JP2001257203A - 基板処理方法 - Google Patents
基板処理方法Info
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- JP2001257203A JP2001257203A JP2000068393A JP2000068393A JP2001257203A JP 2001257203 A JP2001257203 A JP 2001257203A JP 2000068393 A JP2000068393 A JP 2000068393A JP 2000068393 A JP2000068393 A JP 2000068393A JP 2001257203 A JP2001257203 A JP 2001257203A
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- gas
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- plasma
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- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】プラズマ処理された基板に帯電した静電気を短
時間で除電できる基板処理方法を提供する。 【解決手段】カソード２に接続された励起用高周波電源
５によりプロセスチャンバ４内で励起されたプロセスガ
スプラズマにより基板６上に成膜を行う。その後、励起
用高周波電源５からの高周波の印加を止め、成膜を終了
する。その後、ガス導入配管８に設置された励起用電源
９により励起されたＮ２、Ａｒ、Ｈｅなどの不活性ガス
でプロセスおよびエッチングに関係のないガスをプロセ
スチャンバ４内に導入する。リモート励起されたガスを
導入することで帯電した基板６を瞬時に除電する。規定
の時間後プロセスチャンバ４内を排気し、その後、基板
６をサセプタ７から持ち上げ、プロセスチャンバ４外に
搬出する。
時間で除電できる基板処理方法を提供する。 【解決手段】カソード２に接続された励起用高周波電源
５によりプロセスチャンバ４内で励起されたプロセスガ
スプラズマにより基板６上に成膜を行う。その後、励起
用高周波電源５からの高周波の印加を止め、成膜を終了
する。その後、ガス導入配管８に設置された励起用電源
９により励起されたＮ２、Ａｒ、Ｈｅなどの不活性ガス
でプロセスおよびエッチングに関係のないガスをプロセ
スチャンバ４内に導入する。リモート励起されたガスを
導入することで帯電した基板６を瞬時に除電する。規定
の時間後プロセスチャンバ４内を排気し、その後、基板
６をサセプタ７から持ち上げ、プロセスチャンバ４外に
搬出する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板処理方法に関
し、特に、各種半導体製造装置においてプラズマ処理後
の基板（ワーク）を搬送する際に、プラズマ処理によっ
て静電気で帯電した基板を除電する工程を備える基板処
理方法に関するものである。
し、特に、各種半導体製造装置においてプラズマ処理後
の基板（ワーク）を搬送する際に、プラズマ処理によっ
て静電気で帯電した基板を除電する工程を備える基板処
理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来技術について図２を参照して説明す
る。ガス導入ポート１より導入されたプロセスガスは、
カソード２内を通りシャワープレート３よりプロセスチ
ャンバ４内に導入され、カソード２に接続された励起用
高周波電源５によりプロセスチャンバ４内で励起され
る。そしてこの励起されたプロセスガスにより基板６上
に成膜処理を行っている。その処理の際、基板６は静電
気によって帯電し、成膜処理後サセプタ７上に張り付
く。
る。ガス導入ポート１より導入されたプロセスガスは、
カソード２内を通りシャワープレート３よりプロセスチ
ャンバ４内に導入され、カソード２に接続された励起用
高周波電源５によりプロセスチャンバ４内で励起され
る。そしてこの励起されたプロセスガスにより基板６上
に成膜処理を行っている。その処理の際、基板６は静電
気によって帯電し、成膜処理後サセプタ７上に張り付
く。
【０００３】従来は、この静電気を除電するために、成
膜処理後にプロセスガスを長時間流し、その後、基板搬
送のシーケンスを行っており、成膜処理後にプロセスガ
スを長時間流さなければならずタクトが長くなるという
問題があった。
膜処理後にプロセスガスを長時間流し、その後、基板搬
送のシーケンスを行っており、成膜処理後にプロセスガ
スを長時間流さなければならずタクトが長くなるという
問題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の主な
目的は、プラズマ処理された基板に帯電した静電気を短
時間で除電できる基板処理方法を提供することにある。
目的は、プラズマ処理された基板に帯電した静電気を短
時間で除電できる基板処理方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、基板処
理室内で基板をプラズマ処理する工程と、プラズマ処理
後、前記基板処理室とは離間した箇所で励起したガスを
前記基板処理室内に導入して前記基板を除電する工程
と、その後、前記基板を前記基板処理室外に搬出する工
程と、を備えることを特徴とする基板処理方法が提供さ
れる。
理室内で基板をプラズマ処理する工程と、プラズマ処理
後、前記基板処理室とは離間した箇所で励起したガスを
前記基板処理室内に導入して前記基板を除電する工程
と、その後、前記基板を前記基板処理室外に搬出する工
程と、を備えることを特徴とする基板処理方法が提供さ
れる。
【０００６】
【発明の実施の形態】次に、本発明の一実施の形態を図
面を参照して説明する。図１は、本発明の一実施の形態
を説明するための概略縦断面図である。
面を参照して説明する。図１は、本発明の一実施の形態
を説明するための概略縦断面図である。
【０００７】ガス導入ポート１より導入されたプロセス
ガスは、カソード２内を通りシャワープレート３よりプ
ロセスチャンバ４内に導入され、カソード２に接続され
た励起用高周波電源５によりプロセスチャンバ４内で励
起される。そしてこの励起されたプロセスガスプラズマ
により基板６上に成膜処理を行う。その後、励起用高周
波電源５からの高周波の印加を止め、成膜を終了する。
ガスは、カソード２内を通りシャワープレート３よりプ
ロセスチャンバ４内に導入され、カソード２に接続され
た励起用高周波電源５によりプロセスチャンバ４内で励
起される。そしてこの励起されたプロセスガスプラズマ
により基板６上に成膜処理を行う。その後、励起用高周
波電源５からの高周波の印加を止め、成膜を終了する。
【０００８】その後、ガス導入配管８に設置された励起
用電源９により励起されたＮ２、Ａｒ、Ｈｅなどの不活
性ガスでプロセスおよびエッチングに関係のないガスを
プロセスチャンバ４内に導入する。リモート励起された
ガスを導入することで帯電した基板６を瞬時に除電す
る。規定の時間後プロセスチャンバ４内を排気し、その
後、基板６をサセプタ７から持ち上げ、プロセスチャン
バ４外に搬出する。
用電源９により励起されたＮ２、Ａｒ、Ｈｅなどの不活
性ガスでプロセスおよびエッチングに関係のないガスを
プロセスチャンバ４内に導入する。リモート励起された
ガスを導入することで帯電した基板６を瞬時に除電す
る。規定の時間後プロセスチャンバ４内を排気し、その
後、基板６をサセプタ７から持ち上げ、プロセスチャン
バ４外に搬出する。
【０００９】ここで、励起用電源９としては、例えば、
低周波または高周波のＩＣＰ（誘導結合プラズマ、Indu
ctively coupled plasma）が用いられる。また、マイク
ロ波プラズマを用いることもできる。
低周波または高周波のＩＣＰ（誘導結合プラズマ、Indu
ctively coupled plasma）が用いられる。また、マイク
ロ波プラズマを用いることもできる。
【００１０】なお、プラズマによる成膜処理およびその
後の除電の条件の一例を挙げれば次のとおりである。
後の除電の条件の一例を挙げれば次のとおりである。
【００１１】
【表１】 プラズマによる成膜処理条件 成膜種 ：窒化シリコン（ＳｉＮ）膜 基板 ：ガラス基板 プロセスガス：ＳｉＨ４ １００ｃｃ／ｍｉｎ〜１０００ｃｃ／ｍｉｎ ＮＨ３ １０００ｃｃ／ｍｉｎ〜３０００ｃｃ／ｍｉｎ Ｎ２ ５０００ｃｃ／ｍｉｎ〜１００００ｃｃ／ｍｉｎ 温度 ：２００〜３５０℃ 電力 ：１ｋＷ〜１０ｋＷ 除電の条件 Ａｒ、Ｎ２またはＨｅ等不活性ガス ：１０００ｃｃ／ｍｉｎ〜５０００ｃｃ／ｍｉｎ 処理室内圧力：６０〜２７０Ｐａ 温度 ：２００〜３５０℃ プラズマ源 ：低周波ＩＣＰ
【００１２】上記条件で除電を行うと、窒化シリコン膜
が成膜された基板でｋＶの耐電圧が１００Ｖ以下まで低
下した。
が成膜された基板でｋＶの耐電圧が１００Ｖ以下まで低
下した。
【００１３】このように、プロセスチャンバ４の外部に
設けた励起用電源９によって励起されたガスを基板上に
送り込むことにより、プロセスチャンバ４内で励起した
ガスを使用する場合よりも除電効果が大きく得られ、ま
た基板６に与えるストレスも小さくなる。
設けた励起用電源９によって励起されたガスを基板上に
送り込むことにより、プロセスチャンバ４内で励起した
ガスを使用する場合よりも除電効果が大きく得られ、ま
た基板６に与えるストレスも小さくなる。
【００１４】なお、基板６としては、液晶表示素子形成
用のガラス基板が好適に使用される。また、半導体装置
製造用の半導体シリコンウェーハも好適に使用される。
用のガラス基板が好適に使用される。また、半導体装置
製造用の半導体シリコンウェーハも好適に使用される。
【００１５】上記のように、励起したガスを導入するシ
ステムを設けることで、基板６に帯電した静電気を瞬時
に除電できる。
ステムを設けることで、基板６に帯電した静電気を瞬時
に除電できる。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば、プラズマ処理された基
板に帯電した静電気を短時間で除電できる基板処理方法
が提供される。
板に帯電した静電気を短時間で除電できる基板処理方法
が提供される。
【図１】図１は、本発明の一実施の形態を説明するため
の概略縦断面図である。
の概略縦断面図である。
【図２】図２は、従来技術を説明するための概略縦断面
図である。
図である。
１…ガス導入ポート ２…カソード ３…シャワープレート ４…プロセスチャンバ ５…励起用高周波電源 ６…基板（ワーク） ７…サセプタ ８…ガス導入配管 ９…励起用電源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｃ
Claims (1)
- 【請求項１】基板処理室内で基板をプラズマ処理する工
程と、 プラズマ処理後、前記基板処理室とは離間した箇所で励
起したガスを前記基板処理室内に導入して前記基板を除
電する工程と、 その後、前記基板を前記基板処理室外に搬出する工程
と、 を備えることを特徴とする基板処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000068393A JP2001257203A (ja) | 2000-03-13 | 2000-03-13 | 基板処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000068393A JP2001257203A (ja) | 2000-03-13 | 2000-03-13 | 基板処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001257203A true JP2001257203A (ja) | 2001-09-21 |
Family
ID=18587452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000068393A Withdrawn JP2001257203A (ja) | 2000-03-13 | 2000-03-13 | 基板処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001257203A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170112875A (ko) * | 2016-03-30 | 2017-10-12 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 |
-
2000
- 2000-03-13 JP JP2000068393A patent/JP2001257203A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170112875A (ko) * | 2016-03-30 | 2017-10-12 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 |
| CN107293477A (zh) * | 2016-03-30 | 2017-10-24 | 株式会社日立国际电气 | 半导体器件的制造方法、衬底处理装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070605 |