JP2001244544A - 光学的アセンブリ - Google Patents

光学的アセンブリ

Info

Publication number
JP2001244544A
JP2001244544A JP2001046286A JP2001046286A JP2001244544A JP 2001244544 A JP2001244544 A JP 2001244544A JP 2001046286 A JP2001046286 A JP 2001046286A JP 2001046286 A JP2001046286 A JP 2001046286A JP 2001244544 A JP2001244544 A JP 2001244544A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
substrate
photodetector
optical
channel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001046286A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3697165B2 (ja
Inventor
Stephen O'brien
オーブリエン ステファン
Mark M Meyers
エム． メイヤーズ マーク
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nokia of America Corp
Original Assignee
Lucent Technologies Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lucent Technologies Inc filed Critical Lucent Technologies Inc
Publication of JP2001244544A publication Critical patent/JP2001244544A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3697165B2 publication Critical patent/JP3697165B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G02B6/4215—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical elements being wavelength selective optical elements, e.g. variable wavelength optical modules or wavelength lockers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
    • G02B6/4236—Fixing or mounting methods of the aligned elements
    • G02B6/4244—Mounting of the optical elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4286—Optical modules with optical power monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • H01S5/02326—Arrangements for relative positioning of laser diodes and optical components, e.g. grooves in the mount to fix optical fibres or lenses
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
    • G02B6/4228—Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements
    • G02B6/423—Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements using guiding surfaces for the alignment
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4246—Bidirectionally operating package structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S2301/00—Functional characteristics
    • H01S2301/02—ASE (amplified spontaneous emission), noise; Reduction thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02253—Out-coupling of light using lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
    • H01S5/0687—Stabilising the frequency of the laser

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、基板に取り付けられた光デバイス
からの光の検出を改善するアセンブリの構造と、上記の
アセンブリを形成する方法と、上記のアセンブリを組み
込んだ送信機及び光ネットワークとに関する。 【解決手段】 １つの態様によれば、本発明は、基板
(２１) と、その基板の主要な表面上に取り付けられる
と共に背面 (２４) を有する光放射デバイス (２２)
と、基板内の光放射デバイスの背面の近傍に形成される
少なくとも１つのチャネル (２８) と、背面から放射さ
れる光に光学的に接続される少なくとも１つの光検出器
(１３) とを含む光アセンブリ (２０) である。チャネ
ルは、少なくとも１つの表面 (３２) を含み、表面 (３
２) は、背面からの光の一部分を受信し、そして、その
光を反射して光検出器に入射しないようにし、それによ
って、光検出器が背面からの直接光を一次的に受信する
ように適合される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術の分野】本発明は、光学的アセンブ
リ、具体的には、基板に取り付けられた光デバイスから
の光の検出を改善するアセンブリの構造と、上記のアセ
ンブリを形成する方法と、上記のアセンブリを組み込ん
だ送信機及び光ネットワークとに関する。
【０００２】
【従来の技術】光ネットワークは、主として膨大な情報
量を取り扱う容量に起因して遠隔通信の分野において増
大する関心事の対象となっている。かかるネットワーク
において鍵となる構成要素の１つは、１つのレーザーを
使用していくつかの波長成分の放射を可能とし、それに
よって、送信の際に多数のチャネルを提供することが可
能である波長調節可能なレーザーである。レーザーの形
態のうちの少なくとも１つにおいては、レーザーの背面
からの光を使用して、レーザー光を望ましい波長に固定
する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】現存する多くの種類の
光学的アセンブリにおいては、通常はシリコン製の基板
に、前面に近接するレンズと、背面に近接する光検出器
と共に、レーザーを取り付ける。 (例えば、Anigboに付
与された米国特許第5,881,193号を参照すると)１つのチ
ャネルを使用して、背面の光を監視する光検出器に背面
からの光を反射させている。背面からの光の強度を単純
に監視するのとは対照的に、光の放射波長を固定するの
に背面の光を使用するアセンブリにおいては、同種の基
板を使用する場合には、１つの問題が発生する。波長の
固定するのに使用される光検出器のアレイは、チャネル
に近接して配置され、背面からの直接光とチャネルから
の反射光との両方を受信する。二次的な"妨害光線"は、
波長監視信号を変化させ、レーザーの出力波長を固定す
る能力を低下させる。異なる種類の基板を使用すること
も可能であるが、製造の多くの場合において、他のデバ
イスに使用される同種の基板を使用しつづけるほうがよ
り経済的である。
【０００４】従って、検出される背面の光の品質を増加
させ、放射された光の波長を固定するのに使用可能であ
ると共に、他の目的にも使用可能であるアセンブリを提
供することが要求される。
【０００５】
【課題を解決するための手段】１つの態様によれば、本
発明は、基板と、その基板の主要な表面上に配置される
と共に面を有する光放射デバイスと、光放射デバイスの
背面に近接して基板内に形成される少なくとも１つのチ
ャネルと、上記の面から放射される光に光学的に接続さ
れる少なくとも１つの光検出器とを含む光アセンブリで
ある。チャネルは、上記の面の光の一部を受信して、そ
の光の一部が光検出器に入射しないように反射し、それ
によって、光検出器が、背面からの１次的な直接光を受
信するように適応されている少なくとも１つの表面を含
む。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明のこれらの及び他の特徴
は、以下の記載により詳細に説明される。図１は、本発
明の原理を組み込んである典型的な光ネットワークの一
部分を示している。光送信機１５は、光ファイバ１２を
介して受信機１３に送信される光信号を供給し、光信号
は、受信機１３において、電気信号に変換される。送信
機１５と受信機１３との間に、 (図示されてはいない
が) エルビウムをドープしたファイバ増幅器等の増幅器
と共にその他の構成要素を含むことも可能である。
【０００７】送信機１５は、半導体レーザー又はその他
の光デバイスを含む光信号源１１を備えている。レーザ
ーは、通常、前面から光信号を放射すると共に、背面か
らも光信号を放射する。背面の光は、デバイス１２に入
射し、デバイス１２において、ファブリーペロー・エタ
ロン (高分解能干渉計) 等を使用して波長依存性を有す
る光となり、結果として、フィルタの光出力は、背面の
光の波長の関数となる。フィルタの出力は、１つ以上の
光検出器１３に光学的に接続され、光検出器は、その光
を電気信号に変換する。変換された電気信号は、波長制
御回路１４に送られ、波長制御回路は、光検出器の信号
に応答して、電気信号を生成する。例えば、波長制御回
路からの出力を使用して、レーザーに対するバイアスを
制御することによって、又は熱電気冷却器を制御してバ
イアスか温度かの何れかを調節することによって、レー
ザー信号の波長を望ましい波長に固定することが可能で
ある。多くのシステムにおいては、背面の信号を２つの
ビームに分波し、その１つを基準信号として使用するの
が望ましい。波長制御回路は、アナログ回路及び／又は
ディジタル回路を含むことも可能である。
【０００８】図２は、本発明の実施例に従って光源１１
に組み込むことが可能である光アセンブリ２０を示して
おり、図３は、その光アセンブリの一部分の平面図を示
している。アセンブリは、好適にはシリコン又はその他
の結晶学的な材料である基板２１を備えている。光放射
デバイス２２は、好適には、基板の頂部の主要な表面に
取り付けられる。上記の例においては、光放射デバイス
は、電子吸収変調レーザー (ＥＭＬ) 又は分配帰還 (Ｄ
ＦＢ) レーザー等の半導体レーザーであるが、その他の
種類の光放射デバイスであってもよい。デバイスは、好
適には、共に光を放射する前面２３と背面２４とを備え
る。前面の光は、通常、ネットワークに接続される光信
号を含んでいるが、それに対して、背面の光は、光信号
の波長を望ましい波長に固定するために、放射される光
の波長を決定するのに使用される。電子吸収変調レーザ
ー内に、又は電子吸収変調レーザーから間隔を置いてレ
ーザーと一体化されている (図示されていない) 変調器
を頂部の表面に備えてもよい。
【０００９】球状のレンズ (ボールレンズ) ２５は、好
適には、レーザー２２にごく近接する基板表面をエッチ
ングして形成されたチャネル２６内に配置される。レン
ズ２５は、前面から放射される光を平行にするように機
能し、それによって、光ファイバ (図１の１２) に光を
接続することを可能とする。レンズ２５とファイバとの
間に (図示されていない) 光アイソレータを配置しても
よい。
【００１０】上記の例においては、レーザーの背面２４
にごく近接する基板の表面に２つのチャネル２８と２９
とを形成する。従来のアセンブリの設計においては、傾
斜する終端壁を有するＶ字形状のチャネルを形成し、そ
れによって、Ｖ字形状のチャネルの底部と終端壁とから
背面の光を反射させて、チャネルを超えて延在している
基板の頂部の表面に取り付けられている光検出器の主要
な表面に入射させるということがわかるであろう (前記
の部分で引用した米国特許広報5,881,193号参照) 。波
長を固定するためには、光検出器１３は、好適には、平
行光線生成用のレンズ２７を介してエタロン１２の異な
る部分から光を受信することが可能である光検出器のア
レイであることが望ましく、光検出器１３、レンズ２
７、エタロン１２は、全て、背面にごく近接してセラミ
ック製のキャリア４０に配置される。本発明の好適な設
計においては、チャネル２８と２９は、レーザー２２の
背面２４に本質的に平行である頂点部分３０と３１を有
する少なくとも２つのＶ字形状の溝を含んでいる。上記
の例においては、上記の構成により、レーザーの背面に
対して好適には６０°よりも大きくはなく、９０°とは
異なる角度θで、例えば、３５.３°で２つの表面３２
と３３が提供される。従って、チャネル２８の方向に伝
搬する背面からの光を矢印３４で示されているように反
射させて光検出器１３に入射しないようにし、それに対
して矢印３５で示されているように直接光を光検出器に
入射させるように、表面３２と３３の方向を定めること
が可能である。上記の実施例においては、第一のＶ字形
状の溝の表面３２は、基盤２１に向かって伝搬する光の
大部分を反射し、それに対して、第二のＶ字形状の溝の
表面３３は、第一のＶ字形状の溝を通過して伝搬する背
面からのわきにそれている光を反射する。従って、光検
出器は、レーザーからの直接光 (すなわち、反射されて
いない光) のみを一次的に受信し、レーザーは、直接光
の質を高めることとなる。好適には、光検出器は、少な
くとも９７パーセントを占める直接光を受信する。従っ
て、Ｖ字形状の溝が奏する効果の１つは、波長制御回路
(図１の１４) の視野からビームの望ましくない成分を
そらす、一体となっているビームを選別するものとして
機能するということである。
【００１１】典型的な例では、その頂面をエッチングし
た結果として、シリコン基板２１の主要な表面は、〈１
００〉結晶面に位置し、表面３２と３３は、〈１１１〉
結晶面に位置することとなるであろう。上記の結晶面
は、背面に関して概ね３５.３°の角度θをなす。背面
から放射された光は、通常、０乃至３５°の角度の範囲
に分布する。シリコンの臨界角 (概ね１６°) よりも大
きな角度でＶ字形状の溝のシリコンに入射する背面から
の光は、反射される。上記の角度よりも小さな角度で入
射する光は、部分的に透過し、部分的に反射されるが、
光検出器の視野からは取り除かれる。角度θの適切な範
囲は、１０乃至７５°の範囲であろう。
【００１２】一般的に、標準的な接合技術とエッチング
技術とを使用してアセンブリ２０を製造することが可能
である。例えば、フォトレジストマスクとウェットエッ
チングを使用してチャネル２７と２８を形成することが
可能である。
【００１３】説明されたように、本発明においては様々
な改変が可能である。例えば、図示されているように望
ましくない光を必ずしも上のほうに反射させる必要はな
いが、望ましくない光を反射させて光検出器に入射しな
いようにする範囲内で、反射表面３２と３３の配置を適
切に選択することにより、他の方向に反射させることが
可能である。用語"Ｖ字形状の溝"は、面取りされた形状
の溝も含む、すなわち、溝の底部が平坦である場合も含
むことに留意すべきである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に従った光アセンブリを備え
る光ネットワークの一部分の概略図である。
【図２】本発明の実施形態に従った光アセンブリの一部
分の断面図である。
【図３】図２に示されている光アセンブリの一部分の平
面図である
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マーク エム． メイヤーズ アメリカ合衆国 18901 ペンシルヴァニ ア，ドイレスタウン，セダークレスト コ ート 10

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 光アセンブリであって、 基板 (２１) と、 該基板の主要な表面上に取り付けられると共に面 (２
    ４) を備える光放射デバイス (２２) と、 該基板内の該光放射デバイスの該面の近傍に形成される
    少なくとも１つのチャネル (２８) と、 該面から放射される光に光学的に接続される少なくとも
    １つの光検出器 (１３) とを含み、該チャネルは、少な
    くとも１つの表面 (３２) を含み、該少なくとも１つの
    表面 (３２) は、該面の光の一部分を受信し、そして該
    光を反射して、該光検出器に入射しないようにし、それ
    によって、該光検出器が該面からの直接光を一次的に受
    信するように適合されている光アセンブリ。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の光アセンブリにおい
    て、該基板は、シリコンを含む光アセンブリ。
  3. 【請求項３】 請求項１に記載の光アセンブリにおい
    て、該光放射デバイスは、半導体レーザーを含む光アセ
    ンブリ。
  4. 【請求項４】 請求項１に記載の光アセンブリにおい
    て、該チャネルは、該基板内に形成される少なくとも１
    つのＶ字形状の溝を含む光アセンブリ。
  5. 【請求項５】 請求項４に記載の光アセンブリにおい
    て、該Ｖ字形状の溝は、該面に本質的に平行である頂点
    部分 (３０) を有する光アセンブリ。
  6. 【請求項６】 請求項５に記載の光アセンブリにおい
    て、該Ｖ字形状の溝は、傾斜している壁面 (３２) を有
    し、該傾斜している壁面 (３２) は、該面に面している
    と共に、該面に関して１０乃至７５°の範囲内の角度を
    なす光アセンブリ。
  7. 【請求項７】 請求項４に記載の光アセンブリにおい
    て、該基板は、シリコンであり、Ｖ字形状の溝は、〈１
    １１〉結晶面に位置する表面を有する光アセンブリ。
  8. 【請求項８】 請求項４に記載の光アセンブリにおい
    て、該チャネルは、少なくとも２つのＶ字形状の溝 (２
    ８，２９) を含む光アセンブリ。
  9. 【請求項９】 請求項１に記載の光アセンブリにおい
    て、該面は、該デバイスの背面である光アセンブリ。
  10. 【請求項１０】 光アセンブリであって、 シリコンを含む基板 (２１) と、 該基板の主要な表面上に取り付けられると共に背面 (２
    ４) を備える半導体レーザー (２４) と、 該基板内の該レーザーの背面の近傍に形成される少なく
    とも１つのＶ字形状の溝 (２８) とを含み、該溝は、該
    基板の〈１１１〉結晶面に形成される表面 (３２) を含
    み、該光アセンブリは、さらに、 該レーザーの背面からの光に光学的に接続された光検出
    器 (１３) のアレイと、 該Ｖ字形状の溝の少なくとも１つの表面とを含み、該少
    なくとも１つの表面は、該背面からの光の一部分を受信
    し、そして該光を反射して、該光検出器に入射しないよ
    うにし、それによって、該光検出器が、該背面からの直
    接光のみを受信するように適合されている光アセンブ
    リ。
  11. 【請求項１１】 光アセンブリ (２０) を含む光送信機
    (１５) であって、光フィルタ (１２) は、該アセンブ
    リに光学的に接続されており、少なくとも１つの光検出
    器 (１３) は、該フィルタに光学的に接続されており、
    制御回路 (１４) は、該光検出器に電気的に接続されて
    おり、該アセンブリは、 基板 (２１) と、 該基板の主要な表面上に取り付けられると共に面 (２
    ４) を有する光放射デバイス (２２) と、 該基板内の該光放射デバイスの該面の近傍に形成される
    少なくとも１つのチャネル (２８) とを含み、 該光検出器は、該面から放射される光に光学的に接続さ
    れ、該チャネルは、少なくとも１つの表面 (３２) を備
    え、該少なくとも１つの表面 (３２) は、該面からの光
    の一部分を受信し、そして該光を反射して該光検出器に
    入射しないようにし、それによって、該光検出器が該面
    からの直接光を一次的に受信するように適合されている
    光送信器。
  12. 【請求項１２】 送信器 (１５) を含む光ネットワーク
    であって、光ファイバ (１２) は、該送信器に光学的に
    接続され、受信器 (１３) は、該ファイバに光学的に接
    続され、該送信器は、光アセンブリを含み、該光アセン
    ブリは、 基板 (２１) と、 該基板の主要な表面上に取り付けられると共に面 (２
    ４) を有する光放射デバイス (２２) と、 該基板内の該光放射デバイスの該面の近傍に形成される
    少なくとも１つのチャネル (２８) とを含み、 少なくとも１つの光検出器 (１３) は、該面から放射さ
    れる光に光学的に接続され、該チャネルは、少なくとも
    １つの表面 (３２) を備え、該少なくとも１つの表面
    (３２) は、該面からの光の一部分を受信し、そして該
    光を反射して該光検出器に入射しないようにし、それに
    よって、該光検出器が背面からの直接光を一次的に受信
    するように適合されている光ネットワーク。
  13. 【請求項１３】 光アセンブリを形成する方法であっ
    て、 面 (２４) を有する光放射デバイス (２２) を基板 (２
    １) の主要な表面上に配置するステップと、 該面から放射される光を受信するように光検出器 (１
    ３) を配置するステップと、 該面にごく近接して基板内にチャネル (２８) を形成す
    るステップとを含み、該チャネルは、少なくとも１つの
    表面 (３２) を含み、該少なくとも１つ表面 (３２)
    は、該面からの光の一部分を受信し、そして、該光の一
    部分を反射して該光検出器に入射しないようにし、それ
    によって、該光検出器が該面からの直接光を一次的に受
    信するように適合されている方法。
  14. 【請求項１４】 請求項１３に記載の方法において、該
    チャネルは、該基板の主要な表面をエッチングして形成
    される方法。
  15. 【請求項１５】 請求項１４に記載の方法において、該
    チャネル内に少なくとも１つのＶ字形状の溝をエッチン
    グにより形成する方法。
  16. 【請求項１６】 請求項１５に記載の方法において、該
    基板は、シリコンであり、該Ｖ字形状の溝は、該基板の
    〈１１１〉結晶面内に壁面を有する方法。
JP2001046286A 2000-02-22 2001-02-22 光学的アセンブリ Expired - Fee Related JP3697165B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/510038 2000-02-22
US09/510,038 US6920168B1 (en) 2000-02-22 2000-02-22 Optical assembly

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001244544A true JP2001244544A (ja) 2001-09-07
JP3697165B2 JP3697165B2 (ja) 2005-09-21

Family

ID=24029106

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001046286A Expired - Fee Related JP3697165B2 (ja) 2000-02-22 2001-02-22 光学的アセンブリ

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6920168B1 (ja)
EP (1) EP1133032A1 (ja)
JP (1) JP3697165B2 (ja)
CN (1) CN1310348A (ja)
CA (1) CA2334304A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108183389B (zh) * 2018-01-30 2023-09-29 广东省半导体产业技术研究院 一种激光二极管与激光二极管封装方法
US11474301B2 (en) * 2021-01-07 2022-10-18 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Device for communication

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62143492A (ja) * 1985-12-18 1987-06-26 Hitachi Ltd 支持体およびこの支持体を組み込んだ光電子装置
JPS6474789A (en) * 1987-09-16 1989-03-20 Nec Corp Semiconductor laser device
JPH0465471U (ja) * 1990-10-18 1992-06-08
JPH10198999A (ja) * 1997-01-09 1998-07-31 Matsushita Electron Corp 半導体レーザ装置
JPH11261172A (ja) * 1998-12-17 1999-09-24 Matsushita Electron Corp 半導体レーザ装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3442188A1 (de) 1984-11-17 1986-05-28 ANT Nachrichtentechnik GmbH, 7150 Backnang Anordnung zum stabilisieren und regeln eines halbleiterlasers
JPS61272987A (ja) 1985-05-29 1986-12-03 Hitachi Ltd 半導体レ−ザ素子
FR2588701B1 (fr) 1985-10-14 1988-12-30 Bouadma Noureddine Procede de realisation d'une structure integree laser-photodetecteur
JPS6289378A (ja) 1985-10-16 1987-04-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 周波数安定化半導体レ−ザ装置
US4807238A (en) * 1986-03-12 1989-02-21 Ricoh Co., Ltd. A semiconductor laser device
CA2088701C (en) * 1992-02-05 1998-01-27 Yoshio Yoshida Optical information reproducing apparatus
JPH06349925A (ja) * 1993-06-07 1994-12-22 Mitsubishi Electric Corp エピタキシャル成長層の評価方法及びプロセス評価用テストパターン構造
US5694048A (en) * 1995-02-24 1997-12-02 The Whitaker Corporation Monitor-detector assembly on silicon wafer board
US5881193A (en) 1995-12-22 1999-03-09 Lucent Technologies Inc. Low profile optical subassembly
DE19616969A1 (de) 1996-04-27 1997-10-30 Bosch Gmbh Robert Optische Baugruppe zur Ankopplung eines Lichtwellenleiters und Verfahren zur Herstellung derselben
JPH09307134A (ja) * 1996-05-13 1997-11-28 Fujitsu Ltd 受光素子及びその光モジュール並びに光ユニット
KR100198460B1 (ko) * 1996-10-29 1999-06-15 이계철 브이홈에 정렬된 렌즈를 가진 광모듈 및 그 제작방법
US6185239B1 (en) * 1997-01-22 2001-02-06 Sony Corporation Semiconductor laser device
US6259713B1 (en) * 1997-12-15 2001-07-10 The University Of Utah Research Foundation Laser beam coupler, shaper and collimator device
JP3767156B2 (ja) * 1998-02-23 2006-04-19 住友電気工業株式会社 光送受信モジュ−ル
US6278721B1 (en) * 1999-03-03 2001-08-21 Lucent Technologies, Inc. Method for minimizing locking range variability of a laser module
US6219470B1 (en) * 1999-09-23 2001-04-17 Xiang Zheng Tu Wavelength division multiplexing transmitter and receiver module

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62143492A (ja) * 1985-12-18 1987-06-26 Hitachi Ltd 支持体およびこの支持体を組み込んだ光電子装置
JPS6474789A (en) * 1987-09-16 1989-03-20 Nec Corp Semiconductor laser device
JPH0465471U (ja) * 1990-10-18 1992-06-08
JPH10198999A (ja) * 1997-01-09 1998-07-31 Matsushita Electron Corp 半導体レーザ装置
JPH11261172A (ja) * 1998-12-17 1999-09-24 Matsushita Electron Corp 半導体レーザ装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN1310348A (zh) 2001-08-29
US6920168B1 (en) 2005-07-19
JP3697165B2 (ja) 2005-09-21
CA2334304A1 (en) 2001-08-22
EP1133032A1 (en) 2001-09-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20040190836A1 (en) Package with a light emitting device
EP0782224B1 (en) Low profile optical subassembly
US20030123508A1 (en) Integral vertical cavity surface emitting laser and power monitor
CA2315625A1 (en) An integrated optical transceiver
JP2000171671A (ja) 光通信用モジュールおよびその実装方法
US6792178B1 (en) Fiber optic header with integrated power monitor
JP4010463B2 (ja) 多重光路装置
US7974539B2 (en) Bi-directional optical module
US6876682B2 (en) Light generating module
US6452669B1 (en) Transmission detection for vertical cavity surface emitting laser power monitor and system
JP2001004877A (ja) 光導波路、光モジュールおよび光システム
JP3697165B2 (ja) 光学的アセンブリ
US20050025420A1 (en) Optical sub-assembly laser mount having integrated microlens
JPH08148756A (ja) 半導体レーザ装置
JPH08213700A (ja) モニター光センサ組み込み形の注入形レーザ組立体
US6226309B1 (en) Semiconductor laser and light source
JP2690354B2 (ja) 光半導体チップと光ファイバの光学的結合方法
US20040105609A1 (en) Optoelectronic signal transmission semi-conductor element and method for producing a semi-conductor element of said type
JPS6384184A (ja) 半導体レ−ザ装置
JP2004157558A (ja) 光半導体モジュール
JP2003229636A (ja) 半導体レーザ素子及び半導体レーザ装置
US6986611B1 (en) Integrated bi-directional optical transceiver
WO2023041170A1 (en) Semiconductor transmitter with integrated mpd
EP1324443A2 (en) Optical semiconductor module with wavelength monitoring
EP1024564A2 (en) Optical transmission system an optical transmitter

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20041029

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20041104

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20050204

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20050209

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050506

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20050608

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20050701

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees