JP2001176957A - Suction plate and evacuator - Google Patents
Suction plate and evacuatorInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハやガラス等の平板を吸着保持し、加工時の固定や搬送
などに用いることができる吸着プレート及び真空吸引装
置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a suction plate and a vacuum suction device which can hold a flat plate such as a semiconductor wafer or glass by suction and can be used for fixing or transporting during processing.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より、例えば平板状の半導体ウエハ
（シリコンウエハ）を研磨加工したり、搬送するため
に、真空引きの技術を利用して、シリコンウエハ等を着
脱自在に吸着する真空吸引装置が使用されている。2. Description of the Related Art Conventionally, a vacuum suction device for detachably adsorbing a silicon wafer or the like using a vacuuming technique for polishing or transporting, for example, a flat semiconductor wafer (silicon wafer). Is used.
【０００３】この真空吸引装置は、その本体の先端の吸
引口側に、例えばセラミックス製の円盤状の吸着プレー
ト（いわゆるセラミックス真空チャック）が取り付けら
れたものであり、吸着プレートには、その板厚方向に貫
通する多数の小径の吸着孔が設けられている。In this vacuum suction device, for example, a disc-shaped suction plate made of ceramics (a so-called ceramics vacuum chuck) is attached to a suction port side at a tip end of a main body. A large number of small-diameter suction holes penetrating in the direction are provided.
【０００４】前記真空吸引装置では、真空ポンプ等によ
って真空吸引装置内の空気を吸引して気圧を低下させる
ことにより、吸着プレートの外側面である吸着面に、シ
リコンウエハ等を吸着することができる。ところが、上
述したシリコンウエハ等を真空吸着した場合、シリコン
ウエハと吸着プレートの間に、コンタミネーション（摩
耗による汚れ）やパーティクル（微少なゴミ）が挟ま
り、その盛り上がりによって加工後の面精度が悪くなる
ことがある。In the vacuum suction device, a silicon wafer or the like can be suctioned to a suction surface, which is an outer surface of a suction plate, by sucking air in the vacuum suction device with a vacuum pump or the like to reduce the air pressure. . However, when the above-described silicon wafer or the like is vacuum-sucked, contamination (dirt due to abrasion) and particles (fine dust) are caught between the silicon wafer and the suction plate, and the surface accuracy after processing deteriorates due to the swelling. Sometimes.
【０００５】この対策として、シリコンウエハと吸着プ
レートの接触面積を極力減らすような形状の吸着面を持
った吸着プレートが提案されている。例えば吸着プレー
トにピンを千鳥格子に配列する技術（特開平４−３２３
８４９号公報参照）や、多孔質材に多数の突起を設けた
技術（特開平１０−１２８６３３号公報参照）が記載さ
れている。[0005] As a countermeasure, a suction plate having a suction surface shaped to minimize the contact area between the silicon wafer and the suction plate has been proposed. For example, a technique of arranging pins on a suction plate in a staggered lattice (Japanese Unexamined Patent Publication No.
No. 849) and a technique of providing a large number of protrusions on a porous material (see JP-A-10-128633).
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来技術では、以下の問題があり、必ずしも十分では
ない。つまり、前記従来技術では、多数のピンや突起
（以下突起部と記す）を吸着プレートの表面に形成する
ことで、コンタミネーションやパーティクルの挟まりを
かなり防止できるが、その突起部のために、シリコンウ
エハを真空吸着する場合に別の問題が生じることがあっ
た。However, the above-mentioned prior art has the following problems and is not always sufficient. That is, in the above-described conventional technology, a large number of pins and protrusions (hereinafter, referred to as protrusions) can be formed on the surface of the suction plate to significantly prevent contamination and particles from being caught. Another problem may occur when a wafer is vacuum-sucked.
【０００７】具体的には、シリコンウエハを吸着プレー
トの吸着面に接触させた時に、突起部の角によりシリコ
ンウエハを傷つけることがあった。また、ごくまれにで
はあるが、突起部の方がその角部にて損傷することがあ
り、それがパーティクルの原因ともなるという問題もあ
った。More specifically, when the silicon wafer is brought into contact with the suction surface of the suction plate, the silicon wafer may be damaged by the corners of the projections. Further, although very rarely, there is a problem that the projection may be damaged at its corner, which may cause particles.
【０００８】本発明は前記課題を解決するためになされ
たものであり、その目的は、吸着プレートにてシリコン
ウエハ等の被加工物を吸着した場合でも、被加工物を傷
つけることのない吸着プレート及び真空吸引装置を提供
することである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a suction plate which does not damage a work even when a work such as a silicon wafer is sucked by the suction plate. And a vacuum suction device.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】（１）前記目的を達成す
るための請求項１の発明は、真空吸引装置本体の吸引口
側に装着され、被加工物を吸引して保持する（即ち吸着
する）セラミックス製の吸着プレートにおいて、前記吸
着プレートは、前記被加工物を吸引して保持する吸着面
側に、該吸着面の周囲を囲むようにシールするシール部
を備えるとともに、該シール部の内側の吸着面上に、複
数の突起部を備え、更に、前記突起部の直径が０．１５
〜０．５ｍｍであり、且つ該突起部の頂上部の角部に、
０．０１〜０．０５ｍｍの面取り部を備えたことを特徴
とする吸着プレートを要旨とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided a vacuum suction device which is mounted on a suction port side of a vacuum suction device main body to suction and hold a workpiece (ie, suction). A) a suction plate made of ceramics, wherein the suction plate includes a seal portion on a suction surface side for sucking and holding the workpiece to seal around a periphery of the suction surface; A plurality of protrusions are provided on the inner suction surface, and the diameter of the protrusions is 0.15.
~ 0.5 mm, and at the corner of the top of the protrusion,
The gist of the present invention is a suction plate having a chamfer of 0.01 to 0.05 mm.
【００１０】本発明では、吸着プレートの吸着面の周囲
を囲むようシール部が設けられている。シール部は、例
えば凸状の土手（リム部）が円形に設けられたもの等で
あり、このシール部により、吸着面のシール部より内側
（突起部が設けられた側）と外側との間をシールして分
離する。これにより、外界からの空気の流入が防止され
るので、被加工物を確実に吸着することができる。In the present invention, the seal portion is provided so as to surround the periphery of the suction surface of the suction plate. The seal portion is, for example, one in which a convex bank (rim portion) is provided in a circular shape. This seal portion allows a portion between the inside (the side where the protrusion is provided) and the outside of the seal portion of the suction surface to be formed. Seal and separate. This prevents the inflow of air from the outside world, so that the workpiece can be reliably adsorbed.
【００１１】また、突起部は、被加工物と吸着面との間
隔をあけて被加工物と吸着プレートの接触面積を減らす
ことができ、これにより、コンタミネーションやパーテ
ィクルの挟まりに起因する面精度の低下を防止すること
ができる。特に、本発明では、突起部の直径が０．１５
〜０．５ｍｍであり、その突起部の頂上部の角部に、
０．０１〜０．０５ｍｍの面取り部を備えているので、
角部がとがっていない。In addition, the protrusions can reduce the contact area between the workpiece and the suction plate by increasing the distance between the workpiece and the suction surface, thereby reducing the surface accuracy caused by contamination and the pinching of particles. Can be prevented from decreasing. In particular, in the present invention, the diameter of the projection is 0.15.
~ 0.5mm, at the top corner of the protrusion,
Since it has a chamfer of 0.01 to 0.05 mm,
The corners are not sharp.
【００１２】そのため、例えばシリコンウエハのような
被加工物を吸着した場合でも、被加工物を角部にて傷つ
けることがない。また、突起部の角部は破損しにくいの
で、破片がパーティクルとなることがなく、上述した面
精度の悪化を防止できる。尚、ここで、突起部の直径と
は、例えば図１（ａ）に例示する様に、面取りが行われ
ていない状態を仮定した場合の頂上部の直径である。Therefore, even when a workpiece such as a silicon wafer is sucked, the workpiece is not damaged at the corners. Further, since the corners of the projections are not easily damaged, the fragments do not become particles, and the above-described deterioration of the surface accuracy can be prevented. Here, the diameter of the protrusion is the diameter of the top assuming that no chamfering is performed, as exemplified in FIG. 1A, for example.
【００１３】また、面取り部の長さは、面取りが行われ
た部分の辺の最大の長さを示し、例えばＣ面取りの場合
には、図１（ｂ）に例示する様に、直交する各辺ａ、ｂ
の長さの大きい方であり（通常は４５°面取りであるの
でａ＝ｂ）、また、例えばＲ面取りの場合は、図１
（ｃ）に例示する様に、Ｒ面取りの半径Ｒとした場合
も、直交する各辺ａ、ｂの長さの大きい方である。The length of the chamfered portion indicates the maximum length of the side of the chamfered portion. For example, in the case of the C chamfering, each of the orthogonal portions is exemplified as shown in FIG. Sides a, b
Is larger (usually 45 ° chamfering, so a = b). For example, in the case of R chamfering, FIG.
As illustrated in (c), when the radius R of the chamfer is R, the length of each of the orthogonal sides a and b is larger.
【００１４】（２）請求項２の発明は、前記突起部の頂
上部の角部に、０．０２〜０．０４ｍｍの面取り部を備
えたことを特徴とする前記請求項１に記載の吸着プレー
トを要旨とする。本発明は、面取り部のより好ましい範
囲を示したものであり、この範囲であれば、角部による
被加工物の傷を一層に防止でき、角部自身の破損も一層
防止できる。(2) The suction device according to claim 1, wherein a chamfered portion of 0.02 to 0.04 mm is provided at a corner at the top of the projection. Make the plate an abstract. The present invention shows a more preferable range of the chamfered portion. In this range, it is possible to further prevent the workpiece from being damaged by the corner and to further prevent the corner itself from being damaged.
【００１５】（３）請求項３の発明は、前記面取り部
は、Ｃ面取り又はＲ面取りであることを特徴とする前記
請求項１又は２に記載の吸着プレートを要旨とする。本
発明は、面取り部を例示したものであり、いわゆるＣ面
取り及びＲ面取りを採用できる （４）請求項４の発明は、前記シール部の高さに対し
て、前記吸着面中心近傍に位置する突起部の頂上部の高
さが、０．１〜２μｍ低くなっていることを特徴とする
前記請求項１〜３のいずれかに記載の吸着プレートを要
旨とする。(3) The invention of claim 3 is the gist of the suction plate according to claim 1 or 2, wherein the chamfered portion is C chamfered or R chamfered. The present invention exemplifies a chamfered portion, and can employ so-called C-chamfering and R-chamfering. (4) The invention according to claim 4 is located near the suction surface center with respect to the height of the seal portion. The gist of the suction plate according to any one of claims 1 to 3, wherein the height of the top of the protrusion is 0.1 to 2 µm lower.
【００１６】真空吸引装置に吸着プレートを装着して、
例えばシリコンウエハ等を研磨する場合には、通常４０
〜５０℃前後の温度状態となり、その熱により吸着プレ
ート自身は僅かに外側に凸に膨張する。この対策とし
て、本発明では、吸着面中心近傍に位置する突起部の頂
上部の高さが、周囲のシール部の高さに対して僅かに低
くしている。つまり、吸着プレートの（突起部が形成す
る）表面は、その中央部がへこんだ凹状となっている。Attach the suction plate to the vacuum suction device,
For example, when polishing a silicon wafer or the like, usually 40
The suction plate itself expands slightly outwardly due to the heat. As a countermeasure, in the present invention, the height of the top of the protrusion located near the center of the suction surface is slightly lower than the height of the surrounding seal. That is, the surface of the suction plate (formed by the protrusions) is concave at the center.
【００１７】そのため、加工時に吸着プレートの中央が
外側に凸になっても、突起部の高さは中央近傍が低くな
っているので、結果として、吸着プレートの表面は平ら
になる。よって、この極めて平面の吸着プレートによっ
て、被加工物の平面度が向上し、シリコンウエハ等の歩
留まりが高くなる。For this reason, even if the center of the suction plate becomes convex outward during processing, the height of the projection is low near the center, and as a result, the surface of the suction plate becomes flat. Accordingly, the flatness of the workpiece is improved by the extremely flat suction plate, and the yield of silicon wafers and the like is increased.
【００１８】（５）請求項５の発明は、真空吸引装置本
体の吸引口側に装着され、被加工物を吸引して保持する
吸着プレートにおいて、前記吸着プレートは、前記被加
工物を吸引して保持する吸着面側に、該吸着面の周囲を
囲ってシールするシール部を備えるとともに、該シール
部の内側の吸着面上に、複数の突起部を備え、更に、前
記シール部の高さに対して、前記吸着面中心近傍に位置
する突起部の頂上部の高さが、０．１〜２μｍ低くなっ
ていることを特徴とする吸着プレートを要旨とする。(5) The invention according to claim 5 is a suction plate mounted on the suction port side of the vacuum suction device main body for sucking and holding the work, wherein the suction plate sucks the work. A sealing portion for sealing around the periphery of the suction surface, and a plurality of protrusions on the suction surface inside the sealing portion; and a height of the sealing portion. In contrast, the gist of the present invention is that the height of the top of the protrusion located near the center of the suction surface is reduced by 0.1 to 2 μm.
【００１９】本発明では、前記請求項４と同様に、吸着
面中心近傍に位置する突起部の頂上部の高さが、周囲の
シール部の高さに対して僅かに低くなっている。そのた
め、研磨等の加工時には、丁度吸着プレートの表面が平
らになるので、被加工物の平面度が向上し、シリコンウ
エハ等の歩留まりが高くなる。In the present invention, the height of the top of the projection located near the center of the suction surface is slightly lower than the height of the surrounding seal, as in the fourth aspect. Therefore, at the time of processing such as polishing, the surface of the suction plate becomes just flat, so that the flatness of the workpiece is improved and the yield of silicon wafers and the like is increased.
【００２０】（６）請求項６の発明は、前記請求項１〜
５のいずれかに記載の吸着プレートを、前記真空吸引装
置本体の吸引口側に装着したことを特徴とする真空吸引
装置を要旨とする。本発明は、上述した吸着プレートを
真空吸引装置本体に装着した真空吸引装置を示してい
る。従って、この吸着プレートを装着した真空吸引装置
を用いて、被加工物の加工精度を高めることができる。(6) The invention of claim 6 is the invention of claim 1
A vacuum suction device is characterized in that the suction plate according to any one of 5 is attached to a suction port side of the vacuum suction device main body. The present invention shows a vacuum suction device in which the above-mentioned suction plate is mounted on a vacuum suction device main body. Therefore, the processing accuracy of the workpiece can be improved by using the vacuum suction device equipped with the suction plate.
【００２１】尚、吸着プレートは、真空吸引装置本体に
直接に又は各種の中間部材を介して装着することができ
る。また、前記吸着プレートの材質としては、アルミ
ナ、炭化珪素、及び窒化珪素のいずれかを主成分とする
セラミックスを採用できる。The suction plate can be mounted directly on the main body of the vacuum suction device or via various intermediate members. Further, as a material of the suction plate, a ceramic mainly containing any of alumina, silicon carbide, and silicon nitride can be adopted.
【００２２】更に、前記シール部にて囲まれる吸着面の
外径としては２００〜４００ｍｍφのものを採用でき
る。この範囲であれば、上述した吸着面中心近傍のへこ
みとのバランスがよく、被加工物の研磨等の際に、より
平面になり易く好適である。Further, the outer diameter of the suction surface surrounded by the seal portion may be 200 to 400 mmφ. Within this range, the above-mentioned dent near the center of the suction surface is well-balanced, and it is preferable that the workpiece is easily planarized when the workpiece is polished or the like.
【００２３】[0023]
【発明の実施の形態】以下、本発明の吸着プレート及び
真空吸引装置の実施の形態の例（実施例）を、図面を参
照して説明する。 （実施例）ここでは、シリコンウエハを吸引して保持し
て（即ち吸着して）研磨するために用いられる吸着プレ
ート及び研磨ヘッドを例に挙げる。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an embodiment (embodiment) of a suction plate and a vacuum suction device according to the present invention will be described with reference to the drawings. (Embodiment) Here, a suction plate and a polishing head used for sucking and holding (ie, sucking) and polishing a silicon wafer will be described as an example.
【００２４】ａ）まず、本実施例の吸着プレートを備え
たポリッシングマシンの全体構成について説明する。図
１に示す様に、ポリッシングマシン１は、半導体ウエハ
であるシリコンウエハ３に対して、化学的機械的研磨
（ＣＭＰ）を行うＣＭＰ装置であり、主として、回転可
能に配置されたプラテン５と、その上面側に配置された
真空吸引装置である研磨ヘッド７とから構成されてい
る。A) First, the overall configuration of a polishing machine having a suction plate according to the present embodiment will be described. As shown in FIG. 1, the polishing machine 1 is a CMP apparatus that performs chemical mechanical polishing (CMP) on a silicon wafer 3 that is a semiconductor wafer, and mainly includes a platen 5 that is rotatably arranged, And a polishing head 7 which is a vacuum suction device disposed on the upper surface side.
【００２５】前記プラテン５は円盤状であり、その上部
には上面の全体を覆うように研磨パッド９が設けられて
いる。この研磨パッド９の上面には、研磨時にＣＭＰ用
のスラリー１１が供給される。また、研磨ヘッド７は、
主として、筒状の金属製（例えばＪＩＳ ＳＵＳ３０
４）の研磨ヘッド本体（真空吸引装置本体）１３と、円
盤状のセラミックス製（例えば主成分がアルミナ）の吸
着プレート（いわゆる真空チャック）１７とから構成さ
れている。The platen 5 has a disk shape, and a polishing pad 9 is provided on an upper portion thereof so as to cover the entire upper surface. A slurry 11 for CMP is supplied to the upper surface of the polishing pad 9 during polishing. In addition, the polishing head 7
It is mainly made of cylindrical metal (for example, JIS SUS30
4) A polishing head main body (vacuum suction device main body) 13) and a disc-shaped suction plate (so-called vacuum chuck) 17 made of ceramics (for example, the main component is alumina).
【００２６】前記研磨ヘッド本体１３は、その内部の減
圧空間１９が、真空ポンプ（図示せず）に接続されて、
真空引きされる構成となっている。この研磨ヘッド本体
１３の下端には、その外周から外側に向かって鍔状に突
出する取付部２１が設けられ、この取付部２１にて吸着
プレート１７がネジ（図示せず）により固定されてい
る。つまり、前記吸着プレート１７は、研磨ヘッド本体
１３の下方の吸引口１５を覆うように装着されている。The polishing head body 13 has a reduced pressure space 19 inside thereof connected to a vacuum pump (not shown).
It is configured to be evacuated. At the lower end of the polishing head body 13, a mounting portion 21 is provided which protrudes outward from the outer periphery in a flange shape, and the suction plate 17 is fixed by a screw (not shown) at the mounting portion 21. . That is, the suction plate 17 is mounted so as to cover the suction port 15 below the polishing head body 13.
【００２７】ｂ）次に、前記吸着プレート１７について
説明する。 図３に示す様に、本実施例では、吸着プレート１７の
上下の表面のうち、図の上方の表面がシリコンウエハ３
を吸着保持する吸着面Ｋ（基板表面）であり、吸着面Ｋ
と反対側の図の下方の表面が非吸着面Ｈ（基板裏面）で
ある。尚、図３では、シリコンウエハ３を吸着した状態
を示しており（但し半分のみを図示）、前記図２では、
この吸着面Ｋ側が下方になる。B) Next, the suction plate 17 will be described. As shown in FIG. 3, in the present embodiment, the upper surface of the suction plate 17 in FIG.
Suction surface K (substrate surface) for sucking and holding
The lower surface of the figure on the opposite side is the non-sucking surface H (substrate back surface). FIG. 3 shows a state in which the silicon wafer 3 is sucked (however, only half is shown).
The suction surface K side is downward.
【００２８】以下詳細に説明する。図４に平面を示す様
に、吸着プレート１７は、直径φ２００ｍｍ×厚み２０
ｍｍの円盤状の基板１７ａを有し、その基板１７ａの吸
着面Ｋ側に多数の突起部２１が格子状に配置され、その
突起部２１の周囲を囲む様に環状に突出した土手である
シール部２３が形成されている。尚、ここでは、基板表
面のうち、シール部２３で囲まれた表面を吸着面Ｋとす
るが、この吸着面Ｋの直径は、φ１９８ｍｍである。The details will be described below. As shown in FIG. 4, the suction plate 17 has a diameter of 200 mm and a thickness of 20 mm.
The seal is a bank that has a disk-shaped substrate 17a of mm, and a number of protrusions 21 are arranged in a lattice shape on the suction surface K side of the substrate 17a, and protrudes annularly so as to surround the periphery of the protrusion 21. A part 23 is formed. Here, the surface of the substrate surface surrounded by the seal portion 23 is defined as the suction surface K, and the diameter of the suction surface K is φ198 mm.
【００２９】図５に拡大して示す様に、前記突起部２１
は、高さ０．１〜０．５ｍｍ、頂上部の直径０．１５〜
０．５ｍｍの円錐台の形状をしており、１ｍｍの間隔
（ピッチ）で多数が配置されている。特に、突起部２１
の頂上部２５の角部２７は、Ｒ半径が０．０１〜０．０
５ｍｍのＲ面取りが施されて、滑らかな面取り部２９と
なっている。尚、この突起部２１は、吸着時にその先端
が被加工物であるシリコンウエハ３と接して、シリコン
ウエハ３の平面度を保持するためのものである。As shown in an enlarged view in FIG.
Has a height of 0.1 to 0.5 mm and a diameter of the top of 0.15 to
It is shaped like a truncated cone of 0.5 mm, and many are arranged at intervals (pitch) of 1 mm. In particular, the protrusion 21
The corner 27 of the top 25 has an R radius of 0.01 to 0.0
5 mm round chamfering is performed to form a smooth chamfered portion 29. In addition, the tip of the projection 21 is in contact with the silicon wafer 3 which is a workpiece during suction, and is for maintaining the flatness of the silicon wafer 3.
【００３０】図４のＡ−Ａ断面の一部を図６に示す様
に、前記シール部２３は、近傍の突起部２１の高さと同
じ様に、高さ０．１〜０．５ｍｍとされ、その厚みは、
０．２〜０．５ｍｍである。このシール部２３は、図３
及び図４に示す様に、全ての突起部２１を囲むようにリ
ング状に配置されており、シリコンウエハ３を吸着する
場合には、突起部２１が形成された吸着面Ｋの内側と外
側とをほぼ気密状態で分離する（シールする）ことがで
きる。As shown in FIG. 6 showing a part of the cross section taken along the line AA in FIG. 4, the seal portion 23 has a height of 0.1 to 0.5 mm in the same manner as the height of the protrusion 21 in the vicinity. , Its thickness is
0.2 to 0.5 mm. This seal portion 23 is shown in FIG.
As shown in FIG. 4 and arranged in a ring shape so as to surround all the protrusions 21, when the silicon wafer 3 is sucked, the inside and outside of the suction surface K on which the protrusions 21 are formed are located. Can be separated (sealed) in a substantially airtight state.
【００３１】また、多数の突起部２１のうち、吸着面Ｋ
の中央近傍の突起部２１の高さは、シール部２３の高さ
より０．１〜２μｍ程度低くなっている。これにより、
吸着プレート１７の装着前の段階、即ち研磨等の加工を
行う前の状態では、吸着プレート１７の吸着面Ｋ側の
（突起部２１の頂上部２５が形成する）表面は、中央が
へこんだ凹状となっている。Further, among the many projections 21, the suction surface K
The height of the protruding portion 21 near the center is lower than the height of the seal portion 23 by about 0.1 to 2 μm. This allows
At the stage before the mounting of the suction plate 17, that is, before polishing or other processing, the surface of the suction plate 17 on the suction surface K side (formed by the top portion 25 of the protrusion 21) has a concave shape with a concave center. It has become.
【００３２】更に、前記吸着プレート１７には、図４に
示す様に、中央とその周囲の８カ所の合計９カ所に、そ
の厚み方向に貫通する小径の吸着孔３１が形成されてい
る。この吸着孔３１は、同一の内径の円柱形状でもよい
が、吸着面Ｋ側の内径（例えばφ０．５ｍｍ）よりも、
吸着面Ｋと反対側の非吸着面Ｈ側の内径（例えばφ３ｍ
ｍ）の方を大きくしてもよい。Further, as shown in FIG. 4, the suction plate 17 is provided with suction holes 31 having a small diameter penetrating in the thickness direction at a total of nine places including a center and eight places around the center. The suction hole 31 may have a cylindrical shape with the same inner diameter, but may have a larger diameter than the inner diameter (for example, φ0.5 mm) on the suction surface K side.
The inside diameter of the non-suction surface H side opposite to the suction surface K (for example, φ3m
m) may be made larger.
【００３３】尚、吸着プレート１７の非吸着面Ｈ側に
は、吸着プレート１７を研磨ヘッド本体１３に取り付け
るために、その外周の近傍に、複数（例えば６箇所）の
ねじ穴を備えた固定部（図示せず）が設けられている。 前記吸着プレート１７は、下記の製造方法により製造
することができる。On the non-suction surface H side of the suction plate 17, a fixing portion provided with a plurality of (for example, six) screw holes near its outer periphery for mounting the suction plate 17 on the polishing head body 13. (Not shown) is provided. The suction plate 17 can be manufactured by the following manufacturing method.
【００３４】アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）のセラミック粉末
に、焼結助剤、成形助剤等を添加し、粉砕混合した後、
噴霧乾燥を行い、成形粉末を作製する。この成形粉末
を、ラバープレス法、金型プレス法等により、本実施例
の吸着プレートの形状に成形する。更に、必要に応じ
て、成形後に生加工を行う。A sintering aid, a molding aid, and the like are added to alumina (Al 2 O 3 ) ceramic powder, and the mixture is pulverized and mixed.
Spray drying is performed to produce a molding powder. This molding powder is formed into the shape of the suction plate of this embodiment by a rubber press method, a die press method, or the like. Further, if necessary, raw processing is performed after molding.
【００３５】次に、この成形体を焼成し、セラミックス
焼結体を得る。このセラミックス焼結体に対し、ダイヤ
砥粒による研磨を行い、所要の精度に仕上げる。特に、
本実施例では、吸着面Ｋ側に、突起部２１及びシール部
２３の形成位置を覆うマスキングを行ってから、サンド
ブラストにより、突起部２１及びシール部２３の形成部
分以外を所定の深さ（つまり前記高さ）となるまで除去
し、突起部２１及びシール部２３を形成する。Next, the formed body is fired to obtain a ceramic sintered body. This ceramic sintered body is polished with diamond abrasive grains to finish it to a required accuracy. In particular,
In the present embodiment, masking is performed on the suction surface K side to cover the positions where the protrusions 21 and the seal portions 23 are formed, and then, by sandblasting, the portions other than the portions where the protrusions 21 and the seal portions 23 are formed have a predetermined depth (ie, (The height) to form the protrusion 21 and the seal 23.
【００３６】ｃ）次に、上述したポリッシングマシン１
の使用方法について説明する。図２に示す様に、真空ポ
ンプを作動させて、研磨ヘッド７内の減圧空間１９の気
圧を下げる。これにより、吸着プレート１７の吸着孔３
１の内外に気圧差を発生させて、吸着プレート１７の吸
着面Ｋにシリコンウエハ３を吸着させる。C) Next, the above-described polishing machine 1
How to use will be described. As shown in FIG. 2, the vacuum pump is operated to lower the pressure in the reduced pressure space 19 in the polishing head 7. Thereby, the suction holes 3 of the suction plate 17
A pressure difference is generated between the inside and outside of the device 1, and the silicon wafer 3 is sucked on the suction surface K of the suction plate 17.
【００３７】そして、プラテン５の研磨パッド９と吸着
プレート１７との間にシリコンウエハ３を配置した状態
で、研磨パッド９の表面にＣＭＰ用のスラリー１１を供
給し、プラテン５及び研磨ヘッド７を図示の方向に回転
させて、シリコンウエハ３の下面側の研磨を行う。Then, with the silicon wafer 3 placed between the polishing pad 9 of the platen 5 and the suction plate 17, a slurry 11 for CMP is supplied to the surface of the polishing pad 9 to remove the platen 5 and the polishing head 7. The lower surface of the silicon wafer 3 is polished by rotating in the direction shown.
【００３８】ｄ）この様に、本実施例では、突起部２１
の直径が０．１５〜０．５ｍｍであり、その突起部２１
の頂上部２５の角部２７に、０．０１〜０．０５ｍｍの
面取り部２９を設けたので、シリコンウエハ３を吸着し
た場合でも、シリコンウエハ３を角部２７にて傷つける
ことがない。また、突起部２１の角部２７は面取り部２
９により破損しにくくなっているので、その破片がパー
ティクルとなることがなく、よって、シリコンウエハ３
の面精度の悪化を防止できる。D) As described above, in this embodiment, the protrusion 21
Has a diameter of 0.15 to 0.5 mm, and the protrusion 21
Since the chamfered portion 29 having a thickness of 0.01 to 0.05 mm is provided at the corner 27 of the top 25 of the silicon wafer 3, the silicon wafer 3 is not damaged by the corner 27 even when the silicon wafer 3 is sucked. The corner 27 of the projection 21 is the chamfer 2
9 makes it difficult to break, so that the fragments do not become particles.
Surface accuracy can be prevented from deteriorating.
【００３９】また、本実施例では、吸着面Ｋの中心近傍
に位置する突起部２１の頂上部２５の高さが、０．１〜
２μｍ低くなっているので、シリコンウエハ３の定常的
な研磨加工時には、丁度吸着プレート１７の表面が平ら
になる。そのため、シリコンウエハ３の平面度が向上す
るので、シリコンウエハ３の歩留まりが高くなる。Further, in this embodiment, the height of the top 25 of the protrusion 21 located near the center of the suction surface K is 0.1 to 0.1.
Since the height is reduced by 2 μm, the surface of the suction plate 17 becomes flat during the regular polishing of the silicon wafer 3. Therefore, the flatness of the silicon wafer 3 is improved, and the yield of the silicon wafer 3 is increased.
【００４０】尚、本発明は前記実施例になんら限定され
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲におい
て種々の態様で実施しうることはいうまでもない。 （１）例えば前記実施例では、面取り部としてＲ面取り
を例に挙げたが、Ｃ面取りを採用してもよい。It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment at all, and it is needless to say that the present invention can be implemented in various modes without departing from the gist of the present invention. (1) For example, in the above-described embodiment, an R chamfer is given as an example of the chamfer, but a C chamfer may be adopted.
【００４１】（２）また、前記実施例では、真空吸引装
置として研磨ヘッドを例に挙げたが、本発明は、単に半
導体ウエハやガラス等を吸着して搬送する搬送装置に適
用することもできる。(2) In the above-described embodiment, the polishing head is described as an example of the vacuum suction device. However, the present invention can be applied to a transfer device that simply sucks and transfers a semiconductor wafer, glass, or the like. .
【００４２】[0042]
【発明の効果】以上詳述した様に、請求項１の発明で
は、吸着プレートの吸着面に形成された突起部の頂上部
の角部に所定の面取り部が設けられているので、吸着プ
レートにてシリコンウエハ等の被加工物を吸着した場合
でも、被加工物を傷つけることがない。また、突起部の
頂上部の角部が破損しにくく、よってその破片に起因す
る被加工物の面精度の悪化を防止できる。As described above in detail, according to the first aspect of the present invention, since the predetermined chamfered portion is provided at the corner at the top of the protrusion formed on the suction surface of the suction plate, the suction plate is provided. Even when a workpiece such as a silicon wafer is adsorbed by the method, the workpiece is not damaged. Further, the corner at the top of the projection is less likely to be damaged, so that it is possible to prevent the surface accuracy of the workpiece from deteriorating due to the fragments.
【００４３】また、請求項５の発明では、吸着面中心近
傍に位置する突起部の頂上部の高さが、周囲のシール部
の高さに対して僅かに低くなっているので、研磨等の加
工時には丁度吸着プレートの表面が平らになり、よっ
て、被加工物の平面度が向上する。According to the fifth aspect of the present invention, the height of the top of the projection located near the center of the suction surface is slightly lower than the height of the surrounding seal, so that the height of the polishing or the like is reduced. During processing, the surface of the suction plate is just flattened, and thus the flatness of the workpiece is improved.
【図１】 本発明の用語の内容を示す説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram showing the contents of terms of the present invention.
【図２】 実施例の吸着プレートが用いられるポリッシ
ングマシンの構成を示す説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram showing a configuration of a polishing machine using the suction plate of the embodiment.
【図３】 実施例の吸着プレート及びシリコンウエハを
示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing a suction plate and a silicon wafer according to the embodiment.
【図４】 実施例の吸着プレートを示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing the suction plate of the embodiment.
【図５】 実施例の吸着プレートの突起部を拡大して示
す断面図である。FIG. 5 is an enlarged sectional view showing a protrusion of the suction plate of the embodiment.
【図６】 図４のＡ−Ａ断面の一部を拡大して示す説明
図である。FIG. 6 is an explanatory diagram showing a part of an AA cross section in FIG. 4 in an enlarged manner.
１…ポリッシングマシン（ＣＰＭ装置） ３…シリコンウエハ（半導体ウエハ） ７…研磨ヘッド １７…吸着プレート ２１…突起部 ２３…シール部 Ｋ…吸着面 Ｈ…非吸着面 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Polishing machine (CPM apparatus) 3 ... Silicon wafer (semiconductor wafer) 7 ... Polishing head 17 ... Suction plate 21 ... Projection part 23 ... Seal part K ... Suction surface H ... Non-suction surface
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Claims (6)
れ、被加工物を吸引して保持するセラミックス製の吸着
プレートにおいて、 前記吸着プレートは、前記被加工物を吸引して保持する
吸着面側に、該吸着面の周囲を囲むようにシールするシ
ール部を備えるとともに、該シール部の内側の吸着面上
に、複数の突起部を備え、 更に、前記突起部の直径が０．１５〜０．５ｍｍであ
り、且つ該突起部の頂上部の角部に、０．０１〜０．０
５ｍｍの面取り部を備えたことを特徴とする吸着プレー
ト。1. A ceramic suction plate mounted on a suction port side of a vacuum suction device main body for sucking and holding a workpiece, wherein the suction plate sucks and holds the workpiece. And a plurality of protrusions on the suction surface inside the seal portion, wherein the diameter of the protrusions is 0.15 to 0.15. 0.5 mm, and at the top corner of the protrusion, 0.01 to 0.0
A suction plate having a chamfer of 5 mm.
〜０．０４ｍｍの面取り部を備えたことを特徴とする前
記請求項１に記載の吸着プレート。2. The method according to claim 1, further comprising:
The suction plate according to claim 1, further comprising a chamfer of about 0.04 mm.
であることを特徴とする前記請求項１又は２に記載の吸
着プレート。3. The suction plate according to claim 1, wherein the chamfered portion is a C-chamfer or a R-chamfer.
面中心近傍に位置する突起部の頂上部の高さが、０．１
〜２μｍ低くなっていることを特徴とする前記請求項１
〜３のいずれかに記載の吸着プレート。4. The height of the top of the protrusion located in the vicinity of the center of the suction surface is 0.1 to the height of the seal.
2. The method according to claim 1, wherein the height is reduced by .about.2 .mu.m.
4. The adsorption plate according to any one of items 1 to 3,
れ、被加工物を吸引して保持する吸着プレートにおい
て、 前記吸着プレートは、前記被加工物を吸引して保持する
吸着面側に、該吸着面の周囲を囲むようにシールするシ
ール部を備えるとともに、該シール部の内側の吸着面上
に、複数の突起部を備え、 更に、前記シール部に対して、前記吸着面中心近傍に位
置する突起部の頂上部の高さが、０．１〜２μｍ低くな
っていることを特徴とする吸着プレート。5. A suction plate mounted on a suction port side of a vacuum suction device main body for sucking and holding a workpiece, wherein the suction plate is provided on a suction surface side for sucking and holding the workpiece. A seal portion is provided to seal around the periphery of the suction surface, and a plurality of protrusions are provided on the suction surface inside the seal portion. An adsorbing plate, wherein the height of the apex of the located projection is reduced by 0.1 to 2 [mu] m.
着プレートを、前記真空吸引装置本体の吸引口側に装着
したことを特徴とする真空吸引装置。6. A vacuum suction device, wherein the suction plate according to claim 1 is mounted on a suction port side of the vacuum suction device main body.
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