JP2001264577A - 光部品及びその製造方法並びに光部品用ウエハ及びその製造方法 - Google Patents

光部品及びその製造方法並びに光部品用ウエハ及びその製造方法

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JP2001264577A
JP2001264577A JP2000081936A JP2000081936A JP2001264577A JP 2001264577 A JP2001264577 A JP 2001264577A JP 2000081936 A JP2000081936 A JP 2000081936A JP 2000081936 A JP2000081936 A JP 2000081936A JP 2001264577 A JP2001264577 A JP 2001264577A
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optical
substrate
manufacturing
pin
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Akira Tomaru
暁 都丸
Yujiro Kato
雄二郎 加藤
Makoto Hikita
真 疋田
Kouji Enbutsu
晃次 圓佛
Toru Maruno
透 丸野
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Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 簡易な取り扱いが可能な光部品、または容易
に利用可能な光部品を切り出して使用可能な光部品用ウ
エハを提供する。 【解決手段】 光導波路あるいは受発光部品あるいは両
者の組み合わせからなる光部品において、MTコネクタ
付光ファイバと無調芯で光接続が可能となるピンガイド
穴を少なくとも2個以上有する。また、光部品同士が光
部品に属するピンガイド穴に挿入されたピンを通して無
調芯で接続され、新たな光部品が構成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光部品及びその製
造方法並びに光部品用ウエハ及びその製造方法に関し、
特に、一般光学や微小光学分野で、また、光通信や光情
報処理の分野で用いられる種々の光集積回路あるいはレ
セプタクル型光部品の製造方法、さらには光インタコネ
クション分野での光導波路素子を簡便にしかも低コスト
で実現することを目的としたレセプタクル型光部品とそ
の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】光情報処理、光通信分野で用いる光導波
路は、集積化、微小化、高機能化、低価格化をめざして
近年検討が盛んになってきている。実際に、石英系光導
波路素子が光通信分野の一部では実用化されるに至って
いる(文献:河内 正夫,NTTR&D Vol.43 N
o.11 p.101(1994) 参照)。また、安価な材
料を用いて、簡便な光導波路作製法が選択できる高分子
導波路の検討も盛んである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
光導波路は、光ファイバ接続、パッケージング工程の自
動化が進んでいないため、電子部品に比較すると低コス
ト化が困難となっている。例として従来の一般的な光導
波路素子の作製工程を以下に説明する。
【0004】まず、ウエハレベルで光導波路を作製した
後、このウエハをダイシングソー等により多数のチップ
に切断する。その後、ピグテール型の光導波路部品とす
るために受発光装置を用いて光を通しながら、光導波路
コアと光ファイバコアを調芯し、接着剤を用いて固定す
る。次に機械的あるいは環境安定性等の信頼性の確保を
目的としてあるいは搭載する装置に合うようにパッケー
ジングして最終製品とする。
【0005】こうした作製方法では、チップ毎にすべて
光ファイバ接続工程、パッケージング工程が必要となる
ため、自動化がある程度進んでも大量生産や低コスト化
することが困難となる。また、ピグテール型の光部品で
は光ファイバの余長をとるための空間が必要であった
り、光ファイバのもろさ等を考慮する必要があり、取り
扱いの簡便さ、小型化の面で不利であった。
【0006】本発明の目的は、簡易な取り扱いが可能な
光部品及びその製造方法を提供することにある。
【0007】本発明の他の目的は、容易に利用可能な光
部品を切り出して使用可能な光部品用ウエハ及びその製
造方法を提供することにある。
【0008】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
にする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明の概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【0010】(1)光導波路あるいは受発光部品あるい
は両者の組み合わせからなる光部品において、コネクタ
付光ファイバと無調芯で光接続が可能となるピンガイド
穴を少なくとも2個以上有している。
【0011】(2)(1)の光部品において、該光部品
同士が光部品に属するピンガイド穴に挿入されたピンを
通して無調芯で接続され、新たな光部品が構成される。
【0012】(3)(1)または(2)の光部品におい
て、光部品に属するピンガイド穴の2個がピンを介して
コネクタ付光ファイバと無調芯で光接続し、前記光部品
に属するその他のピンガイド穴が光接続して固定する
際、機械的振動などに対して安定性を高める役割をす
る。
【0013】(4)光導波路あるいは受発光部品あるい
は両者の組み合わせからなる光部品の製造方法におい
て、基板上に前記光導波路の一組以上を形成し、その
後、基板上の光導波路に対して所望の位置にV溝を1本
以上形成し、前記V溝の溝部分にピンを挿入し、次に、
成形するための樹脂をV溝にピンが挿入された状態にあ
る基板上に覆い、その樹脂成形した後、ピンを除去し、
それぞれの光導波路に切断する一連の操作を行う。
【0014】(5)(4)の光部品の製造方法におい
て、前記V溝がその上に配置されたピンの中心位置の基
板上面からの高さと光導波路のコア中心までの基板上面
からの高さあるいは光部品の光軸の高さが1μm以内で
一致するように前記V溝の幅を加工し、かつ、隣り合う
V溝の中心位置の幅がコネクタ付光ファイバのコネクタ
に存在する2つのピンガイド穴の中心位置の幅と1μm
以内で一致するように加工する。
【0015】(6)(4)の製造方法において、前記V
溝が前記基板にあらかじめ作製される。
【0016】(7)(4)の光部品の製造方法におい
て、前記光導波路のコア及びクラッドが、石英系ガラス
あるいはポリイミド、ポリシロキサン、エポキシ樹脂、
アクリル樹脂、ポリオレフィン、ポリカーボネートなど
の高分子材料からなる。
【0017】(8)基板上に光部品と電極あるいは光部
品制御ICを含んだ光部品が一組以上構成された光部品
用ウエハにおいて、コネクタ付光ファイバと無調芯で光
接続が可能となるピンガイド穴を少なくとも2個以上有
する。
【0018】(9)(8)の光部品用ウエハにおいて、
前記光部品同士が光部品に属するピンガイド穴に挿入さ
れたピンを通して無調芯で接続され、新たな光部品が構
成される。
【0019】(10)(8)または(9)の光部品用ウ
エハにおいて、光部品に属するピンガイド穴の2個がピ
ンを介してコネクタ付光ファイバと無調芯で光接続し、
前記光部品に属するその他のピンガイド穴が光接続して
固定する際、機械的振動などに対して安定性を高める役
割をする。
【0020】(11)基板上に光部品と電極あるいは光
部品制御ICを含んだ光部品を一組以上形成する光部品
用ウエハの製造方法において、前記基板上に前記光導波
路の一組以上を形成し、その後、基板上の受発光搭載部
に対して所望の位置にV溝を1本以上形成し、前記V溝
の溝の部分にピンを挿入し、次に、成形するための樹脂
を前記V溝にピンが挿入された状態にある基板上に覆
い、樹脂成形した後、ピンを除去する光部品用ウエハの
製造方法である。
【0021】(12)(11)の光部品用ウエハの製造
方法において、前記V溝がV溝上に置かれたピンの中心
位置の基板上面からの高さと光導波路のコア中心までの
基板上面からの高さあるいは光部品の光軸の高さが1μ
m以内で一致するように前記V溝の幅を加工し、かつ、
隣り合うV溝の中心位置の幅がコネクタ付光ファイバの
コネクタに存在する2つのピンガイド穴の中心位置の幅
と1μm以内で一致するように加工する。
【0022】(13)(11)の光部品用ウエハの製造
方法において、前記V溝が前記基板にあらかじめ作製さ
れる。
【0023】(14)(11)の光部品用ウエハの製造
方法において、前記光導波路のコア及びクラッドが、石
英系ガラスあるいはポリイミド、ポリシロキサン、エポ
キシ樹脂、アクリル樹脂、ポリオレフィン、ポリカーボ
ネートなどの高分子材料からなる。
【0024】すなわち、本発明のポイントは、パッケー
ジング工程及びファイバ接続工程をウエハレベルで行
い、大量生産、低コスト化、簡便な操作性を満足する光
部品とその製造方法を実現する。
【0025】本発明では、ウエハレベルでパッケージン
グ、接続のための部品を作り込むことが可能となるため
光部品製造における工程が大幅に簡素化できる。また、
本発明の製造工程は、ウエハレベルのパッケージングの
概念を取り入れたもので電子部品、特に、LSI製造の
分野では、現在、非常に検討が盛んで、低コスト化に大
きな威力が発揮されている(参考文献:電子材料 10
月号 p.100〜)。
【0026】光部品の場合にはパッケージングについて
は、ほぼ電子部品と同様であるが、入出力(IO)部分
が大きく異なり、多くの場合、光ファイバと接続して光
IOとする。このため、電子部品のウエハレベルのパッ
ケージングと全く同一にすることはできない。新たに光
接続部をウエハレベルで作製することが必要となる。
【0027】一方、光部品で電気・光混載素子も存在す
るが、電気の入出力(IO)については、電子部品のウ
エハレベルのパッケージングの概念と同様な手法は勿論
使うことができる。本発明では、ウエハレベルのパッケ
ージングを可能とする光IOにするためには、素子の光
IOとしてレセプタクル型が最適である。
【0028】レセプタクル型とすると、ピグテール型の
光部品と異なり、光ファイバの余長をとるための空間が
必要なく、素子自体がコンパクトになること、及び取り
扱いも光ファイバのもろさを考慮することがないことか
ら簡便になる特徴を有している。
【0029】これらレセプタクル型に対応できるコネク
タとしては、MTコネクタ(Mechanically
Transferable connector)、MP
Oコネクタ(Multifiber Push−On c
onnector)、SCコネクタ(Single fi
ber Coupling optical fiber
connector)、MUコネクタ(Miniatur
e Unit−coupling connecto
r)、FPCコネクタ(Fiber Physical C
ontact connector)が考えられる。これ
らのコネクタのうち、本発明におけるウエハレベルのパ
ッケージングが可能なIO部分として最適と考えられる
のは、MTの様なコンパクトで多芯の光ファイバ接続が
可能なものである。
【0030】MTに対応する光IOを採用することによ
り、本発明では、ウエハレベルで光IO部分、パッケー
ジングが行われるため従来の光部品作製工程では必須で
あった光ファイバ接続工程、パッケージング工程を省略
することが可能であるため、同一の光部品を大量にしか
も低コストで実現できる。
【0031】以下に、本発明におけるウエハレベルで光
10部分の作り込み方法及びパッケージング方法を説明
する。
【0032】MTコネクタ付光ファイバを接続するため
には、本発明の光部品に2個以上のピンガイド穴が必要
となる。MTコネクタ付の光ファイバにおける2つのピ
ンの中心位置は、光ファイバのコア中心に対して高さ方
向は一致し、2つのピンの中心位置の幅は一定となって
いる。この位置にあわせて同じ間隔で、本発明のピンガ
イド穴の位置も作製することが必要となる。また、本発
明の光部品にあるピンガイド穴の中心を結ぶ線上に光導
波路コアあるいは光素子の中心は一致しなければならな
い。その精度は許容光接続損失を0.5dB以内と考え
ると、1μm以内にすることが必要となる。さらに、本
発明においては、光部品の接続の役割を果たすピンガイ
ド穴以外に接続強度を増す役割を果たすピンガイド穴を
設けて機械的振動に対する信頼性を増加させることも可
能である。
【0033】また、こうした光部品おいて反射損等を低
減する必要がある場合はそれぞれのチップにダイシング
するか、短冊状にダイシングした後にまとめて端面を斜
め研磨すればよい。
【0034】以下に、本発明について、本発明による実
施形態(実施例)とともに図面を参照して詳細に説明す
る。
【0035】
【発明の実施の形態】図1(a)乃至図1(f)は、本
発明による一実施形態のレセプタクル型光部品及びその
製造方法の各製造工程における概略構成を示す断面図で
あり、1は基板(例えばSi基板)、2はV溝、3はV
溝の間隔、4はMTの2つのピンの中心位置の幅、5は
光導波路、6はピン、7は基板上にある光導波路のコア
中心までの高さ、8はパッケージのための樹脂、9は光
入出力(IO)の役目を果たすピンガイド穴、10は本
発明による光部品である。
【0036】本実施形態のレセプタクル型光部品は、図
1(f)に示すように、基板1にV溝2を設け、このV
溝2に光導波路5あるいは両者の組み合わせからなる光
部品10であって、MTコネクタ付光ファイバと無調芯
で光接続が可能となるピンガイド穴9を少なくとも2個
以上有する。
【0037】以下、本実施形態のレセプタクル型光部品
の製造方法を図1を用いて説明する。まず、図1(a)
に示すように、例えばSiウエハ等の基板1にV溝2を
形成する。このV溝2の間隔3は、図1(b)に示すよ
うに、MTの2つのピンの中心位置の幅4と同一とす
る。Si基板の場合は、KOHによる異方性エッチング
で酸化膜をフォトリソ工程によりパターン化して形成す
るため、V溝2の間隔3は、マスクパターンによって制
御可能であり、MTコネクタ付の光ファイバにおける2
つのピン6の中心位置の幅4と1μm以内で一致させる
ことができる。
【0038】次に、図1(c)に示すように、この基板
1上に光導波路5を形成する。そして、図1(d)に示
すように、V溝2上にピン6を配置した場合、このピン
6の中心位置を結んだ際の基板1の上面からの垂直方向
の高さは、エッチングして形成されるV溝2の幅によっ
て制御可能で、基板1の上にある光導波路5のコア中心
までの高さ7と1μm以内で一致させることができる。
図1(d)のように、このV溝2にMTピンと同様の大
きさを有するピン6を配置し、さらにパッケージのため
の保護用の樹脂8を前記基板1の上にこの基板1の上面
を覆うように成形し、図1(e)に示すように、ピン6
を抜くことによって光IOの役目を果たすピンガイド穴
9が形成される。
【0039】その後、基板(Siウエハ)1を各チップ
に切断することによって、図1(f)に示すような光I
Oの役目を果たすピンガイド穴9を有する本発明による
光部品10を得ることができた。
【0040】また、その他の種類の基板1を用いる場合
は、ダイシングソーで加工することによってV溝2が作
製でき、間隔、深さについてもダイシングソーで制御す
ることが可能である。
【0041】以下、さらに本発明による実施例をあげて
詳細に説明する。 (実施例1)図2(a)〜図2(f)は、本実施例1の
レセプタクル型光部品及びその製造方法の各工程におけ
る概略構成を示す図であり、11はシリコン(Si)ウ
エハ基板(以下、Siウエハ基板と称する)、12は1
×8分岐導波路、13はV溝、14はピン、15はMT
コネクタに用いる材料と同様の材料、16はMTピンに
対応するピンガイド穴、17は光導波路チップである。
【0042】まず、4インチのSiウエハ基板11上に
コア径8μm角、下部クラッド20μm、上部クラッド
10μmからなるポリマ材料のコア、クラッドからなる
1×8分岐導波路12(長さ30mm)を形成した。図
2(a)に示すように、分岐側8本が250μm間隔で
並列した分岐光導波路パターンが前記Siウエハ基板1
1上に20組ある。その後、図2(b)に示すように、
それぞれの組に中心間隔が3.75mmとなるようなV
溝13を二本加工した。深さは0.6mmにした。次
に、図2(c)に示すように、前記V溝13上にMTピ
ンと同様のピン14を乗せ、その後、図2(d)に示す
ように、MTコネクタに用いる材料と同様の材料15を
用いてSiウエハ基板11の全体を覆った(図2d)。
その後、図2(e)に示すように、ピン14を除いた。
こうして作製したSiウエハ基板11の全体をそれぞれ
のチップにダイシングすることにより、図2(f)に示
すように、ピン14に対応する穴16を有する本発明に
よる光部品17を作製することができた。
【0043】このように作製した光部品17をMTコネ
クタ付の8芯光ファイバと1芯のMTコネクタ付の光フ
ァイバを接続したところ、1×8の過剰損失は1.3μ
mで0.3dB、挿入損失は9.5dB、1.55μmで
過剰揖失0.3dB、挿入損失は10.7dBであった。
また、接続損失は0.2dB以下であった。
【0044】(実施例2)本実施例2のレセプタクル型
光部品は、前記実施例1と同様に石英ガラス材料からな
る光導波路をSiウエハ基板11上に作製した。その
後、前記実施例1と同様の方法により2×16分岐導波
路12を得ることができた。実際にMTコネクタ付光フ
ァイバと接続したところ、分岐過剰損失0.3dB、出
力ポートの損失ばらつき0.2dB以内、1.55μmの
挿入損失12.5dB以内であった。また、信頼性につ
いては、高温保持(85℃)、高温高湿(75℃、90
%RH)環境下においても損失の変動が0.3dB以内
に納まっていた。また、−40℃、75℃の範囲でのサ
イクル試験についても500サイクル以上行ったが、損
失変動は0.3dB以内であった。
【0045】(実施例3)図3(a)〜図3(e)は、
本実施例3の光送受信モジュールも及びその製造方法の
各工程における概略構成を示す図であり、21は1.3
μmと1.55μmの波長を合分波する光導波路、22
は波長フィルタ、23は電極、24はLD,PDを乗せ
るための台座、25は送受信部、26は1.3μm帯L
D、27は1.3μm帯PD、28は封止材料である。
【0046】本発明により光送受信モジュールも製造す
ることが可能である。その製造方法を図2及び図3を参
照して説明する。
【0047】まず、4インチSiウエハ基板上に図3
(a)に示すような1.3μmと1.55μmの波長を合
分波する光導波路21を前記実施例1と同様の方法で作
製した。コア径7μm角、下部クラッド4μm、上部ク
ラッド10μmからなるポリマ材料からなる光導波路2
1で、交差部に波長フィルタ22を挿入することにより
2波長が合分波でき、1チップの大きさは4mm×10
mmであった。
【0048】次に、図3(b)に示すように、Cuポリ
基板20上に所望の電極23、LD,PDを乗せるため
の台座24を加工した。1パターンの大きさは4mm×
8mmである。次に、V溝13を2本それぞれのパター
ンに加工した。深さは0.6mm、V溝13の中心の間
隔は3.75mmである。このV溝13の上にMTピン
と同様のピン14を乗せ、その後、MTコネクタに用い
る材料と同様の材料15を用いて台座24以外の部分
を、図3(c)のように、覆い(カバーし)、その後、
ピン14を除いてCuポリ基板20を切断して送受信部
品25を作製した。
【0049】次に、図3(d)のように、この台座に
1.3μm帯LD26、1.3μm帯PD27を搭載した
後、ピンガイド穴16を通して光導波路部と結合させ
た。その後、図3(e)に示すように、LD,PD,部
分を封止材料28にて封止し、MTコネクタ付光ファイ
バと接続した。LDとの結合損失は5dB、PDとの結
合損失は1dB程度であった。1.55μm光では挿入
損失1.5dBであった。
【0050】(実施例4)前記実施例1において用いた
基板のかわりに、中心間隔が3.75mmとなるような
V溝2本を1組とし、20組のV溝部分を有する基板を
用いた。次に、コア径8μm角、下部クラッド20μ
m、上部クラッド10μmからなるポリマ材料のコア、
クラッドからなる1×8分岐導波路(長さ30mm)を
V溝部分の中央に作製した。このV溝上にMTピンと同
様のピンを乗せ、その後、MTコネクタに用いる材料と
同様の材料を用いてウエハ全体をカバーした。その後、
ピンを除いた。こうして作製したウエハ全体をそれぞれ
のチップにダイシングすることにより、MTピンに対応
するピンガイド穴を有する導波路チップを作製した。
【0051】このように作製した導波路チップをMTコ
ネクタ付の8芯光ファイバと1芯のMTコネクタ付の光
ファイバを接続したところ、1.55μm過剰揖失0.3
dB、挿入損失は10.7dBであった。また、接続損
失は0.2dB以下であった。また、光導波路チップの
端面を斜め研磨して、対応するMTコネクタ付光ファイ
バと接続することも行ったが、挿入損失はほとんど変化
せず、反射損は50dB以下を得ることができた。
【0052】(実施例5)前記実施例4と同じ作製方法
によりポリマ材料のコア、クラッドからなる1×8分岐
導波路(長さ30mm)をV溝部分の中央に作製した。
次に、このV溝上にMTピンと同様のピンを乗せ、その
後、MTコネクタに用いる材料と同様の材料を用いてS
iウエハ基板上面の全体を覆う(カバーする)際、図4
に示すような金型30を用いて上面にもV溝を作製し
た。このV溝上にMTピンと同様のピンを乗せ、再度、
MTコネクタに用いる材料と同様の材料を用いてSiウ
エハ基板の上面の全体を覆い(カバーし)、その後、ピ
ンを除いた。こうして作製したSiウエハ基板をそれぞ
れのチップにダイシングすることにより、図5に示すよ
うなピンに対応するピンガイド穴31及びもう1つのピ
ンガイド穴32を有する導波路チップ33を作製した。
【0053】このように作製した導波路チップをMTコ
ネクタ付の8芯光ファイバと1芯のMTコネクタ付の光
ファイバを接続したところ、1.55μmで過剰損失0.
3dB、挿入損失は10.7dBであった。また、接続
損失は0.2dB以下であった。この場合には、上面のピ
ンガイド穴32で部品全体の接続強度が強固になり、機
械的振動にも十分耐え得る光部品が作製可能であった。
【0054】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、
前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論で
ある。
【0055】
【発明の効果】本願において開示される発明によって得
られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【0056】本発明による光部品及びその製造方法は、
光ファイバ接続工程、パッケージング工程がないため、
低コストで大量生産でき、かつ、簡易な取り扱いが可能
な光部品が実現できる。これにより、一般光学や微小光
学分野及び光通信や光情報処理の分野で用いられる種々
の光デバイスの低コスト化及び光部品が組み込まれる装
置の低価格化に貢献することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による一実施形態のレセプタクル型光部
品及びその製造方法の各工程における概略構成を示す図
である。
【0057】
【図2】本発明による実施例1のレセプタクル型分岐部
品及びその製造方法の各工程における概略構成を示す図
である。
【0058】
【図3】本発明による実施例3の光送受信モジュール及
びその製造方法の各工程における概略構成を示す図であ
る。
【0059】
【図4】本発明による実施例5のレセプタクル型光部品
の製造工程に用いる金型の断面図である。
【0060】
【図5】本実施例5のレセプタクル型分岐部品の概略構
成を示す断面図である。
【0061】
【符号の説明】
1…Siウエハ基板、2…V溝、3…V溝の間隔、4…
MTの2つのピンの中心位置の幅、5…光導波路、6…
ピン、7…基板上にある光導波路のコア中心までの高
さ、8…パッケージのための樹脂、9…光IOの役目を
果たすピンガイド穴、10…本発明による光部品、11
…Siウエハ基板、12…1×8分岐導波路、13…V
溝、14…ピン、15…MTコネクタに用いる材料と同
様の材料、16…MTピンガイド穴、17…光導波路チ
ップ、20…Cuポリ基板、21…1.3μmと1.55
μmの波長を合分波する光導波路、22…波長フィル
タ、23…電極、24…LD,PDを乗せるための台
座、25…送受信部、26…1.3μm帯LD、27…
1.3μm帯PD、28…封止材料、30…金型、31
…MTピンガイド穴、32…ピンガイド穴、33…本発
明による光導波路チップ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 疋田 真 東京都千代田区大手町二丁目3番1号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 圓佛 晃次 東京都千代田区大手町二丁目3番1号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 丸野 透 東京都千代田区大手町二丁目3番1号 日 本電信電話株式会社内 Fターム(参考) 2H036 LA03 NA01 QA02 QA49 QA56 2H037 AA01 BA02 BA11 BA24 DA12 DA31 2H047 KA04 MA05 QA02 RA08 TA05 TA11 TA44

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光導波路あるいは受発光部品あるいは両
    者の組み合わせからなる光部品において、コネクタ付光
    ファイバと無調芯で光接続が可能となるピンガイド穴を
    少なくとも2個以上有していることを特徴とする光部
    品。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の光部品において、該光
    部品同士が光部品に属するピンガイド穴に挿入されたピ
    ンを通して無調芯で接続され、新たな光部品が構成され
    ることを特徴とする光部品。
  3. 【請求項3】 請求項1または2に記載の光部品におい
    て、光部品に属するピンガイド穴の2個がピンを介して
    コネクタ付光ファイバと無調芯で光接続し、前記光部品
    に属するその他のピンガイド穴が光接続して固定する
    際、機械的振動などに対して安定性を高める役割をする
    ことを特徴とする光部品。
  4. 【請求項4】 光導波路あるいは受発光部品あるいは両
    者の組み合わせからなる光部品の製造方法において、前
    記基板上に前記光導波路の一組以上を形成し、その後、
    基板上の光導波路に対して所望の位置にV溝を1本以上
    形成し、前記V溝の溝部分にピンを挿入し、次に、成形
    するための樹脂をV溝にピンが挿入された状態にある基
    板上に覆い、その樹脂を成形した後、ピンを除去し、そ
    れぞれの光導波路に切断する一連の操作を行うことを特
    徴とする光部品の製造方法。
  5. 【請求項5】 請求項4に記載の光部品の製造方法にお
    いて、前記V溝がその上に配置されたピンの中心位置の
    基板上面からの高さと光導波路のコア中心までの基板上
    面からの高さあるいは光部品の光軸の高さが1μm以内
    で一致するように前記V溝の幅を加工し、かつ、隣り合
    うV溝の中心位置の幅がコネクタ付光ファイバのコネク
    タに存在する2つのピンガイド穴の中心位置の幅と1μ
    m以内で一致するように加工することを特徴とする光部
    品の製造方法。
  6. 【請求項6】 請求項4に記載の光部品の製造方法にお
    いて、前記V溝が前記基板にあらかじめ作製されること
    を特徴とする光部品の製造方法。
  7. 【請求項7】 請求項4に記載の光部品の製造方法にお
    いて、前記光導波路のコア及びクラッドが、石英系ガラ
    スあるいはポリイミド、ポリシロキサン、エポキシ樹
    脂、アクリル樹脂、ポリオレフィン、ポリカーボネート
    などの高分子材料からなることを特徴とする光部品の製
    造方法。
  8. 【請求項8】 基板上に光部品と電極あるいは光部品制
    御ICを含んだ光部品が一組以上構成された光部品用ウ
    エハにおいて、コネクタ付光ファイバと無調芯で光接続
    が可能となるピンガイド穴を少なくとも2個以上有する
    ことを特徴とする光部品用ウエハ。
  9. 【請求項9】 請求項8に記載の光部品用ウエハにおい
    て、前記光部品同士が光部品に属するピンガイド穴に挿
    入されたピンを通して無調芯で接続され、新たな光部品
    が構成されることを特徴とする光部品用ウエハ。
  10. 【請求項10】 請求項8または9に記載の光部品用ウ
    エハにおいて、光部品に属するピンガイド穴の2個がピ
    ンを介してコネクタ付光ファイバと無調芯で光接続し、
    前記光部品に属するその他のピンガイド穴が光接続して
    固定する際、機械的振動などに対して安定性を高める役
    割をすることを特徴とする光部品用ウエハ。
  11. 【請求項11】 ウエハ基板上に光部品と電極あるいは
    光部品制御ICを含んだ光部品を一組以上形成する光部
    品用ウエハ製造方法において、前記基板上に前記光導波
    路の一組以上を形成し、その後、基板上の受発光搭載部
    に対して所望の位置にV溝を1本以上形成し、前記V溝
    の溝の部分にピンを挿入し、次に、成形するための樹脂
    を前記V溝にピンが挿入された状態にある基板上に覆
    い、樹脂成形した後、ピンを除去することを特徴とする
    光部品用ウエハ製造方法。
  12. 【請求項12】 請求項11に記載の光部品用ウエハの
    製造方法において、前記V溝がその上に配置されたピン
    の中心位置の基板上面からの高さと光導波路のコア中心
    までの基板上面からの高さあるいは光部品の光軸の高さ
    が1μm以内で一致するように前記V溝の幅を加工し、
    かつ、隣り合うV溝の中心位置の幅がコネクタ付光ファ
    イバのコネクタに存在する2つのピンガイド穴の中心位
    置の幅と1μm以内で一致するように加工することを特
    徴とする光部品用ウエハの製造方法。
  13. 【請求項13】 請求項11に記載の光部品用ウエハの
    製造方法において、前記V溝が前記基板にあらかじめ作
    製されることを特徴とする光部品用ウエハの製造方法。
  14. 【請求項14】 請求項11に記載の光部品の製造方法
    において、前記光導波路のコア及びクラッドが、石英系
    ガラスあるいはポリイミド、ポリシロキサン、エポキシ
    樹脂、アクリル樹脂、ポリオレフィン、ポリカーボネー
    トなどの高分子材料からなることを特徴とする光部品用
    ウエハの製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007212786A (ja) * 2006-02-09 2007-08-23 Matsushita Electric Works Ltd 光伝送モジュール用コネクタ構造

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