JP2001185466A - ロットディスパッチング方法およびロットディスパッチングシステム - Google Patents
ロットディスパッチング方法およびロットディスパッチングシステムInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 後行工程が先行工程の結果より影響を受ける
場合、各ロットに対する先行工程の結果により最適の後
行装備および／または後行工程条件可変するロットディ
スパッチング方法およびロットディスパッチングシステ
ムを提供する。 【解決手段】 あるロットに対する先行工程の工程結果
と複数個の後行工程装備の性能および／または特性との
間の相関性のシステム的な分析結果に基づいて先行工程
で加工された各ロットをその品質改選に最適である後行
工程装備にディスパッチングする。又、後行工程の工程
条件は先行工程の各品質等級に対応されるように多数個
が準備される。各工程条件は対応される品質等級と目標
品質との間の誤差を最小化させることが出来る特性を有
する。ディスパッチング待機中であるロットの品質をシ
ステム的に分析してその品質改選に最適な工程条件を適
用して後行工程を遂行する。
場合、各ロットに対する先行工程の結果により最適の後
行装備および／または後行工程条件可変するロットディ
スパッチング方法およびロットディスパッチングシステ
ムを提供する。 【解決手段】 あるロットに対する先行工程の工程結果
と複数個の後行工程装備の性能および／または特性との
間の相関性のシステム的な分析結果に基づいて先行工程
で加工された各ロットをその品質改選に最適である後行
工程装備にディスパッチングする。又、後行工程の工程
条件は先行工程の各品質等級に対応されるように多数個
が準備される。各工程条件は対応される品質等級と目標
品質との間の誤差を最小化させることが出来る特性を有
する。ディスパッチング待機中であるロットの品質をシ
ステム的に分析してその品質改選に最適な工程条件を適
用して後行工程を遂行する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はロットディスパッチ
ング方法とこれのためのシステムに関するものであり、
特に、同一なロットに対して複数個の工程が順次に実行
される半導体製造環境において、先行工程の結果によっ
て後行工程の工程装備および／または工程条件を可変的
に適用するロットディスパッチング方法およびロットデ
ィスパッチングシステムに関するものである。
ング方法とこれのためのシステムに関するものであり、
特に、同一なロットに対して複数個の工程が順次に実行
される半導体製造環境において、先行工程の結果によっ
て後行工程の工程装備および／または工程条件を可変的
に適用するロットディスパッチング方法およびロットデ
ィスパッチングシステムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ウェーハを利用する半導体集積回路装置
は拡散工程、フォト工程、エッチング工程、酸化工程、
薄膜工程、金属工程などのような数多い工程段階を行っ
て作られる。そして、上の工程の遂行順序は製造しよう
とする半導体集積回路装置の種類によって異に定めるこ
とができる。また、定められた工程順序によってウェー
ハを加工する過程で先行工程の加工結果は後行工程の結
果に直接的、または間接的に影響を及ぼす。例えば、フ
ォト工程の正確度はエッチング工程後のウェーハの品質
に大きな影響を及ぼす。
は拡散工程、フォト工程、エッチング工程、酸化工程、
薄膜工程、金属工程などのような数多い工程段階を行っ
て作られる。そして、上の工程の遂行順序は製造しよう
とする半導体集積回路装置の種類によって異に定めるこ
とができる。また、定められた工程順序によってウェー
ハを加工する過程で先行工程の加工結果は後行工程の結
果に直接的、または間接的に影響を及ぼす。例えば、フ
ォト工程の正確度はエッチング工程後のウェーハの品質
に大きな影響を及ぼす。
【０００３】あわせて、半導体集積回路装置の製造上の
一つの特徴は大量生産である大量生産は収益構造と密接
な関連があるのである。大量生産のために半導体製造工
場は一般的に各工程毎に同一な工程装備を多くの台を投
入して同時に並行的に工程を遂行する方式を採用する。
一つの特徴は大量生産である大量生産は収益構造と密接
な関連があるのである。大量生産のために半導体製造工
場は一般的に各工程毎に同一な工程装備を多くの台を投
入して同時に並行的に工程を遂行する方式を採用する。
【０００４】このような半導体集積回路の製造環境で、
先行工程を遂行したウェーハロットの後行工程へのディ
スパッチングには品質の向上や生産性の向上のための方
法が反映される必要がある。特に、後行工程が先行工程
の結果より影響を受ける工程である場合には先行工程と
後行工程との間の品質の連関性を最大に活用するロット
ディスパッチング方法は品質の向上や生産性の向上に肯
定的に寄与することができる。
先行工程を遂行したウェーハロットの後行工程へのディ
スパッチングには品質の向上や生産性の向上のための方
法が反映される必要がある。特に、後行工程が先行工程
の結果より影響を受ける工程である場合には先行工程と
後行工程との間の品質の連関性を最大に活用するロット
ディスパッチング方法は品質の向上や生産性の向上に肯
定的に寄与することができる。
【０００５】ロットディスパッチングと関連して一番目
に注目することは先行工程が遂行されたウェーハロット
を後行工程にディスパッチングするにおいて多くの台の
後行工程用装備の中でどの装備の方にディスパッチング
するかということである。後行工程の複数個の工程装備
の中では先行工程が遂行されたウェーハの品質水準を同
一な品質水準で維持するもの、あるいはもっと悪化させ
るもの、または反対に改選させるものが存在することが
できる。同種の工程装備であるとしても、各工程装備が
有する性能や特性が必ずしも同一ではなく、実質的な工
程品質も異なった結果として表れることは経験的に確認
された事実である。特に、半導体製造工程は一般的にウ
ェーハを微細加工するので、工程装備間の些少な特性、
または性能の差が工程結果、即ち、ウェーハの品質に大
きな影響を及ぼす。従って、複数個の後行工程の装備に
対するロットディスパッチングの方法は特別な考慮によ
って備えられる必要がある。
に注目することは先行工程が遂行されたウェーハロット
を後行工程にディスパッチングするにおいて多くの台の
後行工程用装備の中でどの装備の方にディスパッチング
するかということである。後行工程の複数個の工程装備
の中では先行工程が遂行されたウェーハの品質水準を同
一な品質水準で維持するもの、あるいはもっと悪化させ
るもの、または反対に改選させるものが存在することが
できる。同種の工程装備であるとしても、各工程装備が
有する性能や特性が必ずしも同一ではなく、実質的な工
程品質も異なった結果として表れることは経験的に確認
された事実である。特に、半導体製造工程は一般的にウ
ェーハを微細加工するので、工程装備間の些少な特性、
または性能の差が工程結果、即ち、ウェーハの品質に大
きな影響を及ぼす。従って、複数個の後行工程の装備に
対するロットディスパッチングの方法は特別な考慮によ
って備えられる必要がある。
【０００６】ロットディスパッチングと関連して次に注
目するべきのは、先行工程が遂行されたウェーハロット
に対して後行工程を遂行することにおいて、ウェーハの
品質の向上および生産性の向上のための最適の工程条件
を適用する必要があるということである。前記単位工程
は夫々独自の工程条件を適用してウェーハを加工する。
前記加工条件は例えば、圧力、温度、ガス量などのよう
な多くの工程条件要部に関する条件の組合であると見る
ことができる。各々の単位工程後のウェーハの品質は当
該工程の遂行時に適用された工程条件の適正性より大き
な影響を受ける。従って、養護な品質のウェーハとして
加工するためには夫々の単位工程の工程条件を最適に適
用する必要がある。
目するべきのは、先行工程が遂行されたウェーハロット
に対して後行工程を遂行することにおいて、ウェーハの
品質の向上および生産性の向上のための最適の工程条件
を適用する必要があるということである。前記単位工程
は夫々独自の工程条件を適用してウェーハを加工する。
前記加工条件は例えば、圧力、温度、ガス量などのよう
な多くの工程条件要部に関する条件の組合であると見る
ことができる。各々の単位工程後のウェーハの品質は当
該工程の遂行時に適用された工程条件の適正性より大き
な影響を受ける。従って、養護な品質のウェーハとして
加工するためには夫々の単位工程の工程条件を最適に適
用する必要がある。
【０００７】図１は半導体製造工場で一般的に適用して
来たロットディスパッチング方法の概念を例示してい
る。従来のロットディスパッチング方法は工程のレシピ
（ｆｉｘｅｄ ｒｅｃｉｐｅ）であったと評価すること
ができる。
来たロットディスパッチング方法の概念を例示してい
る。従来のロットディスパッチング方法は工程のレシピ
（ｆｉｘｅｄ ｒｅｃｉｐｅ）であったと評価すること
ができる。
【０００８】そのようなロットディスパッチングにおい
て、先行工程の結果と後行工程装備の性能や特性との相
関性に対する特別な考慮せず、待機中のロットを使用で
きる工程装備の中でどの一つにランダムにディスパッチ
ングした。唯、ランダムディスパッチングのときにエン
ジニアーの経験的な判断が作用されたが、これが品質の
向上を保障するかは立証されなかった。このような従来
のロットディスパッチング方法は最適の工程品質を保障
できる先行工程の工程誤差を後行工程で意図的に減らす
こととは距離が遠い。
て、先行工程の結果と後行工程装備の性能や特性との相
関性に対する特別な考慮せず、待機中のロットを使用で
きる工程装備の中でどの一つにランダムにディスパッチ
ングした。唯、ランダムディスパッチングのときにエン
ジニアーの経験的な判断が作用されたが、これが品質の
向上を保障するかは立証されなかった。このような従来
のロットディスパッチング方法は最適の工程品質を保障
できる先行工程の工程誤差を後行工程で意図的に減らす
こととは距離が遠い。
【０００９】後行工程の工程条件を決定することにおい
ても従来には先行工程の工程結果と後行工程の工程条件
との相関性に対して特別に考慮した固定された一つの工
程条件を適用した。もちろん、既存に適用した工程条件
が品質や生産性が低下すると評価されると、エンジニア
ーがその原因を分析して工程条件を少し修正する措置を
行ったが、このような工程条件の管理もやはりシステム
的な分析に従ったことではなかった。
ても従来には先行工程の工程結果と後行工程の工程条件
との相関性に対して特別に考慮した固定された一つの工
程条件を適用した。もちろん、既存に適用した工程条件
が品質や生産性が低下すると評価されると、エンジニア
ーがその原因を分析して工程条件を少し修正する措置を
行ったが、このような工程条件の管理もやはりシステム
的な分析に従ったことではなかった。
【００１０】その結果、先行工程の結果と後行工程の工
程装備および工程条件が品質や生産性と関連して有する
相関性に対するシステム的な分析とそれより得られる最
適のロットディスパッチング方法の不在、工程装備の性
能の限界、そして先／後行工程の入力要部離散（偶然離
散含み）などの理由のために、実際には予測可能である
固定的な品質と生産性とを得づらかった。一般的には後
行工程後の不良率が先行工程後のよりもっと大きくなる
結果を招来した。尚、ディスパッチングする工程装備や
工程条件の選択がエンジニアーの施行錯誤などに依存す
る従来の方式はエンジニアーの変形や工程装備の交替が
発生する度に否定的な結果を招来する。これは図１によ
って確認することができる。例えば、先／後行工程のウ
ェーハロットの品質に対する検査項目がＣＤ（ｃｒｉｔ
ｉｃａｌ ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）である場合、先行工程
後のロットに対するＣＤの不良率より後行工程後のそれ
がもっと高く表れることが経験的に確認される。
程装備および工程条件が品質や生産性と関連して有する
相関性に対するシステム的な分析とそれより得られる最
適のロットディスパッチング方法の不在、工程装備の性
能の限界、そして先／後行工程の入力要部離散（偶然離
散含み）などの理由のために、実際には予測可能である
固定的な品質と生産性とを得づらかった。一般的には後
行工程後の不良率が先行工程後のよりもっと大きくなる
結果を招来した。尚、ディスパッチングする工程装備や
工程条件の選択がエンジニアーの施行錯誤などに依存す
る従来の方式はエンジニアーの変形や工程装備の交替が
発生する度に否定的な結果を招来する。これは図１によ
って確認することができる。例えば、先／後行工程のウ
ェーハロットの品質に対する検査項目がＣＤ（ｃｒｉｔ
ｉｃａｌ ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）である場合、先行工程
後のロットに対するＣＤの不良率より後行工程後のそれ
がもっと高く表れることが経験的に確認される。
【００１１】一方、ロットディスパッチング方法に関連
して従来の技術の例としては「ＭＥＴＨＯＤ ＡＮＤ Ａ
ＰＰＡＲＡＴＵＳ ＦＯＲ ＤＩＳＰＡＴＣＨＩＮＧ Ｌ
ＯＴＳ ＩＮ Ａ ＦＡＣＴＯＲＹ」という題目の米国特
許第５，８４１，６７７号を挙げることができる。この
特許はバッチラン（ｂａｔｃｈ ｒｕｎ）および／また
は長い工程時間を必要にする装備を使用して半導体集積
回路を製造する場合に適用されることができる最適化土
台（ｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ−ｂａｓｅｄ）のディス
パッチングルールを開示する。この特許によると、ＷＩ
Ｐロットに対して先行工程を完了することに必要な予想
待機時間が許容待機時間より大きな場合には、そのロッ
トはすぐに後行工程で処理される。反対の場合には、先
行工程の許容ロットが到着するときまで前記ＷＩＰロッ
トは後行工程にディスパッチングされなく、前記許容ロ
ットと取り混ぜられて一つのバッチ（ｂａｔｃｈ）にな
った後に遂行工程にディスパッチングされる。しかし、
この特許は前記のようなディスパッチングルールによっ
て先行工程装備を効率的に活用し、ディスパッチングの
ために待機する時間を最小化することに注目するのみ
で、先行工程の結果と後行工程の工程装備および工程条
件が品質や生産性と関連して有する相関性に対するシス
テム的な接近に対しては沈黙しているのみである。
して従来の技術の例としては「ＭＥＴＨＯＤ ＡＮＤ Ａ
ＰＰＡＲＡＴＵＳ ＦＯＲ ＤＩＳＰＡＴＣＨＩＮＧ Ｌ
ＯＴＳ ＩＮ Ａ ＦＡＣＴＯＲＹ」という題目の米国特
許第５，８４１，６７７号を挙げることができる。この
特許はバッチラン（ｂａｔｃｈ ｒｕｎ）および／また
は長い工程時間を必要にする装備を使用して半導体集積
回路を製造する場合に適用されることができる最適化土
台（ｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ−ｂａｓｅｄ）のディス
パッチングルールを開示する。この特許によると、ＷＩ
Ｐロットに対して先行工程を完了することに必要な予想
待機時間が許容待機時間より大きな場合には、そのロッ
トはすぐに後行工程で処理される。反対の場合には、先
行工程の許容ロットが到着するときまで前記ＷＩＰロッ
トは後行工程にディスパッチングされなく、前記許容ロ
ットと取り混ぜられて一つのバッチ（ｂａｔｃｈ）にな
った後に遂行工程にディスパッチングされる。しかし、
この特許は前記のようなディスパッチングルールによっ
て先行工程装備を効率的に活用し、ディスパッチングの
ために待機する時間を最小化することに注目するのみ
で、先行工程の結果と後行工程の工程装備および工程条
件が品質や生産性と関連して有する相関性に対するシス
テム的な接近に対しては沈黙しているのみである。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記のような
従来の技術の問題点を解決するために案出したもので、
ロットに対する先行工程の工程結果と複数個の後行工程
装備の性能および／または特性との間の相関性のシステ
ム的な分析結果に基づいて先行工程で加工された各ロッ
トをその品質改選に最適である後行工程装備にディスパ
ッチングする方法とこれのためのシステムを提供するこ
とを第１の目的にする。
従来の技術の問題点を解決するために案出したもので、
ロットに対する先行工程の工程結果と複数個の後行工程
装備の性能および／または特性との間の相関性のシステ
ム的な分析結果に基づいて先行工程で加工された各ロッ
トをその品質改選に最適である後行工程装備にディスパ
ッチングする方法とこれのためのシステムを提供するこ
とを第１の目的にする。
【００１３】本発明は、ロットに対する先行工程の工程
結果と後行工程の工程条件との間の相関性のシステム的
な分析に基づいて、先行工程で加工された各ロットをそ
の品質改選に最適である工程条件を適用して後行工程に
ディスパッチングする方法とこれのためのシステムを提
供することを第２の目的にする。
結果と後行工程の工程条件との間の相関性のシステム的
な分析に基づいて、先行工程で加工された各ロットをそ
の品質改選に最適である工程条件を適用して後行工程に
ディスパッチングする方法とこれのためのシステムを提
供することを第２の目的にする。
【００１４】本発明は、ロットに対する先行工程の工程
結果と複数個の後行工程装備の性能および／または特
性、そして後行工程の工程条件との間の相関性のシステ
ム的な分析結果に基づいて先行工程で加工された各ロッ
トをその品質状態によって品質改選に最適である後行工
程装備にディスパッチングする方法とこれのためのシス
テムを提供することを第３の目的にする。
結果と複数個の後行工程装備の性能および／または特
性、そして後行工程の工程条件との間の相関性のシステ
ム的な分析結果に基づいて先行工程で加工された各ロッ
トをその品質状態によって品質改選に最適である後行工
程装備にディスパッチングする方法とこれのためのシス
テムを提供することを第３の目的にする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】前記第１目的を達成する
ために、第１工程用の第１工程装備によって加工されて
ディスパッチング待機中である第１ロットを前記第１工
程後に行われ、複数個の第２工程装備を並行運転する第
２工程にディスパッチングする方法を提供する。この方
法によると、前記第１工程装備によって前記第１ロット
の以前に加工された第２ロットの夫々に対する検査項目
の計測データと前記第２工程装備の中でどの一つによっ
て加工された前記第２ロットの夫々に対する前記検査項
目の計測データとをコンピュータに累積し続ける段階
と、前記コンピュータシステムによって、累積された計
測データに基づいて前記第１工程装備が前記第１ロット
に対して発生させた前記検査項目の目標値に対する偏差
を前記検査項目の目標値の方に補償する前記第２工程装
備の夫々の工程能力を評価し、評価された前記工程能力
によって前記第１ロットの前記複数個の第２工程装備に
対するディスパッチングの優先順位を決定する段階と、
および前記コンピュータシステムによって決定された前
記ディスパッチングの優先順位に基づいて前記第１ロッ
トを先順位の利用できる一つの第２工程装備にディスパ
ッチングする段階とを具備する。
ために、第１工程用の第１工程装備によって加工されて
ディスパッチング待機中である第１ロットを前記第１工
程後に行われ、複数個の第２工程装備を並行運転する第
２工程にディスパッチングする方法を提供する。この方
法によると、前記第１工程装備によって前記第１ロット
の以前に加工された第２ロットの夫々に対する検査項目
の計測データと前記第２工程装備の中でどの一つによっ
て加工された前記第２ロットの夫々に対する前記検査項
目の計測データとをコンピュータに累積し続ける段階
と、前記コンピュータシステムによって、累積された計
測データに基づいて前記第１工程装備が前記第１ロット
に対して発生させた前記検査項目の目標値に対する偏差
を前記検査項目の目標値の方に補償する前記第２工程装
備の夫々の工程能力を評価し、評価された前記工程能力
によって前記第１ロットの前記複数個の第２工程装備に
対するディスパッチングの優先順位を決定する段階と、
および前記コンピュータシステムによって決定された前
記ディスパッチングの優先順位に基づいて前記第１ロッ
トを先順位の利用できる一つの第２工程装備にディスパ
ッチングする段階とを具備する。
【００１６】さらに、前記方法は前記第１工程装備と前
記第２工程装備とによって処理される各ロットに対して
前記検査項目を計測し、得られた計測データを前記コン
ピュータシステムに伝達して前記コンピュータシステム
に貯蔵された既存の計測データをアップデートする段階
をさらに有することができる。前記第２工程装備の夫々
の工程能力は下記の式のよって算出される前記検査項目
のスパンによって代表される。 スパン＝Ａ−（Ｒ＋ＴＧ）
記第２工程装備とによって処理される各ロットに対して
前記検査項目を計測し、得られた計測データを前記コン
ピュータシステムに伝達して前記コンピュータシステム
に貯蔵された既存の計測データをアップデートする段階
をさらに有することができる。前記第２工程装備の夫々
の工程能力は下記の式のよって算出される前記検査項目
のスパンによって代表される。 スパン＝Ａ−（Ｒ＋ＴＧ）
【００１７】ここで、前記Ａは前記第１ロットに対する
前記検査項目の計測値であり、前記ＴＧは前記第２工程
での前記検査項目の目標値であり、前記Ｒは前記第１工
程装備と前記第２工程装備との各々で構成される工程装
備対の夫々が最近に発生させた所定個数のスキューの代
表値であり、前記スキューは同一なロットに対する前記
第１工程後の前記検査項目の計測値と前記第２工程後の
前記検査項目の計測値との間の偏差である。前記代表値
は前記所定個数のスキューの中央値、または平均値で定
義されることができる。そして、前記ディスパッチング
の優先順位は算出された前記スパンの絶対値が相対的に
小さい程度によって決定される。
前記検査項目の計測値であり、前記ＴＧは前記第２工程
での前記検査項目の目標値であり、前記Ｒは前記第１工
程装備と前記第２工程装備との各々で構成される工程装
備対の夫々が最近に発生させた所定個数のスキューの代
表値であり、前記スキューは同一なロットに対する前記
第１工程後の前記検査項目の計測値と前記第２工程後の
前記検査項目の計測値との間の偏差である。前記代表値
は前記所定個数のスキューの中央値、または平均値で定
義されることができる。そして、前記ディスパッチング
の優先順位は算出された前記スパンの絶対値が相対的に
小さい程度によって決定される。
【００１８】一方、本発明の第１側面による前記ロット
ディスパッチング方法の実現のためのロットディスパッ
チングシステムが提供される。このロットディスパッチ
ングシステムは、第１工程と前記第１工程後に行われる
第２工程とを有する半導体集積回路デバイスの製造環境
で、前記第１工程のよって加工されて待機中である第１
ロット前記第２工程にディスパッチングするためのもの
である。これのために、前記システムは、一つ以上の同
一な第１工程用装備を調え、前記第１工程用装備を利用
して第２ロットに対して第１工程を行うための第１手段
と、複数個の同一な第２工程用装備を調え、前記第２工
程用装備を利用して前記第２ロットに対して第２工程を
行うための第２手段と、前記第１工程と前記第２工程と
で加工された各ロットに対して検査項目を計測するため
の計測手段と、および制御手段とを有する。前記制御手
段は、前記計測手段より伝達された計測データを累積
し、累積された計測データに基づいて、前記第１工程装
備が前記第１ロットに対して発生させた前記検査項目の
目標値に対する偏差を前記検査項目の目標値の方に補償
する前記第２工程装備の夫々の工程能力を評価し、評価
された前記工程能力によって前記第１ロットの前記複数
個の第２工程装備に対するディスパッチングの優先順位
を決定し、前記第１ロットを前記ディスパッチングの優
先順位に基づいて先順位の使用できる一つの第２工程装
備にディスパッチングされるように制御する。
ディスパッチング方法の実現のためのロットディスパッ
チングシステムが提供される。このロットディスパッチ
ングシステムは、第１工程と前記第１工程後に行われる
第２工程とを有する半導体集積回路デバイスの製造環境
で、前記第１工程のよって加工されて待機中である第１
ロット前記第２工程にディスパッチングするためのもの
である。これのために、前記システムは、一つ以上の同
一な第１工程用装備を調え、前記第１工程用装備を利用
して第２ロットに対して第１工程を行うための第１手段
と、複数個の同一な第２工程用装備を調え、前記第２工
程用装備を利用して前記第２ロットに対して第２工程を
行うための第２手段と、前記第１工程と前記第２工程と
で加工された各ロットに対して検査項目を計測するため
の計測手段と、および制御手段とを有する。前記制御手
段は、前記計測手段より伝達された計測データを累積
し、累積された計測データに基づいて、前記第１工程装
備が前記第１ロットに対して発生させた前記検査項目の
目標値に対する偏差を前記検査項目の目標値の方に補償
する前記第２工程装備の夫々の工程能力を評価し、評価
された前記工程能力によって前記第１ロットの前記複数
個の第２工程装備に対するディスパッチングの優先順位
を決定し、前記第１ロットを前記ディスパッチングの優
先順位に基づいて先順位の使用できる一つの第２工程装
備にディスパッチングされるように制御する。
【００１９】一方、前記第２の目的を達成するために、
第１工程と前記第１工程後に行われる第２工程とを含め
る半導体集積回路デバイスの製造環境で、前記第１工程
で加工されてディスパッチング待機中である現在のロッ
トを前記第２工程にディスパッチングするための第２デ
ィスパッチング方法が提供される。前記第２ロットディ
スパッチング方法は、まず、検査項目の値をその大きさ
によって多数個の等級に区分し、各等級と夫々対応され
るお互いに異なった多数個の工程条件を前記第２工程用
として準備する段階として、特に前記各工程条件はその
工程条件に対応される等級の基準値と前記検査項目の目
標値との間の誤差を最小化する補償特性を有する段階
と、前記第１工程後の前記現在ロットに対して検査項目
を計測する段階と、前記多数個の工程条件の中で前記第
２段階で得られた計測値に対応する一つの工程条件を選
択する段階と、およびこのように選択された工程条件で
前記第２工程を自動設定した後、前記現在ロットを前記
第２工程にディスパッチングする段階を有する。
第１工程と前記第１工程後に行われる第２工程とを含め
る半導体集積回路デバイスの製造環境で、前記第１工程
で加工されてディスパッチング待機中である現在のロッ
トを前記第２工程にディスパッチングするための第２デ
ィスパッチング方法が提供される。前記第２ロットディ
スパッチング方法は、まず、検査項目の値をその大きさ
によって多数個の等級に区分し、各等級と夫々対応され
るお互いに異なった多数個の工程条件を前記第２工程用
として準備する段階として、特に前記各工程条件はその
工程条件に対応される等級の基準値と前記検査項目の目
標値との間の誤差を最小化する補償特性を有する段階
と、前記第１工程後の前記現在ロットに対して検査項目
を計測する段階と、前記多数個の工程条件の中で前記第
２段階で得られた計測値に対応する一つの工程条件を選
択する段階と、およびこのように選択された工程条件で
前記第２工程を自動設定した後、前記現在ロットを前記
第２工程にディスパッチングする段階を有する。
【００２０】前記第２ロットディスパッチング方法は、
前記第１工程で加工されたロットの中で前記検査項目の
計測値が製品の良／不良を判定する製品規格は満足させ
るが、前記製品規格よりもっと厳しく設定された管理基
準を満足させないロットを前記ロットディスパッチング
方法の適用対象として選別する段階とさらに有する。前
記管理基準は前記第２工程の後続工程で発生される平均
的な工程誤差を考慮して定めることが好ましい。
前記第１工程で加工されたロットの中で前記検査項目の
計測値が製品の良／不良を判定する製品規格は満足させ
るが、前記製品規格よりもっと厳しく設定された管理基
準を満足させないロットを前記ロットディスパッチング
方法の適用対象として選別する段階とさらに有する。前
記管理基準は前記第２工程の後続工程で発生される平均
的な工程誤差を考慮して定めることが好ましい。
【００２１】また、前記多数個の工程条件を求めるため
に、前記第２工程の工程条件をなす工程条件要部の中で
前記検査項目に対する工程結果の変化に主な影響を及ぼ
す一つ以上の工程条件要部を抽出する。抽出された工程
条件要部を変数にして前記検査項目の値を調節すること
ができる函数式を決定する。函数式が決定されると、前
記各等級に対応する前記誤差を補償する前記変数の値を
決定し、前記変数の値を前記工程条件要部の値に設定す
る。前記函数式の変数になる工程条件要部は前記検査項
目に対する前記計測値の離散（ｄｉｓｐｅｒｓｉｏｎ）
特性が基準範囲の内である工程条件要部の中で選択され
ることが好ましい。
に、前記第２工程の工程条件をなす工程条件要部の中で
前記検査項目に対する工程結果の変化に主な影響を及ぼ
す一つ以上の工程条件要部を抽出する。抽出された工程
条件要部を変数にして前記検査項目の値を調節すること
ができる函数式を決定する。函数式が決定されると、前
記各等級に対応する前記誤差を補償する前記変数の値を
決定し、前記変数の値を前記工程条件要部の値に設定す
る。前記函数式の変数になる工程条件要部は前記検査項
目に対する前記計測値の離散（ｄｉｓｐｅｒｓｉｏｎ）
特性が基準範囲の内である工程条件要部の中で選択され
ることが好ましい。
【００２２】前記第２ロットディスパッチング方法を行
うために、第１工程と前記第１工程後に行われる第２工
程とを含める半導体集積回路デバイスの製造工程で、前
記第１工程で加工された現在のロットを前記第２工程に
ディスパッチングするためのロットディスパッチングシ
ステムが提供される。
うために、第１工程と前記第１工程後に行われる第２工
程とを含める半導体集積回路デバイスの製造工程で、前
記第１工程で加工された現在のロットを前記第２工程に
ディスパッチングするためのロットディスパッチングシ
ステムが提供される。
【００２３】このシステムは前記前記現在ロットに対し
て検査項目を計測するための計測手段と、前記現在ロッ
トに対して前記第２工程を行うための第２工程装備、そ
して制御手段を有する。前記制御手段は、前記検査項目
の値をその大きさによって多数個の等級に区分し、各等
級と夫々対応されるお互いに異なった多数個の工程条件
を前記第２工程用として準備し、特に前記各工程条件は
その工程条件に対応される等級の基準値と前記検査項目
の目標値との間の誤差を最小化する補償特性を有し、前
記多数個の工程条件の中で前記計測手段より伝達された
計測データの大きさに対応する一つの工程条件を選択
し、選択された工程条件で前記第２工程を自動設定した
後、前記現在ロットを前記第２工程にディスパッチング
するされるように制御する。
て検査項目を計測するための計測手段と、前記現在ロッ
トに対して前記第２工程を行うための第２工程装備、そ
して制御手段を有する。前記制御手段は、前記検査項目
の値をその大きさによって多数個の等級に区分し、各等
級と夫々対応されるお互いに異なった多数個の工程条件
を前記第２工程用として準備し、特に前記各工程条件は
その工程条件に対応される等級の基準値と前記検査項目
の目標値との間の誤差を最小化する補償特性を有し、前
記多数個の工程条件の中で前記計測手段より伝達された
計測データの大きさに対応する一つの工程条件を選択
し、選択された工程条件で前記第２工程を自動設定した
後、前記現在ロットを前記第２工程にディスパッチング
するされるように制御する。
【００２４】一方、前記第３の目的を達成するために、
第３ロットディスパッチング方法が提供される。この方
法は前記第１実施例と前記第２実施例とのロットディス
パッチング方法と通合したことである。第１工程用の第
１工程装備によって加工され、ディスパッチング待機中
である現在のロットを前記第１工程後に行われ、複数個
の第２工程装備を並行運転する第２工程にディスパッチ
ングするために、前記第３ロットディスパッチング方法
は、前記第１工程装備によって加工された各ロットと前
記第２工程装備の夫々によって加工された各ロットとに
対して検査項目を計測する一方、前記検査項目の値をそ
の大きさによって区分された多数個の等級の各々に対応
するお互いに異なった多数個の工程条件を前記第２工程
用として準備する。
第３ロットディスパッチング方法が提供される。この方
法は前記第１実施例と前記第２実施例とのロットディス
パッチング方法と通合したことである。第１工程用の第
１工程装備によって加工され、ディスパッチング待機中
である現在のロットを前記第１工程後に行われ、複数個
の第２工程装備を並行運転する第２工程にディスパッチ
ングするために、前記第３ロットディスパッチング方法
は、前記第１工程装備によって加工された各ロットと前
記第２工程装備の夫々によって加工された各ロットとに
対して検査項目を計測する一方、前記検査項目の値をそ
の大きさによって区分された多数個の等級の各々に対応
するお互いに異なった多数個の工程条件を前記第２工程
用として準備する。
【００２５】特に、前記各工程条件はその工程条件に対
応する等級の基準値と前記検査項目の目標値との間の誤
差を最小化する補償特性を有する。また、この方法は前
記現在ロットに対する前記検査項目の計測値が、製品の
良／不良を判定する製品規格は満足させるが、前記製品
規格よりもっと厳しく設定された管理基準を満足させな
い第１場合と前記管理基準を満足させる第２場合の中で
どの場合に属するかを検査する。この検査に基づいて、
前記現在ロットが前記第１場合に属すると、前記多数個
の工程条件の中で前記現在ロットに対する前記検査項目
の計測値に対応する一つの工程条件を選択し、選択され
た工程条件で前記第２工程を自動設定した後、前記現在
ロットを前記第２工程にディスパッチングする。即ち、
前記現在ロットが前記第１場合に当該されると、本発明
の第２側面によるロットディスパッチング方法によって
前記現在ロットをディスパッチングする。
応する等級の基準値と前記検査項目の目標値との間の誤
差を最小化する補償特性を有する。また、この方法は前
記現在ロットに対する前記検査項目の計測値が、製品の
良／不良を判定する製品規格は満足させるが、前記製品
規格よりもっと厳しく設定された管理基準を満足させな
い第１場合と前記管理基準を満足させる第２場合の中で
どの場合に属するかを検査する。この検査に基づいて、
前記現在ロットが前記第１場合に属すると、前記多数個
の工程条件の中で前記現在ロットに対する前記検査項目
の計測値に対応する一つの工程条件を選択し、選択され
た工程条件で前記第２工程を自動設定した後、前記現在
ロットを前記第２工程にディスパッチングする。即ち、
前記現在ロットが前記第１場合に当該されると、本発明
の第２側面によるロットディスパッチング方法によって
前記現在ロットをディスパッチングする。
【００２６】前記現在ロットが前記第２場合に属する
と、第１工程装備が前記現在ロットに対して発生させた
前記検査項目の目標値に対する偏差を最も小さい値で補
償する能力を有する一つの第２工程装備に前記現在ロッ
トをディスパッチングする。先順位である第２工程装備
が使用できない場合には後順位の第２工程装備の中で使
用できる最先順位の第２工程装備に前記現在ロットをデ
ィスパッチングする。即ち、前記現在ロットが前記第２
場合に属すると、本発明の第１側面によるロットディス
パッチング方法によって前記現在ロットをディスパッチ
ングする。
と、第１工程装備が前記現在ロットに対して発生させた
前記検査項目の目標値に対する偏差を最も小さい値で補
償する能力を有する一つの第２工程装備に前記現在ロッ
トをディスパッチングする。先順位である第２工程装備
が使用できない場合には後順位の第２工程装備の中で使
用できる最先順位の第２工程装備に前記現在ロットをデ
ィスパッチングする。即ち、前記現在ロットが前記第２
場合に属すると、本発明の第１側面によるロットディス
パッチング方法によって前記現在ロットをディスパッチ
ングする。
【００２７】そして、このようなロットディスパッチン
グ方法を行いにとって必要であるシステムが提供され
る。このシステムは前記第１および第２側面によるシス
テムの通合的な構成である。このシステム、一つ以上の
同一である第１工程用装備を調え、前記第１工程用装備
を利用して第２ロットに対して第１工程を行うための第
１手段と、複数個の同一な第２工程用装備を調え、前記
第２工程用装備を利用して前記第２ロットに対して前記
第２工程を行うための第２手段と、前記第１工程と前記
第２工程とで加工された各ロットに対して検査項目を計
測するための計測手段と、そして制御手段とを有する。
グ方法を行いにとって必要であるシステムが提供され
る。このシステムは前記第１および第２側面によるシス
テムの通合的な構成である。このシステム、一つ以上の
同一である第１工程用装備を調え、前記第１工程用装備
を利用して第２ロットに対して第１工程を行うための第
１手段と、複数個の同一な第２工程用装備を調え、前記
第２工程用装備を利用して前記第２ロットに対して前記
第２工程を行うための第２手段と、前記第１工程と前記
第２工程とで加工された各ロットに対して検査項目を計
測するための計測手段と、そして制御手段とを有する。
【００２８】この制御手段は、前記計測手段より伝達さ
れた計測データを累積する一方、前記検査項目の値をそ
の大きさによって多数個の等級で区分し、各等級に夫々
対応するお互いに異なった多数個の工程条件を前記第２
工程用として備える。特に前記各工程条件はその工程条
件に対応される等級の基準値と前記検査項目の目標値と
の間の誤差を最小化する補償特性を有する。
れた計測データを累積する一方、前記検査項目の値をそ
の大きさによって多数個の等級で区分し、各等級に夫々
対応するお互いに異なった多数個の工程条件を前記第２
工程用として備える。特に前記各工程条件はその工程条
件に対応される等級の基準値と前記検査項目の目標値と
の間の誤差を最小化する補償特性を有する。
【００２９】また、前記制御手段は前記第１ロットに対
する前記検査項目の計測値が、製品の良／不良を判定す
る製品規格は満足させるが、前記製品規格よりもっと厳
しく設定された管理基準を満足させない第１場合と、前
記管理基準までも満足させる第２場合との中でどちらの
方に属するかを判別する。前記制御手段は、判断結果に
基づいて、前記第２場合に属すると、前記累積された計
測データに基づいて前記第１工程装備が前記第１ロット
に対して発生させた前記検査項目の目標値に対する偏差
を前記検査項目の目標値の方に補償する前記第２工程装
備の夫々の工程能力を評価し、評価された前記工程能力
によって前記第１ロットの前記複数個の第２工程装備に
対するディスパッチングの優先順位を決定し、前記第１
ロットを前記ディスパッチングの優先順位に基づいて先
順位の使用できる一つの第２工程装備にディスパッチン
グされるように制御する。
する前記検査項目の計測値が、製品の良／不良を判定す
る製品規格は満足させるが、前記製品規格よりもっと厳
しく設定された管理基準を満足させない第１場合と、前
記管理基準までも満足させる第２場合との中でどちらの
方に属するかを判別する。前記制御手段は、判断結果に
基づいて、前記第２場合に属すると、前記累積された計
測データに基づいて前記第１工程装備が前記第１ロット
に対して発生させた前記検査項目の目標値に対する偏差
を前記検査項目の目標値の方に補償する前記第２工程装
備の夫々の工程能力を評価し、評価された前記工程能力
によって前記第１ロットの前記複数個の第２工程装備に
対するディスパッチングの優先順位を決定し、前記第１
ロットを前記ディスパッチングの優先順位に基づいて先
順位の使用できる一つの第２工程装備にディスパッチン
グされるように制御する。
【００３０】前記現在ロットが前記第１場合に属する
と、前記制御手段は前記多数個の工程条件の中で前記計
測手段より伝達された計測データの大きさに対応する一
つの工程条件を選択し、選択した工程条件で前記第２工
程を自動設定した後、前記現在ロットが前記第２工程に
ディスパッチングされるように制御する
と、前記制御手段は前記多数個の工程条件の中で前記計
測手段より伝達された計測データの大きさに対応する一
つの工程条件を選択し、選択した工程条件で前記第２工
程を自動設定した後、前記現在ロットが前記第２工程に
ディスパッチングされるように制御する
【００３１】
【作用】上述して本発明の第１側面によると、先行工程
で処理された各ロットは第２工程装備の中で検査項目の
目標値との偏差が最小化されることができる一つの第２
工程装備にディスパッチされることができる。これは特
定の工程の全ての工程装備が最も効率的に使用されるこ
とができる方法である。結果的に、工程能力、工程品質
および工程生産性などが著しく改選されることができ
る。
で処理された各ロットは第２工程装備の中で検査項目の
目標値との偏差が最小化されることができる一つの第２
工程装備にディスパッチされることができる。これは特
定の工程の全ての工程装備が最も効率的に使用されるこ
とができる方法である。結果的に、工程能力、工程品質
および工程生産性などが著しく改選されることができ
る。
【００３２】以上のような本発明の第２側面によると、
各工程の工程条件を一つのみに適用することではなく、
先行工程で加工されたロットの工程品質の等級によって
最適の工程条件を弾力的に適用する。前記のような工程
条件は検査項目に関する各等級の基準値と目標値との間
の誤差を無くすことができるように定義される。従っ
て、先行工程で発生させた品質誤差を後行工程で除去す
ることができる。その結果、各工程で具備している工程
装備の能力を極大化して品質向上による原価節減、生産
性の向上そして製造期間の減少という効果を収めること
ができる。
各工程の工程条件を一つのみに適用することではなく、
先行工程で加工されたロットの工程品質の等級によって
最適の工程条件を弾力的に適用する。前記のような工程
条件は検査項目に関する各等級の基準値と目標値との間
の誤差を無くすことができるように定義される。従っ
て、先行工程で発生させた品質誤差を後行工程で除去す
ることができる。その結果、各工程で具備している工程
装備の能力を極大化して品質向上による原価節減、生産
性の向上そして製造期間の減少という効果を収めること
ができる。
【００３３】本発明の第３側面によると、先行工程で加
工されたロットの品質水準と目標品質水準との間の偏差
が小さい場合には、最適の後行工程装備にアレンジ（ａ
ｒｒａｎｇｅ）し、その偏差が大きな場合には最適の後
行工程条件を適用して、その偏差の大きさに関係なく、
後行工程で加工されたロットは前記目標品質水準に接近
されることができる。従って、工程能力の向上、品質改
選、生産性の向上および製造期間の短軸などの上昇効果
を収めることができる。
工されたロットの品質水準と目標品質水準との間の偏差
が小さい場合には、最適の後行工程装備にアレンジ（ａ
ｒｒａｎｇｅ）し、その偏差が大きな場合には最適の後
行工程条件を適用して、その偏差の大きさに関係なく、
後行工程で加工されたロットは前記目標品質水準に接近
されることができる。従って、工程能力の向上、品質改
選、生産性の向上および製造期間の短軸などの上昇効果
を収めることができる。
【００３４】以上のような本発明の多様な側面は半導体
の製造工程の全般にわたって適用されることができ、究
極的には工場全体の生産システムの包括的な生産能力を
大きく向上させる。
の製造工程の全般にわたって適用されることができ、究
極的には工場全体の生産システムの包括的な生産能力を
大きく向上させる。
【００３５】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面を参照して本
発明の好ましい実施例を通じて本発明をより詳細に説明
する。以下で説明される本発明の多様な実施例と関連し
て添付された色々の図面は先行工程２００がフォト工程
であり、後行工程３００がエッチング工程である場合を
示しているが、これは本発明の理解を高めるための例示
に過ぎない。半導体の製造工程において、先行工程と後
行工程との可能な組合は非常に多様である。従って、本
発明の多様な実施例は半導体の製造工程の全般にわたっ
て組合可能な色々の先後行工程の組合に適用されること
ができることを前もって明らかにして置く。より大きな
効果を得るためには後行工程の結果が先行工程の結果よ
り影響を受ける関係の先後行工程に適用することが好ま
しい。
発明の好ましい実施例を通じて本発明をより詳細に説明
する。以下で説明される本発明の多様な実施例と関連し
て添付された色々の図面は先行工程２００がフォト工程
であり、後行工程３００がエッチング工程である場合を
示しているが、これは本発明の理解を高めるための例示
に過ぎない。半導体の製造工程において、先行工程と後
行工程との可能な組合は非常に多様である。従って、本
発明の多様な実施例は半導体の製造工程の全般にわたっ
て組合可能な色々の先後行工程の組合に適用されること
ができることを前もって明らかにして置く。より大きな
効果を得るためには後行工程の結果が先行工程の結果よ
り影響を受ける関係の先後行工程に適用することが好ま
しい。
【００３６】（第１実施例） 工程装備指定制御システム（Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｅ
ｑｕｉｐｍｅｎｔ Ａｒｒａｎｇｅ ＣＯＮｔｒｏｌ Ｓ
ｙｓｔｅｍ：ＰＥＡＣＯＮＳ） 図２は本発明の第１実施例によるロットディスパッチン
グシステムの概念図である。このシステムは先行工程の
結果によって最適の後行工程装備にロットをディスパッ
チングするためのシステムである。
ｑｕｉｐｍｅｎｔ Ａｒｒａｎｇｅ ＣＯＮｔｒｏｌ Ｓ
ｙｓｔｅｍ：ＰＥＡＣＯＮＳ） 図２は本発明の第１実施例によるロットディスパッチン
グシステムの概念図である。このシステムは先行工程の
結果によって最適の後行工程装備にロットをディスパッ
チングするためのシステムである。
【００３７】このシステム（ＰＥＡＣＯＮＳ）は一台以
上の先行工程用の装備、例えば、ステッパ２１０ａ、２
１０ｂ、２１０ｃ〜２１０ｋと多数の後行工程用の装
備、例えば、エッチャー（ｅｔｃｈｅｒ）３１０ａ、３
１０ｂ、３１０ｃ、〜３１０ｍとを含んでいる。また、
このシステムは前記先行工程で加工されたロット１７０
ｂと後行工程で加工されたロット１７０ｃとを各工程で
設定している検査項目に対して計測をするための検査装
備４００ａと、検査装備４００ａより提供される計測デ
ータと、それ以外の色々の情報に基づいて後行工程３０
０のために待機するロット１７０ｂの後行工程装備３１
０ａ、３１０ｂ、３１０ｃ〜３１０ｍに対するディスパ
ッチング順序を制御するためのコンピュータシステム１
００ａとを有する。このコンピュータシステム３００ａ
の内には自動ディスパッチングシステム−Ｉ（Ａｕｔｏ
Ｄｉｓｐａｔｃｈｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ−Ｉ：ＡＤＳ−
Ｉ）という名称のロットディスパッチングを自動に制御
するプログラムと必要な基本データとが内蔵されてい
る。
上の先行工程用の装備、例えば、ステッパ２１０ａ、２
１０ｂ、２１０ｃ〜２１０ｋと多数の後行工程用の装
備、例えば、エッチャー（ｅｔｃｈｅｒ）３１０ａ、３
１０ｂ、３１０ｃ、〜３１０ｍとを含んでいる。また、
このシステムは前記先行工程で加工されたロット１７０
ｂと後行工程で加工されたロット１７０ｃとを各工程で
設定している検査項目に対して計測をするための検査装
備４００ａと、検査装備４００ａより提供される計測デ
ータと、それ以外の色々の情報に基づいて後行工程３０
０のために待機するロット１７０ｂの後行工程装備３１
０ａ、３１０ｂ、３１０ｃ〜３１０ｍに対するディスパ
ッチング順序を制御するためのコンピュータシステム１
００ａとを有する。このコンピュータシステム３００ａ
の内には自動ディスパッチングシステム−Ｉ（Ａｕｔｏ
Ｄｉｓｐａｔｃｈｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ−Ｉ：ＡＤＳ−
Ｉ）という名称のロットディスパッチングを自動に制御
するプログラムと必要な基本データとが内蔵されてい
る。
【００３８】ここで、前記検査項目は夫々の単位工程で
設定している検査項目として、例えば、臨界寸法（ｃｒ
ｉｔｉｃａｌ ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ：ＣＤ）、線幅（ｌ
ｉｎｅ ｗｉｄｔｈ）、膜厚、反射度、絶縁特性などの
ような代表的な例を始めとして各工程によって色々の項
目が挙げられる。検査項目は一つ、またはその以上であ
る。以下では、本発明の容易な理解のために検査項目が
ＣＤであると仮定する。
設定している検査項目として、例えば、臨界寸法（ｃｒ
ｉｔｉｃａｌ ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ：ＣＤ）、線幅（ｌ
ｉｎｅ ｗｉｄｔｈ）、膜厚、反射度、絶縁特性などの
ような代表的な例を始めとして各工程によって色々の項
目が挙げられる。検査項目は一つ、またはその以上であ
る。以下では、本発明の容易な理解のために検査項目が
ＣＤであると仮定する。
【００３９】図３は図２のロットディスパッチングシス
テム（ＰＥＡＣＯＮＳ）を利用して行われるロットディ
スパッチング方法の基本的な機能を説明するための流れ
図である。図２と図３とを参照すると、まず、先行工程
であるフォト工程２００が多くの台の工程装備、即ち、
ステッパを同時に稼動していると、フォト工程２００の
ために待機しているウェーハロット１７０ａは１号機か
らｋ号機までのステッパで並行的に加工される。フォト
工程２００で加工された各ロット１７０ｂに対して検査
用のウェーハサンプルを抽出する。抽出されたウェーハ
サンプルはＣＤ計測装備４００ａを利用して検査項目で
あるＣＤを計測する。計測装備４００ａは各ロット毎の
計測結果をコンピュータシステム４００ａに実時間的に
伝達する（段階Ｓ４０）。計測装備４００ａが伝達する
計測結果はロットの識別番号、ステッパの識別番号、Ｃ
Ｄ計測データなどで構成される。例えば、ステッパ１号
機２１０ａによって加工されたロット（ＬＯＴ_１’）
に関してはそのロット（ＬＯＴ_１’）の識別番号とし
て＃ＬＯＴ_２３５０、ステッパの識別番号として＃Ｓ
ＴＥＰＥＲ_１、そしてＣＤ計測データとして０．２５
μｍなどのデータがコンピュータシステム１００ａに伝
達される。このデータはコンピュータシステム１００ａ
内の貯蔵手段（図示せず）に貯蔵される。
テム（ＰＥＡＣＯＮＳ）を利用して行われるロットディ
スパッチング方法の基本的な機能を説明するための流れ
図である。図２と図３とを参照すると、まず、先行工程
であるフォト工程２００が多くの台の工程装備、即ち、
ステッパを同時に稼動していると、フォト工程２００の
ために待機しているウェーハロット１７０ａは１号機か
らｋ号機までのステッパで並行的に加工される。フォト
工程２００で加工された各ロット１７０ｂに対して検査
用のウェーハサンプルを抽出する。抽出されたウェーハ
サンプルはＣＤ計測装備４００ａを利用して検査項目で
あるＣＤを計測する。計測装備４００ａは各ロット毎の
計測結果をコンピュータシステム４００ａに実時間的に
伝達する（段階Ｓ４０）。計測装備４００ａが伝達する
計測結果はロットの識別番号、ステッパの識別番号、Ｃ
Ｄ計測データなどで構成される。例えば、ステッパ１号
機２１０ａによって加工されたロット（ＬＯＴ_１’）
に関してはそのロット（ＬＯＴ_１’）の識別番号とし
て＃ＬＯＴ_２３５０、ステッパの識別番号として＃Ｓ
ＴＥＰＥＲ_１、そしてＣＤ計測データとして０．２５
μｍなどのデータがコンピュータシステム１００ａに伝
達される。このデータはコンピュータシステム１００ａ
内の貯蔵手段（図示せず）に貯蔵される。
【００４０】予めにフォト工程２００と計測を済ました
ロット１７０ｂは後行工程であるエッチング工程３００
にディスパッチングされるために待機する。待機中であ
るロット１７０ｂの夫々を後行工程装備の中でどの一つ
に配列するためにコンピュータシステム１００ａは伝達
された計測データをシステム的に分析する。コンピュー
タシステム１００ａによって分析の目的は待機中である
ロット１７０ｂの各々のＣＤ加工状態で判断するとき、
各ロットに対してどの号機のエッチング装備が目標ＣＤ
値に最も近い加工結果を与えることができるかを予測す
ることである。予測結果によって各ロット毎のエッチン
グ装備のディスパッチング優先順位を付ける（段階Ｓ５
０）。そして、各ロット毎の定めたディスパッチング優
先順位によって使用できる最優先順位のエッチング装備
にそのロットをディスパッチングする（Ｓ５２ａ、Ｓ５
２ｂなど）。これに関する細かい内容は以後に説明す
る。
ロット１７０ｂは後行工程であるエッチング工程３００
にディスパッチングされるために待機する。待機中であ
るロット１７０ｂの夫々を後行工程装備の中でどの一つ
に配列するためにコンピュータシステム１００ａは伝達
された計測データをシステム的に分析する。コンピュー
タシステム１００ａによって分析の目的は待機中である
ロット１７０ｂの各々のＣＤ加工状態で判断するとき、
各ロットに対してどの号機のエッチング装備が目標ＣＤ
値に最も近い加工結果を与えることができるかを予測す
ることである。予測結果によって各ロット毎のエッチン
グ装備のディスパッチング優先順位を付ける（段階Ｓ５
０）。そして、各ロット毎の定めたディスパッチング優
先順位によって使用できる最優先順位のエッチング装備
にそのロットをディスパッチングする（Ｓ５２ａ、Ｓ５
２ｂなど）。これに関する細かい内容は以後に説明す
る。
【００４１】一方、同一なロットを基準にするときには
フォト工程２００後にエッチング工程３００が行われ
る。しかし、同一時間代を基準にして見ると、お互いに
異なったロットに対してフォト工程２００とエッチング
工程３００とは同時並行的に進行されることが一般的で
ある。また、エッチング工程３００においても、多くの
台のエッチング装備３１０ａ、３１０ｂ、３１０ｃ〜３
１０ｍが並行に運転される。第１実施例は特にこのよう
な後行工程が並行に運転される工程環境に適用される。
フォト工程２００後にエッチング工程３００が行われ
る。しかし、同一時間代を基準にして見ると、お互いに
異なったロットに対してフォト工程２００とエッチング
工程３００とは同時並行的に進行されることが一般的で
ある。また、エッチング工程３００においても、多くの
台のエッチング装備３１０ａ、３１０ｂ、３１０ｃ〜３
１０ｍが並行に運転される。第１実施例は特にこのよう
な後行工程が並行に運転される工程環境に適用される。
【００４２】エッチング工程３００を済ました各ロット
１７０ｃに対しても同様にＣＤ計測装備４００ａを利用
してＣＤ計測を行われる。ＣＤ計測は各ロットよりサン
プルとして抽出されたウェーハのみに対して行うことが
できる。そして、計測結果、即ち、ロットの識別番号、
ステッパの識別番号、ＣＤ計測データなどはコンピュー
タシステム１００ａに実時間で伝達される。例えば、エ
ッチャー２号機３１０ｂによって加工されたロットＬＯ
Ｔ_１に関してはそのロットＬＯＴ_１の識別番号として
＃ＬＯＴ_２３５０、エッチャーの識別番号として＃Ｅ
ＴＣＨＥＲ_２、そしてＣＤ計測データとして０．２６
μｍなどのデータがコンピュータシステム１００ａに伝
達されて貯蔵される（段階Ｓ４０）。
１７０ｃに対しても同様にＣＤ計測装備４００ａを利用
してＣＤ計測を行われる。ＣＤ計測は各ロットよりサン
プルとして抽出されたウェーハのみに対して行うことが
できる。そして、計測結果、即ち、ロットの識別番号、
ステッパの識別番号、ＣＤ計測データなどはコンピュー
タシステム１００ａに実時間で伝達される。例えば、エ
ッチャー２号機３１０ｂによって加工されたロットＬＯ
Ｔ_１に関してはそのロットＬＯＴ_１の識別番号として
＃ＬＯＴ_２３５０、エッチャーの識別番号として＃Ｅ
ＴＣＨＥＲ_２、そしてＣＤ計測データとして０．２６
μｍなどのデータがコンピュータシステム１００ａに伝
達されて貯蔵される（段階Ｓ４０）。
【００４３】このような過程が反復されながら、コンピ
ュータシステム１００ａは相当の量のデータを内部の記
憶手段（図示せず）に蓄積することができる。蓄積され
たデータはコンピュータシステム１００ａによって後行
工程、即ちエッチング工程の各工程装備が有する工程能
力を評価する基礎データとして活用される。そして、待
機中であるロット１７０ｂの夫々のディスパッチング優
先順位は評価された工程能力に基礎して決定されること
である（段階Ｓ５０）。
ュータシステム１００ａは相当の量のデータを内部の記
憶手段（図示せず）に蓄積することができる。蓄積され
たデータはコンピュータシステム１００ａによって後行
工程、即ちエッチング工程の各工程装備が有する工程能
力を評価する基礎データとして活用される。そして、待
機中であるロット１７０ｂの夫々のディスパッチング優
先順位は評価された工程能力に基礎して決定されること
である（段階Ｓ５０）。
【００４４】これを下の表１を参照して説明する。表１
は理解を高めるためにフォト工程装備のステッパが３
台、そしてエッチング工程装備のエッチャーが３台であ
る場合を仮定しているが（この仮定はこれからは図２に
対しても同様に適用される）、第１実施例はエッチャー
が複数台ではなければならないということの以外にはス
テッパおよびエッチャーの台数に関しては他の制限がな
い。
は理解を高めるためにフォト工程装備のステッパが３
台、そしてエッチング工程装備のエッチャーが３台であ
る場合を仮定しているが（この仮定はこれからは図２に
対しても同様に適用される）、第１実施例はエッチャー
が複数台ではなければならないということの以外にはス
テッパおよびエッチャーの台数に関しては他の制限がな
い。
【００４５】コンピュータシステム１００ａは各工程毎
で定めている検査項目の種類に関する情報、各工程で稼
動中である工程装備に関する情報（例えば、工程装備の
識別番号など）、検査項目の目標値の情報ＴＧ、計測装
備に関する情報などを前もって貯蔵している。この情報
は各会社によって異なる場合もある。また、同一の会社
内でも例えば、検査項目の種類は各工程によって異なる
場合もあり、そして時間によって工程環境が変更される
と、それに従って異になる。従って、第１実施例を適用
するためには度々上の情報を新しくする必要がある。
で定めている検査項目の種類に関する情報、各工程で稼
動中である工程装備に関する情報（例えば、工程装備の
識別番号など）、検査項目の目標値の情報ＴＧ、計測装
備に関する情報などを前もって貯蔵している。この情報
は各会社によって異なる場合もある。また、同一の会社
内でも例えば、検査項目の種類は各工程によって異なる
場合もあり、そして時間によって工程環境が変更される
と、それに従って異になる。従って、第１実施例を適用
するためには度々上の情報を新しくする必要がある。
【００４６】現在、コンピュータシステム１００ａでは
前記自動ディスパッチングシステム−Ｉ（ＡＤＳ−Ｉ）
プログラムが実行中であることに仮定する。また、この
状態でコンピュータシステム１００ａがステッパ１号機
２１０ａが加工したロットＬＯＴ_１’に関してＣＤ計
測装備４００ａより計測結果に関するデータを受入れた
と仮定する。コンピュータシステム１００ａは伝達され
たデータを記憶手段に貯蔵する一方、このデータよりロ
ットＬＯＴ_１’とＬＯＴ_１’を加工した１号機のステ
ッパ２１０ａを認識すると同時に前記ＬＯＴ_１’に対
するＣＤ計測値’ａn’を認識する。
前記自動ディスパッチングシステム−Ｉ（ＡＤＳ−Ｉ）
プログラムが実行中であることに仮定する。また、この
状態でコンピュータシステム１００ａがステッパ１号機
２１０ａが加工したロットＬＯＴ_１’に関してＣＤ計
測装備４００ａより計測結果に関するデータを受入れた
と仮定する。コンピュータシステム１００ａは伝達され
たデータを記憶手段に貯蔵する一方、このデータよりロ
ットＬＯＴ_１’とＬＯＴ_１’を加工した１号機のステ
ッパ２１０ａを認識すると同時に前記ＬＯＴ_１’に対
するＣＤ計測値’ａn’を認識する。
【００４７】
【表１】
【００４８】コンピュータシステム１００ａは１号機ス
テッパ２１０ａが最も最近に加工した多数のロットのＣ
Ｄ計測値を利用してフォト工程とエッチング工程との各
装備対毎のＣＤスキュー（ｓｋｅｗ）を算出する、ここ
で、スキューは次の式１によって計算される。検査項目
がＣＤでなく、他のもの、例えば、線幅である場合にも
線幅の計測値に対して次の式１を適用して線幅スキュー
を算出するば良い。
テッパ２１０ａが最も最近に加工した多数のロットのＣ
Ｄ計測値を利用してフォト工程とエッチング工程との各
装備対毎のＣＤスキュー（ｓｋｅｗ）を算出する、ここ
で、スキューは次の式１によって計算される。検査項目
がＣＤでなく、他のもの、例えば、線幅である場合にも
線幅の計測値に対して次の式１を適用して線幅スキュー
を算出するば良い。
【００４９】（式１） ＣＤスキュー＝フォト工程後のＣＤ計測値−エッチング
工程後のＣＤ計測値 工程装備対毎のＣＤスキューの算出は次のように具体的
に行われる。表１の先行工程欄で、「ａn-1、ａn-2、ａ
n-3、ａn-4、ａn-5、ａn-6、ａn-7、ａn-8、ａ n-9、ａ
n-10、ａn-11、ａn-12」はステッパ１号機２１０ａによ
って前記ロットＬＯＴ_１’の以前に加工された最近の
１２個のロットの夫々のＣＤ計測値を意味する。そし
て、ＣＤ計測値「ａn-12、ａn-8、ａn-7、ａn-4」の夫
々に対応する４個のロットはエッチャー１号機３１０ａ
にディスパッチングされてエッチング加工され、エッチ
ング工程後のこのロットに対するＣＤ計測値は各々「ｂ
n-9、ｂn-8、ｂn-7、ｂn-2」で得られたことを意味す
る。同様に、ＣＤ計測値「ａn -11、ａn-10、ａn-5、ａ
n-1」の夫々に対応する４個のロットはエッチャー３号
機３１０ｃによってエッチング加工され、エッチング工
程後のこのロットに対するＣＤ計測値は各々「ｂn-10、
ｂn-5、ｂn-4、ｂn-3」で得られたことを意味する。
工程後のＣＤ計測値 工程装備対毎のＣＤスキューの算出は次のように具体的
に行われる。表１の先行工程欄で、「ａn-1、ａn-2、ａ
n-3、ａn-4、ａn-5、ａn-6、ａn-7、ａn-8、ａ n-9、ａ
n-10、ａn-11、ａn-12」はステッパ１号機２１０ａによ
って前記ロットＬＯＴ_１’の以前に加工された最近の
１２個のロットの夫々のＣＤ計測値を意味する。そし
て、ＣＤ計測値「ａn-12、ａn-8、ａn-7、ａn-4」の夫
々に対応する４個のロットはエッチャー１号機３１０ａ
にディスパッチングされてエッチング加工され、エッチ
ング工程後のこのロットに対するＣＤ計測値は各々「ｂ
n-9、ｂn-8、ｂn-7、ｂn-2」で得られたことを意味す
る。同様に、ＣＤ計測値「ａn -11、ａn-10、ａn-5、ａ
n-1」の夫々に対応する４個のロットはエッチャー３号
機３１０ｃによってエッチング加工され、エッチング工
程後のこのロットに対するＣＤ計測値は各々「ｂn-10、
ｂn-5、ｂn-4、ｂn-3」で得られたことを意味する。
【００５０】コンピュータシステム１００ａは、表１の
スキュー欄に書かれているように、各装備対毎に前記数
式１を利用して記憶手段に貯蔵された当該計測データを
読み出してＣＤに関するスキューを算出する。ここで、
各装備対というのは例えば、ステッパ１号機２１０ａに
関しては「ステッパ１号機２１０ａとエッチャー１号機
３１０ａ」、「ステッパ１号機２１０ａとエッチャー２
号機３１０ｂ」、そして「ステッパ１号機２１０ａとエ
ッチャー３号機３１０ｃ」がこれに相当する。同様に、
ステッパ３号機２１０ｃに関しては「ステッパ３号機２
１０ｃとエッチャー１号機３１０ａ」、「ステッパ３号
機２１０ｃとエッチャー２号機３１０ｂ」、そして「ス
テッパ３号機２１０ｃとエッチャー３号機３１０ｃ」が
上述した装備対を意味する。算出されたＣＤスキューは
再びコンピュータシステム１００ａの記憶手段に蓄積さ
れる。
スキュー欄に書かれているように、各装備対毎に前記数
式１を利用して記憶手段に貯蔵された当該計測データを
読み出してＣＤに関するスキューを算出する。ここで、
各装備対というのは例えば、ステッパ１号機２１０ａに
関しては「ステッパ１号機２１０ａとエッチャー１号機
３１０ａ」、「ステッパ１号機２１０ａとエッチャー２
号機３１０ｂ」、そして「ステッパ１号機２１０ａとエ
ッチャー３号機３１０ｃ」がこれに相当する。同様に、
ステッパ３号機２１０ｃに関しては「ステッパ３号機２
１０ｃとエッチャー１号機３１０ａ」、「ステッパ３号
機２１０ｃとエッチャー２号機３１０ｂ」、そして「ス
テッパ３号機２１０ｃとエッチャー３号機３１０ｃ」が
上述した装備対を意味する。算出されたＣＤスキューは
再びコンピュータシステム１００ａの記憶手段に蓄積さ
れる。
【００５１】コンピュータシステム１００ａは上述した
ような方式でフォト工程２００とエッチング工程３００
とに係る全ての装備対に対してＣＤスキューを算出す
る。算出されたＣＤスキュー値が表１のスキュー欄に例
示されている。
ような方式でフォト工程２００とエッチング工程３００
とに係る全ての装備対に対してＣＤスキューを算出す
る。算出されたＣＤスキュー値が表１のスキュー欄に例
示されている。
【００５２】一方、各装備対毎に算出されたＣＤスキュ
ーは各装備対をなすステッパとエッチャーの工程特性な
いし能力に関する相関性を代表する値として評価するこ
とができる。ＣＤスキュー値を算出しに利用されたフォ
ト工程２００およびエッチング工程３００の後の各計測
値は同一であるロットに関するものである。例えば、ス
テッパ１号機２１０ａによって加工された特定のロット
がエッチャー１号機３１０ａによって続いて加工された
場合、前記ＣＤスキューはステッパ１号機２１０ａによ
るＣＤの工程結果をエッチャー１号機３１０ａによって
どのように変化されるかを表す。従って、「ステッパ１
号機２１０ａとエッチャー１号機３１０ａ」に関するＣ
Ｄスキューはエッチャー１号機３１０ａのステッパ１号
機２１０ａに対するＣＤと関連した工程能力ないし工程
特性を表すと見ることができる。さらに、ＣＤスキュー
の算出には最も最近の計測値が利用されたので、上述し
た工程能力に関する評価は最新の正確な情報になること
ができる。
ーは各装備対をなすステッパとエッチャーの工程特性な
いし能力に関する相関性を代表する値として評価するこ
とができる。ＣＤスキュー値を算出しに利用されたフォ
ト工程２００およびエッチング工程３００の後の各計測
値は同一であるロットに関するものである。例えば、ス
テッパ１号機２１０ａによって加工された特定のロット
がエッチャー１号機３１０ａによって続いて加工された
場合、前記ＣＤスキューはステッパ１号機２１０ａによ
るＣＤの工程結果をエッチャー１号機３１０ａによって
どのように変化されるかを表す。従って、「ステッパ１
号機２１０ａとエッチャー１号機３１０ａ」に関するＣ
Ｄスキューはエッチャー１号機３１０ａのステッパ１号
機２１０ａに対するＣＤと関連した工程能力ないし工程
特性を表すと見ることができる。さらに、ＣＤスキュー
の算出には最も最近の計測値が利用されたので、上述し
た工程能力に関する評価は最新の正確な情報になること
ができる。
【００５３】次に、コンピュータシステム１００ａは各
装備対毎に算出された最近の４個のＣＤスキューの中で
一つの代表値を選定する。ＣＤ計測値の偶然離散による
不正確性を排除するために前記４個のＣＤスキュー値の
中央値を前記代表値として選択することが好ましい。し
かし、代表値を定める基準として中央値の代わりに４個
のＣＤスキュー値の平均値を選択することもできる。ま
た、所定の範囲内に属するＣＤスキュー値の平均値を代
表値として選択することも代表値を定めるもう一つの基
準になることもできる。ロット間のＣＤ計測値の離散が
大きい場合には中央値の代表性が平均値のそれに比べて
もっと優れる。
装備対毎に算出された最近の４個のＣＤスキューの中で
一つの代表値を選定する。ＣＤ計測値の偶然離散による
不正確性を排除するために前記４個のＣＤスキュー値の
中央値を前記代表値として選択することが好ましい。し
かし、代表値を定める基準として中央値の代わりに４個
のＣＤスキュー値の平均値を選択することもできる。ま
た、所定の範囲内に属するＣＤスキュー値の平均値を代
表値として選択することも代表値を定めるもう一つの基
準になることもできる。ロット間のＣＤ計測値の離散が
大きい場合には中央値の代表性が平均値のそれに比べて
もっと優れる。
【００５４】スキュー代表値が定まると、今度は下の式
２を利用して各装備対毎にスパン（ｓｐａｎ）を算出す
る。スパンは各工程装備対の工程能力が検査項目の目標
値に対してどの位の偏差を有するかを表す値である。従
って、ＣＤスパンはＣＤ目標値ＴＧに対する各工程装備
対の工程能力を予測することができる評価指標であると
見ることができる。表１のスパン欄に書かれた値Ｓ1〜
Ｓ9は式２によって算出された各装備対毎のスパンを表
す。
２を利用して各装備対毎にスパン（ｓｐａｎ）を算出す
る。スパンは各工程装備対の工程能力が検査項目の目標
値に対してどの位の偏差を有するかを表す値である。従
って、ＣＤスパンはＣＤ目標値ＴＧに対する各工程装備
対の工程能力を予測することができる評価指標であると
見ることができる。表１のスパン欄に書かれた値Ｓ1〜
Ｓ9は式２によって算出された各装備対毎のスパンを表
す。
【００５５】（式２） スパン＝Ａ−（Ｒ＋ＴＧ） ここで、前記Ａは各ステッパによって加工されてエッチ
ング工程にディスパッチング待機中であるロット１７０
ｂの夫々に対するＣＤ計測値であり、前記表１では「ａ
n」、「ｃn」、「ｅn」で表示されている。前記ＴＧは
エッチング工程３００での検査項目、即ち、ＣＤの目標
値である。そして、前記Ｒは各装備対毎の最近に算出さ
れた所定個数のスキューの代表値である。表１では前記
代表値を選定するためのスキューの母集合の元素個数を
４個に限定しているが、これは例示に過ぎず、その個数
は多様に定めることができる。
ング工程にディスパッチング待機中であるロット１７０
ｂの夫々に対するＣＤ計測値であり、前記表１では「ａ
n」、「ｃn」、「ｅn」で表示されている。前記ＴＧは
エッチング工程３００での検査項目、即ち、ＣＤの目標
値である。そして、前記Ｒは各装備対毎の最近に算出さ
れた所定個数のスキューの代表値である。表１では前記
代表値を選定するためのスキューの母集合の元素個数を
４個に限定しているが、これは例示に過ぎず、その個数
は多様に定めることができる。
【００５６】次に、コンピュータシステム１００ａは算
出されたスパン値の絶対値を基準にして後行工程の装
備、即ちエッチャーをソート（ｓｏｒｔ）する。ソート
は各ステッパ毎に各々進行する。従って、ステッパ１号
機２１０ａで加工された現在のロットＬＯＴ_１’に関
するソート範囲はＳ1、Ｓ2、Ｓ3になる。また、ソート
は昇順（ａｓｃｅｎｄｉｎｇ ｐｏｗｅｒ）、即ちスパ
ンの絶対値が小さい値からソートする。ステッパ２号機
２１０ａやステッパ３号機２１０ｃによって加工された
ロットＬＯＴ_２’、ＬＯＴ_３’の夫々に対しても同じ
方式で３台のエッチャーに対するディスパッチングの優
先順位を定める。
出されたスパン値の絶対値を基準にして後行工程の装
備、即ちエッチャーをソート（ｓｏｒｔ）する。ソート
は各ステッパ毎に各々進行する。従って、ステッパ１号
機２１０ａで加工された現在のロットＬＯＴ_１’に関
するソート範囲はＳ1、Ｓ2、Ｓ3になる。また、ソート
は昇順（ａｓｃｅｎｄｉｎｇ ｐｏｗｅｒ）、即ちスパ
ンの絶対値が小さい値からソートする。ステッパ２号機
２１０ａやステッパ３号機２１０ｃによって加工された
ロットＬＯＴ_２’、ＬＯＴ_３’の夫々に対しても同じ
方式で３台のエッチャーに対するディスパッチングの優
先順位を定める。
【００５７】このような方式で先行工程で加工されたロ
ットＬＯＴ_１’、ＬＯＴ_２’、ＬＯＴ_３’の夫々の
後行工程装備に対するディスパッチングの優先順位を定
めた後、定めたディスパッチングの優先順位によって前
記ロットＬＯＴ_１’、ＬＯＴ_２’、ＬＯＴ_３’の夫
々を後行工程にディスパッチングする（段階Ｓ５２ａ、
段階Ｓ５２ｂなど）。これを具体的に説明すると、次の
ようである。
ットＬＯＴ_１’、ＬＯＴ_２’、ＬＯＴ_３’の夫々の
後行工程装備に対するディスパッチングの優先順位を定
めた後、定めたディスパッチングの優先順位によって前
記ロットＬＯＴ_１’、ＬＯＴ_２’、ＬＯＴ_３’の夫
々を後行工程にディスパッチングする（段階Ｓ５２ａ、
段階Ｓ５２ｂなど）。これを具体的に説明すると、次の
ようである。
【００５８】ディスパッチングしにおいて、コンピュー
タシステム１００ａは各ロットを前記ディスパッチング
の優先順位で最優先順位の後行工程装備にディスパッチ
ングされるようにする。例えて、現在のロットＬＯＴ_
１’に関するスパンの絶対値が｜Ｓ3｜＜｜Ｓ1｜＜｜Ｓ
2｜の関係を有すると、前記現在のロットＬＯＴ_１’の
３台のエッチャーに対するディスパッチングの優先順位
はエッチャー３号機、エッチャー１号機、エッチャー２
号機の順序である。従って、現在のロットＬＯＴ_１’
がディスパッチングされる後行工程装備はエッチャー３
号機３１０ｃである。もしも、エッチャー３号機３１０
ｃが現在使用できる装備であると、現在のロットＬＯＴ
_１’はエッチャー３号機３１０ｃにディスパッチング
される（段階Ｓ５２ａ）。しかし、エッチャー３号機３
１０ｃが現在使用できない場合には次の順位装備である
エッチャー１号機３１０ａが使用できるかを判断し、そ
れが使用できる場合にはエッチャー１号機３１０ａにデ
ィスパッチングし、使用できない場合にはエッチャー２
号機３１０ｂにディスパッチングする（段階Ｓ５２
ｂ）。
タシステム１００ａは各ロットを前記ディスパッチング
の優先順位で最優先順位の後行工程装備にディスパッチ
ングされるようにする。例えて、現在のロットＬＯＴ_
１’に関するスパンの絶対値が｜Ｓ3｜＜｜Ｓ1｜＜｜Ｓ
2｜の関係を有すると、前記現在のロットＬＯＴ_１’の
３台のエッチャーに対するディスパッチングの優先順位
はエッチャー３号機、エッチャー１号機、エッチャー２
号機の順序である。従って、現在のロットＬＯＴ_１’
がディスパッチングされる後行工程装備はエッチャー３
号機３１０ｃである。もしも、エッチャー３号機３１０
ｃが現在使用できる装備であると、現在のロットＬＯＴ
_１’はエッチャー３号機３１０ｃにディスパッチング
される（段階Ｓ５２ａ）。しかし、エッチャー３号機３
１０ｃが現在使用できない場合には次の順位装備である
エッチャー１号機３１０ａが使用できるかを判断し、そ
れが使用できる場合にはエッチャー１号機３１０ａにデ
ィスパッチングし、使用できない場合にはエッチャー２
号機３１０ｂにディスパッチングする（段階Ｓ５２
ｂ）。
【００５９】同様に、他の現在のロットＬＯＴ_３’に
関するスパンの絶対値が｜Ｓ7｜＜｜Ｓ8｜＜｜Ｓ9｜の
関係を有すると、前記現在のロットＬＯＴ_３’はエッ
チャー１号機３１０ａが現在使用できると、エッチャー
１号機３１０ａにディスパッチングし、使用できない
と、使用できるということを前提にしてエッチャー２号
機３１０ｂ、エッチャー３号機３１０ｃの順序でディス
パッチングする（段階Ｓ５４２ｂ）。
関するスパンの絶対値が｜Ｓ7｜＜｜Ｓ8｜＜｜Ｓ9｜の
関係を有すると、前記現在のロットＬＯＴ_３’はエッ
チャー１号機３１０ａが現在使用できると、エッチャー
１号機３１０ａにディスパッチングし、使用できない
と、使用できるということを前提にしてエッチャー２号
機３１０ｂ、エッチャー３号機３１０ｃの順序でディス
パッチングする（段階Ｓ５４２ｂ）。
【００６０】上述したような方式でディスパッチングさ
れた各ロットはエッチング工程３００の各装備によって
エッチング処理される。エッチング工程が完了される
と、各ロットのサンプルウェーハに対して計測装備４０
０ａを利用してＣＤに関する工程結果を計測する。エッ
チング工程の後に計測される要部はＣＤの以外にも他の
検査項目、例えば、線幅、反射度などがさらに含められ
る。エッチング工程後の計測結果もやはりコンピュータ
システム１００ａに提供される（段階Ｓ５４ａ、段階Ｓ
５４ｂなど）。エッチング工程はそれの後行工程との関
係においては先行工程としての地位を有するためであ
る。
れた各ロットはエッチング工程３００の各装備によって
エッチング処理される。エッチング工程が完了される
と、各ロットのサンプルウェーハに対して計測装備４０
０ａを利用してＣＤに関する工程結果を計測する。エッ
チング工程の後に計測される要部はＣＤの以外にも他の
検査項目、例えば、線幅、反射度などがさらに含められ
る。エッチング工程後の計測結果もやはりコンピュータ
システム１００ａに提供される（段階Ｓ５４ａ、段階Ｓ
５４ｂなど）。エッチング工程はそれの後行工程との関
係においては先行工程としての地位を有するためであ
る。
【００６１】そして、エッチング工程３００の結果がそ
の後続工程（図示せず）の結果に影響を及ぼすかを判断
する（段階Ｓ５６ａ、段階Ｓ５６ｂなど）。即ち、エッ
チング工程後に不純物の拡散工程が進行されると仮定す
るとき、エッチング工程の結果が不純物の拡散工程の工
程結果に影響を及ぼすかを判断する。影響を及ぼす検査
項目はＣＤではない他の検査項目になることもできる。
の後続工程（図示せず）の結果に影響を及ぼすかを判断
する（段階Ｓ５６ａ、段階Ｓ５６ｂなど）。即ち、エッ
チング工程後に不純物の拡散工程が進行されると仮定す
るとき、エッチング工程の結果が不純物の拡散工程の工
程結果に影響を及ぼすかを判断する。影響を及ぼす検査
項目はＣＤではない他の検査項目になることもできる。
【００６２】もし、エッチング工程３００の後続工程が
エッチング工程の工程品質より影響を受ける関係を有す
ると、影響を及ぼす検査項目に関するエッチング工程３
００の後の計測結果はコンピュータシステム１００ａに
よって先行工程の計測結果として認識される（段階Ｓ５
８）。
エッチング工程の工程品質より影響を受ける関係を有す
ると、影響を及ぼす検査項目に関するエッチング工程３
００の後の計測結果はコンピュータシステム１００ａに
よって先行工程の計測結果として認識される（段階Ｓ５
８）。
【００６３】その結果、エッチング工程が先行工程にな
り、不純物の拡散工程が後行工程になって、上述したよ
うにフォト工程からエッチング工程の関係で適用された
ディスパッチングの制御方法によってエッチング工程後
のロット１７０ｃの不純物の拡散工程用の装備に対する
ディスパッチングを制御する。
り、不純物の拡散工程が後行工程になって、上述したよ
うにフォト工程からエッチング工程の関係で適用された
ディスパッチングの制御方法によってエッチング工程後
のロット１７０ｃの不純物の拡散工程用の装備に対する
ディスパッチングを制御する。
【００６４】一方、好ましくは前記段階Ｓ４０の後に、
第１実施例によるディスパッチング方法が適用されるロ
ットを選別する段階（Ｓ４２、Ｓ４４、Ｓ４６）をさら
に含めることができる。これを説明すると、コンピュー
タシステム１００ａはエッチング工程２００を行ったロ
ット１７０ｂの夫々に対してＣＤの計測結果が製品の良
／不良を判定する基準になる製品規格を満足するかを判
断する（段階Ｓ４２）。前記製品規格を満足しないロッ
トは先行工程の性格が再作業が可能な工程である場合に
は再作業を行い、再作業が不可能な場合には不良品で判
定してそのロットを廃棄する（段階Ｓ４４）。
第１実施例によるディスパッチング方法が適用されるロ
ットを選別する段階（Ｓ４２、Ｓ４４、Ｓ４６）をさら
に含めることができる。これを説明すると、コンピュー
タシステム１００ａはエッチング工程２００を行ったロ
ット１７０ｂの夫々に対してＣＤの計測結果が製品の良
／不良を判定する基準になる製品規格を満足するかを判
断する（段階Ｓ４２）。前記製品規格を満足しないロッ
トは先行工程の性格が再作業が可能な工程である場合に
は再作業を行い、再作業が不可能な場合には不良品で判
定してそのロットを廃棄する（段階Ｓ４４）。
【００６５】製品規格を満足するロットを第１実施例の
ディスパッチング方法の適用対象にすることもできる
が、その適用対象をより厳しく限定することも好まし
い。一般的に、半導体の製造工場は先行工程後に行われ
る色々の後続工程過程によって不良品が拡大される可能
性を考慮して前記製品規格よりもっと厳しく設定された
管理基準を用意して品質管理を行っている。従って、こ
のような管理基準を適用する工場の場合には、前記管理
基準を満足するロットのみを適用対象のロットとして選
別して前記段階Ｓ５０とその後続段階との適用を受ける
ようにすることが好ましい（段階Ｓ４６）。これにあわ
せて、先行工程の結果、前記製品規格は満足するが、前
記管理基準を満足しないロットは後術する本発明の第２
実施例によるディスパッチング方法を適用することもも
う一つの選択になることができる（段階Ｓ４８）。
ディスパッチング方法の適用対象にすることもできる
が、その適用対象をより厳しく限定することも好まし
い。一般的に、半導体の製造工場は先行工程後に行われ
る色々の後続工程過程によって不良品が拡大される可能
性を考慮して前記製品規格よりもっと厳しく設定された
管理基準を用意して品質管理を行っている。従って、こ
のような管理基準を適用する工場の場合には、前記管理
基準を満足するロットのみを適用対象のロットとして選
別して前記段階Ｓ５０とその後続段階との適用を受ける
ようにすることが好ましい（段階Ｓ４６）。これにあわ
せて、先行工程の結果、前記製品規格は満足するが、前
記管理基準を満足しないロットは後術する本発明の第２
実施例によるディスパッチング方法を適用することもも
う一つの選択になることができる（段階Ｓ４８）。
【００６６】（第２実施例） 可変工程条件制御システム（ＶＡｒｉａｂｌｅ ＲＥｃ
ｉｐｅ ＣｏｎｔｒｏｌＳｙｓｔｅｍ：ＶＡＲＥＣＳ） 第２実施例の適用のための可変工程条件制御システムＶ
ＡＲＥＣＳは先行工程で加工された夫々のディスパッチ
ング対象のロットに対して検査項目を計測するための計
測装備４００ｂと、ディスパッチング対象のロットに対
して後行工程を行うための一つ以上の工程装備５００
と、そして先行工程の工程結果によって後行工程に適用
された工程条件を最適に設定するためのコンピュータシ
ステム１００とを有する。コンピュータシステム１００
ｂ内には後行工程の工程条件を最適に制御することに必
要である色々の機能を有する自動ディスパッチング‐Ｉ
Ｉ（ＡＤＳ−ＩＩ）という管理プログラムが内蔵され
る。以下の場合でも前記第１実施例と同様に理解を高め
るために先行工程はフォト工程であり、後行工程はエッ
チング工程であり、検査項目はＣＤであると仮定する。
ｉｐｅ ＣｏｎｔｒｏｌＳｙｓｔｅｍ：ＶＡＲＥＣＳ） 第２実施例の適用のための可変工程条件制御システムＶ
ＡＲＥＣＳは先行工程で加工された夫々のディスパッチ
ング対象のロットに対して検査項目を計測するための計
測装備４００ｂと、ディスパッチング対象のロットに対
して後行工程を行うための一つ以上の工程装備５００
と、そして先行工程の工程結果によって後行工程に適用
された工程条件を最適に設定するためのコンピュータシ
ステム１００とを有する。コンピュータシステム１００
ｂ内には後行工程の工程条件を最適に制御することに必
要である色々の機能を有する自動ディスパッチング‐Ｉ
Ｉ（ＡＤＳ−ＩＩ）という管理プログラムが内蔵され
る。以下の場合でも前記第１実施例と同様に理解を高め
るために先行工程はフォト工程であり、後行工程はエッ
チング工程であり、検査項目はＣＤであると仮定する。
【００６７】第２実施例によると、フォト工程後の各ロ
ットの工程結果によってロットの品質をよりＣＤ目標値
ＴＧに近く接近させることができる工程条件を適用して
後行工程を行う。従って、後行工程は固定的でなく、先
行工程の結果によって可変的ないし弾力的に適用され
る。以下でこれを具体的に説明する。
ットの工程結果によってロットの品質をよりＣＤ目標値
ＴＧに近く接近させることができる工程条件を適用して
後行工程を行う。従って、後行工程は固定的でなく、先
行工程の結果によって可変的ないし弾力的に適用され
る。以下でこれを具体的に説明する。
【００６８】まず、エッチング工程の工程能力を改選す
るために多数の工程条件を決定するに活用される関数式
ｆを決定する。エッチング工程の工程結果はフォト工程
の工程結果とエッチング工程で適用された工程条件によ
って決定される。これを次のような関数式ｆで表現する
ことができる。
るために多数の工程条件を決定するに活用される関数式
ｆを決定する。エッチング工程の工程結果はフォト工程
の工程結果とエッチング工程で適用された工程条件によ
って決定される。これを次のような関数式ｆで表現する
ことができる。
【００６９】（式３） ＡＣＩ＝ｆ（ＡＤＩ、ＥＰ） ここで、ＡＣＩはエッチング工程後のＣＤの計測値であ
り、ＡＤＩはフォト工程後のＣＤの計測値であり、ＥＰ
はエッチング工程の工程条件を決定する要部である。
り、ＡＤＩはフォト工程後のＣＤの計測値であり、ＥＰ
はエッチング工程の工程条件を決定する要部である。
【００７０】エッチング工程の遂行時にＡＤＩは予めに
確定された値であるので、ＡＣＩを変化させることはエ
ッチング工程の工程条件要部ＥＰである。ＡＣＩ値を所
望する状態に調節するためには工程条件要部ＥＰの値を
変更する必要がある。エッチング工程の工程条件要部で
は色々ある。例えば、チャンバの圧力、内部温度、エッ
チングガスの量、電力などがあり、その各々がＡＣＩに
及ぼす影響はお互いに異なる場合もある。従って、ＡＣ
Ｉを調節するに主な影響を及ぼす工程条件の要部を実験
を通じて抽出する。主因子を抽出するとき、考慮しなけ
らばならないのは主因子の値を変化させることが検査項
目であるＣＤの計測値の離散特性を悪化させないことで
ある。ＣＤの離散特性が良くないというのは、ＣＤの計
測値がより不良に変化したロットが増加したことを意味
するためである。
確定された値であるので、ＡＣＩを変化させることはエ
ッチング工程の工程条件要部ＥＰである。ＡＣＩ値を所
望する状態に調節するためには工程条件要部ＥＰの値を
変更する必要がある。エッチング工程の工程条件要部で
は色々ある。例えば、チャンバの圧力、内部温度、エッ
チングガスの量、電力などがあり、その各々がＡＣＩに
及ぼす影響はお互いに異なる場合もある。従って、ＡＣ
Ｉを調節するに主な影響を及ぼす工程条件の要部を実験
を通じて抽出する。主因子を抽出するとき、考慮しなけ
らばならないのは主因子の値を変化させることが検査項
目であるＣＤの計測値の離散特性を悪化させないことで
ある。ＣＤの離散特性が良くないというのは、ＣＤの計
測値がより不良に変化したロットが増加したことを意味
するためである。
【００７１】実験結果、ＡＣＩ値を調節するための主因
子がチャンバの圧力Ｐ、エッチングガス量Ｇ、そして電
力Ｅで決定された場合に仮定する。主因子は各工程別に
異なれ、単位工程内でも主因子は異に定められることも
できる。ＡＣＩまたはＣＤのスキュー（ＡＣＩは結局Ｃ
Ｄスキューで代表になれる）はこの主因子を変数にする
関数であうるので、次の関数式Ｆとして表れることがで
きる。
子がチャンバの圧力Ｐ、エッチングガス量Ｇ、そして電
力Ｅで決定された場合に仮定する。主因子は各工程別に
異なれ、単位工程内でも主因子は異に定められることも
できる。ＡＣＩまたはＣＤのスキュー（ＡＣＩは結局Ｃ
Ｄスキューで代表になれる）はこの主因子を変数にする
関数であうるので、次の関数式Ｆとして表れることがで
きる。
【００７２】（式４） ＣＤ ＳＫＥＷ＝Ｆ（Ｇ，Ｐ，Ｅ） チャンバの圧力Ｐ、エッチングガス量Ｇ、電力Ｅを多様
に変化させる実験とこの実験結果に対する回帰分析方と
を通じてＣＤスキューの平均値を調節することができる
関数式Ｆを抽出する。この関数式は唯一に定めることで
はない。上述した３個の主因子の中でどの一つのみを変
数にする関数式になることもでき、場合によっては上述
した３個の主因子の全部を変数にする関数式になること
もできる。唯、この関数式は変数値の変更に対してＣＤ
スキューの平均値がほぼ線形的に変化されることができ
る特徴を有することが好ましい。なぜならば、変数に対
する関数値の線形特性はＣＤスキューの変化を予測する
ことができ、予測された値と実際の工程の結果が差を有
する場合にもその原因の分析がしやすいためである。
に変化させる実験とこの実験結果に対する回帰分析方と
を通じてＣＤスキューの平均値を調節することができる
関数式Ｆを抽出する。この関数式は唯一に定めることで
はない。上述した３個の主因子の中でどの一つのみを変
数にする関数式になることもでき、場合によっては上述
した３個の主因子の全部を変数にする関数式になること
もできる。唯、この関数式は変数値の変更に対してＣＤ
スキューの平均値がほぼ線形的に変化されることができ
る特徴を有することが好ましい。なぜならば、変数に対
する関数値の線形特性はＣＤスキューの変化を予測する
ことができ、予測された値と実際の工程の結果が差を有
する場合にもその原因の分析がしやすいためである。
【００７３】実験と回帰分析法とによって最終的に得ら
れた関数式が下の式５のようであると仮定する。この関
数式は実際にはエッチング工程と関連して実験と分析、
そして検証を通じて得られた関数式の中で一つである。
この関数式は電力Ｅとガス量Ｇとを適切に変更してＣＤ
スキューの平均値を所望する通りに調節することができ
ることを意味する。
れた関数式が下の式５のようであると仮定する。この関
数式は実際にはエッチング工程と関連して実験と分析、
そして検証を通じて得られた関数式の中で一つである。
この関数式は電力Ｅとガス量Ｇとを適切に変更してＣＤ
スキューの平均値を所望する通りに調節することができ
ることを意味する。
【００７４】（式５） ＣＤ ＳＫＥＷ（Ｅ、Ｇ）＝ａ＋ｂＥ2＋ｃＧ2 ここで、ａ、ｂ、ｃは夫々常数である。図７は上の関数
式を利用して変数ＥとＧとの値を変更するときに得られ
るＣＤスキューの平均値の変化推移を示すグラフであ
る。このグラフは二つの変数Ｅ、Ｇに関する関数値が線
形的な関係を有することを示す。図７のグラフでガス量
Ｇを固定する場合にＣＤスキューの平均値を１０［ｎ
ｍ］程度アップさせるために電力量Ｐは１４００［Ｗ］
から１０００［Ｗ］まで減らさなけらばならないことが
分かる。また、電力量Ｐを１２００［Ｗ］で固定した状
態でガス量Ｇを１４から５まで減らすと、ＣＤスキュー
の平均値を１０［ｎｍ］程度減らすことができることが
分かる。
式を利用して変数ＥとＧとの値を変更するときに得られ
るＣＤスキューの平均値の変化推移を示すグラフであ
る。このグラフは二つの変数Ｅ、Ｇに関する関数値が線
形的な関係を有することを示す。図７のグラフでガス量
Ｇを固定する場合にＣＤスキューの平均値を１０［ｎ
ｍ］程度アップさせるために電力量Ｐは１４００［Ｗ］
から１０００［Ｗ］まで減らさなけらばならないことが
分かる。また、電力量Ｐを１２００［Ｗ］で固定した状
態でガス量Ｇを１４から５まで減らすと、ＣＤスキュー
の平均値を１０［ｎｍ］程度減らすことができることが
分かる。
【００７５】この関数式を利用すると、次のような多様
である工程条件を得ることができる。ここで、フォト工
程後のＣＤ目標値ＴＧが０．２８０［μｍ］であり、製
品規格は０．２６０［μｍ］（図４でＴＧ‐ｂ）〜０．
３００［μｍ］（図４でＴＧ＋ｂ）であり、管理基準は
０．２７０［μｍ］（図４でＴＧ‐ａ）〜０．２９０
［μｍ］（図４でＴＧ＋ａ）であると仮定する。
である工程条件を得ることができる。ここで、フォト工
程後のＣＤ目標値ＴＧが０．２８０［μｍ］であり、製
品規格は０．２６０［μｍ］（図４でＴＧ‐ｂ）〜０．
３００［μｍ］（図４でＴＧ＋ｂ）であり、管理基準は
０．２７０［μｍ］（図４でＴＧ‐ａ）〜０．２９０
［μｍ］（図４でＴＧ＋ａ）であると仮定する。
【００７６】フォト工程で加工されたロットの中でＣＤ
計測値Ｍが前記管理基準内であるロット５２０はエッチ
ング工程で既存に適用して来た第１工程条件を変化させ
ないで、そのままに適用しても良い。ここで、電力Ｅと
ガス量Ｇとに関して既存に適用して来た第１工程条件は
夫々１２００［Ｗ］と１０［ｃｍ3］であると仮定す
る。
計測値Ｍが前記管理基準内であるロット５２０はエッチ
ング工程で既存に適用して来た第１工程条件を変化させ
ないで、そのままに適用しても良い。ここで、電力Ｅと
ガス量Ｇとに関して既存に適用して来た第１工程条件は
夫々１２００［Ｗ］と１０［ｃｍ3］であると仮定す
る。
【００７７】前記ＣＤ計測値Ｍが前記ＣＤ目標値ＴＧよ
り大略０．０１０［μｍ］以上に小さい場合、即ち、
０．２６０［μｍ］≦Ｍ＜０．２７０［μｍ］であるロ
ット５１０ｂに対してはエッチング工程後のＣＤ計測値
Ｍ’が前記ＣＤ目標値ＴＧ、即ち、Ｍ＋０．０１０［μ
ｍ］に近く変化されることができる第２工程条件を適用
する必要がある。図７のグラフで前記第２工程条件の一
例はガス量Ｇを１５［ｃｍ3］に増加させ、電力Ｅを１
０００［Ｗ］に減らすことである。
り大略０．０１０［μｍ］以上に小さい場合、即ち、
０．２６０［μｍ］≦Ｍ＜０．２７０［μｍ］であるロ
ット５１０ｂに対してはエッチング工程後のＣＤ計測値
Ｍ’が前記ＣＤ目標値ＴＧ、即ち、Ｍ＋０．０１０［μ
ｍ］に近く変化されることができる第２工程条件を適用
する必要がある。図７のグラフで前記第２工程条件の一
例はガス量Ｇを１５［ｃｍ3］に増加させ、電力Ｅを１
０００［Ｗ］に減らすことである。
【００７８】前記ＣＤＭが前記ＣＤ目標値ＴＧより大略
０．０１０［μｍ］以上に大きな場合、即ち、０．２９
０［μｍ］≦Ｍ＜０．３００［μｍ］であるロット５１
０ａに対してはエッチング工程後のＣＤ計測値Ｍ’が前
記ＣＤ目標値ＴＧ、即ち、Ｍ‐０．０１０［μｍ］に近
く移動されることができる第３工程条件を適用する必要
がある。図７のグラフで前記第３工程条件の一例はガス
量Ｇを１５［ｃｍ3］に減らし、電力Ｅを１４００
［Ｗ］に増加することである。
０．０１０［μｍ］以上に大きな場合、即ち、０．２９
０［μｍ］≦Ｍ＜０．３００［μｍ］であるロット５１
０ａに対してはエッチング工程後のＣＤ計測値Ｍ’が前
記ＣＤ目標値ＴＧ、即ち、Ｍ‐０．０１０［μｍ］に近
く移動されることができる第３工程条件を適用する必要
がある。図７のグラフで前記第３工程条件の一例はガス
量Ｇを１５［ｃｍ3］に減らし、電力Ｅを１４００
［Ｗ］に増加することである。
【００７９】上述ではエッチング工程の工程条件を３種
で区分して説明したが、より精密な制御のために工程条
件の種類をさらに増やすこともできる。例えば、上では
フォト工程後のＣＤ計測値Ｍが製品基準は満足するが、
管理基準を離れた二つの場合、即ち、０．２６０［μ
ｍ］≦Ｍ＜０．２７０［μｍ］と０．２９０［μｍ］≦
Ｍ＜０．３００［μｍ］とを夫々一グループとして取り
扱ったが、この各グループを０．００５［μｍ］の単位
ずつ分割して２グループに細分化して工程条件を準備す
ることもできる。
で区分して説明したが、より精密な制御のために工程条
件の種類をさらに増やすこともできる。例えば、上では
フォト工程後のＣＤ計測値Ｍが製品基準は満足するが、
管理基準を離れた二つの場合、即ち、０．２６０［μ
ｍ］≦Ｍ＜０．２７０［μｍ］と０．２９０［μｍ］≦
Ｍ＜０．３００［μｍ］とを夫々一グループとして取り
扱ったが、この各グループを０．００５［μｍ］の単位
ずつ分割して２グループに細分化して工程条件を準備す
ることもできる。
【００８０】一方、前記ＣＤ計測値Ｍが製品基準を離れ
るロット５２５ａ、５２５ｂはこの状態でもう不良品で
あり、もし、先行工程が再作業が可能な特性を有する工
程であると、そのロットは再作業の対象として取り扱
う。表２は以上の説明に基づいてフォト工程後のＣＤ計
測値Ｍの大きさによってエッチング工程で適用する最適
の工程条件を整理している。コンピュータシステム１０
０ｂは、表２のように整理された、エッチング工程にデ
ィスパッチングするロットの処理基準に関する基準情報
を示している。
るロット５２５ａ、５２５ｂはこの状態でもう不良品で
あり、もし、先行工程が再作業が可能な特性を有する工
程であると、そのロットは再作業の対象として取り扱
う。表２は以上の説明に基づいてフォト工程後のＣＤ計
測値Ｍの大きさによってエッチング工程で適用する最適
の工程条件を整理している。コンピュータシステム１０
０ｂは、表２のように整理された、エッチング工程にデ
ィスパッチングするロットの処理基準に関する基準情報
を示している。
【００８１】
【表２】
【００８２】上のようにエッチング工程に適用される多
様な工程条件に関する基準情報を準備する一方、フォト
工程後のＣＤ計測値Ｍの大きさによって最適の工程条件
を選択してエッチング工程の工程環境を制御する自動デ
ィスパッチングシステム‐ＩＩ（ＡＤＳ‐ＩＩ）という
プログラムも準備してコンピュータシステム１００ｂに
内蔵する。
様な工程条件に関する基準情報を準備する一方、フォト
工程後のＣＤ計測値Ｍの大きさによって最適の工程条件
を選択してエッチング工程の工程環境を制御する自動デ
ィスパッチングシステム‐ＩＩ（ＡＤＳ‐ＩＩ）という
プログラムも準備してコンピュータシステム１００ｂに
内蔵する。
【００８３】図５は図４のロットディスパッチングシス
テムＶＡＲＥＣＳを利用して先行工程の結果によって最
適の後行工程条件を適用してロットをディスパッチング
するための方法を説明するための流れ図である。
テムＶＡＲＥＣＳを利用して先行工程の結果によって最
適の後行工程条件を適用してロットをディスパッチング
するための方法を説明するための流れ図である。
【００８４】まず、各ロットに対して先行工程を行った
後、先行工程で定めた検査項目に対して計測装備４００
ｂを利用して各ロットを計測する。効率的な計測のため
に各ロット毎に抽出されたサンプルウェーハに対して計
測する。先行工程の上の計測の結果は一般的にＣＤの目
標値ＴＧを中心に図４の左側のグラフのような定規分布
曲線を示す。計測より得られた検査項目例えば、ＣＤに
関する計測データは各ロットの識別番号と共にコンピュ
ータシステム１００ｂに伝達される（段階Ｓ１１０）。
後、先行工程で定めた検査項目に対して計測装備４００
ｂを利用して各ロットを計測する。効率的な計測のため
に各ロット毎に抽出されたサンプルウェーハに対して計
測する。先行工程の上の計測の結果は一般的にＣＤの目
標値ＴＧを中心に図４の左側のグラフのような定規分布
曲線を示す。計測より得られた検査項目例えば、ＣＤに
関する計測データは各ロットの識別番号と共にコンピュ
ータシステム１００ｂに伝達される（段階Ｓ１１０）。
【００８５】コンピュータシステム１００ｂは伝達され
たＣＤ計測値Ｍが表２に例示された基準情報を参照して
当該ロットが前記製品基準を満足させるかを検査する
（段階Ｓ１１２）。検査結果、製品規格を満足させない
場合にはそのロットに対して不良判定を下り、もし再作
業が可能であると、フォト工程の再作業という判定を下
る（段階Ｓ１１３）。
たＣＤ計測値Ｍが表２に例示された基準情報を参照して
当該ロットが前記製品基準を満足させるかを検査する
（段階Ｓ１１２）。検査結果、製品規格を満足させない
場合にはそのロットに対して不良判定を下り、もし再作
業が可能であると、フォト工程の再作業という判定を下
る（段階Ｓ１１３）。
【００８６】延いては、前記検査結果が管理基準を満足
させる場合には、そのロットの品質状態がＣＤ目標値Ｔ
Ｇより大きくない誤差を有するので、この場合には、む
りに工程条件を可変までしながらエッチング工程を行う
必要はない。唯、小さい誤差としてももっと減らすため
に前記第１実施例で開示したロットディスパッチング方
法（ＰＥＡＣＯＮＳ）によって最適のエッチング装備に
当該ロットをディスパッチングするように制御する（段
階Ｓ１１６）。
させる場合には、そのロットの品質状態がＣＤ目標値Ｔ
Ｇより大きくない誤差を有するので、この場合には、む
りに工程条件を可変までしながらエッチング工程を行う
必要はない。唯、小さい誤差としてももっと減らすため
に前記第１実施例で開示したロットディスパッチング方
法（ＰＥＡＣＯＮＳ）によって最適のエッチング装備に
当該ロットをディスパッチングするように制御する（段
階Ｓ１１６）。
【００８７】一方、コンピュータシステム１００ｂは当
該ロットのＣＤ計測値Ｍが製品規格は満足させるが、管
理基準を満足させない場合には、第２実施例が適用され
るロットであると判定する。そして、コンピュータシス
テム１００ｂは内蔵された基準情報を参照して前記ＣＤ
計測値Ｍの大きさによって前記第２工程条件、または、
第３工程条件を選択する（段階Ｓ１１８）。工程条件が
もっと細分化されている場合にも同様である。
該ロットのＣＤ計測値Ｍが製品規格は満足させるが、管
理基準を満足させない場合には、第２実施例が適用され
るロットであると判定する。そして、コンピュータシス
テム１００ｂは内蔵された基準情報を参照して前記ＣＤ
計測値Ｍの大きさによって前記第２工程条件、または、
第３工程条件を選択する（段階Ｓ１１８）。工程条件が
もっと細分化されている場合にも同様である。
【００８８】その後、コンピュータシステム１００ｂは
上で選択された最適の工程条件に関するデータに基づい
て当該ロットがディスパッチングされるエッチング工程
装備を制御する。そして、最適の工程条件が設定された
状態で当該ロットに対してエッチング工程を行う。エッ
チング工程が終わると、計測装備４００ｂを利用して再
びそのロットに対してエッチング工程後の検査項目に対
する計測を行う。エッチング工程後の検査項目は必ずし
もＣＤに限定されなく、エッチング工程の後続工程の種
類によって多様に設定することができる（段階Ｓ１２
０）。
上で選択された最適の工程条件に関するデータに基づい
て当該ロットがディスパッチングされるエッチング工程
装備を制御する。そして、最適の工程条件が設定された
状態で当該ロットに対してエッチング工程を行う。エッ
チング工程が終わると、計測装備４００ｂを利用して再
びそのロットに対してエッチング工程後の検査項目に対
する計測を行う。エッチング工程後の検査項目は必ずし
もＣＤに限定されなく、エッチング工程の後続工程の種
類によって多様に設定することができる（段階Ｓ１２
０）。
【００８９】一方、本発明の実施例を半導体の製造に関
連された全ての工程に拡大して適用することができる。
この場合、エッチング工程はその次の工程との関係では
先行工程になる。従って、コンピュータシステム１００
ｂでは工程結果に対して相関性を有する工程対に関する
基準情報を前もって内蔵させて置く。そして、この基準
情報を利用してエッチング工程後の検査項目に関する計
測結果がその次の工程の工程結果、即ち、ロットの品質
に影響を及ぼすかを判断する（段階Ｓ１２２）。
連された全ての工程に拡大して適用することができる。
この場合、エッチング工程はその次の工程との関係では
先行工程になる。従って、コンピュータシステム１００
ｂでは工程結果に対して相関性を有する工程対に関する
基準情報を前もって内蔵させて置く。そして、この基準
情報を利用してエッチング工程後の検査項目に関する計
測結果がその次の工程の工程結果、即ち、ロットの品質
に影響を及ぼすかを判断する（段階Ｓ１２２）。
【００９０】判断結果、エッチング工程の工程結果がエ
ッチング工程の後続工程として予定された工程、例え
ば、不純物の拡散工程に影響を及ぼす場合、コンピュー
タシステム１００ｂは計測装備４００ｂより伝達された
エッチング工程後の計測データを不純物の拡散工程の先
行工程の計測データとして貯蔵する（段階Ｓ１２４）。
ッチング工程の後続工程として予定された工程、例え
ば、不純物の拡散工程に影響を及ぼす場合、コンピュー
タシステム１００ｂは計測装備４００ｂより伝達された
エッチング工程後の計測データを不純物の拡散工程の先
行工程の計測データとして貯蔵する（段階Ｓ１２４）。
【００９１】上述したような第２実施例を適用した結果
によると、図４の右側のグラフで例示したように、前記
管理基準を満足させるロットの数はフォト工程後５２０
よりエッチング工程後５４０の方がもっと多くなる。さ
らには、製品規格と管理基準との間に属するロットの数
はフォト工程後５１０ａ、５１０ｂに比べてエッチング
工程後５３０ａ、５３０ｂの方がもっと少なくなる。エ
ッチング工程後の各ロットのＣＤ値が目標ＣＤ値ＴＧに
より近く移動したためである。これは製品規格と管理基
準との間に属するロット５０１ａ、５０１ｂを夫々のフ
ォト工程の結果に対応する最適の工程条件を適用してエ
ッチング工程を行う。
によると、図４の右側のグラフで例示したように、前記
管理基準を満足させるロットの数はフォト工程後５２０
よりエッチング工程後５４０の方がもっと多くなる。さ
らには、製品規格と管理基準との間に属するロットの数
はフォト工程後５１０ａ、５１０ｂに比べてエッチング
工程後５３０ａ、５３０ｂの方がもっと少なくなる。エ
ッチング工程後の各ロットのＣＤ値が目標ＣＤ値ＴＧに
より近く移動したためである。これは製品規格と管理基
準との間に属するロット５０１ａ、５０１ｂを夫々のフ
ォト工程の結果に対応する最適の工程条件を適用してエ
ッチング工程を行う。
【００９２】第３実施例‐工程装備指定制御システム
（ＰＥＡＣＯＮＳ）＋可変工程条件制御システム（ＶＡ
ＲＥＣＳ） 図６は本発明の第３実施例によるロットディスパッチン
グシステムの構成を簡略に示す。このシステムは図２の
ロットディスパッチングシステム（ＰＥＡＣＯＮＳ）と
図４のロットディスパッチングシステム（ＶＡＲＥＣ
Ｓ）とを通合的に適用するためのものである。
（ＰＥＡＣＯＮＳ）＋可変工程条件制御システム（ＶＡ
ＲＥＣＳ） 図６は本発明の第３実施例によるロットディスパッチン
グシステムの構成を簡略に示す。このシステムは図２の
ロットディスパッチングシステム（ＰＥＡＣＯＮＳ）と
図４のロットディスパッチングシステム（ＶＡＲＥＣ
Ｓ）とを通合的に適用するためのものである。
【００９３】このシステムは一つの以上の同一な先行工
程装備であるステッパ５５５と、多数個の後行工程装備
であるエッチャー７２０と、先行と後行工程とが行われ
たロットを検査項目に関して計測するための計測装備４
００ｃと、計測装備４００ｃより伝達された各ロットの
計測データと先に説明した色々の基準情報を利用してフ
ォト工程が行われた各ロットに対するエッチング工程の
ディスパッチング装備と工程条件とを制御するためのコ
ンピュータシステム１００ｃを有する。コンピュータシ
ステム１００ｃは前記第１および第２実施例を通合的に
行うことができる自動ロットディスパッチングシステム
‐ＩＩＩ（ＡＤＳ‐ＩＩＩ）という管理プログラムを内
蔵する。
程装備であるステッパ５５５と、多数個の後行工程装備
であるエッチャー７２０と、先行と後行工程とが行われ
たロットを検査項目に関して計測するための計測装備４
００ｃと、計測装備４００ｃより伝達された各ロットの
計測データと先に説明した色々の基準情報を利用してフ
ォト工程が行われた各ロットに対するエッチング工程の
ディスパッチング装備と工程条件とを制御するためのコ
ンピュータシステム１００ｃを有する。コンピュータシ
ステム１００ｃは前記第１および第２実施例を通合的に
行うことができる自動ロットディスパッチングシステム
‐ＩＩＩ（ＡＤＳ‐ＩＩＩ）という管理プログラムを内
蔵する。
【００９４】このシステムは先行工程の結果によって後
行工程の遂行において、最適の工程装備と最適の工程条
件とを適用してロットをディスパッチングするためのも
のである。このシステムを利用したロットディスパッチ
ング方法は当業者であったら、前記第１および第２実施
例の開示内容によって容易に理解することができると判
断されるので、以下では主な特徴に対して簡略に説明す
る。
行工程の遂行において、最適の工程装備と最適の工程条
件とを適用してロットをディスパッチングするためのも
のである。このシステムを利用したロットディスパッチ
ング方法は当業者であったら、前記第１および第２実施
例の開示内容によって容易に理解することができると判
断されるので、以下では主な特徴に対して簡略に説明す
る。
【００９５】フォト工程が行われた各ロットに対して計
測装備４００を利用して検査項目を計測する。計測結果
はコンピュータシステム１００ｃに伝達される。コンピ
ュータ１００ｃは製品規格を満足させないロット６１０
ａ、６１０ｂ、製品規格を満足させるが、管理基準を満
足させないロット６２０ａ、６２０ｂ、そして管理基準
も満足させないロット６３０ａなどで分類する。
測装備４００を利用して検査項目を計測する。計測結果
はコンピュータシステム１００ｃに伝達される。コンピ
ュータ１００ｃは製品規格を満足させないロット６１０
ａ、６１０ｂ、製品規格を満足させるが、管理基準を満
足させないロット６２０ａ、６２０ｂ、そして管理基準
も満足させないロット６３０ａなどで分類する。
【００９６】このような分類によって、コンピュータシ
ステム１００ｃは前記ロット６１０ａ、６１０ｂを不良
で判定し、再作業が可能な場合には再作業で判定し、こ
の判定結果によって再作業などの措置を取る。前記ロッ
ト６２０ａ、６２０ｂは第２実施例によるディスパッチ
ング（ＶＡＲＥＣＳ）の適用対象として判定して図５の
段階Ｓ１１８とその後続段階によって処理する。延いて
は、前記ロット６３０ａは前記第１実施例によるディス
パッチング方法（ＰＥＡＣＯＮＳ）の適用対象に判定し
て図３の段階Ｓ５０とその後続段階によって処理する。
ステム１００ｃは前記ロット６１０ａ、６１０ｂを不良
で判定し、再作業が可能な場合には再作業で判定し、こ
の判定結果によって再作業などの措置を取る。前記ロッ
ト６２０ａ、６２０ｂは第２実施例によるディスパッチ
ング（ＶＡＲＥＣＳ）の適用対象として判定して図５の
段階Ｓ１１８とその後続段階によって処理する。延いて
は、前記ロット６３０ａは前記第１実施例によるディス
パッチング方法（ＰＥＡＣＯＮＳ）の適用対象に判定し
て図３の段階Ｓ５０とその後続段階によって処理する。
【００９７】今まで、本発明の特別な実施例に対して説
明したが、本発明の根本的な技術思想から外れない多様
な変化が可能であることを明らかにして置く。例えば、
先行工程と後行工程との組合はフォト工程‐エッチング
工程の以外にも半導体の製造工程の全般にわたって多様
に存在することができ、本発明はこのような場合をカバ
ーする。そして、後行工程は工程順序で見ると、先行工
程の以後に進行されることであると、必ずしも先行工程
の真っ直ぐの順序として行われる必要はない。また、検
査項目を複数個に設定して適用することもできる。それ
故に、添付する特許請求範囲は前記した技術とそれ以外
の多様な変形とが全部本発明の精神や範囲に属すること
を見せる意図を有する。従って、上述した本発明の実施
例は説明をするための目的であり、特定の限界や制限を
与えるためのことではないということを強調する。
明したが、本発明の根本的な技術思想から外れない多様
な変化が可能であることを明らかにして置く。例えば、
先行工程と後行工程との組合はフォト工程‐エッチング
工程の以外にも半導体の製造工程の全般にわたって多様
に存在することができ、本発明はこのような場合をカバ
ーする。そして、後行工程は工程順序で見ると、先行工
程の以後に進行されることであると、必ずしも先行工程
の真っ直ぐの順序として行われる必要はない。また、検
査項目を複数個に設定して適用することもできる。それ
故に、添付する特許請求範囲は前記した技術とそれ以外
の多様な変形とが全部本発明の精神や範囲に属すること
を見せる意図を有する。従って、上述した本発明の実施
例は説明をするための目的であり、特定の限界や制限を
与えるためのことではないということを強調する。
【００９８】
【発明の効果】前記第１実施例をフォト工程とエッチン
グ工程との間で実際に適用した結果によると、エッチン
グ工程後の工程能力（ｐｒｏｃｅｓｓ ｃａｐａｂｉｌ
ｉｔｙ）（Ｃｐｋ）は著しく向上された。工程能力の向
上の程度は適用率を高めるに連れて大きく表れた。例え
ば、適用率を５６％にした場合は工程能力は０．０７程
度向上され、適用率を９５％まで高めた場合には工程能
力は０．２程度向上された。また、前記第２実施例を適
用した結果によると、平均的に工程能力が０．３以上に
改善され、特定の製品基準に対する離脱率が６．２％以
上に減少するという効果が表れた。参考に、工程能力Ｃ
ｐｋというのは、各工程で作られるロットの品質の状態
（品質離散の大きさ）を意味することで、Ｃｐｋ＝（検
査項目の工程平均と製品規格限界との距離）／３σで定
義される（σ＝検査項目の標準偏差）。
グ工程との間で実際に適用した結果によると、エッチン
グ工程後の工程能力（ｐｒｏｃｅｓｓ ｃａｐａｂｉｌ
ｉｔｙ）（Ｃｐｋ）は著しく向上された。工程能力の向
上の程度は適用率を高めるに連れて大きく表れた。例え
ば、適用率を５６％にした場合は工程能力は０．０７程
度向上され、適用率を９５％まで高めた場合には工程能
力は０．２程度向上された。また、前記第２実施例を適
用した結果によると、平均的に工程能力が０．３以上に
改善され、特定の製品基準に対する離脱率が６．２％以
上に減少するという効果が表れた。参考に、工程能力Ｃ
ｐｋというのは、各工程で作られるロットの品質の状態
（品質離散の大きさ）を意味することで、Ｃｐｋ＝（検
査項目の工程平均と製品規格限界との距離）／３σで定
義される（σ＝検査項目の標準偏差）。
【００９９】工程能力の向上結果、ロットの不適合率と
スクレープ（ｓｃｒａｐ）発生率が大きく減少された。
その結果、生産性が向上されて原価節減はもちろん、製
造期間の短縮に大きな効果が表れた。これを半導体の製
造工程の全般にわたって拡大適用しながら、各単位工程
での適用率を高めると、上昇（ｓｙｎｅｒｇｙ）効果を
収めることができる。
スクレープ（ｓｃｒａｐ）発生率が大きく減少された。
その結果、生産性が向上されて原価節減はもちろん、製
造期間の短縮に大きな効果が表れた。これを半導体の製
造工程の全般にわたって拡大適用しながら、各単位工程
での適用率を高めると、上昇（ｓｙｎｅｒｇｙ）効果を
収めることができる。
【０１００】前記では本発明望ましい実施例を参照して
説明したが、当該の技術分野の熟練された当業者は下記
の特許請求の範囲に記載された本発明の思想と領域より
離れない範囲の内で本発明を多様に修正または変更でき
るであろう。
説明したが、当該の技術分野の熟練された当業者は下記
の特許請求の範囲に記載された本発明の思想と領域より
離れない範囲の内で本発明を多様に修正または変更でき
るであろう。
【図１】従来のロットディスパッチング方法を説明する
ための模式図である。
ための模式図である。
【図２】本発明の第１実施例によるロットディスパッチ
ングシステムを示す模式図である。
ングシステムを示す模式図である。
【図３】図２のロットディスパッチングシステムを用い
たロットディスパッチング方法の流れを示す説明図であ
る。
たロットディスパッチング方法の流れを示す説明図であ
る。
【図４】本発明の第２実施例によるロットディスパッチ
ングシステムを示す模式図である。
ングシステムを示す模式図である。
【図５】図４のロットディスパッチングシステムを用い
たロットディスパッチング方法の流れを示す説明図。
たロットディスパッチング方法の流れを示す説明図。
【図６】本発明の第３実施例によるロッドディスパッチ
ングシステムを示す模式図である。
ングシステムを示す模式図である。
【図７】本発明の第２実施例で用いる関数式を表したグ
ラフを示す模式図である。
ラフを示す模式図である。
１００ａ、１００ｂ、１００ｃ コンピュータシステム １７０ａ、１７０ｂ、１７０ｃ ロットグループ ２００ 先行工程装備グループ ３００ 後行工程装備グループ ４００ａ、４００ｂ、４００ｃ 検査装備 ５００、７００ 後行工程
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金 錫▲玄▼ 大韓民国ソウル江南区道谷洞964番地現代 グリンエー308号 (72)発明者 董 承勲 大韓民国ソウル松坡区梧琴洞11番地現代白 鳥アパート101棟906号 (72)発明者 尹 泰揚 大韓民国京畿道華城郡台安邑安寧里南水原 現代アパート103棟1402号 (72)発明者 郭 道淳 大韓民国京畿道龍仁市器興邑農書里７−１ マロニエ棟507号 (72)発明者 姜 ▲臣▼世 大韓民国京畿道水原市八達区霊通洞955− １ファングゴルマウル住公アパート145棟 1203号 (72)発明者 朴 一錫 大韓民国京畿道水原市勧善区勧善洞現代ア パート202棟1103号 (72)発明者 呉 在錫 大韓民国京畿道水原市八達区仁渓洞865− 10ヒャングウォンアパート10棟504号
Claims (27)
- 【請求項１】 第１工程用の第１工程装備によって加工
されディスパッチング待機中である第１ロットを、前記
第１工程後に行われ複数個の第２工程装備を並行運転す
る第２工程にディスパッチングする方法であって、 前記第１工程装備によって前記第１ロットの以前に加工
された第２ロットの夫々に対する検査項目の計測データ
と前記第２工程装備の中でいずれか一つによって加工さ
れた前記第２ロットの夫々に対する前記検査項目の計測
データとをコンピュータシステムに累積し続ける第１段
階と、 前記コンピュータシステムで、累積された計測データに
基づいて前記第１工程装備が前記第１ロットに対して発
生させた前記検査項目の目標値に対する偏差を前記検査
項目の目標値の方に補償する前記第２工程装備の夫々の
工程能力を評価する第２段階と、 評価された前記工程能力によって前記第１ロットの前記
複数個の第２工程装備に対するディスパッチングの優先
順位を決定する第３段階と、 前記第１ロットを前記ディスパッチングの優先順位に基
づいて先順位の利用できる一つの第２工程装備にディス
パッチングする第４段階と、 を含むことを特徴とするロットディスパッチング方法。 - 【請求項２】 前記第１工程装備によって処理される各
ロットに対して前記検査項目を計測する段階と、 前記第２工程装備の夫々によって処理された各ロットに
対して前記検査項目を計測する段階と、 前記計測段階から得られた各検査項目に対する計測デー
タを前記コンピュータシステムに伝達して前記コンピュ
ータシステムに貯蔵された既存の計測データをアップデ
ートする段階と、 をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のロット
ディスパッチング方法。 - 【請求項３】 前記第２工程装備の夫々の工程能力は前
記検査項目のスパンによって代表され、前記ディスパッ
チングの優先順位は算出された前記スパンの絶対値が相
対的に小さい程度によって決定され、前記スパンは、前
記第１ロットに対する前記検査項目の計測値をＡ、前記
第２工程での前記検査項目の目標値をＴＧ、ならびに前
記第１工程装備と前記第２工程装備との各々で構成され
る工程装置対の各々が直前に発生させた所定個数のスキ
ューの代表値をＲとし、前記スキューは同一なロットに
対する前記第１工程後の前記検査項目の計測値と前記第
２工程後の前記検査項目の計測値との間の偏差であると
すると、 「スパン＝Ａ−（Ｒ＋ＴＧ）」で定義されることを特徴
とする請求項１記載のロットディスパッチング方法。 - 【請求項４】 前記代表値は、前記所定個数のスキュー
の中央値、または平均値であることを特徴とする請求項
３に記載のロットディスパッチング方法。 - 【請求項５】 前記第１工程で加工されたロットの中で
前記検査項目の計測値が製品の良／不良を判定する製品
規格よりもっと厳しく設定された管理基準を満足するロ
ットを適用対象のロットとして選別する段階をさらに含
むことを特徴とする請求項１に記載のロットディスパッ
チング方法。 - 【請求項６】 複数個の第１工程装備を並行運転する第
１工程と前記第１工程後に実施され複数個の第２工程装
備を並行運転する第２工程とを備える半導体集積回路デ
バイスの製造装置において、前記第２工程装備のいずれ
か一つにより加工されディスパッチング待機中のいずれ
かの第１ロットをいずれか一つの第２工程装備にディス
パッチングする方法であって、 前記第１工程によって処理された各ロットに対して前記
第１工程装備毎に前記検査項目を計測する第１段階と、 前記第２工程によって処理された各ロットに対して前記
第２工程装備毎に前記検査項目を計測する第１段階と、 前記第１段階および前記第２段階で得られた計測データ
を利用して前記第１工程装備および前記第２工程装備よ
り夫々一つずつ抽出して構成される多数の工程装備対の
夫々が発生させたこととして同一なロットに対して前記
第１工程後の前記検査項目の計測値と前記第２工程後の
前記検査項目の計測値との間の偏差として定義される前
記検査項目のスキューを算出する第３段階と、 前記工程装備対毎に前記第１ロットに対する前記検査項
目の計測値をＡ、前記第２工程での前記検査項目の目標
値をＴＧ、第１ロットを加工した第１工程装備と前記第
２工程装備との各々で構成される工程装備対の夫々が直
前に発生させた所定個数のスキューの代表値をＲとし
て、スパン＝Ａ−（Ｒ＋ＴＧ）からスパンを算出する第
４段階と、 前記第１ロットを加工した第１工程装備と前記工程装備
対を構成する第２工程装備とを前記スパンの絶対値が相
対的に小さい順に優先順位を決定する第５段階と、 前記第１ロットを前記優先順位に基づいて先順位の第２
工程装備にディスパッチングする第６段階と、 を含むことを特徴とするロットディスパッチング方法。 - 【請求項７】 前記代表値は、前記所定個数のスキュー
の中央値、または平均値であることを特徴とする請求項
６に記載のロットディスパッチング。 - 【請求項８】 前記第１工程で加工されたロットの中で
前記検査項目の計測値が製品の良／不良を判定する製品
規格よりもっと厳しく設定された管理基準を満足するロ
ットを適用対象のロットとして選別する段階をさらに含
むことを特徴とする請求項６に記載のロットディスパッ
チング方法。 - 【請求項９】 前記先順位である第２工程装備が使用で
きない場合、後順位の第２工程装備の中で使用できる最
先順位の第２工程装備に前記第１ロットをディスパッチ
ングすることを特徴とする請求項６に記載のロットディ
スパッチング方法。 - 【請求項１０】 前記検査項目は臨界寸法、線幅、膜
厚、反射度あるいは絶縁特性などのような半導体製造工
程に関する品質検査項目の中で一つ以上であることを特
徴とする請求項６に記載のロットディスパッチング方
法。 - 【請求項１１】 第１工程と前記第１工程後に行われる
第２工程とを含む半導体集積回路デバイスの製造装置に
おいて、前記第１工程で加工されてディスパッチング待
機中である現在のロットを前記第２工程にディスパッチ
ングする方法において、 検査項目の値をその大きさによって多数個の等級に区分
し、各等級と夫々対応する相互に異なる多数個の工程条
件を前記第２工程用として準備し、前記各工程条件はそ
の工程条件に対応する等級の基準値と前記検査項目の目
標値との間の誤差を最小化する補償特性とする第１段階
と、 前記第１工程後の前記現在ロットに対して検査項目を計
測する第２段階と、 前記多数個の工程条件の中で前記第２段階で得られた計
測値に対応する一つの工程条件を選択する第３段階と、 前記第３段階で選択された工程条件で前記第２工程を自
動設定した後、前記現在ロットを前記第２工程にディス
パッチングする第４段階と、 を含むことを特徴とするロットディスパッチング方法。 - 【請求項１２】 前記第１工程で加工されたロットの中
で前記検査項目の計測値が製品の良／不良を判定する製
品規格を満足し、前記製品規格より厳格に設定された管
理基準を満足しないロットを適用対象として選別する段
階をさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載のロ
ットディスパッチング方法。 - 【請求項１３】 前記多数個の工程条件は、 前記第２工程の工程条件をなす工程条件要部の中で前記
検査項目に対する工程結果の変化に主な影響を及ぼす一
つ以上の工程条件要部を抽出する段階と、 抽出された工程条件要部を変数にして前記検査項目の値
を調節可能な関数式を決定する段階と、 前記各等級に対応する前記誤差を補償する前記変数の値
を決定する段階と、 前記変数の値を前記工程条件要部の値に設定する段階
と、 から設定されることを特徴とする請求項１１に記載のロ
ットディスパッチング方法。 - 【請求項１４】 前記関数式の変数になる工程条件要部
は前記検査項目に対する前記計測値の離散特性が基準範
囲の内である工程条件要部から選択されることを特徴と
する請求項１３に記載のロットディスパッチング方法。 - 【請求項１５】 前記関数式は、前記変数に対して概略
線形性を有することを特徴とする請求項１３に記載のロ
ットディスパッチング方法。 - 【請求項１６】第１工程用の第１工程装備によって加工
され、ディスパッチング待機中である現在のロットを、
前記第１工程後に実施され複数個の第２工程装備を並行
運転する第２工程にディスパッチングする方法におい
て、 前記第１工程装備によって加工された各ロットと前記第
２工程装備の夫々によって加工された各ロットとに対し
て検査項目を計測する第１段階と、 前記検査項目の値をその大きさによって区分された多数
個の等級の各々に対応する相互に異なる多数個の工程条
件を前記第２工程用として準備し、前記各工程条件はそ
の工程条件に対する等級の基準値と前記検査項目の目標
値との間の誤差の最小化を補償する第２段階と、 前記現在ロットに対する前記検査項目の計測値が、製品
の良／不良を判定する製品規格を満足し、前記製品規格
より厳格に設定された管理基準を満足しない第１場合と
前記管理基準を満足する第２場合のいずれに属するかを
検査する第３段階と、 前記現在ロットが前記第１場合に属すると、前記多数個
の工程条件の中で前記現在ロットに対する前記検査項目
の計測値に対応する一つの工程条件を選択し、選択され
た工程条件で前記第２工程を自動設定した後、前記現在
ロットを前記第２工程にディスパッチングする第４段階
と、 前記現在ロットが前記第２場合に属すると、前記第１工
程装備が前記現在ロットに対して発生させた前記検査項
目の目標値に対する偏差を最も小さい値で補償する能力
を有する特定の第２工程装備に前記現在ロットをディス
パッチングする第５段階と、 を含むことを特徴とするロットディスパッチング方法。 - 【請求項１７】 前記第５段階は、 前記第１工程装備によって前記現在ロットより先に加工
された以前ロットの夫々に対する前記検査項目の計測デ
ータと前記第２工程装備の中である一つによって加工さ
れた前記以前ロットの各々に対する前記検査項目の計測
データとを累積する段階と、 前記累積された計測データに基づいて前記第１工程装備
が前記現在ロットに対して発生させた前記検査項目の目
標値に対する偏差を前記検査項目の目標値の方に補償す
る前記第２工程装備の夫々の工程能力を評価し、評価さ
れた前記工程能力によって前記現在ロットの前記複数個
の第２工程装備に対するディスパッチングの優先順位を
決定する段階と、 前記現在ロットを前記ディスパッチングの優先順位に基
づいて先順位の使用できる一つの第２工程装備にディス
パッチングする段階と、 を有することを特徴とする請求項１６に記載のロットデ
ィスパッチング方法。 - 【請求項１８】 先順位である第２工程装備が使用でき
ない場合、後順位の第２工程装備の中で使用できる最先
順位の第２工程装備に前記現在ロットをディスパッチン
グすることを特徴とする請求項１７に記載のロットディ
スパッチング方法。 - 【請求項１９】 前記第２工程装備の夫々の工程能力
は、前記現在のロットに対する前記検査項目の計測値を
Ａ、前記第２工程での前記検査項目の目標値をＴＧ、前
記第１工程装備と前記第２工程装備との各々から構成さ
れる工程装備対が直前に発生させた所定個数のスキュー
の代表値をＲとし、前記スキューは同一なロットに対す
る前記第１工程後の前記検査項目の計測値と前記第２工
程後の前記検査項目の計測値との間の偏差であるとする
と、スパンは、 スパン＝Ａ−（Ｒ＋ＴＧ） で定義され算出された前記検査項目のスパンによって代
表され、前記ディスパッチングの優先順位は算出された
前記スパンの絶対値が相対的に小さい程度によって決定
されることを特徴とする請求項１６に記載のロットディ
スパッチング方法。 - 【請求項２０】 前記代表値は、中央値、または平均値
であることを特徴とする請求項１９に記載のロットディ
スパッチング方法。 - 【請求項２１】 前記多数個の工程条件は、 前記第２工程の工程条件をなす工程条件要部の中で前記
検査項目に対する工程結果の変化に主な影響を及ぼす一
つ以上の工程条件要部を抽出する段階と、 抽出された工程条件要部を変数にして前記検査項目の値
を調節可能な関数式を決定する段階と、 前記各等級に対応する前記誤差を補償する前記変数の値
を決定する段階と、 前記変数の値を前記工程条件要部の値に設定する段階
と、 によって定められることを特徴とする請求項１６に記載
のロットディスパッチング方法。 - 【請求項２２】 前記関数式は、前記変数に対して概略
線形性を有することを特徴とする請求項２１に記載のロ
ットディスパッチング方法。 - 【請求項２３】 第１工程と前記第１工程後に行われる
第２工程とを含む半導体集積回路デバイスの製造装置
で、前記第１工程によって加工されて待機中の第１ロッ
トを前記第２工程にディスパッチングするシステムにお
いて、 一つ以上の同一な第１工程用装備を有し、前記第１工程
用装備を利用して第２ロットに対して第１工程を行う第
１手段と、 複数個の同一な第２工程用装備を有し、前記第２工程用
装備を利用して前記第２ロットに対して第２工程を行う
第２手段と、 前記第１工程および前記第２工程で加工された各ロット
に対し検査項目を計測するための計測手段と、 前記計測手段より伝達された計測データを累積し、累積
された計測データに基づいて、前記第１工程装備が前記
第１ロットに対して発生させた前記検査項目の目標値に
対する偏差を前記検査項目の目標値へ補償する前記第２
工程装備の夫々の工程能力を評価し、評価された前記工
程能力によって前記第１ロットの前記複数個の第２工程
装備に対するディスパッチングの優先順位を決定し、前
記第１ロットを前記ディスパッチングの優先順位に基づ
いて先順位の第２工程装備にディスパッチングされるよ
うに制御する制御手段と、 を備えることを特徴とするロットディスパッチングシス
テム。 - 【請求項２４】 前記第２工程装備の各々の工程能力
は、現在ロットに対する前記検査項目の計測値をＡ、前
記第２工程での前記検査項目の目標値をＴＧ、第１工程
装備と第２工程装備との各々で構成される工程設備対が
直前に発生させた所定個数のスキューの代表値をＲ、前
記スキューは同一のロットに対する前記第１工程終了後
の前記検査項目の計測値と前記第２工程後の前記検査項
目の計測値との間の偏差であるとすると、スパン＝Ａ−
（Ｒ＋ＴＧ）で算出されるスパンにより代表され、前記
ディスパッチングの優先順位は算出された前記スパンの
絶対値が相対的に小さい程度によって決定されることを
特徴とする請求項２３に記載のロットスパッチングシス
テム。 - 【請求項２５】 第１工程と前記第１工程後に行われる
第２工程とを有する半導体集積回路デバイスの製造装置
で前記第１工程で加工されてディスパッチング待機中で
ある現在ロットを前記第２工程にディスパッチングする
システムにおいて、 前記現在ロットに対して検査項目を計測するための計測
手段と、 前記現在ロットに対して前記第２工程を行うための第２
工程装備と、 前記検査項目の値をその大きさによって多数個の等級で
区分し、各等級と夫々対応する相互に異なる多数個の工
程条件を前記第２工程用として有し、前記各工程条件は
その工程条件に対応される等級の基準値と前記検査項目
の目標値との間の誤差を最小化する補償特性を有し、前
記多数個の工程条件の中で前記計測手段より伝達された
計測データの大きさに対応する一つの工程条件を選択
し、選択した工程条件で前記第２工程を自動設定した
後、前記現在ロットが前記第２工程にディスパッチング
されるように制御する制御手段と、 を備えることを特徴とするロットディスパッチングシス
テム。 - 【請求項２６】 前記多数個の工程条件は、前記第２工
程の工程条件をなす工程条件要部の中で前記検査項目に
対する工程結果の変化に主な影響を及ぼす一つ以上の工
程条件要部を抽出し、抽出された前記工程条件要部を変
数にして前記検査項目の値を調節可能な関数式を決定
し、前記各等級に対応する前記誤差を補償する前記変数
の値を決定し、決定された前記変数の値を前記工程条件
要部の値として設定することを特徴とする請求項２５に
記載のロットディスパッチングシステム。 - 【請求項２７】 第１工程と前記第１工程後に行われる
第２工程とを有する半導体集積回路デバイスの製造装置
で前記第１工程で加工されてディスパッチング待機中で
ある第１ロットを前記第２工程にディスパッチングする
システムにおいて、 一つ以上の同一である第１工程用装備を有し、前記第１
工程用装備を利用して第２ロットに対して第１工程を行
う第１手段と、 複数個の同一な第２工程用装備を有し、前記第２工程用
装備を利用して前記第２ロットに対して第２工程を行う
第２手段と、 前記第１工程および前記第２工程で加工された各ロット
に対して検査項目を計測する計測手段と、 前記計測手段より伝達された計測データを累積し、前記
検査項目の値をその大きさによって多数個の等級で区分
し、各等級に夫々対応する相互に異なる多数個の工程条
件を前記第２工程用として有し、前記各工程条件はその
工程条件に対応する等級の基準値と前記検査項目の目標
値との間の誤差を最小化する補償特性を有し、前記第１
ロットに対する前記検査項目の計測値が製品の良／不良
を判定する製品規格を満足し、前記製品規格より厳格な
管理基準を満足しない第１場合と、前記管理基準を満足
する第２場合のいずれに属するかを判別し、前記第２場
合に属すると前記累積された計測データに基づいて前記
第１工程装備が前記第１ロットに対して発生させた前記
検査項目の目標値に対する偏差を前記検査項目の目標値
へ補償する前記第２工程装備の夫々の工程能力を評価
し、評価された前記工程能力によって前記第１ロットの
前記複数個の第２工程装備に対するディスパッチングの
優先順位を決定し、前記第１ロットを前記ディスパッチ
ングの優先順位に基づいて先順位の使用できる一つの第
２工程装備にディスパッチングされるように制御し、前
記第１場合に属すると前記多数個の工程条件の中で前記
計測手段より伝達された計測データの大きさに対応する
一つの工程条件を選択し、選択した工程条件で前記第２
工程を自動設定した後、前記現在ロットが前記第２工程
にディスパッチングされるように制御する制御手段と、 を備えることを特徴とするロットディスパッチングシス
テム。
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