JP4144988B2 - Organic light emitting device materials and organic light emitting devices using them - Google Patents

Description

【０００７】
X,Y は、それぞれ独立して、２つ以上のヘテロ原子を有する含窒素５員環型ヘテロ芳香族化合物から提供される一価の基を表す。
Ｚは、ケイ素を含む下記構造の中から選ばれる環を形成可能な原子群を表す。
【化１１０】

２）前記 X,Y が、それぞれ独立して、ピラゾール、イミダゾール、オキサゾール、チアゾール、トリアゾール (1,2,3- および 1,2,4-) 、テトラゾール、オキサジアゾール (1,2,4-, 1,2,5- および 1,3,4-) 、チアジアゾール (1,2,4-, 1,2,5- および 1,3,4-) からなる群より選ばれる化合物から提供される一価の基であることを特徴とする前項１記載の有機発光素子。
３）前記 X,Y が、それぞれ独立して、下記構造から選ばれる基である前項１記載の有機発光素子。
【化１１１】

（＊は、一般式（１）で表される化合物のＳｉに結合する箇所を示すものである。）
４）前記 X,Y が、それぞれ独立して、下記構造から選ばれる基であり、
【化１１２】

（＊は、一般式（１）で表される化合物のＳｉに結合する箇所を示すものである。）
Ｚが、ケイ素を含む下記構造の環を形成可能な原子群を表すものである、
【化１１３】

前項１記載の有機発光素子。
５）有機層の少なくとも１層が塗布により形成された第１項〜第４項のいずれかに記載の有機発光素子。
６）一般式（１‘）で表される化合物。
【化１１４】

X ‘ ,Y ’は、それぞれ独立して、下記構造から選ばれる基であり、
【化１１５】

（＊は、一般式（１‘）で表される化合物のＳｉに結合する箇所を示すものである。）
Ｚは、ケイ素を含む下記構造の中から選ばれる環を形成可能な原子群を表す。
【化１１６】

６）前記 X ’ ,Y ‘が、それぞれ独立して、下記構造から選ばれる基であり、
【化１１７】

（＊は、一般式（１‘）で表される化合物のＳｉに結合する箇所を示すものである。）
Ｚが、ケイ素を含む下記構造の環を形成可能な原子群を表すものである、
【化１１８】

第６項記載の化合物。
【０００８】
【発明の実施の態様】
まず、一般式（１）で表される化合物について説明する。一般式（１）で表される化合物は、電子輸送性の基が、環状構造の一部をなすケイ素原子に置換した構造の化合物である。
まず、電子輸送性を有する基である、X,Yについて説明する。
X,Yは、それぞれ独立して、２つ以上のヘテロ原子を有する含窒素５員環型ヘテロ芳香族化合物から提供される一価の基を表す。好ましくは両者が同一構造を有するものである。
ヘテロ原子を有する含窒素５員環型ヘテロ芳香族化合物の例としては、ピラゾール、イミダゾール、オキサゾール、チアゾール、トリアゾール(1,2,3-および1,2,4-)、テトラゾール、オキサジアゾール(1,2,4-, 1,2,5-および1,3,4-)、チアジアゾール(1,2,4-, 1,2,5-および1,3,4-)、などを挙げることができる。これら同士、あるいは芳香族炭化水素と縮合したタイプの化合物も同様に使用可能である。
次に、Zで表される環状構造の基について説明する。
本発明の化合物の特徴である、Zで形成される環状構造は、ケイ素を含む下記構造の中から選ばれる環を形成可能な原子群を表す。
【化１１９】

X,Y,Zで表される基及び原子団は、さらにその構造の一部が互いに連結した環状構造を形成していてもよい。
X,Y,Zで表される基及び原子団には、水素原子以外にさまざまな置換基が置換可能である。その例を列挙すると、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、ホルミル基、もしくは置換あるいは無置換のアルキル基（好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜15である。例えば、メチル基、ｔ−ブチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜15である。例えば、ビニル基、1-プロペニル基、1-ブテン-2-イル基、シクロヘキセン-1-イル基などが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜15である。例えばエチニル基、1-プロピニル基などが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜15である。例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、ビフェニリル基、ピレニル基などが挙げられる。）、ヘテロ環基（好ましくは５または６員環であり、他の環と縮合しても良い。ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子が挙げられる。好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜15である。例えば、ピリジル基、ピペリジル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、テトラヒドロフリル基、チエニル基などが挙げられる。）、１〜3級アミノ基（アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アルキルアリールアミノ基、ヘテロ環アミノ基、ビスヘテロ環アミノ基など。好ましくは３級アミノ基であり、炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜16である。例えばジメチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、フェニルナフチルアミノ基などが挙げられる。）、イミノ基（-CR₁₁=NR₁₂または-N=CR₁₃R₁₄で表される基。ここでR₁₁〜R₁₄は水素原子、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、１〜３級アミノ基から選ばれる基である。好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜15である。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜15である。例えば、メトキシ基、エトキシ基、シクロヘキシルオキシ基などが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜15である。例えば、フェノキシ基、1-ナフトキシ基、4-フェニルフェノキシ基シなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜15である。例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、シクロヘキシルチオ基などが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜15である。例えば、フェニルチオ基、トリルチオ基などが挙げられる。）カルボンアミド基（好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜15である。例えば、アセトアミド基、ベンゾイルアミド基、N-メチルベンゾイルアミド基などが挙げられる。）、スルホンアミド基（好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜15である。例えば、メタンスルホンアミド基、ベンゼンスルホンアミド基、p-トルエンスルホンアミド基などが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜15である。例えば、無置換のカルバモイル基、メチルカルバモイル基、ジメチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基、ジフェニルカルバモイル基、ジオクチルカルバモイル基などが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜15である。例えば、無置換のスルファモイル基、メチルスルファモイル基、ジメチルスルファモイル基、フェニルスルファモイル基、ジフェニルスルファモイル基、ジオクチルスルファモイル基などが挙げられる。）、アルキルカルボニル基（好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜15である。例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチロイル基、ラウロイル基などが挙げられる。）、アリールカルボニル基（好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜15である。例えば、ベンゾイル基、ナフトイル基などが挙げられる。）、アルキルスルホニル基（好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜15である。例えば、メタンスルホニル基、エタンスルホニル基などが挙げられる。）、アリールスルホニル基（好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜15である。例えば、ベンゼンスルホニル基、p-トルエンスルホニル基、1-ナフタレンスルホニル基などが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜15である。例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基などが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜15である。例えばフェノキシカルボニル基、1-ナフトキシカルボニル基などが挙げられる。）、アルキルカルボニルオキシ基（好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜15である。例えば、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチロイルオキシ基などが挙げられる。）、アリールカルボニルオキシ基（好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜15である。例えばベンゾイルオキシ基、1-ナフトイルオキシ基などが挙げられる。）、ウレタン基（好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜15である。例えば、メトキシカルボンアミド基、フェノキシカルボンアミド基、メチルアミノカルボンアミド基などが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜15である。例えば、メチルアミノカルボンアミド基、ジメチルアミノカルボンアミド基、ジフェニルアミノカルボンアミド基などが挙げられる。）、炭酸エステル基（好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜15である。例えば、メトキシカルボニルオキシ基、フェノキシカルボニルオキシ基などが挙げられる。）などである。
さらに、一般式（１）で表される化合物は、そのケイ素含有環構造をその繰り返し単位の一部に有する、ポリマー化合物を形成してもよい。この場合、X,Y,Zの中にエチレン性不飽和結合などの重合性基、もしくは縮重合を起こすようなカルボキシル基やアミノ基、エステル基といった重合性基を含有し、その基が重合することによりポリマーを形成してもよいし、一般式（１）で表される化合物の前駆体が一般式（１）の化合物骨格を形成しつつポリマーを形成してもよい。
【０００９】
一般式（１）で表される化合物は、低分子・高分子いずれの場合であっても、最終的に機能を発現する構造となる化合物をそのまま使用することも可能であるし、その前駆体を有機発光素子に使用し、素子を構成した後、あるいはその途中で、物理的あるいは化学的な後処理によって最終的な構造に誘導してもよい。低分子化合物として使用する場合、その分子量として好ましくは200〜5000、好ましくは300〜2000の範囲である。高分子化合物として使用する場合、平均分子量(Mw)として好ましくは2000〜1000000、好ましくは5000〜100000の範囲である。
【００１０】
一般式（１）で表される化合物は、公知の方法で合成可能である。最も一般的な方法としては、まずハロゲノシラン化合物からZに相当する構造を導入し、その後にX,Yで表される構造を導入する方法を挙げることができる。以下に一般的な合成スキームを記載し、その後に、本発明の化合物の具体例を例示する。本発明はもちろんこの具体例によって限定されるものではない。
【００１１】
【化３】

【００１２】
【化４】

【００１３】
【化５】

【００１４】
【化６】

【００１５】
【化７】

【００１６】
【化８】

【００１７】
【化９】

【００１８】
【化１０】

【００１９】
【化１１】

【００２０】
次に、本発明の化合物を含有する発光素子に関して説明する。本発明の化合物を含有する発光素子の有機層の形成方法は、特に限定されるものではないが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、コーティング法、インクジェット法などの方法が用いられ、特性面、製造面で抵抗加熱蒸着、コーティング法が好ましい。
【００２１】
本発明の発光素子は陽極、陰極の一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物薄膜を形成した素子であり、発光層のほか正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、保護層などを有してもよく、またこれらの各層はそれぞれ他の機能を備えたものであってもよい。各層の形成にはそれぞれ種々の材料を用いることができる。
【００２２】
陽極は正孔注入層、正孔輸送層、発光層などに正孔を供給するものであり、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物などを用いることができ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以上の材料である。具体例としては酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性金属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、およびこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からＩＴＯが好ましい。陽極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜５００ｎｍである。
【００２３】
陽極は通常、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、透明樹脂基板などの上に層形成したものが用いられる。ガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。基板の厚みは、機械的強度を保つのに十分であれば特に制限はないが、ガラスを用いる場合には、通常０．２ｍｍ以上、好ましくは０．７ｍｍ以上のものを用いる。陽極の作製には材料によって種々の方法が用いられるが、例えばＩＴＯの場合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、化学反応法（ゾル−ゲル法など）、酸化インジウムスズの分散物の塗布などの方法で膜形成される。陽極は洗浄その他の処理により、素子の駆動電圧を下げたり、発光効率を高めることも可能である。例えばＩＴＯの場合、ＵＶ−オゾン処理、プラズマ処理などが効果的である。
【００２４】
陰極は電子注入層、電子輸送層、発光層などに電子を供給するものであり、電子注入層、電子輸送層、発光層などの負極と隣接する層との密着性やイオン化ポテンシャル、安定性等を考慮して選ばれる。陰極の材料としては金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物を用いることができ、具体例としてはアルカリ金属（例えばＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ等）及びそのフッ化物、アルカリ土類金属（例えばＭｇ、Ｃａ等）及びそのフッ化物、金、銀、鉛、アルニウム、ナトリウム−カリウム合金またはそれらの混合金属、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属、インジウム、イッテリビウム等の希土類金属等が挙げられ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以下の材料であり、より好ましくはアルミニウム、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属等である。陰極は、上記化合物及び混合物の単層構造だけでなく、上記化合物及び混合物を含む積層構造を取ることもできる。陰極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜１μｍである。陰極の作製には電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、コーティング法などの方法が用いられ、金属を単体で蒸着することも、二成分以上を同時に蒸着することもできる。さらに、複数の金属を同時に蒸着して合金電極を形成することも可能であり、またあらかじめ調整した合金を蒸着させてもよい。陽極及び陰極のシート抵抗は低い方が好ましく、数百Ω／□以下が好ましい。
【００２５】
発光層の材料は、電界印加時に陽極または正孔注入層、正孔輸送層から正孔を注入することができると共に陰極または電子注入層、電子輸送層から電子を注入することができる機能や、注入された電荷を移動させる機能、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層を形成することができるものであれば何でもよい。好ましくは発光層に本発明のアミン化合物を含有するものであるが、他の発光材料を用いることもできる。例えばベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、スチリルアミン誘導体、芳香族ジメチリディン化合物、８−キノリノール誘導体の金属錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物等が挙げられる。発光層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。
発光層の形成方法は、特に限定されるものではないが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、コーティング法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法など）、ＬＢ法、インクジェット法などの方法が用いられ、好ましくは抵抗加熱蒸着、コーティング法である。
【００２６】
正孔注入層、正孔輸送層の材料は、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれか有しているものであればよい。その具体例としては、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー等が挙げられる。正孔注入層、正孔輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。正孔注入層、正孔輸送層は上述した材料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
正孔注入層、正孔輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ法やインクジェット法、前記正孔注入輸送剤を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法など）が用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することができ、樹脂成分としては例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂などが挙げられる。
【００２７】
電子注入層、電子輸送層の材料は、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から注入された正孔を障壁する機能のいずれか有しているものであればよい。本発明では、一般式（１）の化合物をこの目的に使用する。電子注入層、電子輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。電子注入層、電子輸送層は上述した材料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
電子注入層、電子輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ法やインクジェット法、前記電子注入輸送剤を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法など）などが用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することができ、樹脂成分としては例えば、正孔注入輸送層の場合に例示したものが適用できる。
【００２８】
保護層の材料としては水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。その具体例としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ₂ 、Ａｌ₂Ｏ₃、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ₂Ｏ₃、Ｙ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂等の金属酸化物、ＭｇＦ₂、ＬｉＦ、ＡｌＦ₃、ＣａＦ₂等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。
保護層の形成方法についても特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法、インクジェット法を適用できる。
【００２９】
【実施例】
以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれにより限定されるものではない。
（実施例１）
25mm×25mm×0.7mmのガラス基板上にITOを150nmの厚さで製膜したもの（東京三容真空（株）製）を透明支持基板とした。この透明支持基板をエッチング、洗浄後、銅フタロシアニンを約10nm蒸着した。次にNPD（N,N' -ビス（1-ナフチル）-N,N'-ジフェニルベンジジン）約40nm、Alq（トリス（8-ヒドロキシキノリナト）アルミニウム）約20nm、さらにDNPB(2,5-ビス(1-ナフチル)-1,3,4-オキサジアゾール)約40nmを順に10^-3〜10^-4Paの真空中で、基板温度室温の条件下蒸着した。有機薄膜上にパターニングしたマスク（発光面積が5mm×5mmとなるマスク）を設置し、蒸着装置内でマグネシウム：銀＝10:1を250nm共蒸着した後、銀300nmを蒸着し、素子101を作製した。
素子101に対して、DNPBの代わりに比較化合物３種と本発明の化合物４種を用いた以外は、101と全く同じ組成のEL素子102〜108を作製した。
東陽テクニカ製ソースメジャーユニット2400型を用いて、直流定電圧をEL素子に印加し発光させ、その輝度をトプコン社の輝度計BM-8、また発光波長については浜松ホトニクス社製スペクトルアナライザーPMA-11を用いて測定した。その結果を表１に示す。
【００３０】
【表１】

【００３１】
【化１２】

【００３２】
また、これらの素子をアルゴンガスで置換したオートクレーブ中に封入し、85℃の加熱条件下で１０日間保存した後に、同様の輝度測定および発光面状観察を行った結果を表２に示す。
【００３３】
【表２】

【００３４】
表１の結果から明らかな様に、比較化合物を用いた素子102〜104ではタイプ素子101に比べて低輝度の発光しか得られていないことがわかる。これに対して、本発明の電子輸送材料を用いた素子105〜108では、タイプ同等以上の発光が観測された。
さらに、表２の結果から、本発明の化合物を用いた素子では、耐久性の面においても、タイプ以上の性能が得られていることがわかる。
（実施例２）
実施例１と同様にエッチング、洗浄したITOガラス基板上に、ポリ（N-ビニルカルバゾール(PVK)）40mg、DNPB 12mg、クマリン-6 10mgを1,2-ジクロロエタン3mlに溶解した溶液をスピンコートした。このときの有機層の膜厚は約120nmであった。次いで実施例１と同様に陰極を蒸着し、EL素子201を作製した。
素子201に対して、DNPBの代わりに比較化合物２種と本発明の化合物２種を用いた以外は、201と全く同じ組成のEL素子202〜205を作製した。
東陽テクニカ製ソースメジャーユニット2400型を用いて、直流定電圧をEL素子に印加し発光させ、その輝度をトプコン社の輝度計BM-8、また発光波長については浜松ホトニクス社製スペクトルアナライザーPMA-11を用いて測定した。その結果を表３に示す。
【００３５】
【表３】

【００３６】
【化１３】

【００３７】
表３の結果から明らかな様に、比較化合物を用いた素子202,203ではタイプ素子201に比べて低輝度の発光しか得られていないことがわかる。これに対して、本発明の電子輸送材料を用いた素子204,205では、タイプ同等以上の高い輝度の発光が観測された。
【発明の効果】
本発明のケイ素環構造を有する化合物を用いることによって、輝度が高く、且つ耐久性に優れた有機発光素子が得られる。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a specific silicon-containing transport compound, an organic light-emitting device material using the compound, and an organic light-emitting device using them.
[0002]
[Prior art]
Research and development related to various display elements are active today, and organic light-emitting (EL) elements, in particular, are capable of obtaining high-luminance light emission at a low voltage and are attracting attention as promising display elements. For example, an EL element that forms an organic thin film by vapor deposition of an organic compound is known (Applied Physics Letters, 51, p. 913 to (1987)). The organic light-emitting device described in this document has a laminated structure of an electron transport material and a hole transport material, and its light emission characteristics are greatly improved as compared with conventional single-layer devices.
Electron transport materials used in this multilayer device include light metal complexes such as Alq (tris-8-hydroxy-quinolinato aluminum), oxadiazole, triazole, benzimidazole, benzoxazole, and benzothiazole. Such π electron deficient aromatic compounds are known as excellent electron transport materials. However, among these compounds, in particular, when a π-electron deficient aromatic compound is used as an electron transport material, it is known that the organic light-emitting device has a problem in raw storage stability.
As means for solving this problem, or by introducing a condensed polycyclic aromatic group, technique or use compounds having improved symmetry, Appl.Phys.Lett. 56, 799 (1990 ), Polymer Preprints (ACS) 349 (1997). Further, techniques such as polymerizing are also disclosed in Appl. Phys. Lett. 63 , 2627 (1993) and the like.
The inventors have also repeatedly studied a technique for improving the deterioration of the raw shelf life of the organic light emitting device derived from the electron transport material.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
An object of the present invention is to develop a silicon-containing compound having a good electron transport ability and to develop an organic light-emitting element material suitable for producing an organic light-emitting element having high luminance.
[0004]
[Means for Solving the Problems]
The present invention has been achieved by the following compounds, organic EL device materials and organic EL devices.
[0005]
1) The organic light emitting element containing the compound represented by General formula (1) .
[0006]
[Chemical 2]

[0007]
X and Y each independently represent a monovalent group provided from a nitrogen-containing 5-membered ring heteroaromatic compound having two or more heteroatoms.
Z represents an atomic group capable of forming a ring selected from the following structures containing silicon.
Embedded image

2) X and Y are each independently pyrazole, imidazole, oxazole, thiazole, triazole (1,2,3- and 1,2,4-) , tetrazole, oxadiazole (1,2,4- , provided 1,2,5 and 1,3,4), thiadiazole (1,2,4, compound selected from the group consisting of 1,2,5 and 1,3,4) 2. The organic light-emitting device according to 1 above, which is a monovalent group.
3) The organic light-emitting device according to 1 above, wherein X and Y are each independently a group selected from the following structures.
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(* Indicates a position bonded to Si of the compound represented by the general formula (1).)
4) X and Y are each independently a group selected from the following structures:
Embedded image

(* Indicates a position bonded to Si of the compound represented by the general formula (1).)
Z represents an atomic group capable of forming a ring having the following structure containing silicon,
Embedded image

2. The organic light emitting device according to 1 above.
5) The organic light-emitting device according to any one of Items 1 to 4, wherein at least one organic layer is formed by coating.
6) A compound represented by the general formula (1 ′).
Embedded image

X ′ and Y ′ are each independently a group selected from the following structures:
Embedded image

(* Indicates a position bonded to Si of the compound represented by the general formula (1 ′).)
Z represents an atomic group capable of forming a ring selected from the following structures containing silicon.
Embedded image

6) X ′ and Y ′ are each independently a group selected from the following structures:
Embedded image

(* Indicates a position bonded to Si of the compound represented by the general formula (1 ′).)
Z represents an atomic group capable of forming a ring having the following structure containing silicon,
Embedded image

7. A compound according to item 6.
[0008]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
First, the compound represented by the general formula (1) will be described. The compound represented by the general formula (1) is a compound having a structure in which an electron transporting group is substituted with a silicon atom forming a part of a cyclic structure.
First, X and Y, which are groups having electron transport properties, will be described.
X and Y each independently represent a monovalent group provided from a nitrogen-containing 5-membered ring heteroaromatic compound having two or more heteroatoms. Good Mashiku are those in which both have the same structure.
Examples of nitrogen-containing 5-membered ring heteroaromatic compounds having heteroatoms include pyrazole, imidazole, oxazole, thiazole, triazole (1,2,3- and 1,2,4-), tetrazole, oxadiazole ( 1,2,4-, 1,2,5- and 1,3,4-), thiadiazole (1,2,4-, 1,2,5- and 1,3,4-), etc. Can do. A compound of the type condensed with each other or with an aromatic hydrocarbon can also be used .
In the following, it will be described based on the cyclic structure represented by Z.
The cyclic structure formed by Z, which is a feature of the compound of the present invention, represents an atomic group capable of forming a ring selected from the following structures containing silicon .
Embedded image

The groups and atomic groups represented by X, Y, and Z may further form a cyclic structure in which a part of the structure is connected to each other.
In addition to hydrogen atoms, various substituents can be substituted for the groups and atomic groups represented by X, Y, and Z. Examples thereof include a halogen atom (for example, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom), a cyano group, a formyl group, or a substituted or unsubstituted alkyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably carbon. The number is 1 to 15. For example, a methyl group, a t-butyl group, a cyclohexyl group, and the like are included, and an alkenyl group (preferably 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 15 carbon atoms. Vinyl group, 1-propenyl group, 1-buten-2-yl group, cyclohexen-1-yl group, etc.), alkynyl group (preferably having 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 15 carbon atoms). For example, ethynyl group, 1-propynyl group, etc.), aryl group (preferably having 6 to 30 carbon atoms, more preferably 6 to 15 carbon atoms. For example, phenyl group, tolyl group, xylyl group, Na A til group, a biphenylyl group, a pyrenyl group, etc.), a heterocyclic group (preferably a 5- or 6-membered ring, which may be condensed with another ring. Examples of the hetero atom include a nitrogen atom and an oxygen atom. Sulfur atom, preferably 2-30 carbon atoms, more preferably 2-15 carbon atoms, for example, pyridyl group, piperidyl group, oxazolyl group, oxadiazolyl group, tetrahydrofuryl group, thienyl group and the like. ), 1-3 tertiary amino groups (amino group, alkylamino group, arylamino group, dialkylamino group, diarylamino group, alkylarylamino group, heterocyclic amino group, bisheterocyclic amino group, etc., preferably tertiary amino group) A group having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 16 carbon atoms, such as a dimethylamino group, a diphenylamino group, Such Runafuchiruamino group.), An imino group (group represented by -CR ₁₁ = NR ₁₂ or -N = CR ₁₃ R _14. Wherein R ₁₁ to R ₁₄ is a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group , A heterocyclic group, an alkoxy group, an aryloxy group, and a primary to tertiary amino group, preferably 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 15 carbon atoms), an alkoxy group (preferably). Has 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 15 carbon atoms, for example, methoxy group, ethoxy group, cyclohexyloxy group, etc., aryloxy group (preferably 6 to 30 carbon atoms, more preferably Has 6 to 15 carbon atoms, and examples thereof include a phenoxy group, a 1-naphthoxy group, and a 4-phenylphenoxy group. ), An alkylthio group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 15 carbon atoms. Examples thereof include a methylthio group, an ethylthio group, a cyclohexylthio group, etc.), an arylthio group (preferably having 6 carbon atoms). -30, more preferably 6 to 15 carbon atoms, for example, phenylthio group, tolylthio group, etc. Carbonamide group (preferably 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 15 carbon atoms). For example, an acetamide group, a benzoylamide group, an N-methylbenzoylamide group, etc.), a sulfonamide group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 15 carbon atoms. For example, methanesulfonamide Group, benzenesulfonamide group, p-toluenesulfonamide group, etc.), carbamoyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferred) Or an carbamoyl group, a methylcarbamoyl group, a dimethylcarbamoyl group, a phenylcarbamoyl group, a diphenylcarbamoyl group, a dioctylcarbamoyl group, etc.), a sulfamoyl group (preferably a carbon atom). 1 to 30 and more preferably 1 to 15. For example, unsubstituted sulfamoyl group, methylsulfamoyl group, dimethylsulfamoyl group, phenylsulfamoyl group, diphenylsulfamoyl group, dioctylsulfur And an alkylcarbonyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 15 carbon atoms. Examples thereof include an acetyl group, a propionyl group, a butyroyl group, and a lauroyl group). ), An arylcarbonyl group (preferably having 6 to 30 carbon atoms, more preferably Or a sulfonyl group such as a benzoyl group or a naphthoyl group), an alkylsulfonyl group (preferably having a carbon number of 1 to 30, more preferably a carbon number of 1 to 15. For example, methane A sulfonyl group, an ethanesulfonyl group, etc.), an arylsulfonyl group (preferably having 6 to 30 carbon atoms, more preferably 6 to 15 carbon atoms. For example, a benzenesulfonyl group, a p-toluenesulfonyl group, 1- Naphthalenesulfonyl group, etc.), alkoxycarbonyl groups (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 15 carbon atoms, such as methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, butoxycarbonyl group, etc.). ), An aryloxycarbonyl group (preferably having 6 to 30 carbon atoms, more preferably 6 to 15 carbon atoms). Examples thereof include a phenoxycarbonyl group and a 1-naphthoxycarbonyl group. ), An alkylcarbonyloxy group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 15 carbon atoms, such as an acetoxy group, propionyloxy group, butyroyloxy group, etc.), an arylcarbonyloxy group (preferably Has 6 to 30 carbon atoms, more preferably 6 to 15 carbon atoms, such as benzoyloxy group and 1-naphthoyloxy group), urethane group (preferably 1 to 30 carbon atoms, more preferably The number of carbon atoms is 1 to 15. For example, methoxycarbonamide group, phenoxycarbonamide group, methylaminocarbonamide group, etc.), ureido group (preferably 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to carbon atoms). 15, for example, methylaminocarbonamide group, dimethylaminocarbonamide group, diphenylaminocarbonamide group And carbonic acid ester groups (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 15 carbon atoms, such as methoxycarbonyloxy group and phenoxycarbonyloxy group). .
Furthermore, the compound represented by the general formula (1) may form a polymer compound having the silicon-containing ring structure as a part of the repeating unit. In this case, X, Y, Z contains a polymerizable group such as an ethylenically unsaturated bond, or a polymerizable group such as a carboxyl group, amino group or ester group that causes condensation polymerization, and the group is polymerized. Thus, the polymer may be formed, or the precursor of the compound represented by the general formula (1) may form the polymer while forming the compound skeleton of the general formula (1).
[0009]
As the compound represented by the general formula (1), a compound having a structure that finally expresses a function can be used as it is, regardless of whether the compound is a low molecule or a polymer, and a precursor thereof. May be used in an organic light-emitting device, and after the device is constructed or in the middle thereof, may be induced into a final structure by physical or chemical post-treatment. When used as a low molecular weight compound, the molecular weight is preferably in the range of 200 to 5000, preferably 300 to 2000. When used as a polymer compound, the average molecular weight (Mw) is preferably in the range of 2000 to 100000, preferably 5000 to 100,000.
[0010]
The compound represented by the general formula (1) can be synthesized by a known method. The most common method includes a method in which a structure corresponding to Z is first introduced from a halogenosilane compound and then a structure represented by X, Y is introduced. A general synthetic scheme is described below, and then specific examples of the compound of the present invention are exemplified. Of course, the present invention is not limited to this specific example.
[0011]
[Chemical 3]

[0012]
[Formula 4]

[0013]
[Chemical formula 5]

[0014]
[Chemical 6]

[0015]
[Chemical 7]

[0016]
[Chemical 8]

[0017]
[Chemical 9]

[0018]
[Chemical Formula 10]

[0019]
Embedded image

[0020]
Next, a light emitting device containing the compound of the present invention will be described. The method for forming the organic layer of the light-emitting element containing the compound of the present invention is not particularly limited, and methods such as resistance heating vapor deposition, electron beam, sputtering, molecular lamination method, coating method, and inkjet method are used. In terms of characteristics and production, resistance heating vapor deposition and coating methods are preferred.
[0021]
The light-emitting device of the present invention is a device in which a plurality of organic compound thin films including a light-emitting layer or a light-emitting layer are formed between a pair of anode and cathode electrodes. In addition to the light-emitting layer, a hole injection layer, a hole transport layer, and an electron injection It may have a layer, an electron transport layer, a protective layer, etc., and each of these layers may have other functions. Various materials can be used for forming each layer.
[0022]
The anode supplies holes to a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and the like, and a metal, an alloy, a metal oxide, an electrically conductive compound, or a mixture thereof can be used. Is a material having a work function of 4 eV or more. Specific examples include conductive metal oxides such as tin oxide, zinc oxide, indium oxide and indium tin oxide (ITO), metals such as gold, silver, chromium and nickel, and these metals and conductive metal oxides. Inorganic conductive materials such as copper iodide and copper sulfide, organic conductive materials such as polyaniline, polythiophene, and polypyrrole, and laminates of these with ITO, preferably conductive metals It is an oxide, and ITO is particularly preferable from the viewpoint of productivity, high conductivity, transparency, and the like. Although the film thickness of the anode can be appropriately selected depending on the material, it is usually preferably in the range of 10 nm to 5 μm, more preferably 50 nm to 1 μm, still more preferably 100 nm to 500 nm.
[0023]
As the anode, a layer formed on a soda-lime glass, non-alkali glass, a transparent resin substrate or the like is usually used. When glass is used, alkali-free glass is preferably used for the material in order to reduce ions eluted from the glass. Moreover, when using soda-lime glass, it is preferable to use what gave barrier coatings, such as a silica. The thickness of the substrate is not particularly limited as long as it is sufficient to maintain mechanical strength, but when glass is used, a thickness of 0.2 mm or more, preferably 0.7 mm or more is usually used. Various methods are used for producing the anode depending on the material. For example, in the case of ITO, an electron beam method, a sputtering method, a resistance heating vapor deposition method, a chemical reaction method (such as a sol-gel method), an indium tin oxide dispersion A film is formed by a method such as coating. The anode can be subjected to cleaning or other treatments to lower the drive voltage of the element or increase the light emission efficiency. For example, in the case of ITO, UV-ozone treatment, plasma treatment, etc. are effective.
[0024]
The cathode supplies electrons to the electron injection layer, the electron transport layer, the light emitting layer, etc., and the adhesion, ionization potential, stability, etc., between the negative electrode and the adjacent layer such as the electron injection layer, electron transport layer, light emitting layer, etc. Selected in consideration of As the cathode material, a metal, an alloy, a metal halide, a metal oxide, an electrically conductive compound, or a mixture thereof can be used. Specific examples include alkali metals (for example, Li, Na, K, Cs, etc.) and Its fluoride, alkaline earth metal (eg Mg, Ca, etc.) and its fluoride, gold, silver, lead, aluminium, sodium-potassium alloy or mixed metal thereof, lithium-aluminum alloy or mixed metal thereof, magnesium- Examples thereof include silver alloys or mixed metals thereof, rare earth metals such as indium and ytterbium, preferably materials having a work function of 4 eV or less, more preferably aluminum, lithium-aluminum alloys or mixed metals thereof, magnesium-silver. An alloy or a mixed metal thereof. The cathode can take not only a single layer structure of the compound and the mixture but also a laminated structure including the compound and the mixture. The film thickness of the cathode can be appropriately selected depending on the material, but is usually preferably in the range of 10 nm to 5 μm, more preferably 50 nm to 1 μm, still more preferably 100 nm to 1 μm. For production of the cathode, methods such as an electron beam method, a sputtering method, a resistance heating vapor deposition method, and a coating method are used, and a metal can be vapor-deposited alone or two or more components can be vapor-deposited simultaneously. Furthermore, a plurality of metals can be vapor-deposited simultaneously to form an alloy electrode, or a previously prepared alloy may be vapor-deposited. The sheet resistance of the anode and the cathode is preferably low, and is preferably several hundred Ω / □ or less.
[0025]
The material of the light emitting layer is a function that can inject holes from the anode or hole injection layer, hole transport layer and cathode or electron injection layer, electron transport layer when an electric field is applied, Any layer can be used as long as it can form a layer having a function of moving injected charges and a function of emitting light by providing a recombination field of holes and electrons. The light emitting layer preferably contains the amine compound of the present invention, but other light emitting materials can also be used. For example, benzoxazole derivatives, benzimidazole derivatives, benzothiazole derivatives, styrylbenzene derivatives, polyphenyl derivatives, diphenylbutadiene derivatives, tetraphenylbutadiene derivatives, naphthalimide derivatives, coumarin derivatives, perylene derivatives, perinone derivatives, oxadiazole derivatives, aldazine derivatives Pyridine derivatives, cyclopentadiene derivatives, bisstyrylanthracene derivatives, quinacridone derivatives, pyrrolopyridine derivatives, thiadiazolopyridine derivatives, cyclopentadiene derivatives, styrylamine derivatives, aromatic dimethylidin compounds, 8-quinolinol derivatives, metal complexes and rare earth complexes Representative metal complexes, polymer compounds such as polythiophene, polyphenylene, polyphenylene vinylene, etc. And the like. Although the film thickness of a light emitting layer is not specifically limited, Usually, the thing of the range of 1 nm-5 micrometers is preferable, More preferably, it is 5 nm-1 micrometer, More preferably, it is 10 nm-500 nm.
The formation method of the light emitting layer is not particularly limited, but resistance heating vapor deposition, electron beam, sputtering, molecular lamination method, coating method (spin coating method, casting method, dip coating method, etc.), LB method, inkjet method Or the like, and resistance heating vapor deposition or coating is preferred.
[0026]
The material of the hole injection layer and the hole transport layer may be any one having a function of injecting holes from the anode, a function of transporting holes, or a function of blocking electrons injected from the cathode. Good. Specific examples include carbazole derivatives, triazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, styrylanthracene derivatives. , Fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine compounds, aromatic dimethylidin compounds, porphyrin compounds, polysilane compounds, poly (N-vinylcarbazole) derivatives, aniline compounds Examples thereof include conductive polymer oligomers such as copolymers, thiophene oligomers, and polythiophenes. The film thicknesses of the hole injection layer and the hole transport layer are not particularly limited, but are usually preferably in the range of 1 nm to 5 μm, more preferably 5 nm to 1 μm, and still more preferably 10 nm to 500 nm. . The hole injection layer and the hole transport layer may have a single-layer structure composed of one or more of the materials described above, or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions.
As a method for forming the hole injection layer and the hole transport layer, a vacuum deposition method, an LB method, an ink jet method, a method in which the hole injection / transport agent is dissolved or dispersed in a solvent (a spin coating method, a cast method, A dip coat method or the like is used. In the case of the coating method, it can be dissolved or dispersed together with the resin component. Examples of the resin component include polyvinyl chloride, polycarbonate, polystyrene, polymethyl methacrylate, polybutyl methacrylate, polyester, polysulfone, polyphenylene oxide, polybutadiene, and poly (N -Vinyl carbazole), hydrocarbon resin, ketone resin, phenoxy resin, polyamide, ethyl cellulose, vinyl acetate, ABS resin, polyurethane, melamine resin, unsaturated polyester resin, alkyd resin, epoxy resin, silicone resin, and the like.
[0027]
The material for the electron injection layer and the electron transport layer may be any material having any one of a function of injecting electrons from the cathode, a function of transporting electrons, and a function of blocking holes injected from the anode. In the present invention, the compound of the general formula (1) is used for this purpose. Although the film thickness of an electron injection layer and an electron carrying layer is not specifically limited, The thing of the range of 1 nm-5 micrometers is preferable normally, More preferably, it is 5 nm-1 micrometer, More preferably, it is 10 nm-500 nm. The electron injection layer and the electron transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above-described materials, or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions.
As a method for forming the electron injection layer and the electron transport layer, a vacuum deposition method, an LB method, an ink jet method, a method in which the electron injection transport agent is dissolved or dispersed in a solvent (a spin coating method, a casting method, a dip coating method). Etc.) are used. In the case of the coating method, it can be dissolved or dispersed together with the resin component. As the resin component, for example, those exemplified in the case of the hole injection transport layer can be applied.
[0028]
As a material for the protective layer, any material may be used as long as it has a function of preventing substances that promote device deterioration such as moisture and oxygen from entering the device. Specific examples thereof include metals such as In, Sn, Pb, Au, Cu, Ag, Al, Ti, and Ni, MgO, SiO, SiO ₂ , Al ₂ O ₃ , GeO, NiO, CaO, BaO, and Fe ₂ O. ₃ , metal oxides such as Y ₂ O ₃ and TiO ₂ , metal fluorides such as MgF ₂ , LiF, AlF ₃ and CaF ₂ , polyethylene, polypropylene, polymethyl methacrylate, polyimide, polyurea, polytetrafluoroethylene, polychloro Trifluoroethylene, polydichlorodifluoroethylene, a copolymer of chlorotrifluoroethylene and dichlorodifluoroethylene, a copolymer obtained by copolymerizing a monomer mixture containing tetrafluoroethylene and at least one comonomer, copolymerization Fluorine-containing copolymer having a cyclic structure in the main chain, water-absorbing substance with water absorption of 1% or more And moisture-proof substances having a water absorption rate of 0.1% or less.
There is no particular limitation on the method for forming the protective layer. For example, vacuum deposition, sputtering, reactive sputtering, MBE (molecular beam epitaxy), cluster ion beam, ion plating, plasma polymerization (high frequency excitation ions) Plating method), plasma CVD method, laser CVD method, thermal CVD method, gas source CVD method, coating method, inkjet method can be applied.
[0029]
【Example】
EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples, but the present invention is not limited thereto.
(Example 1)
A transparent support substrate was prepared by forming ITO with a thickness of 150 nm on a glass substrate of 25 mm × 25 mm × 0.7 mm (manufactured by Tokyo Sanyo Vacuum Co., Ltd.). This transparent support substrate was etched and washed, and then copper phthalocyanine was deposited by about 10 nm. Next, NPD (N, N'-bis (1-naphthyl) -N, N'-diphenylbenzidine) is about 40 nm, Alq (tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum) is about 20 nm, and DNPB (2,5-bis About 40 nm of (1-naphthyl) -1,3,4-oxadiazole) were sequentially deposited in a vacuum of 10 ⁻³ to 10 ⁻⁴ Pa at a substrate temperature of room temperature. A patterned mask (a mask with a light emission area of 5mm x 5mm) is placed on the organic thin film, and magnesium: silver = 10: 1 is co-evaporated in 250nm in a vapor deposition system, and then 300nm of silver is deposited to produce element 101. did.
For the device 101, EL devices 102 to 108 having the same composition as that of 101 were prepared except that 3 types of comparative compounds and 4 types of compounds of the present invention were used instead of DNPB.
Using a source measure unit model 2400 made by Toyo Technica, a constant DC voltage is applied to the EL element to emit light, and the brightness is measured by Topcon's luminance meter BM-8. The emission wavelength is spectrum analyzer PMA-11 made by Hamamatsu Photonics. It measured using. The results are shown in Table 1.
[0030]
[Table 1]

[0031]
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[0032]
Table 2 shows the results of the same luminance measurement and light emission surface observation after these elements were sealed in an autoclave substituted with argon gas and stored for 10 days under heating conditions of 85 ° C.
[0033]
[Table 2]

[0034]
As is apparent from the results in Table 1, it can be seen that the devices 102 to 104 using the comparative compound can only emit light with lower luminance than the type device 101. In contrast, in the devices 105 to 108 using the electron transport material of the present invention, light emission equivalent to or higher than the type was observed.
Furthermore, it can be seen from the results in Table 2 that in the element using the compound of the present invention, the performance of the type or higher is obtained in terms of durability.
(Example 2)
A solution prepared by dissolving 40 mg of poly (N-vinylcarbazole (PVK)), 12 mg of DNPB and 10 mg of coumarin-6 in 3 ml of 1,2-dichloroethane was spin-coated on an ITO glass substrate etched and cleaned in the same manner as in Example 1. . The film thickness of the organic layer at this time was about 120 nm. Next, a cathode was deposited in the same manner as in Example 1 to produce an EL element 201.
EL elements 202 to 205 having the same composition as 201 were prepared for the element 201 except that two kinds of comparative compounds and two kinds of compounds of the present invention were used instead of DNPB.
Using a source measure unit model 2400 made by Toyo Technica, a constant DC voltage is applied to the EL element to emit light, and the brightness is measured by Topcon's luminance meter BM-8. The emission wavelength is spectrum analyzer PMA-11 made by Hamamatsu Photonics. It measured using. The results are shown in Table 3.
[0035]
[Table 3]

[0036]
Embedded image

[0037]
As is clear from the results in Table 3, it can be seen that the devices 202 and 203 using the comparative compound can only emit light with lower luminance than the type device 201. On the other hand, in the elements 204 and 205 using the electron transport material of the present invention, light emission with high luminance equal to or higher than the type was observed.
【The invention's effect】
By using the compound having a silicon ring structure of the present invention, an organic light-emitting device having high luminance and excellent durability can be obtained.

Claims (7)

The organic light emitting element containing the compound represented by General formula (1) .

X and Y each independently represent a monovalent group provided from a nitrogen-containing 5-membered ring heteroaromatic compound having two or more heteroatoms.
Z represents an atomic group capable of forming a ring selected from the following structures containing silicon.

Said X, Y Are each independently pyrazole, imidazole, oxazole, thiazole, triazole (1,2,3- and 1,2,4-) , Tetrazole, oxadiazole (1,2,4-, 1,2,5- and 1,3,4-) , Thiadiazole (1,2,4-, 1,2,5- and 1,3,4-) The organic light-emitting device according to claim 1, wherein the organic light-emitting device is a monovalent group provided from a compound selected from the group consisting of: Said X, Y The organic light emitting device according to claim 1, wherein each is independently a group selected from the following structures.

(* Indicates a position bonded to Si of the compound represented by the general formula (1).) Said X, Y Are each independently a group selected from the following structures:

(* Indicates a position bonded to Si of the compound represented by the general formula (1).)
  Z represents an atomic group capable of forming a ring having the following structure containing silicon,

The organic light emitting device according to claim 1. The organic light emitting element in any one of Claims 1-4 in which at least 1 layer of the organic layer was formed by application | coating. The compound represented by general formula (1 ').

X ‘ , Y Each is independently a group selected from the following structures:

(* Indicates a position bonded to Si of the compound represented by the general formula (1 ′).)
  Z represents an atomic group capable of forming a ring selected from the following structures containing silicon.

Said X ’ , Y 'Are each independently a group selected from the following structures:

(* Indicates a position bonded to Si of the compound represented by the general formula (1 ′).)
  Z represents an atomic group capable of forming a ring having the following structure containing silicon,

7. A compound according to claim 6.