JP4359907B2 - Tin-copper alloy plating bath - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明はスズ−銅合金メッキ浴に関し、人体や環境に悪影響を及ぼす鉛を含まず、広い電流密度領域で皮膜組成比安定性に優れ、メッキ皮膜の外観や緻密性などを良好に改善できるものを提供する。
【0002】
【発明の背景】
近年、人体や環境に対する鉛の影響が懸念されるようになり、また、純粋のスズメッキではホイスカー発生の恐れがあることから、鉛を含まないハンダメッキの開発が要望されている。
鉛フリーのハンダとしては、スズ−銀合金、スズ−ビスマス合金、或はスズ−亜鉛合金などが検討されているが、例えば、スズ−銀合金メッキでは、メッキ浴が分解し易いため、安定性に優れたメッキ浴を調製することが容易でないという実情がある。
一方、欧米では、スズ−銅合金メッキが注目され、実用化の報告もある。スズ−銅合金は銅含有率1.3mol%で共晶組成となり、その融点は227℃であって、接合温度は若干高いが、接合強度に優れるうえ、スズ−銀合金などに比べてコストが低いため、鉛フリーのハンダの有力候補である。
【0003】
【従来の技術】
特開平8−13185号公報には、(a)Sn2+イオン、(b)Ag+、Cu2+、In3+、Tl+及びZn2+からなる群より選ばれた金属イオンの少なくとも一種、(c)ノニオン系界面活性剤を含有する、鉛を含まないスズ合金メッキ浴が開示されている。
当該従来技術では、鉛を使用することなく、スズ−鉛合金メッキ皮膜に類似する低融点皮膜が得られるとともに、メッキ皮膜の外観、ハンダ付け性、或は浴管理の容易性などにも優れることが述べられている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来技術の実施例3(同公報の段落28参照)には、メタンスルホン酸第一スズと、メタンスルホン酸銅と、メタンスルホン酸と、オクチルフェノールエトキシレートのエチレンオキシド付加物とからなるスズ−銅合金メッキ浴が、また、実施例4(同公報の段落29参照)には、メタンスルホン酸第一スズと、メタンスルホン酸銅と、メタンスルホン酸と、ラウリルアミンのエチレンオキシド付加物とからなるスズ−銅合金メッキ浴が夫々開示されている。
ちなみに、これらのメッキ浴から得られたメッキ皮膜に関する試験では、2A/dm2、20℃でのハンダ濡れ性が記載されているにとどまる(同公報の段落37〜40参照)。
【0005】
上記従来技術はメッキ皮膜のハンダ付け性の改善などを目的としたものであり、このスズ−銅合金メッキ浴を用いて高密度〜低密度の様々な陰極電流密度の条件下でメッキを行うと、皮膜のSn/Cu組成比が変動してしまうため、安定な組成比のスズ−銅合金皮膜を得るという見地から、メッキ浴の実用性には問題がある。例えば、前述のように、Cu組成比1.3mol%の条件では低融点のスズ−銅共晶組成合金が得られるが、皮膜組成比に対する電流密度依存性が高いと、各用途に適合した組成比のスズ−銅合金メッキ皮膜が安定して得られず、メッキ浴としての実用度は低下するのである。
また、上記従来技術のメッキ浴から得られるスズ−銅合金皮膜は外観や緻密性が必ずしも充分ではなく、商品価値の点でも問題がある。
本発明は、メッキ皮膜におけるSn/Cu組成比の電流密度依存性が低く、皮膜の外観や緻密性に優れたスズ−銅合金メッキ浴を開発することを技術的課題とする。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
先に、本出願人は、特願平10−150660号で、2,2′−ジチオジアニリン、2,2′−ジピリジルジスルフィド、或は1,8−ジアミノ−3,6−ジチアオクタンなどのチオクラウンエーテル類などを含有する銀及び銀合金メッキ浴を提案し、その具体例の一つとして、有機スルホン酸の銀塩と、有機スルホン酸の第一スズ塩と、有機スルホン酸と、ジチオジアニリンと、界面活性剤などを含有するスズ−銀合金メッキ浴を提示した。
【0007】
本発明者らは上記ジチオジアニリンに着目して、スズ−銅合金メッキ浴にジチオジアニリンを適用するとともに、さらに加えて、C1〜C20アルカノール、フェノール、ナフトール、ビスフェノール類などのエチレンオキシド及び/又はプロピレンオキシドの付加物である特定のノニオン系界面活性剤を共存させると、高電流密度から低電流密度までの広い電流密度領域でメッキ皮膜のSn/Cu組成比がきわめて安定になること、メッキ皮膜の外観や緻密性が向上することなどを見い出し、本発明を完成した。
【0008】
即ち、本発明1は、(A)可溶性第一スズ塩、
(B)可溶性銅塩、
(C)有機スルホン酸、脂肪族カルボン酸より選ばれた有機酸、或は、硫酸、塩酸、ホウフッ化水素酸より選ばれた無機酸、
(D)ジチオジアニリン、
(E)C1〜C20アルカノール、フェノール、ナフトール、ビスフェノールA及びビスフェノールBより選ばれたビスフェノール類、C1〜C25アルキルフェノール、アリールアルキルフェノール、C1〜C25アルキルナフトール、Ra・Rb・(MO)P=Oの一般式(式中のRa及びRbは同一又は異なるC1〜C25アルキル、但し、一方がHであっても良い。MはH又はアルカリ金属を示す)で表されるC1〜C25アルコキシル化リン酸、ソルビタンエステル、ポリアルキレングリコール、C1〜C22脂肪族アミン、C1〜C22脂肪族アミドより選ばれたいずれかのエチレンオキシド及び/又はプロピレンオキシドの付加物であるノニオン系界面活性剤
を含有してなることを特徴とするスズ−銅合金メッキ浴である。
【0009】
本発明2は、上記本発明1において、(C)の有機スルホン酸が、アルカンスルホン酸、アルカノールスルホン酸、芳香族スルホン酸の少なくとも一種であることを特徴とするスズ−銅合金メッキ浴である。
【0010】
本発明3は、上記本発明2において、アルカンスルホン酸がメタンスルホン酸であることを特徴とするスズ−銅合金メッキ浴である。
【0011】
本発明4は、上記本発明1〜3のいずれかにおいて、(E)のノニオン系界面活性剤がα−ナフトールのエチレンオキシド付加物であることを特徴とするものである。
【0012】
本発明5は、(A)可溶性第一スズ塩、
(B)可溶性銅塩、
(C)メタンスルホン酸、
(D)2,2′−ジチオジアニリン
(E)α−ナフトールのエチレンオキシド付加物
を含有してなることを特徴とするスズ−銅合金メッキ浴である。
【0013】
【発明の実施の形態】
本発明のスズ−銅合金メッキ浴に用いる可溶性第一スズ塩は、水中で第一スズイオンを生成する任意の有機又は無機のスズ塩を指し、具体的には、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、2−プロパノールスルホン酸、p−フェノールスルホン酸などの有機スルホン酸の第一スズ塩を初め、ホウフッ化第一スズ、スルホコハク酸第一スズ、硫酸第一スズ、酸化第一スズ、塩化第一スズなどが挙げられる。
上記可溶性第一スズ塩は単用又は併用でき、そのメッキ浴に対する含有量は0.01〜5mol/L、好ましくは0.05〜0.5mol/Lである。
一方、可溶性銅塩は、水中で安定な銅イオンを生成する任意の有機又は無機の銅塩を指し、具体的には、上記有機スルホン酸の銅塩、硫酸銅、塩化銅、酸化銅、炭酸銅、酢酸銅、ピロリン酸銅、シュウ酸銅などが挙げられる。
上記可溶性銅塩は単用又は併用でき、そのメッキ浴に対する含有量は0.0001〜1mol/L、好ましくは0.0005〜0.5mol/Lである。
【0014】
本発明のスズ−銅合金メッキ浴のベースを構成する酸としては、有機スルホン酸、脂肪族カルボン酸などの有機酸、或は、硫酸、塩酸、ホウフッ化水素酸、ケイフッ化水素酸、スルファミン酸などの無機酸が挙げられるが、スズ或は銅の溶解性、排水処理の容易性などの点で有機スルホン酸が好ましい。
上記酸は単用又は併用でき、その含有量は0.01〜50mol/L、好ましくは0.1〜10mol/Lである。
【0015】
上記有機スルホン酸は、アルカンスルホン酸、アルカノールスルホン酸、芳香族スルホン酸などであり、アルカンスルホン酸としては、化学式Cn2n+1SO3H(例えば、n=1〜11)で示されるものが使用でき、具体的には、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、1―プロパンスルホン酸、2―プロパンスルホン酸、1―ブタンスルホン酸、2―ブタンスルホン酸、ペンタンスルホン酸、ヘキサンスルホン酸、デカンスルホン酸、ドデカンスルホン酸などが挙げられる。
【0016】
上記アルカノールスルホン酸としては、化学式
m2m+1-CH(OH)-Cp2p-SO3H(例えば、m=0〜6、p=1〜5)
で示されるものが使用でき、具体的には、2―ヒドロキシエタン―1―スルホン酸、2―ヒドロキシプロパン―1―スルホン酸(2−プロパノールスルホン酸)、2―ヒドロキシブタン―1―スルホン酸、2―ヒドロキシペンタン―1―スルホン酸などの外、1―ヒドロキシプロパン―2―スルホン酸、3―ヒドロキシプロパン―1―スルホン酸、4―ヒドロキシブタン―1―スルホン酸、2―ヒドロキシヘキサン―1―スルホン酸、2―ヒドロキシデカン―1―スルホン酸、2―ヒドロキシドデカン―1―スルホン酸などが挙げられる。
【0017】
上記芳香族スルホン酸は、基本的にベンゼンスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸、フェノールスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、アルキルナフタレンスルホン酸、ナフトールスルホン酸などであり、具体的には、1−ナフタレンスルホン酸、2−ナフタレンスルホン酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、p−フェノールスルホン酸、クレゾールスルホン酸、スルホサリチル酸、ニトロベンゼンスルホン酸、スルホ安息香酸、ジフェニルアミン−4−スルホン酸などが挙げられる。
上記有機スルホン酸では、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、2−プロパノールスルホン酸、フェノールスルホン酸などが好ましい。
【0018】
上記ジチオジアニリンはメッキ皮膜中のSn/Cu組成比の電流密度依存性を抑制し、或はメッキ皮膜の外観の改善などのために用いられ、アニリン環に対するSS結合の位置は限定されず、具体例としては、2,2′−ジチオジアニリン、4,4′−ジチオジアニリン、2,4′−ジチオジアニリンなどが挙げられる。上記ジチオジアニリンのメッキ浴に対する含有量は0.001〜1.0mol/L、好ましくは0.005〜0.1mol/Lである。
【0019】
上記ノニオン系界面活性剤はジチオジアニリンとの相乗効果により、メッキ皮膜中のSn/Cu組成比の電流密度依存性を顕著に改善し、また、メッキ皮膜をより一層緻密化するために用いられる。
当該ノニオン系界面活性剤は、C1〜C20アルカノール、フェノール、ナフトール、ビスフェノール類、C1〜C25アルキルフェノール、アリールアルキルフェノール、C1〜C25アルキルナフトール、C1〜C25アルコキシル化リン酸(塩)、ソルビタンエステル、スチレン化フェノール、ポリアルキレングリコール、C1〜C22脂肪族アミン、C1〜C22脂肪族アミドなどにエチレンオキシド(EO)及び/又はプロピレンオキシド(PO)を2〜300モル付加縮合したものである。従って、所定のアルカノール、フェノール、ナフトールなどのEO単独の付加物、PO単独の付加物、或は、EOとPOが共存した付加物のいずれでも良く、具体的には、α−ナフトール又はβ−ナフトールのエチレンオキシド付加物(即ち、α−ナフトールポリエトキシレートなど)が好ましい。
【0020】
エチレンオキシド(EO)及び/又はプロピレンオキシド(PO)を付加縮合させるC1〜C20アルカノールとしては、オクタノール、デカノール、ラウリルアルコール、テトラデカノール、ヘキサデカノール、ステアリルアルコール、エイコサノール、セチルアルコール、オレイルアルコール、ドコサノールなどが挙げられる。
同じくビスフェノール類としては、ビスフェノールA、ビスフェノールBなどが挙げられる。
1〜C25アルキルフェノールとしては、モノ、ジ、若しくはトリアルキル置換フェノール、例えば、p−ブチルフェノール、p−イソオクチルフェノール、p−ノニルフェノール、p−ヘキシルフェノール、2,4−ジブチルフェノール、2,4,6−トリブチルフェノール、p−ドデシルフェノール、p−ラウリルフェノール、p−ステアリルフェノールなどが挙げられる。
アリールアルキルフェノールとしては、2−フェニルイソプロピルフェニルなどが挙げられる。
【0021】
1〜C25アルキルナフトールのアルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、ブチルヘキシル、オクチル、デシル、ドデシル、オクタデシルなどが挙げられ、ナフタレン核の任意の位置にあって良い。
1〜C25アルコキシル化リン酸(塩)は、下記の一般式(a)で表されるものである。
Ra・Rb・(MO)P=O …(a)
(式(a)中、Ra及びRbは同一又は異なるC1〜C25アルキル、但し、一方がHであっても良い。MはH又はアルカリ金属を示す。)
【0022】
ソルビタンエステルとしては、モノ、ジ又はトリエステル化した1,4−、1,5−又は3,6−ソルビタン、例えばソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンジステアレート、ソルビタンジオレエート、ソルビタン混合脂肪酸エステルなどが挙げられる。
1〜C22脂肪族アミンとしては、プロピルアミン、ブチルアミン、ヘキシルアミン、オクチルアミン、デシルアミン、ラウリルアミン、ステアリルアミン、エチレンジアミン、プロピレンジアミンなどの飽和及び不飽和脂肪酸アミンなどが挙げられる。
1〜C22脂肪族アミドとしては、プロピオン酸、酪酸、カプリル酸、カプリン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ベヘン酸などのアミドが挙げられる。
【0023】
また、本発明のスズ−銅合金メッキ浴には上記成分以外に、目的に応じて公知の酸化防止剤、光沢剤、半光沢剤、錯化剤、pH調整剤、緩衝剤などの各種添加剤を混合できることは勿論である。
上記酸化防止剤は浴中のスズが2価から4価に酸化するのを防止するためのもので、具体例としては、アスコルビン酸又はその塩、ハイドロキノン、カテコール、レゾルシン、フロログルシン、クレゾールスルホン酸又はその塩、フェノールスルホン酸又はその塩、ナフトールスルホン酸又はその塩などが挙げられる。
【0024】
上記光沢剤としては、m−クロロベンズアルデヒド、p−ニトロベンズアルデヒド、p−ヒドロキシベンズアルデヒド、1−ナフトアルデヒド、ベンジリデンアルデヒド、サリチルアルデヒド、パラアルデヒドなどの各種アルデヒド、バニリン、トリアジン、イミダゾール、インドール、キノリン、2−ビニルピリジン、アニリンなどが挙げられる。
【0025】
上記半光沢剤としては、チオ尿素類、N―(3―ヒドロキシブチリデン)―p―スルファニル酸、N―ブチリデンスルファニル酸、N―シンナモイリデンスルファニル酸、2,4―ジアミノ―6―(2′―メチルイミダゾリル(1′))エチル―1,3,5―トリアジン、2,4―ジアミノ―6―(2′―エチル―4―メチルイミダゾリル(1′))エチル―1,3,5―トリアジン、2,4―ジアミノ―6―(2′―ウンデシルイミダゾリル(1′))エチル―1,3,5―トリアジン、サリチル酸フェニル、或は、ベンゾチアゾール、2―メチルベンゾチアゾール、2―(メチルメルカプト)ベンゾチアゾール、2―アミノベンゾチアゾール、2―アミノ―6―メトキシベンゾチアゾール、2―メチル―5―クロロベンゾチアゾール、2―ヒドロキシベンゾチアゾール、2―アミノ―6―メチルベンゾチアゾール、2―クロロベンゾチアゾール、2,5―ジメチルベンゾチアゾール、2―メルカプトベンゾチアゾール、6―ニトロ―2―メルカプトベンゾチアゾール、5―ヒドロキシ―2―メチルベンゾチアゾール、2―ベンゾチアゾールチオ酢酸等のベンゾチアゾール類などが挙げられる。
【0026】
上記錯化剤は主に銅の浴中への溶解を安定的に促進するためのもので、具体的には、グルコン酸、グルコヘプトン酸、エチレンジアミン、エチレンジアミン四酢酸(EDTA)、ジエチレントリアミン五酢酸(DTPA)、ニトリロ三酢酸(NTA)、イミノジ酢酸(IDA)、イミノジプロピオン酸(IDP)、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸(HEDTA)、トリエチレンテトラミン六酢酸(TTHA)、シュウ酸、クエン酸、酒石酸、ロッシェル塩、乳酸、リンゴ酸、マロン酸、酢酸、或はこれらの塩、チオ尿素又はその誘導体などが挙げられる。
上記pH調整剤としては、塩酸、硫酸等の各種の酸、水酸化アンモニウム、水酸化ナトリウム等の各種の塩基などが挙げられる。
上記緩衝剤としては、ホウ酸類、リン酸類、塩化アンモニウムなどが挙げられる。
【0027】
本発明のスズ−銅合金メッキ浴での上記各種添加剤の含有濃度は、バレルメッキ、ラックメッキ、高速連続メッキ、ラックレスメッキなどに対応して任意に調整・選択できる。
【0028】
本発明のスズ−銅合金メッキ浴を用いて電気メッキを行う場合、浴温は0℃以上、好ましくは10〜50℃程度である。陰極電流密度は0.01〜150A/dm2、好ましくは0.1〜30A/dm2程度であり、特に、本発明のスズ−銅合金メッキ浴では、有機スルホン酸浴にジチオジアニリンと特定のノニオン系界面活性剤を併用するため、低電流密度から高電流密度までの広い領域において皮膜のSn/Cu組成比を安定にできる。また、浴のpHも酸性からほぼ中性までの領域に適用できるが、特に、弱酸性〜強酸性の範囲が好ましい。
【0029】
【発明の効果】
(1)スズ−銅合金メッキ浴にジチオジアニリンと特定のノニオン系界面活性剤を併用するため、電流密度依存性の小さいスズ−銅合金皮膜を得ることができる。即ち、ジチオジアニリンと特定のノニオン系界面活性剤の両成分を含有しない場合、或はその一方しか含有しない場合(例えば、ノニオン系界面活性剤のみを含有する場合は、冒述の従来技術に類した例となる)に比べて、本発明のメッキ浴は、低電流密度から高電流密度までの広い領域において皮膜のSn/Cu組成比を安定にできる点で、顕著な優位性を具備している。
特に、後述の試験例に示すように、例えば、メタンスルホン酸浴に2,2′−ジチオジアニリンとα−ナフトールのエチレンオキシド付加物を併用すると、電流密度依存性がより良好に低減するとともに、メッキ浴のSn/Cu含有比率にほぼ対応した組成比のスズ−銅合金メッキ皮膜が得られる。従って、浴調製によって、低融点で実用度の高いCu組成比1.3mol%のスズ−銅共晶組成合金などを容易に得ることができる。
【0030】
(2)後述の試験例に示すように、スズ−銅合金メッキ浴にジチオジアニリンと特定のノニオン系界面活性剤を併用すると、両成分を含有しない場合、或は一方の成分しか含有しない場合に比べて、スズ−銅合金メッキ皮膜の外観、緻密性、平滑性などを顕著に向上でき、被メッキ物の商品価値を高めることができる。
また、有機スルホン酸浴を用いると、スズ或は銅の溶解性、或は排水処理の容易性などの点で有利である。
【0031】
(3)本発明のスズ−銅合金メッキは、鉛を含まないハンダメッキであって人体や環境を汚染する恐れが低い。また、接合強度は高いうえ、スズ−銀合金メッキなどに比べてコストの低減が可能であり、スズ−鉛合金メッキに準ずる接合温度を有し、実用度の高い鉛フリーのハンダメッキを提供できる。
しかも、スズ皮膜のようなホイスカー発生の恐れもない。
【0032】
【実施例】
以下、スズ−銅合金メッキ浴の実施例を順次述べるととともに、電着皮膜のSn/Cu組成比の電流密度依存性、スズ−銅合金メッキ皮膜の外観などの各種試験例を説明する。
尚、本発明は下記の実施例、試験例などに拘束されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意の変形をなし得ることは勿論である。
【0033】
下記の実施例並びに比較例のスズ−銅合金メッキ浴において、実施例1〜8は基本的にジチオジアニリン、ノニオン系界面活性剤、可溶性金属塩の濃度、或はノニオン系界面活性剤の種類を様々に変化させたものである。
また、比較例1〜3は実施例1を基本組成としたもので、比較例1はジチオジアニリンとノニオン系界面活性剤の両方が欠如したブランク例、比較例2はノニオン系界面活性剤のブランク例である。比較例3はジチオジアニリンのブランク例であり、スズ−銅合金の有機スルホン酸浴にノニオン系界面活性剤が含有されている点で、冒述の従来技術(実施例3〜4参照)に類似した例として想定したものである。
【0034】
《実施例1》
下記の組成でスズ−銅合金メッキ浴を建浴した。
メタンスルホン酸第一スズ(Sn2+として)0.1974mol/L
硫酸銅(Cu2+として) 0.0026mol/L
メタンスルホン酸 2mol/L
2,2′−ジチオジアニリン 0.01mol/L
α−ナフトールポリエトキシレート(EO10) 5g/L
【0035】
《実施例2》
下記の組成でスズ−銅合金メッキ浴を建浴した。
メタンスルホン酸第一スズ(Sn2+として)0.1974mol/L
硫酸銅(Cu2+として) 0.0026mol/L
メタンスルホン酸 2mol/L
2,2′−ジチオジアニリン 0.005mol/L
α−ナフトールポリエトキシレート(EO6.7) 5g/L
【0036】
《実施例3》
下記の組成でスズ−銅合金メッキ浴を建浴した。
メタンスルホン酸第一スズ(Sn2+として) 0.4mol/L
硫酸銅(Cu2+として) 0.005mol/L
メタンスルホン酸 1mol/L
2,2′−ジチオジアニリン 0.02mol/L
トリスチレン化フェノールポリエトキシレート(EO15) 3g/L
カテコール 1g/L
【0037】
《実施例4》
下記の組成でスズ−銅合金メッキ浴を建浴した。
メタンスルホン酸第一スズ(Sn2+として) 0.2mol/L
メタンスルホン酸銅(Cu2+として) 0.005mol/L
メタンスルホン酸 2mol/L
2,2′−ジチオジアニリン 0.02mol/L
ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル(EO15) 5g/L
ヒドロキノン 1g/L
【0038】
《実施例5》
下記の組成でスズ−銅合金メッキ浴を建浴した。
メタンスルホン酸第一スズ(Sn2+として)0.1974mol/L
硫酸銅(Cu2+として) 0.0026mol/L
メタンスルホン酸 2mol/L
2,2′−ジチオジアニリン 0.01mol/L
ラウリルアミンポリエトキシレート(EO10) 5g/L
カテコール 1g/L
【0039】
《実施例6》
下記の組成でスズ−銅合金メッキ浴を建浴した。
硫酸第一スズ(Sn2+として) 0.1974mol/L
硫酸銅(Cu2+として) 0.0026mol/L
メタンスルホン酸 2mol/L
2,2′−ジチオジアニリン 0.01mol/L
ビスフェノールAポリエトキシレート(EO30) 5g/L
ヒドロキノン 1g/L
【0040】
《実施例7》
下記の組成でスズ−銅合金メッキ浴を建浴した。
エタンスルホン酸第一スズ(Sn2+として)0.1974mol/L
硫酸銅(Cu2+として) 0.0026mol/L
エタンスルホン酸 2mol/L
4,4′−ジチオジアニリン 0.01mol/L
トリスチレン化フェノールポリエトキシレート(EO15)
−ポリプロポキシレート(PO3) 7g/L
ヒドロキノン 1g/L
【0041】
《実施例8》
下記の組成でスズ−銅合金メッキ浴を建浴した。
硫酸第一スズ(Sn2+として) 0.1974mol/L
硫酸銅(Cu2+として) 0.0026mol/L
硫酸 1mol/L
2,2′−ジチオジアニリン 0.01mol/L
ラウリルアミンポリエトキシレート(EO10)
−ポリプロポキシレート(PO3) 7g/L
カテコール 1g/L
【0042】
《比較例1》
下記の組成でスズ−銅合金メッキ浴を建浴した。
メタンスルホン酸第一スズ(Sn2+として)0.1974mol/L
硫酸銅(Cu2+として) 0.0026mol/L
メタンスルホン酸 2mol/L
【0043】
《比較例2》
下記の組成でスズ−銅合金メッキ浴を建浴した。
メタンスルホン酸第一スズ(Sn2+として)0.1974mol/L
硫酸銅(Cu2+として) 0.0026mol/L
メタンスルホン酸 2mol/L
2,2′−ジチオジアニリン 0.01mol/L
【0044】
《比較例3》
下記の組成でスズ−銅合金メッキ浴を建浴した。
メタンスルホン酸第一スズ(Sn2+として)0.1974mol/L
硫酸銅(Cu2+として) 0.0026mol/L
メタンスルホン酸 2mol/L
α−ナフトールポリエトキシレート(EO10) 5g/L
【0045】
《電流密度依存性試験例》
そこで、実施例1〜8並びに比較例1〜3の各スズ−銅合金メッキ浴を用いて、ニッケル素地上に浴温25℃、陰極電流密度を下記のA又はBの条件下で夫々電気メッキを行い、得られたスズ−銅合金メッキ皮膜に関して、皮膜のSn/Cu組成比の電流密度依存性試験を行った。
(1)電流密度条件A:0.5A/dm2で20分
(2)電流密度条件B:3A/dm2で3分20秒
上記試験は、各電流密度条件A又はBで得られた電着皮膜について、各皮膜を溶解した後、高周波プラズマ発光分光分析法(ICP)で定量し、皮膜組成比を分析することにより行った。
【0046】
図1の左欄〜中央欄はその試験結果を示す。
実施例1及び3〜8のメッキ浴から得られた電着皮膜のSn/Cu組成比は、0.5A/dm2の低電流密度条件と3A/dm2の高電流密度条件との間でほとんど変わらず、電着皮膜のSn/Cu組成比の電流密度依存性はきわめて小さいことが認められた。しかも、メッキ浴の含有率と同様の組成比のスズ−銅合金メッキ皮膜を得ることができるため、浴組成の調整によって、1.3mol%の銅組成比を有するスズ−銅共晶組成皮膜、或はこれに近い皮膜を各実施例で形成できることも明らかになった。特に、実施例4では、浴の銅組成比を他の実施例より高めたことにより、皮膜の銅組成比は2.5mol%に高まることが確認できた。
これに対して、ジチオジアニリンとノニオン系界面活性剤の両成分が欠如した比較例1では、低電流密度下では銅が優先析出し、この結果、電着皮膜のSn/Cu組成比は低電流密度条件と高電流密度条件とで大きく異なり、皮膜組成比の電流密度依存性がきわめて増大することが確認できた。
ノニオン系活性剤を欠いた比較例2も、低電流密度下での銅の優先析出を抑制することができず、皮膜組成比の電流密度依存性は大きかった。
比較例3はジチオジアニリンを欠き、ノニオン系活性剤を含有する点で冒述の従来技術に類した例であるが、この場合にも、比較例2と同様に電流密度依存性は大きかった。
従って、ジチオジアニリンと特定のノニオン系界面活性剤を併用したスズ−銅合金メッキ浴は、その両方、或はその一方が欠如したメッキ浴に比べて、電着皮膜のSn/Cu組成比の電流密度依存性の点で優位性が顕著であり、高電流密度から低電流密度までの広い電流密度域で皮膜組成比を良好に安定化できることが判った。
尚、実施例2はジチオジアニリンの含有量が他の実施例より低いため、皮膜組成比の電流密度依存性が少し高まったものと考えられるが、比較例1〜3に比べると当該依存性の改善は明らかであった。
【0047】
一方、図2は、実施例1と比較例1〜3の各メッキ浴を代表例として抽出して、0.5〜5A/dm2の範囲で変化させた電流密度と、各電流密度条件下での電着皮膜の銅組成比との関係をまとめたものである。
同図2によっても、ジチオジアニリンとノニオン系界面活性剤を組み合わせた場合の、皮膜組成比の電流密度依存性に対する顕著な低下効果を再度確認することができた。
【0048】
《皮膜外観試験例》
実施例と比較例のメッキ浴から得られた上記各スズ−銅合金の電着皮膜について、皮膜表面の状態を目視観察し、皮膜外観試験を行った。
その評価基準は次の通りである。
○:均一な白色外観であった。
×:色ムラが認められ、灰色がかった色調であった。
図1の右欄はその結果を示す。
実施例1〜8の電着皮膜は全て○の評価であったが、比較例1〜3の評価は劣った。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例1〜8及び比較例1〜3の各スズ−銅合金メッキ浴から得られた電着皮膜に関する電流密度依存性試験、並びに皮膜外観試験の結果を夫々示す図表である。
【図2】実施例1と比較例1〜3のスズ−銅合金メッキ浴に関する電流密度と電着皮膜の銅組成比との関係図である。
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a tin-copper alloy plating bath, which does not contain lead that adversely affects the human body and the environment, is excellent in film composition ratio stability in a wide current density region, and can improve the appearance and denseness of the plating film. I will provide a.
[0002]
BACKGROUND OF THE INVENTION
In recent years, there has been a concern about the influence of lead on the human body and the environment. Since pure tin plating may cause whisker, development of solder plating that does not contain lead is desired.
As lead-free solder, tin-silver alloy, tin-bismuth alloy, tin-zinc alloy, etc. have been studied. For example, in the case of tin-silver alloy plating, the plating bath is easily decomposed, so that it is stable. There is a fact that it is not easy to prepare an excellent plating bath.
On the other hand, tin-copper alloy plating attracts attention in Europe and the United States, and there is a report of practical application. Tin-copper alloy has an eutectic composition with a copper content of 1.3 mol%, and its melting point is 227 ° C., and the bonding temperature is slightly higher, but it has excellent bonding strength and costs compared to tin-silver alloy and the like. Because it is low, it is a leading candidate for lead-free solder.
[0003]
[Prior art]
JP-A-8-13185 discloses at least one metal ion selected from the group consisting of (a) Sn 2+ ions, (b) Ag + , Cu 2+ , In 3+ , Tl + and Zn 2+. (C) a lead-free tin alloy plating bath containing a nonionic surfactant is disclosed.
In the conventional technology, a low melting point film similar to a tin-lead alloy plating film can be obtained without using lead, and the appearance of the plating film, solderability, and ease of bath management are also excellent. Is stated.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
In Example 3 of the prior art (see paragraph 28 of the same publication), tin-copper composed of stannous methanesulfonate, copper methanesulfonate, methanesulfonic acid, and an ethylene oxide adduct of octylphenol ethoxylate. An alloy plating bath was also used in Example 4 (see paragraph 29 of the same publication), stannous methane sulfonate, copper methane sulfonate, methane sulfonic acid, and an ethylene oxide adduct of lauryl amine. -Copper alloy plating baths are disclosed respectively.
By the way, in the test on the plating film obtained from these plating baths, only the solder wettability at 2 A / dm 2 and 20 ° C. is described (see paragraphs 37 to 40 of the same publication).
[0005]
The above prior art is intended to improve the solderability of the plating film, and when plating is performed under conditions of various cathode current densities from high density to low density using this tin-copper alloy plating bath. Since the Sn / Cu composition ratio of the coating fluctuates, there is a problem in the practicality of the plating bath from the viewpoint of obtaining a tin-copper alloy coating having a stable composition ratio. For example, as described above, a low melting point tin-copper eutectic composition alloy can be obtained under the condition of a Cu composition ratio of 1.3 mol%. However, if the current density dependency on the film composition ratio is high, the composition is suitable for each application. Therefore, a tin-copper alloy plating film having a specific ratio cannot be stably obtained, and the practicality as a plating bath is lowered.
In addition, the tin-copper alloy film obtained from the above-described conventional plating bath is not necessarily sufficient in appearance and denseness, and has a problem in terms of commercial value.
An object of the present invention is to develop a tin-copper alloy plating bath that has a low current density dependency of the Sn / Cu composition ratio in a plating film and is excellent in the appearance and denseness of the film.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
First, the present applicant has disclosed in Japanese Patent Application No. 10-150660 a thiol such as 2,2′-dithiodianiline, 2,2′-dipyridyl disulfide, or 1,8-diamino-3,6-dithiaoctane. Silver and silver alloy plating baths containing crown ethers and the like are proposed. As one of specific examples, silver salts of organic sulfonic acid, stannous salts of organic sulfonic acid, organic sulfonic acid, dithiodi A tin-silver alloy plating bath containing aniline and a surfactant was presented.
[0007]
The present inventors have been focusing on the dithio dianiline, tin - with applying the dithio dianiline the copper alloy plating bath, in addition, ethylene oxide and the like C 1 -C 20 alkanols, phenols, naphthols, bisphenols When a specific nonionic surfactant that is an adduct of propylene oxide coexists, the Sn / Cu composition ratio of the plating film becomes extremely stable in a wide current density range from high current density to low current density. The present invention has been completed by finding out that the appearance and denseness of the plating film are improved.
[0008]
That is, the present invention 1 includes (A) a soluble stannous salt,
(B) a soluble copper salt,
(C) an organic acid selected from organic sulfonic acids and aliphatic carboxylic acids, or an inorganic acid selected from sulfuric acid, hydrochloric acid, and borohydrofluoric acid,
(D) dithiodianiline,
(E) C 1 ~C 20 alkanols, phenols, naphthols, bisphenols selected from bisphenol A and bisphenol B, C 1 -C 25 alkyl phenols, aryl phenols, C 1 -C 25 alkyl naphthol, Ra · Rb · (MO ) P = O represented by the general formula (wherein R a and R b are the same or different C 1 -C 25 alkyl, one of which may be H. M represents H or an alkali metal) Addition of ethylene oxide and / or propylene oxide selected from C 1 -C 25 alkoxylated phosphoric acid, sorbitan ester, polyalkylene glycol, C 1 -C 22 aliphatic amine, C 1 -C 22 aliphatic amide A tin-copper alloy plating bath comprising a nonionic surfactant which is a product.
[0009]
Invention 2 is a tin-copper alloy plating bath according to Invention 1, wherein the organic sulfonic acid (C) is at least one of alkane sulfonic acid, alkanol sulfonic acid, and aromatic sulfonic acid. .
[0010]
Invention 3 is the tin-copper alloy plating bath according to Invention 2, wherein the alkanesulfonic acid is methanesulfonic acid.
[0011]
Invention 4 is characterized in that, in any one of Inventions 1 to 3, the nonionic surfactant (E) is an ethylene oxide adduct of α-naphthol.
[0012]
The present invention 5 includes (A) a soluble stannous salt,
(B) a soluble copper salt,
(C) methanesulfonic acid,
(D) 2,2'-dithiodianiline
(E) A tin-copper alloy plating bath characterized by containing an ethylene oxide adduct of α-naphthol.
[0013]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The soluble stannous salt used in the tin-copper alloy plating bath of the present invention refers to any organic or inorganic tin salt that generates stannous ions in water, specifically, methanesulfonic acid, ethanesulfonic acid, In addition to stannous salts of organic sulfonic acids such as 2-propanolsulfonic acid and p-phenolsulfonic acid, stannous borofluoride, stannous sulfosuccinate, stannous sulfate, stannous oxide, stannous chloride Etc.
The soluble stannous salt can be used alone or in combination, and the content thereof relative to the plating bath is 0.01 to 5 mol / L, preferably 0.05 to 0.5 mol / L.
On the other hand, the soluble copper salt refers to any organic or inorganic copper salt that produces stable copper ions in water. Specifically, the organic sulfonic acid copper salt, copper sulfate, copper chloride, copper oxide, carbonate Examples thereof include copper, copper acetate, copper pyrophosphate, and copper oxalate.
The soluble copper salt can be used singly or in combination, and its content with respect to the plating bath is 0.0001 to 1 mol / L, preferably 0.0005 to 0.5 mol / L.
[0014]
Examples of the acid constituting the base of the tin-copper alloy plating bath of the present invention include organic acids such as organic sulfonic acid and aliphatic carboxylic acid, or sulfuric acid, hydrochloric acid, borofluoric acid, hydrofluoric acid, and sulfamic acid. Inorganic acids such as, but organic sulfonic acids are preferred in terms of the solubility of tin or copper, the ease of wastewater treatment, and the like.
The above acid can be used alone or in combination, and its content is 0.01 to 50 mol / L, preferably 0.1 to 10 mol / L.
[0015]
Examples of the organic sulfonic acid include alkane sulfonic acid, alkanol sulfonic acid, and aromatic sulfonic acid. The alkane sulfonic acid is represented by a chemical formula C n H 2n + 1 SO 3 H (for example, n = 1 to 11). Specifically, methanesulfonic acid, ethanesulfonic acid, 1-propanesulfonic acid, 2-propanesulfonic acid, 1-butanesulfonic acid, 2-butanesulfonic acid, pentanesulfonic acid, hexanesulfonic acid, Examples include decane sulfonic acid and dodecane sulfonic acid.
[0016]
As the alkanol sulfonic acid, the formula C m H 2m + 1 -CH ( OH) -C p H 2p -SO 3 H ( e.g., m = 0~6, p = 1~5 )
In particular, 2-hydroxyethane-1-sulfonic acid, 2-hydroxypropane-1-sulfonic acid (2-propanolsulfonic acid), 2-hydroxybutane-1-sulfonic acid, In addition to 2-hydroxypentane-1-sulfonic acid, etc., 1-hydroxypropane-2-sulfonic acid, 3-hydroxypropane-1-sulfonic acid, 4-hydroxybutane-1-sulfonic acid, 2-hydroxyhexane-1- Examples thereof include sulfonic acid, 2-hydroxydecane-1-sulfonic acid, and 2-hydroxydodecane-1-sulfonic acid.
[0017]
The aromatic sulfonic acid is basically benzene sulfonic acid, alkyl benzene sulfonic acid, phenol sulfonic acid, naphthalene sulfonic acid, alkyl naphthalene sulfonic acid, naphthol sulfonic acid, etc., specifically, 1-naphthalene sulfonic acid, 2 -Naphthalenesulfonic acid, toluenesulfonic acid, xylenesulfonic acid, p-phenolsulfonic acid, cresolsulfonic acid, sulfosalicylic acid, nitrobenzenesulfonic acid, sulfobenzoic acid, diphenylamine-4-sulfonic acid and the like.
Among the organic sulfonic acids, methanesulfonic acid, ethanesulfonic acid, 2-propanolsulfonic acid, phenolsulfonic acid, and the like are preferable.
[0018]
The dithiodianiline is used for suppressing the current density dependency of the Sn / Cu composition ratio in the plating film, or for improving the appearance of the plating film, and the position of the SS bond to the aniline ring is not limited, Specific examples include 2,2'-dithiodianiline, 4,4'-dithiodianiline, 2,4'-dithiodianiline, and the like. The content of the dithiodianiline in the plating bath is 0.001 to 1.0 mol / L, preferably 0.005 to 0.1 mol / L.
[0019]
The above nonionic surfactant is used to remarkably improve the current density dependency of the Sn / Cu composition ratio in the plating film due to a synergistic effect with the dithiodianiline, and to further densify the plating film. .
The nonionic surfactants are, C 1 -C 20 alkanols, phenol, naphthol, bisphenol, C 1 -C 25 alkyl phenols, aryl phenols, C 1 -C 25 alkyl naphthol, C 1 -C 25 alkoxylated phosphoric acid ( salts), sorbitan esters, styrenated phenols, polyalkylene glycols, C 1 -C 22 aliphatic amines, C 1 -C 22 2 to 300 moles of aliphatic amides such as ethylene oxide (EO) and / or propylene oxide (PO) Addition condensation. Accordingly, it may be an EO-only adduct such as a predetermined alkanol, phenol, or naphthol, an adduct of PO alone, or an adduct in which EO and PO coexist. Specifically, α-naphthol or β- Ethylene oxide adducts of naphthol (ie α-naphthol polyethoxylate etc.) are preferred.
[0020]
C 1 -C 20 alkanols for addition condensation of ethylene oxide (EO) and / or propylene oxide (PO) include octanol, decanol, lauryl alcohol, tetradecanol, hexadecanol, stearyl alcohol, eicosanol, cetyl alcohol, oleyl alcohol , Docosanol and the like.
Similarly, bisphenols include bisphenol A and bisphenol B.
C 1 -C 25 alkylphenols include mono, di, or trialkyl substituted phenols such as p-butylphenol, p-isooctylphenol, p-nonylphenol, p-hexylphenol, 2,4-dibutylphenol, 2,4, Examples include 6-tributylphenol, p-dodecylphenol, p-laurylphenol, and p-stearylphenol.
Examples of the arylalkylphenol include 2-phenylisopropylphenyl.
[0021]
Examples of the alkyl group of C 1 -C 25 alkyl naphthol include methyl, ethyl, propyl, butylhexyl, octyl, decyl, dodecyl, octadecyl, and the like, which may be at any position of the naphthalene nucleus.
C 1 -C 25 alkoxylated phosphoric acid (salt) is represented by the following general formula (a).
Ra · Rb · (MO) P = O (a)
(In formula (a), R a and R b are the same or different C 1 -C 25 alkyl, provided that one of them may be H. M represents H or an alkali metal.)
[0022]
Sorbitan esters include mono-, di- or triesterized 1,4-, 1,5- or 3,6-sorbitan, such as sorbitan monolaurate, sorbitan monopalmitate, sorbitan distearate, sorbitan dioleate, Examples include sorbitan mixed fatty acid esters.
C 1 -C 22 aliphatic amines include saturated and unsaturated fatty acid amines such as propylamine, butylamine, hexylamine, octylamine, decylamine, laurylamine, stearylamine, ethylenediamine, propylenediamine, and the like.
C 1 -C 22 aliphatic amides include amides such as propionic acid, butyric acid, caprylic acid, capric acid, lauric acid, myristic acid, palmitic acid, stearic acid, and behenic acid.
[0023]
In addition to the above components, the tin-copper alloy plating bath of the present invention may have various additives such as known antioxidants, brighteners, semi-brighteners, complexing agents, pH adjusters, and buffering agents depending on the purpose. Of course, these can be mixed.
The antioxidant is for preventing tin in the bath from being oxidized from divalent to tetravalent. Specific examples include ascorbic acid or a salt thereof, hydroquinone, catechol, resorcin, phloroglucin, cresolsulfonic acid or The salt, phenolsulfonic acid or its salt, naphtholsulfonic acid or its salt, etc. are mentioned.
[0024]
Examples of the brightener include various aldehydes such as m-chlorobenzaldehyde, p-nitrobenzaldehyde, p-hydroxybenzaldehyde, 1-naphthaldehyde, benzylidenealdehyde, salicylaldehyde, paraaldehyde, vanillin, triazine, imidazole, indole, quinoline, 2 -Vinyl pyridine, aniline and the like.
[0025]
Examples of the semi-brightening agent include thioureas, N- (3-hydroxybutylidene) -p-sulfanilic acid, N-butylidenesulfanilic acid, N-cinnamoylidenesulfanilic acid, 2,4-diamino-6- ( 2'-methylimidazolyl (1 ')) ethyl-1,3,5-triazine, 2,4-diamino-6- (2'-ethyl-4-methylimidazolyl (1')) ethyl-1,3,5 -Triazine, 2,4-diamino-6- (2'-undecylimidazolyl (1 ')) ethyl-1,3,5-triazine, phenyl salicylate, or benzothiazole, 2-methylbenzothiazole, 2- (Methyl mercapto) benzothiazole, 2-aminobenzothiazole, 2-amino-6-methoxybenzothiazole, 2-methyl-5-chlorobenzothiazole, 2-hydroxybenzothiazole, 2- Amino-6-methylbenzothiazole, 2-chlorobenzothiazole, 2,5-dimethylbenzothiazole, 2-mercaptobenzothiazole, 6-nitro-2-mercaptobenzothiazole, 5-hydroxy-2-methylbenzothiazole, 2- And benzothiazoles such as benzothiazole thioacetic acid.
[0026]
The complexing agent is mainly for stably accelerating the dissolution of copper in a bath. Specifically, gluconic acid, glucoheptonic acid, ethylenediamine, ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA), diethylenetriaminepentaacetic acid (DTPA) ), Nitrilotriacetic acid (NTA), iminodiacetic acid (IDA), iminodipropionic acid (IDP), hydroxyethylethylenediaminetriacetic acid (HEDTA), triethylenetetraminehexaacetic acid (TTHA), oxalic acid, citric acid, tartaric acid, Rochelle Examples thereof include salts, lactic acid, malic acid, malonic acid, acetic acid, or salts thereof, thiourea or derivatives thereof.
Examples of the pH adjuster include various acids such as hydrochloric acid and sulfuric acid, and various bases such as ammonium hydroxide and sodium hydroxide.
Examples of the buffer include boric acids, phosphoric acids, and ammonium chloride.
[0027]
The concentration of the various additives in the tin-copper alloy plating bath of the present invention can be arbitrarily adjusted and selected in accordance with barrel plating, rack plating, high-speed continuous plating, rackless plating, and the like.
[0028]
When electroplating is performed using the tin-copper alloy plating bath of the present invention, the bath temperature is 0 ° C. or higher, preferably about 10 to 50 ° C. The cathode current density is about 0.01 to 150 A / dm 2 , preferably about 0.1 to 30 A / dm 2. In particular, in the tin-copper alloy plating bath of the present invention, the organic sulfonic acid bath is specified as dithiodianiline. Since the nonionic surfactant is used in combination, the Sn / Cu composition ratio of the coating can be stabilized in a wide region from a low current density to a high current density. Moreover, the pH of the bath can be applied to a region from acidic to almost neutral, but a range of weakly acidic to strongly acidic is particularly preferable.
[0029]
【The invention's effect】
(1) Since dithiodianiline and a specific nonionic surfactant are used in combination in the tin-copper alloy plating bath, a tin-copper alloy film having a small current density dependency can be obtained. That is, when it does not contain both components of dithiodianiline and a specific nonionic surfactant, or contains only one of them (for example, when it contains only a nonionic surfactant, The plating bath of the present invention has a significant advantage in that the Sn / Cu composition ratio of the film can be stabilized in a wide region from a low current density to a high current density. ing.
In particular, as shown in the test examples to be described later, for example, when 2,2′-dithiodianiline and an ethylene oxide adduct of α-naphthol are used in combination in a methanesulfonic acid bath, the current density dependency is further reduced, A tin-copper alloy plating film having a composition ratio substantially corresponding to the Sn / Cu content ratio of the plating bath is obtained. Therefore, a tin-copper eutectic alloy having a Cu composition ratio of 1.3 mol% with a low melting point and high practicality can be easily obtained by preparing the bath.
[0030]
(2) As shown in the test examples described later, when dithiodianiline and a specific nonionic surfactant are used in combination with a tin-copper alloy plating bath, both components are contained or only one component is contained. As compared with the above, the appearance, denseness, smoothness and the like of the tin-copper alloy plating film can be remarkably improved, and the commercial value of the object to be plated can be increased.
The use of an organic sulfonic acid bath is advantageous in terms of the solubility of tin or copper or the ease of wastewater treatment.
[0031]
(3) The tin-copper alloy plating of the present invention is a solder plating not containing lead and has a low risk of polluting the human body and the environment. In addition, the bonding strength is high, and the cost can be reduced compared to tin-silver alloy plating, etc., and it has a bonding temperature equivalent to that of tin-lead alloy plating and can provide highly practical lead-free solder plating. .
Moreover, there is no fear of whisker generation like a tin film.
[0032]
【Example】
Hereinafter, examples of the tin-copper alloy plating bath will be sequentially described, and various test examples such as the current density dependency of the Sn / Cu composition ratio of the electrodeposited coating and the appearance of the tin-copper alloy plating coating will be described.
It should be noted that the present invention is not limited to the following examples and test examples, and can be arbitrarily modified within the scope of the technical idea of the present invention.
[0033]
In the tin-copper alloy plating baths of the following examples and comparative examples, Examples 1 to 8 are basically dithiodianiline, nonionic surfactant, concentration of soluble metal salt, or type of nonionic surfactant. Is a variety of changes.
Comparative Examples 1 to 3 are based on Example 1, Comparative Example 1 is a blank example lacking both dithiodianiline and nonionic surfactant, and Comparative Example 2 is a nonionic surfactant. This is a blank example. Comparative Example 3 is a blank example of dithiodianiline, and is based on the prior art described above (see Examples 3 to 4) in that a nonionic surfactant is contained in an organic sulfonic acid bath of a tin-copper alloy. It is assumed as a similar example.
[0034]
Example 1
A tin-copper alloy plating bath was constructed with the following composition.
Stannous methanesulfonate (as Sn 2+ ) 0.1974 mol / L
Copper sulfate (as Cu 2+ ) 0.0026 mol / L
Methanesulfonic acid 2mol / L
2,2'-dithiodianiline 0.01 mol / L
α-Naphthol polyethoxylate (EO10) 5g / L
[0035]
Example 2
A tin-copper alloy plating bath was constructed with the following composition.
Stannous methanesulfonate (as Sn 2+ ) 0.1974 mol / L
Copper sulfate (as Cu 2+ ) 0.0026 mol / L
Methanesulfonic acid 2mol / L
2,2'-dithiodianiline 0.005 mol / L
α-Naphthol polyethoxylate (EO6.7) 5g / L
[0036]
Example 3
A tin-copper alloy plating bath was constructed with the following composition.
Stannous methanesulfonate (as Sn 2+ ) 0.4 mol / L
Copper sulfate (as Cu 2+ ) 0.005 mol / L
Methanesulfonic acid 1mol / L
2,2'-dithiodianiline 0.02 mol / L
Tristyrenated phenol polyethoxylate (EO15) 3g / L
Catechol 1g / L
[0037]
Example 4
A tin-copper alloy plating bath was constructed with the following composition.
Stannous methanesulfonate (as Sn 2+ ) 0.2 mol / L
Copper methanesulfonate (as Cu 2+ ) 0.005 mol / L
Methanesulfonic acid 2mol / L
2,2'-dithiodianiline 0.02 mol / L
Polyoxyethylene nonylphenyl ether (EO15) 5g / L
Hydroquinone 1g / L
[0038]
Example 5
A tin-copper alloy plating bath was constructed with the following composition.
Stannous methanesulfonate (as Sn 2+ ) 0.1974 mol / L
Copper sulfate (as Cu 2+ ) 0.0026 mol / L
Methanesulfonic acid 2mol / L
2,2'-dithiodianiline 0.01 mol / L
Laurylamine polyethoxylate (EO10) 5g / L
Catechol 1g / L
[0039]
Example 6
A tin-copper alloy plating bath was constructed with the following composition.
Stannous sulfate (as Sn 2+ ) 0.1974 mol / L
Copper sulfate (as Cu 2+ ) 0.0026 mol / L
Methanesulfonic acid 2mol / L
2,2'-dithiodianiline 0.01 mol / L
Bisphenol A polyethoxylate (EO30) 5g / L
Hydroquinone 1g / L
[0040]
Example 7
A tin-copper alloy plating bath was constructed with the following composition.
Stannous ethanesulfonate (as Sn 2+ ) 0.1974 mol / L
Copper sulfate (as Cu 2+ ) 0.0026 mol / L
Ethanesulfonic acid 2mol / L
4,4'-dithiodianiline 0.01 mol / L
Tristyrenated phenol polyethoxylate (EO15)
-Polypropoxylate (PO3) 7g / L
Hydroquinone 1g / L
[0041]
Example 8
A tin-copper alloy plating bath was constructed with the following composition.
Stannous sulfate (as Sn 2+ ) 0.1974 mol / L
Copper sulfate (as Cu 2+ ) 0.0026 mol / L
Sulfuric acid 1mol / L
2,2'-dithiodianiline 0.01 mol / L
Laurylamine polyethoxylate (EO10)
-Polypropoxylate (PO3) 7g / L
Catechol 1g / L
[0042]
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A tin-copper alloy plating bath was constructed with the following composition.
Stannous methanesulfonate (as Sn 2+ ) 0.1974 mol / L
Copper sulfate (as Cu 2+ ) 0.0026 mol / L
Methanesulfonic acid 2mol / L
[0043]
<< Comparative Example 2 >>
A tin-copper alloy plating bath was constructed with the following composition.
Stannous methanesulfonate (as Sn 2+ ) 0.1974 mol / L
Copper sulfate (as Cu 2+ ) 0.0026 mol / L
Methanesulfonic acid 2mol / L
2,2'-dithiodianiline 0.01 mol / L
[0044]
<< Comparative Example 3 >>
A tin-copper alloy plating bath was constructed with the following composition.
Stannous methanesulfonate (as Sn 2+ ) 0.1974 mol / L
Copper sulfate (as Cu 2+ ) 0.0026 mol / L
Methanesulfonic acid 2mol / L
α-Naphthol polyethoxylate (EO10) 5g / L
[0045]
<Example of current density dependency test>
Therefore, using each of the tin-copper alloy plating baths of Examples 1 to 8 and Comparative Examples 1 to 3, electroplating was carried out on a nickel substrate under a bath temperature of 25 ° C. and a cathode current density of A or B below. With respect to the obtained tin-copper alloy plating film, a current density dependency test of the Sn / Cu composition ratio of the film was performed.
(1) Current density condition A: 20 minutes at 0.5 A / dm 2
(2) Current density condition B: 3 A / dm 2 for 3 minutes and 20 seconds The above test was conducted for the electrodeposition film obtained under each current density condition A or B, after dissolving each film, high-frequency plasma emission spectroscopy Quantification was performed by (ICP), and the film composition ratio was analyzed.
[0046]
The left column to the center column in FIG. 1 show the test results.
The Sn / Cu composition ratio of the electrodeposition films obtained from the plating baths of Examples 1 and 3 to 8 is between the low current density condition of 0.5 A / dm 2 and the high current density condition of 3 A / dm 2. Almost unchanged, the current density dependence of the Sn / Cu composition ratio of the electrodeposited film was found to be very small. Moreover, since a tin-copper alloy plating film having the same composition ratio as the content of the plating bath can be obtained, a tin-copper eutectic composition film having a copper composition ratio of 1.3 mol% by adjusting the bath composition, It has also become clear that a film similar to this can be formed in each example. In particular, in Example 4, it was confirmed that the copper composition ratio of the coating was increased to 2.5 mol% by increasing the copper composition ratio of the bath compared to the other examples.
On the other hand, in Comparative Example 1 lacking both components of dithiodianiline and nonionic surfactant, copper preferentially precipitates under a low current density. As a result, the Sn / Cu composition ratio of the electrodeposited film is low. It was confirmed that the dependence of the film composition ratio on the current density greatly increased with the difference between the current density condition and the high current density condition.
Also in Comparative Example 2 lacking the nonionic activator, the preferential precipitation of copper under a low current density could not be suppressed, and the current density dependency of the film composition ratio was large.
Comparative Example 3 is an example similar to the prior art described above in that it lacks dithiodianiline and contains a nonionic activator, but in this case as well, as in Comparative Example 2, the current density dependency was large. .
Therefore, a tin-copper alloy plating bath using a combination of dithiodianiline and a specific nonionic surfactant has a Sn / Cu composition ratio of the electrodeposited film as compared with a plating bath lacking both or one of them. The superiority in terms of current density dependency was remarkable, and it was found that the film composition ratio could be satisfactorily stabilized in a wide current density range from high current density to low current density.
In Example 2, since the content of dithiodianiline is lower than in other Examples, it is considered that the current density dependency of the film composition ratio is slightly increased, but the dependency is higher than that of Comparative Examples 1 to 3. The improvement was obvious.
[0047]
On the other hand, FIG. 2 shows the current densities obtained by extracting the plating baths of Example 1 and Comparative Examples 1 to 3 as representative examples and changing the plating baths in the range of 0.5 to 5 A / dm 2. It summarizes the relationship with the copper composition ratio of the electrodeposited film.
Also in FIG. 2, it was possible to confirm again the remarkable lowering effect on the current density dependency of the film composition ratio when the dithiodianiline and the nonionic surfactant were combined.
[0048]
<< Example of film appearance test >>
About the said electrodeposition film | membrane of each said tin- copper alloy obtained from the plating bath of the Example and the comparative example, the state of the film | membrane surface was observed visually and the film | membrane external appearance test was done.
The evaluation criteria are as follows.
○: Uniform white appearance.
X: Color unevenness was recognized and the color tone was grayish.
The right column of FIG. 1 shows the result.
Although the electrodeposition films of Examples 1 to 8 were all evaluated as “good”, the evaluations of Comparative Examples 1 to 3 were inferior.
[Brief description of the drawings]
BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is a chart showing results of a current density dependency test and a film appearance test on electrodeposited films obtained from the tin-copper alloy plating baths of Examples 1 to 8 and Comparative Examples 1 to 3, respectively.
FIG. 2 is a graph showing the relationship between the current density and the copper composition ratio of the electrodeposited film for the tin-copper alloy plating baths of Example 1 and Comparative Examples 1 to 3.

Claims (5)

(A)可溶性第一スズ塩、
(B)可溶性銅塩、
(C)有機スルホン酸、脂肪族カルボン酸より選ばれた有機酸、或は、硫酸、塩酸、ホウフッ化水素酸より選ばれた無機酸、
(D)ジチオジアニリン、
(E)C1〜C20アルカノール、フェノール、ナフトール、ビスフェノールA及びビスフェノールBより選ばれたビスフェノール類、C1〜C25アルキルフェノール、アリールアルキルフェノール、C1〜C25アルキルナフトール、Ra・Rb・(MO)P=Oの一般式(式中のRa及びRbは同一又は異なるC1〜C25アルキル、但し、一方がHであっても良い。MはH又はアルカリ金属を示す)で表されるC1〜C25アルコキシル化リン酸、ソルビタンエステル、ポリアルキレングリコール、C1〜C22脂肪族アミン、C1〜C22脂肪族アミドより選ばれたいずれかのエチレンオキシド及び/又はプロピレンオキシドの付加物であるノニオン系界面活性剤
を含有してなることを特徴とするスズ−銅合金メッキ浴。
(A) a soluble stannous salt,
(B) a soluble copper salt,
(C) an organic acid selected from organic sulfonic acids and aliphatic carboxylic acids, or an inorganic acid selected from sulfuric acid, hydrochloric acid, and borohydrofluoric acid,
(D) dithiodianiline,
(E) C 1 ~C 20 alkanols, phenols, naphthols, bisphenols selected from bisphenol A and bisphenol B, C 1 -C 25 alkyl phenols, aryl phenols, C 1 -C 25 alkyl naphthol, Ra · Rb · (MO ) P = O represented by the general formula (wherein R a and R b are the same or different C 1 -C 25 alkyl, one of which may be H. M represents H or an alkali metal) Addition of ethylene oxide and / or propylene oxide selected from C 1 -C 25 alkoxylated phosphoric acid, sorbitan ester, polyalkylene glycol, C 1 -C 22 aliphatic amine, C 1 -C 22 aliphatic amide A tin-copper alloy plating bath comprising a nonionic surfactant which is a product.
(C)の有機スルホン酸が、アルカンスルホン酸、アルカノールスルホン酸、芳香族スルホン酸の少なくとも一種であることを特徴とする請求項1に記載のスズ−銅合金メッキ浴。The tin-copper alloy plating bath according to claim 1, wherein the organic sulfonic acid (C) is at least one of alkane sulfonic acid, alkanol sulfonic acid, and aromatic sulfonic acid. アルカンスルホン酸がメタンスルホン酸であることを特徴とする請求項2に記載のスズ−銅合金メッキ浴。 3. The tin-copper alloy plating bath according to claim 2, wherein the alkane sulfonic acid is methane sulfonic acid. (E)のノニオン系界面活性剤がα−ナフトールのエチレンオキシド付加物であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のスズ−銅合金メッキ浴。The tin-copper alloy plating bath according to any one of claims 1 to 3, wherein the nonionic surfactant (E) is an ethylene oxide adduct of α-naphthol. (A)可溶性第一スズ塩、
(B)可溶性銅塩、
(C)メタンスルホン酸、
(D)2,2′−ジチオジアニリン
(E)α−ナフトールのエチレンオキシド付加物
を含有してなることを特徴とするスズ−銅合金メッキ浴。
(A) a soluble stannous salt,
(B) a soluble copper salt,
(C) methanesulfonic acid,
(D) 2,2'-dithiodianiline
(E) A tin-copper alloy plating bath comprising an ethylene oxide adduct of α-naphthol.
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