JP2001267741A - Method of manufacturing multilayer board - Google Patents

Method of manufacturing multilayer board

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JP2001267741A
JP2001267741A JP2000070312A JP2000070312A JP2001267741A JP 2001267741 A JP2001267741 A JP 2001267741A JP 2000070312 A JP2000070312 A JP 2000070312A JP 2000070312 A JP2000070312 A JP 2000070312A JP 2001267741 A JP2001267741 A JP 2001267741A
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JP
Japan
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molded body
protective film
thickness
insulating layer
hole
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Application number
JP2000070312A
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Japanese (ja)
Inventor
Yuzuru Matsumoto
譲 松本
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Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a multilayer board which can minimize the thickness dispersion of a lower insulating layer. SOLUTION: This is a manufacturing method compresses a process of manufacturing a protective film molded item 33 10-5 μm in thickness by repeating the process of applying an insulating material containing photosetting resin and an inorganic material on a supporting substrate 1 and drying it once or more times, a process of forming a stacked molded item where a plurality of insulating layer molded items 71a-71f containing photosetting resin and an inorganic material are stacked on the surface of the protective film molded item 33, a process of removing the supporting substrate 31, and a process of baking the stacked molded item where the protective molded item 33 is made.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、多層基板の製法に
関し、特に、コンデンサ、フィルター等の機能素子を内
蔵した多層基板の製法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a multilayer substrate, and more particularly to a method for manufacturing a multilayer substrate having a built-in functional element such as a capacitor or a filter.

【0002】[0002]

【従来技術】一般に多層セラミック回路基板は、ガラス
−セラミックなどの絶縁層を複数積層してなり、その内
部には、タングステン等の高融点金属材料、金、銀、銅
などの低抵抗材料からなる内部配線やビアホール導体が
形成されている。
2. Description of the Related Art In general, a multilayer ceramic circuit board is formed by laminating a plurality of insulating layers such as glass-ceramic, and the inside thereof is formed of a high melting point metal material such as tungsten and a low resistance material such as gold, silver and copper. Internal wiring and via hole conductors are formed.

【0003】従来、多層セラミック回路基板は、絶縁層
となるガラス材料・セラミック材料を含有するスリップ
材を形成し、ドクターブレード法などによってグリーン
シートを作製し、次に、グリーンシートにビアホール導
体となる位置にNCパンチや金型などで貫通孔を形成
し、次に内部配線パターン及びビアホール導体に応じて
グリーンシート上に導電性ペーストを印刷・充填し、次
にこれらのグリーンシートを複数積層して積層成形体を
作製し、この積層成形体を一括して同時焼成する、所謂
グリーンシート積層方式による方法が一般的であった。
Conventionally, in a multilayer ceramic circuit board, a slip material containing a glass material and a ceramic material to be an insulating layer is formed, a green sheet is produced by a doctor blade method or the like, and then a via hole conductor is formed in the green sheet. A through hole is formed at the position with an NC punch or a mold, and then a conductive paste is printed and filled on a green sheet according to an internal wiring pattern and a via hole conductor, and then a plurality of these green sheets are laminated. A method using a so-called green sheet laminating method, in which a laminated molded body is produced and the laminated molded body is simultaneously fired at a time, has been common.

【0004】しかし最近では、機器の小型化に伴う回路
部品に対する更なる小型化の要求が高まり、コンデンサ
やコイル等の受動素子を基板に内蔵させて小型化を図る
という方法が検討されている。上記したグリーンシート
積層方式の場合、グリーンシートの積層一体化時の位置
合わせやグリーンシートの伸び等の変形の影響で、層間
積層位置合せ精度が悪く、100μm程度の積層ズレを
引き起こし、内蔵する素子の特性バラツキの原因となっ
ていた。
However, recently, there is an increasing demand for further miniaturization of circuit components accompanying miniaturization of equipment, and a method of reducing the size by incorporating a passive element such as a capacitor or a coil in a substrate has been studied. In the case of the above-described green sheet laminating method, the accuracy of interlayer lamination positioning is poor due to the influence of the deformation such as the alignment during the integration of the green sheets and the elongation of the green sheet, causing the lamination displacement of about 100 μm, and the built-in element Causes characteristic variations.

【0005】上記グリーンシート多層方式による問題を
解決する為の多層セラミック回路基板の製造方法とし
て、特開平7−154073号公報に、支持基板上にガ
ラス及びセラミックからなる絶縁層材料と、光硬化可能
なモノマーと、有機バインダーとを含有するスリップ材
を薄層化し乾燥して絶縁層成形体を形成し、該絶縁層成
形体に選択的な露光処理を施した後、現像処理してビア
ホール導体を形成する為の貫通孔を形成し、貫通孔への
導電性ペーストの充填及び絶縁層成形体上への内部配線
用のパターン形成を必要積層数繰り返して積層成形体を
作製し、該積層成形体を一括焼成して基板を得るという
方法が開示されている。
As a method of manufacturing a multilayer ceramic circuit board for solving the above-mentioned problem of the green sheet multilayer system, Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-154073 discloses an insulating layer material made of glass and ceramic on a support substrate, and a photo-curable material. The slip material containing a suitable monomer and an organic binder is thinned and dried to form an insulating layer molded product, and after selectively subjecting the insulating layer molded product to exposure treatment, the developing treatment is performed to form a via-hole conductor. Forming a through-hole for forming, filling the through-hole with a conductive paste and forming a pattern for internal wiring on the insulating layer molded body by repeating the required number of laminations to produce a laminated molded body, Are collectively fired to obtain a substrate.

【0006】この方法によれば、支持基板を位置合わせ
基準とし、フォトリソプロセスを用いた積層方法を採用
している為、積層時の位置合せ精度が向上して、内蔵す
る素子の特性バラツキが抑制される。また一層当たりの
厚みが薄いシートに小径から大径の種々の径の孔を開け
てもハンドリング性の問題はなく、グリーンシート積層
方式における問題を解決することができる。
According to this method, since the lamination method using the photolithography process is adopted with the support substrate as a reference for alignment, the alignment accuracy at the time of lamination is improved, and the variation in the characteristics of the built-in elements is suppressed. Is done. Further, even if holes having various diameters from a small diameter to a large diameter are formed in a sheet having a small thickness per layer, there is no problem in handling properties, and the problem in the green sheet lamination method can be solved.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
ような支持基板上に絶縁層成形体を形成する工程を繰り
返し行なう積層方式、いわゆるビルドアップ法によるプ
ロセスの場合、支持基板上に形成する層、即ち最下層と
なる絶縁層は、支持基板の表面粗さや厚みバラツキの影
響を受けて、この層の厚みバラツキは、他の層に比べて
大きくなるという問題があった。
However, in the case of a process by a so-called build-up method in which a process of forming an insulating layer molded body on a support substrate as described above is repeated, a layer formed on the support substrate has That is, the lowermost insulating layer is affected by the surface roughness and the thickness variation of the support substrate, and the thickness variation of this layer is larger than that of the other layers.

【0008】即ち、支持基板として厚さ2〜3mm程度
のガラス板を用い、この上に離型用フィルムを貼り付け
ると、離型用フィルムの表面粗さを含む支持基板の厚み
ばらつきは30μm程度である。この支持基板上にスリ
ップ材をドクターブレード法により塗布、乾燥して絶縁
層成形体を形成すると、乾燥後の厚みが約1/2になる
が、これに伴い、形成した絶縁層成形体(乾燥後)の厚
みバラツキは15μm程度となる。
That is, when a glass plate having a thickness of about 2 to 3 mm is used as a support substrate and a release film is adhered thereon, the thickness variation of the support substrate including the surface roughness of the release film is about 30 μm. It is. When a slip material is applied on this supporting substrate by a doctor blade method and dried to form an insulating layer molded body, the thickness after drying is reduced to about 2. The thickness variation after (2) is about 15 μm.

【0009】層厚として100〜200μm程度の厚い
ものが要求される場合は、この程度の厚みバラツキは問
題とはならなかったが、コンデンサ等の機能素子を内蔵
することが要求される場合、基板サイズを大きくせずに
コンデンサの容量を維持する為には、より薄い層厚の絶
縁層(誘電体層)が要求される。具体的には50μm以
下、場合によっては20〜30μmの層厚が必要となる
ことがあり、厚みバラツキが15μmであると、層厚に
対して約40%程度のバラツキとなって容量バラツキが
大きくなり、コンデンサとして機能しなくなる。
When a layer having a thickness of about 100 to 200 μm is required, such a thickness variation is not a problem. However, when a functional element such as a capacitor is required to be built in, a substrate is required. In order to maintain the capacity of the capacitor without increasing the size, a thinner insulating layer (dielectric layer) is required. Specifically, a layer thickness of 50 μm or less, and in some cases, a layer thickness of 20 to 30 μm may be required. If the thickness variation is 15 μm, the variation is about 40% with respect to the layer thickness, and the capacitance variation is large. And does not function as a capacitor.

【0010】例えば、20μmの層厚に対して15μm
の厚みバラツキとは、12.5〜27.5μmのバラツ
キとなり、その割合は層厚20μmに対して最大で40
%程度となる。
For example, for a layer thickness of 20 μm, 15 μm
Is a variation of 12.5 to 27.5 μm, the ratio of which is a maximum of 40 μm for a layer thickness of 20 μm.
%.

【0011】従って、支持基板の表面粗さや厚みバラツ
キの影響を受ける最下層および最下層から2、3層目に
かけては、層厚のバラツキを考慮しなければならず、こ
の層に機能素子を内蔵させることは困難となり、機能素
子を内蔵する際の設計が制約を受けることになる。
Therefore, in the lowermost layer and the second and third layers which are affected by the surface roughness and thickness variation of the supporting substrate, the variation in the layer thickness must be considered, and the functional element is built in this layer. It is difficult to perform the operation, and the design when the functional element is incorporated is restricted.

【0012】一方、層厚バラツキを抑える為、支持基板
の厚みバラツキを10μm、更に好ましくは5μm以下
の高精度なものにしようとすると、その加工の為のコス
トが大幅に高くなるという問題がある。
On the other hand, if the thickness variation of the supporting substrate is made to be 10 μm, more preferably 5 μm or less in order to suppress the layer thickness variation, there is a problem that the cost for the processing is greatly increased. .

【0013】本発明は、支持基板の厚みバラツキを小さ
くすることなく、下層の絶縁層の厚みバラツキを最小限
とすることができる多層基板の製法を提供することを目
的とする。
It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a multilayer substrate capable of minimizing the thickness variation of an underlying insulating layer without reducing the thickness variation of a supporting substrate.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】本発明の多層基板の製法
は、支持基板上に、光硬化性樹脂および無機材料を含有
するスリップ材を塗布し、乾燥する工程を1回以上繰り
返して厚みが10〜50μmの保護膜成形体を作製する
工程と、該保護膜成形体の表面に、光硬化性樹脂および
無機材料を含有する絶縁層成形体を複数積層してなる積
層成形体を形成する工程と、前記支持基板を除去する工
程と、前記保護膜成形体が形成された積層成形体を焼成
する工程とを具備する方法である。
According to the method of manufacturing a multilayer substrate of the present invention, a step of applying a slip material containing a photocurable resin and an inorganic material on a supporting substrate and drying the same is repeated at least once to reduce the thickness. A step of producing a protective film molded body having a thickness of 10 to 50 μm and a step of forming a laminated molded body formed by laminating a plurality of insulating layer molded bodies containing a photocurable resin and an inorganic material on the surface of the protective film molded body And a step of removing the support substrate and a step of firing the laminated molded body on which the protective film molded body is formed.

【0015】このような方法によれば、ビルドアップ多
層方式の積層体の形成において、支持基板の表面粗さ等
の影響を受ける1層、2層目の絶縁層の厚み精度を高め
ることが可能となり、これらの絶縁層に内蔵する機能素
子の精度を上げることができる。また、1層、2層目の
絶縁層に高精度の機能素子を内蔵することができるた
め、設計の自由度も上がる。さらに、従来、焼成された
後に、誘電体ペーストを印刷、焼成して形成されていた
保護膜よりも、表面形状等の形成精度も向上できる。
According to such a method, it is possible to increase the thickness accuracy of the first and second insulating layers which are affected by the surface roughness of the supporting substrate in the formation of the build-up multilayer system. Thus, the accuracy of the functional element incorporated in these insulating layers can be improved. In addition, since a high-precision functional element can be incorporated in the first and second insulating layers, the degree of freedom in design is increased. Furthermore, the formation accuracy of the surface shape and the like can be improved as compared with a protective film that is conventionally formed by printing and firing a dielectric paste after firing.

【0016】従って、高密度なパターンの形成や高周波
回路の特性向上に有用であり、1〜2層目に機能素子を
内蔵できるため、高周波モジュールの小型化・高機能化
が可能となり、支持基板の面内厚みバラツキを小さくす
る必要もないため、更に低コスト化も可能となる。
Therefore, it is useful for forming a high-density pattern and improving the characteristics of a high-frequency circuit. Since the functional elements can be built in the first and second layers, the high-frequency module can be reduced in size and function. Since there is no need to reduce the in-plane thickness variation, the cost can be further reduced.

【0017】即ち、例えば、支持基板上に厚さ30μm
の保護膜成形体を形成する場合を例に説明すると、保護
膜成形体を形成する為のスリップ材は、光硬化性樹脂を
含有しているため、樹脂成分が多く、乾燥により約50
%収縮する為、30μmの保護膜成形体を形成する場合
には、スリップ材の乾燥前の厚みは60μm必要であ
り、前述したように、離型用フィルムの表面粗さを含む
支持基板表面の厚みバラツキは30μm程度であるか
ら、スリップ材の乾燥前の厚みバラツキは30μm程度
となり、乾燥後には15μm程度となる。
That is, for example, a thickness of 30 μm
For example, the case where the protective film molded body is formed will be described. Since the slip material for forming the protective film molded body contains a photocurable resin, the slip material has a large resin component and is dried by drying.
%, The thickness of the slip material before drying is required to be 60 μm when forming a protective film molded product having a thickness of 30 μm, and as described above, the surface of the support substrate including the surface roughness of the release film is required. Since the thickness variation is about 30 μm, the thickness variation of the slip material before drying is about 30 μm, and is about 15 μm after drying.

【0018】この保護膜成形体上に1層目に相当する絶
縁層成形体を形成するわけであるが、この時点で下地と
なる保護膜成形体の厚みバラツキは、15μm程度とな
っており、この上に形成される1層目の絶縁層成形体の
厚みバラツキは7.5μm程度と更に小さくなる。
The insulating layer molded body corresponding to the first layer is formed on the protective film molded body. At this time, the thickness variation of the underlying protective film molded body is about 15 μm. The thickness variation of the first insulating layer molded body formed thereon is further reduced to about 7.5 μm.

【0019】尚、この保護膜成形体を形成する際に、薄
い塗布膜を2回以上に分けて形成すると、例えば30μ
mの厚みの保護膜成形体を得るために、10μmの膜を
3回に分けて形成すると、一層目の成形体の厚みバラツ
キは15μm程度、2層目では7.5μm程度、3層目
では3.8μm程度となり、1層目の絶縁層成形体の厚
みバラツキは1.9μm程度と更に小さくすることがで
きる。
When forming this protective film molded body, if a thin coating film is formed in two or more steps, for example, 30 μm is formed.
When a 10 μm film is formed in three times to obtain a protective film molded article having a thickness of m, the thickness variation of the first molded article is about 15 μm, about 7.5 μm for the second layer, and about 7.5 μm for the third layer. It becomes about 3.8 μm, and the thickness variation of the first-layer insulating layer molded body can be further reduced to about 1.9 μm.

【0020】また、従来において、多層基板の最下層の
導体保護膜は、積層体完成後に誘電体ペーストをスクリ
ーン印刷して形成しているが、本発明の場合は予め支持
基板平坦化層として形成し、これを保護膜とすることが
可能である為、工程が簡略化され、しかもスクリーン印
刷法に比べて位置精度も極めて良好なものとなる。
In the prior art, the lowermost conductor protective film of a multilayer substrate is formed by screen-printing a dielectric paste after the completion of the laminated body. In the present invention, however, the conductor protective film is previously formed as a support substrate flattening layer. However, since this can be used as a protective film, the process is simplified, and the positional accuracy is extremely excellent as compared with the screen printing method.

【0021】さらに、保護膜成形体の厚みは、10〜5
0μmであるため、導体保護膜としての信頼性を維持で
きるとともに、膜形成時の乾燥にそれほど時間を要する
ことなく形成できる。
Further, the thickness of the protective film molded product is 10 to 5
Since the thickness is 0 μm, the reliability as a conductor protective film can be maintained, and the film can be formed without requiring much time for drying during film formation.

【0022】本発明の製法によれば、保護膜成形体近傍
の積層成形体では、絶縁層成形体の厚みバラツキが小さ
いため、機能素子成形体を内蔵しても設計通りの特性が
得られる。
According to the manufacturing method of the present invention, in the laminated molded body in the vicinity of the protective film molded body, since the thickness variation of the insulating layer molded body is small, the characteristics as designed can be obtained even if the functional element molded body is incorporated.

【0023】また、保護膜成形体を露光、現像して貫通
孔を形成する工程と、該貫通孔内に導電性ペーストを充
填して外部接続導体を形成する工程とを具備することが
望ましい。このような製法によれば、作製された多層基
板に誘電体ペーストを塗布して保護膜を形成することな
く、多層基板の形成と同時に外部部品と接続可能な外部
接続電極を有する保護膜を形成できる。
Preferably, the method further includes a step of forming a through-hole by exposing and developing the protective film molded body, and a step of filling the through-hole with a conductive paste to form an external connection conductor. According to such a manufacturing method, a protective film having an external connection electrode that can be connected to an external component is formed simultaneously with the formation of the multilayer substrate without forming a protective film by applying a dielectric paste to the manufactured multilayer substrate. it can.

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】本発明の製法により得られた多層
基板を、図1の断面図で説明する。尚、この例では、内
部配線導体として金系、銀系、銅系導体を使用した低温
焼成の多層基板で説明する。多層基板は、最下層導体保
護膜1、最下層導体3、最下層導体3と外部部品との外
部接続電極5、絶縁層7a〜7f、内部配線9、ビアホ
ール導体11とからなり、その上面には表面配線13、
厚膜抵抗体膜15、各種電子部品17が形成されてい
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A multilayer substrate obtained by the method of the present invention will be described with reference to the cross-sectional view of FIG. In this example, a multilayer substrate that is fired at a low temperature and uses gold, silver, and copper conductors as internal wiring conductors will be described. The multilayer substrate includes a lowermost conductor protection film 1, a lowermost conductor 3, an external connection electrode 5 between the lowermost conductor 3 and an external component, insulating layers 7a to 7f, an internal wiring 9, and a via hole conductor 11. Is the surface wiring 13,
A thick resistor film 15 and various electronic components 17 are formed.

【0025】即ち、最下層導体保護膜1と絶縁層7fと
の間に最下層導体3が形成され、最下層導体保護膜1に
は、外部部品と接続する為の外部接続電極5が形成され
ている。
That is, the lowermost conductor 3 is formed between the lowermost conductor protection film 1 and the insulating layer 7f, and the external connection electrode 5 for connecting to an external component is formed on the lowermost conductor protection film 1. ing.

【0026】絶縁層7a〜7fの厚みは40〜150μ
mとされ、このような複数の絶縁層7a〜7f間には、
内部配線9が形成されている。内部配線9は、金系、銀
系、銅系の金属材料、例えば銀系導体からなっている。
また、異なる絶縁層7a〜7f間の内部配線9は、絶縁
層7a〜7fの厚みを貫くビアホール導体11によって
接続されている。このビアホール導体11も内部配線9
と同様に金系、銀系、銅系の金属材料、例えば銀系導体
からなっている。
The thickness of the insulating layers 7a to 7f is 40 to 150 μm.
m, and between such a plurality of insulating layers 7a to 7f,
Internal wiring 9 is formed. The internal wiring 9 is made of a gold-based, silver-based, or copper-based metal material, for example, a silver-based conductor.
Further, the internal wirings 9 between the different insulating layers 7a to 7f are connected by via-hole conductors 11 penetrating through the thicknesses of the insulating layers 7a to 7f. This via-hole conductor 11 is also used for the internal wiring 9.
Similarly, it is made of a gold-based, silver-based, or copper-based metal material, for example, a silver-based conductor.

【0027】多層基板の表面には、絶縁層7aのビアホ
ール導体11と接続する表面配線13が形成されてお
り、この表面配線13上には、必要に応じて、厚膜抵抗
体膜15や図示していないが厚膜保護膜が形成された
り、メッキ処理されたり、またICを含む各種電子部品
17が半田やボンディング細線により接合されている。
On the surface of the multi-layer substrate, a surface wiring 13 connected to the via-hole conductor 11 of the insulating layer 7a is formed. Although not shown, a thick protective film is formed, plated, and various electronic components 17 including an IC are joined by soldering or bonding thin wires.

【0028】そして、この多層基板には、保護膜1上の
絶縁層7fを挟持するように一対の内部電極21が形成
されており、多層基板内にコンデンサからなる機能素子
23が形成されている。機能素子23としては、コンデ
ンサのみならず、積層型コイル、共振子(ストリップラ
イン)、抵抗体であっても良いが、本発明により、保護
膜1上の1層目の絶縁層7f及び/または2層目の絶縁
層7eに機能素子を設けることができる。このような機
能素子は、厚みバラツキにより特性が大きく変化するも
のである。
A pair of internal electrodes 21 is formed on the multilayer substrate so as to sandwich the insulating layer 7f on the protective film 1, and a functional element 23 composed of a capacitor is formed in the multilayer substrate. . The functional element 23 may be not only a capacitor but also a laminated coil, a resonator (strip line), or a resistor. According to the present invention, the first insulating layer 7f on the protective film 1 and / or A functional element can be provided in the second insulating layer 7e. The characteristics of such a functional element greatly change due to thickness variations.

【0029】本発明の多層基板の製法を、図2に基いて
説明する。先ず、保護膜1及び絶縁層7a〜7fとなる
スリップ材を作製する。スリップ材は、無機材料とし
て、ガラスセラミックスまたはセラミック原料粉末、光
硬化性樹脂(光硬化可能なモノマー)、例えばポリオキ
シエチル化トリメチロールプロパントリアクリレート
と、有機バインダ、例えばアルキルメタクリレートと、
可塑剤とを、有機溶剤、例えばエチルカルビトールアセ
テートに混合し、ボールミルで混練して作製される。
尚、保護膜1及び絶縁層7a〜7fとは同一材料で形成
する必要はなく、異なる材料で形成しても良い。
The method for manufacturing the multilayer substrate of the present invention will be described with reference to FIG. First, a slip material to be the protective film 1 and the insulating layers 7a to 7f is manufactured. The slip material includes, as an inorganic material, glass ceramic or ceramic raw material powder, a photocurable resin (photocurable monomer) such as polyoxyethylated trimethylolpropane triacrylate, and an organic binder such as alkyl methacrylate.
It is produced by mixing a plasticizer with an organic solvent, for example, ethyl carbitol acetate, and kneading with a ball mill.
The protective film 1 and the insulating layers 7a to 7f need not be formed of the same material, but may be formed of different materials.

【0030】セラミック原料粉末としては、例えば、金
属元素として少なくともMg、Ti、Caを含有する複
合酸化物であって、その金属元素酸化物による組成式を
(1−x)MgTiO3−xCaTiO3(但し、式中x
は重量比を表し、0.01≦x≦0.15)で表される
主成分100重量部に対して、硼素含有化合物をB23
換算で3〜30重量部、アルカリ金属含有化合物をアル
カリ金属炭酸塩換算で1〜25重量部添加含有してなる
ものが用いられる。
[0030] As the ceramic raw material powder, for example, at least Mg, Ti, a composite oxide containing Ca, a composition formula by a metal element oxide (1-x) MgTiO 3 -xCaTiO 3 as the metal element ( Where x
Represents a weight ratio, and a boron-containing compound is added to B 2 O 3 with respect to 100 parts by weight of a main component represented by 0.01 ≦ x ≦ 0.15).
A compound containing 3 to 30 parts by weight in terms of conversion and 1 to 25 parts by weight of an alkali metal-containing compound in terms of alkali metal carbonate is used.

【0031】尚、上述の実施例では溶剤系スリップ材を
作製しているが、親水性の官能基を付加した光硬化可能
なモノマー、例えば多官能基メタクリレートモノマー、
有機バインダ、例えばカルボキシル変性アルキルメタク
リレートを用いて、イオン交換水で混練した水系スリッ
プ材であっても良い。
In the above embodiment, a solvent-based slip material is prepared. However, a photocurable monomer having a hydrophilic functional group added thereto, for example, a polyfunctional methacrylate monomer,
An aqueous slip material kneaded with ion-exchanged water using an organic binder, for example, a carboxyl-modified alkyl methacrylate, may be used.

【0032】ガラスセラミック原料粉末としては、例え
ば、ガラス材料であるSiO2、Al23、ZnO、M
gO、B23を主成分とする結晶化ガラス粉末70重量
%とセラミック材料であるアルミナ粉末30重量%とか
らなるものも用いられる。ガラスセラミック原料粉末
は、特に限定されるものではない。
Examples of the glass ceramic raw material powder include glass materials such as SiO 2 , Al 2 O 3 , ZnO, M
A powder composed of 70% by weight of crystallized glass powder containing gO and B 2 O 3 as main components and 30% by weight of alumina powder as a ceramic material is also used. The glass ceramic raw material powder is not particularly limited.

【0033】また、外部接続電極5、ビアホール導体1
1、内部配線9および表面電極13となる導電性ペース
トを作製する。導電性ペーストは、低融点で且つ低抵抗
の金属材料である例えば銀粉末と、硼珪酸系低融点ガラ
ス、例えばB23−SiO2−BaOガラス、CaO−
23−SiO2ガラス、CaO−Al23−B23
SiO2ガラスと、有機バインダ、例えばエチルセルロ
ースとを、有機溶剤、例えば2,2,4−トリメチル−
1,3−ペンタジオールモノイソブチレートに混合し、
3本ローラーにより均質混練して作製される。
The external connection electrode 5 and the via-hole conductor 1
1. A conductive paste to be the internal wiring 9 and the surface electrode 13 is prepared. Conductive paste, silver powder such as metallic material and low resistance at a low melting point, borosilicate-based low-melting-point glass, for example, B 2 O 3 -SiO 2 -BaO glass, CaO-
B 2 O 3 -SiO 2 glass, CaO-Al 2 O 3 -B 2 O 3 -
An SiO 2 glass and an organic binder, for example, ethyl cellulose, are mixed with an organic solvent, for example, 2,2,4-trimethyl-
Mixed with 1,3-pentadiol monoisobutyrate,
It is manufactured by homogenous kneading with three rollers.

【0034】本発明の多層基板の製法は、まず、図2
(a)に示すように、離型用フィルムが貼り付けられた
支持基板31上に、スリップ材を薄層化(以下、単に塗
布という)・乾燥する工程を1回以上繰り返して、厚み
が10〜50μmの保護膜成形体33を形成する。スリ
ップ材を塗布・乾燥する工程は2回以上繰り返すことが
望ましい。図2(a)では、1回10μmの膜成形を3
回繰り返して30μmの保護膜成形体33を形成した。
The method for manufacturing the multilayer substrate of the present invention is as follows.
As shown in (a), the step of thinning (hereinafter simply referred to as “application”) and drying the slip material on the support substrate 31 to which the release film is adhered is repeated one or more times so that the thickness becomes 10%. A protective film molded body 33 having a thickness of about 50 μm is formed. The step of applying and drying the slip material is desirably repeated at least twice. In FIG. 2A, a 10 μm film is formed by 3
The process was repeated twice to form a protective film molded body 33 of 30 μm.

【0035】また、保護膜成形体33の厚みは10〜5
0μmとされている。保護膜成形体33の厚みが10μ
mを下回ると、一部に薄い部分が形成され、導体保護膜
としての絶縁信頼性を維持するのが困難となり、50μ
mを超える場合には、膜形成時の乾燥に時間を要する等
の問題があるためである。保護膜成形体33の厚みは、
導体保護膜としての信頼性を維持するという点から2回
以上塗布、乾燥することが望ましく、その厚みは20〜
30μmが望ましい。
The thickness of the protective film molded body 33 is 10 to 5
0 μm. The thickness of the protective film molded body 33 is 10 μm
If it is less than m, a thin portion is formed in a part, and it becomes difficult to maintain insulation reliability as a conductor protective film.
If it exceeds m, there is a problem that time is required for drying at the time of film formation. The thickness of the protective film molded body 33 is
From the viewpoint of maintaining the reliability as a conductor protective film, it is desirable to apply and dry the coating twice or more, and the thickness is 20 to
30 μm is desirable.

【0036】塗布方法としては、ドクターブレード法や
ロールコート法、塗布面積を概略支持基板と同一面積と
するスクリーンを用いた印刷法などによって形成され
る。乾燥方法としては、バッチ式乾燥炉、インライン式
乾燥炉を用いて行われ、乾燥条件は120℃以下、さら
に好ましくは80〜100℃が望ましい。これは温度が
高くなると形成した膜表面のみが急激に乾燥して膜全体
が均一に乾燥しにくくなったり、スリップ材に含まれる
モノマーが熱により硬化したりする為である。また、急
激な乾燥は表面にクラックを発生する可能性がある為、
急加熱は避けることが重要となる。
The coating is performed by a doctor blade method, a roll coating method, a printing method using a screen having a coating area approximately equal to the area of the supporting substrate, or the like. The drying method is performed using a batch-type drying furnace or an inline-type drying furnace, and the drying condition is preferably 120 ° C or lower, more preferably 80 to 100 ° C. This is because when the temperature is increased, only the surface of the formed film is rapidly dried to make it difficult to uniformly dry the entire film, or the monomer contained in the slip material is hardened by heat. Also, rapid drying may cause cracks on the surface,
It is important to avoid sudden heating.

【0037】ここで、支持基板31としては、ガラス基
板、有機フィルムなどが例示できる。この支持基板31
は、焼成工程前で取り外される。
Here, examples of the support substrate 31 include a glass substrate and an organic film. This support substrate 31
Is removed before the firing step.

【0038】次に、支持基板31上に形成した保護膜成
形体33に、外部部品との接続を行うための外部接続電
極5を形成するための貫通孔を形成する。尚、実際には
貫通孔の下部は、支持基板31などによって閉塞されて
いるが、便宜上貫通孔という。貫通孔の形成は、露光・
現像処理により行う。
Next, a through-hole for forming an external connection electrode 5 for connecting to an external component is formed in the protective film molded body 33 formed on the support substrate 31. Although the lower part of the through hole is actually closed by the support substrate 31 or the like, it is called a through hole for convenience. The formation of through-holes
This is performed by a development process.

【0039】露光処理は、例えば、図2(b)に示すよ
うに、フォトマスク35を保護膜成形体33上に近接ま
たは載置して、貫通孔以外の領域に、低圧、高圧、超高
圧の水銀灯系の露光光を照射する。これにより、貫通孔
以外の領域では、光硬化可能なモノマーが光重合反応を
起こす。従って、貫通孔部分のみが現像処理によって除
去可能な溶化部Yとなる。尚、実際には、フォトターゲ
ット35を保護膜成形体33に接触させて露光した方が
露光精度は向上する。また、最適露光時間は保護膜成形
体33の厚み、貫通孔の直径などで決まる。尚、露光装
置は所謂写真製版技術に用いられる一般的なものでよ
い。
In the exposure process, for example, as shown in FIG. 2B, a photomask 35 is placed close to or placed on the protective film molded body 33, and a low pressure, a high pressure, an ultra high pressure Irradiation exposure light of a mercury lamp system. As a result, the photocurable monomer causes a photopolymerization reaction in a region other than the through hole. Therefore, only the through-hole portion becomes the melted portion Y that can be removed by the development process. Actually, the exposure accuracy is improved when the photo target 35 is brought into contact with the protective film molded body 33 and exposed. The optimum exposure time is determined by the thickness of the protective film molded body 33, the diameter of the through hole, and the like. Incidentally, the exposure apparatus may be a general one used in so-called photoengraving technology.

【0040】現像処理は、炭酸ナトリウムや有機系アミ
ン等の弱アルカリ水溶液を例えばスプレー現像法やパド
ル現像法によって、貫通孔となる露光溶化部Yに接触さ
せ、現像を行う。その後必要に応じて洗浄及び乾燥を行
うことにより、図2(c)に示すように、貫通孔37が
形成される。
In the developing treatment, a weak alkaline aqueous solution such as sodium carbonate or an organic amine is brought into contact with the exposed and solubilized portion Y serving as a through hole by, for example, a spray developing method or a paddle developing method to perform development. Thereafter, by performing washing and drying as necessary, a through hole 37 is formed as shown in FIG.

【0041】次に、図2(d)に示すように、外部部品
との外部接続電極となる外部接続導体38を導電性ペー
ストの充填・乾燥によって形成する。尚、外部接続電極
を形成しなくても良い。この場合には、スラリーを1回
以上塗布乾燥して保護膜成形体33を作製するが、塗布
乾燥毎に露光硬化しても良い。
Next, as shown in FIG. 2D, an external connection conductor 38 serving as an external connection electrode with an external component is formed by filling and drying a conductive paste. Note that the external connection electrodes need not be formed. In this case, the slurry is applied and dried one or more times to form the protective film molded body 33, but may be exposed and cured each time the application is dried.

【0042】その後、図2(e)に示すように、最下層
導体3に相当する配線パターン39を印刷・乾燥により
形成する。尚、導電性ペーストの充填及び配線パターン
の印刷は、例えばスクリーン印刷方法により行う。
Thereafter, as shown in FIG. 2E, a wiring pattern 39 corresponding to the lowermost conductor 3 is formed by printing and drying. The filling of the conductive paste and the printing of the wiring pattern are performed by, for example, a screen printing method.

【0043】次に、図2(f)に示すように、多層基板
の第1層目に相当する絶縁層成形体71fを形成する。
これは、保護膜成形体33を形成したのと同様の方法
で、スリップ材料を薄層化・乾燥して形成する。次に、
図2(g)(h)に示すように、絶縁層成形体71f
に、ビアホール導体を形成するための貫通孔41を形成
する。この形成は保護膜成形体33に貫通孔37を形成
した方法と同様の露光・現像処理により行う。次に、ビ
アホール導体となる導体部材43を、図2(i)に示す
ように、導電性ペーストの充填・乾燥により形成し、更
に、図2(j)に示すように、内部配線パターン45の
形成を行う。
Next, as shown in FIG. 2F, an insulating layer molded body 71f corresponding to the first layer of the multilayer substrate is formed.
This is formed by thinning and drying the slip material in the same manner as when the protective film molded body 33 was formed. next,
As shown in FIGS. 2G and 2H, the insulating layer molded body 71f
Then, a through hole 41 for forming a via hole conductor is formed. This formation is performed by the same exposure and development processing as in the method of forming the through holes 37 in the protective film molded body 33. Next, as shown in FIG. 2I, a conductor member 43 serving as a via-hole conductor is formed by filling and drying a conductive paste, and further, as shown in FIG. Perform formation.

【0044】この第1層目に相当する絶縁層成形体71
fを形成する工程を所望の回数繰り返すことにより保護
膜成形体33が形成された未焼成状態の多層基板が完成
する。その後、支持基板31を除去し、必要に応じてプ
レス等を行ない形状を整えたり、分割用のスリットを形
成する。
The insulating layer molded body 71 corresponding to the first layer
By repeating the step of forming f a desired number of times, the unfired multilayer substrate having the protective film molded body 33 formed thereon is completed. After that, the support substrate 31 is removed, and the shape is adjusted by pressing or the like as needed, or a slit for division is formed.

【0045】最後に焼成を行なう。焼成工程は脱バイン
ダ過程と焼成過程からなり、脱バインダ過程(〜600
℃)で絶縁層成形体、保護膜成形体、外部接続導体、内
部配線パターン及びビアホール導体の導体部材の有機成
分を消失し、その後、所定雰囲気、所定温度で絶縁層成
形体、保護膜成形体及び内部配線パターン、ビアホール
導体、外部接続導体を一括的に焼成する。
Finally, firing is performed. The firing step includes a binder removal step and a firing step.
° C), the organic components of the insulating layer molded product, the protective film molded product, the external connection conductor, the internal wiring pattern, and the conductor component of the via-hole conductor are eliminated. Then, the internal wiring patterns, via hole conductors, and external connection conductors are fired all together.

【0046】[0046]

【実施例】(材料)まず、保護膜1及び絶縁層7a〜7
fとなるスリップ材を作製する。溶剤系スリップ材は、
ガラス材料であるSiO2、Al23、ZnO、Mg
O、B23を主成分とする結晶化ガラス粉末70重量%
とセラミック材料であるアルミナ粉末30重量%とから
なるガラス−セラミック粉末と、光硬化可能なモノマー
としてポリオキシエチル化トリメチロールプロパントリ
アクリレートと、有機バインダとしてアルキルメタクリ
レートと、可塑剤とを、有機溶剤としてのエチルカルビ
トールアセテートに混合し、ボールミルで約48時間混
練して作製した。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS (Materials) First, a protective film 1 and insulating layers 7a to 7
A slip material serving as f is produced. Solvent slip material
Glass materials SiO 2 , Al 2 O 3 , ZnO, Mg
70% by weight of crystallized glass powder containing O and B 2 O 3 as main components
A glass-ceramic powder composed of a glass material and 30% by weight of an alumina powder as a ceramic material; a polyoxyethylated trimethylolpropane triacrylate as a photocurable monomer; an alkyl methacrylate as an organic binder; And mixed with ethyl carbitol acetate as above, and kneaded with a ball mill for about 48 hours.

【0047】また、最下層導体3、最下層導体3と外部
部品との外部接続電極5、内部配線9、ビアホール導体
11となる導電性ペーストを作製する。導電性ペースト
は、低融点で且つ低抵抗の金属材料である銀粉末と、B
23−SiO2−BaOガラスと、有機バインダとして
エチルセルロースとを、有機溶剤として2,2,4−ト
リメチル−1,3−ペンタジオールモノイソブチレート
に混合し、3本ロールミルで均質に混練して作製した。
(工程)上述のスリップ材を、離型用フィルムが貼り付
けられた支持基板31の前記離型用フィルム上に、塗布
・乾燥を行い、最下層導体の保護膜1となる保護膜成形
体33を形成した。具体的には、図2(a)に示すよう
に、まず、支持基板31上に、上述のスリップ材をドク
ターブレード法によって塗布・乾燥する工程を、表1に
示す回数だけ行って、表1に示す厚みの保護膜成形体3
3を形成した。ここで、支持基板31としては、ガラス
板に離型性のPETフィルムを貼り付けたものを用い、
焼成工程前に取り外した。塗布後の乾燥条件は、80℃
で10分乾燥とした。
Also, a conductive paste to be the lower layer conductor 3, the external connection electrode 5 between the lower layer conductor 3 and an external component, the internal wiring 9, and the via hole conductor 11 is prepared. The conductive paste is composed of silver powder, which is a metal material having a low melting point and low resistance, and B powder.
2 O 3 —SiO 2 —BaO glass, ethyl cellulose as an organic binder, and 2,2,4-trimethyl-1,3-pentadiol monoisobutyrate as an organic solvent are mixed and uniformly kneaded with a three-roll mill. It was produced.
(Step) The above-mentioned slip material is applied and dried on the release film of the support substrate 31 to which the release film is attached, and a protective film molded body 33 to be the protective film 1 of the lowermost conductor is formed. Was formed. Specifically, as shown in FIG. 2A, first, the step of applying and drying the above-mentioned slip material on the supporting substrate 31 by the doctor blade method is performed by the number of times shown in Table 1, and the results are shown in Table 1. Protective film molded body 3 having the thickness shown in FIG.
3 was formed. Here, as the support substrate 31, a substrate obtained by attaching a releasable PET film to a glass plate is used.
Removed before firing step. Drying condition after application is 80 ° C
For 10 minutes.

【0048】次に保護膜成形体33に貫通孔37の形成
を行った。貫通孔37の形成は、露光処理、現像処理、
洗浄・乾燥処理により行った。具体的には、露光処理
は、図2(b)に示すように、保護膜成形体33上に、
貫通孔37が形成される領域が遮光されるようなフォト
マスク35を載置して、超高圧水銀灯(10mW/cm
2)を光源として用いて露光を行なった。尚、30μm
程度の保護膜成形体33は、超高圧水銀灯(10mW/
cm2 )を3〜5秒程度照射すれば露光を行うことが
できる。
Next, a through hole 37 is formed in the protective film molded body 33.
Was done. The formation of the through hole 37 is performed by an exposure process, a development process,
The cleaning and drying were performed. Specifically, exposure processing
Is formed on the protective film molded body 33 as shown in FIG.
A photo in which the area where the through hole 37 is formed is shielded from light
The mask 35 is placed and an ultra-high pressure mercury lamp (10 mW / cm
Two) Was used as a light source for exposure. In addition, 30 μm
The protective film molded body 33 of the order is an ultra-high pressure mercury lamp (10 mW /
cm2) for about 3 to 5 seconds to perform exposure.
it can.

【0049】現像処理は、保護膜成形体33の溶化部Y
を、トリエタノールアミン水溶液を現像液として用いて
スプレー現像を行い、図2(c)に示すように、保護膜
成形体33に貫通孔37を形成した。その後、保護膜成
形体33を現像により生じる不要なカスなどを洗浄、乾
燥工程により完全に除去した。
The developing process is performed in the molten portion Y of the protective film molded body 33.
Was spray-developed using a triethanolamine aqueous solution as a developing solution, and a through-hole 37 was formed in the protective film molded body 33 as shown in FIG. Thereafter, unnecessary debris and the like generated by development of the protective film molded body 33 were completely removed by washing and drying processes.

【0050】次に、図2(d)に示すように、上述の工
程で形成した貫通孔37内に上述の導電性ペーストを充
填し、乾燥した。貫通孔37に相当する部位のみに印刷
可能なスクリーンを用いた印刷によって、外部部品との
外部接続導体38を形成し、その後、80℃で15分乾
燥した。
Next, as shown in FIG. 2D, the above-mentioned conductive paste was filled in the through holes 37 formed in the above-mentioned steps, and dried. The external connection conductor 38 with the external component was formed by printing using a screen capable of printing only at the portion corresponding to the through hole 37, and then dried at 80 ° C. for 15 minutes.

【0051】次に、図2(e)に示すように、最下層導
体3となる最下層導体パターン39の形成を行った。こ
れはスクリーン印刷により形成し、これを80℃で30
分で乾燥して行った。
Next, as shown in FIG. 2E, a lowermost conductor pattern 39 to be the lowermost conductor 3 was formed. It is formed by screen printing, and this is
Dried in minutes.

【0052】次に最下層導体パターン39を含む保護膜
成形体33上に、図2(f)に示すように、上述のスリ
ップ材をドクターブレード法によって塗布・乾燥して、
図1における最下層の絶縁層7fを構成する絶縁層成形
体71fを形成した。塗布後の乾燥条件は、80℃で3
0分乾燥であり、薄層化・乾燥された絶縁層成形体71
fの平均厚みは、100μmであった。この絶縁層成形
体71fの厚みバラツキを、接触式膜厚測定器を用いて
測定し、表1に記載した。
Next, as shown in FIG. 2 (f), the above-mentioned slip material is applied and dried on the protective film molded body 33 including the lowermost conductive pattern 39 by a doctor blade method.
An insulating layer molded body 71f constituting the lowermost insulating layer 7f in FIG. 1 was formed. Drying condition after application is 80 ℃ 3
The insulating layer molded body 71 that has been dried for 0 minutes, and has been thinned and dried.
The average thickness of f was 100 μm. The thickness variation of the insulating layer molded body 71f was measured using a contact type film thickness measuring instrument, and is shown in Table 1.

【0053】次に、絶縁層成形体71fに貫通孔41の
形成を行った。貫通孔41の形成は、貫通孔37と同様
の露光処理、現像処理、洗浄・乾燥処理により行った。
尚、100μm程度の絶縁層成形体71fは、超高圧水
銀灯(10mW/cm2)を5〜10秒程度照射すれば
露光を行うことができる。絶縁層成形体71fの溶化部
Yを、トリエタノールアミン水溶液を現像液として用い
てスプレー現像を行い除去し、図2(h)に示すよう
に、絶縁層成形体71fに直径80〜150μmの貫通
孔41を形成した。その後、絶縁層成形体71fを現像
により生じる不要なカスなどを洗浄、乾燥工程により完
全に除去し、貫通孔41を形成した。
Next, through holes 41 were formed in the insulating layer molded body 71f. The formation of the through-hole 41 was performed by the same exposure processing, development processing, washing and drying processing as the through-hole 37.
Note that the insulating layer molded body 71f of about 100 μm can be exposed by irradiating it with an ultra-high pressure mercury lamp (10 mW / cm 2 ) for about 5 to 10 seconds. The solubilized portion Y of the insulating layer molded body 71f is removed by spray development using an aqueous solution of triethanolamine as a developing solution, and as shown in FIG. A hole 41 was formed. After that, unnecessary scum and the like generated by development of the insulating layer molded body 71f were completely removed by a washing and drying process to form a through hole 41.

【0054】次に、貫通孔41へ導体ペーストの充填・
乾燥して、図2(h)に示すように、導体部材43を形
成した。具体的には、上述の工程で形成した貫通孔41
内に上述の導電性ペーストを充填し、乾燥し、貫通孔4
1に相当する部位のみに印刷可能なスクリーンを用いた
印刷によって充填し、その後、80℃で15分乾燥し
た。
Next, filling of the through-hole 41 with the conductive paste
After drying, the conductor member 43 was formed as shown in FIG. Specifically, the through hole 41 formed in the above-described process is used.
Is filled with the conductive paste described above, dried, and
Only the portion corresponding to No. 1 was filled by printing using a printable screen, and then dried at 80 ° C. for 15 minutes.

【0055】次に最下層導体と同様の方法でスクリーン
印刷を行い、80℃で30分で乾燥して、図2(j)に
示すように、内部配線パターン45の形成を行い、導体
部材43及び内部配線パターン45を含む絶縁層成形体
71fを形成した。図2(f)〜(j) の工程を必要
回数繰り返して積層成形体を作製した。
Next, screen printing is performed in the same manner as for the lowermost layer conductor, dried at 80 ° C. for 30 minutes, and an internal wiring pattern 45 is formed as shown in FIG. Then, an insulating layer molded body 71f including the internal wiring pattern 45 was formed. The steps of FIGS. 2F to 2J were repeated the required number of times to produce a laminated molded body.

【0056】最後に、表面配線13となる導体膜を印刷
・乾燥により形成する。これは各絶縁層成形体71a〜
71f、内部配線9となる内部配線パターン、ビアホー
ル導体11となる導体部材43の一括焼成時に表面配線
13となる導体膜をも一括的に焼成しようとするもので
ある。
Finally, a conductive film to be the surface wiring 13 is formed by printing and drying. This is because each of the insulating layer molded bodies 71a-
71f, the internal wiring pattern to be the internal wiring 9 and the conductor film to be the surface wiring 13 when the conductive member 43 to be the via hole conductor 11 are to be fired at once.

【0057】次に、必要に応じて、積層成形体をプレス
で形状を整え、離型用フィルムが貼り付けられた支持基
板31を取り外した。次に、600℃で脱バインダー処
理し、ピーク温度900℃30分で焼成した。これによ
り6層の絶縁層7a〜7f間に内部配線9、ビアホール
導体11が形成され、さらに表面配線13が形成され
た、図1に示すような多層基板が得られた。
Next, if necessary, the shape of the laminated molded product was adjusted by pressing, and the support substrate 31 to which the release film was attached was removed. Next, binder removal treatment was performed at 600 ° C., and firing was performed at a peak temperature of 900 ° C. for 30 minutes. As a result, a multilayer substrate as shown in FIG. 1 was obtained in which the internal wiring 9 and the via-hole conductor 11 were formed between the six insulating layers 7a to 7f and the surface wiring 13 was further formed.

【0058】比較例として、保護膜成形体を形成するこ
となく、支持基板に直接絶縁層成形体を形成した多層基
板を作製し、これについても第1層目の絶縁層成形体の
厚みバラツキを測定し、表1に記載した。
As a comparative example, a multilayer substrate in which an insulating layer molded body was directly formed on a supporting substrate without forming a protective film molded body was manufactured, and the thickness variation of the first-layer insulating layer molded body was also measured. It was measured and described in Table 1.

【0059】[0059]

【表1】 [Table 1]

【0060】この表1から、本発明の製法によれば、第
1層目の絶縁層成形体71fの厚みバラツキが7.5μ
m以下であったものの、比較例では、厚みバラツキが1
5μmであり、大きいことが判る。また、保護膜成形体
を形成する塗布、乾燥工程を増やす程、厚みバラツキが
小さくなることが判る。
According to Table 1, according to the manufacturing method of the present invention, the thickness variation of the first insulating layer molded body 71f is 7.5 μm.
m, but in the comparative example, the thickness variation was 1
It is 5 μm, which is large. Further, it can be seen that the more the number of coating and drying steps for forming the protective film molded body, the smaller the thickness variation.

【0061】[0061]

【発明の効果】本発明によれば、多層基板の下層の絶縁
層における厚みバラツキを小さくすることができ、例え
ば、コンデンサを内蔵する場合における容量バラツキを
小さくできるといった特性向上が可能となる。したがっ
て、素子を基板内に内蔵する場合における素子特性の高
精度化が可能となり、高周波回路の特性向上に有用であ
り、高周波モジュールの小型化・高性能化が可能とな
る。
According to the present invention, it is possible to reduce the thickness variation in the lower insulating layer of the multilayer substrate, and to improve the characteristics, for example, the capacity variation when a capacitor is built in. Therefore, when the element is built in the substrate, the element characteristics can be improved in accuracy, which is useful for improving the characteristics of the high-frequency circuit, and the high-frequency module can be reduced in size and improved in performance.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の製法により得られた多層基板の断面図
である。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a multilayer substrate obtained by a manufacturing method of the present invention.

【図2】本発明の多層基板の製法を説明する工程図であ
る。
FIG. 2 is a process chart illustrating a method for producing a multilayer substrate of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

31・・・支持基板 33・・・保護膜成形体 71a〜71f・・・絶縁層成形体 37・・・貫通孔 38・・・外部接続導体 DESCRIPTION OF SYMBOLS 31 ... Support substrate 33 ... Protective film molded body 71a-71f ... Insulating layer molded body 37 ... Through-hole 38 ... External connection conductor

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】支持基板上に、光硬化性樹脂および無機材
料を含有するスリップ材を塗布し、乾燥する工程を1回
以上繰り返して厚みが10〜50μmの保護膜成形体を
作製する工程と、該保護膜成形体の表面に、光硬化性樹
脂および無機材料を含有する絶縁層成形体を複数積層し
てなる積層成形体を形成する工程と、前記支持基板を除
去する工程と、前記保護膜成形体が形成された積層成形
体を焼成する工程とを具備することを特徴とする多層基
板の製法。
A step of applying a slip material containing a photocurable resin and an inorganic material on a supporting substrate and repeating a step of drying at least once to produce a protective film molded body having a thickness of 10 to 50 μm; Forming a laminated molded body formed by laminating a plurality of insulating layer molded bodies containing a photocurable resin and an inorganic material on the surface of the protective film molded body; removing the support substrate; Baking the laminated molded body on which the film molded body has been formed.
【請求項2】保護膜成形体近傍の積層成形体に機能素子
成形体が内蔵されていることを特徴とする請求項1記載
の多層基板の製法。
2. The method according to claim 1, wherein the functional element molded body is incorporated in the laminated molded body near the protective film molded body.
【請求項3】保護膜成形体を露光、現像して貫通孔を形
成する工程と、該貫通孔内に導電性ペーストを充填して
外部接続導体を形成する工程とを具備することを特徴と
する請求項1または2記載の多層基板の製法。
3. A method comprising: exposing and developing a protective film molded body to form a through hole; and filling the through hole with a conductive paste to form an external connection conductor. The method for producing a multilayer substrate according to claim 1.
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