JP2001207019A - Epoxy resin composition for optical semiconductor device and optical semiconductor device using the same - Google Patents

Epoxy resin composition for optical semiconductor device and optical semiconductor device using the same

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JP2001207019A
JP2001207019A JP2000020685A JP2000020685A JP2001207019A JP 2001207019 A JP2001207019 A JP 2001207019A JP 2000020685 A JP2000020685 A JP 2000020685A JP 2000020685 A JP2000020685 A JP 2000020685A JP 2001207019 A JP2001207019 A JP 2001207019A
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epoxy resin
optical semiconductor
resin composition
component
composition
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Japanese (ja)
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Ikuo Nakasuji
郁雄 中筋
Hiroshi Yamanaka
浩史 山中
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Panasonic Electric Works Co Ltd
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Matsushita Electric Works Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an epoxy resin composition for semiconductor devices capable of producing moldings rigid under heat and low in stress generation while sustaining light transmittance, and to provide an optical semiconductor device using the same. SOLUTION: The epoxy resin composition for optical semiconductor devices comprises ingredients (A), (B), (C), (D), and (E) and is used to encapsulate optical semiconductor devices, where (A) is an epoxy resin, (B) is a curing agent, (C) is a curing accelerator, (D) is a mold releasing agent, and (E) is a silicone compound with a refractive index of 1.45-1.60. The composition encapsulates an optical semiconductor element for the construction of an optical semiconductor device.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、LEDなどの発光
素子、フォトトランジスターやフォトダイオードやCC
Dなどの受光素子、EPROM等の半導体素子(光半導
体素子)を封止するために用いられる光半導体用エポキ
シ樹脂組成物、及びこの組成物を用いた光半導体装置に
関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting element such as an LED, a phototransistor, a photodiode and a CC.
The present invention relates to an epoxy resin composition for an optical semiconductor used for sealing a light receiving element such as D, a semiconductor element (an optical semiconductor element) such as an EPROM, and an optical semiconductor device using the composition.

【0002】[0002]

【従来の技術】発光素子や受光素子などの光半導体素子
の封止材料としては、透明性、耐湿性、密着性、電気絶
縁性、耐熱性などの優れる点からエポキシ樹脂組成物を
用いた樹脂封止が主流となっている。なかでも、エポキ
シ樹脂組成物を用いてトランスファーモールドで樹脂封
止する方法は、作業性及び量産性の面で優れている。こ
の光半導体分野に用いられるエポキシ樹脂組成物は、使
用波長領域での透明性(光透過率が高いこと)が要求さ
れる。
2. Description of the Related Art As a sealing material for an optical semiconductor device such as a light emitting device or a light receiving device, a resin using an epoxy resin composition in terms of excellent transparency, moisture resistance, adhesion, electrical insulation, heat resistance, and the like. Sealing is the mainstream. Above all, the method of resin sealing using an epoxy resin composition by transfer molding is excellent in workability and mass productivity. The epoxy resin composition used in the optical semiconductor field is required to have transparency (high light transmittance) in a used wavelength region.

【0003】一方、LED等の発光素子など、封止用の
樹脂組成物から受ける応力に対し弱いものを封止する場
合、封止する前にジャンクションコートレジン(以下J
CRと記す)等によりプリコートしていた。
On the other hand, when sealing a light-emitting element such as an LED or the like which is weak against a stress received from a sealing resin composition, a junction coat resin (hereinafter referred to as J) is required before sealing.
CR) and the like.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】近年の生産性向上の要
望の高まりに伴って、封止用の樹脂組成物自体を低応力
性を有するようにすることによって、JCR等のプリコ
ート工程を省略することが検討されている。
As the demand for improvement in productivity has increased in recent years, the pre-coating process such as JCR is omitted by making the sealing resin composition itself have low stress. That is being considered.

【0005】上記低応力性の特性をエポキシ樹脂組成物
に付与するためには、当量の大きなエポキシ樹脂を使用
したり、エポキシ樹脂と硬化剤の当量比を規定したりす
ることで、エポキシ樹脂組成物を低Tg(ガラス転移温
度)にすることが試みられている。しかし、エポキシ樹
脂組成物を低Tgにすると、成形の際、封止用の樹脂組
成物の熱時剛性が低下するなどして成形性が悪化し、耐
湿信頼性もPCT試験等の過酷な条件では低下すること
があった。また、エポキシ樹脂と硬化剤の当量比を調整
するため硬化剤である酸無水物の添加量を増加すると成
形品の電気伝導度が上昇し、電気特性の信頼性を低下さ
せる恐れがある。
[0005] In order to impart the above-mentioned low stress property to the epoxy resin composition, an epoxy resin having a large equivalent weight is used, or the equivalent ratio between the epoxy resin and the curing agent is regulated. Attempts have been made to reduce the Tg (glass transition temperature) of the material. However, when the epoxy resin composition is made to have a low Tg, the moldability deteriorates due to a decrease in the thermal rigidity of the sealing resin composition at the time of molding, and the humidity resistance reliability is deteriorated under severe conditions such as a PCT test. In some cases, it decreased. In addition, when the amount of the acid anhydride as a curing agent is increased to adjust the equivalent ratio between the epoxy resin and the curing agent, the electric conductivity of the molded article increases, and the reliability of the electric characteristics may be reduced.

【0006】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、光半導体素子を封止する
光半導体用エポキシ樹脂組成物であって、その成形品が
基本性能である光透過性を維持すると共に、熱時剛性が
良好で、低応力性を有する光半導体用エポキシ樹脂組成
物を提供することにある。また、光透過性を維持すると
共に、熱時剛性が良好で、低応力性を有する光半導体装
置を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide an epoxy resin composition for an optical semiconductor for encapsulating an optical semiconductor element, the molded product having the basic performance. An object of the present invention is to provide an epoxy resin composition for optical semiconductors that has good heat stiffness and low stress while maintaining light transmittance. Another object of the present invention is to provide an optical semiconductor device which has good rigidity when heated and low stress while maintaining light transmittance.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】請求項1記載の光半導体
用エポキシ樹脂組成物は、下記(A)、(B)、
(C)、(D)、(E)成分を配合してなる組成物で、
光半導体素子を封止するものである。 (A)成分;エポキシ樹脂、 (B)成分:硬化剤、 (C)成分:硬化促進剤、 (D)成分:離型剤、 (E)成分:屈折率が1.45〜1.60のシリコーン
化合物。
The epoxy resin composition for an optical semiconductor according to the present invention comprises the following (A), (B),
A composition comprising (C), (D) and (E) components,
This seals the optical semiconductor element. (A) component: epoxy resin, (B) component: curing agent, (C) component: curing accelerator, (D) component: release agent, (E) component: refractive index of 1.45 to 1.60. Silicone compounds.

【0008】本発明者は、上記目的を達成するために鋭
意研究を重ねた結果、汎用されるシリコーン化合物を配
合したエポキシ樹脂組成物を用いた成形品は、Tgは高
くなるが光透過性に劣る傾向がみられるが、屈折率が
1.45〜1.60のシリコーン化合物を配合したエポ
キシ樹脂組成物を用いた成形品は、光透過性が90%以
上を維持し、一方、Tgは高く、熱時剛性が良好で、低
応力性を有するすることを見出し、本発明の完成に至っ
た。
As a result of the inventor's intensive studies to achieve the above object, the molded article using an epoxy resin composition containing a commonly used silicone compound has a high Tg but a low light transmittance. Although a tendency of inferiority is observed, a molded article using an epoxy resin composition containing a silicone compound having a refractive index of 1.45 to 1.60 maintains light transmittance of 90% or more, and has a high Tg. The present inventors have found that they have good thermal rigidity and low stress, and have completed the present invention.

【0009】なお、本発明でいう屈折率は、アッベ法に
より25℃にて測定したものである。また、本発明でい
う光透過率は、厚さ1mmの成形品を作製し、この成形
品の透過率を測定した際に、波長600〜900nmの
光線で80%以上となるものを光透過性を有するもの、
特に、上記透過率が90%以上となるものを良好なもの
としている。
The refractive index in the present invention is measured at 25 ° C. by the Abbe method. In addition, the light transmittance referred to in the present invention is such that when a molded product having a thickness of 1 mm is manufactured and the transmittance of the molded product is measured, the transmittance of light having a wavelength of 600 to 900 nm of 80% or more is measured. Having,
In particular, those having the transmittance of 90% or more are regarded as good.

【0010】請求項2記載の光半導体用エポキシ樹脂組
成物は、請求項1記載の光半導体用エポキシ樹脂組成物
において、上記(E)成分が下記(1)、(2)、
(3)の構造式で表される置換基のうち少なくともいず
れか一つの置換基を有するシリコーン化合物であること
を特徴とする。
[0010] The epoxy resin composition for an optical semiconductor according to claim 2 is the epoxy resin composition for an optical semiconductor according to claim 1, wherein the component (E) is the following (1), (2),
It is a silicone compound having at least one of the substituents represented by the structural formula (3).

【0011】[0011]

【化5】 Embedded image

【0012】[0012]

【化6】 Embedded image

【0013】[0013]

【化7】 Embedded image

【0014】(式中、R123 は炭素数が1〜10
の不飽和炭化水素基を示し、m、nは整数を示す。) 請求項3記載の光半導体用エポキシ樹脂組成物は、請求
項1又は請求項2記載の光半導体用エポキシ樹脂組成物
において、上記(E)成分の配合量が組成物全量に対
し、0.01〜5重量%であることを特徴とする。上記
によって、成形品に低応力性と、耐湿性や熱時剛性をよ
り良好とすることができるものである。
(Wherein R 1 R 2 R 3 has 1 to 10 carbon atoms)
And m and n each represent an integer. The epoxy resin composition for an optical semiconductor according to claim 3 is the epoxy resin composition for an optical semiconductor according to claim 1 or 2, wherein the blending amount of the component (E) is 0.1% with respect to the total amount of the composition. It is characterized in that the content is from 0.01 to 5% by weight. By the above, it is possible to make the molded article have better low stress, moisture resistance and rigidity under heat.

【0015】請求項4記載の光半導体用エポキシ樹脂組
成物は、請求項1乃至請求項3いずれか記載の光半導体
用エポキシ樹脂組成物において、上記(D)成分が下記
一般式(4)で表されるものであることを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the epoxy resin composition for an optical semiconductor according to any one of the first to third aspects, wherein the component (D) is represented by the following general formula (4). It is characterized by being represented.

【0016】[0016]

【化8】 Embedded image

【0017】(式中、R4 は炭素数が1〜100の不飽
和炭化水素基を示し、x,yは整数を示す。) 上記離型剤は、成形金型との離型性が優れているため、
この光半導体用エポキシ樹脂組成物を用いて封止成形す
る際に、成形作業が容易になるものである。
(In the formula, R 4 represents an unsaturated hydrocarbon group having 1 to 100 carbon atoms, and x and y represent integers.) The release agent has excellent releasability from a molding die. Because
When the encapsulation molding is performed using the epoxy resin composition for optical semiconductors, the molding operation is facilitated.

【0018】請求項5記載の光半導体用エポキシ樹脂組
成物は、請求項1乃至請求項4いずれか記載の光半導体
用エポキシ樹脂組成物において、上記(D)成分の配合
量が組成物全量に対し、0.01〜3重量%であること
を特徴とする。上記によって、光半導体素子やリードフ
レイムとの密着性、及び、成形品の強度を良好とするこ
とができるものである。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided the epoxy resin composition for an optical semiconductor according to any one of the first to fourth aspects, wherein the amount of the component (D) is less than the total amount of the composition. On the other hand, the content is 0.01 to 3% by weight. According to the above, the adhesion to the optical semiconductor element or the lead frame and the strength of the molded product can be improved.

【0019】請求項6記載の光半導体用エポキシ樹脂組
成物は、請求項1乃至請求項5いずれか記載の光半導体
用エポキシ樹脂組成物において、上記(B)成分が、酸
無水物であることを特徴とする。上記によって、着色が
少なくまた電気絶縁性が良好であるので、光半導体用エ
ポキシ樹脂組成物に適している。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided the epoxy resin composition for an optical semiconductor according to any one of the first to fifth aspects, wherein the component (B) is an acid anhydride. It is characterized by. Because of the above, it is suitable for an epoxy resin composition for optical semiconductors because it is less colored and has good electrical insulation.

【0020】請求項7記載の光半導体装置は、請求項1
乃至請求項6いずれか記載の光半導体用エポキシ樹脂組
成物を用いて光半導体素子を封止してなる。上記光半導
体装置は、光透過性を維持すると共に、熱時剛性が良好
で、低応力性を有することができるものである。
The optical semiconductor device according to the seventh aspect is the first aspect of the invention.
An optical semiconductor element is encapsulated using the epoxy resin composition for an optical semiconductor according to any one of claims 6 to 6. The optical semiconductor device can maintain light transmittance, have good rigidity at the time of heat, and have low stress.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】本発明の光半導体用エポキシ樹脂
組成物について、説明する。上記光半導体用エポキシ樹
脂組成物は、(A)成分としてエポキシ樹脂と、(B)
成分として硬化剤と、(C)成分として硬化促進剤と、
(D)成分として離型剤と、(E)成分としてシリコー
ン化合物を配合してなる組成物であって、光半導体素子
を封止するための封止材料として用いられるものであ
る。上記光半導体素子としては、LEDなどの発光素
子、フォトトランジスターやフォトダイオードやCCD
などの受光素子、EPROM等の半導体素子(光半導体
素子)が例示される。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The epoxy resin composition for an optical semiconductor of the present invention will be described. The above-mentioned epoxy resin composition for optical semiconductors comprises: an epoxy resin as a component (A);
A curing agent as a component, a curing accelerator as a component (C),
A composition comprising a release agent as a component (D) and a silicone compound as a component (E), which is used as a sealing material for sealing an optical semiconductor element. Examples of the optical semiconductor element include a light emitting element such as an LED, a phototransistor, a photodiode, and a CCD.
And a semiconductor device (optical semiconductor device) such as an EPROM.

【0022】上記光半導体用エポキシ樹脂組成物の
(A)成分であるエポキシ樹脂としては、1分子中に2
個以上のエポキシ基を有していれば特に制限はないが、
比較的着色の少ないものが用途的に好ましい。上記エポ
キシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型エポキ
シ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノ
ールS型エポキシ樹脂、オルトクレゾールノボラック型
エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、トリグリシジルイ
ソシアヌレート、脂肪族系エポキシ樹脂等が挙げられ
る。また、上記エポキシ樹脂の芳香格部に水素添加した
ものを例示することができる。これらエポキシ樹脂は、
それぞれを単独で用いたり、併用したりすることができ
る。
The epoxy resin, which is the component (A) of the epoxy resin composition for optical semiconductors, contains 2 per molecule.
There is no particular limitation as long as it has at least two epoxy groups,
Those having relatively little coloring are preferred for use. Examples of the epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, orthocresol novolak type epoxy resin, alicyclic epoxy resin, triglycidyl isocyanurate, aliphatic epoxy resin and the like. Is mentioned. Moreover, the thing which hydrogenated the aromatic part of the said epoxy resin can be illustrated. These epoxy resins are
Each can be used alone or in combination.

【0023】上記光半導体用エポキシ樹脂組成物の
(B)成分である硬化剤は、上記エポキシ樹脂と硬化反
応をするものであれば特に制限はないが、比較的着色の
少ないものが用途的に好ましい。上記硬化剤としては、
例えば、無水ヘキサヒドロフタル酸や無水メチルヘキサ
ヒドロフタル酸や無水テトラヒドロフタル酸などの酸無
水物、あるいはフェノール、クレゾール、キシレノー
ル、レゾールシン等とホルムアルデヒドとを縮合反応さ
せて得られるノボラック型樹脂、液状ポリメルカプタン
やポリサルファイド樹脂等のポリメルカプタン系硬化剤
等が挙げられる。また、上記硬化剤としては、この他に
アミン系の硬化剤も用いることができるが、硬化時の変
色が大きくなる恐れがあるので、添加量を比較的少なく
するなどの注意を要する。これら硬化剤は、それぞれを
単独で用いたり、併用したりすることができる。なかで
も、酸無水物は、着色が少なくまた電気絶縁性が良好で
ある点で好ましい。また、上記硬化剤の配合量は、エポ
キシ樹脂との当量比で、硬化剤/エポキシ樹脂=0.5
〜1.5に設定することが好ましく、硬化剤/エポキシ
樹脂=0.8〜1.2がより好ましい。
The curing agent as the component (B) of the epoxy resin composition for optical semiconductors is not particularly limited as long as it undergoes a curing reaction with the epoxy resin. preferable. As the above curing agent,
For example, novolak-type resin obtained by subjecting formaldehyde to a condensation reaction with acid anhydrides such as hexahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride or tetrahydrophthalic anhydride, or phenol, cresol, xylenol, resorcinol, etc. Examples include a mercaptan-based curing agent such as a mercaptan or a polysulfide resin. In addition, as the above-mentioned curing agent, an amine-based curing agent can also be used. However, since discoloration at the time of curing may become large, attention must be paid to a relatively small amount of addition. These curing agents can be used alone or in combination. Above all, acid anhydrides are preferred because they are less colored and have good electric insulation. The compounding amount of the above curing agent is an equivalent ratio to the epoxy resin, and the curing agent / epoxy resin = 0.5
It is preferably set to 1.5, more preferably 0.8 to 1.2 curing agent / epoxy resin.

【0024】上記光半導体用エポキシ樹脂組成物の
(C)成分である硬化促進剤は、エポキシ樹脂と硬化剤
の反応を促進する作用を有するものであれば特に限定さ
れないが、比較的着色の少ないものが用途的に好まし
い。上記硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホ
スフィン、ジフェニルホスフィン等の有機ホスフィン
系、;1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセ
ン−7(DBU)等の環式アミン系;トリエタノールア
ミン、ベンジルジメチルアミン等の3級アミン系;テト
ラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、テ
トラフェニルホスホニウム・ブロマイド等の有機塩類;
1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール等のイミダゾ
ール類が挙げられる。これら硬化促進剤は、それぞれを
単独で用いたり、併用したりすることができる。また、
上記硬化促進剤の配合量は、組成物全量に対し、0.0
5〜5重量%であることが好ましい。上記硬化促進剤の
配合量が、0.05重量%未満では、エポキシ樹脂と硬
化剤の反応を促進する効果が得られ難く、5重量%を超
えると組成物のゲル化時間が短くなり過ぎるため、封止
成形の際に、成形品にボイドが発生したり未充填になる
等成形性の低下を起こし易い。
The curing accelerator, which is the component (C) of the epoxy resin composition for optical semiconductors, is not particularly limited as long as it has an action of accelerating the reaction between the epoxy resin and the curing agent. Are preferred for use. Examples of the curing accelerator include organic phosphines such as triphenylphosphine and diphenylphosphine; cyclic amines such as 1,8-diazabicyclo (5,4,0) undecene-7 (DBU); triethanolamine And tertiary amines such as benzyldimethylamine; organic salts such as tetraphenylphosphonium / tetraphenylborate and tetraphenylphosphonium / bromide;
Imidazoles such as 1-benzyl-2-phenylimidazole; These curing accelerators can be used alone or in combination. Also,
The amount of the curing accelerator is 0.0% based on the total amount of the composition.
It is preferably 5 to 5% by weight. If the amount of the curing accelerator is less than 0.05% by weight, the effect of accelerating the reaction between the epoxy resin and the curing agent is not easily obtained, and if it exceeds 5% by weight, the gel time of the composition becomes too short. In addition, at the time of encapsulation molding, the molded product is liable to cause a decrease in moldability, such as generation of voids or unfilling.

【0025】上記光半導体用エポキシ樹脂組成物の
(D)成分である離型剤は、他の成分と相溶性を有する
ものであれば特に限定されないが、比較的着色の少ない
ものが用途的に好ましい。上記離型剤としては、例え
ば、ラウリン酸アマイド等の飽和脂肪酸モノアマイド
類、オレイン酸アマイド等の不飽和脂肪酸モノアマイド
類、N−ステアリン酸アマイド等の置換アマイド類、メ
チロールステアリン酸アマイド等nメチロールアマイド
類、メチレンビスステアリン酸アマイド、エチレンビス
オレイン酸アマイド等の不飽和脂肪酸ビスアマイド類、
m−キシレンビスステアリン酸アマイド等の芳香族系ビ
スアマイド類が挙げられる。さらに、上記離型剤として
は、成形金型との離型性が優れているものとして、上記
一般式(4)で表されるものが挙げられる。これら離型
剤は、それぞれを単独で用いたり、併用したりすること
ができる。また、上記離型剤の配合量は、組成物全量に
対し、0.01〜3重量%であることが好ましい。上記
離型剤の配合量が、0.01重量%未満では、成形の際
に金型との離型性の効果が得られ難く、3重量%を超え
ると光半導体素子やリードフレイムとの密着性が低下し
たり、成形品の強度が低下するため、成形品にクラック
が発生する恐れがある。
The release agent as the component (D) of the epoxy resin composition for optical semiconductors is not particularly limited as long as it is compatible with other components. preferable. Examples of the release agent include saturated fatty acid monoamides such as lauric acid amide, unsaturated fatty acid monoamides such as oleic acid amide, substituted amides such as N-stearic acid amide, and n-methylol amides such as methylol stearic acid amide. , Unsaturated fatty acid bisamides such as methylene bisstearic acid amide, ethylene bisoleic acid amide,
Aromatic bisamides such as m-xylene bisstearic acid amide are exemplified. Further, as the above-mentioned releasing agent, those having excellent releasability from a molding die include those represented by the general formula (4). These release agents can be used alone or in combination. The amount of the release agent is preferably 0.01 to 3% by weight based on the total amount of the composition. If the amount of the release agent is less than 0.01% by weight, it is difficult to obtain the effect of mold release during molding, and if it exceeds 3% by weight, adhesion to an optical semiconductor element or a lead frame. This may lead to cracks in the molded product due to reduced properties and reduced strength of the molded product.

【0026】上記光半導体用エポキシ樹脂組成物の
(E)成分であるシリコーン化合物は、屈折率が1.4
5〜1.60のものである。上記シリコーン化合物は、
(A)、(B)、(C)、(D)成分と相溶性を有し
て、成形品に光透過性を発現するものである。上記シリ
コーン化合物を含有すると、Tgを低下させることがな
いと共に、低応力性を付与することができるものであ
り、屈折率がこの範囲を外れたものは、成形品の光透過
率が低下するものである。
The silicone compound (E) of the epoxy resin composition for an optical semiconductor has a refractive index of 1.4.
5 to 1.60. The silicone compound,
It is compatible with the components (A), (B), (C), and (D) and expresses light transmittance to the molded article. When the above-mentioned silicone compound is contained, Tg is not reduced and low stress property can be imparted. If the refractive index is out of this range, the light transmittance of the molded article is reduced. It is.

【0027】上記シリコーン化合物は、例えば、上記
(1)、(2)、(3)の構造式で表される置換基のう
ち少なくともいずれか一つの置換基を有するものが挙げ
られる。
Examples of the silicone compound include those having at least one of the substituents represented by the structural formulas (1), (2) and (3).

【0028】また、上記シリコーン化合物の配合量は、
低応力性の付与と熱時剛性の水準から設定されるもので
あるが、例えば、組成物全量に対し、0.01〜5重量
%であることが好ましい。上記シリコーン化合物の配合
量が、0.01未満では、低応力性の効果が得られ難く
なる傾向があり、5重量%を超えると成形品の耐湿性や
熱時剛性が低下し易い傾向がある。
The amount of the silicone compound is as follows:
It is set based on the level of the low stress property and the rigidity when heated. For example, it is preferably 0.01 to 5% by weight based on the total amount of the composition. If the amount of the silicone compound is less than 0.01, the effect of low stress tends to be hardly obtained, and if it exceeds 5% by weight, the moisture resistance and the rigidity under heat of the molded article tend to be reduced. .

【0029】上記光半導体用エポキシ樹脂組成物は、上
記(A)、(B)、(C)、(D)、(E)成分以外の
成分として、必要に応じて変色防止剤、酸化防止剤、染
料、シリカ等の無機充填剤、シラン系カップリング剤、
変性剤、可塑剤、希釈剤等を配合することが可能であ
る。
The epoxy resin composition for optical semiconductors may contain, as necessary, components other than the components (A), (B), (C), (D) and (E), a discoloration inhibitor and an antioxidant. , Dyes, inorganic fillers such as silica, silane coupling agents,
Modifiers, plasticizers, diluents and the like can be blended.

【0030】上記光半導体用エポキシ樹脂組成物は、上
述の配合成分をミキサー、ブレンダー等を用いて均一に
混合した後に、ニーダーやロールを用いて加熱・混練し
て作製される。また、上記光半導体用エポキシ樹脂組成
物は、必要に応じて、混練した後に、冷却固化し、粉砕
して粉状としたり、さらに、タブレット状に打錠したり
して用いられる。
The epoxy resin composition for optical semiconductors is prepared by uniformly mixing the above-mentioned components using a mixer, a blender or the like, followed by heating and kneading using a kneader or a roll. The epoxy resin composition for an optical semiconductor is kneaded, if necessary, cooled and solidified, pulverized to a powdery form, or further tableted to be used.

【0031】本発明の半導体装置は、上述の光半導体用
エポキシ樹脂組成物を用いて光半導体素子を封止しする
ことにより得られる。上記半導体装置を製造するにあた
っては、従来と同様に固形(タブレット状)の光半導体
用エポキシ樹脂組成物でトランスファー成形によって半
導体素子を封止し、この後、光半導体用エポキシ樹脂組
成物を硬化させて封止材を形成するようにして行うこと
ができる。また、光半導体用エポキシ樹脂組成物の性状
が室温で液状の場合は、キャスティング、ポッテイン
グ、印刷等の方式を採用して、注型、硬化させるように
して行うことができる。
The semiconductor device of the present invention is obtained by encapsulating an optical semiconductor element using the above-mentioned epoxy resin composition for an optical semiconductor. In manufacturing the semiconductor device, the semiconductor element is encapsulated by transfer molding with a solid (tablet-like) epoxy resin composition for optical semiconductors, and then the epoxy resin composition for optical semiconductors is cured. To form a sealing material. In addition, when the properties of the epoxy resin composition for optical semiconductors are liquid at room temperature, casting, potting, printing, and other methods can be employed to cast and cure.

【0032】[0032]

【実施例】本発明の効果を確認するために、光半導体用
エポキシ樹脂組成物を作製し、それらを用い評価用の成
形品を作製し、評価を行った。実施例及び比較例は以下
の材料を用いた。
EXAMPLES In order to confirm the effects of the present invention, epoxy resin compositions for optical semiconductors were prepared, molded articles for evaluation were prepared using them, and evaluations were made. The following materials were used in Examples and Comparative Examples.

【0033】(構成材料)(A)成分であるエポキシ樹
脂として、エポキシ樹脂(I)にエポキシ当量が925
のビスフェノールA型エポキシ樹脂(油化シェルエポキ
シ株式会社製、商品名エピコート1004)、エポキシ
樹脂(II)にエポキシ当量が4000のビスフェノー
ルA型エポキシ樹脂(油化シェルエポキシ株式会社製、
商品名エピコート1100)を用いた。
(Constituent Material) As the epoxy resin as the component (A), the epoxy resin (I) has an epoxy equivalent of 925.
Bisphenol A type epoxy resin (manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd., Epicoat 1004), epoxy resin (II) having an epoxy equivalent of 4000 bisphenol A type epoxy resin (manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.,
(Epicoat 1100, trade name) was used.

【0034】(B)成分である硬化剤として、酸無水物
(新日本理化株式会社製、THPA、当量152)を用
い、(C)成分である硬化促進剤として、1−ベンジル
−2−フェニルイミダゾールを用いた。
An acid anhydride (THPA, equivalent: 152, manufactured by Shin Nippon Rika Co., Ltd.) was used as a curing agent as the component (B), and 1-benzyl-2-phenyl was used as a curing accelerator as the component (C). Imidazole was used.

【0035】(D)成分である離型剤は、離型剤(I)
にエルカ酸アマイド(日本油脂製、E−10)を用い、
離型剤(II)に上記一般式(4)で表され、R4 =5
0、x=3、y=25のものを用いた。
The release agent as the component (D) comprises the release agent (I)
Using erucic acid amide (manufactured by NOF Corporation, E-10)
The release agent (II) is represented by the above general formula (4), and R 4 = 5
Those having 0, x = 3, and y = 25 were used.

【0036】(E)であるシリコーン化合物としては、
上記(1)の構造式で表される置換基を有する屈折率が
1.45のシリコーン化合物(信越化学工業株式会社
製、X−22−4741)、上記(2)の構造式で表さ
れる置換基を有する屈折率が1.46のシリコーン化合
物(信越化学工業株式会社製、KF−354)、上記
(3)の構造式で表される置換基を有する屈折率が1.
51のシリコーン化合物(I)(信越化学工業株式会社
製、KF−54)、及び、上記(3)の構造式で表され
る置換基を有する屈折率が1.58のシリコーン化合物
(II)(信越化学工業株式会社製、KF−5)を用い
た。
As the silicone compound (E),
A silicone compound having a substituent represented by the structural formula (1) and having a refractive index of 1.45 (X-22-4741 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) represented by the structural formula (2). A silicone compound having a substituent having a refractive index of 1.46 (KF-354, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) having a refractive index of 1.46 having a substituent represented by the structural formula (3) above.
Silicone compound (I) (KF-54, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) and silicone compound (II) (1.5) having a substituent represented by the structural formula (3) and having a refractive index of 1.58. KF-5) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. was used.

【0037】また、比較用のシリコーン化合物として、
置換基にメチル基を有する屈折率が1.375のシリコ
ーン化合物(I)(信越化学工業株式会社製、KF−9
6L−0.65)、及び、上記(2)の構造式で表され
る置換基を有するが屈折率が1.42のシリコーン化合
物(II)(信越化学工業株式会社製、KF−601
5)を用いた。
As a silicone compound for comparison,
Silicone compound (I) having a methyl group as a substituent and having a refractive index of 1.375 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KF-9)
6L-0.65) and a silicone compound (II) having a substituent represented by the above structural formula (2) but having a refractive index of 1.42 (KF-601 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)
5) was used.

【0038】その他材料として、酸化防止剤(旭電化
製、AO−50)を用いた。
As other materials, an antioxidant (AO-50, manufactured by Asahi Denka) was used.

【0039】(実施例1〜6、比較例1〜3)表1に示
す配合比(重量部)で、上記材料を配合し、ブレンダー
で30分均一に混合した。この混合物を80℃に加熱し
たニーダーで混練溶融し、押し出し、冷却後に粉砕機で
粉砕し、粒子径が約5mm程度のタブレット状の封止用
エポキシ樹脂組成物を得た。
(Examples 1 to 6, Comparative Examples 1 to 3) The above materials were blended at the blending ratios (parts by weight) shown in Table 1 and uniformly mixed by a blender for 30 minutes. This mixture was kneaded and melted in a kneader heated to 80 ° C., extruded, cooled, and then pulverized with a pulverizer to obtain a tablet-like epoxy resin composition for sealing having a particle diameter of about 5 mm.

【0040】[0040]

【表1】 [Table 1]

【0041】(評価)評価用の成形品を作製し、光透過
性、Tg、熱時剛性、低応力性、及び、耐湿信頼性を評
価した。
(Evaluation) A molded article for evaluation was prepared, and its light transmittance, Tg, rigidity at heat, low stress property, and moisture resistance reliability were evaluated.

【0042】光透過性は、以下のようにして測定した。
先ず、実施例及び比較例の光半導体用エポキシ樹脂組成
物を用いて、トランスファー成形をおこない厚み1mm
の評価用成形品を作製した。評価用成形品は、金型温度
150℃、注入時間35秒、加圧保持時間150秒の条
件で成形した後、さらに150℃で2時間の条件でアフ
ターキュアーして作製した。このようにして得た評価用
成形品について、日立製作所(株)製の分光光度計U−
3400を用いて900nmから600nmまで測定波
長を変化させて光透過率を測定した。表2に、上記波長
間での最大値と最小値で示した。
The light transmittance was measured as follows.
First, transfer molding was performed using the epoxy resin compositions for optical semiconductors of Examples and Comparative Examples to a thickness of 1 mm.
A molded article for evaluation was prepared. The molded article for evaluation was formed by molding under the conditions of a mold temperature of 150 ° C., an injection time of 35 seconds, and a pressure holding time of 150 seconds, and further after-curing at 150 ° C. for 2 hours. The molded article for evaluation obtained in this manner was used with a spectrophotometer U-manufactured by Hitachi, Ltd.
The light transmittance was measured by changing the measurement wavelength from 900 nm to 600 nm using 3400. Table 2 shows the maximum value and the minimum value between the wavelengths.

【0043】Tgは、実施例及び比較例の光半導体用エ
ポキシ樹脂組成物を用いて、トランスファー成形をおこ
ない厚み20mm、直径5mmの円柱状の評価用成形品
を作製した。評価用成形品は、金型温度150℃、注入
時間35秒、加圧時間150秒の条件で成形した後、さ
らに150℃で2時間の条件でアフターキュアーして作
製した。このようにして得た評価用成形品について、T
MAを用いて、昇温速度5℃/分の加温条件で測定し
た。
As for Tg, transfer molding was carried out using the epoxy resin compositions for optical semiconductors of Examples and Comparative Examples to produce cylindrical evaluation molded articles having a thickness of 20 mm and a diameter of 5 mm. The molded article for evaluation was produced by molding under the conditions of a mold temperature of 150 ° C., an injection time of 35 seconds, and a pressurizing time of 150 seconds, and after-curing at 150 ° C. for 2 hours. With respect to the molded article for evaluation obtained in this way, T
The measurement was carried out using MA at a heating rate of 5 ° C./min.

【0044】熱時剛性は、実施例及び比較例の光半導体
用エポキシ樹脂組成物を用いて、トランスファー成形を
おこない厚み3mm、直径50mmの円板状の評価用成
形品を作製した。評価用成形品は、金型温度150℃、
注入時間35秒、加圧時間150秒の条件で成形した
後、取出した直後にショアA硬度計を用いて、表面の硬
度を測定した。表2に5回測定した平均値を示した。
The rigidity under heat was determined by transfer molding using the epoxy resin compositions for optical semiconductors of Examples and Comparative Examples to produce disk-shaped molded articles for evaluation having a thickness of 3 mm and a diameter of 50 mm. The molded product for evaluation has a mold temperature of 150 ° C.
After molding under the conditions of an injection time of 35 seconds and a pressurization time of 150 seconds, the surface hardness was measured using a Shore A hardness meter immediately after taking out. Table 2 shows the average values measured five times.

【0045】低応力性及び耐湿信頼性は、以下のように
して、測定した。先ず、実施例及び比較例の光半導体用
エポキシ樹脂組成物を用いて、回路巾10μm、厚み1
μmの櫛形アルミパターンを形成したTEGを搭載した
16DIPパッケージ(42アロイ/銀めっきリードフ
レイム)を作製した。この16DIPパッケージは、金
型温度150℃、注入時間35秒、加圧時間150秒の
条件でランスファー成形した後、さらに150℃で2時
間の条件でアフターキュアーして作製した。
The low stress resistance and the moisture resistance reliability were measured as follows. First, using the epoxy resin compositions for optical semiconductors of Examples and Comparative Examples, a circuit width of 10 μm and a thickness of 1 were used.
A 16 DIP package (42 alloy / silver-plated lead frame) on which a TEG having a μm comb-shaped aluminum pattern formed was mounted. This 16DIP package was produced by transfer molding under the conditions of a mold temperature of 150 ° C., an injection time of 35 seconds, and a pressurizing time of 150 seconds, followed by after-curing at 150 ° C. for 2 hours.

【0046】次に、低応力性は、作製した16DIPパ
ッケージのうち各10個を抜き取り、初期の抵抗値を測
定した後に、マイナス20℃20分、常温5分、100
℃20分、常温5分を1サイクルとし、200サイクル
の処理行った。そして、この処理後に抵抗値を測定し、
抵抗値が10%以上変化したものを不良とした。10個
のうち、不良が0個のものは○、1個発生したものは
△、2個以上は×とした。
Next, for the low stress property, ten samples were taken out of each of the prepared 16 DIP packages, and the initial resistance value was measured.
One cycle was performed at a temperature of 20 ° C. and a normal temperature of 5 minutes, and the treatment was performed for 200 cycles. Then, after this processing, the resistance value is measured,
Those whose resistance value changed by 10% or more were regarded as defective. Out of the ten pieces, 不良 indicates that there was no defect, and 発 生 indicates that one occurred, and × indicates that two or more pieces occurred.

【0047】また、耐湿信頼性は、作製した16DIP
パッケージのうち各10個を抜き取り、温度121℃、
100%RH、2気圧、50時間の条件でPCT試験機
で処理を行った後に取出し、断線の有無を測定した。1
0個のうち、断線不良が0個のものは○、1個発生した
ものは△、2個以上は×とした。
Further, the moisture resistance reliability was as high as that of the prepared 16DIP.
Each of 10 packages was extracted and the temperature was 121 ° C.
After processing with a PCT tester under the conditions of 100% RH, 2 atm and 50 hours, the PCT was taken out and the presence or absence of disconnection was measured. 1
Of the 0 pieces, 0 indicates no disconnection failure, 1 indicates the occurrence of disconnection, and 2 indicates two or more.

【0048】結果は表2に示すとおりであった。
(A)、(B)、(C)、(D)、(E)成分を配合し
た実施例1〜6の光半導体用エポキシ樹脂組成物を用い
たものは、いずれも、熱時剛性が80以上と高く、Tg
も118℃以上と低下することがなく、また、低応力
性、耐湿信頼性も良好であった。一方、従来試みられた
Tgを74℃と低くしたことで、低応力性を良好とした
比較例1は、熱時剛性が劣るものであり、耐湿信頼性も
良くなかった。また、シリコーン化合物の屈折率が1.
45未満のものを用いた比較例2及び比較例3は、光透
過性も60%以下であった。
The results are as shown in Table 2.
(A), (B), (C), (D), those using the epoxy resin composition for optical semiconductors of Examples 1 to 6 in which the components (E) are blended, all have a rigidity of 80 when heated. Tg
Was not lowered to 118 ° C. or more, and the low stress property and the moisture resistance reliability were also good. On the other hand, Comparative Example 1 in which low Tg was improved by lowering the Tg to 74 ° C., which had been conventionally attempted, had poor rigidity at heat and poor moisture resistance reliability. Further, the refractive index of the silicone compound is 1.
In Comparative Examples 2 and 3 using less than 45, the light transmittance was also 60% or less.

【0049】[0049]

【表2】 [Table 2]

【0050】[0050]

【発明の効果】請求項1〜3記載の光半導体用エポキシ
樹脂組成物は、これを用いて光半導体素子を封止した成
形品に、、光透過性を維持すると共に、熱時剛性が良好
で、低応力性を有することができるものである。
The epoxy resin composition for an optical semiconductor according to any one of the first to third aspects of the present invention has a molded article in which an optical semiconductor element is encapsulated using the epoxy resin composition, while maintaining light transmittance and having good rigidity when heated. And can have a low stress property.

【0051】さらに、請求項4記載の光半導体用エポキ
シ樹脂組成物は、特に、離型剤が成形金型との離型性が
優れているため、この光半導体用エポキシ樹脂組成物を
用いて封止成形する際に、成形作業が容易になるもので
ある。
Further, in the epoxy resin composition for an optical semiconductor according to the fourth aspect, since the mold release agent has excellent releasability from a molding die, the epoxy resin composition for an optical semiconductor is preferably used. When performing sealing molding, the molding operation is facilitated.

【0052】さらに、請求項5記載の光半導体用エポキ
シ樹脂組成物は、特に、D)成分の配合量が組成物全量
に対し、0.01〜3重量%であるので、光半導体素子
やリードフレイムとの密着性、及び、成形品の強度を良
好とすることができる。
Furthermore, in the epoxy resin composition for an optical semiconductor according to the fifth aspect, the compounding amount of the component D) is 0.01 to 3% by weight based on the total amount of the composition. The adhesion to the frame and the strength of the molded product can be improved.

【0053】さらに、請求項6記載の光半導体用エポキ
シ樹脂組成物は、特に、(B)成分が、酸無水物酸無水
物であるので、着色が少なくまた電気絶縁性が良好であ
るので、光半導体用エポキシ樹脂組成物に適している。
Furthermore, the epoxy resin composition for an optical semiconductor according to the present invention has a low coloration and good electric insulation since the component (B) is an acid anhydride. Suitable for epoxy resin compositions for optical semiconductors.

【0054】請求項7記載の光半導体装置は、光透過性
を維持すると共に、熱時剛性が良好で、低応力性を有す
ることができるものである。
In the optical semiconductor device according to the present invention, the optical transparency is maintained, the rigidity at the time of heat is good, and the stress can be reduced.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C08L 83/07 C08L 83/07 83/12 83/12 H01L 23/29 H01L 23/30 F 23/31 Fターム(参考) 4J002 CC052 CD011 CD021 CD051 CD061 CD111 CD141 CN022 EL136 EN077 EN107 EP018 EP028 EU117 EU137 EW017 EW177 EX039 EX069 FD142 FD146 FD157 FD168 GQ05 4J036 AA01 AD08 AD20 AF06 DA01 DA02 DB17 DC41 DC46 DD02 DD07 FA12 FB07 FB12 FB16 4M109 AA01 BA01 CA21 EA02 EB02 EB04 EB06 EB08 EB09 EB13 EB18 EB19 EC04 EC07 EC09 EC11 EC20 GA01 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) C08L 83/07 C08L 83/07 83/12 83/12 H01L 23/29 H01L 23/30 F 23 / 31F Terms (reference) 4J002 CC052 CD011 CD021 CD051 CD061 CD111 CD141 CN022 EL136 EN077 EN107 EP018 EP028 EU117 EU137 EW017 EW177 EX039 EX069 FD142 FD146 FD157 FD168 GQ05 4J036 AA01 AD08 AD20 AF06 DA01 DA02 DB17 DC41 DC12 FB02 DD07 EB02 EB04 EB06 EB08 EB09 EB13 EB18 EB19 EC04 EC07 EC09 EC11 EC20 GA01

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 下記(A)、(B)、(C)、(D)、
(E)成分を配合してなる組成物で、光半導体素子を封
止する光半導体用エポキシ樹脂組成物。 (A)成分;エポキシ樹脂、 (B)成分:硬化剤、 (C)成分:硬化促進剤、 (D)成分:離型剤、 (E)成分:屈折率が1.45〜1.60のシリコーン
化合物。
1. The following (A), (B), (C), (D),
An epoxy resin composition for an optical semiconductor, which encapsulates an optical semiconductor element, which is a composition containing the component (E). (A) component: epoxy resin, (B) component: curing agent, (C) component: curing accelerator, (D) component: release agent, (E) component: refractive index of 1.45 to 1.60. Silicone compounds.
【請求項2】 上記(E)成分が下記(1)、(2)、
(3)の構造式で表される置換基のうち少なくともいず
れか一つの置換基を有するシリコーン化合物であること
を特徴とする請求項1記載の光半導体用エポキシ樹脂組
成物。 【化1】 【化2】 【化3】 (式中、R123 は炭素数が1〜10の不飽和炭化
水素基を示し、m、nは整数を示す。)
2. The method according to claim 1, wherein the component (E) is as follows:
The epoxy resin composition for an optical semiconductor according to claim 1, wherein the epoxy resin composition is a silicone compound having at least one of the substituents represented by the structural formula (3). Embedded image Embedded image Embedded image (In the formula, R 1 R 2 R 3 represents an unsaturated hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, and m and n represent integers.)
【請求項3】 上記(E)成分の配合量が組成物全量に
対し、0.01〜5重量%であることを特徴とする請求
項1又は請求項2記載の光半導体用エポキシ樹脂組成
物。
3. The epoxy resin composition for an optical semiconductor according to claim 1, wherein the amount of the component (E) is 0.01 to 5% by weight based on the total amount of the composition. .
【請求項4】 上記(D)成分が下記一般式(4)で表
されるものであることを特徴とする請求項1乃至請求項
3いずれか記載の光半導体用エポキシ樹脂組成物。 【化4】 (式中、R4 は炭素数が1〜100の不飽和炭化水素基
を示し、x,yは整数を示す。)
4. The epoxy resin composition for an optical semiconductor according to claim 1, wherein the component (D) is represented by the following general formula (4). Embedded image (In the formula, R 4 represents an unsaturated hydrocarbon group having 1 to 100 carbon atoms, and x and y represent integers.)
【請求項5】 上記(D)成分の配合量が組成物全量に
対し、0.01〜3重量%であることを特徴とする請求
項1乃至請求項4いずれか記載の光半導体用エポキシ樹
脂組成物。
5. The epoxy resin for an optical semiconductor according to claim 1, wherein the amount of the component (D) is 0.01 to 3% by weight based on the total amount of the composition. Composition.
【請求項6】 上記(B)成分が、酸無水物であること
を特徴とする請求項1乃至請求項5いずれか記載の光半
導体用エポキシ樹脂組成物。
6. The epoxy resin composition for an optical semiconductor according to claim 1, wherein the component (B) is an acid anhydride.
【請求項7】 請求項1乃至請求項6いずれか記載の光
半導体用エポキシ樹脂組成物を用いて光半導体素子を封
止してなる光半導体装置。
7. An optical semiconductor device comprising an optical semiconductor element encapsulated with the epoxy resin composition for an optical semiconductor according to claim 1.
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