JP2001194418A - Ｉｃの球状電極端子用接触子の構造および製造方法 - Google Patents
Ｉｃの球状電極端子用接触子の構造および製造方法Info
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- JP2001194418A JP2001194418A JP2000034158A JP2000034158A JP2001194418A JP 2001194418 A JP2001194418 A JP 2001194418A JP 2000034158 A JP2000034158 A JP 2000034158A JP 2000034158 A JP2000034158 A JP 2000034158A JP 2001194418 A JP2001194418 A JP 2001194418A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】微細なベアチップやＢＧＡの球状電極端子と電
気接続を行なうための接触子（コンタクト）の構造およ
びその製造方法を実現する。 【解決手段】配線基板４上に有機材料からなるコンタク
トピン破壊防止隔壁８を積層し、コンタクト領域９には
めっき法もしくはワイヤボンデイング法で作成した微細
なコンタクトピン７を形成させた構造とする。本コンタ
クトの構造によれば微細なコンタクトピンの破壊防止が
可能であり、また、プリント基板やセラミック基板の製
造プロセスを利用できるので生産性もよい。
気接続を行なうための接触子（コンタクト）の構造およ
びその製造方法を実現する。 【解決手段】配線基板４上に有機材料からなるコンタク
トピン破壊防止隔壁８を積層し、コンタクト領域９には
めっき法もしくはワイヤボンデイング法で作成した微細
なコンタクトピン７を形成させた構造とする。本コンタ
クトの構造によれば微細なコンタクトピンの破壊防止が
可能であり、また、プリント基板やセラミック基板の製
造プロセスを利用できるので生産性もよい。
Description
【０００１】本発明はＩＣ製造工程途中におけるＩＣウ
エハあるいはベアチップの電極端子、又は、ＩＣパッケ
ージの電極端子に電気接続を行い、電気特性試験もしく
はバーンイン試験を行うために用いるプローブカード又
はＩＣソケットの接触子（コンタクト）に関するもので
ある。
エハあるいはベアチップの電極端子、又は、ＩＣパッケ
ージの電極端子に電気接続を行い、電気特性試験もしく
はバーンイン試験を行うために用いるプローブカード又
はＩＣソケットの接触子（コンタクト）に関するもので
ある。
【０００２】ＩＣウエハ製造工程において発生する信頼
度不良を除去するため、従来はＩＣを組立した後、バー
ンイン試験が実施されている。近年、電子機器の小型
化、薄型化が進むにつれベアチップ実装のニーズが高ま
ってきている。一方、ベアチップ実装を行なう半導体ユ
ーザーから半導体メーカーに対して、ウエハ状態あるい
は単体のチップに切断したベアチップ状態でバーンイン
試験済の良品チップの出荷要求が強く出されるようにな
ってきた。前記ベアチップ実装用ＩＣの電極端子として
球状のはんだや金のバンプがある。これら球状電極端子
の配列ピッチは約１００マイクロメートル程度と微細で
ある。
度不良を除去するため、従来はＩＣを組立した後、バー
ンイン試験が実施されている。近年、電子機器の小型
化、薄型化が進むにつれベアチップ実装のニーズが高ま
ってきている。一方、ベアチップ実装を行なう半導体ユ
ーザーから半導体メーカーに対して、ウエハ状態あるい
は単体のチップに切断したベアチップ状態でバーンイン
試験済の良品チップの出荷要求が強く出されるようにな
ってきた。前記ベアチップ実装用ＩＣの電極端子として
球状のはんだや金のバンプがある。これら球状電極端子
の配列ピッチは約１００マイクロメートル程度と微細で
ある。
【０００３】また、ＩＣパッケージについては電極端子
数が増加する傾向にあり、この傾向に対応して、図１に
示すようにＩＣパッケージボデイ１ａの下部に球状電極
端子１ｂを格子状に配列したＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉ
ｄ Ａｒｒａｙ）パッケージが増加してきているが、電
極端子数の増加にともない電極端子のピッチは年々狭く
なる動向である。
数が増加する傾向にあり、この傾向に対応して、図１に
示すようにＩＣパッケージボデイ１ａの下部に球状電極
端子１ｂを格子状に配列したＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉ
ｄ Ａｒｒａｙ）パッケージが増加してきているが、電
極端子数の増加にともない電極端子のピッチは年々狭く
なる動向である。
【０００４】一方、バーンイン試験や電気特性試験を行
う時、接触子（コンタクト）をＩＣの電極端子に機械的
な力で押し付け、前記各試験用の回路と電気的な結合を
行う。このコンタクトにもとめられる基本的な要求事項
としては、寿命が長いこと、電気抵抗が小さいことなど
があげられる。
う時、接触子（コンタクト）をＩＣの電極端子に機械的
な力で押し付け、前記各試験用の回路と電気的な結合を
行う。このコンタクトにもとめられる基本的な要求事項
としては、寿命が長いこと、電気抵抗が小さいことなど
があげられる。
【０００５】ピン形状のコンタクト（コンタクトピンと
よぶ）の場合、その寿命を確保するには、曲がり、折れ
などの破損が少ないことが必須条件であるが、前記のご
とく電極端子のピッチは狭くなってきており、微細かつ
破壊防止できる構造のコンタクトピンの開発が望まれて
いた。
よぶ）の場合、その寿命を確保するには、曲がり、折れ
などの破損が少ないことが必須条件であるが、前記のご
とく電極端子のピッチは狭くなってきており、微細かつ
破壊防止できる構造のコンタクトピンの開発が望まれて
いた。
【０００６】また、一般にコンタクトの電気抵抗を小さ
くするには、電気抵抗が小さなコンタクト材料を用いる
ことは当然であるが、接触抵抗を小さくするためには電
極端子表面に生成している薄い酸化膜層及び汚染物を除
去しなければならない。この方法として、コンタクトを
電極端子表面に押しつけた時、コンタクトが弾性変形し
電極端子表面を摺動することにより電極端子表面の酸化
膜及び汚染を除去することが有効であることが知られて
いる。このためには、小さな力で前記酸化膜及び汚染を
除去できるコンタクトの開発が望まれていた。
くするには、電気抵抗が小さなコンタクト材料を用いる
ことは当然であるが、接触抵抗を小さくするためには電
極端子表面に生成している薄い酸化膜層及び汚染物を除
去しなければならない。この方法として、コンタクトを
電極端子表面に押しつけた時、コンタクトが弾性変形し
電極端子表面を摺動することにより電極端子表面の酸化
膜及び汚染を除去することが有効であることが知られて
いる。このためには、小さな力で前記酸化膜及び汚染を
除去できるコンタクトの開発が望まれていた。
【０００７】従来、球形状の電極端子を有するベアチッ
プやＢＧＡパッケージに電気接続するコンタクトの方式
としては、図２（ａ）記載のごとくプレス加工など機械
加工で製造した割りピン方式コンタクトピン２間に電極
端子を押し込み、押し込む際にコンタクトの側面と電極
端子側面が摺動することにより電極端子の表面の酸化膜
を除去し、電極端子をコンタクトで挟持した状態で電気
接続する方式、図２（ｂ）記載のごとく、突当て方式コ
ンタクトピン３の角部に電極端子を押付けて電極端子表
面の酸化膜を突き破り、突き当てた状態で電気接続する
方式、図２（ｃ）記載のごとく平面状のパッド方式コン
タクト４に電極端子の底面を押し付け、パッドの押圧時
に電極端子表面の酸化膜を引き裂き露出させる圧接方式
が代表的である。
プやＢＧＡパッケージに電気接続するコンタクトの方式
としては、図２（ａ）記載のごとくプレス加工など機械
加工で製造した割りピン方式コンタクトピン２間に電極
端子を押し込み、押し込む際にコンタクトの側面と電極
端子側面が摺動することにより電極端子の表面の酸化膜
を除去し、電極端子をコンタクトで挟持した状態で電気
接続する方式、図２（ｂ）記載のごとく、突当て方式コ
ンタクトピン３の角部に電極端子を押付けて電極端子表
面の酸化膜を突き破り、突き当てた状態で電気接続する
方式、図２（ｃ）記載のごとく平面状のパッド方式コン
タクト４に電極端子の底面を押し付け、パッドの押圧時
に電極端子表面の酸化膜を引き裂き露出させる圧接方式
が代表的である。
【０００８】前記図２の各方式を押圧力と微細なコンタ
クトの製造容易性の面から比較すると次のようになる。
図２（ａ）の方式は、小さい押圧力で電気接続をえるこ
とが可能であるが、微細な割りピン方式コンタクトピン
２を機械加工で作るのは困難であり、また、多数のコン
タクトピンを用いるので組立作業に手間がかかるという
問題がある。図２（ｂ）の方式は割りピン方式コンタク
トピン２よりも突当て方式コンタクトピン３の製造が容
易であるが、押圧時に電極端子表面に大きな傷つけやす
いという問題がある。また、前記方式と同様に組立作業
に手間がかかるという問題がある。図２（ｃ）の方式は
プリント基板の製造プロセスを用いることができるので
比較的微細なコンタクトの製造が容易であるが、平面状
のパッド方式コンタクト４に電極端子を押し付けるだけ
なので、電極端子表面の酸化膜を除去するためには大き
な押圧力を要するという問題がある。
クトの製造容易性の面から比較すると次のようになる。
図２（ａ）の方式は、小さい押圧力で電気接続をえるこ
とが可能であるが、微細な割りピン方式コンタクトピン
２を機械加工で作るのは困難であり、また、多数のコン
タクトピンを用いるので組立作業に手間がかかるという
問題がある。図２（ｂ）の方式は割りピン方式コンタク
トピン２よりも突当て方式コンタクトピン３の製造が容
易であるが、押圧時に電極端子表面に大きな傷つけやす
いという問題がある。また、前記方式と同様に組立作業
に手間がかかるという問題がある。図２（ｃ）の方式は
プリント基板の製造プロセスを用いることができるので
比較的微細なコンタクトの製造が容易であるが、平面状
のパッド方式コンタクト４に電極端子を押し付けるだけ
なので、電極端子表面の酸化膜を除去するためには大き
な押圧力を要するという問題がある。
【０００９】前記図２の各方式を微細なコンタクトの破
壊防止という観点から比較すると次のようになる。図２
（ａ）（ｂ）の方式はセパレータ５が各コンタクトピン
を保護しているので機械的な破壊の恐れは小さいが微細
なセパレータ５の製造が困難である。図２（ｃ）の方式
はコンタクトの形状そのものが破壊しにくい形状なので
コンタクトの破壊という問題は少ない。また、図２の各
方式は別途作成したセパレータ５を用いているので部品
点数が増加する。
壊防止という観点から比較すると次のようになる。図２
（ａ）（ｂ）の方式はセパレータ５が各コンタクトピン
を保護しているので機械的な破壊の恐れは小さいが微細
なセパレータ５の製造が困難である。図２（ｃ）の方式
はコンタクトの形状そのものが破壊しにくい形状なので
コンタクトの破壊という問題は少ない。また、図２の各
方式は別途作成したセパレータ５を用いているので部品
点数が増加する。
【００１０】このように、従来技術のコンタクト方式は
微細構造の製造性、小押圧力、コンタクトの破壊防止の
各要求事項を同時に満足するものではない。本発明は、
ウエハ、ベアチップ、ＢＧＡなどの微細かつ破損しやす
い球状電極端子に対応するコンタクトに関するものであ
り、小押圧力で電気接続を可能とする微細なコンタクト
およびコンタクトの破壊防止構造を有するコンタクトの
構造、および、その生産性のよい製造方法を提供するこ
とを目的とするものである。
微細構造の製造性、小押圧力、コンタクトの破壊防止の
各要求事項を同時に満足するものではない。本発明は、
ウエハ、ベアチップ、ＢＧＡなどの微細かつ破損しやす
い球状電極端子に対応するコンタクトに関するものであ
り、小押圧力で電気接続を可能とする微細なコンタクト
およびコンタクトの破壊防止構造を有するコンタクトの
構造、および、その生産性のよい製造方法を提供するこ
とを目的とするものである。
【００１１】請求項１は球状電極端子の側面を金属製の
コンタクトピンで挟持押圧して電気接続をえるコンタク
ト方式を対象とし、かつ、前記コンタクトピンを配線基
板上に配列するＩＣソケットもしくはプローブ基板にお
いて、球状電極端子をコンタクト部に差し込む時に、例
えば、コンタクト部とＩＣの位置合わせ誤差などによ
り、コンタクトピンを押し潰して破壊することがないよ
うに、各コンタクト部の間にコンタクトピン以上の高さ
のコンタクトピン破壊防止隔壁を設けた構造とする。ま
た前記コンタクトピン破壊防止隔壁は、配線基板上に積
層した有機材料とする。
コンタクトピンで挟持押圧して電気接続をえるコンタク
ト方式を対象とし、かつ、前記コンタクトピンを配線基
板上に配列するＩＣソケットもしくはプローブ基板にお
いて、球状電極端子をコンタクト部に差し込む時に、例
えば、コンタクト部とＩＣの位置合わせ誤差などによ
り、コンタクトピンを押し潰して破壊することがないよ
うに、各コンタクト部の間にコンタクトピン以上の高さ
のコンタクトピン破壊防止隔壁を設けた構造とする。ま
た前記コンタクトピン破壊防止隔壁は、配線基板上に積
層した有機材料とする。
【００１２】請求項２は前記配線基板上に前記コンタク
トピン破壊防止隔壁用有機材料を塗布もしくは貼付け
後、前記有機材料に穴加工を行ない、その穴内に前記コ
ンタクトピン用の金属をめっき処理により充填すること
によりコンタクトピンを作成し、さらに、コンタクトピ
ンを露出するために、前記コンタクトピン破壊防止隔壁
部以外の領域の有機材料を除去加工するコンタクトの製
造方法である。
トピン破壊防止隔壁用有機材料を塗布もしくは貼付け
後、前記有機材料に穴加工を行ない、その穴内に前記コ
ンタクトピン用の金属をめっき処理により充填すること
によりコンタクトピンを作成し、さらに、コンタクトピ
ンを露出するために、前記コンタクトピン破壊防止隔壁
部以外の領域の有機材料を除去加工するコンタクトの製
造方法である。
【００１３】請求項３は配線基板上にコンタクトピンを
ワイヤボンデイング方式によって作成し、その後、配線
基板上面及びコンタクトピン上に有機材料を塗布し、さ
らに、コンタクトピンを露出するために、前記コンタク
トピン破壊防止隔壁部以外の領域の有機材料を除去加工
するコンタクトの製造方法である。
ワイヤボンデイング方式によって作成し、その後、配線
基板上面及びコンタクトピン上に有機材料を塗布し、さ
らに、コンタクトピンを露出するために、前記コンタク
トピン破壊防止隔壁部以外の領域の有機材料を除去加工
するコンタクトの製造方法である。
【００１４】請求項４は請求項２、請求項３記載のコン
タクトピン破壊防止隔壁部以外の有機材料除去加工をレ
ーザ加工で行い、コンタクトピンの露出及び球状端子の
挿入部を形成する製造方法である。このレーザ加工条件
としては、レーザ照射時の温度上昇を有機材料の熱分解
温度以上でかつコンタクトピンの溶融温度以下にする熱
加工法もしくは、紫外線領域の波長のレーザを用いアブ
レーション加工によって、コンタクトピンには損傷を与
えず有機材料だけを除去することを特徴とするコンタク
トの製造方法である。
タクトピン破壊防止隔壁部以外の有機材料除去加工をレ
ーザ加工で行い、コンタクトピンの露出及び球状端子の
挿入部を形成する製造方法である。このレーザ加工条件
としては、レーザ照射時の温度上昇を有機材料の熱分解
温度以上でかつコンタクトピンの溶融温度以下にする熱
加工法もしくは、紫外線領域の波長のレーザを用いアブ
レーション加工によって、コンタクトピンには損傷を与
えず有機材料だけを除去することを特徴とするコンタク
トの製造方法である。
【００１５】本発明記載のコンタクト構造は、第一に、
コンタクトピン破壊防止用隔壁を有しているので、ＩＣ
とコンタクト部の位置がずれていても誤ってコンタクト
ピンを押し潰すことがなくなるので、コンタクトピンが
微細かつ機械強度が小さくても破損のおそれがない。ま
た、図５（ａ）と同一のコンタクト方式なので押圧力を
小さくできる。
コンタクトピン破壊防止用隔壁を有しているので、ＩＣ
とコンタクト部の位置がずれていても誤ってコンタクト
ピンを押し潰すことがなくなるので、コンタクトピンが
微細かつ機械強度が小さくても破損のおそれがない。ま
た、図５（ａ）と同一のコンタクト方式なので押圧力を
小さくできる。
【００１６】また、本発明記載のコンタクトピンは有機
材料に開けた細長い穴の中にめっき処理にてコンタクト
ピンを一括して作成するか、ワイヤボンデイング方式で
高速に作成できる。また、レーザ加工やフォトグラフィ
ープロセスなどプリント基板やセラミック基板などを製
造する製造プロセスを用いることができるので、高精度
かつ微細なコンタクトピンを一括して製造できるので生
産性もよい。
材料に開けた細長い穴の中にめっき処理にてコンタクト
ピンを一括して作成するか、ワイヤボンデイング方式で
高速に作成できる。また、レーザ加工やフォトグラフィ
ープロセスなどプリント基板やセラミック基板などを製
造する製造プロセスを用いることができるので、高精度
かつ微細なコンタクトピンを一括して製造できるので生
産性もよい。
【００１７】図３は本発明によるＩＣとコンタクトの接
触状態の代表例である。図示のごとく、配線基板６上に
はコンタクトピン７及びコンタクトピン破壊防止隔壁８
が設けられており、球状電極端子１ｂがコンタクトピン
７を押し広げた状態で電気接続をとる。また、コンタク
トピン破壊防止隔壁８がＩＣパッケージボデイ１ａのス
トッパー及びガイドの役目を果たしている。なお、配線
基板６はプリント基板、セラミック基板、シリコン基板
などを用いる。
触状態の代表例である。図示のごとく、配線基板６上に
はコンタクトピン７及びコンタクトピン破壊防止隔壁８
が設けられており、球状電極端子１ｂがコンタクトピン
７を押し広げた状態で電気接続をとる。また、コンタク
トピン破壊防止隔壁８がＩＣパッケージボデイ１ａのス
トッパー及びガイドの役目を果たしている。なお、配線
基板６はプリント基板、セラミック基板、シリコン基板
などを用いる。
【００１８】図４は請求項１記載のコンタクト部の代表
例を示す。図４の平面図に示すようにコンタクトピン７
はコンタクトピン破壊防止隔壁８の間に開けられたコン
タクト領域９の内部に配置されている。図４では各コン
タクト領域に２本のコンタクトピン７が配置されている
が、この本数は何本でもよい。図４の断面図に示すよう
にコンタクトピン７は配線基板４のランド４ａ上に直立
している。また、コンタクトピン破壊防止隔壁８とコン
タクトピン７の高さは同一になっているが、コンタクト
ピン破壊防止隔壁８の高さをコンタクトピン７の高さよ
り高くしてもよい。
例を示す。図４の平面図に示すようにコンタクトピン７
はコンタクトピン破壊防止隔壁８の間に開けられたコン
タクト領域９の内部に配置されている。図４では各コン
タクト領域に２本のコンタクトピン７が配置されている
が、この本数は何本でもよい。図４の断面図に示すよう
にコンタクトピン７は配線基板４のランド４ａ上に直立
している。また、コンタクトピン破壊防止隔壁８とコン
タクトピン７の高さは同一になっているが、コンタクト
ピン破壊防止隔壁８の高さをコンタクトピン７の高さよ
り高くしてもよい。
【００１９】図５は請求項２記載によるコンタクトの製
造工程例を示す。本製造工程例は、コンタクトピン破壊
防止隔壁８の高さとコンタクトピン７の高さが同一の場
合を示す。図５（ａ）において、配線基板６の上に有機
材料１０を塗布もしくは貼付け、加熱処理にて有機材料
１０を硬化させる。図５（ｂ）において、有機材料１０
に微細な穴１１を加工する。本穴加工は、前記有機材料
１０をフォトレジストとして、穴パターンを感光及び現
像することによって作成してもよいし、レーザ加工ある
いはドリル加工でもよい。図５（ｃ）において、めっき
処理によって穴１１内にコンタクトピン７用の金属を析
出充填させる。めっき方法は電気めっき、無電解めっき
のどちらでもよいが、めっき速度の速い電気めっきの方
が生産性がよい。図５（ｄ）は請求項４記載のレーザ加
工による穴あけ加工を示し、レーザによって有機材料１
０を除去加工してコンタクト領域９を形成する。このレ
ーザ加工条件としては、レーザ照射時の温度上昇を有機
材料の熱分解温度以上でかつコンタクトピン７の溶融温
度以下とする加工条件での熱除去加工でもよいし、紫外
線領域の波長のレーザを用いたアブレーション加工でも
よい。
造工程例を示す。本製造工程例は、コンタクトピン破壊
防止隔壁８の高さとコンタクトピン７の高さが同一の場
合を示す。図５（ａ）において、配線基板６の上に有機
材料１０を塗布もしくは貼付け、加熱処理にて有機材料
１０を硬化させる。図５（ｂ）において、有機材料１０
に微細な穴１１を加工する。本穴加工は、前記有機材料
１０をフォトレジストとして、穴パターンを感光及び現
像することによって作成してもよいし、レーザ加工ある
いはドリル加工でもよい。図５（ｃ）において、めっき
処理によって穴１１内にコンタクトピン７用の金属を析
出充填させる。めっき方法は電気めっき、無電解めっき
のどちらでもよいが、めっき速度の速い電気めっきの方
が生産性がよい。図５（ｄ）は請求項４記載のレーザ加
工による穴あけ加工を示し、レーザによって有機材料１
０を除去加工してコンタクト領域９を形成する。このレ
ーザ加工条件としては、レーザ照射時の温度上昇を有機
材料の熱分解温度以上でかつコンタクトピン７の溶融温
度以下とする加工条件での熱除去加工でもよいし、紫外
線領域の波長のレーザを用いたアブレーション加工でも
よい。
【００２０】図６は請求項２記載によるコンタクトの製
造工程例を示す。本製造工程例は、コンタクトピン破壊
防止隔壁８の高さがコンタクトピン７の高さよりも高い
場合を示す。図６の（ａ）（ｂ）（ｃ）は図５の（ａ）
（ｂ）（ｃ）と同一である。図６（ｄ）において、上面
にさらに有機材料を塗布もしくは貼付けする。この後、
図６（ｅ）に示すようにレーザ加工により有機材料１０
を除去してコンタクト領域９を形成する。このレーザ加
工条件としては、レーザ照射時の温度上昇を有機材料の
熱分解温度以上でかつコンタクトピン７の溶融温度以下
とする加工条件での熱除去加工でもよいし、紫外線領域
の波長のレーザを用いたアブレーション加工でもよい。
造工程例を示す。本製造工程例は、コンタクトピン破壊
防止隔壁８の高さがコンタクトピン７の高さよりも高い
場合を示す。図６の（ａ）（ｂ）（ｃ）は図５の（ａ）
（ｂ）（ｃ）と同一である。図６（ｄ）において、上面
にさらに有機材料を塗布もしくは貼付けする。この後、
図６（ｅ）に示すようにレーザ加工により有機材料１０
を除去してコンタクト領域９を形成する。このレーザ加
工条件としては、レーザ照射時の温度上昇を有機材料の
熱分解温度以上でかつコンタクトピン７の溶融温度以下
とする加工条件での熱除去加工でもよいし、紫外線領域
の波長のレーザを用いたアブレーション加工でもよい。
【００２１】図７はワイヤボンデイング方式を用いたコ
ンタクトの基本構造図例である。ワイヤボンデイング方
式としては、ネイルヘッドボンデイング方式またはウエ
ッジボンデイング方式を用い、コンタクトの形状につい
ては図７（ａ）のごとくピン形状のワイヤ１２とする
か、図７（ｂ）（ｃ）のごとくアーチ状のワイヤ１２と
する。また、ワイヤ１２の材質としては金線、アルミニ
ウム線、銅線などを用いる。
ンタクトの基本構造図例である。ワイヤボンデイング方
式としては、ネイルヘッドボンデイング方式またはウエ
ッジボンデイング方式を用い、コンタクトの形状につい
ては図７（ａ）のごとくピン形状のワイヤ１２とする
か、図７（ｂ）（ｃ）のごとくアーチ状のワイヤ１２と
する。また、ワイヤ１２の材質としては金線、アルミニ
ウム線、銅線などを用いる。
【００２２】図８はワイヤボンデイング方式を用いたコ
ンタクトの製造工程例である。図８（ａ）において配線
基板上にワイヤボンデイング法にてワイヤ１２すなわち
コンタクトピン７を作成する。図８（ｂ）において、有
機材料１０を塗布し、その後有機材料１０を加熱硬化す
る。図８（ｃ）において有機材料１０に穴をあけコンタ
クトピン破壊防止隔壁８を形成する。この穴加工方法と
しては、有機材料１０をフォトレジストとして、穴パタ
ーンを感光及び現像することによって作成してもよい
し、レーザ加工でもよい。なお、図５、図６、図８の各
方式とも、コンタクトピン７の表面には最終的に金系の
めっきを施すとよい。
ンタクトの製造工程例である。図８（ａ）において配線
基板上にワイヤボンデイング法にてワイヤ１２すなわち
コンタクトピン７を作成する。図８（ｂ）において、有
機材料１０を塗布し、その後有機材料１０を加熱硬化す
る。図８（ｃ）において有機材料１０に穴をあけコンタ
クトピン破壊防止隔壁８を形成する。この穴加工方法と
しては、有機材料１０をフォトレジストとして、穴パタ
ーンを感光及び現像することによって作成してもよい
し、レーザ加工でもよい。なお、図５、図６、図８の各
方式とも、コンタクトピン７の表面には最終的に金系の
めっきを施すとよい。
【００２３】以上のように、本発明によればベアチッ
プ、ＢＧＡなどの球状電極端子にたいして、微細なコン
タクトピン７の機械的な損傷を防止できるコンタクトの
構造を製造することができる。これによって、微細な球
状電極端子と小さい押圧力で電気接続をえることがで
き、ウエハ上の電極端子にコンタクトを一括接触するウ
エハ状態でのバーンイン試験用プローブ基板や、ベアチ
ップ、ＢＧＡ用のＩＣソケットを容易に実現することが
可能となる。また、プリント基板、セラミック基板など
の製造プロセスを利用しているので量産性があり、製造
コスト低減を図ることができる。
プ、ＢＧＡなどの球状電極端子にたいして、微細なコン
タクトピン７の機械的な損傷を防止できるコンタクトの
構造を製造することができる。これによって、微細な球
状電極端子と小さい押圧力で電気接続をえることがで
き、ウエハ上の電極端子にコンタクトを一括接触するウ
エハ状態でのバーンイン試験用プローブ基板や、ベアチ
ップ、ＢＧＡ用のＩＣソケットを容易に実現することが
可能となる。また、プリント基板、セラミック基板など
の製造プロセスを利用しているので量産性があり、製造
コスト低減を図ることができる。
【図１】ＢＧＡパッケージの模式図である。
【図２】従来のコンタクト方式例である。
【図３】本発明によるコンタクト部の接触状態図であ
る。
る。
【図４】本発明によるコンタクト部の基本構造例であ
る。
る。
【図５】本発明によるコンタクト部の製造工程例であ
る。
る。
【図６】本発明によるコンタクト部の製造工程例であ
る。
る。
【図７】本発明によるコンタクト部の基本構造例例であ
る。
る。
【図８】本発明によるコンタクト部の製造工程例であ
る。
る。
１ ＩＣ １ａ ＩＣパッケージボデイ １ｂ 球状電極端子 ２ 割りピン方式コンタクトピン ３ 突当て方式コンタクトピン ４ パッド方式コンタクト ５ セパレータ ６ 配線基板 ６ａ ランド ６ｂ 基板 ６ｃ スルーホール ６ｄ 配線 ７ コンタクトピン ８ コンタクトピン破壊防止隔壁 ９ コンタクト領域 １０ 有機材料 １１ 穴 １２ ワイヤ
Claims (4)
- 【請求項１】配線基板上にＩＣの球状電極端子と電気接
続をえるためのコンタクトピンを配列し、前記球状電極
端子の側面を前記コンタクトピンで押圧し、その弾性力
により前記電極端子と電気接続を行うＩＣソケットもし
くはプローブ基板において、前記配線基板上に有機材料
を積層およびパターン加工することにより形成してなる
コンタクトピン破壊防止隔壁の間隙部に前記コンタクト
ピンを形成することを特徴としたコンタクトの構造。 - 【請求項２】前記配線基板上に前記コンタクトピン破壊
防止隔壁用有機材料を塗布もしくは貼付け後、前記有機
材料に穴加工を行ない、その穴内に前記コンタクトピン
用の金属をめっき処理により充填し、さらに、前記コン
タクトピン破壊防止隔壁部以外の領域の有機材料を除去
加工することを特徴とした請求項１記載のコンタクトの
製造方法。 - 【請求項３】前記配線基板上にワイヤボンデイング方式
にてコンタクトピンを形成後有機材料を塗布し、さら
に、前記コンタクトピン破壊防止隔壁部以外の領域の有
機材料を除去加工することを特徴とした請求項１記載の
コンタクトの製造方法。 - 【請求項４】請求項２、請求項３記載のコンタクトピン
破壊防止隔壁部以外の有機材料除去加工方法として、コ
ンタクトピンには損傷を与えず有機材料だけを除去する
条件でのレーザ加工を用いることを特徴とするコンタク
トの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000034158A JP2001194418A (ja) | 2000-01-06 | 2000-01-06 | Ｉｃの球状電極端子用接触子の構造および製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000034158A JP2001194418A (ja) | 2000-01-06 | 2000-01-06 | Ｉｃの球状電極端子用接触子の構造および製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001194418A true JP2001194418A (ja) | 2001-07-19 |
Family
ID=18558530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000034158A Pending JP2001194418A (ja) | 2000-01-06 | 2000-01-06 | Ｉｃの球状電極端子用接触子の構造および製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001194418A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004317162A (ja) * | 2003-04-11 | 2004-11-11 | Masaki Esashi | プローブカード、プローブピン及びその製造方法 |
-
2000
- 2000-01-06 JP JP2000034158A patent/JP2001194418A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004317162A (ja) * | 2003-04-11 | 2004-11-11 | Masaki Esashi | プローブカード、プローブピン及びその製造方法 |
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