JP2001194201A - Sensor and its manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ダイアフラムをも
つセンサに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sensor having a diaphragm.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、ダイアフラムを持つセンサとし
て、基板（基台）の一部に断面が台形状にエッチング加
工された空洞部が形成され、この空洞部上に絶縁物が橋
絡して形成された数μｍのダイアフラムが構成されたも
のがある。このような薄いダイアフラム内にマイクロヒ
ータを形成して熱式フローセンサに用いた場合、非常に
熱容量が低減され、高応答のセンサとなる。2. Description of the Related Art Conventionally, as a sensor having a diaphragm, a cavity having a trapezoidal cross section is formed in a part of a substrate (base), and an insulator is formed on the cavity by bridging. Some have a diaphragm of several μm. When a micro heater is formed in such a thin diaphragm and used for a thermal flow sensor, the heat capacity is greatly reduced, and the sensor has a high response.
【０００３】そして、このようなダイアフラムは、発熱
体材料としてのＰｔ、ポリシリコン、ＮｉＣｒ、Ｔａ
Ｎ、ＳｉＣ、Ｗなどの導電性材料と、保護膜の効果も兼
ねた構造体の形成に用いるＭｇＯ、ＳｉＯ2、Ｓｉ
3Ｎ4、Ｔａ2Ｏ5、Ａｌ2Ｏ3膜などの絶縁物とで形成され
ていることが多い。[0003] Such a diaphragm is made of Pt, polysilicon, NiCr, Ta as a heating element material.
A conductive material such as N, SiC, W and the like, and MgO, SiO 2 , Si used for forming a structure also having an effect of a protective film.
3 N 4, Ta 2 O 5 , Al 2 O 3 film is often formed by the insulator such as.
【０００４】このようなダイアフラムを構成する絶縁物
として、圧縮応力膜を用いた場合には座屈現象が生じ、
引張応力膜を用いた場合には強度を高めるために厚くす
ると膜自身の内部応力によってクラックが生じ破壊した
りする場合がある。When a compressive stress film is used as an insulator constituting such a diaphragm, a buckling phenomenon occurs,
In the case where a tensile stress film is used, if the film is thickened to increase the strength, cracks may occur due to the internal stress of the film itself and the film may be broken.
【０００５】これを回避する方法が、特開平１１−２７
１１２３号公報に開示されている。この公報に記載の技
術では、ダイアフラムが膜構成の発熱体の上下を絶縁物
からなる薄膜で挟んだものから構成され、その上下の薄
膜のそれぞれは圧縮応力膜と引張応力膜とを積層して構
成することにより、各絶縁物に生じる圧縮内部応力と引
張内部応力とを緩和するようにしている。A method for avoiding this is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 11-27.
No. 1123. According to the technology described in this publication, a diaphragm is formed by sandwiching a heating element having a film configuration above and below with a thin film made of an insulator, and each of the thin films above and below is formed by laminating a compressive stress film and a tensile stress film. With this configuration, the internal compressive stress and the internal tensile stress generated in each insulator are reduced.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな熱式センサをエンジン制御に必要な空気量を測定す
るためのフローセンサに適用させた場合、吸気エアダク
トに設置されることからバックファイヤ等による急激な
圧力変動が生じる。また一方、数１０μｍのダストがエ
アフィルタを通過し、そのフローセンサの数μｍのダイ
アフラムに飛来し、衝突する可能性がある。However, when such a thermal sensor is applied to a flow sensor for measuring the amount of air required for engine control, the thermal sensor is installed in an intake air duct, so that a backfire or the like is required. Sudden pressure fluctuations occur. On the other hand, dust of several tens μm may pass through the air filter, fly to the several μm diaphragm of the flow sensor, and collide.
【０００７】このような理由から、ダイアフラムに過大
な力が加わり、応力の集中するダイアフラムの端部で破
壊する懸念がある。この破壊を防ぐために、ダイアフラ
ムの絶縁物の全膜厚を高めることで、そのダイアフラム
の破壊強度を向上させることができるが、膜厚を厚くす
ると熱容量の低減効果が薄れ、そのセンサの特性は悪化
してしまう。For this reason, there is a concern that an excessive force is applied to the diaphragm and the diaphragm is broken at the end of the diaphragm where stress is concentrated. In order to prevent this destruction, increasing the total thickness of the insulator of the diaphragm can improve the destruction strength of the diaphragm.However, when the thickness is increased, the effect of reducing the heat capacity is reduced, and the characteristics of the sensor are deteriorated. Resulting in.
【０００８】本発明は上記問題点に鑑みたもので、ダイ
アフラムの絶縁層の厚さを高めることなく、ダイアフラ
ムの破壊耐圧を向上させたセンサおよびその製造方法を
提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to provide a sensor in which the breakdown voltage of the diaphragm is improved without increasing the thickness of the insulating layer of the diaphragm, and a method of manufacturing the same.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明では、空洞部（７）を有する
基台（１）の空洞部（７）上に複数の薄膜を積層してな
るダイアフラム（２）を設け、複数の薄膜のうち、最大
破壊強度を有する薄膜（１０）をダイアフラム（２）の
表面側および裏面側の最外層の少なくとも一方に用いる
ことを特徴としている。In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, a plurality of thin films are stacked on a cavity (7) of a base (1) having a cavity (7). The thin film (10) having the maximum breaking strength is used as at least one of the outermost layer on the front surface side and the rear surface side of the diaphragm (2).
【００１０】ダイアフラム（２）に対して、ダイアフラ
ム（２）の表面側から外力が加わったときは特に表面側
の最外層の膜に応力が生じ、裏面側から外力が加わった
ときは特に裏面側の最外層の膜に応力が生じる。従っ
て、ダイアフラム（２）の最外層に最大破壊強度を有す
る薄膜（１０）を用いることにより、ダイアフラム
（２）の絶縁層の厚さを高めることなく、ダイアフラム
（２）の破壊耐圧を向上させることができる。When an external force is applied to the diaphragm (2) from the front side of the diaphragm (2), a stress is generated particularly in the outermost layer film on the front side, and when an external force is applied from the rear side, the rear side is particularly generated. Stress occurs in the outermost layer of the film. Therefore, by using the thin film (10) having the maximum breaking strength as the outermost layer of the diaphragm (2), the breakdown voltage of the diaphragm (2) can be improved without increasing the thickness of the insulating layer of the diaphragm (2). Can be.
【００１１】この最大破壊強度を有する薄膜（１０）と
しては、請求項２に記載の発明のように、熱ＣＶＤ法に
より形成された窒化シリコン膜または炭化シリコン膜、
またはスパッタ法により形成されたアルミナ膜を用いる
ことができる。As the thin film (10) having the maximum breaking strength, a silicon nitride film or a silicon carbide film formed by a thermal CVD method as in the invention of claim 2;
Alternatively, an alumina film formed by a sputtering method can be used.
【００１２】そして、請求項３、４、５に記載の発明の
ように、この窒化シリコン膜の密度は２．４ｇ／ｃｍ3
以上２．６ｇ／ｃｍ3以下であることが好ましく、この
炭化シリコン膜の密度は２．６ｇ／ｃｍ3以上３．０ｇ
／ｃｍ3以下であることが好ましく、また、このアルミ
ナ膜の密度は３．６ｇ／ｃｍ3以上３．９ｇ／ｃｍ3以下
であることが好ましい。The density of this silicon nitride film is 2.4 g / cm 3.
More preferably 2.6 g / cm 3 or less, the density of the silicon carbide film is 2.6 g / cm 3 or more 3.0g
/ Cm 3 or less, and the density of the alumina film is preferably 3.6 g / cm 3 or more and 3.9 g / cm 3 or less.
【００１３】請求項６に記載の発明では、空洞部（７）
を有する基台（１）の空洞部（７）上にダイアフラム
（２）を設け、ダイアフラム（２）の端部において、基
台（１）とダイアフラム（２）との間に空洞部（７）と
連通する隙間（６）を形成することを特徴としている。In the invention according to claim 6, the hollow portion (7)
A diaphragm (2) is provided on a cavity (7) of a base (1) having a cavity, and a cavity (7) is provided between the base (1) and the diaphragm (2) at an end of the diaphragm (2). A gap (6) is formed to communicate with.
【００１４】ダイアフラム（２）に対して力が加わると
応力がダイアフラム（２）の端部に集中し、特に空洞部
（７）側から力が印加された場合、ダイアフラム（２）
の端部においてダイアフラム（２）と基台（１）とが接
合している部分における基台（１）から破損することが
ある。本発明によれば、基台（１）とダイアフラム
（２）との間に隙間（６）を設けているため、上述のよ
うな基台（１）からの破損を防ぐことができ、ダイアフ
ラム（２）の絶縁層の厚さを高めることなく、ダイアフ
ラム（２）の破壊耐圧を向上させることができる。When a force is applied to the diaphragm (2), stress concentrates on the end of the diaphragm (2), and particularly when a force is applied from the cavity (7) side, the diaphragm (2).
At the end where the diaphragm (2) and the base (1) are joined, the base (1) may be damaged. According to the present invention, since the gap (6) is provided between the base (1) and the diaphragm (2), the damage from the base (1) as described above can be prevented, and the diaphragm ( The breakdown voltage of the diaphragm (2) can be improved without increasing the thickness of the insulating layer of (2).
【００１５】この場合、請求項７に記載の発明のよう
に、ダイアフラム（２）の端部において補強膜（１２）
を設けることにより、ダイアフラム（２）の端部の変形
量を抑制できるため、この端部にかかる応力集中を緩和
することができ、ダイアフラム（２）の破壊耐圧をさら
に向上させることができる。In this case, the reinforcing film (12) is provided at the end of the diaphragm (2).
Since the amount of deformation at the end of the diaphragm (2) can be suppressed by providing the above, the concentration of stress applied to this end can be reduced, and the breakdown voltage of the diaphragm (2) can be further improved.
【００１６】また、請求項８に記載の発明のように、こ
の補強膜（１２）としてはダイアフラム（２）に形成し
た発熱体（３）と同一材料のものを用いることができ
る。As the reinforcing film (12), the same material as the heating element (3) formed on the diaphragm (2) can be used as the reinforcing film (12).
【００１７】請求項９に記載の発明では、請求項６ない
し８のいずれか１つに記載のセンサを、予め基台（１）
上に隙間形成用の膜（１１ａ）を堆積させ、この隙間形
成用の膜（１１ａ）の上に、ダイアフラム（２）を構成
する膜（８、９）を形成した後、空洞部（７）を形成
し、続いて、隙間形成用の膜（１１ａ）をエッチングし
て製造するようにしている。According to a ninth aspect of the present invention, the sensor according to any one of the sixth to eighth aspects is provided in advance by using the base (1)
A film (11a) for forming a gap is deposited thereon, and films (8, 9) constituting the diaphragm (2) are formed on the film (11a) for forming a gap. Is formed, and then the film (11a) for forming a gap is etched to manufacture.
【００１８】請求項１０に記載の発明では、空洞部
（７）を有する基台（１）の空洞部（７）上に平面形状
が多角形であるダイアフラム（２）を設け、このダイア
フラム（２）の端部の各辺の少なくとも１つにおいて、
端部の辺の中央部に配線リード（２０）を設けることを
特徴としている。According to the tenth aspect of the present invention, a diaphragm (2) having a polygonal planar shape is provided on the cavity (7) of the base (1) having the cavity (7), and the diaphragm (2) is provided. At least one of the sides at the end of
It is characterized in that a wiring lead (20) is provided at the center of the side of the end.
【００１９】これにより、請求項７に記載の発明のよう
に、ダイアフラム（２）の端部において補強膜（１２）
を設ける場合と同様の理由から、ダイアフラム（２）の
絶縁層の厚さを高めることなく、ダイアフラム（２）の
破壊耐圧を向上させることができる。Thus, the reinforcing film (12) is provided at the end of the diaphragm (2).
For the same reason as in the case of providing the diaphragm (2), the breakdown voltage of the diaphragm (2) can be improved without increasing the thickness of the insulating layer of the diaphragm (2).
【００２０】請求項１１に記載の発明では、空洞部
（７）を有する基台（１）の表面（１ａ）側の空洞部
（７）上に平面形状が多角形であるダイアフラム（２）
を設け、基台（１）における、ダイアフラム（２）の幅
が最も狭いダイアフラム（２）の端部と接触している部
分において、空洞部（７）の側壁面（７ａ）と基台
（１）の表面（１ａ）とのなす角が、側壁面（７ａ）と
基台（１）の表面（１ａ）とのなす角のうちで最も大き
いことを特徴としている。According to the eleventh aspect, the diaphragm (2) having a polygonal planar shape is formed on the cavity (7) on the surface (1a) side of the base (1) having the cavity (7).
A portion of the base (1) in contact with the end of the diaphragm (2) where the width of the diaphragm (2) is the smallest, and the side wall surface (7a) of the cavity (7) and the base (1). ) With the surface (1a) is the largest of the angles between the side wall surface (7a) and the surface (1a) of the base (1).
【００２１】上述のように、特に空洞部（７）側から力
が印加された場合、基台（１）から破損することがあ
る。また、ダイアフラム（２）の端部の各辺のうち、ダ
イアフラム（２）の幅が最も狭い部分において最も応力
が集中する。従って、この１組の辺（２ａ）と接触して
いる空洞部（７）の側壁面（７ａ）と基台（１）の表面
（１ａ）とのなす角を大きくすることにより、基台
（１）の強度を高めて基台（１）の破壊を防ぎ、ダイア
フラム（２）の絶縁層の厚さを高めることなく、ダイア
フラム（２）の破壊耐圧を向上させることができる。As described above, the base (1) may be broken, particularly when a force is applied from the cavity (7) side. Further, among the sides of the end of the diaphragm (2), the stress is concentrated most in a portion where the width of the diaphragm (2) is narrowest. Therefore, by increasing the angle between the side wall surface (7a) of the cavity (7) in contact with the set of sides (2a) and the surface (1a) of the base (1), the base ( The strength of 1) is increased to prevent the base (1) from being broken, and the breakdown voltage of the diaphragm (2) can be improved without increasing the thickness of the insulating layer of the diaphragm (2).
【００２２】この場合、請求項１２に記載の発明のよう
に、側壁面（７ａ）と基台（１）の表面（１ａ）とのな
す角のうちで最も大きい角が９０°以上であることが好
ましい。In this case, the largest angle between the side wall surface (7a) and the surface (1a) of the base (1) is 90 ° or more. Is preferred.
【００２３】また、この場合、請求項１３に記載の発明
のように、ダイアフラム（２）の端部の各辺の少なくと
も１つにおいて、端部の辺の中央部に配線リード（２
０）を設ければ、請求項１０に記載の発明と同様の理由
から、さらにダイアフラム（２）の破壊耐圧を向上させ
ることができる。In this case, at least one of the sides of the end of the diaphragm (2) is connected to the wiring lead (2) at the center of the side of the end.
If 0) is provided, the breakdown voltage of the diaphragm (2) can be further improved for the same reason as that of the tenth aspect.
【００２４】特に、請求項１０または１３に記載の発明
では、請求項１４に記載の発明のように、配線リード
（２０）を、ダイアフラム（２）の端部の各辺のうち、
ダイアフラム（２）の幅が最も狭いダイアフラム（２）
の端部の辺（２ａ）以外の辺（２ｂ）に設けると好適で
ある。In particular, according to the tenth or thirteenth aspect, as in the fourteenth aspect, the wiring lead (20) is connected to the side of the end of the diaphragm (2).
Diaphragm (2) having the narrowest width of diaphragm (2)
Is preferably provided on the side (2b) other than the end side (2a).
【００２５】また、請求項１５に記載の発明では、配線
リード（２０）が設けられているダイアフラム（２）の
端部の辺において、配線リード（２０）が横切っている
長さが端部の辺の長さの５０％以上を占めることを特徴
としている。In the invention according to the fifteenth aspect, on the side of the end of the diaphragm (2) on which the wiring lead (20) is provided, the length that the wiring lead (20) crosses is the length of the end. It is characterized in that it occupies 50% or more of the length of the side.
【００２６】ダイアフラム（２）に生じる応力は端部の
辺における中央部において強いが、この発明によれば、
配線リード（２０）のうち応力に対して最も弱い周辺部
をダイアフラム（２）の端部の辺における端部に位置さ
せることができるため、配線リード（２０）の周辺部に
おける応力による強度の低下を防ぐことができる。Although the stress generated in the diaphragm (2) is strong at the center of the side of the end, according to the present invention,
Since the peripheral portion of the wiring lead (20) that is weakest against stress can be located at the end of the edge of the diaphragm (2), the strength of the peripheral portion of the wiring lead (20) decreases due to the stress. Can be prevented.
【００２７】請求項１０ないし１４のいずれか１つに記
載の発明では、請求項１６に記載の発明のように、面方
位が（１１０）であるシリコン基板である基台（１）を
用いると好適である。In the invention according to any one of the tenth to fourteenth aspects, the base (1) which is a silicon substrate having a plane orientation of (110) is used as in the invention according to the sixteenth aspect. It is suitable.
【００２８】また、請求項１７に記載の発明のように、
上記ダイアフラム（２）に配線パターンを形成し、配線
パターンの少なくとも一部を加熱して流体の流量を検出
するフローセンサとして用いることができる。Also, as in the invention of claim 17,
A wiring pattern is formed on the diaphragm (2), and at least a part of the wiring pattern is heated to be used as a flow sensor for detecting a flow rate of a fluid.
【００２９】また、請求項１８に記載の発明のように、
配線パターンにはＰｔあるいはＰｔ合金を用いると好適
である。Also, as in the invention according to claim 18,
It is preferable to use Pt or a Pt alloy for the wiring pattern.
【００３０】なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述
する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すも
のである。The reference numerals in the parentheses of the above-mentioned means indicate the correspondence with the concrete means described in the embodiments described later.
【００３１】[0031]
【発明の実施の形態】以下の実施形態では、ダイアフラ
ムをもつセンサとしてフローセンサに本発明を適用した
場合について示す。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the following embodiments, a case where the present invention is applied to a flow sensor as a sensor having a diaphragm will be described.
【００３２】（第１実施形態）図１は第１実施形態に係
るフローセンサの斜視図であり、図２は第１実施形態に
係るフローセンサの断面図であって、図１におけるＡ−
Ａ断面を示す図である。(First Embodiment) FIG. 1 is a perspective view of a flow sensor according to a first embodiment, and FIG. 2 is a sectional view of the flow sensor according to the first embodiment.
It is a figure showing A section.
【００３３】図１および図２に示すように、基台として
のＳｉ等からなる基板１の裏面側から空洞部７を設けて
ダイアフラム２による電気的絶縁膜を形成している。ダ
イアフラム２には中央付近に発熱体としてのヒータ３が
形成され、このヒータ３の両側のうち、図中の白抜き矢
印で示される流体の流れの上流側に測温体５が形成され
ている。また、測温体５の上流側の基板１には、流体の
温度を測定するための流体温度計４が形成されている。As shown in FIGS. 1 and 2, a cavity 7 is provided from the back side of a substrate 1 made of Si or the like as a base to form an electric insulating film by the diaphragm 2. A heater 3 as a heating element is formed in the vicinity of the center of the diaphragm 2, and a temperature measuring element 5 is formed on both sides of the heater 3 on the upstream side of the flow of the fluid indicated by the white arrow in the figure. . A fluid thermometer 4 for measuring the temperature of the fluid is formed on the substrate 1 on the upstream side of the temperature measuring element 5.
【００３４】このようなフローセンサでは、流体温度計
４から得られる流体温度よりも一定温度高い温度になる
ようにヒータ３を駆動する。そして、流体が流れること
により、図１の白抜き矢印で示す順流においては、測温
体５は熱を奪われて温度が下がり、白抜き矢印の逆方向
である逆流では熱が運ばれて温度が上がるため、この測
温体５と流体温度計４との温度差から流体の流量および
流れ方向を検出するものである。このとき、流体温度計
４および測温体５を形成している金属配線の抵抗値変動
から温度を測定（検出）している。In such a flow sensor, the heater 3 is driven so that the temperature becomes higher by a certain temperature than the fluid temperature obtained from the fluid thermometer 4. Then, in the forward flow indicated by the white arrow in FIG. 1, the temperature of the temperature measuring element 5 decreases due to the flow of the fluid, and the heat is carried by the reverse flow in the opposite direction of the white arrow to the temperature. Therefore, the flow rate and the flow direction of the fluid are detected from the temperature difference between the temperature measuring element 5 and the fluid thermometer 4. At this time, the temperature is measured (detected) from the fluctuation in the resistance value of the metal wiring forming the fluid thermometer 4 and the temperature measuring element 5.
【００３５】このフローセンサは、図２に示すように、
基板１の一部に、断面形状が台形である空洞部７が形成
されている（この台形は基板１の表面１ａ側の辺が短い
ものである）。This flow sensor, as shown in FIG.
A cavity 7 having a trapezoidal cross section is formed in a part of the substrate 1 (the trapezoid has a short side on the surface 1a side of the substrate 1).
【００３６】また、基板１の表面１ａ側には下部膜８、
膜構成の発熱体としてのヒータ３および測温体５および
流体温度計４、上部膜９、強化膜１０がこの順に積層さ
れており、この下部膜８と上部膜９が絶縁層に相当す
る。そして、この積層された膜が空洞部７上においてダ
イアフラム２を形成している。つまり、ヒータ３等の配
線が絶縁層により挟まれており、強化膜１０がダイアフ
ラム２における空洞部７とは反対側（以下、表面側とい
う）の最外層を形成している。On the surface 1a side of the substrate 1, a lower film 8,
A heater 3, a temperature measuring element 5, a fluid thermometer 4, an upper film 9, and a reinforced film 10 are laminated in this order as a heating element having a film configuration, and the lower film 8 and the upper film 9 correspond to an insulating layer. The laminated film forms the diaphragm 2 on the cavity 7. That is, the wiring of the heater 3 and the like is sandwiched by the insulating layers, and the reinforcing film 10 forms the outermost layer on the opposite side of the diaphragm 2 from the cavity 7 (hereinafter, referred to as the surface side).
【００３７】ここで、ヒータ３、測温体５および流体温
度計４には、ＰｔやＰｔ合金等の金属膜等が用いられて
いる。また、強化膜１０は空洞部７上に積層された膜の
なかで、最大破壊強度を有する薄膜である。そして、ダ
イアフラム２に生じる応力が緩和されるように、下部膜
８、上部膜９および強化膜１０の膜厚をそれぞれ設定し
ている。Here, the heater 3, the temperature measuring element 5, and the fluid thermometer 4 are made of a metal film such as Pt or a Pt alloy. Further, the reinforcing film 10 is a thin film having the maximum breaking strength among the films laminated on the cavity 7. The thicknesses of the lower film 8, the upper film 9, and the reinforcing film 10 are set so that the stress generated in the diaphragm 2 is reduced.
【００３８】次に、このような膜構成とした効果を、図
３に示す断面図を用いて説明する。圧力やダストの衝突
などによりダイアフラム２に表面側から、図中の白抜き
矢印で示すように力が加わった場合、ダイアフラム２が
変形し、図中のＣで示されるダイアフラム２の端部、特
に最表面の膜において応力集中が生じる。Next, the effect of such a film configuration will be described with reference to the sectional view shown in FIG. When a force is applied to the diaphragm 2 from the front side by pressure or dust collision as shown by a white arrow in the figure, the diaphragm 2 is deformed, and the end of the diaphragm 2 shown by C in the figure, particularly Stress concentration occurs in the outermost film.
【００３９】しかし、本実施形態のようにダイアフラム
２の表面側の最外層に強化膜１０を形成して、ダイアフ
ラム２のうちの応力が集中する部分に強化膜１０を設け
ることにより、表面側からの力に対してダイアフラム２
の機械的強度を高めることができる。However, as in the present embodiment, the reinforcing film 10 is formed on the outermost layer on the front surface side of the diaphragm 2 and the reinforcing film 10 is provided on the portion of the diaphragm 2 where the stress is concentrated. Diaphragm 2 against the force of
Can increase the mechanical strength.
【００４０】ちなみに、強化膜１０を用いずに絶縁層
（上部膜９および下部膜８）のみによりダイアフラム２
を形成する場合において、本実施形態の様に強化膜１０
を用いたダイアフラム２と同じ強度をもたせようとする
と絶縁層の膜厚が増大してしまう。Incidentally, the diaphragm 2 is formed only by the insulating layers (the upper film 9 and the lower film 8) without using the reinforcing film 10.
Is formed, the reinforcing film 10 is formed as in the present embodiment.
If the same strength as that of the diaphragm 2 using the same is to be provided, the thickness of the insulating layer increases.
【００４１】以上から、本実施形態によれば、ダイアフ
ラム２の絶縁層の厚さを高めることなく、ダイアフラム
２の破壊耐圧を向上させたセンサを提供することができ
る。As described above, according to the present embodiment, it is possible to provide a sensor in which the breakdown voltage of the diaphragm 2 is improved without increasing the thickness of the insulating layer of the diaphragm 2.
【００４２】なお、強化膜１０として用いるべき膜は、
以下のようにして決定している。引張応力がある程度強
い膜を用意し、その上にダイアフラム２を構成するため
の膜をそれぞれ同じ膜厚堆積させてダイアフラム２を形
成する。そして、ダイアフラム２における表面側から力
が加わった場合を想定した圧力差をダイアフラム２の表
面側と空洞部７側（以下、裏面側という）に与えた場合
に破壊圧力が最も高い膜を強化膜１０としている。この
ような方法を用いることで引張応力膜も圧縮応力膜も測
定できる。The film to be used as the reinforcing film 10 is as follows.
It is determined as follows. A film having a certain degree of tensile stress is prepared, and a film for forming the diaphragm 2 is deposited thereon in the same thickness to form the diaphragm 2. When a pressure difference assuming that a force is applied from the front side of the diaphragm 2 is applied to the front side of the diaphragm 2 and the cavity 7 (hereinafter referred to as the back side), the film having the highest breaking pressure is strengthened. It is assumed to be 10. By using such a method, a tensile stress film and a compressive stress film can be measured.
【００４３】次に、本実施形態のフローセンサの製造方
法について、図４に示す工程図を参照して説明する。図
４（ｃ）は図１におけるＤ−Ｄ断面に相当する。 ［図４（ａ）の工程］まず、基板１として面方位が（１
００）であるＳｉ基板を用い、その上に下部膜８を形成
する。この下部膜８は、熱ＣＶＤ法により形成されたＳ
ｉ3Ｎ4膜とプラズマＣＶＤ法により形成されたＳｉＯ2
膜の絶縁層となっており、ＳｉＯ2の圧縮応力膜とＳｉ3
Ｎ4の引っ張り応力膜を組み合わせることにより、下部
膜８に生じる応力を緩和させている。（下部膜形成工
程）。Next, a method of manufacturing the flow sensor according to the present embodiment will be described with reference to the process chart shown in FIG. FIG. 4C corresponds to a DD section in FIG. [Step of FIG. 4A] First, the substrate 1 has a plane orientation of (1).
The lower film 8 is formed on the Si substrate of (00). This lower film 8 is made of S formed by a thermal CVD method.
i 3 N 4 film and SiO 2 formed by plasma CVD
It is an insulating layer of a film, and a compressive stress film of SiO 2 and Si 3
By combining the N 4 tensile stress film, the stress generated in the lower film 8 is reduced. (Lower film forming step).
【００４４】続いて、ヒータ３、流体温度体４、測温体
５および電極取り出し部１５を構成する膜としてＰｔ膜
を真空蒸着機により２００℃で２０００Å堆積させる。
このとき、接着層として５０ÅのＴｉ層をＰｔ膜と下部
膜８の間に用いている。その後、エッチングにより、ヒ
ータ３、流体温度体４、測温体５、電極取り出し部１５
が所定の形状となるようにパターニングする。（パター
ニング工程）。 ［図４（ｂ）の工程］下部膜８と同様にＳｉ3Ｎ4膜とＳ
ｉＯ2膜とを組み合わせた絶縁層として上部膜９を形成
する（上部膜形成工程）。その後、上部膜９の上に強化
膜１０としての熱強化膜であるＡｌ2Ｏ3膜をスパッタ法
によって１０００Å形成する（強化膜形成工程）。この
強化膜１０の膜厚は薄くても効果はある。このＡｌ2Ｏ3
膜（バルク破壊強度：１５．４ＧＰａ）は他のＳｉＯ2
膜（バルク破壊強度：８．４ＧＰａ）やＳｉ3Ｎ4膜（バ
ルク破壊強度：１４．０ＧＰａ）と比較して破壊強度が
高い膜である。Subsequently, a Pt film is deposited at 200 ° C. at 2000 ° C. as a film constituting the heater 3, the fluid temperature element 4, the temperature measuring element 5, and the electrode take-out section 15 by a vacuum evaporation machine.
At this time, a 50 ° Ti layer is used between the Pt film and the lower film 8 as an adhesive layer. Thereafter, the heater 3, the fluid temperature body 4, the temperature measurement body 5, and the electrode take-out unit 15 are etched.
Is patterned so as to have a predetermined shape. (Patterning step). [Step of FIG. 4B] Like the lower film 8, the Si 3 N 4 film and the S
The upper film 9 is formed as an insulating layer in combination with the iO 2 film (upper film forming step). Thereafter, an Al 2 O 3 film, which is a thermal strengthening film as the strengthening film 10, is formed on the upper film 9 by 1000 ° by a sputtering method (a strengthening film forming step). The effect is obtained even if the thickness of the reinforcing film 10 is small. This Al 2 O 3
The film (bulk breaking strength: 15.4 GPa) is made of other SiO 2
This film has a higher breaking strength than a film (bulk breaking strength: 8.4 GPa) or a Si 3 N 4 film (bulk breaking strength: 14.0 GPa).
【００４５】次に、電極取り出し部１５を形成するため
に、強化膜１０および上部膜９を部分的にエッチングす
る（電極取り出し部形成工程）。 ［図４（ｃ）の工程］全面に５０００ÅのＡｕ蒸着をし
た後エッチングを行い、電極取り出し部１５を覆うよう
にエッチング保護膜１６を形成する。これは、基板１か
ら外部に配線を取り出すために用いるＡｕ線との密着力
を高めるためのものである。（エッチング保護膜形成工
程）。Next, in order to form the electrode extraction portion 15, the reinforcing film 10 and the upper film 9 are partially etched (electrode extraction portion forming step). [Step of FIG. 4 (c)] After depositing 5000 ° of Au on the entire surface, etching is performed, and an etching protection film 16 is formed so as to cover the electrode lead-out portion 15. This is to increase the adhesion to the Au wire used to take out the wiring from the substrate 1 to the outside. (Etching protection film forming step).
【００４６】そして、空洞部７を形成させるように基板
１の裏面に堆積させたＳｉ3Ｎ4膜を部分的にエッチング
し基板１を露出させる。その他の部分はＴＭＡＨ液に耐
性のあるＳｉ3Ｎ4やＳｉＯ2膜およびＡｕ膜により保護
されている。その後、ＴＭＡＨ溶液によって裏面からＳ
ｉ基板１の異方性エッチングを行い空洞部７を形成す
る。（空洞部形成工程）。以上のようにして、図１およ
び図２に示すフローセンサを形成することができる。Then, the Si 3 N 4 film deposited on the back surface of the substrate 1 so as to form the cavity 7 is partially etched to expose the substrate 1. Other portions are protected by a Si 3 N 4 or SiO 2 film and an Au film which are resistant to the TMAH solution. After that, SMA is applied from the back side with TMAH solution.
Anisotropic etching of the i-substrate 1 is performed to form the cavity 7. (Cavity forming step). As described above, the flow sensor shown in FIGS. 1 and 2 can be formed.
【００４７】なお、上記した製造方法において、ヒータ
３、流体温度計４、測温体５およびこれらの電極取り出
し部１５を形成する膜としては、Ｐｔ膜以外に、ポリシ
リコン、ＮｉＣｒ、ＴａＮ、ＳｉＣ、Ｗなどを用いるこ
とができる。また、上部膜９および下部膜８は、基板１
上に形成するための構造体となることができ、ヒータ３
等を保護できるものであれば、ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｔ
ａ2Ｏ5、ＭｇＯ膜などの単一膜あるいは多層膜でも良
い。In the above-mentioned manufacturing method, the film forming the heater 3, the fluid thermometer 4, the temperature measuring element 5, and the electrode take-out portion 15 is not limited to Pt film, but may be polysilicon, NiCr, TaN, SiC. , W, etc. can be used. Further, the upper film 9 and the lower film 8 correspond to the substrate 1
The heater 3 can be a structure for forming thereon.
TiO 2 , Al 2 O 3 , T
It may be a single film such as a 2 O 5 or MgO film or a multilayer film.
【００４８】また、強化膜１０について留意しなければ
ならない点は、このような薄膜を形成する場合は、材質
が同じであっても堆積法が異なると破壊強度は極端に変
わることがあることである。例えば、ＳｉＯ2膜はバル
クでの破壊強度は８．４ＧＰａであるが、プラズマＣＶ
Ｄ法で形成したＳｉＯ2膜では１．０ＧＰａと大幅に低
下してしまう。そのため、用いる膜の破壊強度は上述し
た方法で概略値を調べておくことが重要である。Also, it should be noted that the strengthening film 10 has such a point that when such a thin film is formed, the breaking strength may be extremely changed if the deposition method is different even if the material is the same. is there. For example, a SiO 2 film has a breaking strength of 8.4 GPa in bulk, but a plasma CV
In the case of the SiO 2 film formed by the method D, it is greatly reduced to 1.0 GPa. Therefore, it is important to roughly determine the breaking strength of the film used by the above-described method.
【００４９】ここで、強化膜１０としては上部膜９およ
び下部膜８として用いた膜のうち、最も破壊強度が高い
膜を再度用いても良い。また、強化膜１０として用いる
Ａｌ 2Ｏ3膜は密度が３．６〜３．９ｇ／ｃｍ3であるこ
とが好ましい。Here, as the reinforcing film 10, the upper film 9 and the upper film 9 are used.
And the highest breaking strength among the films used as the lower film 8
The film may be used again. Also used as the reinforcing film 10
Al TwoOThreeThe membrane has a density of 3.6-3.9 g / cmThreeIs
Is preferred.
【００５０】その他、熱ＣＶＤ膜により形成したＳｉ3
Ｎ4膜やＳｉＣ膜などは破壊強度が高く、また半導体プ
ロセスとの整合も高いため強化膜１０に適している。ま
た、このＳｉ3Ｎ4膜は密度が２．４〜２．６ｇ／ｃｍ3
であることが好ましく、ＳｉＣ膜は密度が２．６〜３．
０ｇ／ｃｍ3であることが好ましい。In addition, Si 3 formed by a thermal CVD film
An N 4 film, a SiC film, or the like has a high breaking strength and a high matching with a semiconductor process, and thus is suitable for the reinforcing film 10. The Si 3 N 4 film has a density of 2.4 to 2.6 g / cm 3.
Preferably, the SiC film has a density of 2.6 to 3.
It is preferably 0 g / cm 3 .
【００５１】また、エッチング保護膜１６は、接続配線
と接着できる材料であれば何でも良く、またＡｕ以外の
材料でもエッチング耐性があり接続配線と接着できる材
料であれば何でも良い。また、空洞部７を形成するため
のエッチングはＴＭＡＨ溶液による異方性エッチングに
限らず、空洞部７が形成できれば何でも良い。The etching protective film 16 may be made of any material as long as it can be bonded to the connection wiring, and may be any material other than Au as long as it has etching resistance and can be bonded to the connection wiring. The etching for forming the cavity 7 is not limited to the anisotropic etching using the TMAH solution, but may be anything as long as the cavity 7 can be formed.
【００５２】次に、第１実施形態の変形例を示す。図５
は第１実施形態の変形例に係るフローセンサの断面図で
ある。図５に示すように、基板１上の積層された膜構造
の部分において、強化膜１０が最も下に形成されてお
り、その上に、下部膜８、膜構成のヒータ３および流体
温度計４および測温体５、上部膜９がこの順に積層され
ている。Next, a modification of the first embodiment will be described. FIG.
FIG. 6 is a sectional view of a flow sensor according to a modification of the first embodiment. As shown in FIG. 5, in the portion of the laminated film structure on the substrate 1, a reinforcing film 10 is formed at the bottom, and a lower film 8, a heater 3 having a film configuration, and a fluid thermometer 4 are formed thereon. The temperature measuring element 5 and the upper film 9 are laminated in this order.
【００５３】ダイアフラム２の裏面側から力が加わった
場合、ダイアフラム２の裏面側の最外層の端部に応力集
中が生じるため、裏面側の最外層に強化膜１０を用いる
ことにより、上記表面側の最外層に強化膜１０を用いた
場合とは逆に、裏面側からの力に対してダイアフラム２
の強度を高めることができる。When a force is applied from the back side of the diaphragm 2, stress concentration occurs at the end of the outermost layer on the back side of the diaphragm 2. In contrast to the case where the reinforcing film 10 is used as the outermost layer of the
Can be increased in strength.
【００５４】なお、強化膜１０をダイアフラム２の表面
側と裏面側の両方に配置することで、表面側からの力に
対しても裏面側からの力に対してもダイアフラム２の強
度を高めるようにしても良い。By arranging the reinforcing film 10 on both the front side and the back side of the diaphragm 2, the strength of the diaphragm 2 can be increased both for the force from the front side and the force from the back side. You may do it.
【００５５】（第２実施形態）図６は第２実施形態に係
るフローセンサの断面図である。以下、主として、第１
実施形態の図２と異なる点について述べ、同一部分には
同一符号を付して説明を省略する。(Second Embodiment) FIG. 6 is a sectional view of a flow sensor according to a second embodiment. Hereinafter, mainly the first
The points different from FIG. 2 of the embodiment will be described, and the same portions will be denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.
【００５６】第１実施形態と異なるのは、強化膜１０を
用いておらず、ダイアフラム２の端部において空洞部７
と連通する隙間６が設けられている点である。図６に示
すように、下部膜８の下、つまり、基板１の上に隙間形
成用の膜である犠牲層膜１１が形成され、その上に、下
部膜８、膜構成のヒータ３および流体温度計４および測
温体５、上部膜９がこの順に積層されている。The difference from the first embodiment is that the reinforcing film 10 is not used and the cavity 7 is formed at the end of the diaphragm 2.
This is a point that a gap 6 communicating with the airbag is provided. As shown in FIG. 6, a sacrificial layer film 11, which is a film for forming a gap, is formed under the lower film 8, that is, on the substrate 1, and the lower film 8, the heater 3 having the film structure, and the fluid are formed thereon. A thermometer 4, a temperature measuring element 5, and an upper film 9 are stacked in this order.
【００５７】そして、犠牲層膜１１は空洞部７上までは
形成されておらず、ダイアフラム２よりも一回り大きな
開口が形成された状態となっている。そのため、基板１
の表面１ａ側において空洞部７により基板１に対して形
成された鋭角な端部は、基板１上に形成されたダイアフ
ラム２と接触せずに、基板１における鋭角な端部とダイ
アフラム２との間には隙間６が形成されている。The sacrificial layer film 11 is not formed up to the cavity 7, and has a state in which an opening slightly larger than the diaphragm 2 is formed. Therefore, the substrate 1
The sharp end formed on the substrate 1 by the cavity 7 on the surface 1a side of the substrate 1 does not come into contact with the diaphragm 2 formed on the substrate 1, and the sharp end on the substrate 1 and the diaphragm 2 A gap 6 is formed between them.
【００５８】ところで、ダイアフラム２の裏面側からの
力が印加された場合、ダイアフラム２を構成している下
部膜８ではなく、基板１の鋭角な部分で破壊が生じるこ
とが多い。このため、図６に示すように隙間６を設けた
構造にして、基板１の鋭角な部分に力が加わらないよう
にすることで、基板１からの破損を防ぐことができる。
従って、ダイアフラム２の絶縁層の厚さを高めることな
く、ダイアフラム２の破壊耐圧を向上させることができ
る。When a force is applied from the back side of the diaphragm 2, destruction often occurs not at the lower film 8 constituting the diaphragm 2 but at an acute portion of the substrate 1. For this reason, breakage from the substrate 1 can be prevented by adopting a structure in which the gap 6 is provided as shown in FIG. 6 so that no force is applied to the acute angle portion of the substrate 1.
Therefore, the breakdown voltage of the diaphragm 2 can be improved without increasing the thickness of the insulating layer of the diaphragm 2.
【００５９】次に、上記したフローセンサの製造方法に
ついて、図７に示す工程図を参照して説明する。 ［図７（ａ）の工程］まず、基板１としての面方位が
（１００）であるＳｉ基板を用い、初めに犠牲層膜１１
となるＳｉＯ2膜１１ａを一面に熱酸化により３０００
Å形成する。続いて、熱ＣＶＤ法により形成されたＳｉ
3Ｎ4膜とプラズマＣＶＤ法により形成されたＳｉＯ2膜
の絶縁層である下部膜８を形成する。このとき犠牲層膜
１１を形成するためにＳｉＯ2膜１１ａを用いたため、
Ｓｉ3Ｎ4膜を下として下部膜８を形成する。次に、第１
実施形態のパターニング工程を行う。 ［図７（ｂ）の工程］その後、第１実施形態の上部膜形
成工程、および電極取り出し部形成工程を行う。 ［図７（ｃ）の工程］次に、第１実施形態のエッチング
保護膜形成工程、および空洞部形成工程を行う。その
後、犠牲層膜１１となるＳｉＯ2膜１１ａをフッ酸のウ
ェットエッチングを行うことにより所望の形状にし犠牲
層膜１１を形成する。このとき下部膜８における下の膜
にＳｉ3Ｎ4膜があるため、犠牲層膜１１となるＳｉＯ2
膜１１ａのみエッチングされ、基板１の鋭角な部分とダ
イアフラム２との間に隙間６を設けることができる。以
上のようにして、図６に示すフローセンサを完成させる
ことができる。Next, a method of manufacturing the above-described flow sensor will be described with reference to the process chart shown in FIG. [Step of FIG. 7A] First, a Si substrate having a plane orientation of (100) as a substrate 1 is used.
Of SiO 2 film 11a to be 3000
Å Form. Subsequently, the Si formed by the thermal CVD method is used.
3 to form a N 4 film and the lower film 8 is an insulating layer of SiO 2 film formed by a plasma CVD method. At this time, since the SiO 2 film 11a was used to form the sacrificial layer film 11,
The lower film 8 is formed with the Si 3 N 4 film facing downward. Next, the first
The patterning process of the embodiment is performed. [Step of FIG. 7B] Thereafter, the upper film forming step and the electrode lead-out part forming step of the first embodiment are performed. [Step of FIG. 7C] Next, the etching protection film forming step and the cavity forming step of the first embodiment are performed. Thereafter, the SiO 2 film 11a serving as the sacrificial layer film 11 is formed into a desired shape by performing wet etching of hydrofluoric acid, and the sacrificial layer film 11 is formed. At this time, since there is a Si 3 N 4 film below the lower film 8, the SiO 2
Only the film 11a is etched, so that a gap 6 can be provided between the sharp portion of the substrate 1 and the diaphragm 2. As described above, the flow sensor shown in FIG. 6 can be completed.
【００６０】なお、第１実施形態で用いた強化膜１０を
下部膜８の下に形成することで、さらにダイアフラム２
の強度を高めるようにしても良い。また、基板１とダイ
アフラム２の端部との間の全てに隙間６を設ける例につ
いて示したが、基板１上の犠牲層膜１１となるＳｉＯ2
膜１１ａを完全に除去せずに、ＳｉＯ2膜１１ａの残っ
た部分をそのままダイアフラム２を構成する下部膜８と
して取り扱っても良い。また、上記製造方法において、
第１実施形態と同様の構成は省略した。By forming the reinforcing film 10 used in the first embodiment below the lower film 8, the diaphragm 2
May be increased. Further, SiO 2 is shown an example of providing a gap 6 in all between the end portion of the substrate 1 and the diaphragm 2, which is a sacrificial layer film 11 on the substrate 1
Instead of completely removing the film 11a, the remaining portion of the SiO 2 film 11a may be used as it is as the lower film 8 constituting the diaphragm 2. Further, in the above manufacturing method,
The configuration similar to that of the first embodiment is omitted.
【００６１】次に、第２実施形態の変形例を示す。図８
は第２実施形態の変形例に係るフローセンサの断面図で
ある。図８に示すように、犠牲層膜１１の空洞部７側の
端部の上部においてヒータ３と同一の層に同一の材料か
らなる膜が補強膜１２として挿入されている。また、こ
の補強膜１２は、ヒータ３、流体温度計４、測温体５お
よび電極取り出し部１５と同様にして形成することがで
きる。Next, a modification of the second embodiment will be described. FIG.
FIG. 7 is a cross-sectional view of a flow sensor according to a modification of the second embodiment. As shown in FIG. 8, a film made of the same material and inserted into the same layer as the heater 3 is inserted as a reinforcing film 12 above the end of the sacrificial layer film 11 on the cavity 7 side. Further, the reinforcing film 12 can be formed in the same manner as the heater 3, the fluid thermometer 4, the temperature measuring element 5, and the electrode take-out portion 15.
【００６２】このような構造とすることで、製造工程を
増やすことなく、ダイアフラム２の端部の変形量を抑制
でき、この端部に生じる応力集中を緩和することが可能
となる。With such a structure, the amount of deformation at the end of the diaphragm 2 can be suppressed without increasing the number of manufacturing steps, and the concentration of stress at the end can be reduced.
【００６３】なお、この補強膜１２は、ヒータ３と同一
材料でなくても良く、その形成位置も、上部膜９の上部
あるいは下部膜８の下部等に設け、ヒータ３と同一の層
に形成しなくても良い。また、補強膜１２を配置する場
所はダイアフラム２の端部全体が望ましいが、ダイアフ
ラム２の変形時に最も応力がかかるダイアフラム２の端
部の辺の中央部、特に、辺の長さが長い部分の中央部に
配置するだけでもダイアフラム２の強度を向上させるこ
とができる。The reinforcing film 12 may not be made of the same material as that of the heater 3. The reinforcing film 12 may be formed in the same layer as the heater 3, for example, provided above the upper film 9 or below the lower film 8. You don't have to. Also, the place where the reinforcing film 12 is disposed is desirably the entire end of the diaphragm 2, but the central part of the side of the end of the diaphragm 2 to which the most stress is applied when the diaphragm 2 is deformed, particularly, the part where the length of the side is long The strength of the diaphragm 2 can be improved simply by arranging it at the center.
【００６４】（第３実施形態）図９は本発明の第３実施
形態に係るフローセンサの斜視図であって、図１０
（ａ）は図９におけるＥ−Ｅ断面図であり、（ｂ）は図
９におけるＦ−Ｆ断面図であり、（ｃ）は図９における
Ｇ−Ｇ断面図である。以下、主として、第１実施形態の
図１および図２と異なる点について述べ、同一部分には
同一符号を付して説明を省略する。(Third Embodiment) FIG. 9 is a perspective view of a flow sensor according to a third embodiment of the present invention.
9A is a cross-sectional view taken along the line EE in FIG. 9, FIG. 9B is a cross-sectional view taken along the line FF in FIG. 9, and FIG. Hereinafter, mainly points different from FIG. 1 and FIG. 2 of the first embodiment will be described, and the same portions will be denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.
【００６５】基板１としては面方位が（１１０）である
Ｓｉ基板を用いている。また、基板１の裏面側に堆積さ
せているＳｉ3Ｎ4膜を六角形にエッチングした後、基板
１を異方性エッチングすることにより空洞部７を形成し
ている。従って、空洞部７は基板１の面方向の形状が六
角形になっているため、ダイアフラム２は六角形となっ
ている。そして、基板１における、ダイアフラム２の幅
が最も狭い（短い）ダイアフラム２の端部の辺２ａ、つ
まり、ダイアフラム２の端部の各辺のうち対向する辺の
間の距離が最も短い１組の辺２ａと接触している部分に
おいて、空洞部７の側壁面７ａと基板１の表面１ａとの
なす角α１が９０°となっている。このダイアフラム２
の幅が最も狭い端部の辺２ａは、図９におけるＥ−Ｅ断
面で切断されており、図１０（ａ）において、このＥ−
Ｅ断面が示されている。As the substrate 1, an Si substrate having a plane orientation of (110) is used. Further, after the Si 3 N 4 film deposited on the back surface side of the substrate 1 is etched in a hexagonal shape, the substrate 1 is anisotropically etched to form the cavity 7. Therefore, since the cavity 7 has a hexagonal shape in the plane direction of the substrate 1, the diaphragm 2 has a hexagonal shape. Then, the side 2a of the end of the diaphragm 2 in the substrate 1 where the width of the diaphragm 2 is the shortest (shorter), that is, one set of the distances between the opposing sides of the ends of the diaphragm 2 is the shortest. In a portion in contact with the side 2a, an angle α1 formed between the side wall surface 7a of the cavity 7 and the surface 1a of the substrate 1 is 90 °. This diaphragm 2
The side 2a of the end portion having the smallest width is cut along the EE section in FIG. 9, and in FIG.
The E section is shown.
【００６６】そして、図９におけるＦ−Ｆ断面、Ｇ−Ｇ
断面を示す図１０（ｂ）、（ｃ）のように、その他のダ
イアフラム２の端部の辺２ｂと接触している空洞部７の
側壁面７ａと、基板１の表面１ａとのなす角は、Ｆ−Ｆ
断面における角α２は３６°となっており、Ｇ−Ｇ断面
における角α３は９０°となっている。Then, the section taken along the line FF in FIG.
As shown in FIGS. 10 (b) and 10 (c) showing cross sections, the angle between the side wall surface 7a of the cavity 7 in contact with the side 2b at the end of the other diaphragm 2 and the surface 1a of the substrate 1 is as follows. , FF
The angle α2 in the cross section is 36 °, and the angle α3 in the GG cross section is 90 °.
【００６７】また、ダイアフラム２の幅が最も狭い端部
の辺２ａ以外の辺２ｂにおいて、ヒータ３および測温体
５に電流を流すための配線リード２０を、辺２ｂの中央
部付近にその辺２ｂの長さの５０％以上を占めるように
広く配設している。なお、この配線リード２０はヒータ
３と同一の層に形成され同一の材料からなるものであ
る。In the side 2b other than the side 2a of the end having the smallest width of the diaphragm 2, a wiring lead 20 for flowing a current to the heater 3 and the temperature measuring element 5 is provided near the center of the side 2b. It is widely arranged so as to occupy 50% or more of the length of 2b. The wiring leads 20 are formed in the same layer as the heater 3 and made of the same material.
【００６８】ところで、特に、ダイアフラム２の裏面側
から力が印加された場合、上記第２実施形態に記述した
ように、ダイアフラム２を形成している下部膜８ではな
く、基板１の鋭角な部分で破壊が生じることが多い。従
って、本実施形態のように、最も応力の集中するダイア
フラム２の幅が最も狭い端部において、空洞部７の側壁
面７ａと基板１の表面１ａとの角度を９０゜とする、つ
まり強度の低下を引き起こす鋭角な成分をなくすことに
より、ダイアフラム２の絶縁層の厚さを高めることな
く、ダイアフラム２の破壊耐圧を向上させることができ
る。In particular, when a force is applied from the back side of the diaphragm 2, as described in the second embodiment, not the lower film 8 forming the diaphragm 2 but the sharp portion of the substrate 1. Often, destruction occurs. Therefore, as in the present embodiment, the angle between the side wall surface 7a of the cavity 7 and the surface 1a of the substrate 1 is 90 ° at the end where the width of the diaphragm 2 where the stress is concentrated is the narrowest. By eliminating the sharp component that causes the decrease, the breakdown voltage of the diaphragm 2 can be improved without increasing the thickness of the insulating layer of the diaphragm 2.
【００６９】図９におけるＦ−Ｆ断面、つまり図１０
（ｂ）においては、基板１の表面１ａ側に鋭角な部分が
できるが、その鋭角な部分と接触するダイアフラム２の
端部に生じる応力はダイアフラム２の幅が最も狭い端部
よりも低いため、全体としてはダイアフラム２の強度を
大幅に高めることができる。The section taken along the line FF in FIG.
In (b), an acute portion is formed on the surface 1a side of the substrate 1, but the stress generated at the end of the diaphragm 2 that comes into contact with the acute portion is lower than that at the end where the width of the diaphragm 2 is narrowest. As a whole, the strength of the diaphragm 2 can be greatly increased.
【００７０】ただし、本実施形態では、ダイアフラム２
の幅が最も狭い端部の辺２ａ以外の辺２ｂに配線リード
２０を配設しているため、基板１において空洞部７によ
り鋭角な部分が形成されている部分と接触しているダイ
アフラム２の端部において配線リード２０を配置するこ
とになる。従って、上記形状の空洞部７を有するフロー
センサのダイアフラム２において、強度の低下が生じる
場所の強度を向上させることが可能であり、全体のダイ
アフラム２の強度をさらに高めることができる。However, in this embodiment, the diaphragm 2
The wiring leads 20 are arranged on the sides 2b other than the side 2a of the end portion having the narrowest width, so that the diaphragm 2 in contact with the portion of the substrate 1 where the cavity 7 has an acute angle is formed. The wiring leads 20 are arranged at the ends. Therefore, in the diaphragm 2 of the flow sensor having the cavity 7 having the above-described shape, it is possible to improve the strength at the place where the strength is reduced, and it is possible to further increase the strength of the entire diaphragm 2.
【００７１】この配線リード２０をダイアフラム２の端
部の辺２ｂの中央部付近に広く配設する理由を以下に述
べる。配線リード２０の端部では、力が加わった場合に
配線リード２０の有無によりその変形量に差が生じるた
め、配線リード２０の端部においてせん断応力が働き、
破壊が生じ易くなる。The reason why the wiring leads 20 are arranged widely near the center of the side 2b at the end of the diaphragm 2 will be described below. At the end of the wiring lead 20, when a force is applied, a difference occurs in the amount of deformation depending on the presence or absence of the wiring lead 20, so that a shear stress acts on the end of the wiring lead 20,
Destruction is likely to occur.
【００７２】そのため、ダイアフラム２の変形により応
力が最も強くかかるダイアフラム２の端部の中央部付近
に配線リード２０の端部（リード端）があると強度低下
を招くため、応力が中央部付近よりも低くなるダイアフ
ラム２における端部の辺の端部（両端付近）まで配線リ
ード２０を広げることで、この配線リード２０の端部に
よる強度劣化を回避できる。また、同時にダイアフラム
２の端部における中央部に配線リード２０を配設するこ
とで、その端部における変形量を抑えることができ、強
度を高めることができる。Therefore, if the end (lead end) of the wiring lead 20 is located near the center of the end of the diaphragm 2 where the stress is most strongly applied due to the deformation of the diaphragm 2, the strength is reduced. By extending the wiring lead 20 to the end of the end of the diaphragm 2 (near both ends), the strength deterioration due to the end of the wiring lead 20 can be avoided. Also, by arranging the wiring lead 20 at the center of the end of the diaphragm 2 at the same time, the amount of deformation at the end can be suppressed, and the strength can be increased.
【００７３】このように配線リード２０を配設させるこ
とは、ダイアフラム２の表面側から力が印加された場合
にも大きな効果がある。また、図１１の斜視図のよう
に、ダイアフラム２の端部全てに配線リード２０を配設
することでさらにダイアフラム２の強度を高めることが
できる。The arrangement of the wiring leads 20 has a great effect even when a force is applied from the front side of the diaphragm 2. In addition, as shown in the perspective view of FIG. 11, the strength of the diaphragm 2 can be further increased by disposing the wiring leads 20 at all the ends of the diaphragm 2.
【００７４】なお、空洞部７の側壁面７ａと基板１の表
面１ａとがなす角は９０°に限らず、９０°以上として
も良い。また、基板１として面方位が（１１０）である
Ｓｉを用いる例について記載したが、これに限らず、ダ
イアフラム２の幅が最も狭い端部の辺２ａと接触する基
板１に形成される鋭角な部分（基板１の表面１ａと側壁
面７ａとで形成される角度が９０゜以下の部分を指す）
を低減し、９０゜に近づける、または９０゜以上にする
ことが重要である。なお、上記フローセンサの製造方法
は、第１実施形態において強化膜１０を形成しない場合
と同様である。The angle formed between the side wall surface 7a of the cavity 7 and the surface 1a of the substrate 1 is not limited to 90 °, but may be 90 ° or more. Also, an example in which Si having a plane orientation of (110) is used as the substrate 1 has been described. However, the present invention is not limited to this. Portion (refers to a portion where the angle formed by the surface 1a of the substrate 1 and the side wall surface 7a is 90 ° or less)
It is important to reduce and approach 90 ° or more. The method for manufacturing the flow sensor is the same as that in the first embodiment when the reinforcing film 10 is not formed.
【００７５】なお、上記第１〜第３実施形態において
は、基板１に設けた空洞部７上にダイアフラム２を形成
した構成となっているフローセンサについて示したが、
例えば、ダイアフラムがブリッジ状に形成されたフロー
センサについて本発明を適用してもよい。その他、本発
明は、ガスセンサや湿度センサ等、ダイアフラムを有す
るセンサに適用することができる。In the first to third embodiments, the flow sensor having the configuration in which the diaphragm 2 is formed on the cavity 7 provided in the substrate 1 has been described.
For example, the present invention may be applied to a flow sensor in which a diaphragm is formed in a bridge shape. In addition, the present invention can be applied to a sensor having a diaphragm, such as a gas sensor or a humidity sensor.
【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]
【図１】第１実施形態に係るフローセンサの斜視図であ
る。FIG. 1 is a perspective view of a flow sensor according to a first embodiment.
【図２】第１実施形態に係るフローセンサの断面図であ
る。FIG. 2 is a cross-sectional view of the flow sensor according to the first embodiment.
【図３】第１実施形態の効果を説明するためのフローセ
ンサの断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of the flow sensor for describing an effect of the first embodiment.
【図４】第１実施形態に係るフローセンサの工程図であ
る。FIG. 4 is a process diagram of the flow sensor according to the first embodiment.
【図５】第１実施形態の変形例に係るフローセンサの断
面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view of a flow sensor according to a modification of the first embodiment.
【図６】第２実施形態に係るフローセンサの断面図であ
る。FIG. 6 is a sectional view of a flow sensor according to a second embodiment.
【図７】第２実施形態に係るフローセンサの工程図であ
る。FIG. 7 is a process diagram of a flow sensor according to a second embodiment.
【図８】第２実施形態の変形例に係るフローセンサの断
面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view of a flow sensor according to a modification of the second embodiment.
【図９】第３実施形態に係るフローセンサの斜視図であ
る。FIG. 9 is a perspective view of a flow sensor according to a third embodiment.
【図１０】第３実施形態に係るフローセンサの断面図で
ある。FIG. 10 is a sectional view of a flow sensor according to a third embodiment.
【図１１】第３実施形態に係るフローセンサの他の例を
示す斜視図である。FIG. 11 is a perspective view showing another example of the flow sensor according to the third embodiment.
１…基板、２…ダイアフラム、３…ヒータ、４…流体温
度計、５…測温体、６…隙間、７…空洞部、８…下部
膜、９…上部膜、１０…強化膜、１１…犠牲層膜、１２
…補強膜、１５…電極取り出し部、１６…エッチング保
護膜、２０…配線リード。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate, 2 ... diaphragm, 3 ... heater, 4 ... fluid thermometer, 5 ... temperature measuring element, 6 ... gap, 7 ... cavity part, 8 ... lower film, 9 ... upper film, 10 ... reinforcement film, 11 ... Sacrificial layer film, 12
... Reinforcing film, 15 ... Electrode take-out part, 16 ... Etching protection film, 20 ... Wiring lead.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F035 AA02 EA08 4M112 AA10 CA02 CA05 CA11 DA02 DA06 DA09 EA03 EA06 EA07 EA12 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2F035 AA02 EA08 4M112 AA10 CA02 CA05 CA11 DA02 DA06 DA09 EA03 EA06 EA07 EA12
Claims (18)
空洞部（７）上に複数の薄膜を積層してなるダイアフラ
ム（２）が設けられており、前記複数の薄膜のうち、最
大破壊強度を有する薄膜（１０）が前記ダイアフラム
（２）の表面側および裏面側の最外層の少なくとも一方
に用いられていることを特徴とするセンサ。1. A diaphragm (2) formed by laminating a plurality of thin films on a cavity (7) of a base (1) having a cavity (7). And a thin film (10) having a maximum breaking strength is used for at least one of the outermost layer on the front side and the back side of the diaphragm (2).
が、熱ＣＶＤ法により形成された窒化シリコン膜または
炭化シリコン膜、またはスパッタ法により形成されたア
ルミナ膜であることを特徴とする請求項１に記載のセン
サ。2. A thin film having a maximum breaking strength.
The sensor according to claim 1, wherein is a silicon nitride film or a silicon carbide film formed by a thermal CVD method, or an alumina film formed by a sputtering method.
ＣＶＤ法により形成された窒化シリコン膜であり、前記
窒化シリコン膜の密度が２．４ｇ／ｃｍ3以上２．６ｇ
／ｃｍ3以下であることを特徴とする請求項１に記載の
センサ。3. The thin film (10) having the maximum strength is a silicon nitride film formed by a thermal CVD method, and the density of the silicon nitride film is 2.4 g / cm 3 or more and 2.6 g.
The sensor according to claim 1, wherein the ratio is not more than / cm 3 .
ＣＶＤ法により形成された炭化シリコン膜であり、前記
炭化シリコン膜の密度が２．６ｇ／ｃｍ3以上３．０ｇ
／ｃｍ3以下であることを特徴とする請求項１に記載の
センサ。4. The thin film (10) having the maximum strength is a silicon carbide film formed by a thermal CVD method, and the density of the silicon carbide film is not less than 2.6 g / cm 3 and 3.0 g.
The sensor according to claim 1, wherein the ratio is not more than / cm 3 .
パッタ法により形成されたアルミナ膜であり、前記アル
ミナ膜の密度が３．６ｇ／ｃｍ3以上３．９ｇ／ｃｍ3以
下であることを特徴とする請求項１に記載のセンサ。5. The method according to claim 1, wherein the thin film having the maximum strength is an alumina film formed by a sputtering method, and the density of the alumina film is not less than 3.6 g / cm 3 and not more than 3.9 g / cm 3. The sensor according to claim 1, wherein:
空洞部（７）上にダイアフラム（２）が設けられてお
り、前記ダイアフラム（２）の端部において、前記基台
（１）と前記ダイアフラム（２）との間に前記空洞部
（７）と連通する隙間（６）が形成されていることを特
徴とするセンサ。6. A diaphragm (2) is provided on the cavity (7) of the base (1) having the cavity (7), and the base (1) is provided at an end of the diaphragm (2). A sensor, wherein a gap (6) communicating with the cavity (7) is formed between 1) and the diaphragm (2).
補強膜（１２）が設けられていることを特徴とする請求
項６に記載のセンサ。7. The sensor according to claim 6, wherein a reinforcing film (12) is provided at an end of the diaphragm (2).
体（３）が形成されており、前記補強膜（１２）が前記
発熱体（３）と同一材料で形成されていることを特徴と
する請求項７に記載のセンサ。8. A heating element (3) having a film configuration is formed on the diaphragm (2), and the reinforcing film (12) is formed of the same material as the heating element (3). The sensor according to claim 7, wherein:
のセンサを製造する方法であって、 予め前記基台（１）上に隙間形成用の膜（１１ａ）を堆
積させ、この隙間形成用の膜（１１ａ）の上に前記ダイ
アフラム（２）を構成する膜（８、９）を形成した後、
前記空洞部（７）を形成し、続いて、前記隙間形成用の
膜（１１ａ）をエッチングすることにより、前記隙間
（６）を形成することを特徴とするセンサの製造方法。9. A method for manufacturing a sensor according to claim 6, wherein a film (11a) for forming a gap is previously deposited on the base (1), and the gap is formed. After forming the films (8, 9) constituting the diaphragm (2) on the forming film (11a),
A method for manufacturing a sensor, comprising: forming the cavity (7); and subsequently forming the gap (6) by etching the film (11a) for forming the gap.
記空洞部（７）上に平面形状が多角形であるダイアフラ
ム（２）が設けられており、このダイアフラム（２）の
端部の各辺の少なくとも１つにおいて、前記端部の辺の
中央部に配線リード（２０）が設けられていることを特
徴とするセンサ。10. A diaphragm (2) having a polygonal planar shape is provided on the cavity (7) of the base (1) having the cavity (7), and an end of the diaphragm (2). A sensor, characterized in that a wiring lead (20) is provided at a central portion of the side of at least one of the sides of the portion.
面（１ａ）側の前記空洞部（７）上に平面形状が多角形
であるダイアフラム（２）が設けられており、 前記基台（１）における、前記ダイアフラム（２）の幅
が最も狭い前記ダイアフラム（２）の端部と接触してい
る部分において、前記空洞部（７）の側壁面（７ａ）と
前記基台（１）の表面（１ａ）とのなす角が、前記側壁
面（７ａ）と前記基台（１）の表面（１ａ）とのなす角
のうちで最も大きくなっていることを特徴とするセン
サ。11. A diaphragm (2) having a polygonal planar shape is provided on the cavity (7) on the surface (1a) side of the base (1) having the cavity (7), At a portion of the base (1) in contact with the end of the diaphragm (2) where the width of the diaphragm (2) is the smallest, the side wall surface (7a) of the cavity (7) and the base ( The sensor according to claim 1, wherein the angle between the surface (1a) and the surface (1a) is the largest among the angles between the side wall surface (7a) and the surface (1a) of the base (1).
の表面（１ａ）とのなす角のうちで最も大きい角が９０
°以上であることを特徴とする請求項１１に記載のセン
サ。12. The side wall (7a) and the base (1).
Of the angles formed with the surface (1a) is 90
12. The sensor according to claim 11, wherein the angle is equal to or greater than °.
の少なくとも１つにおいて、前記端部の辺の中央部に配
線リード（２０）が設けられていることを特徴とする請
求項１１または１２に記載のセンサ。13. A wiring lead (20) is provided at at least one of the sides of the end of the diaphragm (2) at the center of the side of the end. 13. The sensor according to 12.
アフラム（２）の端部の各辺のうち、前記ダイアフラム
（２）の幅が最も狭い前記ダイアフラム（２）の端部の
辺（２ａ）以外の辺（２ｂ）に設けられていることを特
徴とする請求項１０または１３に記載のセンサ。14. The side (2a) of the end of the diaphragm (2) in which the width of the diaphragm (2) is the smallest among the sides of the end of the diaphragm (2). The sensor according to claim 10, wherein the sensor is provided on a side other than the side.
０）であるシリコン基板であることを特徴とする請求項
１１ないし１４のいずれか１つに記載のセンサ。15. The base (1) has a plane orientation of (11).
The sensor according to any one of claims 11 to 14, wherein the sensor is a silicon substrate (0).
いる前記ダイアフラム（２）の端部の辺において、前記
配線リード（２０）が横切っている長さが、前記端部の
辺の長さの５０％以上を占めていることを特徴とする請
求項１０、１３、１４、１５のいずれか１つに記載のセ
ンサ。16. The side of the end of the diaphragm (2) provided with the wiring lead (20) has a length traversed by the wiring lead (20), the length of the side of the end. The sensor according to any one of claims 10, 13, 14, and 15, wherein 50% or more of the sensor is occupied.
ンが形成され、前記配線パターンの少なくとも一部を加
熱して流体の流量を検出するフローセンサとして用いら
れることを特徴とする請求項１ないし８、１０ないし１
６のいずれか１つに記載のセンサ。17. A diaphragm according to claim 1, wherein a wiring pattern is formed on the diaphragm, and the diaphragm is used as a flow sensor for heating at least a part of the wiring pattern to detect a flow rate of a fluid. 10 or 1
7. The sensor according to any one of 6.
合金であることを特徴とする請求項１７に記載のセン
サ。18. The method according to claim 17, wherein the wiring pattern is Pt or Pt.
The sensor according to claim 17, wherein the sensor is an alloy.
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|---|---|
| JP (1) | JP2001194201A (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003065819A (en) * | 2001-08-27 | 2003-03-05 | Denso Corp | Thin film sensor |
| JP2005337956A (en) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Yamaha Corp | Physical quantity sensor and manufacturing method therefor |
| US6983653B2 (en) | 2002-12-13 | 2006-01-10 | Denso Corporation | Flow sensor having thin film portion and method for manufacturing the same |
| US7211873B2 (en) | 2003-09-24 | 2007-05-01 | Denso Corporation | Sensor device having thin membrane and method of manufacturing the same |
| JP2018157224A (en) * | 2011-08-19 | 2018-10-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
| WO2022163020A1 (en) * | 2021-01-26 | 2022-08-04 | 株式会社村田製作所 | Resonance device and manufacturing method for same |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6079778A (en) * | 1983-10-06 | 1985-05-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Semiconductor pressure sensor and manufacture thereof |
| JPS6188532A (en) * | 1984-10-01 | 1986-05-06 | ハネウエル・インコーポレーテツド | Integrated semiconductor device and manufacture thereof |
| JPH0593732A (en) * | 1991-10-01 | 1993-04-16 | Fuji Electric Co Ltd | Flow sensor |
| JPH05296864A (en) * | 1992-04-16 | 1993-11-12 | Nec Corp | Pressure sensor and its manufacture |
| JPH0666613A (en) * | 1991-07-18 | 1994-03-11 | Ricoh Seiki Co Ltd | Floesensor |
| JPH0688799A (en) * | 1991-09-13 | 1994-03-29 | Ricoh Co Ltd | Gas sensor |
| JPH07106296A (en) * | 1993-09-29 | 1995-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor flow sensor and its manufacture |
| JPH08145755A (en) * | 1994-11-21 | 1996-06-07 | Nissan Motor Co Ltd | Intake air flow sensor for internal combustion engine |
| JPH09113390A (en) * | 1995-10-17 | 1997-05-02 | Yokogawa Electric Corp | Semiconductor pressure measuring device and fabrication thereof |
| JPH11258021A (en) * | 1998-03-16 | 1999-09-24 | Hitachi Ltd | Thermal type air flow sensor |
-
2000
- 2000-01-12 JP JP2000006361A patent/JP2001194201A/en active Pending
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6079778A (en) * | 1983-10-06 | 1985-05-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Semiconductor pressure sensor and manufacture thereof |
| JPS6188532A (en) * | 1984-10-01 | 1986-05-06 | ハネウエル・インコーポレーテツド | Integrated semiconductor device and manufacture thereof |
| JPH0666613A (en) * | 1991-07-18 | 1994-03-11 | Ricoh Seiki Co Ltd | Floesensor |
| JPH0688799A (en) * | 1991-09-13 | 1994-03-29 | Ricoh Co Ltd | Gas sensor |
| JPH0593732A (en) * | 1991-10-01 | 1993-04-16 | Fuji Electric Co Ltd | Flow sensor |
| JPH05296864A (en) * | 1992-04-16 | 1993-11-12 | Nec Corp | Pressure sensor and its manufacture |
| JPH07106296A (en) * | 1993-09-29 | 1995-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor flow sensor and its manufacture |
| JPH08145755A (en) * | 1994-11-21 | 1996-06-07 | Nissan Motor Co Ltd | Intake air flow sensor for internal combustion engine |
| JPH09113390A (en) * | 1995-10-17 | 1997-05-02 | Yokogawa Electric Corp | Semiconductor pressure measuring device and fabrication thereof |
| JPH11258021A (en) * | 1998-03-16 | 1999-09-24 | Hitachi Ltd | Thermal type air flow sensor |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003065819A (en) * | 2001-08-27 | 2003-03-05 | Denso Corp | Thin film sensor |
| US6983653B2 (en) | 2002-12-13 | 2006-01-10 | Denso Corporation | Flow sensor having thin film portion and method for manufacturing the same |
| US7211873B2 (en) | 2003-09-24 | 2007-05-01 | Denso Corporation | Sensor device having thin membrane and method of manufacturing the same |
| JP2005337956A (en) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Yamaha Corp | Physical quantity sensor and manufacturing method therefor |
| JP2018157224A (en) * | 2011-08-19 | 2018-10-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
| WO2022163020A1 (en) * | 2021-01-26 | 2022-08-04 | 株式会社村田製作所 | Resonance device and manufacturing method for same |
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