JP2001255291A - 転写マスクの欠陥検査方法及び欠陥検査装置 - Google Patents
転写マスクの欠陥検査方法及び欠陥検査装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】転写マスクのパターン開口部の異物や突起等の
欠陥を精度良く、再現性良く検査するための転写マスク
の欠陥検査方法及び欠陥検査装置を提供することを課題
とする。 【解決手段】本発明の転写マスクの欠陥検査装置は、電
子線を照射する電子銃１０と、転写マスク５０を載置・
駆動するステージ４０と、転写マスク５０の通過電子を
検出する通過電子検出器２０と、転写マスク５０の二次
電子を検出する二次電子検出器３０と、通過電子検出器
２０及び二次電子検出器３０で得られた通過電子信号及
び二次電子信号を取り込み基準信号と比較して欠陥であ
るかどうかの判定処理を行う欠陥抽出部７０と、欠陥を
画像として表示する表示部８０と、検査装置全体及び個
々のユニットの駆動・制御する装置制御部６０とから構
成されている。
欠陥を精度良く、再現性良く検査するための転写マスク
の欠陥検査方法及び欠陥検査装置を提供することを課題
とする。 【解決手段】本発明の転写マスクの欠陥検査装置は、電
子線を照射する電子銃１０と、転写マスク５０を載置・
駆動するステージ４０と、転写マスク５０の通過電子を
検出する通過電子検出器２０と、転写マスク５０の二次
電子を検出する二次電子検出器３０と、通過電子検出器
２０及び二次電子検出器３０で得られた通過電子信号及
び二次電子信号を取り込み基準信号と比較して欠陥であ
るかどうかの判定処理を行う欠陥抽出部７０と、欠陥を
画像として表示する表示部８０と、検査装置全体及び個
々のユニットの駆動・制御する装置制御部６０とから構
成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造におい
て電子線露光にて回路パターンを転写するのに用いるシ
リコン等をマスク基材とした転写用マスクの欠陥検査方
法及び欠陥検査装置に関する。
て電子線露光にて回路パターンを転写するのに用いるシ
リコン等をマスク基材とした転写用マスクの欠陥検査方
法及び欠陥検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年半導体デバイスの微細化が進み、そ
の半導体基板上に微細な回路パターンを形成する技術と
して転写用マスクを用いた電子線露光方式の開発が進め
られている。転写用マスクは電子線露光装置に装着され
て用いられるものであるが、転写用マスクには回路パタ
ーン転写用に各種パターン開口部が多数形成されてい
る。そのパターン開口部を通過して半導体基板上に微細
な回路パターンを電子線で描画する時に、パターン開口
部、あるいはその近傍に異物や突起のような欠陥が存在
すると、その形状が半導体基板に転写されたり、電子線
が散乱し、正常な回路パターン形成に支障を生じ、半導
体デバイスとしての機能が満たされなくなってしまう。
そのため、転写用マスクの製造においてはこれらパター
ン開口部あるいはその近傍部及び開口部側面の異物や欠
陥を検査する技術が求められている。さらに、多数枚の
マスクを効率的に検査する技術が求められている。
の半導体基板上に微細な回路パターンを形成する技術と
して転写用マスクを用いた電子線露光方式の開発が進め
られている。転写用マスクは電子線露光装置に装着され
て用いられるものであるが、転写用マスクには回路パタ
ーン転写用に各種パターン開口部が多数形成されてい
る。そのパターン開口部を通過して半導体基板上に微細
な回路パターンを電子線で描画する時に、パターン開口
部、あるいはその近傍に異物や突起のような欠陥が存在
すると、その形状が半導体基板に転写されたり、電子線
が散乱し、正常な回路パターン形成に支障を生じ、半導
体デバイスとしての機能が満たされなくなってしまう。
そのため、転写用マスクの製造においてはこれらパター
ン開口部あるいはその近傍部及び開口部側面の異物や欠
陥を検査する技術が求められている。さらに、多数枚の
マスクを効率的に検査する技術が求められている。
【０００３】しかし、従来は光学顕微鏡や走査型電子顕
微鏡等を使用して詳細にパターン開口部及びその近傍部
を検査していたが、光学顕微鏡では解像力が足りず、ま
た走査型電子顕微鏡ではマスク基材が例えば１０μｍか
ら２０μｍの厚みを有しているために、パターン開口部
側面全体に焦点が合わない等の問題があるため、異物や
欠陥の見逃しがある頻度で発生する。また、作業者が一
つづつパターン開口部を部分的にモニターに写しだす等
の手段を用いて、その後は目視検査で確認しなくてはな
らないため非常に時間がかかっている。さらに、検出さ
れた転写マスクのパターン開口部の異物や突起等の欠陥
が、実際に転写された時に欠陥になるかどうかの判定が
難しく、良品の転写マスクを不良品と判定したり、ある
いは不良品の転写マスクを良品と判定したりして、欠陥
の良否判定が非常に難しいという問題を有している。
微鏡等を使用して詳細にパターン開口部及びその近傍部
を検査していたが、光学顕微鏡では解像力が足りず、ま
た走査型電子顕微鏡ではマスク基材が例えば１０μｍか
ら２０μｍの厚みを有しているために、パターン開口部
側面全体に焦点が合わない等の問題があるため、異物や
欠陥の見逃しがある頻度で発生する。また、作業者が一
つづつパターン開口部を部分的にモニターに写しだす等
の手段を用いて、その後は目視検査で確認しなくてはな
らないため非常に時間がかかっている。さらに、検出さ
れた転写マスクのパターン開口部の異物や突起等の欠陥
が、実際に転写された時に欠陥になるかどうかの判定が
難しく、良品の転写マスクを不良品と判定したり、ある
いは不良品の転写マスクを良品と判定したりして、欠陥
の良否判定が非常に難しいという問題を有している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点に
鑑み考案されたもので、転写マスクのパターン開口部の
異物や突起等の欠陥を精度良く、再現性良く検査するた
めの転写マスクの欠陥検査方法及び欠陥検査装置を提供
することを目的とする。
鑑み考案されたもので、転写マスクのパターン開口部の
異物や突起等の欠陥を精度良く、再現性良く検査するた
めの転写マスクの欠陥検査方法及び欠陥検査装置を提供
することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に於いて上記問題
を解決するために、まず請求項１においては、マスク基
材にパターン開口部が形成された電子線露光に用いられ
る転写マスクの欠陥検査方法において、転写マスクに電
子線照射を行い、パターン開口部を通過する通過電子信
号とパターン開口部近傍のマスク基材表面から反射され
る二次電子信号とをそれぞれの基準信号と比較して欠陥
を抽出することを特徴とする転写マスクの欠陥検査方法
としたものである。
を解決するために、まず請求項１においては、マスク基
材にパターン開口部が形成された電子線露光に用いられ
る転写マスクの欠陥検査方法において、転写マスクに電
子線照射を行い、パターン開口部を通過する通過電子信
号とパターン開口部近傍のマスク基材表面から反射され
る二次電子信号とをそれぞれの基準信号と比較して欠陥
を抽出することを特徴とする転写マスクの欠陥検査方法
としたものである。
【０００６】また、請求項２においては、マスク基材に
パターン開口部が形成された電子線露光に用いられる転
写マスクの欠陥検査方法において、転写マスクに電子線
照射を行い、パターン開口部以外のマスク基材表面の二
次電子信号とパターン開口部の通過電子信号とを重ね合
わせた検査信号を基準信号と比較して欠陥を抽出するこ
とを特徴とする転写マスクの欠陥検査方法としたもので
ある。
パターン開口部が形成された電子線露光に用いられる転
写マスクの欠陥検査方法において、転写マスクに電子線
照射を行い、パターン開口部以外のマスク基材表面の二
次電子信号とパターン開口部の通過電子信号とを重ね合
わせた検査信号を基準信号と比較して欠陥を抽出するこ
とを特徴とする転写マスクの欠陥検査方法としたもので
ある。
【０００７】また、請求項３においては、転写マスクに
電子線照射を行って検査用の前記二次電子信号及び前記
通過電子信号を得るための電子線照射条件が、転写マス
ク作製時の電子線露光に用いる電子線照射条件と同じで
あることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の転写
マスクの欠陥検査方法としたものである。
電子線照射を行って検査用の前記二次電子信号及び前記
通過電子信号を得るための電子線照射条件が、転写マス
ク作製時の電子線露光に用いる電子線照射条件と同じで
あることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の転写
マスクの欠陥検査方法としたものである。
【０００８】また、請求項４においては、マスク基材に
パターン開口部が形成された電子線露光に用いられる転
写マスクの欠陥検査装置において、転写マスクに電子線
を照射する電子線照射手段と、パターン開口部を通過す
る通過電子を検出する通過電子検出手段と、パターン開
口部近傍のマスク基材表面から反射される二次電子を検
出する二次電子検出手段と、通過電子検出手段で得られ
た通過電子信号と二次電子検出手段で得られた二次電子
信号とをそれぞれの基準信号と比較して欠陥を抽出する
欠陥抽出手段と、欠陥を確認する表示手段とを備えてい
ることを特徴とする転写マスクの欠陥検査装置としたも
のである。
パターン開口部が形成された電子線露光に用いられる転
写マスクの欠陥検査装置において、転写マスクに電子線
を照射する電子線照射手段と、パターン開口部を通過す
る通過電子を検出する通過電子検出手段と、パターン開
口部近傍のマスク基材表面から反射される二次電子を検
出する二次電子検出手段と、通過電子検出手段で得られ
た通過電子信号と二次電子検出手段で得られた二次電子
信号とをそれぞれの基準信号と比較して欠陥を抽出する
欠陥抽出手段と、欠陥を確認する表示手段とを備えてい
ることを特徴とする転写マスクの欠陥検査装置としたも
のである。
【０００９】また、請求項５においては、マスク基材に
パターン開口部が形成された電子線露光に用いられる転
写マスクの欠陥検査装置において、転写マスクに電子線
を照射する電子線照射手段と、パターン開口部を通過す
る通過電子を検出する通過電子検出手段と、パターン開
口部近傍のマスク基材表面から反射される二次電子を検
出する二次電子検出手段と、通過電子検出手段で得られ
た通過電子信号と二次電子検出手段で得られた二次電子
信号とを重ね合わせた検査信号を基準信号と比較して欠
陥を抽出する欠陥抽出手段と、欠陥を確認する表示手段
とを備えていることを特徴とする転写マスクの欠陥検査
装置としたものである。
パターン開口部が形成された電子線露光に用いられる転
写マスクの欠陥検査装置において、転写マスクに電子線
を照射する電子線照射手段と、パターン開口部を通過す
る通過電子を検出する通過電子検出手段と、パターン開
口部近傍のマスク基材表面から反射される二次電子を検
出する二次電子検出手段と、通過電子検出手段で得られ
た通過電子信号と二次電子検出手段で得られた二次電子
信号とを重ね合わせた検査信号を基準信号と比較して欠
陥を抽出する欠陥抽出手段と、欠陥を確認する表示手段
とを備えていることを特徴とする転写マスクの欠陥検査
装置としたものである。
【００１０】さらにまた、請求項６においては、請求項
４又は５記載の転写マスクの欠陥検査装置において、転
写マスクに電子線を照射して前記通過電子信号及び前記
二次電子信号を得るための電子線照射条件が、転写マス
ク作製時の電子線露光に用いる電子線照射条件と同じで
あることを特徴とする転写マスクの欠陥検査装置とした
ものである。
４又は５記載の転写マスクの欠陥検査装置において、転
写マスクに電子線を照射して前記通過電子信号及び前記
二次電子信号を得るための電子線照射条件が、転写マス
ク作製時の電子線露光に用いる電子線照射条件と同じで
あることを特徴とする転写マスクの欠陥検査装置とした
ものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１に本発明の転写マスクの欠陥
検査装置の一実施例の構成を示す。本発明の転写マスク
の検査方法は、請求項１では、検査対象である電子線露
光用の転写マスク５０に電子線１１を照射し、転写マス
ク５０に形成された各種パターン開口部を通過する通過
電子と、各種パターン開口部近傍のマスク基材の表面か
ら放出される二次電子とを通過電子検出器２０及び二次
電子検出器３０にて検出し、通過電子信号及び二次電子
信号とが得られる。さらに、通過電子信号と二次電子信
号とを欠陥抽出部７０に取り込み、それぞれの基準信号
と比較することにより欠陥を抽出するようにしたもので
ある。
検査装置の一実施例の構成を示す。本発明の転写マスク
の検査方法は、請求項１では、検査対象である電子線露
光用の転写マスク５０に電子線１１を照射し、転写マス
ク５０に形成された各種パターン開口部を通過する通過
電子と、各種パターン開口部近傍のマスク基材の表面か
ら放出される二次電子とを通過電子検出器２０及び二次
電子検出器３０にて検出し、通過電子信号及び二次電子
信号とが得られる。さらに、通過電子信号と二次電子信
号とを欠陥抽出部７０に取り込み、それぞれの基準信号
と比較することにより欠陥を抽出するようにしたもので
ある。
【００１２】また請求項２では、上記の通過電子信号と
二次電子信号とを重ね合わせて検査信号を作成し、基準
信号と比較することにより欠陥を抽出するようにしたも
のである。
二次電子信号とを重ね合わせて検査信号を作成し、基準
信号と比較することにより欠陥を抽出するようにしたも
のである。
【００１３】転写マスクに電子線照射を行った場合、パ
ターン開口部近傍の情報として二次電子が得られ、それ
を二次電子検出器３０にて検出することにより二次電子
信号が得られるが、二次電子信号の強度としてはパター
ン開口部そのものでは電子が通過してしまうため二次電
子はほとんど検出されず、その他の部分のマスク基材の
表面では大となる。一方の通過電子信号の強度としては
反対にパターン開口部では全て電子線が通過して検出さ
れるため大であり、遮蔽部であるマスク基材では電子線
が遮蔽されるため通過電子信号の強度は０である。
ターン開口部近傍の情報として二次電子が得られ、それ
を二次電子検出器３０にて検出することにより二次電子
信号が得られるが、二次電子信号の強度としてはパター
ン開口部そのものでは電子が通過してしまうため二次電
子はほとんど検出されず、その他の部分のマスク基材の
表面では大となる。一方の通過電子信号の強度としては
反対にパターン開口部では全て電子線が通過して検出さ
れるため大であり、遮蔽部であるマスク基材では電子線
が遮蔽されるため通過電子信号の強度は０である。
【００１４】この二次電子信号と通過電子信号を重ね合
わせることにより、検査信号を得るようにした。このよ
うに信号を重ねあわせると、検出範囲全体として信号は
弱いものであるが、パターン開口部の突起や、パターン
開口部近傍に異物がある場合など、二次電子信号あるい
は通過電子信号のどちらか一方に特徴的な部位がある場
合、その部位の検査信号強度は大きく得られることとな
る。このとき、スレッシュホールド値を特定の信号強度
以上を検出できるように設定すれば、その特徴的な部位
を欠陥として抽出することができる。
わせることにより、検査信号を得るようにした。このよ
うに信号を重ねあわせると、検出範囲全体として信号は
弱いものであるが、パターン開口部の突起や、パターン
開口部近傍に異物がある場合など、二次電子信号あるい
は通過電子信号のどちらか一方に特徴的な部位がある場
合、その部位の検査信号強度は大きく得られることとな
る。このとき、スレッシュホールド値を特定の信号強度
以上を検出できるように設定すれば、その特徴的な部位
を欠陥として抽出することができる。
【００１５】なお、二次電子信号と通過電子信号を重ね
合わせて基準信号及び検査信号を得る場合、二次電子信
号あるいは通過電子信号の一方の信号の強度を強めたり
弱めたりする調整をした後に重ね合わせることにより、
特徴的な部位の検査信号強度がより明確になり、好まし
い。また、二次電子信号と通過電子信号を重ね合わせる
前に、信号のノイズ除去処理を行うことが好ましい。転
写マスクの欠陥検査を行うにあたり、パターン開口部の
表面をとらえた２次電子信号とパターン開口部を通過し
て得られた通過電子信号を画像として同時に取り込むこ
とにより、処理時間を短縮し、また順次重ね合わせの処
理を行うことができる。
合わせて基準信号及び検査信号を得る場合、二次電子信
号あるいは通過電子信号の一方の信号の強度を強めたり
弱めたりする調整をした後に重ね合わせることにより、
特徴的な部位の検査信号強度がより明確になり、好まし
い。また、二次電子信号と通過電子信号を重ね合わせる
前に、信号のノイズ除去処理を行うことが好ましい。転
写マスクの欠陥検査を行うにあたり、パターン開口部の
表面をとらえた２次電子信号とパターン開口部を通過し
て得られた通過電子信号を画像として同時に取り込むこ
とにより、処理時間を短縮し、また順次重ね合わせの処
理を行うことができる。
【００１６】さらに請求項３では、転写マスクに電子線
照射を照射する電子線照射条件を、転写マスク作製時の
電子線露光に用いる電子線照射条件と同じにして通過電
子信号と二次電子信号とが得られるようにしたものであ
る。このように、検査時の電子線照射条件を半導体基板
に回路パターンを露光する電子線照射条件と同じにする
ことにより、この検査方法で抽出された欠陥レベルが電
子線描画の際の回路転写に影響する欠陥レベルであるか
どうかの判定処理が可能になる。
照射を照射する電子線照射条件を、転写マスク作製時の
電子線露光に用いる電子線照射条件と同じにして通過電
子信号と二次電子信号とが得られるようにしたものであ
る。このように、検査時の電子線照射条件を半導体基板
に回路パターンを露光する電子線照射条件と同じにする
ことにより、この検査方法で抽出された欠陥レベルが電
子線描画の際の回路転写に影響する欠陥レベルであるか
どうかの判定処理が可能になる。
【００１７】転写マスクの通過電子信号と二次電子信号
との比較に使用する基準信号については、あらかじめ良
品レベルの転写マスクを複数枚用意しておき、本発明の
装置と方法で、良品レベルの転写マスクに請求項３に示
す電子線照射条件で電子線照射を行い、得られた複数の
通過電子信号及び二次電子信号を比較し、転写マスク間
の差が許容範囲内に入っている転写マスクの通過電子信
号及び二次電子信号の平均値をそれぞれ通過電子信号及
び二次電子信号の基準信号とする。さらに、検査対象の
転写マスクに請求項３に示す電子線照射条件で電子線照
射を行い、得られた二次電子信号と通過電子信号をそれ
ぞれの基準信号と比較し、あらかじめ設定された許容範
囲内に入っていれば良品と判定する。
との比較に使用する基準信号については、あらかじめ良
品レベルの転写マスクを複数枚用意しておき、本発明の
装置と方法で、良品レベルの転写マスクに請求項３に示
す電子線照射条件で電子線照射を行い、得られた複数の
通過電子信号及び二次電子信号を比較し、転写マスク間
の差が許容範囲内に入っている転写マスクの通過電子信
号及び二次電子信号の平均値をそれぞれ通過電子信号及
び二次電子信号の基準信号とする。さらに、検査対象の
転写マスクに請求項３に示す電子線照射条件で電子線照
射を行い、得られた二次電子信号と通過電子信号をそれ
ぞれの基準信号と比較し、あらかじめ設定された許容範
囲内に入っていれば良品と判定する。
【００１８】本発明の転写マスクの欠陥検査装置は図１
に示すように、電子線を照射する電子銃１０と、転写マ
スク５０を載置・駆動するステージ４０と、転写マスク
５０の通過電子を検出する通過電子検出器２０と、転写
マスク５０の二次電子を検出する二次電子検出器３０
と、通過電子検出器２０及び二次電子検出器３０で得ら
れた通過電子信号及び二次電子信号を取り込み基準信号
と比較して欠陥であるかどうかの判定処理を行う欠陥抽
出部７０と、欠陥を画像として表示する表示部８０と、
検査装置全体及び個々のユニットの駆動・制御する装置
制御部６０と、表示端末９０とから構成されている。
に示すように、電子線を照射する電子銃１０と、転写マ
スク５０を載置・駆動するステージ４０と、転写マスク
５０の通過電子を検出する通過電子検出器２０と、転写
マスク５０の二次電子を検出する二次電子検出器３０
と、通過電子検出器２０及び二次電子検出器３０で得ら
れた通過電子信号及び二次電子信号を取り込み基準信号
と比較して欠陥であるかどうかの判定処理を行う欠陥抽
出部７０と、欠陥を画像として表示する表示部８０と、
検査装置全体及び個々のユニットの駆動・制御する装置
制御部６０と、表示端末９０とから構成されている。
【００１９】転写マスク５０はステージ４０に載置さ
れ、装置制御部６０にて位置制御され、電子線の照射位
置を変えながら検査が行われる。さらに、装置制御部６
０によって、欠陥抽出部７０への検出信号の入出力制
御、画像データの管理、作業者への検査結果の表示や制
御パラメーターの入力や管理等、プログラムの動作制
御、また各種演算が行われる。
れ、装置制御部６０にて位置制御され、電子線の照射位
置を変えながら検査が行われる。さらに、装置制御部６
０によって、欠陥抽出部７０への検出信号の入出力制
御、画像データの管理、作業者への検査結果の表示や制
御パラメーターの入力や管理等、プログラムの動作制
御、また各種演算が行われる。
【００２０】また、表示端末９０はテレビモニターとキ
ーボードを備えており、作業者への検査状況の表示と各
種パラメーター等の入力、検査開始、終了の指示の入力
等を行う。
ーボードを備えており、作業者への検査状況の表示と各
種パラメーター等の入力、検査開始、終了の指示の入力
等を行う。
【００２１】通過電子検出器２０及び二次電子検出器３
０で得られた通過電子信号及び二次電子信号は欠陥抽出
部７０にとりこまれ、画像処理と欠陥の判定処理が行わ
れる。欠陥抽出部７０には、通過電子信号及び二次電子
信号に対する画像処理と欠陥の判定処理を行うアルゴリ
ズムがプログラムとして組み込まれている。入力された
通過電子信号及び二次電子信号はこのアルゴリズムの処
理を施され、欠陥が抽出されればその情報を表示部８０
に表示し、出力する。
０で得られた通過電子信号及び二次電子信号は欠陥抽出
部７０にとりこまれ、画像処理と欠陥の判定処理が行わ
れる。欠陥抽出部７０には、通過電子信号及び二次電子
信号に対する画像処理と欠陥の判定処理を行うアルゴリ
ズムがプログラムとして組み込まれている。入力された
通過電子信号及び二次電子信号はこのアルゴリズムの処
理を施され、欠陥が抽出されればその情報を表示部８０
に表示し、出力する。
【００２２】
【実施例】以下実施例により本発明の転写マスクの欠陥
検査方法について説明する。まず、転写マスク５０の検
査エリア等の情報と検査して検出すべき異物や欠陥の大
きさや色等といった設定情報を表示端末９０を使って装
置制御部６０に入力する。
検査方法について説明する。まず、転写マスク５０の検
査エリア等の情報と検査して検出すべき異物や欠陥の大
きさや色等といった設定情報を表示端末９０を使って装
置制御部６０に入力する。
【００２３】次に、検査対象である転写マスク５０をス
テージ５０上に載置する。連続して検査を行いやすくす
るためにホルダーを用いることは好ましい。次に、検査
開始の信号を表示端末９０から入力する。装置制御部６
０から制御信号がステージ４０に送られ、ステージ４０
を位置制御する。一方、電子銃１０から電子線１１が転
写マスク５０に照射され、転写マスク５０の所定範囲を
電子線１１で走査し、通過電子検出器２０及び二次電子
検出器３０で通過電子信号及び二次電子信号に変換され
る。
テージ５０上に載置する。連続して検査を行いやすくす
るためにホルダーを用いることは好ましい。次に、検査
開始の信号を表示端末９０から入力する。装置制御部６
０から制御信号がステージ４０に送られ、ステージ４０
を位置制御する。一方、電子銃１０から電子線１１が転
写マスク５０に照射され、転写マスク５０の所定範囲を
電子線１１で走査し、通過電子検出器２０及び二次電子
検出器３０で通過電子信号及び二次電子信号に変換され
る。
【００２４】通過電子信号及び二次電子信号は欠陥抽出
部７０に取り込まれ、画像処理されて、それぞれの基準
信号と比較され、欠陥であるかどうかの判定処理を行
い、その結果を表示部８０にて画像として表示し、欠陥
内容を確認する。図２はマスク基材５１にパターン開口
部５２が形成された転写マスク５０を示し、パターン開
口部５２の開口部側壁面に異物や突起状の欠陥５３が存
在している状態を模式的に示したものである。図３
（ａ）は転写マスク５０に電子線を照射して得られた通
過電子のパターン開口部画像８１及び欠陥部画像８３ａ
を、図３（ｂ）は転写マスク５０に電子線を照射して得
られた二次電子パターン画像８２及び二次電子欠陥部画
像８３ｂを示す。
部７０に取り込まれ、画像処理されて、それぞれの基準
信号と比較され、欠陥であるかどうかの判定処理を行
い、その結果を表示部８０にて画像として表示し、欠陥
内容を確認する。図２はマスク基材５１にパターン開口
部５２が形成された転写マスク５０を示し、パターン開
口部５２の開口部側壁面に異物や突起状の欠陥５３が存
在している状態を模式的に示したものである。図３
（ａ）は転写マスク５０に電子線を照射して得られた通
過電子のパターン開口部画像８１及び欠陥部画像８３ａ
を、図３（ｂ）は転写マスク５０に電子線を照射して得
られた二次電子パターン画像８２及び二次電子欠陥部画
像８３ｂを示す。
【００２５】図２に示す異物や突起状の欠陥５３に電子
線を照射して得られた通過電子欠陥画像及び二次電子欠
陥部画像は欠陥の形状、内容により、欠陥の見え方（形
状、コントラスト、濃度等）が異なってくる。そのた
め、異物や突起状の欠陥５３の欠陥判定処理は、請求項
１のような通過電子信号と二次電子信号とを基準信号と
比較して突起状の欠陥が欠陥であるかどうかの判定処理
する場合と請求項２のようなで通過電子信号と二次電子
信号を重ね合わせて検査信号を作製し、基準信号と比較
して突起状の欠陥が欠陥であるかどうかの判定処理する
場合とがある。このことから、異物や突起状の欠陥５３
を精度良く欠陥判定処理を行うためには両方の判定処理
を行って欠陥を抽出する方が好ましい。
線を照射して得られた通過電子欠陥画像及び二次電子欠
陥部画像は欠陥の形状、内容により、欠陥の見え方（形
状、コントラスト、濃度等）が異なってくる。そのた
め、異物や突起状の欠陥５３の欠陥判定処理は、請求項
１のような通過電子信号と二次電子信号とを基準信号と
比較して突起状の欠陥が欠陥であるかどうかの判定処理
する場合と請求項２のようなで通過電子信号と二次電子
信号を重ね合わせて検査信号を作製し、基準信号と比較
して突起状の欠陥が欠陥であるかどうかの判定処理する
場合とがある。このことから、異物や突起状の欠陥５３
を精度良く欠陥判定処理を行うためには両方の判定処理
を行って欠陥を抽出する方が好ましい。
【００２６】以下、同様に次々と検査すべき座標にステ
ージ４０を移動させながら画像処理による欠陥判定処理
を行っていき、測定範囲を全て検査し終わると装置制御
部６０は作業者に検査終了を表示端末９０に表示し、終
了する。
ージ４０を移動させながら画像処理による欠陥判定処理
を行っていき、測定範囲を全て検査し終わると装置制御
部６０は作業者に検査終了を表示端末９０に表示し、終
了する。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、電子線露光用転写マス
クの各種パターン開口部及びパターン開口側壁面の異物
や突起状の欠陥が精度良く、効率よく検査ができる。ま
た、自動検査が可能になり、膨大にかかっていた従来の
検査時間が短縮され、異物や突起状の欠陥を定量的に管
理していくことが可能となる。これは半導体デバイスの
フォトファブリケーションプロセス分野において優れた
実用上の効果を発揮する。
クの各種パターン開口部及びパターン開口側壁面の異物
や突起状の欠陥が精度良く、効率よく検査ができる。ま
た、自動検査が可能になり、膨大にかかっていた従来の
検査時間が短縮され、異物や突起状の欠陥を定量的に管
理していくことが可能となる。これは半導体デバイスの
フォトファブリケーションプロセス分野において優れた
実用上の効果を発揮する。
【図１】本発明の転写マスクの欠陥検査装置の一実施例
の構成を示す説明図である。
の構成を示す説明図である。
【図２】基材５１にパターン開口部５２が形成された転
写マスク５０のパターン開口部５２の開口部側壁面に欠
陥５３が存在している状態を模式的に示した部分平面図
である。
写マスク５０のパターン開口部５２の開口部側壁面に欠
陥５３が存在している状態を模式的に示した部分平面図
である。
【図３】（ａ）は、転写マスク５０に電子線を照射して
得られた通過電子パターン開口部画像８１及び欠陥部画
像８３ａを示す説明図である。（ｂ）は、転写マスク５
０に電子線を照射して得られた二次電子パターン開口部
画像８２及び二次電子欠陥部画像８３ｂを示す説明図で
ある。
得られた通過電子パターン開口部画像８１及び欠陥部画
像８３ａを示す説明図である。（ｂ）は、転写マスク５
０に電子線を照射して得られた二次電子パターン開口部
画像８２及び二次電子欠陥部画像８３ｂを示す説明図で
ある。
【符号の説明】 １０……電子銃 １１……電子線 １２……通過電子 １３……二次電子 ２０……通過電子検出器 ３０……二次電子検出器 ４０……ステージ ５０……転写マスク ５１……マスク基材 ５２……パターン開口部 ５３……欠陥 ６０……装置制御部 ７０……欠陥抽出部 ８０……表示部 ８１……パターン開口部の通過電子画像 ８２……マスク基材表面の二次電子画像 ８３ａ……欠陥部画像 ８３ｂ……欠陥の二次電子画像 １００……欠陥検査装置
フロントページの続き (72)発明者 江口 秀幸 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内 (72)発明者 田村 章 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内 Ｆターム(参考） 2F067 AA54 BB01 BB04 CC16 EE04 GG09 HH06 JJ05 KK04 KK06 LL16 NN05 RR24 RR30 RR35 SS13 2G001 AA03 BA07 CA03 DA02 DA06 FA01 FA30 GA04 GA06 JA01 JA07 JA20 KA03 LA20 MA05 4M106 AA09 CA39 CA41 CA43 DH01 DH33 DH49 DJ18 DJ20 DJ23 DJ27
Claims (6)
- 【請求項１】マスク基材にパターン開口部が形成された
電子線露光に用いられる転写マスクの欠陥検査方法にお
いて、転写マスクに電子線照射を行い、パターン開口部
を通過する通過電子信号とパターン開口部近傍のマスク
基材表面から反射される二次電子信号とをそれぞれの基
準信号と比較して欠陥を抽出することを特徴とする転写
マスクの欠陥検査方法。 - 【請求項２】マスク基材にパターン開口部が形成された
電子線露光に用いられる転写マスクの欠陥検査方法にお
いて、転写マスクに電子線照射を行い、パターン開口部
以外のマスク基材表面の二次電子信号とパターン開口部
の通過電子信号とを重ね合わせた検査信号を基準信号と
比較して欠陥を抽出することを特徴とする転写マスクの
欠陥検査方法。 - 【請求項３】転写マスクに電子線照射を行って検査用の
前記二次電子信号及び前記通過電子信号を得るための電
子線照射条件が、転写マスク作製時の電子線露光に用い
る電子線照射条件と同じであることを特徴とする請求項
１又は請求項２記載の転写マスクの欠陥検査方法。 - 【請求項４】マスク基材にパターン開口部が形成された
電子線露光に用いられる転写マスクの欠陥検査装置にお
いて、転写マスクに電子線を照射する電子線照射手段
と、パターン開口部を通過する通過電子を検出する通過
電子検出手段と、パターン開口部近傍のマスク基材表面
から反射される二次電子を検出する二次電子検出手段
と、通過電子検出手段で得られた通過電子信号と二次電
子検出手段で得られた二次電子信号とをそれぞれの基準
信号と比較して欠陥を抽出する欠陥抽出手段と、欠陥を
確認する表示手段とを備えていることを特徴とする転写
マスクの欠陥検査装置。 - 【請求項５】マスク基材にパターン開口部が形成された
電子線露光に用いられる転写マスクの欠陥検査装置にお
いて、転写マスクに電子線を照射する電子線照射手段
と、パターン開口部を通過する通過電子を検出する通過
電子検出手段と、パターン開口部近傍のマスク基材表面
から反射される二次電子を検出する二次電子検出手段
と、通過電子検出手段で得られた通過電子信号と二次電
子検出手段で得られた二次電子信号とを重ね合わせた検
査信号を基準信号と比較して欠陥を抽出する欠陥抽出手
段と、欠陥を確認する表示手段とを備えていることを特
徴とする転写マスクの欠陥検査装置。 - 【請求項６】請求項４又は５記載の転写マスクの欠陥検
査装置において、転写マスクに電子線を照射して通過電
子信号及び二次電子信号を得るための電子線照射条件
が、転写マスク作製時の電子線露光に用いる電子線照射
条件と同じであることを特徴とする転写マスクの欠陥検
査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000067056A JP4487367B2 (ja) | 2000-03-10 | 2000-03-10 | 転写マスクの欠陥検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000067056A JP4487367B2 (ja) | 2000-03-10 | 2000-03-10 | 転写マスクの欠陥検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001255291A true JP2001255291A (ja) | 2001-09-21 |
| JP4487367B2 JP4487367B2 (ja) | 2010-06-23 |
Family
ID=18586314
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000067056A Expired - Fee Related JP4487367B2 (ja) | 2000-03-10 | 2000-03-10 | 転写マスクの欠陥検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4487367B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010204653A (ja) * | 2009-03-04 | 2010-09-16 | Samsung Mobile Display Co Ltd | マスク検査装置及びマスク検査方法 |
| JP2012068197A (ja) * | 2010-09-27 | 2012-04-05 | Toshiba Corp | 寸法測定方法および寸法測定装置ならびに寸法測定処理プログラム |
| CN114663428A (zh) * | 2022-05-16 | 2022-06-24 | 网思科技股份有限公司 | 基于人工智能的物体表面异常检测方法、装置及相关设备 |
-
2000
- 2000-03-10 JP JP2000067056A patent/JP4487367B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010204653A (ja) * | 2009-03-04 | 2010-09-16 | Samsung Mobile Display Co Ltd | マスク検査装置及びマスク検査方法 |
| JP2012068197A (ja) * | 2010-09-27 | 2012-04-05 | Toshiba Corp | 寸法測定方法および寸法測定装置ならびに寸法測定処理プログラム |
| CN114663428A (zh) * | 2022-05-16 | 2022-06-24 | 网思科技股份有限公司 | 基于人工智能的物体表面异常检测方法、装置及相关设备 |
| CN114663428B (zh) * | 2022-05-16 | 2022-09-02 | 网思科技股份有限公司 | 基于人工智能的物体表面异常检测方法、装置及相关设备 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4487367B2 (ja) | 2010-06-23 |
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