JP2001198781A - Method and device for polishing board edge section - Google Patents
Method and device for polishing board edge sectionInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、基板エッジ部の
研磨方法およびその装置に関し、詳しくは、半導体ウエ
ハ、ガラス板、石英板、セラミックス基板等の円板状基
板の外周部であるエッジ部を鏡面研磨するための研磨方
法およびその装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and an apparatus for polishing an edge portion of a substrate, and more particularly, to an edge portion which is an outer peripheral portion of a disk-shaped substrate such as a semiconductor wafer, a glass plate, a quartz plate and a ceramic substrate. The present invention relates to a polishing method and an apparatus for mirror polishing.
【0002】[0002]
【従来の技術】たとえば、半導体デバイスの基板として
用いられているウエハは、たとえばシリコン等の単結晶
インゴットをその軸線方向に対して直角にスライスし、
このスライスして得られたものに対して面取り、ラッピ
ング、エッチング、アニーリング、ポリッシング等の工
程を経ることによって製造されるようになっている。そ
して、上記のようなウエハ製造工程において行われてい
る面取りはウエハのエッジ部分におけるチッピングの防
止を主要な目的としており、この面取りにおいては、通
常、硬剛性砥石によってウエハエッジ部を削り取る方法
が採用されている。2. Description of the Related Art For example, a wafer used as a substrate of a semiconductor device is obtained by slicing a single crystal ingot such as silicon at right angles to the axial direction thereof.
The sliced product is manufactured by going through processes such as chamfering, lapping, etching, annealing, and polishing. The main purpose of the chamfering performed in the wafer manufacturing process as described above is to prevent chipping at the edge portion of the wafer, and in this chamfering, a method of scraping the wafer edge portion with a hard rigid grindstone is usually adopted. ing.
【0003】しかし、近年、半導体デバイスがより高密
度化するに従って、その製造工程における発塵対策は一
層厳しくなり、その素材であるウエハに対しても発塵の
ないことが重要な要件となり、その結果、ウエハエッジ
部に対してもウエハの鏡面部なみに研磨する必要性が高
まってきた。そして、ウエハの面取り部であるエッジ部
を研磨する研磨装置としては、特許第2815797号
公報、および特許第2889108号公報に示すような
ものが知られている。However, in recent years, as the density of semiconductor devices has increased, measures against dust generation in the manufacturing process have become more stringent, and it has become an important requirement that no dust is generated even on the wafer as a material. As a result, the necessity of polishing the wafer edge part as much as the mirror surface part of the wafer has been increased. As a polishing apparatus for polishing an edge portion, which is a chamfered portion of a wafer, those disclosed in Japanese Patent Nos. 2815797 and 2889108 are known.
【0004】ここで、特許第2815797号公報に示
す装置は、研磨バフにウエハのエッジ部の外周部とほぼ
一致する曲率を有する弧状研磨溝を形成し、この弧状研
磨溝内にウエハの外周部、すなわちウエハエッジ部を押
圧して研磨するように構成したものである。また、特許
第2889108号公報に示す装置は、回転ドラムの内
部に巻回して収納した研磨用テープを回転ドラムの周面
に繰り出して回転ドラムを巻回したのちに再び内部に巻
き取るように構成し、回転ドラムの周面に位置する研磨
用テープの部分でウエハのエッジ部を研磨するようにし
ており、この研磨時に回転ドラムを揺動手段によって前
後方向に所定の揺動角度で傾斜するように構成したもの
である。In the apparatus disclosed in Japanese Patent No. 2815797, an arc-shaped polishing groove having a curvature substantially coinciding with an outer peripheral portion of an edge portion of a wafer is formed in a polishing buff, and an outer peripheral portion of the wafer is formed in the arc-shaped polishing groove. That is, the polishing is performed by pressing the wafer edge portion. Further, the apparatus disclosed in Japanese Patent No. 2889108 is configured so that the polishing tape wound and housed inside the rotating drum is fed out to the peripheral surface of the rotating drum, the rotating drum is wound, and then wound again inside. The edge of the wafer is polished by a portion of the polishing tape located on the peripheral surface of the rotating drum, and at the time of this polishing, the rotating drum is inclined at a predetermined swing angle in the front-rear direction by the swing means. It is what was constituted.
【0005】しかしながら、特許第2815797号公
報に示す装置にあっては、研磨バフ自体に、ウエハのエ
ッジ部に略一致する弧状研磨溝を形成し、この弧状研磨
溝をウエハのエッジ部に押圧して研磨するようになって
いるので、弧状研磨溝をウエハのエッジ部に対して常に
一定の方向から押圧させる必要がある。そして、この方
向がずれた場合にはウエハのエッジ部の研磨が不安定で
ある。また、研磨バフに弧状研磨溝を形成した場合に
は、研磨するウエハのエッジ部の面取り形状は種々ある
ので複数の溝を用意する必要があり、煩雑である。さら
に、研磨によって弧状研磨溝の形状が次第に磨耗し、磨
耗し過ぎた時はウエハのエッジ部だけではなく、平面部
まで研磨する恐れがある。という種々の問題点を有して
いる。[0005] However, in the apparatus disclosed in Japanese Patent No. 2815797, an arc-shaped polishing groove substantially coinciding with the edge of the wafer is formed in the polishing buff itself, and the arc-shaped polishing groove is pressed against the edge of the wafer. Therefore, it is necessary to always press the arc-shaped polishing groove against the edge of the wafer from a fixed direction. If the direction is shifted, the polishing of the edge of the wafer is unstable. Further, when arc-shaped polishing grooves are formed in the polishing buff, there are various chamfered shapes at the edge portion of the wafer to be polished, so that it is necessary to prepare a plurality of grooves, which is complicated. Further, the shape of the arc-shaped polishing groove gradually wears due to polishing, and when the shape is excessively worn, not only the edge portion of the wafer but also a flat portion may be polished. There are various problems.
【0006】一方、特許第2889108号公報に示す
装置にあっては、研磨時に回転ドラムを前後方向に傾斜
させる必要があり、この傾斜させるための傾斜機構が複
雑であるとともに、装置自体が大型、かつ、高価になっ
てしまうという問題点を有していた。On the other hand, in the apparatus disclosed in Japanese Patent No. 2889108, it is necessary to incline the rotary drum in the front-back direction at the time of polishing, and the inclining mechanism for inclining the drum is complicated. In addition, there is a problem that it becomes expensive.
【0007】さらに、支持部の外側に位置する研磨帯に
種々な大きさの溝を配設して、合致する溝にウエハのエ
ッジ部を押圧して研磨するようにした装置が存在してい
るが、研磨によって溝の形状が異なってしまって溝がウ
エハのエッジ部に合致しなくなり、良好なる研磨を行う
ことができなくなってしまうという恐れがあった。Further, there is an apparatus in which grooves of various sizes are provided in a polishing band located outside a support portion, and polishing is performed by pressing an edge portion of a wafer into a matching groove. However, there is a fear that the shape of the groove is different due to polishing, the groove does not match the edge portion of the wafer, and good polishing cannot be performed.
【0008】なお、特開平7−193030号公報には
溝を形成していない研磨帯を使用したものが示されてい
るが、このものにあっては、研磨帯には砥粒が埋設され
ており、この砥粒が埋設された研磨帯をウエハエッジ部
に対して移動させる構成のためにウエハエッジ部を研磨
するのではなく研削するようになっている。したがっ
て、研削中においては常に研磨帯が移動する必要があ
り、移動を停止した時には最後に接触した砥粒の研削痕
がついてしまうが、ポリシリコン膜を除去するためには
このように構成する必要がある。これに対し、後述する
ように本願に示すものにあっては基板エッジ部を研磨す
る構成のために研磨帯自体に砥粒が埋設されるというこ
となく、しかも、研磨時には研磨帯を停止させる構成と
なっている。したがって、本願の目的とすることと、前
記特開平7−193030号公報に示すものが目的とす
ることとは全く相違するものである。Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-193030 discloses an apparatus using a polishing band having no groove formed therein. In this apparatus, abrasive grains are embedded in the polishing band. Since the polishing band in which the abrasive grains are embedded is moved with respect to the wafer edge, the wafer edge is ground rather than polished. Therefore, it is necessary to always move the polishing band during grinding, and when the movement is stopped, grinding marks of the last contacting abrasive grains are formed, but such a structure is necessary to remove the polysilicon film. There is. On the other hand, in the configuration shown in the present application as described later, the abrasive band is not embedded in the polishing band itself for the configuration for polishing the substrate edge portion, and the polishing band is stopped during polishing. It has become. Therefore, the object of the present invention is completely different from the object disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-193030.
【0009】上記したように、従来のものの場合には種
々の問題点を有しており、さらに、研磨装置としてはウ
エハの全面に渡って鏡面状態に仕上げる必要があるの
で、ウエハ自体を支持するウエハ支持機構のウエハと接
触する部位を少なくする必要があり、ウエハを支持する
際の接触部を極力少なくする必要がある。As described above, the conventional apparatus has various problems, and furthermore, the polishing apparatus needs to finish the entire surface of the wafer in a mirror state, so that the wafer itself is supported. It is necessary to reduce the number of portions of the wafer support mechanism that come into contact with the wafer, and it is necessary to minimize the number of contact portions when supporting the wafer.
【0010】この発明の目的は、溝を形成した複数の研
磨帯を用意することなく溝を形成していない一種類の研
磨帯で種々の基板エッジ部を研磨することができ、しか
も、研磨時に基板を傾斜させる必要がないので傾斜機構
が不要であり、全体を小型、かつ、安価にすることがで
きる基板エッジ部の研磨方法およびその装置を提供する
ことにある。この発明の他の目的は、溝を形成した複数
の研磨帯を用意することなく溝を形成していない一種類
の研磨帯で種々の研磨をすることができ、しかも、研磨
時に基板を傾斜させる必要がないので傾斜機構が不要で
あり、全体を小型、かつ、安価にすることができ、さら
に、基板エッジ部の研磨時に作用させる押付け力を調整
することができて、所望の研磨状態を得ることができる
基板エッジ部の研磨方法およびその装置を提供すること
にある。[0010] An object of the present invention is to polish a variety of substrate edges with a single type of polishing band having no grooves without preparing a plurality of polishing bands having grooves formed therein. An object of the present invention is to provide a method and an apparatus for polishing an edge portion of a substrate which does not require a tilting mechanism because the substrate does not need to be tilted and which can be reduced in size and inexpensive. Another object of the present invention is to perform various types of polishing with a single type of polishing band having no grooves without preparing a plurality of polishing bands having grooves formed therein, and furthermore, tilt the substrate during polishing. Since there is no need, no tilting mechanism is required, the whole can be made small and inexpensive, and the pressing force applied when polishing the substrate edge can be adjusted to obtain a desired polishing state. An object of the present invention is to provide a method and an apparatus for polishing a substrate edge portion which can be performed.
【0011】[0011]
【問題点を解決するための手段】上記の目的を達成する
ためにこの発明は、基板保持部材で回転可能に保持され
た基板のエッジ部で、このエッジ部を受け入れる溝とこ
の溝を覆っているとともに、順次繰り出し可能となって
いる研磨帯とを有する支持部材の前記研磨帯を溝に押付
け、前記研磨帯の繰り出しを停止した状態で前記基板を
回転させて基板のエッジ部を研磨するようにした手段を
採用した。また、この発明は、基板の片面を回転可能に
保持する基板保持部材と、この基板保持部材に対して相
対的に接離可能な支持部材とを有し、該支持部材に、基
板のエッジ部を受け入れる溝を形成するとともに、該溝
を覆う研磨帯を配設した構成を有し、さらに、この発明
は、基板の片面を回転可能に保持する基板保持部材と、
この基板保持部材に対して相対的に接離可能な支持部材
とを有し、該支持部材は、基部と、該基部の片面に上下
動可能に突設された一対の当接部を有し、該一対の当接
部は互いに接離可能であるとともに、両当接部間で協働
して基板のエッジ部を受け入れる溝を形成し、さらに、
該溝を覆う研磨帯を配設した構成を有している。そし
て、前記研磨帯は巻回された状態で前記溝の一方側に位
置して端部が順次繰り出されるとともに、溝を覆ったの
ちの端部は溝の他方側に位置して順次巻き取られるよう
になっており、さらに、前記研磨帯は、その繰り出しお
よび巻き取りは、前記基板のエッジ部により溝に押付け
られた研磨時に停止するようになっている。SUMMARY OF THE INVENTION In order to achieve the above object, the present invention provides an edge portion of a substrate rotatably held by a substrate holding member, a groove for receiving the edge portion and a cover for covering the groove. And the polishing band of the support member having a polishing band that can be sequentially fed is pressed against the groove, and the substrate is rotated while the feeding of the polishing band is stopped to polish the edge portion of the substrate. The above-mentioned measures were adopted. Further, the present invention has a substrate holding member rotatably holding one surface of the substrate, and a supporting member which can be relatively moved toward and away from the substrate holding member, and the supporting member has an edge portion of the substrate. A groove for receiving the groove, and a configuration in which a polishing band covering the groove is provided, and the present invention further includes a substrate holding member that rotatably holds one surface of the substrate,
A supporting member that can be relatively moved toward and away from the substrate holding member, the supporting member includes a base, and a pair of abutting portions that are vertically movably provided on one surface of the base. The pair of contact portions can be separated from and separated from each other, and cooperate between the two contact portions to form a groove for receiving an edge portion of the substrate,
It has a configuration in which a polishing band covering the groove is provided. The polishing band is positioned on one side of the groove in the wound state and the end is sequentially fed out, and the end after covering the groove is positioned on the other side of the groove and wound sequentially. Further, the feeding and winding of the polishing band are stopped at the time of polishing pressed against the groove by the edge of the substrate.
【0012】[0012]
【作用】この発明は上記の手段を採用したことにより、
基板のエッジ部が支持部材に設けた溝に研磨帯を押圧し
た状態で位置して回転するので、基板のエッジ部の形状
に応じた溝を研磨帯に形成することなく、順次、溝の入
口部に研磨帯の一部を位置させることで基板のエッジ部
を確実に研磨することができる。しかも、研磨帯は巻回
されて順次繰り出し、巻き取り可能となっているので研
磨時には研磨帯の移動を停止し、非研磨時には送り出
し、巻き取りを行うことで順次新しい研磨帯の部位を基
板のエッジ部に当接させて研磨に供することができる。According to the present invention, the above means are adopted.
Since the edge portion of the substrate is positioned and rotated while pressing the polishing band against the groove provided on the support member, the groove according to the shape of the edge portion of the substrate is not formed in the polishing band, and the entrance of the groove is sequentially formed. By positioning a part of the polishing band at the portion, the edge portion of the substrate can be reliably polished. In addition, the polishing band is wound and sequentially unwound and can be wound up, so that the movement of the polishing band is stopped during polishing, and is sent out and wound up during non-polishing, so that a portion of the new polishing band is sequentially formed on the substrate. It can be used for polishing by contacting the edge portion.
【0013】[0013]
【発明の実施の形態】以下、図面に示すこの発明の実施
の形態について説明する。図1にはこの発明による基板
エッジ部の研磨装置の概略図が、図2には支持部材の概
略図が、図3には前記研磨装置が移動して基板のエッジ
部を研磨する状態を示す概略図が示されている。Embodiments of the present invention shown in the drawings will be described below. FIG. 1 is a schematic view of a substrate edge polishing apparatus according to the present invention, FIG. 2 is a schematic view of a support member, and FIG. 3 shows a state in which the polishing apparatus moves to polish an edge of a substrate. A schematic diagram is shown.
【0014】前記基板エッジ部の研磨装置1は、たとえ
ば半導体ウエハ(以下ウエハという)2を、例えば真空
吸着等の手段で水平状態で回転可能に保持しているウエ
ハ保持部材3と、この保持部材3の回転中心軸に対して
水平方向に移動して接近・離間可能に設けられている支
持部材4とを有している。The substrate edge polishing apparatus 1 comprises, for example, a wafer holding member 3 which holds a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as a wafer) 2 in a horizontal state by means of, for example, vacuum suction or the like, and a rotatable holding member. And a support member 4 provided to be movable in the horizontal direction with respect to the rotation center axis 3 so as to be able to approach and separate.
【0015】前記ウエハ保持部材3は、研磨装置の略中
央部に位置し、図示しない搬送部材から搬送されてきた
ウエハ2を、吸着等の手段で上部に吸着する保持部5
と、図示しない駆動源によって前記保持部5を水平方向
に回転するようになっている回転駆動部6とを有してい
る。The wafer holding member 3 is located substantially at the center of the polishing apparatus, and holds the wafer 2 transferred from a transfer member (not shown) upward by means such as suction.
And a rotation drive unit 6 configured to rotate the holding unit 5 in a horizontal direction by a drive source (not shown).
【0016】前記支持部材4は、上下方向の略中央部に
前記ウエハ保持部材3に保持されるウエハ2のエッジ部
を受け入れる大きさであるとともに、水平方向を向いて
いる溝7が穿設られている支持部8が配設されている。
そして、この支持部8の上下部分には、支持部8の両側
で起立して対抗している一対の支持板9、9を有し、こ
の支持板9、9間に軸10が架設されているガイド部1
1がそれぞれ配設されている。なお、図示しないが、こ
の支持部8のガイド部11、11にはそれぞれ巻回され
ている研磨帯12、12のガイドローラ13、13が配
設されている。The support member 4 is sized to receive an edge of the wafer 2 held by the wafer holding member 3 at a substantially central portion in the vertical direction, and has a groove 7 extending in a horizontal direction. The supporting portion 8 is provided.
On the upper and lower portions of the support portion 8, there are a pair of support plates 9, 9 standing up against each other on both sides of the support portion 8, and a shaft 10 is provided between the support plates 9, 9. Guide part 1
1 are provided respectively. Although not shown, guide rollers 13 of the wound polishing bands 12 are provided on the guide portions 11 of the support portion 8, respectively.
【0017】そして、上記のように構成されている支持
部材4は、複数個が前記ウエハ保持部材3を中心に配設
され、各支持部材4はウエハ保持部材3の回転軸心に対
して接近・離脱可能に配設されている。A plurality of the support members 4 configured as described above are disposed around the wafer holding member 3, and each of the support members 4 approaches the rotation axis of the wafer holding member 3.・ It is arranged to be detachable.
【0018】つぎに前記のものの作動について説明す
る。上記のように構成された研磨装置においては、ま
ず、ウエハ2は搬送部材(図示せず)によって搬送され
て前記ウエハ保持部材3に渡される。すなわち、このウ
エハ保持部材3では搬送されたウエハ2を吸着等の手段
で保持部5の上面に保持するようになっており、このの
ち駆動源によって回転駆動部6を介して前記保持部5が
回転駆動部6の軸心を中心として回転される。Next, the operation of the above will be described. In the polishing apparatus configured as described above, first, the wafer 2 is transferred by a transfer member (not shown) and transferred to the wafer holding member 3. That is, the wafer holding member 3 holds the transported wafer 2 on the upper surface of the holding unit 5 by means such as suction, and then the holding unit 5 is rotated by the driving source via the rotation driving unit 6. It is rotated about the axis of the rotation drive unit 6.
【0019】一方、前記支持部材4は、水平方向移動源
(図示せず)によって、ウエハ保持部材3から離間して
いる状態から接近した状態にウエハ保持部材3の回転軸
心に向かって移動し、これによりウエハ2のエッジ部2
aが支持部材4の支持部8の溝7に対向するようにな
る。なお、ウエハ保持部材3の周囲に複数の支持部材4
を配設した場合には、それぞれの支持部材4を同時に移
動させてウエハ保持部材3に接近・離間させるのが好ま
しく、ウエハ2のエッジ部2aの複数箇所に研磨帯12
が同時に当接可能となる。On the other hand, the support member 4 is moved toward the rotation axis of the wafer holding member 3 from a state of being separated from the wafer holding member 3 by a horizontal movement source (not shown). This allows the edge portion 2 of the wafer 2
a comes to face the groove 7 of the support portion 8 of the support member 4. A plurality of support members 4 are provided around the wafer holding member 3.
When the wafers 2 are provided, it is preferable that the respective support members 4 are simultaneously moved so as to approach and separate from the wafer holding member 3.
Can be contacted at the same time.
【0020】さらに、前記支持部材4には上下部にガイ
ド部11、11が設けられ、一方のガイド部11には、
巻回された研磨帯12の端部が引き出されたガイドロー
ラ13および軸10で案内されて支持部8に位置し、こ
ののち他方のガイド部11の軸10およびガイドローラ
13を介して巻回されている。したがって、支持部8に
設けられた溝7に対向しているウエハ2のエッジ部2a
は、溝7との間に研磨帯12が介在した状態となってい
る。Further, guide portions 11 and 11 are provided on the upper and lower portions of the support member 4, and one guide portion 11 has
The end portion of the wound polishing band 12 is guided by the drawn-out guide roller 13 and the shaft 10 and is positioned on the support portion 8. Thereafter, the end portion is wound via the shaft 10 of the other guide portion 11 and the guide roller 13. Have been. Therefore, the edge portion 2a of the wafer 2 facing the groove 7 provided in the support portion 8
Is in a state in which a polishing band 12 is interposed between the groove 7 and the groove 7.
【0021】そして、支持部材4がウエハ保持部材3に
向かって接近することで、ウエハ保持部材3の保持部5
に保持されたウエハ2は、そのエッジ部2aが研磨帯1
2の当接した部分を押圧して溝7内に位置することにな
る。この状態で前記ウエハ保持部材3の回転駆動部6が
回転すると研磨帯12の押圧している部位によって擦ら
れてウエハ2のエッジ部2aは研磨されるものである。When the support member 4 approaches the wafer holding member 3, the holding portion 5 of the wafer holding member 3 is moved.
The edge 2a of the wafer 2 held in the
The contact portion 2 is pressed to be located in the groove 7. When the rotation driving unit 6 of the wafer holding member 3 rotates in this state, the edge portion 2a of the wafer 2 is polished by being rubbed by the pressing portion of the polishing band 12.
【0022】前記ウエハ2のエッジ部2aは溝7の形状
に応じて上下面および端面の所定の部位が押圧されるの
でその押圧される部位が研磨されることになる。したが
って、研磨したいエッジ部2aの形状に応じた溝7を支
持部8に穿設しておけばどのようなウエハ2のエッジ部
2aであっても研磨することができる。In the edge portion 2a of the wafer 2, predetermined portions on the upper and lower surfaces and the end surface are pressed according to the shape of the groove 7, so that the pressed portion is polished. Therefore, if the groove 7 corresponding to the shape of the edge portion 2a to be polished is formed in the support portion 8, the edge portion 2a of any wafer 2 can be polished.
【0023】そして、研磨によって研磨帯12のうちの
研磨に供せられた部位が磨耗した場合には研磨帯12を
一方に巻き取って新しい部位を溝7に対向させ、再び研
磨に供するものである。したがって、常に最適な研磨帯
12でウエハ2のエッジ部2aを研磨することができる
ので、エッジ部2aの研磨の良好性を確保することがで
きる。この場合、所定の時間ごとに研磨帯を巻き取るこ
とや、あるいはウエハ保持部材3の所定の回転ごとに研
磨帯を巻き取ったり、種々なことを採用することができ
る。When the portion of the polishing band 12 subjected to polishing is worn out by polishing, the polishing band 12 is wound around one side, a new portion is opposed to the groove 7, and the polishing band is again subjected to polishing. is there. Therefore, the edge portion 2a of the wafer 2 can always be polished with the optimum polishing band 12, so that good polishing of the edge portion 2a can be ensured. In this case, it is possible to employ various things, such as winding the polishing band every predetermined time or winding the polishing band every predetermined rotation of the wafer holding member 3.
【0024】図4および図5にはこの発明の他の実施の
形態が示されていて、図4はウエハのエッジ部を研磨す
る以前の状態を示す概略図、図5はウエハのエッジ部を
研磨している状態を示す概略図である。この実施の形態
に示す基板エッジ部の研磨装置21にあっては、ウエハ
保持部材23は前記実施の形態と同様に保持部25と回
転駆動部26とを有している。FIGS. 4 and 5 show another embodiment of the present invention. FIG. 4 is a schematic diagram showing a state before the edge of the wafer is polished, and FIG. It is the schematic which shows the state which is being grind | polished. In a polishing apparatus 21 for a substrate edge portion shown in this embodiment, a wafer holding member 23 has a holding portion 25 and a rotation driving portion 26 as in the above embodiment.
【0025】一方、支持部材24は、上下方向に起立し
た基部27の上部に内方への突出部28を一体に形成し
てある。また、この基部27の内方側の側面に設けたガ
イド部40には所定の間隔となっている一対の固定部3
1、31が、その間隔を保持したままで上下動可能に設
けられている。さらに、前記一対の固定部31、31の
間には固定部31に対して上下動可能に支持部41が設
けられるとともに、前記上側の固定部31との間にはば
ね等の付勢部材32が配設されている。そして、前記下
側の固定部31と支持部41とには当接部30a、30
bが配設されている。さらに、前記一対の当接部30
a、30bには対向しているテーパ部29a、29bが
形成されている。なお、両当接部30a、30bは常態
で互いに接近あるいは当接していても良いものである。On the other hand, the support member 24 is formed integrally with an inwardly protruding portion 28 on an upper portion of a base 27 which stands upright. A guide portion 40 provided on the inner side surface of the base portion 27 has a pair of fixed portions 3 at predetermined intervals.
1, 31 are provided so as to be able to move up and down while maintaining the interval. Further, a supporting portion 41 is provided between the pair of fixing portions 31, 31 so as to be vertically movable with respect to the fixing portion 31, and an urging member 32 such as a spring is provided between the pair of fixing portions 31, 31. Are arranged. The lower fixing portion 31 and the supporting portion 41 are in contact with the contact portions 30a, 30a.
b is provided. Further, the pair of contact portions 30
Tapered portions 29a and 29b facing each other are formed on the portions a and 30b. The contact portions 30a and 30b may be close to or in contact with each other in a normal state.
【0026】したがって、上側および下側の当接部30
a、30bは前記ばね等の付勢部材32によって当接あ
るいは接近した状態で保持されるとともに、両当接部3
0a、30bのテーパ部29a、29b間でV字状の溝
43が形成され、この溝43はウエハ2のエッジ部2a
と合致するようになっている。Therefore, the upper and lower contact portions 30
a and 30b are held in contact with or close to each other by an urging member 32 such as the spring, and both contact portions 3
A V-shaped groove 43 is formed between the tapered portions 29a and 29b of the wafer 2a.
Is to match.
【0027】さらに、前記固定部31の上方の基部27
には先端にローラ33が設けられたガイド部34が一体
に設けられ、さらに、このガイド部34の上部に位置す
る前記突出部28には、シリンダ35が設けられ、この
シリンダ35の作動部35aには前記ガイド部34の上
面に押圧可能な押付け部36が設けられている。Further, the base 27 above the fixing portion 31
Is integrally provided with a guide portion 34 provided with a roller 33 at the tip thereof. Further, a cylinder 35 is provided on the protruding portion 28 located above the guide portion 34, and an operating portion 35a of the cylinder 35 Is provided with a pressing portion 36 which can be pressed on the upper surface of the guide portion 34.
【0028】また、前記一対の当接部30a、30bの
下方には両当接部30a、30bの端面29cに当接す
る研磨帯37を案内する一対のガイドローラ38が設け
られ、このガイドローラ38の外方には繰り出しおよび
巻き取り可能に巻回した研磨帯37を保持する保持部
(図示せず)が設けられている。Below the pair of contact portions 30a and 30b, there is provided a pair of guide rollers 38 for guiding the polishing band 37 contacting the end surfaces 29c of the both contact portions 30a and 30b. Is provided with a holding portion (not shown) for holding the polishing band 37 wound so as to be able to be fed and wound up.
【0029】上記のように構成されたこの実施の形態に
よるウエハエッジ部の研磨装置の作動について説明す
る。まず、両方の保持部間に研磨帯37を位置するもの
であり、一方の保持部に巻回した研磨帯37を位置して
端部を繰り出して一対のガイドローラ38間に位置す
る。なお、この一対のガイドローラ38は研磨帯37を
挟持するようになっている。The operation of the apparatus for polishing a wafer edge portion according to this embodiment configured as described above will be described. First, the polishing band 37 is positioned between the two holding portions. The polishing band 37 wound around one of the holding portions is positioned, and the end is extended to be positioned between the pair of guide rollers 38. Note that the pair of guide rollers 38 is configured to sandwich the polishing band 37.
【0030】この後、研磨帯37は両当接部30a、3
0bの端面29cと当接したのちにローラ33に達し、
さらに、前記ガイド部34の上面を通って基部27に設
けた孔27aを挿通して他方の保持部に巻き取られるよ
うにする。これと同時に前記シリンダ35の作動部35
aが突出して押付け部36をガイド部34に押し付け、
これにより前記一対のガイドローラ38間と、押付け部
36およびガイド部34の間とで研磨帯37を挟持して
研磨帯37が移動しないようにする。なお、前記研磨帯
37は研磨に供された部位が順次ローラ33を通過して
巻き取られる場合のみでなく、それとは逆にローラ33
を順次通過した部位が研磨に供されたのちにガイドロー
ラ38を通過して巻き取られるように構成しても良く、
いずれの場合であっても研磨時には研磨帯37はその移
動が一旦停止されるものである。After that, the polishing band 37 is connected to both contact portions 30a, 3a.
0b reaches the roller 33 after coming into contact with the end surface 29c,
Further, a hole 27a provided in the base 27 is inserted through the upper surface of the guide portion 34 so as to be wound around the other holding portion. At the same time, the operating portion 35 of the cylinder 35
a protrudes and presses the pressing portion 36 against the guide portion 34,
Thus, the polishing band 37 is sandwiched between the pair of guide rollers 38 and between the pressing portion 36 and the guide portion 34 so that the polishing band 37 does not move. Note that the polishing band 37 is not limited to the case where the portion subjected to polishing is sequentially wound and passed through the roller 33, and conversely,
May be configured to be wound and then passed through the guide roller 38 after the portion sequentially passing through is subjected to polishing,
In any case, at the time of polishing, the movement of the polishing band 37 is temporarily stopped.
【0031】一方、前記ウエハ保持部材23の保持部2
5には図示しない搬送部材によってウエハ2が、たとえ
ば、吸着保持されている。上記のような準備が終了した
時点で、前記支持部材24をウエハ保持部材23の方に
移動して、ウエハ2のエッジ部2aを研磨帯37と当接
させる。さらに支持部材24を移動すると、ウエハ2の
エッジ部2aが研磨帯37を介して両当接部30a、3
0bを押圧する。On the other hand, the holding portion 2 of the wafer holding member 23
The wafer 2 is held, for example, by suction at a transfer member 5 (not shown). When the above preparation is completed, the support member 24 is moved toward the wafer holding member 23 so that the edge 2 a of the wafer 2 is brought into contact with the polishing band 37. When the support member 24 is further moved, the edge portion 2a of the wafer 2 is brought into contact with the two contact portions 30a,
Press 0b.
【0032】この時、ウエハ2のエッジ部2aは、付勢
部材32の付勢力の作用で研磨帯37で掴持されるよう
に押圧され、しかも、両当接部30a、30bのテーパ
部29a、29bによって略同一の力で研磨帯37が押
圧されることになる。さらに、両当接部30a、30b
は基板27に対して上下動可能になっているので両当接
部30a、30b間で形成される溝43がウエハ2のエ
ッジ部2aに対して上下方向にずれた場合であっても両
当接部30a、30bで形成される溝43は追従するよ
うになっている。At this time, the edge 2a of the wafer 2 is pressed by the action of the urging force of the urging member 32 so as to be gripped by the polishing band 37, and the taper 29a of the abutting portions 30a, 30b. , 29b press the polishing band 37 with substantially the same force. Further, both contact portions 30a, 30b
Is movable up and down with respect to the substrate 27, so that even if the groove 43 formed between the contact portions 30a and 30b is vertically displaced with respect to the edge 2a of the wafer 2, The groove 43 formed by the contact portions 30a and 30b follows.
【0033】したがって、ウエハ2のエッジ部2aの上
下面は略同一の力で研磨帯37を押圧し、一方、ウエハ
2のエッジ部2aの端面には研磨帯37が押圧されるの
で、ウエハ2のエッジ部2aは確実に研磨帯37で押圧
されて研磨される。Therefore, the upper and lower surfaces of the edge 2a of the wafer 2 press the polishing band 37 with substantially the same force, while the polishing band 37 is pressed against the end surface of the edge 2a of the wafer 2. Edge portion 2a is reliably pressed by the polishing band 37 and polished.
【0034】そして、図5に示すように、ウエハのエッ
ジ部にノズル44等からスラリーを供給することで研磨
状態を良好にすることもできる。さらに、前記実施の形
態と同様に、研磨中は研磨帯の送り出しを停止し、ある
程度磨耗した時点で送って新しい部分を表出させるよう
に構成したり、あるいは研磨作業ごとに所定ピッチだけ
送るように間欠送りをしてもよく、これらの動作に関し
ては従来公知の種々の手段を採用することができる。こ
のように構成することで研磨帯を効率良く使用できてコ
ストを低くすることができる。Then, as shown in FIG. 5, by supplying the slurry to the edge portion of the wafer from the nozzle 44 or the like, the polishing state can be improved. Further, similarly to the above-described embodiment, during the polishing, the feeding of the polishing band is stopped, and when the polishing belt is worn to some extent, the feeding is performed so that a new portion is exposed. In this case, conventionally known various means can be adopted for these operations. With this configuration, the polishing band can be used efficiently and the cost can be reduced.
【0035】図6には両当接部30a、30bが互いに
近接するようにばね等の付勢部材32を作用させて両当
接部30a、30bが研磨帯37を介してウエハエッジ
部を掴持する他の形態が示されており、前記実施の形態
と同一の部材には同一の番号を付して説明は省略する。In FIG. 6, a biasing member 32 such as a spring is applied so that the contact portions 30a and 30b come close to each other, and the contact portions 30a and 30b grip the wafer edge portion via the polishing band 37. Another embodiment is shown, and the same members as those in the above embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.
【0036】この形態にあっては、基部27の内方側に
設けたガイド部40にそれぞれ上下動可能な一対の固定
部31、31を配設し、この一対の固定部31、31
に、それぞれ当接部30a、30bを配設してある。ま
た、両当接部30a、30bは前記実施の形態と同様に
対向するテーパ部29a、29bがそれぞれ形成されて
いる。そして、両当接部30a、30b間にはばね等の
付勢部材32が配設されて、両当接部30a、30bが
互いに接近するように付勢されている。なお、両当接部
30a、30bは常態で互いに接近したり、あるいは接
触していても良いものである。In this embodiment, a pair of fixed parts 31, 31 which can be moved up and down respectively are arranged on a guide part 40 provided on the inner side of the base part 27, and the pair of fixed parts 31, 31 is provided.
Are provided with contact portions 30a and 30b, respectively. The abutting portions 30a and 30b are formed with opposing tapered portions 29a and 29b, respectively, as in the above-described embodiment. An urging member 32 such as a spring is disposed between the contact portions 30a and 30b, and the contact members 30a and 30b are urged to approach each other. The contact portions 30a and 30b may be close to each other or may be in contact with each other in a normal state.
【0037】このように構成することで、両当接部30
a、30bは、洗濯挟みのような状態でガイド部40に
沿って上下動可能であり、これにより、両当接部30
a、30bのテーパ部29a、29bで形成されるV字
状の溝43が、ウエハ2のエッジ部2aに対してずれた
場合でも確実に追従して研磨帯37を介してウエハ2の
エッジ部2aを掴持することができる。With this configuration, both contact portions 30
a, 30b can be moved up and down along the guide portion 40 in a state like a clothespin, so that both contact portions 30
The V-shaped groove 43 formed by the tapered portions 29a and 29b of the wafers 2a and 2b reliably follows the edge 2a of the wafer 2 through the polishing band 37 even if it is displaced from the edge 2a of the wafer 2. 2a can be grasped.
【0038】なお、いずれの場合であっても前記ガイド
部34を弾性を有するように構成しておけば、巻回した
研磨帯37を繰り出し、および巻き取りを停止した状態
でウエハ2のエッジ部2aを押圧させれば、ガイド部3
4の弾性力が作用することになるので、より大きな押圧
力で研磨帯37とウエハ2のエッジ部2aとを当接させ
て研磨することができる。In any case, if the guide portion 34 is configured to have elasticity, the wound polishing band 37 is fed out and the edge portion of the wafer 2 is stopped in a state where the winding is stopped. 2a, the guide portion 3
Since the elastic force of 4 acts, the polishing band 37 can be brought into contact with the edge portion 2a of the wafer 2 with a larger pressing force to perform polishing.
【0039】上記の各実施の形態に示すように構成する
と、ウエハのエッジ部で研磨帯を押圧するだけで、溝自
体がウエハのエッジ部の形状に合致するようになってい
るのでウエハのエッジ部を下向き傾斜状態、水平状態、
および、上向き傾斜状態に傾斜させることなく研磨帯が
確実にウエハのエッジ部に押圧して研磨することができ
る。したがって、ウエハのエッジ部がラウンド状の場合
や、台形状の場合であっても、溝自体の形状をそれに合
致するように構成することで研磨帯が確実にウエハのエ
ッジ部に押圧して研磨することができる。With the structure shown in each of the above embodiments, the groove itself conforms to the shape of the wafer edge only by pressing the polishing band at the edge of the wafer. Part tilted downward, horizontal,
In addition, the polishing band can be reliably pressed against the edge portion of the wafer and polished without being inclined upward. Therefore, even when the edge of the wafer is round or trapezoidal, the groove is surely pressed against the edge of the wafer by forming the groove so that it conforms to the shape of the groove itself. can do.
【0040】なお、前記各実施の形態においては、ウエ
ハを支持するウエハ保持部材と研磨帯を支持する支持部
材とのうちの支持部材をウエハ保持部材に対して接離す
るように構成したが、この逆であっても良く、また、接
離させるための移動機構に関しては、従来公知の移動部
材側にワイヤおよびバランスウェイトを使用して、この
バランスウェイトによって移動部材を移動させ、また、
シリンダによって元の状態に復帰させる機構等の種々な
機構を採用することができる。さらに、支持部材を複数
配設しておいて、研磨時には各支持部材がウエハのエッ
ジ部に近寄って研磨するように構成することで研磨時間
を大幅に短縮することができる。In each of the above embodiments, the support member of the wafer holding member for supporting the wafer and the support member for supporting the polishing band is configured to be brought into contact with and separated from the wafer holding member. The reverse may be the case, and with respect to the moving mechanism for moving the moving member in and out, a wire and a balance weight are used on the conventionally known moving member side, and the moving member is moved by the balance weight.
Various mechanisms such as a mechanism for returning to the original state by the cylinder can be employed. Further, a plurality of support members are provided, and each of the support members is polished near the edge of the wafer during polishing, so that the polishing time can be greatly reduced.
【0041】[0041]
【発明の効果】この発明は前記のように構成したことに
より、この発明による方法にあっては、基板のエッジ部
が順次繰り出し可能となっている研磨帯を溝に押圧さ
せ、この状態で基板を回転させるようにしたので、研磨
帯が磨耗した時には研磨帯の新しい部位を表出すること
ができるので研磨効率が良いものである。また、この発
明による装置にあっては、上記のように溝を研磨帯に形
成する必要がなく、基板のエッジ部が支持部材に形成し
た溝に研磨帯を押圧することで基板のエッジ部を研磨す
ることができるので研磨帯の製造コストを低くすること
ができるとともに、ある程度磨耗した時は順次研磨帯の
新しい部位を表出させることができて研磨帯の全体を効
率良く使用することができ、製造コストおよびランニン
グコスト低くすることができる。また、この発明による
装置にあっては、一対の当接部の間で溝が形成され、し
かもこの溝の入口部には研磨帯が覆っているので、研磨
帯に溝を形成することがなくて研磨帯の製造コストを低
くすることができるとともに、ある程度磨耗した時は順
次新しい部位を表出させることができて研磨帯の全体を
効率良く使用することができる。そして、基板のエッジ
部を研磨帯に押圧することで一方の当接部に対して他方
の当接部が付勢部材の付勢力に抗して接近、離間するの
で溝を大きくしたり、あるいは小さくすることができ、
全ての基板のエッジ部に対応することができ、しかもこ
の時両突出部自体が上下動可能になっているので溝に対
して基板のエッジ部が上下方向にずれている場合であっ
ても確実に追従させることができる。また、支持部材に
溝を形成した場合や、両当接部間で溝を構成した場合で
あっても、溝自体を基板のエッジ部の形状に合致するよ
うにできるので基板のエッジ部を下向き傾斜状態、水平
状態、および、上向き傾斜状態に傾斜させることなく研
磨帯が確実に基板のエッジ部に押圧して基板のエッジ部
を研磨することができる。したがって、基板のエッジ部
がラウンド状の場合や、台形状の場合であっても、溝自
体の形状をそれに合致するように構成することで研磨帯
が確実に基板のエッジ部に押圧して研磨することができ
る。さらに、基板保持部材は基板の片面のみを支持して
いるので基板に対して接触シミ等を少なくすることがで
きるという効果を有している。According to the present invention having the above-described structure, in the method according to the present invention, a polishing strip whose edge portion of the substrate can be sequentially fed out is pressed against the groove. Is rotated, so that when the polishing band is worn, a new portion of the polishing band can be exposed, so that the polishing efficiency is high. Further, in the apparatus according to the present invention, it is not necessary to form the groove in the polishing band as described above, and the edge portion of the substrate presses the polishing band into the groove formed in the support member to form the edge portion of the substrate. Since the polishing band can be polished, the manufacturing cost of the polishing band can be reduced, and when abrasion occurs to some extent, a new portion of the polishing band can be sequentially exposed, so that the entire polishing band can be used efficiently. , Manufacturing costs and running costs can be reduced. Further, in the device according to the present invention, a groove is formed between the pair of abutting portions, and the polishing band is covered at the entrance of the groove, so that no groove is formed in the polishing band. As a result, the manufacturing cost of the polishing band can be reduced, and when it has been worn to some extent, a new portion can be sequentially exposed, so that the entire polishing band can be used efficiently. Then, by pressing the edge portion of the substrate against the polishing band, the other contact portion approaches and separates from one contact portion against the urging force of the urging member, so that the groove is enlarged, or Can be smaller,
It can cope with the edges of all substrates, and at this time, since both protruding parts themselves can move up and down, even if the edges of the substrate are displaced vertically with respect to the grooves, Can be followed. Even when a groove is formed in the support member or when a groove is formed between both abutting portions, the groove itself can be made to conform to the shape of the edge of the substrate, so that the edge of the substrate is directed downward. The polishing band can be reliably pressed against the edge of the substrate without being inclined to the inclined state, the horizontal state, and the upward inclined state, and the edge of the substrate can be polished. Therefore, even when the edge portion of the substrate is round or trapezoidal, by configuring the shape of the groove itself to match it, the polishing band is reliably pressed against the edge portion of the substrate and polished. can do. Further, since the substrate holding member supports only one surface of the substrate, it has an effect that contact stains and the like can be reduced with respect to the substrate.
【図1】この発明による実施の形態であるウエハエッジ
部の研磨装置を示す概略図である。FIG. 1 is a schematic view showing a polishing apparatus for a wafer edge portion according to an embodiment of the present invention.
【図2】この発明に用いた支持部材を示す概略図であ
る。FIG. 2 is a schematic view showing a support member used in the present invention.
【図3】研磨装置が移動してウエハのエッジ部を研磨す
る状態を示す概略図である。FIG. 3 is a schematic view showing a state in which a polishing apparatus moves to polish an edge portion of a wafer.
【図4】この発明による他の実施の形態を示し、ウエハ
のエッジ部を研磨する以前の状態を示す概略図である。FIG. 4 is a schematic view showing another embodiment of the present invention and showing a state before polishing an edge portion of a wafer.
【図5】図4に示すもののウエハのエッジ部を研磨して
いる状態を示す概略図である。FIG. 5 is a schematic view showing a state in which the edge portion of the wafer shown in FIG. 4 is being polished.
【図6】図4に示すものの当接部の他の実施の形態を示
す概略図である。FIG. 6 is a schematic view showing another embodiment of the contact portion shown in FIG.
1、21……研磨装置 2……ウエハ 2a……エッジ部 3、23……ウエハ保持部材 4、24……支持部材 5、25……保持部 6、26……回転駆動部 7、43……溝 8……支持部 9……支持板 10……軸 11、34……ガイド部 12、37……研磨帯 13、38……ガイドローラ 27……基部 27a……孔 28……突出部 29a、29b……テーパ部 29c……端面 30a、30b……当接部 31……固定部 32……付勢部材 33……ローラ 35……シリンダ 35a……作動部 36……押付け部 40……ガイド部 41……支持部 44……ノズル 1, 21 Polishing device 2 Wafer 2a Edge portion 3, 23 Wafer holding member 4, 24 Support member 5, 25 Holding unit 6, 26 Rotation driving unit 7, 43 ... Groove 8... Supporting part 9. 29a, 29b Tapered section 29c End face 30a, 30b Contact section 31 Fixed section 32 Biasing member 33 Roller 35 Cylinder 35a Operating section 36 Pressing section 40 … Guide 41… Support 44… Nozzle
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 市川 雅弘 神奈川県綾瀬市早川2647 スピードファ ム・アイペック株式会社内 (72)発明者 清水 俊邦 神奈川県綾瀬市早川2647 スピードファ ム・アイペック株式会社内 Fターム(参考) 3C049 AA05 AA14 AB09 CA01 CA02 CA05 CB03 CB05 3C058 AA05 AA14 AB09 CA05 CB03 CB05 DA18 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Masahiro Ichikawa 2647 Hayakawa Hayakawa, Ayase City, Kanagawa Prefecture Inside (72) Inventor Toshikuni Shimizu 2647 Hayakawa Hayakawa, Ayase City, Kanagawa Prefecture Inside F Speed Ipec Corporation Terms (reference) 3C049 AA05 AA14 AB09 CA01 CA02 CA05 CB03 CB05 3C058 AA05 AA14 AB09 CA05 CB03 CB05 DA18
Claims (5)
板のエッジ部で、このエッジ部を受け入れる溝とこの溝
を覆っているとともに、順次繰り出し可能となっている
研磨帯とを有する支持部材の前記研磨帯を溝に押付け、
前記研磨帯の繰り出しを停止した状態で前記基板を回転
させて基板のエッジ部を研磨するようにしたことを特徴
とする基板エッジ部の研磨方法。1. A support member having an edge portion of a substrate rotatably held by a substrate holding member, a groove for receiving the edge portion, and a polishing band covering the groove and capable of being sequentially fed out. Pressing the polishing strip of the above into the groove,
A method for polishing an edge portion of a substrate, wherein the substrate is rotated while the feeding of the polishing band is stopped, and the edge portion of the substrate is polished.
持部材と、この基板保持部材に対して相対的に接離可能
な支持部材とを有し、該支持部材に、基板のエッジ部を
受け入れる溝を形成するとともに、該溝を覆う研磨帯を
配設したことを特徴とする基板エッジ部の研磨装置。2. A substrate holding member for rotatably holding one side of a substrate, and a supporting member which can be relatively moved toward and away from the substrate holding member, wherein the supporting member has an edge portion of the substrate. A polishing apparatus for an edge portion of a substrate, wherein a groove for receiving the groove is formed and a polishing band covering the groove is provided.
持部材と、この基板保持部材に対して相対的に接離可能
な支持部材とを有し、該支持部材は、基部と、該基部の
片面に上下動可能に突設された一対の当接部を有し、該
一対の当接部は互いに接離可能であるとともに、両当接
部間で協働して基板のエッジ部を受け入れる溝を形成
し、さらに、該溝を覆う研磨帯を配設したことを特徴と
する基板エッジ部の研磨装置。3. A substrate holding member for rotatably holding one side of a substrate, and a supporting member which can be relatively moved toward and away from the substrate holding member, wherein the supporting member includes a base and the base. Has a pair of abutting portions projecting from one side thereof so as to be vertically movable, the pair of abutting portions can be separated from and separated from each other, and the edge portions of the substrate cooperate between the two abutting portions. A polishing device for a substrate edge portion, wherein a groove for receiving the groove is formed, and a polishing band covering the groove is provided.
一方側に位置して端部が順次繰り出されるとともに、溝
を覆ったのちの端部は溝の他方側に位置して順次巻き取
られるようになっている請求項2または3記載の基板エ
ッジ部の研磨装置。4. The polishing band is positioned on one side of the groove in a wound state and the end is sequentially fed out, and the end after covering the groove is positioned on the other side of the groove and sequentially. 4. The apparatus for polishing a substrate edge portion according to claim 2, wherein the substrate is wound up.
取りは、前記基板のエッジ部により溝に押付けられた研
磨時に停止するようになっている請求項4記載の基板エ
ッジ部の研磨装置。5. The apparatus for polishing a substrate edge portion according to claim 4, wherein the feeding and winding of the polishing band are stopped at the time of polishing pressed against the groove by the edge portion of the substrate.
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