし
てたとえばＳｉＯ2膜からなる絶縁膜ＧＩが形成されて
いる。この絶縁膜ＧＩは薄膜トランジスタＴＦＴのゲー
ト絶縁膜として機能するようになっている。
てたとえばＳｉＯ2膜からなる絶縁膜ＧＩが形成されて
いる。この絶縁膜ＧＩは薄膜トランジスタＴＦＴのゲー
ト絶縁膜として機能するようになっている。
【００１５】この絶縁膜ＧＩの上面はゲート電極ＧＴが
形成され、このゲート電極ＧＴと一体に形成されたゲー
ト信号線（図示されていない）が形成されている。
形成され、このゲート電極ＧＴと一体に形成されたゲー
ト信号線（図示されていない）が形成されている。
【００１６】このゲート信号線はマトリクス状に配置さ
れた各画素のうちたとえば一行方向に形成される各画素
に共通に形成され、この信号線に供給される走査信号に
よってこれら各画素における薄膜トランジスタＴＦＴを
駆動（オン）させるようになっている。
れた各画素のうちたとえば一行方向に形成される各画素
に共通に形成され、この信号線に供給される走査信号に
よってこれら各画素における薄膜トランジスタＴＦＴを
駆動（オン）させるようになっている。
【００１７】そして、このゲート電極ＧＴおよびゲート
信号線をも被って石英基板ＳＵＢ１の全域にはたとえば
ＳｉＯ2膜からなる絶縁膜ＩＮが形成されている。この
絶縁膜ＩＮは次に説明するドレイン信号線ＤＬに対する
前記ゲート信号線の層間絶縁膜として機能するようにな
っている。
信号線をも被って石英基板ＳＵＢ１の全域にはたとえば
ＳｉＯ2膜からなる絶縁膜ＩＮが形成されている。この
絶縁膜ＩＮは次に説明するドレイン信号線ＤＬに対する
前記ゲート信号線の層間絶縁膜として機能するようにな
っている。
【００１８】この絶縁膜ＩＮの上面にはドレイン信号線
ＤＬが形成され、その一部は前記絶縁膜ＩＮおよび絶縁
膜ＧＩに予め形成されているコンタクト孔ＣＨ１を通し
て前記半導体層ＡＳのドレイン領域（ドレイン信号線に
接続される側をドレイン領域と定義する）に接続されて
いる。
ＤＬが形成され、その一部は前記絶縁膜ＩＮおよび絶縁
膜ＧＩに予め形成されているコンタクト孔ＣＨ１を通し
て前記半導体層ＡＳのドレイン領域（ドレイン信号線に
接続される側をドレイン領域と定義する）に接続されて
いる。
【００１９】このドレイン信号線ＤＬはマトリクス状に
配置された各画素のうち一列方向（前記ゲート信号線と
交差する方向）に形成される各画素に共通に形成され、
この信号線に供給される映像信号は前記薄膜トランジス
タＴＦＴを介してこれら各画素の後述する画素電極ＰＸ
に印加されるようになっている。
配置された各画素のうち一列方向（前記ゲート信号線と
交差する方向）に形成される各画素に共通に形成され、
この信号線に供給される映像信号は前記薄膜トランジス
タＴＦＴを介してこれら各画素の後述する画素電極ＰＸ
に印加されるようになっている。
【００２０】そして、このドレイン信号線ＤＬをも被っ
て石英基板ＳＵＢ１の全域にはたとえば酸化シリコンあ
るいは窒化シリコン等の絶縁膜ＰＳＶが形成されてい
る。この絶縁膜ＰＳＶは薄膜トランジスタＴＦＴの液晶
ＬＣとの直接の接触を回避するため等の保護膜として機
能する。
て石英基板ＳＵＢ１の全域にはたとえば酸化シリコンあ
るいは窒化シリコン等の絶縁膜ＰＳＶが形成されてい
る。この絶縁膜ＰＳＶは薄膜トランジスタＴＦＴの液晶
ＬＣとの直接の接触を回避するため等の保護膜として機
能する。
【００２１】この絶縁膜ＰＳＶの上面に該絶縁膜ＰＳＶ
の表面に形成される凹凸を平坦化させるための平坦化膜
ＯＣ１が形成されている。この平坦化膜ＯＣ１はたとえ
ばＵＶ硬化型あるいは熱硬化型からなる樹脂で形成さ
れ、該樹脂を塗布によって形成することにより、その表
面を平坦にしている。
の表面に形成される凹凸を平坦化させるための平坦化膜
ＯＣ１が形成されている。この平坦化膜ＯＣ１はたとえ
ばＵＶ硬化型あるいは熱硬化型からなる樹脂で形成さ
れ、該樹脂を塗布によって形成することにより、その表
面を平坦にしている。
【００２２】そして、この平坦化膜ＯＣ１の上面には、
各画素毎にたとえばＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）からな
る画素電極ＰＸが形成されている。この画素電極ＰＸは
平坦化膜ＯＣ１、絶縁膜ＰＳＶ、絶縁膜ＩＮ、絶縁膜Ｇ
Ｉに予め形成されたコンタクト孔ＣＨ２をとおして薄膜
トランジスタＴＦＴのソース領域に接続されている。
各画素毎にたとえばＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）からな
る画素電極ＰＸが形成されている。この画素電極ＰＸは
平坦化膜ＯＣ１、絶縁膜ＰＳＶ、絶縁膜ＩＮ、絶縁膜Ｇ
Ｉに予め形成されたコンタクト孔ＣＨ２をとおして薄膜
トランジスタＴＦＴのソース領域に接続されている。
【００２３】そして、画素電極ＰＸが形成された石英基
板ＳＵＢ１の表面には該画素電極ＰＸをも被って配向膜
ＯＲＩ１が形成されている。
板ＳＵＢ１の表面には該画素電極ＰＸをも被って配向膜
ＯＲＩ１が形成されている。
【００２４】この配向膜ＯＲＩ１はこれに接触する液晶
ＬＣの分子の初期配向方向を決定させる機能を有する。
ＬＣの分子の初期配向方向を決定させる機能を有する。
【００２５】ここで、この配向膜ＯＲＩ１は、たとえば
可溶性ポリイミド系の材料で構成されたものとなってい
る。
可溶性ポリイミド系の材料で構成されたものとなってい
る。
【００２６】この可溶性ポリイミド系の配向膜ＯＲＩ１
は、図５に示すように、光源の可視光域のうち短波長側
にて吸収係数が小さいことが判明する。同図５では比較
のためにポリアミック酸系の配向膜における吸収係数を
も示している。
は、図５に示すように、光源の可視光域のうち短波長側
にて吸収係数が小さいことが判明する。同図５では比較
のためにポリアミック酸系の配向膜における吸収係数を
も示している。
【００２７】すなわち、可溶性ポリイミド系の配向膜Ｏ
ＲＩ１は、３５０ｎｍ以下の波長から吸収係数が高くな
っており、可視広域の４００ｎｍから４５０ｎｍでは吸
収係数は０．０５μｍ-1以下となっている。
ＲＩ１は、３５０ｎｍ以下の波長から吸収係数が高くな
っており、可視広域の４００ｎｍから４５０ｎｍでは吸
収係数は０．０５μｍ-1以下となっている。
【００２８】このことは、可溶性ポリイミド系の材料か
らなる配向膜ＯＲＩ１は光源の青色の波長域で吸収係数
が小さいことを意味し、該光源からの光に対して対耐光
性を有するようになる。
らなる配向膜ＯＲＩ１は光源の青色の波長域で吸収係数
が小さいことを意味し、該光源からの光に対して対耐光
性を有するようになる。
【００２９】図６は、液晶プロジェクタの光源として用
いられる超高圧水銀ランプの波長域に対する強度を示す
グラフであり、４００ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲で強いピ
ークを有する。
いられる超高圧水銀ランプの波長域に対する強度を示す
グラフであり、４００ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲で強いピ
ークを有する。
【００３０】このため、可溶性ポリイミド系の配向膜Ｏ
ＲＩ１はこの部分の光に対する耐光性を有するようにな
り、液晶表示装置の寿命を向上させることができるよう
になる。
ＲＩ１はこの部分の光に対する耐光性を有するようにな
り、液晶表示装置の寿命を向上させることができるよう
になる。
【００３１】一方、透明基板ＳＵＢ２は対向基板と称さ
れ、その液晶ＬＣ側の面には、たとえば各画素を区画す
るようにして形成された遮光膜（ブラックマトリクス）
ＢＭが形成され、この遮光膜ＢＭは特に薄膜トランジス
タＴＦＴを被うようにして形成された部分を有する。
れ、その液晶ＬＣ側の面には、たとえば各画素を区画す
るようにして形成された遮光膜（ブラックマトリクス）
ＢＭが形成され、この遮光膜ＢＭは特に薄膜トランジス
タＴＦＴを被うようにして形成された部分を有する。
【００３２】上述したように、光源からの光はこの透明
基板ＳＵＢ２側から照射され、この光が該薄膜トランジ
スタＴＦＴに照射されないようになっている。該薄膜ト
ランジスタＴＦＴの特性を劣化させないためである。
基板ＳＵＢ２側から照射され、この光が該薄膜トランジ
スタＴＦＴに照射されないようになっている。該薄膜ト
ランジスタＴＦＴの特性を劣化させないためである。
【００３３】そして、この遮光膜ＢＭをも被って透明基
板ＳＵＢ２の表面の全域にはたとえば有機材料からなる
平坦化膜ＯＣ２が形成され、この平坦化膜ＯＣ２の上面
の全域には各画素に共通なたとえばＩＴＯ（Indium-Tin
-Oxide）からなる対向電極ＣＴが形成されている。
板ＳＵＢ２の表面の全域にはたとえば有機材料からなる
平坦化膜ＯＣ２が形成され、この平坦化膜ＯＣ２の上面
の全域には各画素に共通なたとえばＩＴＯ（Indium-Tin
-Oxide）からなる対向電極ＣＴが形成されている。
【００３４】この対向電極ＣＴは基準となる電圧が印加
され、これに対して各画素における画素電極ＰＸに画素
情報に相当する電圧が印加されることによって、それら
の間に発生する電界が液晶ＬＣの光透過率を制御するよ
うになっている。
され、これに対して各画素における画素電極ＰＸに画素
情報に相当する電圧が印加されることによって、それら
の間に発生する電界が液晶ＬＣの光透過率を制御するよ
うになっている。
【００３５】そして、この対向電極ＣＴをも被って液晶
ＬＣと接触する配向膜ＯＲＩ２が形成されている。
ＬＣと接触する配向膜ＯＲＩ２が形成されている。
【００３６】この配向膜ＯＲＩ２もＴＦＴ基板側に設け
た配向膜ＯＲＩ１と同様の材料からなり、これにより、
光源からの光の耐光性を向上させるようにしている。
た配向膜ＯＲＩ１と同様の材料からなり、これにより、
光源からの光の耐光性を向上させるようにしている。
【００３７】〔実施例２〕図２は本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す断面図で、図１と対応した図面
となっている。
装置の他の実施例を示す断面図で、図１と対応した図面
となっている。
【００３８】図１の場合と異なる構成は、保護膜ＰＳＶ
が無機材料（たとえば塗布ガラス）であると共に、平坦
化膜ＯＣ１、ＯＣ２を無機材料（たとえばＺＲＳ：商品
名）で構成していることにある。
が無機材料（たとえば塗布ガラス）であると共に、平坦
化膜ＯＣ１、ＯＣ２を無機材料（たとえばＺＲＳ：商品
名）で構成していることにある。
【００３９】実施例１の場合のように、平坦化膜ＯＣ
１、ＯＣ２、および保護膜ＰＳＶはその層厚が比較的厚
く、それを有機材料で形成した場合、光の吸収によって
黄変したり発熱によって変形するのを、上述した材料に
することによって改善したものである。
１、ＯＣ２、および保護膜ＰＳＶはその層厚が比較的厚
く、それを有機材料で形成した場合、光の吸収によって
黄変したり発熱によって変形するのを、上述した材料に
することによって改善したものである。
【００４０】〔実施例３〕図３は本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す断面図で、図１と対応した図面
となっている。
装置の他の実施例を示す断面図で、図１と対応した図面
となっている。
【００４１】図１の場合と異なる構成は、まず、ＴＦＴ
基板側において、画素電極ＰＸが新たに形成された無機
層間絶縁膜ＩＩＮａ上に形成され、また、該画素電極Ｐ
Ｘ上には無機層間絶縁膜ＩＩＮｂを介して配向膜ＯＲＩ
１が形成されていることにある。
基板側において、画素電極ＰＸが新たに形成された無機
層間絶縁膜ＩＩＮａ上に形成され、また、該画素電極Ｐ
Ｘ上には無機層間絶縁膜ＩＩＮｂを介して配向膜ＯＲＩ
１が形成されていることにある。
【００４２】すなわち、該画素電極ＰＸはその下層にあ
っては平坦膜ＯＣとの直接の接触を回避し、上層にあっ
ては配向膜ＯＲＩ１との直接の接触を回避する構成とな
っている。
っては平坦膜ＯＣとの直接の接触を回避し、上層にあっ
ては配向膜ＯＲＩ１との直接の接触を回避する構成とな
っている。
【００４３】平坦膜ＯＣ１および配向膜ＯＲＩ１はいず
れも有機材から構成され、透明電極からなる画素電極Ｐ
Ｘによる酸化劣化を該無機層間絶縁膜ＩＩＮａ、ＩＩＮ
ｂによって回避し耐光性を向上させようとするものであ
る。
れも有機材から構成され、透明電極からなる画素電極Ｐ
Ｘによる酸化劣化を該無機層間絶縁膜ＩＩＮａ、ＩＩＮ
ｂによって回避し耐光性を向上させようとするものであ
る。
【００４４】また、ＦＩＬ基板側において、対向電極Ｃ
Ｔが新たに形成された無機層間絶縁膜ＩＩＮｃ上に形成
され、また、該対向電極ＣＴ上には無機層間絶縁膜ＩＩ
Ｎｄを介して配向膜が形成されていることにある。
Ｔが新たに形成された無機層間絶縁膜ＩＩＮｃ上に形成
され、また、該対向電極ＣＴ上には無機層間絶縁膜ＩＩ
Ｎｄを介して配向膜が形成されていることにある。
【００４５】この場合も、該対向電極ＣＴはその下層に
あっては平坦膜ＯＣ２との直接の接触を回避し、上層に
あっては配向膜ＯＲＩ２との直接の接触を回避する構成
となっている。
あっては平坦膜ＯＣ２との直接の接触を回避し、上層に
あっては配向膜ＯＲＩ２との直接の接触を回避する構成
となっている。
【００４６】ここで、無機層間絶縁膜ＩＩＮａ、ＩＩＮ
ｂ、ＩＩＮｃ、およびＩＩＮｄの材料としては、ＳＯＧ
あるいは薄膜化が可能なＳｉＯ2、Ｙ膜が好適となる。
ｂ、ＩＩＮｃ、およびＩＩＮｄの材料としては、ＳＯＧ
あるいは薄膜化が可能なＳｉＯ2、Ｙ膜が好適となる。
【００４７】〔実施例４〕図４は本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す断面図で、図１と対応した図面
となっている。
装置の他の実施例を示す断面図で、図１と対応した図面
となっている。
【００４８】図１の場合と異なる構成は、まず、ＴＦＴ
基板において、平坦化膜ＯＣ１を無機材の材料によって
構成し、この平坦化膜ＯＣ１の上面に直接に画素電極Ｐ
Ｘを形成するとともに、この画素電極ＰＸの上面に無機
層間絶縁膜ＩＩＮｂを介して配向膜ＯＲＩ１が形成され
ている。
基板において、平坦化膜ＯＣ１を無機材の材料によって
構成し、この平坦化膜ＯＣ１の上面に直接に画素電極Ｐ
Ｘを形成するとともに、この画素電極ＰＸの上面に無機
層間絶縁膜ＩＩＮｂを介して配向膜ＯＲＩ１が形成され
ている。
【００４９】また、ＦＩＬ基板において、平坦化膜ＯＲ
２を無機材の材料によって構成し、この平坦化膜ＯＲ２
の上面に直接に対向電極ＣＴを形成するとともに、この
対向電極ＣＴの上面に無機層間絶縁膜ＩＩＮｄを介して
配向膜ＯＲＩ２が形成されている。
２を無機材の材料によって構成し、この平坦化膜ＯＲ２
の上面に直接に対向電極ＣＴを形成するとともに、この
対向電極ＣＴの上面に無機層間絶縁膜ＩＩＮｄを介して
配向膜ＯＲＩ２が形成されている。
【００５０】実施例３と同様に、透明電極からなる画素
電極ＰＸによる酸化劣化をその上下層に形成した無機材
料によって回避し耐光性を向上させようとするものであ
る。
電極ＰＸによる酸化劣化をその上下層に形成した無機材
料によって回避し耐光性を向上させようとするものであ
る。
【００５１】上述した各実施例では、ＴＦＴ基板側およ
び対向基板側において改善がなされたものであるが、そ
れらの一方の側のみであってもよいことはいうまでもな
い。たとえ、一方の側の改善であっても従来と比較して
耐光性が優れるようになるからである。
び対向基板側において改善がなされたものであるが、そ
れらの一方の側のみであってもよいことはいうまでもな
い。たとえ、一方の側の改善であっても従来と比較して
耐光性が優れるようになるからである。
【００５２】また、上述した各実施例では、いずれも液
晶プロジェクタに用いられる液晶表示装置について示し
たものであるが、それ以外の液晶表示装置にも適用でき
ることはいうまでもない。
晶プロジェクタに用いられる液晶表示装置について示し
たものであるが、それ以外の液晶表示装置にも適用でき
ることはいうまでもない。
【００５３】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による液晶表示装置によれば、その配向膜等の劣
化を大幅に減少させることができるようになる。
本発明による液晶表示装置によれば、その配向膜等の劣
化を大幅に減少させることができるようになる。
【図１】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す断
面図である。
面図である。
【図２】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す
断面図である。
断面図である。
【図３】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す
断面図である。
断面図である。
【図４】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す
断面図である。
断面図である。
【図５】各種配向膜の光の波長に対する吸収係数を示し
たグラフである。
たグラフである。
【図６】超高圧水銀ランプの波長に対する強度を示した
グラフである。
グラフである。
ＳＵＢ…石英基板、ＡＳ…半導体層、ＧＩ、ＩＮ、ＰＳ
Ｖ、ＩＩＮ…絶縁膜、ＤＬ…ドレイン信号線、ＯＣ…平
坦化膜、ＰＸ…画素電極、ＯＲＩ…配向膜、ＢＭ…遮光
膜、ＣＴ…対向電極。
Ｖ、ＩＩＮ…絶縁膜、ＤＬ…ドレイン信号線、ＯＣ…平
坦化膜、ＰＸ…画素電極、ＯＲＩ…配向膜、ＢＭ…遮光
膜、ＣＴ…対向電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 祐司 千葉県茂原市早野3681番地 日立デバイス エンジニアリング株式会社内 (72)発明者 園田 英博 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所ディスプレイグループ内 Ｆターム(参考） 2H088 EA12 HA01 HA03 HA04 HA08 HA28 MA18 2H090 HA04 HB02X HB08Y HD03 HD11 HD15 JB04 LA04 LA16 2H091 FA41Z GA06 GA07 GA16 LA03 LA04
Claims (5)
- 【請求項１】 液晶表示プロジェクタに用いられる液晶
表示装置であって、その液晶と接触して配置される配向
膜は青色の波長域で吸収係数が低い材料で構成されてい
ることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 液晶表示プロジェクタに用いられる液晶
表示装置であって、その液晶と接触して配置される配向
膜は４００ｎｍ〜４５０ｎｍの波長域で吸収係数が低い
材料で構成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項３】 配向膜は絶縁膜上に形成された透明の電
極を被うようにして形成され、前記絶縁膜は無機材料で
構成されていることを特徴とする請求項１あるいは２に
記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 絶縁膜はその表面が平坦な平坦化膜であ
ることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。 - 【請求項５】 液晶表示パネルと、この液晶表示パネル
の背面に配置される光源とを備え、 前記光源は超高圧水銀ランプからなり、前記液晶表示パ
ネルはその液晶と接触して配置される配向膜は青色の波
長域で吸収係数が低い材料で構成されていることを特徴
とする液晶プロジェクタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000086821A JP2001272645A (ja) | 2000-03-27 | 2000-03-27 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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- 2000-03-27 JP JP2000086821A patent/JP2001272645A/ja active Pending
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