JP2001174419A - 半導体装置の欠陥検査方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体装置の周期的な構造に生じる周期の乱
れを画像比較によって検出する欠陥検査方法を提供す
る。 【解決手段】 欠陥の発生状況を統計的に判断し、予想
される分布形式から外れた場合に応じて検査領域を制限
して、欠陥の検査を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の周期
的な構造に生じる周期の乱れを画像比較によって検出す
る欠陥検査方法及び装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体製造工程では、半導体ウェハ（以
下、単にウェハという）上の欠陥を検査することが行わ
れており、欠陥検査時間を含めた検査効率を向上させる
例としては、特開平９−１４５６２７号公報に開示され
た欠陥検査方法がある。

【０００３】特開平９−１４５６２７号公報による欠陥
検査方法は、複数の工程で生じる欠陥のうち該当する工
程のみの欠陥を検出することによる方法である。

【０００４】次に特開平９−１４５６２７号公報に開示
された欠陥の検査を行う装置は図４に示されるように、
ウェハ１０１を支持するステージ１０３と、ステージ１
０３に支持されたウェハ１０１上に光を照射する照明ラ
ンプ１０２と、光照射されたウェハ１０１の検査面１０
１ａの画像を取り込む検出器１０４ｂと、検出器１０４
ｂに取込んだ検出画像と予め登録された正常画像との比
較を行う画像処理部１０４ａと、画像処理部１０４ａに
よる比較後の不一致箇所を欠陥分布として検出してウェ
ハ１の検査面１０１ａを複数個の所定領域に分割し、か
つ前記欠陥分布に基づいて前記所定領域を欠陥が存在し
ない良領域と欠陥が存在する不良領域とに分類する制御
部１０７と、制御部１０７からの指令に基づいてステー
ジ１０３を移動させる駆動部１０８と、制御部１０７か
らの種々の情報を出力する出力部１０９とから構成され
ている。また１１０はミラー、１１１は対物レンズであ
る。

【０００５】そして、制御部１０７は、分類した領域の
ウェハ１０１上の前記欠陥が前記良領域の欠陥である
か、または前記不良領域の欠陥であるかを判別するよう
になっている。

【０００６】また、ウェハにおける欠陥の分布状態を測
定して、その分布状態を分割要素に分割し分割要素内の
欠陥密度を用いて異常判定を行う例が特開平９−１９１
０３２号公報に開示されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来例の特開平９−１４５６２７号公報に係る欠陥検
査方法では、一連の欠陥検査が終了するまで欠陥密度の
計算はできないため、前工程までの欠陥の位置座標デー
タがないようなケースでは、該当工程のみの欠陥検出効
率を向上させることができないという問題がある。

【０００８】また特開平９−１９１０３２号公報の欠陥
検査方法による欠陥の異常判定システムでは、検査が正
常に完了した場合にのみしか適用できないため、欠陥検
出効率を向上させることができないという問題がある。

【０００９】本発明の目的は、半導体装置の周期的な構
造に生じる周期の乱れを画像比較によって検出する欠陥
検査方法及び装置を提供するものである。

【００１０】

【課題を解決しようとする手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る欠陥検査方法は、半導体装置の周期的
な構造に生じる周期の乱れを画像比較によって検出する
欠陥検査方法において、検査中に欠陥の分布の統計処理
を行ない、予想される分布形式から外れた場合に応じて
検査領域を制限するものである。

【００１１】また予想される分布形式から外れた場合の
検査領域は、欠陥密度の高い領域である。

【００１２】また本発明に係る欠陥検査方法は、半導体
装置の周期的な構造に生じる周期の乱れを画像比較によ
って検査する欠陥検査方法において、検査中に欠陥の分
布の統計処理を行ない、ポアソン分布による欠陥の発生
頻度の予測が可能な欠陥数の検査領域では、その欠陥検
査を継続し、ポアソン分布による欠陥の発生頻度の予測
が不可能な突発的な欠陥数のデータが出力される検査領
域を検査対象から排除し、検査領域を制限するものであ
る。

【００１３】またポアソン分布による欠陥の発生頻度の
予測が可能な欠陥の検査データは、パソコンの主記憶装
置に記憶し、ポアソン分布による欠陥の発生頻度の予測
が不可能な突発的な欠陥数のデータが出力される検査領
域での欠陥データは、容量が大きいパソコンの補助記憶
装置に記憶するものである。

【００１４】前記検査データは、作業者による目視検査
のデータ、或いは自動化された半導体装置の再検査を行
う装置の制御データとして利用するものである。

【００１５】また本発明に係る半導体装置の欠陥検査装
置は、半導体装置の周期的な構造に生じる周期の乱れを
画像比較によって検査する欠陥検査装置において、半導
体装置の画像を取込む手段と、パソコンの主記憶装置
と、記憶容量の大きい補助記憶装置と、ポアソン分布に
よる欠陥の発生頻度の予測を行い、ポアソン分布による
欠陥の発生頻度の予測が可能な欠陥の検査データは、パ
ソコンの主記憶装置に記憶し、ポアソン分布による欠陥
の発生頻度の予測が不可能な突発的な欠陥数のデータが
出力される検査領域での欠陥データは、容量が大きいパ
ソコンの補助記憶装置に記憶する手段とを有するもので
ある。なお、前記ポアソン分布による予測に代えて、欠
陥の発生頻度の分布が既知の分布形態に基いて予測を行
うようにしてもよい。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
より説明する。

【００１７】図１は本発明の一実施形態に係る欠陥検査
方法を実施する装置を示す構成図、図２は本発明の一実
施形態に係る欠陥検査方法を説明するフローチャートで
ある。

【００１８】半導体装置には、その構造７が図３に示す
ような周期的な構造となっているものがあり、その半導
体装置の周期的な構造７を画像データとして取込んだ場
合、図３（ａ）に示す画像データは、半導体装置の周期
的な構造７に周期の乱れ７ａがなく、設計値通りに半導
体装置の周期的な構造７が形成された状態の画像データ
であり、図３（ｂ）に示す画像データは、半導体装置の
周期的な構造７の一部に周期の乱れ７ａが生じて、その
半導体装置の周期的な構造７が形成された状態の画像デ
ータとなる。

【００１９】ところで、図３（ｂ）に示す画像データの
ように半導体装置の周期的な構造７の一部に発生する周
期の乱れ７ａは、エッチング時のゴミ等が原因として発
生するものである。このように半導体装置の周期的な構
造７の一部に周期の乱れ７ａがランダムに発生し一定面
積内にｎ個に生じる確率ｆ（ｎ）は、ポアソン分布に従
うことが知られている。また画像処理によって検出され
た欠陥データは、読み込み速度が迅速なパソコンの主記
憶装置（メモリ）に蓄積される。

【００２０】実際の製造ラインでは、エッチング時のゴ
ミ等が原因となって発生する周期の乱れ７ａは、１枚の
半導体ウェハあたり数１０個から数１００個程度でラン
ダムに生じることは経験的に分かっているため、ポアソ
ン分布による欠陥の発生頻度の予測は、判定領域におけ
る判定欠陥数が閾値の範囲に含まれるか否かを基礎とし
て予測するものであり、閾値としての判定欠陥数が１枚
の半導体ウェハあたり数１０個から数１００個程度でラ
ンダムに生じることを前提としている。

【００２１】ところで実際の製造ラインでは、周期の乱
れ７ａは、ポアソン分布による欠陥の発生頻度の予測が
可能なエッチング時のゴミ等が原因となって発生するば
かりでなく、周期の乱れ７ａは、ポアソン分布による欠
陥の発生頻度の予測が不可能な突発的な欠陥、例えば半
導体装置の電極上に残存する絶縁膜、或いは半導体装置
の電極から離れた位置に形成された爪の傷跡等によって
も発生する。

【００２２】画像処理による検査方法の特性上、ポアソ
ン分布による欠陥の発生頻度の予測が不可能な突発的な
欠陥、例えば半導体装置の電極上に残存する絶縁膜、或
いは半導体装置の電極から離れた位置に形成された爪の
傷跡等も欠陥として検査してしまうものであるが、これ
らの欠陥は、作業者の目視検査では欠陥なしとして判定
され、後工程に投入して製造を継続しても問題が生じな
いものであり、製造歩留まりの観点からすると、むしろ
製造を継続すべきである。

【００２３】そこで一般には、ポアソン分布による欠陥
の発生頻度の予測が可能なエッチング時のゴミ等の欠陥
ばかりでなく、ポアソン分布から大きく外れるほど高い
密度で発生する欠陥を含めて、これらの欠陥データを読
み込み速度が迅速なパソコンの主記憶装置（メモリ）に
蓄積しているのが現状である。

【００２４】しかしながら、読み込み速度が迅速なパソ
コンの主記憶装置（メモリ）の容量は現状の技術では一
定の容量に限定されており、パソコンの主記憶装置（メ
モリ）の容量は、一枚の半導体ウェハにおける、ポアソ
ン分布による欠陥の発生頻度の予測が可能なエッチング
時のゴミ等の欠陥及びポアソン分布による欠陥の発生頻
度の予測が不可能な突発的な欠陥のデータを記憶するに
は、不足している。

【００２５】そこで一般には、パソコンの主記憶装置
（メモリ）の残存容量が不足する時点で画像処理による
検査を一旦中断して、パソコンの主記憶装置（メモリ）
から欠陥データを排出した後、これを初期化して検査を
再開させているのが現状である。

【００２６】本発明は以上の現状を考慮して、半導体装
置の周期的な構造７に生じる周期の乱れ７ａを画像比較
によって欠陥検査する際に、検査中に欠陥（周期の乱れ
７ａ）の分布の統計処理を行ない、予想される分布形式
から外れた場合に応じて検査領域を制限する、具体的に
はポアソン分布による欠陥の発生頻度の予測が可能な欠
陥数の検査領域では、その欠陥検査を継続し、ポアソン
分布による欠陥の発生頻度の予測が不可能な突発的な欠
陥数のデータが出力される検査領域を検査対象から排除
し、検査領域を制限することを特徴とするものである。

【００２７】さらにポアソン分布による欠陥の発生頻度
の予測が可能な欠陥の検査データは、読み込み速度が迅
速なパソコンの主記憶装置（メモリ）に記憶し、ポアソ
ン分布による欠陥の発生頻度の予測が不可能な突発的な
欠陥数のデータが出力される検査領域での欠陥データ
は、容量が大きいパソコンの補助記憶装置（ハードデイ
スク等）に記憶し、これらの検査データを、作業者によ
る目視検査のデータ、或いは自動化された半導体装置の
再検査を行う装置の制御データとして利用するものであ
る。

【００２８】さらに本発明は、上述した欠陥検査方法を
実施するために、図１に示すように本発明の一実施形態
に係る欠陥検査装置は、走査型電子顕微鏡などの画像取
得装置１と、プログラム制御により動作するデータ処理
部２と、データの書込み及び読出しを行うデータ記憶部
４と、データ処理部２からのデータに基づいて画像取得
装置１を制御する制御部３と、欠陥密度異常判定処理部
５と、ハードディスク等の補助記憶装置６とを有してい
る。また補助記憶装置６の記憶データを出力するディス
プレイ装置や印刷装置などを含むようにしてもよい。

【００２９】データ記憶部４は、検査手順記憶部４２と
欠陥座標記憶部４１とを有しており、検査手順記憶部４
２は欠陥検査が実施されるべき手順をプログラムとして
記録するものであり、欠陥座標記憶部４１は欠陥検査を
実施して得られる欠陥座標を記録するようになってい
る。

【００３０】データ処理部２は、画像比較手段２２と画
像取得位置決定手段２１とを有しており、検査手順記憶
部４２に記録されているプログラムに基づいてデータ処
理を行うようになっている。

【００３１】データ処理部２の画像取得位置決定手段２
１によって指定された座標データは制御部３に送られ、
制御部３は、画像取得位置決定手段２１によって指定さ
れた座標データに基づいて画像取得装置１を制御し、画
像取得装置１は、制御部３で指定された位置での画像を
取得するようになっている。

【００３２】データ処理部２の画像比較手段２２は、予
め登録された正常画像と画像取得装置１で取得した画像
とを比較して、欠陥が含まれているかどうかを検出する
ようになっている。

【００３３】データ記憶部４の欠陥座標記憶部４１は、
画像比較手段２２で欠陥が検出された場合に、その欠陥
位置の座標データを記録するようになっている。

【００３４】欠陥密度異常判定処理部５は、データ記憶
部４の欠陥座標記憶部４１に記録されたデータに基づい
て欠陥密度を一定時間毎に算出し、その算出データに基
づいてデータ記憶部４の検査手順記憶部４２の検査パラ
メータを変化させるようになっている。

【００３５】上述した一連の動作による欠陥検査は、デ
ータ記憶部４の検査手順記憶部４２に記憶された欠陥検
査手順に従い実施し、上述したように半導体装置の周期
的な構造７に生じる周期の乱れ７ａを画像比較によって
欠陥検査する際に、検査中に欠陥（周期の乱れ７ａ）の
分布の統計処理を行ない、予想される分布形式から外れ
た場合に応じて検査領域を制限する。具体的にはポアソ
ン分布による欠陥の発生頻度の予測が可能な欠陥数の検
査領域では、その欠陥検査を継続し、ポアソン分布によ
る欠陥の発生頻度の予測が不可能な突発的な欠陥数のデ
ータが出力される検査領域を検査対象から排除し、検査
領域を制限することとなる。

【００３６】次に具体例を用いて図１及び図２を参照し
本発明の一実施形態に係る欠陥検査方法をステップ順に
詳細に説明する。

【００３７】まずステップＡ１において、データ処理部
２は、データ記憶部４の検査手順記憶部４２に記録され
ている、ポアソン分布による欠陥の発生頻度の予測に必
要なデータである判定領域Ｒ及び判定欠陥数Ｎ並びに測
定箇所に連続的に番号をつけた場合の終了点Ｅｉを得
る。

【００３８】ここに、判定欠陥数Ｎの初期値は、ポアソ
ン分布による欠陥の発生頻度の予測において考えられう
る最大値とする。また測定点数のカウンタとして変数ｉ
を１に初期化する。

【００３９】次にステップＡ２において、カウンタとし
ての変数ｉが１００の整数倍かどうかを判定する。これ
は、ポアソン分布を用いて欠陥の発生頻度の予測を行う
にあたって１００回毎に判定欠陥数Ｎを計算するための
条件判断であるが、これは、ポアソン分布を用いた欠陥
の発生頻度の予測において欠陥分布がある程度選られる
ように設定されるものであって、１００回という回数自
体に意味はない。

【００４０】引き続いてステップＡ３において、制御部
３は、画像取得位置決定手段２１によって指定されたｉ
番目の座標データに基づいて画像取得装置１を制御し、
画像取得装置１は、制御部３で指定されたｉ番目の位置
における、半導体ウェハに形成された半導体装置の周期
的な構造７の画像データ（図３（ａ）又は（ｂ））を取
得する。

【００４１】データ処理部２の画像比較手段２２は、予
め登録された正常画像と画像取得装置１で取得したｉ番
目の領域の画像データとを比較して、半導体装置の周期
的な構造７に生じる周期の乱れ（欠陥）７ａ（図３
（ｂ）参照）が含まれているかどうかを検出し、欠陥検
査を行う。

【００４２】次にステップＡ４において、半導体装置の
周期的な構造７に生じる周期の乱れ（欠陥）７ａ（図３
（ｂ）参照）が含まれているかどうかについてポアソン
分布による欠陥の発生頻度の予測を行うために、データ
処理部２の画像取得位置決定手段２１は、欠陥座標記憶
部４１の記憶データを参照し、データ処理部２の画像比
較手段２２で検出された欠陥の一定距離Ｒ以内に存在す
る欠陥数ＤＮを得て、欠陥数ＤＮと一定距離Ｒのデータ
に基づいて欠陥密度を計算し、単位領域内の欠陥数Ｆを
求める。このときの欠陥７ａ（図３（ｂ）参照）の座標
を（Ｄ_X，Ｄ_y）とする。

【００４３】次にステップＡ５において、ポアソン分布
による欠陥の発生頻度の予測発生予測が可能なエッチン
グ時のゴミ等の欠陥、或いはポアソン分布による欠陥の
発生頻度の予測が不可能な突発的な欠陥を区別する閾値
を得るため、データ処理部２の画像取得位置決定手段２
１は、単位領域内の欠陥数Ｆと判定欠陥数Ｎを比較す
る。

【００４４】ここに、単位領域内の判定欠陥数Ｎは、ポ
アソン分布による欠陥予測を行うために設定された数値
であるから、この判定欠陥数Ｎを閾値として欠陥数Ｆと
比較することにより、ポアソン分布による欠陥の発生頻
度の予測が可能なエッチング時のゴミ等の欠陥（半導体
装置の周期的な構造７に生じる周期の乱れ（欠陥）７
ａ）であるか、或いはポアソン分布による欠陥の発生頻
度の予測が不可能な突発的な欠陥（半導体装置の周期的
な構造７に生じる周期の乱れ（欠陥）７ａ）であるかを
区別することができる。

【００４５】そこで、データ処理部２の画像取得位置決
定手段２１は、判定欠陥数Ｎの閾値（ポアソン分布によ
る欠陥の発生頻度の予測を行うために設定された数値）
を超えた場合、半導体装置の周期的な構造７に生じる周
期の乱れ（欠陥）７ａの座標（Ｄ_x，Ｄ_y）と、（Ｄ_x＋
Ｒ，Ｄ_y＋Ｒ）内で囲まれる矩形領域に存在する測定箇
所を欠陥検査対象から削除する。

【００４６】データ処理部２の画像取得位置決定手段２
１は、ポアソン分布による欠陥の発生頻度の予測が可能
な欠陥の検査データを読み込み速度が迅速なパソコンの
主記憶装置（メモリ）として機能するデータ記憶部４の
欠陥座標記憶部４１に記憶し、ポアソン分布による欠陥
の発生頻度の予測が不可能な突発的な欠陥のデータが出
力される検査領域での欠陥データは、容量が大きいパソ
コンの補助記憶装置（ハードデイスク等）６に記憶す
る。これらの検査データは、作業者による目視検査のデ
ータ、或いは自動化された半導体装置の再検査を行う装
置の制御データとして利用する。

【００４７】一方ステップＡ７，Ａ８において、データ
処理部２の画像取得位置決定手段２１は、判定欠陥数Ｎ
の閾値以下である場合には、ポアソン分布による欠陥の
発生頻度の予測を行うために次の検査領域を検査するた
めの座標データを制御部３に出力する。

【００４８】以上の説明においては、カウンタとしての
変数を１００とした場合について説明したが、欠陥検査
が継続されて判定欠陥数Ｎのデータが蓄積されるから、
そのデータの出力傾向、例えば各検査領域においる欠陥
数が判定欠陥数Ｎより極めて小さく、半導体装置の周期
的な構造７に生じる周期の乱れ７ａがほぼ零に近い場合
には、検査を間引く、言い換えれば、カウンタとしての
変数を大きく変更した場合の方が欠陥検査を迅速に行う
ことができる。

【００４９】そこで、次にカウンタとしての変数ｉを１
００の倍数毎に判定欠陥数Ｎを更新する（ステップＢ
１）方法を説明する。

【００５０】欠陥密度異常判定部５は、データ記憶部４
の欠陥座標記憶部４１に記録されたデータに基づいて欠
陥７ａの単位面積あたりの欠陥密度を一定時間毎に算出
し、その算出データに基づいてデータ記憶部４の検査手
順記憶部４２の検査パラメータを変化させるようになっ
ており、判定欠陥数Ｎの閾値を算出する。

【００５１】すなわち、一般にポアソン分布による欠陥
の発生頻度の予測が可能な判定欠陥数Ｎは少なく、その
欠陥密度は一枚の半導体ウェハあたり数１０〜数１００
個程度であり、ランダムに生じることが多いものであ
る。

【００５２】そこでステップＢ１において、カウンタと
しての変数ｉが１００の倍数になった時点でポアソン分
布に基いてデータ記憶部４の欠陥座標記憶部４１に記録
されたデータを検証し、Ｍ個の欠陥７ａを含む検査領域
の数に３σを加えた値が１未満となるようなＭの最小値
を判定欠陥数Ｎとして随時更新し、この更新した判定欠
陥数Ｎをデータ記憶部４の欠陥座標記憶部４１に記憶す
る。この判定欠陥数Ｎを更新する手法は、アイエスエス
エム９７’（ＩＳＳＭ ９７’）の予稿集ｐｐ．．５２
−５５にて提案されている。

【００５３】以上の説明では、検査回数を間引く場合に
ついて説明したが、ポアソン分布による欠陥の発生頻度
の予測が不可能な突発的な欠陥の大きさを基準として、
これと検出された欠陥群のうち一定の範囲に存在する欠
陥７ａとを一つの欠陥として認識させる場合において、
同一の欠陥７ａとして認識する範囲を変化させる方法も
可能である。

【００５４】具体的には図２に示すステップＡ６におい
て同一の欠陥として認識する範囲のパラメータを変化さ
せれば良い。

【００５５】また本発明の方法では、ポアソン分布を用
いたが、場合によっては別な分布を指定することもでき
る。たとえば、同一種類の半導体ウェハで問題がない場
合の欠陥の発生頻度の分布が分かっている場合には、そ
の分布形態を用いても良い。

【００５６】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、検
査領域を制限することによって検出欠陥総数を減らすこ
とができるため、部分的に欠陥密度が高くなっている場
合においても、検査装置のメモリを浪費することがなく
なり、広い面積の検査を行うことができるとともに、欠
陥密度が高い場合にはクラスタリング処理に時間を要し
てしまうという問題を回避することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係る欠陥検査方法を実施
する装置を示す構成図である。

【図２】本発明の一実施形態に係る欠陥検査方法を説明
するフローチャートである。

【図３】半導体装置の周期的な構造を画像データとして
取込んだ場合に、周期の乱れの有無を示す画像データの
図である。

【図４】従来例の構成を示す構成図である。

【符号の説明】

１ 画像取得装置 ２ 処理部 ３ 制御部 ４ 記憶装置 ５ 欠陥密度異常判定処理部 ６ 補助記憶装置 ２１ 画像取得位置決定手段 ２２ 画像比較処理部 ４１ 欠陥座標記憶部 ４２ 検査手順記憶部

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体装置の周期的な構造に生じる周期
   の乱れを画像比較によって検出する欠陥検査方法におい
   て、 検査中に欠陥の分布の統計処理を行ない、予想される分
   布形式から外れた場合に応じて検査領域を制限すること
   を特徴とする半導体装置の欠陥検査方法。
2. 【請求項２】 予想される分布形式から外れた場合の検
   査領域は、欠陥密度の高い領域であることを特徴とする
   請求項１に記載の半導体装置の欠陥検査方法。
3. 【請求項３】 半導体装置の周期的な構造に生じる周期
   の乱れを画像比較によって検査する欠陥検査方法におい
   て、 検査中に欠陥の分布の統計処理を行ない、ポアソン分布
   による欠陥の発生頻度の予測が可能な欠陥数の検査領域
   では、その欠陥検査を継続し、ポアソン分布による欠陥
   の発生頻度の予測が不可能な突発的な欠陥数のデータが
   出力される検査領域を検査対象から排除し、検査領域を
   制限することを特徴とする半導体装置の欠陥検査方法。
4. 【請求項４】 ポアソン分布による欠陥の発生頻度の予
   測が可能な欠陥の検査データは、パソコンの主記憶装置
   に記憶し、ポアソン分布による欠陥の発生頻度の予測が
   不可能な突発的な欠陥数のデータが出力される検査領域
   での欠陥データは、容量が大きいパソコンの補助記憶装
   置に記憶することを特徴とする請求項３に記載の半導体
   装置の欠陥検査方法。
5. 【請求項５】 前記検査データを、作業者による目視検
   査のデータ、或いは自動化された半導体装置の再検査を
   行う装置の制御データとして利用することを特徴とする
   請求項３に記載の半導体装置の欠陥検査方法。
6. 【請求項６】 前記ポアソン分布による予測に代えて、
   欠陥の発生頻度の分布が既知の分布形態に基いて予測を
   行うことを特徴とする請求項３，４又は５に記載の半導
   体装置の欠陥検査方法。
7. 【請求項７】 半導体装置の周期的な構造に生じる周期
   の乱れを画像比較によって検査する欠陥検査装置におい
   て、 半導体装置の画像を取込む手段と、パソコンの主記憶装
   置と、記憶容量の大きい補助記憶装置と、ポアソン分布
   による欠陥の発生頻度の予測を行い、ポアソン分布によ
   る欠陥の発生頻度の予測が可能な欠陥の検査データは、
   パソコンの主記憶装置に記憶し、ポアソン分布による欠
   陥の発生頻度の予測が不可能な突発的な欠陥数のデータ
   が出力される検査領域での欠陥データは、容量が大きい
   パソコンの補助記憶装置に記憶する手段とを有するもの
   であることを特徴とする半導体装置の欠陥検査装置。
8. 【請求項８】 前記ポアソン分布による予測に代えて、
   欠陥の発生頻度の分布が既知の分布形態に基いて予測を
   行うことを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の欠
   陥検査装置。