JP2001214274A - Duplex zone showerhead and chemical enhanced cvd- device using the same - Google Patents
Duplex zone showerhead and chemical enhanced cvd- device using the sameInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はデュプレックスゾー
ンシャワーヘッド(duplex zone showerhead)及びこれを
適用するケミカルエンハンストＣＶＤ装置(Chemical En
hanced ChemicalVapor Deposition；ＣＥＣＶＤ)に係
り、特に触媒などの化学的処理によってＣＶＤ法で金属
薄膜を蒸着するときに化学的処理を均一に行なえるよう
にすることで、金属薄膜のステップカバレッジ、蒸着速
度、テクスチャ(texture)、接着(adhesion)特性等を改
善することができるデュプレックスゾーンシャワーヘッ
ド及びこれを適用するケミカルエンハンストＣＶＤ装置
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a duplex zone showerhead and a chemical enhanced CVD apparatus using the same.
Regarding hanced Chemical Vapor Deposition (CECVD), in particular, by performing a chemical treatment evenly when depositing a metal thin film by a CVD method by a chemical treatment such as a catalyst, the step coverage of the metal thin film, the deposition rate, BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a duplex zone shower head capable of improving texture, adhesion characteristics, and the like, and a chemical enhanced CVD apparatus using the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、半導体素子の製造工程におい
て、金属薄膜蒸着工程は高速素子及び高集積素子の実現
に重要な役割を果たす工程であり、ＰＶＤ(Physical Va
por Deposition)法、電気めっき(Electroplating)法、
無電解めっき法(Electroless-plating)、ＣＶＤ法等い
ろいろな蒸着技術が適用されている。このような金属薄
膜蒸着技術の内、ＣＶＤ法による金属薄膜蒸着は金属薄
膜蒸着ソース材料の原料(precursor)を用いてＣＶＤ装
置で行なわれる。2. Description of the Related Art In general, in a semiconductor device manufacturing process, a metal thin film deposition process plays an important role in realizing a high-speed device and a highly integrated device.
por Deposition) method, electroplating method,
Various vapor deposition techniques such as electroless-plating and CVD have been applied. Among such metal thin film deposition techniques, metal thin film deposition by a CVD method is performed in a CVD apparatus using a precursor of a metal thin film deposition source material.
【０００３】従来のＣＶＤ装置は、図１（ａ）に示すよ
うに、蒸着ソース材料を移送する蒸着ソース材料供給装
置１０と、供給装置１０から蒸着ソース材料供給ライン
２０を介して蒸着ソース材料の供給を受けてウェーハの
装着された反応チャンバ４０に均一に噴射させるシャワ
ーヘッド３０とから構成される。シャワーヘッド３０
は、図１（ｂ）に示すように、供給装置１０の供給ライ
ン２０に連結された蒸着ソース材料流入ライン３２と、
蒸着ソース材料を収容するシャワーゾーン３１と、収容
された蒸着ソース材料を反応チャンバ４０の内部に噴射
させる蒸着ソース材料噴射ノズル３３とから構成され
る。As shown in FIG. 1A, a conventional CVD apparatus includes a deposition source material supply device 10 for transferring a deposition source material, and a deposition source material supply line 20 from the supply device 10 through a deposition source material supply line 20. And a shower head 30 for receiving the supply and uniformly jetting it into the reaction chamber 40 in which the wafer is mounted. Shower head 30
1B, as shown in FIG. 1B, an evaporation source material inflow line 32 connected to the supply line 20 of the supply device 10,
It comprises a shower zone 31 for accommodating an evaporation source material, and an evaporation source material injection nozzle 33 for injecting the accommodated evaporation source material into the reaction chamber 40.
【０００４】ここで、蒸着ソース材料供給装置１０は、
バブラー、ダイレクトリキッドインジェクション(Direc
t Liquid Injection；ＤＬＩ)、コントロールエバポレ
ーションミキサ(Control Evaporation Mixer；ＣＥ
Ｍ)、オリフィス方式またはスプレー方式のベーポライ
ザを有する全てのリキッドデリバリシステム(Liquid De
livery System；ＬＤＳ)を含む。Here, the deposition source material supply device 10
Bubbler, direct liquid injection (Direc
t Liquid Injection; DLI), Control Evaporation Mixer; CE
M), all liquid delivery systems with orifice or spray vaporizers.
livery System; LDS).
【０００５】前記従来のＣＶＤ装置を用いて銅、アルミ
ニウム、タングステン、銀、白金、タンタル、チタニウ
ムなどの金属を蒸着して金属薄膜を形成しているが、金
属薄膜のステップカバレッジ、蒸着速度、テクスチャ、
接着特性などを改善するために、蒸着ソース材料と共に
触媒などの化学添加剤を使用している。しかし、従来の
ＣＶＤ装置は、化学添加剤を均一に噴射させる装置が別
に備えられておらず、蒸着速度が加速化できる触媒など
の化学添加剤を均一に噴射するのに困っている。例え
ば、従来のＣＶＤ装置で銅を蒸着する場合、接着特性及
びテクスチャが良好でなく、特に蒸着速度が非常に低い
ため、現在広く適用されている電気めっき工程よりコス
トの面で非常に劣悪であるという短所をもっている。こ
のような短所を補完するための方法として、化学添加剤
を均一に蒸着して蒸着速度及び銅薄膜の基本物性を向上
させることが可能であるが、従来のＣＶＤ装置にはこれ
を均一に噴射させる装置がないため、従来のシャワーヘ
ッドに化学添加剤を流した後、ＣＶＤ法で銅薄膜を蒸着
する際、シャワーヘッドに銅が激しく蒸着される現象が
生じて銅蒸着工程の再現性を実現させることができず且
つ銅蒸着時に完璧な表面吸着反応を誘導することができ
ないため、優れた膜質の銅薄膜を得ることができない。A metal thin film is formed by depositing a metal such as copper, aluminum, tungsten, silver, platinum, tantalum, or titanium using the above-mentioned conventional CVD apparatus. ,
Chemical additives, such as catalysts, are used with the deposition source material to improve adhesion properties and the like. However, the conventional CVD apparatus is not provided with a separate device for uniformly injecting the chemical additive, and it is difficult to uniformly inject the chemical additive such as a catalyst capable of accelerating the deposition rate. For example, when depositing copper using a conventional CVD apparatus, the adhesive property and texture are not good, and the deposition rate is very low, so that the cost is much worse than the currently widely used electroplating process. It has the disadvantage. As a method for compensating for these disadvantages, it is possible to uniformly deposit a chemical additive to improve the deposition rate and the basic physical properties of the copper thin film. Since there is no equipment to perform this process, when a chemical additive is flowed into a conventional showerhead and then a copper thin film is deposited by the CVD method, a phenomenon occurs in which copper is severely deposited on the showerhead, and reproducibility of the copper deposition process is realized. Therefore, it is not possible to induce a perfect surface adsorption reaction during copper deposition, and it is not possible to obtain a copper thin film having excellent film quality.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、触媒などの化学的処理によってＣＶＤ法で金属薄膜
を蒸着するときに化学的処理を均一に行なえるようにす
ることで、金属薄膜のステップカバレッジ、蒸着速度、
テクスチャ、接着特性などを改善することができるデュ
プレックスゾーンシャワーヘッド及びこれを適用するケ
ミカルエンハンストＣＶＤ装置を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to make it possible to uniformly perform a chemical treatment when depositing a metal thin film by a CVD method using a chemical treatment such as a catalyst. Step coverage, deposition rate,
It is an object of the present invention to provide a duplex zone shower head capable of improving texture, adhesion characteristics, and the like, and a chemical enhanced CVD apparatus using the same.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明に係るデュプレックスゾーンシャワーヘッド
は、蒸着ソース材料流入ラインを介して蒸着ソース材料
の供給を受けてこれを収容し、蒸着ソース材料噴射ノズ
ルを介して反応チャンバに噴射する第１シャワーゾーン
と、ケミカル噴射ノズルを介して反応チャンバに噴射す
る第２シャワーゾーンとから構成されることを特徴とす
る。According to the present invention, there is provided a duplex zone shower head for receiving and supplying an evaporation source material through an evaporation source material inflow line. It is characterized by comprising a first shower zone for injecting into the reaction chamber via an injection nozzle, and a second shower zone for injecting into the reaction chamber via a chemical injection nozzle.
【０００８】また、本発明に係るケミカルエンハンスト
ＣＶＤ装置は、蒸着ソース材料を移送する蒸着ソース材
料供給装置、化学添加剤を移送するケミカル供給装置、
前記蒸着ソース材料供給装置と前記ケミカル供給装置の
それぞれに連結されたデュプレックスゾーンシャワーヘ
ッドと、前記デュプレックスゾーンシャワーヘッドの装
着された反応チャンバとから構成されることを特徴とす
る。[0008] The chemical enhanced CVD apparatus according to the present invention comprises: a deposition source material supply device for transferring a deposition source material; a chemical supply device for transferring a chemical additive;
The apparatus may further include a duplex zone showerhead connected to each of the deposition source material supply device and the chemical supply device, and a reaction chamber equipped with the duplex zone showerhead.
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】以下、本発明を添付図に基づいて
詳細に説明する。図２（ａ）は本発明の実施例に係るケ
ミカルエンハンストＣＶＤ装置の構成図、図２（ｂ）は
図２（ａ）に示される本発明に係るデュプレックスゾー
ンシャワーヘッドの詳細断面図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 2A is a configuration diagram of a chemical enhanced CVD apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2B is a detailed cross-sectional view of the duplex zone shower head according to the present invention shown in FIG. 2A.
【００１０】図２（ａ）に示すように、ケミカルエンハ
ンストＣＶＤ装置は、蒸着ソース材料をキャリアガスに
よって移送する蒸着ソース材料供給装置１０１と、触媒
などの化学添加剤を移送するケミカル供給装置１０２
と、蒸着ソース材料供給装置１０１から蒸着ソース材料
供給ライン２０１を介して蒸着ソース材料の供給を受
け、ケミカル供給装置１０２からケミカル供給ライン２
０２を介して触媒などの化学添加剤のようなケミカルの
供給を受けて、ウェーハの装着された反応チャンバ４０
０に均一に噴射させるデュプレックスゾーンシャワーヘ
ッド３００とから構成される。As shown in FIG. 2A, a chemical enhanced CVD apparatus includes a deposition source material supply device 101 for transporting a deposition source material by a carrier gas and a chemical supply device 102 for transporting a chemical additive such as a catalyst.
And supply of the deposition source material from the deposition source material supply device 101 via the deposition source material supply line 201, and the chemical supply line 2 from the chemical supply device 102.
02, supply of a chemical such as a chemical additive such as a catalyst through a reaction chamber 40 equipped with a wafer.
And a duplex zone shower head 300 for uniformly injecting zero.
【００１１】ここで、蒸着ソース材料供給装置１０１
は、バブラー、ダイレクトリキッドインジェクション
（ＤＬＩ）、コントロールエバポレイションミキサ（Ｃ
ＥＭ）、オリフィス方式またはスプレー方式のベーポラ
イザを有する全てのリキッドデリバリシステム（ＬＤ
Ｓ）を含む。Here, an evaporation source material supply device 101
Is a bubbler, direct liquid injection (DLI), control evaporation mixer (C
EM), all liquid delivery systems with orifice or spray vaporizers (LD
S).
【００１２】デュプレックスゾーンシャワーヘッド３０
０は、図２（ｂ）に示すように、蒸着ソース材料流入ラ
イン３１２と蒸着ソース材料噴射ノズル３１３を備えた
第１シャワーゾーン３１１と、ケミカル流入ライン３２
２とケミカル噴射ノズル３２３を備えた第２シャワーゾ
ーン３２１とから構成される。蒸着ソース材料を収容す
る第１シャワーゾーン３１１と、ケミカルを収容する第
２シャワーゾーン３２１は相互完全に離隔している。こ
のようなデュプレックスゾーンシャワーヘッド３００
は、第１及び第２シャワーゾーン３１１及び３２１それ
ぞれの噴射ノズル３１３及び３２３が反応チャンバ４０
０の内側に位置するように反応チャンバ４００の上端に
装着され、第１シャワーゾーン３１１の蒸着ソース材料
流入ライン３１２は蒸着ソース材料供給装置１０１の供
給ライン２０１に連結され、第２シャワーゾーン３２１
のケミカル流入ライン３２２はケミカル供給装置１０２
の供給ライン２０２に連結される。Duplex zone shower head 30
0 denotes a first shower zone 311 provided with an evaporation source material inflow line 312 and an evaporation source material injection nozzle 313, as shown in FIG.
2 and a second shower zone 321 provided with a chemical injection nozzle 323. The first shower zone 311 containing the deposition source material and the second shower zone 321 containing the chemical are completely separated from each other. Such a duplex zone shower head 300
The injection nozzles 313 and 323 of the first and second shower zones 311 and 321 respectively are
0, is installed at the upper end of the reaction chamber 400 so as to be located inside the first shower zone 311, the deposition source material inflow line 312 of the first shower zone 311 is connected to the supply line 201 of the deposition source material supply device 101, and the second shower zone 321
Of the chemical supply device 102
Are connected to the supply line 202.
【００１３】デュプレックスゾーンシャワーヘッド３０
０において、第２シャワーゾーン３２１の噴射ノズル３
２３はＳＵＳ、Ｎｉ、Ａｌ2Ｏ3等の材質で作り、直径
０.１乃至５ｍｍの円筒構造である。第１シャワーゾー
ン３１１の噴射ノズル３１３及び第２シャワーゾーン３
２１の噴射ノズル３２３の配列は正方形配列、正三角形
配列及び螺旋形配列のいずれかである。Duplex zone shower head 30
0, the injection nozzle 3 of the second shower zone 321
Reference numeral 23 denotes a cylindrical structure made of a material such as SUS, Ni, or Al 2 O 3 and having a diameter of 0.1 to 5 mm. Injection nozzle 313 of first shower zone 311 and second shower zone 3
The arrangement of the 21 injection nozzles 323 is any one of a square arrangement, an equilateral triangle arrangement, and a spiral arrangement.
【００１４】前記本発明のケミカルエンハンストＣＶＤ
装置は、金属薄膜形成用ソース材料を蒸着ソース材料供
給装置１０１及びデュプレックスゾーンシャワーヘッド
３００の第１シャワーゾーン３１１を介して反応チャン
バ４００に供給して銅、アルミニウム、タングステン、
銀、白金、タンタル、チタニウムなどのように単金属薄
膜蒸着を行うことができ、単金属の酸化物形態、窒化物
形態及び酸窒化物形態の薄膜蒸着も可能である。ケミカ
ルエンハンストＣＶＤ装置を用いて金属薄膜を蒸着する
とき、金属薄膜のステップカバレッジ、蒸着速度、テク
スチャ、接着特性などを改善するために、触媒などの化
学添加剤をケミカル供給装置１０２及びデュプレックス
ゾーンシャワーヘッド３００の第２シャワーゾーン３２
１を介して反応チャンバ４００に供給する。触媒などの
化学添加剤は場合に応じて金属薄膜蒸着前に供給する
か、金属薄膜蒸着と同時に供給するか、金属薄膜蒸着後
に供給して化学的処理を行うことができる。このような
触媒などの化学添加剤は蒸着ソース材料として何を使用
するかによって選択し、触媒などの化学添加剤としてヨ
ード含有液体化合物、Ｈｈｆａｃ／２Ｈ2Ｏ、Ｈｈｆａ
ｃ、ＴＭＶＳなどの液体状態の化学添加剤や、純水ヨー
ドガス、ヨード含有ガス、水蒸気などのガス状態の化学
添加剤や、周期律表上の７族元素であるＦ、Ｃｌ、Ｂ
ｒ、Ｉ、Ａｔ元素の液体及びガス状態、そして化合物の
液体及びガス状態の化学添加剤を使用することができ
る。触媒などの化学添加剤を用いた化学的処理時間は１
秒乃至１０分の範囲を有し、化学的前処理温度は−２０
乃至３００℃の範囲を有する。The above-mentioned chemical enhanced CVD of the present invention.
The apparatus supplies a source material for forming a metal thin film to the reaction chamber 400 via the deposition source material supply apparatus 101 and the first shower zone 311 of the duplex zone shower head 300, and supplies copper, aluminum, tungsten,
Single metal thin films such as silver, platinum, tantalum and titanium can be deposited, and thin films of single metal oxide, nitride and oxynitride can be deposited. When a metal thin film is deposited using a chemical enhanced CVD apparatus, a chemical additive such as a catalyst is supplied to the chemical supply apparatus 102 and the duplex zone showerhead in order to improve the step coverage, the deposition rate, the texture, and the adhesive property of the metal thin film. 300 second shower zone 32
1 to the reaction chamber 400. A chemical additive such as a catalyst can be supplied before the metal thin film deposition, supplied simultaneously with the metal thin film deposition, or supplied after the metal thin film deposition to perform the chemical treatment depending on the case. The chemical additive such as the catalyst is selected depending on what is used as the deposition source material, and the chemical additive such as the catalyst is an iodine-containing liquid compound, Hhfac / 2H 2 O, Hhfa.
c, chemical additives in liquid state such as TMVS, chemical additives in gaseous state such as pure water iodine gas, iodine-containing gas, steam, etc., and F, Cl, and B, which are Group 7 elements on the periodic table
Chemical additives in the liquid and gaseous states of the r, I and At elements and in the liquid and gaseous states of the compounds can be used. Chemical treatment time using chemical additives such as catalyst is 1
With a range of seconds to 10 minutes and a chemical pretreatment temperature of -20.
To 300 ° C.
【００１５】[0015]
【発明の効果】上述したように、本発明は蒸着ソース材
料を収容するシャワーゾーンとは別に、化学添加剤を収
容するシャワーゾーンの備えられたデュプレックスゾー
ンシャワーヘッドをケミカルエンハンストＣＶＤ工程に
適用するので、金属薄膜のステップカバレッジ、蒸着速
度、テクスチャ、接着特性などを改善することができる
と共に金属蒸着工程の再現性を実現することができて、
素子の歩留り及び信頼性を向上させることができ、コス
トを節減することができ、処理能力(throughput)を増大
させることができる。As described above, the present invention applies a duplex zone shower head provided with a shower zone for containing a chemical additive to a chemical enhanced CVD process, separately from a shower zone for containing a deposition source material. , Can improve the step coverage, deposition rate, texture, adhesion characteristics, etc. of the metal thin film, and can realize the reproducibility of the metal deposition process,
Device yield and reliability can be improved, costs can be reduced, and throughput can be increased.
【図１】図１（ａ）は従来のＣＶＤ装置の構成図、図１
（ｂ）は図１（ａ）に示される従来のシャワーヘッドの
詳細断面図である。FIG. 1A is a configuration diagram of a conventional CVD apparatus, and FIG.
FIG. 2B is a detailed cross-sectional view of the conventional shower head shown in FIG.
【図２】図２（ａ）は本発明の実施例に係るケミカルエ
ンハンストＣＶＤ装置の構成図、図２（ｂ）は図２
（ａ）に示される本発明に係るデュプレックスゾーンシ
ャワーヘッドの詳細断面図である。FIG. 2A is a configuration diagram of a chemical enhanced CVD apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG.
It is a detailed sectional view of the duplex zone showerhead concerning the present invention shown in (a).
１０ 蒸着ソース材料供給装置 ２０ 蒸着ソース材料供給ライン ３０ シャワーヘッド ３１ シャワーゾーン ３２ 蒸着ソース材料流入ライン ３３ 蒸着ソース材料噴射ノズル ４０ 反応チャンバ １０１ 蒸着ソース材料供給装置 １０２ ケミカル供給装置 ２０１ 蒸着ソース材料供給ライン ２０２ ケミカル供給ライン ３００ デュプレックスゾーンシャワーヘッド ３１１ 第１シャワーゾーン ３１２ 蒸着ソース材料流入ライン ３１３ 蒸着ソース材料噴射ノズル ３２１ 第２シャワーゾーン ３２２ ケミカル流入ライン ３２３ ケミカル噴射ノズル ４００ 反応チャンバ REFERENCE SIGNS LIST 10 deposition source material supply device 20 deposition source material supply line 30 shower head 31 shower zone 32 deposition source material inflow line 33 deposition source material injection nozzle 40 reaction chamber 101 deposition source material supply device 102 chemical supply device 201 deposition source material supply line 202 Chemical supply line 300 Duplex zone shower head 311 First shower zone 312 Deposition source material inflow line 313 Deposition source material injection nozzle 321 Second shower zone 322 Chemical inflow line 323 Chemical injection nozzle 400 Reaction chamber
Claims (10)
ソース材料の供給を受けてこれを収容し、蒸着ソース材
料噴射ノズルを介して反応チャンバに噴射する第１シャ
ワーゾーンと、 ケミカル流入ラインを介して化学添加剤の供給を受けて
これを収容し、ケミカル噴射ノズルを介して反応チャン
バに噴射する第２シャワーゾーンとから構成されること
を特徴とするデュプレックスゾーンシャワーヘッド。1. A first shower zone, which receives and receives a deposition source material through a deposition source material inflow line and injects it into a reaction chamber through a deposition source material injection nozzle, and a chemical inflow line. A second shower zone for receiving the chemical additive, receiving the chemical additive, and injecting the chemical additive into the reaction chamber through a chemical injection nozzle.
ワーゾーンは相互離隔するように構成されることを特徴
とする請求項１記載のデュプレックスゾーンシャワーヘ
ッド。2. The duplex zone shower head according to claim 1, wherein the first shower zone and the second shower zone are configured to be separated from each other.
ルはＳＵＳ、Ｎｉ、Ａｌ2Ｏ3の材質で作り、直径０.１
乃至５ｍｍの円筒構造であることを特徴とする請求項１
記載のデュプレックスゾーンシャワーヘッド。3. The injection nozzle of the second shower zone is made of SUS, Ni, Al 2 O 3 and has a diameter of 0.1.
2. A cylindrical structure having a diameter of from 5 to 5 mm.
The duplex zone showerhead described.
ル及び前記第２シャワーゾーンの前記噴射ノズルの配列
は、正方形配列、正三角形配列及び螺旋形配列のいずれ
か一つであることを特徴とする請求項１記載のデュプレ
ックスゾーンシャワーヘッド。4. The arrangement of the ejection nozzles of the first shower zone and the ejection nozzles of the second shower zone is one of a square arrangement, an equilateral triangle arrangement, and a spiral arrangement. The duplex zone shower head according to claim 1.
料供給装置と、 化学添加剤を移送するケミカル供給装置と、 前記蒸着ソース材料供給装置と前記ケミカル供給装置の
それぞれに連結されたデュプレックスゾーンシャワーヘ
ッドと、 前記デュプレックスシャワーヘッドの装着された反応チ
ャンバとから構成されることを特徴とするケミカルエン
ハンストＣＶＤ装置。5. A deposition source material supply device for transferring a deposition source material, a chemical supply device for transferring a chemical additive, and a duplex zone shower head connected to each of the deposition source material supply device and the chemical supply device. And a reaction chamber equipped with the duplex shower head.
ー、ダイレクトリキッドインジェクション、コントロー
ルエバポレイションミキサ、オリフィス方式またはスプ
レー方式のベーポライザを有するリキッドデリバリシス
テムであることを特徴とする請求項５記載のケミカルエ
ンハンストＣＶＤ装置。6. The chemical enhanced system according to claim 5, wherein the deposition source material supply device is a liquid delivery system having a bubbler, a direct liquid injection, a control evaporation mixer, an orifice type or a spray type vaporizer. CVD equipment.
ドは、 蒸着ソース材料流入ラインと蒸着ソース材料噴射ノズル
が備えられ、前記蒸着ソース材料流入ラインを介して前
記蒸着ソース材料供給装置と連結された第１シャワーゾ
ーンと、 ケミカル流入ラインとケミカル噴射ノズルが備えられ、
前記ケミカル流入ラインを介して前記ケミカル供給装置
に連結された第２シャワーゾーンとから構成されること
を特徴とする請求項５記載のケミカルエンハンストＣＶ
Ｄ装置。7. The duplex zone shower head includes a deposition source material inflow line and a deposition source material injection nozzle, and a first shower zone connected to the deposition source material supply device through the deposition source material inflow line. And a chemical inflow line and a chemical injection nozzle,
The chemical enhanced CV according to claim 5, further comprising a second shower zone connected to the chemical supply device through the chemical inflow line.
D device.
ワーゾーンは相互離隔するように構成されることを特徴
とする請求項７記載のケミカルエンハンストＣＶＤ装
置。8. The chemical enhanced CVD apparatus according to claim 7, wherein the first shower zone and the second shower zone are configured to be separated from each other.
ルはＳＵＳ、Ｎｉ、Ａｌ2Ｏ3の材質で作り、直径０.１
乃至５ｍｍの円筒構造であることを特徴とする請求項７
記載のケミカルエンハンストＣＶＤ装置。9. The injection nozzle of the second shower zone is made of SUS, Ni, Al 2 O 3 and has a diameter of 0.1.
8. A cylindrical structure having a diameter of from 5 to 5 mm.
The chemical enhanced CVD apparatus described in the above.
ズル及び前記第２シャワーゾーンの噴射ノズルの配列は
正方形配列、正三角形配列、螺旋形配列のいずれか一つ
であることをことを特徴とする請求項7記載のケミカル
エンハンストＣＶＤ装置。10. The arrangement of the ejection nozzles of the first shower zone and the ejection nozzles of the second shower zone is one of a square arrangement, an equilateral triangle arrangement, and a spiral arrangement. 8. The chemical enhanced CVD apparatus according to claim 7.
Applications Claiming Priority (2)
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100682743B1 (en) | 2005-05-07 | 2007-02-15 | 주식회사 아이피에스 | A 3-wing type shower head for depositing thin film apparatus |
| DE102005055468A1 (en) * | 2005-11-22 | 2007-05-24 | Aixtron Ag | Coating one or more substrates comprises supplying gases to process chamber via chambers with gas outlet openings |
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