JP2001237167A - Exposure method and device manufacturing method - Google Patents

Exposure method and device manufacturing method

Info

Publication number
JP2001237167A
JP2001237167A JP2000046559A JP2000046559A JP2001237167A JP 2001237167 A JP2001237167 A JP 2001237167A JP 2000046559 A JP2000046559 A JP 2000046559A JP 2000046559 A JP2000046559 A JP 2000046559A JP 2001237167 A JP2001237167 A JP 2001237167A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
exposure
substrate
pattern
wafer
path
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2000046559A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kiyoaki Kumazaki
清明 熊崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP2000046559A priority Critical patent/JP2001237167A/en
Publication of JP2001237167A publication Critical patent/JP2001237167A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an exposure method through which a light exposure operation can be quickly repeated as many times as required before a trouble such as a characteristic change of resist takes place when a substrate is subjected to a multi-exposure process. SOLUTION: Four units, an alignment state 21A, a wafer feed arm 21c, an exposure stage 11, and a wafer recovery arm 21d, out of various equipments comprising an exposure system are connected together into a transfer route in which a wafer can be circulated. One lot of wafers is defined as wafers one smaller in number than the units which constitute the transfer route. The wafers of one lot are successively supplied to the transfer route by a transfer robot connected to a coater/developer device (not shown in Figure) as shown in Figure 8 (a) to 8 (f), and the wafers are circulated in the transfer route, by which a light exposure operation is carried out as many times as required in a multi-exposure process.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、露光装置を用いて
半導体素子等を製造するための露光方法及びデバイス製
造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure method and a device manufacturing method for manufacturing a semiconductor device or the like using an exposure apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体素子又は液晶表示装置等を製造す
る際には、所望の回路パターン(デバイスパターン)を
形成したマスクの像を、投影光学系等を通して基板面
(半導体ウエハ面又は液晶ガラス基板面)上に転写する
フォトリソグラフィ工程が一般的なものとなっている。
このとき、上記基板面には適当な感光材(レジスト)が
塗布されており、光が届いた部分だけが感光することに
よって、回路パターンを基板面に一挙に得ることにな
る。
2. Description of the Related Art When manufacturing a semiconductor element or a liquid crystal display device, an image of a mask on which a desired circuit pattern (device pattern) is formed is transferred to a substrate surface (semiconductor wafer surface or liquid crystal glass substrate) through a projection optical system or the like. The photolithography process of transferring onto the (surface) is common.
At this time, an appropriate photosensitive material (resist) is applied to the substrate surface, and only a portion to which light has reached is exposed, so that a circuit pattern can be obtained on the substrate surface at once.

【0003】ところで、近年、半導体素子等の回路パタ
ーンは、より微細なものへとの要求が増しつつある。こ
れはつまり、より集積度を増した電子回路の構成に対す
る市場の需要が高まりつつあるためである。また、この
ような事情を背景として、回路パターンを、基板面に多
重露光するような方法が考案されている。これは、一つ
の基板(同一レジスト)上の各ショット領域に複数の回
路パターンをそれぞれ転写し、電子回路を微細化して一
つのチップにおける集積度をより高めようとする試みで
ある。このことによって、より小さな面積で高性能な電
子回路を提供することが可能となる。
In recent years, there has been an increasing demand for finer circuit patterns for semiconductor elements and the like. This is due to the growing market demand for more integrated electronic circuit configurations. Against this background, a method of multiple exposure of a circuit pattern on a substrate surface has been devised. This is an attempt to transfer a plurality of circuit patterns to each shot area on one substrate (the same resist), miniaturize an electronic circuit, and further increase the degree of integration in one chip. This makes it possible to provide a high-performance electronic circuit with a smaller area.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記多重露光
を実現するためには、いくつかの困難がある。まず、基
板面上の同一領域に転写すべき複数の回路パターンの位
置決めを極めて正確に行わなければならない。基板面上
での複数の回路パターンの重ね合わせ(アライメント)
精度が悪い状況では、階層されていく回路間の関係に歪
が生じるなどの不具合が発生し、結果、完成品の動作不
良を招くこと等が考えられるためである。
However, there are some difficulties in realizing the above multiple exposure. First, a plurality of circuit patterns to be transferred to the same region on the substrate surface must be positioned very accurately. Overlay (alignment) of multiple circuit patterns on the board surface
This is because in a situation where the accuracy is low, a problem such as distortion occurring in the relationship between the hierarchical circuits may occur, and as a result, an operation failure of a completed product may be caused.

【0005】また、基板面上に塗布されるレジストの問
題もある。露光装置に用いられる光源には様々なものが
現在提供されているが、通常、その光源毎に最も適した
レジストが存在する。例えば代表的な光源であるKrF
エキシマレーザ(波長248nm)は現在広く利用され
ているが、この光源に関してももちろん最も感光性能等
が優れたレジストが開発され、利用されている。
There is also a problem of a resist applied on a substrate surface. Various types of light sources are currently provided for use in the exposure apparatus, and usually, there is a resist most suitable for each light source. For example, a typical light source, KrF
Excimer lasers (wavelength 248 nm) are widely used at present, and resists having the best photosensitive performance are developed and used for this light source.

【0006】しかし、KrFエキシマレーザ対応のレジ
ストの中には、経時変化が著しいものがあることが知ら
れている。このことは、基板面への多重露光を実施する
際には一つの障害要因となる。すなわち、この場合、1
回目の露光を行った後に、次に実施する2回目の露光を
できる限り速やかに行わなければならない。さもなけれ
ば、レジストが劣化して正確な回路パターンの転写が保
障されなくなるためである。
[0006] However, it is known that some resists corresponding to the KrF excimer laser change remarkably with time. This is one obstacle when performing multiple exposure on the substrate surface. That is, in this case, 1
After performing the second exposure, the second exposure to be performed next must be performed as quickly as possible. Otherwise, the resist deteriorates and accurate transfer of the circuit pattern cannot be guaranteed.

【0007】ところが、露光装置における基板面への転
写作業は、通常、基板25〜50枚程度のロット単位で
実施されるようになっている。これは、スループット向
上の観点から当然推奨されるべき措置ではあるが、この
ような方法(シーケンス)で多重露光を実施しようとす
る場合、ロットの最初の基板に対して1回目の露光を実
施してから、2回目の露光を実施するまでには、上記ロ
ットを構成する基板枚数分の1回目の処理が完了するま
で待機する必要がある。したがって、この間にレジスト
が劣化する可能性が大きく、好ましい方法とは言えるも
のではなくなる。
However, the transfer operation to the substrate surface in the exposure apparatus is usually performed in units of lots of about 25 to 50 substrates. This is a measure that should be recommended from the viewpoint of improving the throughput. However, when performing multiple exposure by such a method (sequence), the first exposure is performed on the first substrate of the lot. After that, it is necessary to wait until the first processing for the number of substrates constituting the lot is completed before the second exposure is performed. Therefore, there is a great possibility that the resist will deteriorate during this time, and it cannot be said to be a preferable method.

【0008】上記のような事態を回避する対策として
は、例えば、露光ステージ近辺に、基板を一時格納する
バッファを別途設置する等が考えられる。しかし、この
場合、露光装置のハードウエアに関する少なからぬ変更
が必要であるとともに、当然コストも割高となってしま
い、最善の方法と言えるものではない。なお、基板上で
部分的に重なる複数の領域にそれぞれ回路パターンを転
写する、いわゆるスティッチング露光でも上記多重露光
と同様の問題が生じ得る。
As a countermeasure to avoid the above situation, for example, a buffer for temporarily storing a substrate may be separately provided near the exposure stage. However, in this case, a considerable change in the hardware of the exposure apparatus is necessary, and the cost is naturally high, which is not the best method. Note that so-called stitching exposure, in which a circuit pattern is transferred to a plurality of regions that partially overlap each other on a substrate, may cause the same problem as in the multiple exposure.

【0009】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、基板の多重露光等をする
場合、レジストの性質が変化する等の不具合が発生する
前に速やかに複数回の露光を完了し得るような露光方
法、及びこのような露光方法を用いたデバイス製造方法
を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances. It is an object of the present invention to perform multiple exposures of a substrate immediately before a problem such as a change in properties of a resist occurs when performing multiple exposure of a substrate. It is an object of the present invention to provide an exposure method capable of completing the above exposure and a device manufacturing method using such an exposure method.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するために以下の手段をとった。すなわち、請求項
1記載の露光方法は、三以上からなるユニットを結ぶ搬
送経路を循環する基板があって、前記三以上のユニット
のうちの一つにおいてマスクのパターンを前記基板上に
転写する露光方法において、前記三以上のユニットのう
ちの所定のユニットに達した基板について所定の処理が
終了していると判断される場合には、前記搬送経路外に
前記基板を取り出すことを特徴とするものである。
The present invention employs the following means in order to solve the above-mentioned problems. That is, in the exposure method according to claim 1, there is a substrate that circulates in a transport path connecting three or more units, and in one of the three or more units, the exposure method transfers a mask pattern onto the substrate. In the method, when it is determined that predetermined processing has been completed for a substrate that has reached a predetermined unit of the three or more units, the substrate is taken out of the transport path. It is.

【0011】これによれば、基板は三以上からなるユニ
ットを結ぶ循環する搬送経路上にある。つまり、マスタ
パターンの転写は、搬送経路を循環することによって、
一基板に対し複数回行う等の作業を、基板を無用に移動
することなく実施することが可能となる。また、基板
が、前記三以上のユニットのうちの所定のユニットに達
し、かつ所定の処理が終了していると判断される場合に
は、当該基板は前記搬送経路外に取り出されることか
ら、その搬送経路には新たな基板を導入する余地が生ま
れることがわかる。
According to this, the substrate is on a circulating transport path connecting three or more units. In other words, the transfer of the master pattern is performed by circulating the transport path.
Operations such as performing a plurality of times on one substrate can be performed without unnecessarily moving the substrate. Further, when the substrate reaches a predetermined unit of the three or more units, and when it is determined that the predetermined processing has been completed, the substrate is taken out of the transport path. It can be seen that there is room for introducing a new substrate in the transport path.

【0012】例えば、三以上のユニットのうち少なくと
も二つのユニットを占める基板がある場合には、1枚1
枚の基板は連続的にマスタパターン転写を受けることに
なり、作業が迅速化される。また、所定の処理が1枚の
基板に対し複数回の転写作業(すなわち多重露光又はス
ティッチング露光)を実施することであるとすれば、当
該多重露光を施された基板が順次前記搬送経路外へと取
り出され、そのことによって新たな基板を空いたユニッ
トへと導入することが可能となる。これらのことから、
複数枚の基板のそれぞれに対して多重露光(又はスティ
ッチング露光)を実施する作業が、全体的に迅速に行わ
れうることになる。
For example, when there is a substrate occupying at least two units among three or more units, one substrate
The substrates are continuously subjected to the master pattern transfer, thereby speeding up the operation. Further, if the predetermined processing is to perform a plurality of transfer operations (that is, multiple exposure or stitching exposure) on one substrate, the substrates subjected to the multiple exposure are sequentially moved out of the transport path. And a new substrate can be introduced into the empty unit. from these things,
The operation of performing multiple exposure (or stitching exposure) on each of a plurality of substrates can be performed quickly as a whole.

【0013】また、請求項5記載の露光方法は、同一の
露光装置を用いて複数の基板にそれぞれ第1及び第2の
パターンを転写する露光方法において、前記露光装置内
で前記基板をその投入位置から第1経路に沿って露光処
理部に搬送し、前記露光処理部で前記第1パターンが転
写された基板を、外部搬出するための退出位置に搬送す
る第2経路の途中で前記第1経路に戻し、前記露光処理
部で前記基板に対する前記第2パターンの転写を実行す
ることを特徴とするものである。
According to a fifth aspect of the present invention, in the exposure method of transferring the first and second patterns onto a plurality of substrates using the same exposure apparatus, the substrate is loaded in the exposure apparatus. From the position to the exposure processing unit along the first path, and the substrate on which the first pattern has been transferred by the exposure processing unit is transported to the exit position for unloading to the outside. Returning to a path, and transferring the second pattern to the substrate by the exposure processing unit.

【0014】これによれば、投入位置を含む第1経路上
にある基板は、露光処理部にて第1パターンが転写され
た後、退出位置を含む第2経路に送られ、さらに、その
途中から再び第1経路へと戻される。すなわち、これら
第1経路及び第2経路は、上述した循環する搬送経路に
該当するものである。本請求項によれば、再び第1経路
に戻された基板は、後に第2パターンの転写が実施され
る。これが複数の基板に対して行われるから、つまり複
数のパターンに関する露光を連続的に実施することが可
能となる。
According to this, the substrate on the first path including the input position is sent to the second path including the exit position after the first pattern has been transferred by the exposure processing unit, and further, in the middle thereof. Is returned to the first route again. That is, the first path and the second path correspond to the circulating transport path described above. According to the present invention, the substrate returned to the first path is subjected to the transfer of the second pattern later. Since this is performed on a plurality of substrates, that is, exposure on a plurality of patterns can be continuously performed.

【0015】この複数のパターンに関する連続的な露光
に関するより具体的な実施は、例えば、ある基板に対し
て前記露光処理部における前記第1パターンの転写を実
施してから、前記第2経路から第1経路に再搬入するま
での間に、これとは別の基板に対して前記第1パターン
の転写を行うというような作業を行うものが想定され
る。また、基板の処理単位は、第1経路及び第2経路を
構成するユニットよりも少ない枚数、例えば(ユニット
数−1)枚を一単位、すなわち1ロットとして処理する
ことが可能である。
A more specific implementation of the continuous exposure for the plurality of patterns is, for example, to transfer the first pattern in the exposure processing section to a certain substrate, and then execute the second path from the second path. It is conceivable that an operation such as transferring the first pattern to another substrate before the re-loading into one path is performed. Further, the number of substrates to be processed can be smaller than the units constituting the first path and the second path, for example, (unit number-1) can be processed as one unit, that is, one lot.

【0016】加えて、前記第1経路上にはアライメント
ステーションが配置されていれば、前記露光処理部に基
板を搬入又は再搬入する際には、ある程度正確な位置決
めがなされていることが期待できる。
In addition, if an alignment station is arranged on the first path, it can be expected that a certain degree of accurate positioning is performed when the substrate is loaded or re-loaded into the exposure processing section. .

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下では、本発明の実施の形態に
ついて、図を参照して説明する。図1は本発明の露光方
法を適用するための露光装置の一例を示す平面図であ
る。また、図2は、図1に示すA−A断面の矢視図であ
る。露光装置は、図1、図2に示すように、互いに独立
の三つのチャンバからなっている。これらはそれぞれ,
露光装置本体10を収めた主チャンバ1、ウエハ(基
板)や交換用のレチクルを前記主チャンバ1に対して導
入・回収を行うための各機器類(ローダなど)を収めた
ローダ用チャンバ2、そして前記主チャンバ1、ローダ
用チャンバ2内の空調を行う装置を備えた空調装置用チ
ャンバ3という構成となっている。なお、ローダ用チャ
ンバ2は、図2に示すように、仕切り板2aにより上下
に二分割されており、その下方にウエハローダ系21、
上方にレチクルローダ系22が収められた構成となって
いる。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view showing an example of an exposure apparatus for applying the exposure method of the present invention. FIG. 2 is a sectional view taken along the line AA shown in FIG. The exposure apparatus is composed of three mutually independent chambers as shown in FIGS. These are respectively
A main chamber 1 containing an exposure apparatus main body 10; a loader chamber 2 containing various devices (such as a loader) for introducing / collecting a wafer (substrate) and a reticle for exchange into / from the main chamber 1; The main chamber 1 and the loader chamber 2 are configured as an air conditioner chamber 3 having a device for performing air conditioning. As shown in FIG. 2, the loader chamber 2 is divided into upper and lower parts by a partition plate 2a.
The reticle loader system 22 is housed above.

【0018】上記主チャンバ1、ローダ用チャンバ2の
それぞれの内部は、空調装置31により適度な環境に保
たれるようになっている。この空調装置31は、各チャ
ンバ1、2に関する個別的な空調制御を実施するため
に、それぞれに対応した空調ユニット(不図示)を備え
たものとなっている。なお、ローダ用チャンバ2におい
ては、これがウエハローダ系21、レチクルローダ系2
2に分割されていることから、空調もこれら各系に対応
した形態で行われる。すなわち、空調装置31には、空
調ユニットが合計3台用意されている。そして、これら
各空調ユニットからは、温度制御された気体(空気な
ど)を上記各室(1、21、22)に送出又は回収する
ための配管32が備えられている。なお、空調ユニット
を1台として各チャンバで共用してもよいし、さらには
各チャンバの吹出口の手前に温調ユニットをそれぞれ設
けて、各チャンバに供給する気体の温度を独立に設定可
能としてもよい。
The interior of each of the main chamber 1 and the loader chamber 2 is maintained in an appropriate environment by an air conditioner 31. The air conditioner 31 is provided with an air conditioning unit (not shown) corresponding to each of the chambers 1 and 2 in order to perform individual air conditioning control. In the loader chamber 2, the wafer loader system 21 and the reticle loader system 2
Since it is divided into two, air conditioning is also performed in a form corresponding to each of these systems. That is, the air conditioner 31 is provided with a total of three air conditioning units. Each of these air conditioning units is provided with a pipe 32 for sending or collecting a temperature-controlled gas (air or the like) to or from each of the chambers (1, 21, 22). In addition, one air conditioning unit may be used in common for each chamber, or a temperature control unit may be provided in front of the outlet of each chamber so that the temperature of gas supplied to each chamber can be set independently. Is also good.

【0019】主チャンバ1には、その床面に防振パッド
1aを介して設置された防振台1bが備えられており、
露光装置本体10はその防振台1b上に設置されてい
る。露光装置本体10は、図2に示すように、露光ステ
ージ11、コラム12、その中段程に固定される投影光
学系13、レチクルステージ(又はレチクルホルダ)1
4が、順次積層されるような形態で概略構成されたもの
となっている。レチクルステージ14上方には、さら
に、光源、及び当該光源から発した露光用照明光をレチ
クルに導くための光学系(照明光学系など)が備えられ
ている。なお、光源及び光学系は、図1、図2には図示
されていない。また、本発明の露光処理部は露光装置本
体10に相当するが、装置本体10の全ての構成要素を
有している必要はなく、少なくとも露光ステージ11を
含んでいればよい。
The main chamber 1 is provided with an anti-vibration table 1b installed on a floor surface thereof through an anti-vibration pad 1a.
The exposure apparatus main body 10 is installed on the vibration isolating table 1b. As shown in FIG. 2, the exposure apparatus main body 10 includes an exposure stage 11, a column 12, a projection optical system 13 fixed in the middle thereof, and a reticle stage (or reticle holder) 1.
4 is schematically configured in such a manner as to be sequentially laminated. Above the reticle stage 14, there is further provided a light source and an optical system (such as an illumination optical system) for guiding exposure light emitted from the light source to the reticle. The light source and the optical system are not shown in FIGS. Further, the exposure processing section of the present invention corresponds to the exposure apparatus main body 10, but does not need to have all the components of the apparatus main body 10, and it is sufficient that at least the exposure stage 11 is included.

【0020】露光ステージ11は、駆動源a1によりX
−Y方向に移動が可能とされており、このステージ11
がウエハを載置している際には、当該ウエハ面における
任意の位置(ショット領域)を投影光学系13の下に位
置させることができる。また、ウエハと投影光学系13
との両者に関した焦点合わせ作業等を実施する必要があ
るため、露光ステージ11は、上下方向の動作、すなわ
ちZ方向の動作も可能とされている。
The exposure stage 11 is driven by an X
The stage 11 can be moved in the −Y direction.
When a wafer is mounted, an arbitrary position (shot area) on the wafer surface can be positioned below the projection optical system 13. The wafer and the projection optical system 13
Since it is necessary to perform a focusing operation and the like relating to both, the exposure stage 11 can also be operated in the vertical direction, that is, in the Z direction.

【0021】コラム12は、複数の光学素子から構成さ
れた投影光学系13を保持するための部材である。ま
た、投影光学系13は、レチクルを通過した露光用照明
光を透過させ、ウエハ上にレチクルのパターン像を形成
するための光学系である。さらに、レチクルステージ1
4は、所望のパターンが予め形成されたレチクルを載置
するためのステージである。レチクルは、これに露光用
照明光を照射することで、照明光が通過する部分と遮断
される部分を規定するものである。
The column 12 is a member for holding a projection optical system 13 composed of a plurality of optical elements. The projection optical system 13 is an optical system for transmitting illumination light for exposure that has passed through the reticle and forming a pattern image of the reticle on the wafer. Furthermore, reticle stage 1
Reference numeral 4 denotes a stage for mounting a reticle on which a desired pattern is formed in advance. The reticle illuminates the reticle with illumination light for exposure, thereby defining a portion through which the illumination light passes and a portion where the illumination light is blocked.

【0022】露光用照明光としては、水銀ランプから発
生する輝線(例えばg線、i線)、KrFエキシマレー
ザ(波長248nm)、ArFエキシマレーザ(波長1
93nm)、F2レーザ(波長157nm)、あるいは
YAGレーザや金属蒸気レーザあるいは半導体レーザな
どの高調波などが使用される。なお、本実施形態におけ
る露光装置は、上記各種光源のうちKrFエキシマレー
ザを光源として利用したものとなっている。
The illumination light for exposure includes a bright line (for example, g line, i line) generated from a mercury lamp, a KrF excimer laser (wavelength 248 nm), and an ArF excimer laser (wavelength 1).
93 nm), F 2 laser (wavelength 157 nm), or harmonics of a YAG laser or a metal vapor laser or a semiconductor laser is used. The exposure apparatus according to the present embodiment uses a KrF excimer laser as a light source among the various light sources.

【0023】また、露光装置本体10には、上記の他、
ウエハ上の各ショット領域に関する精緻な位置決めを行
うための光学機器等が備えられている。これは、例え
ば、投影光学系13とは別途に用意される位置検出光学
系(不図示)が例として挙げられ、これによってウエハ
上に形成されているアライメントマークを検出し、前記
駆動源a1によってウエハと投影光学系13との相対的
な位置関係の決定、すなわちショット領域の正確な位置
決めが露光前に実施されるようになっている。
In addition to the above, the exposure apparatus body 10
An optical device or the like for performing precise positioning with respect to each shot area on the wafer is provided. This is, for example, a position detection optical system (not shown) prepared separately from the projection optical system 13, thereby detecting an alignment mark formed on a wafer and using the drive source a1. Determination of the relative positional relationship between the wafer and the projection optical system 13, that is, accurate positioning of the shot area is performed before exposure.

【0024】ローダ用チャンバ2は、上述したように、
仕切り板2aによって上方をウエハローダ系21、下方
をレチクルローダ系22が占める室に分割されている。
The loader chamber 2 is, as described above,
The partition 2a divides the upper part into a chamber occupied by the wafer loader system 21 and the lower part into a chamber occupied by the reticle loader system 22.

【0025】まず、ウエハローダ系21に関して説明す
る。ウエハローダ系21は、露光装置外部(例えばコー
タ/ディベロッパ装置)からのウエハ搬入、同外部への
ウエハ搬出、また、主チャンバ1における露光装置本体
10(露光ステージ11)に対するウエハの供給・回収
(ロード・アンロード)を目的として設けられているも
のである。このウエハローダ系21は、図中X軸に沿っ
た方向に配設されている横軸スライダ21X、同様にY
軸方向に沿った縦軸スライダ21Y、横軸スライダ21
Xに付設された搬送ロボット21a、縦軸スライダ21
Yに付設された二つのウエハ供給回収アーム21c、2
1d、そしてアライメントステージ(アライメントステ
ーション)21Aにより概略構成されている。
First, the wafer loader system 21 will be described. The wafer loader system 21 loads a wafer from the outside of the exposure apparatus (for example, a coater / developer apparatus), unloads the wafer to the outside, and supplies / collects (loads) a wafer to / from the exposure apparatus main body 10 (exposure stage 11) in the main chamber 1.・ Unload). The wafer loader system 21 includes a horizontal slider 21X disposed in a direction along the X-axis in FIG.
Vertical axis slider 21Y, horizontal axis slider 21 along the axial direction
Transfer robot 21a attached to X, vertical axis slider 21
The two wafer supply and recovery arms 21c and 2c attached to Y
1d and an alignment stage (alignment station) 21A.

【0026】上記搬送ロボット21aは、図1に示すよ
うに、スカラー型のハンドリングロボットとなってお
り、横軸スライダ21Xに沿って移動可能なように設置
されている。図1では、搬送ロボット21aが位置P1
にある様子を示している。搬送ロボット21a自体は、
図3拡大図に示すように、X軸、Z軸それぞれに関する
並進移動部abX、abZ、θ軸、R軸それぞれに関す
る回転移動部abθ、abR、そしてハンド部abHと
で構成されている。なお、X軸移動とは横軸スライダ2
1Xに沿った動作、Z軸移動とはそれと垂直な方向への
動作を意味している。また、θ軸回転とは、Z軸を中心
とした回転動作、R軸回転とはθ軸移動部に対する回転
動作のことを意味している(図3矢印R参照)。
As shown in FIG. 1, the transfer robot 21a is a scalar type handling robot, and is installed so as to be movable along a horizontal axis slider 21X. In FIG. 1, the transfer robot 21a moves to the position P1.
Is shown. The transfer robot 21a itself
As shown in the enlarged view of FIG. 3, the translation unit includes a translation unit abX, abZ, a θ-axis, a rotation unit abR for an R-axis, and a hand unit abH. The X-axis movement is the horizontal axis slider 2
The operation along 1X and the Z-axis movement mean an operation in a direction perpendicular thereto. Further, the θ-axis rotation means a rotation operation about the Z-axis, and the R-axis rotation means a rotation operation with respect to the θ-axis moving unit (see arrow R in FIG. 3).

【0027】これら横軸スライダ21X及び搬送ロボッ
ト21aは、コータ/ディベロッパ装置(以下C/D装
置と略す)と露光装置間におけるウエハ出し入れを行
う。C/D装置とは、ウエハに対してレジストを塗布す
るコータ、及び露光済みのウエハの現像を行うディベロ
ッパなどが備えられたもので、ローダ系チャンバ2の側
方に併設されている。すなわち、コータにおけるレジス
ト塗布処理が終了したウエハは露光装置内に導入され、
露光処理が終了したウエハはディベロッパに受け渡され
るようになっている。なお、その導入、受け渡しの具体
的な場所について、本発明は特に限定するものではない
が、本実施形態においては、搬送ロボット21aが、図
1に示す位置P1あるいはP2にあるときに行われるよ
うなっている。
The horizontal axis slider 21X and the transfer robot 21a carry out and take in a wafer between a coater / developer device (hereinafter abbreviated as C / D device) and an exposure device. The C / D device includes a coater for applying a resist to a wafer, a developer for developing an exposed wafer, and the like, and is provided alongside the loader system chamber 2. That is, the wafer after the resist coating process in the coater is introduced into the exposure apparatus,
The exposed wafer is delivered to the developer. The present invention is not particularly limited with respect to a specific place of introduction and delivery, but in the present embodiment, the transfer is performed when the transfer robot 21a is at the position P1 or P2 shown in FIG. Has become.

【0028】上記ウエハ供給回収アーム21c、21d
は、一方がロードアーム、他方がアンロードアームとし
て用いられ、縦軸スライダ21Yに沿って移動可能なよ
うに設置されている。これらは、上述した搬送ロボット
21aからウエハを受け取り、露光装置本体10の露光
ステージ11に対するウエハの供給(ロード)及び回収
(アンロード)を行う。したがって、縦軸スライダ21
Yは、ローダ系チャンバ2、主チャンバ1を貫通するよ
うに設けられている。ただし、露光装置本体10に対す
るウエハ供給時には、搬送ロボット21aからウエハ供
給回収アーム21c、21dの一方(ロードアーム)へ
と渡される際に、アライメントステージ21Aを介する
ようになっている。
The above-mentioned wafer supply and recovery arms 21c and 21d
One is used as a load arm and the other is used as an unload arm, and is installed so as to be movable along the vertical axis slider 21Y. These receive the wafer from the transfer robot 21a and supply (load) and collect (unload) the wafer to and from the exposure stage 11 of the exposure apparatus body 10. Therefore, the vertical slider 21
Y is provided so as to penetrate the loader system chamber 2 and the main chamber 1. However, when the wafer is supplied to the exposure apparatus main body 10, when the wafer is transferred from the transfer robot 21a to one of the wafer supply / collection arms 21c and 21d (load arm), the wafer is passed through the alignment stage 21A.

【0029】アライメントステージ21Aは、ウエハ周
縁部に形成されているオリエンテーションフラット部
(又はノッチ部とも呼称される、以下OF部と略す)を
基準として、ウエハと前記露光ステージ11とが所定の
位置関係となるよう、当該ウエハを粗く位置決めするた
めのステージである。図4には、このアライメントステ
ージ21Aに係る部位を拡大した図を示して1おり、調
整台A1、ターンテーブルA2、OF部検出センサA3
(図2参照)等から概略構成されている。なお、これら
の他に、調整台A1側方に中心出しセンサA4が付設さ
れている。
The alignment stage 21A has a predetermined positional relationship between the wafer and the exposure stage 11 with reference to an orientation flat portion (or a notch portion, hereinafter abbreviated as an OF portion) formed at the periphery of the wafer. Is a stage for roughly positioning the wafer. FIG. 4 shows an enlarged view of a portion related to the alignment stage 21A, and includes an adjustment table A1, a turntable A2, and an OF section detection sensor A3.
(See FIG. 2). In addition to the above, a centering sensor A4 is attached to the side of the adjustment table A1.

【0030】搬送ロボット21aから、アライメントス
テージ21Aへとウエハが供給される際には、当該ウエ
ハは中心出しセンサA4を通過する。中心出しセンサA
4は、図4におけるC−C断面の矢視図である図5に示
すように、投光部A41及び受光部A42からなってお
り、ウエハWはこの間を通過することになる。このよう
な構成から、ウエハW通過時には投光部A41から発せ
られた光が受光部A42で感知されなくなることがわか
る。また、ウエハWはほぼ円形であることから、上述し
たウエハW通過時に伴う光の遮断時間を計測することに
よって、当該ウエハWの中心位置を計算により割り出す
ことが可能となる。そして、このウエハWの中心位置
が、アライメントステージ21AのターンテーブルA2
における中心位置と合致するように、搬送ロボット21
aの姿勢(位置)が調整されてターンテーブルA2へと
ウエハWが供給されることになる。
When a wafer is supplied from the transfer robot 21a to the alignment stage 21A, the wafer passes through the centering sensor A4. Centering sensor A
As shown in FIG. 5, which is a cross-sectional view taken along the line CC in FIG. 4, reference numeral 4 includes a light projecting unit A41 and a light receiving unit A42, and the wafer W passes between them. From such a configuration, it is understood that the light emitted from the light projecting unit A41 is not detected by the light receiving unit A42 when passing through the wafer W. Further, since the wafer W is substantially circular, the center position of the wafer W can be determined by calculation by measuring the light blocking time accompanying the passage of the wafer W described above. The center position of the wafer W is determined by the turntable A2 of the alignment stage 21A.
Transfer robot 21 so as to match the center position in
The attitude (position) of a is adjusted, and the wafer W is supplied to the turntable A2.

【0031】アライメントステージ21Aでは、ターン
テーブルA2がウエハWを真空吸着した状態でZ軸方向
の軸を中心として回転する。アライメントステージ21
Aには、図2に示すように、投光部A31及び受光部A
32からなるOF部検出センサA3が備えられており、
ウエハWの周縁部がこれら投光部A31及び受光部A3
2の間に位置するようになっている。したがって、ウエ
ハWが回転したときには、そのOF部の場所を認識する
ことが可能となる。すなわち、投光部A31からの光が
通常の周縁部では遮光されるのに対し、OF部では遮光
されなくなることになるからである。このようにして、
ウエハWと露光ステージ11との相対的な位置関係が粗
く位置合わせされることになる。
In the alignment stage 21A, the turntable A2 rotates around the axis in the Z-axis direction in a state where the wafer W is vacuum-sucked. Alignment stage 21
A includes, as shown in FIG.
32, an OF section detection sensor A3 comprising
The peripheral portion of the wafer W is the light projecting portion A31 and the light receiving portion A3.
It is located between the two. Therefore, when the wafer W rotates, the location of the OF section can be recognized. That is, while the light from the light projecting portion A31 is blocked at the normal peripheral portion, it is not blocked at the OF portion. In this way,
The relative positional relationship between the wafer W and the exposure stage 11 is roughly adjusted.

【0032】ウエハローダ系21には、今まで説明した
機器類の他に、保管棚21S、仮置き棚21Q等が設置
されている。保管棚21Sは、露光待機中のウエハ、あ
るいは露光終了済みのウエハを保管しておく棚である。
これは、図6の保管棚21Sの側面図に示すように、箱
体SB内部に水平に張られた複数の載置台S1、…、Sn
から構成されたものとなっている。また、箱体SBの前
後方向は吹き抜けとされている。ウエハWは前記複数の
載置台S1、…、Sn上に置かれていくことになるが、こ
の操作は、箱体SB内に、搬送ロボット21aのハンド
部abHが挿入されることによって実現される。むろ
ん、載置台S1、…、Snからのウエハ取り出し時も同様
である。
In the wafer loader system 21, a storage shelf 21S, a temporary storage shelf 21Q, and the like are provided in addition to the devices described above. The storage shelf 21S is a shelf for storing wafers waiting for exposure or wafers for which exposure has been completed.
This is because, as shown in the side view of the storage shelf 21S in FIG. 6, table S 1 mounting a plurality stretched horizontally inside the box SB, ..., S n
It is composed of In addition, the front and rear direction of the box SB is a blow-through. Wafer W plurality of table S 1, ..., but it will be gradually placed on S n, this operation is achieved by in box SB, a hand portion abH of the transfer robot 21a is inserted Is done. Of course, the mounting table S 1, ..., is the same when the wafer is taken out from the S n.

【0033】また、図1に示すように、ローダ系チャン
バ2の一内側面には、箱体SBの前後方向の吹き抜け部
を通過するような光を発する投光部SPが、そして、こ
の投光部SPに対応するように保管棚21S背面と向か
いあうチャンバ2の他内側面には受光部SCが、それぞ
れ備えられている。これら投光部SP及び受光部SC
は、載置台S1、…、Sn上にウエハがあるか否かの判断
をすることを可能とする。すなわち、光が遮られていれ
ばウエハは保管されており、逆の場合にはウエハが保管
されていないと判断することができる。
As shown in FIG. 1, on one inner side surface of the loader system chamber 2, there is provided a light projecting portion SP for emitting light passing through a blow-by portion in the front-rear direction of the box SB. A light receiving unit SC is provided on the other inner side surface of the chamber 2 facing the back surface of the storage shelf 21S so as to correspond to the light unit SP. These light emitting part SP and light receiving part SC
The mounting table S 1, ..., making it possible to determine whether or not there is a wafer on S n. That is, if the light is blocked, it can be determined that the wafer is stored, and in the opposite case, it is determined that the wafer is not stored.

【0034】なお、上で説明した搬送ロボット21aに
おけるハンド部abH、ウエハ供給回収アーム21c、
21d、ターンテーブルA2、載置台S1、…、Sn等、
ウエハと直接接触する部分は、表面構造の緻密な導電性
セラミックス材によりコーティングするか、あるいは、
その全体を同材により形成しておくものとする。これ
は、ウエハに対する塵埃等の付着を防ぐための措置であ
る。
The hand part abH of the transfer robot 21a described above, the wafer supply / recovery arm 21c,
21d, turntable A2, the stage S 1, ..., S n, etc.,
The part that comes into direct contact with the wafer is coated with a conductive ceramic material with a dense surface structure, or
The whole is made of the same material. This is a measure for preventing dust and the like from adhering to the wafer.

【0035】次に、レチクルローダ系22に関する説明
を行う。図2に示すように、レチクルローダ系22は、
上述してきたウエハローダ系21の上方に位置してい
る。レチクルローダ系22は、搬送スライダ22Y、当
該搬送スライダ22Yに沿って摺動自在な二つのレチク
ル供給回収アーム22a、22bを備えている。また、
搬送スライダ22Yの近傍には、ハンドリングロボット
22R、レチクル保管棚22Sが設けられている。
Next, the reticle loader system 22 will be described. As shown in FIG. 2, the reticle loader system 22 includes:
It is located above the wafer loader system 21 described above. The reticle loader system 22 includes a transport slider 22Y and two reticle supply / recovery arms 22a and 22b slidable along the transport slider 22Y. Also,
A handling robot 22R and a reticle storage shelf 22S are provided near the transport slider 22Y.

【0036】搬送スライダ22Y及びレチクル供給回収
アーム22a、22bは、露光装置本体10のレチクル
ステージ14に対してレチクルの供給・回収を行う。し
たがって、搬送スライダ22Yは、上記したウエハロー
ダ系21における縦スライダ21Yと同様に、ローダ用
チャンバ2、主チャンバ1を貫通するように設けられて
いる。ただし、貫通部位はウエハローダ系21の縦軸ス
ライダ21Yが下方に位置しているのに対し、レチクル
ローダ系22の搬送スライダ22Yはその上方に位置す
ることになる。
The transport slider 22Y and the reticle supply / recovery arms 22a and 22b supply / collect reticle to / from the reticle stage 14 of the exposure apparatus body 10. Therefore, the transfer slider 22Y is provided so as to penetrate the loader chamber 2 and the main chamber 1 similarly to the vertical slider 21Y in the wafer loader system 21 described above. However, in the penetrating part, the vertical slider 21Y of the wafer loader system 21 is located below, whereas the transport slider 22Y of the reticle loader system 22 is located above it.

【0037】ハンドリングロボット22Rは、レチクル
をレチクル保管棚22Sから取り出して、上記レチクル
供給回収アーム22a、22bに受け渡す。また、その
逆の動作を行う。ハンドリングロボット22Rは、スカ
ラー型のそれとなっており、その概要は、図3にて説明
したウエハローダ系21の搬送ロボット21aとほぼ同
様なものとなっている。すなわち、Z軸並進移動部、θ
軸回転部、R軸回転部、そしてハンド部を、それぞれ備
えたものとなっている。ただし、ハンドリングロボット
22Rには、X軸に関する並進移動部は備えられていな
い。
The handling robot 22R takes out the reticle from the reticle storage shelf 22S and transfers it to the reticle supply / recovery arms 22a and 22b. In addition, the reverse operation is performed. The handling robot 22R is of a scalar type, and its outline is substantially the same as the transfer robot 21a of the wafer loader system 21 described with reference to FIG. That is, the Z-axis translation unit, θ
A shaft rotating unit, an R-axis rotating unit, and a hand unit are provided. However, the handling robot 22R is not provided with a translation unit for the X axis.

【0038】また、レチクル保管棚22Sは、交換用の
レチクルを複数保管しておくための棚である。つまり、
複数の焼き付けパターンを用意しておくことが可能であ
って、これは、後に詳述するウエハ多重露光を実施する
際に使用される。いま簡単にその様子を述べれば、多重
露光時には、その露光回数ごとにレチクル保管棚22S
から順次レチクルが取り出され、前記ハンドリングロボ
ット22R、搬送系(22Y、22a、22b)を介す
ることで、レチクルステージ14におけるレチクルの交
換が行われることになる。
The reticle storage shelf 22S is a shelf for storing a plurality of reticles for replacement. That is,
It is possible to prepare a plurality of printing patterns, which are used when performing wafer multiple exposure, which will be described in detail later. To briefly explain the situation, at the time of multiple exposure, the reticle storage shelf 22S
Reticle is sequentially taken out, and the reticle is exchanged on the reticle stage 14 via the handling robot 22R and the transport system (22Y, 22a, 22b).

【0039】最後に、この露光装置においては、露光装
置本体10に係る動作、ウエハローダ系21、レチクル
ローダ系22に係る動作等、露光装置全体の動作が干渉
することなく、円滑な実行を保証するような制御系(不
図示)が備えられている。すなわち、露光装置を構成す
る各種機器を操作するには、この制御系にアクセスする
ことになる。
Finally, in this exposure apparatus, the operation of the exposure apparatus main body 10, the operation of the wafer loader system 21 and the operation of the reticle loader system 22, and the like, assure the smooth execution without interference. Such a control system (not shown) is provided. That is, in order to operate various devices constituting the exposure apparatus, the control system is accessed.

【0040】以上説明した露光装置において、ウエハに
対する露光作業を実施する際には、まず、ウエハローダ
系21の搬送ロボット21aがC/D装置(コータ)か
らウエハを受け入れ、当該ウエハを持したまま搬送ロボ
ット21aが横軸スライダ21Xに沿って移動し、アラ
イメントステージ21Aにウエハを載置する。そして、
アライメントステージ21Aにて、粗く位置決めされた
ウエハは、ウエハ供給回収アーム21c又は21dによ
って、縦軸スライダ21Yに沿って露光ステージ11上
に搬送されることになる。露光作業が終了したならば、
今度は今述べた逆の操作がなされ、ウエハはC/D装置
〈ディベロッパ)へと渡されることになる。ただし、こ
のときアライメントステージ21Aを介することはな
い。
In the exposure apparatus described above, when performing an exposure operation on a wafer, first, the transfer robot 21a of the wafer loader system 21 receives the wafer from the C / D device (coater) and transfers the wafer while holding the wafer. The robot 21a moves along the horizontal axis slider 21X, and places a wafer on the alignment stage 21A. And
The wafer roughly positioned on the alignment stage 21A is transferred onto the exposure stage 11 along the vertical axis slider 21Y by the wafer supply / recovery arm 21c or 21d. After the exposure work is completed,
This time, the reverse operation described above is performed, and the wafer is transferred to the C / D device (developer). However, at this time, there is no intervention via the alignment stage 21A.

【0041】ここで、いま多重露光を実施する場合を考
えたときに、本実施形態においては、C/D装置(ディ
ベロッパ)に対してウエハを搬出する最後の過程を省い
て、再びアライメントステージ21Aへとウエハを供給
するような操作、及び同一ウエハに対して再び露光を行
うときにはレチクルを従前のものとは交換しておくよう
な操作を実施する。これを図示すれば、図7のようなも
のとなる。すなわち、「搬送ロボット」を振り出しとし
て、「アライメントステージJ(投入位置)、「ウエハ
供給(回収)アーム」、「露光ステージ」の三つを結ぶ
供給経路(第1経路)と、「露光ステージ」から「ウエ
ハ(供給)回収アーム」(退出位置)の二つを結ぶ回収
経路(第2経路)との二つの経路を仮定したときに、回
収経路における「ウエハ(供給)回収アーム」から供給
経路における「アライメントステージ」へとウエハを搬
送する一つの閉じた経路を考えることができ、これはす
なわち、ウエハが循環する搬送経路を想定することを意
味する。
Here, considering the case where multiple exposure is performed, in the present embodiment, the last process of unloading the wafer to the C / D device (developer) is omitted, and the alignment stage 21A is again performed. An operation such as supplying a wafer to the wafer and an operation of exchanging a reticle with a conventional reticle when exposing the same wafer again are performed. This is illustrated in FIG. That is, a supply path (first path) connecting three of an “alignment stage J (input position), a“ wafer supply (collection) arm ”, and an“ exposure stage ”, and an“ exposure stage ” From the “wafer (supply) recovery arm” in the recovery path, assuming two paths, namely, a recovery path (second path) connecting the two “wafer (supply) recovery arm” (retreat position) Can consider one closed path for transporting the wafer to the "alignment stage", which means envisioning a transport path through which the wafer circulates.

【0042】また、この図7において、「搬送ロボッ
ト」、「露光ステージ」等の各機器群は一つ一つの独立
したユニットと見なせば、前記搬送経路はこれら各機器
群を円環状に結ぶものと定義できる。ところで、ウエハ
の露光処理は、スループット向上を目的として複数枚の
ウエハを1ロットとし、これを一単位として処理するの
が一般的な方法である。そこで、今述べた搬送経路にお
いて1ロットのウエハを循環させることを考える場合
は、搬送経路を構成するユニット数よりも少ない枚数の
ウエハを各ユニットに保持させることとすれば、それが
実現可能であることがわかる。つまり、図7において
は、ウエハが3枚以下であるような場合には、当該ウエ
ハを各ユニット間で循環させることが可能となる。本実
施形態においては、この循環可能なウエハ枚数を1ロッ
トと定義する。
In FIG. 7, if each of the equipment groups such as the “transport robot” and “exposure stage” is considered as an independent unit, the transport path connects these equipment groups in an annular shape. Can be defined as By the way, in a wafer exposure process, it is a general method to process a plurality of wafers into one lot and process the wafers as one unit for the purpose of improving throughput. In consideration of circulating one lot of wafers in the transfer path just described, it is feasible if each unit holds a smaller number of wafers than the number of units constituting the transfer path. You can see that there is. That is, in FIG. 7, when the number of wafers is three or less, the wafers can be circulated between the units. In the present embodiment, the number of wafers that can be circulated is defined as one lot.

【0043】上記搬送経路、及びウエハ1ロットの循環
搬送の想定のもとに、上記露光装置を用いたウエハの多
重露光作業は例えば以下のような方法により執り行われ
る。なお、ここでいう多重露光とは、同一のウエハに異
なる二つのパターンを転写する二重露光を想定したもの
とする。また、ウエハ供給回収アーム21c、21d
は、横軸スライダ21Xに遠いものをウエハ供給アーム
(ロードアーム)21c、近いものをウエハ回収アーム
(アンロードアーム)21dとして使用する。そして、
循環する搬送経路を構成するユニットを、アライメント
ステージ21A、ウエハ供給アーム21c、露光ステー
ジ11、ウエハ回収アーム21dの4ユニットとし、1
ロットのウエハ枚数を3枚とする。
On the assumption of the above-mentioned transfer path and the circulating transfer of one lot of wafers, the multiple exposure operation of the wafer using the above-mentioned exposure apparatus is performed by the following method, for example. Note that the multiple exposure here is assumed to be double exposure for transferring two different patterns to the same wafer. Further, the wafer supply / recovery arms 21c, 21d
Is used as a wafer supply arm (load arm) 21c far from the horizontal axis slider 21X and as a wafer recovery arm (unload arm) 21d near the horizontal axis slider 21X. And
The units constituting the circulating transport path are four units: an alignment stage 21A, a wafer supply arm 21c, an exposure stage 11, and a wafer recovery arm 21d.
The number of wafers in a lot is three.

【0044】まず、C/D装置にてウエハ面にレジスト
(感光剤)を塗布する。このレジスト塗布は1ロット単
位で行われる。したがって、いまの場合では、ウエハ3
枚に対してレジスト塗布が実施されることになる。そし
て、このレジスト塗布が終了したならば、ウエハローダ
系21の搬送ロボット21aがこれらのウエハを露光装
置内に順次搬入することになる。
First, a resist (photosensitive agent) is applied to the wafer surface by a C / D device. This resist coating is performed in units of one lot. Therefore, in this case, the wafer 3
The resist is applied to the sheets. When the resist coating is completed, the transfer robot 21a of the wafer loader system 21 sequentially carries these wafers into the exposure apparatus.

【0045】搬送ロボット21aは、上記1ロットのウ
エハの中から1枚目のウエハW1を、図8(a)に示す
ように露光装置内に搬入し、これをアライメントステー
ジ21Aへと搬送する。アライメントステージ21Aに
最初の1枚のウエハが載置されたならば、搬送ロボット
21aは空き状態となる。したがって、搬送ロボット2
1aは、図8(b)に示すように、先の1ロットのウエ
ハから2枚目のウエハW2を露光装置内に搬入する作業
に向かう。
The transfer robot 21a loads the first wafer W1 from among the wafers of the one lot into the exposure apparatus as shown in FIG. 8A, and transfers it to the alignment stage 21A. When the first single wafer is placed on the alignment stage 21A, the transfer robot 21a becomes empty. Therefore, the transfer robot 2
1a, as shown in FIG. 8B, goes to the operation of loading the second wafer W2 from the previous one lot of wafers into the exposure apparatus.

【0046】やがて、アライメントステージ21Aにて
粗く位置決めされた1枚目のウエハW1は、その位置を
保ったままウエハ供給アーム21cに渡される。この時
点で、空き状態となったアライメントステージ21Aに
は、図8(c)に示すように、上述した2枚目のウエハ
W2が導入されるとともに、これに伴って空き状態とな
る搬送ロボット21aは3枚目のウエハW3を露光装置
内に搬入する。
Eventually, the first wafer W1 roughly positioned on the alignment stage 21A is transferred to the wafer supply arm 21c while maintaining its position. At this point, the second wafer W2 described above is introduced into the empty alignment stage 21A as shown in FIG. 8 (c), and the transfer robot 21a becomes empty accordingly. Carries the third wafer W3 into the exposure apparatus.

【0047】これで1ロット全てのウエハが導入された
ことになり、1枚目のウエハW1は次に露光ステージ1
1へと渡されることになる。露光ステージ11に達した
ウエハに対しては、ウエハ上のショット領域に関したよ
り精緻な位置決め作業が実施された後に、第1パターン
の形成されたレチクルを用いて、転写作業、すなわち露
光作業が実施される。そして、この露光作業が終了した
ならば、図8(d)に示すように、ウエハ回収アーム2
1dがそのウエハを受け取るとともに、ウエハ供給アー
ム21cが、アライメントステージ21A上にある2枚
目のウエハW2を露光ステージ11へと搬送する。これ
と並行して、搬送ロボット21a上にある3枚目のウエ
ハW3は、アライメントステージ21A、ウエハ供給ア
ーム21cへと順に送られることになる。
This means that all the wafers in one lot have been introduced, and the first wafer W1
1 will be passed. For the wafer that has reached the exposure stage 11, after a more precise positioning operation with respect to the shot area on the wafer is performed, a transfer operation, that is, an exposure operation is performed using the reticle on which the first pattern is formed. You. Then, when this exposure operation is completed, as shown in FIG.
1d receives the wafer, and the wafer supply arm 21c transfers the second wafer W2 on the alignment stage 21A to the exposure stage 11. In parallel with this, the third wafer W3 on the transfer robot 21a is sequentially sent to the alignment stage 21A and the wafer supply arm 21c.

【0048】2枚目のウエハW2に対する第1パターン
を用いた露光作業が終了した時点において、1枚目のウ
エハW1は、図8(e)に示すように、ウエハ回収アー
ム21dからアライメントステージ21Aへと戻され
る。すなわち、この時点で、回収経路から供給経路への
ウエハ受け渡しが行われ、1枚目のウエハW1は再び露
光ステージ11への供給経路に乗ることになる。そし
て、3枚目のウエハW3に対する第1パターンの転写作
業が終了した時点においては、当該第1パターンに係る
レチクルは、レチクルローダ系22によりレチクルステ
ージ14から回収されてレチクル保管棚22Sへと戻さ
れ、今度は第2パターンが形成されたレチクルをレチク
ルステージ14へと供給する。
When the exposure operation using the first pattern for the second wafer W2 is completed, the first wafer W1 is moved from the wafer recovery arm 21d to the alignment stage 21A as shown in FIG. Returned to. That is, at this point, the wafer is transferred from the recovery path to the supply path, and the first wafer W1 is again on the supply path to the exposure stage 11. When the transfer operation of the first pattern onto the third wafer W3 is completed, the reticle relating to the first pattern is collected from the reticle stage 14 by the reticle loader system 22 and returned to the reticle storage shelf 22S. Then, the reticle on which the second pattern is formed is supplied to the reticle stage 14.

【0049】このような操作を続けると、2枚目のウエ
ハW2に対する第2パタニンの露光作業が終了した時点
で、最初に導入された1枚目のウエハW1は、図8
(f)に示すように、搬送ロボット21aへと返される
ことになる。つまり、1枚目のウエハW1は所定の処理
が完了したものと見なされ、循環する搬送経路から外れ
てC/D装置(ディベロッパ)ヘとウエハを搬出する経
路に乗ることになる。なお、このとき搬送経路には空き
が一つ生じることになるから、2枚目、3枚目のウエハ
W2、W3に対する露光作業を継続するのと並行して、
次のロットの1枚目のウエハを導入する。
When such an operation is continued, the first wafer W1 introduced first is replaced with the first wafer W1 shown in FIG. 8 when the second patanin exposure operation on the second wafer W2 is completed.
As shown in (f), it is returned to the transfer robot 21a. That is, the first wafer W1 is regarded as having undergone the predetermined processing, and departs from the circulating transport path and gets on the path for unloading the wafer to the C / D device (developer). At this time, since one empty space is created in the transport path, in parallel with continuing the exposure work on the second and third wafers W2 and W3,
The first wafer of the next lot is introduced.

【0050】以下同様にして2枚目、3枚目のウエハW
2、W3も搬送経路外に取り出されたならば、続いて、
次のロットを構成するウエハに対して、上述したのと同
様な露光過程、すなわち図8(a)〜(f)に類似の露
光過程が繰り返されることになる。ただしこのとき、第
1ロットに関する処理が終了した時点において、レチク
ルステージ14上にある第2パターンが形成されたレチ
クルは、そのままの状態とし、第1パターンのものに交
換することをしない。つまり、第2ロットに関する処理
においては、第2パターンの転写を1回目の露光作業と
して行い、続いて第1パターンの転写を2回目の露光作
業として行うことになる。このような措置は、以下続く
ロットにおいても同様に実施する。すなわち、各ロット
毎において、第1パターンから第2パターンなる順序で
二重露光される場合と、第2パターンから第1パターン
なる順序で二重露光される場合との、二つの場合が交互
に現れることになる。
In the same manner, the second and third wafers W
2. If W3 is also taken out of the transport path,
An exposure process similar to that described above, that is, an exposure process similar to that shown in FIGS. 8A to 8F is repeated for wafers constituting the next lot. However, at this time, when the processing for the first lot is completed, the reticle on which the second pattern is formed on the reticle stage 14 is left as it is, and is not replaced with the reticle of the first pattern. That is, in the processing for the second lot, the transfer of the second pattern is performed as the first exposure work, and then the transfer of the first pattern is performed as the second exposure work. Such a measure will be similarly applied to the following lots. In other words, in each lot, two cases of a double exposure in the order of the first pattern and the second pattern and a case of double exposure in the order of the second pattern and the first pattern are alternately performed. Will appear.

【0051】以上説明したように、本実施形態における
露光方法においては、レジスト塗布がなされた複数枚
(1ロット)のウエハが、露光装置を構成する各ユニッ
ト間を結ぶ搬送経路上を循環することによって、ウエハ
に関して無駄な動き(例えば露光待機等)が生じること
がなく、異なるパターンを用いた多重露光を迅速に完了
することができる。このことは、経時劣化の著しいレジ
ストに対して露光作業を実施しなければならない場合等
は特に有効である。
As described above, in the exposure method according to the present embodiment, a plurality of (one lot) wafers coated with a resist circulate on the transport path connecting the units constituting the exposure apparatus. This makes it possible to quickly complete multiple exposure using different patterns without causing useless movement (for example, exposure standby) of the wafer. This is particularly effective when an exposure operation has to be performed on a resist that is significantly deteriorated with time.

【0052】また、最初のロットから次のロットへと作
業を移行するに際して、レチクルを交換することなし
に、当該ロット間のパターン転写順序を変更する上記方
法は、無用なレチクル交換を回避しているという意味
で、スループット向上に大きく寄与することになる。ち
なみに、パターン転写順序の変更は品質に影響を及ぼす
ものではない。さらに、搬送経路上にはアライメントス
テージ21Aが構成要素として配されており、露光ステ
ージ11に送られる前には必ず当該アライメントステー
ジ21Aを通過するようになされていたから、露光ステ
ージにおける精密な位置決めは速やかに完了することが
できるとともに、露光作業を常に正確に実施することが
できる。
Further, when the work is transferred from the first lot to the next lot, the above-described method of changing the pattern transfer order between the lots without replacing the reticle can avoid unnecessary reticle exchange. In that sense, it greatly contributes to the improvement of the throughput. Incidentally, the change of the pattern transfer order does not affect the quality. Further, an alignment stage 21A is arranged as a component on the transport path, and is always passed through the alignment stage 21A before being sent to the exposure stage 11, so that precise positioning on the exposure stage can be quickly performed. It can be completed and the exposure operation can always be performed accurately.

【0053】加えて、このような露光方法は、上記説明
から明らかなように、露光装置に関するハードウェアの
変更を全く必要としていない。よって、前記制御系にお
けるソフトウェアを変更するのみで実施可能であって、
安価に実現することができる。
In addition, as is apparent from the above description, such an exposure method does not require any change in hardware related to the exposure apparatus. Therefore, it can be implemented only by changing the software in the control system,
It can be realized at low cost.

【0054】なお、上記した露光方法においては、異な
るパターンを二組使用する二重露光について説明した
が、本発明はこのことに限定されるものではない。すな
わち、三重以上の露光を同一基板に対して行う場合に
も、上記方法はそのまま準用できることは明らかであ
る。また、各ロット毎におけるパターン転写順序に関す
る記述に関しても同様である。例えば、いま四重露光を
実施する場合を考えれば、最初のロットに関して、第1
〜第4パターンという順序で転写されたならば、次のロ
ットに関する最初の露光は、第4パターンを用いて転写
が実施されることになる。
In the above-described exposure method, a double exposure using two different patterns has been described, but the present invention is not limited to this. That is, it is clear that the above method can be applied mutatis mutandis even when performing three or more exposures on the same substrate. The same applies to the description regarding the pattern transfer order for each lot. For example, considering the case of performing a quadruple exposure now, regarding the first lot,
If the transfer is performed in the order of the fourth pattern to the fourth pattern, the first exposure for the next lot is performed using the fourth pattern.

【0055】また、本発明は、上記したような「アライ
メントステージ21A」、「ウエハ供給アーム21
c」、「露光ステージ11」、「ウエハ回収アーム21
d」から構成された搬送経路という実施形態に限定され
るものではない。例えば、図1において、横軸スライダ
21Xに沿って移動可能な、搬送ロボット21aとは別
の搬送ロボット21b(図1では不図示)を設けるもの
とし、図9に示すような6つのユニットにより構成され
た搬送経路を想定してもよい。すなわち、図9では、先
の実施形態における4つのユニットの他に、「搬送ロボ
ット21a」、「搬送ロボット21b」を新たに加えた
ものを搬送経路としたものとなっている。
Further, the present invention provides the above-described "alignment stage 21A" and "wafer supply arm 21".
c, "exposure stage 11", "wafer collection arm 21"
However, the present invention is not limited to the embodiment in which the transport path is composed of "d". For example, in FIG. 1, a transfer robot 21b (not shown in FIG. 1), which is movable along the horizontal axis slider 21X and is separate from the transfer robot 21a, is provided, and is configured by six units as shown in FIG. May be assumed. That is, in FIG. 9, a transport path newly added with “transport robot 21 a” and “transport robot 21 b” in addition to the four units in the previous embodiment is used as the transport path.

【0056】この場合においては、供給経路は「アライ
メントステージ21A」、「ウエハ供給アーム21
c」、「露光ステージ11」と先の実施形態と変化はな
いが、回収経路は「露光ステージ11」、「ウエハ回収
アーム21d」、「搬送ロボット21a」、「搬送ロボ
ット21b」となる。そして、この最後の「搬送ロボッ
ト21b」から供給経路における「アライメントステー
ジ21A」へとウエハを搬送する経路を結ぶことで、循
環する搬送経路が想定されることになる。このような搬
送経路によっても、多重露光の方法そのものは、上述し
たものを全く同様に準用することができるのは明らかで
ある。特に、この例の場合は、搬送経路上に供給可能な
ウエハ枚数はユニット数6−1で5枚となることがわか
り、先の実施形態に比して処理能力が向上することとな
る。
In this case, the supply paths are “alignment stage 21A” and “wafer supply arm 21”.
c) and the “exposure stage 11” are the same as those in the previous embodiment, but the collection paths are the “exposure stage 11”, “wafer collection arm 21d”, “transfer robot 21a”, and “transfer robot 21b”. Then, by connecting a path for transferring the wafer from the last “transfer robot 21b” to the “alignment stage 21A” in the supply path, a circulating transfer path is assumed. It is apparent that the above-described method can be applied to the multiple exposure method itself by using such a transport path. In particular, in the case of this example, it can be seen that the number of wafers that can be supplied on the transfer path is five with the number of units being 6-1, and the processing capacity is improved as compared with the previous embodiment.

【0057】さらに、この他図1で説明した保管棚21
S、仮置き棚21Q等を利用すれば、さらにユニット数
の多い搬送経路を想定することが可能であり、これに伴
って処理能力も漸次向上していくことがわかる。このと
き、保管棚21Sに保管されるウエハの有無を確認する
ための投光部SP及び受光部SCを補助的に利用すれ
ば、露光作業の効率的な作業を実施することができる。
Further, the storage shelf 21 described with reference to FIG.
By using S, the temporary storage shelf 21Q, and the like, it is possible to assume a transport path having a larger number of units, and it is understood that the processing capacity is gradually improved accordingly. At this time, if the light projecting unit SP and the light receiving unit SC for confirming the presence / absence of a wafer stored in the storage shelf 21S are used in an auxiliary manner, an efficient exposure operation can be performed.

【0058】もっと言えば、本発明は、図1、図2に示
す露光装置の構成に限定されるものではないから、その
他の構成要素を加えた搬送経路に対しても、本発明は適
用可能である。例えば、図10に示すような周縁露光装
置50がアライメントステージ21Aに付設された露光
装置があるが、この周縁露光装置50がアライメントス
テージ21Aとは独立に設けられているような露光装置
である場合においては、当該周縁露光装置50を搬送経
路の構成ユニットとしてカウントしてもよい。ちなみ
に、周縁露光装置50とは、ウエハ周縁部のレジストを
別途感光させることで、ウエハからの発塵を防止するた
めに設けられる装置である。これは、少なくとも回転テ
ーブル51と、露光用照明光を導く光学系52とから構
成されているものである。露光用照明光は前記露光装置
本体10の光源から一部分岐するなどして導けばよい。
ウエハWは前記回転テーブル51上に載置されて回転
し、その周縁部に前記光学系52から露光用照明光を照
射することで周縁部のレジストが感光することになる。
Further, since the present invention is not limited to the configuration of the exposure apparatus shown in FIGS. 1 and 2, the present invention can be applied to a transport path to which other components are added. It is. For example, there is an exposure apparatus in which a peripheral exposure apparatus 50 as shown in FIG. 10 is attached to an alignment stage 21A, and the peripheral exposure apparatus 50 is an exposure apparatus provided independently of the alignment stage 21A. In, the peripheral exposure apparatus 50 may be counted as a constituent unit of the transport path. Incidentally, the peripheral edge exposure device 50 is a device provided to prevent dust from the wafer by separately exposing the resist on the peripheral portion of the wafer. This comprises at least a rotary table 51 and an optical system 52 for guiding illumination light for exposure. The illumination light for exposure may be guided by partially branching from the light source of the exposure apparatus body 10.
The wafer W is placed on the rotary table 51 and rotated, and the peripheral portion is exposed to the illumination light for exposure from the optical system 52, so that the resist at the peripheral portion is exposed.

【0059】要は、どのような構成の露光装置に関して
も、本発明の露光方法は、搬送経路を構成するユニット
を適当に選択すれば、適用可能なものである。ただし、
搬送経路を構成するユニット数を増加すればするほど処
理能力が向上することにはなるが、経時変化の著しいレ
ジストを塗布しなければならない場合等は、1回目の露
光作業から2回目のそれまでに長い間隔をおいてしまっ
てはいけない。このことに関しては、十分な注意を払う
必要がある。
The point is that the exposure method of the present invention can be applied to any type of exposure apparatus if the units constituting the transport path are appropriately selected. However,
As the number of units constituting the transport path increases, the processing capacity improves. However, when it is necessary to apply a resist that changes significantly with time, it is necessary to apply the resist from the first exposure to the second exposure. Don't leave them at long intervals. Great care must be taken in this regard.

【0060】なお、前述の各実施形態では多重露光を前
提としてその露光動作(シーケンス)を説明したが、本
発明は多重露光以外、例えばスティッチング露光などに
全く同様に適用することができる。スティッチング露光
では、基板上で周辺部が部分的に重なる複数の領域にそ
れぞれパターンを転写して大面積の回路パターンを得る
ものであり、その複数の領域の一部で転写すべきパター
ンを異ならせることがある。例えば、第1パターンと第
2パターンとでスティッチング露光を行う場合、第1基
板上の複数のショット領域の半分に対して第lパターン
を転写した後、同一ロット内の残りの基板、即ち第2〜
第n基板(n=(ユニット数−1))に対してそれぞれ
第1パターンを転写する。次に、レチクルを交換すると
ともに、第1基板を露光ステージ11に載置して残りの
ショット領域にそれぞれ第2パターンを転写し、同様に
第2〜第n基板に対してそれぞれ第2パターンを転写す
る。従って、スティッチング露光でも多重露光と全く同
様の効果を得ることができる。
In each of the above embodiments, the exposure operation (sequence) has been described on the premise of multiple exposure. However, the present invention can be applied to other than multiple exposure, such as stitching exposure. In stitching exposure, a large area circuit pattern is obtained by transferring a pattern to a plurality of regions where the peripheral portion partially overlaps on the substrate, and if a pattern to be transferred is different in a part of the plurality of regions. Sometimes For example, when performing the stitching exposure with the first pattern and the second pattern, after transferring the first pattern to half of the plurality of shot areas on the first substrate, the remaining substrates in the same lot, Two
The first pattern is transferred to each of the n-th substrates (n = (number of units−1)). Next, the reticle is replaced, the first substrate is placed on the exposure stage 11, and the second pattern is transferred to the remaining shot areas, and the second pattern is similarly applied to the second to n-th substrates. Transcribe. Therefore, the same effect as in the multiple exposure can be obtained in the stitching exposure.

【0061】また、基板上の多数のショット領域にそれ
ぞれパターンを転写するとき、その多数のショット領域
を複数のブロックに分け、プロツク毎に異なるパターン
を転写することがある。この場合にも本発明を適用する
ことができ、前述した多重露光やスティッチング露光と
全く同様の効果を得ることが可能である。
When transferring a pattern to a large number of shot areas on the substrate, the large number of shot areas may be divided into a plurality of blocks, and a different pattern may be transferred for each block. In this case, the present invention can be applied, and it is possible to obtain exactly the same effects as those of the multiple exposure and the stitching exposure described above.

【0062】なお、前述の各実施形態で基板上の複数の
ショット領域にそれぞれ同一のパターン(例えば、前述
の多重露光では第1パターン又は第2パターン)を転写
するとき、ステップ・アンド・リピート方式とステップ
・アンド・スキャン方式のいずれを用いても構わない。
また、多重露光やスティッチング露光などで用いる複数
のパターンは同一のレチクルに形成してもよいし、ある
いは互いに異なるレチクルに形成してもよい。
In each of the above embodiments, when transferring the same pattern (for example, the first pattern or the second pattern in the above-described multiple exposure) onto a plurality of shot areas on the substrate, a step-and-repeat method is used. And the step-and-scan method may be used.
A plurality of patterns used for multiple exposure, stitching exposure, and the like may be formed on the same reticle, or may be formed on different reticles.

【0063】さらに、露光用照明光は遠紫外域、又は真
空紫外域などに限られるものではなく、レーザプラズマ
光源、又はSORから発生する波長5〜50nm程度の
軟X線領域、例えば波長13.4nm、又は11.5n
mのEUV(Extreme Ultra Violet)光、硬X線、電子線
やイオンビームなどの荷電粒子線を露光用照明光として
用いる露光装置、あるいはプロキシミティ方式の露光装
置などに対しても本発明を適用して同様の効果を得るこ
とが可能である。また、本発明は半導体デバイスなどの
電子デバイスの製造に用いる露光装置だけでなく、撮像
素子(CCDなど)、薄膜磁気へッド、ディスプレイ装
置、マイクロマシン、及ぴレチクル(マスク)などの製
造に用いる露光装置に対しても適用することができる。
Further, the illumination light for exposure is not limited to a far ultraviolet region or a vacuum ultraviolet region, but is a soft X-ray region having a wavelength of about 5 to 50 nm generated from a laser plasma light source or SOR, for example, a wavelength of 13. 4 nm or 11.5 n
The present invention is also applicable to an exposure apparatus using a charged particle beam such as EUV (Extreme Ultra Violet) light, hard X-ray, electron beam, or ion beam as exposure light for exposure, or a proximity type exposure apparatus. Thus, a similar effect can be obtained. The present invention is used not only for an exposure apparatus used for manufacturing an electronic device such as a semiconductor device, but also for an image pickup device (such as a CCD), a thin-film magnetic head, a display device, a micromachine, and a reticle (mask). The present invention can be applied to an exposure apparatus.

【0064】ところで、半導体デバイスなどは、デバイ
スの機能・性能設計を行うステップ、この設計ステップ
に基づいたレチクルを製作するステップ、シリコン材料
からウエハを製作するステップ、図8に示したシーケン
スに従ってレチクルのパターンをウエハに転写するステ
ップ、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボ
ンディング工程、パッケージ工程を含む)、及び検査ス
ナッブ等を経て製造される。
Incidentally, for a semiconductor device or the like, a step of designing the function and performance of the device, a step of manufacturing a reticle based on this design step, a step of manufacturing a wafer from a silicon material, and a step of manufacturing a reticle according to the sequence shown in FIG. It is manufactured through a step of transferring a pattern to a wafer, a step of assembling a device (including a dicing step, a bonding step, and a package step), an inspection snub, and the like.

【0065】[0065]

【発明の効果】以上説明したように、請求項1記載の露
光方法によれば、三以上のユニットを結ぶ搬送経路を基
板が循環することから、マスクパターンの転写を同一基
板に対して複数回実施する場合等、所定の処理を実施す
る作業において、当該基板の動きには無駄がなく速やか
に当該作業を完了することができる。また、基板が所定
ユニットに達し、かつ上記所定の処理が終了していると
判断される場合には、当該基板は前記搬送経路外に取り
出されることから、その搬送経路には新たな基板を導入
することが可能となり、露光作業全体からみてスループ
ット向上を図ることができる。
As described above, according to the first aspect of the present invention, since the substrate circulates through the transport path connecting the three or more units, the transfer of the mask pattern is performed a plurality of times on the same substrate. In the case of performing a predetermined process, for example, when the process is performed, the operation of the substrate can be completed quickly without waste. If it is determined that the substrate has reached the predetermined unit and the predetermined processing has been completed, the substrate is taken out of the transport path, and a new substrate is introduced into the transport path. It is possible to improve the throughput from the viewpoint of the entire exposure operation.

【0066】また、請求項2記載の露光方法によれば、
前記三以上のユニットの少なくとも二つ以上のユニット
に前記基板が供給されることから、当該二つ以上のユニ
ットを占める基板が連続して露光されうることになり、
作業効率を高めることが可能となる。
According to the exposure method of the second aspect,
Since the substrate is supplied to at least two or more units of the three or more units, the substrate occupying the two or more units can be continuously exposed,
Work efficiency can be improved.

【0067】また、請求項3記載の露光方法によれば、
前記所定の処理が多重露光であることから、前記した効
果をより有効に生かすことが可能となる。すなわち、基
板は多重露光開始から終了まで、無駄な動きをすること
なく搬送経路を循環しながらすべての所定の作業が実施
されるから、当該作業を全体的に速やかに完了すること
ができる。このことは、経時変化の著しいレジストを利
用する場合などにおいて、特に効果が大きいことは実施
形態で説明したとおりである。
According to the exposure method of the third aspect,
Since the predetermined processing is a multiple exposure, the above-described effects can be more effectively utilized. That is, from the start to the end of the multiple exposure, all the predetermined operations are performed while circulating through the transport path without making useless movement, so that the operations can be completed as a whole quickly. As described in the embodiment, this is particularly effective when a resist that changes significantly with time is used.

【0068】また、請求項4記載の露光方法は、前記多
重露光を実施する際において、最初の基板に関する多重
露光が完了した時点で使用されていたパターンを、次に
供給される基板に対して露光作業を実施するときには交
換しないことから、パターン交換にかかる手間を省くこ
ととなって、スループットの向上が図れる。
According to a fourth aspect of the present invention, in performing the multiple exposure, the pattern used at the time when the multiple exposure for the first substrate is completed is transferred to the next substrate to be supplied. Since the exchange is not performed when the exposure operation is performed, the trouble of pattern exchange can be saved, and the throughput can be improved.

【0069】また、請求項5記載の露光方法によれば、
第1パターンの転写を受けた基板は、退出位置を含む第
2経路の途中から、投入位置を含む第1経路に戻され
る。そして、この第1経路に戻された基板は後に第2パ
ターンの転写が実施される。したがって、複数のパター
ンに関する露光作業を連続的に実施することが可能とな
ることを示唆し、当該露光作業を迅速に完了することが
できる。
According to the exposure method of the fifth aspect,
The substrate having received the transfer of the first pattern is returned to the first path including the input position from the middle of the second path including the exit position. Then, the substrate returned to the first path is subjected to the transfer of the second pattern later. Therefore, it is suggested that the exposure operation for a plurality of patterns can be continuously performed, and the exposure operation can be completed quickly.

【0070】また、請求項6記載の露光方法によれば、
ある基板に対して、前記第1パターンを転写してから、
前記第2経路より第1経路に再搬入するまでの間に、こ
れとは別の基板に対して前記第1パターンの転写を行う
ため、第1及び第2経路には複数の基板が供給されてい
ることとなり、前記複数のパターンに関する露光作業
は、複数の基板に対して一挙に実施することができ、こ
の作業を迅速化し、かつその効率を高めることができ
る。
According to the exposure method of the sixth aspect,
After transferring the first pattern to a certain substrate,
A plurality of substrates are supplied to the first and second paths to transfer the first pattern to another substrate before the second path is re-loaded into the first path. Thus, the exposure operation for the plurality of patterns can be performed on a plurality of substrates at a time, and this operation can be speeded up and the efficiency can be increased.

【0071】また、請求項7記載の露光方法によれば、
前記基板の1ロットの枚数を、前記露光処理部に再搬入
する経路上で前記基板を保持可能な少なくとも3つのユ
ニットの数よりも少ない枚数となるよう定義しているこ
とから、第1、第2経路を基板が循環することが可能と
なって、前記複数のパターンに関する露光作業を滞りな
く実施することができる。
According to the exposure method of the seventh aspect,
Since the number of one lot of the substrate is defined to be smaller than the number of at least three units capable of holding the substrate on the path for re-transferring to the exposure processing section, The substrate can circulate in two paths, so that the exposure operation for the plurality of patterns can be performed without delay.

【0072】また、請求項8記載の露光方法によれば、
前記1ロットの基板枚数は、前記少なくとも3つのユニ
ットの数よりもlつ少ないことから、前記第1、第2経
路を循環可能な最大限の基板が処理されることになり、
前記作業の効率をより高めることができる。
According to the exposure method of the eighth aspect,
Since the number of substrates in one lot is one less than the number of the at least three units, the maximum number of substrates that can be circulated through the first and second paths is processed,
The efficiency of the work can be further improved.

【0073】また、請求項9記載の露光方法によれば、
1つのロットの基板処理終了後、次ロットの基板を転写
する作業は、第2パターンを第1パターンに切り替える
ことなく開始するため、ロット単位毎の露光作業におい
て、パターン交換の手間を省くことが可能となり、作業
をさらに迅速に実施することができる。
According to the exposure method of the ninth aspect,
After the substrate processing of one lot is completed, the operation of transferring the substrate of the next lot is started without switching the second pattern to the first pattern. Therefore, in the exposure operation for each lot, it is possible to save the trouble of pattern exchange. It is possible and work can be performed more quickly.

【0074】また、請求項10記載の露光方法によれ
ば、第1経路上にアライメントステーションが配置され
ており、前記第2経路から第1経路に戻される基板は当
該アライメントステーションを経て露光処理部に再搬入
されることから、露光処理部において受け入れる基板
は、ある程度正確な位置決めがなされたものとなってい
る。したがって、露光処理部で実施する、より精緻な位
置決めを迅速に完了することができるとともに、正確な
転写作業を期待することができる。また、このことは第
1、第2経路上にある全ての基板に対していえることで
あるから、作業全体の迅速化と正確性の向上を図ること
ができる。
According to the exposure method of the tenth aspect, the alignment station is disposed on the first path, and the substrate returned from the second path to the first path passes through the exposure processing unit via the alignment station. The substrate to be received in the exposure processing unit has been accurately positioned to some extent. Therefore, more precise positioning performed by the exposure processing section can be completed quickly, and an accurate transfer operation can be expected. In addition, since this can be applied to all the substrates on the first and second paths, it is possible to speed up the entire operation and improve the accuracy.

【0075】また、請求項11記載の露光方法によれ
ば、基板を多重露光するため、前記各効果を多重露光と
いうもっとも適した露光方式において、最大限享受する
ことができる。
According to the exposure method of the eleventh aspect, since the substrate is subjected to multiple exposure, each of the effects can be enjoyed to the maximum in the most suitable exposure method of multiple exposure.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 露光装置を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing an exposure apparatus.

【図2】 図1に示す露光装置のA−A断面の矢視図で
ある。
FIG. 2 is a sectional view of the exposure apparatus shown in FIG.

【図3】 図1、図2における露光装置に備えられた搬
送ロボットを拡大して示した平面図である。
FIG. 3 is an enlarged plan view showing a transfer robot provided in the exposure apparatus in FIGS. 1 and 2;

【図4】 図l、図2における露光装置に備えられたア
ライメントステージに係る部位を拡大して示した平面図
である。
FIG. 4 is an enlarged plan view showing a portion related to an alignment stage provided in the exposure apparatus in FIGS. 1 and 2;

【図5】 図4に示すアライメントステージに付設され
ている中心出しセンサを示した正面図である。
FIG. 5 is a front view showing a centering sensor attached to the alignment stage shown in FIG. 4;

【図6】 図1、図2における露光装置に備えられた保
管棚を拡大して示した側面図である。
FIG. 6 is an enlarged side view of a storage shelf provided in the exposure apparatus in FIGS. 1 and 2;

【図7】 図1、図2に示す露光装置における、ウエハ
の循環搬送経路を模式的に示した説明図である。
FIG. 7 is an explanatory view schematically showing a wafer circulating transfer path in the exposure apparatus shown in FIGS. 1 and 2.

【図8】 図1、図2に示す露光装置を用いた、本実施
形態における露光方法を図示した説明図である。
FIG. 8 is an explanatory diagram illustrating an exposure method in the present embodiment using the exposure apparatus shown in FIGS. 1 and 2;

【図9】 図7に示す搬送経路とは別形態となるものを
模式的に示した説明図である。
FIG. 9 is an explanatory diagram schematically showing a configuration different from the transport path shown in FIG. 7;

【図10】 周縁露光装置を示した側面図である。FIG. 10 is a side view showing a peripheral edge exposure apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 露光ステージ 21A アライメントステージ(アライメントステーシ
ョン) 21a、21b 搬送ロボット(ユニット) 21c、21d ウエハ供給回収アーム(ユニット) 21S 保管棚 21Q 仮置き棚 50 周縁露光装置 W、W1、W2、W3 ウエハ〈基板)
11 Exposure Stage 21A Alignment Stage (Alignment Station) 21a, 21b Transfer Robot (Unit) 21c, 21d Wafer Supply / Recovery Arm (Unit) 21S Storage Shelf 21Q Temporary Shelf 50 Peripheral Exposure Device W, W1, W2, W3 Wafer <Substrate>

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/68 H01L 21/30 514D 514A Fターム(参考) 5F031 CA02 CA07 DA17 FA01 FA04 FA07 FA12 FA13 FA14 FA15 GA45 GA47 GA48 GA49 HA13 HA59 JA05 JA14 JA15 JA17 JA22 JA28 JA29 JA32 JA34 JA35 JA38 KA06 KA07 KA08 KA10 KA11 KA13 KA14 MA03 MA06 MA13 MA24 MA26 MA27 PA03 5F046 AA13 BA04 CA04 CD01 CD03 CD05 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 21/68 H01L 21/30 514D 514A F term (Reference) 5F031 CA02 CA07 DA17 FA01 FA04 FA07 FA12 FA13 FA14 FA15 GA45 GA47 GA48 GA49 HA13 HA59 JA05 JA14 JA15 JA17 JA22 JA28 JA29 JA32 JA34 JA35 JA38 KA06 KA07 KA08 KA10 KA11 KA13 KA14 MA03 MA06 MA13 MA24 MA26 MA27 PA03 5F046 AA13 BA04 CA04 CD01 CD03 CD05

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 三以上からなるユニットを結ぶ搬送経路
を循環する基板があって、前記三以上のユニットのうち
の一つにおいてマスクのパターンを前記基板上に転写す
る露光方法において、 前記三以上のユニットのうちの所定のユニットに達した
基板について所定の処理が終了していると判断される場
合には、前記搬送経路外に前記基板を取り出すことを特
徴とする露光方法。
1. An exposure method, comprising: a substrate circulating in a transport path connecting three or more units, and transferring a mask pattern onto the substrate in one of the three or more units. An exposure method that, when it is determined that predetermined processing has been completed for a substrate that has reached a predetermined unit among the units, the substrate is taken out of the transport path.
【請求項2】 前記三以上のユニットの少なくとも二つ
のユニットに前記基板が供給されることを特徴とする請
求項1記載の露光方法。
2. The exposure method according to claim 1, wherein the substrate is supplied to at least two of the three or more units.
【請求項3】 前記所定の処理とは、前記マスクのパタ
ーンを交換しつつ、前記基板一枚に対して複数回の前記
転写を実施することである請求項1又は2記載の露光方
法。
3. The exposure method according to claim 1, wherein the predetermined processing is to perform the transfer a plurality of times on one substrate while exchanging the pattern of the mask.
【請求項4】 前記搬送経路途上にある前記基板に対し
て前記所定の処理が完了し、当該基板が前記搬送経路外
に取り出された後に、 続いて供給される基板に関する前記転写は、それまで用
いられていた前記マスクのパターンを交換せずに用いて
実施されることを特徴とする請求項3記載の露光方法。
4. After the predetermined processing is completed on the substrate on the transfer path, and the substrate is taken out of the transfer path, the transfer of a subsequently supplied substrate is performed until then. 4. The exposure method according to claim 3, wherein the exposure method is performed without replacing the used pattern of the mask.
【請求項5】 同一の露光装置を用いて複数の基板にそ
れぞれ第1及び第2のパターンを転写する露光方法にお
いて、 前記露光装置内で前記基板をその投入位置から第1経路
に沿って露光処理部に搬送し、前記露光処理部で前記第
1パターンが転写された基板を、外部搬出するための退
出位置に搬送する第2経路の途中で前記第1経路に戻
し、前記露光処理部で前記基板に対する前記第2パター
ンの転写を実行することを特徴とする露光方法。
5. An exposure method for transferring a first pattern and a second pattern onto a plurality of substrates by using the same exposure apparatus, wherein the substrate is exposed along a first path from an input position of the substrate in the exposure apparatus. Transporting the substrate on which the first pattern has been transferred by the exposure processing section to the first path in the middle of a second path for transporting the substrate to an exit position for unloading to the outside; An exposure method, wherein the transfer of the second pattern to the substrate is performed.
【請求項6】 前記露光処理部で前記第1パターンが転
写された基板を、前記第2経路の途中で前記第1経路に
戻して前記露光処理部に再搬入する間に、少なくとも1
枚の基板に前記第1パタ一ンを転写することを特徴とす
る請求項5記載の露光方法。
6. A method according to claim 1, wherein the substrate on which the first pattern has been transferred by the exposure processing section is returned to the first path in the middle of the second path and re-loaded into the exposure processing section.
6. The exposure method according to claim 5, wherein the first pattern is transferred to a single substrate.
【請求項7】 前記第1パターンが転写された基板を前
記露光処理部に再搬入する経路上で前記基板を保持可能
な少なくとも3つのユニットの数よりも少ない枚数の基
板を1ロットとし、該ロット毎に前記第1及び第2パタ
ーンの転写を行うことを特徴とする請求項5記載の露光
方法。
7. A lot having a number of substrates smaller than the number of at least three units capable of holding the substrates on a path for re-transferring the substrates onto which the first pattern has been transferred to the exposure processing unit, 6. The exposure method according to claim 5, wherein the first and second patterns are transferred for each lot.
【請求項8】 前記1ロットの基板枚数は、前記少なく
とも3つのユニットの数よりも1つ少ないことを特徴と
する請求項7記載の露光方法。
8. The exposure method according to claim 7, wherein the number of substrates in one lot is one less than the number of said at least three units.
【請求項9】 前記第1パターンが転写された1つのロ
ットの基板に前記第2パターンを転写した後、前記第2
パターンを前記第1パターンに切り換えることなく次ロ
ットの基板に前記第2パターンを転写することを特徴と
する請求項7又は8記載の露光方法。
9. The method according to claim 1, wherein the second pattern is transferred to a substrate of one lot to which the first pattern has been transferred.
9. The exposure method according to claim 7, wherein the second pattern is transferred onto a substrate of a next lot without switching the pattern to the first pattern.
【請求項10】 前記基板の位置情報を検出するアライ
メントステーションが前記第1経路上に配置され、前記
第2経路から前記第1経路に戻される基板は、前記アラ
イメントステーションを経て前記露光処理部に再搬入さ
れることを特徴とする請求項5〜9のいずれかに記載の
露光方法。
10. An alignment station for detecting positional information of the substrate is arranged on the first path, and a substrate returned from the second path to the first path is sent to the exposure processing section via the alignment station. The exposure method according to claim 5, wherein the exposure method is re-loaded.
【請求項11】 前記露光処理部は、前記第1及び第2
パターンを用いて前記基板を多重露光することを特徴と
する請求項5〜10のいずれかに記載の露光方法。
11. The exposure processing unit according to claim 1, wherein the first and second exposure processing units include:
The exposure method according to any one of claims 5 to 10, wherein the substrate is subjected to multiple exposure using a pattern.
【請求項12】 請求項1〜11のいずれか一項に記載
の露光方法を用いて、感光基板上にデバイスパターンを
転写する工程を含むことを特徴とするデバイス製造方
法。
12. A device manufacturing method, comprising a step of transferring a device pattern onto a photosensitive substrate using the exposure method according to claim 1.
JP2000046559A 2000-02-23 2000-02-23 Exposure method and device manufacturing method Withdrawn JP2001237167A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000046559A JP2001237167A (en) 2000-02-23 2000-02-23 Exposure method and device manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000046559A JP2001237167A (en) 2000-02-23 2000-02-23 Exposure method and device manufacturing method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001237167A true JP2001237167A (en) 2001-08-31

Family

ID=18568950

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000046559A Withdrawn JP2001237167A (en) 2000-02-23 2000-02-23 Exposure method and device manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001237167A (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005026649A (en) * 2002-12-10 2005-01-27 Nikon Corp Exposing method, aligner, and device manufacturing method
JP2009060099A (en) * 2007-08-15 2009-03-19 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2011119442A (en) * 2009-12-03 2011-06-16 Canon Inc Substrate transfer apparatus, aligner using the same, and method of manufacturing device
JP2013120788A (en) * 2011-12-06 2013-06-17 National Institute Of Advanced Industrial & Technology System and method for exposure
JP2021170112A (en) * 2018-01-09 2021-10-28 バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド System and method for forming diffracted optical element having various gratings

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005026649A (en) * 2002-12-10 2005-01-27 Nikon Corp Exposing method, aligner, and device manufacturing method
JP4701606B2 (en) * 2002-12-10 2011-06-15 株式会社ニコン Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2009060099A (en) * 2007-08-15 2009-03-19 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8896809B2 (en) 2007-08-15 2014-11-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2011119442A (en) * 2009-12-03 2011-06-16 Canon Inc Substrate transfer apparatus, aligner using the same, and method of manufacturing device
JP2013120788A (en) * 2011-12-06 2013-06-17 National Institute Of Advanced Industrial & Technology System and method for exposure
US9513567B2 (en) 2011-12-06 2016-12-06 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology Exposure apparatus and exposure method
JP2021170112A (en) * 2018-01-09 2021-10-28 バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド System and method for forming diffracted optical element having various gratings
JP7121462B2 (en) 2018-01-09 2022-08-18 バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド Systems and methods for forming diffractive optical elements with various gratings

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6511315B2 (en) Substrate processing apparatus
US7955011B2 (en) Coating and developing apparatus, substrate processing method, and storage medium
US7145643B2 (en) Interface unit, lithographic projection apparatus comprising such an interface unit and a device manufacturing method
US7726891B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
TWI471900B (en) Exposure method, exposure apparatus, exposure system, and device manufacturing method
JP3734095B2 (en) Substrate processing equipment
JP4304169B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6023068A (en) Semiconductor device manufacturing apparatus
US6445441B1 (en) Exposure apparatus, semiconductor manufacturing apparatus, and semiconductor manufacturing method
US6580958B1 (en) Semiconductor manufacturing apparatus and device manufacturing method
US6680775B1 (en) Substrate treating device and method, and exposure device and method
JP2001237167A (en) Exposure method and device manufacturing method
US6930762B2 (en) Master transport apparatus
US6406834B1 (en) Lithographic projection method
JP2008098635A (en) Lithographic equipment, combination of lithographic equipment and processing module, and device manufacturing method
US6903799B2 (en) Exposure method and exposure apparatus
JPH11251236A (en) Exposure method and aligner thereof
JP2000068351A (en) Substrate processing apparatus
JPH11214484A (en) Substrate detector
JP3818620B2 (en) Exposure equipment
JP2009076579A (en) Workpiece processing system, workpiece processing method, exposure apparatus, exposure method, coater/developer, coating/developing method and device manufacturing method
JP2011047972A (en) Exposure apparatus, and method of manufacturing device using the same
JP2009076581A (en) Object processing system, object processing method, processing apparatus, substrate processing method, and device manufacturing method
JP4784860B2 (en) Processing apparatus, processing method, and exposure apparatus
JP2009076582A (en) Exposure device, exposure method, and device manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20070501