JP2001216690A - Direct mastering method and device for the same - Google Patents

Direct mastering method and device for the same

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JP2001216690A
JP2001216690A JP2000020185A JP2000020185A JP2001216690A JP 2001216690 A JP2001216690 A JP 2001216690A JP 2000020185 A JP2000020185 A JP 2000020185A JP 2000020185 A JP2000020185 A JP 2000020185A JP 2001216690 A JP2001216690 A JP 2001216690A
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JP
Japan
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resist
substrate
exposure
exposed
stamper
Prior art date
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Application number
JP2000020185A
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Japanese (ja)
Inventor
Kazuhiko Sano
一彦 佐野
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a direct mastering method which is capable of making a stamper with a small number of stages by directly etching substrates of metals, ceramics, etc., without subjecting the substrates to stages of electroforming etc., and is capable of improving quality and productivity and a device for the same. SOLUTION: The substrate is etched with the positive type resist as mask by a heat treatment, full-surface exposure and development processing while the resist on recorded and exposed parts is made to remain after signal recording of the resist on the substrate.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、スタンパーをエッ
チングにより作製するダイレクトマスタリング方法及び
装置に関する。
The present invention relates to a direct mastering method and apparatus for producing a stamper by etching.

【0002】[0002]

【従来の技術】光ディスクの原盤を作製する工程を「マ
スタリング」工程といい、この工程で最終的に「スタン
パー」と呼ばれる原盤が作製される。このスタンパーが
後の成形工程で金型として用いられ、その金型により大
量のディスクの複製が生産される。
2. Description of the Related Art A process for producing a master of an optical disc is called a "mastering" process, and in this process, a master called a "stamper" is finally produced. The stamper is used as a mold in a later molding step, and the mold produces a large number of disk replicas.

【0003】従来はガラス原盤上のフォトレジストに形
成されたピットを電鋳によってニッケルの金属板に転写
してスタンパーを作っていた。そのため、工程数が多
く、工程中に発生する欠陥によって品質及び歩留まりの
低下を招いていた。また、設備コストや製造材料費が高
くつくなどの欠点を有していた。
Conventionally, pits formed in a photoresist on a glass master have been transferred to a nickel metal plate by electroforming to form a stamper. Therefore, the number of steps is large, and the quality and yield are reduced due to defects generated during the steps. In addition, there are disadvantages such as high equipment costs and manufacturing material costs.

【0004】図3に基板をエッチングしてスタンパーを
作る従来の工程を示す。
FIG. 3 shows a conventional process for forming a stamper by etching a substrate.

【0005】図3(a)は、スタンパー基板11にネガ
型レジストが塗布されてネガ型レジスト膜12が形成さ
れたものを示している。従来のゴム系ネガ型レジストは
解像度が悪く光ディスクの原盤記録には不適切であっ
た。しかし、最近化学増幅型のネガ型レジストが開発さ
れ、光ディスク用として0.3から0.4ミクロン程度
の幅の信号突起を形成できる解像度の高いものが利用可
能になっている。
FIG. 3A shows a stamper substrate 11 on which a negative resist is applied to form a negative resist film 12. Conventional rubber-based negative resists have poor resolution and are unsuitable for recording an original master of an optical disk. However, a chemically amplified negative type resist has recently been developed, and a high resolution type resist capable of forming a signal protrusion having a width of about 0.3 to 0.4 μm for an optical disk has become available.

【0006】次に、塗布されて形成されたネガ型レジス
ト膜12にレーザビームレコーダで信号を記録する。露
光装置の一例としてのレーザビームレコーダーはここで
は図示されていないが、レーザ光を所望の信号で変調し
てスタンパー基板11の半径方向に沿って露光する光学
系7と、上記スタンパー基板11を所望の回転数で回転
させる回転駆動装置8を有している。図3(b)では信
号変調されたレーザビーム3とそれをサブミクロンの大
きさに絞り、回転するスタンパー基板11上のレジスト
膜12に露光する記録レンズ4が示されている。次に、
上記信号露光されたスタンパー基板11をオーブンなど
で加熱処理する。
Next, a signal is recorded on the negative resist film 12 formed by coating with a laser beam recorder. Although not shown here, a laser beam recorder as an example of an exposure apparatus, an optical system 7 for modulating a laser beam with a desired signal and exposing the laser beam along a radial direction of the stamper substrate 11, And a rotation drive device 8 for rotating at a rotation speed of. FIG. 3B shows a signal-modulated laser beam 3 and a recording lens 4 which squeezes the laser beam 3 to a submicron size and exposes the resist film 12 on a rotating stamper substrate 11. next,
The stamper substrate 11 subjected to the signal exposure is heated in an oven or the like.

【0007】図3(c)は化学増幅型レジストで行われ
るPEB(ポストエクスポージャーベーク)と呼ばれる
熱処理を示している。この工程では、露光により発生し
た酸が触媒となってレジスト膜12の架橋反応が連鎖反
応的に促進される。つまり、露光部が現像液に不溶とな
る。
FIG. 3C shows a heat treatment called PEB (post-exposure bake) performed on a chemically amplified resist. In this step, the acid generated by the exposure acts as a catalyst to accelerate the crosslinking reaction of the resist film 12 in a chain reaction. That is, the exposed portion becomes insoluble in the developer.

【0008】図3(d)はその次に行われる現像工程を
示す。ノズル9より、回転するスタンパー基板11上に
現像液をかけ、現像が行なわれる。現像後、レジスト膜
12の露光部は現像液に不溶となっているので、突起1
3,…,13として残っている。純水によるリンスと乾
燥の後、次に、突起13,…,13をマスクとしてドラ
イエッチングがなされる。エッチングとしては反応性イ
オンエッチングやイオンビームエッチングなどが行われ
る。
FIG. 3D shows a developing step performed next. A developing solution is applied from the nozzle 9 onto the rotating stamper substrate 11 to perform development. After the development, the exposed portions of the resist film 12 are insoluble in the developing solution.
3,..., 13 remain. After rinsing with pure water and drying, dry etching is performed using the projections 13,..., 13 as a mask. As the etching, reactive ion etching, ion beam etching, or the like is performed.

【0009】図3(e)にエッチング後のスタンパー基
板11を示す。突起13,…,13はエッチング後、厚
みが薄くなっている。14はスタンパー基板11に形成
された信号突起を表わしている。
FIG. 3E shows the stamper substrate 11 after the etching. The projections 13,..., 13 have become thinner after etching. Reference numeral 14 denotes a signal protrusion formed on the stamper substrate 11.

【0010】図3(f)はアッシングにより、各突起1
3上の残留レジストを取り除いた後の状態を示し、いわ
ゆるマスターが完成している。アッシングは、酸素プラ
ズマの酸素ラジカルによりレジストをCO2とH2Oに分
解する工程である。この後、マスター基板を成形機の金
型に取り付けるようにその内外径の加工をすればスタン
パーとして完成である。
FIG. 3F shows that each projection 1 is formed by ashing.
3 shows a state after removing the residual resist on the top 3, and a so-called master is completed. Ashing is a process in which a resist is decomposed into CO 2 and H 2 O by oxygen radicals of oxygen plasma. Thereafter, if the inner and outer diameters of the master substrate are processed so as to be attached to the mold of the molding machine, the stamper is completed.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来例では、化学増幅型のネガ型のフォトレジストを
使用しているが、このレジストは露光により発生した酸
が触媒となって露光部の架橋反応を起し、現像液不溶な
構造にレジストを変えるものである。そのため、周囲の
環境雰囲気にアンモニアなどの塩基性物質があれば、発
生した酸が失活し、現像での不溶解性に大きな影響を与
える。そのため、周囲のアンモニア成分をppbオーダ
で除去し、常にその値を管理する必要がある。また、露
光から上記PEB(ポストエクスポージャーベーク)と
呼ばれる熱処理までの待機時間も現像での不溶解度に大
きな影響を与え、工程間の時間管理にも注意が必要にな
る。このように、化学増幅型のレジストは安定して使う
のが非常にむずかしく、それを用いた工程は環境整備や
管理にコストがかかり、生産も安定しない状況であっ
た。
However, in the above-mentioned conventional example, a chemically amplified negative type photoresist is used. However, in this resist, the acid generated by exposure acts as a catalyst to crosslink the exposed portion. A reaction is caused to change the resist into a structure insoluble in a developer. Therefore, if a basic substance such as ammonia is present in the surrounding environmental atmosphere, the generated acid is deactivated, which greatly affects the insolubility in development. Therefore, it is necessary to remove the surrounding ammonia component on the order of ppb, and to constantly control the value. Also, the waiting time from the exposure to the heat treatment called the PEB (post-exposure bake) has a great influence on the insolubility in the development, and it is necessary to pay attention to the time management between the steps. As described above, it is extremely difficult to use a chemically amplified resist stably, and a process using the resist requires cost for environmental maintenance and management, and production is not stable.

【0012】従って、本発明の目的は、上記問題を解決
することにあって、電鋳などの工程を経ず、直接、金属
やセラミックなどの基板をエッチングすることにより、
少ない工程数でスタンパーを作製することができ、品質
及び生産性を向上させることができるダイレクトマスタ
リング方法とその装置を提供することにある。
[0012] Accordingly, an object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, and by directly etching a substrate such as metal or ceramic without passing through a process such as electroforming,
It is an object of the present invention to provide a direct mastering method and a device which can manufacture a stamper with a small number of steps and can improve quality and productivity.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は以下のように構成する。
In order to achieve the above object, the present invention is configured as follows.

【0014】本発明の第1態様によれば、スタンパー基
板上のフォトレジストを、信号変調されたレーザで、選
択的に露光し、現像後、残留レジストをマスクとして上
記基板をエッチングして上記基板を直接スタンパーとす
るダイレクトマスタリング方法において、上記フォトレ
ジストにポジ型のレジストを用い、上記レーザによる選
択的露光の後、熱処理により上記レジストの露光部を現
像液に対して不溶にし、現像時に上記レジストの未露光
部を除去した後、上記レジストの露光部に相当する部分
に残留したレジストをマスクとして上記基板をエッチン
グして上記基板を直接スタンパーとすることを特徴とす
るダイレクトマスタリング方法を提供する。
According to a first aspect of the present invention, a photoresist on a stamper substrate is selectively exposed by a signal-modulated laser, and after development, the substrate is etched by using the remaining resist as a mask. In a direct mastering method using a direct stamper, a positive resist is used as the photoresist, and after the selective exposure by the laser, the exposed portion of the resist is insoluble in a developing solution by a heat treatment. After the unexposed portion is removed, the substrate is etched using the resist remaining in a portion corresponding to the exposed portion of the resist as a mask to directly use the substrate as a stamper.

【0015】本発明の第2態様によれば、上記フォトレ
ジストがオルソジアゾナフトキノンとノボラック樹脂か
ら成るポジ型のレジストであり、上記信号変調されたレ
ーザによる露光の後、上記レジストを加熱して上記露光
時に露光部に生じたカルボン酸に脱炭酸反応を起し、上
記カルボン酸をアルカリ現像液に不溶の炭化水素に変
え、しかる後に全面を紫外線で露光してからアルカリ現
像液で現像する第1の態様に記載のダイレクトマスタリ
ング方法を提供する。
According to a second aspect of the present invention, the photoresist is a positive resist composed of orthodiazonaphthoquinone and a novolak resin. After the exposure by the signal-modulated laser, the resist is heated to A decarboxylation reaction is caused to the carboxylic acid generated in the exposed portion at the time of exposure, and the carboxylic acid is converted into a hydrocarbon insoluble in an alkali developing solution. The direct mastering method according to the aspect is provided.

【0016】本発明の第3態様によれば、上記露光後の
加熱は、塩基性物質が存在する雰囲気で行われるととも
に、現像時にアルカリ現像液が使用される第1又は2の
態様に記載のダイレクトマスタリング方法を提供する。
According to a third aspect of the present invention, the heating after the exposure is performed in an atmosphere in which a basic substance is present, and the alkaline developing solution is used during development. Provide a direct mastering method.

【0017】本発明の第4態様によれば、上記塩基性物
質がアンモニアあるいはアミン系化合物である第3の態
様に記載のダイレクトマスタリング方法を提供する。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the direct mastering method according to the third aspect, wherein the basic substance is ammonia or an amine compound.

【0018】本発明の第5態様によれば、上記ポジ型レ
ジストはオルソジアゾナフトキノンとノボラック樹脂の
混合物に塩基性物質を含ませたものである第1又は2の
態様に記載のダイレクトマスタリング方法を提供する。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided the direct mastering method according to the first or second aspect, wherein the positive resist is a mixture of orthodiazonaphthoquinone and a novolak resin containing a basic substance. provide.

【0019】本発明の第6態様によれば、スタンパー基
板上のポジ型のフォトレジストを、信号変調されたレー
ザで、選択的に露光する露光装置と、熱処理により上記
レジストの露光部を現像液に対して不溶にする加熱装置
と、上記現像液で現像して露光部のみを残存させて上記
レジストの未露光部を除去する現像装置と、上記レジス
トの露光部に相当する部分に残留した露光部をマスクと
して上記基板をエッチングして上記基板を直接スタンパ
ーとするエッチング装置とを備えるようにしたことを特
徴とするダイレクトマスタリング装置を提供する。
According to a sixth aspect of the present invention, an exposure apparatus for selectively exposing a positive photoresist on a stamper substrate with a signal-modulated laser, and a developing solution for exposing an exposed portion of the resist by heat treatment A developing device that develops the developing solution with the developing solution to leave only exposed portions and removes unexposed portions of the resist; and a light exposure device that is exposed to portions corresponding to the exposed portions of the resist. And an etching device for etching the substrate using the portion as a mask and using the substrate directly as a stamper.

【0020】本発明の第7態様によれば、上記露光装置
において、上記レーザで、オルソジアゾナフトキノンと
ノボラック樹脂から成るポジ型のレジストである上記フ
ォトレジストを選択的に露光し、上記加熱装置は、上記
露光装置において上記信号変調されたレーザによる露光
の後に、上記レジストを加熱して上記露光時に露光部に
生じたカルボン酸に脱炭酸反応を起して上記カルボン酸
をアルカリ現像液に不溶の炭化水素に変える一方、上記
ダイレクトマスタリング装置は、上記カルボン酸をアル
カリ現像液に不溶の炭化水素に変えた後に、基板全面を
紫外線で露光する紫外線露光装置をさらに備え、上記現
像装置は、上記紫外線露光装置で紫外線露光後の上記基
板をアルカリ現像液を使用して現像する第6の態様に記
載のダイレクトマスタリング装置を提供する。
According to a seventh aspect of the present invention, in the exposure apparatus, the laser selectively exposes the photoresist, which is a positive resist composed of orthodiazonaphthoquinone and a novolak resin, using the laser. After the exposure by the signal-modulated laser in the exposure apparatus, the resist is heated to cause a decarboxylation reaction on the carboxylic acid generated in the exposed portion at the time of the exposure, so that the carboxylic acid is insoluble in the alkali developer. On the other hand, the direct mastering device further comprises an ultraviolet exposure device for exposing the entire surface of the substrate with ultraviolet light after converting the carboxylic acid into a hydrocarbon insoluble in an alkali developing solution. The direct mask according to the sixth aspect, wherein the substrate after the ultraviolet exposure with an exposure device is developed using an alkali developing solution. To provide a Taringu apparatus.

【0021】本発明の第8態様によれば、上記加熱装置
での加熱は、塩基性物質が存在する雰囲気で行われると
ともに、現像時にアルカリ現像液が使用される第6又は
7の態様に記載のダイレクトマスタリング装置を提供す
る。
According to an eighth aspect of the present invention, there is provided the sixth or seventh aspect, wherein the heating by the heating device is performed in an atmosphere in which a basic substance is present, and an alkaline developer is used during development. To provide a direct mastering device.

【0022】本発明の第9態様によれば、上記加熱装置
での加熱時に存在する上記塩基性物質がアンモニアある
いはアミン系化合物である第8の態様に記載のダイレク
トマスタリング装置を提供する。
According to a ninth aspect of the present invention, there is provided the direct mastering apparatus according to the eighth aspect, wherein the basic substance present at the time of heating by the heating device is ammonia or an amine compound.

【0023】本発明の第10態様によれば、上記露光装
置において、上記レーザで選択的に露光する上記ポジ型
レジストは、オルソジアゾナフトキノンとノボラック樹
脂の混合物に塩基性物質を含ませたものである第6又は
7の態様に記載のダイレクトマスタリング装置を提供す
る。
According to a tenth aspect of the present invention, in the exposure apparatus, the positive resist selectively exposed with the laser is a mixture of orthodiazonaphthoquinone and a novolak resin containing a basic substance. A direct mastering device according to a sixth or seventh aspect is provided.

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】以下に、本発明にかかる実施の形
態を図面に基づいて詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0025】本発明の一実施形態にかかるダイレクトマ
スタリング方法において基板をエッチングしてスタンパ
ーを作る工程を図1に示す。
FIG. 1 shows a process of forming a stamper by etching a substrate in a direct mastering method according to an embodiment of the present invention.

【0026】図1に示すように、スタンパー基板1上の
フォトレジスト膜2を信号変調されたレーザで選択的に
露光し、現像後、残留レジストをマスクとして上記基板
をエッチングして上記スタンパー基板1を直接スタンパ
ーとする工法において、上記フォトレジストに、電鋳に
よりスタンパーを作る従来の工法より使われているポジ
型、すなわち、オルソジアゾナフトキノンとノボラック
樹脂から成るポジ型のレジストを用いる。そして、レー
ザによる選択的露光の後、熱処理により上記レジストの
露光部をアルカリ現像液に対し不溶にする、言い換えれ
ば、現像時に露光部が残る、いわゆるイメージリバーサ
ル法と呼ばれる方法により、レジストをネガ型に反転さ
せることを特徴とする。そのため、従来のポジ型レジス
トの解像度と取り扱いの良さの両方を実現できる、すな
わち、レジストとしては従来同様の管理でよく、かつ、
解像度も従来並みが得られる新規のダイレクトマスタリ
ング工法を実現するものである。
As shown in FIG. 1, a photoresist film 2 on a stamper substrate 1 is selectively exposed by a signal-modulated laser, and after development, the substrate is etched by using the remaining resist as a mask. Is used as a direct stamper, a positive type resist used in the conventional method of forming a stamper by electroforming, that is, a positive type resist composed of orthodiazonaphthoquinone and a novolak resin is used as the photoresist. Then, after the selective exposure by the laser, the exposed portion of the resist is made insoluble in an alkali developing solution by a heat treatment, in other words, the exposed portion remains at the time of development. It is characterized in that it is inverted. Therefore, both the resolution and the good handling of the conventional positive resist can be realized, that is, the same management as the conventional resist is sufficient, and
The new direct mastering method achieves the same resolution as the conventional one.

【0027】また、本発明の一実施形態にかかるダイレ
クトマスタリング方法を実施するための装置としては、
スタンパー基板上のポジ型のフォトレジストを、信号変
調されたレーザで、選択的に露光する露光装置と、熱処
理により上記レジストの露光部を現像液に対して不溶に
する加熱装置と、基板全面を紫外線で露光する紫外線露
光装置と、上記現像液で現像して露光部のみを残存させ
て上記レジストの未露光部を除去する現像装置と、しか
る後に、上記レジストの露光部に相当する部分に残留し
た露光部をマスクとして上記基板をエッチングして上記
基板を直接スタンパーとするエッチング装置とを備える
ようにしている。
An apparatus for implementing the direct mastering method according to one embodiment of the present invention includes:
An exposure device for selectively exposing the positive photoresist on the stamper substrate with a signal-modulated laser, a heating device for making the exposed portion of the resist insoluble in a developing solution by heat treatment, and An ultraviolet exposure apparatus for exposing with ultraviolet light, a developing apparatus for developing with the developing solution to leave only the exposed portions and remove the unexposed portions of the resist, and thereafter, to a portion corresponding to the exposed portions of the resist. And an etching apparatus for etching the substrate using the exposed portion as a mask and using the substrate directly as a stamper.

【0028】以下、図1に従って、上記実施形態を詳細
に説明する。
Hereinafter, the above embodiment will be described in detail with reference to FIG.

【0029】図1(a)で、1はスタンパー基板であ
り、ポジ型のフォトレジストが塗布されてフォトレジス
ト膜2が形成されている。一つの例としては、このレジ
ストはオルソジアゾナフトキノンとノボラック樹脂から
成るものである。この図1(a)では、スタンパー基板
1は既に成形機の金型に取付けられるように、内径など
の寸法加工がなされている。この加工は必ずしも事前に
されている必要はなく、最後に加工しても差し支えな
い。スタンパー基板1としては、熱伝導率や熱膨張係数
などの物理的特性が従来のニッケル板に近い金属の方が
成形条件を変えなくてもよいので、従来と同様なものを
使用することができる。しかし、スタンパー基板1とし
ては、金属に限らず、セラミックやガラス、シリコン化
合物などでもよい。スタンパー基板1の材質は、エッチ
ング性の良否と成形時の耐熱性、耐摩耗性、また経済性
などを考慮して選択される。
In FIG. 1A, reference numeral 1 denotes a stamper substrate, on which a positive type photoresist is applied to form a photoresist film 2. In one example, the resist is comprised of orthodiazonaphthoquinone and a novolak resin. In FIG. 1A, the stamper substrate 1 has already been dimensioned such as an inner diameter so that it can be mounted on a mold of a molding machine. This processing need not necessarily be performed in advance, and may be performed last. As the stamper substrate 1, a metal having physical properties such as a thermal conductivity and a thermal expansion coefficient close to those of a conventional nickel plate does not need to change the molding conditions, and therefore, the same as the conventional one can be used. . However, the stamper substrate 1 is not limited to metal, but may be ceramic, glass, a silicon compound, or the like. The material of the stamper substrate 1 is selected in consideration of the etching quality, heat resistance during molding, abrasion resistance, economy, and the like.

【0030】図1(b)はレーザービームレコーダで信
号を記録しているところを示している。スタンパー基板
1は回転盤8a上に載置されて回転駆動装置8により回
転させられ、図示されていないレーザービームレコーダ
により信号変調されたレーザ光がレジスト膜2に露光さ
れる。図1(b)ではレーザ3と記録レンズ4の光学系
7が示されている。記録レンズ4は、レーザ光3をサブ
ミクロンサイズに絞るためのものである。
FIG. 1B shows a state where a signal is recorded by a laser beam recorder. The stamper substrate 1 is mounted on a turntable 8a and rotated by a rotation driving device 8, and a laser beam signal-modulated by a laser beam recorder (not shown) is exposed on the resist film 2. FIG. 1B shows an optical system 7 of the laser 3 and the recording lens 4. The recording lens 4 is for narrowing the laser beam 3 to a submicron size.

【0031】次に、図1(c)はスタンパー基板1を加
熱して脱炭酸反応を起させているところを示している。
この加熱処理は、図2に示す、アンモニア雰囲気でベー
クをする上記実施形態にかかるダイレクトマスタリング
装置の一部を構成する加熱装置の一例を使用して行う。
図2において、16はチャンバー15内に配置された赤
外線ヒータ、17,17’はチャンバー15内でスタン
パー基板1を支持するための支持部材、18はチャンバ
ー15の真空排気ダクト、19はチャンバー15内にア
ンモニアを注入する配管である。レジスト膜2の露光部
5には、露光により、芳香族カルボン酸が生成されてい
るが、上記加熱装置の赤外線ヒータ16による加熱によ
り、露光部5からCO2が離脱し、アルカリ現像液に不
溶の芳香族炭化水素が露光部5に残る。この脱炭酸反応
は塩基性物質が存在すると起こり易い。そのために、上
記実施形態では、スタンパー基板1を図2の上記加熱装
置の真空チャンバー15に入れ、真空排気ダクト18を
使用して真空排気を行うとともに窒素パージなどでチャ
ンバー15内を不活性状態にした後、配管19よりアン
モニア又はアミン系化合物などの塩基性物質を真空チャ
ンバー15に注入し、真空チャンバー15にの塩基性物
質が存在する雰囲気の中で、スタンパー基板1の加熱ベ
ークが行われる。上記加熱装置により、支持部材17,
17’により支持されたスタンパー基板1は、赤外線ヒ
ータ16により例えば約90〜100℃に加熱させられ
る。
Next, FIG. 1C shows a state where the stamper substrate 1 is heated to cause a decarboxylation reaction.
This heat treatment is performed using an example of a heating device that constitutes a part of the direct mastering device according to the above embodiment that performs baking in an ammonia atmosphere, as shown in FIG.
In FIG. 2, reference numeral 16 denotes an infrared heater disposed in the chamber 15, reference numerals 17 and 17 'denote support members for supporting the stamper substrate 1 in the chamber 15, reference numeral 18 denotes a vacuum exhaust duct of the chamber 15, and reference numeral 19 denotes an inside of the chamber 15. For injecting ammonia into the pipe. In the exposed portion 5 of the resist film 2, aromatic carboxylic acid is generated by exposure, but CO 2 is released from the exposed portion 5 by heating by the infrared heater 16 of the heating device and is insoluble in an alkali developing solution. Of the aromatic hydrocarbon remain in the exposed portion 5. This decarboxylation reaction is likely to occur when a basic substance is present. For this purpose, in the above-described embodiment, the stamper substrate 1 is put into the vacuum chamber 15 of the above-described heating apparatus in FIG. After that, a basic substance such as ammonia or an amine-based compound is injected into the vacuum chamber 15 from the pipe 19, and the heating and baking of the stamper substrate 1 is performed in an atmosphere where the basic substance exists in the vacuum chamber 15. By the heating device, the support member 17,
The stamper substrate 1 supported by 17 ′ is heated by the infrared heater 16 to, for example, about 90 to 100 ° C.

【0032】その後、チャンバー15からスタンパー基
板1を取り出し、塩基性雰囲気のないところで、図1
(d)に示すようにレジスト膜2の全面を紫外線露光装
置の紫外線UVで露光する。この時、図1(b)で未露
光であったレジスト膜2の未露光部にアルカリ可溶のイ
ンデンカルボン酸が生成される。
Thereafter, the stamper substrate 1 is taken out of the chamber 15 and placed in a place without a basic atmosphere.
As shown in (d), the entire surface of the resist film 2 is exposed with ultraviolet light UV from an ultraviolet light exposure device. At this time, alkali-soluble indene carboxylic acid is generated in the unexposed portion of the resist film 2 that has not been exposed in FIG.

【0033】次に、図1(e)に示すように、現像装置
の現像液供給ノズル9から現像液をかけて現像を行な
う。この時、スタンパー基板1は図示されない回転駆動
系で回転させられている。回転駆動系の一例としては、
図1(b)で使用したように、スタンパー基板1を回転
盤8a上に載置して回転駆動装置8により回転させるこ
とができる。上記したように、レジスト膜2において、
信号記録された露光部5はアルカリ不溶で、未露光部は
アルカリ可溶になっているので、現像後、露光部5が図
1(e)に示すように突起部5a,…,5aとして残さ
れる。この残留レジスト突起5a,…,5aをマスクと
して、エッチング装置でエッチングを行なう。エッチン
グには反応性イオエッチングが一般的に用いられる。た
だし、スタンパー基板1の種類によっては、イオンビー
ムエッチングやスパッタエッチングなど最適な工法が用
いられる。
Next, as shown in FIG. 1 (e), a developing solution is supplied from a developing solution supply nozzle 9 of the developing device to perform development. At this time, the stamper substrate 1 is rotated by a rotation drive system (not shown). As an example of a rotary drive system,
As used in FIG. 1B, the stamper substrate 1 can be mounted on the turntable 8a and rotated by the rotation drive device 8. As described above, in the resist film 2,
Since the exposed portion 5 on which the signal is recorded is alkali-insoluble and the unexposed portion is alkali-soluble, after development, the exposed portion 5 is left as protrusions 5a,..., 5a as shown in FIG. It is. Using the residual resist protrusions 5a,..., 5a as a mask, etching is performed by an etching apparatus. Reactive ion etching is generally used for etching. However, depending on the type of the stamper substrate 1, an optimal method such as ion beam etching or sputter etching is used.

【0034】図1(f)にエッチング後のスタンパー基
板1を示す。スタンパー基板1の残留レジスト突起5
a,…,5aの下に信号突起6,…,6が形成されてい
る。
FIG. 1F shows the stamper substrate 1 after the etching. Residual resist protrusions 5 on stamper substrate 1
Signal projections 6,..., 6 are formed under a,.

【0035】次に、アッシングにより、残留レジスト突
起5a,…,5aを除去して信号突起6,…,6のみと
したのが図1(g)に示されている。この状態のスタン
パー基板1はスタンパーとして完成しており、完成した
スタンパーを成形機に取付けて光ディスクを成形するこ
とができる。
Next, as shown in FIG. 1 (g), the remaining resist protrusions 5a,..., 5a are removed by ashing to leave only the signal protrusions 6,. The stamper substrate 1 in this state is completed as a stamper, and the completed stamper can be mounted on a molding machine to mold an optical disk.

【0036】上記実施形態によれば、信号変調されたレ
ーザによるレジスト膜2の露光の後、上記レジスト膜2
を加熱し、上記露光部5に生じたカルボン酸に脱炭酸反
応を起して現像液に不溶の炭化水素に変えた後に、レジ
スト膜全面を紫外線で露光するいわゆるフラッド露光を
行い、信号変調されたレーザの未露光部はアルカリに可
溶のカルボン酸に変わり、その後のアルカリ現像液で現
像して溶解除去する。その結果として、信号変調された
レーザによる露光部分の露光部5のレジスト膜5aのみ
が残る。残留した露光部5のレジスト膜5aをマスクに
して、スタンパー基板1をエッチングすると、露光部5
が突起6,…,6として残った基板ができ、スタンパー
として使えるようになる。このようにすれば、従来のポ
ジ型レジストの解像度と取り扱いの良さの両方を実現で
きる、すなわち、レジストとしては従来のノボラック樹
脂からなるポジ型レジストと同様の管理でよく、かつ、
解像度も従来並みの0.2〜0.3μmの解像度が得ら
れる新規のダイレクトマスタリング工法を実現するもの
である。言い換えれば、電鋳などの工程を経ず、直接、
金属やセラミックなどの基板をエッチングすることによ
り、少ない工程数でスタンパーを作製することができ、
品質及び生産性を向上させることができる。
According to the above embodiment, after the resist film 2 is exposed by the signal-modulated laser, the resist film 2 is exposed.
Is heated to cause a decarboxylation reaction of the carboxylic acid generated in the exposed portion 5 to change it into a hydrocarbon insoluble in the developing solution. Then, a so-called flood exposure in which the entire resist film is exposed to ultraviolet light is performed, and the signal is modulated. The unexposed portion of the laser is converted into a carboxylic acid soluble in alkali, and then developed and removed with an alkali developing solution. As a result, only the resist film 5a of the exposed portion 5 at the portion exposed by the signal-modulated laser remains. When the stamper substrate 1 is etched using the remaining resist film 5a of the exposed portion 5 as a mask, the exposed portion 5
Are formed as protrusions 6,..., 6, and can be used as stampers. In this way, both the resolution and the good handling of the conventional positive resist can be realized, that is, the resist can be managed in the same manner as the conventional positive resist made of novolak resin, and
The present invention realizes a new direct mastering method capable of obtaining a resolution of 0.2 to 0.3 μm, which is the same as the conventional resolution. In other words, without going through processes such as electroforming,
By etching a substrate such as metal or ceramic, a stamper can be manufactured with a small number of processes.
Quality and productivity can be improved.

【0037】なお、本発明は上記実施形態に限定される
ものではなく、その他種々の態様で実施できる。
The present invention is not limited to the above embodiment, but can be implemented in various other modes.

【0038】例えば、本発明の他の実施形態として、図
1におけるポジ型レジストとして、その成分に塩基性物
質を含んだものを用いることができる。これは図1
(c)で塩基性物質の雰囲気で加熱したのと同じ理由
で、脱炭酸反応は塩基性物質が存在すると起こり易いか
らである。この場合も、他の工程は前述の実施形態と同
じであるが、図1(c)の加熱ベーキング処理は塩基性
物質中で行なわなくてよいという利点がある。
For example, as another embodiment of the present invention, the positive resist shown in FIG. 1 can be used which contains a basic substance in its components. This is Figure 1
This is because the decarboxylation reaction is likely to occur when a basic substance is present, for the same reason as in the case of heating in an atmosphere of a basic substance in (c). In this case, the other steps are the same as those of the above-described embodiment, but there is an advantage that the heat baking treatment in FIG. 1C does not need to be performed in a basic substance.

【0039】なお、上記様々な実施形態のうちの任意の
実施形態を適宜組み合わせることにより、それぞれの有
する効果を奏するようにすることができる。
It is to be noted that by appropriately combining any of the above-described various embodiments, the effects of the respective embodiments can be exhibited.

【0040】[0040]

【発明の効果】本発明のダイレクトマスタリング方法及
び装置によれば、信号変調されたレーザによるレジスト
の露光の後、上記レジストを加熱し、上記レジストの露
光部を現像液に対して不溶にし、現像時に上記レジスト
の未露光部を除去した後、上記レジストの露光部に相当
する部分に残留したレジストをマスクとして上記基板を
エッチングして上記基板を直接スタンパーとすると、露
光部が突起状に残った基板ができ、スタンパーとして使
えるようになる。このようにすれば、電鋳などを用い
ず、簡便な方法で高品質のスタンパーを作ることができ
るとともに、化学増幅型のネガ型レジストのように取り
扱いが難しく、周囲の環境雰囲気を厳しく管理する必要
がない。
According to the direct mastering method and apparatus of the present invention, after exposing a resist by a signal-modulated laser, the resist is heated to make the exposed portion of the resist insoluble in a developing solution, thereby developing the resist. Sometimes, after removing the unexposed portions of the resist, the substrate is etched directly using the resist remaining in the portions corresponding to the exposed portions of the resist as a mask, and the substrate is directly used as a stamper. The substrate is made and can be used as a stamper. In this way, a high-quality stamper can be made by a simple method without using electroforming, etc., and it is difficult to handle like a chemically amplified negative resist, and the surrounding environmental atmosphere is strictly controlled. No need.

【0041】また、本発明によれば、従来のマスタリン
グ工法で用いられているポジ型レジストを使用できるの
で、基板への塗布条件、レーザ記録時の記録パワー条件
などすでに確立され実績のあるプロセス条件を用いるこ
とが出来き、安定した生産が可能になる。
Further, according to the present invention, since the positive resist used in the conventional mastering method can be used, the process conditions which have been established and proven, such as the application condition to the substrate and the recording power condition at the time of laser recording, can be used. Can be used, and stable production can be achieved.

【0042】また、上記フォトレジストがオルソジアゾ
ナフトキノンとノボラック樹脂から成るポジ型のレジス
トであり、上記信号変調されたレーザによる露光の後、
上記レジストを加熱して上記露光時に露光部に生じたカ
ルボン酸に脱炭酸反応を起し、上記カルボン酸をアルカ
リ現像液に不溶の炭化水素に変え、しかる後に全面を紫
外線で露光してから現像するようにすれば、レジスト及
び現像液とも従来より使われているものを使用できる。
The photoresist is a positive resist composed of orthodiazonaphthoquinone and a novolak resin, and after exposure with the signal-modulated laser,
The above-mentioned resist is heated to cause a decarboxylation reaction of the carboxylic acid generated in the exposed portion at the time of the above-mentioned exposure, thereby converting the above-mentioned carboxylic acid into a hydrocarbon which is insoluble in an alkali developing solution. In this case, a resist and a developing solution which are conventionally used can be used.

【0043】また、露光後の加熱は塩基性物質が存在す
る雰囲気で行うようにすれば、塩基性物質が存在するた
め脱炭酸反応を容易に起こすことができて、上記レジス
トの露光部に相当する部分をアルカリ現像液に対して円
滑に不溶にすることができる。
If heating after exposure is performed in an atmosphere in which a basic substance is present, a decarboxylation reaction can be easily caused due to the presence of the basic substance, which corresponds to the exposed portion of the resist. Can be made smoothly insoluble in an alkali developing solution.

【0044】また、オルソジアゾナフトキノンとノボラ
ック樹脂の混合物のポジ型レジストに塩基性物質を含ま
せたものを用いるようにすれば、脱炭酸反応を容易に起
こすことができて、加熱処理を塩基性物質中で行なわな
くてよいという利点がある。
If a positive resist containing a mixture of orthodiazonaphthoquinone and novolak resin containing a basic substance is used, a decarboxylation reaction can be easily caused, and the heat treatment can be carried out with a basic substance. The advantage is that it does not have to be performed in the substance.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 (a),(b),(c),(d),(e),
(f)は本発明の一実施形態にかかるダイレクトマスタ
リング方法において基板をエッチングしてスタンパーを
作る工程を示す説明図である。
FIG. 1 (a), (b), (c), (d), (e),
(F) is an explanatory view showing a step of forming a stamper by etching the substrate in the direct mastering method according to one embodiment of the present invention.

【図2】 本発明の上記実施形態にかかるダイレクトマ
スタリングの加熱装置の説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram of a heating device for direct mastering according to the embodiment of the present invention.

【図3】 (a),(b),(c),(d),(e),
(f)は従来の基板をエッチングしてスタンパーを作る
工程を示す説明図である。
FIG. 3 (a), (b), (c), (d), (e),
(F) is an explanatory view showing a conventional process of forming a stamper by etching a substrate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…スタンパー基板、 2…ポジ型レジスト、 3…レーザ光、 4…記録レンズ、 5…露光部、 5a…残留レジスト突起、 6…信号突起、 7…光学系、 8…回転駆動装置、 9…現像液ノズル、 11…従来例のスタンパー基板、 12…従来例の化学増幅型ネガ型レジスト、 13…露光部の残留レジスト、 14…スタンパー基板に形成された信号突起、 15…加熱装置の真空チャンバー、 16…赤外線ヒータ、 17,17’…基板支持部材、 18…真空排気ダクト、 19…アンモニア注入ダクト。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Stamper board, 2 ... Positive resist, 3 ... Laser beam, 4 ... Recording lens, 5 ... Exposure part, 5a ... Residual resist protrusion, 6 ... Signal protrusion, 7 ... Optical system, 8 ... Rotation drive device, 9 ... Developing solution nozzle, 11: conventional stamper substrate, 12: conventional chemically amplified negative resist, 13: residual resist in the exposed part, 14: signal protrusions formed on the stamper substrate, 15: vacuum chamber of heating device Reference numeral 16: an infrared heater; 17, 17 ': a substrate support member; 18, a vacuum exhaust duct; 19, an ammonia injection duct.

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 スタンパー基板上のフォトレジストを、
信号変調されたレーザで、選択的に露光し、現像後、残
留レジストをマスクとして上記基板をエッチングして上
記基板を直接スタンパーとするダイレクトマスタリング
方法において、 上記フォトレジストにポジ型のレジストを用い、上記レ
ーザによる選択的露光の後、熱処理により上記レジスト
の露光部を現像液に対して不溶にし、現像時に上記レジ
ストの未露光部を除去した後、上記レジストの露光部に
相当する部分に残留したレジストをマスクとして上記基
板をエッチングして上記基板を直接スタンパーとするこ
とを特徴とするダイレクトマスタリング方法。
A photoresist on a stamper substrate is
With a signal-modulated laser, selectively exposed and developed, after development, in a direct mastering method in which the substrate is etched using the residual resist as a mask and the substrate is directly stamped, using a positive resist as the photoresist, After the selective exposure by the laser, the exposed portion of the resist is insoluble in a developing solution by a heat treatment, and after the unexposed portion of the resist is removed during development, it remains in a portion corresponding to the exposed portion of the resist. A direct mastering method, wherein the substrate is directly used as a stamper by etching the substrate using a resist as a mask.
【請求項2】 上記フォトレジストがオルソジアゾナフ
トキノンとノボラック樹脂から成るポジ型のレジストで
あり、上記信号変調されたレーザによる露光の後、上記
レジストを加熱して上記露光時に露光部に生じたカルボ
ン酸に脱炭酸反応を起し、上記カルボン酸をアルカリ現
像液に不溶の炭化水素に変え、しかる後に全面を紫外線
で露光してからアルカリ現像液で現像する請求項1に記
載のダイレクトマスタリング方法。
2. The method according to claim 1, wherein the photoresist is a positive resist composed of orthodiazonaphthoquinone and a novolak resin. After exposure by the signal-modulated laser, the photoresist is heated to form a photoresist on an exposed portion during the exposure. The direct mastering method according to claim 1, wherein a decarboxylation reaction is caused in the acid to convert the carboxylic acid into a hydrocarbon insoluble in an alkali developing solution, and thereafter, the entire surface is exposed to ultraviolet light and then developed with an alkali developing solution.
【請求項3】 上記露光後の加熱は、塩基性物質が存在
する雰囲気で行われるとともに、現像時にアルカリ現像
液が使用される請求項1又は2に記載のダイレクトマス
タリング方法。
3. The direct mastering method according to claim 1, wherein the heating after the exposure is performed in an atmosphere in which a basic substance is present, and an alkali developing solution is used during development.
【請求項4】 上記塩基性物質がアンモニアあるいはア
ミン系化合物である請求項3に記載のダイレクトマスタ
リング方法。
4. The direct mastering method according to claim 3, wherein the basic substance is ammonia or an amine compound.
【請求項5】 上記ポジ型レジストはオルソジアゾナフ
トキノンとノボラック樹脂の混合物に塩基性物質を含ま
せたものである請求項1又は2に記載のダイレクトマス
タリング方法。
5. The direct mastering method according to claim 1, wherein the positive resist is a mixture of orthodiazonaphthoquinone and a novolak resin containing a basic substance.
【請求項6】 スタンパー基板上のポジ型のフォトレジ
ストを、信号変調されたレーザで、選択的に露光する露
光装置と、 熱処理により上記レジストの露光部を現像液に対して不
溶にする加熱装置と、 上記現像液で現像して露光部のみを残存させて上記レジ
ストの未露光部を除去する現像装置と、 上記レジストの露光部に相当する部分に残留した露光部
をマスクとして上記基板をエッチングして上記基板を直
接スタンパーとするエッチング装置とを備えるようにし
たことを特徴とするダイレクトマスタリング装置。
6. An exposure apparatus for selectively exposing a positive photoresist on a stamper substrate with a signal-modulated laser, and a heating apparatus for making an exposed portion of the resist insoluble in a developing solution by heat treatment. And a developing device that develops with the developer to leave only the exposed portions and remove the unexposed portions of the resist, and etches the substrate using the exposed portions remaining as masks in portions corresponding to the exposed portions of the resist. A direct mastering apparatus comprising: an etching apparatus that directly uses the substrate as a stamper.
【請求項7】 上記露光装置において、上記レーザで、
オルソジアゾナフトキノンとノボラック樹脂から成るポ
ジ型のレジストである上記フォトレジストを選択的に露
光し、 上記加熱装置は、上記露光装置において上記信号変調さ
れたレーザによる露光の後に、上記レジストを加熱して
上記露光時に露光部に生じたカルボン酸に脱炭酸反応を
起して上記カルボン酸をアルカリ現像液に不溶の炭化水
素に変える一方、 上記ダイレクトマスタリング装置は、上記カルボン酸を
アルカリ現像液に不溶の炭化水素に変えた後に、基板全
面を紫外線で露光する紫外線露光装置をさらに備え、 上記現像装置は、上記紫外線露光装置で紫外線露光後の
上記基板をアルカリ現像液を使用して現像する請求項6
に記載のダイレクトマスタリング装置。
7. The exposure apparatus, wherein the laser includes:
The photoresist, which is a positive resist composed of orthodiazonaphthoquinone and a novolak resin, is selectively exposed, and the heating device heats the resist after exposure by the signal-modulated laser in the exposure device. While the decarboxylation reaction occurs in the carboxylic acid generated in the exposed part during the exposure to change the carboxylic acid into a hydrocarbon insoluble in the alkali developing solution, the direct mastering device converts the carboxylic acid insoluble in the alkali developing solution. 7. An ultraviolet exposure device for exposing the entire surface of the substrate to ultraviolet light after converting the hydrocarbon to hydrocarbons, wherein the developing device develops the substrate exposed to ultraviolet light by the ultraviolet exposure device using an alkali developing solution.
A direct mastering device according to item 1.
【請求項8】 上記加熱装置での加熱は、塩基性物質が
存在する雰囲気で行われるとともに、現像時にアルカリ
現像液が使用される請求項6又は7に記載のダイレクト
マスタリング装置。
8. The direct mastering device according to claim 6, wherein the heating by the heating device is performed in an atmosphere in which a basic substance is present, and an alkaline developer is used at the time of development.
【請求項9】 上記加熱装置での加熱時に存在する上記
塩基性物質がアンモニアあるいはアミン系化合物である
請求項8に記載のダイレクトマスタリング装置。
9. The direct mastering device according to claim 8, wherein the basic substance present at the time of heating by the heating device is ammonia or an amine compound.
【請求項10】 上記露光装置において、上記レーザで
選択的に露光する上記ポジ型レジストは、オルソジアゾ
ナフトキノンとノボラック樹脂の混合物に塩基性物質を
含ませたものである請求項6又は7に記載のダイレクト
マスタリング装置。
10. The positive resist according to claim 6, wherein the positive resist selectively exposed by the laser is a mixture of orthodiazonaphthoquinone and a novolak resin containing a basic substance. Direct mastering device.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008142915A (en) * 2006-12-06 2008-06-26 Toppan Printing Co Ltd Imprinting mold and its manufacturing method
US7875419B2 (en) 2002-10-29 2011-01-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for removing resist pattern and method for manufacturing semiconductor device

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