JP2001267383A - 製造ラインおよび半導体デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ＳＥＭ装置などの荷電粒子ビームプロセス装置
において、搬送装置等から発生する電磁波ノイズや振動
等に対して影響を殆ど受けることなく超微細化された半
導体デバイスなどに対して高分解能でプロセスを実行で
きるようにした半導体デバイス等の製造ラインを提供す
ることにある。 【解決手段】本発明は、電磁波ノイズを検知する検知ユ
ニットを備え、試料室内に導入された試料に対して荷電
粒子ビームを照射して所望のプロセスを実行し、その後
前記試料を前記試料室内から導出される荷電粒子ビーム
プロセス装置と、該プロセス装置の近傍を走行し若しく
は該装置の内部に出入りするように走行し、電動モータ
を駆動源として前記複数の試料を収納したカセットを搬
送する搬送装置と、前記プロセス装置における荷電粒子
ビームを照射して所望のプロセスを実行する区間におい
て前記検知ユニットにより検知された電磁波ノイズが所
定のレベル以上のとき、前記搬送装置の駆動源の機能を
停止若しくは抑制するように制御する制御装置とを備え
たことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子デバイスなど
の製造ラインおよび半導体デバイスの製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体に代表される電子デバイスの製造
においては、その製造過程で微小の電磁波ノイズを除去
できないと製造装置の性能を満足に引き出せず、歩留り
の低下だけでなく製造自体が困難になることが多い。こ
うした製造ライン内の装置では当該装置およびその周囲
のライン内装置全体の電磁波ノイズレス化が望まれてい
る。例えば、製造装置の寸法精度評価を行う代表的な半
導体製造補助設備であるＳＥＭ装置では、走査型電子顕
微鏡の方式を採用し、５〜１０ｎｍの分解能でプロセス
評価を実施しているが、年々その性能向上が求められて
いる。これら装置は、いずれも電磁波ノイズの影響に敏
感であって、現状製造プロセスでは、搬送装置がワーク
を搬送し、当該装置の周辺を走行するだけで、搬送装置
に流れる電流によって発生する電磁波ノイズの影響によ
り測定誤差が大きくるため非常に計測が難しいといった
課題があった。

【０００３】このため、従来の方法によれば、電磁波ノ
イズの影響を防止するため、ＳＥＭ装置内の特に電磁場
ノイズの影響を受けやすい部位に遮蔽機能を備える方法
や、電源や信号源から伝播する電気ノイズの影響を防止
するため、電源や信号源の供給回路にフィルタを設ける
方法やアースを分離するなどの方法を施していた。しか
しながら、近年では製造プロセスの超微細化に伴い、上
述対策で除去した電磁波ノイズレベルでも無視すること
ができないものとなっており、ＳＥＭ装置全体を電磁場
遮蔽室の中に設置する方法がとられていた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のように
ＳＥＭ装置全体を電磁場遮蔽室の中に設置すると、この
電磁場遮蔽室が非常に大規模となり、コストが著しく増
加してしまうことになる。

【０００５】また、多数のウエハを収納したカセットか
らなるワークを搬送する搬送装置は、クリーンな環境を
得るために駆動源として電動モータを使用せざるえな
く、電磁波ノイズの発生源となっており、しかも上記ワ
ークを搭載して走行せざるえず、電磁波ノイズを遮蔽す
ることが難しいという課題を持っていた。仮に、搬送装
置自体を部分的に遮蔽するなどして外部への電磁波ノイ
ズ低減対策を施したとしても、コストの割に効果が小さ
く限界にきている。

【０００６】本発明の目的は、上記課題を解決すべく、
ＳＥＭ装置などの荷電粒子ビームプロセス装置におい
て、搬送装置等から発生する電磁波ノイズや振動等に対
して影響を殆ど受けることなく超微細化された半導体デ
バイスなどに対して高分解能でプロセスを実行できるよ
うにした半導体デバイス等の製造ラインを提供すること
にある。また、本発明の他の目的は、 ＳＥＭ装置にお
いて、搬送装置等から発生する電磁波ノイズ等に対して
影響を殆ど受けることなく超微細化された半導体デバイ
スに対して高分解能で測定／検査を実行できるようにし
て、超微細化された半導体デバイスを高歩留まりで製造
することができる半導体デバイスの製造方法を提供する
ことにある。

【０００７】

【課題を解決する手段】上記目的を達成するために、本
発明は、試料室内に導入された試料に対して荷電粒子ビ
ームを照射して所望のプロセスを実行し、その後前記試
料を前記試料室内から導出されるＳＥＭ装置などの荷電
粒子ビームプロセス装置と、該荷電粒子ビームプロセス
装置の近傍を走行若しくは該装置の内部に出入りするよ
うに走行して電動モータを駆動源として前記複数の試料
を収納したカセットを搬送する搬送装置と、前記荷電粒
子ビームプロセス装置における荷電粒子ビームを照射し
て所望のプロセスを実行する区間において前記搬送装置
が前記荷電粒子ビームプロセス装置の近傍若しくは内部
に位置したとき、前記搬送装置の駆動源の機能を停止若
しくは抑制するように、または前記搬送装置の駆動源の
機能を停止若しくは抑制して前記搬送装置の駆動源から
受ける電磁波ノイズが所定レベル以下のとき、前記荷電
粒子ビームプロセス装置における荷電粒子ビームを照射
して所望のプロセスを実行するように、制御する制御装
置とを備えたことを特徴とする半導体デバイス等の製造
ラインである。

【０００８】また、本発明は、試料室内に導入された試
料に対して荷電粒子ビームを照射して所望のプロセスを
実行し、その後前記試料を前記試料室内から導出される
ＳＥＭ装置などの荷電粒子ビームプロセス装置と、該荷
電粒子ビームプロセス装置の近傍を走行若しくは該装置
の内部に出入りするように走行して電動モータを駆動源
として前記複数の試料を収納したカセットを搬送する搬
送装置と、前記荷電粒子ビームプロセス装置における荷
電粒子ビームを照射して所望のプロセスを実行する区間
において前記荷電粒子ビームプロセス装置が前記搬送装
置の駆動源から受ける電磁波ノイズが所定レベル以上の
とき、前記搬送装置の駆動源の機能を停止若しくは抑制
するように、または前記搬送装置の駆動源の機能を停止
若しくは抑制して前記搬送装置の駆動源から受ける電磁
波ノイズが所定レベル以下のとき、前記荷電粒子ビーム
プロセス装置における荷電粒子ビームを照射して所望の
プロセスを実行するように、制御する制御装置とを備え
たことを特徴とする半導体デバイスなどの製造ラインで
ある。

【０００９】また、本発明は、電磁波ノイズを検知する
検知ユニットを備え、試料室内に導入された試料に対し
て荷電粒子ビームを照射して所望のプロセスを実行し、
その後前記試料を前記試料室内から導出されるＳＥＭ装
置などの荷電粒子ビームプロセス装置と、該荷電粒子ビ
ームプロセス装置の近傍を走行し若しくは該装置の内部
に出入りするように走行し、電動モータを駆動源として
前記複数の試料を収納したカセットを搬送する搬送装置
と、前記荷電粒子ビームプロセス装置における荷電粒子
ビームを照射して所望のプロセスを実行する区間におい
て前記検知ユニットにより検知された電磁波ノイズが所
定のレベル以上のとき、前記搬送装置の駆動源の機能を
停止若しくは抑制するように、または前記搬送装置の駆
動源の機能を停止若しくは抑制して前記検知ユニットに
より検知された電磁波ノイズが所定のレベル以下のと
き、前記荷電粒子ビームプロセス装置における荷電粒子
ビームを照射して所望のプロセスを実行するように、制
御する制御装置とを備えたことを特徴とする半導体デバ
イスなどの製造ラインである。また、本発明は、前記製
造ラインにおける荷電粒子ビームプロセス装置は、外部
からの電磁波ノイズを遮蔽するための遮蔽壁を備えるこ
とを特徴とする。

【００１０】また、本発明は、試料室内に導入された試
料に対して荷電粒子ビームを照射して所望のプロセスを
実行し、その後前記試料を前記試料室内から導出される
荷電粒子ビーム鏡筒部と外部からの電磁波ノイズを遮蔽
するために前記荷電粒子ビーム鏡筒部の外側を囲むよう
に設けられた遮蔽壁と該遮蔽壁の所望の部分に開閉シャ
ッタとを備えて構成されるＳＥＭ装置などの荷電粒子ビ
ームプロセス装置と、該荷電粒子ビームプロセス装置に
おける前記遮蔽壁の内部に前記開閉シャッタを通して出
入りするように走行して電動モータを駆動源として前記
複数の試料を収納したカセットを搬送する搬送装置と、
該搬送装置が前記遮蔽壁の内部に位置し、更に前記荷電
粒子ビームプロセス装置における荷電粒子ビームを照射
して所望のプロセスを実行する区間において前記搬送装
置の駆動源の機能を停止若しくは抑制するように制御す
る制御装置とを備えたことを特徴とする製造ラインであ
る。

【００１１】また、本発明は、前記製造ラインにおける
荷電粒子ビームプロセス装置は、試料室内に導入された
試料に対して荷電粒子ビームを照射して所望のプロセス
を実行し、その後前記試料を前記試料室内から導出され
る荷電粒子ビーム鏡筒部と外部からの電磁波ノイズを遮
蔽するために前記荷電粒子ビーム鏡筒部の外側を囲むよ
うに設けられた遮蔽壁と該遮蔽壁の所望の部分に開閉シ
ャッタとを備えて構成されることを特徴とする。また、
本発明は、前記製造ラインにおける搬送装置には、更
に、電動モータを駆動源として前記カセットを把持して
動作するロボット機構を備えたことを特徴とする。

【００１２】また、本発明は、試料室内に導入された試
料に対して荷電粒子ビームを照射して所望のプロセスを
実行し、その後前記試料を前記試料室内から導出される
荷電粒子ビームプロセス装置と、該荷電粒子ビームプロ
セス装置の近傍に設置され、電磁波ノイズを発生させる
電磁波ノイズ発生源を有し、試料に対して所望のプロセ
スを実行する製造装置（搬送装置も含む）と、該製造装
置から発生する電磁波ノイズを検知する検知ユニット
と、前記荷電粒子ビームプロセス装置における荷電粒子
ビームを照射して所望のプロセスを実行する区間におい
て、前記検知ユニットにより検知された電磁波ノイズが
所定のレベル以上のとき、前記製造装置の電磁波ノイズ
発生源の機能を停止若しくは抑制するように、または前
記検知ユニットにより検知された電磁波ノイズが所定の
レベル以下のとき、前記荷電粒子ビームプロセス装置に
おける荷電粒子ビームを照射して所望のプロセスを実行
するように、制御する制御装置とを備えたことを特徴と
する製造ラインである。

【００１３】また、本発明は、振動を検知する検知ユニ
ットを備え、試料室内に導入された試料に対して荷電粒
子ビームを照射して所望のプロセスを実行し、その後前
記試料を前記試料室内から導出される荷電粒子ビームプ
ロセス装置と、該荷電粒子ビームプロセス装置の近傍を
走行若しくは該装置の内部に出入りするように走行して
前記複数の試料を収納したカセットを搬送し、振動を発
生する振動発生源を有する搬送装置と、前記荷電粒子ビ
ームプロセス装置における荷電粒子ビームを照射して所
望のプロセスを実行する区間において前記検知ユニット
により検知された振動レベルが所定のレベル以上のと
き、前記搬送装置の振動発生源の機能を停止若しくは抑
制するように、または前記搬送装置の振動発生源の機能
を停止若しくは抑制して前記検知ユニットにより検知さ
れた振動レベルが所定のレベル以下のとき、前記荷電粒
子ビームプロセス装置における荷電粒子ビームを照射し
て所望のプロセスを実行するように、制御する制御装置
とを備えたことを特徴とする製造ラインである。

【００１４】また、本発明は、試料室内に導入された試
料に対して荷電粒子ビームを照射して所望のプロセスを
実行し、その後前記試料を前記試料室内から導出される
荷電粒子ビームプロセス装置と、該荷電粒子ビームプロ
セス装置の近傍に設置され、振動を発生させる振動発生
源を有し、試料に対して所望のプロセスを実行する製造
装置と、該製造装置から発生する振動レベル若しくは伝
播される振動レベルを検知する検知ユニットと、前記荷
電粒子ビームプロセス装置における荷電粒子ビームを照
射して所望のプロセスを実行する区間において、前記検
知ユニットにより検知された振動レベルが所定のレベル
以上のとき、前記製造装置の振動発生源の機能を停止若
しくは抑制するように、または前記検知ユニットにより
検知された振動レベルが所定のレベル以下のとき、前記
荷電粒子ビームプロセス装置における荷電粒子ビームを
照射して所望のプロセスを実行するように、制御する制
御装置とを備えたことを特徴とする製造ラインである。

【００１５】また、本発明は、電動モータの駆動源を駆
動することによって搬送装置を所定の軌道に沿って走行
させて前記搬送装置に搭載された複数の半導体デバイス
（半導体基板）を収納したカセットを搬送する搬送工程
と、該搬送工程によって搬送されてきたカセットから半
導体基板を取り出し、この取り出された半導体デバイス
をＳＥＭ装置の試料室内に導入し、前記搬送装置の駆動
源に対して制御することにより該駆動源から受ける電磁
波ノイズが所定レベル以下のとき前記導入された半導体
デバイスに対してＳＥＭ装置の電子ビーム鏡筒から電子
ビームを照射して電子検出器により半導体デバイスから
高解像度を有する２次電子若しくは反射電子を検出し、
この検出される高解像度を有する２次電子若しくは反射
電子に基いて半導体デバイス（半導体基板）上のパター
ン若しくは欠陥を測定若しくは検査するＳＥＭ測定／検
査工程とを有し、該ＳＥＭ測定／検査工程によって測定
若しくは検査された情報を元に半導体プロセスを制御す
ることを特徴とする半導体デバイスの製造方法である。

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明に係るＳＥＭ外観検査シス
テム並びに半導体デバイスなどの製造ラインおよびその
製造方法の実施の形態について図面を用いて説明する。
半導体デバイスなどの製造ライン５０は、図1に示すよ
うに、イオン注入装置などのドーピング装置やスパッタ
リング装置、ＣＶＤ装置などの薄膜形成装置やレジスト
処理装置や各種露光装置やエッチング装置や洗浄乾燥装
置やＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing：化学
機械研磨）装置等の製造装置群１０と、異物検査装置や
パターン検査装置等の電磁波ノイズにあまり影響を受け
ない光学的外観検査装置群（電磁波ノイズの影響を受け
にくいため上記製造装置群１０の中にインラインで設置
される場合がある。）１１と、電磁波ノイズの影響を受
けやすいため上記製造装置群１０から離されて集中させ
て設置され、回路パターンの超微細化に対して電子レベ
ルまで測長可能とする測長ＳＥＭ装置や異物を含む欠陥
検査およびその解析を可能とするＳＥＭ外観検査装置等
からなるＳＥＭ装置群１３と、該ＳＥＭ装置群１３の近
傍に設置される上記製造装置群と同様な製造装置群１４
と、プロービング装置と呼ばれる動作試験を行うテスタ
装置群１５と、これらの装置群１０および１１、１３、
１４とストッカ１７との間を半導体基板を収納したカセ
ットからなるワークを運ぶためのベイ内搬送装置２０
と、ストッカ１７の間をワークを搬送するベイ間搬送装
置２１とで構成される。なお、ベイ内搬送装置２０とし
て、 電磁波ノイズを発生する発生源（例えば、駆動源
とする電動モータＭがある。）を有し、電磁波が外側ま
で及ばないように遮蔽することが難しい移動体であっ
て、ＳＥＭ装置１３に出入りする搬送装置２０ａがあ
る。特に、集中させて設置された測長ＳＥＭ装置やＳＥ
Ｍ外観検査装置等からなるＳＥＭ装置群１３に亘って、
半導体基板を収納したカセットで構成されるワークを搬
送するベイ内搬送装置２０ａは、通常、後述するように
天井搬送するように構成される。また、ベイ内搬送装置
２０として、 電磁波ノイズを発生する発生源（例え
ば、駆動源とする電動モータＭがある。）を有し、電磁
波が外側まで及ばないように遮蔽することが難しい移動
体であって、ＳＥＭ装置１３の近傍を走行する搬送装置
２０ｂがある。また、ＳＥＭ装置群１３の近傍に設置さ
れる製造装置群１４としては、電磁波ノイズを発生する
発生源２１を有し、電磁波が外側まで及ばないように遮
蔽することが難しいもの１４ａが考えられる。

【００１７】そして、ベイ毎に製造装置１０、１１、１
３、１４、１５は、ネットワークを介して例えば制御装
置１００によって制御され、ベイ内搬送装置２０および
ベイ間搬送装置２１も、ネットワークを介して搬送制御
装置２００によって制御される。これら制御装置１００
および搬送制御装置２００は、統括制御装置を含む製造
管理装置３０によって制御・管理される。なお、３１
は、製造管理装置３０によって制御・管理するデータベ
ースやプログラムを格納した記憶装置である。

【００１８】次に、本発明に係る電磁波ノイズの影響を
受けやすい測長ＳＥＭ装置やＳＥＭ外観検査装置等から
なるＳＥＭ装置１３および該ＳＥＭ装置１３とストッカ
１７との間をＳＥＭ装置１３内に出入りして例えば天井
走行して搬送するベイ内搬送装置２０ａの実施例につい
て説明する。当然、ＳＥＭ装置１３の近傍を走行するベ
イ内搬送装置２０ｂについてもＳＥＭ装置１３内に出入
りすることを除けば同様となる。なお、ＳＥＭ装置１３
として、電磁波ノイズの影響を受けるイオンビームなど
の荷電粒子ビームを照射して加工や２次粒子を検出して
観察するなどのプロセスを実行する荷電粒子ビームプロ
セス装置であっても良い。

【００１９】図２には、製造ライン５０内のなかでも特
に電磁波ノイズの影響を受けやすい製造装置の１つであ
るＳＥＭ装置１３と例えば天井搬送されるベイ内搬送装
置２０ａとの構成を示す斜視図である。図３には、図２
に説明したＳＥＭ装置１３の一実施例を示す。即ち、製
造ライン５０内のなかでも特に電磁場ノイズの影響を受
けやすい装置の１つであるＳＥＭ装置１３は、電子走査
顕微鏡による電子映像測定方式を用いた電子線鏡筒部を
有する検査装置部３１０と、被検査対象物であるウエハ
（半導体基板）Ｗをのせ検査するため測定位置まで位置
決めを行うためのＸテーブル３１１およびＹテーブル３
１２からなるテーブル部２６０と、カセット受け台２５
５と、ウエハ移載ハンド２５１を有する搬送ロボット２
５０とから構成される。ＳＥＭ装置１３は、搬送装置２
０ａからカセット受け台２５５上に運ばれたカセット２
２０を受け取った後、搬送ロボット２５０を動作させる
ことで、移載ハンド２５１によりウエハＷをカセット２
２０からテーブル部２６０へ受け渡す方式を取る。ＳＥ
Ｍ装置１３は、ウエハＷを移載したのを確認した後、ウ
エハＷをテーブル部２６０上に吸着させて動かないよう
にし、それからテーブル部２６０を基準位置まで動作さ
せてウエハＷ上の基準パターンと装置の位置決め基準
（光軸）との基準合わせを行う（図示せず）。次に、所
定測定位置までテーブル部２６０を動作させてウエハＷ
を移動し、電子走査顕微鏡による電子映像検出方式を用
いた検査装置部３１０により、ウエハＷ上の異物や配線
パターンの欠陥等についての検出および解析等の製造可
否状況や、寸法測定などの検査を行う。

【００２０】上記搬送装置２０ａは、電磁波の発生源と
なる電動モータで昇降可能に形成された上下移載ユニッ
ト２３０を有し、被検査対象物であるウエハＷを収納し
たカセット２２０を例えばストッカ１７とカセット受け
台２５５との間で天井軌道２０２上を、図５に示すよう
に大きな電磁波の発生源となる大容量の電動モータＭ１
によって駆動されて走行するように構成される。

【００２１】ＳＥＭ装置１３の計測・検査方式は、電子
走査顕微鏡による電子映像検出方式である。即ち、電子
走査顕微鏡による電子映像検出方式とは、図３に示すよ
うに、カソードと呼ばれる電子放出部位Ｆ１と電子線引
出用部位Ｆ２とからなる電子線放出部３０１から発射さ
れた電子線を、途中の収束レンズＦ３、ブランキングコ
イルＦ４、Ｘ・Ｙ偏向コイルＦ６・Ｆ７、対物レンズＦ
８を介してウエハＷに照射し、この時生じた２次電子線
や反射電子等を電子検出器３０９にて検出、高精度に計
測するものである。電子放出部位Ｆ１を負極、電子線引
出し用部位Ｆ２を正極とし、電子放出部位Ｆ１、電子線
引出し用部位Ｆ２に高電位を持たせると、負極の電子放
出部位Ｆ１から電子が放出される。収束レンズＦ３は、
電子線引出し用部位Ｆ２から放出された電子線を収束す
る働きをする。ブランキングコイルＦ４は、電子線の照
射をＯＮ、ＯＦＦさせる働きをする。偏向コイルＦ６・
Ｆ７は、収束レンズＦ３で収束された電子線ビームを高
速に２次元に走査する働きをする。対物レンズＦ８は、
更に電子ビームをウエハＷの表面に収束させて照射する
働きをする。これらにより、電子ビームを高速に走査制
御することで、ウエハＷ上の計測および画像検査を高精
度に実行可能になる。

【００２２】なお、制御装置３０８は、カソードＦ１に
負電位を供給するカソード用電源回路Ｅ１、電子線引出
用部位Ｆ２に正電位を供給する電子線引出用電源回路Ｅ
２、収束レンズＦ３を駆動する収束レンズ駆動回路Ｅ
３、ブランキングコイルＦ４を駆動するブランキングコ
イル駆動回路Ｅ４、偏向コイルＦ６、Ｆ７を駆動する偏
向コイル駆動回路Ｅ６、Ｅ７、対物レンズＦ８を駆動す
る対物レンズ駆動回路Ｅ８、およびテーブル３１１、３
１２を駆動するテーブル駆動回路３１３、３１４を制御
するものである。そして、制御装置３０８には、偏向コ
イルＦ６、Ｆ７および／またはテーブル３１１、３１２
によるウエハＷに対する電子ビームの走査照射に基づく
電子検出器３０９を有する電子検出装置３０８から検出
される電子線画像に基いて寸法計測や欠陥解析を行う画
像処理部を有し、必要とする寸法計測結果や欠陥解析結
果などを出力する表示手段Ｄを備えている。

【００２３】特に、図３に示すＳＥＭ装置１３では、電
子映像検出方式の他に、あらかじめ光学的に測定位置を
認識する目的で光学像撮像方式を併用している。この光
学像撮像方式は、照明Ｆ５からの照明光を、レンズ系３
０５、ハーフミラー３０４、ミラー３０３、および対物
レンズ３０２を介してウェハＷ上の基準パターンに照射
し、この基準パターンから対物レンズ３０２、ミラー３
０３、およびハーフミラー３０４を介して得られる基準
パターンの画像を光学像撮像装置３０７により撮像して
測定し、光軸に合わせて計測を行うものである。３０６
は光学像撮像装置３０７によって撮像される画像のモニ
タ装置である。なお、図３に示すＳＥＭ装置１３では、
電子ビームの光軸と光学像の光軸とを一致させて構成し
た場合を示したが、光学撮像系を電子撮像系から一定距
離離して並設してもよい。

【００２４】ところで、ＳＥＭ装置１３は電子映像検出
方式であるため、分解能は、５ｎｍ〜数１０ｎｍのオー
ダであり非常に小さく、しかも非常に電磁波に弱い特性
を持っている。そのため、配線パターン幅の０．２５μ
ｍオーダの測定では、余り問題とならない電磁波ノイズ
も、更に配線パターンが０．１μｍ程度以下へと微細化
するにつれ、非常に大きな影響を受けることになる。即
ち、ＳＥＭ装置１３における検査装置部３１０では、図
４（ａ）に示すように、方式上電場ノイズ３１６、磁場
ノイズ３１７にも大きく影響を受けることになる。この
時の電磁波ノイズレベルと測定分解能との間には、図４
（ｂ）に示すように、ノイズレベルが大きいほど、分解
能も低下する関係を有している。

【００２５】そのため、ＳＥＭ装置１３のなかで、特に
電磁波ノイズの影響を受けやすい検査装置部３１０は、
電場ノイズ３１６が検査装置部３１０に伝播しない様に
純鉄などの遮蔽鏡筒３２０で覆って遮蔽して構成してい
る。この純鉄は、比較的誘電率が高いので電場ノイズ３
１６を少しは吸収するため、本方式を取っている。しか
し、磁場ノイズ３１５は本方式でも除去できず、分解能
の向上を実現することができない。

【００２６】ところが、前述したように、ＳＥＭ装置１
３には、図２および図５に示すように、クリーンな環境
を形成し、しかもエネルギーの供給が容易な駆動源とし
て電磁波ノイズの発生源となる電動モータＭ１、Ｍ２を
用いた搬送装置２０ａが出入り可能に構成され、クリー
ンな環境を形成し、しかもエネルギーの供給が容易な駆
動源として電磁波ノイズの発生源となる電動モータＭ３
を用いた搬送ロボット２５０が設置される。上記搬送装
置２０ａは、１０〜５０枚程度のウエハを収納した大き
な重量物となるカセット２２０を保持して例えばストッ
カ１７とＳＥＭ装置１３のカセット受け台２５５との間
で天井軌道２０２上を高速で走行させるために、容量の
大きな電動モータＭ１が必要となると共に、上記のよう
に大きな重量物となるカセット２２０を昇降させるため
に容量の大きな電動モータＭ２で駆動される上下移載ユ
ニット２３０を備えている。更に、ＳＥＭ装置１３に
は、図５に示すように、外部からの電磁波ノイズを遮蔽
するために、搬送装置２０ａを出入り可能にするシャッ
ター２４１、２４１’を設けた電磁波ノイズ遮蔽壁２４
２、２４２’が用意されている。

【００２７】このように構成することによって、外部か
らの電磁波ノイズを遮蔽することは可能であるが、大き
な電磁波ノイズの発生源である電動モータＭ１、Ｍ２を
有する搬送装置２０ａが電磁波ノイズ遮蔽壁内に出入り
する関係で、ＳＥＭ装置１３における分解能を低下させ
ることになる。しかし、電磁波ノイズ遮蔽壁内には、更
に電磁波ノイズの発生源である電動モータＭ３を有する
搬送ロボット２５０が設置されているが、この搬送ロボ
ット２５０は例えばウエハを１枚単位程度でピックアッ
プできればよく、非常に小型の電動モータＭ３（図示せ
ず）が用いられる関係で、電磁波ノイズの発生も非常に
弱く、ＳＥＭ装置１３において分解能を低下させるまで
には至っていない。

【００２８】即ち、大きな重量物となるカセット２２０
を高速で搬送する搬送装置２０ａおよび搬送装置２０ａ
上に設けられた上下移載ユニット２３０の駆動源として
は、クリーンな環境にするためと、エネルギ供給を容易
にするために大容量の大型の電動モータＭ１、Ｍ２が使
用される。搬送装置２０ａは、＋−に通電された搬送軌
道（搬送レール）２０２から電源を取りながら大容量の
電動モータＭ１を駆動し、該電動モータＭ１の駆動力に
よりギア２０５・２０６を介して搬送レール２０２に対
して蹴動する駆動車２０３をまわしながら前後に移動し
て走行するように構成される。更に、搬送装置２０ａに
は、上記搬送レール２０２からの電源供給を受けながら
駆動される大容量の電動モータＭ２を駆動源とし、大き
な重量物であるカセット２２０を保持して上下に移動
（昇降）させる上下移載ユニット２３０を備えている。

【００２９】そのため、ＳＥＭ装置１３は、搬送装置１
３自身、および上下移載装置２３０の移動の際、大型の
電動モータＭ１、Ｍ２が持つ電磁石による大きな磁場の
影響と、電気をモータＭ１、Ｍ２に通電した時に発生す
る大きな電磁波の影響を受けることになる。また、電源
供給時の電気ブラシによる大きな電磁波ノイズの影響も
受け易いことになる。そこで、本発明においては、ＳＥ
Ｍ装置１３の検査装置部３１０において寸法計測や欠陥
解析などの測定をする区間（図６（ａ）に示す。）４０
０の間においては搬送装置２０ａや上下移載ユニット２
３０を停止させることが可能なため、搬送装置２０ａの
電動モータＭ１や上下移載ユニット２３０の上下移載動
作を行う電動モータＭ２に対して通電せず、機械的ブレ
ーキ（図示せず）で停止させるように構成する。

【００３０】ここで、機械的ブレーキとしては、クリー
ンな環境を維持するために、埃、塵等の異物を発生しな
いように、例えば噛み合いクラッチのように固定された
摩耗のない金属製の凹部または凸部に対して摩耗のない
金属製の凸部または凹部を押し付けて嵌合させることに
よって構成することができる。ところで、機械的ブレー
キを解除するときには、電磁波ノイズが発生しても問題
ないので、駆動源としては電磁駆動源を用いることが可
能となる。

【００３１】このように、本発明では、搬送装置２０ａ
の電動モータＭ１や上下移載ユニット２３０の上下移載
動作を行う電動モータＭ２を通電せず、上記機械的ブレ
ーキ（図示せず）で搬送装置２０ａや上下移載ユニット
２３０を停止させるように構成したため、搬送装置２０
ａが引き込まれ、上下移載ユニット２３０によるカセッ
トの上下移載動作が完了した後、検査装置部３１０は、
搬送ロボット２５０の駆動源である電動モータＭ３等の
電磁石の電磁波ノイズレベルＮｚ０しか影響を受けな
い。これは、機械的ブレーキが解除されるまで続くこと
になる。この区間４００の間、図６（ｂ）に示すよう
に、上記電動モータＭ３（図示せず）から発生する電磁
石の電磁波ノイズレベルＮｚ０が、許容電磁波ノイズレ
ベルＮｚａを超えないため、電磁波ノイズに特に弱いプ
ロセスである検査装置部３１０での測定動作を行うこと
が可能となる。図６（ａ）には、シャッター２４１、２
４１’の開閉動作Ａ２４１、Ａ２４１’と、搬送装置２
０ａの搬送動作Ａ２０ａと、上下移載ユニット２３０の
昇降動作Ａ２３０と、ＳＥＭ装置１３の検査装置部３１
０の測定動作Ａ３１０とを示す。上のレベルが動作状態
を、下のレベルが停止状態を示す。即ち、ｔ１の時点に
おいて、シャッタ２４１が開閉して搬送装置２０ａがＳ
ＥＭ装置１３内に入り、ｔ２の時点において停止し、ｔ
３の時点において搬送されてカセット２２０が上下移載
ユニット２３０により降ろされてカセット受け台２５５
上に置かれ、上昇して停止する。そして、搬送ロボット
２５０により、カセット２２０からウエハＷを一枚づつ
取り出して検査装置部３１０の試料室内のテーブル３１
１、３１２上に載置し、続いて、区間４００において、
検査装置部３１０により投入されたウエハＷの各々に対
して寸法計測や欠陥解析などの測定が行なわ、その後、
搬送ロボット２５０により、検査装置部３１０の試料室
内のテーブル３１１、３１２からウエハＷを取り出して
カセット受け台２５５にあるカセット２２０に挿入する
ことを繰り返す。その後、ｔ４の時点において、停止し
ていた電動モータＭ２を駆動することにより上下移載ユ
ニット２３０を昇降させて多数のウエハＷを収納したカ
セット２２０を持ち上げ、ｔ５の時点において停止して
いた電動モータＭ１を駆動することにより搬送装置２０
ａを走行させ、その後ｔ６の時点においてシャッター２
４１’を開閉して搬送装置２０ａをＳＥＭ装置１３の外
に走行させて例えばストッカ１７まで搬送されることに
なる。

【００３２】更に、ノイズレベルが影響を与えないレベ
ルであれば、搬送装置２０ａおよび上下移載ユニット２
３０を停止させるのに全て機械的ブレーキを用いるので
はなく、部分的に通電させる電磁石を用いて停止させる
ことにより、どちらか片方あるいは電源供給量を抑制す
ることもできる。なお、搬送ロボット２５０の動作を停
止した際、駆動源である電動モータＭ３から発生する電
磁波ノイズレベルＮｚ０が許容電磁波ノイズレベルＮｚ
ａを超える場合には、搬送ロボット２５０の動作を停止
させるための補助電磁石を設けることによって上記電動
モータＭ３への通電を弱めるか、やめることによって、
上記電動モータＭ３から発生する電磁波ノイズレベルを
低減することができる。以上説明したように、電磁波ノ
イズの発生源である搬送装置２０ａにおける電動モータ
Ｍ１、Ｍ２の機能を一時停止あるいは抑制することによ
り、ＳＥＭ装置１３の検査装置部３１０での高分解能で
の測定動作が可能となる。

【００３３】ところで、ＳＥＭ装置１３に、開閉するシ
ャッター２４１、２４１’を有する電磁波ノイズ遮蔽壁
２４２、２４２’を設けたとしても、シャッター２４
１、２４１’が開閉されるため、ＳＥＭ装置１３の近傍
を走行する搬送装置２０ｂに設けられた電動モータＭ
１、Ｍ２で発生した電磁波ノイズが入ってきて、検査装
置部３１０に影響を及ぼすことになる。そこで、搬送装
置２０ｂについても、電動モータＭ１、Ｍ２に対して搬
送装置２０ａと同様に制御して検査装置部３１０で測定
動作を行う区間４００においては電磁波ノイズの影響を
受けないようにする必要がある。

【００３４】即ち、ＳＥＭ装置１３の検査装置部３１０
での測定動作を行う区間４００においては、搬送装置２
０ａ、２０ｂにおける電動モータＭ１、Ｍ２の機能を一
時停止あるいは抑制し、ＳＥＭ装置１３の検査装置部３
１０の測定動作をしていない区間において搬送装置２０
ａ、２０ｂを自由に駆動動作させるようにコントロール
を行う。これらのコントロールは、図１に示す如く、搬
送装置２０ａ、２０ｂ、２０、２１を制御する制御装置
２００と上記複数のＳＥＭ装置１３を制御する制御装置
１００ａとを統括制御する統括制御装置（製造管理装
置）３０からの指令に基いて行われる。なお、制御装置
１００は製造装置群１０、１１、１４を制御するもので
あり、制御装置１００ｂはＳＥＭ装置１３の近傍に設置
され、外部に電磁波ノイズを放出する製造装置群１４ａ
を制御するものである。

【００３５】次に、この制御について、図７および図８
を用いて説明する。まず、図７に示すように、制御装置
１００ａは、ステップＳ７１において各ＳＥＭ装置１３
の高分解能での測定／検査プロセス（測定／検査動作）
Ａ１３０を確認し、ステップＳ７２において測定／検査
プロセス区間４００であるか、若しくはすぐ始まるか否
かを調べる。もし、測定／検査プロセス区間４００若し
くはすぐ始まる場合には、ステップＳ７３において搬送
装置２０ａ、２０ｂが電動モータＭによる発生する電磁
波ノイズ４０を、ステップＳ７４においてＳＥＭ装置１
３に備えられたモニタリング手段（検知ユニット）４１
がリアルタイムで検知し、ステップＳ７５においてリア
ルタイムで検知された電磁波ノイズＢが許容電磁波レベ
ルＣ以上であるか否かを判定する。もし、ステップＳ７
２において測定／検査プロセス区間４００でない若しく
はすぐ始まらない場合には、ステップＳ７１に戻ること
になる。また、もし、ステップＳ７５において検知され
た電磁波ノイズＢが許容電磁波レベルＣ以上の場合に
は、ステップＳ７６においてモニタリング手段４１が異
常信号Ａを制御装置１００ａに伝達（送信）し、ステッ
プＳ７７において制御装置１００ａが制御装置２００に
機能停止信号Ｄを伝達（送信）する。もし、ステップＳ
７５において検知された電磁波ノイズＢが許容電磁波レ
ベルＣに達しない場合には、ステップＳ７４に戻ること
になる。すると、ステップＳ７８において制御装置２０
０が搬送装置２０ａ、２０ｂに機能停止信号Ｅを伝達
（送信）し、ステップＳ７９において搬送装置２０ａ、
２０ｂは駆動源である電動モータＭを一時機能停止し、
電磁波ノイズの発生を一時停止させる。

【００３６】引き続いて、図８に示すように、制御装置
１００ａは、ステップＳ８０において各ＳＥＭ装置１３
の高分解能での測定／検査プロセス（測定／検査動作）
Ａ１３０を確認し、ステップＳ８１において測定／検査
プロセス区間４００が終了したか否かを調べる。もし、
測定／検査プロセス区間４００が終了している場合に
は、ステップＳ８２において制御装置１００ａは、制御
装置２００に機能復帰信号Ｆを伝達（送信）する。も
し、ステップＳ８１において測定／検査プロセス区間４
００が終了していない場合には、ステップＳ８０に戻る
ことになる。すると、ステップＳ８３において制御装置
２００が搬送装置２０ａ、２０ｂに機能復帰信号Ｇを伝
達（送信）し、ステップＳ８４において搬送装置２０
ａ、２０ｂは駆動源である電動モータＭを機能復帰させ
て駆動して走行等の動作をして、例えば、多数の半導体
基板Ｗを収納したカセット２２０をＳＥＭ装置１３内に
出入りさせたり、近傍を走行させたりする。

【００３７】即ち、機能復帰信号Ｆを受け取った制御装
置２００は、これまで通電を停止していた搬送装置２０
ａ、２０ｂに通電し、停止する前の状態に復帰させて通
常のモードに戻すように制御する。搬送装置２０ａ、２
０ｂには、状態記憶用フラッシュメモリを搭載してお
り、通電を停止した時でもその状態をデータとして保管
し、通電時はこの状態記憶用フラッシュメモリの最新デ
ータをトレースするように構成した。これにより、通電
を再開した時でも搬送装置２０ａ、２０ｂを再起動させ
ることなく停止前の状態で生産を再開することが可能と
なる。

【００３８】以上の説明では、ＳＥＭ装置１３を主体に
して、ＳＥＭ装置１３が測定している区間の間、搬送装
置２０ａ、２０ｂの電動モータＭの駆動を停止若しくは
抑制させたが、逆に、搬送装置２０ａ、２０ｂを主体に
して、搬送装置２０ａ、２０ｂが駆動されている区間の
間、ＳＥＭ装置１３における測定／検査プロセスを中止
することも可能である。

【００３９】また、ＳＥＭ装置１３の近傍に電磁波ノイ
ズを発生させる製造装置（製造設備）１４ａが設置され
ている場合についても、制御装置１００ａと製造装置１
４ａを制御する制御装置１００ｂとの間において同様に
制御される。なお、製造装置１４ａにおいて、電磁波ノ
イズを発生させる発生源を２１で示す。また、ＳＥＭ装
置１３の近傍に電磁波ノイズを発生させる製造装置（製
造設備）１４ａが設置されている場合、製造装置１４ａ
が固定され、しかも制御装置１００ｂは製造装置１４ａ
において電磁波ノイズを発生する区間を知ることができ
るので、必ずしも、ＳＥＭ装置１３にモニタリング手段
４１を設ける必要はない。しかし、モニタリング手段４
１をＳＥＭ装置１３以外に設ける場合、予め、検査装置
部３１０への電磁波ノイズの影響の度合いを測定してお
く必要がある。何れにしても、モニタリング手段４１
は、電磁波ノイズの最も影響を受けるＳＥＭ装置１３内
の検査装置部（鏡筒部）３１０の近傍に設けるのが最も
好ましい。即ち、搬送装置２０ａ、２０ｂのように電磁
波ノイズを発生するものが走行するものである場合に
は、モニタリング手段４１を固定しているＳＥＭ装置１
３に設ける方がよい。

【００４０】しかし、もし、搬送装置２０ａ、２０ｂの
場合、走行する関係で、その位置情報を制御装置２００
が知ることができれば、制御装置２００は搬送装置２０
ａ、２０ｂにおいて電磁波ノイズを発生する区間を知る
ことができるので、必ずしも、ＳＥＭ装置１３にモニタ
リング手段４１を設ける必要はない。ところで、製造ラ
イン５０には、複数のＳＥＭ装置１３が設置されている
関係で、製造ライン全体に対して次に説明するように制
御する必要がある。

【００４１】即ち、製造ライン５０において、複数のＳ
ＥＭ装置１３が設置されている関係で、搬送装置２０
ａ、２０ｂなどが随所（同一ショップ内）で無秩序に一
時停止が発生する可能性があるので、これにより製造ラ
イン全体の生産性が低下することが生じる可能性があ
る。そのため、製造管理装置（統括制御装置）３０は、
ＳＥＭ装置群１３を制御する制御装置１００ａ、製造装
置群１０、１４や光学的外観検査装置群１１やテスタ装
置群１５などを制御する制御装置１００、ＳＥＭ装置１
３の近傍に設けられ、電磁波ノイズを外部に出す製造装
置１４ａを制御する制御装置１００ｂ、および搬送装置
２０ａ、２０ｂ、２０、２１を制御する制御装置２００
を統括して製造状態を監視し、各ＳＥＭ装置１３におけ
る測定タイミングａ、ｂ、ｃ、…を基準にして、搬送装
置２０ａ、２０ｂ等に対して一時停止をかけるタイミン
グｄを提示するなどの統括制御を行う。即ち、製造管理
装置（統括制御装置）３０は、製造ラインの仕掛かり情
報や稼動状況、保全管理情報や生産計画情報などをリア
ルタイムによる収集で得られる各種生産情報のデータベ
ース３１と連動しており、必要に応じてその情報を参照
することが可能になっている。その結果、搬送装置２０
ａ、２０ｂ等は、多数のウエハＷを収納したカセット２
２０を効率よくベイ間搬送を行うことができる。また、
電磁波ノイズを外部に放出する製造装置１４ａにおいて
も、ウエハＷに対して効率良くプロセス処理を行うこと
が可能となる。

【００４２】即ち、統括制御装置３０は、制御装置１０
０、１００ａ、１００ｂおよび２００から、機能停止信
号Ｄ、Ｅや機能復帰信号Ｆ、Ｇの授受のタイミングや一
時機能停止（／抑制）時間を収集し、これら収集された
情報を元に製造ライン５０におけるＳＥＭ装置群１３に
関係する部分におけるスループットを算出し、この算出
されたスループットを元に一時機能停止（／抑制）した
ほうが良い搬送装置２０ａ、２０ｂや製造装置１４ａま
たはＳＥＭ装置１３を算定し、この算定された搬送装置
２０ａ、２０ｂを制御する制御装置２００や製造装置１
４ａを制御する制御装置１００ｂまたはＳＥＭ装置１３
を制御する制御装置１００ａに一時機能停止（／抑制）
制御信号を送信し、搬送装置２０ａ、２０ｂや製造装置
１４ａまたはＳＥＭ装置１３を一時機能停止（／抑制）
をさせ、ＳＥＭ装置１３における測定／検査プロセスに
電磁波ノイズの影響を無くして、しかも効率よくウエハ
Ｗに対してＳＥＭ測定や検査を行うことが可能となる。

【００４３】また、搬送装置２０ａ、２０ｂを制御する
制御装置２００は、ワーク（カセット）２２０を所定の
タイミングでＳＥＭ装置１３若しくはＳＥＭ装置１３の
近傍に設置された製造装置１４に搬送する場合、独自で
搬送スピードや搬送経路等の制御を行ってもよい。

【００４４】以上により、製造ライン（電磁波ノイズ対
応形製造ライン）５０の生産性を落とすことなく、ＳＥ
Ｍ装置１３による測定／検査プロセス区間において電磁
波ノイズの影響を無くしてウエハＷに対して高分解能で
ＳＥＭ測定や検査を行うことが可能となる。即ち、電磁
波・振動を低減できない状態にあっても、電磁波や振動
を心配することなく超微細構造形成プロセスを実施する
ことができるとともに、スループットを考慮しながら生
産統制を行ないうことが容易になり、生産性の低下を防
止すると共に生産コストの低減を図ることができる。ま
た、以上説明した実施の形態では、ＳＥＭ装置１３が測
定／検査プロセス区間において電磁波ノイズの影響をな
くす若しくは抑制することについて説明したが、ＳＥＭ
装置１３は振動に対しても弱いため、振動を発生させる
製造設備が近傍に設置されている場合や搬送装置２０
ａ、２０ｂに対しても同様に制御することによって、Ｓ
ＥＭ装置１３の測定／検査プロセス区間４００において
振動の影響を無くしてウエハＷに対して高分解能でＳＥ
Ｍ測定や検査を行うことが可能となる。

【００４５】また、以上説明した実施の形態では、電磁
波ノイズの影響を受ける電子ビームの照射に基づくウエ
ハＷ等の試料から得られる電子を検出して測定／検査等
を実行するＳＥＭ装置１３の場合について説明したが、
電磁波ノイズの影響を受けるイオンビーム等の荷電粒子
ビームの照射に基いて所望のプロセスを実行する荷電粒
子ビームプロセス装置にも同様に適用することができ
る。

【００４６】

【発明の効果】本発明によれば、ＳＥＭ装置などの荷電
粒子ビームプロセス装置において、搬送装置等から発生
する電磁波ノイズや振動等に対して影響を殆ど受けるこ
となく超微細化された半導体デバイスなどに対して高分
解能でプロセスを実行することができる効果を奏する。
また、本発明によれば、 ＳＥＭ装置において、搬送装
置等から発生する電磁波ノイズ等に対して影響を殆ど受
けることなく超微細化された半導体デバイスに対して高
分解能で測定／検査を実行できるようにして、超微細化
された半導体デバイスを高歩留まりで製造することがで
きる効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る半導体デバイス等の製造ラインの
一実施の形態を示す概略構成図である。

【図２】本発明に係る荷電粒子ビームプロセス装置であ
るＳＥＭ装置近傍の製造ラインの一実施例を示す外観斜
視図である。

【図３】図２に示したＳＥＭ装置の機能説明図である。

【図４】ＳＥＭ装置の測定分解能が電磁波ノイズの影響
により阻害されることの説明図、および従来よりとられ
ていた防止策を示す機能説明図である。

【図５】本発明に係る荷電粒子ビームプロセス装置であ
るＳＥＭ装置近傍の搬送装置を含めた製造ラインの一実
施例を示す正面図である。

【図６】本発明に係るＳＥＭ装置において測定／検査す
る測定／検査プロセス区間において搬送装置から発生す
る電磁波ノイズの影響をなくする制御方法を説明するた
めの図である。

【図７】本発明に係るＳＥＭ装置において測定／検査す
る測定／検査プロセス区間において搬送装置から発生す
る電磁波ノイズの影響をなくする制御フローの一実施例
の前半を説明するための図である。

【図８】図７に示す制御フローの後半を説明するための
図である。

【図９】本発明に係る半導体デバイスなどの製造ライン
において、無秩序に装置の機能の一時停止（／抑制）・
復帰を実行することによる生産性低下を防止するための
全体を統括して制御する一実施例を説明するための図で
ある。

【符号の説明】

１０…製造装置、１１…光学的外観検査装置、１３…Ｓ
ＥＭ装置、１４…ＳＥＭ装置近傍の製造装置、１４ａ…
外部に電磁波ノイズを放出する製造装置、１５…テスタ
はに１７…ストッカ、２０…ベイ内搬送装置、２０ａ…
ＳＥＭ装置などの間を走行するベイ内搬送装置、２０ｂ
…ＳＥＭ装置の近傍を走行するベイ内搬送装置、２１…
ベイ間搬送装置、３０…製造管理装置（統括制御装
置）、３１…記憶装置（各種生産情報のデータベー
ス）、４０…電磁波・振動、４１…モニタリング手段
（検知ユニット）、５０…製造ライン、１００…製造装
置群の制御装置、１００ａ…ＳＥＭ装置群の制御装置、
１００ｂ…外部に電磁波ノイズを放出する製造装置群の
制御装置、２００…搬送装置の制御装置、２０２…搬送
レール、２２０…カセット、２４１、２４１’…開閉シ
ャッター、２６０…テーブル部、３０１…電子線放出
部、３１０…検査装置部、３２０…鏡筒部、３０９…電
子検出器、３１６…電場ノイズ、３１７…磁場ノイズ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 水野 文夫 茨城県ひたちなか市市毛882番地 株式会 社日立製作所計測器グループ内 Ｆターム(参考） 4M106 CA38 DB18 DB30 DH01 DH50 DJ03 5C001 DD03 5E321 AA05 AA44 AA45 GG05 5F031 CA02 FA01 FA03 FA11 FA12 FA15 GA48 GA49 GA58 LA07 MA27 MA33 PA02 PA08 PA10 PA30

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】試料室内に導入された試料に対して荷電粒
   子ビームを照射して所望のプロセスを実行し、その後前
   記試料を前記試料室内から導出される荷電粒子ビームプ
   ロセス装置と、 該荷電粒子ビームプロセス装置の近傍を走行若しくは該
   装置の内部に出入りするように走行して電動モータを駆
   動源として前記複数の試料を収納したカセットを搬送す
   る搬送装置と、 前記荷電粒子ビームプロセス装置における荷電粒子ビー
   ムを照射して所望のプロセスを実行する区間において前
   記搬送装置が前記荷電粒子ビームプロセス装置の近傍若
   しくは内部に位置したとき、前記搬送装置の駆動源の機
   能を停止若しくは抑制するように制御する制御装置とを
   備えたことを特徴とする製造ライン。
2. 【請求項２】試料室内に導入された試料に対して荷電粒
   子ビームを照射して所望のプロセスを実行し、その後前
   記試料を前記試料室内から導出される荷電粒子ビームプ
   ロセス装置と、 該荷電粒子ビームプロセス装置の近傍を走行若しくは該
   装置の内部に出入りするように走行して電動モータを駆
   動源として前記複数の試料を収納したカセットを搬送す
   る搬送装置と、 前記荷電粒子ビームプロセス装置における荷電粒子ビー
   ムを照射して所望のプロセスを実行する区間において前
   記荷電粒子ビームプロセス装置が前記搬送装置の駆動源
   から受ける電磁波ノイズが所定レベル以上のとき、前記
   搬送装置の駆動源の機能を停止若しくは抑制するように
   制御する制御装置とを備えたことを特徴とする製造ライ
   ン。
3. 【請求項３】電磁波ノイズを検知する検知ユニットを備
   え、試料室内に導入された試料に対して荷電粒子ビーム
   を照射して所望のプロセスを実行し、その後前記試料を
   前記試料室内から導出される荷電粒子ビームプロセス装
   置と、 該荷電粒子ビームプロセス装置の近傍を走行し若しくは
   該装置の内部に出入りするように走行し、電動モータを
   駆動源として前記複数の試料を収納したカセットを搬送
   する搬送装置と、 前記荷電粒子ビームプロセス装置における荷電粒子ビー
   ムを照射して所望のプロセスを実行する区間において前
   記検知ユニットにより検知された電磁波ノイズが所定の
   レベル以上のとき、前記搬送装置の駆動源の機能を停止
   若しくは抑制するように制御する制御装置とを備えたこ
   とを特徴とする製造ライン。
4. 【請求項４】前記荷電粒子ビームプロセス装置は、外部
   からの電磁波ノイズを遮蔽するための遮蔽壁を備えるこ
   とを特徴とする請求項１または２または３記載の製造ラ
   イン。
5. 【請求項５】試料室内に導入された試料に対して荷電粒
   子ビームを照射して所望のプロセスを実行し、その後前
   記試料を前記試料室内から導出される荷電粒子ビーム鏡
   筒部と外部からの電磁波ノイズを遮蔽するために前記荷
   電粒子ビーム鏡筒部の外側を囲むように設けられた遮蔽
   壁と該遮蔽壁の所望の部分に開閉シャッタとを備えて構
   成される荷電粒子ビームプロセス装置と、 該荷電粒子ビームプロセス装置における前記遮蔽壁の内
   部に前記開閉シャッタを通して出入りするように走行し
   て電動モータを駆動源として前記複数の試料を収納した
   カセットを搬送する搬送装置と、 該搬送装置が前記遮蔽壁の内部に位置し、更に前記荷電
   粒子ビームプロセス装置における荷電粒子ビームを照射
   して所望のプロセスを実行する区間において前記搬送装
   置の駆動源の機能を停止若しくは抑制するように制御す
   る制御装置とを備えたことを特徴とする製造ライン。
6. 【請求項６】試料室内に導入された試料に対して荷電粒
   子ビームを照射して所望のプロセスを実行し、その後前
   記試料を前記試料室内から導出される荷電粒子ビームプ
   ロセス装置と、 該荷電粒子ビームプロセス装置の近傍を走行し若しくは
   該装置の内部に出入りするように走行して電動モータを
   駆動源として前記複数の試料を収納したカセットを搬送
   する搬送装置と、 該搬送装置が前記荷電粒子ビームプロセス装置の近傍若
   しくは内部に位置し、更に前記搬送装置の駆動源の機能
   を停止若しくは抑制しているとき、前記荷電粒子ビーム
   プロセス装置における荷電粒子ビームを照射して所望の
   プロセスを実行するように制御する制御装置とを備えた
   ことを特徴とする製造ライン。
7. 【請求項７】試料室内に導入された試料に対して荷電粒
   子ビームを照射して所望のプロセスを実行し、その後前
   記試料を前記試料室内から導出される荷電粒子ビームプ
   ロセス装置と、 該荷電粒子ビームプロセス装置の近傍を走行し若しくは
   該装置の内部に出入りするように走行して電動モータを
   駆動源として前記複数の試料を収納したカセットを搬送
   する搬送装置と、 該搬送装置の駆動源の機能を停止若しくは抑制して前記
   搬送装置の駆動源から受ける電磁波ノイズが所定レベル
   以下のとき、前記荷電粒子ビームプロセス装置における
   荷電粒子ビームを照射して所望のプロセスを実行するよ
   うに制御する制御装置とを備えたことを特徴とする製造
   ライン。
8. 【請求項８】電磁波ノイズを検知する検知ユニットを備
   え、試料室内に導入された試料に対して荷電粒子ビーム
   を照射して所望のプロセスを実行し、その後前記試料を
   前記試料室内から導出される荷電粒子ビームプロセス装
   置と、 該荷電粒子ビームプロセス装置の近傍を走行し若しくは
   該装置の内部に出入りするように走行して電動モータを
   駆動源として前記複数の試料を収納したカセットを搬送
   する搬送装置と、 該搬送装置の駆動源の機能を停止若しくは抑制して前記
   検知ユニットにより検知された電磁波ノイズが所定のレ
   ベル以下のとき、前記荷電粒子ビームプロセス装置にお
   ける荷電粒子ビームを照射して所望のプロセスを実行す
   るように制御する制御装置とを備えたことを特徴とする
   製造ライン。
9. 【請求項９】前記荷電粒子ビームプロセス装置は、外部
   からの電磁波ノイズを遮蔽するための遮蔽壁を備えるこ
   とを特徴とする請求項６または７または８記載の製造ラ
   イン。
10. 【請求項１０】試料室内に導入された試料に対して荷電
    粒子ビームを照射して所望のプロセスを実行し、その後
    前記試料を前記試料室内から導出される荷電粒子ビーム
    鏡筒部と外部からの電磁波ノイズを遮蔽するために前記
    荷電粒子ビーム鏡筒部の外側を囲むように設けられた遮
    蔽壁と該遮蔽壁の所望の部分に開閉シャッタとを備えて
    構成される荷電粒子ビームプロセス装置と、 該荷電粒子ビームプロセス装置における前記遮蔽壁の内
    部に前記開閉シャッタを通して出入りするように走行し
    て電動モータを駆動源として前記複数の試料を収納した
    カセットを搬送する搬送装置と、 該搬送装置が前記遮蔽壁の内部に位置し、更に該搬送装
    置の駆動源の機能を停止若しくは抑制しているとき、前
    記戦機前記荷電粒子ビームプロセス装置における荷電粒
    子ビームを照射して所望のプロセスを実行するように制
    御する制御装置とを備えたことを特徴とする製造ライ
    ン。
11. 【請求項１１】前記搬送装置には、更に、電動モータを
    駆動源として前記カセットを把持して動作するロボット
    機構を備えたことを特徴とする請求項５または１０記載
    の製造ライン。
12. 【請求項１２】試料室内に導入された試料に対して荷電
    粒子ビームを照射して所望のプロセスを実行し、その後
    前記試料を前記試料室内から導出される荷電粒子ビーム
    プロセス装置と、 該荷電粒子ビームプロセス装置の近傍に設置され、電磁
    波ノイズを発生させる電磁波ノイズ発生源を有し、試料
    に対して所望のプロセスを実行する製造装置と、 該製造装置から発生する電磁波ノイズを検知する検知ユ
    ニットと、 前記荷電粒子ビームプロセス装置における荷電粒子ビー
    ムを照射して所望のプロセスを実行する区間において、
    前記検知ユニットにより検知された電磁波ノイズが所定
    のレベル以上のとき、前記製造装置の電磁波ノイズ発生
    源の機能を停止若しくは抑制するように制御する制御装
    置とを備えたことを特徴とする製造ライン。
13. 【請求項１３】試料室内に導入された試料に対して荷電
    粒子ビームを照射して所望のプロセスを実行し、その後
    前記試料を前記試料室内から導出される荷電粒子ビーム
    プロセス装置と、 該荷電粒子ビームプロセス装置の近傍に設置され、電磁
    波ノイズを発生させる電磁波ノイズ発生源を有し、試料
    に対して所望のプロセスを実行する製造装置と、 該製造装置から発生する電磁波ノイズを検知する検知ユ
    ニットと、 該検知ユニットにより検知された電磁波ノイズが所定の
    レベル以下のとき、前記荷電粒子ビームプロセス装置に
    おける荷電粒子ビームを照射して所望のプロセスを実行
    するように制御する制御装置とを備えたことを特徴とす
    る製造ライン。
14. 【請求項１４】振動を検知する検知ユニットを備え、試
    料室内に導入された試料に対して荷電粒子ビームを照射
    して所望のプロセスを実行し、その後前記試料を前記試
    料室内から導出される荷電粒子ビームプロセス装置と、 該荷電粒子ビームプロセス装置の近傍を走行若しくは該
    装置の内部に出入りするように走行して前記複数の試料
    を収納したカセットを搬送し、振動を発生する振動発生
    源を有する搬送装置と、 前記荷電粒子ビームプロセス装置における荷電粒子ビー
    ムを照射して所望のプロセスを実行する区間において前
    記検知ユニットにより検知された振動レベルが所定のレ
    ベル以上のとき、前記搬送装置の振動発生源の機能を停
    止若しくは抑制するように制御する制御装置とを備えた
    ことを特徴とする製造ライン。
15. 【請求項１５】振動を検知する検知ユニットを備え、試
    料室内に導入された試料に対して荷電粒子ビームを照射
    して所望のプロセスを実行し、その後前記試料を前記試
    料室内から導出される荷電粒子ビームプロセス装置と、 該荷電粒子ビームプロセス装置の近傍を走行若しくは該
    装置の内部に出入りするように走行して前記複数の試料
    を収納したカセットを搬送し、振動を発生させる振動発
    生源を有する搬送装置と、 該搬送装置の振動発生源の機能を停止若しくは抑制して
    前記検知ユニットにより検知された振動レベルが所定の
    レベル以下のとき、前記荷電粒子ビームプロセス装置に
    おける荷電粒子ビームを照射して所望のプロセスを実行
    するように制御する制御装置とを備えたことを特徴とす
    る製造ライン。
16. 【請求項１６】試料室内に導入された試料に対して荷電
    粒子ビームを照射して所望のプロセスを実行し、その後
    前記試料を前記試料室内から導出される荷電粒子ビーム
    プロセス装置と、 該荷電粒子ビームプロセス装置の近傍に設置され、振動
    を発生させる振動発生源を有し、試料に対して所望のプ
    ロセスを実行する製造装置と、 該製造装置から発生する振動レベル若しくは伝播される
    振動レベルを検知する検知ユニットと、 前記荷電粒子ビームプロセス装置における荷電粒子ビー
    ムを照射して所望のプロセスを実行する区間において、
    前記検知ユニットにより検知された振動レベルが所定の
    レベル以上のとき、前記製造装置の振動発生源の機能を
    停止若しくは抑制するように制御する制御装置とを備え
    たことを特徴とする製造ライン。
17. 【請求項１７】試料室内に導入された試料に対して荷電
    粒子ビームを照射して所望のプロセスを実行し、その後
    前記試料を前記試料室内から導出される荷電粒子ビーム
    プロセス装置と、 該荷電粒子ビームプロセス装置の近傍に設置され、振動
    を発生させる振動発生源を有し、試料に対して所望のプ
    ロセスを実行する製造装置と、 該製造装置から発生する振動レベル若しくは伝播する振
    動レベルを検知する検知ユニットと、 該検知ユニットにより検知された振動レベルが所定のレ
    ベル以下のとき、前記荷電粒子ビームプロセス装置にお
    ける荷電粒子ビームを照射して所望のプロセスを実行す
    るように制御する制御装置とを備えたことを特徴とする
    製造ライン。
18. 【請求項１８】前記荷電粒子ビームプロセス装置は、電
    子ビームを照射するＳＥＭ装置で構成することを特徴す
    る請求項１〜１７の何れかに記載の製造ライン。
19. 【請求項１９】電動モータの駆動源を駆動することによ
    って搬送装置を所定の軌道に沿って走行させて前記搬送
    装置に搭載された複数の半導体デバイスを収納したカセ
    ットを搬送する搬送工程と、 該搬送工程によって搬送されてきたカセットから半導体
    基板を取り出し、この取り出された半導体デバイスをＳ
    ＥＭ装置の試料室内に導入し、前記搬送装置の駆動源に
    対して制御することにより該駆動源から受ける電磁波ノ
    イズが所定レベル以下のとき前記導入された半導体デバ
    イスに対してＳＥＭ装置の電子ビーム鏡筒から電子ビー
    ムを照射して電子検出器により半導体デバイスから高解
    像度を有する２次電子若しくは反射電子を検出し、この
    検出される高解像度を有する２次電子若しくは反射電子
    に基いて半導体デバイス上のパターン若しくは欠陥を測
    定若しくは検査するＳＥＭ測定／検査工程とを有し、該
    ＳＥＭ測定／検査工程によって測定若しくは検査された
    情報を元に半導体プロセスを制御することを特徴とする
    半導体デバイスの製造方法。