JP2001193914A - プラズマｃｖｄ装置からの可燃性廃ガスの燃焼処理方法とそのためのシステム - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置からの可燃性廃ガスの燃焼処理方法とそのためのシステムInfo
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- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマＣＶＤ装置から排出される可燃性廃
ガスの燃焼処理において用いられる種火用の可燃性原料
ガスを節約し得る技術を提供する。 【解決手段】 プラズマＣＶＤ装置１ｐ，１ｉ，１ｎか
ら排出された可燃性廃ガスの燃焼処理方法において、そ
の廃ガスの一部を分流５して燃焼処理室７内の種火用と
して供給し、廃ガスの残部４は燃焼処理室７内で種火に
よって燃焼させられ、プラズマＣＶＤ装置からの廃ガス
が減少または停止したときには別途の可燃性原料ガスＨ
2が種火用として補充されることを特徴としている。
ガスの燃焼処理において用いられる種火用の可燃性原料
ガスを節約し得る技術を提供する。 【解決手段】 プラズマＣＶＤ装置１ｐ，１ｉ，１ｎか
ら排出された可燃性廃ガスの燃焼処理方法において、そ
の廃ガスの一部を分流５して燃焼処理室７内の種火用と
して供給し、廃ガスの残部４は燃焼処理室７内で種火に
よって燃焼させられ、プラズマＣＶＤ装置からの廃ガス
が減少または停止したときには別途の可燃性原料ガスＨ
2が種火用として補充されることを特徴としている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマＣＶＤ装置
から排出される可燃性廃ガスの燃焼処理に関し、特に、
その燃焼処理に用いられる種火用原料ガスの節約に関す
るものである。
から排出される可燃性廃ガスの燃焼処理に関し、特に、
その燃焼処理に用いられる種火用原料ガスの節約に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】今日では、種々の半導体装置がプラズマ
ＣＶＤ装置を用いて製造されている。プラズマＣＶＤを
利用して半導体装置が製造される場合、通常はシラン系
ガスを含む原料ガスが用いられる。
ＣＶＤ装置を用いて製造されている。プラズマＣＶＤを
利用して半導体装置が製造される場合、通常はシラン系
ガスを含む原料ガスが用いられる。
【０００３】プラズマＣＶＤを利用して製造される半導
体装置の典型例としては、液晶表示パネル用の透明基板
上に形成されたＴＦＴ（薄膜トランジスタ）アレイや薄
膜太陽電池などがある。ＴＦＴアレイは表示パネルの大
型化のために大面積化が求められており、薄膜太陽電池
ではより大きな発電能力を得るために大面積化が求めら
れている。これらの半導体装置の大型化は、当然に、プ
ラズマＣＶＤ装置へ供給されるべき原料ガス量の増大を
伴う。
体装置の典型例としては、液晶表示パネル用の透明基板
上に形成されたＴＦＴ（薄膜トランジスタ）アレイや薄
膜太陽電池などがある。ＴＦＴアレイは表示パネルの大
型化のために大面積化が求められており、薄膜太陽電池
ではより大きな発電能力を得るために大面積化が求めら
れている。これらの半導体装置の大型化は、当然に、プ
ラズマＣＶＤ装置へ供給されるべき原料ガス量の増大を
伴う。
【０００４】プラズマＣＶＤ装置に供給された原料ガス
はプラズマ反応室で完全には消費されず、シラン系ガス
が残存している廃ガスが排気ポンプによって反応室外へ
排出される。ところで、シラン系ガスは反応性が高く、
自然発火性が強い上に、人間が吸入した場合には、呼吸
器に対して強い毒性を有している。
はプラズマ反応室で完全には消費されず、シラン系ガス
が残存している廃ガスが排気ポンプによって反応室外へ
排出される。ところで、シラン系ガスは反応性が高く、
自然発火性が強い上に、人間が吸入した場合には、呼吸
器に対して強い毒性を有している。
【０００５】したがって、プラズマＣＶＤ反応室から排
気ポンプによって排出させられたシラン系ガスを含む廃
ガスは、そのまま大気中に放出することは許されず、除
害装置によって無毒化またはシラン系ガスを除去した後
に大気中に放出される。そのような除害装置の一例とし
て、図２と図３において模式的に図解されているような
燃焼処理装置が従来から用いられている。
気ポンプによって排出させられたシラン系ガスを含む廃
ガスは、そのまま大気中に放出することは許されず、除
害装置によって無毒化またはシラン系ガスを除去した後
に大気中に放出される。そのような除害装置の一例とし
て、図２と図３において模式的に図解されているような
燃焼処理装置が従来から用いられている。
【０００６】図２は廃ガスの流れに沿って燃焼処理室の
壁を縦断除去した状態を模式的に表わし、図３は図２中
の線３Ａ−３Ａに沿った横断透視図を表わしている。こ
れらの図に示された燃焼処理装置において、プラズマＣ
ＶＤ装置から排出された可燃性廃ガスは燃焼処理室１７
の入口ポート１７ａから導入されて、出口ポート１７ｂ
から排出される。その間において、入口ポート１７ａか
ら導入された可燃性廃ガスは、空気導入管１８の開口１
８ａから供給される空気と混合されるとともに種火１６
ａに触れて燃焼させられる。
壁を縦断除去した状態を模式的に表わし、図３は図２中
の線３Ａ−３Ａに沿った横断透視図を表わしている。こ
れらの図に示された燃焼処理装置において、プラズマＣ
ＶＤ装置から排出された可燃性廃ガスは燃焼処理室１７
の入口ポート１７ａから導入されて、出口ポート１７ｂ
から排出される。その間において、入口ポート１７ａか
ら導入された可燃性廃ガスは、空気導入管１８の開口１
８ａから供給される空気と混合されるとともに種火１６
ａに触れて燃焼させられる。
【０００７】種火１６ａ用の可燃性原料ガスは、液化プ
ロパンガス（ＬＰＧ）ボンベ１６からプロパンガス供給
管１５を介して常時供給されている。なお、種火用原料
ガスとしては、プロパン以外に都市ガスや水素などが用
いられる場合もある。プロパンガス供給管１５は、種火
用の空気を供給するためのエアパイプをも含み、図３に
示されているようなリング状部分１５ａを含み得る。リ
ング状部分１５ａは、複数のプロパン放出用開口１５ｂ
を含み得る。こうして、プラズマＣＶＤ装置から排出さ
れた可燃性廃ガスが複数の種火１６ａに触れることによ
って効率的に燃焼処理されて無害化され得る。
ロパンガス（ＬＰＧ）ボンベ１６からプロパンガス供給
管１５を介して常時供給されている。なお、種火用原料
ガスとしては、プロパン以外に都市ガスや水素などが用
いられる場合もある。プロパンガス供給管１５は、種火
用の空気を供給するためのエアパイプをも含み、図３に
示されているようなリング状部分１５ａを含み得る。リ
ング状部分１５ａは、複数のプロパン放出用開口１５ｂ
を含み得る。こうして、プラズマＣＶＤ装置から排出さ
れた可燃性廃ガスが複数の種火１６ａに触れることによ
って効率的に燃焼処理されて無害化され得る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、プラズマＣ
ＶＤ装置を利用してたとえば絶縁性基板上に薄膜太陽電
池を形成する場合、上述のような燃焼処理装置の種火を
維持するためには、１つのプラズマ反応室当りに約５〜
１０ＳＬＭ（０℃で１気圧の標準状態で１分間当りのリ
ットル数）の流量のプロパンが必要とされる。
ＶＤ装置を利用してたとえば絶縁性基板上に薄膜太陽電
池を形成する場合、上述のような燃焼処理装置の種火を
維持するためには、１つのプラズマ反応室当りに約５〜
１０ＳＬＭ（０℃で１気圧の標準状態で１分間当りのリ
ットル数）の流量のプロパンが必要とされる。
【０００９】現在、薄膜太陽電池は基板の大型化と大量
生産化が進められており、これに伴って、燃焼処理装置
の多くの種火を常時に維持するために必要とされる種火
用原料ガスのコストが相当に大きなものとなってくる。
生産化が進められており、これに伴って、燃焼処理装置
の多くの種火を常時に維持するために必要とされる種火
用原料ガスのコストが相当に大きなものとなってくる。
【００１０】係る状況に鑑み、本発明は、プラズマＣＶ
Ｄ装置から排出される可燃性廃ガスの燃焼処理に必要と
される種火用原料ガスを節約し得る技術を提供すること
を目的としている。
Ｄ装置から排出される可燃性廃ガスの燃焼処理に必要と
される種火用原料ガスを節約し得る技術を提供すること
を目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、プラズ
マＣＶＤ装置から排出された可燃性廃ガスの燃焼処理方
法において、その廃ガスの一部を分流して燃焼処理室内
の種火用として供給し、廃ガスの残部は燃焼処理室内で
種火によって燃焼させられ、プラズマＣＶＤ装置からの
廃ガスが減少または停止したときには別途の可燃性原料
ガスが種火用として補充されることを特徴としている。
マＣＶＤ装置から排出された可燃性廃ガスの燃焼処理方
法において、その廃ガスの一部を分流して燃焼処理室内
の種火用として供給し、廃ガスの残部は燃焼処理室内で
種火によって燃焼させられ、プラズマＣＶＤ装置からの
廃ガスが減少または停止したときには別途の可燃性原料
ガスが種火用として補充されることを特徴としている。
【００１２】なお、処理されるべき廃ガスは種火を維持
しうる可燃性成分を含み、この可燃性成分は８０％以上
の水素を含み、その可燃成分の残部はシラン系ガスを含
むことが好ましい。また、プラズマＣＶＤ装置において
基板上の薄膜太陽電池に含まれるシリコン系層が堆積さ
れる際の廃ガス処理の場合には、基板の単位面積当りに
１．５ｓｃｃｍ／ｃｍ2以上の流量の水素がプラズマＣ
ＶＤ装置へ供給されていることが好ましい。
しうる可燃性成分を含み、この可燃性成分は８０％以上
の水素を含み、その可燃成分の残部はシラン系ガスを含
むことが好ましい。また、プラズマＣＶＤ装置において
基板上の薄膜太陽電池に含まれるシリコン系層が堆積さ
れる際の廃ガス処理の場合には、基板の単位面積当りに
１．５ｓｃｃｍ／ｃｍ2以上の流量の水素がプラズマＣ
ＶＤ装置へ供給されていることが好ましい。
【００１３】このような可燃性廃ガスの燃焼処理方法を
行なうためのシステムは、少なくとも１以上のプラズマ
ＣＶＤ反応室からの可燃性廃ガスを集めるバッファタン
クと、そのバッファタンクから送られる廃ガスを燃焼処
理するための燃焼室とを備え、バッファタンク内が所定
の第１圧力以上のときにそのバッファタンクから燃焼室
へ廃ガスを送るための第１調節弁と、バッファタンクが
第１圧力より低い所定の第２圧力より低くないときにバ
ッファタンクから燃焼室内の種火用ガスとして廃ガスを
送るための第２調節弁と、反応室からバッファタンク内
に流入する廃ガスが減少または停止したためにバッファ
タンク内の圧力が第１圧力未満になったときにバッファ
タンク内を第１圧力未満で第２圧力以上に維持するよう
にバッファタンク内へ別途の種火用原料ガスを注入する
ための第３調節弁を含むことによって構成することがで
きる。そして、そのような燃焼室には、空気を供給する
手段が接続されていることが好ましい。
行なうためのシステムは、少なくとも１以上のプラズマ
ＣＶＤ反応室からの可燃性廃ガスを集めるバッファタン
クと、そのバッファタンクから送られる廃ガスを燃焼処
理するための燃焼室とを備え、バッファタンク内が所定
の第１圧力以上のときにそのバッファタンクから燃焼室
へ廃ガスを送るための第１調節弁と、バッファタンクが
第１圧力より低い所定の第２圧力より低くないときにバ
ッファタンクから燃焼室内の種火用ガスとして廃ガスを
送るための第２調節弁と、反応室からバッファタンク内
に流入する廃ガスが減少または停止したためにバッファ
タンク内の圧力が第１圧力未満になったときにバッファ
タンク内を第１圧力未満で第２圧力以上に維持するよう
にバッファタンク内へ別途の種火用原料ガスを注入する
ための第３調節弁を含むことによって構成することがで
きる。そして、そのような燃焼室には、空気を供給する
手段が接続されていることが好ましい。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１において、本発明の実施の形
態として、薄膜太陽電池を製造するために利用されるイ
ンライン型プラズマＣＶＤ装置に接続された燃焼処理シ
ステムの一例が模式的なブロック図で示されている。図
１のシステムにおいて、プラズマＣＶＤ装置は、薄膜太
陽電池に含まれるｐ型、ｉ型、およびｎ型のシリコン系
半導体層を順次に堆積するためにインラインに配列され
た複数のプラズマＣＶＤ反応室（チャンバ）１ｐ，１
ｉ，１ｎを含んでいる。なお、図１ではｐ型用チャンバ
１ｐとｎ型用チャンバ１ｎとの間においてただ１つのｉ
型用チャンバ１ｉが示されているが、通常はｐ型層やｎ
型層よりはるかに厚いｉ型層を効率的に堆積するため
に、複数のｉ型用チャンバがインラインに配置されてい
る。これらのＣＶＤチャンバのそれぞれにおいて、通常
は水素で希釈されたシラン系ガスと必要に応じてドーパ
ントガスを含む原料ガスが導入され、所望のシリコン系
半導体層が堆積される。
態として、薄膜太陽電池を製造するために利用されるイ
ンライン型プラズマＣＶＤ装置に接続された燃焼処理シ
ステムの一例が模式的なブロック図で示されている。図
１のシステムにおいて、プラズマＣＶＤ装置は、薄膜太
陽電池に含まれるｐ型、ｉ型、およびｎ型のシリコン系
半導体層を順次に堆積するためにインラインに配列され
た複数のプラズマＣＶＤ反応室（チャンバ）１ｐ，１
ｉ，１ｎを含んでいる。なお、図１ではｐ型用チャンバ
１ｐとｎ型用チャンバ１ｎとの間においてただ１つのｉ
型用チャンバ１ｉが示されているが、通常はｐ型層やｎ
型層よりはるかに厚いｉ型層を効率的に堆積するため
に、複数のｉ型用チャンバがインラインに配置されてい
る。これらのＣＶＤチャンバのそれぞれにおいて、通常
は水素で希釈されたシラン系ガスと必要に応じてドーパ
ントガスを含む原料ガスが導入され、所望のシリコン系
半導体層が堆積される。
【００１５】ＣＶＤチャンバ１ｐ，１ｉ，１ｎからの可
燃性の廃ガスは、それぞれのチャンバに対応する排気ポ
ンプ２ｐ，２ｉ，２ｎを介して、バッファタンク３内へ
集められる。バッファタンク３内の廃ガスは、その圧力
が所定の第１圧力以上であるときに、第１調節弁４ａと
メイン配管４を介して燃焼処理室７へ送られる。これと
同時に、バッファタンク３内の廃ガスの一部は、それが
第１圧力より低い所定の第２圧力より低くないときに、
第２調節弁５ａと分岐配管５とを介して燃焼処理室７内
へ送られる。その燃焼処理室７内へは、空気導入管８を
介して空気も供給される。
燃性の廃ガスは、それぞれのチャンバに対応する排気ポ
ンプ２ｐ，２ｉ，２ｎを介して、バッファタンク３内へ
集められる。バッファタンク３内の廃ガスは、その圧力
が所定の第１圧力以上であるときに、第１調節弁４ａと
メイン配管４を介して燃焼処理室７へ送られる。これと
同時に、バッファタンク３内の廃ガスの一部は、それが
第１圧力より低い所定の第２圧力より低くないときに、
第２調節弁５ａと分岐配管５とを介して燃焼処理室７内
へ送られる。その燃焼処理室７内へは、空気導入管８を
介して空気も供給される。
【００１６】燃焼処理室７内においては、分岐配管５を
介して供給される可燃性廃ガスによって種火が維持され
ている。メイン配管４を介して供給される可燃性廃ガス
は、燃焼処理室７内で維持されている種火によって燃焼
させられる。こうして燃焼処理室７内で処理された廃ガ
スは、ブロア（または排気ポンプ）９ａおよび排出管９
を介して大気中に放出されるか、または次段の（たとえ
ば微粉除去のための）処理システムへ送られる。
介して供給される可燃性廃ガスによって種火が維持され
ている。メイン配管４を介して供給される可燃性廃ガス
は、燃焼処理室７内で維持されている種火によって燃焼
させられる。こうして燃焼処理室７内で処理された廃ガ
スは、ブロア（または排気ポンプ）９ａおよび排出管９
を介して大気中に放出されるか、または次段の（たとえ
ば微粉除去のための）処理システムへ送られる。
【００１７】すなわち、図１に示されているような廃ガ
ス燃焼処理システムにおいては、プラズマＣＶＤ装置か
らの可燃性廃ガスがバッファタンク３内へ十分に収集さ
れている間には、燃焼処理室７内の種火を維持するため
に別途の種火用原料ガスを必要とせず、その廃ガス自体
で賄えることになり、種火用原料ガスのコストを省略で
きることになる。
ス燃焼処理システムにおいては、プラズマＣＶＤ装置か
らの可燃性廃ガスがバッファタンク３内へ十分に収集さ
れている間には、燃焼処理室７内の種火を維持するため
に別途の種火用原料ガスを必要とせず、その廃ガス自体
で賄えることになり、種火用原料ガスのコストを省略で
きることになる。
【００１８】ところで、インラインのプラズマＣＶＤチ
ャンバ１ｐ，１ｉ，１ｎ間で薄膜太陽電池基板を移動さ
せる場合などにおいて、それらのＣＶＤチャンバからバ
ッファタンク３に集められる廃ガスの流れが減少または
停止したときには、バッファタンク３内の圧力が低下す
る。そして、バッファタンク３内の圧力が第１圧力より
低下したときには、第１調節弁４ａは、メイン配管４を
介して廃ガスを燃焼処理室７へ送ることを停止する。し
かし、バッファタンク３内の廃ガスの圧力が第１圧力よ
り低くても第２圧力より低くならなければ、第２調節弁
５ａは分岐配管５を介して種火用の可燃性廃ガスを燃焼
処理室７内へ送り続け、これによって種火は維持され続
ける。そして、インラインのプラズマＣＶＤチャンバ１
ｐ，１ｉ，１ｎ内でＣＶＤ反応が再開されれば、バッフ
ァタンク３への廃ガス収集量が増大し、バッファタンク
３内の圧力が第１圧力以上に回復する。そうすれば、第
１調節弁４ａがメイン配管４を介して再度廃ガスを燃焼
処理室７内へ送込み、維持されている種火によって燃焼
処理が再開されることになる。
ャンバ１ｐ，１ｉ，１ｎ間で薄膜太陽電池基板を移動さ
せる場合などにおいて、それらのＣＶＤチャンバからバ
ッファタンク３に集められる廃ガスの流れが減少または
停止したときには、バッファタンク３内の圧力が低下す
る。そして、バッファタンク３内の圧力が第１圧力より
低下したときには、第１調節弁４ａは、メイン配管４を
介して廃ガスを燃焼処理室７へ送ることを停止する。し
かし、バッファタンク３内の廃ガスの圧力が第１圧力よ
り低くても第２圧力より低くならなければ、第２調節弁
５ａは分岐配管５を介して種火用の可燃性廃ガスを燃焼
処理室７内へ送り続け、これによって種火は維持され続
ける。そして、インラインのプラズマＣＶＤチャンバ１
ｐ，１ｉ，１ｎ内でＣＶＤ反応が再開されれば、バッフ
ァタンク３への廃ガス収集量が増大し、バッファタンク
３内の圧力が第１圧力以上に回復する。そうすれば、第
１調節弁４ａがメイン配管４を介して再度廃ガスを燃焼
処理室７内へ送込み、維持されている種火によって燃焼
処理が再開されることになる。
【００１９】他方、プラズマＣＶＤチャンバ１ｐ，１
ｉ，１ｎにおけるＣＶＤ反応が相当の期間にわたって中
断される場合、何らの手当てもしなければ、バッファタ
ンク３内の圧力が第２圧力より低下し、第２調節弁５ａ
が分岐配管５を介して種火用廃ガスを燃焼処理室７へ供
給することを停止し、種火を維持することができなくな
る。
ｉ，１ｎにおけるＣＶＤ反応が相当の期間にわたって中
断される場合、何らの手当てもしなければ、バッファタ
ンク３内の圧力が第２圧力より低下し、第２調節弁５ａ
が分岐配管５を介して種火用廃ガスを燃焼処理室７へ供
給することを停止し、種火を維持することができなくな
る。
【００２０】したがって、図１のシステムでは、そのよ
うな事態を回避するために、第３調節弁６ａを介してバ
ッファタンク３内へ水素を種火用に補充するための水素
供給管６を備えている。この第３調節弁６ａは、バッフ
ァタンク３内の圧力を第２圧力以上に維持するように水
素をそのタンク３内に供給するが、バッファタンク３内
の圧力が第１調節弁の動作する第１圧力以上にあるとき
には水素の供給を完全に停止するように働く。
うな事態を回避するために、第３調節弁６ａを介してバ
ッファタンク３内へ水素を種火用に補充するための水素
供給管６を備えている。この第３調節弁６ａは、バッフ
ァタンク３内の圧力を第２圧力以上に維持するように水
素をそのタンク３内に供給するが、バッファタンク３内
の圧力が第１調節弁の動作する第１圧力以上にあるとき
には水素の供給を完全に停止するように働く。
【００２１】すなわち、第３調節弁６ａの動作条件は、
バッファタンク３内の圧力を第１圧力と第２圧力との間
の任意の第３圧力に維持するように設定することができ
るが、水素ガスをできるだけ節約するためには、第３圧
力をできるだけ第２圧力に近い値に設定することが好ま
しい。しかし、いずれの調節弁においても目的とする圧
力値からのある程度の圧力変動幅が避けられないので、
第３圧力をあまりに第２圧力に近く設定すれば、それら
の調節弁の圧力変動誤差によって第２調節弁５ａが閉じ
てしまって種火が途絶えてしまうおそれもあるので留意
しなければならない。
バッファタンク３内の圧力を第１圧力と第２圧力との間
の任意の第３圧力に維持するように設定することができ
るが、水素ガスをできるだけ節約するためには、第３圧
力をできるだけ第２圧力に近い値に設定することが好ま
しい。しかし、いずれの調節弁においても目的とする圧
力値からのある程度の圧力変動幅が避けられないので、
第３圧力をあまりに第２圧力に近く設定すれば、それら
の調節弁の圧力変動誤差によって第２調節弁５ａが閉じ
てしまって種火が途絶えてしまうおそれもあるので留意
しなければならない。
【００２２】ところで、図１に示されているような本発
明による廃ガス燃焼処理システムは、前述のように大面
積の薄膜太陽電池の製造ための為の大型プラズマＣＶＤ
装置から比較的大量の可燃性廃ガスが排出される場合に
好ましく用いられ得るものである。なぜならば、小規模
の廃ガス燃焼処理では種火用原料ガスの節約の効果も小
さくなるからである。
明による廃ガス燃焼処理システムは、前述のように大面
積の薄膜太陽電池の製造ための為の大型プラズマＣＶＤ
装置から比較的大量の可燃性廃ガスが排出される場合に
好ましく用いられ得るものである。なぜならば、小規模
の廃ガス燃焼処理では種火用原料ガスの節約の効果も小
さくなるからである。
【００２３】また、本発明は、可燃性廃ガスに含まれる
可燃成分がシラン系ガスと水素希釈ガスを含む場合に、
水素を８０％以上含む廃ガスの燃焼処理に好ましく適用
し得るものである。なぜならば、水素はシラン系ガスに
比べて燃焼しやすいので、その廃ガスで種火を維持する
ことが容易となるからである。より具体的には、薄膜太
陽電池用基板の単位面積当りの水素希釈ガスの流量が
１．５ｓｃｃｍ／ｃｍ2以上である場合に、本発明の効
果が顕著になる（なお、ｓｃｃｍは０℃で１気圧の標準
状態で１ｃｍ3の流量を表わす）。
可燃成分がシラン系ガスと水素希釈ガスを含む場合に、
水素を８０％以上含む廃ガスの燃焼処理に好ましく適用
し得るものである。なぜならば、水素はシラン系ガスに
比べて燃焼しやすいので、その廃ガスで種火を維持する
ことが容易となるからである。より具体的には、薄膜太
陽電池用基板の単位面積当りの水素希釈ガスの流量が
１．５ｓｃｃｍ／ｃｍ2以上である場合に、本発明の効
果が顕著になる（なお、ｓｃｃｍは０℃で１気圧の標準
状態で１ｃｍ3の流量を表わす）。
【００２４】最近、特開平１１−１４５４９９は、従来
の１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）以下よりはるかに高い４０
０Ｐａ（３Ｔｏｒｒ）以上の圧力の下でシランに対して
５０倍以上の大量の希釈水素を用いるプラズマＣＶＤを
利用することによって、高性能の結晶質薄膜太陽電池が
迅速に形成され得ることを開示している。しかし、この
ような高性能の結晶質薄膜太陽電池を迅速に形成し得る
製造方法は非常に好ましいものであるが、それに伴って
従来より大量の可燃性廃ガスを処理しなければならな
い。本発明は、正しく、特開平１１−１４５４９９に開
示されているような結晶質薄膜太陽電池の大量生産に用
いられるようなプラズマＣＶＤ装置から大量に排出され
る可燃性廃ガスの燃焼処理に特に好ましく適用し得るも
のである。
の１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）以下よりはるかに高い４０
０Ｐａ（３Ｔｏｒｒ）以上の圧力の下でシランに対して
５０倍以上の大量の希釈水素を用いるプラズマＣＶＤを
利用することによって、高性能の結晶質薄膜太陽電池が
迅速に形成され得ることを開示している。しかし、この
ような高性能の結晶質薄膜太陽電池を迅速に形成し得る
製造方法は非常に好ましいものであるが、それに伴って
従来より大量の可燃性廃ガスを処理しなければならな
い。本発明は、正しく、特開平１１−１４５４９９に開
示されているような結晶質薄膜太陽電池の大量生産に用
いられるようなプラズマＣＶＤ装置から大量に排出され
る可燃性廃ガスの燃焼処理に特に好ましく適用し得るも
のである。
【００２５】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、プラズ
マＣＶＤ装置から排出される可燃性廃ガスの燃焼処理に
おいて、その燃焼処理に用いられる種火用可燃性原料ガ
スを大幅に節約することができる。
マＣＶＤ装置から排出される可燃性廃ガスの燃焼処理に
おいて、その燃焼処理に用いられる種火用可燃性原料ガ
スを大幅に節約することができる。
【図１】 本発明の実施の形態によるプラズマＣＶＤ装
置からの可燃性廃ガスを燃焼処理するためのシステムの
一例を示す模式的なブロック図である。
置からの可燃性廃ガスを燃焼処理するためのシステムの
一例を示す模式的なブロック図である。
【図２】 可燃性廃ガスの燃焼処理のための従来の燃焼
室を示す模式的な一部破断図である。
室を示す模式的な一部破断図である。
【図３】 図２中の線３Ａ−３Ａに沿った横断透視図で
ある。
ある。
１ｐ ｐ型半導体用ＣＶＤチャンバ、１ｉ ｉ型半導体
用ＣＶＤチャンバ、１ｎ ｎ型半導体用ＣＶＤチャン
バ、２ｐ，２ｉ，２ｎ 排気ポンプ、３ バッファタン
ク、４ メイン配管、４ａ 第１調節弁、５ 分岐配
管、５ａ 第２調節弁、６ 水素供給管、６ａ 第３調
節弁、７ 燃焼室、８ 空気導入管、９ 燃焼処理済ガ
ス排出管、９ａ ブロア（または排気ポンプ）、１５
プロパンガス導入管、１５ａ リング状部分、１５ｂ
プロパンガス放出孔、１６ 液化プロパンガスボンベ、
１６ａ 種火、１７ 燃焼処理室、１７ａ 廃ガス導入
ポート、１７ｂ 燃焼処理済ガス排出ポート、１８ 空
気導入管、１８ａ 空気導入用開口。
用ＣＶＤチャンバ、１ｎ ｎ型半導体用ＣＶＤチャン
バ、２ｐ，２ｉ，２ｎ 排気ポンプ、３ バッファタン
ク、４ メイン配管、４ａ 第１調節弁、５ 分岐配
管、５ａ 第２調節弁、６ 水素供給管、６ａ 第３調
節弁、７ 燃焼室、８ 空気導入管、９ 燃焼処理済ガ
ス排出管、９ａ ブロア（または排気ポンプ）、１５
プロパンガス導入管、１５ａ リング状部分、１５ｂ
プロパンガス放出孔、１６ 液化プロパンガスボンベ、
１６ａ 種火、１７ 燃焼処理室、１７ａ 廃ガス導入
ポート、１７ｂ 燃焼処理済ガス排出ポート、１８ 空
気導入管、１８ａ 空気導入用開口。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3K062 AA23 AB01 AC19 BA02 BB01 DA07 DB30 3K078 AA05 AA09 BA17 BA29 CA01 CA09 4K030 AA06 AA17 BA29 EA12 FA01 5F045 AA08 AC01 CA13 DQ15 EC07 EE13 EG02 EG07
Claims (5)
- 【請求項１】 プラズマＣＶＤ装置から排出された可燃
性廃ガスの燃焼処理方法であって、 前記廃ガスの一部を分流して燃焼処理室内の種火用とし
て供給し、 前記廃ガスの残部は前記燃焼処理室内で前記種火によっ
て燃焼させられ、 前記プラズマＣＶＤ装置からの廃ガスが減少または停止
したときには別途の可燃性原料ガスが前記種火用として
補充されることを特徴とする廃ガスの燃焼処理方法。 - 【請求項２】 前記廃ガスは前記種火を維持しうる可燃
成分を含み、この可燃成分は８０％以上の水素を含み、
その可燃成分の残部はシラン系ガスを含むことを特徴と
する請求項１に記載の廃ガスの燃焼処理方法。 - 【請求項３】 前記プラズマＣＶＤ装置において基板上
の薄膜太陽電池に含まれるシリコン系層が堆積される際
に、前記基板の単位面積当りに１．５ｓｃｃｍ／ｃｍ2
以上の流量の水素が前記プラズマＣＶＤ装置へ供給され
ることを特徴とする請求項２に記載の廃ガスの燃焼処理
方法。 - 【請求項４】 請求項１から３のいずれかの項に記載の
廃ガスの燃焼処理方法を行なうためのシステムであっ
て、 少なくとも１以上のプラズマＣＶＤ反応室からの可燃性
廃ガスを集めるバッファタンクと、 前記バッファタンクから送られる前記廃ガスを燃焼処理
するための燃焼室とを備え、 前記バッファタンク内が所定の第１圧力以上のときにそ
のバッファタンクから前記燃焼室へ前記廃ガスを送るた
めの第１調節弁と、 前記バッファタンクが前記第１圧力より低い所定の第２
圧力より低くないときに前記バッファタンクから前記燃
焼室内の種火用ガスとして前記廃ガスを送るための第２
調節弁と、 前記反応室から前記バッファタンク内に流入する前記廃
ガスが減少または停止したために前記バッファタンク内
の圧力が前記第１圧力未満になったときに、前記バッフ
ァタンク内を前記第１圧力未満で前記第２圧力以上に維
持するように前記バッファタンク内へ別途の種火用原料
ガスを注入するための第３調節弁を含んでいることを特
徴とする、プラズマＣＶＤ装置からの可燃性廃ガスを燃
焼処理するためのシステム。 - 【請求項５】 前記燃焼室には空気を供給する手段が接
続されていることを特徴とする請求項４に記載の廃ガス
を燃焼処理するためのシステム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000002562A JP2001193914A (ja) | 2000-01-11 | 2000-01-11 | プラズマｃｖｄ装置からの可燃性廃ガスの燃焼処理方法とそのためのシステム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000002562A JP2001193914A (ja) | 2000-01-11 | 2000-01-11 | プラズマｃｖｄ装置からの可燃性廃ガスの燃焼処理方法とそのためのシステム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001193914A true JP2001193914A (ja) | 2001-07-17 |
Family
ID=18531657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000002562A Withdrawn JP2001193914A (ja) | 2000-01-11 | 2000-01-11 | プラズマｃｖｄ装置からの可燃性廃ガスの燃焼処理方法とそのためのシステム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001193914A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010049186A1 (en) * | 2008-10-31 | 2010-05-06 | Oerlikon Solar Ip Ag, Trübbach | Precursor disposal |
| CN113594018A (zh) * | 2017-12-05 | 2021-11-02 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置 |
| JP2022009504A (ja) * | 2017-12-05 | 2022-01-14 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP2022053164A (ja) * | 2020-09-24 | 2022-04-05 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理システム、半導体装置の製造方法及びプログラム |
| JP2023033356A (ja) * | 2021-10-26 | 2023-03-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
-
2000
- 2000-01-11 JP JP2000002562A patent/JP2001193914A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010049186A1 (en) * | 2008-10-31 | 2010-05-06 | Oerlikon Solar Ip Ag, Trübbach | Precursor disposal |
| CN113594018A (zh) * | 2017-12-05 | 2021-11-02 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置 |
| JP2022009504A (ja) * | 2017-12-05 | 2022-01-14 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP7204857B2 (ja) | 2017-12-05 | 2023-01-16 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| CN113594018B (zh) * | 2017-12-05 | 2024-10-01 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置 |
| JP2022053164A (ja) * | 2020-09-24 | 2022-04-05 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理システム、半導体装置の製造方法及びプログラム |
| JP7191910B2 (ja) | 2020-09-24 | 2022-12-19 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理システム、半導体装置の製造方法及びプログラム |
| JP2023033356A (ja) * | 2021-10-26 | 2023-03-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP7462728B2 (ja) | 2021-10-26 | 2024-04-05 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070403 |