JP2001185423A - ノイズフィルタ - Google Patents
ノイズフィルタInfo
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- JP2001185423A JP2001185423A JP36934099A JP36934099A JP2001185423A JP 2001185423 A JP2001185423 A JP 2001185423A JP 36934099 A JP36934099 A JP 36934099A JP 36934099 A JP36934099 A JP 36934099A JP 2001185423 A JP2001185423 A JP 2001185423A
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- JP
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- inductor
- capacitor
- noise filter
- cobalt
- signal
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 抵抗とコンデンサによって構成されているの
で、ノイズを除去するためにインピーダンスを高くする
と信号が劣化し、信号が劣化しないようにインピーダン
スを設定するとノイズが十分に除去できない。 【解決手段】 半導体素子の信号端と信号線路間にそれ
ぞれ挿入されるインダクタと、このインダクタとアース
間に接続されるコンデンサを備える。インダクタは、コ
バルト−バリウム−ストロンチウム系フェライトのコバ
ルトの一部が銅で置換された磁性体と、この磁性体に形
成された導体パターンとで形成される。 【効果】 信号を劣化させることなく、ノイズの除去能
力を改善できる。
で、ノイズを除去するためにインピーダンスを高くする
と信号が劣化し、信号が劣化しないようにインピーダン
スを設定するとノイズが十分に除去できない。 【解決手段】 半導体素子の信号端と信号線路間にそれ
ぞれ挿入されるインダクタと、このインダクタとアース
間に接続されるコンデンサを備える。インダクタは、コ
バルト−バリウム−ストロンチウム系フェライトのコバ
ルトの一部が銅で置換された磁性体と、この磁性体に形
成された導体パターンとで形成される。 【効果】 信号を劣化させることなく、ノイズの除去能
力を改善できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＰＵ等の半導体
素子の、１００ＭＨｚ以上の高速信号が伝送される信号
端と信号線路間に挿入されるノイズフィルタに関するも
のである。
素子の、１００ＭＨｚ以上の高速信号が伝送される信号
端と信号線路間に挿入されるノイズフィルタに関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＣＰＵ等の半導体素子では、その
信号端において１００ＭＨｚ以上の高速信号が伝送され
るものがある。このような半導体素子が用いられたコン
ピュータ等の電子機器においては、ノイズによって従来
のものよりも誤動作しやすくなっている。これは半導体
素子の信号端において伝送される信号が１００ＭＨｚ以
上と従来のものよりも高速なため、伝送信号にノイズが
混入した場合の影響が大きくなることが原因となってい
る。そのため、これらの電子機器においては、半導体素
子の信号端と信号線路間にノイズフィルタを挿入する必
要が大きくなっている。
信号端において１００ＭＨｚ以上の高速信号が伝送され
るものがある。このような半導体素子が用いられたコン
ピュータ等の電子機器においては、ノイズによって従来
のものよりも誤動作しやすくなっている。これは半導体
素子の信号端において伝送される信号が１００ＭＨｚ以
上と従来のものよりも高速なため、伝送信号にノイズが
混入した場合の影響が大きくなることが原因となってい
る。そのため、これらの電子機器においては、半導体素
子の信号端と信号線路間にノイズフィルタを挿入する必
要が大きくなっている。
【０００３】従来のノイズフィルタは、図７に示す様に
半導体素子７１の信号端と信号線路間にそれぞれ抵抗Ｒ
１、Ｒ２、Ｒ３、・・・、Ｒｎを挿入し、抵抗の信号線
路側がそれぞれコンデンサＣ７１、Ｃ７２、Ｃ７３、・
・・、Ｃ７ｎを介してアースされて形成されている。
半導体素子７１の信号端と信号線路間にそれぞれ抵抗Ｒ
１、Ｒ２、Ｒ３、・・・、Ｒｎを挿入し、抵抗の信号線
路側がそれぞれコンデンサＣ７１、Ｃ７２、Ｃ７３、・
・・、Ｃ７ｎを介してアースされて形成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この様なノイズフィル
タは、抵抗とコンデンサによって構成されているので、
そのインピーダンスは周波数に関係なく一定となってい
る。従って、従来のノイズフィルタは、ノイズを除去す
るためにインピーダンスを高くすると信号が劣化し、信
号が劣化しないようにインピーダンスを設定するとノイ
ズが十分に除去できないという問題があった。このよう
な問題を解決するためにインダクタとコンデンサでノイ
ズフィルタを構成しようとすると、インダクタ成分によ
り信号に位相ずれが発生する。この様なノイズフィルタ
を前述のような高速信号が伝送される半導体素子の信号
端と信号線路間に挿入しようとした場合、伝送される信
号が１００ＭＨｚ以上と高速なためにこの位相ずれによ
り伝送される信号が著しく劣化するという問題があっ
た。従って、この様な半導体素子の信号端と信号線路間
に、インダクタとコンデンサで構成したノイズフィルタ
を挿入することはできなかった。
タは、抵抗とコンデンサによって構成されているので、
そのインピーダンスは周波数に関係なく一定となってい
る。従って、従来のノイズフィルタは、ノイズを除去す
るためにインピーダンスを高くすると信号が劣化し、信
号が劣化しないようにインピーダンスを設定するとノイ
ズが十分に除去できないという問題があった。このよう
な問題を解決するためにインダクタとコンデンサでノイ
ズフィルタを構成しようとすると、インダクタ成分によ
り信号に位相ずれが発生する。この様なノイズフィルタ
を前述のような高速信号が伝送される半導体素子の信号
端と信号線路間に挿入しようとした場合、伝送される信
号が１００ＭＨｚ以上と高速なためにこの位相ずれによ
り伝送される信号が著しく劣化するという問題があっ
た。従って、この様な半導体素子の信号端と信号線路間
に、インダクタとコンデンサで構成したノイズフィルタ
を挿入することはできなかった。
【０００５】本発明は、信号を劣化させることなく、ノ
イズの除去能力を改善できるノイズフィルタを提供する
ことを目的とする。
イズの除去能力を改善できるノイズフィルタを提供する
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体素子の
信号端と信号線路間にそれぞれ挿入されるインダクタ、
インダクタとアース間に接続されるコンデンサを備え、
インダクタがフェロックスプレーナ系の材料を用いた磁
性体とこの磁性体に形成された導体パターンとで形成す
ることにより上述の課題を解決するものである。すなわ
ち、半導体素子の信号端と信号線路間にそれぞれ挿入さ
れるインダクタ、インダクタとアース間に接続されるコ
ンデンサを備え、インダクタが、コバルト−バリウム−
ストロンチウム系フェライトのコバルトの一部が銅で置
換された磁性体と磁性体に形成された導体パターンとで
形成されたことを特徴とする。
信号端と信号線路間にそれぞれ挿入されるインダクタ、
インダクタとアース間に接続されるコンデンサを備え、
インダクタがフェロックスプレーナ系の材料を用いた磁
性体とこの磁性体に形成された導体パターンとで形成す
ることにより上述の課題を解決するものである。すなわ
ち、半導体素子の信号端と信号線路間にそれぞれ挿入さ
れるインダクタ、インダクタとアース間に接続されるコ
ンデンサを備え、インダクタが、コバルト−バリウム−
ストロンチウム系フェライトのコバルトの一部が銅で置
換された磁性体と磁性体に形成された導体パターンとで
形成されたことを特徴とする。
【０００７】また、本発明のノイズフィルタは、半導体
素子の信号端と信号線路間にそれぞれ挿入されるインダ
クタ、インダクタとアース間に接続されるコンデンサを
備え、インダクタが、コバルト−バリウム−ストロンチ
ウム系フェライトのコバルトの一部が銅で置換され、バ
リウム−ストロンチウムの一部が鉛で置換された磁性体
と該磁性体に形成された導体パターンとで形成されたこ
とを特徴とする。
素子の信号端と信号線路間にそれぞれ挿入されるインダ
クタ、インダクタとアース間に接続されるコンデンサを
備え、インダクタが、コバルト−バリウム−ストロンチ
ウム系フェライトのコバルトの一部が銅で置換され、バ
リウム−ストロンチウムの一部が鉛で置換された磁性体
と該磁性体に形成された導体パターンとで形成されたこ
とを特徴とする。
【０００８】さらに、本発明のノイズフィルタは、この
インダクタと、絶縁体層と導体層を交互に積層して形成
されたコンデンサとを積層することによりインダクタと
コンデンサを一体に形成する。またさらに、本発明のノ
イズフィルタは、半導体素子の信号端と信号線路間に挿
入される複数のインダクタが一体に形成されたり、半導
体素子の信号端と信号線路間に挿入される複数のインダ
クタ及び、それぞれのインダクタとアース間に接続され
た複数のコンデンサが一体に形成されたりする。
インダクタと、絶縁体層と導体層を交互に積層して形成
されたコンデンサとを積層することによりインダクタと
コンデンサを一体に形成する。またさらに、本発明のノ
イズフィルタは、半導体素子の信号端と信号線路間に挿
入される複数のインダクタが一体に形成されたり、半導
体素子の信号端と信号線路間に挿入される複数のインダ
クタ及び、それぞれのインダクタとアース間に接続され
た複数のコンデンサが一体に形成されたりする。
【０００９】また、本発明のノイズフィルタは、半導体
素子の信号端と信号線路間に挿入される複数のインダク
タ、それぞれのインダクタとアース間に接続される複数
のコンデンサを備え、複数のインダクタが、コバルト−
バリウム−ストロンチウム系フェライトのコバルトの一
部が銅で置換された磁性体とこの磁性体に形成された導
体パターンとで一体に形成され、複数のコンデンサが絶
縁体層と導体層を交互に積層して形成され、インダクタ
とコンデンサとを積層することにより複数のインダクタ
と複数のコンデンサが一体に形成され、磁性体又は絶縁
体のいずれかに半導体ベアチップを収納するための凹み
部が形成される。さらに、本発明のノイズフィルタは、
半導体素子の信号端と信号線路間に挿入される複数のイ
ンダクタ、それぞれのインダクタとアース間に接続され
る複数のコンデンサを備え、複数のインダクタが、コバ
ルト−バリウム−ストロンチウム系フェライトのコバル
トの一部が銅で置換され、バリウム−ストロンチウムの
一部が鉛で置換された磁性体とこの磁性体に形成された
導体パターンとで一体に形成され、複数のコンデンサが
絶縁体層と導体層を交互に積層して形成され、インダク
タとコンデンサとを積層することにより複数のインダク
タと複数のコンデンサが一体に形成され、磁性体又は絶
縁体のいずれかに半導体ベアチップを収納するための凹
み部が形成される。
素子の信号端と信号線路間に挿入される複数のインダク
タ、それぞれのインダクタとアース間に接続される複数
のコンデンサを備え、複数のインダクタが、コバルト−
バリウム−ストロンチウム系フェライトのコバルトの一
部が銅で置換された磁性体とこの磁性体に形成された導
体パターンとで一体に形成され、複数のコンデンサが絶
縁体層と導体層を交互に積層して形成され、インダクタ
とコンデンサとを積層することにより複数のインダクタ
と複数のコンデンサが一体に形成され、磁性体又は絶縁
体のいずれかに半導体ベアチップを収納するための凹み
部が形成される。さらに、本発明のノイズフィルタは、
半導体素子の信号端と信号線路間に挿入される複数のイ
ンダクタ、それぞれのインダクタとアース間に接続され
る複数のコンデンサを備え、複数のインダクタが、コバ
ルト−バリウム−ストロンチウム系フェライトのコバル
トの一部が銅で置換され、バリウム−ストロンチウムの
一部が鉛で置換された磁性体とこの磁性体に形成された
導体パターンとで一体に形成され、複数のコンデンサが
絶縁体層と導体層を交互に積層して形成され、インダク
タとコンデンサとを積層することにより複数のインダク
タと複数のコンデンサが一体に形成され、磁性体又は絶
縁体のいずれかに半導体ベアチップを収納するための凹
み部が形成される。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明のノイズフィルタは、半導
体素子の信号端と信号線路間にそれぞれ挿入されるイン
ダクタ、インダクタとアース間に接続されるコンデンサ
を備える。インダクタは、コバルト−バリウム−ストロ
ンチウム系フェライトのコバルトの一部が銅で置換され
た磁性体又は、コバルト−バリウム−ストロンチウム系
フェライトのコバルトの一部が銅で置換され、バリウム
−ストロンチウムの一部が鉛で置換された磁性体を用
い、この磁性体に形成された導体パターンで形成され
る。このインダクタは、さらに、絶縁体層と導体層を交
互に積層して形成したコンデンサと積層されて一体化さ
れる。また、本発明のノイズフィルタは、半導体素子の
信号端と信号線路間に挿入される複数のインダクタ、そ
れぞれのインダクタとアース間に接続される複数のコン
デンサを備える。複数のインダクタは、コバルト−バリ
ウム−ストロンチウム系フェライトのコバルトの一部が
銅で置換された磁性体又は、コバルト−バリウム−スト
ロンチウム系フェライトのコバルトの一部が銅で置換さ
れ、バリウム−ストロンチウムの一部が鉛で置換された
磁性体を用い、この磁性体に形成された導体パターンで
一体に形成される。この複数のインダクタは、さらに、
絶縁体層と導体層を交互に積層して形成された複数のコ
ンデンサと積層されて一体化される。さらに、複数のイ
ンダクタと複数のコンデンサを一体に形成したものの、
磁性体又は絶縁体のいずれかに半導体ベアチップを収納
するための凹み部が形成される。
体素子の信号端と信号線路間にそれぞれ挿入されるイン
ダクタ、インダクタとアース間に接続されるコンデンサ
を備える。インダクタは、コバルト−バリウム−ストロ
ンチウム系フェライトのコバルトの一部が銅で置換され
た磁性体又は、コバルト−バリウム−ストロンチウム系
フェライトのコバルトの一部が銅で置換され、バリウム
−ストロンチウムの一部が鉛で置換された磁性体を用
い、この磁性体に形成された導体パターンで形成され
る。このインダクタは、さらに、絶縁体層と導体層を交
互に積層して形成したコンデンサと積層されて一体化さ
れる。また、本発明のノイズフィルタは、半導体素子の
信号端と信号線路間に挿入される複数のインダクタ、そ
れぞれのインダクタとアース間に接続される複数のコン
デンサを備える。複数のインダクタは、コバルト−バリ
ウム−ストロンチウム系フェライトのコバルトの一部が
銅で置換された磁性体又は、コバルト−バリウム−スト
ロンチウム系フェライトのコバルトの一部が銅で置換さ
れ、バリウム−ストロンチウムの一部が鉛で置換された
磁性体を用い、この磁性体に形成された導体パターンで
一体に形成される。この複数のインダクタは、さらに、
絶縁体層と導体層を交互に積層して形成された複数のコ
ンデンサと積層されて一体化される。さらに、複数のイ
ンダクタと複数のコンデンサを一体に形成したものの、
磁性体又は絶縁体のいずれかに半導体ベアチップを収納
するための凹み部が形成される。
【００１１】
【実施例】以下、本発明のノイズフィルタの実施例を図
１乃至図６を参照して説明する。図１は本発明のノイズ
フィルタの第１の実施例の回路図であり、１１は半導体
素子を示している。半導体素子１１の信号端と信号線路
間には、それぞれインダクタＬ１１、Ｌ１２、Ｌ１３、
・・・、Ｌ１ｎが挿入される。インダクタＬ１１、Ｌ１
２、Ｌ１３、・・・、Ｌ１ｎの信号線路側は、それぞれ
コンデンサを介してアースされる。すなわち、インダク
タＬ１１の信号線路側はコンデンサＣ１１を、インダク
タＬ１２の信号線路側はコンデンサＣ１２を、インダク
タＬ１３の信号線路側はコンデンサＣ１３を、インダク
タＬ１ｎの信号線路側がコンデンサＣ１ｎをそれぞれ介
してアースされる。インダクタＬ１１、Ｌ１２、Ｌ１
３、・・・、Ｌ１ｎは、それぞれ磁性体とこの磁性体に
形成された導体パターンによって形成される。この磁性
体は、例えば、以下の組成のフェライト磁性材料が用い
られる。２（Ｃｏ0.6Ｃｕ0.4）Ｏ・３（Ｂａ0.75Ｓｒ
0.15Ｐｂ0.1）Ｏ・9.8Ｆｅ2Ｏ3 このインダクタＬ１１、
Ｌ１２、Ｌ１３、・・・、Ｌ１ｎは、電子機器のプリン
ト基板上にそれぞれ実装され、プリント基板の配線パタ
ーンを介して所定のコンデンサと接続されてノイズフィ
ルタが形成される。この様に形成されたノイズフィルタ
は、伝送される信号の周波数帯域の１００ＭＨｚ〜２０
０ＭＨｚのインピーダンスを低く、かつ、数百ＭＨｚか
らインピーダンスが急峻に立ち上がって、ノイズが存在
するＧＨｚ帯においてインピーダンスを最大にすること
ができる。また、インダクタを構成する磁性体の材料と
して前述の様な材料を用いたので、信号の位相ずれを小
さくすることができる。
１乃至図６を参照して説明する。図１は本発明のノイズ
フィルタの第１の実施例の回路図であり、１１は半導体
素子を示している。半導体素子１１の信号端と信号線路
間には、それぞれインダクタＬ１１、Ｌ１２、Ｌ１３、
・・・、Ｌ１ｎが挿入される。インダクタＬ１１、Ｌ１
２、Ｌ１３、・・・、Ｌ１ｎの信号線路側は、それぞれ
コンデンサを介してアースされる。すなわち、インダク
タＬ１１の信号線路側はコンデンサＣ１１を、インダク
タＬ１２の信号線路側はコンデンサＣ１２を、インダク
タＬ１３の信号線路側はコンデンサＣ１３を、インダク
タＬ１ｎの信号線路側がコンデンサＣ１ｎをそれぞれ介
してアースされる。インダクタＬ１１、Ｌ１２、Ｌ１
３、・・・、Ｌ１ｎは、それぞれ磁性体とこの磁性体に
形成された導体パターンによって形成される。この磁性
体は、例えば、以下の組成のフェライト磁性材料が用い
られる。２（Ｃｏ0.6Ｃｕ0.4）Ｏ・３（Ｂａ0.75Ｓｒ
0.15Ｐｂ0.1）Ｏ・9.8Ｆｅ2Ｏ3 このインダクタＬ１１、
Ｌ１２、Ｌ１３、・・・、Ｌ１ｎは、電子機器のプリン
ト基板上にそれぞれ実装され、プリント基板の配線パタ
ーンを介して所定のコンデンサと接続されてノイズフィ
ルタが形成される。この様に形成されたノイズフィルタ
は、伝送される信号の周波数帯域の１００ＭＨｚ〜２０
０ＭＨｚのインピーダンスを低く、かつ、数百ＭＨｚか
らインピーダンスが急峻に立ち上がって、ノイズが存在
するＧＨｚ帯においてインピーダンスを最大にすること
ができる。また、インダクタを構成する磁性体の材料と
して前述の様な材料を用いたので、信号の位相ずれを小
さくすることができる。
【００１２】図２は本発明のノイズフィルタの第２の実
施例の回路図であり、２１は半導体素子を示している。
このノイズフィルタの回路構成は前述の実施例のものと
同じであるが、半導体素子２１の信号端に接続されるイ
ンダクタＬ２１、Ｌ２２、Ｌ２３、・・・、Ｌ２ｎが一
体に形成される点が前述のものと異なっている。インダ
クタＬ２１、Ｌ２２、Ｌ２３、・・・、Ｌ２ｎは、磁性
体２２に複数の導体パターンを形成して磁性体２２に複
数のインダクタを形成することにより一体化される。こ
の磁性体２２は、例えば、以下の組成のフェライト磁性
材料が用いられる。２（Ｃｏ0.6Ｃｕ0.4）Ｏ・３（Ｂａ
0.75Ｓｒ0.15Ｐｂ0.1）Ｏ・9.8Ｆｅ2Ｏ3 この様に一体化
されたインダクタＬ２１、Ｌ２２、Ｌ２３、・・・、Ｌ
２ｎは、電子機器のプリント基板上に実装され、プリン
ト基板の配線パターンを介して所定のコンデンサと接続
されてノイズフィルタが形成される。
施例の回路図であり、２１は半導体素子を示している。
このノイズフィルタの回路構成は前述の実施例のものと
同じであるが、半導体素子２１の信号端に接続されるイ
ンダクタＬ２１、Ｌ２２、Ｌ２３、・・・、Ｌ２ｎが一
体に形成される点が前述のものと異なっている。インダ
クタＬ２１、Ｌ２２、Ｌ２３、・・・、Ｌ２ｎは、磁性
体２２に複数の導体パターンを形成して磁性体２２に複
数のインダクタを形成することにより一体化される。こ
の磁性体２２は、例えば、以下の組成のフェライト磁性
材料が用いられる。２（Ｃｏ0.6Ｃｕ0.4）Ｏ・３（Ｂａ
0.75Ｓｒ0.15Ｐｂ0.1）Ｏ・9.8Ｆｅ2Ｏ3 この様に一体化
されたインダクタＬ２１、Ｌ２２、Ｌ２３、・・・、Ｌ
２ｎは、電子機器のプリント基板上に実装され、プリン
ト基板の配線パターンを介して所定のコンデンサと接続
されてノイズフィルタが形成される。
【００１３】図３は本発明のノイズフィルタの第３の実
施例の回路図であり、３１は半導体素子を示している。
本実施例のノイズフィルタは、半導体素子の信号端ごと
にインダクタとコンデンサが一体化される。すなわち、
インダクタＬ３１とコンデンサＣ３１が、インダクタＬ
３２とコンデンサＣ３２が、インダクタＬ３３とコンデ
ンサＣ３３が、・・・、インダクタＬ３ｎとコンデンサ
Ｃ３ｎがそれぞれ一体化される。インダクタは、例え
ば、以下の組成のフェライト磁性材料が用いられた磁性
体に導体パターンを形成することにより形成される。２
（Ｃｏ0.6Ｃｕ0.4）Ｏ・３（Ｂａ0.75Ｓｒ0.15Ｐ
ｂ0.1）Ｏ・9.8Ｆｅ2Ｏ3 コンデンサは、絶縁体層と導体
層を交互に積層して形成される。このインダクタが形成
された磁性体とコンデンサが形成された絶縁体は積層さ
れて一体化される。そして、インダクタの信号線路側に
コンデンサが接続される。この様に一体化されたインダ
クタとコンデンサは、電子機器のプリント基板上にそれ
ぞれ実装され、プリント基板の配線パターンを介して半
導体素子の所定の信号端と信号線路間に接続される。
施例の回路図であり、３１は半導体素子を示している。
本実施例のノイズフィルタは、半導体素子の信号端ごと
にインダクタとコンデンサが一体化される。すなわち、
インダクタＬ３１とコンデンサＣ３１が、インダクタＬ
３２とコンデンサＣ３２が、インダクタＬ３３とコンデ
ンサＣ３３が、・・・、インダクタＬ３ｎとコンデンサ
Ｃ３ｎがそれぞれ一体化される。インダクタは、例え
ば、以下の組成のフェライト磁性材料が用いられた磁性
体に導体パターンを形成することにより形成される。２
（Ｃｏ0.6Ｃｕ0.4）Ｏ・３（Ｂａ0.75Ｓｒ0.15Ｐ
ｂ0.1）Ｏ・9.8Ｆｅ2Ｏ3 コンデンサは、絶縁体層と導体
層を交互に積層して形成される。このインダクタが形成
された磁性体とコンデンサが形成された絶縁体は積層さ
れて一体化される。そして、インダクタの信号線路側に
コンデンサが接続される。この様に一体化されたインダ
クタとコンデンサは、電子機器のプリント基板上にそれ
ぞれ実装され、プリント基板の配線パターンを介して半
導体素子の所定の信号端と信号線路間に接続される。
【００１４】図４は本発明のノイズフィルタの第４の実
施例の回路図であり、４１は半導体素子を示している。
本実施例のノイズフィルタは、半導体素子の信号端と信
号線路間に挿入されるインダクタＬ４１、Ｌ４２、Ｌ４
３、・・・、Ｌ４ｎ及び、それぞれのインダクタに接続
されるコンデンサＣ４１、Ｃ４２、Ｃ４３、・・・、Ｃ
４ｎが一体化される。インダクタＬ４１、Ｌ４２、Ｌ４
３、・・・、Ｌ４ｎは、磁性体に複数の導体パターンを
形成して磁性体に複数のインダクタを形成することによ
り一体化される。この磁性体は、例えば、以下の組成の
フェライト磁性材料が用いられる。２（Ｃｏ0.6Ｃ
ｕ0.4）Ｏ・３（Ｂａ0.75Ｓｒ0.15Ｐｂ0.1）Ｏ・9.8Ｆ
ｅ2Ｏ3 また、コンデンサＣ４１、Ｃ４２、Ｃ４３、・・
・、Ｃ４ｎは、絶縁体層と導体層を交互に積層して形成
される。このインダクタＬ４１、Ｌ４２、Ｌ４３、・・
・、Ｌ４ｎが形成された磁性体とコンデンサＣ４１、Ｃ
４２、Ｃ４３、・・・、Ｃ４ｎが形成された絶縁体は積
層されて一体化される。そして、インダクタＬ４１とコ
ンデンサＣ４１が、インダクタＬ４２とコンデンサＣ４
２が、インダクタＬ４３とコンデンサＣ４３が、・・
・、インダクタＬ４ｎとコンデンサＣ４ｎがそれぞれ接
続される。この様に形成されたノイズフィルタは、電子
機器のプリント基板上に実装され、プリント基板の配線
パターンを介して半導体素子の信号端と信号線路間に接
続される。
施例の回路図であり、４１は半導体素子を示している。
本実施例のノイズフィルタは、半導体素子の信号端と信
号線路間に挿入されるインダクタＬ４１、Ｌ４２、Ｌ４
３、・・・、Ｌ４ｎ及び、それぞれのインダクタに接続
されるコンデンサＣ４１、Ｃ４２、Ｃ４３、・・・、Ｃ
４ｎが一体化される。インダクタＬ４１、Ｌ４２、Ｌ４
３、・・・、Ｌ４ｎは、磁性体に複数の導体パターンを
形成して磁性体に複数のインダクタを形成することによ
り一体化される。この磁性体は、例えば、以下の組成の
フェライト磁性材料が用いられる。２（Ｃｏ0.6Ｃ
ｕ0.4）Ｏ・３（Ｂａ0.75Ｓｒ0.15Ｐｂ0.1）Ｏ・9.8Ｆ
ｅ2Ｏ3 また、コンデンサＣ４１、Ｃ４２、Ｃ４３、・・
・、Ｃ４ｎは、絶縁体層と導体層を交互に積層して形成
される。このインダクタＬ４１、Ｌ４２、Ｌ４３、・・
・、Ｌ４ｎが形成された磁性体とコンデンサＣ４１、Ｃ
４２、Ｃ４３、・・・、Ｃ４ｎが形成された絶縁体は積
層されて一体化される。そして、インダクタＬ４１とコ
ンデンサＣ４１が、インダクタＬ４２とコンデンサＣ４
２が、インダクタＬ４３とコンデンサＣ４３が、・・
・、インダクタＬ４ｎとコンデンサＣ４ｎがそれぞれ接
続される。この様に形成されたノイズフィルタは、電子
機器のプリント基板上に実装され、プリント基板の配線
パターンを介して半導体素子の信号端と信号線路間に接
続される。
【００１５】図５は本発明のノイズフィルタの第５の実
施例の回路図である。本実施例のノイズフィルタは、イ
ンダクタＬ５１、Ｌ５２、Ｌ５３、・・・、Ｌ５ｎと、
それぞれのインダクタに接続されるコンデンサＣ５１、
Ｃ５２、Ｃ５３、・・・、Ｃ５ｎ及び、インダクタＬ５
１、Ｌ５２、Ｌ５３、・・・、Ｌ５ｎが接続される半導
体素子５１が一体に形成される。半導体素子５１として
は、ディスクリート部品としてパッケージされる前のベ
アチップが用いられる。インダクタＬ５１、Ｌ５２、Ｌ
５３、・・・、Ｌ５ｎは、磁性体に複数の導体パターン
を形成して磁性体に複数のインダクタを形成することに
より一体化される。この磁性体は、例えば、以下の組成
のフェライト磁性材料が用いられる。２（Ｃｏ0.6Ｃｕ
0.4）Ｏ・３（Ｂａ0.75Ｓｒ0.15Ｐｂ0.1）Ｏ・9.8Ｆｅ2
Ｏ3 また、コンデンサＣ５１、Ｃ５２、Ｃ５３、・・
・、Ｃ５ｎは、絶縁体層と導体層を交互に積層して形成
される。このインダクタＬ５１、Ｌ５２、Ｌ５３、・・
・、Ｌ５ｎが一体に形成された磁性体６２と、コンデン
サＣ５１、Ｃ５２、Ｃ５３、・・・、Ｃ５ｎが一体に形
成された絶縁体６３は、図６に示す様に積層されて一体
化される。そして、インダクタＬ５１とコンデンサＣ５
１が、インダクタＬ５２とコンデンサＣ５２が、インダ
クタＬ５３とコンデンサＣ５３が、・・・、インダクタ
Ｌ５ｎとコンデンサＣ５ｎが接続される。絶縁体６３に
は、半導体ベアチップ６１を収納するための凹み部６４
が形成される。この凹み部６４に半導体ベアチップ６１
が収納、固定され、半導体ベアチップ６１の所定の信号
端と所定のインダクタが接続される。なお、半導体ベア
チップ６１を収納するための凹み部６４は、磁性体に形
成されてもよい。この様に形成されたノイズフィルタ
は、回路を構成する複数のインダクタと複数のコンデン
サが一体化された積層体に、このノイズフィルタが接続
される半導体素子を内蔵しているので、電子機器のプリ
ント基板の配線パターンを介して半導体素子に接続する
必要がない。従って、半導体素子とノイズフィルタを接
続する伝送線路の長さをノイズの１／４波長よりも十分
に短く出来るので、この伝送線路から混入するノイズを
低減することができる。
施例の回路図である。本実施例のノイズフィルタは、イ
ンダクタＬ５１、Ｌ５２、Ｌ５３、・・・、Ｌ５ｎと、
それぞれのインダクタに接続されるコンデンサＣ５１、
Ｃ５２、Ｃ５３、・・・、Ｃ５ｎ及び、インダクタＬ５
１、Ｌ５２、Ｌ５３、・・・、Ｌ５ｎが接続される半導
体素子５１が一体に形成される。半導体素子５１として
は、ディスクリート部品としてパッケージされる前のベ
アチップが用いられる。インダクタＬ５１、Ｌ５２、Ｌ
５３、・・・、Ｌ５ｎは、磁性体に複数の導体パターン
を形成して磁性体に複数のインダクタを形成することに
より一体化される。この磁性体は、例えば、以下の組成
のフェライト磁性材料が用いられる。２（Ｃｏ0.6Ｃｕ
0.4）Ｏ・３（Ｂａ0.75Ｓｒ0.15Ｐｂ0.1）Ｏ・9.8Ｆｅ2
Ｏ3 また、コンデンサＣ５１、Ｃ５２、Ｃ５３、・・
・、Ｃ５ｎは、絶縁体層と導体層を交互に積層して形成
される。このインダクタＬ５１、Ｌ５２、Ｌ５３、・・
・、Ｌ５ｎが一体に形成された磁性体６２と、コンデン
サＣ５１、Ｃ５２、Ｃ５３、・・・、Ｃ５ｎが一体に形
成された絶縁体６３は、図６に示す様に積層されて一体
化される。そして、インダクタＬ５１とコンデンサＣ５
１が、インダクタＬ５２とコンデンサＣ５２が、インダ
クタＬ５３とコンデンサＣ５３が、・・・、インダクタ
Ｌ５ｎとコンデンサＣ５ｎが接続される。絶縁体６３に
は、半導体ベアチップ６１を収納するための凹み部６４
が形成される。この凹み部６４に半導体ベアチップ６１
が収納、固定され、半導体ベアチップ６１の所定の信号
端と所定のインダクタが接続される。なお、半導体ベア
チップ６１を収納するための凹み部６４は、磁性体に形
成されてもよい。この様に形成されたノイズフィルタ
は、回路を構成する複数のインダクタと複数のコンデン
サが一体化された積層体に、このノイズフィルタが接続
される半導体素子を内蔵しているので、電子機器のプリ
ント基板の配線パターンを介して半導体素子に接続する
必要がない。従って、半導体素子とノイズフィルタを接
続する伝送線路の長さをノイズの１／４波長よりも十分
に短く出来るので、この伝送線路から混入するノイズを
低減することができる。
【００１６】
【発明の効果】以上述べた様に本発明のノイズフィルタ
は、半導体素子の信号端と信号線路間にそれぞれ挿入さ
れるインダクタ、インダクタとアース間に接続されるコ
ンデンサを備え、インダクタが、コバルト−バリウム−
ストロンチウム系フェライトのコバルトの一部が銅で置
換された磁性体と磁性体に形成された導体パターンとで
形成されるので、伝送される信号の周波数帯域の１００
ＭＨｚ〜２００ＭＨｚのインピーダンスを低く、かつ、
数百ＭＨｚからインピーダンスが急峻に立ち上がって、
ノイズが存在するＧＨｚ帯においてインピーダンスを最
大にすることができる。従って、本発明のノイズフィル
タは、信号を劣化させることなく、ノイズの除去能力を
改善できる。また、本発明のノイズフィルタは、半導体
素子の信号端と信号線路間に挿入される複数のインダク
タ、それぞれのインダクタとアース間に接続される複数
のコンデンサを備え、複数のインダクタが、コバルト−
バリウム−ストロンチウム系フェライトのコバルトの一
部が銅で置換された磁性体と磁性体に形成された導体パ
ターンとで一体に形成され、複数のコンデンサが絶縁体
層と導体層を交互に積層して形成され、インダクタとコ
ンデンサとを積層することにより複数のインダクタと複
数のコンデンサが一体に形成され、磁性体又は絶縁体の
いずれかに形成された凹み部に半導体ベアチップを収納
するので、半導体素子とノイズフィルタを接続する伝送
線路の長さをノイズの１／４波長よりも十分に短くし
て、この伝送線路から混入するノイズを低減できる。従
って、信号を劣化させることなく、ノイズの除去能力を
さらに改善できる。また、半導体ベアチップを内蔵する
ことができるので、半導体素子をディスクリート部品と
してパッケージするための部品の数を減らせると共に、
電子機器における占有面積を低減できる。
は、半導体素子の信号端と信号線路間にそれぞれ挿入さ
れるインダクタ、インダクタとアース間に接続されるコ
ンデンサを備え、インダクタが、コバルト−バリウム−
ストロンチウム系フェライトのコバルトの一部が銅で置
換された磁性体と磁性体に形成された導体パターンとで
形成されるので、伝送される信号の周波数帯域の１００
ＭＨｚ〜２００ＭＨｚのインピーダンスを低く、かつ、
数百ＭＨｚからインピーダンスが急峻に立ち上がって、
ノイズが存在するＧＨｚ帯においてインピーダンスを最
大にすることができる。従って、本発明のノイズフィル
タは、信号を劣化させることなく、ノイズの除去能力を
改善できる。また、本発明のノイズフィルタは、半導体
素子の信号端と信号線路間に挿入される複数のインダク
タ、それぞれのインダクタとアース間に接続される複数
のコンデンサを備え、複数のインダクタが、コバルト−
バリウム−ストロンチウム系フェライトのコバルトの一
部が銅で置換された磁性体と磁性体に形成された導体パ
ターンとで一体に形成され、複数のコンデンサが絶縁体
層と導体層を交互に積層して形成され、インダクタとコ
ンデンサとを積層することにより複数のインダクタと複
数のコンデンサが一体に形成され、磁性体又は絶縁体の
いずれかに形成された凹み部に半導体ベアチップを収納
するので、半導体素子とノイズフィルタを接続する伝送
線路の長さをノイズの１／４波長よりも十分に短くし
て、この伝送線路から混入するノイズを低減できる。従
って、信号を劣化させることなく、ノイズの除去能力を
さらに改善できる。また、半導体ベアチップを内蔵する
ことができるので、半導体素子をディスクリート部品と
してパッケージするための部品の数を減らせると共に、
電子機器における占有面積を低減できる。
【図１】 本発明のノイズフィルタの第１の実施例の回
路図である。
路図である。
【図２】 本発明のノイズフィルタの第２の実施例の回
路図である。
路図である。
【図３】 本発明のノイズフィルタの第３の実施例の回
路図である。
路図である。
【図４】 本発明のノイズフィルタの第４の実施例の回
路図である。
路図である。
【図５】 本発明のノイズフィルタの第５の実施例の回
路図である。
路図である。
【図６】 本発明のノイズフィルタの第５の実施例の部
分断面図である。
分断面図である。
【図７】 従来のノイズフィルタの回路図である。
１１ 半導体素子 Ｌ１１、Ｌ１２、Ｌ１３、Ｌ１ｎ インダクタ Ｃ１１、Ｃ１２、Ｃ１３、Ｃ１ｎ コンデンサ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０３Ｈ 7/075 Ｈ０１Ｌ 27/04 Ｃ Ｆターム(参考） 5E041 AB12 AB19 5E070 AA05 AB03 BB01 CC01 DA01 5F038 AC05 AC07 AC15 AC19 AZ04 BH03 BH19 DF01 5J024 AA01 BA04 DA29 EA01 EA08
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体素子の信号端と信号線路間にそれ
ぞれ挿入されるインダクタ、該インダクタとアース間に
接続されるコンデンサを備え、該インダクタが、コバル
ト−バリウム−ストロンチウム系フェライトのコバルト
の一部が銅で置換された磁性体と該磁性体に形成された
導体パターンとで形成されたことを特徴とするノイズフ
ィルタ。 - 【請求項２】 半導体素子の信号端と信号線路間にそれ
ぞれ挿入されるインダクタ、該インダクタとアース間に
接続されるコンデンサを備え、該インダクタが、コバル
ト−バリウム−ストロンチウム系フェライトのコバルト
の一部が銅で置換され、バリウム−ストロンチウムの一
部が鉛で置換された磁性体と該磁性体に形成された導体
パターンとで形成されたことを特徴とするノイズフィル
タ。 - 【請求項３】 前記コンデンサが絶縁体層と導体層を交
互に積層して形成され、前記インダクタと該コンデンサ
とを積層することによりインダクタとコンデンサが一体
に形成された請求項１又は２に記載のノイズフィルタ。 - 【請求項４】 前記半導体素子の信号端と信号線路間に
挿入される複数のインダクタが一体に形成された請求項
１又は２に記載のノイズフィルタ。 - 【請求項５】 前記半導体素子の信号端と信号線路間に
挿入される複数のインダクタ及び、それぞれのインダク
タとアース間に接続された複数のコンデンサが一体に形
成された請求項１又は２に記載のノイズフィルタ。 - 【請求項６】 半導体素子の信号端と信号線路間に挿入
される複数のインダクタ、それぞれのインダクタとアー
ス間に接続される複数のコンデンサを備え、該複数のイ
ンダクタが、コバルト−バリウム−ストロンチウム系フ
ェライトのコバルトの一部が銅で置換された磁性体と該
磁性体に形成された導体パターンとで一体に形成され、
該複数のコンデンサが絶縁体層と導体層を交互に積層し
て形成され、該インダクタと該コンデンサとを積層する
ことにより複数のインダクタと複数のコンデンサが一体
に形成され、該磁性体又は該絶縁体のいずれかに半導体
ベアチップを収納するための凹み部が形成されたことを
特徴とするノイズフィルタ。 - 【請求項７】 半導体素子の信号端と信号線路間に挿入
される複数のインダクタ、それぞれのインダクタとアー
ス間に接続される複数のコンデンサを備え、該複数のイ
ンダクタが、コバルト−バリウム−ストロンチウム系フ
ェライトのコバルトの一部が銅で置換され、バリウム−
ストロンチウムの一部が鉛で置換された磁性体と該磁性
体に形成された導体パターンとで一体に形成され、該複
数のコンデンサが絶縁体層と導体層を交互に積層して形
成され、該インダクタと該コンデンサとを積層すること
により複数のインダクタと複数のコンデンサが一体に形
成され、該磁性体又は該絶縁体のいずれかに半導体ベア
チップを収納するための凹み部が形成されたことを特徴
とするノイズフィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36934099A JP2001185423A (ja) | 1999-12-27 | 1999-12-27 | ノイズフィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36934099A JP2001185423A (ja) | 1999-12-27 | 1999-12-27 | ノイズフィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001185423A true JP2001185423A (ja) | 2001-07-06 |
Family
ID=18494182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36934099A Pending JP2001185423A (ja) | 1999-12-27 | 1999-12-27 | ノイズフィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001185423A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7061772B2 (en) | 2002-08-05 | 2006-06-13 | Nec Tokin Corporation | Electronic circuit with transmission line type noise filter |
| US7211740B1 (en) | 2006-04-28 | 2007-05-01 | Kemet Electronics Corporation | Valve metal electromagnetic interference filter |
-
1999
- 1999-12-27 JP JP36934099A patent/JP2001185423A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7061772B2 (en) | 2002-08-05 | 2006-06-13 | Nec Tokin Corporation | Electronic circuit with transmission line type noise filter |
| US7211740B1 (en) | 2006-04-28 | 2007-05-01 | Kemet Electronics Corporation | Valve metal electromagnetic interference filter |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060117 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060606 |