JP2001208780A - 容量形分圧器 - Google Patents
容量形分圧器Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 外部に大きなコンデンサを接続することなく
検出電圧を低くすることができる安価でコンパクトな容
量形分圧器を提供する。 【解決手段】 シールド導体７の高電圧導体３に対向す
る内側面には誘電体層８が密着して設けられている。さ
らに誘電体層８上には誘電体層８よりも小さい導体層９
が密着して設けられている。導体層９とシールド導体７
との間には薄い誘電体層８を挟むだけなので、導体層９
とシールド導体７とは極めて接近して配置することがで
きる。このとき、シールド導体７は容器２と同電位であ
るため、容器２および導体層９間の静電容量Ｃ2 は大き
くなる。
検出電圧を低くすることができる安価でコンパクトな容
量形分圧器を提供する。 【解決手段】 シールド導体７の高電圧導体３に対向す
る内側面には誘電体層８が密着して設けられている。さ
らに誘電体層８上には誘電体層８よりも小さい導体層９
が密着して設けられている。導体層９とシールド導体７
との間には薄い誘電体層８を挟むだけなので、導体層９
とシールド導体７とは極めて接近して配置することがで
きる。このとき、シールド導体７は容器２と同電位であ
るため、容器２および導体層９間の静電容量Ｃ2 は大き
くなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高電圧導体の電位
を測定するための容量形分圧器に係り、特に、電圧検出
用導体の構成に改良を加えた容量形分圧器に関する。
を測定するための容量形分圧器に係り、特に、電圧検出
用導体の構成に改良を加えた容量形分圧器に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、高電圧導体の電位を測定する場
合には容量形分圧器を用いて分圧してから電位測定を行
っている。容量形分圧器とは、電位の異なる２つの導体
間の電位差がこれら導体間に直列接続された２つのコン
デンサ回路の容量の逆比に分割されることを利用して、
２つの導体間の電位差に比例した電圧を、２つの導体の
うちの一方と２つの導体間に配置された第３の導体との
間で誘起させるものである。ここで容量形分圧器の従来
例について図５を参照して具体的に説明する。
合には容量形分圧器を用いて分圧してから電位測定を行
っている。容量形分圧器とは、電位の異なる２つの導体
間の電位差がこれら導体間に直列接続された２つのコン
デンサ回路の容量の逆比に分割されることを利用して、
２つの導体間の電位差に比例した電圧を、２つの導体の
うちの一方と２つの導体間に配置された第３の導体との
間で誘起させるものである。ここで容量形分圧器の従来
例について図５を参照して具体的に説明する。
【０００３】図５に示すように、容量形分圧器には大地
電位の導体である容器２が設置されている。容器２上面
には貫通部６が形成されており、貫通部６の外側に碍管
５が取付けられている。この碍管５によりリード導体で
ある高電圧導体３が容器２内部から貫通部６を通って容
器２外部に貫通導出されている。容器２と高電圧導体３
との間には電圧検出用導体１が配置されている。また、
貫通部６には貫通部６近傍の電界を緩和するために容器
２と同電位のシールド導体７が配置されている。
電位の導体である容器２が設置されている。容器２上面
には貫通部６が形成されており、貫通部６の外側に碍管
５が取付けられている。この碍管５によりリード導体で
ある高電圧導体３が容器２内部から貫通部６を通って容
器２外部に貫通導出されている。容器２と高電圧導体３
との間には電圧検出用導体１が配置されている。また、
貫通部６には貫通部６近傍の電界を緩和するために容器
２と同電位のシールド導体７が配置されている。
【０００４】以上のような容量形分圧器においては、電
圧検出用導体１の電位Ｖx だけを測定すれば、高電圧導
体３および電圧検出用導体１間の静電容量Ｃ1 と、容器
２および電圧検出用導体１間の静電容量Ｃ2 とから次式
に基づいて高電圧導体３の電位Ｖ0 を求めることができ
る。
圧検出用導体１の電位Ｖx だけを測定すれば、高電圧導
体３および電圧検出用導体１間の静電容量Ｃ1 と、容器
２および電圧検出用導体１間の静電容量Ｃ2 とから次式
に基づいて高電圧導体３の電位Ｖ0 を求めることができ
る。
【数１】Ｖ0 ＝（Ｃ1 ＋Ｃ2 ）／Ｃ1 ×Ｖx
【０００５】このとき、高電圧導体３および電圧検出用
導体１間の静電容量Ｃ1 を小さくし、容器２および電圧
検出用導体１間の静電容量Ｃ2 を大きくすることにより
（Ｃ1 ＜＜Ｃ2 ）、高電圧導体３の電位が送電電圧のよ
うな５００ｋＶもの電圧であっても、１０〜２００Ｖ程
度に分圧して電圧検出用導体１の電位Ｖx を容易に測定
することができる。静電容量Ｃ2 を大きくするためには
電圧検出用導体１を容器２に接近させて配置させること
が考えられるが、この場合、電圧検出用導体１を容器２
に１〜２ｍｍと極めて接近させなくてはならず、工作精
度の制限から困難であった。
導体１間の静電容量Ｃ1 を小さくし、容器２および電圧
検出用導体１間の静電容量Ｃ2 を大きくすることにより
（Ｃ1 ＜＜Ｃ2 ）、高電圧導体３の電位が送電電圧のよ
うな５００ｋＶもの電圧であっても、１０〜２００Ｖ程
度に分圧して電圧検出用導体１の電位Ｖx を容易に測定
することができる。静電容量Ｃ2 を大きくするためには
電圧検出用導体１を容器２に接近させて配置させること
が考えられるが、この場合、電圧検出用導体１を容器２
に１〜２ｍｍと極めて接近させなくてはならず、工作精
度の制限から困難であった。
【０００６】そこで従来では、電圧検出用導体１および
容器２間に静電容量Ｃ3 を持つ外部コンデンサ４が静電
容量Ｃ2 と並列に接続されている（図５参照）。そし
て、
容器２間に静電容量Ｃ3 を持つ外部コンデンサ４が静電
容量Ｃ2 と並列に接続されている（図５参照）。そし
て、
【数２】Ｖ0 ＝（Ｃ1 ＋Ｃ2 ＋Ｃ3 ）／Ｃ1 ×Ｖx とし、電圧検出用導体１の電位Ｖx を低くした上で測定
を行っている。
を行っている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来技術では高
電圧導体３および電圧検出用導体１間の静電容量Ｃ1 は
小さい方が望ましいため、両者間には十分な距離が必要
となり、容器２が大形化した。しかも、検出電圧を低く
するために大きな外部コンデンサ４を設けたので、容量
形分圧器が大形化し、コストが高騰するという問題点が
あった。また、容量形分圧器の周囲温度が変化すると、
導体間の静電容量が変わるおそれがある。この場合、分
圧比が変動し、電圧検出用導体１の電位Ｖx から高電圧
導体３の電位Ｖo を正確に求めることが困難となるとい
う不具合が生じた。
電圧導体３および電圧検出用導体１間の静電容量Ｃ1 は
小さい方が望ましいため、両者間には十分な距離が必要
となり、容器２が大形化した。しかも、検出電圧を低く
するために大きな外部コンデンサ４を設けたので、容量
形分圧器が大形化し、コストが高騰するという問題点が
あった。また、容量形分圧器の周囲温度が変化すると、
導体間の静電容量が変わるおそれがある。この場合、分
圧比が変動し、電圧検出用導体１の電位Ｖx から高電圧
導体３の電位Ｖo を正確に求めることが困難となるとい
う不具合が生じた。
【０００８】本発明は、この点に鑑みてなされたもので
あり、外部に大きなコンデンサを接続することなく検出
電圧を低くすることができる安価でコンパクトな容量形
分圧器を提供することを主たる目的としている。また、
本発明の他の目的は、温度が変化して分圧比が変動して
もこれを補正して正確に電位測定を実施できる信頼性の
高い容量形分圧器を提供することにある。
あり、外部に大きなコンデンサを接続することなく検出
電圧を低くすることができる安価でコンパクトな容量形
分圧器を提供することを主たる目的としている。また、
本発明の他の目的は、温度が変化して分圧比が変動して
もこれを補正して正確に電位測定を実施できる信頼性の
高い容量形分圧器を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、導体である容器が設置され、前記容器に
貫通部が形成され、前記貫通部の外側に碍管が取付けら
れ、前記碍管により前記容器と異なる電位のリード導体
が前記容器内部から前記貫通部を通って前記容の外部に
貫通導出され、前記貫通部に前記容器と同電位のシール
ド導体が配置された容量形分圧器において、次のような
技術的な特徴を有している。
め、本発明は、導体である容器が設置され、前記容器に
貫通部が形成され、前記貫通部の外側に碍管が取付けら
れ、前記碍管により前記容器と異なる電位のリード導体
が前記容器内部から前記貫通部を通って前記容の外部に
貫通導出され、前記貫通部に前記容器と同電位のシール
ド導体が配置された容量形分圧器において、次のような
技術的な特徴を有している。
【００１０】請求項１の発明は、前記シールド導体の前
記リード導体に対向する内側面に誘電体層が密着して設
けられ、この誘電体層上に導体層が密着して設けられた
ことを特徴とする。
記リード導体に対向する内側面に誘電体層が密着して設
けられ、この誘電体層上に導体層が密着して設けられた
ことを特徴とする。
【００１１】以上の請求項１の発明によれば、容器と同
電位のシールド導体と導体層とを極めて接近して配置す
ることができる。反対にリード導体と導体層とは十分に
離すことが可能である。したがって、容器および導体層
間の静電容量を大きくし、リード導体および導体層間の
静電容量を小さくすることができる。しかも、導体層と
シールド導体との間には誘電体層があるため、容器およ
び導体層間の静電容量はＳＦ6 ガス空間などと比べさら
に大きくなる。この結果、リード導体および導体層間の
静電容量よりも容器および導体層間の静電容量の方を大
きくすることができ、リード導体が高電圧導体であって
も、外部コンデンサを接続することなく導体層における
検出電圧を十分に低くすることが可能となる。
電位のシールド導体と導体層とを極めて接近して配置す
ることができる。反対にリード導体と導体層とは十分に
離すことが可能である。したがって、容器および導体層
間の静電容量を大きくし、リード導体および導体層間の
静電容量を小さくすることができる。しかも、導体層と
シールド導体との間には誘電体層があるため、容器およ
び導体層間の静電容量はＳＦ6 ガス空間などと比べさら
に大きくなる。この結果、リード導体および導体層間の
静電容量よりも容器および導体層間の静電容量の方を大
きくすることができ、リード導体が高電圧導体であって
も、外部コンデンサを接続することなく導体層における
検出電圧を十分に低くすることが可能となる。
【００１２】請求項２の発明は、請求項１記載の容量形
分圧器において、前記導体層の周辺部分に第２の誘電体
層が設けられたことを特徴とする。以上の請求項２の発
明によれば、導体層周辺部分のエッジ形状を第２の誘電
体層により覆うことができるため、絶縁性が大幅に向上
する。
分圧器において、前記導体層の周辺部分に第２の誘電体
層が設けられたことを特徴とする。以上の請求項２の発
明によれば、導体層周辺部分のエッジ形状を第２の誘電
体層により覆うことができるため、絶縁性が大幅に向上
する。
【００１３】請求項３の発明は、請求項１または２記載
の容量形分圧器において、前記シールド導体の温度を測
定する温度センサが設けられたことを特徴とする。一般
的に誘電体層は薄く、これを挟むシールド導体および導
体層は熱伝導が良いので、誘電体層の温度は均一でシー
ルド導体の温度とほぼ同じと考えてよい。請求項３の発
明では、温度センサがシールド導体の温度を測定するの
で誘電体層の温度を把握することができる。したがっ
て、温度変化から誘電体層の比誘電率が変化し、誘電体
層の比誘電率に比例して容器および導体層間の静電容量
が変わって分圧比が変動しても、誘電体層の温度を随時
測定することにより、比誘電率の温度特性から容器およ
び導体層間の静電容量を計算し、温度変化による分圧比
の変動分を補正することが可能となる。これにより電圧
検出用である導体層の電位から正確にリード導体の電位
を求めることができる。
の容量形分圧器において、前記シールド導体の温度を測
定する温度センサが設けられたことを特徴とする。一般
的に誘電体層は薄く、これを挟むシールド導体および導
体層は熱伝導が良いので、誘電体層の温度は均一でシー
ルド導体の温度とほぼ同じと考えてよい。請求項３の発
明では、温度センサがシールド導体の温度を測定するの
で誘電体層の温度を把握することができる。したがっ
て、温度変化から誘電体層の比誘電率が変化し、誘電体
層の比誘電率に比例して容器および導体層間の静電容量
が変わって分圧比が変動しても、誘電体層の温度を随時
測定することにより、比誘電率の温度特性から容器およ
び導体層間の静電容量を計算し、温度変化による分圧比
の変動分を補正することが可能となる。これにより電圧
検出用である導体層の電位から正確にリード導体の電位
を求めることができる。
【００１４】請求項４の発明は、請求項１、２または３
記載の容量形分圧器において、温度変化による前記誘電
体層の比誘電率の変化が１℃当たり０．１２５％以下で
あるように構成されたことを特徴とする。上記の請求項
４の発明では、温度変化が起きても誘電体層の比誘電率
の変化は非常に少ない。したがって、誘電体層の比誘電
率に比例する容器および導体層間の静電容量の変化も少
なく、分圧比の変動を抑えることができる。
記載の容量形分圧器において、温度変化による前記誘電
体層の比誘電率の変化が１℃当たり０．１２５％以下で
あるように構成されたことを特徴とする。上記の請求項
４の発明では、温度変化が起きても誘電体層の比誘電率
の変化は非常に少ない。したがって、誘電体層の比誘電
率に比例する容器および導体層間の静電容量の変化も少
なく、分圧比の変動を抑えることができる。
【００１５】請求項５の発明は、請求項１、２、３また
は４記載の容量形分圧器において、前記誘電体層がセラ
ミックスから構成されたことを特徴とする。以上の請求
項５の発明によれば、誘電体層がセラミックスであるた
め、温度変化に強く、誘電体層の比誘電率の変化は少な
い。したがって、前記請求項４の発明と同様、分圧比の
変動を抑止することができる。
は４記載の容量形分圧器において、前記誘電体層がセラ
ミックスから構成されたことを特徴とする。以上の請求
項５の発明によれば、誘電体層がセラミックスであるた
め、温度変化に強く、誘電体層の比誘電率の変化は少な
い。したがって、前記請求項４の発明と同様、分圧比の
変動を抑止することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した実施の形
態の１例について図１から図４を用いて具体的に説明す
る。なお、図５に示した従来例と同一の部材に関しては
同一符号を付し、説明は省略する。
態の１例について図１から図４を用いて具体的に説明す
る。なお、図５に示した従来例と同一の部材に関しては
同一符号を付し、説明は省略する。
【００１７】（１）第１の実施の形態 ［構成］第１の実施の形態は請求項１の発明に対応する
ものであり、図１は第１の実施の形態の断面図、図２は
第１の実施の形態の要部断面図である。図に示すよう
に、シールド導体７の高電圧導体３に対向する内側面に
は誘電体層８が密着して設けられている。さらに誘電体
層８上には誘電体層８よりも小さい導体層９が密着して
設けられている。誘電体層８および導体層９は共に、下
側のシールド導体７および誘電体層８の全面を覆うもの
でなくても良く、また円周方向全周にわたるものでなく
ても良い。
ものであり、図１は第１の実施の形態の断面図、図２は
第１の実施の形態の要部断面図である。図に示すよう
に、シールド導体７の高電圧導体３に対向する内側面に
は誘電体層８が密着して設けられている。さらに誘電体
層８上には誘電体層８よりも小さい導体層９が密着して
設けられている。誘電体層８および導体層９は共に、下
側のシールド導体７および誘電体層８の全面を覆うもの
でなくても良く、また円周方向全周にわたるものでなく
ても良い。
【００１８】［作用効果］以上の第１の実施の形態にお
いては、導体層９とシールド導体７との間には薄い誘電
体層８を挟むだけなので、導体層９とシールド導体７と
は極めて接近して配置することができる。このとき、シ
ールド導体７は容器２と同電位であるため、容器２およ
び導体層９間の静電容量Ｃ2 は大きくなる。また、導体
層９とシールド導体７との間には誘電体層８があるた
め、静電容量Ｃ2 はさらに大きくなる。
いては、導体層９とシールド導体７との間には薄い誘電
体層８を挟むだけなので、導体層９とシールド導体７と
は極めて接近して配置することができる。このとき、シ
ールド導体７は容器２と同電位であるため、容器２およ
び導体層９間の静電容量Ｃ2 は大きくなる。また、導体
層９とシールド導体７との間には誘電体層８があるた
め、静電容量Ｃ2 はさらに大きくなる。
【００１９】より具体的には、誘電体層８の膜厚ｄと、
比誘電率εｒと、導体層９の面積Ｓとにより静電容量Ｃ
2 の値は、
比誘電率εｒと、導体層９の面積Ｓとにより静電容量Ｃ
2 の値は、
【数３】Ｃ2 ＝εｒ・εｏ・Ｓ／ｄ として求めることができる。ここで、誘電体層８の膜厚
ｄを小さくし、比誘電率εｒを大きくすることにより、
静電容量Ｃ2 を大きくすることができる。一方、高電圧
導体３と導体層９とは十分に離すことが可能である。し
たがって、高電圧導体３および導体層９間の静電容量Ｃ
1 を小さくすることができる。
ｄを小さくし、比誘電率εｒを大きくすることにより、
静電容量Ｃ2 を大きくすることができる。一方、高電圧
導体３と導体層９とは十分に離すことが可能である。し
たがって、高電圧導体３および導体層９間の静電容量Ｃ
1 を小さくすることができる。
【００２０】上記の第１の実施の形態によれば、高電圧
導体３および導体層９間の静電容量Ｃ1 よりも容器２お
よび導体層９間の静電容量Ｃ2 の方を大きくすることが
できる。したがって、従来のように外部コンデンサ４を
接続する必要がなく、導体層９における検出電圧を十分
に低くすることが可能となる。この結果、容量形分圧器
のコンパクト化および低コスト化を進めることができ
る。
導体３および導体層９間の静電容量Ｃ1 よりも容器２お
よび導体層９間の静電容量Ｃ2 の方を大きくすることが
できる。したがって、従来のように外部コンデンサ４を
接続する必要がなく、導体層９における検出電圧を十分
に低くすることが可能となる。この結果、容量形分圧器
のコンパクト化および低コスト化を進めることができ
る。
【００２１】（２）第２の実施の形態 ［構成］第２の実施の形態は請求項２の発明に対応する
ものであり、図３は第２の実施の形態の要部断面図であ
る。図に示すように、第２の実施の形態は導体層９の周
辺部分に第２の誘電体層１０が設けられたことを構成上
の特徴とする。
ものであり、図３は第２の実施の形態の要部断面図であ
る。図に示すように、第２の実施の形態は導体層９の周
辺部分に第２の誘電体層１０が設けられたことを構成上
の特徴とする。
【００２２】［作用効果］以上の第２の実施の形態によ
れば、導体層９周辺部分のエッジ形状を第２の誘電体層
１０が覆うため、絶縁強化を行うことができる。
れば、導体層９周辺部分のエッジ形状を第２の誘電体層
１０が覆うため、絶縁強化を行うことができる。
【００２３】（３）第３の実施の形態 ［構成］第３の実施の形態は請求項３の発明に対応する
もので、図４は第３の実施の形態の要部断面図である。
図に示すように、第３の実施の形態の特徴はシールド導
体７の外側にシールド導体７の温度を測定する温度セン
サ１１が設けられた点にある。
もので、図４は第３の実施の形態の要部断面図である。
図に示すように、第３の実施の形態の特徴はシールド導
体７の外側にシールド導体７の温度を測定する温度セン
サ１１が設けられた点にある。
【００２４】［作用効果］第３の実施の形態では、温度
センサ１１がシールド導体７の温度を測定することによ
り誘電体層８の温度を把握することができる。これは、
誘電体層８が薄く、これを挟むシールド導体７および導
体層９は熱伝導が良いので、誘電体層８の温度はシール
ド導体７の温度とほぼ同じと考えてよいからである。あ
らかじめ誘電体層８の比誘電率の温度特性を調べてお
き、温度センサ１１にて測定した温度から容器２および
導体層９間の静電容量Ｃ2 を割出せば、温度変化による
分圧比の変動分を補正することができる。これにより、
導体層９の電位から高電圧導体３の電位を正確に求める
ことができ、高い信頼性を確保することができる。
センサ１１がシールド導体７の温度を測定することによ
り誘電体層８の温度を把握することができる。これは、
誘電体層８が薄く、これを挟むシールド導体７および導
体層９は熱伝導が良いので、誘電体層８の温度はシール
ド導体７の温度とほぼ同じと考えてよいからである。あ
らかじめ誘電体層８の比誘電率の温度特性を調べてお
き、温度センサ１１にて測定した温度から容器２および
導体層９間の静電容量Ｃ2 を割出せば、温度変化による
分圧比の変動分を補正することができる。これにより、
導体層９の電位から高電圧導体３の電位を正確に求める
ことができ、高い信頼性を確保することができる。
【００２５】（４）他の実施の形態 なお、本発明は以上の実施の形態に限定されるものでは
なく、例えば、請求項４の発明に対応する実施の形態と
して、温度変化による前記誘電体層の比誘電率の変化が
１℃当たり０．１２５％以下であるように構成されたも
のも包含する。このような実施の形態では、温度が−４
０℃から＋４０℃に変化しても比誘電率の変化は±５％
以下に抑えることができる。したがって、誘電体層８の
比誘電率に比例する容器２および導体層９間の静電容量
Ｃ2 の変化も少なく、分圧比の変動を抑止できる。
なく、例えば、請求項４の発明に対応する実施の形態と
して、温度変化による前記誘電体層の比誘電率の変化が
１℃当たり０．１２５％以下であるように構成されたも
のも包含する。このような実施の形態では、温度が−４
０℃から＋４０℃に変化しても比誘電率の変化は±５％
以下に抑えることができる。したがって、誘電体層８の
比誘電率に比例する容器２および導体層９間の静電容量
Ｃ2 の変化も少なく、分圧比の変動を抑止できる。
【００２６】また、請求項５の発明に対応する実施の形
態として誘電体層９がセラミックスから構成されていて
も良い。この実施の形態によれば、セラミックス製の誘
電体層は温度変化に強く、誘電体層の比誘電率の変化は
少ないため、分圧比の変動を抑えることができる。
態として誘電体層９がセラミックスから構成されていて
も良い。この実施の形態によれば、セラミックス製の誘
電体層は温度変化に強く、誘電体層の比誘電率の変化は
少ないため、分圧比の変動を抑えることができる。
【００２７】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、シ
ールド導体の内側面に誘電体層を密着して設け、さらに
誘電体層上に導体層が密着して設けるという簡単な構成
により、外部に大きなコンデンサを接続することなく検
出電圧を低くして、安価でコンパクトな容量形分圧器を
提供することができる。
ールド導体の内側面に誘電体層を密着して設け、さらに
誘電体層上に導体層が密着して設けるという簡単な構成
により、外部に大きなコンデンサを接続することなく検
出電圧を低くして、安価でコンパクトな容量形分圧器を
提供することができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態の断面図。
【図２】第１の実施の形態の要部断面図。
【図３】本発明の第２の実施の形態の要部断面図。
【図４】本発明の第３の実施の形態の要部断面図。
【図５】従来の容量形分圧器の断面図。
１…電圧検出用導体 ２…容器 ３…高電圧導体 ４…外部コンデンサ ５…碍管 ６…貫通部 ７…シールド導体 ８…誘電体層 ９…導体層 １０…第２の誘電体層 １１…温度センサ
Claims (5)
- 【請求項１】 導体である容器が設置され、前記容器に
貫通部が形成され、前記貫通部の外側に碍管が取付けら
れ、前記碍管により前記容器と異なる電位のリード導体
が前記容器内部から前記貫通部を通って前記容器の外部
に貫通導出され、前記貫通部に前記容器と同電位のシー
ルド導体が配置された容量形分圧器において、 前記シールド導体の前記リード導体に対向する内側面に
誘電体層が密着して設けられ、 この誘電体層上に導体層が密着して設けられたことを特
徴とする容量形分圧器。 - 【請求項２】 前記導体層の周辺部分に第２の誘電体層
が設けられたことを特徴とする請求項１記載の容量形分
圧器。 - 【請求項３】 前記シールド導体の温度を測定する温度
センサが設けられたことを特徴とする請求項１または２
記載の容量形分圧器。 - 【請求項４】 温度変化による前記誘電体層の比誘電率
の変化が１℃当たり０．１２５％以下であるように構成
されたことを特徴とする請求項１、２または３記載の容
量形分圧器。 - 【請求項５】 前記誘電体層がセラミックスから構成さ
れたことを特徴とする請求項１、２、３または４記載の
容量形分圧器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000021898A JP2001208780A (ja) | 2000-01-31 | 2000-01-31 | 容量形分圧器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000021898A JP2001208780A (ja) | 2000-01-31 | 2000-01-31 | 容量形分圧器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001208780A true JP2001208780A (ja) | 2001-08-03 |
Family
ID=18548251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000021898A Pending JP2001208780A (ja) | 2000-01-31 | 2000-01-31 | 容量形分圧器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001208780A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101949964A (zh) * | 2010-08-12 | 2011-01-19 | 福建省电力试验研究院 | 空间电容式分压器及其在高压测量装置上的应用 |
| CN103575951A (zh) * | 2013-11-13 | 2014-02-12 | 国家电网公司 | 一种带电位梯度屏蔽的耦合电容分压器 |
| CN110098056A (zh) * | 2019-06-13 | 2019-08-06 | 西安普欧斯电气技术有限公司 | 一种可自动调节电容量的去离子水介质脉冲电容器系统 |
-
2000
- 2000-01-31 JP JP2000021898A patent/JP2001208780A/ja active Pending
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|---|---|---|---|---|
| CN101949964A (zh) * | 2010-08-12 | 2011-01-19 | 福建省电力试验研究院 | 空间电容式分压器及其在高压测量装置上的应用 |
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| CN103575951A (zh) * | 2013-11-13 | 2014-02-12 | 国家电网公司 | 一种带电位梯度屏蔽的耦合电容分压器 |
| CN110098056A (zh) * | 2019-06-13 | 2019-08-06 | 西安普欧斯电气技术有限公司 | 一种可自动调节电容量的去离子水介质脉冲电容器系统 |
| CN110098056B (zh) * | 2019-06-13 | 2023-06-16 | 西安普欧斯电气技术有限公司 | 一种可自动调节电容量的去离子水介质脉冲电容器系统 |
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