JP2001202666A - 再生パワーテスト方法及び光学的情報再生装置 - Google Patents

再生パワーテスト方法及び光学的情報再生装置

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JP2001202666A JP2000009095A JP2000009095A JP2001202666A JP 2001202666 A JP2001202666 A JP 2001202666A JP 2000009095 A JP2000009095 A JP 2000009095A JP 2000009095 A JP2000009095 A JP 2000009095A JP 2001202666 A JP2001202666 A JP 2001202666A
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孝昭 芦沼
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 磁壁移動型光磁気媒体を用いた場合、再生パ
ワーはジッター特性に大きく影響し、光学系の収差等に
よらず情報を正確に再生するには再生パワーを正確に設
定する必要がある。 【解決手段】 磁壁が移動を開始する磁壁移動開始再生
パワーPrdwd 、及び磁壁が移動する最大再生パワーP
max を検出し、得られた磁壁移動開始再生パワーPr
dwd 、及び最大再生パワーPrmax に基づいて最適再生
パワーPrを設定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気記録媒体の
記録情報を記録磁区の磁壁を移動させることによって情
報を再生する場合の最適再生パワーを設定するための再
生パワーテスト方法及び光学的情報再生装置に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】従来、光ディスクの線記録密度は、再生
光学系のレーザ波長や対物レンズの開口数に大きく依存
し、再生光学系のレーザ波長λと対物レンズの開口数N
Aが決まるとビームウェストの径が決まるため、信号再
生時の空間周波数は2NA/λ程度が検出可能な限界で
ある。従って、従来の光ディスクで高密度化を実現する
ためには、再生光学系のレーザ波長を短くし、対物レン
ズの開口数NAを大きくする必要があるが、レーザ波長
やNAの改善にも限度がある。このため、記録媒体の構
成や読み取り方法を工夫することによって、記録密度を
改善する技術が開発されている。
【0003】例えば、本願出願人においても光の回折限
界以下のピット長で記録された信号を再生することが可
能な情報再生方法を特開平6−290496号公報で提
案している。同公報の情報再生方法を図6を参照して簡
単に説明する。なお、ここでは、記録媒体が第1の磁性
層(再生層)、第2の磁性層(中間層)、第3の磁性層
(記録層)の3層構造の場合を例として説明する。ま
た、再生用光スポット自身によって形成される温度勾配
により情報を再生する場合の再生原理について説明す
る。まず、図6(a)は記録媒体の断面図である。この
媒体の磁性層は、第1の磁性層601、第2の磁性層6
02、第3の磁性層603が順次積層された3層構造で
ある。各層中の矢印604は原子スピンの向きを表し、
スピン向きが相互に逆向きの領域の境界部には磁壁60
5が形成されている。図6(b)はこの記録層の記録信
号を示している。
【0004】図6(c)は記録媒体に形成される温度分
布を示すグラフである。この温度分布は、再生用光ビー
ム自身によって媒体上に誘起されるものである。ここ
で、位置xs1においては、媒体温度が第2の磁性層のキ
ュリー温度近傍の温度Ts になっている。この場合、x
方向に磁壁エネルギー密度の勾配があると、磁壁エネル
ギーの低い方に磁壁を移動させるような力が働く。第1
の磁性層601は磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大き
いので、単独でこの力によって容易に磁壁が移動する。
【0005】しかし、位置xs1より手前の領域では、ま
だ媒体温度がTs より低く、磁壁抗磁力の大きな第3の
磁性層603と交換結合しているために、第3の磁性層
603中の磁壁の位置に対応した位置に第1の磁性層6
01中の磁壁も固定されている。この時、図6(a)に
示すように磁壁606が媒体の位置xs1にあると、媒体
温度が第2の磁性層602のキュリー温度近傍の温度T
s まで上昇し、第1の磁性層601と第3の磁性層60
3との間の交換結合が切断される。図6(a)の斜線の
部分がこれに相当する。
【0006】この結果、第1の磁性層601中の磁壁6
06は、矢印607で示すようにより温度が高く磁壁エ
ネルギー密度の小さな領域、即ち、媒体温度のピークの
ある位置へと“瞬間的”に移動する。これにより、再生
用光スポットが照射される部分の第1の磁性層601上
の磁区の大きさは第3の磁性層603中の磁区の大きさ
に比べて拡大され、光学的な回折限界の影響により通常
の再生方式では再生不可能な大きさの微小記録ピットで
あっても磁性層上では再生可能な磁区長となるため、通
常の再生方式で再生可能な記録ピットを再生した場合と
ほぼ同等の再生振幅と、より急峻な立ち上がり/立ち下
がり特性を持った再生信号が得られ、光の回折限界以下
のピット長で記録された信号を再生することができる。
なお、以下、このように記録磁区の磁壁を移動させて情
報を再生する媒体を磁壁移動型光磁気媒体という。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな磁壁の移動は第2の磁性層のキュリー温度近傍の温
度Ts の等温線と記録磁区の位置関係によって起こるた
め、磁壁の移動するタイミングは基板上の温度によって
左右される。また、ディスク基板上の磁性層の温度は、
ディスクに照射されるレーザパワーに依存し、レーザパ
ワーの設定が正確であっても、光学ヘッドのレンズの収
差、光ビームの傾き、サーボ精度等によって実際のディ
スク上の温度分布はドライブ毎、ディスク毎、あるいは
温度等の環境条件により異なったものとなる。
【0008】更に、前述のように原理的に再生条件がデ
ィスク上の温度分布に依存するため通常の光磁気方式の
記録再生装置と比較してジッター特性は再生パワーに大
きく依存する。図7は再生パワーとジッター量の関係を
示している。再生信号のジッターは再生パワーにより大
きく変化しているのがわかる。このように磁壁移動再生
を行う場合、光学系収差、各部の精度、更にはパワーの
制御誤差等を許容した上で高い記録密度を実現する為に
は、再生時のレーザパワーを正確に設定する必要性があ
った。
【0009】本発明は、上記従来の問題点に鑑み、光学
系の収差、各部の精度、更にはパワーの制御誤差等によ
らず、正確に最適再生パワーを設定することが可能な再
生パワーテスト方法及び光学的情報再生装置を提供する
ことを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、少なく
とも、第1、第2及び第3の磁性層が積層された磁壁移
動型光磁気媒体に再生用光ビームを照射し、前記第1の
磁性層の記録磁区の磁壁を移動させて、再生用光ビーム
の反射光の偏光面の変化を検出することにより記録情報
を再生するに当たり、再生用光ビームの最適パワーを設
定するための再生パワーテスト方法であって、磁壁が移
動を開始する磁壁移動開始再生パワーPrdwd 及び磁壁
が移動する最大再生パワーPrmax を検出し、得られた
磁壁移動開始再生パワーPrdwd 及び最大再生パワーP
max に基づいて最適再生パワーPrを設定することを
特徴とする再生パワーテスト方法によって達成される。
【0011】また、本発明の目的は、少なくとも、第
1、第2及び第3の磁性層が積層された磁壁移動型光磁
気媒体に再生用光ビームを照射し、前記第1の磁性層の
記録磁区の磁壁を移動させて、再生用光ビームの偏光面
の変化を検出することにより記録情報を再生する光学的
情報再生装置において、磁壁が移動を開始する磁壁移動
開始再生パワーPrdwd を検出する手段と、磁壁が移動
する最大再生パワーPr max を検出する手段と、得られ
た磁壁移動開始再生パワーPrdwd と最大再生パワーP
max に基づいて最適再生パワーPrを設定する手段と
を備えたことを特徴とする光学的情報再生装置によって
達成される。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図1は本発明の一実
施形態の構成を示すブロック図である。図1において、
101は磁壁移動型光磁気媒体であるところの光磁気デ
ィスク(以下、単にディスクという)である。ディスク
101の記録領域は、半径方向に複数のゾーンに分割さ
れている。また、ディスク101はスピンドルモータ1
02により各ゾーンで線速度一定となるように駆動され
る。スピンドルモータ102はCPU127及びサーボ
制御回路126によりディスク101のゾーン毎に回転
速度が制御される。ディスク101の構造については詳
しく後述する。
【0013】ディスク101の上面にはディスク面に近
接して磁気ヘッド103が配置されている。磁気ヘッド
103は情報記録時に磁気ヘッドドライバー132の駆
動により記録信号に応じて変調された磁界を発生し、デ
ィスク101に印加する。磁気ヘッドドライバー132
はタイミング制御ロジック回路からの信号に応じて磁気
ヘッド103に駆動電流を供給する。また、ディスク1
01の下面には、磁気ヘッド103と対向して光学ヘッ
ド140が配置されている。光学ヘッド140内には、
半導体レーザ105が設けられている。
【0014】半導体レーザ105は、記録、再生、サー
ボ制御に用いられ、波長は680nmである。半導体レ
ーザ105はLD(Laser Diod)制御回路133の制御
に基づいてLDドライバー104によって駆動される。
半導体レーザ105から発したレーザ光は集光レンズ1
06で平行光束にされ、ビームスプリッタ107でビー
ム整形された後、対物レンズ108に入射する。対物レ
ンズ108はアパチャー109で開口が制限されてい
る。入射光束は対物レンズ108で絞られ、微小光スポ
ットとしてディスク101に照射される。
【0015】このようにしてディスク101に照射され
たレーザ光の一部はディスク面で反射され、対物レンズ
108を通ってビームスプリッタ107に入射する。こ
の入射光束はビームスプリッタ107で反射され、更に
ビームスプリッタ111でサーボ検出光学系と信号検出
光学系に分けられる。サーボ検出光学系は集光レンズ1
12、フォーカス制御用のシリンドリカルレンズ11
3、サーボ検出用センサ114から成っていて、サーボ
検出用センサ114の出力信号はサーボ制御回路126
に送られる。サーボ制御回路126はサーボ検出用セン
サ114の出力信号をもとにフォーカスエラー信号及び
トラッキングエラー信号を検出する回路を備え、得られ
たフォーカスエラー信号及びトラッキングエラー信号に
基づいてAT/AFドライバー120を制御する。
【0016】光学ヘッド140内には、対物レンズ10
8をフォーカス方向とトラッキング方向に駆動するため
のフォーカスアクチュエータとトラッキングアクチュエ
ータ(図示せず)が設けられ、駆動コイル110はこれ
らのアクチュエータの駆動コイルである。AT/AFド
ライバー120はフォーカスエラー信号及びトラッキン
グエラー信号に応じて駆動コイル110を駆動し、対物
レンズ108をフォーカス方向、トラッキング方向に駆
動することにより回転しているディスク101に半導体
レーザ105による光スポットが合焦するように、ま
た、回転しているディスク101のトラックに光スポッ
トが追従するようにフォーカス制御とトラッキング制御
を行う。更に、サーボ制御回路126はCPU127の
制御に基づいて光スポットのトラックジャンプやヘッド
送り機構128を制御して光学ヘッド140のシーク制
御を行う。
【0017】一方、信号検出光学系は1/2波長板11
6、集光レンズ117、偏光ビームスプリッタ118、
信号検出用センサ119から成っていて、ビームスプリ
ッタ111からの反射光は1/2波長板116で偏光方
向が45度回転させられた後集光レンズ117を通って
偏光ビームスプリッタ118に導かれる。偏光ビームス
プリッタ118は入射光束を偏光方向が互いに直交する
2つの成分に分割し、この分割された成分は2つのセン
サ119,119で検出される。センサ119と119
の出力信号は電流電圧変換回路121,123で各々電
圧信号に変換された後、再生信号を処理するRF信号処
理回路125に供給される。
【0018】RF信号処理回路125は、AGC(Auto
matic Gain Control)回路、波形成形回路、PLL(Pha
se Locked Loop)回路、タイムベース回路、サンプルホ
ールド回路、A/D変換回路等からなっていて、主に再
生信号のアナログ的な処理を行う。得られた再生信号は
デジタル化され(信号136,137)、ディスクコン
トローラ129へ送られる。RF信号処理回路125の
構成については詳しく後述する。
【0019】ディスクコントローラ129は、外部との
インターフェース回路を持ち、外部のホストコンピュー
タ(図示せず)からの制御によりCPU127と協動
し、ディスク101の制御を行う。即ち、ディスクコン
トローラ129は外部インターフェース回路、ECC
(誤り訂正回路)、メモリ及びメモリコントローラ、変
調回路、復調回路等から成り、ディスク101からの再
生信号に基づいてディスク上のアドレスの認識、ディス
クに対するデータの記録/再生に伴う符号化、復号化、
誤り訂正、外部のホストコンピュータとのインターフェ
ース制御等を行う。タイミング制御回路130は前述の
ようにディスクコントローラ129からの信号に基づい
てディスク101に記録する記録信号131を磁気ヘッ
ドドライバー132へ供給し、更に、RF信号処理回路
125が必要とする各種タイミング信号134を供給す
る。
【0020】CPU127は図1の装置の主制御回路
で、ディスクコントローラ129、RF信号処理回路1
25、サーボ制御回路126、LD制御回路133等の
各部を制御し、ホストコンピュータからの指令に基づい
てディスク101に情報の記録や再生を行う。また、C
PU127は再生パワーテスト時には、各部のシーケン
ス制御を行い、ディスク101のテスト領域にテスト用
パターンの記録や再生を行い、更にRF信号処理回路1
25から再生信号振幅を取り込み、それを用いて所定の
処理を行うことで、最適再生パワーの設定を行う。再生
パワーテスト方法については詳しく後述する。
【0021】図2はRF信号処理回路125を詳細に示
すブロック図である。図1の電流電圧変換回路121,
123の出力信号122,124は差動回路201、加
算回路202で光磁気信号成分と和信号成分に分けられ
る。光磁気信号成分はAGC回路(自動利得制御回路)
203に、和信号成分はAGC回路204に出力され、
それぞれ所定の振幅値の信号に調整される。ここで、再
生パワーテスト時においてAGC回路203からの光磁
気信号はエンベロープ検波回路205でエンベロープが
検出され、光磁気信号の振幅が検出される。光磁気信号
の信号振幅はA/Dコンバータ206でCPU127に
取り込まれ、最適再生パワーの設定に用いられる。光磁
気信号の信号振幅の検出はタイミング制御ロジック回路
130からのタイミング制御信号により制御される。
【0022】また、AGC回路203,204の各出力
信号はエッジ検出回路207に供給される。エッジ検出
回路207ではタイミング制御ロジック回路130から
のタイミング制御信号により光磁気信号と和信号を選択
し、それぞれの再生信号のエッジの検出を行う。ディス
ク101上にはデータがマークエッジ記録方式で記録さ
れており、エッジ検出回路207では光磁気信号と和信
号の各再生信号の立ち上がりエッジと立ち下がりエッジ
を検出し、立ち上がりエッジ信号208をPLL/デー
タセパレータ回路210に、立ち下がりエッジ信号20
9をPLL/データセパレータ回路211にそれぞれ出
力する。
【0023】PLL/データセパレータ回路210,2
11では、それぞれのエッジ信号に対してPLL(Phase
Locked Loop)をかけて、入力エッジ信号に同期したデ
ータクロック212,213及びこのデータクロックに
ビット同期したエッジ信号214,215を生成する。
再生信号合成回路216では、これらの信号を用いてマ
ークエッジ信号に戻す処理を行い、再生データ236及
び再生クロック137を生成する。再生データ及び再生
クロックはディスクコントローラ129へ供給される。
【0024】図3は本実施形態で用いるディスク101
の層構成を示す断面図である。なおディスク101とし
ては、特開平6−290496号公報に記載されている
媒体のうち3層構造の場合を例としている。具体的に
は、透明基板301上に干渉層である透電体層302、
第1の磁性層(磁壁移動層)303、第2の磁性層(ス
イッチング層)304、第3の磁性層(メモリ層)30
5、保護層として誘電体層306を順次積層した構成と
なっている。第1の磁性層303は周囲温度近傍におい
て第3の磁性層305に比べて相対的に磁壁抗磁力が小
さく、磁壁移動度の大きな磁性層から成り、第2の磁性
層304は第1の磁性層303及び第3の磁性層305
よりもキュリー温度の低い磁性層から成っている。第3
の磁性層305は磁区の保存安定性に優れた通常の磁気
記録層から成っている。
【0025】透明基板201としては、例えばポリカー
ボネートを用い、その上に誘電体層302としてSiN
層を80nm形成している。また、第1の磁性層303
としてGdFeCo層を30nm、第2の磁性層304
としてDyFe層を10nm、第3の磁性層305とし
てTbFeCo層を40nm順次スパッタリングで形成
している。最後に、誘電体層306としてSiN層を8
0nm形成している。なお、第1〜第3の磁性層303
〜305はトラッキング用案内溝(図示せず)の段差構
造あるいは熱的に磁気的特性を消失させることにより各
情報トラック間で互いに磁気的に分断されている。ま
た、第1〜第3の磁性層303〜305は図6の第1〜
第3の磁性層601〜603にそれぞれ対応している。
【0026】ここで、本実施形態による再生パワーテス
ト方法で最適再生パワーを設定する場合の原理について
説明する。図4は再生パワーに対する再生信号(光磁気
信号)の振幅及びジッターの測定結果を示している。な
お、図4はディスク上の半径位置24.6mmにおいて
線速度1.5m/sでマーク長0.15μmの繰り返し
パターンをレーザ波長680nmの再生用光ビームで再
生した場合の結果を示している。まず、再生パワーP1
からP3までは媒体温度が第2の磁性層のキュリー温度
よりも高い温度に達しないため、第1の磁性層303は
磁壁抗磁力の大きな第3の磁性層305と交換結合して
おり、磁壁の移動による磁区の拡大は起こらず、波長6
80nmの再生用光ビームによる再生ではピット長0.
15μmの連続信号の再生信号は得られない。
【0027】再生パワーがP4のレベル(P3とP5の
間)では、媒体温度が第2の磁性層のキュリー温度に達
する部分が生じるため、磁壁移動による磁区の拡大が起
き始めるが、まだ第2の磁性層のキュリー温度以上にな
る領域がビームサイズに対して十分大きくないため、再
生パワーの上昇とともに第2の磁性層のキュリー温度に
達する領域が拡大し、再生信号振幅が増大している。更
に、再生パワーが増大すると、第2の磁性層のキュリー
温度に達する領域は再生ビームにより照射される領域に
近くなると共に再生パワーの増大に伴う第2の磁性層の
キュリー温度に達する領域の拡大する度合いは少なくな
るため、再生信号振幅はP5からP9の領域においては
再生パワーの変化に対して緩やかな変化を示している。
このP5は磁壁が移動を開始する磁壁移動開始再生パワ
ー、P9は磁壁が移動する最大の再生パワーである。
【0028】また、P7以上では媒体の温度上昇により
カー回転角が減少するため、再生パワーの増大と共に再
生信号振幅が徐々に減少している。P9以上の再生パワ
ーにおいては、媒体温度は第3の磁性層のキュリー温度
以上となり、第3の磁性層に記録されている磁区は消去
し始めるため、信号振幅は急激に低下している。このた
め、再生パワーはこのP5からP9の間で設定する必要
がある。また、ジッターの値は再生パワーP8において
最低値を示し、それ以下の再生パワーでは急激な上昇、
それ以上の再生パワーでは再生パワーの増加につれて上
昇している。以上のデータは、特定の媒体に対する測定
値であるが、絶対的な最適パワーの値に関しては媒体の
処方等により異なったものになるが、全体的な傾向は同
様なものとなる。
【0029】そのため、図4の磁壁が移動を開始するP
5のパワーを磁壁移動開始再生パワーPrdwd 、磁壁が
移動する最大再生パワーP9をPrmax とすると、磁壁
移動開始再生パワーPrdwd と最大再生パワーPrmax
を検出することにより、再生パワーの最適値を求めるこ
とができる。即ち、最適の再生パワーPrは、(Pr
dwd +Prmax )/2とPrmax の中間値となり、 Pr=(Prdwd +3Prmax )/4 …(1) で得ることができる。
【0030】本実施形態では、このような考え方に基づ
いて磁壁移動型光磁気媒体を再生する場合の最適再生パ
ワーを設定しようというものである。そこで、本実施形
態による再生パワーテストの具体的な方法を図5のフロ
ーチャートを参照して詳細に説明する。なお、ディスク
101は半径方向に複数のゾーンに分割され、再生パワ
ーテストはゾーン毎に行うものとする。ディスク101
の各ゾーンには再生パワーテストのためのテスト領域が
設けられている。図5において、まず、CPU127は
再生パワーテストを実行する場合、再生パワーの初期値
の設定、再生信号振幅を検出する場合の再生回数nの設
定、振幅情報A-1、A-2の設定、フラグの設定を行う
(S101)。再生パワーの初期値は0.5mW、n=
0、A-1=A-2=−∞dBに設定するものとする。ま
た、フラグは図1の磁壁移動開始再生パワーを検出した
かどうかを示すもので初期値は0である。
【0031】次いで、サーボ制御回路126を介してヘ
ッド送り機構128を制御し、光学ヘッド140を目的
のゾーンのテスト領域にシークさせる(S102)。磁
気ヘッド103は光学ヘッド140と連動してテスト領
域に移動する。シークを完了すると、テスト領域の予め
決められた複数のセクタに通常の再生では再生不可能な
マーク長の繰り返しパターンのテスト用パターンの記録
を行う(S103)。本実施形態では、例えば、0.1
5μmマーク長の繰り返しパターン(デューティー50
%)を記録するものとする。
【0032】また、このテスト用パターンを記録する場
合は、LD制御回路133を制御して半導体レーザ10
5の光出力を記録パワーとし、記録用光ビームをテスト
領域に照射しながら、0.15μmの繰り返しパターン
を記録する信号を磁気ヘッドドライバー132に送り、
磁気ヘッド103から記録用光ビームの照射位置に記録
磁界を印加することにより記録を行う。記録を終了する
と、半導体レーザ105の光出力を再生パワーの初期値
に設定してテスト領域に記録したテスト用パターンの再
生を行い、再生信号振幅An の取り込みを行う(S10
4)。この場合、図2で説明したようにエンベロープ検
波回路205で再生信号(光磁気信号)の信号振幅が検
出され、A/Dコンバータ206で信号振幅がデジタル
化されてCPU127に取り込まれる。振幅情報はCP
U127の内部メモリに格納される(S105)。
【0033】次に、再生回数nがn≦所定値であるかを
判定し(S106)、この時はn=0であるため、S1
07に進み、再生パワーPr=Pr+ΔPr、n=n+
1とする。本実施形態では、ΔPr=0.1mWとし、
再度S104からの処理を行う。即ち、再生パワーをΔ
Pr増加して再度テスト用パターンを再生し、再生信号
振幅の取り込み、メモリへの格納を行う。このようにし
てS104〜S107の処理を繰り返し行い、n>所定
値になるまで同様の処理を行う。この場合の所定値とし
ては、再生パワーを初期値(0.5mW)から0.1m
Wづつ増加して再生しており、図4に示すように再生パ
ワーが磁壁移動開始再生パワー以上になるまでその回数
を設定するものとする。
【0034】nが所定値以上になると、S108に進
み、フラグの判定を行う。このフラグは図4で説明した
磁壁移動開始再生パワーPrdwd を既に検出したかどう
かを判定するためのフラグで、前述のように初期値は0
である。この時はフラグは0であるため、S109に進
み、磁壁が移動を開始する磁壁移動開始再生パワーPr
dwd の検出を行う。即ち、再生パワーを磁壁の移動が起
こらない再生パワーから徐々に増加させて再生パワーの
微小変化(本実施形態の場合0.1mW)に対して再生
信号振幅の変化の割合が減少するパワーを検出する。つ
まり、第2の磁性層のキュリー温度に達する領域が再生
用光ビームにより照射される領域に近くなり、再生パワ
ーの増加に伴う第2の磁性層のキュリー温度に達する領
域の拡大する度合が少なくなり、再生信号振幅の変化が
再生パワーの変化に対して緩やかな変化をし始めるパワ
ーを検出し、これを磁壁移動開始再生パワーPrdwd
して検出する。
【0035】具体的な検出方法としては、まず、S10
4〜S107で再生パワーを変化させて再生信号振幅を
複数回検出しているが、そのうち今回の信号振幅を
n 、前回の信号振幅をAn-1 、前々回の信号振幅をA
n-2 とする。そして、再生パワーの小さい方から今回の
信号振幅An と前回の信号振幅An-1 の差(An −A
n-1)と、前回の信号振幅An-1 と前々回の信号振幅A
n-2 の差(An-1 −An-2 )を順次比較していく。この
ようにして順次前回と今回の信号振幅の変化量ΔAの比
較を行い、図4に示すように最初に今回の(An −A
n-1 )の変化量ΔAが前回の(An-1 −An-2 )の変化
量ΔAよりも小さくなる再生パワーP5を検出する。次
いで、S110でこの再生パワーを磁壁が移動を開始す
る磁壁移動開始再生パワーPrdwd とし(Pr=Pr
dwd )、フラグ=1とする。
【0036】磁壁移動開始再生パワーを検出すると、S
111に進んで、磁壁が移動する最大再生パワーの検出
を行う。即ち、S111で今回の再生信号振幅An と前
回の信号振幅An-1 の差(An −An-1 )、即ち、前回
の信号振幅に対し今回の信号振幅An-1 が6dB以上低
下する再生パワーを検出する。これは、図4の再生パワ
ーP5以上において順次今回と前回の信号振幅の差が6
dB以上低下するかを判定する。本実施形態では、前回
と今回の再生信号振幅の変化量が急激に大きくなる再生
パワーを磁壁が移動する最大再生パワーとして検出して
おり、この変化量を−6dBとしている。図4では再生
パワーP9からP10にかけて急激に低下しているの
で、再生パワーP9が最大再生パワーとなる。ここで、
前回の信号振幅に対し今回の信号振幅が低下してもその
量が6dB未満である時は信号振幅の変化量が小さく、
最大再生パワーに達していない時である。
【0037】この場合は、S112に進み、再度前回の
信号振幅An に対し今回の信号振幅An-1 が3dB低下
するかどうかを判定する。もし、前回と今回の信号振幅
の変化量が3dBよりも小さい時は信号振幅の変化量が
小さく、最大再生パワーを検出するには再生パワーがそ
れまで達していない時であるため、S113でS103
のテスト用パターンと同一トラックに0.15μmマー
クの繰り返しパターンを記録する。次いで、S107に
進んで再生パワーPrを更にΔPr増加する。また、S
112で前回と今回の信号振幅の変化量が3dBよりも
大きい時はそのままS107に進んで再生パワーをΔP
r増加する。
【0038】その後、S104、S105、S106、
S108、S111、S112、(S113)、S10
7の処理を繰り返し行い、再生パワーを更にΔPrづつ
増加させて、再生信号振幅の検出を行い、順次前回と今
回の信号振幅が6dB以上低下するかどうかの判定を行
う。ここで、S111において前回の信号振幅An に対
し今回の信号振幅An-1 が6dB以上低下すると、図4
に示すように再生パワーがP9からP10に急激に変化
した時であり、この場合の前回の再生パワーP9を磁壁
が移動する最大再生パワーPrmax として検出する(S
114)。次いで、S115で図4で説明したように得
られた磁壁移動開始再生パワーPrdwdと最大再生パワ
ーPrmax に基づいて最適再生パワーPrを(1)式に
より算出し、メモリに格納する。
【0039】以上で再生用光ビームの最適再生パワーを
設定する処理を終了し、以下、ディスク101のゾーン
毎に同様の最適再生パワーを設定する処理を行い、それ
ぞれメモリに格納する。以降ディスク101の記録情報
を再生する時はゾーン毎にメモリから対応する最適再生
パワーを読み出し、それに応じてLD制御回路133を
制御し、半導体レーザ105の再生パワーを最適再生パ
ワーに設定することで記録情報の再生を行う。なお、図
5の再生パワーテストはディスク101が装置に装着さ
れた時、ディスク101が装着されてから一定時間毎、
装置内の温度変化が一定値以上になった時等に行う。
【0040】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、磁
壁が移動を開始する磁壁移動開始再生パワーPr
dwd と、磁壁が移動する最大再生パワーPrmax に基づ
いて再生用光ビームの最適再生パワーを設定しているの
で、光学系の収差、各部の精度、媒体間あるいは媒体上
の位置、更には再生パワーの制御誤差等によらず、磁壁
移動再生を行う際の再生パワーを正確に最適値に設定で
き、磁壁移動による情報の再生を高い精度で行うことが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態の構成を示すブロック図で
ある。
【図2】図1のRF信号処理回路を示すブロック図であ
る。
【図3】図1の実施形態に用いる光磁気ディスクの構成
を示す断面図である。
【図4】本発明の再生パワーテストの根拠となる再生パ
ワーと再生信号のジッター及び再生信号振幅の関係を示
す図である。
【図5】本発明の再生パワーテスト方法の一実施形態を
示すフローチャートである。
【図6】磁壁移動再生の原理を説明するための図であ
る。
【図7】再生パワーと再生信号のジッターの関係を示す
図である。
【符号の説明】
101 光磁気ディスク 103 磁気ヘッド 104 LDドライバー 105 半導体レーザ 108 対物レンズ 114 サーボ信号検出用センサ 119 信号検出用センサ 121,123 電流電圧変換回路 125 RF信号処理回路 126 サーボ制御回路 127 CPU 129 ディスクコントローラ 130 タイミング制御ロジック回路 132 磁気ヘッドドライバー 140 光学ヘッド 301 透明基板 303 第1の磁性層 304 第2の磁性層 305 第3の磁性層

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも、第1、第2及び第3の磁性
    層が積層された磁壁移動型光磁気媒体に再生用光ビーム
    を照射し、前記第1の磁性層の記録磁区の磁壁を移動さ
    せて、再生用光ビームの反射光の偏光面の変化を検出す
    ることにより記録情報を再生するに当たり、再生用光ビ
    ームの最適パワーを設定するための再生パワーテスト方
    法であって、磁壁が移動を開始する磁壁移動開始再生パ
    ワーPrdwd 及び磁壁が移動する最大再生パワーPr
    max を検出し、得られた磁壁移動開始再生パワーPr
    dwd 及び最大再生パワーPrmax に基づいて最適再生パ
    ワーPrを設定することを特徴とする再生パワーテスト
    方法。
  2. 【請求項2】 最適再生パワーPrは、磁壁移動開始再
    生パワーPrdwd と最大再生パワーPrmax から、 Pr=(Prdwd +3×Prmax )/4 で算出されることを特徴とする請求項1に記載の再生パ
    ワーテスト方法。
  3. 【請求項3】 少なくとも、第1、第2及び第3の磁性
    層が積層された磁壁移動型光磁気媒体に再生用光ビーム
    を照射し、前記第1の磁性層の記録磁区の磁壁を移動さ
    せて、再生用光ビームの偏光面の変化を検出することに
    より記録情報を再生する光学的情報再生装置において、
    磁壁が移動を開始する磁壁移動開始再生パワーPrdwd
    を検出する手段と、磁壁が移動する最大再生パワーPr
    max を検出する手段と、得られた磁壁移動開始再生パワ
    ーPrdwd 及び最大再生パワーPrmax に基づいて最適
    再生パワーPrを設定する手段とを備えたことを特徴と
    する光学的情報再生装置。
  4. 【請求項4】 前記最適再生パワー設定手段は、磁壁移
    動開始再生パワーPrdwd と最大再生パワーPrmax
    ら、 Pr=(Prdwd +3×Prmax )/4 の演算を行うことにより最適再生パワーPrを算出する
    ことを特徴とする請求項3に記載の光学的情報再生装
    置。
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