JP2001202058A - 冷陰極発光素子の駆動方法、冷陰極発光素子の駆動回路およびディスプレイ装置 - Google Patents
冷陰極発光素子の駆動方法、冷陰極発光素子の駆動回路およびディスプレイ装置Info
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- JP2001202058A JP2001202058A JP2000009670A JP2000009670A JP2001202058A JP 2001202058 A JP2001202058 A JP 2001202058A JP 2000009670 A JP2000009670 A JP 2000009670A JP 2000009670 A JP2000009670 A JP 2000009670A JP 2001202058 A JP2001202058 A JP 2001202058A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 輝度を一定に保ち、その寿命を長くするとと
もに、高周波のゲート電圧に追従して高速に動作させる
ことができる冷陰極発光素子の駆動方法、冷陰極発光素
子の駆動回路およびディスプレイ装置を提供する。 【解決手段】 ディスプレイ装置が起動されたときに
は、切替器70により冷陰極35が抵抗51を介して接
地され、エミッション電流が設定値なるようにゲート電
源41のゲート電圧がゲート電圧制御回路60により制
御される。そして、エミッション電流が設定値に達した
ときには、切替器70により冷陰極35が抵抗51を介
さずに接地され、エミッション電流が設定値に保持され
るようにゲート電源41のゲート電圧がゲート電圧制御
回路60により制御される。
もに、高周波のゲート電圧に追従して高速に動作させる
ことができる冷陰極発光素子の駆動方法、冷陰極発光素
子の駆動回路およびディスプレイ装置を提供する。 【解決手段】 ディスプレイ装置が起動されたときに
は、切替器70により冷陰極35が抵抗51を介して接
地され、エミッション電流が設定値なるようにゲート電
源41のゲート電圧がゲート電圧制御回路60により制
御される。そして、エミッション電流が設定値に達した
ときには、切替器70により冷陰極35が抵抗51を介
さずに接地され、エミッション電流が設定値に保持され
るようにゲート電源41のゲート電圧がゲート電圧制御
回路60により制御される。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、複数の冷陰極か
ら電子を放出させて蛍光体を発光させる冷陰極発光素子
の駆動方法および駆動回路、並びに、1個もしくは複数
個の冷陰極発光素子を備えたディスプレイ装置に関する
ものである。
ら電子を放出させて蛍光体を発光させる冷陰極発光素子
の駆動方法および駆動回路、並びに、1個もしくは複数
個の冷陰極発光素子を備えたディスプレイ装置に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】近年、各種のフラット・パネル・ディス
プレイ装置の開発が盛んに行われている。その中でも、
冷陰極発光素子(FED;Field Emission Display)を
使用したディスプレイ装置は、高輝度、広視野角、高速
応答、低消費電力等の優れた性能を実現できる自発光型
のディスプレイ装置として注目されている。冷陰極発光
素子は、複数の冷陰極(電界放出型の陰極)、ゲート電
極およびアノード電極を有し、これらの電極間にそれぞ
れの制御電圧を印加し、複数の冷陰極から電子を放出さ
せて蛍光体を発光させる。
プレイ装置の開発が盛んに行われている。その中でも、
冷陰極発光素子(FED;Field Emission Display)を
使用したディスプレイ装置は、高輝度、広視野角、高速
応答、低消費電力等の優れた性能を実現できる自発光型
のディスプレイ装置として注目されている。冷陰極発光
素子は、複数の冷陰極(電界放出型の陰極)、ゲート電
極およびアノード電極を有し、これらの電極間にそれぞ
れの制御電圧を印加し、複数の冷陰極から電子を放出さ
せて蛍光体を発光させる。
【0003】FEDには、単体で画面が構成されるFE
Dと、複数の冷陰極発光素子をマトリクス状に配列して
画面が構成される配列型のFEDとがある。前者のFE
Dは、5インチ〜40インチのディスプレイ装置に使用
される。後者の配列型のFEDは、屋外等に設置され
る、いわゆる大画面のディスプレイ装置に使用される。
Dと、複数の冷陰極発光素子をマトリクス状に配列して
画面が構成される配列型のFEDとがある。前者のFE
Dは、5インチ〜40インチのディスプレイ装置に使用
される。後者の配列型のFEDは、屋外等に設置され
る、いわゆる大画面のディスプレイ装置に使用される。
【0004】配列型のFEDとしては、例えば、特開平
9−106772号公報や、特開平10−289676
号公報に開示される冷陰極発光素子が、本発明の発明者
らにより提案されている。
9−106772号公報や、特開平10−289676
号公報に開示される冷陰極発光素子が、本発明の発明者
らにより提案されている。
【0005】図5は、従来の冷陰極発光素子の駆動回路
の一例を示す図である。図5に示される冷陰極発光素子
は、配列型のFEDを模式的に表したものであり、走査
電極32上に設けられた円錐状の冷陰極35と、冷陰極
35の先端部分を取り囲むドーナツ状の開孔37が形成
されたゲート電極33と、アノード電極22とを備え
る。アノード電極22は、例えば、図示しない蛍光体の
表面に形成されている。冷陰極35は、その先端に電界
が集中し、電子が放出しやすいように、例えば、円錐状
に形成されている。実際には、冷陰極35は、冷陰極発
光素子の各画素のそれぞれに対応して設けられ、1つの
画素に対し、数千個〜数万個の冷陰極35が構成され
る。また、ゲート電極33の開孔37は、複数の冷陰極
35のそれぞれに対応して設けられる。
の一例を示す図である。図5に示される冷陰極発光素子
は、配列型のFEDを模式的に表したものであり、走査
電極32上に設けられた円錐状の冷陰極35と、冷陰極
35の先端部分を取り囲むドーナツ状の開孔37が形成
されたゲート電極33と、アノード電極22とを備え
る。アノード電極22は、例えば、図示しない蛍光体の
表面に形成されている。冷陰極35は、その先端に電界
が集中し、電子が放出しやすいように、例えば、円錐状
に形成されている。実際には、冷陰極35は、冷陰極発
光素子の各画素のそれぞれに対応して設けられ、1つの
画素に対し、数千個〜数万個の冷陰極35が構成され
る。また、ゲート電極33の開孔37は、複数の冷陰極
35のそれぞれに対応して設けられる。
【0006】冷陰極35は、走査電極32を介して接地
されている。ゲート電極33には、所定のパルス電圧
(ゲート電圧)を印加するゲート電源41が電気的に接
続されている。アノード電極22には、ゲート電圧より
高電圧のアノード電圧を印加するアノード電源42が電
気的に接続されている。アノード電源42によりアノー
ド電極22と冷陰極35との間にアノード電圧が印加さ
れ、ゲート電源41によりゲート電極33と冷陰極35
との間にゲート電圧が印加される。このゲート電圧によ
り冷陰極35の先端から電子が放出される。冷陰極35
から放出された電子は、アノード電圧によりアノード電
極22に向けて加速され、図示しない蛍光体に衝突す
る。蛍光体は、電子の衝突を受けて発光する。
されている。ゲート電極33には、所定のパルス電圧
(ゲート電圧)を印加するゲート電源41が電気的に接
続されている。アノード電極22には、ゲート電圧より
高電圧のアノード電圧を印加するアノード電源42が電
気的に接続されている。アノード電源42によりアノー
ド電極22と冷陰極35との間にアノード電圧が印加さ
れ、ゲート電源41によりゲート電極33と冷陰極35
との間にゲート電圧が印加される。このゲート電圧によ
り冷陰極35の先端から電子が放出される。冷陰極35
から放出された電子は、アノード電圧によりアノード電
極22に向けて加速され、図示しない蛍光体に衝突す
る。蛍光体は、電子の衝突を受けて発光する。
【0007】大画面のディスプレイ装置では、このよう
な冷陰極発光素子をマトリクス状に配列して画面が構成
されるため、これらの冷陰極発光素子の輝度のばらつき
が小さいことが要求される。
な冷陰極発光素子をマトリクス状に配列して画面が構成
されるため、これらの冷陰極発光素子の輝度のばらつき
が小さいことが要求される。
【0008】ディスプレイ装置の製造時には、各冷陰極
発光素子毎に輝度の調整が行われる。冷陰極発光素子の
輝度は、蛍光体が受けるエミッション電流と蛍光体の発
光効率とにより決まる。これらの冷陰極発光素子の冷陰
極には、エミッション特性のばらつきが存在する。各冷
陰極発光素子に同じ制御電圧(ゲート電圧およびアノー
ド電圧)を与えた場合、これらの冷陰極発光素子のエミ
ッション電流には、ばらつきが生ずる。さらに、これら
の冷陰極発光素子の蛍光体にも、膜厚、組成等の要因か
ら発光効率のばらつきが存在する。各冷陰極発光素子に
同じエミッション電流を与えた場合、これらの冷陰極発
光素子の輝度には、ばらつきが存在する。
発光素子毎に輝度の調整が行われる。冷陰極発光素子の
輝度は、蛍光体が受けるエミッション電流と蛍光体の発
光効率とにより決まる。これらの冷陰極発光素子の冷陰
極には、エミッション特性のばらつきが存在する。各冷
陰極発光素子に同じ制御電圧(ゲート電圧およびアノー
ド電圧)を与えた場合、これらの冷陰極発光素子のエミ
ッション電流には、ばらつきが生ずる。さらに、これら
の冷陰極発光素子の蛍光体にも、膜厚、組成等の要因か
ら発光効率のばらつきが存在する。各冷陰極発光素子に
同じエミッション電流を与えた場合、これらの冷陰極発
光素子の輝度には、ばらつきが存在する。
【0009】このため、冷陰極発光素子の輝度を輝度計
により測定し、測定される輝度が所定値となるようにゲ
ート電圧が調整され、これにより、エミッション電流が
調整される。各冷陰極発光素子は、それぞれのゲート電
圧で定電圧駆動される。このように輝度が調整されたと
きのエミッション電流は、初期エミッション電流、もし
くは、エミッション電流の初期値と呼ばれる。
により測定し、測定される輝度が所定値となるようにゲ
ート電圧が調整され、これにより、エミッション電流が
調整される。各冷陰極発光素子は、それぞれのゲート電
圧で定電圧駆動される。このように輝度が調整されたと
きのエミッション電流は、初期エミッション電流、もし
くは、エミッション電流の初期値と呼ばれる。
【0010】また、これらの冷陰極発光素子には、良好
な画質を長期間保つために、寿命(例えば、輝度半減寿
命)が長く、そのばらつきが小さいことが要求される。
冷陰極発光素子の輝度は、経時的に小さくなる。真空容
器10内の残留ガスが冷陰極35の先端部分に付着する
等して、エミッション電流が劣化する。また、エミッシ
ョン電流の累積値に応じて蛍光体も劣化する。そこで、
エミッション電流を劣化させずに一定に制御する駆動回
路が提案されている。
な画質を長期間保つために、寿命(例えば、輝度半減寿
命)が長く、そのばらつきが小さいことが要求される。
冷陰極発光素子の輝度は、経時的に小さくなる。真空容
器10内の残留ガスが冷陰極35の先端部分に付着する
等して、エミッション電流が劣化する。また、エミッシ
ョン電流の累積値に応じて蛍光体も劣化する。そこで、
エミッション電流を劣化させずに一定に制御する駆動回
路が提案されている。
【0011】図6は、従来の冷陰極発光素子の駆動回路
の他の例を示す図である。図6に示されるように、この
冷陰極発光素子の駆動回路は、図5に示される駆動回路
に、エミッション電流を一定に制御する定電流源80を
設けたものである。定電流源80は、例えば、NPNト
ランジスタ81と、抵抗82と、直流低電圧電源83と
から構成される。NPNトランジスタ81のコレクタ端
子は、走査電極32を介して冷陰極35に電気的に接続
され、NPNトランジスタ81のエミッタ端子は、抵抗
82を介して接地され、NPNトランジスタ81のベー
ス端子は、直流低電圧電源83に電気的に接続されてい
る。
の他の例を示す図である。図6に示されるように、この
冷陰極発光素子の駆動回路は、図5に示される駆動回路
に、エミッション電流を一定に制御する定電流源80を
設けたものである。定電流源80は、例えば、NPNト
ランジスタ81と、抵抗82と、直流低電圧電源83と
から構成される。NPNトランジスタ81のコレクタ端
子は、走査電極32を介して冷陰極35に電気的に接続
され、NPNトランジスタ81のエミッタ端子は、抵抗
82を介して接地され、NPNトランジスタ81のベー
ス端子は、直流低電圧電源83に電気的に接続されてい
る。
【0012】NPNトランジスタ81のベース端子に直
流低電圧電源83の電圧Vbが印加されると、この電圧
Vbに比例するコレクタ電流Icが流れる。このコレク
タ電流Icは、走査電極32を介して冷陰極35に供給
される。コレクタ電流Icは、NPNトランジスタ81
のコレクタ電位Vcが変動することにより常に一定に保
たれる。したがって、冷陰極35から放出される電子
流、すなわちエミッション電流も一定に保たれる。NP
Nトランジスタ81に印加される直流低電圧電源83の
電圧Vbを制御することにより、エミッション電流を所
要の値に制御することができる。
流低電圧電源83の電圧Vbが印加されると、この電圧
Vbに比例するコレクタ電流Icが流れる。このコレク
タ電流Icは、走査電極32を介して冷陰極35に供給
される。コレクタ電流Icは、NPNトランジスタ81
のコレクタ電位Vcが変動することにより常に一定に保
たれる。したがって、冷陰極35から放出される電子
流、すなわちエミッション電流も一定に保たれる。NP
Nトランジスタ81に印加される直流低電圧電源83の
電圧Vbを制御することにより、エミッション電流を所
要の値に制御することができる。
【0013】このように、図6に示される従来の冷陰極
発光素子の駆動回路では、エミッション電流を一定に制
御することができるので、複数の冷陰極発光素子間の輝
度のばらつきを小さくすることができるとともに、これ
らの冷陰極発光素子の寿命を長くすることができる。
発光素子の駆動回路では、エミッション電流を一定に制
御することができるので、複数の冷陰極発光素子間の輝
度のばらつきを小さくすることができるとともに、これ
らの冷陰極発光素子の寿命を長くすることができる。
【0014】なお、エミッション電流を一定に制御する
冷陰極発光素子の駆動回路は、例えば、特開平10−2
07416号公報、特開平9−231921号公報、特
開平8−273560号公報および特開平8−2735
19号公報に開示されている。
冷陰極発光素子の駆動回路は、例えば、特開平10−2
07416号公報、特開平9−231921号公報、特
開平8−273560号公報および特開平8−2735
19号公報に開示されている。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
冷陰極発光素子の駆動方法および駆動回路では、次のよ
うな解決すべき課題があった。冷陰極発光素子のエミッ
ション電流を一定に制御するため、冷陰極発光素子の駆
動回路に図6に示されるような定電流源80を設けた場
合、ゲート電極33と冷陰極35との間の静電容量が大
きいため、冷陰極発光素子の応答速度が遅くなる。この
ため、冷陰極発光素子を高周波のパルス電圧(ゲート電
圧)に追従させて駆動することができず、映像(動画
像)を良好に表示することができないといった問題があ
った。
冷陰極発光素子の駆動方法および駆動回路では、次のよ
うな解決すべき課題があった。冷陰極発光素子のエミッ
ション電流を一定に制御するため、冷陰極発光素子の駆
動回路に図6に示されるような定電流源80を設けた場
合、ゲート電極33と冷陰極35との間の静電容量が大
きいため、冷陰極発光素子の応答速度が遅くなる。この
ため、冷陰極発光素子を高周波のパルス電圧(ゲート電
圧)に追従させて駆動することができず、映像(動画
像)を良好に表示することができないといった問題があ
った。
【0016】本発明は、上記のような問題点を解決する
ためになされたものであり、その目的は、装置が起動さ
れたとき、エミッション電流検出回路と複数の冷陰極と
を電気的に接続し、エミッション電流が設定値になるよ
うにゲート電圧を制御し、エミッション電流が設定値に
達したとき、エミッション電流検出回路と複数の冷陰極
とを電気的に切断し、エミッション電流が設定値に達し
たときのゲート電圧を保持することで、輝度を一定に保
ち、その寿命を長くすることができるとともに、高周波
のゲート電圧に追従して高速に動作させることができる
冷陰極発光素子の駆動方法、冷陰極発光素子の駆動回路
およびディスプレイ装置を提供することにある。
ためになされたものであり、その目的は、装置が起動さ
れたとき、エミッション電流検出回路と複数の冷陰極と
を電気的に接続し、エミッション電流が設定値になるよ
うにゲート電圧を制御し、エミッション電流が設定値に
達したとき、エミッション電流検出回路と複数の冷陰極
とを電気的に切断し、エミッション電流が設定値に達し
たときのゲート電圧を保持することで、輝度を一定に保
ち、その寿命を長くすることができるとともに、高周波
のゲート電圧に追従して高速に動作させることができる
冷陰極発光素子の駆動方法、冷陰極発光素子の駆動回路
およびディスプレイ装置を提供することにある。
【0017】
【課題を解決するための手段】請求項1に係る冷陰極発
光素子の駆動方法は、複数の冷陰極とゲート電極との間
にパルス状のゲート電圧を印加するとともに、前記複数
の冷陰極とアノード電極との間に前記ゲート電圧より高
電圧のアノード電圧を印加し、複数の冷陰極から電子を
放出させて蛍光体を発光させる冷陰極発光素子の駆動方
法において、この冷陰極発光素子が起動されたとき、エ
ミッション電流を検出するエミッション電流検出回路と
複数の冷陰極とを電気的に接続し、前記エミッション電
流検出回路によりエミッション電流を検出するエミッシ
ョン電流検出工程と、前記エミッション電流検出工程で
前記エミッション電流回路により検出されるエミッショ
ン電流をあらかじめ設定された設定値と比較し、前記エ
ミッション電流が前記設定値になるようにゲート電圧を
制御するゲート電圧制御工程と、前記エミッション電流
検出工程で前記エミッション電流回路により検出され、
前記ゲート電圧制御工程で比較されるエミッション電流
が、前記設定値に達したとき、前記エミッション電流検
出回路と複数の冷陰極とを電気的に切断し、前記エミッ
ション電流が前記設定値に達したときのゲート電圧を保
持するゲート電圧保持工程とを含むことを特徴とするも
のである。
光素子の駆動方法は、複数の冷陰極とゲート電極との間
にパルス状のゲート電圧を印加するとともに、前記複数
の冷陰極とアノード電極との間に前記ゲート電圧より高
電圧のアノード電圧を印加し、複数の冷陰極から電子を
放出させて蛍光体を発光させる冷陰極発光素子の駆動方
法において、この冷陰極発光素子が起動されたとき、エ
ミッション電流を検出するエミッション電流検出回路と
複数の冷陰極とを電気的に接続し、前記エミッション電
流検出回路によりエミッション電流を検出するエミッシ
ョン電流検出工程と、前記エミッション電流検出工程で
前記エミッション電流回路により検出されるエミッショ
ン電流をあらかじめ設定された設定値と比較し、前記エ
ミッション電流が前記設定値になるようにゲート電圧を
制御するゲート電圧制御工程と、前記エミッション電流
検出工程で前記エミッション電流回路により検出され、
前記ゲート電圧制御工程で比較されるエミッション電流
が、前記設定値に達したとき、前記エミッション電流検
出回路と複数の冷陰極とを電気的に切断し、前記エミッ
ション電流が前記設定値に達したときのゲート電圧を保
持するゲート電圧保持工程とを含むことを特徴とするも
のである。
【0018】また、請求項2に係る冷陰極発光素子の駆
動回路は、複数の冷陰極とゲート電極との間にパルス状
のゲート電圧を印加するゲート電源と、前記複数の冷陰
極とアノード電極との間に前記ゲート電圧よりも高電圧
のアノード電圧を印加するアノード電源とを備え、各電
源によりそれぞれの電極間にそれぞれの電圧を印加し、
複数の冷陰極から電子を放出させて蛍光体を発光させる
冷陰極発光素子の駆動回路において、前記複数の冷陰極
に電気的に接続される切替器と、前記切替器を介してエ
ミッション電流を検出するためのエミッション電流検出
回路と、前記エミッション電流検出回路により検出され
たエミッション電流とあらかじめ設定された設定値とを
比較し、前記エミッション電流が前記設定値になるよう
に、前記ゲート電源により印加されるゲート電圧を制御
するゲート電圧制御回路とを備え、前記切替器は、この
冷陰極発光素子の駆動回路が起動されたとき、前記複数
の冷陰極と前記エミッション電流検出回路とを電気的に
接続し、前記複数の冷陰極を前記エミッション電流検出
回路を介して接地し、前記エミッション電流検出回路に
より検出され、前記ゲート電圧制御回路により比較され
るエミッション電流が前記設定値に達したとき、前記複
数の冷陰極と前記エミッション電流検出回路とを電気的
に切断し、前記複数の冷陰極を前記エミッション電流検
出回路を介さずに接地し、前記ゲート電圧制御回路は、
エミッション電流が前記設定値に達したとき、エミッシ
ョン電流が前記設定値に達したときのゲート電圧を保持
するように、前記ゲート電源により印加されるゲート電
圧を制御することを特徴とするものである。
動回路は、複数の冷陰極とゲート電極との間にパルス状
のゲート電圧を印加するゲート電源と、前記複数の冷陰
極とアノード電極との間に前記ゲート電圧よりも高電圧
のアノード電圧を印加するアノード電源とを備え、各電
源によりそれぞれの電極間にそれぞれの電圧を印加し、
複数の冷陰極から電子を放出させて蛍光体を発光させる
冷陰極発光素子の駆動回路において、前記複数の冷陰極
に電気的に接続される切替器と、前記切替器を介してエ
ミッション電流を検出するためのエミッション電流検出
回路と、前記エミッション電流検出回路により検出され
たエミッション電流とあらかじめ設定された設定値とを
比較し、前記エミッション電流が前記設定値になるよう
に、前記ゲート電源により印加されるゲート電圧を制御
するゲート電圧制御回路とを備え、前記切替器は、この
冷陰極発光素子の駆動回路が起動されたとき、前記複数
の冷陰極と前記エミッション電流検出回路とを電気的に
接続し、前記複数の冷陰極を前記エミッション電流検出
回路を介して接地し、前記エミッション電流検出回路に
より検出され、前記ゲート電圧制御回路により比較され
るエミッション電流が前記設定値に達したとき、前記複
数の冷陰極と前記エミッション電流検出回路とを電気的
に切断し、前記複数の冷陰極を前記エミッション電流検
出回路を介さずに接地し、前記ゲート電圧制御回路は、
エミッション電流が前記設定値に達したとき、エミッシ
ョン電流が前記設定値に達したときのゲート電圧を保持
するように、前記ゲート電源により印加されるゲート電
圧を制御することを特徴とするものである。
【0019】また、請求項3に係る冷陰極発光素子の駆
動回路は、請求項2に係る冷陰極発光素子の駆動回路に
おいて、前記エミッション電流検出回路は、前記複数の
冷陰極に直列に接続された抵抗からなり、前記ゲート電
圧制御回路は、前記抵抗を流れるエミッション電流をA
/D(analog to digital)変換するA/D変換器と、
前記A/D変換器によりA/D変換されたエミッション
電流と前記設定値とを比較し、エミッション電流が前記
設定値になるようにゲート電圧の制御量を算出するマイ
クロコンピュータと、マイクロコンピュータにより算出
されたゲート電圧の制御量をD/A(digital to analo
g)変換し、前記ゲート電源に制御電圧を供給するD/
A変換器とを有することを特徴とするものである。
動回路は、請求項2に係る冷陰極発光素子の駆動回路に
おいて、前記エミッション電流検出回路は、前記複数の
冷陰極に直列に接続された抵抗からなり、前記ゲート電
圧制御回路は、前記抵抗を流れるエミッション電流をA
/D(analog to digital)変換するA/D変換器と、
前記A/D変換器によりA/D変換されたエミッション
電流と前記設定値とを比較し、エミッション電流が前記
設定値になるようにゲート電圧の制御量を算出するマイ
クロコンピュータと、マイクロコンピュータにより算出
されたゲート電圧の制御量をD/A(digital to analo
g)変換し、前記ゲート電源に制御電圧を供給するD/
A変換器とを有することを特徴とするものである。
【0020】また、請求項4に係る冷陰極発光素子の駆
動回路は、請求項2に係る冷陰極発光素子の駆動回路に
おいて、前記設定値は、エミッション電流の初期値であ
ることを特徴とするものである。
動回路は、請求項2に係る冷陰極発光素子の駆動回路に
おいて、前記設定値は、エミッション電流の初期値であ
ることを特徴とするものである。
【0021】また、請求項5に係るディスプレイ装置
は、複数の冷陰極とゲート電極との間にパルス状のゲー
ト電圧が印加され、前記複数の冷陰極とアノード電極と
の間に前記ゲート電圧よりも高電圧のアノード電圧が印
加されたとき、複数の冷陰極から電子を放出して蛍光体
を発光させる1個もしくは複数個の冷陰極発光素子を備
えたディスプレイ装置において、前記1個もしくは複数
個の冷陰極発光素子を1つ以上のグループに分け、各グ
ループ毎に、グループ内の冷陰極発光素子の複数の冷陰
極とゲート電極との間に前記ゲート電圧を印加するゲー
ト電源と、前記グループ内の冷陰極発光素子の複数の冷
陰極とアノード電極との間に前記アノード電圧を印加す
るアノード電源と、前記グループ内の冷陰極発光素子の
複数の冷陰極に電気的に接続される切替器と、前記切替
器を介して前記グループ内の冷陰極発光素子のエミッシ
ョン電流を検出するためのエミッション電流検出回路
と、前記エミッション電流検出回路により検出されたエ
ミッション電流をあらかじめ設定された設定値と比較
し、前記エミッション電流が前記設定値になるように、
前記ゲート電源により印加されるゲート電圧を制御する
ゲート電圧制御回路とをそれぞれ設け、前記切替器は、
この装置が起動されたとき、前記グループ内の冷陰極発
光素子の複数の冷陰極と前記エミッション電流検出回路
とを電気的に接続し、前記複数の冷陰極を前記エミッシ
ョン電流検出回路を介して接地し、前記エミッション電
流検出回路により検出され、前記ゲート電圧制御回路に
より比較されるエミッション電流が前記設定値に達した
とき、前記グループ内の冷陰極発光素子の複数の冷陰極
と前記エミッション電流検出回路とを電気的に切断し、
前記複数の冷陰極を前記エミッション電流検出回路を介
さずに接地し、前記ゲート電圧制御回路は、エミッショ
ン電流が前記設定値に達したとき、エミッション電流が
前記設定値に達したときのゲート電圧を保持するよう
に、前記ゲート電源のゲート電圧を制御することを特徴
とするものである。
は、複数の冷陰極とゲート電極との間にパルス状のゲー
ト電圧が印加され、前記複数の冷陰極とアノード電極と
の間に前記ゲート電圧よりも高電圧のアノード電圧が印
加されたとき、複数の冷陰極から電子を放出して蛍光体
を発光させる1個もしくは複数個の冷陰極発光素子を備
えたディスプレイ装置において、前記1個もしくは複数
個の冷陰極発光素子を1つ以上のグループに分け、各グ
ループ毎に、グループ内の冷陰極発光素子の複数の冷陰
極とゲート電極との間に前記ゲート電圧を印加するゲー
ト電源と、前記グループ内の冷陰極発光素子の複数の冷
陰極とアノード電極との間に前記アノード電圧を印加す
るアノード電源と、前記グループ内の冷陰極発光素子の
複数の冷陰極に電気的に接続される切替器と、前記切替
器を介して前記グループ内の冷陰極発光素子のエミッシ
ョン電流を検出するためのエミッション電流検出回路
と、前記エミッション電流検出回路により検出されたエ
ミッション電流をあらかじめ設定された設定値と比較
し、前記エミッション電流が前記設定値になるように、
前記ゲート電源により印加されるゲート電圧を制御する
ゲート電圧制御回路とをそれぞれ設け、前記切替器は、
この装置が起動されたとき、前記グループ内の冷陰極発
光素子の複数の冷陰極と前記エミッション電流検出回路
とを電気的に接続し、前記複数の冷陰極を前記エミッシ
ョン電流検出回路を介して接地し、前記エミッション電
流検出回路により検出され、前記ゲート電圧制御回路に
より比較されるエミッション電流が前記設定値に達した
とき、前記グループ内の冷陰極発光素子の複数の冷陰極
と前記エミッション電流検出回路とを電気的に切断し、
前記複数の冷陰極を前記エミッション電流検出回路を介
さずに接地し、前記ゲート電圧制御回路は、エミッショ
ン電流が前記設定値に達したとき、エミッション電流が
前記設定値に達したときのゲート電圧を保持するよう
に、前記ゲート電源のゲート電圧を制御することを特徴
とするものである。
【0022】また、請求項6に係るディスプレイ装置
は、請求項5に係るディスプレイ装置において、1つの
冷陰極発光素子により1つのグループが構成されること
を特徴とするものである。
は、請求項5に係るディスプレイ装置において、1つの
冷陰極発光素子により1つのグループが構成されること
を特徴とするものである。
【0023】また、請求項7に係るディスプレイ装置
は、請求項5に係るディスプレイ装置において、複数の
冷陰極発光素子により1つのグループが構成されること
を特徴とするものである。
は、請求項5に係るディスプレイ装置において、複数の
冷陰極発光素子により1つのグループが構成されること
を特徴とするものである。
【0024】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る冷陰極発光素
子の駆動方法、冷陰極発光素子の駆動回路およびディス
プレイ装置の好ましい実施の形態を図面を参照して説明
する。 実施の形態1.図1は、この発明に係る実施の形態1の
冷陰極発光素子の概略構成を示す断面図である。この冷
陰極発光素子1は、いわゆる配列型のFEDであり、い
わゆる大画面のディスプレイ装置に使用される。図1に
示されるように、冷陰極発光素子1は、四角形状の枠か
らなるスペーサガラス13を、前面パネル11と、前面
パネル11に対向する背面パネル12とで挟み込んで構
成される真空容器10を備える。前面パネル11、背面
パネル12およびスペーサガラス13は、真空容器10
が気密になるように、低融点ガラス14を介して接合さ
れている。
子の駆動方法、冷陰極発光素子の駆動回路およびディス
プレイ装置の好ましい実施の形態を図面を参照して説明
する。 実施の形態1.図1は、この発明に係る実施の形態1の
冷陰極発光素子の概略構成を示す断面図である。この冷
陰極発光素子1は、いわゆる配列型のFEDであり、い
わゆる大画面のディスプレイ装置に使用される。図1に
示されるように、冷陰極発光素子1は、四角形状の枠か
らなるスペーサガラス13を、前面パネル11と、前面
パネル11に対向する背面パネル12とで挟み込んで構
成される真空容器10を備える。前面パネル11、背面
パネル12およびスペーサガラス13は、真空容器10
が気密になるように、低融点ガラス14を介して接合さ
れている。
【0025】前面パネル11の内面(図における下面)
には、マトリクス状に配列された複数の蛍光体21が形
成されている。蛍光体21は、冷陰極発光素子1の画素
を構成し、R(赤)、G(緑)、B(青)の何れかの蛍
光体により構成されている。これらの蛍光体21の配列
方法には、例えば、RGGBモザイク配列、RGBトリ
オ配列等の配列方法を採用することができる。蛍光体2
1の蛍光面は、数mm角に構成されている。
には、マトリクス状に配列された複数の蛍光体21が形
成されている。蛍光体21は、冷陰極発光素子1の画素
を構成し、R(赤)、G(緑)、B(青)の何れかの蛍
光体により構成されている。これらの蛍光体21の配列
方法には、例えば、RGGBモザイク配列、RGBトリ
オ配列等の配列方法を採用することができる。蛍光体2
1の蛍光面は、数mm角に構成されている。
【0026】これらの蛍光体21の表面には、蛍光体2
1の全体を覆うようにアルミバックが施され、アルミバ
ック陽極22が形成されている(図2)。アルミバック
陽極22は、各蛍光体21のそれぞれのアノード電極を
構成する。アルミバック陽極22は、蛍光体21の発光
効率を向上させるとともに、これらの蛍光体21のそれ
ぞれのアノード電極に印加されるアノード電圧を均一に
する。
1の全体を覆うようにアルミバックが施され、アルミバ
ック陽極22が形成されている(図2)。アルミバック
陽極22は、各蛍光体21のそれぞれのアノード電極を
構成する。アルミバック陽極22は、蛍光体21の発光
効率を向上させるとともに、これらの蛍光体21のそれ
ぞれのアノード電極に印加されるアノード電圧を均一に
する。
【0027】背面パネル12の内面(図における上面)
には、四角形状の陰極基板30が設けられている。陰極
基板30と前面パネル11の内面に形成された蛍光体2
1との間の距離は、3〜9mmになるように構成されて
いる。
には、四角形状の陰極基板30が設けられている。陰極
基板30と前面パネル11の内面に形成された蛍光体2
1との間の距離は、3〜9mmになるように構成されて
いる。
【0028】図2は、図1に示された冷陰極発光素子の
B部分の拡大図である。図2に示されるように、陰極基
板30は、厚さ1mm程度のガラス基板31上に走査電
極32を形成し、さらに、この走査電極32上に、複数
の冷陰極35と、絶縁層34を介して設けられるゲート
電極33とを形成したものである。
B部分の拡大図である。図2に示されるように、陰極基
板30は、厚さ1mm程度のガラス基板31上に走査電
極32を形成し、さらに、この走査電極32上に、複数
の冷陰極35と、絶縁層34を介して設けられるゲート
電極33とを形成したものである。
【0029】走査電極32は、表示面の垂直方向に延び
る帯状に形成されており、水平方向に所定間隔で複数列
配置されている。ゲート電極33は、表示面の水平方向
に延びる帯状に形成されており、垂直方向に所定の間隔
で複数行配置されている。複数列の走査電極32および
複数行のゲート電極33が交差する各交差領域は、冷陰
極発光素子1の画素に対応し、前面パネル11の内面に
形成された複数の蛍光体21と1対1に対応する。
る帯状に形成されており、水平方向に所定間隔で複数列
配置されている。ゲート電極33は、表示面の水平方向
に延びる帯状に形成されており、垂直方向に所定の間隔
で複数行配置されている。複数列の走査電極32および
複数行のゲート電極33が交差する各交差領域は、冷陰
極発光素子1の画素に対応し、前面パネル11の内面に
形成された複数の蛍光体21と1対1に対応する。
【0030】各交差領域には、複数の冷陰極35からな
る冷陰極群36が設けられる。各交差領域のゲート電極
33および絶縁層34には、これらを貫通し、冷陰極3
5を取り囲む円筒状の開孔37が複数形成され、各開孔
37内には、それぞれ1つの冷陰極35が形成される。
る冷陰極群36が設けられる。各交差領域のゲート電極
33および絶縁層34には、これらを貫通し、冷陰極3
5を取り囲む円筒状の開孔37が複数形成され、各開孔
37内には、それぞれ1つの冷陰極35が形成される。
【0031】冷陰極35は、その先端に電界を集中さ
せ、電子を放出しやすいように、例えば、円錐状に形成
される。冷陰極35は、半導体形成手段を用い、モリブ
デン等を蒸着させて形成することができる。冷陰極35
の底面の直径は、約1μm程度に構成されている。1つ
の冷陰極群36の大きさは、各冷陰極35から放出され
る電子の発散角を考慮し、数mm角の蛍光体21の数分
の1程度に構成されている。1つの冷陰極群36は、数
千個〜数万個の冷陰極35から構成される。
せ、電子を放出しやすいように、例えば、円錐状に形成
される。冷陰極35は、半導体形成手段を用い、モリブ
デン等を蒸着させて形成することができる。冷陰極35
の底面の直径は、約1μm程度に構成されている。1つ
の冷陰極群36の大きさは、各冷陰極35から放出され
る電子の発散角を考慮し、数mm角の蛍光体21の数分
の1程度に構成されている。1つの冷陰極群36は、数
千個〜数万個の冷陰極35から構成される。
【0032】図1に戻り、背面パネル12の中央部に
は、排気口15が設けられ、排気口15の周りには、排
気を容易に行うための図示しない複数の小さな孔が設け
られている。排気口15およびこれらの孔の下方には、
排気口15およびこれらの孔を覆う広口部16aを有す
る排気管16が取り付けられている。広口部16aに
は、真空容器10内で発生するガスを吸着する複数のゲ
ッタ18が配設されている。
は、排気口15が設けられ、排気口15の周りには、排
気を容易に行うための図示しない複数の小さな孔が設け
られている。排気口15およびこれらの孔の下方には、
排気口15およびこれらの孔を覆う広口部16aを有す
る排気管16が取り付けられている。広口部16aに
は、真空容器10内で発生するガスを吸着する複数のゲ
ッタ18が配設されている。
【0033】前面パネル11側の蛍光体21の表面に形
成されたアルミバック陽極22には、排気管16および
排気口15を通る給電線17を介して外部から高電圧の
アノード電圧が供給される。また、背面パネル12側の
ガラス基板31上に形成された冷陰極群36(走査電極
32)およびゲート電極33には、背面パネル12の外
周部に設けられた図示しない外部電極と、ガラス基板3
1上に形成された配線とを介してそれぞれの制御電圧が
供給される。
成されたアルミバック陽極22には、排気管16および
排気口15を通る給電線17を介して外部から高電圧の
アノード電圧が供給される。また、背面パネル12側の
ガラス基板31上に形成された冷陰極群36(走査電極
32)およびゲート電極33には、背面パネル12の外
周部に設けられた図示しない外部電極と、ガラス基板3
1上に形成された配線とを介してそれぞれの制御電圧が
供給される。
【0034】このように構成された冷陰極発光素子1に
おいて、冷陰極群36とアルミバック陽極22との間に
アノード電圧が印加され、冷陰極群36とゲート電極3
3との間に数十V以上のゲート電圧が印加されると、ゲ
ート電圧により冷陰極群36の各冷陰極35のそれぞれ
の先端部から電子が放出される。各冷陰極35から放出
された電子は、アノード電圧によりアルミバック陽極2
2に向けて加速され、蛍光体21に衝突する。蛍光体2
1は、電子の衝突を受けて発光する。
おいて、冷陰極群36とアルミバック陽極22との間に
アノード電圧が印加され、冷陰極群36とゲート電極3
3との間に数十V以上のゲート電圧が印加されると、ゲ
ート電圧により冷陰極群36の各冷陰極35のそれぞれ
の先端部から電子が放出される。各冷陰極35から放出
された電子は、アノード電圧によりアルミバック陽極2
2に向けて加速され、蛍光体21に衝突する。蛍光体2
1は、電子の衝突を受けて発光する。
【0035】なお、蛍光体21に電子が衝突すると、真
空容器10内に新たなガスが発生する。このガスは、排
気管16の広口部16a内に設けられたゲッタ18に吸
着される。これにより、真空容器10内が高真空に保た
れ、エミッション電流の劣化が抑制される。
空容器10内に新たなガスが発生する。このガスは、排
気管16の広口部16a内に設けられたゲッタ18に吸
着される。これにより、真空容器10内が高真空に保た
れ、エミッション電流の劣化が抑制される。
【0036】図3は、図1および図2に示された冷陰極
発光素子の駆動回路の構成図である。図3に示されるよ
うに、冷陰極発光素子1の駆動回路は、ゲート電極33
に電気的に接続されたゲート電源41と、アノード電極
(アルミバック陽極)22に電気的に接続されたアノー
ド電源42とを備える。ゲート電源41は、ゲート電極
33に所定のパルス状のゲート電圧を印加する。アノー
ド電源42は、アノード電極22に所定のアノード電圧
を印加する。
発光素子の駆動回路の構成図である。図3に示されるよ
うに、冷陰極発光素子1の駆動回路は、ゲート電極33
に電気的に接続されたゲート電源41と、アノード電極
(アルミバック陽極)22に電気的に接続されたアノー
ド電源42とを備える。ゲート電源41は、ゲート電極
33に所定のパルス状のゲート電圧を印加する。アノー
ド電源42は、アノード電極22に所定のアノード電圧
を印加する。
【0037】また、冷陰極発光素子1の駆動回路は、切
替器70と、エミッション電流検出回路50と、ゲート
電圧制御回路60とを備える。切替器70は、端子70
a、70bおよび70cを有し、端子70aを端子70
bおよび70cの何れか一方の端子と接続する。端子7
0aは、走査電極32を介して冷陰極35に電気的に接
続され、端子70bは、抵抗51を介して接地され、端
子70cは、接地されている。切替器70は、ディスプ
レイ装置が起動されたときには、端子70aと端子70
bとを電気的に接続し、その後、ゲート電圧制御回路6
0からの切替信号が入力されたとき、端子70aと端子
70cとを電気的に接続する。
替器70と、エミッション電流検出回路50と、ゲート
電圧制御回路60とを備える。切替器70は、端子70
a、70bおよび70cを有し、端子70aを端子70
bおよび70cの何れか一方の端子と接続する。端子7
0aは、走査電極32を介して冷陰極35に電気的に接
続され、端子70bは、抵抗51を介して接地され、端
子70cは、接地されている。切替器70は、ディスプ
レイ装置が起動されたときには、端子70aと端子70
bとを電気的に接続し、その後、ゲート電圧制御回路6
0からの切替信号が入力されたとき、端子70aと端子
70cとを電気的に接続する。
【0038】抵抗51は、切替器70を介してエミッシ
ョン電流を検出するためのエミッション電流検出回路5
0を構成する。ゲート電圧制御回路60は、ゲート電源
41により印加されるゲート電圧を制御して、エミッシ
ョン電流の劣化を防止するものであり、具体的には、抵
抗51を流れるエミッション電流をあらかじめ設定され
た設定値と比較し、エミッション電流が前記設定値にな
るように、ゲート電源41により印加されるゲート電圧
を制御する。
ョン電流を検出するためのエミッション電流検出回路5
0を構成する。ゲート電圧制御回路60は、ゲート電源
41により印加されるゲート電圧を制御して、エミッシ
ョン電流の劣化を防止するものであり、具体的には、抵
抗51を流れるエミッション電流をあらかじめ設定され
た設定値と比較し、エミッション電流が前記設定値にな
るように、ゲート電源41により印加されるゲート電圧
を制御する。
【0039】この設定値は、エミッション電流の初期値
とするとよい。エミッション電流の初期値は、ディスプ
レイ装置の製造時に、各冷陰極発光素子1の輝度が一定
になるように、各冷陰極発光素子1のそれぞれに最適に
調整される。前記設定値を前記初期値とすれば、エミッ
ション電流を初期値に保持することができるので、これ
らの冷陰極発光素子1の寿命(輝度半減寿命)を長くす
るとともに、そのばらつきを小さくすることができる。
とするとよい。エミッション電流の初期値は、ディスプ
レイ装置の製造時に、各冷陰極発光素子1の輝度が一定
になるように、各冷陰極発光素子1のそれぞれに最適に
調整される。前記設定値を前記初期値とすれば、エミッ
ション電流を初期値に保持することができるので、これ
らの冷陰極発光素子1の寿命(輝度半減寿命)を長くす
るとともに、そのばらつきを小さくすることができる。
【0040】ゲート電圧制御回路60は、A/D変換器
61、マイクロコンピュータ62、D/A変換器63、
電圧アンプ64および電流アンプ65を備える。A/D
変換器61は、抵抗51を流れるエミッション電流をA
/D(analog to digital)変換する。マイクロコンピ
ュータ62は、A/D変換器61によりA/D変換され
たエミッション電流と設定値とを比較し、エミッション
電流が設定値と一致するようにゲート電圧の制御量を算
出する。また、マイクロコンピュータ62は、入力され
るエミッション電流が設定値と一致したとき、切替信号
を図示しないシーケンサを介して切替器70に出力す
る。
61、マイクロコンピュータ62、D/A変換器63、
電圧アンプ64および電流アンプ65を備える。A/D
変換器61は、抵抗51を流れるエミッション電流をA
/D(analog to digital)変換する。マイクロコンピ
ュータ62は、A/D変換器61によりA/D変換され
たエミッション電流と設定値とを比較し、エミッション
電流が設定値と一致するようにゲート電圧の制御量を算
出する。また、マイクロコンピュータ62は、入力され
るエミッション電流が設定値と一致したとき、切替信号
を図示しないシーケンサを介して切替器70に出力す
る。
【0041】D/A変換器63は、マイクロコンピュー
タ62により算出されたゲート電圧の制御量をD/A
(digital to analog)変換する。電圧アンプ64およ
び電流アンプ65は、D/A変換器63によりD/A変
換されたゲート電圧の制御信号がゲート電源41の出力
レベルに合致するように、それぞれゲート電圧の制御信
号の電圧および電流を増幅する。
タ62により算出されたゲート電圧の制御量をD/A
(digital to analog)変換する。電圧アンプ64およ
び電流アンプ65は、D/A変換器63によりD/A変
換されたゲート電圧の制御信号がゲート電源41の出力
レベルに合致するように、それぞれゲート電圧の制御信
号の電圧および電流を増幅する。
【0042】このように構成されたディスプレイ装置に
おいては、装置の起動時にのみ、エミッション電流検出
回路50(抵抗51)によりエミッション電流が検出さ
れ、ゲート電圧制御回路60によりゲート電圧が制御さ
れる。以下、その詳細を説明する。
おいては、装置の起動時にのみ、エミッション電流検出
回路50(抵抗51)によりエミッション電流が検出さ
れ、ゲート電圧制御回路60によりゲート電圧が制御さ
れる。以下、その詳細を説明する。
【0043】ディスプレイ装置が起動され、アノード電
源42により、冷陰極群36とアルミバック陽極22と
の間にアノード電圧が印加され、冷陰極群36とゲート
電極33との間に数十V以上のゲート電圧が印加される
と、ゲート電圧により冷陰極群36の各冷陰極35のそ
れぞれの先端部から電子が放出され、蛍光体21が発光
する。このとき、切替器70の端子70aと端子70b
とが電気的に接続され、エミッション電流が抵抗51を
流れる。
源42により、冷陰極群36とアルミバック陽極22と
の間にアノード電圧が印加され、冷陰極群36とゲート
電極33との間に数十V以上のゲート電圧が印加される
と、ゲート電圧により冷陰極群36の各冷陰極35のそ
れぞれの先端部から電子が放出され、蛍光体21が発光
する。このとき、切替器70の端子70aと端子70b
とが電気的に接続され、エミッション電流が抵抗51を
流れる。
【0044】抵抗51を流れるエミッション電流は、A
/D変換器61によりA/D変換され、マイクロコンピ
ュータ62に入力される。入力されたエミッション電流
は、設定値と比較され、エミッション電流が前記設定値
と一致するようにゲート電圧の制御量が算出される。算
出されたゲート電圧の制御量は、マイクロコンピュータ
62から出力され、D/A変換器63により制御信号に
変換され、さらに、電圧アンプ64および電流アンプ6
5によりゲート電源41の出力レベルに合致するように
増幅される。この増幅された制御信号によりゲート電源
41のゲート電圧が制御される。
/D変換器61によりA/D変換され、マイクロコンピ
ュータ62に入力される。入力されたエミッション電流
は、設定値と比較され、エミッション電流が前記設定値
と一致するようにゲート電圧の制御量が算出される。算
出されたゲート電圧の制御量は、マイクロコンピュータ
62から出力され、D/A変換器63により制御信号に
変換され、さらに、電圧アンプ64および電流アンプ6
5によりゲート電源41の出力レベルに合致するように
増幅される。この増幅された制御信号によりゲート電源
41のゲート電圧が制御される。
【0045】マイクロコンピュータ62により比較され
るエミッション電流が前記設定値に達すると、そのエミ
ッション電流を保持するようにゲート電圧の制御量が保
持される。同時に、マイクロコンピュータ62から切替
信号が図示しないシーケンサを介して切替器70に出力
され、切替器70の端子70aの接続が、端子70b側
から端子70c側に切り替えられる。これにより、冷陰
極群35が抵抗51を介さずに接地され、冷陰極35と
ゲート電源41との間の負荷が取り除かれるので、ゲー
ト電源41により定電圧駆動される高周波のゲート電圧
に対し、遅延なく追従するように冷陰極発光素子1を動
作させることができる。
るエミッション電流が前記設定値に達すると、そのエミ
ッション電流を保持するようにゲート電圧の制御量が保
持される。同時に、マイクロコンピュータ62から切替
信号が図示しないシーケンサを介して切替器70に出力
され、切替器70の端子70aの接続が、端子70b側
から端子70c側に切り替えられる。これにより、冷陰
極群35が抵抗51を介さずに接地され、冷陰極35と
ゲート電源41との間の負荷が取り除かれるので、ゲー
ト電源41により定電圧駆動される高周波のゲート電圧
に対し、遅延なく追従するように冷陰極発光素子1を動
作させることができる。
【0046】このように、実施の形態1によれば、ディ
スプレイ装置が起動されたときには、切替器70により
冷陰極35が抵抗51を介して接地され、エミッション
電流が設定値なるようにゲート電源41のゲート電圧が
ゲート電圧制御回路60により制御される。そして、エ
ミッション電流が設定値に達したときには、切替器70
により冷陰極35が抵抗51を介さずに接地され、エミ
ッション電流が設定値に保持されるようにゲート電源4
1のゲート電圧がゲート電圧制御回路60により制御さ
れる。
スプレイ装置が起動されたときには、切替器70により
冷陰極35が抵抗51を介して接地され、エミッション
電流が設定値なるようにゲート電源41のゲート電圧が
ゲート電圧制御回路60により制御される。そして、エ
ミッション電流が設定値に達したときには、切替器70
により冷陰極35が抵抗51を介さずに接地され、エミ
ッション電流が設定値に保持されるようにゲート電源4
1のゲート電圧がゲート電圧制御回路60により制御さ
れる。
【0047】一般に、ディスプレイ装置は、数日に渡っ
て連続して使用されることは希であり、例えば、朝に電
源が投入され、夜に電源が切断されるというように、ほ
とんどの場合、長くとも1日単位程度で使用されてい
る。そして、エミッション電流は、1日程度の使用では
劣化しないことが実験から確認されている。すなわち、
ディスプレイ装置の起動時にエミッション電流を設定値
に設定すれば、1日中、エミッション電流を一定に保つ
ことができる。したがって、冷陰極発光素子1の輝度を
一定に保つことができる。また、設定値をディスプレイ
装置の製造時に設定された初期値とすれば、各冷陰極発
光素子1間の輝度のばらつきを容易に小さくすることが
できる。さらに、冷陰極発光素子1の輝度半減寿命を長
くするとともに、寿命のばらつきも小さくすることがで
きる。
て連続して使用されることは希であり、例えば、朝に電
源が投入され、夜に電源が切断されるというように、ほ
とんどの場合、長くとも1日単位程度で使用されてい
る。そして、エミッション電流は、1日程度の使用では
劣化しないことが実験から確認されている。すなわち、
ディスプレイ装置の起動時にエミッション電流を設定値
に設定すれば、1日中、エミッション電流を一定に保つ
ことができる。したがって、冷陰極発光素子1の輝度を
一定に保つことができる。また、設定値をディスプレイ
装置の製造時に設定された初期値とすれば、各冷陰極発
光素子1間の輝度のばらつきを容易に小さくすることが
できる。さらに、冷陰極発光素子1の輝度半減寿命を長
くするとともに、寿命のばらつきも小さくすることがで
きる。
【0048】実施の形態2.図4は、この発明に係る実
施の形態2の冷陰極発光素子の駆動回路の構成図であ
る。実施の形態2のディスプレイ装置は、複数の冷陰極
発光素子1を1つ以上のグループに分け、各グループの
それぞれに駆動回路を設けたものである。図4に示され
るように、このディスプレイ装置では、例えば、4個の
冷陰極発光素子1に対し1つの駆動回路が設けられてい
る。エミッション電流検出回路50により検出されるエ
ミッション電流は、4個の冷陰極発光素子1のそれぞれ
のエミッション電流の和となる。
施の形態2の冷陰極発光素子の駆動回路の構成図であ
る。実施の形態2のディスプレイ装置は、複数の冷陰極
発光素子1を1つ以上のグループに分け、各グループの
それぞれに駆動回路を設けたものである。図4に示され
るように、このディスプレイ装置では、例えば、4個の
冷陰極発光素子1に対し1つの駆動回路が設けられてい
る。エミッション電流検出回路50により検出されるエ
ミッション電流は、4個の冷陰極発光素子1のそれぞれ
のエミッション電流の和となる。
【0049】1つのグループに含まれる冷陰極発光素子
1の数は、4個、8個、16個等、任意に設定すること
ができる。1つのグループに含まれる冷陰極発光素子1
の数を多くした場合には、各冷陰極発光素子1の輝度の
ばらつきは大きくなる。反面、駆動回路を少なくし、デ
ィスプレイ装置を安価にすることができる。これに対
し、1つのグループに含まれる冷陰極発光素子1の数を
少なくした場合には、各冷陰極発光素子1の輝度のばら
つきを小さくすることができる。反面、駆動回路の数が
多くなり、ディスプレイ装置が高価になる。1つのグル
ープに含まれる冷陰極発光素子1の数は、要求される輝
度のばらつきの程度に応じて適宜選択するとよい。
1の数は、4個、8個、16個等、任意に設定すること
ができる。1つのグループに含まれる冷陰極発光素子1
の数を多くした場合には、各冷陰極発光素子1の輝度の
ばらつきは大きくなる。反面、駆動回路を少なくし、デ
ィスプレイ装置を安価にすることができる。これに対
し、1つのグループに含まれる冷陰極発光素子1の数を
少なくした場合には、各冷陰極発光素子1の輝度のばら
つきを小さくすることができる。反面、駆動回路の数が
多くなり、ディスプレイ装置が高価になる。1つのグル
ープに含まれる冷陰極発光素子1の数は、要求される輝
度のばらつきの程度に応じて適宜選択するとよい。
【0050】なお、実施の形態1および2では、配列型
のFEDを例に本発明のディスプレイ装置に関して説明
しているが、本発明のディスプレイ装置は、冷陰極発光
素子単体で画面が構成されるディスプレイ装置にも適用
することができる。
のFEDを例に本発明のディスプレイ装置に関して説明
しているが、本発明のディスプレイ装置は、冷陰極発光
素子単体で画面が構成されるディスプレイ装置にも適用
することができる。
【0051】
【発明の効果】請求項1に係る冷陰極発光素子の駆動方
法によれば、冷陰極発光素子が起動されたときには、エ
ミッション電流検出回路と複数の冷陰極とを電気的に接
続し、エミッション電流が設定値なるようにゲート電源
のゲート電圧を制御する。そして、エミッション電流が
設定値に達したときには、エミッション電流検出回路と
複数の冷陰極とを電気的に切断し、エミッション電流を
設定値に保持する。したがって、冷陰極発光素子の輝度
を一定に保ちつつ、冷陰極発光素子を高速に動作させる
ことができる。
法によれば、冷陰極発光素子が起動されたときには、エ
ミッション電流検出回路と複数の冷陰極とを電気的に接
続し、エミッション電流が設定値なるようにゲート電源
のゲート電圧を制御する。そして、エミッション電流が
設定値に達したときには、エミッション電流検出回路と
複数の冷陰極とを電気的に切断し、エミッション電流を
設定値に保持する。したがって、冷陰極発光素子の輝度
を一定に保ちつつ、冷陰極発光素子を高速に動作させる
ことができる。
【0052】また、請求項2に係る冷陰極発光素子の駆
動回路によれば、この駆動回路が起動されたときには、
切替器により複数の冷陰極とエミッション電流検出回路
とを電気的に接続し、複数の冷陰極をエミッション電流
検出回路を介して接地し、ゲート電圧制御回路によりエ
ミッション電流が設定値になるように、ゲート電源によ
り印加されるゲート電圧をゲート電圧制御回路により制
御する。そして、エミッション電流が設定値に達したと
きには、切替器により複数の冷陰極とエミッション電流
検出回路とを電気的に切断し、複数の冷陰極をエミッシ
ョン電流検出回路を介さずに接地し、エミッション電流
が前記設定値になったときのゲート電圧を保持するよう
に、ゲート電源により印加されるゲート電圧をゲート電
圧制御回路により制御する。したがって、請求項1に係
る冷陰極発光素子の駆動方法を実現する駆動回路を提供
することができる。
動回路によれば、この駆動回路が起動されたときには、
切替器により複数の冷陰極とエミッション電流検出回路
とを電気的に接続し、複数の冷陰極をエミッション電流
検出回路を介して接地し、ゲート電圧制御回路によりエ
ミッション電流が設定値になるように、ゲート電源によ
り印加されるゲート電圧をゲート電圧制御回路により制
御する。そして、エミッション電流が設定値に達したと
きには、切替器により複数の冷陰極とエミッション電流
検出回路とを電気的に切断し、複数の冷陰極をエミッシ
ョン電流検出回路を介さずに接地し、エミッション電流
が前記設定値になったときのゲート電圧を保持するよう
に、ゲート電源により印加されるゲート電圧をゲート電
圧制御回路により制御する。したがって、請求項1に係
る冷陰極発光素子の駆動方法を実現する駆動回路を提供
することができる。
【0053】また、請求項3に係る冷陰極発光素子の駆
動回路によれば、冷陰極に直列に接続された抵抗により
エミッション電流を検出し、検出されるエミッション電
流をマイクロコンピュータにより設定値と比較し、エミ
ッション電流が前記設定値になるようにゲート電源によ
り印加されるゲート電圧を制御する。このため、エミッ
ション電流が確実に前記設定値となるように、ゲート電
源により印加されるゲート電圧を制御することができ
る。
動回路によれば、冷陰極に直列に接続された抵抗により
エミッション電流を検出し、検出されるエミッション電
流をマイクロコンピュータにより設定値と比較し、エミ
ッション電流が前記設定値になるようにゲート電源によ
り印加されるゲート電圧を制御する。このため、エミッ
ション電流が確実に前記設定値となるように、ゲート電
源により印加されるゲート電圧を制御することができ
る。
【0054】請求項4に係る冷陰極発光素子の駆動回路
によれば、前記設定値をディスプレイ装置の製造時に設
定されるエミッション電流の初期値とする。したがっ
て、ディスプレイ装置を構成する各冷陰極発光素子の輝
度のばらつきを容易に小さくすることができる。さら
に、各冷陰極発光素子の寿命を長くすることができると
ともに、寿命のばらつきも小さくすることができる。
によれば、前記設定値をディスプレイ装置の製造時に設
定されるエミッション電流の初期値とする。したがっ
て、ディスプレイ装置を構成する各冷陰極発光素子の輝
度のばらつきを容易に小さくすることができる。さら
に、各冷陰極発光素子の寿命を長くすることができると
ともに、寿命のばらつきも小さくすることができる。
【0055】請求項5に係るディスプレイ装置によれ
ば、冷陰極発光素子の輝度を一定に保ちつつ、冷陰極発
光素子を高速に動作させることができるディスプレイ装
置を提供することができる。
ば、冷陰極発光素子の輝度を一定に保ちつつ、冷陰極発
光素子を高速に動作させることができるディスプレイ装
置を提供することができる。
【0056】請求項6に係るディスプレイ装置によれ
ば、各冷陰極発光素子の輝度のばらつきを小さくするこ
とができる。
ば、各冷陰極発光素子の輝度のばらつきを小さくするこ
とができる。
【0057】請求項7に係るディスプレイ装置によれ
ば、冷陰極発光素子の駆動回路を少なくし、装置を安価
に構成することができる。
ば、冷陰極発光素子の駆動回路を少なくし、装置を安価
に構成することができる。
【図1】 この発明に係る実施の形態1の冷陰極発光素
子の概略断面図である。
子の概略断面図である。
【図2】 図1に示された冷陰極発光素子のB部分の拡
大図である。
大図である。
【図3】 図1および図2に示された冷陰極発光素子の
駆動回路の構成図である。
駆動回路の構成図である。
【図4】 この発明に係る実施の形態2の冷陰極発光素
子の駆動回路の構成図である。
子の駆動回路の構成図である。
【図5】 従来の冷陰極発光素子の駆動回路の一例を示
す図である。
す図である。
【図6】 従来の冷陰極発光素子の駆動回路の他の例を
示す図である。
示す図である。
1 冷陰極発光素子、 10 真空容器、 11 前面
パネル、 12 背面パネル、 13 スペーサガラ
ス、 14 低融点ガラス、 15 排気口、16 排
気管、 17 給電線、 18 ゲッタ、 21 蛍光
体、 22 アルミバック陽極(アノード電極)、 3
0 陰極基板、 31 ガラス基板、32 走査電極、
33 ゲート電極、 34 絶縁層、 35 冷陰
極、 36 冷陰極群、 37 開孔、 41 ゲート
電源、 42 アノード電源、50 エミッション電流
検出回路、 51 抵抗、 60 ゲート電圧制御回
路、 61 A/D変換器、 62 マイクロコンピュ
ータ、 63 D/A変換器、 64 電圧アンプ、
65 電流アンプ、 70 切替器。
パネル、 12 背面パネル、 13 スペーサガラ
ス、 14 低融点ガラス、 15 排気口、16 排
気管、 17 給電線、 18 ゲッタ、 21 蛍光
体、 22 アルミバック陽極(アノード電極)、 3
0 陰極基板、 31 ガラス基板、32 走査電極、
33 ゲート電極、 34 絶縁層、 35 冷陰
極、 36 冷陰極群、 37 開孔、 41 ゲート
電源、 42 アノード電源、50 エミッション電流
検出回路、 51 抵抗、 60 ゲート電圧制御回
路、 61 A/D変換器、 62 マイクロコンピュ
ータ、 63 D/A変換器、 64 電圧アンプ、
65 電流アンプ、 70 切替器。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 江藤 力 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 岩田 修司 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 細野 彰彦 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 Fターム(参考) 5C080 AA08 BB06 BB09 CC03 CC06 DD03 DD05 DD06 DD08 DD29 HH17 JJ02 JJ06 KK05 KK33 KK34
Claims (7)
- 【請求項1】 複数の冷陰極とゲート電極との間にパル
ス状のゲート電圧を印加するとともに、前記複数の冷陰
極とアノード電極との間に前記ゲート電圧より高電圧の
アノード電圧を印加し、複数の冷陰極から電子を放出さ
せて蛍光体を発光させる冷陰極発光素子の駆動方法にお
いて、 この冷陰極発光素子が起動されたとき、エミッション電
流を検出するエミッション電流検出回路と複数の冷陰極
とを電気的に接続し、前記エミッション電流検出回路に
よりエミッション電流を検出するエミッション電流検出
工程と、 前記エミッション電流検出工程で前記エミッション電流
回路により検出されるエミッション電流をあらかじめ設
定された設定値と比較し、前記エミッション電流が前記
設定値になるようにゲート電圧を制御するゲート電圧制
御工程と、 前記エミッション電流検出工程で前記エミッション電流
回路により検出され、前記ゲート電圧制御工程で比較さ
れるエミッション電流が、前記設定値に達したとき、前
記エミッション電流検出回路と複数の冷陰極とを電気的
に切断し、前記エミッション電流が前記設定値に達した
ときのゲート電圧を保持するゲート電圧保持工程とを含
むことを特徴とする冷陰極発光素子の駆動方法。 - 【請求項2】 複数の冷陰極とゲート電極との間にパル
ス状のゲート電圧を印加するゲート電源と、前記複数の
冷陰極とアノード電極との間に前記ゲート電圧よりも高
電圧のアノード電圧を印加するアノード電源とを備え、
各電源によりそれぞれの電極間にそれぞれの電圧を印加
し、複数の冷陰極から電子を放出させて蛍光体を発光さ
せる冷陰極発光素子の駆動回路において、 前記複数の冷陰極に電気的に接続された切替器と、 前記切替器を介してエミッション電流を検出するための
エミッション電流検出回路と、 前記エミッション電流検出回路により検出されたエミッ
ション電流とあらかじめ設定された設定値とを比較し、
前記エミッション電流が前記設定値になるように、前記
ゲート電源により印加されるゲート電圧を制御するゲー
ト電圧制御回路とを備え、 前記切替器は、 この冷陰極発光素子の駆動回路が起動されたとき、前記
複数の冷陰極と前記エミッション電流検出回路とを電気
的に接続し、前記複数の冷陰極を前記エミッション電流
検出回路を介して接地し、前記エミッション電流検出回
路により検出され、前記ゲート電圧制御回路により比較
されるエミッション電流が前記設定値に達したとき、前
記複数の冷陰極と前記エミッション電流検出回路とを電
気的に切断し、前記複数の冷陰極を前記エミッション電
流検出回路を介さずに接地し、 前記ゲート電圧制御回路は、 エミッション電流が前記設定値に達したとき、エミッシ
ョン電流が前記設定値に達したときのゲート電圧を保持
するように、前記ゲート電源により印加されるゲート電
圧を制御することを特徴とする冷陰極発光素子の駆動回
路。 - 【請求項3】 前記エミッション電流検出回路は、 前記複数の冷陰極に直列に接続された抵抗からなり、 前記ゲート電圧制御回路は、 前記抵抗を流れるエミッション電流をA/D(analog t
o digital)変換するA/D変換器と、 前記A/D変換器によりA/D変換されたエミッション
電流と前記設定値とを比較し、エミッション電流が前記
設定値になるようにゲート電圧の制御量を算出するマイ
クロコンピュータと、 マイクロコンピュータにより算出されたゲート電圧の制
御量をD/A(digital to analog)変換し、前記ゲー
ト電源に制御電圧を供給するD/A変換器とを有するこ
とを特徴とする請求項2に記載の冷陰極発光素子の駆動
回路。 - 【請求項4】 前記設定値は、エミッション電流の初期
値であることを特徴とする請求項2に記載の冷陰極発光
素子の駆動回路。 - 【請求項5】 複数の冷陰極とゲート電極との間にパル
ス状のゲート電圧が印加され、前記複数の冷陰極とアノ
ード電極との間に前記ゲート電圧よりも高電圧のアノー
ド電圧が印加されたとき、複数の冷陰極から電子を放出
して蛍光体を発光させる1個もしくは複数個の冷陰極発
光素子を備えたディスプレイ装置において、 前記1個もしくは複数個の冷陰極発光素子を1つ以上の
グループに分け、 各グループ毎に、 グループ内の冷陰極発光素子の複数の冷陰極とゲート電
極との間に前記ゲート電圧を印加するゲート電源と、 前記グループ内の冷陰極発光素子の複数の冷陰極とアノ
ード電極との間に前記アノード電圧を印加するアノード
電源と、 前記グループ内の冷陰極発光素子の複数の冷陰極に電気
的に接続される切替器と、 前記切替器を介して前記グループ内の冷陰極発光素子の
エミッション電流を検出するためのエミッション電流検
出回路と、 前記エミッション電流検出回路により検出されたエミッ
ション電流をあらかじめ設定された設定値と比較し、前
記エミッション電流が前記設定値になるように、前記ゲ
ート電源により印加されるゲート電圧を制御するゲート
電圧制御回路とをそれぞれ設け、 前記切替器は、 この装置が起動されたとき、前記グループ内の冷陰極発
光素子の複数の冷陰極と前記エミッション電流検出回路
とを電気的に接続し、前記複数の冷陰極を前記エミッシ
ョン電流検出回路を介して接地し、前記エミッション電
流検出回路により検出され、前記ゲート電圧制御回路に
より比較されるエミッション電流が前記設定値に達した
とき、前記グループ内の冷陰極発光素子の複数の冷陰極
と前記エミッション電流検出回路とを電気的に切断し、
前記複数の冷陰極を前記エミッション電流検出回路を介
さずに接地し、 前記ゲート電圧制御回路は、 エミッション電流が前記設定値に達したとき、エミッシ
ョン電流が前記設定値に達したときのゲート電圧を保持
するように、前記ゲート電源のゲート電圧を制御するこ
とを特徴とするディスプレイ装置。 - 【請求項6】 1つの冷陰極発光素子により1つのグル
ープが構成されることを特徴とする請求項5に記載のデ
ィスプレイ装置。 - 【請求項7】 複数の冷陰極発光素子により1つのグル
ープが構成されることを特徴とする請求項5に記載のデ
ィスプレイ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000009670A JP2001202058A (ja) | 2000-01-19 | 2000-01-19 | 冷陰極発光素子の駆動方法、冷陰極発光素子の駆動回路およびディスプレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000009670A JP2001202058A (ja) | 2000-01-19 | 2000-01-19 | 冷陰極発光素子の駆動方法、冷陰極発光素子の駆動回路およびディスプレイ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001202058A true JP2001202058A (ja) | 2001-07-27 |
Family
ID=18537788
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000009670A Pending JP2001202058A (ja) | 2000-01-19 | 2000-01-19 | 冷陰極発光素子の駆動方法、冷陰極発光素子の駆動回路およびディスプレイ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001202058A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005316373A (ja) * | 2004-04-29 | 2005-11-10 | Samsung Sdi Co Ltd | 接地分離型電界放出ディスプレイ装置 |
CN112509895A (zh) * | 2020-11-19 | 2021-03-16 | 中国科学院微电子研究所 | 一种场发射显示像素单元 |
-
2000
- 2000-01-19 JP JP2000009670A patent/JP2001202058A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005316373A (ja) * | 2004-04-29 | 2005-11-10 | Samsung Sdi Co Ltd | 接地分離型電界放出ディスプレイ装置 |
CN112509895A (zh) * | 2020-11-19 | 2021-03-16 | 中国科学院微电子研究所 | 一种场发射显示像素单元 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
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A02 | Decision of refusal |
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