JP2001176829A - 半導体ウェーハの研磨方法及び半導体ウェーハ研磨用パッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】溝配線或いはダマシン配線形成でのシニング現
象を良好に抑制できる半導体ウェーハの研磨方法を提供
する。 【解決手段】絶縁膜５２に溝５３または孔を設け、前記
絶縁膜５２上に金属導体層５４を前記の溝５３または孔
を埋めて形成した半導体ウェーハの金属導体層５４を絶
縁膜５２の表面と面一に研磨液を供給しつつ研磨パッド
で化学機械研磨する方法であり、超高分子量ポリエチレ
ン粉末の焼結多孔質シ−トを前記研磨パッドとして使用
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウェーハの化
学機械研磨法及び半導体ウェーハ研磨用パッドに関し、
溝配線或いはダマシン配線を形成する場合に有用なもの
である。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の微細配線には、図５に示
す、溝配線或いはダマシン配線が用いられている。すな
わち、図５の（イ）に示すように、半導体シリコン基板
５１’上に化学気相成長（ＣＶＤ）法等でシリコン酸化
膜５２’を形成し（５１０’は電極）、このシリコン酸
化膜５２’に所定の配線パタ−ンの溝５３’を反応性イ
オンエッチング等により設け、更に、図５の（ロ）に示
すように、前記のシリコン酸化膜５２’上に溝５３’を
埋めて金属導体層５４’をスパッタ法等で堆積形成し、
次いで、図５の（ハ）に示すように、金属導体層５４’
を化学機械研磨（ＣＭＰ）法で除去して前記溝パタ−ン
に従い配線を形成している。上記ＣＭＰには、定盤の表
面に研磨パッドを取付け、ウェーハをウェーハキャリア
の表面に支着し、ウェーハを所定の圧力で研磨パッドに
接触させ、ノズルから研磨液を供給しつつ定盤及びウェ
ーハキャリアの駆動によりウェーハ及び研磨パッドをそ
れぞれ回転させて相対的に摺動接触させる方法を採り、
研磨パッドには、発泡ウレタンシ−トや発泡ウレタン含
浸不織布等を用い、研磨液には、コロイダルシリカのア
ルカリスラリ−を用いている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ＣＭＰ法では、配線密度の大なる部分で削りすぎ現象、
いわゆるシニングやディッシングが発生し易い。その理
由は、金属導体（銅）５４’がシリコン酸化膜５２’よ
りも研磨され易く、配線密度の大きな金属導体部分が先
行的に研磨され、その研磨された部分で支えられなくな
った圧力がその先行研磨部分周辺のシリコン酸化膜部分
に移って作用する結果、高密度配線部分のシリコン酸化
膜も他のシリコン酸化膜部分より先行研磨されることに
よると推定される。

【０００４】ところで、本出願人は、シリコンウェーハ
の鏡面加工用研磨パッドに「粘度法により測定される分
子量が５０万以上の超高分子量ポリエチレン粉末の焼結
多孔質シ−ト」を用いることを既に提案した（特開平９
−１２７３６号）。この超高分子量ポリエチレン粉末焼
結多孔質シ−トからなる研磨パッドは、前記発泡ウレタ
ンシ−トや発泡ウレタン含浸不織布等からなる研磨パッ
ドよりも耐摩耗性に優れ、アリカリ研磨液に対し優れた
耐薬品性を呈し、長期にわたり初期の研磨レ−トを維持
できる。この超高分子量ポリエチレン粉末焼結多孔質シ
−トからなる研磨パッドは、前記発泡ウレタンシ−トや
発泡ウレタン含浸不織布等からなる研磨パッドよりも研
磨速度が低いが、初期研磨性能の持続性に優れているの
で、表面クリ−ニングや表面切除等の処理の頻度を大幅
に低減でき、全体としての作業能率を充分に向上でき
る。

【０００５】本発明者等は、この超高分子量ポリエチレ
ン粉末焼結多孔質シ−トからなる研磨パッドを用い、Ｃ
ＭＰ法により上記溝配線或いはダマシン配線での銅導体
の削除を行うと、前記発泡ウレタンシ−トや発泡ウレタ
ン含浸不織布等からなる研磨パッド使用のもとでは多発
するシニング現象を効果的に抑制できることを知った。

【０００６】本発明者等は、この原因を鋭意検討したと
ころ、この超高分子量ポリエチレン粉末焼結多孔質シ−
トのＳｉＯ_２酸化膜に対する研磨速度Ｖｉと銅導体層に
対する研磨速度Ｖｃとの比Ｖｉ／Ｖｃが前記発泡ウレタ
ンシ−トや発泡ウレタン含浸不織布のＶｉ／Ｖｃに較べ
て著しく小さい結果、銅導体層が削られてＳｉＯ_２酸化
膜が露出されるに至るまでの研磨速度に対し、その後の
研磨速度がそれだけ大きく減速されるために、シニング
現象が効果的に抑制されるものと推定される。

【０００７】本発明の目的は、かかる点に鑑み、溝配線
或いはダマシン配線形成でのシニング現象を良好に抑制
できる半導体ウェーハの研磨方法及び研磨用パッドを提
供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体ウェ
ーハの研磨方法は、絶縁膜に溝または孔を設け、前記絶
縁膜上に金属導体層を前記の溝または孔を埋めて形成し
た半導体ウェーハの金属導体層を絶縁膜表面と面一に研
磨液を供給しつつ研磨パッドで化学機械研磨する方法で
あり、超高分子量ポリエチレン粉末の焼結多孔質シ−ト
を前記研磨パッドとして使用することを特徴とする構成
である。

【０００９】本発明に係る半導体ウェーハ研磨用パッド
は、上記半導体ウェーハの研磨方法において使用する研
磨パッドであり、超高分子量ポリエチレン粉末の焼結体
で、かつ乾燥動摩擦係数が０．３以下の多孔質シ−トか
らなることを特徴とする構成であり、通常、圧縮弾性率
が１００〜１０００ｋｇ／ｃｍ^２、平均孔径が１０〜１
００μｍ、気孔率が１０〜５０％とされる。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について説明する。図１は本発明において使
用するＣＭＰ装置の一例を示している。図１において、
１は回転駆動式の定盤である。２はウェーハキャリアで
あり、所定のラインに沿い移動され、定盤上の所定位置
で停止され、その停止位置で上下動されて定盤に接触さ
れた状態で回転される操作機構によって操作される。３
は研磨液供給ノズルである。

【００１１】図２は本発明に係る研磨パッドＡの一例を
示し、超高分子量ポリエチレン（粘度平均分子量が５０
万〜１０００万、好ましくは、１００万〜７００万）粉
末の焼結多孔質層４１の裏面に不透層４２を設け、該不
透層４２に粘着剤層４３を設けてある。この不透層４２
はプラスチックフィルムを熱プレス等で熱ラミネ−トす
ることにより設けることができる。図２において、４４
はセパレ−タである。

【００１２】図３は本発明により研磨する研磨対象物Ｂ
の一例を示し、半導体基板５１の表面を加熱酸化し、更
にＣＶＤ法でシリコン酸化膜を堆積させて絶縁膜５２を
形成し、この絶縁膜５２に所定配線パタ−ンの溝５３を
反応性イオンエッチング等で加工し、前記絶縁膜５２上
に銅導体層５４をスパッタ法等で前記の溝５３を埋めて
堆積形成してあり、銅導体層が絶縁膜表面に面一になる
まで研磨されて二次元の溝配線或いはダマシン配線が形
成される。上記溝の巾は、通常０．５〜２μｍとされ、
溝間隔は通常０．５〜２μｍとされる。三次元の多層配
線の場合は、層間絶縁膜乃至はバリア層に配線層間接続
用のスルホ−ル或いはコンタクト孔を設け、このコンタ
クト孔等に銅導体を埋め込むが、この図示は省略してあ
る。

【００１３】図３に示す銅導体層付きウェーハＢを本発
明により化学機械研磨するには、図１において、定盤１
に上記の研磨パッドＡを粘着固定し、銅導体層付きウェ
ーハＢを吸着支持したウェーハキャリア２を定盤１上の
所定位置に停止させ、更に降下させてウェーハＢを研磨
パッドＡに所定の圧力で接触させ、ノズル３から研磨液
を供給しつつ定盤１及びウェーハキャリア２をそれぞれ
回転駆動する。研磨液には、金属研磨用の砥粒スラリ
−、例えば、砥粒としてＭｎＯ_２、研磨促進剤としてＨ
_２Ｏ_２を混合した酸性スラリ−を用いることができる。

【００１４】而して、研磨パッドＡの超高分子量ポリエ
チレン粉末焼結多孔質シ−トの連続孔焼結構造に基づく
浸透性及び保液性のために、研磨パッドＡとウェーハＢ
との摺動界面に研磨液が充分に保持され、砥粒による機
械的研磨作用と研磨促進剤による化学的研磨作用との相
乗作用でウェーハ表面の銅導体層５４の化学機械研磨が
進められていく。この場合、超高分子量ポリエチレン粉
末焼結多孔質シ−トの銅導体層に対する研磨速度Ｖｃに
較べＳｉＯ_２酸化膜に対する研磨速度Ｖiが相当に小さ
く、図４に示すように、かりに、研磨が絶縁膜（ＳｉＯ
_２酸化膜）表面レベルに達する時間が領域ａ，ｂにおい
て異なり、領域ａ側が絶縁膜５２の表面５２０にまで先
に研磨されたとしても、領域ｂ側での研磨が絶縁膜表面
に達する間に領域ａ側での絶縁膜表面の研磨の進行が僅
かであるから、研磨速度が位置によって相違することが
あっても（例えば、領域間で配線密度の相違があって
も）、前記したシニングをよく防止して絶縁膜レベルの
平坦研磨を行うことができる。

【００１５】上記において、ウェーハと研磨パッドとの
摺動摩擦係数が高くなるほど、研磨パッドの摩耗速度が
早くなって研磨パッドの使用寿命が短くなるから、前記
の比Ｖｃ／Ｖｉを充分に小さくでき、かつＶｃを充分に
大きくできる範囲内でウェーハと研磨パッドとの間の摺
動摩擦係数を可及的に小さくすることが有利であり、乾
燥動摩擦係数（バーデンレーベン法による）を０．３以
下、好ましくは０．１０〜０．１５とすることが望まし
い。

【００１６】上記研磨パッドの化学機械研磨性能、浸透
・保液性、耐摩耗性等には圧縮弾性率、気孔率、孔径、
針差し込み強さショアＤ硬度、圧縮率（ＪＩＳＬ−１０
９６）等が直接または間接的に関係し、圧縮弾性率は１
００〜１０００ｋｇ／ｃｍ^２好ましくは２００〜４００
ｋｇ／ｃｍ^２、平均孔径は１０〜１００μｍ好ましくは
２０〜４０μｍ、気孔率は１０〜５０％好ましくは２０
〜４０％、針差し込み強さショアＤ硬度は３０〜６０好
ましくは３５〜５０、圧縮率は０．５〜２．０％好まし
くは１．０〜１．７％、圧縮回復率は６５〜８５％とさ
れる。

【００１７】これらの特性のうち、圧縮弾性率は研磨圧
力に影響を与える要素であるが、研磨パッドの全体の実
質的な圧縮弾性率は、不透層の硬さにより調整でき、特
にグロ−バルな平坦性を呈させるために比較的柔らかい
不透層を使用することもできる。

【００１８】上記研磨パッドの厚みは、ウェーハの形態
や大きさに応じて適宜に設定され、通常０．５ｍｍ〜２
ｍｍ、特に１．０〜１．５ｍｍに設定されるが、２ｍｍ
以上とすることも可能である。上記研磨パッドでは、超
高分子量ポリエチレンの優れた離型性のために、摩耗カ
スやスラリ−固形分が詰まってもジエット噴霧で簡単に
再生できるが、表面削除処理で再生することも可能であ
り、この表面削除処理に対しては、２ｍｍ以上の厚みと
することが好ましい。

【００１９】上記超高分子量ポリエチレン自体が疎水性
であっても、研磨パッドに研磨液を充分に浸透・保持さ
せるために、研磨液に界面活性剤を混合することができ
る。また、研磨パッドに界面活性剤処理やプラズマ処理
等の親水化処理を施すこともできる。

【００２０】上記超高分子量ポリエチレンは、耐溶剤
性、耐酸性、耐アルカリ性、衛生性、無発塵性、耐放射
線性、剛性、通気性等の点において優れ、対摩耗性、研
磨液のアルカリに対する安定性、摩耗カスの無発生等の
特性を呈するが、電子線照射により架橋密度を増大させ
て剛性や耐熱性を更に高めることもできる。また、研磨
性を調整するために、格子状、環状またはレコ−ド溝形
状の表面溝を加工することもできる。

【００２１】本発明に係る超高分子量ポリエチレン粉末
焼結多孔質シ−トからなる研磨パッドは、超高分子量ポ
リエチレン粉末を金型に充填し、この粉体を所定の圧力
で加圧し、次いで超高分子量ポリエチレンの融点以上の
加熱炉で焼結し、冷却脱型して丸棒状成形体を得、これ
を旋盤等で所定厚みのシ−ト状に皮剥き切削し、このシ
−トを所定形状に打ち抜くことにより製造できる。前記
の圧縮弾性率や気孔率は粉体の粒子径により制御でき、
平均粒径３０〜１７０μｍ、好ましくは１００〜１７０
μｍの超高分子量ポリエチレン粉末を用いることが好ま
しく、市販品としては、ハイゼックスミリオン（三井石
油化学工業社製）やホスタレンＧＵＲ（タイコナ社製）
等を挙げることができる。

【００２２】本発明に係る超高分子量ポリエチレン粉末
焼結多孔質シ−トからなる研磨パッドの製造には、「超
高分子量ポリエチレン粉末を金型に充填し、この粉体を
その融点よりも低い温度で加熱したのち、所定の圧力で
加圧して丸棒状の予備成形物を得、この予備成形物を減
圧雰囲気中に曝すことにより予備成形物中の空気を除去
し、次いで超高分子量ポリエチレンの融点以上の加熱水
蒸気雰囲気中で焼結し、冷却脱型して丸棒状成形体を
得、これを所定厚みのシ−トに皮剥き切削し、このシ−
トを所定形状に打ち抜く方法」（特許第２０２００２６
号）を使用することもできる。

【００２３】

【実施例】〔実施例１〕粘度平均分子量約２００万の超
高分子量ポリエチレンを金型に充填し、１３０℃で加熱
後圧縮して予備成形物を得、この予備成形物を１６０℃
で焼結し、冷却して丸棒状多孔質体を得、旋盤で厚み
１．３ｍｍのシ−ト状に切削し、不透層を熱ラミネ−ト
法により固着し、３８０ｍｍφに打ち抜いて研磨パッド
を得た。この実施例品の動摩擦係数は０．１２、圧縮弾
性率は２５０ｋｇ／ｃｍ^２、平均孔径は３５μｍ、気孔
率は３９％、針差し込み強さショアＤ硬度は３６、圧縮
率は１．７％、圧縮回復率は７０％である。

【００２４】〔実施例２〕実施例１に対し粘度平均分子
量約６００万の超高分子量ポリエチレンを使用した以
外、実施例１に同じとした。この実施例品の動摩擦係数
は０．１０、圧縮弾性率は３５０ｋｇ／ｃｍ^２、平均孔
径は３５μｍ、気孔率は３４％、針差し込み強さショア
Ｄ硬度は４２、圧縮率は１．３％、圧縮回復率は７５％
である。

【００２５】〔実施例３〕実施例１に対し粘度平均分子
量約５５０万の超高分子量ポリエチレンを使用した以
外、実施例１に同じとした。この実施例品の動摩擦係数
は０．０８、圧縮弾性率は４５０ｋｇ／ｃｍ^２、平均孔
径は３０μｍ、気孔率は２３％、針差し込み強さショア
Ｄ硬度は４９、圧縮率は１．１％、圧縮回復率は８１％
である。

【００２６】〔比較例〕３８０ｍｍφ、厚み１．２ｍｍ
の発泡ウレタン製研磨パッドを使用した。

【００２７】上記実施例品及び比較例品の研磨パッドを
使用し、１００ｍｍφ溝配線用銅導体層付きウェーハを
図１のＣＭＰ装置により、研磨液として砥粒ＭｎＯ2、
研磨促進剤Ｈ_２Ｏ_２含有の酸性スラリ−を使用し、加圧
力１００ｇ／ｃｍ^２及び４００ｇ／ｃｍ^２、定盤回転数
６０ｒｐｍ、相対摺動速度４０ｍ／分、キャリア回転数
６０ｒｐｍ、スラリ−流量３０ｃｃ／分及び６０ｃｃ／
分として、化学機械研磨したところ、比較例の研磨パッ
ドを使用した場合では、シニングが発生したが、実施例
の研磨パッドを使用した場合では、シニングの発生は全
く観られなかった。

【００２８】そこで、このシニング発生の有無と前記し
た「研磨パッドのＳｉＯ_２酸化膜に対する研磨速度Ｖｉ
と銅導体層に対する研磨速度Ｖｃとの比Ｖｉ／Ｖｃ」と
の関係を検証する。まず、上記実施例品及び比較例品の
研磨パッドのＳｉＯ_２酸化膜に対するＣＭＰ速度Ｖｉを
評価するために、ウェーハとしてＰ型シリコ−ンウェー
ハを、研磨液としてＳｉＯ_２含有アリカリスラリ−を使
用し、加圧力１００ｇ／ｃｍ^２及び４００ｇ／ｃｍ^２、
定盤回転数６０ｒｐｍ、相対摺動速度４０ｍ／分、キャ
リア回転数６０ｒｐｍ、スラリ−流量３０ｃｃ／分及び
６０ｃｃ／分として研磨量を測定したところ、表１の通
りであった（Ａはオングストロ−ムメ−トル）。表１に
は、乾燥動摩擦係数（スラリ−供給なし）及び湿式動摩
擦係数（スラリ−供給あり）の測定結果も示してある。
なお、スラリ−流量による差異は認められなかった。

【００２９】

【表１】 表１ 圧力（ｇ／ｃｍ2） 研磨量（Ａ／分） 乾燥 湿式 Ｖｃ 動摩擦係数 動摩擦係数 実施例１ １００ ９０ ０．２０ ０．０４ ４００ ２５０ ０．２０ ０．０４ 実施例２ １００ ９０ ０．２０ ０．０４ ４００ ２５０ ０．２０ ０．０４ 実施例３ １００ ９０ ０．２０ ０．０２ ４００ ２５０ ０．２０ ０．０２ 比較例 １００ ５００ ０．６０ ０．４２ ４００ １３００ ０．６０ ０．４４

【００３０】つぎに、上記実施例品及び比較例品の銅導
体のＳｉＯ_２酸化膜に対するＣＭＰ速度Ｖｃを評価する
ために、ウェーハとして銅導体スパッタ堆積ウェーハ
を、研磨液として砥粒ＭｎＯ_２、研磨促進剤Ｈ_２Ｏ_２含
有の酸性スラリ−を使用し、加圧力１００ｇ／ｃｍ^２及
び４００ｇ／ｃｍ^２、定盤回転数６０ｒｐｍ、相対摺動
速度４０ｍ／分、キャリア回転数６０ｒｐｍ、スラリ−
流量３０ｃｃ／分及び６０ｃｃ／分として研磨量を測定
したところ、表２の通りであった。表２には、乾燥動摩
擦係数（スラリ−供給なし）及び湿式動摩擦係数（スラ
リ−供給あり）の測定結果も示してある。なお、スラリ
−流量による差異は認められなかった。

【００３１】

【表２】 表２ 圧力（ｇ／ｃｍ2） 研磨量（Ａ／分） 乾燥 湿式 Ｖｉ 動摩擦係数 動摩擦係数 実施例１ １００ ３４０ ０．３０ ０．１２ ４００ １０５０ ０．３０ ０．１２ 実施例２ １００ ３４０ ０．３０ ０．１２ ４００ １０５０ ０．３０ ０．１２ 実施例３ １００ ３４０ ０．３０ ０．１２ ４００ １０５０ ０．３０ ０．１２ 比較例 １００ ６５０ ０．８０ ０．５６ ４００ １５５０ ０．８０ ０．５６

【００３２】上記表１のＶｃと表２のＶｉとから、「研
磨パッドのＳｉＯ_２酸化膜に対する研磨速度Ｖｉと銅導
体層に対する研磨速度Ｖｃとの比Ｖｉ／Ｖｃ」を算出す
ると、表３の通りである。

【００３３】

【表３】

【００３４】表３から明らから通り、シニングの発生が
無い実施例は、シニングが発生した比較例に較べ「研磨
パッドのＳｉＯ_２酸化膜に対する研磨速度Ｖｉと銅導体
層に対する研磨速度Ｖｃとの比Ｖｉ／Ｖｃ」が相当に小
であり（ＶｉとＶｃとは、研磨液が異なるために化学機
械研磨条件が同一ではなく、補正係数ｘを乗じて評価す
べきであるが、Ｖｉ／Ｖｃの相対比較に対しては、ｘが
関係することはなく、補正係数を加味する必要はな
い）、既述の「超高分子量ポリエチレン粉末焼結多孔質
シ−トのＳｉＯ_２酸化膜に対する研磨速度Ｖｉと銅導体
層に対する研磨速度Ｖｃとの比Ｖｉ／Ｖｃが発泡ウレタ
ンシ−トや発泡ウレタン含浸不織布のＶｉ／Ｖｃに較べ
て小さく、銅導体層が削られてＳｉＯ_２酸化膜が露出さ
れるに至るまでの研磨速度に対し、その後の研磨速度が
それだけ大きく減速されることが原因で、シニング現象
が効果的に抑制される」との推定の妥当性が確認でき
る。

【００３５】なお、研磨液スラリ−の酸性に対する研磨
安定性を評価するために、実施例３の研磨パッドと比較
例の研磨パッドとを前記の研磨促進剤Ｈ_２Ｏ_２含有の酸
性スラリ−に３０分及び６０分浸漬して研磨量の経時変
化を測定したところ、表４の通りであり、実施例では研
磨量に変化が観られないのに対し、比較例では研磨量の
変化が顕著であり、本発明に係る研磨パッドでは、安定
な研磨レ−トで化学機械研磨できることが明らかであ
る。

【００３６】

【表４】 表４ 圧力（ｇ／ｃｍ2） 初期研磨量 ３０分経過後 ６０分経過後 （Ａ／分） 研磨量（Ａ／分） 研磨量（Ａ／分） 実施例３ １００ ３４０ ３４０ ３４０ 比較例 １００ ６５０ ２００ １００

【００３７】

【発明の効果】本発明によれば、半導体ウェーハに溝配
線或いはダマシン配線を形成する場合、或いは多層配線
する場合、配線密度に場所的に差があっても、いわゆ
る、削りすぎ（シニング更にはディッシング)をよく抑
制して化学機械研磨でき、しかも酸性研磨スラリ−に対
し研磨レ−トを経時的に変化なく安定に維持できる。従
って、本発明は、配線導体の厚みの均一化、層間厚みの
均一化を保証しつつ配線の細密化や三次元化を図るうえ
に極めて有用である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る半導体ウェーハの研磨方法におい
て使用される化学機械研磨装置の一例を示す図面であ
る。

【図２】本発明に係る半導体ウェーハ研磨用パッドの一
例を示す図面である。

【図３】本発明に係る研磨方法により研削される半導体
ウェーハの一例を示す図面である。

【図４】本発明に係る半導体ウェーハの研磨方法での研
磨過程を示す図面である。

【図５】溝配線の形成方法を示す図面である。

【符号の説明】

Ａ 研磨パッド ４１ 超高分子量ポリエチレン粉末の焼結多孔質シ−
ト Ｂ 半導体ウェーハ ５１ 半導体基板 ５２ 絶縁膜 ５３ 溝 ５４ 金属導体層

フロントページの続き (72)発明者 和野 隆司 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 佐々木 公光 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 Ｆターム(参考） 3C058 AA07 AA09 CB01 DA12 DA17 4F071 AA15 AA81 AD02 AF20Y AF28Y AF53Y AH12 AH19 DA20 5F033 HH11 MM01 QQ09 QQ13 QQ48 RR04 SS15 XX01

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】絶縁膜に溝または孔を設け、前記絶縁膜上
   に金属導体層を前記の溝または孔を埋めて形成した半導
   体ウェーハの金属導体層を絶縁膜表面と面一に研磨液を
   供給しつつ研磨パッドで化学機械研磨する方法であり、
   超高分子量ポリエチレン粉末の焼結多孔質シ−トを前記
   研磨パッドとして使用することを特徴とする半導体ウェ
   ーハの研磨方法。
2. 【請求項２】請求項１記載の半導体ウェーハの研磨方法
   において使用する研磨パッドであり、超高分子量ポリエ
   チレン粉末の焼結体で、かつ乾燥動摩擦係数が０．３以
   下の多孔質シ−トからなることを特徴とする半導体ウェ
   ーハ研磨用パッド。
3. 【請求項３】圧縮弾性率が１００〜１０００ｋｇ／ｃｍ
   ^２、平均孔径が１０〜１００μｍ、気孔率が１０〜５０
   ％である請求項２記載の半導体ウェーハ研磨用パッド。