JP2001255291A - 転写マスクの欠陥検査方法及び欠陥検査装置 - Google Patents
転写マスクの欠陥検査方法及び欠陥検査装置Info
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- JP2001255291A JP2001255291A JP2000067056A JP2000067056A JP2001255291A JP 2001255291 A JP2001255291 A JP 2001255291A JP 2000067056 A JP2000067056 A JP 2000067056A JP 2000067056 A JP2000067056 A JP 2000067056A JP 2001255291 A JP2001255291 A JP 2001255291A
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Abstract
欠陥を精度良く、再現性良く検査するための転写マスク
の欠陥検査方法及び欠陥検査装置を提供することを課題
とする。 【解決手段】本発明の転写マスクの欠陥検査装置は、電
子線を照射する電子銃10と、転写マスク50を載置・
駆動するステージ40と、転写マスク50の通過電子を
検出する通過電子検出器20と、転写マスク50の二次
電子を検出する二次電子検出器30と、通過電子検出器
20及び二次電子検出器30で得られた通過電子信号及
び二次電子信号を取り込み基準信号と比較して欠陥であ
るかどうかの判定処理を行う欠陥抽出部70と、欠陥を
画像として表示する表示部80と、検査装置全体及び個
々のユニットの駆動・制御する装置制御部60とから構
成されている。
Description
て電子線露光にて回路パターンを転写するのに用いるシ
リコン等をマスク基材とした転写用マスクの欠陥検査方
法及び欠陥検査装置に関する。
の半導体基板上に微細な回路パターンを形成する技術と
して転写用マスクを用いた電子線露光方式の開発が進め
られている。転写用マスクは電子線露光装置に装着され
て用いられるものであるが、転写用マスクには回路パタ
ーン転写用に各種パターン開口部が多数形成されてい
る。そのパターン開口部を通過して半導体基板上に微細
な回路パターンを電子線で描画する時に、パターン開口
部、あるいはその近傍に異物や突起のような欠陥が存在
すると、その形状が半導体基板に転写されたり、電子線
が散乱し、正常な回路パターン形成に支障を生じ、半導
体デバイスとしての機能が満たされなくなってしまう。
そのため、転写用マスクの製造においてはこれらパター
ン開口部あるいはその近傍部及び開口部側面の異物や欠
陥を検査する技術が求められている。さらに、多数枚の
マスクを効率的に検査する技術が求められている。
微鏡等を使用して詳細にパターン開口部及びその近傍部
を検査していたが、光学顕微鏡では解像力が足りず、ま
た走査型電子顕微鏡ではマスク基材が例えば10μmか
ら20μmの厚みを有しているために、パターン開口部
側面全体に焦点が合わない等の問題があるため、異物や
欠陥の見逃しがある頻度で発生する。また、作業者が一
つづつパターン開口部を部分的にモニターに写しだす等
の手段を用いて、その後は目視検査で確認しなくてはな
らないため非常に時間がかかっている。さらに、検出さ
れた転写マスクのパターン開口部の異物や突起等の欠陥
が、実際に転写された時に欠陥になるかどうかの判定が
難しく、良品の転写マスクを不良品と判定したり、ある
いは不良品の転写マスクを良品と判定したりして、欠陥
の良否判定が非常に難しいという問題を有している。
鑑み考案されたもので、転写マスクのパターン開口部の
異物や突起等の欠陥を精度良く、再現性良く検査するた
めの転写マスクの欠陥検査方法及び欠陥検査装置を提供
することを目的とする。
を解決するために、まず請求項1においては、マスク基
材にパターン開口部が形成された電子線露光に用いられ
る転写マスクの欠陥検査方法において、転写マスクに電
子線照射を行い、パターン開口部を通過する通過電子信
号とパターン開口部近傍のマスク基材表面から反射され
る二次電子信号とをそれぞれの基準信号と比較して欠陥
を抽出することを特徴とする転写マスクの欠陥検査方法
としたものである。
パターン開口部が形成された電子線露光に用いられる転
写マスクの欠陥検査方法において、転写マスクに電子線
照射を行い、パターン開口部以外のマスク基材表面の二
次電子信号とパターン開口部の通過電子信号とを重ね合
わせた検査信号を基準信号と比較して欠陥を抽出するこ
とを特徴とする転写マスクの欠陥検査方法としたもので
ある。
電子線照射を行って検査用の前記二次電子信号及び前記
通過電子信号を得るための電子線照射条件が、転写マス
ク作製時の電子線露光に用いる電子線照射条件と同じで
あることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の転写
マスクの欠陥検査方法としたものである。
パターン開口部が形成された電子線露光に用いられる転
写マスクの欠陥検査装置において、転写マスクに電子線
を照射する電子線照射手段と、パターン開口部を通過す
る通過電子を検出する通過電子検出手段と、パターン開
口部近傍のマスク基材表面から反射される二次電子を検
出する二次電子検出手段と、通過電子検出手段で得られ
た通過電子信号と二次電子検出手段で得られた二次電子
信号とをそれぞれの基準信号と比較して欠陥を抽出する
欠陥抽出手段と、欠陥を確認する表示手段とを備えてい
ることを特徴とする転写マスクの欠陥検査装置としたも
のである。
パターン開口部が形成された電子線露光に用いられる転
写マスクの欠陥検査装置において、転写マスクに電子線
を照射する電子線照射手段と、パターン開口部を通過す
る通過電子を検出する通過電子検出手段と、パターン開
口部近傍のマスク基材表面から反射される二次電子を検
出する二次電子検出手段と、通過電子検出手段で得られ
た通過電子信号と二次電子検出手段で得られた二次電子
信号とを重ね合わせた検査信号を基準信号と比較して欠
陥を抽出する欠陥抽出手段と、欠陥を確認する表示手段
とを備えていることを特徴とする転写マスクの欠陥検査
装置としたものである。
4又は5記載の転写マスクの欠陥検査装置において、転
写マスクに電子線を照射して前記通過電子信号及び前記
二次電子信号を得るための電子線照射条件が、転写マス
ク作製時の電子線露光に用いる電子線照射条件と同じで
あることを特徴とする転写マスクの欠陥検査装置とした
ものである。
検査装置の一実施例の構成を示す。本発明の転写マスク
の検査方法は、請求項1では、検査対象である電子線露
光用の転写マスク50に電子線11を照射し、転写マス
ク50に形成された各種パターン開口部を通過する通過
電子と、各種パターン開口部近傍のマスク基材の表面か
ら放出される二次電子とを通過電子検出器20及び二次
電子検出器30にて検出し、通過電子信号及び二次電子
信号とが得られる。さらに、通過電子信号と二次電子信
号とを欠陥抽出部70に取り込み、それぞれの基準信号
と比較することにより欠陥を抽出するようにしたもので
ある。
二次電子信号とを重ね合わせて検査信号を作成し、基準
信号と比較することにより欠陥を抽出するようにしたも
のである。
ターン開口部近傍の情報として二次電子が得られ、それ
を二次電子検出器30にて検出することにより二次電子
信号が得られるが、二次電子信号の強度としてはパター
ン開口部そのものでは電子が通過してしまうため二次電
子はほとんど検出されず、その他の部分のマスク基材の
表面では大となる。一方の通過電子信号の強度としては
反対にパターン開口部では全て電子線が通過して検出さ
れるため大であり、遮蔽部であるマスク基材では電子線
が遮蔽されるため通過電子信号の強度は0である。
わせることにより、検査信号を得るようにした。このよ
うに信号を重ねあわせると、検出範囲全体として信号は
弱いものであるが、パターン開口部の突起や、パターン
開口部近傍に異物がある場合など、二次電子信号あるい
は通過電子信号のどちらか一方に特徴的な部位がある場
合、その部位の検査信号強度は大きく得られることとな
る。このとき、スレッシュホールド値を特定の信号強度
以上を検出できるように設定すれば、その特徴的な部位
を欠陥として抽出することができる。
合わせて基準信号及び検査信号を得る場合、二次電子信
号あるいは通過電子信号の一方の信号の強度を強めたり
弱めたりする調整をした後に重ね合わせることにより、
特徴的な部位の検査信号強度がより明確になり、好まし
い。また、二次電子信号と通過電子信号を重ね合わせる
前に、信号のノイズ除去処理を行うことが好ましい。転
写マスクの欠陥検査を行うにあたり、パターン開口部の
表面をとらえた2次電子信号とパターン開口部を通過し
て得られた通過電子信号を画像として同時に取り込むこ
とにより、処理時間を短縮し、また順次重ね合わせの処
理を行うことができる。
照射を照射する電子線照射条件を、転写マスク作製時の
電子線露光に用いる電子線照射条件と同じにして通過電
子信号と二次電子信号とが得られるようにしたものであ
る。このように、検査時の電子線照射条件を半導体基板
に回路パターンを露光する電子線照射条件と同じにする
ことにより、この検査方法で抽出された欠陥レベルが電
子線描画の際の回路転写に影響する欠陥レベルであるか
どうかの判定処理が可能になる。
との比較に使用する基準信号については、あらかじめ良
品レベルの転写マスクを複数枚用意しておき、本発明の
装置と方法で、良品レベルの転写マスクに請求項3に示
す電子線照射条件で電子線照射を行い、得られた複数の
通過電子信号及び二次電子信号を比較し、転写マスク間
の差が許容範囲内に入っている転写マスクの通過電子信
号及び二次電子信号の平均値をそれぞれ通過電子信号及
び二次電子信号の基準信号とする。さらに、検査対象の
転写マスクに請求項3に示す電子線照射条件で電子線照
射を行い、得られた二次電子信号と通過電子信号をそれ
ぞれの基準信号と比較し、あらかじめ設定された許容範
囲内に入っていれば良品と判定する。
に示すように、電子線を照射する電子銃10と、転写マ
スク50を載置・駆動するステージ40と、転写マスク
50の通過電子を検出する通過電子検出器20と、転写
マスク50の二次電子を検出する二次電子検出器30
と、通過電子検出器20及び二次電子検出器30で得ら
れた通過電子信号及び二次電子信号を取り込み基準信号
と比較して欠陥であるかどうかの判定処理を行う欠陥抽
出部70と、欠陥を画像として表示する表示部80と、
検査装置全体及び個々のユニットの駆動・制御する装置
制御部60と、表示端末90とから構成されている。
れ、装置制御部60にて位置制御され、電子線の照射位
置を変えながら検査が行われる。さらに、装置制御部6
0によって、欠陥抽出部70への検出信号の入出力制
御、画像データの管理、作業者への検査結果の表示や制
御パラメーターの入力や管理等、プログラムの動作制
御、また各種演算が行われる。
ーボードを備えており、作業者への検査状況の表示と各
種パラメーター等の入力、検査開始、終了の指示の入力
等を行う。
0で得られた通過電子信号及び二次電子信号は欠陥抽出
部70にとりこまれ、画像処理と欠陥の判定処理が行わ
れる。欠陥抽出部70には、通過電子信号及び二次電子
信号に対する画像処理と欠陥の判定処理を行うアルゴリ
ズムがプログラムとして組み込まれている。入力された
通過電子信号及び二次電子信号はこのアルゴリズムの処
理を施され、欠陥が抽出されればその情報を表示部80
に表示し、出力する。
検査方法について説明する。まず、転写マスク50の検
査エリア等の情報と検査して検出すべき異物や欠陥の大
きさや色等といった設定情報を表示端末90を使って装
置制御部60に入力する。
テージ50上に載置する。連続して検査を行いやすくす
るためにホルダーを用いることは好ましい。次に、検査
開始の信号を表示端末90から入力する。装置制御部6
0から制御信号がステージ40に送られ、ステージ40
を位置制御する。一方、電子銃10から電子線11が転
写マスク50に照射され、転写マスク50の所定範囲を
電子線11で走査し、通過電子検出器20及び二次電子
検出器30で通過電子信号及び二次電子信号に変換され
る。
部70に取り込まれ、画像処理されて、それぞれの基準
信号と比較され、欠陥であるかどうかの判定処理を行
い、その結果を表示部80にて画像として表示し、欠陥
内容を確認する。図2はマスク基材51にパターン開口
部52が形成された転写マスク50を示し、パターン開
口部52の開口部側壁面に異物や突起状の欠陥53が存
在している状態を模式的に示したものである。図3
(a)は転写マスク50に電子線を照射して得られた通
過電子のパターン開口部画像81及び欠陥部画像83a
を、図3(b)は転写マスク50に電子線を照射して得
られた二次電子パターン画像82及び二次電子欠陥部画
像83bを示す。
線を照射して得られた通過電子欠陥画像及び二次電子欠
陥部画像は欠陥の形状、内容により、欠陥の見え方(形
状、コントラスト、濃度等)が異なってくる。そのた
め、異物や突起状の欠陥53の欠陥判定処理は、請求項
1のような通過電子信号と二次電子信号とを基準信号と
比較して突起状の欠陥が欠陥であるかどうかの判定処理
する場合と請求項2のようなで通過電子信号と二次電子
信号を重ね合わせて検査信号を作製し、基準信号と比較
して突起状の欠陥が欠陥であるかどうかの判定処理する
場合とがある。このことから、異物や突起状の欠陥53
を精度良く欠陥判定処理を行うためには両方の判定処理
を行って欠陥を抽出する方が好ましい。
ージ40を移動させながら画像処理による欠陥判定処理
を行っていき、測定範囲を全て検査し終わると装置制御
部60は作業者に検査終了を表示端末90に表示し、終
了する。
クの各種パターン開口部及びパターン開口側壁面の異物
や突起状の欠陥が精度良く、効率よく検査ができる。ま
た、自動検査が可能になり、膨大にかかっていた従来の
検査時間が短縮され、異物や突起状の欠陥を定量的に管
理していくことが可能となる。これは半導体デバイスの
フォトファブリケーションプロセス分野において優れた
実用上の効果を発揮する。
の構成を示す説明図である。
写マスク50のパターン開口部52の開口部側壁面に欠
陥53が存在している状態を模式的に示した部分平面図
である。
得られた通過電子パターン開口部画像81及び欠陥部画
像83aを示す説明図である。(b)は、転写マスク5
0に電子線を照射して得られた二次電子パターン開口部
画像82及び二次電子欠陥部画像83bを示す説明図で
ある。
Claims (6)
- 【請求項1】マスク基材にパターン開口部が形成された
電子線露光に用いられる転写マスクの欠陥検査方法にお
いて、転写マスクに電子線照射を行い、パターン開口部
を通過する通過電子信号とパターン開口部近傍のマスク
基材表面から反射される二次電子信号とをそれぞれの基
準信号と比較して欠陥を抽出することを特徴とする転写
マスクの欠陥検査方法。 - 【請求項2】マスク基材にパターン開口部が形成された
電子線露光に用いられる転写マスクの欠陥検査方法にお
いて、転写マスクに電子線照射を行い、パターン開口部
以外のマスク基材表面の二次電子信号とパターン開口部
の通過電子信号とを重ね合わせた検査信号を基準信号と
比較して欠陥を抽出することを特徴とする転写マスクの
欠陥検査方法。 - 【請求項3】転写マスクに電子線照射を行って検査用の
前記二次電子信号及び前記通過電子信号を得るための電
子線照射条件が、転写マスク作製時の電子線露光に用い
る電子線照射条件と同じであることを特徴とする請求項
1又は請求項2記載の転写マスクの欠陥検査方法。 - 【請求項4】マスク基材にパターン開口部が形成された
電子線露光に用いられる転写マスクの欠陥検査装置にお
いて、転写マスクに電子線を照射する電子線照射手段
と、パターン開口部を通過する通過電子を検出する通過
電子検出手段と、パターン開口部近傍のマスク基材表面
から反射される二次電子を検出する二次電子検出手段
と、通過電子検出手段で得られた通過電子信号と二次電
子検出手段で得られた二次電子信号とをそれぞれの基準
信号と比較して欠陥を抽出する欠陥抽出手段と、欠陥を
確認する表示手段とを備えていることを特徴とする転写
マスクの欠陥検査装置。 - 【請求項5】マスク基材にパターン開口部が形成された
電子線露光に用いられる転写マスクの欠陥検査装置にお
いて、転写マスクに電子線を照射する電子線照射手段
と、パターン開口部を通過する通過電子を検出する通過
電子検出手段と、パターン開口部近傍のマスク基材表面
から反射される二次電子を検出する二次電子検出手段
と、通過電子検出手段で得られた通過電子信号と二次電
子検出手段で得られた二次電子信号とを重ね合わせた検
査信号を基準信号と比較して欠陥を抽出する欠陥抽出手
段と、欠陥を確認する表示手段とを備えていることを特
徴とする転写マスクの欠陥検査装置。 - 【請求項6】請求項4又は5記載の転写マスクの欠陥検
査装置において、転写マスクに電子線を照射して通過電
子信号及び二次電子信号を得るための電子線照射条件
が、転写マスク作製時の電子線露光に用いる電子線照射
条件と同じであることを特徴とする転写マスクの欠陥検
査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000067056A JP4487367B2 (ja) | 2000-03-10 | 2000-03-10 | 転写マスクの欠陥検査方法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2001255291A true JP2001255291A (ja) | 2001-09-21 |
JP4487367B2 JP4487367B2 (ja) | 2010-06-23 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP (1) | JP4487367B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010204653A (ja) * | 2009-03-04 | 2010-09-16 | Samsung Mobile Display Co Ltd | マスク検査装置及びマスク検査方法 |
JP2012068197A (ja) * | 2010-09-27 | 2012-04-05 | Toshiba Corp | 寸法測定方法および寸法測定装置ならびに寸法測定処理プログラム |
CN114663428A (zh) * | 2022-05-16 | 2022-06-24 | 网思科技股份有限公司 | 基于人工智能的物体表面异常检测方法、装置及相关设备 |
-
2000
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JP2012068197A (ja) * | 2010-09-27 | 2012-04-05 | Toshiba Corp | 寸法測定方法および寸法測定装置ならびに寸法測定処理プログラム |
CN114663428A (zh) * | 2022-05-16 | 2022-06-24 | 网思科技股份有限公司 | 基于人工智能的物体表面异常检测方法、装置及相关设备 |
CN114663428B (zh) * | 2022-05-16 | 2022-09-02 | 网思科技股份有限公司 | 基于人工智能的物体表面异常检测方法、装置及相关设备 |
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