JP2001217493A - 光増幅器の特性付与と制御の方法並びに光増幅器および光増幅器キット - Google Patents
光増幅器の特性付与と制御の方法並びに光増幅器および光増幅器キットInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 設定の限界内において要求される傾斜または
曲率で動作させるべく光増幅器に特徴を付与するための
方法を開示する。 【解決手段】 試験信号がポンプ信号を伴い光増幅器に
発信される一方において、光増幅器のエルビウム添加光
ファイバー３３の温度が変化すると、出力スペクトルが
光スペクトル分析器３５からコンピュータ３７に送ら
れ、所望のスペクトルと比較される。異なる温度におい
て異なる傾斜または曲率の測定が、入力ポートに入力信
号が存在するもとで増幅器の出力ポートに提供される。
複数の異なる温度のうちの少なくとも一つにおける傾斜
または曲率の測定に関連するフィードバックが、フィー
ドバック信号または情報信号の形式においてヒータ３９
に提供される。
曲率で動作させるべく光増幅器に特徴を付与するための
方法を開示する。 【解決手段】 試験信号がポンプ信号を伴い光増幅器に
発信される一方において、光増幅器のエルビウム添加光
ファイバー３３の温度が変化すると、出力スペクトルが
光スペクトル分析器３５からコンピュータ３７に送ら
れ、所望のスペクトルと比較される。異なる温度におい
て異なる傾斜または曲率の測定が、入力ポートに入力信
号が存在するもとで増幅器の出力ポートに提供される。
複数の異なる温度のうちの少なくとも一つにおける傾斜
または曲率の測定に関連するフィードバックが、フィー
ドバック信号または情報信号の形式においてヒータ３９
に提供される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光増幅器、より特
定すれば、希土類添加光ファイバー増幅器を使用した変
動ゲイン傾斜制御システムに関連するもので、光増幅器
の特性付与と制御の方法並びに光増幅器および光増幅器
キットに関するものである。
定すれば、希土類添加光ファイバー増幅器を使用した変
動ゲイン傾斜制御システムに関連するもので、光増幅器
の特性付与と制御の方法並びに光増幅器および光増幅器
キットに関するものである。
【０００２】
【発明の背景】光増幅器、特にエルビウム添加光ファイ
バー増幅器は、光伝送システム、とりわけ遠距離通信分
野において用いられている。エルビウム添加ファイバー
増幅器（ＥＤＦＡ）は、偏光不感ゲインが高いうえ、異
なる波長信号間におけるクロストークが低く、飽和出力
パワーに優れ、雑音指数が基本量子限界に近い。卓越し
たノイズ特性により、これら数百台もの増幅器を縦続接
続し、数千キロメートルに及ぶ光ファイバーのスパンを
カバーすることができる。
バー増幅器は、光伝送システム、とりわけ遠距離通信分
野において用いられている。エルビウム添加ファイバー
増幅器（ＥＤＦＡ）は、偏光不感ゲインが高いうえ、異
なる波長信号間におけるクロストークが低く、飽和出力
パワーに優れ、雑音指数が基本量子限界に近い。卓越し
たノイズ特性により、これら数百台もの増幅器を縦続接
続し、数千キロメートルに及ぶ光ファイバーのスパンを
カバーすることができる。
【０００３】ＥＤＦＡは電子中継器とは逆に、データ転
送速度、信号形式および限界範囲を超える波長に対して
も透過性であり、信号ごとに異なる波長帯を使って数多
くの信号を同時に伝送する波長多重化（ＷＤＭ）通信シ
ステムにおいて有効となっている。
送速度、信号形式および限界範囲を超える波長に対して
も透過性であり、信号ごとに異なる波長帯を使って数多
くの信号を同時に伝送する波長多重化（ＷＤＭ）通信シ
ステムにおいて有効となっている。
【０００４】これら一般的に優れた特性にもかかわら
ず、ＥＤＦＡに伴われる短所は、スペクトル幅が狭く、
ゲイン帯域が不均一な点である。ＥＤＦＡの有効な遠距
離通信ウィンドーは約２０〜３０ｎｍ幅であるのに対
し、理想的な増幅器においては、約１５２０ｎｍ〜１５
７０ｎｍにまで及ぶ全スペクトル範囲における平坦なス
ペクトルゲインである。エルビウムゲインスペクトルの
ピーク波長は、ホストガラスの材料により約１５３０ｎ
ｍから約１５３５ｎｍまでの間で可変する。
ず、ＥＤＦＡに伴われる短所は、スペクトル幅が狭く、
ゲイン帯域が不均一な点である。ＥＤＦＡの有効な遠距
離通信ウィンドーは約２０〜３０ｎｍ幅であるのに対
し、理想的な増幅器においては、約１５２０ｎｍ〜１５
７０ｎｍにまで及ぶ全スペクトル範囲における平坦なス
ペクトルゲインである。エルビウムゲインスペクトルの
ピーク波長は、ホストガラスの材料により約１５３０ｎ
ｍから約１５３５ｎｍまでの間で可変する。
【０００５】図４では、特定の従来のＥＤＦＡの特性ゲ
インスペクトルが示されており、ゲインが波長関数とし
て変化していることが分かる。この変化は以後ゲインリ
ップルと呼ぶ。ゲインスペクトルの幅を広げ、平坦化す
る（すなわちリップルを軽減する）ための様々な技法が
公開されており、例えばエルビウム添加シリカガラスフ
ァイバ（繊維）に共にＡｌ２Ｏ３を添加する技法や、ホ
ストガラスの材料自身を変更する技法、エミッションピ
ークでのゲインを軽減するために様々なフォームの減衰
フィルタを使用する技法、さらには直列に接続された２
種類以上の異なるエルビウム添加ファイバーを有する、
ハイブリッド装置を構成し、各ファイバーの異なるゲイ
ンスロープを補償するために各ファイバー部において独
立してポンピング条件を積極的に調整する技法などが含
まれる。
インスペクトルが示されており、ゲインが波長関数とし
て変化していることが分かる。この変化は以後ゲインリ
ップルと呼ぶ。ゲインスペクトルの幅を広げ、平坦化す
る（すなわちリップルを軽減する）ための様々な技法が
公開されており、例えばエルビウム添加シリカガラスフ
ァイバ（繊維）に共にＡｌ２Ｏ３を添加する技法や、ホ
ストガラスの材料自身を変更する技法、エミッションピ
ークでのゲインを軽減するために様々なフォームの減衰
フィルタを使用する技法、さらには直列に接続された２
種類以上の異なるエルビウム添加ファイバーを有する、
ハイブリッド装置を構成し、各ファイバーの異なるゲイ
ンスロープを補償するために各ファイバー部において独
立してポンピング条件を積極的に調整する技法などが含
まれる。
【０００６】上述した問題点およびゲインリップルを最
小限にする解決策に加え、シンプルで、安価で実用的に
するための解決策が今までにないという別の重大な問題
が存在する。本発明により解決される、このもう一つの
重大な問題点は、ダイナミックゲイン傾斜の改善に関連
する。以後使用されるダイナミックゲイン傾斜という用
語は、入力ＥＤＦＡ動作条件の変更（変化）により他の
波長においてのゲインを変更（変化）させた結果として
生じる、ある波長におけるゲインの変化を意味する。
小限にする解決策に加え、シンプルで、安価で実用的に
するための解決策が今までにないという別の重大な問題
が存在する。本発明により解決される、このもう一つの
重大な問題点は、ダイナミックゲイン傾斜の改善に関連
する。以後使用されるダイナミックゲイン傾斜という用
語は、入力ＥＤＦＡ動作条件の変更（変化）により他の
波長においてのゲインを変更（変化）させた結果として
生じる、ある波長におけるゲインの変化を意味する。
【０００７】ゲインリップルを最小限とするための上記
で説明した技法では、入力光パワーと波長との特定の組
み合わせにおいて、特定される波長内で比較的平坦なス
ペクトルを提供することができるが、ゲイン等価性は、
ゲインが増幅器への入力パワーを変更することによりノ
ミナル（ｎｏｍｉｎａｌ）状態から変更（変化）された
ときに（平均的な反転分布レベルにおける変更（変
化））、急激に低下する。
で説明した技法では、入力光パワーと波長との特定の組
み合わせにおいて、特定される波長内で比較的平坦なス
ペクトルを提供することができるが、ゲイン等価性は、
ゲインが増幅器への入力パワーを変更することによりノ
ミナル（ｎｏｍｉｎａｌ）状態から変更（変化）された
ときに（平均的な反転分布レベルにおける変更（変
化））、急激に低下する。
【０００８】この問題に対する報告されている一つの解
決策によると、トータルゲインが変化するとき、格段の
相対的貢献（貢献度）が選択された波長帯にわたって、
最小のスペクトル歪みをもつ、望まれるゲインに達する
ように、異なる増幅スペクトラムをもつ縦続増幅段と個
々の段の増幅スペクトラムを独立に効果的に調整するた
めの同数のポンプ源とをもつ集積ファイバデバイスによ
って達成されるとある。
決策によると、トータルゲインが変化するとき、格段の
相対的貢献（貢献度）が選択された波長帯にわたって、
最小のスペクトル歪みをもつ、望まれるゲインに達する
ように、異なる増幅スペクトラムをもつ縦続増幅段と個
々の段の増幅スペクトラムを独立に効果的に調整するた
めの同数のポンプ源とをもつ集積ファイバデバイスによ
って達成されるとある。
【０００９】例えば、正のゲインスロープを持つエルビ
ウム添加ファイバーを負のゲインスロープを持つ別のエ
ルビウム添加ファイバーと組み合わせることにより、ハ
イブリッド装置は、特定の入力パワー条件においてほぼ
平坦なゲインとなる。但しハイブリッド装置の全体的な
ゲインを変更しなければなららい場合、各構成状態にお
けるゲインスロープは、一般に、ある一つの段に対し入
力されるポンプパワーが変更されると、異なる割合で変
化することになる。
ウム添加ファイバーを負のゲインスロープを持つ別のエ
ルビウム添加ファイバーと組み合わせることにより、ハ
イブリッド装置は、特定の入力パワー条件においてほぼ
平坦なゲインとなる。但しハイブリッド装置の全体的な
ゲインを変更しなければなららい場合、各構成状態にお
けるゲインスロープは、一般に、ある一つの段に対し入
力されるポンプパワーが変更されると、異なる割合で変
化することになる。
【００１０】新しい動作点において良好な補償を達成す
るためには、ゲインスロープが互いに補償しあうよう
に、各構成ゲイン段階の相対ゲインが再度調整されなけ
ればならない。この形式の増幅器を実行する際、当業者
は、継ぎ目の数を最小限とし、各段に対するポンプパワ
ーを独立して制御することができるようにするため、２
種類以上の異なる組成のエルビウム添加ファイバーを縦
続させ、各段の最後に各増幅段に対応する個別のポンプ
源を提供する方法を選びがちである。
るためには、ゲインスロープが互いに補償しあうよう
に、各構成ゲイン段階の相対ゲインが再度調整されなけ
ればならない。この形式の増幅器を実行する際、当業者
は、継ぎ目の数を最小限とし、各段に対するポンプパワ
ーを独立して制御することができるようにするため、２
種類以上の異なる組成のエルビウム添加ファイバーを縦
続させ、各段の最後に各増幅段に対応する個別のポンプ
源を提供する方法を選びがちである。
【００１１】しかしながらダイナミックゲイン傾斜を軽
減するあるいは改善するためのこの技法では、異なるゲ
イン範囲にわたってゲイン傾斜の補償を実現する（すな
わち一定の目標出力パワーを保持しながら入力パワーを
変更する）ために、複数のポンプ源の全パワーが調整さ
れなければならないという、動作中の複雑な制御方式が
求められる。
減するあるいは改善するためのこの技法では、異なるゲ
イン範囲にわたってゲイン傾斜の補償を実現する（すな
わち一定の目標出力パワーを保持しながら入力パワーを
変更する）ために、複数のポンプ源の全パワーが調整さ
れなければならないという、動作中の複雑な制御方式が
求められる。
【００１２】米国特許第５，７６４，４０６号のニュー
ハウス等による題「ハイブリッド光増幅器ダイナミック
ゲイン」を参照によりここに組入れるが、この特許で
は、構成ファイバーの何れかのゲイン傾斜より小さなダ
イナミックゲイン傾斜を有するエルビウム添加ファイバ
ー増幅器を含むシステムが説明されている。ハイブリッ
ド装置については、ポンピング源の数が装置の構成導波
管の数より最大でも１つ少なく、また構成部の相対ゲイ
ンの再調整を達成すべく、構成添加導波路部間において
ポンプの分布を自動的に変更する。
ハウス等による題「ハイブリッド光増幅器ダイナミック
ゲイン」を参照によりここに組入れるが、この特許で
は、構成ファイバーの何れかのゲイン傾斜より小さなダ
イナミックゲイン傾斜を有するエルビウム添加ファイバ
ー増幅器を含むシステムが説明されている。ハイブリッ
ド装置については、ポンピング源の数が装置の構成導波
管の数より最大でも１つ少なく、また構成部の相対ゲイ
ンの再調整を達成すべく、構成添加導波路部間において
ポンプの分布を自動的に変更する。
【００１３】この発明では一つの態様において、構成Ｅ
ＤＦ部の相対ゲインの再調整を達成すべく、構成ＥＤＦ
部間においてポンプの分布または分割を自動的に変更す
る、異なる添加物組成の構成ＥＤＦを提供する。
ＤＦ部の相対ゲインの再調整を達成すべく、構成ＥＤＦ
部間においてポンプの分布または分割を自動的に変更す
る、異なる添加物組成の構成ＥＤＦを提供する。
【００１４】，４０６特許ではその意図する機能を達成
できると考えられるが、比較的高価であり、ゲイン傾斜
をダイナミックに制御する方法としては複雑な解決策で
ある。
できると考えられるが、比較的高価であり、ゲイン傾斜
をダイナミックに制御する方法としては複雑な解決策で
ある。
【００１５】ダイナミックゲイン傾斜を修正するための
最もよく知られている解決策では、パワーの損失が付随
し（約５ｄｂ）、さらに追加ポンピングに対するより大
きなパワーが必要である。これらのシステムにおけるも
う一つの望ましくない結果は、ノイズが結果的に大きく
なることである。
最もよく知られている解決策では、パワーの損失が付随
し（約５ｄｂ）、さらに追加ポンピングに対するより大
きなパワーが必要である。これらのシステムにおけるも
う一つの望ましくない結果は、ノイズが結果的に大きく
なることである。
【００１６】Ｌ帯域では、温度とパワーが可変する場
合、Ｌ帯域の光増幅器を動作させるに際してゲインを平
坦化するのは困難であることが知られている。沖電気工
業株式会社のスズキ等が発表した「温度範囲ならびに入
力パワー範囲の広い１５８０ｎｍ帯域のエルビウム添加
ファイバー増幅器のゲイン等価方法」という論文におい
て、可変減衰器により逆方向（後方）ポンピングパワー
を調整し入力パワーを制御する、自動ゲイン制御（ＡＧ
Ｃ）操作を使用する方法が開示されている。
合、Ｌ帯域の光増幅器を動作させるに際してゲインを平
坦化するのは困難であることが知られている。沖電気工
業株式会社のスズキ等が発表した「温度範囲ならびに入
力パワー範囲の広い１５８０ｎｍ帯域のエルビウム添加
ファイバー増幅器のゲイン等価方法」という論文におい
て、可変減衰器により逆方向（後方）ポンピングパワー
を調整し入力パワーを制御する、自動ゲイン制御（ＡＧ
Ｃ）操作を使用する方法が開示されている。
【００１７】Ｆ．Ａ．フラッドが発表した「Ｃ帯域およ
びＬ帯域ＥＤＦＡの温度依存作用、比較」と標題のある
論文では、信号発信時の温度の依存性および吸収横断面
がＬ帯域出力パワー上に大きな影響を与えることが開示
されている。さらに、Ｌ帯域の温度係数（ｄＢ／℃）が
ポンプの波長に対し比較的敏感ではないことが示されて
いる。このため、エルビウム添加光ファイバー増幅器の
温度の変動により増幅器の性能が悪くなることが分か
る。
びＬ帯域ＥＤＦＡの温度依存作用、比較」と標題のある
論文では、信号発信時の温度の依存性および吸収横断面
がＬ帯域出力パワー上に大きな影響を与えることが開示
されている。さらに、Ｌ帯域の温度係数（ｄＢ／℃）が
ポンプの波長に対し比較的敏感ではないことが示されて
いる。このため、エルビウム添加光ファイバー増幅器の
温度の変動により増幅器の性能が悪くなることが分か
る。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】Ｌ帯域光増幅器の傾斜
は、増幅器内のエルビウム添加光ファイバーの温度を制
御および／または変化させることにより制御および変化
させることができることが開示されている。これまで、
動作温度の変更が装置の機能に対し有害であると考えら
れてきたため、光増幅器の動作温度を変化させないため
に光増幅器の温度が周囲温度になるように温度補償策が
とられてきた。
は、増幅器内のエルビウム添加光ファイバーの温度を制
御および／または変化させることにより制御および変化
させることができることが開示されている。これまで、
動作温度の変更が装置の機能に対し有害であると考えら
れてきたため、光増幅器の動作温度を変化させないため
に光増幅器の温度が周囲温度になるように温度補償策が
とられてきた。
【００１９】そこで、傾斜は予め設定される限界内で必
要な傾斜とするために制御および／または制御可能に変
化させることができるという発見に従い、様々な適用温
度におけるその傾斜について、またその様々な傾斜にお
ける変化について特性を付与すべく、増幅器の予備試験
を行い得る。
要な傾斜とするために制御および／または制御可能に変
化させることができるという発見に従い、様々な適用温
度におけるその傾斜について、またその様々な傾斜にお
ける変化について特性を付与すべく、増幅器の予備試験
を行い得る。
【００２０】さらに、ダイナミック傾斜は、出力信号の
傾斜に対応するフィードバック信号を提供することによ
り、Ｌ帯域光増幅器内でＥＤＦを加熱あるいは冷却する
方法により制御し得る。エルビウムファイバーのフィー
ドバック信号に応答し、必要に応じて傾斜を安定化また
は変化させるために温度をダイナミックに変化させるこ
とができる。
傾斜に対応するフィードバック信号を提供することによ
り、Ｌ帯域光増幅器内でＥＤＦを加熱あるいは冷却する
方法により制御し得る。エルビウムファイバーのフィー
ドバック信号に応答し、必要に応じて傾斜を安定化また
は変化させるために温度をダイナミックに変化させるこ
とができる。
【００２１】入力信号のパワーが変更されるとともにダ
イナミックにゲイン傾斜を変更するために光増幅器内に
おいて直列に配置可能なフィルタを補足するために使用
し得る、あるいは増幅器の出力応答のゲイン傾斜または
曲率を制御するためにＥＤＦＡシステム内でこのような
フィルタを用いることなく使用し得る希土類添加光増幅
器内で使用する新規の制御装置および制御方法を提供す
ることが、本発明の目的である。
イナミックにゲイン傾斜を変更するために光増幅器内に
おいて直列に配置可能なフィルタを補足するために使用
し得る、あるいは増幅器の出力応答のゲイン傾斜または
曲率を制御するためにＥＤＦＡシステム内でこのような
フィルタを用いることなく使用し得る希土類添加光増幅
器内で使用する新規の制御装置および制御方法を提供す
ることが、本発明の目的である。
【００２２】また本発明の別の目的は、光増幅器の傾斜
ゲインを制御するために使用する安価な制御装置および
制御方法を提供することにある。
ゲインを制御するために使用する安価な制御装置および
制御方法を提供することにある。
【００２３】換言すれが、本発明は光増幅器の特性付与
と制御の方法並びに光増幅器および光増幅器キットを提
供するものである。
と制御の方法並びに光増幅器および光増幅器キットを提
供するものである。
【００２４】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、設定
（予め与えられた値）の限界内で要求される傾斜または
曲率で動作を行う光増幅器の特性を付与する方法が提供
される。すなわち、その方法は、希土類添加光ファイバ
ー長さと、入力ポートおよび出力ポートとを有する光増
幅器を提供するステップと；希土類添加光ファイバーの
温度を複数の異なる温度に変化させるステップと；入力
ポートに入力信号が存在する条件の下で、異なる温度に
おいて光増幅器の出力ポートに出現する傾斜または曲率
についての異なる測定を決定するステップと；複数の異
なる温度のうちの少なくとも一つにおける傾斜又は曲率
の測定に関するフィードバックを提供するステップと；
を有する。
（予め与えられた値）の限界内で要求される傾斜または
曲率で動作を行う光増幅器の特性を付与する方法が提供
される。すなわち、その方法は、希土類添加光ファイバ
ー長さと、入力ポートおよび出力ポートとを有する光増
幅器を提供するステップと；希土類添加光ファイバーの
温度を複数の異なる温度に変化させるステップと；入力
ポートに入力信号が存在する条件の下で、異なる温度に
おいて光増幅器の出力ポートに出現する傾斜または曲率
についての異なる測定を決定するステップと；複数の異
なる温度のうちの少なくとも一つにおける傾斜又は曲率
の測定に関するフィードバックを提供するステップと；
を有する。
【００２５】また、本発明によれば、同じ入力光信号の
存在のもとで実質的に同じ傾斜を有し、またエルビウム
光ファイバーが維持される実質的に異なる温度設定点を
有することを特徴とする複数の光増幅器が提供される。
存在のもとで実質的に同じ傾斜を有し、またエルビウム
光ファイバーが維持される実質的に異なる温度設定点を
有することを特徴とする複数の光増幅器が提供される。
【００２６】また、本発明の一局面に従うと、光増幅器
キットが提供される。その光増幅器キットは、ａ）希土
類添加光ファイバー長さと、それに光結合されるポンプ
レーザと、光増幅器の設定の傾斜に対応する設定の温度
で光ファイバーを維持するために希土類添加光ファイバ
ーに結合される加熱器または冷却器の少なくとも一つ
と、を有し、温度に伴い変化する傾斜を提供する光増幅
器と； ｂ）設定の傾斜に対応する出力傾斜を得るために増幅器
が維持される温度の基準（および／又は温度の測定手
段）と；を有する。
キットが提供される。その光増幅器キットは、ａ）希土
類添加光ファイバー長さと、それに光結合されるポンプ
レーザと、光増幅器の設定の傾斜に対応する設定の温度
で光ファイバーを維持するために希土類添加光ファイバ
ーに結合される加熱器または冷却器の少なくとも一つ
と、を有し、温度に伴い変化する傾斜を提供する光増幅
器と； ｂ）設定の傾斜に対応する出力傾斜を得るために増幅器
が維持される温度の基準（および／又は温度の測定手
段）と；を有する。
【００２７】本発明の別の局面に従うと、光増幅器の制
御方法が提供される。この方法は、希土類添加光ファイ
バー長さと、入力ポートおよび出力ポートとを有する光
増幅器を提供するステップと；希土類添加光ファイバー
の温度を変化させながら傾斜または曲率の測定に関する
フィードバック信号を提供するステップと；を有する。
御方法が提供される。この方法は、希土類添加光ファイ
バー長さと、入力ポートおよび出力ポートとを有する光
増幅器を提供するステップと；希土類添加光ファイバー
の温度を変化させながら傾斜または曲率の測定に関する
フィードバック信号を提供するステップと；を有する。
【００２８】
【発明の実施の形態】まず、図４を参照すると、典型的
なＥＤＦＡ増幅器のゲインスペクトルが示されており、
波長関数としてゲインが変化することがわかる。
なＥＤＦＡ増幅器のゲインスペクトルが示されており、
波長関数としてゲインが変化することがわかる。
【００２９】様々なガラスホストに対し、希土類添加光
増幅器、特にＥＤＦＡは効果的に均質に広がっており、
添加物イオンと信号モードとの重なりは、ほぼ波長独立
状態となっている。このため、ここで増幅器の動作点が
固定されている間に弱いプローブ信号により測定される
小さな信号ゲインとなるゲインスペクトルは、波長依存
性信号パラメータ群に対し制約を受ける。
増幅器、特にＥＤＦＡは効果的に均質に広がっており、
添加物イオンと信号モードとの重なりは、ほぼ波長独立
状態となっている。このため、ここで増幅器の動作点が
固定されている間に弱いプローブ信号により測定される
小さな信号ゲインとなるゲインスペクトルは、波長依存
性信号パラメータ群に対し制約を受ける。
【００３０】このためある基準波長（参照波長）におけ
る増幅器のゲインが、入力（すなわちポンプおよび／ま
たは信号パワー）の変更により変更される場合、別の波
長における増幅器のゲインにおいて、基準波長でのゲイ
ン変更量とは往々にして異なるはっきりと明確な量分の
変更が発生することになる。入力の変更（変化）の結果
として生じる増幅器のゲイン変更（変化）の波長依存
は、ここではダイナミックゲイン傾斜に帰着する。この
ためダイナミックゲイン傾斜は、増幅器が設計された動
作点とは異なる条件で動作されることに対する増幅器の
ゲインスペクトルのゆがみである。
る増幅器のゲインが、入力（すなわちポンプおよび／ま
たは信号パワー）の変更により変更される場合、別の波
長における増幅器のゲインにおいて、基準波長でのゲイ
ン変更量とは往々にして異なるはっきりと明確な量分の
変更が発生することになる。入力の変更（変化）の結果
として生じる増幅器のゲイン変更（変化）の波長依存
は、ここではダイナミックゲイン傾斜に帰着する。この
ためダイナミックゲイン傾斜は、増幅器が設計された動
作点とは異なる条件で動作されることに対する増幅器の
ゲインスペクトルのゆがみである。
【００３１】本発明の背景の説明において指摘されたと
おり、これまで、従来のＥＤＦＡのゲインスペクトルを
オフセットし平坦化するためにフィルタが用いられてき
た。しかしながらこのような固定式のフィルタを取り付
けることは、入力光信号の入力パワーに伴い変化する状
態を呈す、ダイナミックゲイン傾斜によるゆがみを制御
する解決策を提供するものではない。
おり、これまで、従来のＥＤＦＡのゲインスペクトルを
オフセットし平坦化するためにフィルタが用いられてき
た。しかしながらこのような固定式のフィルタを取り付
けることは、入力光信号の入力パワーに伴い変化する状
態を呈す、ダイナミックゲイン傾斜によるゆがみを制御
する解決策を提供するものではない。
【００３２】さらにフィルタはゲインを提供することは
できず、増幅される信号を減衰し得るのみであり、光増
幅器に光結合されるフィルタの取り付けに伴う結合ロス
は、増幅器の全体的な性能における有害要因として考え
られる。これは好ましい解決策として見なされるもので
はない。
できず、増幅される信号を減衰し得るのみであり、光増
幅器に光結合されるフィルタの取り付けに伴う結合ロス
は、増幅器の全体的な性能における有害要因として考え
られる。これは好ましい解決策として見なされるもので
はない。
【００３３】ここで異なる温度に対するゲイン対波長の
グラフである図２（ａ）を見てみると、光増幅器内のエ
ルビウム添加ファイバーの温度を０℃から７５℃間にお
いて変化させたときのＬ帯域波長に対する全体的なゲイ
ン形状の変化が図示されている。図２（ｂ）では、温度
を０−２５℃、５０−７５℃および７５−２５℃間で変
化させた場合のゲインの傾斜および曲率が図示されてい
る。これにより、プロットは、０℃マイナス２５℃時の
値、５０℃マイナス７５℃時の値および７５℃マイナス
２５℃時の値を描く曲線を表しており、２５℃時の曲線
が基準となっている。またこのグラフは、温度を適切に
変化させることにより曲率を変更することができる程度
について図示している。
グラフである図２（ａ）を見てみると、光増幅器内のエ
ルビウム添加ファイバーの温度を０℃から７５℃間にお
いて変化させたときのＬ帯域波長に対する全体的なゲイ
ン形状の変化が図示されている。図２（ｂ）では、温度
を０−２５℃、５０−７５℃および７５−２５℃間で変
化させた場合のゲインの傾斜および曲率が図示されてい
る。これにより、プロットは、０℃マイナス２５℃時の
値、５０℃マイナス７５℃時の値および７５℃マイナス
２５℃時の値を描く曲線を表しており、２５℃時の曲線
が基準となっている。またこのグラフは、温度を適切に
変化させることにより曲率を変更することができる程度
について図示している。
【００３４】これは、エルビウム添加ファイバーの温度
変化関数として曲率と傾斜とを示している図２（ｃ）を
参照すれば、より明白である。測定結果から、傾斜は−
０．０７５ｄＢ／℃分だけ、曲率は０．０１７５ｄＢ／
℃分だけ、温度に伴い変化していることが分かる。図２
（ｃ）で示される変化が非常に線形であるため、傾斜お
よびゲインの平坦化を最適化するために温度を使用し得
る。
変化関数として曲率と傾斜とを示している図２（ｃ）を
参照すれば、より明白である。測定結果から、傾斜は−
０．０７５ｄＢ／℃分だけ、曲率は０．０１７５ｄＢ／
℃分だけ、温度に伴い変化していることが分かる。図２
（ｃ）で示される変化が非常に線形であるため、傾斜お
よびゲインの平坦化を最適化するために温度を使用し得
る。
【００３５】ここで図１を見てみると、加熱器３９を内
蔵するパッケージ３０内に収納された増幅用エルビウム
添加光ファイバー３３の長さを有する回路が示されてい
る。Ｌ帯域ＥＤＦ３３の端部は、適切にプログラムされ
た処理装置、すなわちコンピュータ形式の処理装置に連
結される光スペクトル分析器（ＯＳＡ）３５に光結合さ
れる。ポンプ信号（図示しない）は、テスト信号と結合
される。ＯＳＡ３５は、検出された信号のゲイン形状を
表す信号を分析のためにＥＤＦ３３からコンピュータ３
７に送る。コンピュータ３７は、次に、ＯＳＡ３５によ
り提供される情報の分析結果に基づき加熱器３９を制御
するための制御信号を送信する。サーミスタが、ＥＤＦ
３３あたりの領域からコンピュータ３７にフィードバッ
クをおこなう。
蔵するパッケージ３０内に収納された増幅用エルビウム
添加光ファイバー３３の長さを有する回路が示されてい
る。Ｌ帯域ＥＤＦ３３の端部は、適切にプログラムされ
た処理装置、すなわちコンピュータ形式の処理装置に連
結される光スペクトル分析器（ＯＳＡ）３５に光結合さ
れる。ポンプ信号（図示しない）は、テスト信号と結合
される。ＯＳＡ３５は、検出された信号のゲイン形状を
表す信号を分析のためにＥＤＦ３３からコンピュータ３
７に送る。コンピュータ３７は、次に、ＯＳＡ３５によ
り提供される情報の分析結果に基づき加熱器３９を制御
するための制御信号を送信する。サーミスタが、ＥＤＦ
３３あたりの領域からコンピュータ３７にフィードバッ
クをおこなう。
【００３６】図３のフローチャートには、コンピュータ
３７により実行される制御ループが図示されている。実
行されるステップのシーケンスは以下のとおりである。
入力信号がＥＤＦ３３の入力端部に入射される。入力信
号は設定（予め定められた値）の大きさ（マグニチュー
ド）であり、ＯＳＡ３５により測定される関係の波長群
を含んでいなければならない。温度は、最初に、値の有
効範囲内となるような任意値で設定される。
３７により実行される制御ループが図示されている。実
行されるステップのシーケンスは以下のとおりである。
入力信号がＥＤＦ３３の入力端部に入射される。入力信
号は設定（予め定められた値）の大きさ（マグニチュー
ド）であり、ＯＳＡ３５により測定される関係の波長群
を含んでいなければならない。温度は、最初に、値の有
効範囲内となるような任意値で設定される。
【００３７】ＯＳＡ３５はゲイン形状を受信し、次にそ
のゲイン形状またはゲイン形状に呼応する情報をコンピ
ュータ３７に送る。コンピュータは送られてきたゲイン
形状に基づき分析を行い、ゲイン形状をコンピュータ３
７に付属するメモリ記憶装置に記憶されている値の形式
においてスペクトルと比較する。このゲイン形状（傾斜
および／または曲率）が設定の限界内において記憶され
ている値と一致しなければ、ループは再度実行され、温
度は要求に応じて上昇または低下される。
のゲイン形状またはゲイン形状に呼応する情報をコンピ
ュータ３７に送る。コンピュータは送られてきたゲイン
形状に基づき分析を行い、ゲイン形状をコンピュータ３
７に付属するメモリ記憶装置に記憶されている値の形式
においてスペクトルと比較する。このゲイン形状（傾斜
および／または曲率）が設定の限界内において記憶され
ている値と一致しなければ、ループは再度実行され、温
度は要求に応じて上昇または低下される。
【００３８】これは、ＯＳＡ３５が設定の限界内におい
てコンピュータのメモリ内に記憶されている値に十分似
た値（設定値に対して予め与えられる許容範囲内の値）
を提供するまで繰り返され、その点における温度値また
は設定点が記録される。次に、増幅器を理想温度で使用
できるように、需要先に対し、ＥＤＦＡに関しての傾斜
または曲率に関する理想温度値を含むキットにが提供さ
れ、これによりコンピュータ３７に記憶されたある望ま
しい出力特性を満足する性能が確保されることになる。
てコンピュータのメモリ内に記憶されている値に十分似
た値（設定値に対して予め与えられる許容範囲内の値）
を提供するまで繰り返され、その点における温度値また
は設定点が記録される。次に、増幅器を理想温度で使用
できるように、需要先に対し、ＥＤＦＡに関しての傾斜
または曲率に関する理想温度値を含むキットにが提供さ
れ、これによりコンピュータ３７に記憶されたある望ま
しい出力特性を満足する性能が確保されることになる。
【００３９】もちろん各増幅器は、おそらくそれぞれが
異なる理想動作温度を有することになる。このため、こ
の方法で複数の増幅器が製造され試験される場合、それ
ぞれをその理想的な動作温度に設定し得る、複数の異な
る理想動作温度が各増幅器に提供されることになり、こ
れは、単独（単一）の信号動作温度が大規模な光増幅器
群を動作させるための共通の設定点として選択される先
行技術とは異なる。各増幅器にカスタマイズされた理想
的な動作温度を提供することは、各増幅器から最適な性
能を得る点に関し非常に有益である。
異なる理想動作温度を有することになる。このため、こ
の方法で複数の増幅器が製造され試験される場合、それ
ぞれをその理想的な動作温度に設定し得る、複数の異な
る理想動作温度が各増幅器に提供されることになり、こ
れは、単独（単一）の信号動作温度が大規模な光増幅器
群を動作させるための共通の設定点として選択される先
行技術とは異なる。各増幅器にカスタマイズされた理想
的な動作温度を提供することは、各増幅器から最適な性
能を得る点に関し非常に有益である。
【００４０】このほか、処理装置（コンピュータ）が１
台又は複数の光増幅器の検出回路から値を受信し、次に
１台又は複数の増幅器に取り付けられた加熱器または冷
却器が処理装置により傾斜または曲率をダイナミックに
変化させることにより制御され得る、ダイナミック温度
傾斜制御システムを提供することができる。本質的に図
１で示される回路と類似する回路が取り付けられるが、
ＯＳＡは、増幅器によって提供される僅かな割合の小さ
な出力パワーのみを有する出力信号を分析するタップに
接続される。それにもかかわらず、タップ信号は増幅信
号の形状に関する価値あるスペクトル情報を提供し得
る。
台又は複数の光増幅器の検出回路から値を受信し、次に
１台又は複数の増幅器に取り付けられた加熱器または冷
却器が処理装置により傾斜または曲率をダイナミックに
変化させることにより制御され得る、ダイナミック温度
傾斜制御システムを提供することができる。本質的に図
１で示される回路と類似する回路が取り付けられるが、
ＯＳＡは、増幅器によって提供される僅かな割合の小さ
な出力パワーのみを有する出力信号を分析するタップに
接続される。それにもかかわらず、タップ信号は増幅信
号の形状に関する価値あるスペクトル情報を提供し得
る。
【００４１】また、好都合にも、ＥＤＦＡは、増幅器を
動作させるための理想的な温度設定点を決定するために
製造中もしくは製造後に較正が可能であり、さらに（又
は）、ＥＤＦＡは、ゲインをダイナミックに監視する
（モニタする）ために、またその出力（またはそのタッ
プ出力）における検出されたスペクトル特性に基づき温
度を変化させるために、回路を提供することにより使用
し得る。
動作させるための理想的な温度設定点を決定するために
製造中もしくは製造後に較正が可能であり、さらに（又
は）、ＥＤＦＡは、ゲインをダイナミックに監視する
（モニタする）ために、またその出力（またはそのタッ
プ出力）における検出されたスペクトル特性に基づき温
度を変化させるために、回路を提供することにより使用
し得る。
【００４２】ＥＤＦＡの温度を適切に制御することによ
り、曲率および／または傾斜を変化させることができ
る。
り、曲率および／または傾斜を変化させることができ
る。
【図１】エルビウム添加光ファイバーを望むゲイン形状
において動作させるための理想的な温度を測定し決定す
るための本発明に従う光回路を示す回路構成図である。
において動作させるための理想的な温度を測定し決定す
るための本発明に従う光回路を示す回路構成図である。
【図２】エルビウムに関する特性を示す図で、（ａ）
は、Ｌ帯域内のエルビウム添加ファイバーの異なる温度
に対するゲイン形状を図示するゲイン対波長のグラフで
あり、（ｂ）は、温度が０−２５℃、５０−７５℃およ
び７５−２５℃間で変化した場合のゲインの傾斜および
曲率を図示するグラフであり、（ｃ）は、傾斜およびゲ
インの平坦さを最適化するためにどのように温度におけ
る変化を利用し得るかを図示するグラフである。
は、Ｌ帯域内のエルビウム添加ファイバーの異なる温度
に対するゲイン形状を図示するゲイン対波長のグラフで
あり、（ｂ）は、温度が０−２５℃、５０−７５℃およ
び７５−２５℃間で変化した場合のゲインの傾斜および
曲率を図示するグラフであり、（ｃ）は、傾斜およびゲ
インの平坦さを最適化するためにどのように温度におけ
る変化を利用し得るかを図示するグラフである。
【図３】望まれるスペクトルをもつ増幅出力信号を提供
するために要求されるステップを示す本発明に係る一実
施形態例のフローチャートである。
するために要求されるステップを示す本発明に係る一実
施形態例のフローチャートである。
【図４】典型的なエルビウム添加増幅器のゲイン（ｄ
Ｂ）対波長（ｎｍ）のグラフである。
Ｂ）対波長（ｎｍ）のグラフである。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１３年４月１０日（２００１．４．１
０）
０）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３３】ここで異なる温度に対するゲイン対波長の
グラフである図２（ａ）を見てみると、光増幅器内のエ
ルビウム添加ファイバーの温度を０℃から７５℃間にお
いて変化させたときのＬ帯域波長に対する全体的なゲイ
ン形状の変化が図示されている。図２（ｂ）では、温度
を０−２５℃、５０−２５℃および７５−２５℃間で変
化させた場合のゲインの傾斜および曲率が図示されてい
る。これにより、プロットは、０℃マイナス２５℃時の
値、５０℃マイナス２５℃時の値および７５℃マイナス
２５℃時の値を描く曲線を表しており、２５℃時の曲線
が基準となっている。またこのグラフは、温度を適切に
変化させることにより曲率を変更することができる程度
について図示している。
グラフである図２（ａ）を見てみると、光増幅器内のエ
ルビウム添加ファイバーの温度を０℃から７５℃間にお
いて変化させたときのＬ帯域波長に対する全体的なゲイ
ン形状の変化が図示されている。図２（ｂ）では、温度
を０−２５℃、５０−２５℃および７５−２５℃間で変
化させた場合のゲインの傾斜および曲率が図示されてい
る。これにより、プロットは、０℃マイナス２５℃時の
値、５０℃マイナス２５℃時の値および７５℃マイナス
２５℃時の値を描く曲線を表しており、２５℃時の曲線
が基準となっている。またこのグラフは、温度を適切に
変化させることにより曲率を変更することができる程度
について図示している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２】エルビウムに関する特性を示す図で、（ａ）
は、Ｌ帯域内のエルビウム添加ファイバーの異なる温度
に対するゲイン形状を図示するゲイン対波長のグラフで
あり、（ｂ）は、温度が０−２５℃、５０−２５℃およ
び７５−２５℃間で変化した場合のゲインの傾斜および
曲率を図示するグラフであり、（ｃ）は、傾斜およびゲ
インの平坦さを最適化するためにどのように温度におけ
る変化を利用し得るかを図示するグラフである。
は、Ｌ帯域内のエルビウム添加ファイバーの異なる温度
に対するゲイン形状を図示するゲイン対波長のグラフで
あり、（ｂ）は、温度が０−２５℃、５０−２５℃およ
び７５−２５℃間で変化した場合のゲインの傾斜および
曲率を図示するグラフであり、（ｃ）は、傾斜およびゲ
インの平坦さを最適化するためにどのように温度におけ
る変化を利用し得るかを図示するグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 500003660 570 Ｗｅｓｔ Ｈｕｎｔ Ｃｌｕｂ Ｒ ｏａｄ， Ｎｅｐｅａｎ， Ｏｎｔａｒｉ ｏ， Ｃａｎａｄａ Ｋ２Ｇ５Ｗ８ (72)発明者 ドナルド ジマーマン アメリカ合衆国 ニュージャージィ州 07727 ファーミンデール トール オー クス コート 10 (72)発明者 ジョン アール コステローエ アメリカ合衆国 ニュージャージィ州 07728 フリーフォルド アップルゲート ロード 72 (72)発明者 ポール ボーランド アメリカ合衆国 ニュージャージィ州 07724 ティントンフォールズ クリント ンプレイス 116
Claims (15)
- 【請求項１】 希土類添加光ファイバー長さと、入力ポ
ートおよび出力ポートとを有する光増幅器を提供するス
テップと；希土類添加光ファイバーの温度を複数の異な
る温度に変化させるステップと；入力ポートに入力信号
が存在する条件の下で、異なる温度において光増幅器の
出力ポートに出現する傾斜または曲率についての異なる
測定を決定するステップと；複数の異なる温度のうちの
少なくとも一つにおける傾斜又は曲率の測定に関するフ
ィードバックを提供するステップと；を有する、設定の
限界内において要求される傾斜又は曲率で動作させるた
めに光増幅器に特性を付与する方法。 - 【請求項２】 フィードバックが情報信号形式であり、
情報信号が、光増幅器を動作させるために希土類添加フ
ァイバーを維持する温度設定点の確立に使用されるべ
く、人による読み取りが可能なテキスト形式である請求
項１に記載の方法。 - 【請求項３】 フィードバックが、希土類添加光ファイ
バーの温度を制御し変化させる際に使用される信号形式
である請求項１記載の方法。 - 【請求項４】 設定限界内において望まれる曲率又は傾
斜値に近づけるために増幅器の出力応答を変更すべく、
フィードバックが、希土類添加光ファイバーの温度を制
御し変化させる際に使用される信号形式である請求項１
記載の方法。 - 【請求項５】 温度を変化するステップに少なくとも加
熱と冷却の一方が適用される、請求項１記載の方法。 - 【請求項６】 入力信号が１５６０ｎｍと１６１０ｎｍ
の範囲内の波長を有するＬ帯域信号である、請求項１記
載の方法。 - 【請求項７】 フィードバック信号が、実質的に望む傾
斜を維持すべく希土類増幅ファイバーの温度を制御する
ためのフィードバックループに送信される、請求項３記
載の方法。 - 【請求項８】 同じ入力光信号の存在のもとで実質的に
同じ傾斜を有し、またエルビウム光ファイバーが維持さ
れる実質的に異なる温度設定点を有することを特徴とす
る複数の光増幅器。 - 【請求項９】 ａ）希土類添加光ファイバー長さと、そ
れに光結合されるポンプレーザと、光増幅器の設定の傾
斜に対応する設定の温度で光ファイバーを維持するため
に希土類添加光ファイバーに結合される加熱器または冷
却器の少なくとも一つと、を有し、温度に伴い変化する
傾斜を提供する光増幅器と； ｂ）設定の傾斜に対応する出力傾斜を得るために増幅器
が維持される温度の基準と；を有する光増幅器キット。 - 【請求項１０】 光増幅器がＬ帯域増幅器である、請求
項９記載の光増幅器キット。 - 【請求項１１】 希土類添加光ファイバーが、少なくと
も加熱器又は冷却器を有する容器内に配置される、請求
項９記載の光増幅器キット。 - 【請求項１２】 ポンプレーザには別の温度制御回路が
含まれる、請求項１１記載の光増幅器キット。 - 【請求項１３】 希土類添加光ファイバー長さと、入力
ポートおよび出力ポートとを有する光増幅器を提供する
ステップと；希土類添加光ファイバーの温度を変化させ
ながら傾斜または曲率の測定に関するフィードバック信
号を提供するステップと；を有する、設定の限界内にお
いて要求される傾斜または曲率で動作させる光増幅器の
制御方法。 - 【請求項１４】 フィードバック信号を提供するステッ
プが、試験信号を光増幅器に提供するステップと、光増
幅器の出力信号を光スペクトル分析器に提供するステッ
プと、出力信号のゲイン形状の特性に呼応する光スペク
トル分析器からの信号を、分析を行うための、また傾斜
または曲率に関するフィードバック信号を提供するため
の処理装置であるプロセッサーに提供するためのステッ
プと、を有している、請求項１３記載の光増幅器の制御
方法。 - 【請求項１５】 さらに、実質的にほぼ要求される傾斜
を得るべく光増幅器を安定させるためにフィードバック
信号を使用するステップを含み、そのフィードバック信
号は光増幅器の温度を変化させるために使用されること
を特徴とする請求項１３記載の光増幅器の制御方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/466923 | 1999-12-20 | ||
| US09/466,923 US6535329B1 (en) | 1999-12-20 | 1999-12-20 | Temperature tuning an optical amplifier |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001217493A true JP2001217493A (ja) | 2001-08-10 |
Family
ID=23853604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000387592A Pending JP2001217493A (ja) | 1999-12-20 | 2000-12-20 | 光増幅器の特性付与と制御の方法並びに光増幅器および光増幅器キット |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6535329B1 (ja) |
| EP (1) | EP1111743A2 (ja) |
| JP (1) | JP2001217493A (ja) |
| CN (1) | CN1190695C (ja) |
| CA (1) | CA2328746A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009238882A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Fujitsu Ltd | 電子装置 |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6535329B1 (en) * | 1999-12-20 | 2003-03-18 | Jds Uniphase Inc. | Temperature tuning an optical amplifier |
| US6694080B2 (en) * | 2001-09-20 | 2004-02-17 | Corning Incorporated | Apparatus and method for thermally tuning an optical amplifier |
| JP3965975B2 (ja) * | 2001-11-13 | 2007-08-29 | 住友電気工業株式会社 | 光増幅器および光通信システム |
| EP1318621B1 (en) * | 2001-12-10 | 2013-02-13 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical amplifier and optical communication system including the same |
| US7064890B2 (en) | 2001-12-10 | 2006-06-20 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical amplifier and optical communication system including the same |
| EP1355392B1 (en) | 2002-03-05 | 2012-05-09 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical amplification module |
| US7525725B2 (en) * | 2002-03-05 | 2009-04-28 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical amplification module, optical amplifier, optical communication system, and white light source |
| US7911684B1 (en) | 2008-03-07 | 2011-03-22 | Oplink Communications, Inc. | Variable gain erbium doped fiber amplifier |
| US9680284B2 (en) | 2013-08-27 | 2017-06-13 | Lijie Qiao | Lessening variations of spectral characteristic of an optical device |
| CN104426049B (zh) | 2013-08-27 | 2017-08-11 | 乔立杰 | 降低放大器增益的热相关性 |
| CN108352672A (zh) * | 2015-11-19 | 2018-07-31 | 三菱电机株式会社 | 光放大装置 |
| CN105449500B (zh) * | 2015-12-25 | 2019-01-01 | 南京大学 | 一种基于高能粒子辐照的ase宽谱光源及提高平坦性的方法 |
| CN105576484B (zh) * | 2015-12-25 | 2019-04-05 | 南京大学 | 一种基于高能粒子辐照的增益平坦的掺铒光纤放大器 |
| CN105576483B (zh) * | 2015-12-25 | 2019-02-01 | 南京大学 | 一种基于双段互补型的掺铒光纤放大器 |
| US11782400B2 (en) * | 2019-12-17 | 2023-10-10 | The Hong Kong University Of Science And Technology | Indirect feedback tuning apparatuses and methods for tuning photonic systems |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6144486A (en) * | 1998-01-30 | 2000-11-07 | Corning Incorporated | Pump wavelength tuning of optical amplifiers and use of same in wavelength division multiplexed systems |
| WO2000001101A2 (en) * | 1998-06-30 | 2000-01-06 | Corning Incorporated | Thermal tuning of optical amplifiers in wdm systems |
| US6144788A (en) * | 1998-06-30 | 2000-11-07 | Honeywell, Inc. | High stability fiber light source |
| US6049414A (en) * | 1998-11-20 | 2000-04-11 | Lucent Technologies Inc. | Temperature-compensated rare earth doped optical waveguide amplifiers |
| JP3903650B2 (ja) * | 1999-06-18 | 2007-04-11 | 住友電気工業株式会社 | 光増幅器および光増幅器制御方法 |
| US6535329B1 (en) * | 1999-12-20 | 2003-03-18 | Jds Uniphase Inc. | Temperature tuning an optical amplifier |
-
1999
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2000
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009238882A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Fujitsu Ltd | 電子装置 |
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