JP2001237465A

JP2001237465A - 熱電素子とその製造方法

Info

Publication number: JP2001237465A
Application number: JP2000045300A
Authority: JP
Inventors: Tetsuhiro Nakamura; 中村　　哲浩
Original assignee: Citizen Watch Co Ltd
Current assignee: Citizen Watch Co Ltd
Priority date: 2000-02-23
Filing date: 2000-02-23
Publication date: 2001-08-31

Abstract

(57)【要約】【課題】従来の熱電素子の構造では、小型で高性能の
熱電素子を形成するためにｐ型とｎ型の熱電半導体の間
隔を狭め、密度を高める必要があり、熱電半導体端部に
導電膜をメッキ法で設ける際に、ｐ型とｎ型の熱電半導
体の間隔が狭いために、各熱電半導体端部に設けた導電
膜同士がショートしてしまうという問題点を有してい
た。【解決手段】本発明では、一方の端部が細いｐ型とｎ
型の熱電半導体がエポキシ樹脂を介して交互に配置し、
熱電半導体端部に導電膜を設けたそれぞれの熱電半導体
と、基板上に形成した銅や金などからなる配線とをハン
ダや導電接着剤などの接続材料により、電気的に連結し
ている構造となっており、隣接する熱電半導体端部の間
隔が広がるため、導電膜同士のショートを防止すること
ができ、熱電素子の生産性を向上させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は熱電素子の構造およ
びその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】以下、図面を用いて従来技術の一例を説
明する。図２６は従来例の熱電素子の構造を示す断面図
である。図２６に記載するように棒状のｐ型とｎ型の熱
電半導体１を交互に配置し、熱電半導体１端部に導電膜
３を設けたそれぞれの熱電半導体１と、基板６上に形成
した銅や金などからなる配線５とを、ハンダや導電接着
剤などの接続材料４により電気的に連結している。ｐ型
とｎ型の熱電半導体１の間には、絶縁樹脂としてエポキ
シ樹脂２を設けてあり、熱電半導体１間の絶縁を保って
いる。

【０００３】熱電半導体としては、一般的に用いられる
ビスマス−テルル系、アンチモン−テルル系、ビスマス
−テルル−アンチモン系、ビスマス−テルル−セレン系
の他に、鉛−ゲルマニウム系、シリコン−ゲルマニウム
系など材料が用いられる。

【０００４】基板６としてはシリコン、アルミナなどの
熱伝導の良い金属を用い、メッキ法、スパッタリング
法、真空蒸着法などにより形成された配線５をエッチン
グなどによりパターン化している。

【０００５】熱電半導体１と配線５を導通させる接続材
料４としてハンダを用いた場合、ハンダ中のスズ成分が
熱電半導体１内に拡散して性能を劣化させるのを防止す
る目的と、ハンダの濡れ性を確保する目的で配線５と接
続する熱電半導体１の面には導電膜３を形成する必要が
ある。また、導電接着剤を用いて熱電半導体１と配線５
を導通させる場合にも、熱電半導体１と導電接着剤の接
触抵抗が大きいため、導電接着剤との接触抵抗が低い導
電膜３を形成しておく必要がある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】前述した熱電素子には
以下に記載するような問題点がある。従来の熱電素子の
構造では、小型で高性能の熱電素子を形成するためにｐ
型とｎ型の熱電半導体の間隔を狭め、密度を高める必要
がある。熱電半導体における端部に導電膜をメッキ法で
設ける際に、ｐ型とｎ型の熱電半導体の間隔が狭いため
に、各熱電半導体の端部に設けた導電膜同士がショート
してしまうという問題点を有していた。

【０００７】本発明の目的は、上記課題を解決して、熱
電半導体端部に設ける導電膜同士のショートを防止し、
生産性に優れた熱電素子およびその製造方法を提供する
ことにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明における熱電素子の構造およびその製造方
法は、下記記載の構成と製造方法を採用する。

【０００９】本発明の熱電素子は複数の棒状の熱電半導
体が絶縁樹脂を介して配列し、それぞれの熱電半導体の
一方、あるいは両方の端部が細くなっていることを特徴
としている。

【００１０】または棒状の熱電半導体における一方の端
部のみが細くなっており、熱電半導体の細くなっている
端部と細くなっていない端部とが上下交互に、配列して
いることを特徴としている。

【００１１】本発明の熱電素子は棒状の熱電半導体にお
ける端部と、絶縁樹脂を介して隣接する棒状の熱電半導
体における端部との間が、狭い、広いと交互に配置して
いることを特徴としている。さらに、それぞれの熱電半
導体の一方、あるいは両方の端部が細くなっていてもよ
い。

【００１２】本発明の熱電素子は複数の棒状の熱電半導
体が絶縁樹脂を介して配列し、それぞれの熱電半導体に
おける長手方向の断面が台形状であることを特徴として
いる。さらに、台形の細くなっている端部と細くなって
いない端部とが上下交互に配列していてもよい。さらに
好ましくは、絶縁樹脂を介して隣接する棒状の熱電半導
体における端部との間が、狭い、広いと交互に配置して
いることを特徴としている。

【００１３】それぞれの熱電半導体は配線によって電気
的に連結されていることを特徴し、さらに熱電半導体が
ｐ型とｎ型の熱電半導体であることを特徴としている。

【００１４】本発明の熱電素子の製造方法は、棒状の熱
電半導体における一方または両方の端部を細くする工程
と、絶縁樹脂を介して配列している複数の熱電半導体を
用意する工程と、絶縁樹脂を介して配列する各熱電半導
体を電気的に連結する工程とを有している。

【００１５】または、棒状の熱電半導体における端部
と、絶縁樹脂を介して隣接する棒状の熱電半導体におけ
る端部との間が、狭い、広いと交互に配置するように、
絶縁樹脂を介して配列している複数の熱電半導体を用意
する工程と、絶縁樹脂を介して配列する各熱電半導体を
電気的に連結する工程とを有している。

【００１６】棒状の熱電半導体における一方または両方
の端部を細くする工程としては、熱電半導体のブロック
に第１の溝を設け、次に第１の溝よりも細くて深い第２
の溝を設けて、櫛歯部と台座部とを備える熱電半導体を
形成する工程を備えている。または、熱電半導体におけ
る長手方向の断面が台形状である櫛歯部と、台座部とを
備える熱電半導体を形成する工程を備えていてもよい。

【００１７】あるいは絶縁樹脂を介して配列している複
数の熱電半導体を用意する工程の後に行われ、絶縁樹脂
の端部と絶縁樹脂を介して隣り合う熱電半導体の両方を
またぐように、かつ形成される絶縁樹脂と形成されない
絶縁樹脂が交互に設置されるように溝を形成する工程
と、溝に絶縁樹脂を設置する工程とを備えていてもよ
い。

【００１８】絶縁樹脂を介して配列している複数の熱電
半導体を用意する工程としては、櫛歯部と台座部を有す
る二つの熱電半導体を組み合わせる工程と、各熱電半導
体の隙間に、絶縁樹脂を設置する工程と、台座部を除去
する工程とを備えている。

【００１９】絶縁樹脂を介して配列する各熱電半導体を
電気的に連結する工程は、熱電半導体の一方の端部表面
に無電解メッキを行うことができる導電膜を設置する工
程と、無電解メッキ液に浸漬し、熱電半導体の両方の端
部で導電膜を等方成長する工程とを有することを特徴と
している。特に棒状の熱電半導体における端部と、絶縁
樹脂を介して隣接する棒状の熱電半導体における端部と
の間が、狭い、広いと交互に配置された熱電素子には効
果的である。

【００２０】また、先に述べた熱電半導体における長手
方向の断面が台形状である櫛歯部と、台座部とを備える
熱電半導体を形成する工程を経て、絶縁樹脂を介して配
列する熱電半導体を形成する工程を行うことは、絶縁樹
脂を介して隣接する棒状の熱電半導体における端部との
間が、狭い、広いと交互に熱電半導体を配置する工程を
も、同時に行うことが出来る。

【００２１】

【発明の実施の形態】図１は本発明の熱電素子を示す断
面図である。図１に記載するように一方の端部が細くな
っているｐ型とｎ型の熱電半導体１を、絶縁樹脂である
エポキシ樹脂２を介して交互に配置し、熱電半導体１の
端部に導電膜３を設け、それぞれの熱電半導体１と、基
板６上に形成した銅や金などからなる配線５とを、ハン
ダや導電接着剤などの接続材料４により電気的に連結し
ている。

【００２２】さらに、棒状の熱電半導体１における一方
の端部のみが細くなっており、熱電半導体１の細くなっ
ている端部と細くなっていない端部とが上下交互に、配
列している。

【００２３】上記のような、ｐ型とｎ型の熱電半導体の
一方の端部が細い熱電素子は、ｐ型の熱電半導体とｎ型
の熱電半導体との間隔を広げることができる。それぞれ
の熱電半導体の端部に導電膜を形成する際に、導電膜同
士のショートを防止することができ、熱電素子の生産性
を向上させることができる。

【００２４】図９は本発明の他の熱電素子を示す断面図
である。図９に記載するように熱電半導体１における両
方の端部が細くなっている。そして絶縁樹脂であるエポ
キシ樹脂２を介して隣接する熱電半導体１における端部
との間が、狭い部分（ｄ１）、広い部分（ｄ２）と交互
に配置し、熱電半導体１端部に設けた導電膜３によって
熱電半導体１を電気的に連結させている構造となってい
る。

【００２５】図１９は本発明の実施例である熱電素子の
構造を示す断面図である。図１９に記載するように熱電
半導体１の長手方向の断面が台形状になっているため、
一方の端部が細くなっており、さらに、細くなっている
端部、つまり台形の上辺部と細くなっていない端部、つ
まり台形の下辺部とが上下交互に配列している。よっ
て、熱電半導体１の端部と、エポキシ樹脂２を介して隣
接する熱電半導体１との間が、広い部分（ｄ２）、狭い
部分（ｄ１）と交互に配置される。そして熱電半導体１
端部に設けた導電膜３によって熱電半導体１を電気的に
連結させている構造となっている。

【００２６】このような図９または図１９の熱電素子
は、ｐ型の熱電半導体とｎ型の熱電半導体を直列に電気
的な連結を行う箇所、つまり図中では導電膜３を形成す
る箇所は熱電半導体間の距離は短く、導電膜を形成しな
い熱電半導体間の距離は広い。よって、導電膜同士のシ
ョートを防止することができる。さらに、導電膜を形成
する際には、このような熱電素子を無電解メッキ液に浸
漬する事で、図９または図１９に記載するように導電膜
３が等方成長していき、距離の近い熱電半導体同士が電
気的に連結され、容易に電気的な連結を行うことが出来
る。

【００２７】

【実施例】（実施例１）次に図１で示した、本発明の熱
電素子の製造方法を説明する。図１から図８は、実施例
の熱電素子の製造工程を示す断面図である。

【００２８】図２に示すようにｐ型、ｎ型の熱電半導体
１のブロックに本来加工するより太い第１の溝を設けて
おき、図３に示すように、第１の溝よりも細くて深い第
２の溝を設け、櫛歯状の櫛歯部１０と台座部１１を備え
る熱電半導体１を形成する。図２では第１の溝を浅く緩
やかなカーブ状の溝に加工したが、Ｖ状の鋭角な溝で
も、箱型の四角い溝でもよく、溝の形状は如何なるもの
でもよい。

【００２９】次に、絶縁樹脂を介して複数の熱電半導体
をｐ型、ｎ型の熱電半導体１を櫛歯状に加工したもの
を、図４に示すように組み合わせ、ｐ型、ｎ型の熱電半
導体１の隙間に、絶縁樹脂としてエポキシ樹脂２を流し
込む。熱処理によりエポキシ樹脂２を硬化させ、各熱電
半導体１の間にエポキシ樹脂２を設置した。その後、不
要な部分である、台座部１１を研削により除去し、図５
に示すような、熱電半導体１の細くなっている端部と細
くなっていない端部とが、上下交互に配列している熱電
素子を得た。

【００３０】熱電半導体としては、一般的に用いられる
ビスマス−テルル系、アンチモン−テルル系、ビスマス
−テルル−アンチモン系、ビスマス−テルル−セレン系
などを用いることができるが、鉛−ゲルマニウム系、シ
リコン−ゲルマニウム系などの熱電半導体を用いても良
く、特に制限されるものではない。

【００３１】熱電半導体１の端部にはハンダの濡れ性向
上、導電接着剤の接続抵抗を低減するなどの目的で、金
属からなる導電膜３を形成しておく必要がある。例えば
金などが導電膜として適当であるが、金を直接熱電半導
体上に形成すると、熱電半導体中へ金が拡散してしま
い、熱電素子の特性が変わってしまうために、金属の拡
散防止効果の高いニッケルを形成しておくのが望まし
い。

【００３２】図６に示すように熱電素子の一方の面に金
属部材７を真空蒸着法、スパッタリング法などで形成す
る。このとき形成する金属部材７は、無電解メッキ膜が
析出可能な金属、つまり無電解メッキ液の析出反応が起
こる金属であればよい。例えば無電解ニッケルメッキを
行う場合であれば、パラジウム、白金、ニッケルなどの
金属部材２を形成する。

【００３３】次に、金属部材７を形成した熱電素子を無
電解メッキ液に浸漬する。その際、図７に示すように金
属部材７上で析出反応が起こると同時に、その裏側の熱
電半導体１面にも無電解メッキの析出反応が起こり、熱
電半導体１にのみ直接導電膜３を形成することができ
る。

【００３４】金属部材７と金属部材７上に形成された導
電膜３をエッチングにより除去し、もう一度無電解メッ
キ液に熱電素子を浸漬することで、図８に示すように熱
電素子の熱電半導体１が露出している部分にのみ選択的
に導電膜３を得ることができる。エッチングを行う場合
には、選択的に形成された導電膜３をレジストにより保
護することで確実に不要な部分のみを除去できる。エッ
チング以外に金属部材７や導電膜３を除去する方法とし
ては研削による方法で除去してもかまわない。

【００３５】無電解メッキで形成する導電膜３はスズや
銅などの熱電半導体１への拡散を防止する効果の高い、
ニッケルであることが望ましいが、特に制限されるもの
ではない。

【００３６】その後、図１に示すように熱電半導体１端
部に形成した導電膜３と基板６上に形成した配線５と
を、ハンダや導電接着剤などの接続材料４により接続
し、それぞれの熱電半導体１を電気的に連結させる。

【００３７】基板６としてはシリコン、アルミナなどの
熱伝導の良い金属を用い、メッキ法、スパッタリング
法、真空蒸着法などにより形成された配線５をエッチン
グなどによりパターン化している。

【００３８】上記記載の方法により熱電素子を形成する
ことで、ｐ型とｎ型の熱電半導体１の一方の端部が細い
熱電素子を得ることができ、絶縁樹脂を介して隣接する
熱電半導体端部との間隔を広げることができた。よっ
て、熱電半導体における端部に導電膜を形成する際に導
電膜同士のショートは起きなかった。

【００３９】（実施例２）次に本発明の他の熱電素子を
製造する方法について説明する。図９から図１８は熱電
素子の製造工程を示す断面図である。また、各製造工程
で用いた材料は実施例１と同様のものを使用した。

【００４０】最初に絶縁樹脂を介して配列している熱電
半導体を用意する。図１０に示すように、ｐ型、ｎ型の
熱電半導体１のブロックを櫛歯部１０と台座部１１を有
するように加工したものを、図１１に示すように組み合
わせ、ｐ型、ｎ型の熱電半導体１の隙間に、絶縁樹脂と
してエポキシ樹脂２を流し込み、熱処理によりエポキシ
樹脂２を硬化させ設置する。その後、不要な部分である
一方の台座部を研削により除去し、図１２に示すような
構造の熱電素子を得た。

【００４１】次に、図１３に記載するように、熱電半導
体１の端部とエポキシ樹脂２を介して隣接する、熱電半
導体１の端部との間、つまりエポキシ樹脂２が露出して
いる部分に溝を形成する。この溝はエポキシ樹脂２の端
部とエポキシ樹脂２を介して隣り合う二つの熱電半導体
１をまたぐように形成する。また、この溝が形成される
エポキシ樹脂２の端部と、形成されないエポキシ樹脂２
の端部とが、交互に位置する箇所に形成する。その後、
図１４に記載するように熱電半導体１間に溝を形成した
面にエポキシ樹脂２を塗布し、熱処理により硬化させて
設置し、図１５に記載するように研削により余分なエポ
キシ樹脂２層を除去する。

【００４２】櫛歯状に残っている熱電半導体１の表面に
電解メッキを行い、図１６に記載するように、櫛歯状の
熱電半導体１の細くなっている端部に無電解メッキが可
能な材質の導電膜３を設ける。導電膜３を形成した面と
は逆の不要な部分である台座を、図１７に記載するよう
に研削により除去する。その後電界メッキを施していな
い面に、先ほどの図１３から図１５のように溝を形成
し、その溝の部分にエポキシ樹脂を設置し、図１８に示
すような熱電素子を得る。

【００４３】この熱電素子は熱電半導体における両方の
端部が細くなっており、かつ熱電半導体の端部と絶縁樹
脂を介して隣接する、熱電半導体の端部との間が、狭い
（ｄ１）、広い（ｄ２）と交互に配列している構造とな
っている。

【００４４】その後、図１８に示した熱電素子を無電解
メッキ液に浸漬する事で、図９に記載するように、熱電
半導体の両方の端部で、導電膜３が等方成長していき、
距離の近い熱電半導体１同士が電気的に連結される。電
気的に連結する際に、実施例１で記載したような配線を
有する基板を用いなくても良いので、工程の簡略化が行
える。

【００４５】上記記載の方法により熱電素子を形成する
ことで、ｐ型とｎ型の隣接する熱電半導体の端部で間隔
が広い部分と狭い部分が交互に形成され、導電膜を形成
しても、ショートすることはなかった。さらに導電膜の
等方成長によって、各熱電半導体同士が電気的に連結さ
れるので、熱応力に強く、コンパクトで生産性に優れた
熱電素子を得ることができた。

【００４６】（実施例３）次に本発明の他の熱電素子の
製造方法を説明する。図１９から図２４は、実施例の熱
電素子の製造工程を示す断面図である。また、各製造工
程で用いた材料は実施例１と同様のものを使用した。

【００４７】ｐ型、ｎ型の熱電半導体１を図２０に示す
ようにダイシングソーの刃を傾けて切削し、長手方向の
断面が台形状である櫛歯部１０と台座部１１とを加工す
る。または図２５に示すような、熱電半導体の端部が細
くなっている櫛歯部１０を有する熱電半導体１も同様に
使用することができる。図２５に示した熱電半導体１は
実施例１で示したような、図２のｐ型、ｎ型の熱電半導
体１のブロックに本来加工するより太い第１の溝を設け
ておき、次に第１の溝よりも細くて深い第２の溝を設け
て加工する。第２の溝を設ける箇所を、図３で加工した
位置より少しずらすことによって、図２５のような櫛歯
部１０を加工することができる。

【００４８】このような図２０または図２５の形のｐ
型、ｎ型の熱電半導体とを図２１に示すように組み合わ
せ、１の隙間に、絶縁樹脂としてエポキシ樹脂２を流し
込み、熱処理によりエポキシ樹脂２を硬化させる。その
後、不要な部分である一方の台座１１を研削により除去
し、図２２に示すような構造の熱電素子を得た。ただ
し、図２２は図２０の形の熱電半導体１を使用した場合
の熱電素子の図である。

【００４９】櫛歯状に残っている熱電半導体１の表面に
電解メッキを行い、図２３に記載するように、櫛歯状の
熱電半導体１の細くなっている端部に無電解メッキが可
能な材質の導電膜３を設ける。導電膜３を形成した面と
は逆の、不要な部分である台座を図２４に記載するよう
に研削により除去する。このように、熱電半導体１端部
と、エポキシ樹脂を介して隣接する熱電半導体１との間
が広い部分、狭い部分と交互に配置されるように、台形
のｎ型の熱電半導体１がエポキシ樹脂２を介して交互に
配置された熱電素子を得た。

【００５０】その後、無電解メッキ液に浸漬する事で、
図１９に記載するように導電膜３が等方成長していき、
距離の近い熱電半導体１同士が電気的に連結される。

【００５１】上記記載の方法により熱電素子を形成する
ことで、ｐ型とｎ型の隣接する熱電半導体の端部で間隔
が広い部分と狭い部分が交互に形成され、導電膜を形成
しても、ショートすることはなかった。さらに導電膜の
等方成長によって、各熱電半導体同士が電気的に連結さ
れるので、熱応力に強く、コンパクトで生産性に優れた
熱電素子を得ることができた。

【００５２】実施例１から３に記載した各工程の間にア
ルカリ脱脂、超音波洗浄、流水洗浄などの洗浄工程を行
うことで導電膜と熱電半導体との密着力を向上させるこ
とができ、より効果的である。

【００５３】

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明で
は、一方の端部が細いｐ型とｎ型の熱電半導体がエポキ
シ樹脂を介して交互に配置し、熱電半導体端部に導電膜
を設けたそれぞれの熱電半導体と、基板上に形成した銅
や金などからなる配線とをハンダや導電接着剤などの接
続材料により電気的に連結している構造となっており、
隣接する熱電半導体端部の間隔が広がるため、導電膜同
士のショートを防止することができ、熱電素子の生産性
を向上させることができる。

【００５４】また本発明では、熱電半導体端部の隣接す
る熱電半導体との距離が広い部分、狭い部分と交互に配
置されるように、ｐ型とｎ型の熱電半導体がエポキシ樹
脂を介して交互に配置し、熱電半導体端部に設けた導電
膜３によって各熱電半導体を電気的に連結させている構
造となっており、熱応力に強く、コンパクトで生産性に
優れた熱電素子を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の熱電素子を示す断面図である。

【図２】本発明の熱電素子の製造方法を示す断面図であ
る。

【図３】本発明の熱電素子の製造方法を示す断面図であ
る。

【図４】本発明の熱電素子の製造方法を示す断面図であ
る。

【図５】本発明の熱電素子の製造方法を示す断面図であ
る。

【図６】本発明の熱電素子の製造方法を示す断面図であ
る。

【図７】本発明の熱電素子の製造方法を示す断面図であ
る。

【図８】本発明の熱電素子の製造方法を示す断面図であ
る。

【図９】本発明の熱電素子を示す断面図である。

【図１０】本発明の熱電素子の製造方法を示す断面図で
ある。

【図１１】本発明の熱電素子の製造方法を示す断面図で
ある。

【図１２】本発明の熱電素子の製造方法を示す断面図で
ある。

【図１３】本発明の熱電素子の製造方法を示す断面図で
ある。

【図１４】本発明の熱電素子の製造方法を示す断面図で
ある。

【図１５】本発明の熱電素子の製造方法を示す断面図で
ある。

【図１６】本発明の熱電素子の製造方法を示す断面図で
ある。

【図１７】本発明の熱電素子の製造方法を示す断面図で
ある。

【図１８】本発明の熱電素子の製造方法を示す断面図で
ある。

【図１９】本発明の熱電素子を示す断面図である。

【図２０】本発明の熱電素子の製造方法を示す断面図で
ある。

【図２１】本発明の熱電素子の製造方法を示す断面図で
ある。

【図２２】本発明の熱電素子の製造方法を示す断面図で
ある。

【図２３】本発明の熱電素子の製造方法を示す断面図で
ある。

【図２４】本発明の熱電素子の製造方法を示す断面図で
ある。

【図２５】本発明の熱電素子の製造方法を示す断面図で
ある。

【図２６】従来例における熱電素子の構造を示す断面図
である。

【符号の説明】

１熱電半導体２エポキシ樹脂３導電膜４接続材料５配線６基板７金属部材１０櫛歯部１１台座部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の棒状の熱電半導体が絶縁樹脂を介
して配列し、それぞれの熱電半導体の一方、あるいは両
方の端部が細くなっていることを特徴とする熱電素子。
【請求項２】複数の棒状の熱電半導体が絶縁樹脂を介
して配列し、それぞれの熱電半導体における長手方向の
断面が台形状であることを特徴とする熱電素子。
【請求項３】棒状の熱電半導体における一方の端部の
みが細くなっており、熱電半導体の細くなっている端部
と、細くなっていない端部とが上下交互に配列している
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の熱電
半導体素子。
【請求項４】棒状の熱電半導体における端部と、絶縁
樹脂を介して隣接する棒状の熱電半導体における端部と
の間が、狭い、広いと交互に配置していることを特徴と
する熱電素子。
【請求項５】棒状の熱電半導体における端部と、絶縁
樹脂を介して隣接する棒状の熱電半導体における端部と
の間が、狭い、広いと交互に配置していることを特徴と
する請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の熱電
素子。
【請求項６】それぞれの熱電半導体は電気的に連結さ
れていることを特徴とする請求項１から請求項５のいず
れか１項に記載の熱電素子。
【請求項７】複数の熱電半導体がｐ型とｎ型の熱電半
導体であることを特徴とする請求項１から請求項６のい
ずれか一項に記載の熱電素子。
【請求項８】棒状の熱電半導体における一方または両
方の端部を細くする工程と、絶縁樹脂を介して配列して
いる複数の熱電半導体を用意する工程と、絶縁樹脂を介
して配列する各熱電半導体を電気的に連結する工程とを
有する熱電素子の製造方法。
【請求項９】棒状の熱電半導体における端部と、絶縁
樹脂を介して隣接する棒状の熱電半導体における端部と
の間が、狭い、広いと交互に配置するように、絶縁樹脂
を介して配列している複数の熱電半導体を用意する工程
と、絶縁樹脂を介して配列する各熱電半導体を電気的に
連結する工程とを有する熱電素子の製造方法。
【請求項１０】請求項８に記載の棒状の熱電半導体に
おける一方または両方の端部を細くする工程は、熱電半
導体のブロックに第１の溝を設け、次に第１の溝よりも
細くて深い第２の溝を設けて、櫛歯部と台座部とを備え
る熱電半導体を形成する工程を有することを特徴とする
熱電素子の製造方法。
【請求項１１】請求項８に記載の棒状の熱電半導体に
おける一方または両方の端部を細くする工程は、熱電半
導体における長手方向の断面が台形状である櫛歯部と、
台座部とを備える熱電半導体を形成する工程を有するこ
とを特徴とする熱電素子の製造方法。
【請求項１２】請求項８に記載の絶縁樹脂を介して配
列している複数の熱電半導体を用意する工程は、櫛歯部
と台座部を有する二つの熱電半導体を組み合わせる工程
と、各熱電半導体の隙間に、絶縁樹脂を設置する工程
と、台座部を除去する工程とを有することを特徴とする
熱電素子の製造方法。
【請求項１３】請求項８に記載の棒状の熱電半導体に
おける一方または両方の端部を細くする工程は、絶縁樹
脂を介して配列している複数の熱電半導体を用意する工
程の後に行われ、絶縁樹脂の端部と絶縁樹脂を介して隣
り合う二つの熱電半導体をまたぐように溝を形成し、か
つこの溝が形成される絶縁樹脂の端部と形成されない絶
縁樹脂の端部とが、交互に位置する箇所に溝を形成する
工程と、溝に絶縁樹脂を設置する工程とを有することを
特徴とする熱電素子の製造方法。
【請求項１４】請求項８または請求項９に記載の、絶
縁樹脂を介して配列する各熱電半導体を電気的に連結す
る工程は、熱電半導体の一方の端部表面に導電膜を設置
する工程と、無電解メッキ液に浸漬し、熱電半導体の両
方の端部で導電膜を等方成長する工程とを有することを
特徴とする熱電素子の製造方法。
【請求項１５】請求項９に記載の棒状の熱電半導体に
おける端部と、絶縁樹脂を介して隣接する棒状の熱電半
導体における端部との間が、狭い、広いと交互に配置す
るように、絶縁樹脂を介して配列している複数の熱電半
導体を用意する工程は、絶縁樹脂を介して配列している
複数の熱電半導体を用意する工程と、絶縁樹脂の端部と
絶縁樹脂を介して隣り合う熱電半導体の両方をまたぐよ
うに、かつ形成される絶縁樹脂と形成されない絶縁樹脂
が交互に設置されるように溝を形成する工程と、溝に絶
縁樹脂を設置する工程とを有することを特徴とする熱電
素子の製造方法。
【請求項１６】請求項９に記載の棒状の熱電半導体に
おける端部と、絶縁樹脂を介して隣接する棒状の熱電半
導体における端部との間が、狭い、広いと交互に配置す
るように、絶縁樹脂を介して配列している複数の熱電半
導体を用意する工程は、熱電半導体における長手方向の
断面が台形状である櫛歯部と台座部とを備える熱電半導
体を形成する工程と、台形状である櫛歯部と台座部を有
する二つの熱電半導体を組み合わせる工程と、各熱電半
導体の隙間に、絶縁樹脂を設置する工程と、台座部を除
去する工程とを有することを特徴とする熱電素子の製造
方法。