JP2001254194A - Tin, lead and tin-lead alloy plating bath - Google Patents

Tin, lead and tin-lead alloy plating bath

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JP2001254194A
JP2001254194A JP2000064224A JP2000064224A JP2001254194A JP 2001254194 A JP2001254194 A JP 2001254194A JP 2000064224 A JP2000064224 A JP 2000064224A JP 2000064224 A JP2000064224 A JP 2000064224A JP 2001254194 A JP2001254194 A JP 2001254194A
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哲治 西川
Kazumasa Fujimura
一正 藤村
Keigo Obata
惠吾 小幡
Takao Takeuchi
孝夫 武内
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Daiwa Kasei Kenkyusho KK
Ishihara Chemical Co Ltd
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Daiwa Kasei Kenkyusho KK
Ishihara Chemical Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the appearance and solderability of an electrodeposited film by incorporating a specified additive into tin, lead or tin-lead alloy plating bath. SOLUTION: This tin, lead and tin-lead alloy plating bath contains (A) a soluble metallic salt consisting of the one among a stannous salt, a lead salt and a mixture of the stannous salt and lead salt and (B) a straight-chain aliphatic hydrocarbon compound with an ethylene oxide, propylene oxide or hydropropylene oxide group existing in a single or repeating molecule adjacent to one or both sides of a basically mono- or disulfide coupling. Since the bath contains the specified straight-chain aliphatic hydrocarbonic compound, the uniformity, denseness, color tone or solder wettability are improved in the wide pH range from acidic to weakly alkaline region.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は錫、鉛及び錫−鉛合
金メッキ浴に関し、メッキ皮膜の均一性や緻密性を向上
し、半田濡れ性を改善できるものを提供する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plating bath for tin, lead and a tin-lead alloy, which provides improved plating film uniformity and denseness and improved solder wettability.

【0002】[0002]

【従来の技術】錫、鉛或は錫−鉛合金メッキは、半田付
け性、耐食性が良好であるため、或は、エッチングレジ
スト用の皮膜として、弱電工業用の部品、並びにリード
フレーム等に代表される電子工業用の部品に広く利用さ
れている。
2. Description of the Related Art Tin, lead or tin-lead alloy plating has good solderability and corrosion resistance, or is used as a film for an etching resist, and is typically used for parts for the light electric industry and lead frames. Widely used in electronic industry components.

【0003】本出願人は、先に、錫、鉛或は錫−鉛合金
メッキ浴に特定の添加剤を含有させて、メッキ皮膜を改
善する様々な技術を開示している。例えば、特開昭59
−182986号公報には、有機スルホン酸浴に、エチ
レンオキシド鎖とプロピレンオキシド鎖が併存した特定
のノニオン系界面活性剤を含有させて、広い電流密度域
においてメッキ皮膜を均質で緻密に改善する錫及び錫−
鉛合金メッキ浴を開示した。
The present applicant has previously disclosed various techniques for improving a plating film by adding a specific additive to a tin, lead or tin-lead alloy plating bath. For example, JP
Japanese Patent No. 182,986 discloses an organic sulfonic acid bath containing a specific nonionic surfactant in which an ethylene oxide chain and a propylene oxide chain coexist to improve the plating film uniformly and densely in a wide current density range. Tin-
A lead alloy plating bath has been disclosed.

【0004】また、特開平9−20732号公報には、
新規のアリールアルキル系の4級アンモニウム化合物を
含有させて、メッキ皮膜の光沢性やハンダ付け性を改善
する錫及び錫−鉛合金メッキ浴を開示した。
Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-20732 discloses that
A tin and tin-lead alloy plating bath containing a novel arylalkyl-based quaternary ammonium compound to improve the gloss and solderability of a plating film has been disclosed.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技
術と同様に、錫、鉛或は錫−鉛合金メッキ浴に特定の添
加剤を含有させて、電着皮膜の特性を改善すること、具
体的には、皮膜外観や半田濡れ性を改善することを技術
的課題とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The object of the present invention is to improve the properties of an electrodeposition film by adding a specific additive to a tin, lead or tin-lead alloy plating bath as in the prior art. Specifically, it is a technical object to improve the appearance of the film and the solder wettability.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、錫、鉛又
は錫−鉛合金メッキ浴に、基本的にモノ又はジスルフィ
ド結合の両側或は片側に隣接して特定のアルキレンオキ
シド基又はヒドロキシアルキレンオキシド基が単数又は
繰り返し分子内に存在する直鎖状脂肪族炭化水素化合物
を含有させると、酸性から弱アルカリ性付近の広いpH
域において、メッキ皮膜の外観、半田濡れ性などが改善
されることを見い出した。また、上記脂肪族炭化水素化
合物に加えて、特定のベンゾアゾール系化合物を併用添
加すると、上記皮膜特性がさらに改善されることを突き
止め、本発明を完成した。
SUMMARY OF THE INVENTION The present inventors have found that in tin, lead or tin-lead alloy plating baths, a specific alkylene oxide group or hydroxy group is basically provided on either or both sides of a mono- or disulfide bond. When an alkylene oxide group contains a linear or aliphatic hydrocarbon compound in which a single or repeated molecule is present, a wide pH range from acidic to weakly alkaline is obtained.
In the region, it was found that the appearance of the plating film, the solder wettability and the like were improved. In addition, the inventors have found that the addition of a specific benzoazole-based compound in addition to the above-mentioned aliphatic hydrocarbon compound further improves the above-mentioned film properties, thereby completing the present invention.

【0007】即ち、本発明1は、(A)第一錫塩と、鉛
塩、第一錫塩及び鉛塩の混合物とのいずれかよりなる可
溶性金属塩、(B)下記の一般式(イ)で表される直鎖状脂
肪族炭化水素化合物の少なくとも一種 H−(OA)a−(S)b−A−B−(AO)c−H …(イ) (上記一般式(イ)中、AOはエチレンオキシド、プロピ
レンオキシド、ヒドロキシプロピレンオキシドである、
但し、aが2以上でAOが繰り返される場合、当該繰り
返し中の各AOは互いに異なっても良い;Aはエチレ
ン、プロピレン、ヒドロキシプロピレンである、但し、
Aがヒドロキシプロピレンの場合、そのヒドロキシル基
にエチレンオキシド、プロピレンオキシドが付加し得
る、また、上記(OA)aとAと(AO)cでの各Aは、互
いに異なっても良い;a、cは整数である、但し、a≠
0、B=Sの場合にはc≠0であり、且つ、a+c=2
〜200であるが、Aがヒドロキシプロピレンの場合に
はa+c=1〜200である;bは1又は2である;B
は、b=1の場合にはS又はO、b=2の場合にはOで
ある。)を含有することを特徴とする錫、鉛及び錫−鉛
合金メッキ浴である。
That is, the present invention 1 comprises (A) a soluble metal salt comprising a stannous salt and a mixture of a lead salt, a stannous salt and a lead salt, and (B) a soluble metal salt represented by the following general formula (I) At least one of the linear aliphatic hydrocarbon compounds represented by the formula: H- (OA) a- (S) b-AB- (AO) cH (A) (in the above general formula (A) , AO is ethylene oxide, propylene oxide, hydroxypropylene oxide,
Provided that when a is 2 or more and AO is repeated, each AO in the repetition may be different from each other; A is ethylene, propylene, or hydroxypropylene, provided that
When A is hydroxypropylene, ethylene oxide and propylene oxide can be added to the hydroxyl group. Further, each of A in (OA) a and A and (AO) c may be different from each other; An integer, where a ≠
0, B = S, c ≠ 0, and a + c = 2
B is 1 or 2; B is 1 or 2; B is 1 or 2 when A is hydroxypropylene;
Is S or O when b = 1 and O when b = 2. ), A tin, lead and tin-lead alloy plating bath.

【0008】本発明2は、上記本発明1において、さら
に、下記の一般式(ロ)で表されるベンゾアゾール系化合
物の少なくとも一種
[0008] The present invention 2 is the above-mentioned invention 1, further comprising at least one benzoazole-based compound represented by the following general formula (b):

【化2】 (式(ロ)中、XはO、S、NHである;R1はSH、SR
(Rは、COOM、SO3M(Mは水素、アルカリ金属、
アルカリ土類金属、アンモニア、アミン)にて置換され
た又は置換されないC1〜C6アルキル)、S−アリル、
S−アリール;R2、R3、R4及びR5は、夫々同一又は
異なっても良く、H、SH、OH、OR(Rは、COO
Hで置換された又は置換されないC1〜C6アルキル)、
SR(Rは、COOHで置換された又は置換されないC1
〜C6アルキル)、ハロゲン、COOH、NH2、NO2
NRR′(R、R′は夫々C1〜C6アルキル、又は一緒
になって環を形成する)、SO3M(Mは水素、アルカリ
金属、アルカリ土類金属、アンモニア、アミンであ
る)。)を含有することを特徴とする錫、鉛及び錫−鉛合
金メッキ浴である。
Embedded image (Wherein X is O, S, NH; R 1 is SH, SR
(R is COOM, SO 3 M (M is hydrogen, alkali metal,
Alkaline earth metals, ammonia, C 1 -C 6 alkyl which is not the or substituted substituted by amines)), S- allyl,
S-aryl; R 2 , R 3 , R 4 and R 5 may be the same or different, and each of H, SH, OH, OR (R is COO
H-substituted or unsubstituted C 1 -C 6 alkyl),
SR (R is C 1 substituted or unsubstituted with COOH
-C 6 alkyl), halogen, COOH, NH 2, NO 2,
NRR '(R, R' are each C 1 -C 6 alkyl, or taken together form a ring), SO 3 M (M is hydrogen, an alkali metal, alkaline earth metal, ammonia, amine). ), A tin, lead and tin-lead alloy plating bath.

【0009】本発明3は、上記本発明1又は2におい
て、有機スルホン酸を含有することを特徴とする酸性
錫、鉛及び錫−鉛合金メッキ浴である。
[0009] The present invention 3 is an acidic tin, lead and tin-lead alloy plating bath according to the present invention 1 or 2, which contains an organic sulfonic acid.

【0010】本発明4は、上記本発明1又は2におい
て、錯化剤を含有するとともに、メッキ浴のpHが1.
5〜9.0であることを特徴とする錫、鉛及び錫−鉛合
金メッキ浴である。
[0010] The present invention 4 is the invention of the above-mentioned invention 1 or 2, which contains a complexing agent and has a pH of the plating bath of 1.0.
It is a tin, lead and tin-lead alloy plating bath characterized by being 5 to 9.0.

【0011】本発明5は、上記本発明4において、有機
スルホン酸のアルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、ア
ンモニウム塩及びアミン塩の少なくとも一種を含有する
ことを特徴とする錫、鉛及び錫−鉛合金メッキ浴であ
る。
[0011] The present invention 5 is characterized in that, in the above-mentioned present invention 4, tin, lead and tin-containing at least one of an alkali metal salt, an alkaline earth metal salt, an ammonium salt and an amine salt of an organic sulfonic acid. This is a lead alloy plating bath.

【0012】本発明6は、上記本発明1〜5のいずれか
において、さらに、界面活性剤、光沢剤、半光沢剤、平
滑剤、補助錯化剤、pH緩衝剤、導電性塩、防腐剤、酸
化防止剤よりなる群から選ばれた添加剤の少なくとも一
種を含有することを特徴とする錫、鉛及び錫−鉛合金メ
ッキ浴である。
The present invention 6 is the invention according to any of the above inventions 1 to 5, further comprising a surfactant, a brightener, a semi-brightener, a smoothing agent, an auxiliary complexing agent, a pH buffer, a conductive salt, and a preservative. A tin, lead and tin-lead alloy plating bath containing at least one additive selected from the group consisting of antioxidants.

【0013】本発明7は、上記本発明6において、界面
活性剤がノニオン系界面活性剤であることを特徴とする
ものである。
According to a seventh aspect of the present invention, in the sixth aspect, the surfactant is a nonionic surfactant.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】上記一般式(イ)で表される直鎖状
脂肪族炭化水素化合物は、基本的に、モノ又はジスルフ
ィド結合の両側或は片側の隣接位置に、エチレンオキシ
ド基、プロピレンオキシド基、或はヒドロキシプロピレ
ンオキシド基が単数又は繰り返し分子内に存在する化合
物である。上式(イ)のAOは、上述のように、エチレン
オキシド(C24O)、プロピレンオキシド(C36O)、
ヒドロキシプロピレンオキシド(CH2CH(OH)CH2
O)である。従って、Aはエチレン、プロピレン、ヒド
ロキシプロピレンである。但し、上記Aがヒドロキシプ
ロピレンの場合には、後述の式(25)に示すように、その
ヒドロキシル基にエチレンオキシド、プロピレンオキシ
ドが付加しても良い。また、上式(イ)の(OA)aとAと
(AO)cでの各Aは、互いに同じか、異なっても良く、
例えば、各Aがエチレンで共通しても良いが、(OA)a
でのAがエチレンであり、(S)bとBの間のAがプロピ
レンであり、(OA)cでのAがヒドロキシプロピレンで
あっても差し支えない。上式(イ)のa、cは整数であ
り、aは0をとることはなく、Bがイオウ原子の場合に
はcは0をとることはない。aとcの総和は2〜200
である。但し、Aがヒドロキシプロピレンの場合には、
aとcの総和は1〜200である。また、上式(イ)のb
は1又は2であり、Bはイオウ原子又は酸素原子であ
る。当該Bは整数bの値によって決まり、bが1の場合
にはイオウ原子又は酸素原子、bが2の場合には酸素原
子である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The linear aliphatic hydrocarbon compound represented by the above general formula (a) basically has an ethylene oxide group, a propylene oxide group on both sides or one side of a mono- or disulfide bond. Or a compound in which a hydroxypropylene oxide group is present singly or repeatedly in the molecule. As described above, AO of the above formula (A) is ethylene oxide (C 2 H 4 O), propylene oxide (C 3 H 6 O),
Hydroxypropylene oxide (CH 2 CH (OH) CH 2
O). Thus, A is ethylene, propylene, hydroxypropylene. However, when A is hydroxypropylene, ethylene oxide and propylene oxide may be added to the hydroxyl group as shown in the formula (25) described below. Also, (OA) a and A in the above formula (A)
Each A in (AO) c may be the same or different from each other,
For example, each A may be common to ethylene, but (OA) a
In (A) is ethylene, A between (S) b and B is propylene, and A in (OA) c may be hydroxypropylene. In the above formula (a), a and c are integers, a does not take 0, and c does not take 0 when B is a sulfur atom. The sum of a and c is 2-200
It is. However, when A is hydroxypropylene,
The sum of a and c is 1 to 200. In addition, b in the above equation (a)
Is 1 or 2, and B is a sulfur atom or an oxygen atom. B is determined by the value of the integer b, and when b is 1, it is a sulfur atom or an oxygen atom, and when b is 2, it is an oxygen atom.

【0015】上記一般式(イ)の化合物を詳細に説明する
と、整数aは0ではないことから、当該化合物の一端は
−(OA)a−Hとなり、また、Bがイオウ原子の場合、
整数cは0でないことから、上記化合物の他端は−S−
(AO)c−Hとなる。このため、当該化合物の末端は必
ずアルキレンオキシド基又はヒドロキシアルキレンオキ
シド基となり、当該末端がSH基になることはないの
で、本発明の化合物からメルカプタン類は排除される。
ちなみに、Bが酸素原子の場合には、整数cは0をとり
得るが、この場合には、上記化合物の他端はOHとな
り、SH基となることはない。
When the compound represented by the general formula (a) is described in detail, since the integer a is not 0, one end of the compound is-(OA) aH, and when B is a sulfur atom,
Since the integer c is not 0, the other end of the compound is -S-
(AO) cH. For this reason, the terminal of the compound always becomes an alkylene oxide group or a hydroxyalkylene oxide group, and the terminal does not become an SH group. Therefore, mercaptans are excluded from the compound of the present invention.
Incidentally, when B is an oxygen atom, the integer c can take 0, but in this case, the other end of the compound becomes OH and does not become an SH group.

【0016】整数bは1又は2であり、b=1の場合に
は、B=イオウ又は酸素原子であるので、一般式(イ)
は、H−(OA)a−S−A−S−(AO)c−Hか、H−
(OA)a−S−(AO)−(AO)c−Hとなって、AO基
に隣接してモノスルフィド結合が単数又は2回繰り返さ
れる化合物となる。また、b=2の場合には、B=酸素
原子であるので、一般式(イ)は、H−(OA)a−S−S
−(AO)−(AO)c−Hとなって、ジスルフィド結合と
AO基が隣接する化合物となる。
The integer b is 1 or 2, and when b = 1, B is a sulfur or oxygen atom.
Is H- (OA) a-S-A-S- (AO) c-H or H-
(OA) a-S- (AO)-(AO) c-H is a compound in which a monosulfide bond is repeated singly or twice adjacent to the AO group. Further, when b = 2, B = oxygen atom, so that the general formula (A) is represented by H- (OA) a-S-S-S
-(AO)-(AO) c-H to be a compound in which a disulfide bond and an AO group are adjacent to each other.

【0017】上記直鎖状脂肪族炭化水素化合物の具体例
としては、次の化合物などが挙げられる。 (1)H−(OCH2CH2)3−S−(CH2CH2O)3−Hで
表されるビス(トリエチレングリコール)チオエーテル (2)H−(OCH2CH2)6−S−(CH2CH2O)6−Hで
表されるビス(ヘキサエチレングリコール)チオエーテル (3)H−(OCH2CH2)10−S−(CH2CH2O)10−H
で表されるビス(デカエチレングリコール)チオエーテル (4)H−(OCH2CH2)12−S−(CH2CH2O)12−H
で表されるビス(ドデカエチレングリコール)チオエーテ
ル (5)H−(OCH2CH2)15−S−(CH2CH2O)15−H
で表されるビス(ペンタデカエチレングリコール)チオエ
ーテル (6)H−(OCH2CH2)20−S−(CH2CH2O)20−H
で表されるビス(イコサエチレングリコール)チオエーテ
ル (7)H−(OCH2CH2)30−S−(CH2CH2O)30−H
で表されるビス(トリアコンタエチレングリコール)チオ
エーテル (8)H−(OCH2CH2)40−S−(CH2CH2O)40−H
で表されるビス(テトラコンタエチレングリコール)チオ
エーテル (9)H−(OCH2CH2)50−S−(CH2CH2O)50−H
で表されるビス(ペンタコンタエチレングリコール)チオ
エーテル (10)H−(OCH2CH2)5−S−S−(CH2CH2O)5
Hで表されるビス(ω−ヒドロキシペンタエトキシ)ジス
ルフィド (11)H−(OCH2CH2)12−S−S−(CH2CH2O)12
−Hで表されるビス(ω−ヒドロキシドデカエトキシ)ジ
スルフィド (12)H−(OCH2CH2)20−S−S−(CH2CH2O)20
−Hで表されるビス(ω−ヒドロキシイコサエトキシ)ジ
スルフィド (13)H−(OCH2CH2)50−S−S−(CH2CH2O)50
−Hで表されるビス(ω−ヒドロキシペンタコンタエト
キシ)ジスルフィド (14)H−(OCH2CH(OH)CH2)8−S−(CH2CH
(OH)CH2O)8−Hで表されるビス(オクタグリセロー
ル)チオエーテル (15)H−(OC36)5−(OC24)15−S−(C24O)
15−(C36O)5−Hで表されるビス(ペンタデカエチレ
ングリコールペンタプロピレングリコール)チオエーテ
ル (16)H−OCH2CH(OH)CH2−(OC24)10−S−
(C24O)10−CH2CH(OH)CH2O−Hで表される
ビス(デカエチレングリコールモノグリセロール)チオエ
ーテル (17)H−(OC24)10−(OC36)3−S−(C36O)3
−(C24O)10−Hで表されるビス(トリプロピレング
リコールデカエチレングリコール)チオエーテル (18)H−(OC36)5−(OC24)15−S−S−(C24
O)15−(C36O)5−Hで表されるビス(ω−ヒドロキ
シペンタプロポキシペンタデカエトキシ)ジスルフィド (19)H−OCH2CH(OH)CH2−(OC24)10−S−
S−(C24O)10−CH2CH(OH)CH2O−Hで表さ
れるビス(ω−ヒドロキシモノグリセロキシデカエトキ
シ)ジスルフィド (20)H−(OC24)20−(OC36)5−S−S−(C36
O)5−(C24O)20−Hで表されるビス(ω−ヒドロキ
シイコサエトキシペンタプロポキシ)ジスルフィド (21)H−(OC24)5−S−CH2CH2−S−(C2
4O)5−Hで表されるS,S′−ビス(ペンタエチレング
リコール)エチレンジチオエーテル (22)H−(OC24)15−S−CH2CH2−S−(C24
O)15−Hで表されるS,S′−ビス(ペンタデカエチレ
ングリコール)エチレンジチオエーテル (23)H−(OC24)30−S−CH2CH2CH2−S−(C
24O)30−Hで表されるS,S′−ビス(トリアコンタ
エチレングリコール)プロピレンジチオエーテル (24)H−(OC36)3−(OC24)20−S−CH2CH2
−S−(C24O)20−(C36O)3−Hで表されるS,
S′−ビス(トリプロピレングリコールイコサエチレン
グリコール)エチレンジチオエーテル
Specific examples of the above linear aliphatic hydrocarbon compounds include the following compounds. (1) H- (OCH 2 CH 2) 3 -S- (CH 2 CH 2 O) 3 bis represented by -H (triethylene glycol) thioether (2) H- (OCH 2 CH 2) 6 -S - (CH 2 CH 2 O) 6 bis represented by -H (hexaethylene glycol) thioethers (3) H- (OCH 2 CH 2) 10 -S- (CH 2 CH 2 O) 10 -H
Bis (decaethylene glycol) thioether represented by the formula (4) H- (OCH 2 CH 2 ) 12 -S- (CH 2 CH 2 O) 12 -H
(5) H- (OCH 2 CH 2 ) 15 -S- (CH 2 CH 2 O) 15 -H
(6) H- (OCH 2 CH 2 ) 20 -S- (CH 2 CH 2 O) 20 -H
Bis (icosaethylene glycol) thioether represented by the formula (7) H- (OCH 2 CH 2 ) 30 -S- (CH 2 CH 2 O) 30 -H
(8) H- (OCH 2 CH 2 ) 40 -S- (CH 2 CH 2 O) 40 -H
Bis (tetracontaethylene glycol) thioether represented by the formula (9) H- (OCH 2 CH 2 ) 50 -S- (CH 2 CH 2 O) 50 -H
(10) H- (OCH 2 CH 2 ) 5 -SS- (CH 2 CH 2 O) 5-
Bis (ω-hydroxypentaethoxy) disulfide represented by H (11) H- (OCH 2 CH 2 ) 12 -SS- (CH 2 CH 2 O) 12
Bis (ω-hydroxydodecaethoxy) disulfide represented by -H (12) H- (OCH 2 CH 2 ) 20 -SS- (CH 2 CH 2 O) 20
Bis (ω-hydroxyicosaethoxy) disulfide represented by -H (13) H- (OCH 2 CH 2 ) 50 -SS- (CH 2 CH 2 O) 50
Bis (ω-hydroxypentacontaethoxy) disulfide represented by -H (14) H- (OCH 2 CH (OH) CH 2 ) 8 -S- (CH 2 CH
(OH) CH 2 O) 8 bis represented by -H (oct glycerol) thioether (15) H- (OC 3 H 6) 5 - (OC 2 H 4) 15 -S- (C 2 H 4 O)
15 - (C 3 H 6 O ) 5 bis represented by -H (pentadecalactone glycol pentaethylene glycol) thioethers (16) H-OCH 2 CH (OH) CH 2 - (OC 2 H 4) 10 -S −
(C 2 H 4 O) 10 -CH 2 CH (OH) bis represented by CH 2 OH (decaethylene glycol mono glycerol) thioether (17) H- (OC 2 H 4) 10 - (OC 3 H 6 ) 3 -S- (C 3 H 6 O) 3
- (C 2 H 4 O) bis represented by 10 -H (tripropylene glycol decamethylene glycol) thioethers (18) H- (OC 3 H 6) 5 - (OC 2 H 4) 15 -S-S- (C 2 H 4
O) 15 - (C 3 H 6 O) 5 bis represented by -H (.omega.-hydroxy penta propoxy pentadecanoyl ethoxy) disulfide (19) H-OCH 2 CH (OH) CH 2 - (OC 2 H 4) 10 -S-
S- (C 2 H 4 O) 10 -CH 2 CH (OH) bis represented by CH 2 OH (.omega.-hydroxy-mono-glycerophosphate carboxymethyl deca ethoxy) disulfide (20) H- (OC 2 H 4) 20 -(OC 3 H 6 ) 5 -SS- (C 3 H 6
O) 5 - (C 2 H 4 O) bis represented by 20 -H (.omega.-hydroxy equalize ethoxylated pentaerythritol propoxylate) disulfide (21) H- (OC 2 H 4) 5 -S-CH 2 CH 2 - S- (C 2 H
4 O) S represented by 5 -H, S'-bis (pentaethylene glycol) ethylene dithioether (22) H- (OC 2 H 4) 15 -S-CH 2 CH 2 -S- (C 2 H Four
O) 15 S represented by -H, S'-bis (pentadecalactone ethylene glycol) ethylene dithioether (23) H- (OC 2 H 4) 30 -S-CH 2 CH 2 CH 2 -S- (C
2 H 4 O) 30 S represented by -H, S'-bis (triacontanyl ethylene glycol) propylene dithio ether (24) H- (OC 3 H 6) 3 - (OC 2 H 4) 20 -S- CH 2 CH 2
S represented by —S— (C 2 H 4 O) 20 — (C 3 H 6 O) 3 —H,
S'-bis (tripropylene glycol icosaethylene glycol) ethylene dithioether

【0018】(25)下記の(1)式で表されるS,S′−ビス
(デカエチレングリコール)−2−デカオキシエチレンプ
ロピレンジチオエーテル
(25) S, S'-bis represented by the following formula (1)
(Decaethylene glycol) -2-decaoxyethylene propylene dithioether

【化3】 Embedded image

【0019】(26)H−(OCH2CH2)2−S−(CH2
2O)2−Hで表されるビス(ジエチレングリコール)チ
オエーテル (27)HOCH2CH(OH)CH2−S−CH2CH(OH)
CH2OHで表されるビス(モノグリセロール)チオエー
テル (28)H−(OCH2CH(OH)CH2)3−S−(CH2CH
(OH)CH2O)3−Hで表されるビス(トリグリセロー
ル)チオエーテル (29)H−(OCH2CH2)41−S−S−(CH2CH2O)41
−Hで表されるビス(ω−ヒドロキシヘンテトラコンタ
エトキシ)ジスルフィド (30)H−(OC36)5−(OC24)20−S−S−(C24
O)20−(C36O)5−Hで表されるビス(ω−ヒドロキ
シペンタプロポキシイコサエトキシ)ジスルフィド (31)H−(OCH2CH(OH)CH2)3−S−S−(CH2
CH(OH)CH2O)3−Hで表されるビス(ω−ヒドロキ
シトリグリセロキシ)ジスルフィド (32)H−(OCH2CH(OH)CH2)10−S−S−(CH2
CH(OH)CH2O)10−Hで表されるビス(ω−ヒドロ
キシデカグリセロキシ)ジスルフィド (33)HOCH2CH2−S−CH2CH2−S−CH2CH2
OHで表されるS,S′−ビス(モノエチレングリコー
ル)エチレンジチオエーテル (34)H−(OC24)10−S−C36−S−(OC24)10
−Hで表されるS,S′−ビス(デカエチレングリコー
ル)プロピレンジチオエーテル (35)H−(OCH2CH2)5−S−CH2CH(OH)CH2
−S−(CH2CH2O)5−Hで表されるS,S′−ビス
(ペンタエチレングリコール)−2−ヒドロキシプロピレ
ンジチオエーテル (36)H−(OC36)2−S−CH2CH(OH)CH2−S
−(C36O)2−Hで表されるS,S′−ビス(ジプロピ
レングリコール)−2−ヒドロキシプロピレンジチオエ
ーテル (37)H−(OCH2CH2)20−S−CH2CH2−S−(C
2CH2O)20−Hで表されるS,S′−ビス(イコサエ
チレングリコール)エチレンジチオエーテル
(26) H- (OCH 2 CH 2 ) 2 -S- (CH 2 C
H 2 O) bis represented by 2 -H (diethylene glycol) thioether (27) HOCH 2 CH (OH ) CH 2 -S-CH 2 CH (OH)
CH-bis (monoglycerol) represented by 2 OH thioether (28) H- (OCH 2 CH (OH) CH 2) 3 -S- (CH 2 CH
Bis (triglycerol) thioether represented by (OH) CH 2 O) 3 -H (29) H- (OCH 2 CH 2 ) 41 -SS- (CH 2 CH 2 O) 41
Bis (ω-hydroxyphentetracontaethoxy) disulfide represented by —H (30) H— (OC 3 H 6 ) 5 — (OC 2 H 4 ) 20 —SS— (C 2 H 4
O) 20 - (C 3 H 6 O) 5 bis represented by -H (.omega.-hydroxy penta propoxycarbonyl alkoximinoalkyl Cosa ethoxy) disulfide (31) H- (OCH 2 CH (OH) CH 2) 3 -S-S − (CH 2
Bis (ω-hydroxytriglyceroxy) disulfide represented by CH (OH) CH 2 O) 3 —H (32) H- (OCH 2 CH (OH) CH 2 ) 10 —SS— (CH 2
Bis (ω-hydroxydecaglyceroxy) disulfide represented by CH (OH) CH 2 O) 10 —H (33) HOCH 2 CH 2 —S—CH 2 CH 2 —S—CH 2 CH 2
S represented by OH, S'-bis (monoethylene glycol) ethylene dithioether (34) H- (OC 2 H 4) 10 -S-C 3 H 6 -S- (OC 2 H 4) 10
S represented by -H, S'-bis (decamethylene glycol) propylene dithio ether (35) H- (OCH 2 CH 2) 5 -S-CH 2 CH (OH) CH 2
-S- (CH 2 CH 2 O) 5 S represented by -H, S'-bis
(Pentaethylene glycol) -2-hydroxypropylene dithioether (36) H- (OC 3 H 6 ) 2 -S-CH 2 CH (OH) CH 2 -S
- (C 3 H 6 O) S represented by 2 -H, S'-bis (dipropylene glycol) -2-hydroxypropylene dithioether (37) H- (OCH 2 CH 2) 20 -S-CH 2 CH 2 -S- (C
H 2 CH 2 O) 20 S represented by -H, S'-bis (equalizing sub ethylene glycol) ethylene dithioether

【0020】そこで、上記具体的化合物を前記一般式
(イ)を適用して表現した場合の様々な例を以下に説明す
る。例えば、上記一般式(イ)において、AO=C24
(エチレンオキシド)、a=3、b=1、A=C24(エ
チレン)、B=O、c=2の場合には、本発明の直鎖状
脂肪族炭化水素化合物は上式(1)のビス(トリエチレン
グリコール)チオエーテルを表す。同様に、AO=C2
4O(エチレンオキシド)、a=15、b=1、A=C2
4(エチレン)、B=O、c=14の場合、上式(5)のビ
ス(ペンタデカエチレングリコール)チオエーテルを表
す。AO=C24O(エチレンオキシド)、a=12、b
=2、A=C24(エチレン)、B=O、c=11の場
合、上式(11)のビス(ω−ヒドロキシドデカエトキシ)ジ
スルフィドを表す。AO=CH2CH(OH)CH2O(ヒ
ドロキシプロピレンオキシド)、a=8、b=1、A=
CH2CH(OH)CH2(ヒドロキシプロピレン)、B=
O、c=7の場合、上式(14)のビス(オクタグリセロー
ル)チオエーテルを表す。AO=ヒドロキシプロピレン
オキシド、a=1、b=1、A=ヒドロキシプロピレ
ン、B=O、c=0の場合、上式(27)のビス(モノグリ
セロール)チオエーテルを表す。AO=ヒドロキシプロ
ピレンオキシド、a=3、b=1、A=ヒドロキシプロ
ピレン、B=O、c=2の場合、上式(28)のビス(トリ
グリセロール)チオエーテルを表す。AO=エチレンオ
キシド、a=5、b=1、A=エチレン、B=S、c=
5の場合、上式(21)のS,S′−ビス(ペンタエチレング
リコール)エチレンジチオエーテルを表す。AO=エチ
レンオキシド、a=30、b=1、A=プロピレン、B
=S、c=30の場合、上式(23)のS,S′−ビス(トリ
アコンタエチレングリコール)プロピレンジチオエーテ
ルを表す。この場合、(OA)aと(AO)bでのAはエチ
レンであり、中央位置のAはプロピレンであって、各A
は異なる。AO=エチレンオキシド、a=5、b=1、
A=ヒドロキシプロピレン、B=S、c=5の場合、上
式(35)のS,S′−ビス(ペンタエチレングリコール)−
2−ヒドロキシプロピレンジチオエーテルを表す。この
場合、(OA)aと(AO)bでのAはエチレンであり、中
央位置のAはヒドロキシプロピレンであって、各Aは異
なる。(OA)aでのA=プロピレンオキシド及びエチレ
ンオキシド、a=20、b=2、A=エチレン、B=
O、(OA)cでのA=エチレンオキシド及びプロピレン
オキシド、c=19の場合、上式(18)のビス(ω−ヒド
ロキシペンタプロポキシペンタデカエトキシ)ジスルフ
ィドを表す。この場合、a=20、c=19でAOが連
鎖状に繰り返されており、繰り返し中の各AOは互いに
異なっており、エチレンオキシドの連鎖ブロックとプロ
ピレンオキシドの連鎖ブロックが併存している。また、
上式(19)では、繰り返し中の各AOは互いに異なってお
り、エチレンオキシドの連鎖ブロックとヒドロキシプロ
ピレンオキシドの連鎖ブロックが併存している。上式(2
5)は、前述の通り、中央のAがヒドロキシプロピレンで
あり、そのヒドロキシル基にエチレンオキシド鎖が付加
したものである。
Therefore, the above specific compound is represented by the general formula
Various examples in the case of expressing by applying (a) will be described below. For example, in the above general formula (A), AO = C 2 H 4 O
(Ethylene oxide), a = 3, b = 1, A = C 2 H 4 (ethylene), B = O, and c = 2, the linear aliphatic hydrocarbon compound of the present invention has the above formula (1) ) Represents bis (triethylene glycol) thioether. Similarly, AO = C 2 H
4 O (ethylene oxide), a = 15, b = 1, A = C 2 H
4 (ethylene), B = O, c = 14 represents bis (pentadecaethylene glycol) thioether of the above formula (5). AO = C 2 H 4 O (ethylene oxide), a = 12, b
= 2, A = C 2 H 4 (ethylene), B = O, and c = 11 represent bis (ω-hydroxydodecaethoxy) disulfide of the above formula (11). AO = CH 2 CH (OH) CH 2 O (hydroxypropylene oxide), a = 8, b = 1, A =
CH 2 CH (OH) CH 2 (hydroxypropylene), B =
When O and c = 7, it represents bis (octaglycerol) thioether of the above formula (14). When AO = hydroxypropylene oxide, a = 1, b = 1, A = hydroxypropylene, B = O, c = 0, it represents a bis (monoglycerol) thioether of the above formula (27). When AO = hydroxypropylene oxide, a = 3, b = 1, A = hydroxypropylene, B = O, c = 2, it represents a bis (triglycerol) thioether of the above formula (28). AO = ethylene oxide, a = 5, b = 1, A = ethylene, B = S, c =
In the case of 5, it represents S, S'-bis (pentaethylene glycol) ethylene dithioether of the above formula (21). AO = ethylene oxide, a = 30, b = 1, A = propylene, B
When = S and c = 30, it represents S, S'-bis (triacontaethylene glycol) propylene dithioether of the above formula (23). In this case, A in (OA) a and (AO) b is ethylene, A in the center is propylene, and each A
Is different. AO = ethylene oxide, a = 5, b = 1,
When A = hydroxypropylene, B = S and c = 5, S, S′-bis (pentaethylene glycol)-of the above formula (35)
Represents 2-hydroxypropylene dithioether. In this case, A in (OA) a and (AO) b is ethylene, A in the central position is hydroxypropylene, and each A is different. (OA) A at a = propylene oxide and ethylene oxide, a = 20, b = 2, A = ethylene, B =
When O and (OA) c, A = ethylene oxide and propylene oxide, and c = 19, it represents bis (ω-hydroxypentapropoxypentadecaethoxy) disulfide of the above formula (18). In this case, AO is repeated in a chain at a = 20 and c = 19, and each AO in the repetition is different from each other, and a chain block of ethylene oxide and a chain block of propylene oxide coexist. Also,
In the above formula (19), each AO in the repetition is different from each other, and a chain block of ethylene oxide and a chain block of hydroxypropylene oxide coexist. The above formula (2
In 5), as described above, A in the center is hydroxypropylene and an ethylene oxide chain is added to the hydroxyl group.

【0021】上記直鎖状脂肪族炭化水素化合物は単用又
は併用でき、メッキ浴に対する当該脂肪族炭化水素化合
物の総濃度は0.1〜50g/L、好ましくは1〜30
g/Lである。
The above linear aliphatic hydrocarbon compound can be used alone or in combination. The total concentration of the aliphatic hydrocarbon compound in the plating bath is 0.1 to 50 g / L, preferably 1 to 30 g / L.
g / L.

【0022】上記直鎖状脂肪族炭化水素化合物と併用す
べきベンゾアゾール系化合物は、前述のように、一般式
(ロ)で表される。当該一般式(ロ)のXはO、S、NHで
あり、置換基R1は、SH、SRなどのイオウを含有す
る官能基である。従って、このベンゾアゾール系化合物
は、縮合複素環の位置2に特定のイオウ含有官能基を有
するベンゾチアゾール類、ベンズイミダゾール類、或は
ベンゾオキサゾール類である。上記ベンゾアゾール系化
合物の具体例としては、2−メルカプトベンゾチアゾー
ル、6−メトキシ−2−メルカプトベンゾチアゾール、
3−(2−ベンゾチアゾリルチオ)−1−プロパンスルホ
ン酸及びその塩、2−メチルメルカプトベンゾチアゾー
ル、6−クロロ−2−メルカプトベンゾチアゾール、2
−ベンゾチアゾールチオ酢酸、6−アミノ−2−メルカ
プトベンゾチアゾール、6−ニトロ−2−メルカプトベ
ンゾチアゾール、2−メルカプトベンズイミダゾール、
2−メルカプトベンゾオキサゾール、6−メトキシ−2
−メルカプトベンズイミダゾール、2−メチルメルカプ
トベンズイミダゾール、6−アミノ−2−メルカプトベ
ンズイミダゾール、6−メトキシ−2−メルカプトベン
ゾオキサゾール、2−メチルメルカプトベンゾオキサゾ
ールなどが挙げられる。好ましくは、2−メルカプトベ
ンゾチアゾール、2−メルカプトベンズイミダゾール、
6−メトキシ−2−メルカプトベンゾチアゾール、2−
メチルメルカプトベンゾチアゾール、2−ベンゾチアゾ
ールチオ酢酸などである。上記ベンゾアゾール系化合物
は単用又は併用でき、メッキ浴に対する当該化合物の総
濃度は0.001〜20g/L、好ましくは0.005〜
2g/Lである。
The benzoazole-based compound to be used in combination with the above-mentioned linear aliphatic hydrocarbon compound has a general formula as described above.
(B). In the general formula (B), X is O, S, NH, and the substituent R 1 is a sulfur-containing functional group such as SH or SR. Therefore, this benzoazole-based compound is a benzothiazole, benzimidazole, or benzoxazole having a specific sulfur-containing functional group at position 2 of the condensed heterocycle. Specific examples of the benzoazole-based compound include 2-mercaptobenzothiazole, 6-methoxy-2-mercaptobenzothiazole,
3- (2-benzothiazolylthio) -1-propanesulfonic acid and its salt, 2-methylmercaptobenzothiazole, 6-chloro-2-mercaptobenzothiazole, 2
-Benzothiazolethioacetic acid, 6-amino-2-mercaptobenzothiazole, 6-nitro-2-mercaptobenzothiazole, 2-mercaptobenzimidazole,
2-mercaptobenzoxazole, 6-methoxy-2
-Mercaptobenzimidazole, 2-methylmercaptobenzimidazole, 6-amino-2-mercaptobenzimidazole, 6-methoxy-2-mercaptobenzoxazole, 2-methylmercaptobenzoxazole and the like. Preferably, 2-mercaptobenzothiazole, 2-mercaptobenzimidazole,
6-methoxy-2-mercaptobenzothiazole, 2-
Methyl mercaptobenzothiazole, 2-benzothiazolethioacetic acid and the like. The above-mentioned benzoazole compounds can be used alone or in combination, and the total concentration of the compounds in the plating bath is 0.001 to 20 g / L, preferably 0.005 to 20 g / L.
2 g / L.

【0023】本発明の錫、鉛又は錫−鉛合金メッキ浴に
用いる可溶性金属塩は、基本的に水中で相当する金属イ
オンを生成する任意の有機又は無機の金属塩をいう。可
溶性第一スズ塩の具体例としては、メタンスルホン酸、
エタンスルホン酸、2−プロパノールスルホン酸、スル
ホコハク酸、p−フェノールスルホン酸などの有機スル
ホン酸の第一スズ塩を初め、ホウフッ化第一スズ、硫酸
第一スズ、酸化第一スズ、塩化第一スズなどが挙げられ
る。可溶性鉛塩としては、上記有機スルホン酸の鉛塩を
初め、塩化鉛、酸化鉛、炭酸鉛、酢酸鉛、ホウフッ化
鉛、シュウ酸鉛、クエン酸鉛などが挙げられる。上記可
溶性金属塩は単用又は併用でき、そのメッキ浴に対する
含有量は金属換算で0.5〜300g/L、好ましくは
10〜120g/Lである。
The soluble metal salt used in the tin, lead or tin-lead alloy plating bath of the present invention basically refers to any organic or inorganic metal salt that produces a corresponding metal ion in water. Specific examples of the soluble stannous salt include methanesulfonic acid,
Starting with stannous salts of organic sulfonic acids such as ethanesulfonic acid, 2-propanolsulfonic acid, sulfosuccinic acid, p-phenolsulfonic acid, stannous borofluoride, stannous sulfate, stannous oxide, stannous chloride Tin and the like. Examples of the soluble lead salt include the above-mentioned lead salts of organic sulfonic acids, lead chloride, lead oxide, lead carbonate, lead acetate, lead borofluoride, lead oxalate, lead citrate, and the like. The above-mentioned soluble metal salt can be used alone or in combination, and its content in the plating bath is 0.5 to 300 g / L, preferably 10 to 120 g / L, in terms of metal.

【0024】本発明の錫、鉛又は錫−鉛合金メッキ浴は
基本的に有機酸浴、無機酸浴、或はその塩をベースとし
た浴であり、有機酸としては有機スルホン酸、脂肪族カ
ルボン酸などが、また、無機酸としては硫酸、塩酸、ホ
ウフッ化水素酸、ケイフッ化水素酸、スルファミン酸な
どが挙げられるが、スズ、鉛の溶解性、排水処理の容易
性などの点で有機スルホン酸が好ましい。本発明の錫、
鉛又は錫−鉛合金メッキ浴は酸性浴、中性浴を問わず適
用することができる。
The tin, lead or tin-lead alloy plating bath of the present invention is basically an organic acid bath, an inorganic acid bath or a bath based on a salt thereof. Carboxylic acids and the like, and inorganic acids include sulfuric acid, hydrochloric acid, borofluoric acid, hydrofluorosilicic acid, sulfamic acid, etc., but organic compounds are preferred in terms of the solubility of tin and lead and the ease of wastewater treatment. Sulfonic acid is preferred. Tin of the present invention,
A lead or tin-lead alloy plating bath can be applied regardless of an acid bath or a neutral bath.

【0025】但し、一般的に、第一スズイオンは酸性で
は安定であるが、中性付近、或はそれを越えると、白色
沈殿が生じたり、浴が分解する恐れがあるため、これを
防止する見地から錯化剤の含有が有効である。錯化剤と
しては、エチレンジアミン、エチレンジアミン四酢酸
(EDTA)、ジエチレントリアミン五酢酸(DTPA)、
ニトリロ三酢酸(NTA)、イミノジ酢酸(IDA)、イミ
ノジプロピオン酸(IDP)、ヒドロキシエチルエチレン
ジアミン三酢酸(HEDTA)、トリエチレンテトラミン
六酢酸(TTHA)、エチレンジオキシビス(エチルアミ
ン)−N,N,N′,N′−テトラ酢酸、コハク酸、クエン
酸、酒石酸、グリコール酸、グリシン、メルカプトコハ
ク酸、グルコン酸、グルコヘプトン酸、グルコノラクト
ン、グルコヘプトノラクトン、ニトリロトリメチルホス
ホン酸、これらの塩、又はこれらの誘導体などを単用又
は併用できる。中性付近を含むpH1.5〜9.0のメッ
キ浴では、脂肪族スルホン酸や芳香族スルホン酸などの
有機スルホン酸のアルカリ金属塩、アルカリ土類金属
塩、アンモニウム塩、アミン塩を含有する浴が有用であ
る。当該有機スルホン塩としては、ナトリウム、カリウ
ム、マグネシウム、カルシウム、アンモニウム、モノエ
タノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノール
アミン、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、ト
リエチレンペンタミン、ペンタエチレンテトラミン塩な
どが挙げられる。上記酸又はその塩は単用又は併用で
き、その含有量は0.1〜10mol/L、好ましくは
0.5〜5mol/Lである。上記錯化剤の含有量は基
本的には0.05〜5mol/L、好ましくは0.1〜2
mol/Lである。
In general, however, stannous ions are stable in an acidic condition. However, when the concentration of the stannous ions is near or above neutral, white precipitation may occur or the bath may be decomposed. From the viewpoint, the inclusion of a complexing agent is effective. Complexing agents include ethylenediamine, ethylenediaminetetraacetic acid
(EDTA), diethylenetriaminepentaacetic acid (DTPA),
Nitrilotriacetic acid (NTA), iminodiacetic acid (IDA), iminodipropionic acid (IDP), hydroxyethylethylenediaminetriacetic acid (HEDTA), triethylenetetramine hexaacetic acid (TTHA), ethylenedioxybis (ethylamine) -N, N , N ', N'-tetraacetic acid, succinic acid, citric acid, tartaric acid, glycolic acid, glycine, mercaptosuccinic acid, gluconic acid, glucoheptonic acid, gluconolactone, glucoheptonolactone, nitrilotrimethylphosphonic acid, salts thereof, Or these derivatives can be used alone or in combination. The plating bath having a pH of about 1.5 to 9.0 including around neutral contains alkali metal salts, alkaline earth metal salts, ammonium salts, and amine salts of organic sulfonic acids such as aliphatic sulfonic acids and aromatic sulfonic acids. Bath is useful. Examples of the organic sulfone salt include sodium, potassium, magnesium, calcium, ammonium, monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, ethylenediamine, diethylenetriamine, triethylenepentamine, and pentaethylenetetramine. The above acids or salts thereof can be used alone or in combination, and the content thereof is 0.1 to 10 mol / L, preferably 0.5 to 5 mol / L. The content of the complexing agent is basically 0.05 to 5 mol / L, preferably 0.1 to 2 mol / L.
mol / L.

【0026】上記有機スルホン酸は、アルカンスルホン
酸、アルカノールスルホン酸、スルホコハク酸、芳香族
スルホン酸などであり、アルカンスルホン酸としては、
化学式Cn2n+1SO3H(例えば、n=1〜11)で示さ
れるものが使用でき、具体的には、メタンスルホン酸、
エタンスルホン酸、1―プロパンスルホン酸、2―プロ
パンスルホン酸、1―ブタンスルホン酸、2―ブタンス
ルホン酸、ペンタンスルホン酸などが挙げられる。
The above-mentioned organic sulfonic acid is alkanesulfonic acid, alkanolsulfonic acid, sulfosuccinic acid, aromatic sulfonic acid and the like.
Those represented by the chemical formula C n H 2n + 1 SO 3 H (for example, n = 1 to 11) can be used, and specifically, methanesulfonic acid,
Examples thereof include ethanesulfonic acid, 1-propanesulfonic acid, 2-propanesulfonic acid, 1-butanesulfonic acid, 2-butanesulfonic acid, and pentanesulfonic acid.

【0027】上記アルカノールスルホン酸としては、化
学式 Cm2m+1-CH(OH)-Cp2p-SO3H(例えば、m=0
〜6、p=1〜5) で示されるものが使用でき、具体的には、2―ヒドロキ
シエタン―1―スルホン酸、2―ヒドロキシプロパン―
1―スルホン酸(2−プロパノールスルホン酸)、2―ヒ
ドロキシブタン―1―スルホン酸、2―ヒドロキシペン
タン―1―スルホン酸などの外、1―ヒドロキシプロパ
ン―2―スルホン酸、3―ヒドロキシプロパン―1―ス
ルホン酸、4―ヒドロキシブタン―1―スルホン酸、2
―ヒドロキシヘキサン―1―スルホン酸などが挙げられ
る。
[0027] Examples of the alkanol sulfonic acid, the formula C m H 2m + 1 -CH ( OH) -C p H 2p -SO 3 H ( e.g., m = 0
~ 6, p = 1 ~ 5), specifically, 2-hydroxyethane-1-sulfonic acid, 2-hydroxypropane-
1-sulfonic acid (2-propanolsulfonic acid), 2-hydroxybutane-1-sulfonic acid, 2-hydroxypentane-1-sulfonic acid, etc., as well as 1-hydroxypropane-2-sulfonic acid, 3-hydroxypropane 1-sulfonic acid, 4-hydroxybutane-1-sulfonic acid, 2
-Hydroxyhexane-1-sulfonic acid and the like.

【0028】上記芳香族スルホン酸は、基本的にベンゼ
ンスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸、フェノー
ルスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、アルキルナフタ
レンスルホン酸、ナフトールスルホン酸などであり、具
体的には、1−ナフタレンスルホン酸、2−ナフタレン
スルホン酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン
酸、p−フェノールスルホン酸、クレゾールスルホン
酸、スルホサリチル酸、ニトロベンゼンスルホン酸、ス
ルホ安息香酸、ジフェニルアミン−4−スルホン酸など
が挙げられる。上記有機スルホン酸では、メタンスルホ
ン酸、エタンスルホン酸、2−プロパノールスルホン
酸、フェノールスルホン酸などが好ましい。
The aromatic sulfonic acid is basically benzenesulfonic acid, alkylbenzenesulfonic acid, phenolsulfonic acid, naphthalenesulfonic acid, alkylnaphthalenesulfonic acid, naphtholsulfonic acid, and the like. Examples include acid, 2-naphthalenesulfonic acid, toluenesulfonic acid, xylenesulfonic acid, p-phenolsulfonic acid, cresolsulfonic acid, sulfosalicylic acid, nitrobenzenesulfonic acid, sulfobenzoic acid, and diphenylamine-4-sulfonic acid. Among the above organic sulfonic acids, methanesulfonic acid, ethanesulfonic acid, 2-propanolsulfonic acid, phenolsulfonic acid and the like are preferable.

【0029】一方、本発明の錫又は錫−鉛合金メッキ浴
には上記成分以外に、目的に応じて公知の界面活性剤、
光沢剤、半光沢剤、補助錯化剤、pH緩衝剤、導電性
塩、防腐剤、酸化防止剤などの各種添加剤を混合できる
ことはいうまでもない。上記界面活性剤にはノニオン
系、アニオン系、カチオン系、或は両性の各種界面活性
剤が挙げられ、メッキ皮膜の外観、緻密性、平滑性、密
着性、均一電着性などの改善に寄与するが、特に、ノニ
オン系界面活性剤が好ましい。これらの界面活性剤は単
用又は併用でき、その添加量は0.01〜100g/
L、好ましくは0.1〜50g/Lである。
On the other hand, the tin or tin-lead alloy plating bath of the present invention may contain, in addition to the above-mentioned components, a known surfactant depending on the purpose.
It goes without saying that various additives such as brighteners, semi-brighteners, auxiliary complexing agents, pH buffers, conductive salts, preservatives, antioxidants and the like can be mixed. The above surfactants include nonionic, anionic, cationic, or amphoteric surfactants, which contribute to improving the appearance, denseness, smoothness, adhesion, and uniform electrodeposition of the plating film. However, nonionic surfactants are particularly preferred. These surfactants can be used alone or in combination, and the added amount is 0.01 to 100 g /
L, preferably 0.1 to 50 g / L.

【0030】上記ノニオン系界面活性剤は、C1〜C20
アルカノール、フェノール、ナフトール、ビスフェノー
ル類、C1〜C25アルキルフェノール、アリールアルキ
ルフェノール、C1〜C25アルキルナフトール、C1〜C
25アルコキシル化リン酸(塩)、ソルビタンエステル、ス
チレン化フェノール、ポリアルキレングリコール、C 1
〜C22脂肪族アミン、C1〜C22脂肪族アミドなどにエ
チレンオキシド(EO)及び/又はプロピレンオキシド
(PO)を2〜300モル付加縮合したものである。従っ
て、所定のアルカノール、フェノール、ナフトールなど
のEO単独の付加物、PO単独の付加物、或は、EOと
POが共存した付加物のいずれでも良く、具体的には、
α−ナフトール又はβ−ナフトールのエチレンオキシド
付加物(即ち、α−ナフトールポリエトキシレートなど)
が好ましい。
The nonionic surfactant is C1~ C20
Alkanol, phenol, naphthol, bisphenol
Le, C1~ Ctwenty fiveAlkyl phenol, aryl alk
Luphenol, C1~ Ctwenty fiveAlkyl naphthol, C1~ C
twenty fiveAlkoxylated phosphoric acid (salt), sorbitan ester,
Tylene phenol, polyalkylene glycol, C 1
~ Ctwenty twoAliphatic amine, C1~ Ctwenty twoFor aliphatic amides, etc.
Tylene oxide (EO) and / or propylene oxide
(PO) is addition-condensed in an amount of 2 to 300 mol. Follow
Alkanol, phenol, naphthol, etc.
Adduct of EO alone, adduct of PO alone, or EO
Any of adducts coexisting with PO may be used.
α-naphthol or β-naphthol ethylene oxide
Adducts (i.e., α-naphthol polyethoxylate, etc.)
Is preferred.

【0031】エチレンオキシド(EO)及び/又はプロピ
レンオキシド(PO)を付加縮合させるC1〜C20アルカ
ノールとしては、オクタノール、デカノール、ラウリル
アルコール、テトラデカノール、ヘキサデカノール、ス
テアリルアルコール、エイコサノール、セチルアルコー
ル、オレイルアルコール、ドコサノールなどが挙げられ
る。同じくビスフェノール類としては、ビスフェノール
A、ビスフェノールB、ビスフェノールF、ビスフェノ
ールSなどが挙げられる。C1〜C25アルキルフェノー
ルとしては、モノ、ジ、若しくはトリアルキル置換フェ
ノール、例えば、p−ブチルフェノール、p−イソオク
チルフェノール、p−ノニルフェノール、p−ヘキシル
フェノール、2,4−ジブチルフェノール、2,4,6−
トリブチルフェノール、p−ドデシルフェノール、p−
ラウリルフェノール、p−ステアリルフェノールなどが
挙げられる。アリールアルキルフェノールとしては、2
−フェニルイソプロピルフェニルなどが挙げられる。
The C 1 -C 20 alkanol for addition condensation of ethylene oxide (EO) and / or propylene oxide (PO) is octanol, decanol, lauryl alcohol, tetradecanol, hexadecanol, stearyl alcohol, eicosanol, cetyl alcohol , Oleyl alcohol, docosanol and the like. Similarly, bisphenols include bisphenol A, bisphenol B, bisphenol F, bisphenol S, and the like. C 1 -C 25 alkylphenols include mono-, di- or trialkyl-substituted phenols such as p-butylphenol, p-isooctylphenol, p-nonylphenol, p-hexylphenol, 2,4-dibutylphenol, 2,4, 6-
Tributylphenol, p-dodecylphenol, p-
Lauryl phenol, p-stearyl phenol and the like can be mentioned. As the arylalkylphenol, 2
-Phenylisopropylphenyl and the like.

【0032】C1〜C25アルキルナフトールのアルキル
基としては、メチル、エチル、プロピル、ブチルヘキシ
ル、オクチル、デシル、ドデシル、オクタデシルなどが
挙げられ、ナフタレン核の任意の位置にあって良い。C
1〜C25アルコキシル化リン酸(塩)は、下記の一般式(a)
で表されるものである。Ra・Rb・(MO)P=O
…(a)(式(a)中、Ra及びRbは同一又は異なる
1〜C25アルキル、但し、一方がHであっても良い。
MはH又はアルカリ金属を示す。)
The alkyl group of the C 1 -C 25 alkyl naphthol includes methyl, ethyl, propyl, butylhexyl, octyl, decyl, dodecyl, octadecyl and the like, and may be located at any position on the naphthalene nucleus. C
1- C 25 alkoxylated phosphoric acid (salt) has the following general formula (a)
It is represented by Ra ・ Rb ・ (MO) P = O
During ... (a) (formula (a), R a and R b are the same or different C 1 -C 25 alkyl, provided that one may be a H.
M represents H or an alkali metal. )

【0033】ソルビタンエステルとしては、モノ、ジ又
はトリエステル化した1,4−、1,5−又は3,6−ソ
ルビタン、例えばソルビタンモノラウレート、ソルビタ
ンモノパルミテート、ソルビタンジステアレート、ソル
ビタンジオレエート、ソルビタン混合脂肪酸エステルな
どが挙げられる。C1〜C22脂肪族アミンとしては、プ
ロピルアミン、ブチルアミン、ヘキシルアミン、オクチ
ルアミン、デシルアミン、ラウリルアミン、ステアリル
アミン、エチレンジアミン、プロピレンジアミンなどの
飽和及び不飽和脂肪酸アミンなどが挙げられる。C1
22脂肪族アミドとしては、プロピオン酸、酪酸、カプ
リル酸、カプリン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パル
ミチン酸、ステアリン酸、ベヘン酸などのアミドが挙げ
られる。
As the sorbitan ester, mono-, di- or triester-converted 1,4-, 1,5- or 3,6-sorbitan such as sorbitan monolaurate, sorbitan monopalmitate, sorbitan distearate, sorbitan diester Oleate, sorbitan mixed fatty acid ester and the like can be mentioned. Examples of the C 1 -C 22 aliphatic amine include saturated and unsaturated fatty acid amines such as propylamine, butylamine, hexylamine, octylamine, decylamine, laurylamine, stearylamine, ethylenediamine, and propylenediamine. C 1-
The C 22 aliphatic amides, propionic acid, butyric acid, caprylic acid, capric acid, lauric acid, myristic acid, palmitic acid, stearic acid, amides such as behenic acid.

【0034】上記カチオン系界面活性剤としては、下記
の一般式(b)で表される第4級アンモニウム塩(R1・R
2・R3・R4N)+・X- …(b)(式(b)中、Xはハ
ロゲン、ヒドロキシ、C1〜C5アルカンスルホン酸又は
硫酸、R1、R2及びR3は同一又は異なるC1〜C20アル
キル、R4はC1〜C10アルキル又はベンジルを示す。)
或は、下記の一般式(c)で表されるピリジニウム塩など
が挙げられる。R6−(C55N−R5)+・X-
(c)(式(c)中、C55Nはピリジン環、Xはハロゲ
ン、ヒドロキシ、C1〜C5アルカンスルホン酸又は硫
酸、R5はC1〜C20アルキル、R6はH又はC1〜C10
ルキルを示す。)
The cationic surfactant includes a quaternary ammonium salt represented by the following general formula (b) (R 1 · R
2 · R 3 · R 4 N ) + · X - ... (b) ( Formula (b) in, X is halogen, hydroxy, C 1 -C 5 alkane sulfonic acid or sulfuric acid, R 1, R 2 and R 3 is The same or different C 1 -C 20 alkyl, and R 4 represents C 1 -C 10 alkyl or benzyl.)
Alternatively, a pyridinium salt represented by the following general formula (c) is exemplified. R 6 - (C 5 H 5 N-R 5) + · X - ...
(c) (in the formula (c), C 5 H 5 N is a pyridine ring, X is a halogen, hydroxy, C 1 -C 5 alkanesulfonic acid or sulfuric acid, R 5 is C 1 -C 20 alkyl, R 6 is H Or C 1 -C 10 alkyl.)

【0035】塩の形態のカチオン系界面活性剤の例とし
ては、ラウリルトリメチルアンモニウム塩、ステアリル
トリメチルアンモニウム塩、ラウリルジメチルエチルア
ンモニウム塩、オクタデシルジメチルエチルアンモニウ
ム塩、ジメチルベンジルラウリルアンモニウム塩、セチ
ルジメチルベンジルアンモニウム塩、オクタデシルジメ
チルベンジルアンモニウム塩、トリメチルベンジルアン
モニウム塩、トリエチルベンジルアンモニウム塩、ヘキ
サデシルピリジニウム塩、ラウリルピリジニウム塩、ド
デシルピリジニウム塩、ステアリルアミンアセテート、
ラウリルアミンアセテート、オクタデシルアミンアセテ
ートなどが挙げられる。
Examples of the cationic surfactant in the form of a salt include lauryl trimethyl ammonium salt, stearyl trimethyl ammonium salt, lauryl dimethyl ethyl ammonium salt, octadecyl dimethyl ethyl ammonium salt, dimethyl benzyl lauryl ammonium salt, cetyl dimethyl benzyl ammonium salt Octadecyldimethylbenzylammonium salt, trimethylbenzylammonium salt, triethylbenzylammonium salt, hexadecylpyridinium salt, laurylpyridinium salt, dodecylpyridinium salt, stearylamine acetate,
Laurylamine acetate, octadecylamine acetate and the like can be mentioned.

【0036】上記アニオン系界面活性剤としては、アル
キル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸
塩、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸
塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、(モノ、ジ、トリ)
アルキルナフタレンスルホン酸塩などが挙げられる。ア
ルキル硫酸塩としては、ラウリル硫酸ナトリウム、オレ
イル硫酸ナトリウムなどが挙げられる。ポリオキシエチ
レンアルキルエーテル硫酸塩としては、ポリオキシエチ
レン(EO12)ノニルエーテル硫酸ナトリウム、ポリオ
キシエチレン(EO15)ドデシルエーテル硫酸ナトリウ
ムなどが挙げられる。ポリオキシエチレンアルキルフェ
ニルエーテル硫酸塩としては、ポリオキシエチレン(E
O15)ノニルフェニルエーテル硫酸塩などが挙げられ
る。アルキルベンゼンスルホン酸塩としては、ドデシル
ベンゼンスルホン酸ナトリウムなどが挙げられる。ま
た、(モノ、ジ、トリ)アルキルナフタレンスルホン酸塩
としては、ジブチルナフタレンスルホン酸ナトリウムな
どが挙げられる。
Examples of the above anionic surfactants include alkyl sulfates, polyoxyethylene alkyl ether sulfates, polyoxyethylene alkyl phenyl ether sulfates, alkyl benzene sulfonates, (mono, di, tri)
Alkyl naphthalene sulfonate and the like can be mentioned. Examples of the alkyl sulfate include sodium lauryl sulfate and sodium oleyl sulfate. Examples of the polyoxyethylene alkyl ether sulfate include sodium polyoxyethylene (EO12) nonyl ether sulfate and sodium polyoxyethylene (EO15) dodecyl ether sulfate. As polyoxyethylene alkyl phenyl ether sulfate, polyoxyethylene (E
O15) Nonyl phenyl ether sulfate and the like. Examples of the alkyl benzene sulfonate include sodium dodecyl benzene sulfonate. Examples of the (mono, di, tri) alkylnaphthalenesulfonate include sodium dibutylnaphthalenesulfonate.

【0037】上記両性界面活性剤としては、カルボキシ
ベタイン、イミダゾリンベタイン、スルホベタイン、ア
ミノカルボン酸などが挙げられる。また、エチレンオキ
シド及び/又はプロピレンオキシドとアルキルアミン又
はジアミンとの縮合生成物の硫酸化、或はスルホン酸化
付加物も使用できる。
Examples of the amphoteric surfactant include carboxybetaine, imidazoline betaine, sulfobetaine, aminocarboxylic acid and the like. Sulfation or sulfonated adducts of condensation products of ethylene oxide and / or propylene oxide with alkylamines or diamines can also be used.

【0038】代表的なカルボキシベタイン、或はイミダ
ゾリンベタインとしては、ラウリルジメチルアミノ酢酸
ベタイン、ミリスチルジメチルアミノ酢酸ベタイン、ス
テアリルジメチルアミノ酢酸ベタイン、ヤシ油脂肪酸ア
ミドプロピルジメチルアミノ酢酸ベタイン、2−ウンデ
シル−1−カルボキシメチル−1−ヒドロキシエチルイ
ミダゾリニウムベタイン、2−オクチル−1−カルボキ
シメチル−1−カルボキシエチルイミダゾリニウムベタ
インなどが挙げられ、硫酸化及びスルホン酸化付加物と
してはエトキシル化アルキルアミンの硫酸付加物、スル
ホン酸化ラウリル酸誘導体ナトリウム塩などが挙げられ
る。
Representative carboxybetaines or imidazoline betaines include betaine lauryldimethylaminoacetate, betaine myristyldimethylaminoacetate, betaine stearyldimethylaminoacetate, coconut oil fatty acid amidopropyldimethylaminoacetate betaine, 2-undecyl-1- Carboxymethyl-1-hydroxyethylimidazolinium betaine, 2-octyl-1-carboxymethyl-1-carboxyethylimidazolinium betaine, and the like. Examples of the sulfated and sulfonated adducts include sulfate addition of ethoxylated alkylamine. And sodium salts of sulfonated lauric acid derivatives.

【0039】上記スルホベタインとしては、ヤシ油脂肪
酸アミドプロピルジメチルアンモニウム−2−ヒドロキ
シプロパンスルホン酸、N−ココイルメチルタウリンナ
トリウム、N−パルミトイルメチルタウリンナトリウム
などが挙げられる。アミノカルボン酸としては、ジオク
チルアミノエチルグリシン、N−ラウリルアミノプロピ
オン酸、オクチルジ(アミノエチル)グリシンナトリウム
塩などが挙げられる。
Examples of the above sulfobetaine include coconut oil fatty acid amidopropyldimethylammonium-2-hydroxypropanesulfonic acid, sodium N-cocoylmethyltaurine, sodium N-palmitoylmethyltaurine and the like. Examples of the aminocarboxylic acid include dioctylaminoethylglycine, N-laurylaminopropionic acid, octyldi (aminoethyl) glycine sodium salt, and the like.

【0040】また、本発明の錫、鉛又は錫−鉛合金浴に
含有できる上記酸化防止剤は、浴中の第一スズ塩の酸化
防止を目的とし、具体例としては、アスコルビン酸又は
その塩、ハイドロキノン、カテコール、レゾルシン、フ
ロログルシン、クレゾールスルホン酸又はその塩、フェ
ノールスルホン酸又はその塩、カテコールスルホン酸又
はその塩、ハイドロキノンスルホン酸又はその塩、ヒド
ラジンなどが挙げられる。
The antioxidant which can be contained in the tin, lead or tin-lead alloy bath of the present invention is intended to prevent oxidation of stannous salts in the bath, and specific examples thereof include ascorbic acid or a salt thereof. , Hydroquinone, catechol, resorcin, phloroglucin, cresol sulfonic acid or a salt thereof, phenol sulfonic acid or a salt thereof, catechol sulfonic acid or a salt thereof, hydroquinone sulfonic acid or a salt thereof, and hydrazine.

【0041】上記光沢剤並びに半光沢剤としては、ベン
ズアルデヒド、o−クロロベンズアルデヒド、2,4,6
−トリクロロベンズアルデヒド、m−クロロベンズアル
デヒド、p−ニトロベンズアルデヒド、p−ヒドロキシ
ベンズアルデヒド、フルフラール、1−ナフトアルデヒ
ド、2−ナフトアルデヒド、2−ヒドロキシ−1−ナフ
トアルデヒド、3−アセナフトアルデヒド、ベンジリデ
ンアセトン、ピリジデンアセトン、フルフリリデンアセ
トン、シンナムアルデヒド、アニスアルデヒド、サリチ
ルアルデヒド、クロトンアルデヒド、アクロレイン、グ
ルタルアルデヒド、パラアルデヒド、バニリンなどの各
種アルデヒド、トリアジン、イミダゾール、インドー
ル、キノリン、2−ビニルピリジン、アニリン、フェナ
ントロリン、ネオクプロイン、ピコリン酸、チオ尿素
類、N―(3―ヒドロキシブチリデン)―p―スルファニ
ル酸、N―ブチリデンスルファニル酸、N―シンナモイ
リデンスルファニル酸、2,4―ジアミノ―6―(2′―
メチルイミダゾリル(1′))エチル―1,3,5―トリア
ジン、2,4―ジアミノ―6―(2′―エチル―4―メチ
ルイミダゾリル(1′))エチル―1,3,5―トリアジ
ン、2,4―ジアミノ―6―(2′―ウンデシルイミダゾ
リル(1′))エチル―1,3,5―トリアジン、サリチル
酸フェニル、或は、ベンゾチアゾール、2―メチルベン
ゾチアゾール、2―アミノベンゾチアゾール、2―アミ
ノ―6―メトキシベンゾチアゾール、2―メチル―5―
クロロベンゾチアゾール、2―ヒドロキシベンゾチアゾ
ール、2―アミノ―6―メチルベンゾチアゾール、2―
クロロベンゾチアゾール、2,5―ジメチルベンゾチア
ゾール、5―ヒドロキシ―2―メチルベンゾチアゾール
等のベンゾチアゾール類などが挙げられる。
Examples of the above brightener and semi-brightener include benzaldehyde, o-chlorobenzaldehyde, 2,4,6
-Trichlorobenzaldehyde, m-chlorobenzaldehyde, p-nitrobenzaldehyde, p-hydroxybenzaldehyde, furfural, 1-naphthaldehyde, 2-naphthaldehyde, 2-hydroxy-1-naphthaldehyde, 3-acenaphthaldehyde, benzylideneacetone, pyridene Didenacetone, furfurylidene acetone, cinnamaldehyde, anisaldehyde, salicylaldehyde, crotonaldehyde, acrolein, glutaraldehyde, various aldehydes such as paraaldehyde, vanillin, triazine, imidazole, indole, quinoline, 2-vinylpyridine, aniline, phenanthroline , Neocuproin, picolinic acid, thioureas, N- (3-hydroxybutylidene) -p-sulfanilic acid, N-butylidene Rufaniru acid, N- cinnamoethyl ylidene sulfonyl acid, 2,4-diamino-6- (2'
Methylimidazolyl (1 ′)) ethyl-1,3,5-triazine, 2,4-diamino-6- (2′-ethyl-4-methylimidazolyl (1 ′)) ethyl-1,3,5-triazine, 2,4-diamino-6- (2'-undecylimidazolyl (1 ')) ethyl-1,3,5-triazine, phenyl salicylate, or benzothiazole, 2-methylbenzothiazole, 2-aminobenzothiazole 2,2-amino-6-methoxybenzothiazole, 2-methyl-5-
Chlorobenzothiazole, 2-hydroxybenzothiazole, 2-amino-6-methylbenzothiazole, 2-
Benzothiazoles such as chlorobenzothiazole, 2,5-dimethylbenzothiazole, and 5-hydroxy-2-methylbenzothiazole.

【0042】上記補助錯化剤は主に前記錯化剤と共に添
加して浴の安定性を向上するためのものであり、具体的
には、酢酸、アラニン、システイン、マロン酸、マレイ
ン酸、リンゴ酸、或はこれらの塩、モノ、ジ、トリエタ
ノールアミン、ピロリン酸、トリポリリン酸、トリス
(3−ヒドロキシプロピル)ホスフィン、1−ヒドロキシ
エタン−1,1−ビスホスホン酸、チオ尿素類などが挙
げられる。上記pH緩衝剤はpH調整剤を包含する概念
であり、具体的には、ギ酸、酢酸、プロピオン酸などの
モノカルボン酸類、ホウ酸類、リン酸類、シュウ酸、コ
ハク酸などのジカルボン酸類、乳酸、酒石酸などのオキ
シカルボン酸類などが挙げられるが、塩酸、硫酸等の各
種の酸、水酸化アンモニウム、水酸化ナトリウム等の各
種の塩基などでも差し支えない。
The auxiliary complexing agent is added mainly together with the complexing agent to improve the stability of the bath. Specifically, acetic acid, alanine, cysteine, malonic acid, maleic acid, apple Acids or their salts, mono, di, triethanolamine, pyrophosphoric acid, tripolyphosphoric acid, tris
(3-hydroxypropyl) phosphine, 1-hydroxyethane-1,1-bisphosphonic acid, thioureas and the like. The pH buffer is a concept including a pH adjuster, specifically, formic acid, acetic acid, monocarboxylic acids such as propionic acid, boric acids, phosphoric acids, oxalic acid, dicarboxylic acids such as succinic acid, lactic acid, Examples include oxycarboxylic acids such as tartaric acid, and various acids such as hydrochloric acid and sulfuric acid, and various bases such as ammonium hydroxide and sodium hydroxide may be used.

【0043】上記導電性塩としては、硫酸、塩酸、リン
酸、スルファミン酸、スルホン酸などのナトリウム塩、
カリウム塩、マグネシウム塩、アンモニウム塩、アミン
塩などが挙げられる。上記防腐剤としては、ホウ酸、5
−クロロ−2−メチル−4−イソチアゾリン−3−オ
ン、塩化ベンザルコニウム、フェノール、フェノールポ
リエトキシレート、チモール、レゾルシン、イソプロピ
ルアミン、グアヤコールなどが挙げられる。
Examples of the conductive salt include sodium salts such as sulfuric acid, hydrochloric acid, phosphoric acid, sulfamic acid and sulfonic acid;
Potassium salts, magnesium salts, ammonium salts, amine salts and the like. The preservatives include boric acid, 5
-Chloro-2-methyl-4-isothiazolin-3-one, benzalkonium chloride, phenol, phenol polyethoxylate, thymol, resorcin, isopropylamine, guaiacol and the like.

【0044】本発明の錫、鉛又は錫−鉛合金メッキ浴で
の上記各種添加剤の含有濃度は、バレルメッキ、ラック
メッキ、高速連続メッキ、ラックレスメッキなどに対応
して任意に調整・選択できる。本発明の錫、鉛又は錫−
鉛合金メッキ浴を用いた電気メッキの条件としては、浴
温は0℃以上、好ましくは10〜50℃程度である。陰
極電流密度は、酸性メッキ浴では0.01〜150A/
dm2、好ましくは0.1〜30A/dm2であり、中性
又はその近辺のメッキ浴では0.001〜30A/d
2、好ましくは0.05〜10A/dm2である。
The concentration of the above various additives in the tin, lead or tin-lead alloy plating bath of the present invention is arbitrarily adjusted and selected according to barrel plating, rack plating, high-speed continuous plating, rackless plating, and the like. it can. Tin, lead or tin of the present invention
As a condition for electroplating using a lead alloy plating bath, the bath temperature is 0 ° C. or higher, preferably about 10 to 50 ° C. The cathode current density is 0.01 to 150 A / in the acidic plating bath.
dm 2 , preferably 0.1 to 30 A / dm 2 , and 0.001 to 30 A / d in a neutral or near plating bath.
m 2 , preferably 0.05 to 10 A / dm 2 .

【0045】[0045]

【発明の効果】(1)後述の実施例に示すように、本発明
の錫、鉛及び錫−鉛合金メッキ浴は、基本的に、モノ又
はジスルフィド結合の両側或は片側に隣接して、エチレ
ンオキシド、プロピレンオキシド又はヒドロキシプロピ
レンオキシド基が単数又は繰り返し分子内に存在する特
定の直鎖状脂肪族炭化水素化合物を当該メッキ浴に含有
するため、これらを含有しないメッキ浴に比べて、主に
メッキ皮膜の均一性及び緻密性が向上し、半田濡れ性が
改善される。また、このメッキ皮膜の外観や半田濡れ性
の改善は、酸性域から弱アルカリ性付近までの広いpH
域の錫、鉛又は錫−鉛合金メッキ浴で実現できる。
(1) As shown in the examples described below, the tin, lead and tin-lead alloy plating baths of the present invention are basically provided on both sides or one side of a mono- or disulfide bond. Ethylene oxide, propylene oxide or hydroxypropylene oxide group contains a specific linear aliphatic hydrocarbon compound singly or repeatedly present in the molecule in the plating bath. The uniformity and denseness of the film are improved, and the solder wettability is improved. In addition, the appearance of this plating film and the improvement of solder wettability are improved over a wide pH range from the acidic region to the weak alkaline region.
This can be achieved with a tin, lead or tin-lead alloy plating bath.

【0046】(2)本発明2に示すように、上述の直鎖状
脂肪族炭化水素化合物に加えて、さらに特定のベンゾア
ゾール系化合物を併用すると、錫、鉛又は錫−鉛合金メ
ッキ皮膜の外観や半田濡れ性がさらに改善される。例え
ば、後述の実施例に示すように、両化合物を併用した酸
性から弱アルカリ性付近のメッキ浴では、上記ベンゾア
ゾール系化合物の単用浴に比べて、メッキ皮膜の均一
性、緻密性、色調或は半田濡れ性の点で明らかな優位性
が認められる。
(2) As shown in the present invention 2, when a specific benzoazole-based compound is used in combination with the above-mentioned linear aliphatic hydrocarbon compound, tin, lead or a tin-lead alloy plating film is formed. The appearance and solder wettability are further improved. For example, as shown in Examples described later, in a plating bath in the vicinity of acidic to weakly alkaline in which both compounds are used in combination, the uniformity, denseness, color tone, Has a clear superiority in terms of solder wettability.

【0047】[0047]

【実施例】以下、錫及び錫−鉛合金の各種メッキ浴の実
施例を順次述べるとともに、各メッキ浴から得られた電
着皮膜の緻密性、半田濡れ性などの観察結果を併記す
る。尚、本発明は下記の実施例に拘束されるものではな
く、本発明の技術的思想の範囲内で任意の変形をなし得
ることは勿論である。
EXAMPLES Examples of various plating baths of tin and tin-lead alloy will be sequentially described below, and observation results such as the denseness and solder wettability of the electrodeposited films obtained from each plating bath will also be described. The present invention is not limited to the following embodiments, and it is needless to say that any modifications can be made within the technical idea of the present invention.

【0048】下記の実施例1〜30及び比較例1〜13
において、実施例1〜13は酸性浴の例であり、このう
ち、実施例1〜6は錫メッキ浴、実施例7〜13は錫−
鉛合金メッキ浴の例である。また、実施例14〜30は
中性付近の浴の例であり、このうち、実施例14〜25
は錫メッキ浴、実施例26〜30は錫−鉛合金メッキ浴
の例である。さらに、実施例4、7、11〜12、1
4、17、20、25及び28は本発明1の直鎖状脂肪
族炭化水素化合物と本発明2のベンゾアゾール系化合物
の併用例(特に、実施例20は2種類のベンゾアゾール
系化合物を使用)、その他の実施例は上記脂肪族炭化水
素化合物の単用例である。一方、比較例1は実施例3を
基本として上記直鎖状脂肪族炭化水素化合物を含まない
ブランク例、比較例2は実施例6を基本とする上記炭化
水素化合物のブランク例、比較例3は実施例9を基本と
する上記炭化水素化合物のブランク例、比較例4は実施
例10を基本とする上記炭化水素化合物のブランク例、
比較例5は実施例11を基本とする上記炭化水素化合物
のブランク例、比較例6は実施例12を基本とする上記
炭化水素化合物のブランク例、比較例7は実施例17を
基本とする上記炭化水素化合物のブランク例、比較例8
は実施例21を基本とする上記炭化水素化合物のブラン
ク例、比較例9は実施例22を基本とする上記炭化水素
化合物のブランク例、比較例10は実施例23を基本と
する上記炭化水素化合物のブランク例、比較例11は実
施例28を基本とする上記炭化水素化合物のブランク
例、比較例12は実施例29を基本とする上記炭化水素
化合物のブランク例、比較例13は実施例30を基本と
する上記炭化水素化合物のブランク例である。
The following Examples 1 to 30 and Comparative Examples 1 to 13
Examples 1 to 13 are examples of acidic baths, of which Examples 1 to 6 are tin plating baths and Examples 7 to 13 are tin-baths.
It is an example of a lead alloy plating bath. Further, Examples 14 to 30 are examples of baths near neutrality.
Is a tin plating bath, and Examples 26 to 30 are examples of a tin-lead alloy plating bath. Further, Examples 4, 7, 11 to 12, 1
4, 17, 20, 25 and 28 are examples of the combination use of the linear aliphatic hydrocarbon compound of the present invention 1 and the benzoazole compound of the present invention 2 (particularly, Example 20 uses two kinds of benzoazole compounds. ) And other examples are examples of single use of the aliphatic hydrocarbon compound. On the other hand, Comparative Example 1 was a blank example based on Example 3 and not containing the linear aliphatic hydrocarbon compound, Comparative Example 2 was a blank example based on Example 6 and the above hydrocarbon compound, and Comparative Example 3 was A blank example of the above-mentioned hydrocarbon compound based on Example 9, Comparative Example 4 is a blank example of the above-mentioned hydrocarbon compound based on Example 10,
Comparative Example 5 is a blank example of the above-mentioned hydrocarbon compound based on Example 11, Comparative Example 6 is a blank example of the above-mentioned hydrocarbon compound based on Example 12, and Comparative Example 7 is a above-described example based on Example 17. Blank Example of Hydrocarbon Compound, Comparative Example 8
Is a blank example of the hydrocarbon compound based on Example 21, Comparative Example 9 is a blank example of the hydrocarbon compound based on Example 22, and Comparative Example 10 is the hydrocarbon compound based on Example 23. Comparative Example 11 is a blank example of the hydrocarbon compound based on Example 28, Comparative Example 12 is a blank example of the hydrocarbon compound based on Example 29, and Comparative Example 13 is Example 30. It is a blank example of the above-mentioned hydrocarbon compound as a basis.

【0049】《実施例1》下記の組成で錫メッキ浴を建
浴した。 硫酸第一錫(Sn2+として) 40g/L 濃硫酸 120g/L ビス(テトラコンタエチレングリコール)チオエーテル10g/L ノニルフェノールポリエトキシレート(EO12モル) 8g/L ベンザルアセトン 0.25g/L メタクリル酸 1ml/L 〔メッキ条件〕 温 度:20℃ 陰極電流密度:3A/dm2 上述の条件で銅板上に電気メッキを行った結果、均一で
緻密な半田濡れ性の良好な錫メッキ皮膜が得られた。
Example 1 A tin plating bath was constructed with the following composition. Stannous sulfate (as Sn 2+ ) 40 g / L Concentrated sulfuric acid 120 g / L Bis (tetracontaethylene glycol) thioether 10 g / L Nonylphenol polyethoxylate (EO 12 mol) 8 g / L Benzalacetone 0.25 g / L Methacrylic acid 1 ml / L [Plating conditions] Temperature: 20 ° C. Cathode current density: 3 A / dm 2 As a result of performing electroplating on a copper plate under the above conditions, a uniform and dense tin plating film having good solder wettability was obtained. Was.

【0050】《実施例2》下記の組成で錫メッキ浴を建
浴した。 硫酸第一錫(Sn2+として) 60g/L 濃硫酸 160g/L ビス(ω−ヒドロキシイコサエトキシ)ジスルフィド 8g/L トリスチレン化フェノール −ポリエトキシレート(EO23モル) 10g/L 1−ナフトアルデヒド 0.2g/L メタクリル酸 1ml/L ハイドロキノン 1g/L 〔メッキ条件〕 温 度:25℃ 陰極電流密度:5A/dm2 上述の条件で銅板上に電気メッキを行った結果、均一で
緻密な半田濡れ性の良好な錫メッキ皮膜が得られた。
Example 2 A tin plating bath was constructed with the following composition. Stannous sulfate (as Sn 2+ ) 60 g / L concentrated sulfuric acid 160 g / L bis (ω-hydroxyicosaethoxy) disulfide 8 g / L tristyrenated phenol-polyethoxylate (EO23 mol) 10 g / L 1-naphthaldehyde 0.2 g / L Methacrylic acid 1 ml / L Hydroquinone 1 g / L [Plating conditions] Temperature: 25 ° C. Cathode current density: 5 A / dm 2 As a result of electroplating on a copper plate under the above conditions, a uniform and dense solder was obtained. A tin plating film having good wettability was obtained.

【0051】《実施例3》下記の組成で錫メッキ浴を建
浴した。 メタンスルホン酸第一錫(Sn2+として) 20g/L メタンスルホン酸(遊離酸として) 50g/L ビス(トリエチレングリコール)チオエーテル 15g/L イオン交換水 残部 〔メッキ条件〕 温 度:25℃ 陰極電流密度:3A/dm2 上述の条件で銅板上に電気メッキを行った結果、均一で
緻密な半田濡れ性の良好な錫メッキ皮膜が得られた。
Example 3 A tin plating bath was constructed with the following composition. Stannous methanesulfonate (as Sn 2+ ) 20 g / L Methanesulfonic acid (as a free acid) 50 g / L Bis (triethylene glycol) thioether 15 g / L Ion-exchanged water Remaining [Plating conditions] Temperature: 25 ° C. Cathode Current density: 3 A / dm 2 As a result of performing electroplating on the copper plate under the above conditions, a uniform and dense tin plating film having good solder wettability was obtained.

【0052】《比較例1》下記の組成で錫メッキ浴を建
浴した。 メタンスルホン酸第一錫(Sn2+として) 20g/L メタンスルホン酸(遊離酸として) 50g/L イオン交換水 残部 〔メッキ条件〕 温 度:25℃ 陰極電流密度:3A/dm2 上述の条件で銅板上に電気メッキを行った結果、高電流
密度部分で黒色の粗電着が生じたのみであった。
Comparative Example 1 A tin plating bath was constructed with the following composition. Stannous methanesulfonate (as Sn 2+ ) 20 g / L Methanesulfonic acid (as free acid) 50 g / L Ion-exchanged water Balance [Plating conditions] Temperature: 25 ° C. Cathode current density: 3 A / dm 2 As a result of performing electroplating on the copper plate, only black coarse electrodeposition occurred in the high current density portion.

【0053】《実施例4》下記の組成で錫メッキ浴を建
浴した。 メタンスルホン酸第一錫(Sn2+として) 40g/L メタンスルホン酸(遊離酸として) 100g/L ビス(ペンタデカエチレングリコール −ペンタプロピレングリコール)チオエーテル 10g/L 2−メルカプトベンゾチアゾール 0.02g/L カテコール 0.8g/L イオン交換水 残部 〔メッキ条件〕 温 度:25℃ 陰極電流密度:10A/dm2 上述の条件で銅板上に電気メッキを行った結果、均一で
緻密な半田濡れ性の良好な錫メッキ皮膜が得られた。
Example 4 A tin plating bath was constructed with the following composition. Stannous methanesulfonate (as Sn 2+ ) 40 g / L Methanesulfonic acid (as a free acid) 100 g / L Bis (pentadecaethylene glycol-pentapropylene glycol) thioether 10 g / L 2-mercaptobenzothiazole 0.02 g / L L Catechol 0.8 g / L Deionized water Remaining [Plating conditions] Temperature: 25 ° C. Cathode current density: 10 A / dm 2 As a result of electroplating on a copper plate under the above conditions, uniform and dense solder wettability was obtained. A good tin plating film was obtained.

【0054】《実施例5》下記の組成で錫メッキ浴を建
浴した。 2−ヒドロキシプロパンスルホン酸 −第一錫(Sn2+として) 20g/L 2−ヒドロキシプロパンスルホン酸(遊離酸として)130g/L ビス(トリプロピレングリコール −デカエチレングリコール)チオエーテル 15g/L アルキルジメチルベンジルアンモニウム −メタンスルフォネート 0.5g/L クミルフェノールポリエトキシレート(EO15モル) 3g/L イオン交換水 残部 〔メッキ条件〕 温 度:30℃ 陰極電流密度:5A/dm2 上述の条件で銅板上に電気メッキを行った結果、均一で
緻密な半田濡れ性の良好な錫メッキ皮膜が得られた。
Example 5 A tin plating bath was constructed with the following composition. 2-hydroxypropanesulfonic acid-stannous (as Sn 2+ ) 20 g / L 2-hydroxypropanesulfonic acid (as free acid) 130 g / L bis (tripropylene glycol-decaethylene glycol) thioether 15 g / L alkyldimethylbenzyl Ammonium-methanesulfonate 0.5 g / L Cumylphenol polyethoxylate (EO15 mol) 3 g / L Ion exchange water Remaining [Plating conditions] Temperature: 30 ° C. Cathode current density: 5 A / dm 2 Copper plate under the above conditions As a result of performing the electroplating thereon, a uniform and dense tin plating film having good solder wettability was obtained.

【0055】《実施例6》下記の組成で錫メッキ浴を建
浴した。 2−ヒドロキシプロパンスルホン酸 −第一錫(Sn2+として) 15g/L 2−ヒドロキシプロパンスルホン酸(遊離酸として) 80g/L ビス(ドデカエチレングリコール)チオエーテル 7g/L トリスチレン化フェノール −ポリエトキシレート(EO20モル) 8g/L ハイドロキノン 0.8g/L イオン交換水 残部 〔メッキ条件〕 温 度:25℃ 陰極電流密度:5A/dm2 上述の条件で銅板上に電気メッキを行った結果、均一で
緻密な半田濡れ性の良好な錫メッキ皮膜が得られた。
Example 6 A tin plating bath was constructed with the following composition. 2-hydroxypropanesulfonic acid-stannous (as Sn2 + ) 15 g / L 2-hydroxypropanesulfonic acid (as free acid) 80 g / L bis (dodecaethylene glycol) thioether 7 g / L tristyrenated phenol-polyethoxy Rate (EO 20 mol) 8 g / L Hydroquinone 0.8 g / L Deionized water Remaining [Plating conditions] Temperature: 25 ° C. Cathode current density: 5 A / dm 2 As a result of electroplating on a copper plate under the above conditions, uniform As a result, a tin-plated film with good solder wettability was obtained.

【0056】《比較例2》下記の組成で錫メッキ浴を建
浴した。 2−ヒドロキシプロパンスルホン酸 −第一錫(Sn2+として) 15g/L 2−ヒドロキシプロパンスルホン酸(遊離酸として) 80g/L トリスチレン化フェノール −ポリエトキシレート(EO20モル) 8g/L ハイドロキノン 0.8g/L イオン交換水 残部 〔メッキ条件〕 温 度:25℃ 陰極電流密度:5A/dm2 上述の条件で銅板上に電気メッキを行った結果、得られ
たメッキ皮膜は、均一性、緻密性及び半田濡れ性の点で
共に上記実施例6よりも劣っていた。
Comparative Example 2 A tin plating bath was constructed with the following composition. 2-hydroxypropanesulfonic acid-stannous (as Sn 2+ ) 15 g / L 2-hydroxypropanesulfonic acid (as free acid) 80 g / L tristyrenated phenol-polyethoxylate (20 mol EO) 8 g / L hydroquinone 0 0.8 g / L ion-exchanged water balance [Plating conditions] Temperature: 25 ° C Cathode current density: 5 A / dm 2 As a result of electroplating on a copper plate under the above conditions, the plating film obtained was uniform and dense. Both of the properties and the solder wettability were inferior to those of Example 6.

【0057】《実施例7》下記の組成で錫−鉛合金メッ
キ浴を建浴した。 ホウフッ化第一錫(Sn2+として) 80g/L ホウフッ化鉛(Pb2+として) 5g/L ホウフッ酸(遊離酸として) 160g/L ビス(ヘキサエチレングリコール)チオエーテル 12g/L ラウリルアミンポリエトキシレート(EO15モル) 7g/L 2−メルカプトベンズイミダゾール 0.2g/L 〔メッキ条件〕 温 度:30℃ 陰極電流密度:12A/dm2 上述の条件で銅板上に電気メッキを行った結果、均一で
緻密な半田濡れ性の良好な錫−鉛合金メッキ皮膜が得ら
れた。
Example 7 A tin-lead alloy plating bath having the following composition was prepared. Stannous borofluoride (as Sn 2+ ) 80 g / L Lead borofluoride (as Pb 2+ ) 5 g / L Borofluoric acid (as free acid) 160 g / L Bis (hexaethylene glycol) thioether 12 g / L Laurylamine polyethoxy Rate (15 mol of EO) 7 g / L 2-mercaptobenzimidazole 0.2 g / L [Plating conditions] Temperature: 30 ° C. Cathode current density: 12 A / dm 2 As a result of electroplating on a copper plate under the above conditions, uniform Thus, a dense tin-lead alloy plating film having good solder wettability was obtained.

【0058】《実施例8》下記の組成で錫−鉛合金メッ
キ浴を建浴した。 ホウフッ化第一錫(Sn2+として) 50g/L ホウフッ化鉛(Pb2+として) 10g/L ホウフッ酸(遊離酸として) 140g/L ビス(デカエチレングリコール −モノグリセロール)チオエーテル 15g/L α−ナフトールポリエトキシレート(EO10モル) 10g/L ベンザルアセトン 0.2g/L メタクリル酸 1ml/L 〔メッキ条件〕 温 度:25℃ 陰極電流密度:8A/dm2 上述の条件で銅板上に電気メッキを行った結果、均一で
緻密な半田濡れ性の良好な錫−鉛合金メッキ皮膜が得ら
れた。
Example 8 A tin-lead alloy plating bath having the following composition was prepared. Stannous borofluoride (as Sn 2+ ) 50 g / L Lead borofluoride (as Pb 2+ ) 10 g / L Borofluoric acid (as free acid) 140 g / L Bis (decaethylene glycol-monoglycerol) thioether 15 g / L α -Naphthol polyethoxylate (EO 10 mol) 10 g / L Benzalacetone 0.2 g / L Methacrylic acid 1 ml / L [Plating conditions] Temperature: 25 ° C. Cathode current density: 8 A / dm 2 Electricity on copper plate under the above conditions As a result of plating, a uniform tin-plated tin-lead alloy plating film having good solder wettability was obtained.

【0059】《実施例9》下記の組成で錫−鉛合金メッ
キ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一錫(Sn2+として) 54g/L メタンスルホン酸鉛(Pb2+として) 6g/L メタンスルホン酸(遊離酸として) 120g/L ビス(イコサエチレングリコール)チオエーテル 4g/L ビスフェノールAポリエトキシレート(EO13モル) 5g/L カテコール 0.8g/L イオン交換水 残部 〔メッキ条件〕 温 度:40℃ 陰極電流密度:10A/dm2 上述の条件で銅板上に電気メッキを行った結果、均一で
緻密な半田濡れ性の良好な錫−鉛合金メッキ皮膜が得ら
れた。
Example 9 A tin-lead alloy plating bath having the following composition was prepared. Stannous methanesulfonate (as Sn 2+ ) 54 g / L Lead methanesulfonate (as Pb 2+ ) 6 g / L Methanesulfonic acid (as free acid) 120 g / L Bis (icosaethylene glycol) thioether 4 g / L Bisphenol A polyethoxylate (EO13 mol) 5 g / L Catechol 0.8 g / L Deionized water Remaining [Plating conditions] Temperature: 40 ° C. Cathode current density: 10 A / dm 2 Electroplating is performed on a copper plate under the above conditions. As a result, a uniform tin-lead alloy plating film having good solder wettability was obtained.

【0060】《比較例3》下記の組成で錫−鉛合金メッ
キ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一錫(Sn2+として) 54g/L メタンスルホン酸鉛(Pb2+として) 6g/L メタンスルホン酸(遊離酸として) 120g/L ビスフェノールAポリエトキシレート(EO13モル) 5g/L カテコール 0.8g/L イオン交換水 残部 〔メッキ条件〕 温 度:40℃ 陰極電流密度:10A/dm2 上述の条件で銅板上に電気メッキを行った結果、得られ
たメッキ皮膜は、均一性、緻密性及び半田濡れ性の点で
共に上記実施例9よりも劣っていた。
Comparative Example 3 A tin-lead alloy plating bath having the following composition was prepared. Stannous methanesulfonate (as Sn 2+ ) 54 g / L Lead methanesulfonate (as Pb 2+ ) 6 g / L Methanesulfonic acid (as a free acid) 120 g / L Bisphenol A polyethoxylate (13 mol of EO) 5 g / L L Catechol 0.8 g / L Ion-exchanged water Remaining [Plating conditions] Temperature: 40 ° C. Cathode current density: 10 A / dm 2 As a result of performing electroplating on a copper plate under the above conditions, the plating film obtained was uniform. All were inferior to the ninth embodiment in the properties, denseness and solder wettability.

【0061】《実施例10》下記の組成で錫−鉛合金メ
ッキ浴を建浴した。 2−ヒドロキシエタン −スルホン酸第一錫(Sn2+として) 18g/L 2−ヒドロキシエタンスルホン酸鉛(Pb2+として) 2g/L 2−ヒドロキシプロパン −スルホン酸(遊離酸として) 100g/L ビス(イコサエチレングリコール)チオエーテル 20g/L ハイドロキノン 0.5g/L イオン交換水 残部 〔メッキ条件〕 温 度:30℃ 陰極電流密度:5A/dm2 上述の条件で銅板上に電気メッキを行った結果、均一で
緻密な半田濡れ性の良好な錫−鉛合金メッキ皮膜が得ら
れた。
Example 10 A tin-lead alloy plating bath having the following composition was prepared. 2-Hydroxyethane-stannous sulfonate (as Sn 2+ ) 18 g / L Lead 2-hydroxyethane sulfonate (as Pb 2+ ) 2 g / L 2-hydroxypropane-sulfonic acid (as free acid) 100 g / L Bis (icosaethylene glycol) thioether 20 g / L Hydroquinone 0.5 g / L Deionized water Remaining [Plating conditions] Temperature: 30 ° C. Cathode current density: 5 A / dm 2 Electroplating was performed on a copper plate under the above conditions. As a result, a uniform tin-lead alloy plating film having good solder wettability was obtained.

【0062】《比較例4》下記の組成で錫−鉛合金メッ
キ浴を建浴した。 2−ヒドロキシエタン −スルホン酸第一錫(Sn2+として) 18g/L 2−ヒドロキシエタンスルホン酸鉛(Pb2+として) 2g/L 2−ヒドロキシプロパン −スルホン酸(遊離酸として) 100g/L ハイドロキノン 0.5g/L イオン交換水 残部 〔メッキ条件〕 温 度:30℃ 陰極電流密度:5A/dm2 上述の条件で銅板上に電気メッキを行った結果、高電流
密度部分で黒色の粗電着が生じたのみであった。
Comparative Example 4 A tin-lead alloy plating bath having the following composition was prepared. 2-Hydroxyethane-stannous sulfonate (as Sn 2+ ) 18 g / L Lead 2-hydroxyethane sulfonate (as Pb 2+ ) 2 g / L 2-hydroxypropane-sulfonic acid (as free acid) 100 g / L Hydroquinone 0.5 g / L Deionized water Remainder [Plating conditions] Temperature: 30 ° C Cathode current density: 5 A / dm 2 As a result of electroplating on a copper plate under the above conditions, a black There was only dressing.

【0063】《実施例11》下記の組成で錫−鉛合金メ
ッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一錫(Sn2+として) 54g/L メタンスルホン酸鉛(Pb2+として) 6g/L メタンスルホン酸(遊離酸として) 80g/L ビス(ω−ヒドロキシドデカエトキシ)ジスルフィド 4g/L ビスフェノールAポリエトキシレート(EO13モル) 5g/L 安息香酸 0.3g/L 2−メルカプトベンズイミダゾール 0.1g/L カテコール 0.8g/L イオン交換水 残部 〔メッキ条件〕 温 度:30℃ 陰極電流密度:10A/dm2 上述の条件で銅板上に電気メッキを行った結果、均一で
緻密な半田濡れ性の良好な錫−鉛合金メッキ皮膜が得ら
れた。
Example 11 A tin-lead alloy plating bath having the following composition was prepared. Stannous methanesulfonate (as Sn 2+ ) 54 g / L Lead methanesulfonate (as Pb 2+ ) 6 g / L Methanesulfonic acid (as a free acid) 80 g / L Bis (ω-hydroxydodecaethoxy) disulfide 4 g / L L Bisphenol A polyethoxylate (EO13 mol) 5 g / L Benzoic acid 0.3 g / L 2-mercaptobenzimidazole 0.1 g / L Catechol 0.8 g / L Ion exchange water Balance [Plating conditions] Temperature: 30 ° C. Cathode Current density: 10 A / dm 2 As a result of performing electroplating on the copper plate under the above-mentioned conditions, a uniform and dense tin-lead alloy plating film having good solder wettability was obtained.

【0064】《比較例5》下記の組成で錫−鉛合金メッ
キ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一錫(Sn2+として) 54g/L メタンスルホン酸鉛(Pb2+として) 6g/L メタンスルホン酸(遊離酸として) 80g/L ビスフェノールAポリエトキシレート(EO13モル) 5g/L 安息香酸 0.3g/L 2−メルカプトベンズイミダゾール 0.1g/L カテコール 0.8g/L イオン交換水 残部 〔メッキ条件〕 温 度:30℃ 陰極電流密度:10A/dm2 上述の条件で銅板上に電気メッキを行った結果、得られ
たメッキ皮膜は、均一性、緻密性及び半田濡れ性の点で
上記実施例11よりも劣っていた。
Comparative Example 5 A tin-lead alloy plating bath having the following composition was prepared. Stannous methanesulfonate (as Sn 2+ ) 54 g / L Lead methanesulfonate (as Pb 2+ ) 6 g / L Methanesulfonic acid (as a free acid) 80 g / L Bisphenol A polyethoxylate (EO13 mol) 5 g / L L Benzoic acid 0.3 g / L 2-mercaptobenzimidazole 0.1 g / L Catechol 0.8 g / L Deionized water Remaining [Plating conditions] Temperature: 30 ° C. Cathode current density: 10 A / dm 2 Copper plate under the above conditions As a result of the electroplating, the resulting plating film was inferior to Example 11 in terms of uniformity, denseness, and solder wettability.

【0065】《実施例12》下記の組成で錫−鉛合金メ
ッキ浴を建浴した。 2−ヒドロキシエタン −スルホン酸第一錫(Sn2+として) 18g/L 2−ヒドロキシエタンスルホン酸鉛(Pb2+として) 2g/L 2−ヒドロキシプロパン −スルホン酸(遊離酸として) 100g/L ビス(イコサエチレングリコール)チオエーテル 6g/L 6−メトキシ−2−メルカプトベンゾチアゾール 0.05g/L ラウリルアミンポリプロポキシレート(PO7モル) −ポリエトキシレート(EO12モル) 8g/L ハイドロキノン 0.5g/L イオン交換水 残部 〔メッキ条件〕 温 度:30℃ 陰極電流密度:5A/dm2 上述の条件で銅板上に電気メッキを行った結果、均一で
緻密な半田濡れ性の良好な錫−鉛合金メッキ皮膜が得ら
れた。
Example 12 A tin-lead alloy plating bath was constructed with the following composition. 2-Hydroxyethane-stannous sulfonate (as Sn 2+ ) 18 g / L Lead 2-hydroxyethane sulfonate (as Pb 2+ ) 2 g / L 2-hydroxypropane-sulfonic acid (as free acid) 100 g / L Bis (icosaethylene glycol) thioether 6 g / L 6-methoxy-2-mercaptobenzothiazole 0.05 g / L Laurylamine polypropoxylate (7 mol of PO) -polyethoxylate (12 mol of EO) 8 g / L Hydroquinone 0.5 g / L L Ion-exchanged water Remaining [Plating conditions] Temperature: 30 ° C Cathode current density: 5 A / dm 2 As a result of electroplating on a copper plate under the above-mentioned conditions, a uniform and dense tin-lead alloy with good solder wettability was obtained. A gold plated film was obtained.

【0066】《比較例6》下記の組成で錫−鉛合金メッ
キ浴を建浴した。 2−ヒドロキシエタン −スルホン酸第一錫(Sn2+として) 18g/L 2−ヒドロキシエタンスルホン酸鉛(Pb2+として) 2g/L 2−ヒドロキシプロパン −スルホン酸(遊離酸として) 100g/L 6−メトキシ−2−メルカプトベンゾチアゾール 0.05g/L ラウリルアミンポリプロポキシレート(PO7モル) −ポリエトキシレート(EO12モル) 8g/L ハイドロキノン 0.5g/L イオン交換水 残部 〔メッキ条件〕 温 度:30℃ 陰極電流密度:5A/dm2 上述の条件で銅板上に電気メッキを行った結果、得られ
たメッキ皮膜は、均一性、緻密性及び半田濡れ性の点で
上記実施例12よりも劣っていた。
Comparative Example 6 A tin-lead alloy plating bath having the following composition was prepared. 2-Hydroxyethane-stannous sulfonate (as Sn 2+ ) 18 g / L Lead 2-hydroxyethane sulfonate (as Pb 2+ ) 2 g / L 2-hydroxypropane-sulfonic acid (as free acid) 100 g / L 6-methoxy-2-mercaptobenzothiazole 0.05 g / L laurylamine polypropoxylate (PO7 mol) -polyethoxylate (EO12 mol) 8 g / L hydroquinone 0.5 g / L ion-exchanged water balance [Plating conditions] Temperature : 30 ° C Cathode current density: 5 A / dm 2 As a result of performing electroplating on a copper plate under the above conditions, the resulting plated film was more uniform than Example 12 in terms of uniformity, denseness, and solder wettability. Was inferior.

【0067】《実施例13》下記の組成で錫−鉛合金メ
ッキ浴を建浴した。 フェノールスルホン酸第一錫(Sn2+として) 30g/L フェノールスルホン酸鉛(Pb2+として) 6g/L フェノールスルホン酸(遊離酸として) 180g/L ビス(ペンタデカエチレングリコール)チオエーテル 8g/L ラウリルアルコールポリエトキシレート(EO15モル) −ポリプロポキシレート(PO5モル) 12g/L 2−ヒドロキシナフトアルデヒド 0.2g/L メタクリル酸 1.5ml/L 〔メッキ条件〕 温 度:30℃ 陰極電流密度:12A/dm2 上述の条件で銅板上に電気メッキを行った結果、均一で
緻密な半田濡れ性の良好な錫−鉛合金メッキ皮膜が得ら
れた。
Example 13 A tin-lead alloy plating bath having the following composition was prepared. Stannous phenolsulfonate (as Sn 2+ ) 30 g / L Lead phenolsulfonate (as Pb 2+ ) 6 g / L Phenolsulfonic acid (as free acid) 180 g / L Bis (pentadecaethylene glycol) thioether 8 g / L Lauryl alcohol polyethoxylate (EO15 mol) -polypropoxylate (PO5 mol) 12 g / L 2-hydroxynaphthaldehyde 0.2 g / L Methacrylic acid 1.5 ml / L [Plating conditions] Temperature: 30 ° C. Cathode current density: 12 A / dm 2 As a result of performing electroplating on the copper plate under the above-mentioned conditions, a uniform and dense tin-lead alloy plating film having good solder wettability was obtained.

【0068】《実施例14》下記の組成で錫メッキ浴を
建浴した。 硫酸第一錫(Sn2+として) 30g/L 硫酸 100g/L ビス(ドデカエチレングリコール)チオエーテル 12g/L 3−(2−ベンゾチアゾリルチオ) −1−プロパンスルホン酸ナトリウム 0.3g/L ジエチレントリアミンペンタ酢酸 1.5mol/L 〔メッキ条件〕 pH(水酸化カリウムにて調整):5.5 温 度:30℃ 陰極電流密度:5A/dm2 上述の条件で銅板上に電気メッキを行った結果、白色で
半田濡れ性の良好な錫メッキ皮膜が得られた。また、3
500倍のSEM写真で観察したところ、均一で緻密な
皮膜であることが確認できた。
Example 14 A tin plating bath was constructed with the following composition. Stannous sulfate (as Sn 2+ ) 30 g / L Sulfuric acid 100 g / L Bis (dodecaethylene glycol) thioether 12 g / L Sodium 3- (2-benzothiazolylthio) -1-propanesulfonate 0.3 g / L Diethylenetriamine Pentaacetic acid 1.5 mol / L [Plating conditions] pH (adjusted with potassium hydroxide): 5.5 Temperature: 30 ° C. Cathode current density: 5 A / dm 2 Result of electroplating on copper plate under the above conditions Thus, a tin plating film having a white color and good solder wettability was obtained. Also, 3
Observation with a 500 times SEM photograph confirmed that the film was uniform and dense.

【0069】《実施例15》下記の組成で錫メッキ浴を
建浴した。 硫酸第一錫(Sn2+として) 40g/L 硫酸 100g/L ビス(トリアコンタエチレングリコール)チオエーテル20g/L グルコノラクトン 1.2mol/L 〔メッキ条件〕 pH(アンモニアにて調整):5.5 温 度:25℃ 陰極電流密度:3A/dm2 上述の条件で銅板上に電気メッキを行った結果、白色で
半田濡れ性の良好な錫メッキ皮膜が得られた。また、3
500倍のSEM写真で微視観察したところ、均一で緻
密な皮膜であることが確認できた。
Example 15 A tin plating bath was constructed with the following composition. Stannous sulfate (as Sn 2+ ) 40 g / L Sulfuric acid 100 g / L Bis (triacontaethylene glycol) thioether 20 g / L Gluconolactone 1.2 mol / L [Plating conditions] pH (adjusted with ammonia): 5. 5 Temperature: 25 ° C. Cathode current density: 3 A / dm 2 As a result of performing electroplating on a copper plate under the above conditions, a tin-plated film having a good solder wettability was obtained as a white color. Also, 3
Microscopic observation with a SEM photograph of 500 times confirmed that the film was uniform and dense.

【0070】《実施例16》下記の組成で錫メッキ浴を
建浴した。 硫酸第一錫(Sn2+として) 5g/L 硫酸 70g/L ビス(ω−ヒドロキシイコサエトキシ)ジスルフィド 10g/L クエン酸 0.4mol/L ポリオキシエチレン(EO30モル)ポリオキシプロピレン(PO25モル) −グリコールエーテル 2g/L 〔メッキ条件〕 pH(エチレンジアミンにて調整):6.5 温 度:25℃ 陰極電流密度:1A/dm2 上述の条件で銅板上に電気メッキを行った結果、白色で
半田濡れ性の良好な錫メッキ皮膜が得られた。また、3
500倍のSEM写真で観察したところ、均一で緻密な
皮膜であることが確認できた。
Example 16 A tin plating bath was constructed with the following composition. Stannous sulfate (as Sn 2+ ) 5 g / L Sulfuric acid 70 g / L Bis (ω-hydroxyicosaethoxy) disulfide 10 g / L Citric acid 0.4 mol / L Polyoxyethylene (EO 30 mol) Polyoxypropylene (PO25 mol -Glycol ether 2 g / L [Plating conditions] pH (adjusted with ethylenediamine): 6.5 Temperature: 25 ° C Cathode current density: 1 A / dm 2 As a result of electroplating on a copper plate under the above conditions, white color was obtained. As a result, a tin plating film having good solder wettability was obtained. Also, 3
Observation with a 500 times SEM photograph confirmed that the film was uniform and dense.

【0071】《実施例17》下記の組成で錫メッキ浴を
建浴した。 フェノールスルホン酸第一錫(Sn2+として) 20g/L フェノールスルホン酸(遊離酸として) 60g/L ビス(ω−ヒドロキシペンタプロポキシ −ペンタデカエトキシ)ジスルフィド 8g/L グルコン酸カリウム 0.5mol/L エチレンジアミンポリプロポキシレート(PO50モル) −ポリエトキシレート(EO45モル) 2g/L β−ナフトールポリエトキシレート(EO10モル) 1g/L 2−メチルメルカプトベンゾチアゾール 0.05g/L イオン交換水 残部 〔メッキ条件〕 pH(水酸化カリウムにて調整):5.5 温 度:25℃ 陰極電流密度:3A/dm2 上述の条件で銅板上に電気メッキを行った結果、白色で
半田濡れ性の良好な錫メッキ皮膜が得られた。また、3
500倍のSEM写真で観察したところ、均一で緻密な
皮膜であることが確認できた。
Example 17 A tin plating bath was constructed with the following composition. Stannous phenolsulfonic acid (as Sn 2+ ) 20 g / L Phenolsulfonic acid (as free acid) 60 g / L Bis (ω-hydroxypentapropoxy-pentadecaethoxy) disulfide 8 g / L Potassium gluconate 0.5 mol / L Ethylenediamine polypropoxylate (PO50 mol) -polyethoxylate (EO45 mol) 2 g / L β-naphthol polyethoxylate (EO10 mol) 1 g / L 2-methylmercaptobenzothiazole 0.05 g / L Deionized water balance [Plating conditions PH (adjusted with potassium hydroxide): 5.5 Temperature: 25 ° C. Cathode current density: 3 A / dm 2 As a result of electroplating on a copper plate under the above conditions, tin was white and had good solder wettability. A plating film was obtained. Also, 3
Observation with a 500 times SEM photograph confirmed that the film was uniform and dense.

【0072】《比較例7》下記の組成で錫メッキ浴を建
浴した。 フェノールスルホン酸第一錫(Sn2+として) 20g/L フェノールスルホン酸(遊離酸として) 60g/L グルコン酸カリウム 0.5mol/L エチレンジアミンポリプロポキシレート(PO50モル) −ポリエトキシレート(EO45モル) 2g/L β−ナフトールポリエトキシレート(EO10モル) 1g/L 2−メチルメルカプトベンゾチアゾール 0.05g/L イオン交換水 残部 〔メッキ条件〕 pH(水酸化カリウムにて調整):5.5 温 度:25℃ 陰極電流密度:3A/dm2 上述の条件で銅板上に電気メッキを行った結果、得られ
たメッキ皮膜は灰色であり、半田濡れ性は上記実施例1
7よりも劣っていた。また、メッキ皮膜を3500倍の
SEM写真で微視観察したところ、均一性並びに緻密性
の点で共に実施例17よりも劣っていた。
Comparative Example 7 A tin plating bath was constructed with the following composition. Stannous phenolsulfonate (as Sn 2+ ) 20 g / L Phenolsulfonic acid (as free acid) 60 g / L Potassium gluconate 0.5 mol / L Ethylenediamine polypropoxylate (PO50 mol) -Polyethoxylate (EO45 mol) 2 g / L β-naphthol polyethoxylate (10 mol of EO) 1 g / L 2-methylmercaptobenzothiazole 0.05 g / L Deionized water Remainder [Plating conditions] pH (adjusted with potassium hydroxide): 5.5 temperature : 25 ° C. Cathode current density: 3 A / dm 2 As a result of electroplating on a copper plate under the above conditions, the plating film obtained was gray and the solder wettability was as in Example 1 above.
It was worse than 7. Further, when the plating film was microscopically observed with a SEM photograph at a magnification of 3500, both the uniformity and the denseness were inferior to those of Example 17.

【0073】《実施例18》下記の組成で錫メッキ浴を
建浴した。 メタンスルホン酸第一錫(Sn2+として) 25g/L 酢酸ナトリウム 80g/L ビス(イコサエチレングリコール)チオエーテル 10g/L 酒石酸 0.7mol/L ホウ酸 10g/L イオン交換水 残部 〔メッキ条件〕 pH(水酸化カリウム/トリエチルアミン=1/1にて調整):5.0 温 度:25℃ 陰極電流密度:3A/dm2 上述の条件で銅板上に電気メッキを行った結果、白色で
半田濡れ性の良好な錫メッキ皮膜が得られた。また、3
500倍のSEM写真で観察したところ、均一で緻密な
皮膜であることが確認できた。
Example 18 A tin plating bath was constructed with the following composition. Stannous methanesulfonate (as Sn 2+ ) 25 g / L Sodium acetate 80 g / L Bis (icosaethylene glycol) thioether 10 g / L Tartaric acid 0.7 mol / L Boric acid 10 g / L Ion exchange water Balance [Plating conditions] pH (adjusted with potassium hydroxide / triethylamine = 1/1): 5.0 Temperature: 25 ° C. Cathode current density: 3 A / dm 2 As a result of electroplating on a copper plate under the above conditions, white solder wet A tin plating film having good properties was obtained. Also, 3
Observation with a 500 times SEM photograph confirmed that the film was uniform and dense.

【0074】《実施例19》下記の組成で錫メッキ浴を
建浴した。 メタンスルホン酸第一錫(Sn2+として) 30g/L メタンスルホン酸(遊離酸として) 80g/L ビス(デカエチレングリコール)チオエーテル 12g/L グルコヘプトン酸ナトリウム 0.5mol/L ドデシルジメチルアミノ酢酸ベタイン 0.5g/L 5−クロロ−2−メチル −4−イソチアゾリン−3−オン 0.5g/L イオン交換水 残部 〔メッキ条件〕 pH(アンモニアにて調整):3.0 温 度:25℃ 陰極電流密度:3A/dm2 上述の条件で銅板上に電気メッキを行った結果、白色で
半田濡れ性の良好な錫メッキ皮膜が得られた。また、3
500倍のSEM写真で観察したところ、均一で緻密な
皮膜であることが確認できた。
Example 19 A tin plating bath was constructed with the following composition. Stannous methanesulfonate (as Sn 2+ ) 30 g / L Methanesulfonic acid (as a free acid) 80 g / L Bis (decaethylene glycol) thioether 12 g / L Sodium glucoheptonate 0.5 mol / L Dodecyldimethylaminoacetic acid betaine 0 0.5 g / L 5-chloro-2-methyl-4-isothiazolin-3-one 0.5 g / L ion-exchanged water balance [Plating conditions] pH (adjusted with ammonia): 3.0 Temperature: 25 ° C. Cathode current Density: 3 A / dm 2 As a result of performing electroplating on the copper plate under the above-mentioned conditions, a white tin-plated film having good solder wettability was obtained. Also, 3
Observation with a 500 times SEM photograph confirmed that the film was uniform and dense.

【0075】《実施例20》下記の組成で錫メッキ浴を
建浴した。 メタンスルホン酸第一錫(Sn2+として) 20g/L メタンスルホン酸(遊離酸として) 80g/L ビス(ω−ヒドロキシペンタプロポキシ −ペンタデカエトキシ)ジスルフィド 20g/L 2−メルカプトベンゾオキサゾール 0.2g/L 6−クロロ−2−メルカプトベンゾチアゾール 0.1g/L グルコン酸ナトリウム 1.2mol/L ホウ酸 30g/L イオン交換水 残部 〔メッキ条件〕 pH(アンモニアにて調整):3.0 温 度:30℃ 陰極電流密度:3A/dm2 上述の条件で銅板上に電気メッキを行った結果、白色で
半田濡れ性の良好な錫メッキ皮膜が得られた。また、3
500倍のSEM写真で観察したところ、均一で緻密な
皮膜であることが確認できた。
Example 20 A tin plating bath was constructed with the following composition. Stannous methanesulfonic acid (as Sn 2+ ) 20 g / L Methanesulfonic acid (as free acid) 80 g / L Bis (ω-hydroxypentapropoxy-pentadecaethoxy) disulfide 20 g / L 2-mercaptobenzoxazole 0.2 g / L 6-chloro-2-mercaptobenzothiazole 0.1 g / L sodium gluconate 1.2 mol / L boric acid 30 g / L ion-exchanged water balance [Plating conditions] pH (adjusted with ammonia): 3.0 temperature : 30 ° C Cathode current density: 3 A / dm 2 As a result of performing electroplating on the copper plate under the above conditions, a tin-plated film having a good solder wettability was obtained as a white color. Also, 3
Observation with a 500 times SEM photograph confirmed that the film was uniform and dense.

【0076】《実施例21》下記の組成で錫メッキ浴を
建浴した。 メタンスルホン酸第一錫(Sn2+として) 15g/L メタンスルホン酸(遊離酸として) 85g/L ビス(ドデカエチレングリコール)チオエーテル 5g/L クエン酸 0.6mol/L クエン酸ナトリウム 0.6mol/L アスコルビン酸 2g/L 〔メッキ条件〕 pH(水酸化ナトリウムにて調整):9.0 温 度:30℃ 陰極電流密度:0.1A/dm2 上述の条件で銅板上に電気メッキを行った結果、白色で
半田濡れ性の良好な錫メッキ皮膜が得られた。また、3
500倍のSEM写真で観察したところ、均一で緻密な
皮膜であることが確認できた。
Example 21 A tin plating bath was constructed with the following composition. Stannous methanesulfonate (as Sn 2+ ) 15 g / L Methanesulfonic acid (as a free acid) 85 g / L Bis (dodecaethylene glycol) thioether 5 g / L Citric acid 0.6 mol / L Sodium citrate 0.6 mol / L L Ascorbic acid 2 g / L [Plating conditions] pH (adjusted with sodium hydroxide): 9.0 Temperature: 30 ° C. Cathode current density: 0.1 A / dm 2 Electroplating was performed on the copper plate under the above conditions. As a result, a white tin-plated film having good solder wettability was obtained. Also, 3
Observation with a 500 times SEM photograph confirmed that the film was uniform and dense.

【0077】《比較例8》下記の組成で錫メッキ浴を建
浴した。 メタンスルホン酸第一錫(Sn2+として) 15g/L メタンスルホン酸(遊離酸として) 85g/L クエン酸 0.6mol/L クエン酸ナトリウム 0.6mol/L アスコルビン酸 2g/L 〔メッキ条件〕 pH(水酸化ナトリウムにて調整):9.0 温 度:30℃ 陰極電流密度:0.1A/dm2 上述の条件で銅板上に電気メッキを行った結果、得られ
たメッキ皮膜は灰色であり、半田濡れ性は上記実施例2
1よりも劣っていた。また、メッキ皮膜を3500倍の
SEM写真で観察したところ、均一性並びに緻密性につ
いても共に実施例21より劣っていた。
Comparative Example 8 A tin plating bath was constructed with the following composition. Stannous methanesulfonate (as Sn 2+ ) 15 g / L Methanesulfonic acid (as free acid) 85 g / L Citric acid 0.6 mol / L Sodium citrate 0.6 mol / L Ascorbic acid 2 g / L [Plating conditions] pH (adjusted with sodium hydroxide): 9.0 Temperature: 30 ° C. Cathode current density: 0.1 A / dm 2 As a result of electroplating on a copper plate under the above conditions, the resulting plating film was gray. Yes, the solder wettability was measured in Example 2 above.
Inferior to one. Further, when the plating film was observed with a SEM photograph at a magnification of 3500, both the uniformity and the denseness were inferior to those of Example 21.

【0078】《実施例22》下記の組成で錫メッキ浴を
建浴した。 メタンスルホン酸第一錫(Sn2+として) 20g/L メタンスルホン酸(遊離酸として) 80g/L ビス(ペンタデカエチレングリコール)チオエーテル 12g/L オクチルフェノールポリエトキシレート(EO15モル) 5g/L 2−アルキル−N−カルボキシメチル−N−ヒドロキシエチル −イミダゾリウムベタイン 0.05g/L グルコン酸ナトリウム 1.2mol/L フェノールポリエトキシレート(EO4モル) 2g/L イオン交換水 残部 〔メッキ条件〕 pH(水酸化ナトリウムにて調整):2.0 温 度:30℃ 陰極電流密度:3A/dm2 上述の条件で銅板上に電気メッキを行った結果、白色で
半田濡れ性の良好な錫メッキ皮膜が得られた。また、3
500倍のSEM写真で観察したところ、均一で緻密な
皮膜であることが確認できた。
Example 22 A tin plating bath was constructed with the following composition. Stannous methanesulfonate (as Sn 2+ ) 20 g / L Methanesulfonic acid (as a free acid) 80 g / L Bis (pentadecaethylene glycol) thioether 12 g / L Octylphenol polyethoxylate (EO 15 mol) 5 g / L 2− Alkyl-N-carboxymethyl-N-hydroxyethyl-imidazolium betaine 0.05 g / L Sodium gluconate 1.2 mol / L Phenol polyethoxylate (EO4 mol) 2 g / L Ion exchange water Balance [Plating conditions] pH (water (Adjusted with sodium oxide): 2.0 Temperature: 30 ° C. Cathode current density: 3 A / dm 2 As a result of electroplating on a copper plate under the above conditions, a tin-plated film with white and good solder wettability was obtained. Was done. Also, 3
Observation with a 500 times SEM photograph confirmed that the film was uniform and dense.

【0079】《比較例9》下記の組成で錫メッキ浴を建
浴した。 メタンスルホン酸第一錫(Sn2+として) 20g/L メタンスルホン酸(遊離酸として) 80g/L オクチルフェノールポリエトキシレート(EO15モル) 5g/L 2−アルキル−N−カルボキシメチル−N−ヒドロキシエチル −イミダゾリウムベタイン 0.05g/L グルコン酸ナトリウム 1.2mol/L フェノールポリエトキシレート(EO4モル) 2g/L イオン交換水 残部 〔メッキ条件〕 pH(水酸化ナトリウムにて調整):2.0 温 度:30℃ 陰極電流密度:3A/dm2 上述の条件で銅板上に電気メッキを行った結果、得られ
たメッキ皮膜は灰色であり、半田濡れ性は上記実施例2
2よりも劣っていた。また、メッキ皮膜を3500倍の
SEM写真で観察したところ、均一性並びに緻密性につ
いても共に実施例22より劣っていた。
Comparative Example 9 A tin plating bath was constructed with the following composition. Stannous methanesulfonate (as Sn 2+ ) 20 g / L Methanesulfonate (as free acid) 80 g / L Octylphenol polyethoxylate (15 mol EO) 5 g / L 2-alkyl-N-carboxymethyl-N-hydroxyethyl -Imidazolium betaine 0.05 g / L sodium gluconate 1.2 mol / L phenol polyethoxylate (EO4 mol) 2 g / L ion-exchanged water balance [Plating conditions] pH (adjusted with sodium hydroxide): 2.0 temperature Degree: 30 ° C. Cathode current density: 3 A / dm 2 As a result of electroplating on a copper plate under the above conditions, the resulting plating film was gray and the solder wettability was as in Example 2 above.
Inferior to 2. Further, when the plating film was observed with a 3500-fold SEM photograph, both the uniformity and the denseness were inferior to those of Example 22.

【0080】《実施例23》下記の組成で錫メッキ浴を
建浴した。 メタンスルホン酸第一錫(Sn2+として) 20g/L メタンスルホン酸(遊離酸として) 70g/L ビス(ペンタデカエチレングリコール)チオエーテル 20g/L グルコン酸ナトリウム 1.2mol/L イオン交換水 残部 〔メッキ条件〕 pH(アンモニアにて調整):2.0 温 度:30℃ 陰極電流密度:3A/dm2 上述の条件で銅板上に電気メッキを行った結果、白色で
半田濡れ性の良好な錫メッキ皮膜が得られた。また、3
500倍のSEM写真で観察したところ、均一で緻密な
皮膜であることが確認できた。
Example 23 A tin plating bath was constructed with the following composition. Stannous methanesulfonate (as Sn 2+ ) 20 g / L Methanesulfonic acid (as a free acid) 70 g / L Bis (pentadecaethylene glycol) thioether 20 g / L Sodium gluconate 1.2 mol / L Ion-exchanged water Balance [ Plating conditions] pH (adjusted with ammonia): 2.0 Temperature: 30 ° C. Cathode current density: 3 A / dm 2 As a result of electroplating on a copper plate under the above conditions, tin was white and had good solder wettability. A plating film was obtained. Also, 3
Observation with a 500 times SEM photograph confirmed that the film was uniform and dense.

【0081】《比較例10》下記の組成で錫メッキ浴を
建浴した。 メタンスルホン酸第一錫(Sn2+として) 20g/L メタンスルホン酸(遊離酸として) 70g/L グルコン酸ナトリウム 1.2mol/L イオン交換水 残部 〔メッキ条件〕 pH(アンモニアにて調整):2.0 温 度:30℃ 陰極電流密度:3A/dm2 上述の条件で銅板上に電気メッキを行った結果、得られ
たメッキ皮膜は灰色であり、半田濡れ性は上記実施例2
3よりも劣っていた。また、メッキ皮膜を3500倍の
SEM写真で観察したところ、均一性並びに緻密性につ
いても共に実施例23より劣っていた。
Comparative Example 10 A tin plating bath was constructed with the following composition. Stannous methanesulfonate (as Sn 2+ ) 20 g / L Methanesulfonic acid (as a free acid) 70 g / L Sodium gluconate 1.2 mol / L Ion-exchanged water The balance [Plating conditions] pH (adjusted with ammonia): 2.0 Temperature: 30 ° C. Cathode current density: 3 A / dm 2 As a result of electroplating on a copper plate under the above conditions, the plating film obtained was gray and the solder wettability was as described in Example 2 above.
Inferior to 3. Further, when the plating film was observed with a 3500-fold SEM photograph, both the uniformity and the denseness were inferior to those of Example 23.

【0082】《実施例24》下記の組成で錫メッキ浴を
建浴した。 エタンスルホン酸第一錫(Sn2+として) 45g/L エタンスルホン酸(遊離酸として) 100g/L S,S′−ビス(ペンタデカエチレングリコール) −エチレンジチオエーテル 10g/L クエン酸 1.0mol/L ホウ酸 30g/L イオン交換水 残部 〔メッキ条件〕 pH(水酸化カリウムにて調整):5.5 温 度:25℃ 陰極電流密度:5A/dm2 上述の条件で銅板上に電気メッキを行った結果、白色で
半田濡れ性の良好な錫メッキ皮膜が得られた。また、3
500倍のSEM写真で観察したところ、均一で緻密な
皮膜であることが確認できた。
Example 24 A tin plating bath was constructed with the following composition. Stannous ethanesulfonate (as Sn 2+ ) 45 g / L Ethanesulfonic acid (as free acid) 100 g / L S, S'-bis (pentadecaethylene glycol) -ethylenedithioether 10 g / L Citric acid 1.0 mol / L Boric acid 30g / L Deionized water Remainder [Plating conditions] pH (adjusted with potassium hydroxide): 5.5 Temperature: 25 ° C Cathode current density: 5A / dm 2 Electroplating on copper plate under the above conditions As a result, a tin plating film having a white color and good solder wettability was obtained. Also, 3
Observation with a 500 times SEM photograph confirmed that the film was uniform and dense.

【0083】《実施例25》下記の組成で錫メッキ浴を
建浴した。 2−ヒドロキシプロパン −スルホン酸第一錫(Sn2+として) 20g/L メタンスルホン酸(遊離酸として) 50g/L ビス(ω−ヒドロキシペンタプロポキシ −ペンタデカエトキシ)ジスルフィド 8g/L グルコン酸カリウム 0.5mol/L ポリエトキシレート(EO26モル)ポリプロポキシレート(PO30モル) −ブロックコポリマー 2g/L β−ナフトールポリエトキシレート(EO10モル) 1g/L 2−ベンゾチアゾールチオ酢酸 0.05g/L イオン交換水 残部 〔メッキ条件〕 pH(水酸化カリウムにて調整):5.5 温 度:25℃ 陰極電流密度:3A/dm2 上述の条件で銅板上に電気メッキを行った結果、白色で
半田濡れ性の良好な錫メッキ皮膜が得られた。また、3
500倍のSEM写真で観察したところ、均一で緻密な
皮膜であることが確認できた。
Example 25 A tin plating bath was constructed with the following composition. 2-hydroxypropane-stannous sulfonate (as Sn 2+ ) 20 g / L methanesulfonic acid (as free acid) 50 g / L bis (ω-hydroxypentapropoxy-pentadecaethoxy) disulfide 8 g / L potassium gluconate 0 0.5 mol / L polyethoxylate (EO 26 mol) polypropoxylate (PO 30 mol) -block copolymer 2 g / L β-naphthol polyethoxylate (EO 10 mol) 1 g / L 2-benzothiazolethioacetic acid 0.05 g / L ion exchange Water Remaining [Plating conditions] pH (adjusted with potassium hydroxide): 5.5 Temperature: 25 ° C Cathode current density: 3 A / dm 2 As a result of electroplating on a copper plate under the above conditions, white solder wet A tin plating film having good properties was obtained. Also, 3
Observation with a 500 times SEM photograph confirmed that the film was uniform and dense.

【0084】《実施例26》下記の組成で錫−鉛合金メ
ッキ浴を建浴した。 塩化第一錫(Sn2+として) 25g/L 酢酸鉛(Pb2+として) 2g/L メタンスルホン酸(遊離酸として) 50g/L ビス(デカエチレングリコールモノグリセロール) −チオエーテル 8g/L グルコン酸ナトリウム 0.5mol/L リンゴ酸ナトリウム 0.4mol/L ポリエチレングリコール −オクチルフェニルエーテル(EO15モル) 7g/L アスコルビン酸 2g/L イオン交換水 残部 〔メッキ条件〕 pH(水酸化カリウムにて調整):6.0 温 度:25℃ 陰極電流密度:3A/dm2 上述の条件で銅板上に電気メッキを行った結果、白色で
半田濡れ性の良好な錫−鉛合金メッキ皮膜が得られた。
また、3500倍のSEM写真で観察したところ、均一
で緻密な皮膜であることが確認できた。
Example 26 A tin-lead alloy plating bath having the following composition was prepared. Stannous chloride (as Sn 2+ ) 25 g / L Lead acetate (as Pb 2+ ) 2 g / L Methanesulfonic acid (as free acid) 50 g / L Bis (decaethylene glycol monoglycerol) -thioether 8 g / L gluconic acid Sodium 0.5 mol / L Sodium malate 0.4 mol / L Polyethylene glycol-octyl phenyl ether (EO 15 mol) 7 g / L Ascorbic acid 2 g / L Deionized water Remainder [Plating conditions] pH (adjusted with potassium hydroxide): 6.0 Temperature: 25 ° C. Cathode current density: 3 A / dm 2 As a result of performing electroplating on a copper plate under the above-described conditions, a tin-lead alloy plating film having white and good solder wettability was obtained.
In addition, observation with a 3500-fold SEM photograph confirmed that the film was uniform and dense.

【0085】《実施例27》下記の組成で錫−鉛合金メ
ッキ浴を建浴した。 ホウフッ化第一錫(Sn2+として) 25g/L ホウフッ化鉛(Pb2+として) 2g/L ホウフッ化水素酸(遊離酸として) 50g/L ビス(デカエチレングリコール −モノグリセロール)チオエーテル 8g/L 酒石酸 0.5mol/L ホウ酸 30g/L ポリエチレングリコール −オクチルフェニルエーテル(EO15モル) 7g/L アスコルビン酸 2g/L イオン交換水 残部 〔メッキ条件〕 pH(水酸化カリウムにて調整):6.0 温 度:25℃ 陰極電流密度:3A/dm2 上述の条件で銅板上に電気メッキを行った結果、白色で
半田濡れ性の良好な錫−鉛合金メッキ皮膜が得られた。
また、3500倍のSEM写真で観察したところ、均一
で緻密な皮膜であることが確認できた。
Example 27 A tin-lead alloy plating bath having the following composition was prepared. Stannous borofluoride (as Sn 2+ ) 25 g / L Lead borofluoride (as Pb 2+ ) 2 g / L borofluoric acid (as free acid) 50 g / L Bis (decaethylene glycol-monoglycerol) thioether 8 g / L L Tartaric acid 0.5 mol / L Boric acid 30 g / L Polyethylene glycol-octylphenyl ether (EO15 mol) 7 g / L Ascorbic acid 2 g / L Deionized water Remaining [Plating conditions] pH (adjusted with potassium hydroxide): 6. 0 Temperature: 25 ° C. Cathode current density: 3 A / dm 2 As a result of performing electroplating on a copper plate under the above-mentioned conditions, a tin-lead alloy plating film having good solder wettability was obtained.
In addition, observation with a 3500-fold SEM photograph confirmed that the film was uniform and dense.

【0086】《実施例28》下記の組成で錫−鉛合金メ
ッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一錫(Sn2+として) 28g/L メタンスルホン酸鉛(Pb2+として) 2g/L メタンスルホン酸(遊離酸として) 50g/L ビス(ドデカエチレングリコール)チオエーテル 10g/L 6−アミノ−2−メルカプトベンゾチアゾール 0.1g/L トリスチレン化フェノール −ポリエトキシレート(EO23モル) 8g/L グルコノラクトン 0.8mol/L アスコルビン酸 2g/L イオン交換水 残部 〔メッキ条件〕 pH(水酸化カリウムにて調整):4.0 温 度:25℃ 陰極電流密度:2A/dm2 上述の条件で銅板上に電気メッキを行った結果、白色で
半田濡れ性の良好な錫−鉛合金メッキ皮膜が得られた。
また、3500倍のSEM写真で観察したところ、均一
で緻密な皮膜であることが確認できた。
Example 28 A tin-lead alloy plating bath having the following composition was prepared. Stannous methanesulfonate (as Sn 2+ ) 28 g / L Lead methanesulfonate (as Pb 2+ ) 2 g / L Methanesulfonic acid (as a free acid) 50 g / L Bis (dodecaethylene glycol) thioether 10 g / L 6 -Amino-2-mercaptobenzothiazole 0.1 g / L tristyrenated phenol -Polyethoxylate (EO 23 mol) 8 g / L Gluconolactone 0.8 mol / L Ascorbic acid 2 g / L Deionized water Balance [Plating conditions] pH (Adjusted with potassium hydroxide): 4.0 Temperature: 25 ° C. Cathode current density: 2 A / dm 2 As a result of electroplating on a copper plate under the above conditions, tin-lead having good solder wettability was white. An alloy plating film was obtained.
In addition, observation with a 3500-fold SEM photograph confirmed that the film was uniform and dense.

【0087】《比較例11》下記の組成で錫−鉛合金メ
ッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一錫(Sn2+として) 28g/L メタンスルホン酸鉛(Pb2+として) 2g/L メタンスルホン酸(遊離酸として) 50g/L 6−アミノ−2−メルカプトベンゾチアゾール 0.1g/L トリスチレン化フェノール −ポリエトキシレート(EO23モル) 8g/L グルコノラクトン 0.8mol/L アスコルビン酸 2g/L イオン交換水 残部 〔メッキ条件〕 pH(水酸化カリウムにて調整):4.0 温 度:25℃ 陰極電流密度:2A/dm2 上述の条件で銅板上に電気メッキを行った結果、得られ
たメッキ皮膜は灰色であり、半田濡れ性は上記実施例2
8よりも劣っていた。また、メッキ皮膜を3500倍の
SEM写真で観察したところ、均一性並びに緻密性につ
いても共に実施例28より劣っていた。
Comparative Example 11 A tin-lead alloy plating bath having the following composition was prepared. Stannous methanesulfonate (as Sn 2+ ) 28 g / L Lead methanesulfonate (as Pb 2+ ) 2 g / L Methanesulfonic acid (as free acid) 50 g / L 6-amino-2-mercaptobenzothiazole 1 g / L tristyrenated phenol-polyethoxylate (EO23 mol) 8 g / L gluconolactone 0.8 mol / L ascorbic acid 2 g / L ion-exchanged water Residual [Plating conditions] pH (adjusted with potassium hydroxide): 4 0.0 Temperature: 25 ° C. Cathode current density: 2 A / dm 2 As a result of performing electroplating on a copper plate under the above conditions, the plating film obtained was gray and the solder wettability was as described in Example 2 above.
8 was inferior. Further, when the plating film was observed with a 3500-fold SEM photograph, both the uniformity and the denseness were inferior to those of Example 28.

【0088】《実施例29》下記の組成で錫−鉛合金メ
ッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一錫(Sn2+として) 15g/L メタンスルホン酸鉛(Pb2+として) 0.5g/L メタンスルホン酸(遊離酸として) 100g/L ビス(デカエチレングリコール)チオエーテル 10g/L トリエチレンテトラミンヘキサ酢酸 1.1mol/L マロン酸 5g/L 〔メッキ条件〕 pH(アンモニアにて調整):4.5 温 度:15℃ 陰極電流密度:0.8A/dm2 上述の条件で銅板上に電気メッキを行った結果、白色で
半田濡れ性の良好な錫−鉛合金メッキ皮膜が得られた。
また、3500倍のSEM写真で観察したところ、均一
で緻密な皮膜であることが確認できた。
Example 29 A tin-lead alloy plating bath having the following composition was prepared. Stannous methanesulfonate (as Sn 2+ ) 15 g / L Lead methanesulfonate (as Pb 2+ ) 0.5 g / L Methanesulfonic acid (as free acid) 100 g / L Bis (decaethylene glycol) thioether 10 g / L L Triethylenetetramine hexaacetic acid 1.1 mol / L Malonic acid 5 g / L [Plating conditions] pH (adjusted with ammonia): 4.5 Temperature: 15 ° C Cathode current density: 0.8 A / dm 2 As a result of electroplating on the copper plate, a tin-lead alloy plating film having a good white solder wettability was obtained.
In addition, observation with a 3500-fold SEM photograph confirmed that the film was uniform and dense.

【0089】《比較例12》下記の組成で錫−鉛合金メ
ッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一錫(Sn2+として) 15g/L メタンスルホン酸鉛(Pb2+として) 0.5g/L メタンスルホン酸(遊離酸として) 100g/L トリエチレンテトラミンヘキサ酢酸 1.1mol/L マロン酸 5g/L 〔メッキ条件〕 pH(アンモニアにて調整):4.5 温 度:15℃ 陰極電流密度:0.8A/dm2 上述の条件で銅板上に電気メッキを行った結果、得られ
たメッキ皮膜は灰色であり、半田濡れ性は上記実施例2
9よりも劣っていた。また、メッキ皮膜を3500倍の
SEM写真で観察したところ、均一性並びに緻密性につ
いても共に実施例29より劣っていた。
Comparative Example 12 A tin-lead alloy plating bath having the following composition was prepared. Stannous methanesulfonate (as Sn 2+ ) 15 g / L Lead methanesulfonate (as Pb 2+ ) 0.5 g / L Methanesulfonic acid (as free acid) 100 g / L Triethylenetetramine hexaacetic acid 1.1 mol / L L Malonic acid 5 g / L [Plating conditions] pH (adjusted with ammonia): 4.5 Temperature: 15 ° C. Cathode current density: 0.8 A / dm 2 As a result of electroplating on a copper plate under the above conditions, The obtained plating film was gray, and the solder wettability was as described in Example 2 above.
9 was inferior. Further, when the plating film was observed with a SEM photograph at a magnification of 3500, both the uniformity and the denseness were inferior to those of Example 29.

【0090】《実施例30》下記の組成で錫−鉛合金メ
ッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一錫(Sn2+として) 28g/L メタンスルホン酸鉛(Pb2+として) 2g/L メタンスルホン酸(遊離酸として) 50g/L S,S′−ビス(トリプロピレングリコールイコサエチレングリコール) −エチレンジチオエーテル 15g/L グルコノラクトン 0.8mol/L アスコルビン酸 2g/L イオン交換水 残部 〔メッキ条件〕 pH(水酸化カリウムにて調整):4.0 温 度:25℃ 陰極電流密度:2A/dm2 上述の条件で銅板上に電気メッキを行った結果、白色で
半田濡れ性の良好な錫−鉛合金メッキ皮膜が得られた。
また、3500倍のSEM写真で観察したところ、均一
で緻密な皮膜であることが確認できた。
Example 30 A tin-lead alloy plating bath having the following composition was prepared. Stannous methanesulfonate (as Sn 2+ ) 28 g / L Lead methanesulfonate (as Pb 2+ ) 2 g / L Methanesulfonic acid (as free acid) 50 g / L S, S′-bis (tripropylene glycol ico (Ethylene glycol) -ethylene dithioether 15 g / L gluconolactone 0.8 mol / L ascorbic acid 2 g / L Deionized water balance [Plating conditions] pH (adjusted with potassium hydroxide): 4.0 Temperature: 25 ° C Cathode current density: 2 A / dm 2 As a result of performing electroplating on the copper plate under the above-mentioned conditions, a tin-lead alloy plating film having white and good solder wettability was obtained.
In addition, observation with a 3500-fold SEM photograph confirmed that the film was uniform and dense.

【0091】《比較例13》下記の組成で錫−鉛合金メ
ッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一錫(Sn2+として) 28g/L メタンスルホン酸鉛(Pb2+として) 2g/L メタンスルホン酸(遊離酸として) 50g/L グルコノラクトン 0.8mol/L アスコルビン酸 2g/L イオン交換水 残部 〔メッキ条件〕 pH(水酸化カリウムにて調整):4.0 温 度:25℃ 陰極電流密度:2A/dm2 上述の条件で銅板上に電気メッキを行った結果、得られ
たメッキ皮膜は灰色であり、半田濡れ性は上記実施例3
0よりも劣っていた。また、メッキ皮膜を3500倍の
SEM写真で観察したところ、均一性並びに緻密性につ
いても共に実施例30より劣っていた。
Comparative Example 13 A tin-lead alloy plating bath having the following composition was prepared. Stannous methanesulfonate (as Sn 2+ ) 28 g / L Lead methanesulfonate (as Pb 2+ ) 2 g / L Methanesulfonic acid (as free acid) 50 g / L Gluconolactone 0.8 mol / L Ascorbic acid 2 g / L ion exchange water balance [Plating conditions] pH (adjusted with potassium hydroxide): 4.0 Temperature: 25 ° C Cathode current density: 2 A / dm 2 As a result of electroplating on a copper plate under the above conditions, The obtained plating film was gray, and the solder wettability was as described in Example 3 above.
It was inferior to 0. Further, when the plating film was observed with a SEM photograph at a magnification of 3500, both the uniformity and the denseness were inferior to those of Example 30.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤村 一正 兵庫県神戸市兵庫区西柳原町5番26号 石 原薬品株式会社内 (72)発明者 小幡 惠吾 兵庫県明石市二見町南二見21番地の8 株 式会社大和化成研究所内 (72)発明者 武内 孝夫 兵庫県明石市二見町南二見21番地の8 株 式会社大和化成研究所内 Fターム(参考) 4K023 AA17 AA18 AB33 BA06 BA08 BA13 BA21 BA29 CA04 CB03 CB04 CB08 CB13 CB21 CB28 CB33 DA02 DA03 DA06 DA07 DA08  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Kazumasa Fujimura 5-26 Nishiyanagihara-cho, Hyogo-ku, Kobe-shi, Hyogo Inside Ishihara Pharmaceutical Co., Ltd. Inside of Daiwa Chemicals Research Laboratory Co., Ltd. (72) Inventor Takao Takeuchi Inside of 21 Daiwa Kasei Research Laboratories at 21 Futami-cho, Futami-cho, Akashi City, Hyogo Prefecture F term (reference) 4K023 AA17 AA18 AB33 BA06 BA08 BA13 BA21 BA29 CA04 CB03 CB04 CB08 CB13 CB21 CB28 CB33 DA02 DA03 DA06 DA07 DA08

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (A)第一錫塩と、鉛塩と、第一錫塩及び
鉛塩の可溶性混合物とのいずれかよりなる可溶性金属
塩、 (B)下記の一般式(イ)で表される直鎖状脂肪族炭化水素
化合物の少なくとも一種 H−(OA)a−(S)b−A−B−(AO)c−H …(イ) (上記一般式(イ)中、AOはエチレンオキシド、プロピ
レンオキシド、ヒドロキシプロピレンオキシドである、
但し、aが2以上でAOが繰り返される場合、当該繰り
返し中の各AOは互いに異なっても良い;Aはエチレ
ン、プロピレン、ヒドロキシプロピレンである、但し、
Aがヒドロキシプロピレンの場合、そのヒドロキシル基
にエチレンオキシド、プロピレンオキシドが付加し得
る、また、上記(OA)aとAと(AO)cでの各Aは、互
いに異なっても良い;a、cは整数である、但し、a≠
0、B=Sの場合にはc≠0であり、且つ、a+c=2
〜200であるが、Aがヒドロキシプロピレンの場合に
はa+c=1〜200である;bは1又は2である;B
は、b=1の場合にはS又はO、b=2の場合にはOで
ある。)を含有することを特徴とする錫、鉛及び錫−鉛
合金メッキ浴。
(A) a soluble metal salt comprising a stannous salt, a lead salt, and a soluble mixture of a stannous salt and a lead salt; (B) a soluble metal salt represented by the following general formula (a): H- (OA) a- (S) bAB- (AO) c-H (A) (where AO is represented by the above general formula (A) Ethylene oxide, propylene oxide, hydroxypropylene oxide,
However, when a is 2 or more and AO is repeated, each AO in the repetition may be different from each other; A is ethylene, propylene, hydroxypropylene, provided that
When A is hydroxypropylene, ethylene oxide and propylene oxide can be added to the hydroxyl group. Further, each of A in (OA) a and A and (AO) c may be different from each other; An integer, where a ≠
0, B = S, c ≠ 0, and a + c = 2
B is 1 or 2; B is 1 or 2; and B is 1 or 2 when A is hydroxypropylene;
Is S or O when b = 1 and O when b = 2. ), A tin, lead and tin-lead alloy plating bath.
【請求項2】 さらに、下記の一般式(ロ)で表されるベ
ンゾアゾール系化合物の少なくとも一種 【化1】 (式(ロ)中、XはO、S、NHである;R1はSH、SR
(Rは、COOM、SO3M(Mは水素、アルカリ金属、
アルカリ土類金属、アンモニア、アミン)にて置換され
た又は置換されないC1〜C6アルキル)、S−アリル、
S−アリール;R2、R3、R4及びR5は、夫々同一又は
異なっても良く、H、SH、OH、OR(Rは、COO
Hで置換された又は置換されないC1〜C6アルキル)、
SR(Rは、COOHで置換された又は置換されないC1
〜C6アルキル)、ハロゲン、COOH、NH2、NO2
NRR′(R、R′は夫々C1〜C6アルキル、又は一緒
になって環を形成する)、SO3M(Mは水素、アルカリ
金属、アルカリ土類金属、アンモニア、アミンであ
る)。)を含有する事を特徴とする請求項1に記載の錫、
鉛及び錫−鉛合金メッキ浴。
2. A benzoazole-based compound represented by the following general formula (b): (Wherein X is O, S, NH; R 1 is SH, SR
(R is COOM, SO 3 M (M is hydrogen, alkali metal,
Alkaline earth metals, ammonia, C 1 -C 6 alkyl which is not the or substituted substituted by amines)), S- allyl,
S-aryl; R 2 , R 3 , R 4 and R 5 may be the same or different, and each of H, SH, OH, OR (R is COO
H-substituted or unsubstituted C 1 -C 6 alkyl),
SR (R is C 1 substituted or unsubstituted with COOH
-C 6 alkyl), halogen, COOH, NH 2, NO 2,
NRR '(R, R' are each C 1 -C 6 alkyl, or taken together form a ring), SO 3 M (M is hydrogen, an alkali metal, alkaline earth metal, ammonia, amine). The tin according to claim 1, wherein the tin contains
Lead and tin-lead alloy plating bath.
【請求項3】 有機スルホン酸を含有することを特徴と
する請求項1又は2に記載の酸性錫、鉛及び錫−鉛合金
メッキ浴。
3. The bath of claim 1, further comprising an organic sulfonic acid.
【請求項4】 錯化剤を含有するとともに、メッキ浴の
pHが1.5〜9.0である事を特徴とする請求項1又は
2に記載の錫、鉛及び錫−鉛合金メッキ浴。
4. The tin, lead and tin-lead alloy plating bath according to claim 1, wherein the plating bath contains a complexing agent and has a pH of 1.5 to 9.0. .
【請求項5】 有機スルホン酸のアルカリ金属塩、アル
カリ土類金属塩、アンモニウム塩及びアミン塩の少なく
とも一種を含有することを特徴とする請求項4に記載の
錫、鉛及び錫−鉛合金メッキ浴。
5. The tin, lead and tin-lead alloy plating according to claim 4, wherein said tin, lead and tin-lead alloy plating contains at least one of an alkali metal salt, an alkaline earth metal salt, an ammonium salt and an amine salt of an organic sulfonic acid. bath.
【請求項6】 さらに、界面活性剤、光沢剤、半光沢
剤、平滑剤、補助錯化剤、pH緩衝剤、導電性塩、防腐
剤、酸化防止剤よりなる群から選ばれた添加剤の少なく
とも一種を含有することを特徴とする請求項1〜5のい
ずれか1項に記載の錫、鉛及び錫−鉛合金メッキ浴。
6. An additive selected from the group consisting of surfactants, brighteners, semi-brighteners, leveling agents, auxiliary complexing agents, pH buffers, conductive salts, preservatives, and antioxidants. The tin, lead and tin-lead alloy plating bath according to any one of claims 1 to 5, which contains at least one kind.
【請求項7】 界面活性剤がノニオン系界面活性剤であ
ることを特徴とする請求項6に記載の錫、鉛及び錫−鉛
合金メッキ浴。
7. The tin, lead and tin-lead alloy plating bath according to claim 6, wherein the surfactant is a nonionic surfactant.
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