JP2001176938A

JP2001176938A - ウエハプローバ

Info

Publication number: JP2001176938A
Application number: JP36061499A
Authority: JP
Inventors: Atsushi Ito; 淳伊藤; Yasuji Hiramatsu; 靖二平松; Yasutaka Ito; 康隆伊藤
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 1999-12-20
Filing date: 1999-12-20
Publication date: 2001-06-29

Abstract

(57)【要約】【課題】チャックトップ導体層をノイズから保護する
ことができ、このノイズに起因する集積回路等の誤動作
を防止することができ、集積回路等が正常に動作するか
否かを正確に判定することができるウエハプローバを提
供する。【解決手段】セラミック基板の一主面にチャックトッ
プ導体層が形成されるとともに、その内部にガード電極
が形成されてなるウエハプローバであって、前記セラミ
ック基板の側面に金属層が形成されていることを特徴と
するウエハプローバ。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

〔発明の詳細な説明〕

【０００２】

【従来の技術】半導体は種々の産業において必要とされ
る極めて重要な製品であり、半導体チップは、例えば、
シリコン単結晶を所定の厚さにスライスしてシリコンウ
エハを作製した後、このシリコンウエハに種々の回路等
を形成することにより製造される。この半導体チップの
製造工程においては、シリコンウエハをカットしてそれ
ぞれの半導体チップに分割する前の段階で、その電気的
特性が設計通りに動作するか否かを測定してチェックす
るプロービング工程が必要であり、そのために所謂プロ
ーバが用いられる。

【０００３】このようなプローバとして、例えば、特許
第２５８７２８９号公報、特公平３−４０９４７号公
報、特開平１１−３１７２４号公報等には、アルミニウ
ム合金やステンレス鋼などの金属製チャックトップを有
するウエハプローバが開示されている。

【０００４】このようなウエハプローバでは、例えば、
図１２に示すように、ウエハプローバ１０１上にシリコ
ンウエハＷを載置し、このシリコンウエハＷにテスタピ
ンを持つプローブカード６０１を押しつけ、加熱、冷却
しながら電圧を印加して導通テストを行う。

【０００５】なお、図１２において、Ｖ₃ は、プローブ
カード６０１に印加する電源３３、Ｖ ₂ は、抵抗発熱体
４１に印加する電源３２、Ｖ₁ は、チャックトップ導体
層２とガード電極５に印加する電源３１であり、この電
源３１は、グランド電極６にも接続され、接地されてい
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
金属製のチャックトップを有するウエハプローバには、
次のような問題があった。まず、金属製であるため、チ
ャックトップの厚みは１５ｍｍ程度と厚くしなければな
らない。このようにチャックトップを厚くするのは、薄
い金属板では、プローブカードのテスタピンによりチャ
ックトップが押され、チャックトップの金属板に反りや
歪みが発生してしまい、金属板上に載置されるシリコン
ウエハが破損したり傾いたりしてしてしまうからであ
る。このため、チャックトップを厚くする必要がある
が、その結果、チャックトップの重量が大きくなり、ま
たかさばってしまうという問題があった。

【０００７】また、熱伝導率が高い金属を使用している
にもかかわらず、昇温、降温特性が悪く、電圧や電流量
の変化に対してチャックトップ板の温度が迅速に追従し
ないため温度制御をしにくく、高温でシリコンウエハを
載置すると温度制御不能になってしまうという問題もあ
った。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために鋭意研究した結果、金属製のチャック
トップに代えて、剛性の高いセラミックを基板として用
い、その表面に導体層を設けてこれをチャックトップ導
体層し、さらに、このセラミック基板の高誘電率に起因
するストレイキャパシタをキャンセルするためにガード
電極を設けることを想起した。

【０００９】しかしながら、ガード電極を設けたのみで
は、抵抗発熱体等から発生するノイズがガード電極に大
きな影響を与えるのを防止することは難しく、そのた
め、シリコンウエハの導通テストを行った際に、このノ
イズに起因して集積回路等に誤動作が発生することがあ
るため、導通テストにより正確な判定を行うことができ
ない場合があった。

【００１０】そこで、本発明者らはさらに検討を重ねた
結果、側面に金属層を設けることにより、ノイズに起因
する集積回路の誤動作をなくすことができ、導通テスト
により集積回路等が正常に動作しているか否かについ
て、正確な判定を行うことできることを見いだし本発明
を完成させたものである。

【００１１】本発明は、セラミック基板の一主面にチャ
ックトップ導体層が形成されるとともに、その内部にガ
ード電極が形成されてなるウエハプローバであって、上
記セラミック基板の側面に金属層が形成されていること
を特徴とするウエハプローバである。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明のウエハプローバは、セラ
ミック基板の一主面にチャックトップ導体層が形成され
るとともに、その内部にガード電極が形成されてなるウ
エハプローバであって、上記セラミック基板の側面に金
属層が形成されていることを特徴とする。

【００１３】本発明では、上記セラミック基板の側面に
金属層が形成され、上記金属層は上記ガード電極と接続
されているので、抵抗発熱体などから発生するノイズ
が、セラミック基板側面から外側にまわり出してチャッ
クトップ導体層に達するのを防止することができ、この
ノイズに起因する集積回路の誤動作を防止することがで
き、導通テストにより集積回路が正常に動作するか否か
を正確に判定することが可能となる。

【００１４】図１は、本発明のウエハプローバの一実施
形態を模式的に示した断面図であり、図２は、その平面
図であり、図３は、その底面図であり、図４は、図１に
示したウエハプローバにおけるＡ−Ａ線断面図である。

【００１５】このウエハプローバ１０１では、平面視円
形状のセラミック基板３の表面に同心円形状の溝７が形
成されるとともに、溝７の一部にシリコンウエハを吸引
するための複数の吸引孔８が設けられており、溝７を含
むセラミック基板３の大部分にシリコンウエハの電極と
接続するためのチャックトップ導体層２が円形状に形成
されている。

【００１６】一方、セラミック基板３の底面には、シリ
コンウエハの温度をコントロールするために、図３に示
したような平面視同心円形状の発熱体４１が設けられて
おり、発熱体４１の両端には、外部端子ピン１９０が接
続、固定され、セラミック基板３の内部には、ストレイ
キャパシタやノイズを除去するためにガード電極５とグ
ランド電極６とが設けられている。

【００１７】また、セラミック基板３の側面には金属層
２ａが設けられており、この金属層２ａは、ガード電極
５に接続されている。そのため、抵抗発熱体４１は、ガ
ード電極５と側面の金属層（導体層）２ａで囲まれてい
ることになり、抵抗発熱体４１等から発生するノイズに
起因する集積回路等の誤動作を確実に防止することがで
きる。

【００１８】本発明のウエハプローバは、例えば、図１
〜４に示したような構成を有するものである。以下にお
いて、上記ウエハプローバを構成する各部材、および、
本発明のウエハプローバの他の実施形態について、順
次、詳細に説明していくことにする。

【００１９】本発明のウエハプローバで使用されるセラ
ミック基板は、窒化物セラミック、炭化物セラミックお
よび酸化物セラミックに属するセラミックから選ばれる
少なくとも１種であることが望ましい。

【００２０】上記窒化物セラミックとしては、金属窒化
物セラミック、例えば、窒化アルミニウム、窒化ケイ
素、窒化ホウ素、窒化チタン等が挙げられる。また、上
記炭化物セラミックとしては、金属炭化物セラミック、
例えば、炭化ケイ素、炭化ジルコニウム、炭化チタン、
炭化タンタル、炭化タンステン等が挙げられる。

【００２１】上記酸化物セラミックとしては、金属酸化
物セラミック、例えば、アルミナ、ジルコニア、コージ
ェライト、ムライト等が挙げられる。これらのセラミッ
クは単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

【００２２】これらのセラミックの中では、窒化物セラ
ミック、炭化物セラミックの方が酸化物セラミックに比
べて望ましい。熱伝導率が高いからである。また、窒化
物セラミックの中では窒化アルミニウムが最も好適であ
る。熱伝導率が１８０Ｗ／ｍ・Ｋと最も高いからであ
る。

【００２３】上記セラミック中には、カーボンを１００
〜２０００ｐｐｍ含むことが望ましい。セラミック内の
電極パターンを隠蔽し、かつ、高輻射熱が得られるから
である。カーボンは、Ｘ線回折で検出可能な結晶質また
は検出不能な非晶質の一方または両方であってもよい。

【００２４】本発明におけるチャックトップのセラミッ
ク基板の厚さは、チャックトップ導体層より厚いことが
必要であり、具体的には１〜１０ｍｍが望ましい。ま
た、本発明においては、シリコンウエハの裏面を電極と
して使用するため、セラミック基板の一主面にチャック
トップ導体層が形成されており、側面には、ガード電極
と接続された金属層（以下、側面導体層ともいう）が形
成されている。

【００２５】上記チャックトップ導体層および側面導体
層の厚さは、１〜２０μｍが望ましい。１μｍ未満では
抵抗値が高くなりすぎて電極として働かず、一方、２０
μｍを超えると導体の持つ応力によって剥離しやすくな
ってしまうからである。

【００２６】チャックトップ導体層および側面導体層と
しては、例えば、銅、チタン、クロム、ニッケル、貴金
属（金、銀、白金等）、タングステン、モリブデンなど
の高融点金属から選ばれる少なくとも１種の金属を使用
することができる。

【００２７】チャップトップ導体層や側面導体層は、金
属や導電性セラミックからなる多孔質体であってもよ
い。チャップトップ導体層を多孔質体で形成すると、後
述するような吸引吸着のための溝を形成する必要がな
く、溝の存在を理由としたウエハの破損を防止すること
ができるだけでなく、表面全体で均一な吸引吸着を実現
できるからである。

【００２８】このような多孔質体としては、金属焼結体
を使用することができる。また、多孔質体を使用した場
合は、その厚さは、１〜２００μｍで使用することがで
きる。多孔質体とセラミック基板との接合は、半田やろ
う材を用いる。

【００２９】チャックトップ導体層および側面導体層と
しては、ニッケルを含むものであることが望ましい。硬
度が高く、チャックトップ導体層の場合、テスタピンの
押圧に対しても変形等しにくいからである。チャックト
ップ導体層および側面導体層の具体的な構成としては、
例えば、初めにニッケルスパッタリング層を形成し、そ
の上に無電解ニッケルめっき層を設けたものや、チタ
ン、モリブデン、ニッケルをこの順序でスパッタリング
し、さらにその上にニッケルを無電解めっきもしくは電
解めっきで析出させたもの等が挙げられる。

【００３０】また、チタン、モリブデン、ニッケルをこ
の順序でスパッタリングし、さらにその上に銅およびニ
ッケルを無電解めっきで析出させたものであってもよ
い。銅層を形成することでチャックトップ電極の抵抗値
を低減させることができるからである。

【００３１】さらに、チタン、銅をこの順でスパッタリ
ングし、さらにその上にニッケルを無電解めっきもしく
は無電解めっきで析出させたものであってもよい。ま
た、クロム、銅をこの順でスパッタリングし、さらにそ
の上にニッケルを無電解めっきもしくは無電解めっきで
析出させたものとすることも可能である。

【００３２】上記チタン、クロムは、セラミックとの密
着性を向上させることができ、また、モリブデンはニッ
ケルとの密着性を改善することができる。チタン、クロ
ムの厚みは０．１〜０．５μｍ、モリブデンの厚みは
０．５〜７．０μｍ、ニッケルの厚みは０．４〜２．５
μｍが望ましい。

【００３３】上記チャックトップ導体層および側面導体
層の表面には、貴金属層（金、銀、白金、パラジウム）
が形成されていることが望ましい。貴金属層は、卑金属
のマイグレーションによる汚染を防止することができる
からである。貴金属層の厚さは、０．０１〜１５μｍが
望ましい。

【００３４】本発明においては、セラミック基板に温度
制御手段を設けておくことが望ましい。加熱または冷却
しながらシリコンウエハの導通試験を行うことができる
からである。

【００３５】上記温度制御手段としては図１に示した発
熱体４１のほかに、ペルチェ素子であってもよい。発熱
体を設ける場合は、ウエハプローバを嵌め込むための装
置に、冷却手段としてエアー等の冷媒の吹きつけ口など
を設けてもよい。発熱体は、複数層設けてもよい。この
場合は、各層のパターンは相互に補完するように形成さ
れて、加熱面からみるとどこかの層にパターンが形成さ
れた状態が望ましい。例えば、互いに千鳥の配置になっ
ている構造である。

【００３６】発熱体としては、例えば、金属または導電
性セラミックの焼結体、金属箔、金属線等が挙げられ
る。金属焼結体としては、タングステン、モリブデンか
ら選ばれる少なくとも１種が好ましい。これらの金属は
比較的酸化しにくく、発熱するに充分な抵抗値を有する
からである。

【００３７】また、導電性セラミックとしては、タング
ステン、モリブデンの炭化物から選ばれる少なくとも１
種を使用することができる。さらに、セラミック基板の
外側に発熱体を形成する場合には、金属焼結体として
は、貴金属（金、銀、パラジウム、白金）、ニッケルを
使用することが望ましい。具体的には銀、銀−パラジウ
ムなどを使用することができる。上記金属焼結体に使用
される金属粒子は、球状、リン片状、もしくは球状とリ
ン片状の混合物を使用することができる。

【００３８】金属焼結体中には、金属酸化物を添加して
もよい。上記金属酸化物を使用するのは、窒化物セラミ
ックまたは炭化物セラミックと金属粒子を密着させるた
めである。上記金属酸化物により、窒化物セラミックま
たは炭化物セラミックと金属粒子との密着性が改善され
る理由は明確ではないが、金属粒子表面および窒化物セ
ラミックまたは炭化物セラミックの表面はわずかに酸化
膜が形成されており、この酸化膜同士が金属酸化物を介
して焼結して一体化し、金属粒子と窒化物セラミックま
たは炭化物セラミックが密着するのではないかと考えら
れる。

【００３９】上記金属酸化物としては、例えば、酸化
鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ素（Ｂ ₂ Ｏ₃ ）、アル
ミナ、イットリア、チタニアから選ばれる少なくとも１
種が好ましい。これらの酸化物は、発熱体の抵抗値を大
きくすることなく、金属粒子と窒化物セラミックまたは
炭化物セラミックとの密着性を改善できるからである。

【００４０】上記金属酸化物は、金属粒子に対して０．
１重量％以上１０重量％未満であることが望ましい。抵
抗値が大きくなりすぎず、金属粒子と窒化物セラミック
または炭化物セラミックとの密着性を改善することがで
きるからである。

【００４１】また、酸化鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホ
ウ素（Ｂ₂ Ｏ₃ ）、アルミナ、イットリア、チタニアの
割合は、金属酸化物の全量を１００重量部とした場合
に、酸化鉛が１〜１０重量部、シリカが１〜３０重量
部、酸化ホウ素が５〜５０重量部、酸化亜鉛が２０〜７
０重量部、アルミナが１〜１０重量部、イットリアが１
〜５０重量部、チタニアが１〜５０主部が好ましい。但
し、これらの合計が１００重量部を超えない範囲で調整
されることが望ましい。これらの範囲が特に窒化物セラ
ミックとの密着性を改善できる範囲だからである。

【００４２】発熱体をセラミック基板の表面に設ける場
合は、発熱体の表面は、金属層４１０で被覆されている
ことが望ましい（図１１（ｅ）参照）。発熱体は、金属
粒子の焼結体であり、露出していると酸化しやすく、こ
の酸化により抵抗値が変化してしまう。そこで、表面を
金属層で被覆することにより、酸化を防止することがで
きるのである。

【００４３】金属層の厚さは、０．１〜１０μｍが望ま
しい。発熱体の抵抗値を変化させることなく、発熱体の
酸化を防止することができる範囲だからである。被覆に
使用される金属は、非酸化性の金属であればよい。具体
的には、金、銀、パラジウム、白金、ニッケルから選ば
れる少なくとも１種以上が好ましい。なかでもニッケル
がさらに好ましい。発熱体には電源と接続するための端
子が必要であり、この端子は、半田を介して発熱体に取
り付けるが、ニッケルは半田の熱拡散を防止するからで
ある。接続端子しては、コバール製の端子ピンを使用す
ることができる。なお、発熱体をヒータ板内部に形成す
る場合は、発熱体表面が酸化されることがないため、被
覆は不要である。発熱体をヒータ板内部に形成する場
合、発熱体の表面の一部が露出していてもよい。

【００４４】発熱体として使用する金属箔としては、ニ
ッケル箔、ステンレス箔をエッチング等でパターン形成
して発熱体としたものが望ましい。パターン化した金属
箔は、樹脂フィルム等ではり合わせてもよい。金属線と
しては、例えば、タングステン線、モリブデン線等が挙
げられる。

【００４５】温度制御手段としてペルチェ素子を使用す
る場合は、電流の流れる方向を変えることにより発熱、
冷却両方行うことができるため有利である。ペルチェ素
子は、図７に示すように、ｐ型、ｎ型の熱電素子４４０
を直列に接続し、これをセラミック板４４１などに接合
させることにより形成される。ペルチェ素子としては、
例えば、シリコン・ゲルマニウム系、ビスマス・アンチ
モン系、鉛・テルル系材料等が挙げられる。

【００４６】本発明では、温度制御手段とチャックトッ
プ導体層との間に、ガード電極５とグランド電極６とが
設けられている。ガード電極５は、測定回路内に介在す
るストレイキャパシタをキャンセルするための電極であ
り、測定回路（即ち、図１のチャックトップ導体層２）
の接地電位が与えられている。また、ガード電極５およ
びガード電極５に接続された側面導体層２ａは、温度制
御手段等からのノイズをキャンセルするために設けられ
ている。これらの電極の厚さは、１〜２０μｍが望まし
い。薄すぎると、抵抗値が高くなり、厚すぎるとセラミ
ック基板が反ったり、熱衝撃性が低下するからである。

【００４７】これらのガード電極５、グランド電極６
は、図４に示したような格子状に設けられていることが
望ましい。即ち、円形状の導体層５１の内部に矩形状の
導体層非形成部５２が多数整列して存在する形状であ
る。このような形状としたのは、導体層上下のセラミッ
ク同士の密着性を改善するためである。ガード電極５お
よびグランド電極６の材料としては、例えば、上記発熱
体に用いる金属や導電性セラミックが挙げられる。

【００４８】本発明のウエハプローバのチャックトップ
導体層形成面には、図２に示したように溝７と空気の吸
引孔８が形成されていることが望ましい。吸引孔８は、
複数設けられて均一な吸着が図られる。シリコンウエハ
Ｗを載置して吸引孔８から空気を吸引し、シリコンウエ
ハＷを吸着させるためである。

【００４９】本発明におけるウエハプローバとしては、
例えば、図１に示すように、セラミック基板３の底面に
発熱体４１が設けられ、発熱体４１とチャックトップ導
体層２との間にガード電極５の層とグランド電極６の層
とがそれぞれ設けられた構成のウエハプローバ１０１、
図５に示すように、セラミック基板３の内部に扁平形状
の発熱体４２が設けられ、発熱体４２とチャックトップ
導体層２との間にガード電極５とグランド電極６とが設
けられた構成のウエハプローバ２０１、図６に示すよう
に、セラミック基板３の内部に発熱体である金属線４３
が埋設され、金属線４３とチャックトップ導体層２との
間にガード電極５とグランド電極６とが設けられた構成
のウエハプローバ３０１、図７に示すように、熱電素子
４４０とセラミック基板４４１からなるペルチェ素子４
４がセラミック基板３の外側に形成され、ペルチェ素子
４４とチャックトップ導体層２との間にガード電極５と
グランド電極６とが設けられた構成のウエハプローバ４
０１等が挙げられる。いずれのウエハプローバも、ガー
ド電極５に接続された側面導体層２ａと溝７と吸引孔８
とを有しており、１７は、ガード電極５と側面導体層２
ａとを接続する接続部１７である。

【００５０】本発明では、図１〜７に示したようにセラ
ミック基板３の内部に発熱体４２、４３が形成され（図
５〜６）、セラミック基板３の内部にガード電極５、グ
ランド電極６（図１〜７）が形成されているため、これ
らと外部端子とを接続するための接続部（スルーホー
ル）１６、１７、１８が必要となる。スルーホール１
６、１８は、タングステンペースト、モリブデンペース
トなどの高融点金属、タングステンカーバイド、モリブ
デンカーバイドなどの導電性セラミックを充填すること
により形成される。接続部１７は、ガード電極５を形成
する際、一部またはその全体が外部に露出するように形
成すればよい。

【００５１】また、接続部（スルーホール）１６、１８
の直径は、０．１〜１０ｍｍが望ましい。断線を防止し
つつ、クラックや歪みを防止できるからである。このス
ルーホールを接続パッドとして外部端子ピンを接続する
（図１１（ｇ）参照）。

【００５２】接続は、半田、ろう材により行う。ろう材
としては銀ろう、パラジウムろう、アルミニウムろう、
金ろうを使用する。金ろうとしては、Ａｕ−Ｎｉ合金が
望ましい。Ａｕ−Ｎｉ合金は、タングステンとの密着性
に優れるからである。

【００５３】Ａｕ／Ｎｉの比率は、〔８１．５〜８２．
５（重量％）〕／〔１８．５〜１７．５（重量％）〕が
望ましい。Ａｕ−Ｎｉ層の厚さは、０．１〜５０μｍが
望ましい。接続を確保するに充分な範囲だからである。
また、１０^-6〜１０^-5Ｐａの高真空で５００〜１０００
℃の高温で使用するとＡｕ−Ｃｕ合金では劣化するが、
Ａｕ−Ｎｉ合金ではこのような劣化がなく有利である。
また、Ａｕ−Ｎｉ合金中の不純物元素量は全量を１００
重量部とした場合に１重量部未満であることが望まし
い。

【００５４】本発明では、必要に応じてセラミック基板
に熱電対を埋め込んでおくことができる。熱電対により
発熱体の温度を測定し、そのデータをもとに電圧、電流
量を変えて、温度を制御することができるからである。
熱電対の金属線の接合部位の大きさは、各金属線の素線
径と同一か、もしくは、それよりも大きく、かつ、０．
５ｍｍ以下がよい。このような構成によって、接合部分
の熱容量が小さくなり、温度が正確に、また、迅速に電
流値に変換されるのである。このため、温度制御性が向
上してウエハの加熱面の温度分布が小さくなるのであ
る。上記熱電対としては、例えば、ＪＩＳ−Ｃ−１６０
２（１９８０）に挙げられるように、Ｋ型、Ｒ型、Ｂ
型、Ｓ型、Ｅ型、Ｊ型、Ｔ型熱電対が挙げられる。

【００５５】図８は、以上のような構成の本発明のウエ
ハプローバを設置するための支持容器１１を模式的に示
した断面図である。この支持容器１１には、冷媒吹き出
し口１２が形成されており、冷媒注入口１４から冷媒が
吹き込まれる。また、吸引口１３から空気を吸引して吸
引孔８を介してウエハプローバ上に載置されたシリコン
ウエハ（図示せず）を溝７に吸い付けるのである。ま
た、本発明のウエハプローバは、側面に側面導体層２ａ
が設けられおり、この側面導体層２ａは、ガード電極５
と接続され、接地されることになる。一方、支持容器１
１を、アルミニウム合金、ステンレスなどの金属により
形成する場合は、図８に示したように、側面導体層２ａ
を支持容器１１と接触させ、この支持容器１１を接地す
ることにより、特別な配線を設ける必要がなくなる。支
持容器１１は、セラミックで形成されていてもよい。

【００５６】図９（ａ）は、支持容器の他の一例を模式
的に示した水平断面図であり、（ｂ）は、（ａ）図にお
けるＢ−Ｂ線断面図である。図９に示したように、この
支持容器では、ウエハプローバがプローブカードのテス
タピンの押圧によって反らないように、多数の支持柱１
５が設けられている。

【００５７】次に、本発明のウエハプローバの製造方法
の一例を図１０〜１１に示した断面図に基づき説明す
る。（１）まず、酸化物セラミック、窒化物セラミック、炭
化物セラミックなどのセラミックの粉体をバインダおよ
び溶剤と混合してグリーンシート３０を得る。前述した
セラミック粉体としては、例えば、窒化アルミニウム、
炭化ケイ素などを使用することができ、必要に応じて、
イットリアなどの焼結助剤などを加えてもよい。

【００５８】また、バインダとしては、アクリル系バイ
ンダ、エチルセルロース、ブチルセロソルブ、ポリビニ
ルアルコールから選ばれる少なくとも１種が望ましい。
さらに、溶媒としては、α−テルピネオール、グリコー
ルから選ばれる少なくとも１種が望ましい。これらを混
合して得られるペーストをドクターブレード法でシート
状に成形してグリーンシート３０を作製する。

【００５９】グリーンシート３０に、必要に応じてシリ
コンウエハの支持ピンを挿入する貫通孔や熱電対を埋め
込む凹部を設けておくことができる。貫通孔や凹部は、
パンチングなどで形成することができる。グリーンシー
ト３０の厚さは、０．１〜５ｍｍ程度が好ましい。

【００６０】次に、グリーンシート３０にガード電極、
グランド電極となる導体ペーストを印刷する。印刷は、
グリーンシート３０の収縮率を考慮して所望のアスペク
ト比が得られるように行い、これによりガード電極印刷
体５０、グランド電極印刷体６０を得る。なお、ガード
電極印刷体５０には、側面に形成する側面導体層２ａと
接続するための接続部用印刷体１７０を形成しておく。
側面導体層２ａと確実に接続するために、接続部用印刷
体１７０を複数箇所設けてもよい。印刷体は、導電性セ
ラミック、金属粒子などを含む導電性ペーストを印刷す
ることにより形成する。

【００６１】これらの導電性ペースト中に含まれる導電
性セラミック粒子としては、タングステンまたはモリブ
デンの炭化物が最適である。酸化しにくく、熱伝導率が
低下しにくいからである。また、金属粒子としては、例
えば、タングステン、モリブデン、白金、ニッケルなど
を使用することができる。

【００６２】導電性セラミック粒子、金属粒子の平均粒
子径は０．１〜５μｍが好ましい。これらの粒子は、大
きすぎても小さすぎても導体用ペーストを印刷しにくい
からである。このようなペーストとしては、金属粒子ま
たは導電性セラミック粒子８５〜９７重量部、アクリル
系、エチルセルロース、ブチルセロソルブおよびポリビ
ニルアルコールから選ばれる少なくとも１種のバインダ
１．５〜１０重量部、α−テルピネオール、グリコー
ル、エチルアルコールおよびブタノールから選ばれる少
なくとも１種の溶媒を１．５〜１０重量部混合して調製
した導体用ぺーストが最適である。さらに、パンチング
等で形成した孔に、導体用ペーストを充填してスルーホ
ール印刷体１６０を得る。

【００６３】次に、図１０（ａ）に示すように、印刷体
５０、６０、１６０、１７０を有するグリーンシート３
０と、印刷体を有さないグリーンシート３０′とを積層
する。発熱体形成側に印刷体を有さないグリーンシート
３０を積層するのは、スルーホールの端面が露出して、
発熱体形成の焼成の際に酸化してしまうことを防止する
ためである。もしスルーホールの端面が露出したまま、
発熱体形成の焼成を行うのであれば、ニッケルなどの酸
化しにくい金属をスパッタリングする必要があり、さら
に好ましくは、Ａｕ−Ｎｉの金ろうで被覆してもよい。

【００６４】（２）次に、図１０（ｂ）に示すように、
積層体の加熱および加圧を行い、グリーンシートおよび
導電ペーストを焼結させる。加熱温度は、１０００〜２
０００℃、加圧は１００〜２００ｋｇ／ｃｍ² が好まし
く、これらの加熱および加圧は、不活性ガス雰囲気下で
行う。不活性ガスとしては、アルゴン、窒素などを使用
することができる。この工程でスルーホール１６、接続
部１７、ガード電極５、グランド電極６等が形成され
る。

【００６５】（３）次に、図１０（ｃ）に示すように、
焼結体の表面に溝７を設け、次に、図１０（ｄ）に示す
ように、焼結体の底面に導電ペーストを印刷してこれを
焼成し、発熱体４１を作製する。形成された発熱体４１
は、セラミック基板の表面にしっかりと密着する。

【００６６】（４）次に、ウエハ載置面（溝形成面）お
よび側面にチタン、モリブデン、ニッケル等をスパッタ
リングした後、無電解ニッケルめっき等を施し、チャッ
クトップ導体層２と側面導体層２ａとが連続的に形成さ
れた金属層を設ける。このとき同時に、発熱体４１の表
面にも無電解ニッケルめっき等により保護層４１０を形
成する。続いて、チャックトップ導体層２と側面導体層
２ａとは、その境界部分を研削により除去し、図１１
（ｅ）に示すように、チャックトップ導体層２と側面導
体層２ａとに分ける。

【００６７】（６）次に、図１１（ｆ）に示すように、
溝７から裏面にかけて貫通する吸引孔８、外部端子接続
のための袋孔１８０を設ける。袋孔１８０の内壁は、そ
の少なくとも一部が導電化され、その導電化された内壁
は、ガード電極５、グランド電極６などと接続されてい
ることが望ましい。

【００６８】（７）最後に、図１１（ｇ）に示すよう
に、発熱体４１表面の取りつけ部位に半田ペーストを印
刷した後、外部端子ピン１９０を載せて、加熱してリフ
ローする。加熱温度は、２００〜５００℃が好適であ
る。

【００６９】また、袋孔１８０にも金ろうを介して外部
端子１９を設ける。さらに、必要に応じて、有底孔を設
け、その内部に熱電対を埋め込むことができる。半田は
銀−鉛、鉛−スズ、ビスマス−スズなどの合金を使用す
ることができる。なお、半田層の厚さは、０．１〜５０
μｍが望ましい。半田による接続を確保するに充分な範
囲だからである。

【００７０】なお、上記説明ではウエハプローバ１０１
（図１参照）を例にしたが、ウエハプローバ２０１（図
５参照）を製造する場合は、発熱体をグリーンシートに
印刷すればよい。また、ウエハプローバ３０１（図６参
照）を製造する場合は、セラミック粉末中にガード電
極、グランド電極として金属箔または金属線を発熱体に
して埋め込み、焼結すればよい。さらに、ウエハプロー
バ４０１（図７参照）を製造する場合は、ペルチェ素子
を溶射金属層を介して接合すればよい。

【００７１】

【実施例】以下、本発明をさらに詳細に説明する。（実施例１）ウエハプローバ１０１（図１参照）の製造（１）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径
１．１μｍ）１００重量部、イットリア（平均粒径０．
４μｍ）４重量部、アクリルバインダ１１．５重量部、
分散剤０．５重量部および１−ブタノールとエタノール
とからなるアルコール５３重量部を混合した組成物を用
い、ドクターブレード法により成形を行って厚さ０．４
７ｍｍのグリーンシートを得た。

【００７２】（２）このグリーンシートを８０℃で５時
間乾燥させた後、パンチングにて発熱体と外部端子ピン
と接続するためのスルーホール用の貫通孔を設けた。（３）平均粒子径１μｍのタングステンカーバイド粒子
１００重量部、アクリル系バインダ３．０重量部、α−
テルピネオール溶媒３．５重量および分散剤０．３重量
部を混合して導電性ペーストＡとした。

【００７３】また、平均粒子径３μｍのタングステン粒
子１００重量部、アクリル系バインダ１．９重量部、α
−テルピネオール溶媒３．７重量および分散剤０．２重
量部を混合して導電性ペーストＢとした。

【００７４】次に、グリーンシートに、この導電性ペー
ストＡを用いたスクリーン印刷で、格子状のガード電極
用印刷体５０、グランド電極用印刷体６０、接続部用印
刷体１７０を印刷した。また、端子ピンと接続するため
のスルーホール用の貫通孔に導電性ペーストＢを充填し
た。

【００７５】さらに、印刷されたグリーンシート３０お
よび印刷がされていないグリーンシート３０′を５０枚
積層して、１３０℃、８０ｋｇ／ｃｍ² の圧力で一体化
することにより積層体を作製した（図１０（ａ）参
照）。

【００７６】（４）次に、この積層体を窒素ガス中で６
００℃で５時間脱脂し、１８９０℃、圧力１５０ｋｇ／
ｃｍ² で３時間ホットプレスし、厚さ４ｍｍの窒化アル
ミニウム板状体を得た。得られた板状体を、直径２３０
ｍｍの円形状に切り出してセラミック製の板状体とした
（図１０（ｂ）参照）。スルーホール１６の大きさは、
直径３．０ｍｍ、深さ３．０ｍｍであった。

【００７７】また、ガード電極５、グランド電極６の厚
さは１０μｍ、ガード電極５の形成位置は、ウエハ載置
面から１．２ｍｍ、グランド電極６の形成位置は、ウエ
ハ載置面から３．０ｍｍであった。

【００７８】（５）上記（４）で得た板状体のチャック
トップ導体層を形成する面にマスクを載置し、ＳｉＣ等
によるブラスト処理で表面に熱電対のための凹部（図示
せず）およびシリコンウエハ吸着用の溝７（幅０．５ｍ
ｍ、深さ０．５ｍｍ）を設けた（図１０（ｃ）参照）。

【００７９】（６）さらに、ウエハ載置面に対向する面
に発熱体４１を印刷した。印刷は導電ペーストを用い
た。導電ペーストは、プリント配線板のスルーホール形
成に使用されている徳力化学研究所製のソルベストＰＳ
６０３Ｄを使用した。この導電ペーストは、銀／鉛ペー
ストであり、酸化鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ素、
アルミナからなる金属酸化物（それぞれの重量比率は、
５／５５／１０／２５／５）を銀１００重量部に対して
７．５重量部含むものであった。また、銀の形状は平均
粒径４．５μｍでリン片状のものであった。

【００８０】（７）導電ペーストを印刷したヒータ板を
７８０℃で加熱焼成して、導電ペースト中の銀、鉛を焼
結させるとともにセラミック基板３に焼き付けた。さら
に硫酸ニッケル３０ｇ／ｌ、ほう酸３０ｇ／ｌ、塩化ア
ンモニウム３０ｇ／ｌおよびロッシェル塩６０ｇ／ｌを
含む水溶液からなる無電解ニッケルめっき浴にヒータ板
を浸漬して、銀の焼結体４１の表面に厚さ１μｍ、ホウ
素の含有量が１重量％以下のニッケル層４１０を析出さ
せた。この後、ヒータ板は、１２０℃で３時間アニーリ
ング処理を施した。銀の焼結体からなる発熱体４１は、
厚さが５μｍ、幅２．４ｍｍであり、面積抵抗率が７．
７ｍΩ／□であった（図１０（ｄ））。

【００８１】（８）溝７が形成された面および側面に、
スパッタリング法により、順次、チタン層、モリブデン
層、ニッケル層を形成した。スパッタリングのための装
置は、日本真空技術株式会社製のＳＶ−４５４０を使用
した。スパッタリングの条件は気圧０．６Ｐａ、温度１
００℃、電力２００Ｗであり、スパッタリング時間は、
３０秒から１分の範囲内で、各金属によって調整した。
得られた膜の厚さは、蛍光Ｘ線分析計の画像から、チタ
ン層は０．３μｍ、モリブデン層は２μｍ、ニッケル層
は１μｍであった。

【００８２】（９）硫酸ニッケル３０ｇ／ｌ、ほう酸３
０ｇ／ｌ、塩化アンモニウム３０ｇ／ｌおよびロッシェ
ル塩６０ｇ／ｌを含む水溶液からなる無電解ニッケルめ
っき浴、および、硫酸ニッケル２５０〜３５０ｇ／ｌ、
塩化ニッケル４０〜７０ｇ／ｌ、ホウ酸３０〜５０ｇ／
ｌを含み、硫酸でｐＨ２．４〜４．５に調整した電解ニ
ッケルめっき浴を用いて、上記（８）で得られたセラミ
ック板を浸漬し、スパッタリングにより形成された金属
層の表面に厚さ７μｍ、ホウ素の含有量が１重量％以下
のニッケル層を析出させ、１２０℃で３時間アニーリン
グした。発熱体表面は、電流を流さず、電解ニッケルめ
っきで被覆されない。

【００８３】さらに、表面にシアン化金カリウム２ｇ／
ｌ、塩化アンモニウム７５ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム
５０ｇ／ｌおよび次亜リン酸ナトリウム１０ｇ／ｌを含
む無電解金めっき液に、９３℃の条件で１分間浸漬し、
ニッケルめっき層１５上に厚さ１μｍの金めっき層を形
成した後、ドリル加工による研削を行い、溝７が形成さ
れた面の外周を０．５ｍｍ削除し、チャックトップ導体
層２および側面導体層２ａとした（図１１（ｅ）参
照）。

【００８４】（１０）溝７から裏面に抜ける空気吸引孔
８をドリル加工により形成し、さらにスルーホール１６
を露出させるための袋孔１８０を設けた（図１０（ｆ）
参照）。この袋孔１８０にＮｉ−Ａｕ合金（Ａｕ８１．
５重量％、Ｎｉ１８．４重量％、不純物０．１重量％）
からなる金ろうを用い、９７０℃で加熱リフローしてコ
バール製の外部端子ピン１９を接続させた（図１１
（ｇ）参照）。また、発熱体に半田（スズ９／鉛１）を
介してコバール製の外部端子ピン１９０を形成した。

【００８５】（１１）次に、温度制御のための複数熱電
対を凹部に埋め込み、ウエハプローバヒータ１０１を得
た。（１２）このウエハプローバ１０１を図８の断面形状を
有するステンレス製の支持容器１１に載置した。

【００８６】（実施例２）ウエハプローバ２０１（図５
参照）の製造（１）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径
１．１μｍ）１００重量部、イットリア（平均粒径０．
４μｍ）４重量部、アクリルバイダー１１．５重量部、
分散剤０．５重量部および１−ブタノールとエタノール
とからなるアルコール５３重量部を混合した組成物を、
ドクターブレード法により成形し、厚さ０．４７ｍｍの
グリーンシートを得た。

【００８７】（２）このグリーンシートを８０℃で５時
間乾燥させた後、パンチングにて発熱体と外部端子ピン
と接続するためのスルーホール用の貫通孔を設けた。（３）平均粒子径１μｍのタングステンカーバイド粒子
１００重量部、アクリル系バインダ３．０重量部、α−
テルピネオール溶媒３．５重量および分散剤０．３重量
部を混合して導電性ペーストＡとした。

【００８８】また、平均粒子径３μｍのタングステン粒
子１００重量部、アクリル系バインダ１．９重量部、α
−テルピネオール溶媒３．７重量および分散剤０．２重
量部を混合して導電性ペーストＢとした。

【００８９】次に、グリーンシートに、この導電性ペー
ストＡを用いたスクリーン印刷で、格子状のガード電極
用印刷体、グランド電極用印刷体、接続用印刷体を印刷
した。さらに、発熱体を図３に示すように同心円パター
ンとして印刷した。

【００９０】また、端子ピンと接続するためのスルーホ
ール用の貫通孔に導電性ペーストＢを充填した。さら
に、印刷されたグリーンシートおよび印刷がされていな
いグリーンシートを５０枚積層して１３０℃、８０ｋｇ
／ｃｍ² の圧力で一体化し、積層体を作製した。

【００９１】（４）次に、この積層体を窒素ガス中で６
００℃で５時間脱脂し、１８９０℃、圧力１５０ｋｇ／
ｃｍ² で３時間ホットプレスし、厚さ３ｍｍの窒化アル
ミニウム板状体を得た。これを直径２３０ｍｍの円状に
切り出してセラミック製の板状体とした。スルーホール
の大きさは直径２．０ｍｍ、深さ３．０ｍｍであった。
また、ガード電極５、グランド電極６の厚さは６μｍ、
ガード電極５の形成位置は、ウエハ載置面から０．７ｍ
ｍ、グランド電極６の形成位置は、ウエハ載置面から
１．４ｍｍ、発熱体の形成位置は、ウエハ載置面から
２．８ｍｍであった。

【００９２】（５）上記（４）で得た板状体チャックト
ップ導体層を形成する面にマスクを載置し、ＳｉＣ等に
よるブラスト処理で表面に熱電対のための凹部（図示せ
ず）およびシリコンウエハ吸着用の溝７（幅０．５ｍ
ｍ、深さ０．５ｍｍ）を設けた。

【００９３】（６）溝７が形成された面および側面にス
パッタリングにてチタン、モリブデン、ニッケル層を形
成した。スパッタリングのための装置は、日本真空技術
株式会社製のＳＶ−４５４０を使用した。スパッタリン
グの条件は気圧０．６Ｐａ、温度１００℃、電力２００
Ｗで、スパッタリングの時間は、３０秒から１分の間
で、各金属により調整した。得られた膜は、蛍光Ｘ線分
析計の画像からチタンは０．５μｍ、モリブデンは４μ
ｍ、ニッケルは１．５μｍであった。

【００９４】（７）硫酸ニッケル３０ｇ／ｌ、ほう酸３
０ｇ／ｌ、塩化アンモニウム３０ｇ／ｌ、ロッシェル塩
６０ｇ／ｌを含む水溶液からなる無電解ニッケルめっき
浴に（６）で得られたセラミック板３を浸漬して、スパ
ッタリングにより形成された金属層の表面に厚さ７μ
ｍ、ホウ素の含有量が１重量％以下のニッケル層を析出
させ、１２０℃で３時間アニーリングした。

【００９５】さらに、表面にシアン化金カリウム２ｇ／
ｌ、塩化アンモニウム７５ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム
５０ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム１０ｇ／ｌからなる
無電解金めっき液に９３℃の条件で１分間浸漬して、ニ
ッケルめっき層上に厚さ１μｍの金めっき層を形成した
後、ドリル加工による研削を行い、溝７が形成された面
の外周を０．５ｍｍ削除し、チャックトップ導体層２お
よび側面導体層２ａとした。

【００９６】（８）溝７から裏面に抜ける空気吸引孔８
をドリル加工により形成し、さらにスルーホール１６、
１７を露出させるための袋孔１８０を設けた。この袋孔
１８０にＮｉ−Ａｕ合金（Ａｕ８１．５重量％、Ｎｉ１
８．４重量％、不純物０．１重量％）からなる金ろうを
用い、９７０℃で加熱リフローしてコバール製の外部端
子ピン１９、１９０を接続させた。外部端子１９、１９
０は、Ｗ製でもよい。

【００９７】（９）温度制御のための複数熱電対を凹部
に埋め込み、ウエハプローバヒータ２０１を得た。（１０）このウエハプローバ２０１を、図９の断面形状
を持つステンレス製の支持容器２１に載置した。

【００９８】（実施例３）ウエハプローバ３０１（図
６参照）の製造（１）厚さ１０μｍのタングステン箔を打抜き加工する
ことにより格子状の電極を形成した。格子状の電極２枚
（ぞれぞれガード電極５、グランド電極６となるもの）
およびタングステン線を窒化アルミニウム粉末（トクヤ
マ社製、平均粒径１．１μｍ）１００重量部、イットリ
ア（平均粒径０．４μｍ）４重量部とともに、成形型中
に入れて窒素ガス中で１８９０℃、圧力１５０ｋｇ／ｃ
ｍ² で３時間ホットプレスし、厚さ３ｍｍの窒化アルミ
ニウム板状体を得た。これを直径２３０ｍｍの円状に切
り出して板状体とした。なお、ガード電極５となる電極
には、その一端が外部に露出するように、接続部を設け
た。（２）この板状体に対し、実施例２の（５）〜（１０）
の工程を実施してウエハプローバ３０１を得、実施例１
と同様にウエハプローバ３０１を図８に示した支持容器
１１に載置した。

【００９９】（実施例４）ウエハプローバ４０１（図
７参照）の製造実施例１の（１）〜（５）、および、（８）〜（１０）
を実施した後、さらにウエハ載置面に対向する面にニッ
ケルを溶射し、この後、鉛・テルル系のペルチェ素子を
接合させてウエハプローバ４０１を得、実施例１と同様
にウエハプローバ４０１を図８に示した支持容器１１上
に載置した。

【０１００】（実施例５）炭化珪素をセラミック基板
とするウエハプローバの製造以下に記載する事項または条件以外は、実施例３の場合
と同様にして、ウエハプローバを製造した。即ち、平均
粒径１．０μｍの炭化ケイ素粉末１００重量部を使用
し、また、格子状の電極２枚（ぞれぞれガード電極５、
グランド電極６となるもの）、および、表面にテトラエ
トキシシラン１０重量％、塩酸０．５重量％および水８
９．５重量％からなるゾル溶液を塗布したタングステン
線を使用し、１９００℃の温度で焼成してウエハプロー
バ４０１を得、このウエハプローバ４０１を実施例１と
同様に図８に示した支持容器１１上に載置した。なお、
ゾル溶液は焼成でＳｉＯ₂となって絶縁層を構成する。

【０１０１】（実施例６）アルミナをセラミック基板
とするウエハプローバの製造以下に記載する工程または条件以外は、実施例１の場合
と同様にして、ウエハプローバを製造した。アルミナ粉
末（トクヤマ製、平均粒径１．５μｍ）１００重量部、
アクリルバイダー１１．５重量部、分散剤０．５重量部
および１−ブタノールとエタノールとからなるアルコー
ル５３重量部を混合した組成物を、ドクターブレード法
を用いて成形し、厚さ０．５ｍｍのグリーンシートを得
た。また、焼成温度を１０００℃とした。そして、実施
例６で得られたウエハプローバを、実施例１と同様に図
８に示した支持容器１１上に載置した。

【０１０２】（比較例１）ガード電極５および側面導体
層２ａを形成しなかったほかは、実施例１と同様にして
ウエハプローバを製造した。

【０１０３】（比較例２）側面導体層２ａを形成しなか
ったほかは、実施例１と同様にしてウエハプローバを製
造した。

【０１０４】（比較例３）側面導体層２ａを形成しなか
ったほかは、実施例２と同様にしてウエハプローバを製
造した。

【０１０５】評価方法支持容器に載置された実施例１〜６および比較例１〜３
で製造したウエハプローバについて、図１２に示した
ように１０００枚の良品のシリコンウエハＷを順次載置
し、１５０℃に加熱しながら、プローブカード６０１を
押圧して導通テストを行い、誤動作の発生率を調べた。
その結果を下記の表１に示した。

【０１０６】

【表１】

【０１０７】上記表１より明らかなように、実施例１〜
６に係るウエハプローバでは、正しい判定がなされてい
るのに対し、グランド電極を備えてはいるものの、ガー
ド電極および側面導体層が形成されていない比較例１に
係るウエハプローバでは、ノイズにより誤った判定がな
される場合があり、同様に、側面導体層が形成されてい
ない比較例２、３に係るウエハプローバでは、その割合
はかなり少ないが、やはりノイズにより誤った判定がな
される場合があった。

【０１０８】

【発明の効果】以上説明のように、本願発明のウエハプ
ローバは、セラミック基板の側面に金属層が形成され、
上記金属層は、ガード電極と接続されているので、チャ
ックトップ導体層をノイズから保護することができ、こ
のノイズに起因する集積回路等の誤動作を防止すること
ができ、集積回路等が正常に動作するか否かを正確に判
定することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のウエハプローバの一例を模式的に示す
断面図である。

【図２】図１に示したウエハプローバの平面図である。

【図３】図１に示したウエハプローバの底面図である。

【図４】図１に示したウエハプローバのＡ−Ａ線断面図
である。

【図５】本発明のウエハプローバの一例を模式的に示す
断面図である。

【図６】本発明のウエハプローバの一例を模式的に示す
断面図である。

【図７】本発明のウエハプローバの一例を模式的に示す
断面図である。

【図８】本発明のウエハプローバを支持容器と組み合わ
せた場合を模式的に示す断面図である。

【図９】（ａ）は、本発明のウエハプローバを他の支持
容器と組み合わせた場合を模式的に示す縦断面図であ
り、（ｂ）は、そのＢ−Ｂ線断面図である。

【図１０】（ａ）〜（ｄ）は、本発明のウエハプローバ
の製造工程の一部を模式的に示す断面図である。

【図１１】（ｅ）〜（ｇ）は、本発明のウエハプローバ
の製造工程の一部を模式的に示す断面図である。

【図１２】本発明のウエハプローバを用いて導通テスト
を行っている状態を模式的に示す断面図である。

【符号の説明】

１０１、２０１、３０１、４０１ウエハプローバ２チャップトップ導体層２ａ側面導体層３セラミック基板５ガード電極６グランド電極７溝８吸引孔１０断熱材１１支持容器１２冷媒吹き出し口１３吸引口１４冷媒注入口１５支持柱１６、１８スルーホール１７接続部１８０袋孔１９、１９０外部端子ピン４１、４２発熱体４１０保護層４３金属線４４ペルチェ素子４４０熱電素子４４１セラミック基板５１導体層５２導体層非形成部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者伊藤康隆岐阜県揖斐郡揖斐川町北方１−１イビデン株式会社内Ｆターム(参考） 4M106 AA01 AA02 BA01 BA14 CA60 CA62 DJ02

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】セラミック基板の一主面にチャックトッ
プ導体層が形成されるとともに、その内部にガード電極
が形成されてなるウエハプローバであって、前記セラミ
ック基板の側面に金属層が形成されていることを特徴と
するウエハプローバ。