JP2001233633A - 光ファイバ母材及びその製造方法 - Google Patents

光ファイバ母材及びその製造方法

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JP2001233633A
JP2001233633A JP2000044624A JP2000044624A JP2001233633A JP 2001233633 A JP2001233633 A JP 2001233633A JP 2000044624 A JP2000044624 A JP 2000044624A JP 2000044624 A JP2000044624 A JP 2000044624A JP 2001233633 A JP2001233633 A JP 2001233633A
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dopant
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preform
optical fiber
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Tomohiro Ishihara
朋浩 石原
Masashi Onishi
正志 大西
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Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 コア領域への第２ドーパントの添加が抑制さ
れて、光ファイバでの伝送損失が向上される光ファイバ
母材、及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 多孔質ガラスプリフォーム作成時にコア
領域１０に添加される第１ドーパントＧｅの濃度分布に
おいて、グレーデッド型の濃度分布の外周部分に、角状
に突出した高濃度部を有する中間領域２０を形成する。
そして、選択焼結によって中間領域２０内の部位などを
選択的に高密度化した後、気化された第２ドーパントＦ
を含む雰囲気内にプリフォームを露呈して、高密度化さ
れていないクラッド領域３０にＦを吸収させて添加す
る。これによって、コア領域１０へのＦの余分な添加が
抑制され、光ファイバの伝送損失を向上することが可能
な光ファイバ母材が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、グレーデッド型の
屈折率分布を有する光ファイバ母材、及びその製造方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】グレーデッド型の屈折率分布を有する光
ファイバ母材の製造工程において、Ｇｅ（ゲルマニウ
ム）などの第１ドーパントが添加されて形成された多孔
質ガラスプリフォームに対して、さらにＦ（フッ素）な
どの第２ドーパントを添加して、光ファイバ母材のコア
領域及びクラッド領域を形成する方法が用いられる。
【０００３】従来のこのような第２ドーパントの添加方
法としては、中心軸を含む光ファイバ母材のコア領域に
第１ドーパントが所定の濃度分布で添加された多孔質ガ
ラスプリフォームを作成した後、その多孔質ガラスプリ
フォームを加熱することによって高密度化を行って、プ
リフォーム内に第１ドーパントの濃度分布に応じた嵩密
度分布を形成する方法がある。すなわち、ＳｉＯ2など
を主成分とするプリフォームの高密度化温度（透明化温
度、軟化温度）は、第１ドーパントを添加することによ
って低下する。このため、適当な加熱温度によって加熱
を行うと、その濃度分布に応じて、高濃度部分で選択的
に高密度化が起こる。
【０００４】このとき、コア外側のクラッド領域は、第
１ドーパントが添加されていないため、高密度化温度が
コア領域よりも高く、この加熱工程では高密度化されな
い。そして、この加熱工程の後に、多孔質ガラスプリフ
ォームを第２ドーパント雰囲気中に露呈させて、気化さ
れた第２ドーパントを吸収させると、高密度化されてい
ないクラッド領域に選択的に第２ドーパントが添加され
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、グレー
デッド型の屈折率分布を得るための第１ドーパントの濃
度分布においては、第１ドーパントの濃度はコア領域の
外周近傍では低濃度であり、その外周近傍の領域に対す
る高密度化温度は、第１ドーパントが添加されていない
クラッド領域とほぼ等しくなる。
【０００６】このため、この外周領域は、第２ドーパン
ト添加前の加熱工程において充分に高密度化されないこ
ととなり、コア領域内にも第２ドーパントが余分に吸収
されてしまう。このようにコア領域内に第２ドーパント
が添加されると、光ファイバとしての伝送損失が劣化し
てしまうという問題を生じる。
【０００７】本発明は、以上の問題点に鑑みてなされた
ものであり、コア領域への第２ドーパントの添加が抑制
されて、光ファイバでの伝送損失が向上される光ファイ
バ母材、及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明による光ファイバ母材の製造方法は、
（１）第１ドーパントが添加されたコア領域と、コア領
域の外周に設けられた領域の内側及び外側の両端部で該
端部での第１ドーパントの濃度よりも高い濃度の所定の
ドーパントが添加された中間領域と、中間領域の外周に
設けられたクラッド領域とを有する多孔質ガラスプリフ
ォームを作成するプリフォーム作成工程と、（２）多孔
質ガラスプリフォームを加熱して、中間領域の一部を少
なくとも含む部位を選択的に高密度化する高密度化工程
と、（３）選択的に高密度化された多孔質ガラスプリフ
ォームを、第２ドーパントを含む雰囲気中に露呈させ
て、クラッド領域に第２ドーパントを吸収させて添加す
るドーパント吸収工程と、（４）第２ドーパントが添加
された多孔質ガラスプリフォームを加熱焼結して透明化
し、コア領域内にグレーデッド型の屈折率分布を有する
透明ガラスプリフォームとする透明化工程とを備えるこ
とを特徴とする。
【０００９】また、光ファイバ母材は、（ａ）第１ドー
パントが添加され、領域内にグレーデッド型の屈折率分
布を有するコア領域と、（ｂ）コア領域の外周に設けら
れた領域の内側及び外側の両端部で該端部での第１ドー
パントの濃度よりも高い濃度の所定のドーパントが添加
された中間領域と、（ｃ）中間領域の外周に設けられ、
第２ドーパントが添加されたクラッド領域とを備えるこ
とを特徴とする。
【００１０】上記した光ファイバ母材及びその製造方法
では、コア領域の外周、すなわちグレーデッド型に分布
した第１ドーパントの濃度分布の低濃度となる外周近傍
の領域に、濃度分布が高濃度部を有して角状に突出した
中間領域を形成している。
【００１１】このとき、多孔質ガラスプリフォームを加
熱する高密度化工程において、中間領域の角状の高濃度
部分などが選択的に高密度化され（選択焼結）、ドーパ
ント吸収工程において第２ドーパントが通過できない高
密度領域が形成される。これによって、コア領域への第
２ドーパントの余分な添加が抑制されて、伝送損失が低
減された光ファイバを実現する光ファイバ母材が得られ
る。
【００１２】また、第２ドーパント添加前の選択焼結に
おいて、コア領域内からクラッド領域側へと第１ドーパ
ントが一部流出してしまう場合があるが、上記した構成
及び製造方法によれば、外周にある中間領域が先に高密
度化するため、選択焼結中での第１ドーパントの流出も
同時に低減することができる。
【００１３】また、プリフォーム作成工程において、中
間領域に添加される所定のドーパントは、第１ドーパン
トであることを特徴とする。この場合、多孔質ガラスプ
リフォームの作成時に、第１ドーパントの濃度分布を調
整するのみで、グレーデッド型の濃度分布を有するコア
領域、及び角状の濃度分布を有する中間領域を形成する
ことができる。ただし、この中間領域に用いるドーパン
トは、選択焼結での高密度化が可能なものであれば、第
１ドーパントとは異なるドーパントであっても良い。
【００１４】また、プリフォーム作成工程において、Ｖ
ＡＤ法またはＯＶＤ法によって多孔質ガラスプリフォー
ムを作成することが好ましい。これらの合成方法によれ
ば、コア領域及び中間領域での上記したドーパントの濃
度分布を好適に実現することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面とともに本発明による
光ファイバ母材、及びその製造方法の好適な実施形態に
ついて詳細に説明する。なお、図面の説明においては同
一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
また、図面の寸法比率は、説明のものと必ずしも一致し
ていない。
【００１６】図１は、本発明による光ファイバ母材によ
って得られる光ファイバの一実施形態の断面構造、及び
ファイバ径方向（図中の線Ｌで示された方向）の屈折率
プロファイルを模式的に示す図である。この光ファイバ
は、光ファイバの中心軸を含むコア領域１と、コア領域
１の外周に設けられた中間領域２と、中間領域２の外周
に設けられたクラッド領域３とを有して構成されてい
る。
【００１７】なお、図１に示された屈折率プロファイル
の横軸は、スケールは異なるが、図中の断面構造に示さ
れた線Ｌに沿った、コア部１ａの中心軸に対して垂直な
断面上の各位置に相当している。したがって、図中の屈
折率プロファイルにおいて、コア領域１はコア部１ａの
線Ｌ上の領域、中間領域２は中間部２ａの線Ｌ上の領
域、クラッド領域３はクラッド部３ａの線Ｌ上の領域、
にそれぞれ対応している。また、屈折率プロファイルの
縦軸について、比較のため、純粋ＳｉＯ2での屈折率を
点線によって示している。
【００１８】この光ファイバは、ＳｉＯ2（石英ガラ
ス）を主成分とする光導波路である。コア領域１は、グ
レーデッドインデックス型の屈折率プロファイルとなる
ように形成されている。また、コア領域１の外周にある
中間領域２は、グレーデッド型の屈折率プロファイルか
ら角状に突出するプロファイルを有している。
【００１９】上記した構成を有する光ファイバが得られ
る光ファイバ母材の製造方法について、その実施例とと
もに説明する。
【００２０】本発明による光ファイバ母材の製造方法に
おいては、まず、ＳｉＯ2を主成分とするガラス微粒子
堆積体（スス体）である多孔質ガラスプリフォームを、
気相合成法によって作成する（プリフォーム作成工
程）。この多孔質ガラスプリフォームには、光ファイバ
のコア領域１を形成するため、純粋ＳｉＯ2に比べて屈
折率を高くさせる第１ドーパントとして、Ｇｅ（ゲルマ
ニウム）がＧｅＯ2などとして添加される。なお、気相
合成法としては、Ｇｅの好適な濃度分布を得るためにＶ
ＡＤ法またはＯＶＤ法を用いることが好ましい。
【００２１】図２は、多孔質ガラスプリフォームに添加
される第１ドーパントＧｅの濃度プロファイルの一例を
示すグラフである。このグラフでは、横軸はガラスプリ
フォーム内における径方向の位置を示し、縦軸はそれぞ
れの部位で添加されているＧｅの添加濃度を重量％によ
って示している。また、径方向の位置については、グラ
フの右端軸がガラスプリフォームの中心軸（図１に示し
た光ファイバのコア部１ａの中心軸に相当）の位置とな
っている。
【００２２】この多孔質ガラスプリフォーム内は、図２
に示すように、Ｇｅの添加濃度に関して、プリフォーム
の中心軸を含むコア領域１０と、コア領域１０の外周に
設けられた中間領域２０と、中間領域２０の外周に設け
られたクラッド領域３０との３つの領域に分けられる。
プリフォームの内側部分であるコア領域１０は、光ファ
イバのコア領域１（図１）となる領域であり、グレーデ
ッド型の濃度分布となるようにＧｅが添加されている。
また、プリフォームの外側部分であるクラッド領域３０
は、光ファイバのクラッド領域３となる領域であり、Ｇ
ｅがほとんど添加されない領域となっている。
【００２３】コア領域１０及びクラッド領域３０に挟ま
れている中間領域２０は、コア領域１０におけるグレー
デッド型の濃度分布の外周部分に形成されている。この
中間領域２０内への第１ドーパントＧｅの添加について
は、中間領域２０のコア領域１０側（内側）の端部２０
ａでのＧｅの濃度、及びクラッド領域３０側（外側）の
端部２０ｂでのＧｅの濃度のいずれよりも高い濃度にＧ
ｅが添加された高濃度部２０ｃを有して角（つの）状に
突出した濃度分布となるように、Ｇｅが添加されてい
る。なお、この多孔質ガラスプリフォームの段階では、
本実施形態ではいずれの領域１０〜３０に対しても第１
ドーパントＧｅ以外のドーパントは添加されていない。
【００２４】次に、得られた多孔質ガラスプリフォーム
を加熱して、上記したＧｅの濃度分布に対応した嵩密度
となるように、選択的に高密度化する（高密度化工
程）。まず、作成された多孔質ガラスプリフォームを焼
結炉に入れ、温度１０００℃〜１３００℃、好ましくは
１３００℃に加熱して、Ｃｌ2（塩素）及びＨｅ（ヘリ
ウム）の混合ガス雰囲気中で脱水処理する。脱水が終了
したら、続いて、Ｈｅ雰囲気中において温度１３００〜
１４５０℃、好ましくは１４００℃で多孔質ガラスプリ
フォームを長時間保持して、プリフォームの所定部位を
選択的に高密度化（透明化）させる選択焼結を行う。
【００２５】ここで、本工程における高密度化は、純粋
なＳｉＯ2が透明化される温度よりも低い温度での加熱
焼結によって行われる。このとき、第１ドーパントＧｅ
が添加されている部位は、高密度化温度がドーパントに
より添加濃度に応じて低くなっており、Ｇｅが高濃度で
添加されている部位において選択的に高密度化が起こ
る。
【００２６】すなわち、多孔質ガラスプリフォームの領
域１０〜３０のうち、Ｇｅがほとんど添加されていない
クラッド領域３０では高密度化が起こらず、この領域は
多孔質のスス体のままとなる。一方、コア領域１０及び
中間領域２０では、それぞれの領域内の各部位でのＧｅ
の添加濃度分布に応じて選択的に高密度化が起こり、濃
度分布に対応した嵩密度分布が形成される。
【００２７】本実施形態においては、図２に示すよう
に、プリフォームの中心軸を含むコア領域１０内の部
位、及び中間領域２０の高濃度部２０ｃ等のＧｅ高濃度
部分が、選択的に高密度化される。なお、コア領域１０
及び中間領域２０のどの領域範囲までが高密度化される
かは、選択焼結時の温度設定などによって調整すること
が可能である。
【００２８】次に、高密度化後の多孔質ガラスプリフォ
ームに対して、光ファイバのクラッド領域３を形成する
ため、純粋ＳｉＯ2に比べて屈折率を低くさせる第２ド
ーパントとして、Ｆ（フッ素）を吸収させて添加する
（ドーパント吸収工程）。本工程においては、温度は高
密度化工程と同じ温度１３００〜１４５０℃、好ましく
は１４００℃に保持されるとともに、雰囲気がＨｅ及び
Ｆの混合ガスとされる。そして、選択焼結された多孔質
ガラスプリフォームが、この混合ガス雰囲気中に露呈さ
れて、気化されたＦの吸収によるプリフォーム内への添
加が行われる。
【００２９】図３は、Ｆ添加後のプリフォームにおける
第２ドーパントＦの濃度プロファイル（重量％）を示す
グラフである。また、図２に示した第１ドーパントＧｅ
の濃度プロファイルについても、点線で示してある。た
だし、Ｆ及びＧｅのそれぞれの濃度プロファイルの縦軸
スケール（重量％）は、グラフの右端軸及び左端軸に示
すように、それぞれ異なっている。
【００３０】ここで、クラッド領域３０は高密度化工程
においてほとんど高密度化されていないので、図３に示
すように、雰囲気中の気化されたＦがその内部に吸収さ
れて所定濃度に添加される。一方、中間領域２０内の高
濃度部２０ｃは、上記したようにＧｅの添加濃度が高
く、高密度化工程において選択的に高密度化されてい
る。したがって、クラッド領域３０内に吸収されたＦは
中間領域２０を通過することができず、中間領域２０よ
りも内側にあるコア領域１０内には、第２ドーパントＦ
は添加されない。
【００３１】第２ドーパントＦの添加を終了したら、多
孔質ガラスプリフォームを加熱焼結して透明化する（透
明化工程）。Ｆが添加された多孔質ガラスプリフォーム
の温度を１４５０〜１６００℃、好ましくは１５５０℃
まで上げ、Ｈｅ雰囲気中において焼結させてスス体を透
明化し、焼結体である透明ガラスプリフォームとする。
そして、この透明ガラスプリフォームを光ファイバ母材
として線引きすることによって、図１に示したような屈
折率分布を有する光ファイバが得られる。なお、図３に
示したＧｅ及びＦの濃度プロファイルは、光ファイバ母
材である透明ガラスプリフォームでの濃度プロファイル
を示している。
【００３２】上記した実施形態においては、グレーデッ
ド型の濃度分布に第１ドーパントＧｅが添加されている
コア領域１０の外周部分に、高濃度部２０ｃを有して角
状の濃度分布となる中間領域２０を形成する。そして、
プリフォーム全体を透明化して透明ガラスプリフォーム
とする透明化工程での加熱焼結よりもやや低い温度で選
択焼結を行って、高密度部２０ｃを含むＧｅ高濃度部分
を選択的に高密度化している。この状態において、第２
ドーパントＦを含む雰囲気中で、多孔質ガラスプリフォ
ームへの気化されたＦの吸収による添加を行うと、Ｆは
既に高密度化されている中間領域２０を通過できずに、
図３に示すように、クラッド領域３０に対して選択的に
添加される。
【００３３】図４は、上記した光ファイバ母材の製造方
法におけるドーパントの添加過程について、その濃度分
布に対応する屈折率プロファイルによって示す模式図で
ある。図４（ａ）は、第１ドーパントＧｅが添加された
多孔質ガラスプリフォーム（スス体）の段階（プリフォ
ーム作成工程後の段階）でのＧｅの濃度分布に相当する
屈折率プロファイルを示している。一方、図４（ｂ）
は、第２ドーパントＦがさらに添加された後に加熱焼結
された透明ガラスプリフォーム（焼結体）の段階（透明
化工程後の段階）でのＧｅ及びＦの濃度分布に相当する
屈折率プロファイルを示している。
【００３４】この図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、
中間領域２０の選択焼結を行うことによって、コア領域
１０（コア領域１）内には余分なＦは添加されず、その
屈折率プロファイルも変化しない。したがって、クラッ
ド領域３となるクラッド領域３０のみにＦが効率的に添
加されて屈折率が低くされ、グレーデッド型のコアを有
する好適な屈折率プロファイルが得られる。また、コア
領域１内に余分なＦが添加されることによる光ファイバ
の伝送損失の劣化が抑制される。
【００３５】また、選択焼結を行う高密度化工程におい
て、コア領域１０内に添加されている第１ドーパントＧ
ｅの一部が、加熱時にクラッド領域３０に流出してしま
う場合がある。これに対しても、上記した濃度分布によ
るＧｅ添加を用いれば、選択焼結したときに、グレーデ
ッド型の濃度分布を有するコア領域１０の外周にある中
間領域２０が先に高密度化するため、選択焼結時のＧｅ
の流出についても同時に低減される。
【００３６】上記の製造方法及びＧｅ、Ｆの濃度分布に
よって作成された透明ガラスプリフォーム（光ファイバ
母材）を線引きして光ファイバとしたところ、その伝送
損失は０．２ｄＢ／ｋｍとなり、コア領域１にＦが添加
されないことによって、伝送損失の小さい光ファイバが
得られた。
【００３７】上記の実施例に対する比較例として、図５
に示すようなＧｅの濃度プロファイルの多孔質ガラスプ
リフォームを作成し、実施例と同様の工程を経て透明ガ
ラスプリフォームを形成した。得られた透明ガラスプリ
フォームを調べたところ、図６に示すように、コア領域
内にもＦが吸収され、コア中心までＦが添加されてい
た。この透明ガラスプリフォーム（光ファイバ母材）を
線引きして光ファイバとしたところ、その伝送損失は
０．２３ｄＢ／ｋｍとなり、コアへのＦの余分な添加に
よって、実施例よりも伝送損失の大きい光ファイバとな
った。
【００３８】以上より、多孔質ガラスプリフォームでの
第１ドーパントＧｅの濃度分布において、コア領域１０
及びクラッド領域３０の境界領域に、角状に高濃度とな
る中間領域２０を形成して選択焼結を行うことによっ
て、コア領域１０内へのＦの余分な添加が抑制されて、
伝送損失が向上された光ファイバが実現可能な光ファイ
バ母材が得られる。
【００３９】本発明による光ファイバ母材、及びその製
造方法は、上記した実施形態及び実施例に限られるもの
ではなく、様々な変形や構成の変更が可能である。
【００４０】図７は、本発明による光ファイバ母材及び
その製造方法の他の実施形態を示す模式図である。本実
施形態においては、コア領域１０には、図７（ａ）に示
すように、Ｇｅがほとんど添加されていない低濃度部１
０ａを中心部に有するリングコア型の屈折率プロファイ
ルとなるように、第１ドーパントＧｅが添加されてい
る。そして、グレーデッド型となっているリングコア部
１０ｂの外周部分に、角状のＧｅ濃度分布を有する高濃
度の中間領域２０が形成されている。
【００４１】この多孔質ガラスプリフォームに対して、
選択焼結による高密度化を行った後に、気化された第２
ドーパントＦを吸収によって添加する。このとき、低濃
度部１０ａ及びリングコア部１０ｂを含むコア領域１０
内にはＦは添加されず、図７（ｂ）に示すように、クラ
ッド領域３０にＦが添加される。このように、コア領域
１０内に複数の領域を有する構成においても、そのクラ
ッド領域３０との境界部分に中間領域２０を形成するこ
とによって、コアへの余分なＦの添加を抑制して、伝送
損失を向上させることができる。
【００４２】上記した２つの実施形態においては、第１
ドーパント及び第２ドーパントとしてＧｅ及びＦをそれ
ぞれ用いているが、これらのドーパントとしては、Ｇｅ
及びＦ以外のものを用いても良い。
【００４３】図８に、第１ドーパント及び第２ドーパン
トをともにＦとした実施形態を示す。コア領域１０に添
加される第１ドーパントとしては、通常はＧｅなどの屈
折率を高くするドーパントが用いられる。これに対し
て、本実施形態においては、図８（ａ）に示すように、
コア領域１０に添加される第１ドーパント、及び中間領
域２０において角状の濃度分布を形成するドーパントと
して、屈折率を低くするＦが用いられている。そして、
選択焼結を行って中間領域２０を高密度化した後、クラ
ッド領域３０に第２ドーパントとしてあらたにＦを添加
して、図８（ｂ）に示す屈折率プロファイルを形成して
いる。
【００４４】これらの各実施形態以外にも、様々な変形
が可能である。例えば、中間領域に角状の濃度分布を形
成するドーパントについては、必ずしもコア領域１０に
添加される第１ドーパントと同一である必要はなく、第
１ドーパントとは別のドーパントを用いても良い。
【００４５】
【発明の効果】本発明による光ファイバ母材及びその製
造方法は、以上詳細に説明したように、次のような効果
を得る。すなわち、グレーデッド型の濃度分布に第１ド
ーパントが添加されたコア領域の外周部分であって、コ
ア及びクラッドの境界となる領域に、角状に高濃度とな
った濃度分布を有する中間領域を形成する。そして、選
択焼結によって中間領域の高濃度部分などを選択的に高
密度化した後、高密度化された中間領域の外側のクラッ
ド領域に、気化された第２ドーパントの吸収による添加
を行う。
【００４６】これによって、第２ドーパントのコア領域
への余分な添加が抑制されて、光ファイバにおける伝送
損失の劣化を防止することが可能な光ファイバ母材が実
現される。また、選択焼結時における第１ドーパントの
クラッド領域への流出についても、同時に低減すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】光ファイバの一実施形態の断面構造及び屈折率
プロファイルを示す模式図である。
【図２】光ファイバ母材の製造方法の一実施例における
第１ドーパントＧｅの濃度プロファイルを示すグラフで
ある。
【図３】光ファイバ母材の製造方法の一実施例における
第２ドーパントＦの濃度プロファイルをＧｅの濃度プロ
ファイルとともに示すグラフである。
【図４】スス体及び焼結体に対応する屈折率プロファイ
ルを示すグラフである。
【図５】光ファイバ母材の製造方法の比較例における第
１ドーパントＧｅの濃度プロファイルを示すグラフであ
る。
【図６】光ファイバ母材の製造方法の比較例における第
２ドーパントＦの濃度プロファイルをＧｅの濃度プロフ
ァイルとともに示すグラフである。
【図７】スス体及び焼結体に対応する屈折率プロファイ
ルの他の例を示すグラフである。
【図８】スス体及び焼結体に対応する屈折率プロファイ
ルの他の例を示すグラフである。
【符号の説明】
１…コア領域、１０…コア領域、２…中間領域、２０…
中間領域、２０ａ、２０ｂ…端部、２０ｃ…高濃度部、
３…クラッド領域、３０…クラッド領域。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１ドーパントが添加されたコア領域
    と、前記コア領域の外周に設けられた領域の内側及び外
    側の両端部で該端部での前記第１ドーパントの濃度より
    も高い濃度の所定のドーパントが添加された中間領域
    と、前記中間領域の外周に設けられたクラッド領域とを
    有する多孔質ガラスプリフォームを作成するプリフォー
    ム作成工程と、 前記多孔質ガラスプリフォームを加熱して、前記中間領
    域の一部を少なくとも含む部位を選択的に高密度化する
    高密度化工程と、 選択的に高密度化された前記多孔質ガラスプリフォーム
    を、第２ドーパントを含む雰囲気中に露呈させて、前記
    クラッド領域に前記第２ドーパントを吸収させて添加す
    るドーパント吸収工程と、 前記第２ドーパントが添加された前記多孔質ガラスプリ
    フォームを加熱焼結して透明化し、前記コア領域内にグ
    レーデッド型の屈折率分布を有する透明ガラスプリフォ
    ームとする透明化工程とを備えることを特徴とする光フ
    ァイバ母材の製造方法。
  2. 【請求項２】 前記プリフォーム作成工程において、前
    記中間領域に添加する前記所定のドーパントは、前記第
    １ドーパントであることを特徴とする請求項１記載の光
    ファイバ母材の製造方法。
  3. 【請求項３】 前記プリフォーム作成工程において、Ｖ
    ＡＤ法またはＯＶＤ法によって前記多孔質ガラスプリフ
    ォームを作成することを特徴とする請求項１記載の光フ
    ァイバ母材の製造方法。
  4. 【請求項４】 第１ドーパントが添加され、領域内にグ
    レーデッド型の屈折率分布を有するコア領域と、 前記コア領域の外周に設けられた領域の内側及び外側の
    両端部で該端部での前記第１ドーパントの濃度よりも高
    い濃度の所定のドーパントが添加された中間領域と、 前記中間領域の外周に設けられ、第２ドーパントが添加
    されたクラッド領域とを備えることを特徴とする光ファ
    イバ母材。
  5. 【請求項５】 前記中間領域に添加される前記所定のド
    ーパントは、前記第１ドーパントであることを特徴とす
    る請求項４記載の光ファイバ母材。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1251107A1 (en) * 2001-04-19 2002-10-23 Lucent Technologies Inc. Controlled collapse of depressed index optical fiber preforms
WO2021037248A1 (zh) * 2019-08-30 2021-03-04 中天科技精密材料有限公司 光纤预制棒及其制备方法、等离子沉积设备

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