JP2001217609A - 低域通過フィルタ回路および回路基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 同軸線を介して信号伝送を行う場合にインピ
ーダンス不整合等の不具合が起きないようにする低域通
過フィルタ回路の提供。 【解決手段】 本発明の低域通過フィルタ回路は、誘電
体基板上に形成された第１〜第７のマイクロストリップ
ライン１〜７を有する。低域通過フィルタ回路の入力端
である第１のマイクロストリップライン１の一端は同軸
線８に接続され、低域通過フィルタ回路の出力端である
第７のマイクロストリップライン７の一端は同軸線９に
接続され、第１および第７のマイクロストリップライン
７の線路幅は、50オーム線路幅の３倍以上に設定されて
いる。これにより、同軸線との接触性がよくなり、イン
ピーダンス整合も取りやすくなる。また、低域通過フィ
ルタの低域通過作用により、帯域外減衰を十分に確保す
ることができる。また、個別の同軸−マイクロストリッ
プ変換ポートが不要になり、回路全体の面積を縮小でき
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、無線通信用マイク
ロストリップライン型低域通過フィルタ回路および回路
基板に関し、特に、信号の入出力部におけるインピーダ
ンス不整合による特性低下を回避する手法に関する。

【０００２】

【従来の技術】低域通過フィルタは、所望の周波数より
大きな周波数帯の入力を阻止し、妨害波等の印加による
特性劣化を抑制するために用いられるマイクロ波回路素
子である。また、同時に、インピーダンス整合回路とし
て用いることができ、容量素子および誘導素子の回路定
数を調節することにより、回路を所望のインピーダンス
に設定することができる。

【０００３】図１５は従来のマイクロストリップライン
型回路の概略構成を説明する図である。図示の変換ポー
ト５１は、回路５２の入力部に、信号入力手段である同
軸線５３を接続するためのものであり、変換ポート５１
と回路５２とは、反射を防止するために、50オーム線路
で接続されている。

【０００４】一般に同軸線のインピーダンスは50オーム
であり、反射による損失を回避するために、素子どうし
の接続は通常50オーム線路で行われる。基板の厚さを一
定にした場合、基板の比誘電率が大きいほど、基板上の
マイクロストリップラインに対する50オーム線路幅は狭
くなる。例えば、比誘電率10、0.5ｍｍ厚の基板に対す
る50オーム線路幅は480μｍであるのに対し、同じ厚さ
で比誘電率24の基板に対する50オーム線路幅は170μｍ
である。このように、伝送線路の線路幅が小さいほど、
回路全体の面積が小さくなり、小型基板上への作製が可
能であるという利点がある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】一方、マイクロストリ
ップライン型回路には、信号入出力部として同軸−マイ
クロストリップ変換ポートが必要である。この変換ポー
トのインピーダンス整合をとるには、変換ポートを50オ
ーム線路幅で構成すればよいが、50オーム線路幅のサイ
ズが小さい場合には、同軸線との接触を十分に確保でき
ないという問題が発生する。

【０００６】同軸線との接触を確保するために変換ポー
トの線路幅を大きくすると、今度は回路５２に対して寄
生容量を与えることになる。すなわち、変換ポート５１
は１つの容量素子として作用することになり、インピー
ダンス不整合が発生するとともに、通過帯域の入力信号
に対して反射波が増大し、通過特性が劣化するという問
題点がある。

【０００７】このように、従来技術では、比誘電率の大
きな基板上に設けられたマイクロストリップライン型回
路の信号入出力部である同軸−マイクロストリップ変換
ポートにおいて、インピーダンス不整合の発生が不可避
であり、通過帯域の入力信号に対して反射波が増大し、
通過特性が劣化するという問題点があった。

【０００８】本発明は、このような点に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、同軸線を介して信号伝送を行
う場合にインピーダンス不整合等の不具合が起きないよ
うにした低域通過フィルタ回路および回路基板を提供す
ることにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、請求項１の発明は、一端が同軸線に接続され、
同軸線のインピーダンスの３倍以上の線路幅をもつ第１
のマイクロストリップラインと、一端が前記第１のマイ
クロストリップラインに接続される容量性の第２のマイ
クロストリップラインと、一端が前記第２のマイクロス
トリップラインに接続される誘導性の第３のマイクロス
トリップラインと、一端が前記第３のマイクロストリッ
プラインに接続される容量性の第４のマイクロストリッ
プラインと、を備え、前記第１のマイクロストリップラ
インの少なくとも一部を同軸−マイクロストリップ変換
部として利用する。

【００１０】請求項１に記載の発明では、同軸線に接続
される第１のマイクロストリップラインの線路幅を同軸
線のインピーダンスの３倍以上にするため、同軸線との
接触性をよくすることができ、インピーダンス整合も取
ることができる。また、同軸−マイクロストリップ変換
ポートが不要になり、小型化が図れる。

【００１１】請求項２に記載の発明では、第１〜第４の
ストリップ導体の周囲に所定のギャップを隔てて接地導
体を設けたため、コプレーナ型の低域通過フィルタ回路
においても、同軸線との接触性をよくすることができ、
インピーダンス整合も取ることができる。

【００１２】請求項３に記載の発明では、第１〜第４の
マイクロストリップラインの構成材料が超電導特性をも
つようにするため、常伝導体と比較して導体損による損
失を飛躍的に低減させることができる。

【００１３】請求項４に記載の発明では、信号伝送回路
と同軸線との間に、第１〜第４のマイクロストリップラ
インからなる低域通過フィルタ回路を配設するため、帯
域外減衰を十分に確保することができる。

【００１４】請求項５に記載の発明では、バンドパスフ
ィルタと同軸線との間に、第１〜第４のマイクロストリ
ップラインからなる低域通過フィルタ回路を配設するた
め、所望の周波数成分の信号のみを通過させることがで
きる。

【００１５】請求項６に記載の発明では、受動回路と能
動回路からなる信号伝送回路においても、同軸線との接
触性がよくなり、インピーダンス整合も取りやすくな
り、帯域外減衰を十分に確保することができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る低域通過フィ
ルタ回路および回路基板について、図面を参照しながら
具体的に説明する。

【００１７】（第１の実施形態）図１は誘電体基板上に
実装された本発明に係る低域通過フィルタ回路の第１の
実施形態の上面図である。図１の回路は、誘電体基板上
にマクロストリップラインを用いて形成されるため、マ
イクロストリップライン型の低域通過フィルタ回路とも
呼ばれる。

【００１８】誘電体基板には例えば比誘電率が２４で、
0.5mm厚のLaAlＯ₃が用いられる。誘電体基板上に形成さ
れるマイクロストリップラインの50オーム線路幅は170
μｍである。

【００１９】図１の低域通過フィルタ回路は、誘電体基
板上に形成された第１〜第７のマイクロストリップライ
ン１〜７を有する。低域通過フィルタ回路の入力端であ
る第１のマイクロストリップライン１の一端は同軸線８
に接続され、低域通過フィルタ回路の出力端である第７
のマイクロストリップライン７の一端は同軸線９に接続
され、第１および第７のマイクロストリップライン７の
線路幅は約800μｍに設定されている。

【００２０】図２は図１の低域通過フィルタの等価回路
図である。図示のように、第１のマイクロストリップラ
イン１は、誘導体基板の接地導体との間で、等価的に容
量素子Ｃ１を形成する。同様に、第２、第４、第６およ
び第７のマイクロストリップライン２，４，６，７はそ
れぞれ、誘電体基板の接地導体との間で等価的に容量素
子Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４，Ｃ５を形成する。また、第３およ
び第５のマイクロストリップライン３，５はそれぞれ、
等価的にインダクタ素子Ｌ１，Ｌ２を形成する。

【００２１】図３の実線Ｌ１は図１の低域通過フィルタ
回路の通過特性を示し、点線Ｌ２は従来の低域通過フィ
ルタ回路の通過特性を示しており、図３の横軸は周波数
（Ｈｚ）、縦軸は信号強度（ｄＢ）である。

【００２２】図３からわかるように、図１の低域通過フ
ィルタ回路の通過帯域における挿入損失は、従来のフィ
ルタ回路に比べて、1/10以下になる。

【００２３】本実施形態は、同軸線とマイクロストリッ
プラインとの接続点（以下、同軸−マイクロストリップ
変換部）におけるマイクロストリップラインの線路幅
を、50オーム線路幅の３倍に設定する点に特徴がある。
以下、この点について詳述する。

【００２４】図４は同軸−マイクロストリップ変換部１
０の詳細構造を示す拡大上面図、図５は同軸−マイクロ
ストリップ変換部１０を横方向から見た平面図である。
同軸線８の針線８ａは第１のマイクロストリップライン
１内の同軸−マイクロストリップ変換部１０の略中央部
分に配置され、同軸−マイクロストリップ変換部１０の
線路幅１０ａが50オーム線路幅の３倍以上（例えば、80
0μｍ）に設定されている。

【００２５】また、本実施形態は、低域通過フィルタの
入出力部の一部を同軸−マイクロストリップ変換部１０
として兼用する点にも特徴がある。これにより、同軸−
マイクロストリップ変換部１０を別個に設ける必要がな
くなり、低域通過フィルタ回路の構成を簡略化すること
ができる。

【００２６】一般に、50オーム線路の３倍の線路幅をも
つ線路の対地容量は、50オーム線路の２倍の線路幅をも
つ線路の対地容量の約２倍であり、50オーム線路の３倍
以上の線路幅で、同軸−マイクロストリップ変換に必要
な線路長を確保すれば、十分な容量をもつ容量素子とし
て作用する。

【００２７】このように、第１の実施形態では、低域通
過フィルタ回路の入出力部のマイクロストリップライン
１，７の線路幅を50オーム線路幅の３倍以上にし、この
入出力部に同軸線を直接接続するため、同軸線との接触
性がよくなり、インピーダンス整合も取りやすくなる。

【００２８】また、第１の実施形態では、同軸線８，９
の入出力端の双方に低域通過フィルタを配設するため、
不要な高周波成分を効率的に除去でき、帯域外減衰量を
十分に確保することができる。

【００２９】さらに、第１の実施形態の低域通過フィル
タ回路は、同軸−マイクロストリップ変換ポートとして
の役割も担うため、インピーダンス整合が取れるだけで
なく、回路全体の面積を縮小することができる。このた
め、バンドパスフィルタ回路などの他のマイクロ波回路
とのモノリシックな集積が可能となり、素子同士の接続
が不要になることから、実装が容易になり、損失も低減
できる。

【００３０】また、マイクロストリップラインの材質と
して、レーザー蒸着法により成膜したYBCO（イットリウ
ム、バリウム、銅および酸素の合金）超電導膜を用いれ
ば、超電導特性の利用により、常伝導体と比較して導体
損による損失を飛躍的に低減することができ、挿入損失
の小さな回路を実現することができる。

【００３１】上述した第１の実施形態では、第１〜第７
のマイクロストリップライン１〜７を形成する例を説明
したが、本発明の低域通過フィルタ回路は、容量素子と
して機能する２つのマイクロストリップラインと、誘導
素子として機能する１つのマイクロストリップラインと
があれば実現可能である。これら３つのマイクロストリ
ップラインの回路定数を調整することにより、所望のイ
ンピーダンスに整合させることができ、インピーダンス
不整合による特性低下を回避することができる。

【００３２】すなわち、図１の第５および第６のマイク
ロストリップライン５，６を省略して、第４のマイクロ
ストリップライン４に直接、第７のマイクロストリップ
ライン７を接続してもよい。

【００３３】（第２の実施形態）第２の実施形態は、本
発明に係る低域通過フィルタ回路をバンドパスフィルタ
と組み合わせたものである。

【００３４】図６は本発明に係る低域通過フィルタ回路
を誘電体基板上に実装した様子を示す第２の実施形態の
上面図である。誘電体基板の材料として、例えば、比誘
電率が24で、0.5mm厚のLaAlＯ₃が用いられる。この場
合、誘電体基板上に形成されるマイクロストリップライ
ンの50オーム線路幅は、170μｍである。

【００３５】図６の回路は、同軸線８，９からの入力信
号に含まれる高調波成分を除去する低域通過フィルタ回
路１１と、低域低域通過フィルタ回路１１の後段に接続
されるバンドパスフィルタ部１２とを有し、バンドパス
フィルタ部１２の出力信号は、ポートＰを介して同軸線
９に入力される。

【００３６】低域通過フィルタ回路１１は、第１〜第４
のマイクロストリップライン１〜４で構成される。同軸
線が接続される第１のマイクロストリップライン１は、
50オーム線路幅の３倍以上の線路幅（例えば、８００μ
ｍ）をもつ。このため、第１のマイクロストリップライ
ン１は容量素子として機能する。また、第２および第４
のマイクロストリップライン２，４も容量素子として機
能し、第３のマイクロストリップライン３は誘導素子と
して機能する。

【００３７】バンドパスフィルタ部１２は、50オーム線
路幅の４本のマイクロストリップラインからなる２つの
共振回路１３，１４で構成される。

【００３８】図７は図６の回路の等価回路図である。図
示のように、図６の第１〜第４のマイクロストリップラ
イン１〜４は、図７の３つの容量素子Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３
と誘導素子Ｌ１からなる低域通過フィルタ回路１１を構
成する。低域通過フィルタ回路１１の後段には、誘導素
子と容量素子とが並列接続された共振回路１３，１４が
２段接続されている。

【００３９】図８の実線Ｌ３は図６の回路の通過特性を
示し、図８の点線Ｌ４はバンドパスフィルタ単独の通過
特性を示している。図６のような構造にすることによ
り、高調波成分を25dB以下にまで低減させることができ
る。また、図６の回路は、図８に示すように、通過帯域
内の挿入損失を従来型の低域通過フィルタを用いた場合
の半分以下にすることができる。

【００４０】このように、第２の実施形態では、バンド
パスフィルタ部１２の入出力部に、低域通過フィルタ回
路１１を介して同軸線を接続し、低域通過フィルタ回路
１１の入出力部のマイクロストリップラインの線路幅を
50オーム線路幅の３倍以上の幅にし、この入出力部に同
軸線を直接接続するため、同軸線との接触性がよくな
り、インピーダンス整合も取りやすくなる。また、バン
ドパスフィルタ部１２に信号が入力される前に不要な高
調波成分を除去できるため、帯域外減衰量を十分に確保
することができる。さらに、同軸−マイクロストリップ
ライン変換部を別個に設ける必要がなくなり、回路全体
を小型化できる。

【００４１】また、上述した第２の実施形態において
も、マイクロストリップラインの材質として超電導膜を
用いることにより、常伝導体と比較して導体損による損
失を飛躍的に低減することができ、挿入損失の小さな回
路を実現することができる。

【００４２】なお、図６では、バンドパスフィルタ部１
２の入力側だけに低域通過フィルタ回路１１を設ける例
を説明したが、バンドパスフィルタ部１２の出力側にも
低域通過フィルタ回路１１を設けてもよい。

【００４３】（第３の実施形態）第３の実施形態は、多
段のバンドパスフィルタ部１２の入出力部に、低域通過
フィルタ回路を介して同軸線を接続するものである。

【００４４】図９は本発明に係る低域通過フィルタ回路
を誘電体基板上に実装した様子を示す第３の実施形態の
上面図である。誘電体基板の材料として、例えば、比誘
電率が24、直径30mmで、0.5mm厚のLaAlＯ₃が用いられ
る。この場合、誘電体基板上に形成されるマイクロスト
リップラインの50オーム線路幅は、170μｍである。

【００４５】図９の回路は、同軸線８からの入力信号に
含まれる高調波成分を除去する低域通過フィルタ回路１
１ａと、低域低域通過フィルタ回路１１ａの後段に接続
される５段バンドパスフィルタ部１５と、５段バンドパ
スフィルタ部１５の後段に接続される低域通過フィルタ
回路１１ｂとを有し、低域通過フィルタ回路１１ｂの出
力信号は同軸線９に直接入力される。

【００４６】低域通過フィルタ回路１１ａ，１１ｂは、
図６と同様に、第１〜第４のマイクロストリップライン
１〜４で構成される。同軸線８，９が接続される第１の
マイクロストリップライン１の線路幅は、50オーム線路
幅の３倍以上の幅（例えば、800μｍ）に設定される。
このため、第１のマイクロストリップライン１は容量素
子として機能する。また、第２および第４のマイクロス
トリップラインも容量素子として機能し、第３のマイク
ロストリップラインは誘導素子として機能する。

【００４７】５段バンドパスフィルタ部１５は、50オー
ム線路幅の７本のマイクロストリップラインからなる５
つの共振回路１３，１４，１６，１７，１８で構成され
る。

【００４８】図１０は図９の回路の等価回路図である。
図１０の等価回路図は、共振回路の段数が異なる点を除
けば、図７の等価回路図と同様である。

【００４９】図１１の実線Ｌ５は図１０の低域通過フィ
ルタ回路の通過特性を示す図、点線Ｌ６は５段バンドパ
スフィルタ部１５単体の通過特性を示す図である。第３
の実施形態における通過特性の挿入損失は、従来のフィ
ルタ回路の1/10以下になる。また、高調波成分も、図１
１に示すように30dB以下に減衰させることができる。

【００５０】このように、第３の実施形態は、５段バン
ドパスフィルタ部１５の入出力部に低域通過フィルタ回
路１１ａ，１１ｂを介して同軸線を接続し、低域通過フ
ィルタ回路１１ａ，１１ｂの入出力部のマイクロストリ
ップライン１の線路幅を50オーム線路幅の３倍以上の幅
にし、この入出力部に同軸線を直接接続するため、同軸
線との接触性がよくなり、インピーダンス整合も取りや
すくなる。また、帯域外減衰量を十分に確保できるとと
もに、同軸−マイクロストリップライン変換部を別個に
設ける必要がなくなり、図９の回路全体を小型化でき
る。

【００５１】また、上述した第３の実施形態において
も、マイクロストリップラインの材質として超電導膜を
用いることにより、常伝導体と比較して導体損による損
失を飛躍的に低減することができ、挿入損失の小さな回
路を実現することができる。

【００５２】なお、第３の実施形態では、誘電体基板上
に５段バンドパスフィルタ部１５を形成する例を説明し
たが、バンドパスフィルタ部１２のフィルタ段数に特に
制限はない。

【００５３】（第４の実施形態）第４の実施形態は、受
動回路と能動回路とを含む回路の入出力部に低域通過フ
ィルタ回路を設けたものである。

【００５４】図１２は本発明に係る低域通過フィルタ回
路１１の第４の実施形態の回路図である。図１２の回路
は、抵抗、容量素子および誘導素子などの受動素子から
なる受動回路２１の入力端と同軸線８との間に接続され
る低域通過フィルタ回路１１ａと、受動回路２１の後段
に接続されるトランジスタ等からなる能動回路２２と、
能動回路２２の出力端と同軸線９との間に接続される低
域通過フィルタ回路１１ｂとを備えている。

【００５５】低域通過フィルタ回路１１ａ，１１ｂは、
図６や図９と同様に、第１〜第４のマイクロストリップ
ライン１〜４で構成される。同軸線８，９が接続される
第１のマイクロストリップライン１は、50オーム線路幅
の３倍以上の線路幅（例えば、800μｍ）をもつ。この
ため、第１のマイクロストリップライン１は容量素子と
して機能し、第１〜第３の実施形態と同様に、同軸線と
の接触性がよくなり、インピーダンス整合も取りやすく
なる。また、帯域外減衰量を十分に確保できるととも
に、同軸−マイクロストリップライン変換部を別個に設
ける必要がなくなり、図１２の回路全体を小型化でき
る。

【００５６】また、上述した第４の実施形態において
も、マイクロストリップラインの材質として超電導膜を
用いることにより、常伝導体と比較して導体損による損
失を飛躍的に低減することができ、挿入損失の小さな回
路を実現することができる。

【００５７】（第５の実施形態）第５の実施形態は、誘
電体基板上にコプレーナ型低域通過フィルタ回路１１を
形成するものである。

【００５８】図１３は本発明に係る低域通過フィルタ回
路１１を誘電体基板上に実装した様子を示す第５の実施
形態の上面図である。誘電体基板の材料として、例え
ば、比誘電率が10で、0.5mm厚のMgＯが用いられる。

【００５９】図１３に示すように、誘電体基板上には、
第１〜第７のマイクロストリップライン１〜７と、第１
のマイクロストリップライン１の入力端に接続される同
軸線８と、第７のマイクロストリップライン７の出力端
に接続される同軸線９と、第１〜第７のマイクロストリ
ップライン１〜７の周囲を取り囲む接地導体２３とが形
成される。

【００６０】第１〜第７のマイクロストリップライン１
〜７と接地導体とのギャップは一律に、例えば16μｍに
設定される。この場合、誘電体基板上に形成されるマイ
クロストリップラインの50オーム線路幅は、38μｍであ
る。

【００６１】同軸線が接続される第１および第７のマイ
クロストリップライン７は、50オーム線路幅の３倍以上
の線路幅（例えば、180μｍ）をもつため、第１〜第３
の実施形態と同様に、同軸線との接触性がよくなり、イ
ンピーダンス整合も取りやすくなる。また、帯域外減衰
量を十分に確保できるとともに、同軸−マイクロストリ
ップライン変換部を別個に設ける必要がなくなり、図１
３の回路全体を小型化できる。

【００６２】図１４の実線Ｌ７は図１３の回路の通過特
性を示し、点線Ｌ８は従来のコプレーナ型低域通過フィ
ルタ回路１１の通過特性を示している。図１３のような
構造にすれば、図１４に示すように、通過帯域における
挿入損失を従来型と比較して1/10以下に抑制することが
できる。

【００６３】また、上述した第５の実施形態において
も、マイクロストリップラインの材質として超電導膜を
用いることにより、常伝導体と比較して導体損による損
失を飛躍的に低減することができ、挿入損失の小さな回
路を実現することができる。

【００６４】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、低域通過フィルタ回路を構成する一部のマイクロ
ストリップラインの線路幅を同軸線のインピーダンスの
３倍以上にして同軸線に直接接続し、このマイクロスト
リップラインの一部を同軸−マイクロストリップ変換ポ
ートとして利用するため、同軸線との接触性をよくする
ことができるとともに、インピーダンス整合も取れやす
くなる。

【００６５】また、同軸線との接続部分に本発明の低域
通過フィルタを配置することにより、帯域外減衰を十分
に確保することができる。

【００６６】さらに、マイクロストリップラインが同軸
−マイクロストリップ変換ポートを兼ねるため、小型化
が可能になり、本発明に係る低域通過フィルタ回路を、
バンドパスフィルタ、受動回路および能動回路などの他
の回路ととともに、同一基板に容易に実装することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】誘電体基板上に実装された本発明に係る低域通
過フィルタ回路の第１の実施形態の上面図。

【図２】図１の低域通過フィルタの等価回路図。

【図３】第１の実施形態の通過特性を示す図。

【図４】同軸−マイクロストリップ変換部の詳細構造を
示す拡大上面図。

【図５】同軸−マイクロストリップ変換部を横方向から
見た平面図。

【図６】本発明に係る低域通過フィルタ回路を誘電体基
板上に実装した様子を示す第２の実施形態の上面図。

【図７】図６の回路の等価回路図。

【図８】第２の実施形態の通過特性を示す図。

【図９】本発明に係る低域通過フィルタ回路を誘電体基
板上に実装した様子を示す第３の実施形態の上面図。

【図１０】図９の回路の等価回路図。

【図１１】第３の実施形態の通過特性を示す図。

【図１２】本発明に係る低域通過フィルタ回路の第４の
実施形態の回路図。

【図１３】本発明に係る低域通過フィルタ回路を誘電体
基板上に実装した様子を示す第５の実施形態の上面図。

【図１４】第５の実施形態の通過特性を示す図。

【図１５】従来のマイクロストリップライン型回路の概
略構成を説明する図。

【符号の説明】

１ 第１のマイクロストリップライン ２ 第２のマイクロストリップライン ３ 第３のマイクロストリップライン ４ 第４のマイクロストリップライン ５ 第５のマイクロストリップライン ６ 第６のマイクロストリップライン ７ 第７のマイクロストリップライン ８，９ 同軸線 １０ 同軸−マイクロストリップ変換部 １１ 低域通過フィルタ回路 １２ バンドパスフィルタ部 １３，１４，１６，１７，１８ 共振回路

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5J006 HB01 JA03 JA07 JA31 LA07 NA08 NB09 NE14 5J067 AA04 CA27 CA71 CA73 CA75 FA20 HA02 KA13 KA29 KA42 KS17 KS25 KS28 LS07 LS12 LS13 TA01

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】一端が同軸線に接続され、前記同軸線のイ
   ンピーダンスの３倍以上の線路幅をもつ第１のマイクロ
   ストリップラインと、 一端が前記第１のマイクロストリップラインに接続され
   る容量性の第２のマイクロストリップラインと、 一端が前記第２のマイクロストリップラインに接続され
   る誘導性の第３のマイクロストリップラインと、 一端が前記第３のマイクロストリップラインに接続され
   る容量性の第４のマイクロストリップラインと、 を備え、 前記第１のマイクロストリップラインの少なくとも一部
   を同軸−マイクロストリップ変換部として利用すること
   を特徴とする低域通過フィルタ回路。
2. 【請求項２】前記第１〜第４のストリップ導体の周囲
   に、所定のギャップを隔てて接地導体を設けたことを特
   徴とする請求項１に記載の低域通過フィルタ回路。
3. 【請求項３】前記第１〜第４のマイクロストリップライ
   ンの構成材料が超電導特性をもつことを特徴とする請求
   項１または２に記載の低域通過フィルタ回路。
4. 【請求項４】２本の同軸線の間に接続されマイクロスト
   リップラインを用いて形成される信号伝送回路と、 前記信号伝送回路に信号を供給する同軸線の出力端と前
   記信号伝送回路の入力部との間、および前記信号伝送回
   路からの信号を受ける同軸線の入力端と前記信号伝送回
   路の出力部との間の少なくとも一方に接続される請求項
   １〜３のいずれかに記載の低域通過フィルタ回路と、 を同一基板上に形成したことを特徴とする回路基板。
5. 【請求項５】前記信号伝送回路は、所定の周波数帯域の
   信号のみを通過させるバンドパスフィルタであることを
   特徴とする請求項４に記載の回路基板。
6. 【請求項６】前記信号伝送回路は、 受動素子を有する受動回路と、 前記受動回路に接続され能動素子を有する能動回路と、
   を有し、 前記受動回路および前記能動回路の少なくとも一方に信
   号を供給する同軸線の端部、および前記受動素子および
   前記能動回路の少なくとも一方から信号を受ける同軸線
   の端部の少なくとも一方に、前記第１〜第４のマイクロ
   ストリップラインを接続したことを特徴とする請求項４
   に記載の回路基板。