JP2001201521A - 電流検出装置及びインピーダンス測定器及び電力測定装置 - Google Patents
電流検出装置及びインピーダンス測定器及び電力測定装置Info
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- G01R21/06—Arrangements for measuring electric power or power factor by measuring current and voltage
- G01R21/07—Arrangements for measuring electric power or power factor by measuring current and voltage in circuits having distributed constants
Abstract
(57)【要約】
【課題】広帯域電流検出を行なう。
【解決手段】電源電流を受信する第１の端子（１０１）
と出力電流を外部回路に供給しする第２の端子（１０
２）と該出力電流と所定の関係を有する監視電流を出力
する第３の端子（１０３）と基準電位を有する第４の端
子（１０４）とを備える本発明の電流検出装置は、第
１、第２の端子間に接続された第１の素子（１１６）、
第１の素子に結合された第１、第２のバラン（１２０、
１２２）の縦続と、第１、第２のバランの接続部に設け
た接地容量性素子（１２４）、及び第２のバランの出力
部に設けた接地容量性素子（１２８）、を備える。本発
明の電流検出装置を用いインピーダンス測定装置や電力
測定装置の性能を向上できる。
と出力電流を外部回路に供給しする第２の端子（１０
２）と該出力電流と所定の関係を有する監視電流を出力
する第３の端子（１０３）と基準電位を有する第４の端
子（１０４）とを備える本発明の電流検出装置は、第
１、第２の端子間に接続された第１の素子（１１６）、
第１の素子に結合された第１、第２のバラン（１２０、
１２２）の縦続と、第１、第２のバランの接続部に設け
た接地容量性素子（１２４）、及び第２のバランの出力
部に設けた接地容量性素子（１２８）、を備える。本発
明の電流検出装置を用いインピーダンス測定装置や電力
測定装置の性能を向上できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は概して電気測定に関
し、詳細には広帯域電流検出装置とそれを用いたインピ
ーダンス測定装置及び電力測定装置に関する。
し、詳細には広帯域電流検出装置とそれを用いたインピ
ーダンス測定装置及び電力測定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】電流測定は基本測定であり、浮動線路を
流れる電流を測定する用途も広範囲にわたる。単に電流
を測定するほか、電気量以外の物理・化学的量の測定や
電力、インピーダンスに関連する量の測定の一部として
電流を測定する場合も多い。最終的な電流値の測定を不
平衡装置である電流検出装置や電圧検出装置で行なうた
め、被測定電流を変成器結合等の平衡・不平衡変換器
（以下バランと称する）により該不平衡装置に導入する
方法が採られていた。特に、例えば１ＭＨｚから１ＧＨ
ｚというような広い周波数範囲の電流測定では理想的な
変成器結合が困難となり、比較的周波数特性が良好な伝
送路型バランを用いる。
流れる電流を測定する用途も広範囲にわたる。単に電流
を測定するほか、電気量以外の物理・化学的量の測定や
電力、インピーダンスに関連する量の測定の一部として
電流を測定する場合も多い。最終的な電流値の測定を不
平衡装置である電流検出装置や電圧検出装置で行なうた
め、被測定電流を変成器結合等の平衡・不平衡変換器
（以下バランと称する）により該不平衡装置に導入する
方法が採られていた。特に、例えば１ＭＨｚから１ＧＨ
ｚというような広い周波数範囲の電流測定では理想的な
変成器結合が困難となり、比較的周波数特性が良好な伝
送路型バランを用いる。
【０００３】伝送路型バランは例えば同軸線路をフェラ
イトコアに巻きつけて構成し、該同軸線路の一方の端子
対を入力端子対とし、他方の端子対を出力端子対として
いる。同軸線路の中心導体と外被は結合係数が極めて１
に近いので非常に優れた周波数特性を示す。バランの自
己インダクタンスにより被測定素子への印加電圧の減少
をもたらすので、これを防ぐために同軸線路をフェライ
トコアに巻くことにより自己インピーダンスを増加させ
て該減少を軽減している。例えば、特開平９−３１８６
７１号に伝送路型バランを使用した例が示してある。
イトコアに巻きつけて構成し、該同軸線路の一方の端子
対を入力端子対とし、他方の端子対を出力端子対として
いる。同軸線路の中心導体と外被は結合係数が極めて１
に近いので非常に優れた周波数特性を示す。バランの自
己インダクタンスにより被測定素子への印加電圧の減少
をもたらすので、これを防ぐために同軸線路をフェライ
トコアに巻くことにより自己インピーダンスを増加させ
て該減少を軽減している。例えば、特開平９−３１８６
７１号に伝送路型バランを使用した例が示してある。
【０００４】図１はこのような伝送路型バランを用いた
電流検出装置の好適な実施例であるインピーダンス測定
器の簡略化回路図である。被測定素子１８に流れる電流
i1と、該素子１８に印加される電圧v２のベクトル比（v
1/i1）として該素子１８の複素インピーダンスZxが決定
される。尚、コンデンサ３４を介して流れる電流や、そ
の他の寄生インピーダンスを介して流れる電流もi1に影
響するが、本発明の説明のためにはそれらの電流は無視
してもよく、説明を簡略化する意味でそれらの電流を無
視する。直流電源１２と交流電源１０、電源抵抗１４、
電流検出抵抗１６、被測定素子１８が直列接続されてい
る。電流検出抵抗１６は（伝送路型）バラン２０の入力
端子対を終端するようにされる。バラン２０の出力端子
対の一方は、バラン２０を介して電流検出抵抗１６の電
源抵抗１４側端子に直流結合し、またコンデンサ２４を
介して基準電位点４（多くはグランド電位や接地電位を
有する）に結合される。バラン２０の出力端子対の他方
は、バラン２０を介して電流検出抵抗１６の被測定素子
１８側端子に直流結合し、またコンデンサ３０と抵抗３
２を介して基準電位点４に結合される。
電流検出装置の好適な実施例であるインピーダンス測定
器の簡略化回路図である。被測定素子１８に流れる電流
i1と、該素子１８に印加される電圧v２のベクトル比（v
1/i1）として該素子１８の複素インピーダンスZxが決定
される。尚、コンデンサ３４を介して流れる電流や、そ
の他の寄生インピーダンスを介して流れる電流もi1に影
響するが、本発明の説明のためにはそれらの電流は無視
してもよく、説明を簡略化する意味でそれらの電流を無
視する。直流電源１２と交流電源１０、電源抵抗１４、
電流検出抵抗１６、被測定素子１８が直列接続されてい
る。電流検出抵抗１６は（伝送路型）バラン２０の入力
端子対を終端するようにされる。バラン２０の出力端子
対の一方は、バラン２０を介して電流検出抵抗１６の電
源抵抗１４側端子に直流結合し、またコンデンサ２４を
介して基準電位点４（多くはグランド電位や接地電位を
有する）に結合される。バラン２０の出力端子対の他方
は、バラン２０を介して電流検出抵抗１６の被測定素子
１８側端子に直流結合し、またコンデンサ３０と抵抗３
２を介して基準電位点４に結合される。
【０００５】電圧測定装置３６はバラン２０を介して抵
抗３２に流入した電流i2により抵抗３２の端子間に生じ
る電圧V1を測定し、電流i1の値を決定する。また被測定
素子１８の端子間電圧はv1はコンデンサ３４を介して電
圧測定装置３８により測定され、測定値V２がえられ
る。被測定素子１８のインピーダンスZx=v1/i1は、測定
値V2、V1の比V2/V1に所定の係数Aを乗じて得られる。ま
た、被測定素子が消費する電力は測定値V2、V1の積比V2
×V1に所定の係数Bを乗じて選られる。係数A、Bが測定
のために較正されたあと安定であるためには、電圧V1を
生じる電流i2とi1の比も安定でなければならない。該安
定を損ねる原因は、被測定素子値の変化の他にバランの
特性の温度変化による変動などがある。
抗３２に流入した電流i2により抵抗３２の端子間に生じ
る電圧V1を測定し、電流i1の値を決定する。また被測定
素子１８の端子間電圧はv1はコンデンサ３４を介して電
圧測定装置３８により測定され、測定値V２がえられ
る。被測定素子１８のインピーダンスZx=v1/i1は、測定
値V2、V1の比V2/V1に所定の係数Aを乗じて得られる。ま
た、被測定素子が消費する電力は測定値V2、V1の積比V2
×V1に所定の係数Bを乗じて選られる。係数A、Bが測定
のために較正されたあと安定であるためには、電圧V1を
生じる電流i2とi1の比も安定でなければならない。該安
定を損ねる原因は、被測定素子値の変化の他にバランの
特性の温度変化による変動などがある。
【０００６】図１において、電流i1、i2の比を計算する
と、下式のとおりである。 i1/i2＝-{(R1+R2+Zc3)/R2}×N1/N2・・・（式１） ただし、N1=｛１＋Zc1/(R1＋R2+Zc3)+（Zc1/Z1）×（R3
＋Zc3）/(R1＋R2+Zc3)｝、N2＝｛１−（Zc1/Z1）×（Zx
/R2）｝であり、R1、R2、R3はそれぞれ抵抗１４，１
６，３２の抵抗値であり、Zc1、Zc3はそれぞれコンデン
サ２４，３０のインピーダンス値であり、Zx、Z1はそれ
ぞれ被測定素子１８のインピーダンス値とバラン２０の
自己インピーダンス値である。
と、下式のとおりである。 i1/i2＝-{(R1+R2+Zc3)/R2}×N1/N2・・・（式１） ただし、N1=｛１＋Zc1/(R1＋R2+Zc3)+（Zc1/Z1）×（R3
＋Zc3）/(R1＋R2+Zc3)｝、N2＝｛１−（Zc1/Z1）×（Zx
/R2）｝であり、R1、R2、R3はそれぞれ抵抗１４，１
６，３２の抵抗値であり、Zc1、Zc3はそれぞれコンデン
サ２４，３０のインピーダンス値であり、Zx、Z1はそれ
ぞれ被測定素子１８のインピーダンス値とバラン２０の
自己インピーダンス値である。
【０００７】上記伝送路型同軸バランの自己インダクタ
ンスはフェライトコアの透磁率に依存するので温度的に
不安定である。そこで自己インピーダンスの値Z1の電流
比i1/i2に与える影響を調べてみる。（式１）において
分母は被測定物のインピーダンスZxの関数になっている
ので、例として被測定素子のインピーダンスが500Ωの
場合について検討する。まず素子値の温度係数が１００
ｐｐｍ／℃以下のコンデンサや抵抗器は容易に手に入る
のでそれらの変化は無視できる。しかしバランの自己イ
ンピーダンスはそこに使われているコアの透磁率に依存
するので０．５％／℃程度になってしまう。２０℃の温
度変化に対してバランの自己インピーダンスの絶対値は
１０％変化する。
ンスはフェライトコアの透磁率に依存するので温度的に
不安定である。そこで自己インピーダンスの値Z1の電流
比i1/i2に与える影響を調べてみる。（式１）において
分母は被測定物のインピーダンスZxの関数になっている
ので、例として被測定素子のインピーダンスが500Ωの
場合について検討する。まず素子値の温度係数が１００
ｐｐｍ／℃以下のコンデンサや抵抗器は容易に手に入る
のでそれらの変化は無視できる。しかしバランの自己イ
ンピーダンスはそこに使われているコアの透磁率に依存
するので０．５％／℃程度になってしまう。２０℃の温
度変化に対してバランの自己インピーダンスの絶対値は
１０％変化する。
【０００８】上記（式１）において、典型的なインピー
ダンス値（R1＝R2＝R3＝50Ω、Zc1＝Zc3＝−ｊ0.5Ω、Z
x＝500Ω、Z1＝ｊ100Ω；ただしｊは虚数単位である）
を代入すると、バランの自己インダクタンス値Z1の１０
％の変化でi1/i2の値に0.5％の変化が生ずることがわか
る。この有り得る変化は直接インピーダンス測定の測定
値の誤差となる。なお、Zc1=0、すなわちC1が短絡され
ている時はN1＝０、N2≠０であり、バランの自己インピ
ーダンス値Z1の変化でi1/i2の値に変化が生じないこと
がわかる。しかしながら、Zc１=０である構成では直流
電流を被測定素子に印加することはできない。ここでは
被測定素子１８のインピーダンス値Zxとして５００Ωの
場合を求めたが、５０Ωの場合には i1/i2の変化は 約
０．１％になる。この様にその変化量が被測定素子の値
に大きく依存してしまうので、いわゆる３点校正を正し
く行なえず測定誤差が大きくなる。また温度補正もバラ
ンの自己インダクタンスの絶対値に依存し、現実的でな
い。
ダンス値（R1＝R2＝R3＝50Ω、Zc1＝Zc3＝−ｊ0.5Ω、Z
x＝500Ω、Z1＝ｊ100Ω；ただしｊは虚数単位である）
を代入すると、バランの自己インダクタンス値Z1の１０
％の変化でi1/i2の値に0.5％の変化が生ずることがわか
る。この有り得る変化は直接インピーダンス測定の測定
値の誤差となる。なお、Zc1=0、すなわちC1が短絡され
ている時はN1＝０、N2≠０であり、バランの自己インピ
ーダンス値Z1の変化でi1/i2の値に変化が生じないこと
がわかる。しかしながら、Zc１=０である構成では直流
電流を被測定素子に印加することはできない。ここでは
被測定素子１８のインピーダンス値Zxとして５００Ωの
場合を求めたが、５０Ωの場合には i1/i2の変化は 約
０．１％になる。この様にその変化量が被測定素子の値
に大きく依存してしまうので、いわゆる３点校正を正し
く行なえず測定誤差が大きくなる。また温度補正もバラ
ンの自己インダクタンスの絶対値に依存し、現実的でな
い。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、直流
電流が重畳しても交流電流を広帯域で安定に検出できる
電流検出装置を提供することである。本発明のさらに別
の目的は該電流検出装置を用いた高精度インピーダンス
測定装置を提供することである。本発明のさらに他の目
的は該電流検出装置を用いた電力測定装置を提供するこ
とである。
電流が重畳しても交流電流を広帯域で安定に検出できる
電流検出装置を提供することである。本発明のさらに別
の目的は該電流検出装置を用いた高精度インピーダンス
測定装置を提供することである。本発明のさらに他の目
的は該電流検出装置を用いた電力測定装置を提供するこ
とである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の主な構成は以下
のとおりである。本発明の第1の発明では、電源電流を
受信する第１の端子と出力電流を外部回路に供給する第
２の端子と該出力電流と所定の関係を有する監視電流を
出力する第３の端子と基準電位を有する第４の端子とを
備える電流検出装置であって、第１、第２の端子間に接
続された第１の素子、第１、第２の端子を第１の入力端
子対として備え、前記第1の入力端子対に第1の線路で結
合された第１の出力端子対を備える第１のバラン、前記
第１の出力端子対を第２の入力端子対として備え、前記
第２の入力端子対に第２の線路で結合された第２の出力
端子対を備える第２のバラン、前記第１の端子と直流結
合する前記第１の出力端子対の一方の出力端子と第４の
端子間に接続された第１の容量性素子、及び前記第１の
端子と直流結合する前記第２の出力端子対の一方の出力
端子と第４の端子間に接続された第２の容量性素子、を
備え、前記第２の端子と直流結合する前記第２の出力端
子対の他方の出力端子を第３の端子としたことを特徴と
する電流検出装置が与えられる．
のとおりである。本発明の第1の発明では、電源電流を
受信する第１の端子と出力電流を外部回路に供給する第
２の端子と該出力電流と所定の関係を有する監視電流を
出力する第３の端子と基準電位を有する第４の端子とを
備える電流検出装置であって、第１、第２の端子間に接
続された第１の素子、第１、第２の端子を第１の入力端
子対として備え、前記第1の入力端子対に第1の線路で結
合された第１の出力端子対を備える第１のバラン、前記
第１の出力端子対を第２の入力端子対として備え、前記
第２の入力端子対に第２の線路で結合された第２の出力
端子対を備える第２のバラン、前記第１の端子と直流結
合する前記第１の出力端子対の一方の出力端子と第４の
端子間に接続された第１の容量性素子、及び前記第１の
端子と直流結合する前記第２の出力端子対の一方の出力
端子と第４の端子間に接続された第２の容量性素子、を
備え、前記第２の端子と直流結合する前記第２の出力端
子対の他方の出力端子を第３の端子としたことを特徴と
する電流検出装置が与えられる．
【００１１】本発明の第2の発明では、前記第１の素子
が抵抗素子である。本発明の第3の発明では、前記第
１、第２のバランの少なくとも一方がフェライト・コア
に該少なくとも一方に応じる前記第1、第2の線路を巻回
したバランであるまた、本発明の第４の発明では前記第
１、第２の線路の少なくとも一方が同軸線路である。更
に、本発明の第５の発明では、前記第1、第2の線路ただ
一本の同軸線路を共通に用いて成る。
が抵抗素子である。本発明の第3の発明では、前記第
１、第２のバランの少なくとも一方がフェライト・コア
に該少なくとも一方に応じる前記第1、第2の線路を巻回
したバランであるまた、本発明の第４の発明では前記第
１、第２の線路の少なくとも一方が同軸線路である。更
に、本発明の第５の発明では、前記第1、第2の線路ただ
一本の同軸線路を共通に用いて成る。
【００１２】本発明の第６の発明では、前記第１の端子
は前記同軸線路の外部導体と直流結合するようにされ
る。そして、本発明の第７の発明ではさらに、前記第3
の端子に接続され、該第３の端子からの電流を受信して
前記監視電流に応じた測定値を与えるための電流測定装
置を備える。
は前記同軸線路の外部導体と直流結合するようにされ
る。そして、本発明の第７の発明ではさらに、前記第3
の端子に接続され、該第３の端子からの電流を受信して
前記監視電流に応じた測定値を与えるための電流測定装
置を備える。
【００１３】本発明の第８の発明では、前記電流測定装
置が前記第３の端子に接続された一方の端子を有する第
３の容量素子と、該第３の容量素子の他方の端子と第４
の端子との間に接続された入力抵抗素子と、該入力抵抗
素子に結合され、該入力抵抗素子に生じる電圧を測定す
るための電圧測定装置を有する。
置が前記第３の端子に接続された一方の端子を有する第
３の容量素子と、該第３の容量素子の他方の端子と第４
の端子との間に接続された入力抵抗素子と、該入力抵抗
素子に結合され、該入力抵抗素子に生じる電圧を測定す
るための電圧測定装置を有する。
【００１４】そして、本発明の第９の発明では前記電流
検出装置と、前記第２、第４の端子間に接続され、該前
記第２、第４の端子間に生じる電圧に応じた測定値を与
える電圧検出装置と、前記電圧に応じた測定値と前記電
流に応じた測定値とから前記第２、第４の端子間に接続
された被測定インピーダンスに関連する測定値を算出す
る制御計算手段とを備えるインピーダンス測定装置が与
えられる。
検出装置と、前記第２、第４の端子間に接続され、該前
記第２、第４の端子間に生じる電圧に応じた測定値を与
える電圧検出装置と、前記電圧に応じた測定値と前記電
流に応じた測定値とから前記第２、第４の端子間に接続
された被測定インピーダンスに関連する測定値を算出す
る制御計算手段とを備えるインピーダンス測定装置が与
えられる。
【００１５】本発明の第１０の発明では前記電流検出装
置と、前記第２、第４の端子間に接続され、該前記第
２、第４の端子間に生じる電圧に応じた測定値を与える
電圧検出装置と、前記電圧に応じた測定値と前記電流に
応じた測定値とから前記第２、第４の端子間に接続され
た被測定素子が消費する電力に関連する測定値を算出す
る制御計算手段とを備える電力測定装置が与えられる。
その他の発明とその効果は本明細書の以下の説明から容
易に理解できるであろう。
置と、前記第２、第４の端子間に接続され、該前記第
２、第４の端子間に生じる電圧に応じた測定値を与える
電圧検出装置と、前記電圧に応じた測定値と前記電流に
応じた測定値とから前記第２、第４の端子間に接続され
た被測定素子が消費する電力に関連する測定値を算出す
る制御計算手段とを備える電力測定装置が与えられる。
その他の発明とその効果は本明細書の以下の説明から容
易に理解できるであろう。
【００１６】
【発明の実施の形態】図２を参照すると、本発明の電流
検出装置、インピーダンス測定装置および電力測定装置
の技術思想が明快に理解される。図2には、本発明の電
流検出装置の一実施例と、該電流検出装置を使用しイン
ピーダンス測定装置および電力測定装置として機能する
複合装置の一実施例の概略構成が示されている。
検出装置、インピーダンス測定装置および電力測定装置
の技術思想が明快に理解される。図2には、本発明の電
流検出装置の一実施例と、該電流検出装置を使用しイン
ピーダンス測定装置および電力測定装置として機能する
複合装置の一実施例の概略構成が示されている。
【００１７】図2の複合装置１００において、伝送路型
バラン１２２と容量素子１２８、制御装置１４０を明示
的に記載した点を除けば、図1のインピーダンス測定装
置と実質的に同じである。なお、本発明の各装置は例え
ば１MHz〜１GHzにわたる広帯域の測定を実現しようとす
るものである。
バラン１２２と容量素子１２８、制御装置１４０を明示
的に記載した点を除けば、図1のインピーダンス測定装
置と実質的に同じである。なお、本発明の各装置は例え
ば１MHz〜１GHzにわたる広帯域の測定を実現しようとす
るものである。
【００１８】外部回路であってもよい被測定素子１１８
に直流バイアスを与えるための直流電源１１２と交流イ
ンピーダンスの測定のための交流信号を発生する交流電
源１１０、電源抵抗１１４、電流検出抵抗１１６、被測
定素子１１８が直列接続されている。電流検出抵抗１１
６は（伝送路型）バラン２０の入力端子対（１０１，１
０２）を終端するようにされる。バラン１２０の出力端
子対の一方は、バラン１２０を介して電流検出抵抗１１
６の電源抵抗１１４側端子１０１に直流結合し、またコ
ンデンサ１２４を介して基準電位点１０４（多くはグラ
ンド電位や接地電位を有する）に結合されるとともに、
第2のバラン１２２の入力端子対の一方の入力端子１０
５に結合される。バラン１２０の出力端子対の他方は、
バラン１２０を介して電流検出抵抗１１６の被測定素子
１１８側端子１０２に直流結合し、第２のバラン１２２
の入力端子対の他方の端子に結合されている。バラン１
２２の出力端子対の一方の端子１０６は、バラン１２２
を介してバラン１２０の一方の入力端子１０５と直流結
合し、またコンデンサ１２８を介して基準電位点１０４
に結合される。第2のバラン１２２の出力端子対の他方
の端子１０３は、またコンデンサ１３０と抵抗１３２を
介して基準電位点４に結合される。
に直流バイアスを与えるための直流電源１１２と交流イ
ンピーダンスの測定のための交流信号を発生する交流電
源１１０、電源抵抗１１４、電流検出抵抗１１６、被測
定素子１１８が直列接続されている。電流検出抵抗１１
６は（伝送路型）バラン２０の入力端子対（１０１，１
０２）を終端するようにされる。バラン１２０の出力端
子対の一方は、バラン１２０を介して電流検出抵抗１１
６の電源抵抗１１４側端子１０１に直流結合し、またコ
ンデンサ１２４を介して基準電位点１０４（多くはグラ
ンド電位や接地電位を有する）に結合されるとともに、
第2のバラン１２２の入力端子対の一方の入力端子１０
５に結合される。バラン１２０の出力端子対の他方は、
バラン１２０を介して電流検出抵抗１１６の被測定素子
１１８側端子１０２に直流結合し、第２のバラン１２２
の入力端子対の他方の端子に結合されている。バラン１
２２の出力端子対の一方の端子１０６は、バラン１２２
を介してバラン１２０の一方の入力端子１０５と直流結
合し、またコンデンサ１２８を介して基準電位点１０４
に結合される。第2のバラン１２２の出力端子対の他方
の端子１０３は、またコンデンサ１３０と抵抗１３２を
介して基準電位点４に結合される。
【００１９】電圧測定装置１３６は第2のバラン１２２
を介して抵抗１３２に流入した電流i2により抵抗１３２
の端子間に生じる電圧ｖ１を測定し、被測定素子１１８
に流れる電流i1を決定するための電圧測定値V1を決定す
る。また被測定素子１１８の端子間電圧v1はコンデンサ
１３４を介して電圧測定装置１３８により測定され、測
定値V２がえられる。
を介して抵抗１３２に流入した電流i2により抵抗１３２
の端子間に生じる電圧ｖ１を測定し、被測定素子１１８
に流れる電流i1を決定するための電圧測定値V1を決定す
る。また被測定素子１１８の端子間電圧v1はコンデンサ
１３４を介して電圧測定装置１３８により測定され、測
定値V２がえられる。
【００２０】制御装置１４０は、手動入力部１４２ある
いは遠隔入力部１４６から入力される、あるいは内蔵さ
れた記憶装置から読み出される所望の測定条件に応じて
直流電源１１２と交流電源１１０の設定を行ない、電圧
測定装置１３６、１３８から電圧V1,V2の測定値V1,V2を
読み取る。制御装置１４０がインピーダンス測定装置と
して機能するように構成されている場合は、制御装置１
４０は、つぎに、被測定素子１１８のインピーダンスの
値Zx=v1/i1を求めるため、測定値V2、V1の比V2/V1に所
定の係数A1を乗じる。必要に応じて、その計算結果であ
るZxが周知のインピーダンス測定装置におけると同様に
表示部１４４に表示される。
いは遠隔入力部１４６から入力される、あるいは内蔵さ
れた記憶装置から読み出される所望の測定条件に応じて
直流電源１１２と交流電源１１０の設定を行ない、電圧
測定装置１３６、１３８から電圧V1,V2の測定値V1,V2を
読み取る。制御装置１４０がインピーダンス測定装置と
して機能するように構成されている場合は、制御装置１
４０は、つぎに、被測定素子１１８のインピーダンスの
値Zx=v1/i1を求めるため、測定値V2、V1の比V2/V1に所
定の係数A1を乗じる。必要に応じて、その計算結果であ
るZxが周知のインピーダンス測定装置におけると同様に
表示部１４４に表示される。
【００２１】被測定素子が消費する電力は測定値V2、V1
の積比V2×V1に所定の係数B1を乗じてi1×v2として与え
られる。係数A1、B1が測定のために較正されたあと安定
であるためには、電圧V1を生じる電流i2と被測定素子に
流れる電流i1の比が安定でなければならない。本発明の
電流検出装置においても該安定を損ねる原因は、被測定
素子値の変化の他に特にバランの特性の温度変化による
変動などがある。
の積比V2×V1に所定の係数B1を乗じてi1×v2として与え
られる。係数A1、B1が測定のために較正されたあと安定
であるためには、電圧V1を生じる電流i2と被測定素子に
流れる電流i1の比が安定でなければならない。本発明の
電流検出装置においても該安定を損ねる原因は、被測定
素子値の変化の他に特にバランの特性の温度変化による
変動などがある。
【００２２】図１の従来例についてi1/i2を求めたのと
同様の計算を、図２の複合装置について、被測定素子１
１８のインピーダンス値が５００Ωの場合について行な
う。なお、同種の量については（式１）において用いた
記号を流用する。
同様の計算を、図２の複合装置について、被測定素子１
１８のインピーダンス値が５００Ωの場合について行な
う。なお、同種の量については（式１）において用いた
記号を流用する。
【００２３】図２において、電流i1、i2の比を計算する
と、下式のとおりである。 i1/i2＝-{(R1+R2+Zc3)/R2}×N1/N2・・・（式2） ただし、N1=｛１＋（Zc1＋Zc2）/Z2＋Zc1/Z1＋Zc2/(R1
＋R2+Zc3)+（Zc1/Z1）×（Zc2/Z2）×（R1＋Zc3＋Z1+Z
2）/(R1＋R2+Zc3)｝、N2＝｛１＋（Zc1＋Zc2）/Z2＋Zc1
/Z1−（Zc1/Z1）×（Zc2/Z2）×（Zx/R2）｝であり、R
1、R2、R3はそれぞれ抵抗１１４，１１６，１３２の抵
抗値であり、Zc1、Zc2、Zc3はそれぞれコンデンサ１２
４，１２８、１３０のインピーダンス値であり、Zx、Z
1、Z2はそれぞれ被測定素子１１８のインピーダンス値
とバラン１２０の自己インピーダンス値及びバラン１２
2の自己インピーダンス値である。
と、下式のとおりである。 i1/i2＝-{(R1+R2+Zc3)/R2}×N1/N2・・・（式2） ただし、N1=｛１＋（Zc1＋Zc2）/Z2＋Zc1/Z1＋Zc2/(R1
＋R2+Zc3)+（Zc1/Z1）×（Zc2/Z2）×（R1＋Zc3＋Z1+Z
2）/(R1＋R2+Zc3)｝、N2＝｛１＋（Zc1＋Zc2）/Z2＋Zc1
/Z1−（Zc1/Z1）×（Zc2/Z2）×（Zx/R2）｝であり、R
1、R2、R3はそれぞれ抵抗１１４，１１６，１３２の抵
抗値であり、Zc1、Zc2、Zc3はそれぞれコンデンサ１２
４，１２８、１３０のインピーダンス値であり、Zx、Z
1、Z2はそれぞれ被測定素子１１８のインピーダンス値
とバラン１２０の自己インピーダンス値及びバラン１２
2の自己インピーダンス値である。
【００２４】上記伝送路型同軸バランの自己インダクタ
ンスはフェライトコアの透磁率に依存するので温度的に
不安定である。そこで自己インピーダンスの値Z1、Z2の
電流比i1/i2に与える影響を調べてみる。（式２）にお
いて分母は被測定物のインピーダンスZxの関数になって
いるので、例として被測定素子のインピーダンスが500
Ωの場合について検討する。
ンスはフェライトコアの透磁率に依存するので温度的に
不安定である。そこで自己インピーダンスの値Z1、Z2の
電流比i1/i2に与える影響を調べてみる。（式２）にお
いて分母は被測定物のインピーダンスZxの関数になって
いるので、例として被測定素子のインピーダンスが500
Ωの場合について検討する。
【００２５】上記（式１）において、典型的なインピー
ダンス値（R1＝R2＝R3＝50Ω、Zc1＝＝Zc2＝Zc3＝−ｊ
0.5Ω、Zx＝500Ω、Z1＝Z2＝ｊ100Ω；ただしｊは虚数
単位である）を代入すると、バランの自己インピーダン
ス値Z1、Z2の１０％の変化でi1/i2の値に約0.05％の変
化が生ずることがわかる。又 Zx が５０Ωの場合は、前
記変化は0.048％でZxの変化に対してもi1/i2が図1の電
流検出装置と比較して安定であることが分かる。この有
り得る変化は直接インピーダンス測定の測定値に誤差を
与えるが、図1に記載の装置における変化量の10分の１
である。なお、コンデンサ１２８の容量値Zc２を下げる
ことによって該誤差をさらに低下させることができる。
ダンス値（R1＝R2＝R3＝50Ω、Zc1＝＝Zc2＝Zc3＝−ｊ
0.5Ω、Zx＝500Ω、Z1＝Z2＝ｊ100Ω；ただしｊは虚数
単位である）を代入すると、バランの自己インピーダン
ス値Z1、Z2の１０％の変化でi1/i2の値に約0.05％の変
化が生ずることがわかる。又 Zx が５０Ωの場合は、前
記変化は0.048％でZxの変化に対してもi1/i2が図1の電
流検出装置と比較して安定であることが分かる。この有
り得る変化は直接インピーダンス測定の測定値に誤差を
与えるが、図1に記載の装置における変化量の10分の１
である。なお、コンデンサ１２８の容量値Zc２を下げる
ことによって該誤差をさらに低下させることができる。
【００２６】図１の電流検出装置で同程度の効果を期待
するにはコンデンサのインピーダンスＺｃ１の絶対値を
０．０５Ωにする必要がある。このような低いインピー
ダンスを広い周波数範囲で実現するのは、計算上は可能
であるが実際のコンデンサでは難しい。例えば、１ＭＨ
ｚで０．０５Ωとするのには３．２uFの容量が必要であ
る。一方、１GHzで０．０５Ωとする為には、コンデン
サ自身が持っている直列インダクタンス成分は約８ｐＨ
にする必要がある。実際の小型コンデンサは数百ｐＨの
インダクタンスがあるので複数個並列にしても非常に多
くのコンデンサが必要になり現実的ではない。又コンデ
ンサの容量が大きいと直流バイアスや交流信号のレベル
変化に対する装置の応答を遅くし、測定速度を低下させ
るので好ましくない。図1の従来技術による電流検出装
置では３．２uFのコンデンサが必要であるが、図2の本
発明による複合装置１００では０．６４uFの容量でよ
い。本実施例の複合装置ではこの点でも有利である。
するにはコンデンサのインピーダンスＺｃ１の絶対値を
０．０５Ωにする必要がある。このような低いインピー
ダンスを広い周波数範囲で実現するのは、計算上は可能
であるが実際のコンデンサでは難しい。例えば、１ＭＨ
ｚで０．０５Ωとするのには３．２uFの容量が必要であ
る。一方、１GHzで０．０５Ωとする為には、コンデン
サ自身が持っている直列インダクタンス成分は約８ｐＨ
にする必要がある。実際の小型コンデンサは数百ｐＨの
インダクタンスがあるので複数個並列にしても非常に多
くのコンデンサが必要になり現実的ではない。又コンデ
ンサの容量が大きいと直流バイアスや交流信号のレベル
変化に対する装置の応答を遅くし、測定速度を低下させ
るので好ましくない。図1の従来技術による電流検出装
置では３．２uFのコンデンサが必要であるが、図2の本
発明による複合装置１００では０．６４uFの容量でよ
い。本実施例の複合装置ではこの点でも有利である。
【００２７】バラン１２０，１２２はツイスト・ペア
線、同軸線路、あるいはそれらを磁芯（コアとも称す
る。）に巻回したものであるが、広帯域性能を確保する
ためには、前述のように同軸線路を磁芯たとえばフェラ
イト・コアに巻回したものが好ましい。フェライト・コ
アは低域特性を向上させ且つ高域でもその損失により顕
著な共振現象の招来を防ぐ。巻数は磁芯に応じて分数回
から数回が好ましい。図３の（A）はそのような構成の
一例を示すもので、コア１２１，１２３に同軸線（１０
１，１０２；１０３，１０６）が巻回されている。ま
た、同軸線路の外部導体（１０１，１０６）にコンデン
サ１２４，１２８（不図示）を接続するように構成すれ
ば、作業がし易いので好もしい。また、また一本の同軸
線路を図３の（A）のように両バランに共通に使用する
ことも、別々にすることもできる。コア１２１を両バラ
ンに共通にしてコアの個数を節約できる場合もある（図
３の（B））。さらに、バランと接地コンデンサの組を
３段など多段縦続してさらに効果を上げることもでき
る。
線、同軸線路、あるいはそれらを磁芯（コアとも称す
る。）に巻回したものであるが、広帯域性能を確保する
ためには、前述のように同軸線路を磁芯たとえばフェラ
イト・コアに巻回したものが好ましい。フェライト・コ
アは低域特性を向上させ且つ高域でもその損失により顕
著な共振現象の招来を防ぐ。巻数は磁芯に応じて分数回
から数回が好ましい。図３の（A）はそのような構成の
一例を示すもので、コア１２１，１２３に同軸線（１０
１，１０２；１０３，１０６）が巻回されている。ま
た、同軸線路の外部導体（１０１，１０６）にコンデン
サ１２４，１２８（不図示）を接続するように構成すれ
ば、作業がし易いので好もしい。また、また一本の同軸
線路を図３の（A）のように両バランに共通に使用する
ことも、別々にすることもできる。コア１２１を両バラ
ンに共通にしてコアの個数を節約できる場合もある（図
３の（B））。さらに、バランと接地コンデンサの組を
３段など多段縦続してさらに効果を上げることもでき
る。
【００２８】上記の実施例ではバラン１２０の自己イン
ピーダンス Z1としてｊ１００Ωとしたが、この値は図
２の信号源抵抗１１４の値 R1と、印加電圧の減少をど
の程度に押さえるかに依存する。５０Ω系の場合、信号
レベルの減衰を３ｄB以下にする為には、バランの自己
インピーダンスはｊ５０Ω以上が必要である。その時、
コンデンサ１２４のインピーダンスZc1は使用周波数範
囲で Z1／５０以下が好ましい。バラン１２２、コンデ
ンサ１２８のインピーダンスZc2も、バラン１１４、コ
ンデンサ１２４と同程度の値とするのがよい。
ピーダンス Z1としてｊ１００Ωとしたが、この値は図
２の信号源抵抗１１４の値 R1と、印加電圧の減少をど
の程度に押さえるかに依存する。５０Ω系の場合、信号
レベルの減衰を３ｄB以下にする為には、バランの自己
インピーダンスはｊ５０Ω以上が必要である。その時、
コンデンサ１２４のインピーダンスZc1は使用周波数範
囲で Z1／５０以下が好ましい。バラン１２２、コンデ
ンサ１２８のインピーダンスZc2も、バラン１１４、コ
ンデンサ１２４と同程度の値とするのがよい。
【００２９】
【発明の効果】以上のように、本発明を用いると、下記
の主な効果がえられる。前記第1の発明の構成により、
外部回路に直流バイアスを供給しつつ広帯域で出力交流
電流と所定の関係を有する監視電流をえることができ
る。また、従来に比べて同じ交流電流帯域でも低容量の
第１の容量性素子が使えるので、直流バイアスをより高
速で変化させることができる。また、装置の回路規模も
小さくなる。
の主な効果がえられる。前記第1の発明の構成により、
外部回路に直流バイアスを供給しつつ広帯域で出力交流
電流と所定の関係を有する監視電流をえることができ
る。また、従来に比べて同じ交流電流帯域でも低容量の
第１の容量性素子が使えるので、直流バイアスをより高
速で変化させることができる。また、装置の回路規模も
小さくなる。
【００３０】前記第2の発明の構成によれば、前記第１
の素子が抵抗素子であり、広帯域の電流検出がおこなえ
る。前記第3の発明の構成では、前記第１、第２のバラ
ンの少なくとも一方がフェライト・コアを備えるので、
バランの帯域が広くかつ共振しにくいので、広帯域で高
精度の電流検出ができる。
の素子が抵抗素子であり、広帯域の電流検出がおこなえ
る。前記第3の発明の構成では、前記第１、第２のバラ
ンの少なくとも一方がフェライト・コアを備えるので、
バランの帯域が広くかつ共振しにくいので、広帯域で高
精度の電流検出ができる。
【００３１】また、前記第４の発明の構成では、前記第
１、第２の線路の少なくとも一方が同軸線路であるか
ら、バランの特性が向上しより広帯域の電流検出ができ
る。更に、前記第５の発明では、前記第1、第2の線路た
だ一本の同軸線路を共通に用いて成るので、バランの特
性がさらに向上し、また同軸線路を裁断、結合する手間
が省けるためより低価格の電流検出装置が得られる。。
１、第２の線路の少なくとも一方が同軸線路であるか
ら、バランの特性が向上しより広帯域の電流検出ができ
る。更に、前記第５の発明では、前記第1、第2の線路た
だ一本の同軸線路を共通に用いて成るので、バランの特
性がさらに向上し、また同軸線路を裁断、結合する手間
が省けるためより低価格の電流検出装置が得られる。。
【００３２】前記第６の発明では、前記第１の端子は前
記同軸線路の外部導体と直流結合するようにされるの
で、容量素子を外部導体に結合できるので作業がし易
く、電流検出コスト低減に役立つ。そして、前記第７の
発明ではさらに、前記監視電流に応じた測定値を与える
ための電流測定装置を備えるので、該測定値を表示した
り他の値を計算するのに用いることができる。
記同軸線路の外部導体と直流結合するようにされるの
で、容量素子を外部導体に結合できるので作業がし易
く、電流検出コスト低減に役立つ。そして、前記第７の
発明ではさらに、前記監視電流に応じた測定値を与える
ための電流測定装置を備えるので、該測定値を表示した
り他の値を計算するのに用いることができる。
【００３３】前記第８の発明の構成では、簡単な構成で
監視電流を不平衡電圧に変換し、該電圧を測定するので
容易に広帯域精密電流測定がおこなえる。
監視電流を不平衡電圧に変換し、該電圧を測定するので
容易に広帯域精密電流測定がおこなえる。
【００３４】そして、前記第９の発明のインピーダンス
を測定装置では本発明の前記電流検出装置を用いて、被
測定素子に流れる電流を測定し、その結果から被測定イ
ンピーダンスを測定する。この構成を採ったので、広帯
域で直流バイアスを印加しつつ、高速で被測定素子を次
々と測定することが可能となる。
を測定装置では本発明の前記電流検出装置を用いて、被
測定素子に流れる電流を測定し、その結果から被測定イ
ンピーダンスを測定する。この構成を採ったので、広帯
域で直流バイアスを印加しつつ、高速で被測定素子を次
々と測定することが可能となる。
【００３５】前記第１０の発明の電力測定装置では前記
電流検出装置を用いて、外部回路の電流を測定できるの
で、外部回路が消費する交流電力のみを広帯域で測定で
きる。
電流検出装置を用いて、外部回路の電流を測定できるの
で、外部回路が消費する交流電力のみを広帯域で測定で
きる。
【００３６】また、本発明の説明において、電源と外部
回路の構成の違いは本質的ではなく、外部回路に電池、
発振器等の電力発生源を有する場合もある。また、例え
ば外部回路が測定されるべき電流を発生している場合で
も本発明を利用できる。その他の発明とその効果は本明
細書の前記全ての説明から容易に理解できるであろう。
回路の構成の違いは本質的ではなく、外部回路に電池、
発振器等の電力発生源を有する場合もある。また、例え
ば外部回路が測定されるべき電流を発生している場合で
も本発明を利用できる。その他の発明とその効果は本明
細書の前記全ての説明から容易に理解できるであろう。
【図１】本発明に関連する従来技術の電流検出装置を含
むインピーダンス測定装置の概略回路図である。
むインピーダンス測定装置の概略回路図である。
【図２】本発明を説明するための複合装置の概略回路図
である。
である。
【図３】本発明で使用されるバランの例を示す概略構造
図である。
図である。
１００：複合装置 １０４：端子 １０６：出力端子 １１６、１３２：抵抗 １１８：被測定素子 １２０，１２２：バラン １３０：容量性素子 １３６，１３８：電圧測定装置 １４０：制御装置
Claims (10)
- 【請求項１】電源電流を受信する第１の端子と出力電流
を外部回路に供給する第２の端子と該出力電流と所定の
関係を有する監視電流を出力する第３の端子と基準電位
を有する第４の端子とを備える電流検出装置であって、
第１、第２の端子間に接続された第１の素子、第１、第
２の端子を第１の入力端子対として備え、前記第1の入
力端子対に第1の線路で結合された第１の出力端子対を
備える第１のバラン、前記第１の出力端子対を第２の入
力端子対として備え、前記第２の入力端子対に第２の線
路で結合された第２の出力端子対を備える第２のバラ
ン、前記第１の端子と直流結合する前記第１の出力端子
対の一方の出力端子と第４の端子間に接続された第１の
容量性素子、及び前記第１の端子と直流結合する前記第
２の出力端子対の一方の出力端子と第４の端子間に接続
された第２の容量性素子、を備え、 前記第２の端子と直流結合する前記第２の出力端子対の
他方の出力端子を第３の端子としたことを特徴とする電
流検出装置。 - 【請求項２】前記第１の素子が抵抗素子である請求項１
に記載の電流検出装置。 - 【請求項３】前記第１、第２のバランの少なくとも一方
がフェライト・コアに該少なくとも一方に応じる前記第
1、第2の線路を巻回したバランであることを特徴とする
請求項１あるいは請求項２のいずれかに記載の電流検出
装置。 - 【請求項４】前記第１、第２の線路の少なくとも一方が
同軸線路であることを特徴とする請求項１〜請求項３の
いずれかに記載の電流検出装置。 - 【請求項５】前記第1、第2の線路ただ一本の同軸線路を
共通に用て成ることを特徴とする請求項４に記載の電流
検出装置。 - 【請求項６】前記第１の端子は前記同軸線路の外部導体
と直流結合することを特徴とする請求項４あるいは請求
項５のいずれかに記載の電流検出装置。 - 【請求項７】さらに、第３の端子に接続され、該第３の
端子からの電流を受信して前記監視電流に応じた測定値
を与えるための電流測定装置を備えることを特徴とする
請求項２〜請求項６のいずれかに記載の電流検出装置。 - 【請求項８】前記電流測定装置が第３の端子に接続され
た一方の端子を有する第３の容量素子と、該第３の容量
素子の他方の端子と第４の端子との間に接続された入力
抵抗素子と、該入力抵抗素子に結合され、該入力抵抗素
子に生じる電圧を測定するための電圧測定装置を有する
ことを特徴とする請求項７に記載の電流検出装置。 - 【請求項９】請求項７あるいは請求項８のいずれかに記
載の電流検出装置と、前記第２、第４の端子間に接続さ
れ、該前記第２、第４の端子間に生じる電圧に応じた測
定値を与える電圧検出装置と、前記電圧に応じた測定値
と前記電流に応じた測定値とから前記第２、第４の端子
間に接続された被測定インピーダンスに関連する測定値
を算出する制御計算手段とを備えるインピーダンス測定
装置。 - 【請求項１０】請求項７あるいは請求項８のいずれかに
記載の電流検出装置と、前記第２、第４の端子間に接続
され、該前記第２、第４の端子間に生じる電圧に応じた
測定値を与える電圧検出装置と、前記電圧に応じた測定
値と前記電流に応じた測定値とから前記第２、第４の端
子間に接続された被測定素子が消費する電力に関連する
測定値を算出する制御計算手段とを備える電力測定装
置。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP2000009082A JP2001201521A (ja) | 2000-01-18 | 2000-01-18 | 電流検出装置及びインピーダンス測定器及び電力測定装置 |
| US09/764,773 US6414476B2 (en) | 2000-01-18 | 2001-01-17 | Current detecting device, impedance measuring instrument and power measuring instrument |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP2000009082A JP2001201521A (ja) | 2000-01-18 | 2000-01-18 | 電流検出装置及びインピーダンス測定器及び電力測定装置 |
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|---|---|
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000009082A Pending JP2001201521A (ja) | 2000-01-18 | 2000-01-18 | 電流検出装置及びインピーダンス測定器及び電力測定装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6414476B2 (ja) |
| JP (1) | JP2001201521A (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7554829B2 (en) | 1999-07-30 | 2009-06-30 | Micron Technology, Inc. | Transmission lines for CMOS integrated circuits |
| US7031267B2 (en) * | 2000-12-21 | 2006-04-18 | 802 Systems Llc | PLD-based packet filtering methods with PLD configuration data update of filtering rules |
| US7013482B1 (en) | 2000-07-07 | 2006-03-14 | 802 Systems Llc | Methods for packet filtering including packet invalidation if packet validity determination not timely made |
| US20020080784A1 (en) * | 2000-12-21 | 2002-06-27 | 802 Systems, Inc. | Methods and systems using PLD-based network communication protocols |
| US20020083331A1 (en) * | 2000-12-21 | 2002-06-27 | 802 Systems, Inc. | Methods and systems using PLD-based network communication protocols |
| US7101770B2 (en) * | 2002-01-30 | 2006-09-05 | Micron Technology, Inc. | Capacitive techniques to reduce noise in high speed interconnections |
| US6846738B2 (en) | 2002-03-13 | 2005-01-25 | Micron Technology, Inc. | High permeability composite films to reduce noise in high speed interconnects |
| US7235457B2 (en) * | 2002-03-13 | 2007-06-26 | Micron Technology, Inc. | High permeability layered films to reduce noise in high speed interconnects |
| US7160577B2 (en) | 2002-05-02 | 2007-01-09 | Micron Technology, Inc. | Methods for atomic-layer deposition of aluminum oxides in integrated circuits |
| US6750752B2 (en) * | 2002-11-05 | 2004-06-15 | Werlatone, Inc. | High power wideband balun and power combiner/divider incorporating such a balun |
| US6970053B2 (en) * | 2003-05-22 | 2005-11-29 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition (ALD) high permeability layered magnetic films to reduce noise in high speed interconnection |
| US7927948B2 (en) | 2005-07-20 | 2011-04-19 | Micron Technology, Inc. | Devices with nanocrystals and methods of formation |
| CA2885445C (en) * | 2014-03-21 | 2017-09-19 | Guildline Instruments Limited | Methods and devices for ac current sources, precision current transducers and detectors |
| CN113030572A (zh) * | 2021-02-26 | 2021-06-25 | 佛山市中研非晶科技股份有限公司 | 一种磁芯阻抗特征分析方法及应用其的磁芯阻抗测试系统 |
| US20230358790A1 (en) * | 2022-05-05 | 2023-11-09 | Applied Materials, Inc. | Rf measurement from a transmission line sensor |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61164167A (ja) * | 1985-01-17 | 1986-07-24 | Shiojiri Kogyo Kk | デイジタルマルチメーター |
| JPS61230417A (ja) * | 1985-04-03 | 1986-10-14 | Nippon Ferrite Ltd | ノイズフイルタ |
| JPH04232877A (ja) * | 1990-07-10 | 1992-08-21 | Rohde & Schwarz Gmbh & Co Kg | 反射係数測定用ブリッジ |
| JPH05312859A (ja) * | 1991-10-31 | 1993-11-26 | Yokogawa Hewlett Packard Ltd | インピーダンス・メータ |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ES244069Y (es) * | 1979-06-21 | 1980-04-01 | Circuito detector de corriente. | |
| DK149238C (da) * | 1983-09-15 | 1987-01-19 | Danfysik As | Detektorkredslaeb til brug ved straemmaaling |
| EP0205120B1 (en) * | 1985-06-07 | 1994-09-14 | Hitachi, Ltd. | Superconducting current detecting circuit employing DC flux parametron circuit |
| JP3329555B2 (ja) | 1993-12-28 | 2002-09-30 | アジレント・テクノロジー株式会社 | インピーダンス・メータ |
| US6018238A (en) * | 1995-03-03 | 2000-01-25 | Bell Technologies Inc. | Hybrid non-contact clamp-on current meter |
-
2000
- 2000-01-18 JP JP2000009082A patent/JP2001201521A/ja active Pending
-
2001
- 2001-01-17 US US09/764,773 patent/US6414476B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61164167A (ja) * | 1985-01-17 | 1986-07-24 | Shiojiri Kogyo Kk | デイジタルマルチメーター |
| JPS61230417A (ja) * | 1985-04-03 | 1986-10-14 | Nippon Ferrite Ltd | ノイズフイルタ |
| JPH04232877A (ja) * | 1990-07-10 | 1992-08-21 | Rohde & Schwarz Gmbh & Co Kg | 反射係数測定用ブリッジ |
| JPH05312859A (ja) * | 1991-10-31 | 1993-11-26 | Yokogawa Hewlett Packard Ltd | インピーダンス・メータ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20010008375A1 (en) | 2001-07-19 |
| US6414476B2 (en) | 2002-07-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20040217 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070110 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070110 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091023 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091028 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100326 |