JP2001270908A - Soldering resist, semiconductor package and method for manufacturing it - Google Patents

Soldering resist, semiconductor package and method for manufacturing it

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JP2001270908A
JP2001270908A JP2000085622A JP2000085622A JP2001270908A JP 2001270908 A JP2001270908 A JP 2001270908A JP 2000085622 A JP2000085622 A JP 2000085622A JP 2000085622 A JP2000085622 A JP 2000085622A JP 2001270908 A JP2001270908 A JP 2001270908A
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circuit pattern
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亮一 岡田
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高橋  豊誠
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a soldering resist which does not need removing a residual flux by washing after soldering, retains the electric insulation even under an environment of high temperature and high humidity, and allows a strong and highly reliable bond of soldering. SOLUTION: The resist comprises (A) a phenol novolac resin having at least one acryloyl or methacryloyl group, (B) a resin as a curing agent, and (C) a photopolymerization initiator.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体パッケージ
に半田ボールを搭載する際の半田接合に関し、さらに
は、半田ボール搭載がされた半導体パッケージを、プリ
ント配線板に半田接合により実装する際の半田接合用レ
ジストに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a solder joint for mounting a solder ball on a semiconductor package, and more particularly, to a solder for mounting a semiconductor package on which a solder ball is mounted on a printed wiring board by solder joint. The present invention relates to a bonding resist.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年の電子機器の高機能化並びに軽薄短
小化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、さらには
高密度実装化が進んできており、これらの電子機器に使
用される半導体パッケージは、従来にも増して益々小型
化かつ多ピン化が進んできている。
2. Description of the Related Art In recent years, with the demand for higher functionality and lighter, thinner and smaller electronic devices, high-density integration and high-density mounting of electronic components have been progressing. Semiconductor packages have been increasingly miniaturized and have more pins than ever before.

【0003】半導体パッケージはその小型化に伴って、
従来のようなリードフレームを使用した形態のパッケー
ジでは、小型化に限界がきているため、最近では回路基
板上にチップを実装したものとして、BGA(Ball
Grid Array)や、CSP(Chip Sc
ale Package)といった、エリア実装型の新
しいパッケージ方式が提案されている。これらの半導体
パッケージにおいて、半導体チップの電極と、従来型半
導体パッケージのリードフレームの機能とを有する、半
導体搭載用基板と呼ばれるプラスチックやセラミックス
等各種絶縁材料と、導体配線で構成される基板の端子と
の電気的接続方法として、ワイヤーボンディング方式や
TAB(Tape Automated Bondin
g)方式、さらにはFC(Flip Chip)方式な
どが知られているが、最近では、半導体パッケージの小
型化に有利な、FC接続方式を用いたBGAやCSPの
構造が盛んに提案されている。
[0003] With the miniaturization of semiconductor packages,
In a conventional package using a lead frame, the miniaturization has reached its limit. Recently, a BGA (Ball) has been used as a package mounted on a circuit board.
Grid Array), CSP (Chip Sc)
area packaging) has been proposed. In these semiconductor packages, various insulating materials such as plastics and ceramics, which are called semiconductor mounting substrates, having electrodes of a semiconductor chip and a function of a lead frame of a conventional semiconductor package, and terminals of a substrate composed of conductor wiring, Wire connection method and TAB (Tape Automated Bondin)
g) system, and furthermore, an FC (Flip Chip) system and the like are known. Recently, BGA and CSP structures using the FC connection system, which are advantageous for miniaturization of semiconductor packages, have been actively proposed. .

【0004】BGAやCSPのプリント配線板への実装
には、半田ボールで形成されたバンプによる、半田接合
が採用されている。この半田接合には、フラックスが用
いられ、ソルダーペーストが併用されることもある。特
に半田ボールが使用される理由は、半田供給量を制御し
易く、多量の半田を供給できるので、バンプが高くでき
るためである。また、BGAやCSPの作製工程におけ
る、半導体チップの電極と半導体搭載用基板の端子との
電気的接続方法にも、半田接合が使われる場合が多い。
For mounting a BGA or CSP on a printed wiring board, solder bonding using bumps formed of solder balls is employed. A flux is used for this soldering, and a solder paste is sometimes used in combination. In particular, the reason why solder balls are used is that the amount of solder supplied can be easily controlled and a large amount of solder can be supplied, so that the bumps can be made high. In addition, solder bonding is often used also as an electrical connection method between electrodes of a semiconductor chip and terminals of a semiconductor mounting substrate in a BGA or CSP manufacturing process.

【0005】一般に、半田接合のためには、半田表面と
対する電極の、金属表面の酸化物などの汚れを除去する
と共に、半田接合時の金属表面の再酸化を防止して、半
田の表面張力を低下させ、金属表面に溶融半田が濡れ易
くする、半田付け用フラックスが使用される。このフラ
ックスとしては、ロジンなどの熱可塑性樹脂系フラック
スに、酸化膜を除去する活性剤等を加えたフラックスが
用いられている。
[0005] In general, for solder joining, dirt such as oxides on the metal surface of the electrodes facing the solder surface is removed, and reoxidation of the metal surface at the time of solder joining is prevented, so that the surface tension of the solder is reduced. And a soldering flux is used to make the molten solder easily wet the metal surface. As the flux, a flux obtained by adding an activator or the like for removing an oxide film to a thermoplastic resin flux such as rosin is used.

【0006】しかしながら、このフラックスが残存して
いると、高温、多湿時に熱可塑性樹脂が溶融し、活性剤
中の活性イオンも遊離するなど、電気絶縁性の低下やプ
リント配線の腐食などの問題が生じる。そのため現在
は、半田接合後の残存フラックスを洗浄除去し、上記問
題を解決しているが、洗浄剤の環境問題や、洗浄工程に
よるコストアップなどの欠点がある。
However, if this flux remains, the thermoplastic resin melts at high temperature and high humidity, and the active ions in the activator are also released. Occurs. For this reason, at present, the above-mentioned problem is solved by cleaning and removing the residual flux after the solder bonding, but there are disadvantages such as an environmental problem of the cleaning agent and an increase in cost due to the cleaning process.

【0007】フラックスの機能は、前記の通り、半田と
金属表面の酸化物除去、再酸化防止、そして半田濡れ性
向上(表面張力を低下させる)などであり、フラックス
が存在し、金属表面が露出していれば、半田は制限なく
濡れてしまう。そこで、一般的に半導体パッケージやプ
リント配線板の回路表面には、半田接合部のみへの半田
の導入と、導体配線パターンの保護とのため、ソルダー
レジストが使用されている。しかし、このソルダーレジ
ストが半田接合部に残存すると、接続信頼性が低下した
り、半田接合できなかったり、という問題が生じるた
め、ソルダーレジスト形成には、細心の注意が必要であ
る。
As described above, the functions of the flux are to remove the oxide of the solder and the metal surface, prevent re-oxidation, and improve the solder wettability (reduce the surface tension). The flux exists and the metal surface is exposed. If it does, the solder will get wet without restriction. Therefore, in general, a solder resist is used on the circuit surface of a semiconductor package or a printed wiring board in order to introduce solder only into a solder joint and to protect a conductor wiring pattern. However, if the solder resist remains in the solder joint, problems such as a decrease in connection reliability and a failure in solder joint occur. Therefore, great care must be taken in forming the solder resist.

【0008】また、半導体パッケージの小型化かつ多ピ
ン化は、バンプの微細化を促し、接合強度、信頼性の低
下が懸念されている。そこで、バンプ接続部分の信頼性
を得るため、チップと基板との間隙に、アンダーフィル
と呼ばれる絶縁樹脂を充填して、バンプ接続部分を封
止、補強する検討も盛んである。しかし、これには技術
的難易度の高いアンダーフィルを充填し、硬化させる工
程が必要となるため、製造工程が複雑で製造コストが高
くなる問題がある。
In addition, the miniaturization of semiconductor packages and the increase in the number of pins of semiconductor packages promote the miniaturization of bumps, and there is a concern that bonding strength and reliability may be reduced. Therefore, in order to obtain the reliability of the bump connection portion, studies are being made to fill the gap between the chip and the substrate with an insulating resin called underfill to seal and reinforce the bump connection portion. However, this requires a step of filling and hardening an underfill, which is technically difficult, and has a problem that the manufacturing process is complicated and the manufacturing cost is increased.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、半導体パッ
ケージの実装時における、半田接合の現状のこのような
問題点に鑑み、ソルダーレジストの形成、半田接合後の
残存フラックスの洗浄除去、そして、アンダーフィルの
充填などが必要なく、高温、多湿雰囲気でも電気絶縁性
を保持し、接合強度、信頼性の高い半田接合を可能とす
る、半田接合レジスト、該半田レジストを用いた半導体
パッケージ及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of solder bonding at the time of mounting a semiconductor package, and has been made in view of the formation of a solder resist, the cleaning and removal of residual flux after solder bonding, and Solder bonding resist that does not require underfill filling, maintains electrical insulation even in a high-temperature, high-humidity atmosphere, enables high-strength, reliable solder bonding, a semiconductor package using the solder resist, and manufacturing thereof The aim is to provide a method.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、少なく
とも1個のアクリロイル基又はメタクリロイル基を有す
るフェノールノボラック(A)、その硬化剤として作用
する樹脂(B)、及び光重合開始剤(C)を必須成分と
し、半田ボール搭載用ランドを有する回路パターン上に
塗布され、該ランド上に載せた半田ボールをマスクとし
て活性エネルギー線を照射することにより、活性エネル
ギー線露光部の流動性が低下し、半田リフローによって
半田ボールをランドに接合させた後、加熱により半田ボ
ール接合部を樹脂補強する形態で硬化し、さらに、前記
回路パターンのレジストとしても機能することを特徴と
する半田接合用レジストである。
That is, the present invention provides a phenol novolak (A) having at least one acryloyl group or methacryloyl group, a resin (B) acting as a curing agent thereof, and a photopolymerization initiator (C). ) As an essential component, is applied on a circuit pattern having solder ball mounting lands, and is irradiated with active energy rays using the solder balls mounted on the lands as a mask, thereby lowering the fluidity of the active energy ray exposed portion. After solder balls are joined to the lands by solder reflow, the solder balls are cured by heating so as to reinforce the solder ball joints, and further function as a resist for the circuit pattern. It is.

【0011】本発明の半田接合用レジストは、好ましく
は、少なくとも1個のアクリロイル基又はメタクリロイ
ル基を有するフェノールノボラック(A)である、分子
中に1個又は2個のフェノール性水酸基を有するフェノ
ール化合物とホルムアルデヒドとを、酸性触媒下で縮合
して得られる多官能フェノールを必須成分とし、これら
により得られる半田接合用レジストの半田接合温度にお
ける溶融粘度が、好ましくは50Pa・s以下であるこ
とを特徴とする。
The solder bonding resist of the present invention is preferably a phenol novolak (A) having at least one acryloyl group or methacryloyl group, and a phenol compound having one or two phenolic hydroxyl groups in a molecule. And a formaldehyde with a polyfunctional phenol obtained by condensation under an acidic catalyst as an essential component, and a melt viscosity at a solder bonding temperature of a solder bonding resist obtained by these is preferably 50 Pa · s or less. And

【0012】本発明の半田接合用レジストを半導体パッ
ケージの半田ボールが搭載される面の回路パターン上全
面に塗布し、該回路パターンの半田ボール搭載用のラン
ド上に半田ボールを載せて、半田ボールをマスクとして
活性エネルギー線を照射することにより、活性エネルギ
ー線露光部の半田接合用レジストの流動性を低下させ
て、半田リフローによって半田ボールをランドに半田接
合させた後、さらに加熱により半田接合用レジストを硬
化して、前記回路パターンのレジストを形成してなり、
また半田ボール接合部を樹脂補強する形態で硬化させて
なることを特徴とする半導体パッケージ及びその製造方
法である。
The solder bonding resist of the present invention is applied to the entire surface of the circuit pattern of the semiconductor package on which the solder balls are to be mounted, and the solder balls are placed on the solder ball mounting lands of the circuit pattern. Irradiation of active energy rays with the mask as a mask reduces the fluidity of the solder bonding resist in the active energy ray exposed area, solders the solder balls to the lands by solder reflow, and further heats the solder balls. By curing the resist, forming a resist of the circuit pattern,
Further, the present invention provides a semiconductor package and a method of manufacturing the semiconductor package, wherein the solder ball joint is cured by resin reinforcement.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】本発明の半田接合用レジストは、
少なくとも1個のアクリロイル基又はメタクリロイル基
を有するフェノールノボラック(A)、その硬化剤とし
て作用する樹脂(B)、及び光重合開始剤(C)を必須
成分とするものであり、本発明に用いる少なくとも1個
のアクリロイル基又はメタクリロイル基を有するフェノ
ールノボラック(A)の、フェノール性水酸基は、その
還元作用により、半田および金属表面の酸化物などの汚
れを除去し、半田接合のフラックスとして作用する。こ
のフェノール性水酸基としては、何ら制約するところは
ないが、半田接合のフラックスとしての作用を高めるた
め、少なくとも1個のアクリロイル基又はメタクリロイ
ル基を有するフェノールノボラック(A)は、フェノー
ル性水酸基に対してのオルソ、パラ位に電子吸引基、メ
タ位に電子供与基を有するものが好ましい。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The solder bonding resist of the present invention
The phenolic novolak having at least one acryloyl group or methacryloyl group (A), the resin (B) acting as a curing agent thereof, and the photopolymerization initiator (C) are essential components. The phenolic hydroxyl group of the phenol novolak (A) having one acryloyl group or methacryloyl group removes stains such as solder and oxides on the metal surface by its reducing action, and acts as a flux for solder bonding. The phenolic hydroxyl group is not restricted at all. However, in order to enhance the effect as a flux for soldering, phenol novolak (A) having at least one acryloyl group or methacryloyl group has a phenolic hydroxyl group. And those having an electron withdrawing group at the para position and an electron donating group at the meta position are preferred.

【0014】更に、その硬化剤として作用する樹脂
(B)により、良好な硬化物を得ることができるため、
半田接合後の洗浄除去が必要なく、高温、多湿雰囲気で
も電気絶縁性を保持し、接合強度、信頼性の高い半田接
合を可能とする。
Further, a good cured product can be obtained by the resin (B) acting as a curing agent.
It does not require cleaning and removal after soldering, maintains electrical insulation even in a high-temperature, high-humidity atmosphere, and enables soldering with high bonding strength and high reliability.

【0015】本発明において用いる、少なくとも1個の
アクリロイル基又はメタクリロイル基を有するフェノー
ルノボラック(A)は、分子中に1個又は2個のフェノ
ール性水酸基を有するフェノール化合物とホルムアルデ
ヒドとを、酸性触媒下で縮合して得られる多官能フェノ
ールを用いるのが好ましく、グリシジル基を有するアク
リレート又はメタクリレートとを反応させて得られる。
光架橋し活性エネルギー線露光部の半田接合用レジスト
の流動性を低下させるためには、フェノールノボラック
のフェノール性水酸基に対して、20〜70%の比率で
グリシジル基を有するアクリレート又はメタクリレート
を反応させることが適当である。30%より小さいと活
性エネルギー線露光部の光架橋が不十分になり、半田接
合用レジストの流動性を低下させることができない。こ
のことは特に、高密度パッケージ(狭ピッチで半田ボー
ルが搭載される場合)での半田ボール搭載時、半田接合
用レジストと半田ボールとの界面張力による半田ボール
の凝集につながる。また、70%より多いと還元作用を
示すフェノール性水酸基が不足し、半田および金属表面
の酸化物などの汚れを除去できなくなり、半田接合のフ
ラックスとして作用しなくなる。
[0015] The phenol novolak (A) having at least one acryloyl group or methacryloyl group used in the present invention is obtained by reacting a phenol compound having one or two phenolic hydroxyl groups in a molecule with formaldehyde under an acidic catalyst. It is preferable to use a polyfunctional phenol obtained by condensation with an acrylate or methacrylate having a glycidyl group.
In order to reduce the fluidity of the solder bonding resist in the active energy ray exposed portion by photocrosslinking, acrylate or methacrylate having a glycidyl group is reacted at a ratio of 20 to 70% with respect to the phenolic hydroxyl group of phenol novolak. Is appropriate. If it is less than 30%, the photocrosslinking of the active energy ray exposed portion becomes insufficient, and the fluidity of the solder bonding resist cannot be reduced. This particularly leads to agglomeration of the solder balls due to the interfacial tension between the solder bonding resist and the solder balls when the solder balls are mounted in a high-density package (when the solder balls are mounted at a narrow pitch). On the other hand, if the content is more than 70%, the phenolic hydroxyl group exhibiting a reducing action becomes insufficient, so that it becomes impossible to remove stains such as solder and oxides on the metal surface, so that it does not act as a flux for solder bonding.

【0016】分子中に2個のフェノール性水酸基を有す
るフェノール化合物としては、ビスフェノールA型、ビ
スフェノールF型またはビスフェノールS型等が挙げら
れる。また、アルキルフェノールノボラックからのノボ
ラックも使用することができるが、その場合のアルキル
基は、炭素数が1〜4程度が好ましく、例えばメチル
基、エチル基,n−ブチル基、sec−ブチル基、te
rt−ブチル基、さらにはアリル基等であり、炭素数が
それ以上の場合は、体積当たりのフェノール性水酸基量
が低下し、半田接合のために好ましくない。さらに好ま
しくは、重量平均分子量20000以下のものが良い。
分子量が大きすぎると、半田接合時における未露光部の
半田接合用レジストの流動性が低下し、半田接合を阻害
するため好ましくない。但し、その他の配合剤の使用に
より、半田接合時における溶融粘度を、50Pa・s以
下に制御できれば何ら問題はない。この目的のために、
液状の硬化剤を配合したり、溶剤を加えても良い。分子
量、溶融粘度共に、特に下限はないが、分子量が極端に
小さすぎたり、溶融粘度が低すぎたりすると、半田接合
時のリフロー炉の予熱で半田接合用レジストが、蒸発し
てしまったり、流れ出したりして好ましくない。
Examples of the phenol compound having two phenolic hydroxyl groups in a molecule include bisphenol A type, bisphenol F type and bisphenol S type. Novolaks derived from alkylphenol novolaks can also be used. In this case, the alkyl group preferably has about 1 to 4 carbon atoms, such as a methyl group, an ethyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group,
It is an rt-butyl group, furthermore an allyl group or the like, and when the number of carbon atoms is more than that, the amount of phenolic hydroxyl group per volume decreases, which is not preferable for solder joining. More preferably, those having a weight average molecular weight of 20,000 or less are good.
If the molecular weight is too large, the fluidity of the unexposed portion of the solder bonding resist at the time of solder bonding is reduced, which undesirably hinders the solder bonding. However, there is no problem if the melt viscosity at the time of solder joining can be controlled to 50 Pa · s or less by using other compounding agents. For this purpose,
You may mix | blend a liquid hardening | curing agent and may add a solvent. There is no lower limit for both molecular weight and melt viscosity.However, if the molecular weight is extremely small or the melt viscosity is too low, the solder joint resist will evaporate or flow out due to preheating of the reflow furnace during solder joint. Is not preferred.

【0017】つまり、回路パターンの保護用レジストと
して作用する部分(露光部)は、半田接合時の流動性を
低下させて、均一なレジスト層の形成とその維持、界面
張力による半田ボール凝集などを抑制し、半田接合に関
与する部分(未露光部)は、半田接合に必要な流動性を
確保することが重要となる。従って、前記の溶融粘度調
整の手段の他、均一なレジスト層形成や半田ボールを凝
集させないために、レベリング剤などを添加し、表面張
力を低下させたり、基材表面を粗面化処理してもよい。
That is, the portion (exposed portion) acting as a protective resist for the circuit pattern reduces the fluidity at the time of soldering, forms and maintains a uniform resist layer, and prevents solder ball aggregation due to interfacial tension. It is important to suppress the flow and to secure the fluidity required for the soldering at the part (unexposed part) involved in the soldering. Therefore, in addition to the means of adjusting the melt viscosity, in order to prevent uniform agglomeration of the resist layer and the solder balls, a leveling agent or the like is added to lower the surface tension or roughen the surface of the base material. Is also good.

【0018】グリシジル基を有するアクリレート又はメ
タクリレートは、例えば、グリシジルアクリレート、グ
リシジルメタクリレートが反応性、入手の容易さ等によ
り好ましいものである。
As the acrylate or methacrylate having a glycidyl group, for example, glycidyl acrylate and glycidyl methacrylate are preferable due to their reactivity, availability, and the like.

【0019】少なくとも1個のアクリロイル基又はメタ
クリロイル基を有するフェノールノボラック(A)の配
合量は、半田接合用レジスト全体の30〜90重量%が
好ましい。30重量%未満であると、半田および金属表
面の酸化物などの汚れを除去する作用が低下し、半田接
合できなくなってしまう。また、90重量%より多い
と、十分な硬化物が得られず、接合強度と信頼性が低下
する。溶融粘度、酸化物除去性と硬化性のバランスが採
れた配合による、本発明の半田接合用レジストは、半田
接合部周辺をリング状に補強する形で硬化するため、従
来のフラックスによる半田接合と比較して、接合強度、
信頼性を大幅に向上させることができる。
The amount of the phenol novolak (A) having at least one acryloyl group or methacryloyl group is preferably 30 to 90% by weight of the entire solder bonding resist. If the amount is less than 30% by weight, the effect of removing stains such as solder and oxides on the metal surface is reduced, and solder joining cannot be performed. On the other hand, if the content is more than 90% by weight, a sufficient cured product cannot be obtained, and the bonding strength and reliability are reduced. Melt viscosity, due to the composition that balances oxide removal properties and curability, the solder bonding resist of the present invention cures in a form that reinforces the periphery of the solder joint in a ring shape, so that soldering with conventional flux In comparison, the joint strength,
The reliability can be greatly improved.

【0020】少なくとも1個のアクリロイル基又はメタ
クリロイル基を有するフェノールノボラック(A)の、
硬化剤として作用する樹脂(B)としては、エポキシ樹
脂やイソシアネート樹脂などが用いられる。具体的には
いずれも、ビスフェノール系、フェノールノボラック
系、アルキルフェノールノボラック系、ビフェノール
系、ナフトール系やレソルシノール系などのフェノール
ベースのものや、脂肪族、環状脂肪族や不飽和脂肪族な
どの骨格をベースとして変性されたエポキシ化合物やイ
ソシアネート化合物が挙げられる。配合量は、これらの
官能基の当量で、少なくとも1個のアクリロイル基又は
メタクリロイル基を有するフェノールノボラック(A)
のフェノール性水酸基当量の0.5〜2倍当量が好まし
い。0.5倍当量よりも少ないと、フェノール性水酸基
が多く残存し耐薬品性に劣り、2倍当量よりも多いと、
半田接合レジスト中のフェノール性水酸基の絶対量が不
足し、半田接合不良につながる場合がある。従って、硬
化剤として作用する樹脂(B)は、官能基当量が比較的
小さいものを選択し、1〜1.5倍当量で配合すること
がより好ましい。また、本発明の半田接合用レジストの
硬化を促進するため、公知の硬化触媒を用いても良い。
A phenol novolak (A) having at least one acryloyl or methacryloyl group,
As the resin (B) acting as a curing agent, an epoxy resin, an isocyanate resin, or the like is used. Specifically, all are based on phenol-based compounds such as bisphenol, phenol novolak, alkylphenol novolak, biphenol, naphthol and resorcinol, and skeletons such as aliphatic, cycloaliphatic and unsaturated aliphatic. Examples thereof include modified epoxy compounds and isocyanate compounds. The amount of phenol novolak (A) having at least one acryloyl group or methacryloyl group is equivalent to these functional groups.
Is preferably 0.5 to 2 equivalents of the phenolic hydroxyl group equivalent of the above. If it is less than 0.5 equivalents, a large amount of phenolic hydroxyl groups remain and the chemical resistance is poor, and if it is more than 2 equivalents,
The absolute amount of phenolic hydroxyl groups in the solder joint resist may be insufficient, leading to poor solder joint. Therefore, as the resin (B) acting as a curing agent, a resin having a relatively small functional group equivalent is selected, and it is more preferable to blend the resin (B) in an amount of 1 to 1.5 times equivalent. Further, in order to accelerate the curing of the solder bonding resist of the present invention, a known curing catalyst may be used.

【0021】本発明に用いる光重合開始剤(C)として
は、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、4−フェニ
ルベンゾフェノン、ヒドロキシベンゾフェノンなどのベ
ンゾフェノン類、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテ
ル、ベンゾインジメチルエーテル、ベンゾインエチルエ
ーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾイン
ブチルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテルなどの
ベンゾインアルキルエーテル類、4―フェノキシジクロ
ロアセトフェノン、4−t−ブチル−ジクロロアセトフ
ェノン、4−t−ブチル−トリクロロアセトフェノン、
ジエトキシアセトフェノンなどのアセトフェノン類、チ
オキサンソン、2−クロルチオキサンソン、2−メチル
チオキサンソン、2,4−ジメチルチオキサンソンなど
のチオキサンソン類、エチルアントラキノン、ブチルア
ントラキノンなどのアルキルアントラキノン類などを挙
げることができる。これらは単独、あるいは2種以上の
混合物として用いられる。この光重合開始剤の添加量
は、通常、本発明の半田接合用レジスト中、0.1〜1
0重量%の範囲で用いられる。その他、本発明の樹脂組
成物には必要に応じて、保存安定性のために紫外線防止
剤、熱重合防止剤、可塑剤、硬化促進剤などが添加でき
る。
The photopolymerization initiator (C) used in the present invention includes benzophenones such as benzophenone, benzoylbenzoic acid, 4-phenylbenzophenone and hydroxybenzophenone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin dimethyl ether, benzoin ethyl ether and benzoin isopropyl. Ether, benzoin butyl ether, benzoin alkyl ethers such as benzoin isobutyl ether, 4-phenoxydichloroacetophenone, 4-t-butyl-dichloroacetophenone, 4-t-butyl-trichloroacetophenone,
Examples include acetophenones such as diethoxyacetophenone, thioxanthones such as thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone and 2,4-dimethylthioxanthone, and alkylanthraquinones such as ethylanthraquinone and butylanthraquinone. Can be. These may be used alone or as a mixture of two or more. The amount of the photopolymerization initiator added is usually 0.1 to 1 in the solder bonding resist of the present invention.
It is used in the range of 0% by weight. In addition, an ultraviolet inhibitor, a thermal polymerization inhibitor, a plasticizer, a curing accelerator, and the like can be added to the resin composition of the present invention as needed for storage stability.

【0022】本発明の半田接合用レジストは、前記成分
をアルコール類、エーテル類、ケトン類などの有機溶媒
で混合溶解して、半田接合用レジストのワニスとして、
得ることもできる。これを半導体パッケージに用いる場
合は、半導体パッケージの半田ボールが搭載される面の
回路パターン上全面に、スクリーン印刷やスピンコート
などの方法により塗布した後、該回路パターンの半田ボ
ール搭載用のランド上に半田ボールを載せ、半田ボール
をマスクとして活性エネルギー線を照射することによ
り、活性エネルギー線露光部の半田接合用レジストの流
動性を低下させて、半田リフローによって半田ボールが
ランドに半田を接合させた後、さらに加熱により半田接
合用レジストを硬化して、前記回路パターンのレジスト
を形成することできる。
The resist for solder bonding of the present invention is obtained by mixing and dissolving the above components with an organic solvent such as alcohols, ethers and ketones to form a varnish for the solder bonding resist.
You can also get. When this is used for a semiconductor package, the entire surface of the circuit pattern on which the solder balls of the semiconductor package are mounted is applied by a method such as screen printing or spin coating, and then is applied to the land for mounting the solder balls of the circuit pattern. A solder ball is placed on the substrate and the active ball is irradiated with the active energy beam using the solder ball as a mask, thereby lowering the fluidity of the solder bonding resist in the active energy beam exposure section, and the solder ball is bonded to the land by solder reflow. After that, the solder bonding resist is further cured by heating to form a resist of the circuit pattern.

【0023】前述してきたように、半田接合用レジスト
中の最適なフェノール性水酸基の量と、アクリロイル基
又はメタクリロイル基の量、さらには、溶融粘度、酸化
物除去性と硬化性のバランスが採れた配合による、本発
明の半田接合用レジストは、予め半田ボールをマスクと
して活性エネルギー線露光することで、半田接合に関与
しない部分の半田接合用レジストが、光架橋し、流動性
が極端に低下することで、半田リフロー時に半田ボール
との界面張力により生じる半田ボールの凝集(狭ピッチ
で半田ボールが搭載される場合、特に問題となる)を抑
制できる。また、半田ボールがマスクとなり、光架橋し
なかった半田接合用レジスト部分は、半田リフロー時に
フラックスとして機能し、且つ、半田ボールとの界面張
力により半田接合部周辺をリング状に補強する形状(メ
ニスカスを形成)で硬化するため、従来のフラックスに
よる半田接合と比較して、接合強度、信頼性を大幅に向
上させることができる。
As described above, the optimum amount of the phenolic hydroxyl group and the amount of the acryloyl group or the methacryloyl group in the solder bonding resist, the melt viscosity, the oxide removability and the curability are balanced. Due to the compounding, the solder bonding resist of the present invention is subjected to active energy ray exposure using a solder ball as a mask in advance, and the solder bonding resist in a portion not involved in solder bonding is photocrosslinked and the fluidity is extremely reduced. Thereby, it is possible to suppress the aggregation of the solder balls caused by the interfacial tension with the solder balls at the time of the solder reflow (which is a problem particularly when the solder balls are mounted at a narrow pitch). In addition, the solder ball resist serving as a mask and the photo-crosslinking resist portion that has not been cross-linked functions as a flux at the time of solder reflow, and also has a shape (meniscus) that reinforces the periphery of the solder bond portion in a ring shape by interfacial tension with the solder ball. ), The bonding strength and reliability can be greatly improved as compared with the conventional solder bonding using a flux.

【0024】[0024]

【実施例】以下、実施例により更に具体的に説明する
が、本発明はこれによって何ら限定されるものではな
い。
EXAMPLES The present invention will be described in more detail with reference to the following Examples, but it should not be construed that the invention is limited thereto.

【0025】まず、少なくとも1個のアクリロイル基又
はメタクリロイル基を有するフェノールノボラック
(A)、その硬化剤として作用する樹脂(B)、及び光
重合開始剤(C)を配合して、半田接合用レジストワニ
スを調整し、その特性評価のため、半田ボールシェア強
度試験、温度サイクル試験、および絶縁抵抗試験を行っ
た。実施例および比較例の評価結果は、まとめて表1に
示した。
First, a phenol novolak having at least one acryloyl group or methacryloyl group (A), a resin (B) acting as a curing agent thereof, and a photopolymerization initiator (C) are blended to form a solder bonding resist. The varnish was prepared, and a solder ball shear strength test, a temperature cycle test, and an insulation resistance test were performed to evaluate its characteristics. The evaluation results of the examples and the comparative examples are shown in Table 1 collectively.

【0026】合成例1.フェノールノボラック(大日本
インキ化学工業(株)製、フェノライトTD−2090
−60M)の不揮発分70%メチルエチルケトン(ME
K)溶液600g(OH基約4当量)を2lのフラスコ
中に投入し、これにトリブチルアミン1g、およびハイ
ドロキノン0.2gを添加し、110℃に加温した。そ
の中へ、グリシジルメタクリレート284g(2モル)
を30分間で滴下した後、110℃で5時間攪拌反応さ
せることにより、不揮発分約80%メタクリロイル基含
有フェノールノボラックa(メタクリロイル基変性率5
0%)を得た。
Synthesis Example 1 Phenol novolak (Denippon Ink Chemical Industry Co., Ltd., phenolite TD-2090)
-60M) 70% methyl ethyl ketone (ME
K) 600 g of the solution (about 4 equivalents of OH group) was charged into a 2 liter flask, and 1 g of tributylamine and 0.2 g of hydroquinone were added thereto, followed by heating to 110 ° C. Into it, 284 g (2 mol) of glycidyl methacrylate
Was added dropwise over 30 minutes, and the mixture was stirred and reacted at 110 ° C. for 5 hours to obtain a methacryloyl group-containing phenol novolak a having a nonvolatile content of about 80% (methacryloyl group modification rate 5%).
0%).

【0027】合成例2.ビスフェノ−ルA型ノボラック
(大日本インキ化学工業(株)製、フェノライトLF−
4871)の不揮発分約70%MEK溶液685g(O
H基約4当量)を、2lのフラスコ中に投入し、これに
ハイドロキノン0.2gとグリシジルメタクリレート2
84g(2モル)加え、110℃に加温した。その中
へ、トリブチルアミン1gを添加した後、110℃で5
時間攪拌反応させることにより、不揮発分約80%メタ
クリロイル基含有フェノールノボラックb(メタクリロ
イル基変性率50%)を得た。
Synthesis Example 2 Bisphenol A-type novolak (Phenolite LF-, manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.)
687 g of a MEK solution of about 70%
H group (about 4 equivalents) was charged into a 2 liter flask, into which 0.2 g of hydroquinone and glycidyl methacrylate 2 were added.
84 g (2 mol) was added, and the mixture was heated to 110 ° C. After 1 g of tributylamine was added thereto,
By stirring and reacting for a period of time, phenol novolak b (methacryloyl group modification rate: 50%) containing about 80% of non-volatile content and containing methacryloyl group was obtained.

【0028】実施例1.合成例1で得たメタクリロイル
基含有フェノールノボラックa(メタクリロイル基変性
率50%,OH基当量350)を100g、ビスフェノ
ールF型エポキシ(RE−404S、日本化薬(株)製、
エポキシ当量165)50gと、光重合開始剤としてベ
ンゾインジメチルエーテル(チバ・ガイギー社製、イル
ガキュア651)3gを、シクロヘキサノン60gに溶
解し、硬化触媒として2−フェニル−4,5−ジヒドロ
キシメチルイミダゾール0.2gを添加し、半田接合用
レジストワニスを作製した。
Embodiment 1 FIG. 100 g of the methacryloyl group-containing phenol novolak a (methacryloyl group modification rate 50%, OH group equivalent 350) obtained in Synthesis Example 1, bisphenol F type epoxy (RE-404S, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)
50 g of epoxy equivalent (165) and 3 g of benzoin dimethyl ether (Irgacure 651 manufactured by Ciba-Geigy) as a photopolymerization initiator were dissolved in 60 g of cyclohexanone, and 0.2 g of 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole was used as a curing catalyst. Was added to prepare a solder varnish for resist bonding.

【0029】実施例2.実施例1で用いた合成例1のメ
タクリロイル基含有フェノールノボラックa100gに
代えて、合成例2で得たメタクリロイル基含有フェノー
ルノボラックb(メタクリロイル基変性率50%,OH
基当量380)を100gを用いた以外は、実施例1と
同様にして、半田接合用レジストワニスを作製した。
Embodiment 2 FIG. Instead of 100 g of the methacryloyl group-containing phenol novolak a of Synthesis Example 1 used in Example 1, the methacryloyl group-containing phenol novolak b obtained in Synthesis Example 2 (methacryloyl group modification rate 50%, OH
A resist varnish for solder bonding was produced in the same manner as in Example 1, except that 100 g of the base equivalent 380) was used.

【0030】1.半田ボールシェア強度試験 厚さ125μmの銅板(EFTEC64T、古川電気工
業(株)製)を用いて、ランド径300μm、ランドピッ
チ0.5mmを含む評価用回路を形成し、そのリードフ
レームを半導体封止材(EME−7372、住友ベーク
ライト(株)製)でモールド封止した後、片面から研磨し
て、前記の評価用回路を露出させ、10mm角の評価用
パッケージを作製した。研磨の仕上げには、JIS−R
6252に規定された、耐水研磨紙1000番を使用し
た。これをイソプロピルアルコールで洗浄した後、80
℃で30分乾燥して、半田接合評価用パッケージとし
た。比較のために、半田接合のためのランド以外をソル
ダーレジストで被覆した評価用パッケージも準備した。
1. Solder ball shear strength test A 125 μm thick copper plate (EFTEC64T, manufactured by Furukawa Electric Co., Ltd.) is used to form an evaluation circuit including a land diameter of 300 μm and a land pitch of 0.5 mm, and the lead frame is sealed with a semiconductor. After being molded and sealed with a material (EME-7372, manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.), it was polished from one side to expose the above-described circuit for evaluation, thereby producing a 10 mm square evaluation package. JIS-R for polishing finish
Water resistant abrasive paper No. 1000 specified in 6252 was used. After washing with isopropyl alcohol,
It dried at 30 degreeC for 30 minutes, and was set as the package for solder joint evaluation. For comparison, an evaluation package in which a land other than a land for solder bonding was covered with a solder resist was also prepared.

【0031】前記評価用パッケージの評価用回路露出面
の全面に、実施例1及び2で得られた半田接合用レジス
トワニスを、それぞれ塗布し、80℃で10分乾燥し
て、厚さ20μmの半田接合用レジスト膜を形成した。
実施例1、2で得た半田接合用レジスト、および、比較
例として市販の半田フラックスMSP511(九州松下
電器株式会社製)をそれぞれ塗布した、評価用パッケー
ジ回路のランド上に、350μm径の半田ボール(Sn
−Pb系共晶半田、千住金属鉱業(株)製)60個を搭載
した後、実施例1及び2については、半田ボールをマス
クとして高圧水銀灯露光装置を用い照射量500mJ/
cm2で露光し、ピーク温度を240℃に設定されたリ
フロー炉を通して、半田ボールを評価用パッケージに接
合させた。その後実施例については、150℃で60分
熱処理して、半田接合用レジストを硬化させた。市販の
フラックスについては、ソルダーレジストの形成された
評価用パッケージも準備した。
The resist varnish for solder bonding obtained in Examples 1 and 2 was applied to the entire exposed surface of the evaluation circuit of the evaluation package, and dried at 80 ° C. for 10 minutes to form a 20 μm-thick. A resist film for solder bonding was formed.
Solder balls having a diameter of 350 μm were placed on the lands of the evaluation package circuit on which the solder bonding resist obtained in Examples 1 and 2 and the commercially available solder flux MSP511 (manufactured by Kyushu Matsushita Electric Co., Ltd.) were applied, respectively. (Sn
After mounting 60 Pb-based eutectic solders (manufactured by Senju Metal Mining Co., Ltd.), in Examples 1 and 2, the irradiation amount was 500 mJ / using a high-pressure mercury lamp exposure apparatus using a solder ball as a mask.
Exposure was performed at 2 cm 2 , and the solder balls were bonded to the evaluation package through a reflow furnace having a peak temperature set at 240 ° C. Thereafter, in Examples, heat treatment was performed at 150 ° C. for 60 minutes to cure the solder bonding resist. For a commercially available flux, an evaluation package on which a solder resist was formed was also prepared.

【0032】次に、得られた半田ボール付き評価用パッ
ケージの、半田ボールシェア強度(デイジ社製万能型ボ
ンドテスターPC2400Tによる)を測定した。それ
ぞれ60個の平均値を求め、その結果をまとめて表1に
示した。尚、比較例としては、ソルダーレジストの形成
された半田ボール付き評価用パッケージを比較例2、ソ
ルダーレジストの形成されていないものを比較例1とし
た。
Next, the solder ball shear strength (using a universal type bond tester PC2400T manufactured by Daige Co., Ltd.) of the obtained evaluation package with solder balls was measured. The average value was determined for each of the 60 samples, and the results are summarized in Table 1. As a comparative example, an evaluation package with solder balls on which a solder resist was formed was referred to as Comparative Example 2, and a package without a solder resist was referred to as Comparative Example 1.

【0033】2.温度サイクル試験 温度サイクル(TC)試験用プリント配線板に、前記市
販のフラックスを塗布し、実施例、および比較例の前記
半田ボール付き評価用パッケージを搭載して、ピーク温
度240℃に設定されたリフロー炉を通して、評価用パ
ッケージ実装基板をそれぞれ10個ずつ作製した。この
評価用パッケージ実装基板は、評価用パッケージ、およ
び試験用プリント配線板を介して、60個の半田ボール
接合部が直列につながるように回路設計されている。
2. Temperature Cycle Test The commercially available flux was applied to a printed wiring board for a temperature cycle (TC) test, and the evaluation packages with solder balls of Examples and Comparative Examples were mounted, and the peak temperature was set to 240 ° C. Through a reflow furnace, ten package mounting substrates for evaluation were produced. The evaluation package mounting board is designed so that 60 solder ball joints are connected in series via the evaluation package and the test printed wiring board.

【0034】得られた評価用パッケージ実装基板の導通
を確認後、−50℃で10分、125℃で10分を1サ
イクルとするTC試験を実施した。温度サイクル(T
C)試験1000サイクル後の断線不良数の結果をまと
めて表1に示した。比較例としては、ソルダーレジスト
が形成された半田ボール付き評価用パッケージを比較例
2、ソルダーレジストが形成されていないものを比較例
1、さらに、ソルダーレジストが形成されており、アン
ダーフィルを充填したものを比較例3とした。比較例に
ついては、評価用パッケージ実装後、イソプロピルアル
コールで洗浄して使用した。
After confirming the continuity of the obtained package board for evaluation, a TC test was performed in which one cycle is -50 ° C. for 10 minutes and 125 ° C. for 10 minutes. Temperature cycle (T
C) Table 1 summarizes the results of the number of disconnection failures after 1000 cycles of the test. As a comparative example, an evaluation package with a solder ball on which a solder resist was formed was a comparative example 2, a package without a solder resist was a comparative example 1, and further, a solder resist was formed and an underfill was filled. This was designated as Comparative Example 3. After mounting the evaluation package, the comparative example was washed with isopropyl alcohol before use.

【0035】3.絶縁抵抗試験 半田メッキが施された導体間隔150μmのくし形パタ
ーンを有する、絶縁信頼性試験用プリント配線板を使用
し、このプリント配線板に実施例1及び2で得られた半
田接合用レジストワニスを、それぞれ塗布し、80℃で
10分乾燥して厚さ20μmの半田接合用レジスト膜を
形成した後、高圧水銀灯露光装置を用い照射量500m
J/cm2で露光した。比較例として、前記市販のフラ
ックスを塗布した試験用プリント配線板も準備した。ピ
ーク温度240℃に設定されたリフロー炉を通した後、
実施例1及び2については、150℃で60分熱処理し
て半田接合用レジストを硬化させ、試験用プリント配線
板とした。
3. Insulation resistance test Using a printed wiring board for insulation reliability test having a solder-plated comb-shaped pattern with a conductor interval of 150 μm, a resist varnish for solder bonding obtained in Examples 1 and 2 on this printed wiring board And dried at 80 ° C. for 10 minutes to form a solder bonding resist film having a thickness of 20 μm.
Exposure was at J / cm 2 . As a comparative example, a test printed wiring board coated with the commercially available flux was also prepared. After passing through a reflow furnace set to a peak temperature of 240 ° C,
In Examples 1 and 2, a heat treatment was performed at 150 ° C. for 60 minutes to harden the solder bonding resist to obtain a test printed wiring board.

【0036】このプリント配線板の絶縁抵抗を測定した
後、85℃/85%の雰囲気中で、直流電圧50Vを印
加し、1000時間経過後の絶縁抵抗を測定した。測定
時の印加電圧は100Vで1分とし、絶縁抵抗をまとめ
て表1にした。比較例としては、フラックスを洗浄して
いないものを比較例4とした。
After measuring the insulation resistance of the printed wiring board, a DC voltage of 50 V was applied in an atmosphere of 85 ° C./85%, and the insulation resistance was measured after 1000 hours. The applied voltage at the time of measurement was 100 V for 1 minute, and the insulation resistance was summarized in Table 1. As Comparative Example, Comparative Example 4 was not cleaned with the flux.

【0037】[0037]

【表1】 [Table 1]

【0038】表1に示した評価結果から分かるように、
本発明の半田接合用レジストを用いた場合、従来のフラ
ックスを用いた場合に比べて、半田ボールシェア強度で
は、2.3〜2.5倍という高い値を示し、また、TC
試験では、断線不良の発生はほとんどなくなった。絶縁
抵抗試験でもほとんど低下を示さず、本発明の半田接合
用レジストの効果が明白である。また、ソルダーレジス
トが形成されていないにもかかわらず、ファインピッチ
の半田ボール搭載が可能である。
As can be seen from the evaluation results shown in Table 1,
When the solder bonding resist of the present invention is used, the solder ball shear strength shows a high value of 2.3 to 2.5 times as compared with the case where a conventional flux is used.
In the test, the occurrence of disconnection failure was almost eliminated. In the insulation resistance test, there is almost no decrease, and the effect of the solder joint resist of the present invention is clear. Further, the solder balls can be mounted at a fine pitch even though no solder resist is formed.

【0039】[0039]

【発明の効果】本発明の半田接合用レジストは、半田接
合後の残存フラックスの洗浄除去を必要とせず、高温、
多湿雰囲気でも電気絶縁性を保持し、また、半田接合用
レジストが半田接合部周辺をリング状に補強する形で硬
化するため、接合強度と信頼性の高い半田接合を可能に
するので、半導体パッケージのプリント配線板への搭載
における工程を簡素化して、製造コストを抑制し、ま
た、半導体パッケージにおける半田接合の信頼性向上に
極めて有用である。
As described above, the solder bonding resist of the present invention does not require cleaning and removal of residual flux after solder bonding.
The semiconductor package retains electrical insulation even in a humid atmosphere, and hardens in such a way that the solder bonding resist hardens in the form of a ring around the solder bonding area, enabling high bonding strength and reliable solder bonding. It is very useful for simplifying the process of mounting the semiconductor device on a printed wiring board, suppressing the manufacturing cost, and improving the reliability of solder bonding in a semiconductor package.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05K 3/28 H01L 23/12 L (72)発明者 中村 謙介 東京都品川区東品川2丁目5番8号 住友 ベークライト株式会社内 Fターム(参考) 4J011 PA86 PA95 PB30 PC02 QB11 QB20 QB22 QB24 SA07 SA22 SA24 SA26 SA32 SA34 SA36 SA63 SA64 UA01 VA01 WA01 WA06 4J027 AH03 CA10 CB10 CC05 CD06 5E314 AA25 AA27 AA31 BB02 CC01 CC07 GG03 GG22 GG24 5F044 KK01 LL04 QQ01 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification FI FI Theme Court ゛ (Reference) H05K 3/28 H01L 23/12 L (72) Inventor Kensuke Nakamura 2-5-28 Higashishinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo No. Sumitomo Bakelite Co., Ltd. F-term (reference) 4J011 PA86 PA95 PB30 PC02 QB11 QB20 QB22 QB24 SA07 SA22 SA24 SA26 SA32 SA34 SA36 SA63 SA64 UA01 VA01 WA01 WA06 4J027 AH03 CA10 CB10 CC05 CD06 5E314 AA25 GG03 GG04 KK01 LL04 QQ01

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 少なくとも1個のアクリロイル基又はメ
タクリロイル基を有するフェノールノボラック(A)、
その硬化剤として作用する樹脂(B)、及び光重合開始
剤(C)を必須成分とすることを特徴とする半田接合用
レジスト。
1. A phenol novolak (A) having at least one acryloyl group or methacryloyl group,
A resist for soldering, comprising a resin (B) acting as a curing agent and a photopolymerization initiator (C) as essential components.
【請求項2】 少なくとも1個のアクリロイル基又はメ
タクリロイル基を有するフェノールノボラック(A)
が、分子中に1個又は2個のフェノール性水酸基を有す
るフェノール化合物とホルムアルデヒドとを、酸性触媒
下で縮合して得られる多官能フェノールであることを特
徴とする請求項1記載の半田接合用レジスト。
2. A phenol novolak (A) having at least one acryloyl or methacryloyl group.
Is a polyfunctional phenol obtained by condensing a phenol compound having one or two phenolic hydroxyl groups in a molecule with formaldehyde in the presence of an acidic catalyst, for use in solder joining according to claim 1. Resist.
【請求項3】 半田接合温度での溶融粘度が50Pa・
s以下であることを特徴とする請求項1記載または請求
項2記載の半田接合用レジスト。
3. The melt viscosity at the solder joining temperature is 50 Pa ·
3. The solder bonding resist according to claim 1, wherein the value is not more than s.
【請求項4】 半田ボール搭載用ランドを有する回路パ
ターン上に塗布され、該ランド上に載せた半田ボールを
マスクとして活性エネルギー線を照射することにより、
活性エネルギー線露光部の流動性が低下し、半田リフロ
ーによって半田ボールをランドに接合させた後、さらに
加熱により硬化して、前記回路パターンのレジストとし
て機能することを特徴とする請求項1ないし請求項3の
いずれかに記載の半田接合用レジスト。
4. An active energy ray is applied onto a circuit pattern having a land for mounting a solder ball by using the solder ball mounted on the land as a mask.
The fluidity of the active energy ray exposure part is reduced, and after solder balls are joined to lands by solder reflow, the solder balls are further cured by heating to function as a resist for the circuit pattern. Item 4. The solder bonding resist according to any one of Items 3 to 7.
【請求項5】 半田ボール接合部を樹脂補強する形態で
硬化することを特徴とする請求項1ないし請求項4のい
ずれかに記載の半田接合用レジスト。
5. The solder bonding resist according to claim 1, wherein the solder ball bonding portion is cured in a form of resin reinforcement.
【請求項6】 請求項1ないし請求項5のいずれかに記
載の半田接合用レジストを半導体パッケージの半田ボー
ルが搭載される面の回路パターン上全面に、塗布し、該
回路パターンの半田ボール搭載用のランド上に半田ボー
ルを載せて、半田ボールをマスクとして活性エネルギー
線を照射することにより、活性エネルギー線露光部の半
田接合用レジストの流動性を低下させて、半田リフロー
によって半田ボールをランドに半田接合させた後、さら
に加熱により半田接合用レジストを硬化して、前記回路
パターンのレジストを形成してなることを特徴とする半
導体パッケージ。
6. The solder bonding resist according to claim 1, which is applied to the entire surface of the circuit pattern of the semiconductor package on which the solder balls are to be mounted, and the solder balls of the circuit pattern are mounted. A solder ball is placed on a land for soldering, and the active ball is irradiated with active energy rays using the solder ball as a mask. A semiconductor package formed by soldering to a solder resist and then curing the soldering resist by heating to form a resist of the circuit pattern.
【請求項7】 半田ボール接合部を樹脂補強する形態で
硬化させてなることを特徴とする請求項6記載の半導体
パッケージ。
7. The semiconductor package according to claim 6, wherein the solder ball joint is hardened by resin reinforcement.
【請求項8】 請求項1ないし請求項5のいずれかに記
載の半田接合用レジストを半導体パッケージの半田ボー
ルが搭載される面の回路パターン上全面に塗布し、該回
路パターンの半田ボール搭載用のランド上に半田ボール
を載せて、半田ボールをマスクとして活性エネルギー線
を照射することにより、活性エネルギー線露光部の半田
接合用レジストの流動性を低下させて、半田リフローに
よって半田ボールをランドに半田接合させた後、さらに
加熱により半田接合用レジストを硬化して、前記回路パ
ターンのレジストを形成することを特徴とする半導体パ
ッケージの製造方法。
8. A solder bonding resist according to claim 1, which is applied to the entire surface of the circuit pattern on the surface of the semiconductor package on which the solder balls are to be mounted. A solder ball is placed on the land and the active ball is irradiated with the active energy ray using the solder ball as a mask. A method of manufacturing a semiconductor package, comprising: after solder bonding, further curing the solder bonding resist by heating to form a resist of the circuit pattern.
【請求項9】 半田ボール接合部を樹脂補強する形態で
硬化させることを特徴とする請求項8記載の半導体パッ
ケージの製造方法。
9. The method for manufacturing a semiconductor package according to claim 8, wherein the solder ball joint is hardened in a form of resin reinforcement.
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