JP2001172284A - Organic light emission element material and organic light emission element using the same - Google Patents

Organic light emission element material and organic light emission element using the same

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JP2001172284A
JP2001172284A JP35801499A JP35801499A JP2001172284A JP 2001172284 A JP2001172284 A JP 2001172284A JP 35801499 A JP35801499 A JP 35801499A JP 35801499 A JP35801499 A JP 35801499A JP 2001172284 A JP2001172284 A JP 2001172284A
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organic light
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carbon atoms
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Toshiki Taguchi
敏樹 田口
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a specific silicon-containing hole transport compound and provide an organic light emission element having high luminance and excellent in durability by using the same. SOLUTION: This organic light emission element material is a compound having a silicon-containing structure expressed by general formula (1) (at least either one of X and Y is a hole transporting group; Z is an atomic group capable of forming a 3-8 membered silicon-containing ring; X, Y and Z may form a cyclic structure in which a part of the structure is mutually bonded). This organic light emission element is provided by using the same compound.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、特定の含ケイ素正
孔輸送性化合物、およびそれらを用いた有機発光素子材
料、ならびに有機発光素子に関する。
The present invention relates to a specific silicon-containing hole transporting compound, an organic light emitting device material using the same, and an organic light emitting device.

【0002】[0002]

【従来の技術】今日、種々の表示素子に関する研究開発
が活発であり、中でも、有機発光 (EL)素子は、低電圧
で高輝度の発光を得ることができ、有望な表示素子とし
て注目されている。例えば、有機化合物の蒸着により有
機薄膜を形成するEL素子が知られている(Applied Physi
cs Letters, 51,p.913〜,(1987))。該文献記載の有機発
光素子は電子輸送材料と正孔輸送材料の積層構造を有
し、従来の単層型素子に比べてその発光特性が大幅に向
上している。この積層型素子で用いられている正孔輸送
材料としては、TPD(N,N'-ジ-m-トリル-N,N'-ジフェニ
ルベンジジン)に代表されるトリアリールアミン誘導体
や、ピロール、カルバゾール、チオフェンといったπ電
子過剰芳香族化合物が、優れた正孔輸送材料として知ら
れている。しかしながら、これらの化合物は結晶性が高
く、正孔輸送材料としてこれらの化合物を用いた有機発
光素子は、生保存性に問題があることが知られている。
この問題を解決する手段として、トリアリールアミン誘
導体の場合には、縮合多環芳香族基を導入したり、対称
性を向上させた化合物群を使用したりする技術が、App
l.Phys.Lett. 56,799(1990), Polymer Preprints(ACS)
349(1997)等に開示されている。また、カルバゾール誘
導体などの含窒素ヘテロ環化合物についても同様の検討
や、高分子化する技術がAppl.Phys.Lett. 63,2627(199
3)等に開示されている。発明者らも、この正孔輸送材料
由来の有機発光素子の生保存性悪化を改良する技術につ
いて、これまで検討を重ねてきた。
2. Description of the Related Art At present, research and development on various display elements are active. Among them, organic light emitting (EL) elements, which can obtain high-luminance light emission at a low voltage, have been attracting attention as promising display elements. I have. For example, an EL element that forms an organic thin film by vapor deposition of an organic compound is known (Applied Physiology).
cs Letters, 51, p. 913-, (1987)). The organic light-emitting device described in the document has a laminated structure of an electron transporting material and a hole transporting material, and its light-emitting characteristics are greatly improved as compared with a conventional single-layer type device. Examples of hole transport materials used in this stacked device include triarylamine derivatives represented by TPD (N, N'-di-m-tolyl-N, N'-diphenylbenzidine), pyrrole, carbazole Π-electron-rich aromatic compounds such as thiophene and thiophene are known as excellent hole transport materials. However, these compounds have high crystallinity, and it is known that an organic light emitting device using these compounds as a hole transport material has a problem in raw storage stability.
As a means for solving this problem, in the case of a triarylamine derivative, a technique of introducing a condensed polycyclic aromatic group or using a compound group with improved symmetry has been proposed by App.
l.Phys.Lett. 56 , 799 (1990), Polymer Preprints (ACS)
349 (1997). In addition, the same study was carried out for nitrogen-containing heterocyclic compounds such as carbazole derivatives, and a technique for polymerizing the compounds was disclosed in Appl.Phys.Lett. 63 , 2627 (1992).
3) etc. The inventors have also studied techniques for improving the deterioration of the raw storage stability of the organic light emitting device derived from the hole transport material.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、良好
な正孔輸送能を有する含ケイ素化合物を開発し、輝度が
高く、素子の生保存性に優れた有機発光素子を作製する
に適した有機発光素子材料を開発することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to develop a silicon-containing compound having a good hole-transporting ability and to produce an organic light-emitting device having high luminance and excellent storage stability of the device. To develop organic light emitting device materials.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明は、下記の化合
物、有機EL素子材料および有機EL素子によって達成され
た。
Means for Solving the Problems The present invention has been achieved by the following compounds, organic EL device materials and organic EL devices.

【0005】1)一般式(1)で表される化合物。1) A compound represented by the general formula (1).

【0006】[0006]

【化2】 Embedded image

【0007】X,Yの少なくともいずれか一方は正孔輸送
性の基である。Zは、ケイ素を含む3〜8員環を形成可
能な原子群である。X,Y,Zはその構造の一部が互いに連
結した環状構造を形成していてもよい。 2)一般式(1)で表される化合物における、X,Yで表
される基の少なくともいずれか一方が1〜3級アミンを
含有することを特徴とする、第1項記載の化合物。 3)一般式(1)で表される化合物における、X,Yで表
される基の少なくともいずれか一方が、縮合あるいは非
縮合型のπ電子過剰芳香族ヘテロ環を含有することを特
徴とする、第1項記載の化合物。 4)第1〜3項記載の一般式(1)で表される化合物、
またはその前駆体を含有することを特徴とする、有機発
光素子材料。 5)一般式(1)中のX,Y,Zの少なくとも1つに重合性
基を含有し、それから誘導されるポリマー化合物を含有
する第4項記載の有機発光素子材料。 6)第4または5項記載の有機発光素子材料を少なくと
も1つ有する有機発光素子。 7)有機層の少なくとも1層が塗布により形成された第
5または6項記載の有機発光素子。
At least one of X and Y is a hole transporting group. Z is an atomic group capable of forming a 3- to 8-membered ring containing silicon. X, Y, and Z may form a cyclic structure in which a part of the structure is connected to each other. 2) The compound according to item 1, wherein in the compound represented by formula (1), at least one of the groups represented by X and Y contains a tertiary amine. 3) In the compound represented by the general formula (1), at least one of the groups represented by X and Y contains a condensed or non-condensed π-electron-rich aromatic heterocycle. 2. The compound according to item 1. 4) a compound represented by the general formula (1) according to any one of items 1 to 3,
Or, an organic light-emitting device material comprising a precursor thereof. 5) The organic light emitting device material according to item 4, wherein at least one of X, Y, and Z in the general formula (1) contains a polymerizable group and contains a polymer compound derived therefrom. 6) An organic light emitting device having at least one organic light emitting device material according to item 4 or 5. 7) The organic light-emitting device according to item 5 or 6, wherein at least one of the organic layers is formed by coating.

【0008】[0008]

【発明の実施の態様】まず、一般式(1)で表される化
合物について説明する。一般式(1)で表される化合物
は、正孔輸送性の基が、環状構造の一部をなすケイ素原
子に置換した構造の化合物である。まず、正孔輸送性を
有する基である、X,Yについて説明する。X,Yはケイ素原
子に置換可能な基または原子を表し、その少なくと一方
は正孔輸送性を有する基を表す。好ましくは両者ともに
正孔輸送性を有する基であり、さらに好ましくは両者が
同一構造を有するものである。正孔輸送性を有する基を
提供する化合物としては、当該分野では種々の構造の化
合物が公知である。例えば、まず第一に1〜3級窒素原
子を有する化合物、すなわちアミン誘導体が挙げられ
る。その中でも、芳香族炭化水素基あるいはヘテロ芳香
族環基が置換したアミンが好ましく、特にその中でも、
3級アミンであってその置換基のすべてが芳香族炭化水
素基あるいはヘテロ芳香族環基である化合物が好まし
い。次に挙げることができるのが、電子過剰なヘテロ芳
香族化合物である。この例としては、ヘテロ原子が環構
造の中に1つ含まれる5員環型のヘテロ芳香族、並びに
これら同士、あるいは芳香族炭化水素と縮合したタイプ
の化合物を挙げることができる。その一例を列挙する
と、例えばピロール、チオフェン、フラン、インドー
ル、カルバゾール、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、
ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、インドリジンな
どを挙げることができる。さらに、窒素原子を有する化
合物として、ヒドラゾン化合物、ピラゾロン化合物、ヒ
ドロキシルアミン化合物、アルコキシアミン化合物など
も正孔輸送性を有する基を提供する化合物として使用可
能である。次に、Zで形成される環状構造について説明
する。本発明の化合物の特徴である、Zで形成される環
状構造は、ケイ素原子を含む3〜8員環構造を表す。こ
の環状構造を形成する原子群は、炭素原子の他、ヘテロ
原子を含むものでもよい。そのヘテロ原子の例を挙げる
と、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、セレン原子、リン
原子、ケイ素原子、ホウ素原子などを挙げることができ
る。中でも好ましくは、ケイ素原子をその環構造の一部
に含有する炭化水素環、あるいは酸素原子、窒素原子、
または硫黄原子を含有する含ケイ素ヘテロ環である。こ
の環は芳香族性を有する環であってもよい。X,Y,Zで表
される基は、さらにその構造の一部が互いに連結した環
状構造を形成していてもよい。X,Y,Zで表される基及び
原子団には、水素原子以外にさまざまな置換基が置換可
能である。その例を列挙すると、ハロゲン原子(例えば
フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、シア
ノ基、ホルミル基、もしくは置換あるいは無置換のアル
キル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素
数1〜15である。例えば、メチル基、t−ブチル基、シ
クロヘキシル基などが挙げられる。)、アルケニル基
(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜15
である。例えば、ビニル基、1-プロペニル基、1-ブテン
-2-イル基、シクロヘキセン-1-イル基などが挙げられ
る。)、アルキニル基(好ましくは炭素数2〜30、より
好ましくは炭素数2〜15である。例えばエチニル基、1-
プロピニル基などが挙げられる。)、アリール基(好ま
しくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜15であ
る。例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフ
チル基、ビフェニリル基、ピレニル基などが挙げられ
る。)、ヘテロ環基(好ましくは5または6員環であ
り、他の環と縮合しても良い。ヘテロ原子としては、例
えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子が挙げられる。好ま
しくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜15であ
る。例えば、ピリジル基、ピペリジル基、オキサゾリル
基、オキサジアゾリル基、テトラヒドロフリル基、チエ
ニル基などが挙げられる。)、1〜3級アミノ基(アミ
ノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ジアルキ
ルアミノ基、ジアリールアミノ基、アルキルアリールア
ミノ基、ヘテロ環アミノ基、ビスヘテロ環アミノ基な
ど。好ましくは3級アミノ基であり、炭素数1〜30、よ
り好ましくは炭素数1〜16である。例えばジメチルアミ
ノ基、ジフェニルアミノ基、フェニルナフチルアミノ基
などが挙げられる。)、イミノ基(-CR11=NR12または-N
=CR1 3R14で表される基。ここでR11〜R14は水素原子、ア
ルキル基、アリール基、ヘテロ環基、アルコキシ基、ア
リールオキシ基、1〜3級アミノ基から選ばれる基であ
る。好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜
15である。)、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜3
0、より好ましくは炭素数1〜15である。例えば、メトキ
シ基、エトキシ基、シクロヘキシルオキシ基などが挙げ
られる。)、アリールオキシ基(好ましくは炭素数6〜3
0、より好ましくは炭素数6〜15である。例えば、フェノ
キシ基、1-ナフトキシ基、4-フェニルフェノキシ基シな
どが挙げられる。)、アルキルチオ基(好ましくは炭素
数1〜30、より好ましくは炭素数1〜15である。例えば、
メチルチオ基、エチルチオ基、シクロヘキシルチオ基な
どが挙げられる。)、アリールチオ基(好ましくは炭素
数6〜30、より好ましくは炭素数6〜15である。例えば、
フェニルチオ基、トリルチオ基などが挙げられる。)カ
ルボンアミド基(好ましくは炭素数1〜30、より好まし
くは炭素数1〜15である。例えば、アセトアミド基、ベ
ンゾイルアミド基、N-メチルベンゾイルアミド基などが
挙げられる。)、スルホンアミド基(好ましくは炭素数
1〜30、より好ましくは炭素数1〜15である。例えば、メ
タンスルホンアミド基、ベンゼンスルホンアミド基、p-
トルエンスルホンアミド基などが挙げられる。)、カル
バモイル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは
炭素数1〜15である。例えば、無置換のカルバモイル
基、メチルカルバモイル基、ジメチルカルバモイル基、
フェニルカルバモイル基、ジフェニルカルバモイル基、
ジオクチルカルバモイル基などが挙げられる。)、スル
ファモイル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましく
は炭素数1〜15である。例えば、無置換のスルファモイ
ル基、メチルスルファモイル基、ジメチルスルファモイ
ル基、フェニルスルファモイル基、ジフェニルスルファ
モイル基、ジオクチルスルファモイル基などが挙げられ
る。)、アルキルカルボニル基(好ましくは炭素数1〜3
0、より好ましくは炭素数1〜15である。例えば、アセチ
ル基、プロピオニル基、ブチロイル基、ラウロイル基な
どが挙げられる。)、アリールカルボニル基(好ましく
は炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜15である。例
えば、ベンゾイル基、ナフトイル基などが挙げられ
る。)、アルキルスルホニル基(好ましくは炭素数1〜3
0、より好ましくは炭素数1〜15である。例えば、メタン
スルホニル基、エタンスルホニル基などが挙げられ
る。)、アリールスルホニル基(好ましくは炭素数6〜3
0、より好ましくは炭素数6〜15である。例えば、ベンゼ
ンスルホニル基、p-トルエンスルホニル基、1-ナフタレ
ンスルホニル基などが挙げられる。)、アルコキシカル
ボニル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭
素数1〜15である。例えば、メトキシカルボニル基、エ
トキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基などが挙げ
られる。)、アリールオキシカルボニル基(好ましくは
炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜15である。例え
ばフェノキシカルボニル基、1-ナフトキシカルボニル基
などが挙げられる。)、アルキルカルボニルオキシ基
(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜15
である。例えば、アセトキシ基、プロピオニルオキシ
基、ブチロイルオキシ基などが挙げられる。)、アリー
ルカルボニルオキシ基(好ましくは炭素数6〜30、より
好ましくは炭素数6〜15である。例えばベンゾイルオキ
シ基、1-ナフトイルオキシ基などが挙げられる。)、ウ
レタン基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭
素数1〜15である。例えば、メトキシカルボンアミド
基、フェノキシカルボンアミド基、メチルアミノカルボ
ンアミド基などが挙げられる。)、ウレイド基(好まし
くは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜15である。
例えば、メチルアミノカルボンアミド基、ジメチルアミ
ノカルボンアミド基、ジフェニルアミノカルボンアミド
基などが挙げられる。)、炭酸エステル基(好ましくは
炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜15である。例え
ば、メトキシカルボニルオキシ基、フェノキシカルボニ
ルオキシ基などが挙げられる。)などである。さらに、
一般式(1)で表される化合物は、そのケイ素含有環構
造をその繰り返し単位の一部に有する、ポリマー化合物
を形成してもよい。この場合、X,Y,Zの中にエチレン性
不飽和結合などの重合性基、もしくは縮重合を起こすよ
うなカルボキシル基やアミノ基、エステル基といった重
合性基を含有し、その基が重合することによりポリマー
を形成してもよいし、一般式(1)で表される化合物の
前駆体が一般式(1)の化合物骨格を形成しつつポリマ
ーを形成してもよい。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First, a compound represented by the general formula (1)
The compound will be described. Compound represented by general formula (1)
Is a silicon source where the hole transporting group is a part of a cyclic structure.
It is a compound having a structure substituted with a child. First, the hole transportability
X and Y, which are groups possessed, will be described. X and Y are silicon sources
Represents a substitutable group or atom, at least one of which
Represents a group having a hole transporting property. Preferably both
A group having a hole transporting property, and more preferably
They have the same structure. A group having a hole transporting property
The compounds to be provided include various structures in the art.
Compounds are known. For example, first of all, the first to third grade nitrogen sources
Compounds having an atom, that is, amine derivatives
You. Among them, aromatic hydrocarbon groups or heteroaromatics
Amines substituted by an aromatic ring group are preferred, and among them,
Tertiary amines whose substituents are all aromatic hydrocarbons
Compounds that are an amino group or a heteroaromatic ring group are preferred.
No. The following can be cited as heterogeneous electrons.
It is an aromatic compound. In this example, the heteroatom has a ring structure.
5-membered heteroaromatic contained in the structure, and
These are condensed with each other or with aromatic hydrocarbons
Can be mentioned. List one example
And, for example, pyrrole, thiophene, furan, indore
, Carbazole, benzothiophene, benzofuran,
Dibenzothiophene, dibenzofuran, indolizine
And so on. Furthermore, a compound having a nitrogen atom
As compounds, hydrazone compounds, pyrazolone compounds,
Droxylamine compound, alkoxyamine compound, etc.
Can also be used as a compound to provide a group having a hole transporting property
Noh. Next, the annular structure formed by Z is explained.
I do. Rings formed with Z that are characteristic of the compounds of the present invention
The state structure represents a 3- to 8-membered ring structure containing a silicon atom. This
The atoms that form the cyclic structure of
It may contain atoms. Give examples of its heteroatoms
And oxygen, nitrogen, sulfur, selenium, and phosphorus
Atom, silicon atom, boron atom, etc.
You. Among them, preferably, a silicon atom is part of its ring structure.
A hydrocarbon ring, or an oxygen atom, a nitrogen atom,
Or a silicon-containing heterocycle containing a sulfur atom. This
May be a ring having aromaticity. X, Y, Z
Is a ring in which a part of the structure is further linked to each other.
May be formed. Groups represented by X, Y, Z, and
Various substituents other than hydrogen atoms can be substituted in the atomic group
Noh. To list the examples, a halogen atom (for example,
Fluorine, chlorine, bromine, iodine), shea
Group, formyl group, or substituted or unsubstituted
A kill group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably
The numbers are 1 to 15. For example, a methyl group, a t-butyl group,
And a clohexyl group. ), Alkenyl group
(Preferably 2-30 carbon atoms, more preferably 2-15 carbon atoms
It is. For example, vinyl group, 1-propenyl group, 1-butene
2-yl group, cyclohexen-1-yl group and the like.
You. ), Alkynyl group (preferably having 2 to 30 carbon atoms,
Preferably it has 2 to 15 carbon atoms. For example, an ethynyl group, 1-
And a propynyl group. ), Aryl groups (preferred)
Or 6 to 30 carbon atoms, more preferably 6 to 15 carbon atoms.
You. For example, phenyl, tolyl, xylyl, naph
Tyl group, biphenylyl group, pyrenyl group and the like.
You. ), A heterocyclic group (preferably a 5- or 6-membered ring)
Or may be condensed with another ring. Examples of heteroatoms include
Examples include a nitrogen atom, an oxygen atom, and a sulfur atom. Like
Or 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 15 carbon atoms.
You. For example, pyridyl group, piperidyl group, oxazolyl
Group, oxadiazolyl group, tetrahydrofuryl group, thie
And the like. ), Primary to tertiary amino groups (ami
Group, alkylamino group, arylamino group, dialkyi
Ruamino group, diarylamino group, alkylaryl group
Amino group, heterocyclic amino group, bisheterocyclic amino group
And so on. It is preferably a tertiary amino group, having 1 to 30 carbon atoms.
More preferably, it has 1 to 16 carbon atoms. For example, dimethylami
Group, diphenylamino group, phenylnaphthylamino group
And the like. ), Imino group (-CR11= NR12Or -N
= CR1 ThreeR14Group represented by Where R11~ R14Is a hydrogen atom,
Alkyl group, aryl group, heterocyclic group, alkoxy group,
A group selected from a reeloxy group and a primary to tertiary amino group.
You. Preferably 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 30 carbon atoms
It is 15. ), An alkoxy group (preferably having 1 to 3 carbon atoms)
It has 0, more preferably 1 to 15 carbon atoms. For example,
Ci, ethoxy, cyclohexyloxy, etc.
Can be ), An aryloxy group (preferably having 6 to 3 carbon atoms)
It has 0, more preferably 6 to 15 carbon atoms. For example, Feno
Xy, 1-naphthoxy, 4-phenylphenoxy
And so on. ), An alkylthio group (preferably carbon
It has 1 to 30, more preferably 1 to 15 carbon atoms. For example,
Methylthio, ethylthio, cyclohexylthio, etc.
And so on. ), An arylthio group (preferably carbon
It has 6 to 30, more preferably 6 to 15 carbon atoms. For example,
Examples include a phenylthio group and a tolylthio group. )
Rubonamide group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably
It has 1 to 15 carbon atoms. For example, an acetamido group,
Benzoylamide group, N-methylbenzoylamide group, etc.
No. ), Sulfonamide group (preferably carbon number
It has 1 to 30, more preferably 1 to 15 carbon atoms. For example,
Tansulfonamide group, benzenesulfonamide group, p-
And a toluenesulfonamide group. ), Cal
Bamoyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably
It has 1 to 15 carbon atoms. For example, unsubstituted carbamoyl
Group, methylcarbamoyl group, dimethylcarbamoyl group,
Phenylcarbamoyl group, diphenylcarbamoyl group,
And a dioctylcarbamoyl group. ), Sur
Famoyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably
Has 1 to 15 carbon atoms. For example, unsubstituted sulfamoi
Group, methylsulfamoyl group, dimethylsulfamoy
Group, phenylsulfamoyl group, diphenylsulfa
Moyl group, dioctylsulfamoyl group and the like.
You. ), An alkylcarbonyl group (preferably having 1 to 3 carbon atoms)
It has 0, more preferably 1 to 15 carbon atoms. For example, Acet
Group, propionyl group, butyroyl group, lauroyl group
And so on. ), Arylcarbonyl group (preferably
Has 6 to 30 carbon atoms, more preferably 6 to 15 carbon atoms. An example
For example, benzoyl group, naphthoyl group, etc.
You. ), An alkylsulfonyl group (preferably having 1 to 3 carbon atoms)
It has 0, more preferably 1 to 15 carbon atoms. For example, methane
Sulfonyl group, ethanesulfonyl group and the like.
You. ), An arylsulfonyl group (preferably having 6 to 3 carbon atoms)
It has 0, more preferably 6 to 15 carbon atoms. For example, Benze
Sulfonyl group, p-toluenesulfonyl group, 1-naphthale
And a sulfonyl group. ), Alkoxycal
Bonyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably
It is a prime number 1-15. For example, a methoxycarbonyl group, d
Toxoxycarbonyl group, butoxycarbonyl group, etc.
Can be ), An aryloxycarbonyl group (preferably
It has 6 to 30 carbon atoms, more preferably 6 to 15 carbon atoms. example
Phenoxycarbonyl group, 1-naphthoxycarbonyl group
And the like. ), Alkylcarbonyloxy group
(Preferably 1-30 carbon atoms, more preferably 1-15 carbon atoms
It is. For example, an acetoxy group, a propionyloxy
Group, butyroyloxy group and the like. ), Ally
Carbonyloxy group (preferably having 6 to 30 carbon atoms,
Preferably it has 6 to 15 carbon atoms. For example, benzoyloki
And a 1-naphthoyloxy group. ), C
Rethane group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably charcoal
It is a prime number 1-15. For example, methoxycarbonamide
Group, phenoxycarbonamide group, methylaminocarbo
And amido groups. ), Ureido group (preferred
It preferably has 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 15 carbon atoms.
For example, methylaminocarbonamide group, dimethylamino
Nocarbonamide group, diphenylaminocarbonamide
And the like. ), A carbonate group (preferably
It has 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 15 carbon atoms. example
For example, methoxycarbonyloxy group, phenoxycarboni
And a luoxy group. ). further,
The compound represented by the general formula (1) has the silicon-containing ring structure
Compound having a structure as a part of its repeating unit
May be formed. In this case, ethylenic in X, Y, Z
May cause polymerizable groups such as unsaturated bonds, or condensation polymerization
Such as carboxyl, amino and ester groups
Containing a compatible group and polymerizing the group
Or a compound represented by the general formula (1)
The polymer is formed while the precursor forms the compound skeleton of the general formula (1).
May be formed.

【0009】一般式(1)で表される化合物は、低分子
・高分子いずれの場合であっても、最終的に機能を発現
する構造となる化合物をそのまま使用することも可能で
あるし、その前駆体を有機発光素子に使用し、素子を構
成した後、あるいはその途中で、物理的あるいは化学的
な後処理によって最終的な構造に誘導してもよい。低分
子化合物として使用する場合、その分子量として好まし
くは200〜5000、好ましくは300〜2000の範囲である。高
分子化合物として使用する場合、平均分子量(Mw)として
好ましくは2000〜1000000、好ましくは5000〜100000の
範囲である。
Regarding the compound represented by the general formula (1), a compound having a structure finally exhibiting a function can be used as it is, regardless of whether it is a low molecular weight or a high molecular weight. The precursor may be used in an organic light-emitting device, and after or during the construction of the device, a physical or chemical post-treatment may be used to guide the final structure. When used as a low molecular weight compound, the molecular weight is preferably in the range of 200 to 5,000, preferably 300 to 2,000. When used as a polymer compound, the average molecular weight (Mw) is preferably in the range of 2,000 to 100,000, preferably 5,000 to 100,000.

【0010】一般式(1)で表される化合物は、公知の
方法で合成可能である。最も一般的な方法としては、ま
ずハロゲノシラン化合物からZに相当する構造を導入
し、その後にX,Yで表される構造を導入する方法を挙げ
ることができる。以下に一般的な合成スキームを記載
し、その後に、本発明の化合物の具体例を例示する。本
発明はもちろんこれらの具体例によって限定されるもの
ではない。
The compound represented by the general formula (1) can be synthesized by a known method. The most common method is to first introduce a structure corresponding to Z from a halogenosilane compound, and then introduce a structure represented by X or Y. The general synthesis scheme is described below, followed by specific examples of the compound of the present invention. The invention is of course not limited by these specific examples.

【0011】[0011]

【化3】 Embedded image

【0012】[0012]

【化4】 Embedded image

【0013】[0013]

【化5】 Embedded image

【0014】[0014]

【化6】 Embedded image

【0015】[0015]

【化7】 Embedded image

【0016】[0016]

【化8】 Embedded image

【0017】[0017]

【化9】 Embedded image

【0018】[0018]

【化10】 Embedded image

【0019】[0019]

【化11】 Embedded image

【0020】次に、本発明の化合物を含有する発光素子
に関して説明する。本発明の化合物を含有する発光素子
の有機層の形成方法は、特に限定されるものではない
が、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子
積層法、コーティング法、インクジェット法などの方法
が用いられ、特性面、製造面で抵抗加熱蒸着、コーティ
ング法が好ましい。
Next, a light emitting device containing the compound of the present invention will be described. The method for forming the organic layer of the light-emitting element containing the compound of the present invention is not particularly limited, and a method such as resistance heating evaporation, electron beam, sputtering, molecular lamination, coating, or an inkjet method is used. From the viewpoint of characteristics and production, resistance heating evaporation and coating are preferred.

【0021】本発明の発光素子は陽極、陰極の一対の電
極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物薄
膜を形成した素子であり、発光層のほか正孔注入層、正
孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、保護層などを有し
てもよく、またこれらの各層はそれぞれ他の機能を備え
たものであってもよい。各層の形成にはそれぞれ種々の
材料を用いることができる。
The light-emitting device of the present invention is a device in which a light-emitting layer or a plurality of organic compound thin films including the light-emitting layer is formed between a pair of anode and cathode electrodes. , An electron injection layer, an electron transport layer, a protective layer, and the like, and each of these layers may have another function. Various materials can be used for forming each layer.

【0022】陽極は正孔注入層、正孔輸送層、発光層な
どに正孔を供給するものであり、金属、合金、金属酸化
物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物などを用
いることができ、好ましくは仕事関数が4eV以上の材
料である。具体例としては酸化スズ、酸化亜鉛、酸化イ
ンジウム、酸化インジウムスズ(ITO)等の導電性金
属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金
属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物
または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物
質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなど
の有機導電性材料、およびこれらとITOとの積層物な
どが挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であり、
特に、生産性、高導電性、透明性等の点からITOが好
ましい。陽極の膜厚は材料により適宜選択可能である
が、通常10nm〜5μmの範囲のものが好ましく、よ
り好ましくは50nm〜1μmであり、更に好ましくは
100nm〜500nmである。
The anode supplies holes to the hole injection layer, the hole transport layer, the light emitting layer, and the like. A metal, an alloy, a metal oxide, an electrically conductive compound, or a mixture thereof is used. It is possible to use a material having a work function of 4 eV or more. Specific examples include conductive metal oxides such as tin oxide, zinc oxide, indium oxide, and indium tin oxide (ITO), or metals such as gold, silver, chromium, and nickel, and furthermore, these metals and conductive metal oxides. Mixtures or laminates, inorganic conductive substances such as copper iodide and copper sulfide, organic conductive materials such as polyaniline, polythiophene, and polypyrrole, and laminates of these with ITO, and the like. Oxides,
In particular, ITO is preferable in terms of productivity, high conductivity, transparency, and the like. The thickness of the anode can be appropriately selected depending on the material, but is usually preferably in the range of 10 nm to 5 μm, more preferably 50 nm to 1 μm, and still more preferably 100 nm to 500 nm.

【0023】陽極は通常、ソーダライムガラス、無アル
カリガラス、透明樹脂基板などの上に層形成したものが
用いられる。ガラスを用いる場合、その材質について
は、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アル
カリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライ
ムガラスを用いる場合、シリカなどのバリアコートを施
したものを使用することが好ましい。基板の厚みは、機
械的強度を保つのに十分であれば特に制限はないが、ガ
ラスを用いる場合には、通常0.2mm以上、好ましく
は0.7mm以上のものを用いる。陽極の作製には材料
によって種々の方法が用いられるが、例えばITOの場
合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着
法、化学反応法(ゾル−ゲル法など)、酸化インジウム
スズの分散物の塗布などの方法で膜形成される。陽極は
洗浄その他の処理により、素子の駆動電圧を下げたり、
発光効率を高めることも可能である。例えばITOの場
合、UV−オゾン処理、プラズマ処理などが効果的であ
る。
As the anode, a layer formed on a soda lime glass, an alkali-free glass, a transparent resin substrate or the like is usually used. When glass is used, it is preferable to use non-alkali glass in order to reduce ions eluted from the glass. Further, when soda lime glass is used, it is preferable to use a glass coated with a barrier coat such as silica. The thickness of the substrate is not particularly limited as long as it is sufficient to maintain the mechanical strength. When glass is used, the thickness is usually 0.2 mm or more, preferably 0.7 mm or more. Various methods are used for manufacturing the anode depending on the material. For example, in the case of ITO, an electron beam method, a sputtering method, a resistance heating evaporation method, a chemical reaction method (such as a sol-gel method), and a dispersion of indium tin oxide are used. The film is formed by a method such as coating. The anode can be cleaned or otherwise treated to lower the device's drive voltage,
It is also possible to increase the luminous efficiency. For example, in the case of ITO, UV-ozone treatment, plasma treatment and the like are effective.

【0024】陰極は電子注入層、電子輸送層、発光層な
どに電子を供給するものであり、電子注入層、電子輸送
層、発光層などの負極と隣接する層との密着性やイオン
化ポテンシャル、安定性等を考慮して選ばれる。陰極の
材料としては金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化
物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物を用いる
ことができ、具体例としてはアルカリ金属(例えばL
i、Na、K、Cs等)及びそのフッ化物、アルカリ土
類金属(例えばMg、Ca等)及びそのフッ化物、金、
銀、鉛、アルニウム、ナトリウム−カリウム合金または
それらの混合金属、リチウム−アルミニウム合金または
それらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれら
の混合金属、インジウム、イッテリビウム等の希土類金
属等が挙げられ、好ましくは仕事関数が4eV以下の材
料であり、より好ましくはアルミニウム、リチウム−ア
ルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム
−銀合金またはそれらの混合金属等である。陰極は、上
記化合物及び混合物の単層構造だけでなく、上記化合物
及び混合物を含む積層構造を取ることもできる。陰極の
膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常10nm
〜5μmの範囲のものが好ましく、より好ましくは50
nm〜1μmであり、更に好ましくは100nm〜1μ
mである。陰極の作製には電子ビーム法、スパッタリン
グ法、抵抗加熱蒸着法、コーティング法などの方法が用
いられ、金属を単体で蒸着することも、二成分以上を同
時に蒸着することもできる。さらに、複数の金属を同時
に蒸着して合金電極を形成することも可能であり、また
あらかじめ調整した合金を蒸着させてもよい。陽極及び
陰極のシート抵抗は低い方が好ましく、数百Ω/□以下
が好ましい。
The cathode supplies electrons to the electron injection layer, the electron transport layer, the light emitting layer, and the like. The cathode has good adhesion, ionization potential, and the like between the negative electrode such as the electron injection layer, the electron transport layer, and the light emitting layer. It is selected in consideration of stability and the like. As a material for the cathode, a metal, an alloy, a metal halide, a metal oxide, an electrically conductive compound, or a mixture thereof can be used. Specific examples thereof include an alkali metal (for example, L
i, Na, K, Cs, etc.) and their fluorides, alkaline earth metals (eg, Mg, Ca, etc.) and their fluorides, gold,
Silver, lead, alnium, sodium-potassium alloy or mixed metal thereof, lithium-aluminum alloy or mixed metal thereof, magnesium-silver alloy or mixed metal thereof, indium, rare earth metal such as ytterbium, and the like, preferably A material having a work function of 4 eV or less, more preferably aluminum, a lithium-aluminum alloy or a mixed metal thereof, a magnesium-silver alloy or a mixed metal thereof, or the like. The cathode can have not only a single-layer structure of the compound and the mixture, but also a stacked structure including the compound and the mixture. The thickness of the cathode can be appropriately selected depending on the material, but is usually 10 nm.
-5 μm is preferable, and more preferably 50 μm.
nm to 1 μm, and more preferably 100 nm to 1 μm.
m. A method such as an electron beam method, a sputtering method, a resistance heating evaporation method, or a coating method is used for manufacturing the cathode, and a metal can be evaporated alone or two or more components can be simultaneously evaporated. Further, an alloy electrode can be formed by depositing a plurality of metals at the same time, or an alloy prepared in advance may be deposited. The sheet resistance of the anode and the cathode is preferably low, and is preferably several hundred Ω / □ or less.

【0025】発光層の材料は、電界印加時に陽極または
正孔注入層、正孔輸送層から正孔を注入することができ
ると共に陰極または電子注入層、電子輸送層から電子を
注入することができる機能や、注入された電荷を移動さ
せる機能、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させ
る機能を有する層を形成することができるものであれば
何でもよい。好ましくは発光層に本発明のアミン化合物
を含有するものであるが、他の発光材料を用いることも
できる。例えばベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミ
ダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベ
ンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジ
エン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタ
ルイミド誘導体、クマリン誘導体、ペリレン誘導体、ペ
リノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アルダジン誘
導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、
ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導
体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導
体、シクロペンタジエン誘導体、スチリルアミン誘導
体、芳香族ジメチリディン化合物、8−キノリノール誘
導体の金属錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体
等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレン
ビニレン等のポリマー化合物等が挙げられる。発光層の
膜厚は特に限定されるものではないが、通常1nm〜5
μmの範囲のものが好ましく、より好ましくは5nm〜
1μmであり、更に好ましくは10nm〜500nmで
ある。発光層の形成方法は、特に限定されるものではな
いが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分
子積層法、コーティング法(スピンコート法、キャスト
法、ディップコート法など)、LB法、インクジェット
法などの方法が用いられ、好ましくは抵抗加熱蒸着、コ
ーティング法である。
The material of the light emitting layer is capable of injecting holes from an anode or a hole injection layer or a hole transport layer when applying an electric field and also injecting electrons from a cathode or an electron injection layer or an electron transport layer. Any material can be used as long as it can form a layer having a function, a function of transferring injected charges, and a function of providing a field of recombination of holes and electrons to emit light. Preferably, the light emitting layer contains the amine compound of the present invention, but other light emitting materials can also be used. For example, benzoxazole derivatives, benzimidazole derivatives, benzothiazole derivatives, styrylbenzene derivatives, polyphenyl derivatives, diphenylbutadiene derivatives, tetraphenylbutadiene derivatives, naphthalimide derivatives, coumarin derivatives, perylene derivatives, perinone derivatives, oxadiazole derivatives, aldazine derivatives , Pyrazine derivative, cyclopentadiene derivative,
Bisstyrylanthracene derivatives, quinacridone derivatives, pyrrolopyridine derivatives, thiadiazolopyridine derivatives, cyclopentadiene derivatives, styrylamine derivatives, aromatic dimethylidin compounds, various metal complexes represented by 8-quinolinol derivative metal complexes and rare earth complexes, Polymer compounds such as polythiophene, polyphenylene, and polyphenylenevinylene are exemplified. Although the thickness of the light emitting layer is not particularly limited, it is usually 1 nm to 5 nm.
It is preferably in the range of μm, more preferably 5 nm to
It is 1 μm, and more preferably 10 nm to 500 nm. The method for forming the light-emitting layer is not particularly limited, but includes resistance heating evaporation, electron beam, sputtering, molecular lamination, coating (spin coating, casting, dip coating, etc.), LB, and ink jet. A method such as resistance heating evaporation and a coating method are preferred.

【0026】正孔注入層、正孔輸送層の材料は、陽極か
ら正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から
注入された電子を障壁する機能のいずれか有しているも
のであればよい。本発明では一般式(1)の化合物をこ
の目的に使用する。正孔注入層、正孔輸送層の膜厚は特
に限定されるものではないが、通常1nm〜5μmの範
囲のものが好ましく、より好ましくは5nm〜1μmで
あり、更に好ましくは10nm〜500nmである。正
孔注入層、正孔輸送層は上述した材料の1種または2種
以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成また
は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
正孔注入層、正孔輸送層の形成方法としては、真空蒸着
法やLB法やインクジェット法、前記正孔注入輸送剤を
溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法(ス
ピンコート法、キャスト法、ディップコート法など)が
用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶
解または分散することができ、樹脂成分としては例え
ば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレ
ン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレ
ート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオ
キシド、ポリブタジエン、ポリ(N−ビニルカルバゾー
ル)、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポ
リアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ABS樹
脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル
樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂など
が挙げられる。
The material of the hole injection layer and the hole transport layer has one of a function of injecting holes from the anode, a function of transporting holes, and a function of blocking electrons injected from the cathode. Should be fine. In the present invention, the compound of the general formula (1) is used for this purpose. The thickness of the hole injection layer and the hole transport layer is not particularly limited, but is usually preferably in the range of 1 nm to 5 μm, more preferably 5 nm to 1 μm, and still more preferably 10 nm to 500 nm. . The hole injection layer and the hole transport layer may have a single-layer structure composed of one or more of the above-described materials, or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions.
Examples of the method for forming the hole injection layer and the hole transport layer include a vacuum deposition method, an LB method, an inkjet method, and a method in which the hole injection and transport agent is dissolved or dispersed in a solvent and coated (spin coating method, casting method, Dip coating method) is used. In the case of the coating method, it can be dissolved or dispersed together with the resin component. Examples of the resin component include polyvinyl chloride, polycarbonate, polystyrene, polymethyl methacrylate, polybutyl methacrylate, polyester, polysulfone, polyphenylene oxide, polybutadiene, and poly (N -Vinyl carbazole), hydrocarbon resins, ketone resins, phenoxy resins, polyamides, ethyl cellulose, vinyl acetate, ABS resins, polyurethanes, melamine resins, unsaturated polyester resins, alkyd resins, epoxy resins, silicone resins, and the like.

【0027】電子注入層、電子輸送層の材料は、陰極か
ら電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から
注入された正孔を障壁する機能のいずれか有しているも
のであればよい。その具体例としては、トリアゾール誘
導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、
フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ア
ントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピラン
ジオキシド誘導体、カルビジイミド誘導体、フルオレニ
リデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフ
タレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フ
タロシアニン誘導体、8−キノリノール誘導体の金属錯
体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベン
ゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種
金属錯体等が挙げられる。電子注入層、電子輸送層の膜
厚は特に限定されるものではないが、通常1nm〜5μ
mの範囲のものが好ましく、より好ましくは5nm〜1
μmであり、更に好ましくは10nm〜500nmであ
る。電子注入層、電子輸送層は上述した材料の1種また
は2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組
成または異種組成の複数層からなる多層構造であっても
よい。電子注入層、電子輸送層の形成方法としては、真
空蒸着法やLB法やインクジェット法、前記電子注入輸
送剤を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方
法(スピンコート法、キャスト法、ディップコート法な
ど)などが用いられる。コーティング法の場合、樹脂成
分と共に溶解または分散することができ、樹脂成分とし
ては例えば、正孔注入輸送層の場合に例示したものが適
用できる。
The material of the electron injecting layer and the electron transporting layer is not limited as long as it has a function of injecting electrons from the cathode, a function of transporting electrons, or a function of blocking holes injected from the anode. Good. Specific examples thereof include triazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives,
Heterocyclic tetracarboxylic anhydrides such as fluorenone derivatives, anthraquinodimethane derivatives, anthrone derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyrandioxide derivatives, carbidiimide derivatives, fluorenylidene methane derivatives, distyrylpyrazine derivatives, naphthalene perylene, and phthalocyanines And various metal complexes represented by metal complexes of derivatives, 8-quinolinol derivatives, metal phthalocyanines, and metal complexes having benzoxazole or benzothiazole as ligands. The thickness of the electron injection layer and the electron transport layer is not particularly limited, but is usually 1 nm to 5 μm.
m, more preferably 5 nm to 1
μm, and more preferably 10 nm to 500 nm. The electron injection layer and the electron transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above-mentioned materials, or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions. Examples of the method for forming the electron injecting layer and the electron transporting layer include a vacuum deposition method, an LB method, an ink jet method, and a method in which the electron injecting and transporting agent is dissolved or dispersed in a solvent and coated (spin coating method, casting method, dip coating method). Etc.) are used. In the case of the coating method, it can be dissolved or dispersed together with the resin component. As the resin component, for example, those exemplified in the case of the hole injection transport layer can be applied.

【0028】保護層の材料としては水分や酸素等の素子
劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能
を有しているものであればよい。その具体例としては、
In、Sn、Pb、Au、Cu、Ag、Al、Ti、N
i等の金属、MgO、SiO、SiO2 、Al23、G
eO、NiO、CaO、BaO、Fe23、Y23、T
iO2等の金属酸化物、MgF2、LiF、AlF3、C
aF2等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレ
ア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフル
オロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロ
ロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレン
との共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも1
種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて
得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フ
ッ素共重合体、吸水率1%以上の吸水性物質、吸水率
0.1%以下の防湿性物質等が挙げられる。保護層の形
成方法についても特に限定はなく、例えば真空蒸着法、
スパッタリング法、反応性スパッタリング法、MBE
(分子線エピタキシ)法、クラスターイオンビーム法、
イオンプレーティング法、プラズマ重合法(高周波励起
イオンプレーティング法)、プラズマCVD法、レーザ
ーCVD法、熱CVD法、ガスソースCVD法、コーテ
ィング法、インクジェット法を適用できる。
As the material of the protective layer, any material may be used as long as it has a function of preventing a substance that promotes element deterioration such as moisture and oxygen from entering the element. As a specific example,
In, Sn, Pb, Au, Cu, Ag, Al, Ti, N
metal such as i, MgO, SiO, SiO 2 , Al 2 O 3 , G
eO, NiO, CaO, BaO, Fe 2 O 3, Y 2 O 3, T
metal oxides such as iO 2 , MgF 2 , LiF, AlF 3 , C
aF 2 metal fluorides such as, polyethylene, polypropylene, polymethyl methacrylate, polyimide, polyurea, polytetrafluoroethylene, polychlorotrifluoroethylene, poly-dichloro-difluoroethylene, a copolymer of chlorotrifluoroethylene and dichlorodifluoroethylene, At least one with tetrafluoroethylene
A copolymer obtained by copolymerizing a monomer mixture containing a kind of comonomer, a fluorinated copolymer having a cyclic structure in the copolymer main chain, a water-absorbing substance having a water absorption of 1% or more, a water absorption of 0.1% The following moisture-proof substances are listed. There is no particular limitation on the method of forming the protective layer, for example, a vacuum evaporation method,
Sputtering method, reactive sputtering method, MBE
(Molecular beam epitaxy) method, cluster ion beam method,
An ion plating method, a plasma polymerization method (high-frequency excitation ion plating method), a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a gas source CVD method, a coating method, and an inkjet method can be applied.

【0029】[0029]

【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明
するが、本発明はこれにより限定されるものではない。 (実施例1)25mm×25mm×0.7mmのガラス基板上にITOを
150nmの厚さで製膜したもの(東京三容真空(株)製)
を透明支持基板とした。この透明支持基板をエッチン
グ、洗浄後、銅フタロシアニンを約10nm蒸着した。次に
TPD(N,N' -ビス(3-メチルフェニル)-N,N'-ジフェニ
ルベンジジン)約40nm、および第3層としてAlq(トリ
ス(8-ヒドロキシキノリナト)アルミニウム)約60nmを
順に10-3〜10-4Paの真空中で、基板温度室温の条件下蒸
着した。有機薄膜上にパターニングしたマスク(発光面
積が5mm×5mmとなるマスク)を設置し、蒸着装置内でマ
グネシウム:銀=10:1を250nm共蒸着した後、銀300nmを
蒸着し、素子101を作製した。素子101に対して、TPDの
代わりに比較化合物3種と本発明の化合物4種を用いた
以外は、101と全く同じ組成のEL素子102〜108を作製し
た。東陽テクニカ製ソースメジャーユニット2400型を用
いて、直流定電圧をEL素子に印加し発光させ、その輝度
をトプコン社の輝度計BM-8、また発光波長については浜
松ホトニクス社製スペクトルアナライザーPMA-11を用い
て測定した。その結果を表1に示す。
EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples, but the present invention is not limited thereto. (Example 1) ITO on a 25 mm x 25 mm x 0.7 mm glass substrate
Film formed with a thickness of 150 nm (Tokyo Sanyo Vacuum Co., Ltd.)
Was used as a transparent support substrate. After etching and washing the transparent support substrate, about 10 nm of copper phthalocyanine was deposited. next
The TPD (N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'-diphenylbenzidine) of about 40 nm and the third layer of Alq (tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum) of about 60 nm in order of 10 -3. Vapor deposition was performed at a substrate temperature of room temperature in a vacuum of 1010 −4 Pa. A patterned mask (a mask with a light-emitting area of 5 mm x 5 mm) is placed on the organic thin film, and magnesium: silver = 10: 1 is co-deposited at 250 nm in a vapor deposition device, and then 300 nm of silver is vapor-deposited to produce the element 101. did. EL devices 102 to 108 having exactly the same composition as 101 except that three comparative compounds and four compounds of the present invention were used instead of TPD for device 101 were produced. Using a source measure unit 2400 manufactured by Toyo Technica, a DC constant voltage is applied to the EL element to emit light, and the brightness is measured by a luminance meter BM-8 manufactured by Topcon Corporation.The emission wavelength is measured by a spectrum analyzer PMA-11 manufactured by Hamamatsu Photonics. It measured using. Table 1 shows the results.

【0030】[0030]

【表1】 [Table 1]

【0031】[0031]

【化12】 Embedded image

【0032】また、これらの素子をアルゴンガスで置換
したオートクレーブ中に封入し、85℃の加熱条件下、1
0日間保存した後に、同様の輝度測定・および発光面状
観察を行った結果を表2に示す。
Further, these elements were sealed in an autoclave replaced with argon gas, and heated under a heating condition of 85 ° C. for 1 hour.
Table 2 shows the results of the same luminance measurement and light emission surface observation after storage for 0 days.

【0033】[0033]

【表2】 [Table 2]

【0034】表1の結果から明らかな様に、比較化合物
を用いた素子102〜104ではタイプ素子101に比べて低輝
度の発光しか得られていないことがわかる。これに対し
て、本発明の正孔輸送材料を用いた素子105〜108では、
タイプ以上の発光が観測された。さらに、表2の結果か
ら、本発明の化合物を用いた素子では、耐久性の面にお
いても、タイプ以上の顕著な性能が得られていることが
わかる。
As is clear from the results shown in Table 1, it can be seen that the devices 102 to 104 using the comparative compound can only emit light of lower luminance than the type device 101. In contrast, in the devices 105 to 108 using the hole transport material of the present invention,
Light emission of more than type was observed. Furthermore, from the results in Table 2, it can be seen that in the device using the compound of the present invention, a remarkable performance as compared with the type was obtained in terms of durability.

【0035】(実施例2)実施例1と同様にエッチン
グ、洗浄したITOガラス基板上に、ポリ(N-ビニルカル
バゾール(PVK))40mg、2,5-ビス(1-ナフチル)-1,3,4-
オキサジアゾール12mg、クマリン-6 10mgを1,2-ジクロ
ロエタン3mlに溶解した溶液をスピンコートした。この
ときの有機層の膜厚は約120nmであった。次いで実施例
1と同様に陰極を蒸着し、EL素子201を作製した。素子2
01に対して、PVKの代わりに比較化合物2種と本発明の
化合物2種を用いた以外は、201と全く同じ組成のEL素
子202〜205を作製した。東陽テクニカ製ソースメジャー
ユニット2400型を用いて、直流定電圧をEL素子に印加し
発光させ、その輝度をトプコン社の輝度計BM-8、また発
光波長については浜松ホトニクス社製スペクトルアナラ
イザーPMA-11を用いて測定した。その結果を表3に示
す。
Example 2 40 mg of poly (N-vinylcarbazole (PVK)) and 2,5-bis (1-naphthyl) -1,3 were deposited on an ITO glass substrate etched and washed in the same manner as in Example 1. ,Four-
A solution prepared by dissolving 12 mg of oxadiazole and 10 mg of coumarin-6 in 3 ml of 1,2-dichloroethane was spin-coated. At this time, the thickness of the organic layer was about 120 nm. Next, a cathode was vapor-deposited in the same manner as in Example 1 to produce an EL element 201. Element 2
On the other hand, EL devices 202 to 205 having exactly the same composition as 201 were prepared except that two comparative compounds and two compounds of the present invention were used instead of PVK. Using a source measure unit 2400 manufactured by Toyo Technica, a DC constant voltage is applied to the EL element to emit light, and the brightness is measured by a luminance meter BM-8 manufactured by Topcon Corporation.The emission wavelength is measured by a spectrum analyzer PMA-11 manufactured by Hamamatsu Photonics. It measured using. Table 3 shows the results.

【0036】[0036]

【表3】 [Table 3]

【0037】[0037]

【化13】 Embedded image

【0038】表3の結果から明らかな様に、比較化合物
を用いた素子202,203ではタイプ素子201に比べて低輝度
の発光しか得られていないことがわかる。これに対し
て、本発明の正孔輸送材料を用いた素子204,205では、
タイプ以上の高い輝度の発光が観測された。
As is evident from the results in Table 3, it can be seen that the devices 202 and 203 using the comparative compound only emitted light of lower luminance than the type device 201. In contrast, in the devices 204 and 205 using the hole transport material of the present invention,
Light emission of higher brightness than the type was observed.

【発明の効果】本発明の含ケイ素環構造を有する化合物
を用いることによって、輝度が高く、且つ耐久性に優れ
た有機発光素子が得られる。
By using the compound having a silicon-containing ring structure of the present invention, an organic light-emitting device having high luminance and excellent durability can be obtained.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C07F 7/18 C07F 7/18 R H05B 33/14 H05B 33/14 A 33/22 33/22 D ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) C07F 7/18 C07F 7/18 R H05B 33/14 H05B 33/14 A 33/22 33/22 D

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】一般式(1)で表される化合物。 【化1】 X,Yの少なくともいずれか一方は正孔輸送性の基であ
り、Zは、ケイ素を含む3〜8員環を形成可能な原子群
であり、X,Y,Zはその構造の一部が互いに連結した環状
構造を形成していてもよい。
1. A compound represented by the general formula (1). Embedded image At least one of X and Y is a hole-transporting group, Z is an atomic group capable of forming a 3- to 8-membered ring containing silicon, and X, Y, and Z have a part of the structure. An annular structure connected to each other may be formed.
【請求項2】一般式(1)で表される化合物における、
X,Yで表される基の少なくともいずれか一方が1〜3級
アミンを含有することを特徴とする、請求項1記載の化
合物。
2. A compound represented by the general formula (1):
The compound according to claim 1, wherein at least one of the groups represented by X and Y contains a primary to tertiary amine.
【請求項3】一般式(1)で表される化合物における、
X,Yで表される基の少なくともいずれか一方が、縮合あ
るいは非縮合型のπ電子過剰芳香族ヘテロ環を含有する
ことを特徴とする、請求項1記載の化合物。
3. A compound represented by the general formula (1):
2. The compound according to claim 1, wherein at least one of the groups represented by X and Y contains a condensed or non-condensed π-electron-rich aromatic heterocycle.
【請求項4】請求項1〜3のいずれか1項に記載の一般
式(1)で表される化合物、またはその前駆体を含有す
ることを特徴とする、有機発光素子材料。
4. An organic light-emitting device material comprising a compound represented by the general formula (1) according to claim 1 or a precursor thereof.
【請求項5】一般式(1)中のX,Y,Zの少なくとも1つ
に重合性基を含有し、それから誘導されるポリマー化合
物を含有する請求項4記載の有機発光素子材料。
5. The organic light emitting device material according to claim 4, wherein at least one of X, Y and Z in the general formula (1) contains a polymerizable group and contains a polymer compound derived therefrom.
【請求項6】請求項4または5に記載の有機発光素子材
料を少なくとも1つ有する有機発光素子。
6. An organic light emitting device comprising at least one organic light emitting device material according to claim 4.
【請求項7】有機層の少なくとも1層が塗布により形成
された請求項5または6に記載の有機発光素子。
7. The organic light-emitting device according to claim 5, wherein at least one of the organic layers is formed by coating.
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