JP2001237298A - アライメント計測用パラメータ調整方法、アライメント方法および露光装置 - Google Patents

アライメント計測用パラメータ調整方法、アライメント方法および露光装置

Info

Publication number
JP2001237298A
JP2001237298A JP2000044498A JP2000044498A JP2001237298A JP 2001237298 A JP2001237298 A JP 2001237298A JP 2000044498 A JP2000044498 A JP 2000044498A JP 2000044498 A JP2000044498 A JP 2000044498A JP 2001237298 A JP2001237298 A JP 2001237298A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
position measurement
measurement
evaluation value
parameter
parameters
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000044498A
Other languages
English (en)
Inventor
Kuniyasu Haginiwa
邦保 萩庭
Hiroshi Tanaka
浩 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2000044498A priority Critical patent/JP2001237298A/ja
Publication of JP2001237298A publication Critical patent/JP2001237298A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Image Analysis (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Image Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 計測に必要なパラメータの調整を短時間に終
了させ、半導体製造時のダウンタイムを減らす。 【解決手段】 アライメント計測用の位置計測パラメー
タにおける各パラメータの設定値を切り替えながら、そ
の評価値を繰り返し計測することで、位置計測パラメー
タを調整する時に、予め記憶されている位置計測パラメ
ータによって、過去に記憶した評価値と今回計測した評
価値とを比較し、比較した結果を考慮してアライメント
計測に用いる位置計測パラメータを決定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は位置を計測するパラ
メータの調整(チューニング)方法に関し、特には、半
導体製造用のステップアンドリピートタイプの露光装置
において、半導体ウエハ上のショット領域に関連する位
置もしくは位置エラーを計測するのに必要なパラメータ
を調整する方法、アライメント方法、および露光装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】従来の技術においては、装置使用者の過
去の経験から、適当と思われるパラメータを変更しては
基板の位置計測が出来るまで計測を繰り返し、位置計測
パラメータを決定していた。
【0003】また、位置計測パラメータをチューニング
するようなコマンドでは、各パラメータを固定の順番に
振って評価値を求め、全ての組合せの計測を終了するか
あらかじめ閾値を設けておき、閾値を越える値が求まっ
たところで計測を中断し、得られた評価値の中から一番
評価値の良い結果が得られた時のパラメータを選択する
ような方法をとっていた。
【0004】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、2
4時間連続稼働のような条件下では、経験の豊富な技術
者が常にいるとは限らないため、パラメータの決定に非
常に時間がかかり、また定めたパラメータが必ずしも最
適なものであるという保証もない。
【0005】またチューニングするコマンド処理におい
ても、チューニングに必要なパラメータ数が増加するに
したがい、最適値を求めるのに必要とする時間が増大す
る。
【0006】よって、最適な評価値を求めるために時間
を犠牲にするか、チューニングに要する時間が許容でき
ない場合には、一定時間内にチューニングを終了するた
めに、パラメータ数にある程度限定を加えたり、もしく
は最適パラメータを決定する評価値に下限(許容範囲)
を設け、下限値を越えるパラメータが現れたら、たとえ
最適値ではなくてもチューニングを終了するような方法
をとる必要があった。
【0007】本発明は、計測に必要とするパラメータが
複数あり、簡単には最適なパラメータの組み合わせが決
定できないような場合でも、過去に使用した最適なチュ
ーニング手順と、手順を取得した際の基板の情報や画像
信号の特徴量を記憶しておくことにより、次回からのチ
ューニングを短時間に終了させ、結果として、半導体製
造時のダウンタイムを減らす事ができる位置合わせパラ
メータのチューニング方法を提供することを目的とす
る。
【0008】
【課題を解決するための手段(及び作用)】上記目的を
達成するため、本発明の計測パラメータ調整方法および
露光装置は、基板の領域上にあるマークをアライメント
計測するために、その計測機器の各機能を制御する複数
のパラメータからなる計測パラメータを調整する時、計
測パラメータにおける各パラメータの設定値を切り替え
ながら、その計測パラメータの妥当性を見究めるための
評価値を繰り返し計測し、それとともに、基板の特徴を
示す基板情報を取得し、または基準の計測パラメータを
設定して計測を行なった際の計測信号の特徴量を取得し
て記憶し、基板情報毎あるいは特徴量毎に、計測した評
価値の高い方から順に評価値と計測パラメータ設定値を
予め定めた個数分複数組記憶し、取得した基板情報ある
いは特徴量と同種の基板情報あるいは特徴量が予め記憶
されている場合には、その同種の基板情報あるいは特徴
量と組で記憶されている計測パラメータおよび評価値を
読み出し、読み出した計測パラメータを用いて評価値を
繰り返し計測し、読み出した評価値と今回計測した評価
値とを比較し、比較した結果を考慮してアライメント計
測に用いる計測パラメータを決定することを特徴とす
る。
【0009】評価値の比較は、例えば、評価値の大小の
傾向が記憶していた評価値の傾向と同じ(例えば一様に
小さくなる)であれば、その時点で一番評価値の高かっ
た(例えば最初の)パラメータを選択すればよい。即
ち、計測パラメータの記憶される順番通りに(評価値の
高いほうのパラメータから順に)連続して計測した評価
値が、高いほうから次第に低くなる場合には、傾向が同
じであると判断し、最初の計測パラメータをアライメン
ト計測に用いる計測パラメータと決定し、評価値の繰り
返し計測を終了する。一方、もし評価値の変化の傾向が
異なっていれば、以前の結果は参考に出来ないと判断
し、通常最も効率が良いと思われる標準の計測順番に切
替えて計測を続行する。
【0010】ここで、評価値とは、例えば、アライメン
トマーク検出における信頼度または相関度を数値化した
ものである。
【0011】また、計測信号の特徴量とは、計測した波
形の特徴を意味し、例えば、基板上の計測対象のマーク
と類似するパターンの量、計測時の画像中のマークのシ
グナル/ノイズ(以下「S/N」と称する)の良否およ
び計測時のマーク画像の明るさ(ヒストグラムの形状)
等から選択される1種または2種以上の組み合わせが利
用できる。
【0012】さらに、計測信号の特徴量を抽出する場合
には、波形の特徴量に適した計測順番に切替えて計測を
行なっても良い。
【0013】一方、基板情報としては、基板の種類、パ
ターンまたはロット毎の管理情報等が挙げられる。
【0014】本発明のアライメント方法は例えば、基板
と原版との位置合わせを行うため、基板上のアライメン
トマークの位置を計測する時に、アライメント計測失敗
時またはアライメント計測に先立って自動的に上述の位
置計測パラメータ調整を行うことを特徴とする。
【0015】
【実施例】(実施例1)半導体露光装置のアライメント
計測時に使用するパラメータのチューニングに本発明の
方法を適用した一実施例を示す。
【0016】図1は、基板の種類やパターン情報やロッ
ト情報等の基板に関する情報を使用して、計測パラメー
タをチューニングする際のフローチャートである。
【0017】まず、チューニング時に使用する製品ウエ
ハのウエハ情報を読み出す(ステップS100)。
【0018】この時のウエハ情報は、例えばウエハやレ
ジストの種類のような具体的なものでも、製造工程や製
品に基づいた区別のための単なる記号であってもよく、
アライメントに使用するウエハやマークのもつ特性や傾
向がある程度区別できるものであれば構わない。また情
報は、ウエハから何らかの手段で直接読み出したもので
も、ウエハ情報を管理する別のコンピュータや情報機器
から取り出したものでも、オペレータが入力したもので
も構わない。
【0019】次に、今回のチューニングに先だって、読
み込んだ基板情報と、あらかじめ記憶してあった過去の
基板情報とを比較し(ステップS101)、あらかじめ
記憶してあった基板情報毎の計測パラメータと評価値の
対のなかに、製品ウエハから読み出した基板情報と一致
する基板情報を持った項目があれば、ステップS102
に進み、該当する基板情報とペアで記憶してあった複数
個の計測パラメータおよび評価値を読み出す。そして、
読み出した評価値の高い順から、計測パラメータを設定
しては計測と評価値の読み出し(ステップS103)を
あらかじめ定めた回数だけ繰り返す。
【0020】次に、計測した評価値の大小の傾向を読み
出したデータの傾向と比較する(ステップS104)。
すなわち、この時得られた評価値が、計測順に従って一
様に低下していけば、ステップS105に進む。ステッ
プS105では、全ての計測が終了していなくても読み
出した評価値のデータは過去のデータ採取時と同様に使
用できると考えて、その時点での最も高い評価値が得ら
れたパラメータを採用し、ステップS109に進む。
【0021】もし、ステップS104において、計測順
にしたがって評価値が一様に低下していないような場合
には、基板情報は同じでも過去の評価値と計測パラメー
タは参考にすることが出来ないと判断し、ステップS1
06に進む。そして、あらかじめ定めておいた計測順番
に従い、計測パラメータ変更順番を決定し(ステップS
106)、全てのパラメータの組合せで計測と評価値の
読み出しを繰り返し(ステップS107)、パラメータ
の全組み合わせで計測終了後、ステップS108で評価
値の一番高い時の計測パラメータを採用することを決定
し、ステップS109に進む。
【0022】ステップS109では、ステップS103
またはS107で得た評価値と計測パラメータを、今回
の基板情報と共に評価値の高い方から規定個数記憶して
おく。この記憶した内容は、次回以降のパラメータチュ
ーニング時の計測順決定の際の比較データとして使用さ
れることになる。
【0023】一方、ステップS101において、読み出
した基板情報が過去に記憶した基板情報となんら一致す
るものが見い出せない場合にもステップS106に進
み、以降同様にステップS106〜S109の処理を行
う。
【0024】(実施例2)本実施例では、調光パラメー
タ、マーク検出判定閾値パラメータおよびマーク特徴抽
出パラメータのチューニングを行う方法について説明す
る。ここで、各パラメータの内容は以下1〜3に示すと
おりである。
【0025】1:調光パラメータ 光源の明るさを設定するパラメータである。このパラメ
ータを振って、最も暗い状態から、明るい状態に変化さ
せて、評価値が最も高くなる光源の明るさを決定する。
【0026】2:マーク検出判定閾値パラメータ 検出判定の閾値を変化させることにより、検出率を高め
ることができる。例えば、類似するパターンが複数存在
する場合閾値を高くすると効果が有る。逆に、検出しに
くい場合、閾値を下げると検出できるようになる。閾値
は、パターンの評価値に対して設定する。
【0027】3:マーク特徴抽出パラメータ 2値化するための閾値や、マークの輪郭を抽出するため
の閾値など、様々なパラメータが有る。特徴抽出の手法
によって内容は異なってくる。
【0028】上の3種類のパラメータの組合わせによっ
て、最適な検出が可能となるパラメータを捜す場合、1
のパラメータが10通り、2のパラメータが5段階、3
のパラメータが5段階あったとする。
【0029】そうすると、10×5×5=250回の評
価を行わなければならない。本実施例では、3つのパラ
メータを説明したがチューニングするパラメータの種類
はこの3種類に限定されるわけではない。
【0030】図2は画像の特徴量を使用して、計測パラ
メータをチューニングする際のフローチャートである。
以下、図2のフローチャートを使いながら、使用するパ
ラメータを限定していく方法を述べる。
【0031】先ず初めに画像の特徴量を計測するのに使
用する計測パラメータに所定の初期値を設定し(ステッ
プS200)、特徴量を調べる(ステップS201)。
この特徴量として、パターンの量、S/Nの量、マーク
の明るさなどを予め調べる。それぞれについて説明す
る。
【0032】<パターンの量>パターンの量は、マーク
検出判定閾値パラメータと関係がある。パターンの量が
変化した際の計測例を図5を用いて説明する。図5で
は、Aがサーチしたいパターンであり、パターンAと類
似する4つのパターンB〜Eが存在する。パターンAと
パターンB〜Eに同じ評価を行うと、Aの評価値はB〜
Eの評価値より高くなる。もしも、判定閾値を低く設定
し、B〜Eの評価値より低く設定した場合、類似するパ
ターン全てを検出してしまう。そこで、閾値をAの評価
値より若干低めに、かつB〜Eの評価値より高めに設定
すればAとB〜Eの類似パターンは分離することができ
る。パターンの量を特徴とするならば、左記特徴を抽出
するための基準となるマーク検出判定閾値パラメータを
用いてパターンの量を調べる。パターンの量が分かる
と、パラメータチューニングする際のマーク検出判定閾
値パラメータの初期値を決定することができる。もし
も、パターンの量が1つであれば、その時設定した基準
のマーク検出判定閾値パラメータを初期値とし、複数あ
れば、もっと大きな値を初期値に設定することになる。
パターンの量と後述するような他の評価値との関係か
ら、マーク検出判定閾値パラメータを決定してもよい。
【0033】<S/Nの量>画面内のS/Nを評価する
と、第1にマーク特徴抽出パラメータを限定することが
できる。ノイズ成分が多いとマークの輪郭部が不明確に
なり、輪郭特徴を抽出するのであれば、閾値を低くしな
いと輪郭を抽出するのが難しくなる。ノイズが少なくコ
ントラストが高いと判断されると、左記閾値は大きくす
ることが可能である。また、ノイズが大きいと輪郭が不
明確となるため、マークの評価値が低くなることが有
る。そこで、第2の限定可能なパラメータとして、マー
ク検出判定閾値があげられる。S/Nの量を特徴とする
ために、画像中のノイズの量を定量化する。定量化方法
(S/Nが大きい際の計測例)を図6を用いて説明す
る。図6にノイズの多いウエハ画像の例を示す。この画
像から、ノイズの量を推定する場合、X方向、Y方向に
微分処理を施し、孤立点を抽出する。孤立点の数をカウ
ントしノイズ量とする。孤立点とするのは、パターンは
線分情報なので、線分はカウントしたくないためであ
り、線分をカウントすると、コントラストの高い画像で
もノイズが多いと評価されることがある。ノイズの定量
化はここで挙げた方法に限らない。マークの特徴(シグ
ナル)は線分で、孤立点はノイズであると定義すると、
S/Nを求めることも可能である。ノイズの量、または
S/Nが分かると、パラメータチューニングする際の、
マーク特徴抽出パラメータと、マーク判定閾値パラメー
タを決定することができる。例えばノイズが多いとマー
ク特徴抽出パラメータの閾値を下げ、マーク判定閾値を
下げる。予め、ノイズの量と上記パラメータの関係をテ
ーブルにして記憶しておけば、1対1で決定される。
【0034】<マークの明るさ>マークの明るさを特徴
とするために、基準となる調光パラメータを用いて画面
の明るさを求めればよい。調光パラメータは、照明条件
が設定されているパラメータである。基準の調光パラメ
ータを用いて、画面内の明るさを調べ、予め設定されて
いる明るさの範囲を超えている場合、その設定の明るさ
ではチューニングできない。よって、適正な明るさとな
る範囲に調光パラメータを限定し、チューニングすると
短時間でチューニングが完了する。以下に、マークの明
るさを求める方法を示す。画面(マーク)の明るさを評
価する方法としてヒストグラムが良く知られている。横
軸に明るさ、縦軸に各明るさの画素の頻度をとり、プロ
ットしたグラフである。例えば、図7のようなヒストグ
ラムを作成すると、最も明るい部分を示す領域MSが画
面の明るさに連動し、明るくなると右側、暗くなると左
側へ移動する。MSの位置を測定すると、画面の明るさ
を計測できる。
【0035】以上述べたように、ステップS201で画
像の特徴量を計測した後、画像の特徴量によって、評価
値を調べるべきパラメータの初期値と振る範囲が決定さ
れる(ステップS202)。次に、予め定められている
順番に従って、計測パラメータを切り換え、計測を行
い、評価値を得る(ステップS203)。パラメータの
全組み合わせについて計測が終了するまでステップS2
03を繰り返し、全ての計測が終了すると、ステップS
204で評価値の一番高いパラメータの組み合わせを採
用し、ステップS205に進む。ステップS205で
は、特徴量、パラメータの組合わせ、評価値を記憶す
る。この際、パラメータの組合わせは、評価値の高い順
番に規定個数記憶する。
【0036】(実施例3)実施例3では、実施例2の結
果を利用した高速のパラメータチューニング方法を示
す。図3のフローチャートを用いて本実施例を説明す
る。チューニングを開始すると、初めに基準のパラメー
タを用いて画像の特徴量を計測する(ステップS30
0)。特徴量に関しては、実施例2で説明したので省略
する。
【0037】求められた特徴量を、過去に記憶した特徴
量と比較し、一致する特徴量があるか調べる(ステップ
S301)。ステップS301で一致する特徴があれ
ば、ステップS302に進み、その特徴を記憶した時の
パラメータの組合わせと評価値を取り出し、そのデータ
に基づいてチューニングに使用する計測パラメータの組
み合わせと順番を決定する。次に、パラメータの組合わ
せと、記憶した時の順番にしたがって、パラメータを切
り換えながら画像の計測を行い、評価値を得る(ステッ
プS303)。
【0038】そして、規定回数計測が終了すると、ステ
ップS304に進み、評価値の大小の傾向と記憶されて
いた評価値の傾向とを比較する。ステップS304で比
較した傾向が一致していたら、チューニングのための計
測を終了し、評価値の一番高いパラメータの組を採用し
(ステップS305)、ステップS306に進む。
【0039】もし、ステップS304で、評価値の傾向
が一致していなかった場合、信頼性の高いチューニング
作業ができないので、実施例2で示した方法でパラメー
タのチューニングをおこなう。ただし、予め特徴量を求
めているので、ステップS202からS204までの処
理を実施し、その後ステップS306に進む。
【0040】最後に、ステップS306では、特徴量、
パラメータの組合わせ、評価値を記憶する。この際、パ
ラメータの組合わせは、評価値の高い順番に規定個数記
憶する。
【0041】一方、S301で、特徴量が一致していな
かった場合、経験したことの無い画像が来たと判断でき
るので、同様にステップS202からS204までの処
理を実施し、その後ステップS306に進む。
【0042】(出力例)図4に、上記実施例におけるチ
ューニング結果の出力表示例を示す。同図において、R
ateは検出率であり、同一パラメータで5箇所の計測
のうち何箇所検出できたかを示す。また、Correl
ationは相関度であり、5箇所の計測のうち、検出
できた相関度の平均値(%)を示す。これらRateお
よびCorrelationは評価値の出力である。
【0043】一方、以下の項目は計測に用いたパラメー
タである。各個説明すると、Threshould(閾
値)は、画像処理方法、スライスレベル、エッジ処理方
法等の検出処理方法であり、WaferConditi
on(ウエハ状態)は、検出するマーク、ウエハの表面
状態等に応じて入力する検出処理方法、MarkCon
dition(マーク状態)はマークのコントラストを
入力する検出処理方法であり、LightContro
lTol.min−maxは計測に使用する画像の明る
さの許容範囲を調節するための調光トレランス(最小−
最大)を示す。
【0044】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
計測に必要とするパラメータが複数あり、簡単には最適
なパラメータが決定できないような場合でも、過去に使
用した最適なチューニング手順と、その手順を取得した
際の基板の情報や信号の特徴量を記憶しておくことによ
り、次回からのチューニングを短時間に終了させ、結果
として、半導体製造時のダウンタイムを減らす事ができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】 第1の実施例におけるシーケンスを表すフロ
ーチャート。
【図2】 第2の実施例におけるシーケンスを表すフロ
ーチャート。
【図3】 第3の実施例におけるシーケンスを表すフロ
ーチャート。
【図4】 本発明の実施例における出力例を示す図。
【図5】 パターンの量が変化した際の計測例を説明す
るためのウエハ部分正面図。
【図6】 ノイズの多いウエハ画像の例を示す図。
【図7】 画面の明るさを評価するためのヒストグラム
の例を示す図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2F065 AA01 AA20 AA51 BB27 CC20 DD06 FF04 JJ03 QQ08 QQ23 QQ25 QQ41 QQ42 QQ43 2F069 AA01 AA61 BB15 DD15 FF00 GG04 GG07 NN08 NN13 NN25 NN26 5B057 AA04 BA02 CA12 CB12 DA03 DA07 DA08 DB02 5F031 CA02 JA04 JA27 JA38 JA50 JA51 MA27 5F046 EB01 EC05 ED01 FC04 FC10

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板の領域上にあるマークをアライメン
    ト計測する際に、その計測機器の各機能を制御する複数
    のパラメータからなる位置計測パラメータを調整する方
    法において、 前記位置計測パラメータにおける各パラメータの設定値
    を切り替えながら、その位置計測パラメータの妥当性を
    見究めるための評価値を繰り返し計測する工程と、 前記基板の特徴を示す基板情報を取得して記憶する工程
    と、 基板情報毎に、前記計測した評価値の高い方から順に評
    価値と位置計測パラメータ設定値を所定の複数組記憶す
    る工程とを有し、 前記取得した基板情報と同種の基板情報が予め記憶され
    ている場合に、その同種の基板情報と組で記憶されてい
    る位置計測パラメータおよび評価値を読み出し、読み出
    した位置計測パラメータを用いて前記評価値を繰り返し
    計測する工程を行い、読み出した評価値と今回計測した
    評価値とを比較し、比較した結果を考慮してアライメン
    ト計測に用いる位置計測パラメータを決定することを特
    徴とする位置計測パラメータ調整方法。
  2. 【請求項2】 前記基板情報は、基板の種類、パターン
    またはロット毎の管理情報であることを特徴とする請求
    項1記載の調整方法。
  3. 【請求項3】 基板の領域上にあるマークをアライメン
    ト計測する際に、その計測機器の各機能を制御する複数
    のパラメータからなる位置計測パラメータを調整する方
    法において、 前記位置計測パラメータにおける各パラメータの設定値
    を切り替えながら、その位置計測パラメータの妥当性を
    見究めるための評価値を繰り返し計測する工程と、 基準の位置計測パラメータを設定して計測を行なった際
    の計測信号の特徴量を記憶する工程と、 特徴量毎に、前記計測した評価値の高いほうから順に位
    置計測パラメータと評価値を所定の複数組記憶する工程
    とを有し、 前記計測信号の特徴量と同種の特徴量が予め記憶されて
    いる場合に、その同種の特徴量と組で記憶されている位
    置計測パラメータおよび評価値を読み出し、読み出した
    位置計測パラメータを用いて前記評価値を繰り返し計測
    する工程を行い、読み出した評価値と今回計測した評価
    値とを比較し、比較した結果を考慮してアライメント計
    測に用いる位置計測パラメータを決定することを特徴と
    する位置計測パラメータ調整方法。
  4. 【請求項4】 前記評価値を繰り返し計測する工程にお
    いて、パラメータ設定値の切り替え順を、前記計測信号
    の特徴量を考慮して決定することを特徴とする請求項4
    記載の位置計測パラメータ調整方法。
  5. 【請求項5】 前記計測信号の特徴量が、前記基板上の
    計測対象のマークと類似するパターンの量、計測時の画
    像中のノイズの量および計測時のマーク画像の明るさか
    ら選択される1種または2種以上の組み合わせであるこ
    とを特徴とする請求項3または4記載の調整方法。
  6. 【請求項6】 前記評価値の比較は、前記位置計測パラ
    メータの記憶される順番通りに連続して計測した評価値
    が、高いほうから次第に低くなる場合には、傾向が同じ
    であると判断し、最初の計測パラメータをアライメント
    計測に用いる位置計測パラメータと決定し、前記評価値
    を繰り返し計測する工程を終了することを特徴とする請
    求項1〜5記載の調整方法。
  7. 【請求項7】 前記評価値は、アライメントマーク検出
    における信頼度または相関度を数値化したものである請
    求項1〜6記載の調整方法。
  8. 【請求項8】 請求項1〜7に記載の位置計測パラメー
    タの調整を、アライメント計測失敗時に自動的に行なう
    基板のアライメント方法。
  9. 【請求項9】 請求項1〜7に記載の位置計測パラメー
    タの調整を、アライメント計測に先立って自動的に行な
    う基板のアライメント方法。
  10. 【請求項10】 基板の領域上にあるマークをアライメ
    ント計測する際に、その計測機器の各機能を制御する複
    数のパラメータからなる位置計測パラメータを調整する
    手段を有する露光装置において、 前記位置計測パラメータにおける各パラメータの設定値
    を切り替えながら、その位置計測パラメータの妥当性を
    見究めるための評価値を繰り返し計測する手段と、 前記基板の特徴を示す基板情報を取得して記憶する手段
    と、 基板情報毎に、前記計測した評価値の高い方から順に評
    価値と位置計測パラメータ設定値を複数組記憶する手段
    とを有し、 前記取得した基板情報と同種の基板情報が予め記憶され
    ている場合に、その同種の基板情報と組で記憶されてい
    る位置計測パラメータおよび評価値を読み出し、読み出
    した位置計測パラメータを用いて前記評価値を繰り返し
    計測し、読み出した評価値と今回計測した評価値とを比
    較し、比較した結果を考慮してアライメント計測に用い
    る位置計測パラメータを決定する手段を有することを特
    徴とする露光装置。
  11. 【請求項11】 基板の領域上にあるマークをアライメ
    ント計測する際に、その計測機器の各機能を制御する複
    数のパラメータからなる位置計測パラメータを調整する
    手段を有する露光装置において、 前記位置計測パラメータにおける各パラメータの設定値
    を切り替えながら、その位置計測パラメータの妥当性を
    見究めるための評価値を繰り返し計測する手段と、 基準の位置計測パラメータを設定して計測を行なった際
    の計測信号の特徴量を記憶する手段と、 特徴量毎に、前記計測した評価値の高いほうから順に位
    置計測パラメータと評価値を複数組記憶する手段とを有
    し、 前記計測信号の特徴量と同種の特徴量が予め記憶されて
    いる場合に、その同種の特徴量と組で記憶されている位
    置計測パラメータおよび評価値を読み出し、読み出した
    位置計測パラメータを用いて前記評価値を繰り返し計測
    し、読み出した評価値と今回計測した評価値とを比較
    し、比較した結果を考慮してアライメント計測に用いる
    位置計測パラメータを決定することを特徴とする露光装
    置。
JP2000044498A 2000-02-22 2000-02-22 アライメント計測用パラメータ調整方法、アライメント方法および露光装置 Pending JP2001237298A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000044498A JP2001237298A (ja) 2000-02-22 2000-02-22 アライメント計測用パラメータ調整方法、アライメント方法および露光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000044498A JP2001237298A (ja) 2000-02-22 2000-02-22 アライメント計測用パラメータ調整方法、アライメント方法および露光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001237298A true JP2001237298A (ja) 2001-08-31

Family

ID=18567239

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000044498A Pending JP2001237298A (ja) 2000-02-22 2000-02-22 アライメント計測用パラメータ調整方法、アライメント方法および露光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001237298A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1304596A3 (en) * 2001-10-17 2004-08-11 Canon Kabushiki Kaisha Control system and semiconductor exposure apparatus
JP2012047463A (ja) * 2010-08-24 2012-03-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 位置ずれ量検出方法および該位置ずれ量検出方法を用いた外観検査方法
JP2022068832A (ja) * 2020-10-22 2022-05-10 キヤノン株式会社 処理装置、計測装置、リソグラフィ装置、物品製造方法、モデル、処理方法、計測方法、生成方法、およびコンピュータ

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1304596A3 (en) * 2001-10-17 2004-08-11 Canon Kabushiki Kaisha Control system and semiconductor exposure apparatus
US7075618B2 (en) 2001-10-17 2006-07-11 Canon Kabushiki Kaisha Apparatus control system, apparatus control method, semiconductor exposure apparatus, semiconductor exposure apparatus control method and semiconductor device manufacturing method
CN100419576C (zh) * 2001-10-17 2008-09-17 佳能株式会社 曝光设备及曝光方法
JP2012047463A (ja) * 2010-08-24 2012-03-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 位置ずれ量検出方法および該位置ずれ量検出方法を用いた外観検査方法
JP2022068832A (ja) * 2020-10-22 2022-05-10 キヤノン株式会社 処理装置、計測装置、リソグラフィ装置、物品製造方法、モデル、処理方法、計測方法、生成方法、およびコンピュータ

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4520046B2 (ja) 基準ダイの選択装置及び方法
Shortis et al. Comparison of some techniques for the subpixel location of discrete target images
CN109558620B (zh) 产生检查方案的方法和其系统
CN100582753C (zh) 探测缺陷的方法
KR100598381B1 (ko) 인-라인 타입의 자동 웨이퍼결함 분류장치 및 그 제어방법
JP2001168160A (ja) 半導体ウェハの検査システム
EP0841559A2 (en) Solder testing apparatus
WO2017020829A1 (zh) 解像力测试方法和解像力测试装置
CN106355739B (zh) 一种检测纸币新旧的方法及装置
JPH11251224A (ja) パターン寸法測定方法
JP3329805B2 (ja) 自動外観検査装置及び外観検査方法
JP2004177139A (ja) 検査条件データ作成支援プログラム及び検査装置及び検査条件データ作成方法
CN114332012B (zh) 缺陷检测方法、装置、设备及计算机可读存储介质
US6303394B1 (en) Global cluster pre-classification methodology
JP2001237298A (ja) アライメント計測用パラメータ調整方法、アライメント方法および露光装置
US7024031B1 (en) System and method for inspection using off-angle lighting
CN111007086A (zh) 缺陷检测方法和装置、存储介质
JP2981434B2 (ja) パターン欠陥検出方法とその装置
JP2004144610A (ja) ウェハ欠陥検査装置
CN111458628A (zh) 模板文件的更新方法、装置、设备及计算机可读存储介质
JP3104804B2 (ja) 荷電ビームを用いたパタン寸法測定方法
CN115546215B (zh) 用于晶体管线宽的测量结果的评估方法、设备和介质
KR100694590B1 (ko) 결함 검출 방법
KR102542367B1 (ko) 초점 변화 기반 3차원 측정기에서 최적의 스캔 범위 자동 설정 방법
US6656374B2 (en) Post etch inspection system