JP2001266410A - 表面読み出し型光記録媒体 - Google Patents

表面読み出し型光記録媒体

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JP2001266410A
JP2001266410A JP2000081804A JP2000081804A JP2001266410A JP 2001266410 A JP2001266410 A JP 2001266410A JP 2000081804 A JP2000081804 A JP 2000081804A JP 2000081804 A JP2000081804 A JP 2000081804A JP 2001266410 A JP2001266410 A JP 2001266410A
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type optical
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Toshio Inao
俊雄 稲生
Koyata Takahashi
小弥太 高橋
Keiichiro Nishizawa
恵一郎 西澤
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Tosoh Corp
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Tosoh Corp
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  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 へッド浮上性、耐久性が良好であり、SNR
も向上している表面読み出し型光記録媒体を提供する。 【解決手段】 基板上に少なくとも反射層、記録層およ
び保護層をこの順に積層してなる表面読み出し型光記録
媒体において、貴金属または貴金属どうしの合金を9
0.0〜99.9原子%含有してなる反射層を用いる。
貴金属以外の成分としては、周期表IVA族、VA族お
よびVIA族からなる群より選ばれる1種以上の元素が
好ましい。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、書き換えが可能な
表面読み出し型光記録媒体、特に、レーザービームと磁
界によって情報の記録、再生及び消去を行なう表面読み
出し型光磁気記録媒体、あるいはレーザービームのみに
よって情報の記録、再生及び消去を行なう表面読み出し
型相変化型記録媒体に関する。
【0002】
【従来の技術】光記録媒体は、大容量・高密度記録が可
能な可搬型記録媒体であり、近年のマルチメディア化に
伴なうコンピュータの大容量ファイルや動画を記録する
書き換え型メディアとして需要が急増しつつある。
【0003】光磁気記録媒体は、一般にプラスチック等
の透明な円盤状の基板に記録層を含む多層膜を形成し、
磁界を加えながらレーザーを照射して記録、消去を行
い、レーザーの反射光で再生する。記録方式は、従来、
固定磁界を加えて消去した後、反対方向の固定磁界を加
えて記録するいわゆる光変調記録が中心であったが、近
年、レーザーを照射しながら、磁界を記録パターンに従
って変調させる磁界変調方式が、1回転で記録(ダイレ
クトオーバーライト)可能でしかも高記録密度になって
も正確に記録できる方式として注目を浴びている。
【0004】また、結晶相とアモルファス相との間の可
逆的相変化を利用した相変化記録方式もダイレクトオー
バーライトが可能で最近使用されるようになっている。
【0005】記録再生のためのレーザーは、従来、基板
を通して記録膜に照射されているが、最近、光学ヘッド
を記録膜に近付けて記録再生する、いわゆる、近接場光
記録が高密度化の手段として注目されている(App
l.Phys.Lett.68,p.141(199
6))。
【0006】この記録方法の一つとして、Solid
Immersion Lens(以下SILと略す)ヘ
ッドを使用し、レーザービームスポットサイズを縮小す
ることにより、光源のレーザー波長(λ)によって決ま
る従来の記録限界(〜λ/2NA:NAは対物レンズの
開口数)より短いマークでの再生が可能となる方法があ
り、超高記録密度の記録再生が実現できる。
【0007】この近接場光記録では、光学ヘッドを記録
媒体に近付ける必要があるために(〜100nm)、従
来の光記録媒体のように基板を通して記録膜にレーザー
ビームを照射するのではなく、基板を通さずに直接記録
膜にレーザービームを照射する方法を用いる。
【0008】すなわち、記録膜の構成が従来の光記録媒
体では基板/第1保護層/記録層/第2保護層/反射層
としているのが一般的であるのに対して、近接場光記録
では基板/反射層/第1保護層/記録層/第2保護層と
いう逆構成の膜構造として膜表面側からレーザービーム
を照射し、記録再生を行なう(表面読み出し型記録)。
【0009】また、最近では、レンズNAを1以下とし
て薄膜上の保護コート層を通してレーザーを照射し、記
録再生を行なう表面記録方式も提案されている(J.M
agn.Soc.Jpn.68,S1,p.269(1
999))。
【0010】近接場光記録では、記録膜とSILヘッド
とを近付けるために浮上式のスライダーヘッドを利用す
ることが多い。ヘッドと記録媒体との距離が非常に近く
なっているため(〜100nm)、ハードディスクドラ
イブの場合と同様に、ヘッドと記録媒体とのインターフ
ェイスの問題(ヘッドクラッシュ等)がある。また、薄
膜の表面性によるSNR低下の問題や記録媒体が直接大
気にさらされることに対する耐久性の確保が課題となっ
ている。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ヘッ
ド浮上特性が良好で耐久性に優れた、従来とは逆の膜構
成を有する表面読み出し型光記録媒体を提供することで
ある。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上述のよう
な現状に鑑み、鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成す
るに至った。
【0013】すなわち、本発明は、基板上に少なくとも
反射層、記録層および保護層をこの順に積層してなる表
面読み出し型光記録媒体において、貴金属または貴金属
どうしの合金を90.0〜99.9原子%含有してなる
反射層を用いることを特徴とする表面読み出し型光記録
媒体に関する。
【0014】以下に本発明を更に詳細に説明する。
【0015】図1に本発明の表面読み出し型光記録媒体
の一実施態様の部分断面図を示す。基板11上に反射層
12、記録層13、保護層14が積層されている。
【0016】基板11としては機械特性などの媒体基板
としての特性を満たすものであれば特に限定されず、ガ
ラスや、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィ
ン、熱可塑性エンジニアリングプラスチック等の熱可塑
性樹脂を用いることができる。基板上には、情報を記録
するためにピット、ランド部や案内溝等を片面または両
面に射出成形等により設けることができ、近接場記録用
の基板としては、基板の両面にそれらを設けることが、
記録容量を増大させる点で好ましい。
【0017】反射層12は、貴金属または貴金属どうし
の合金を90.0〜99.9原子%含有してなる膜で構
成される。ここで、貴金属元素としては、Ru、Rh、
Pd、Os、Ir、Pt、AgまたはAuを例示するこ
とができ、これらの中から1種以上の元素を用いればよ
いが、好ましくは、Au、Pt、PdまたはAgより選
ばれる1種以上の元素、更に好ましくはAuを用いれば
よい。
【0018】反射層12における貴金属または貴金属ど
うしの合金の含有量は、記録感度および反射率の観点か
ら95.0〜99.9原子%が好ましい。
【0019】反射層に存在する貴金属以外の成分元素と
しては、特に限定はないが、好ましくは、耐久性および
ヘッド浮上特性の点で、周期表のIVA族、VA族、V
IA族からなる群より選ばれる元素を1種以上用いる。
【0020】周期表のIVA族、VA族またはVIA族
の元素としては、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、
Cr、Mo、W等を例示することができる。
【0021】周期表のIVA族、VA族、VIA族から
なる群より選ばれる元素の反射層における含有量は、
0.1原子%〜10原子%、好ましくは、記録感度およ
び反射率の観点から0.1〜5.0原子%である。
【0022】貴金属または貴金属どうしの合金と、周期
表のIVA族、VA族またはVIA族の元素との好まし
い組み合わせとしては、AuCr、AuTa、AuT
i、AuV、AuNb、AuW、AuZr等を例示する
ことができる。
【0023】また、反射層を構成する材質として、一般
式Ag1-X-YXYと表わされる合金も使用することが
できる。ここで、AはAu、PtまたはPdから選ばれ
る少なくとも1種以上の元素であり、BはCu、Ti、
Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、MoまたはWから
選ばれる少なくとも1種以上の元素であり、XおよびY
の範囲は、0.001≦X≦0.1、0.001≦Y≦
0.1、好ましくは、0.001≦X≦0.08、0.
001≦Y≦0.08かつX+Y≦0.1である。
【0024】このような材質で反射層を構成することに
より、ヘッド浮上性、耐久性向上のほかにSNRが向上
するので好ましい。
【0025】基板11と反射層12との間に、密着性を
向上させる目的等でCr膜等からなる下地層を形成して
もよい。
【0026】記録層13としては、垂直磁化で保磁力が
大きい材料であればよく、例えば、TbFeCo又はT
bFeCoを主体とした材料を例示することができる。
記録層の保磁力は、記録された情報を安定に保持するた
め大きいほど好ましいが、近接場光磁気記録用の光磁気
記録媒体としては5kOe以上であることが好ましい。
【0027】また、記録層として結晶相とアモルファス
相との間の可逆的相変化を利用した相変化記録媒体も使
用することができる。この場合、記録層で発生する熱が
大きいため反射層12と記録層13との間に保護層を形
成することが好ましい。しかしながら、記録層としては
磁気超解像などの高記録密度化技術の点で光磁気記録媒
体の方がより好ましい。
【0028】保護層14としては、SiN、AlN、S
iAlON、Ta25、ZnSとSiO2との混合材料
などの透明な誘電体で構成さることができる。スライダ
ーヘッドの浮上特性を良好なものとするために、保護層
14は、透明な誘電体層と、カーボンに水素や窒素を添
加させたダイヤモンドライクカーボン(DLC)固体潤
滑層との積層であってもよい。
【0029】また、さらにこの保護層14の上に、極薄
いパーフルオロポリエーテルなどの液体の潤滑層をディ
ップ引き上げ法等の方法で形成することによりスライダ
ーヘッドの浮上特性が更に良好となる。
【0030】以上の下地層、反射層、記録層、保護層、
固体潤滑層の形成には真空蒸着法やスパッタ法などの真
空薄膜形成技術を使用することができる。
【0031】また、当表面読み出し型光記録媒体は保護
層14の形成後にアクリル系紫外線硬化樹脂などからな
る保護コート層を形成することによって、NAが1以下
の光学系に対する表面読み出し型光記録媒体としても利
用することができる。保護コート層の形成には真空薄膜
形成技術やディップ引き上げ法、スピンコート法などが
利用できる。
【0032】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づき更に詳細に説
明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるも
のではない。
【0033】実施例1 図2に示すような構造の表面読み出し型光磁気記録用の
媒体を製造した。すなわち、トラックピッチ0.45μ
mの案内溝の付いたポリカーボネート製の基板21上
に、反射層22として膜厚50nmのAu0.98Cr0.02
合金膜をスパッタ法により形成した。この上にTb0.20
(Fe0.76Co0.20Ta0.040.80からなる記録層23
を20nmの厚みにDCスパッタ法により形成した。
【0034】さらにその上に、SiNからなる保護層2
4をArとN2との混合雰囲気中でSiターゲットを使
用した反応性DCスパッタ法で65nm、DLCからな
る固体潤滑層25をArとCH4の混合雰囲気中でCタ
ーゲットを使用した反応性RFスパッタ法で15nm形
成した。DLC層を形成した後、パーフルオロポリエー
テル系の潤滑層26を引き上げ法で1nm塗布して光磁
気記録媒体を製造した。
【0035】実施例2 反射層22をAu0.98Ta0.02、Au0.98Ti0.02、A
0.980.02、Au0.98Nb0.02、Au0.980.02とそ
れぞれ変えた他は、実施例1と同様の方法で表面読み出
し型光磁気記録媒体を製造した。
【0036】実施例3 反射層22をAg0.98Pd0.01Ta0.01、Ag0.98Pt
0.01Ti0.01、Ag0.98Au0.01Zr0.01とそれぞれ変
えた他は、実施例1と同様の方法で表面読み出し型光磁
気記録媒体を製造した。
【0037】実施例4 トラックピッチ0.55μmの基板を使用し、DLC層
の形成後、アクリル系紫外線硬化樹脂からなる保護コー
ト層をスピンコート法で10μmの厚みに形成し、更に
パーフルオロポリエーテル系の潤滑層を引き上げ法で1
nm塗布した他は、実施例1と同様の方法で表面読み出
し型光磁気記録媒体を製造した。
【0038】実施例5 基板両面にトラックピッチ0.45μmの案内溝の付い
たポリカーボネート製基板を用いて、その両面に実施例
1と同様な構成の膜を形成した。膜形成後にパーフルオ
ロポリエーテル系潤滑層を引き上げ法で1nm塗布して
表面読み出し型光磁気記録媒体を製造した。
【0039】比較例1 図3に示すような構造の表面読み出し型光磁気記録用の
媒体を製造した。すなわち、トラックピッチ0.45μ
mの案内溝の付いたポリカーボネート製の基板31上に
反射層32として膜厚50nmのAu、あるいはAgの
膜をスパッタ法により形成した。この上にTb0.20(F
0.76Co0.20Ta0.040.80からなる記録層33を2
0nmの厚みにDCスパッタ法により形成した。
【0040】さらにその上に、SiNからなる保護層3
4をArとN2の混合雰囲気中でSiターゲットを使用
した反応性DCスパッタ法で65nm、DLCからなる
固体潤滑層35をArとCH4の混合雰囲気中でCター
ゲットを使用した反応性RFスパッタ法で15nm形成
した。DLC層を形成した後、パーフルオロポリエーテ
ル系の潤滑層36を引き上げ法で1nm塗布して光磁気
記録媒体を製造した。
【0041】実施例1〜3および比較例1の光磁気記録
媒体に対して以下に示すようなグライドテストを行なっ
た。
【0042】スピンドル上に光磁気記録媒体をセットし
て回転させる。はじめにワッフルバーニッシュヘッド
(グライドハイト社製、フライングハイト:25nm)
を用いて半径20〜60mmの間を1回シークする。次
にピエゾ素子のついたグライドヘッド(グライドハイト
社製、フライングハイト:50nm)でディスク上をシ
ークし、ピエゾ素子に誘起される電圧値をモニターす
る。この電圧値が500mV以上をヒットとしてカウン
トする。ヒットカウントが0〜2を非常に良好、3〜5
を良好、6〜9をやや良好、10以上を不良とする。
【0043】表1にグライドテスト結果及び80℃、8
5%RHの環境で250時間の加速耐久性テストの結果
を示す。表の中の×は不良、△はやや良好、○は良好、
◎は非常に良好であることを示す。また、レーザー波長
680nm、有効開口数1.2のスライダーSILヘッ
ドを用いて0.3μmのマーク長の信号を記録再生した
ときのSNRの値も同時に示す。
【0044】
【表1】
【0045】表1から、各実施例の光記録媒体は、比較
例1の光記録媒体と比べてヘッド浮上性、耐久性だけで
なくSNRも向上していることがわかる。
【0046】実施例4の表面読み出し型光磁気記録媒体
に対してレーザー波長680nm、有効開口数0.8の
光学系を有するスライダーヘッドを使用して記録特性を
測定したところ、マーク長0.4μmにおいて23dB
の良好なSNR値が得られ、オーバーコートを施した表
面読み出し型光磁気記録媒体としても使用可能であるこ
とが確かめられた。
【0047】また、実施例5の表面読み出し型光磁気記
録媒体に対して、レーザー波長680nm、有効開口数
1.2のスライダーSILヘッドを使用して記録特性を
測定したところ、両面ともマーク長0.3μmにおいて
21dBの良好なSNR値が得られ、両面光記録媒体と
しても使用可能であることが確認できた。
【0048】
【発明の効果】本発明の表面読み出し型光記録媒体は、
ヘッド浮上性、耐久性が良好であり、更にSNRも向上
した優れた特性をもつ表面読み出し型光記録媒体であ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の表面読み出し型光記録媒体の一例の
構造を示す部分断面図である。
【図2】 本発明の実施例1の構造を示す部分断面図で
ある。
【図3】 本発明の比較例1の構造を示す部分断面図で
ある。
【符号の説明】
11、21、31:基板 12、22、32:反射層 13、23、33:記録層 14、24、34:保護層 25、35:固体潤滑層 26、36:潤滑層

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板上に少なくとも反射層、記録層およ
    び保護層をこの順に積層してなる表面読み出し型光記録
    媒体において、貴金属または貴金属どうしの合金を9
    0.0〜99.9原子%含有してなる反射層を用いるこ
    とを特徴とする表面読み出し型光記録媒体。
  2. 【請求項2】 周期表IVA族、VA族およびVIA族
    からなる群より選ばれる1種以上の元素を、0.1〜1
    0.0原子%の範囲で反射層に含有することを特徴とす
    る請求項1記載の表面読み出し型光記録媒体。
  3. 【請求項3】 貴金属元素がAuであることを特徴とす
    る請求項1または請求項2に記載の表面読み出し型光記
    録媒体。
  4. 【請求項4】 基板上に少なくとも反射層、記録層およ
    び保護層をこの順に積層してなる表面読み出し型光記録
    媒体において、一般式Ag1-X-YXY(但し、AはA
    u、PtまたはPdから選ばれる少なくとも1種以上の
    元素、BはCu、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、
    Cr、MoまたはWから選ばれる少なくとも1種以上の
    元素、0.001≦X≦0.1、0.001≦Y≦0.
    1である)で表される合金を反射層とすることを特徴と
    する表面読み出し型光記録媒体。
  5. 【請求項5】 反射層と磁気光学効果を有する記録層と
    が直接積層されていることを特徴とする請求項1〜4の
    いずれか1項に記載の表面読み出し型光記録媒体。
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