JP5659972B2 - ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT AND LIGHTING DEVICE - Google Patents

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  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

本発明は有機エレクトロルミネッセンス素子および照明装置に関する。   The present invention relates to an organic electroluminescence element and a lighting device.

有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、OLED素子、有機EL素子等と略称する)は数V〜数十V程度の低電圧で駆動可能であり、自己発光型であるために視野角に富み、視認性が高く、さらに薄膜型の完全素子固体であるため、ディスプレイ、或いは照明用途として、省スペース、省エネルギー、及び携帯性の観点から注目されており、携帯電話のメインディスプレイに採用されるなど、市場に普及し始めている。
しかしながら、大画面ディスプレイ、もしくは冷陰極管を代替する照明の実現、普及に対しては、現状より飛躍的に発光効率が高く、発光寿命が長く、発光色の経時での変色等の欠陥のない素子の開発が望まれている。
Organic electroluminescence elements (hereinafter abbreviated as OLED elements, organic EL elements, etc.) can be driven at a low voltage of several volts to several tens of volts, and are self-luminous so that they have a wide viewing angle and visibility. It is a high-quality, thin-film, solid-state device, so it is attracting attention as a display or lighting application from the viewpoints of space saving, energy saving, and portability. Have begun to do.
However, for the realization and widespread use of large screen displays or lighting that replaces cold cathode fluorescent lamps, the luminous efficiency is dramatically higher than the current situation, the luminous lifetime is long, and there are no defects such as discoloration of the luminescent color over time. Development of devices is desired.

近年、発光効率を高める技術としてリン光材料の検討が盛んに行われている。
リン光材料は冷陰極管とほぼ同等の発光効率が得られる可能性があることから照明用途としても大いに注目されている。照明に必要な白色光を実現するためには、青、緑、赤の各色に発光する材料の発光効率、色純度、及び発光寿命等が高いレベルでバランスがとれていることが必要である。しかしながら、励起に高いエネルギーを必要とする青色発光材料は設計が難しく、いまだ要求性能のすべてを満足するものは得られていないのが現状である。
一方、含ケイ素化合物π共役化合物であるシロール系化合物は電子輸送性の高い発光材料や発光ホスト材料として期待されている。(例えば2,5−ジアリールシロール誘導体に関しては、非特許文献1、及び特許文献1参照)しかしながら、該シロール誘導体はその発光寿命が著しく短いという欠点を有していた。また、芳香環のみで構成されたジ芳香環縮合シロール、及びスピロジベンゾシロール誘導体(例えば特許文献2参照)、トリアリールアミン等の正孔輸送性置換基を付与したジベンゾシロール誘導体(例えば特許文献3参照)、及びアルコキシ基が置換したトリフェニレンシロール誘導体(例えば特許文献4参照)等は発光効率には一定に進歩がみられるものの、発光寿命についてはいまだ満足のいく結果が得られていない。一方、発光の高効率化、高寿命化を両立志向した、ラダー型スピロジベンゾシロール(特許文献5参照)の報告がなされているが、特に青色リン光発光素子に適用した場合には、発光効率、発光寿命、発光色の経時での変色等の欠陥等がいまだ満足するレベルではなかった。
In recent years, phosphorescent materials have been actively studied as a technique for increasing luminous efficiency.
Phosphorescent materials are attracting much attention as illumination applications because they may have almost the same luminous efficiency as cold cathode fluorescent lamps. In order to realize the white light necessary for illumination, it is necessary that the light emission efficiency, color purity, light emission lifetime, and the like of materials emitting light of blue, green, and red are balanced at a high level. However, blue light-emitting materials that require high energy for excitation are difficult to design, and no material that satisfies all the required performance has yet been obtained.
On the other hand, silole compounds that are silicon-containing compounds and π-conjugated compounds are expected as light-emitting materials and light-emitting host materials with high electron transport properties. (For example, with respect to 2,5-diarylsilole derivatives, see Non-patent Document 1 and Patent Document 1) However, the silole derivatives have a drawback that their light emission lifetime is remarkably short. In addition, diaromatic condensed siloles composed only of aromatic rings, spirodibenzosilole derivatives (see, for example, Patent Document 2), dibenzosilole derivatives to which a hole transporting substituent such as triarylamine is added (for example, Patent Document 3) In addition, although the triphenylenesilole derivative substituted with an alkoxy group (see, for example, Patent Document 4) and the like have made certain progress in light emission efficiency, satisfactory results have not yet been obtained for the light emission lifetime. On the other hand, a ladder-type spirodibenzosilole (see Patent Document 5) that aims to achieve both high efficiency of light emission and long life has been reported. In particular, when applied to a blue phosphorescent light emitting element, the light emission efficiency However, defects such as emission lifetime and discoloration of the emission color over time were not yet satisfactory.

USP6051319号公報USP 6051319 特開2003−243178号公報JP 2003-243178 A 特開2001−172284号公報JP 2001-172284 A 特開2010−64976号公報JP 2010-64976 A 特開2001−210473号公報JP 2001-210473 A

Chem.Mater.2001,13,2680−2683Chem. Mater. 2001, 13, 2680-2683

したがって、本発明の主な目的は、発光効率および発光寿命を向上させ、発光色の経時での変色を防止しうるジ芳香環縮合シロール系化合物を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子や照明装置を提供することにある。   Therefore, the main object of the present invention is to provide an organic electroluminescence element and an illumination device using a diaromatic ring-condensed silole compound that can improve luminous efficiency and luminous lifetime and prevent discoloration of luminescent color over time. There is.

上記課題を解決するため本発明によれば、
1対の電極と、前記1対の電極間に配置され、発光層を含む少なくとも1層の有機層と、を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記有機層のうちの少なくとも1層には、一般式1〜一般式4で表わされるジ芳香環縮合シロール系化合物の少なくとも1種が含有されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。

Figure 0005659972
「一般式1中、R、及びRは水素原子、炭素数6〜20の芳香族炭化水素環基、炭素数3〜20の芳香族複素環基を表わす。但し、RとRが同時に水素原子であることはない。R及びRは炭素数6〜20の芳香族炭化水素環基、炭素数3〜20の芳香族複素環基を表わす。RとRは互いに結合して環を形成してもよい。Q、Q、Q、及びQは窒素原子、若しくはC−Rxを表わす。Rxは水素原子、炭素数6〜20の芳香族炭化水素環基、炭素数3〜20の芳香族複素環基を表わす。Q及びQは窒素原子、若しくはC−Hを表わす。
一般式2中、R、及びRは水素原子、炭素数6〜20の芳香族炭化水素環基、炭素数3〜20の芳香族複素環基を表わす。但し、RとRが同時に水素原子であることはない。R及びRは炭素数6〜20の芳香族炭化水素環基、炭素数3〜20の芳香族複素環基を表わす。RとRは互いに結合して環を形成してもよい。Q及びQは窒素原子、若しくはC−Rzを表わす。Rzは水素原子、炭素数6〜20の芳香族炭化水素環基、炭素数3〜20の芳香族複素環基を表わす。Q、及びQ10は酸素原子、若しくは硫黄原子を表わす。
一般式3において、R、R、及びQ〜Qは一般式1におけるものと同義である。R及びR10は水素原子、炭素数6〜20の芳香族炭化水素環基、炭素数3〜20の芳香族複素環基を表わす。
一般式4においてR、R、及びQ〜Q10は一般式2におけるものと同義である。R11及びR12は水素原子、炭素数6〜20の芳香族炭化水素環基、炭素数3〜20の芳香族複素環基を表わす。」 In order to solve the above problems, according to the present invention,
In an organic electroluminescence device having a pair of electrodes and at least one organic layer disposed between the pair of electrodes and including a light emitting layer,
At least one of the organic layers contains at least one diaromatic ring-condensed silole compound represented by the general formulas 1 to 4, and an organic electroluminescence device is provided. The
Figure 0005659972
“In General Formula 1, R 1 and R 2 represent a hydrogen atom, an aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 20 carbon atoms, or an aromatic heterocyclic group having 3 to 20 carbon atoms, provided that R 1 and R 2 There is .R 3 and R 4 not simultaneously hydrogen atoms aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 20 carbon atoms, .R 3 and R 4 representing an aromatic heterocyclic group having 3 to 20 carbon atoms with each other Q 1 , Q 3 , Q 4 , and Q 6 each represent a nitrogen atom or C—Rx, where Rx is a hydrogen atom or an aromatic hydrocarbon ring having 6 to 20 carbon atoms. Group represents an aromatic heterocyclic group having 3 to 20 carbon atoms, Q 2 and Q 5 each represent a nitrogen atom or C—H.
In General Formula 2, R 5 and R 6 represent a hydrogen atom, an aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 20 carbon atoms, or an aromatic heterocyclic group having 3 to 20 carbon atoms. However, R 5 and R 6 are not simultaneously hydrogen atoms. R 7 and R 8 represent an aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 20 carbon atoms and an aromatic heterocyclic group having 3 to 20 carbon atoms. R 7 and R 8 may combine with each other to form a ring. Q 7 and Q 9 represent a nitrogen atom or C—Rz. Rz represents a hydrogen atom, an aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 20 carbon atoms, or an aromatic heterocyclic group having 3 to 20 carbon atoms. Q 8 and Q 10 represent an oxygen atom or a sulfur atom.
In General Formula 3, R 1 , R 2 , and Q 1 to Q 6 have the same meanings as in General Formula 1. R 9 and R 10 represent a hydrogen atom, an aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 20 carbon atoms, or an aromatic heterocyclic group having 3 to 20 carbon atoms.
In the general formula 4, R 5 , R 6 , and Q 7 to Q 10 are the same as those in the general formula 2. R 11 and R 12 represent a hydrogen atom, an aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 20 carbon atoms, or an aromatic heterocyclic group having 3 to 20 carbon atoms. "

本発明によれば、発光効率および発光寿命を向上させ、発光色の経時での変色を防止することができる。   According to the present invention, it is possible to improve the light emission efficiency and the light emission lifetime, and to prevent discoloration of the emitted color over time.

表示装置の一例を示した模式図である。It is the schematic diagram which showed an example of the display apparatus. 図1の表示装置の表示部の模式図である。It is a schematic diagram of the display part of the display apparatus of FIG. 照明装置の概略図である。It is the schematic of an illuminating device. 図3の照明装置の断面図である。It is sectional drawing of the illuminating device of FIG.

以下、図面を参照しながら本発明の好ましい実施形態について説明する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

本発明のOLED素子は、1対の電極間(例えば、陽極と陰極との間)に、発光層を含む少なくとも1層の有機層を有するOLED素子であり、有機層のうちの少なくとも1層に一般式1〜一般式4で表されるジ芳香環縮合シロール系化合物が含有されている。
上記ジ芳香環縮合シロール系化合物は、特定部位(一般式1及び一般式3におけるR、又はR、一般式2及び一般式4におけるR又はR)に芳香族性の置換基を有し、一般式1及び一般式3においては特定部位(Q及びQ)が窒素原子か置換基を有さない炭素原子であることを特徴とする。
本発明のOLED素子が、一般式1〜一般式4で表されるジ芳香環縮合シロール系化合物を有機層の少なくとも1層に含有することによって得られる効果について、本発明者等は下記にように考えている。
OLED素子に用いられる従来公知のシロール化合物は剛直であり、分子のひずみが大きく、光や、熱的に不安定であるのに対して、上記ジ芳香環縮合シロール系化合物は適切な置換基配置によって、構成成分の芳香環同士がひずみの少ない適度な2面角を有しているため、より安定な構造を形成することが可能であり、OLED素子発光の長寿命化が達成できると考えられる。
また、同時に縮合環が立体構造を適切な程度に固定して維持することが可能であり、またπ共役に対しても共役の拡がりを適度に調整することができることから、本発明に係るジ芳香環縮合シロール系化合物は、高い安定性を有し、且つ、OLED素子に含有せしめた場合、同じ層あるいは隣接層に含まれる材料と適度に相互作用し、電荷の移動を最適にコントロールすることが可能であると推定している。
以上から、本発明者等は、本発明に係るジ芳香環縮合シロール系化合物をOLED素子及びそれを具備する照明装置に用いた場合、高い発光効率、長い発光寿命、及び発光色の経時での変色等の欠陥低減が達成できるものと推測している。
The OLED element of the present invention is an OLED element having at least one organic layer including a light emitting layer between a pair of electrodes (for example, between an anode and a cathode), and at least one of the organic layers. The diaromatic condensed silole compound represented by the general formulas 1 to 4 is contained.
The diaromatic condensed silole compound has an aromatic substituent at a specific site (R 1 or R 2 in general formula 1 and general formula 3, or R 5 or R 6 in general formula 2 and general formula 4). In general formula 1 and general formula 3, the specific site (Q 2 and Q 5 ) is a nitrogen atom or a carbon atom having no substituent.
About the effect obtained by the OLED element of the present invention containing the diaromatic ring-condensed silole compound represented by the general formula 1 to the general formula 4 in at least one layer of the organic layer, the present inventors are as follows. I am thinking.
A conventionally known silole compound used in an OLED element is rigid, has a large molecular distortion, and is unstable in light and heat, whereas the diaromatic ring-condensed silole compound has an appropriate substituent arrangement. Therefore, it is considered that a more stable structure can be formed and the lifetime of OLED element emission can be extended because the aromatic rings of the constituent components have an appropriate dihedral angle with little distortion. .
At the same time, the condensed ring can maintain and maintain the steric structure to an appropriate level, and the conjugation spread can be appropriately adjusted for the π-conjugate. The ring-condensed silole compound has high stability, and when it is contained in an OLED element, it appropriately interacts with the material contained in the same layer or an adjacent layer to optimally control the movement of charges. We estimate that it is possible.
From the above, the present inventors, when using the diaromatic ring-condensed silole compound according to the present invention in an OLED element and a lighting device comprising the same, have high luminous efficiency, long luminous lifetime, and luminescent color over time. It is estimated that defects such as discoloration can be reduced.

《ジ芳香環縮合シロール系化合物》
本発明のジ芳香環縮合シロール系化合物について詳細に説明する。
当該ジ芳香環縮合シロール系化合物は一般式1〜一般式4で表わされる。
《Diaromatic condensed silole compound》
The diaromatic condensed silole compound of the present invention will be described in detail.
The diaromatic condensed silole compound is represented by general formulas 1 to 4.

Figure 0005659972
Figure 0005659972

一般式1中、R、及びRは水素原子、炭素数6〜20の芳香族炭化水素環基、炭素数3〜20の芳香族複素環基を表わす。但し、RとRが同時に水素原子であることはない。R及びRは炭素数6〜20の芳香族炭化水素環基、炭素数3〜20の芳香族複素環基を表わす。RとRは互いに結合して環を形成してもよい。Q、Q、Q、及びQは窒素原子、若しくはC−Rxを表わす。Rxは水素原子、炭素数6〜20の芳香族炭化水素環基、炭素数3〜20の芳香族複素環基を表わす。Q及びQは窒素原子、若しくはC−Hを表わす。
一般式2中、R、及びRは水素原子、炭素数6〜20の芳香族炭化水素環基、炭素数3〜20の芳香族複素環基を表わす。但し、RとRが同時に水素原子であることはない。R及びRは炭素数6〜20の芳香族炭化水素環基、炭素数3〜20の芳香族複素環基を表わす。RとRは互いに結合して環を形成してもよい。Q及びQは窒素原子、若しくはC−Rzを表わす。Rzは水素原子、炭素数6〜20の芳香族炭化水素環基、炭素数3〜20の芳香族複素環基を表わす。Q、及びQ10は酸素原子、若しくは硫黄原子を表わす。
一般式3中、R、R、及びQ〜Qは一般式1におけるものと同義である。R及びR10は水素原子、炭素数6〜20の芳香族炭化水素環基、炭素数3〜20の芳香族複素環基をあらわす。
一般式4中、R、R、及びQ〜Q10は一般式2におけるものと同義である。R11及びR12は水素原子、炭素数6〜20の芳香族炭化水素環基、炭素数3〜20の芳香族複素環基をあらわす。
一般式1〜4中、R〜R12で表わされる芳香族炭化水素環基としては、例えば、フェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等が挙げられる。
中でも好ましい芳香族炭化水素環基としては、フェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、フェナントリル基、ビフェニル基、フルオレニル基が挙げられ、特に好ましくは、フェニル基、ナフチル基、フルオレニル基である。
尚、これらの基は、更に後述する置換基を有していてもよい。
一般式1〜4中、R〜R12で表わされる芳香族複素環基としては、例えば、ピリジル基、ピリミジル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基(例えば、1,2,4−トリアゾール−1−イル基、1,2,3−トリアゾール−1−イル基等))、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルボリル基(前記、カルボリニル基のカルボリン環構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったもの)、キノキサリニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等が挙げられる。
中でも好ましい芳香族複素環基としては、ピリジル基、ピリミジル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チエニル基、キノリル基、ジベンゾフリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルボリニル基が挙げられ、特に好ましくは、ピリジル基、ピリミジル基、ピラゾリル基、ジベンゾフリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基が挙げられる。
尚、これらの基は更に後述する置換基を有していてもよい。
In General Formula 1, R 1 and R 2 represent a hydrogen atom, an aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 20 carbon atoms, or an aromatic heterocyclic group having 3 to 20 carbon atoms. However, R 1 and R 2 are not hydrogen atoms at the same time. R 3 and R 4 represent an aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 20 carbon atoms and an aromatic heterocyclic group having 3 to 20 carbon atoms. R 3 and R 4 may combine with each other to form a ring. Q 1 , Q 3 , Q 4 , and Q 6 represent a nitrogen atom or C—Rx. Rx represents a hydrogen atom, an aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 20 carbon atoms, or an aromatic heterocyclic group having 3 to 20 carbon atoms. Q 2 and Q 5 represent a nitrogen atom or C—H.
In General Formula 2, R 5 and R 6 represent a hydrogen atom, an aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 20 carbon atoms, or an aromatic heterocyclic group having 3 to 20 carbon atoms. However, R 5 and R 6 are not simultaneously hydrogen atoms. R 7 and R 8 represent an aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 20 carbon atoms and an aromatic heterocyclic group having 3 to 20 carbon atoms. R 7 and R 8 may combine with each other to form a ring. Q 7 and Q 9 represent a nitrogen atom or C—Rz. Rz represents a hydrogen atom, an aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 20 carbon atoms, or an aromatic heterocyclic group having 3 to 20 carbon atoms. Q 8 and Q 10 represent an oxygen atom or a sulfur atom.
In General Formula 3, R 1 , R 2 , and Q 1 to Q 6 are the same as those in General Formula 1. R 9 and R 10 represent a hydrogen atom, an aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 20 carbon atoms, or an aromatic heterocyclic group having 3 to 20 carbon atoms.
In General Formula 4, R 5 , R 6 , and Q 7 to Q 10 are the same as those in General Formula 2. R 11 and R 12 represent a hydrogen atom, an aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 20 carbon atoms, and an aromatic heterocyclic group having 3 to 20 carbon atoms.
In the general formulas 1 to 4, as the aromatic hydrocarbon ring group represented by R 1 to R 12 , for example, phenyl group, mesityl group, tolyl group, xylyl group, naphthyl group, anthryl group, azulenyl group, acenaphthenyl group, Examples include a fluorenyl group, a phenanthryl group, an indenyl group, a pyrenyl group, and a biphenylyl group.
Among them, preferred examples of the aromatic hydrocarbon ring group include a phenyl group, a naphthyl group, a fluorenyl group, a phenanthryl group, a biphenyl group, and a fluorenyl group, and particularly preferred are a phenyl group, a naphthyl group, and a fluorenyl group.
These groups may further have a substituent described later.
In the general formulas 1 to 4, examples of the aromatic heterocyclic group represented by R 1 to R 12 include a pyridyl group, a pyrimidyl group, a furyl group, a pyrrolyl group, an imidazolyl group, a benzimidazolyl group, a pyrazolyl group, a pyrazinyl group, and a triazolyl group. Group (for example, 1,2,4-triazol-1-yl group, 1,2,3-triazol-1-yl group)), oxazolyl group, benzoxazolyl group, thiazolyl group, isoxazolyl group, isothiazolyl group , Furanyl group, thienyl group, quinolyl group, benzofuryl group, dibenzofuryl group, benzothienyl group, dibenzothienyl group, indolyl group, carbazolyl group, carbolinyl group, diazacarbolyl group (one of the carbon atoms constituting the carboline ring of the carbolinyl group) One replaced with a nitrogen atom), a quinoxalinyl group, Riajiniru group, quinazolinyl group, and phthalazinyl group.
Among them, preferred examples of the aromatic heterocyclic group include a pyridyl group, a pyrimidyl group, an imidazolyl group, a pyrazolyl group, a thienyl group, a quinolyl group, a dibenzofuryl group, a carbazolyl group, a carbolinyl group, and a diazacarbolinyl group. Includes a pyridyl group, a pyrimidyl group, a pyrazolyl group, a dibenzofuryl group, a carbazolyl group, a carbolinyl group, and a diazacarbazolyl group.
These groups may further have a substituent described later.

一般式1〜一般式4において、R〜R12で表される芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基が各々有していてもよい置換基としては、アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等)、シクロアルキル基(例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等)、アルケニル基(例えば、ビニル基、アリル基、1−プロペニル基、2−ブテニル基、1,3−ブタジエニル基、2−ペンテニル基、イソプロペニル基等)、アルキニル基(例えば、エチニル基、プロパルギル基等)、芳香族炭化水素基(芳香族炭化水素環基、芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、トリフェニレニル基、ビフェニリル基等)、芳香族複素環基(例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、アザカルバゾリル基(前記カルバゾリル基のカルバゾール環を構成する炭素原子の任意の一つ以上が窒素原子で置き換わったものを示す)、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、アザジベンゾフリル基(前記ジベンゾフリル基のジベンゾフラン環を構成する炭素原子の任意の一つ以上が窒素原子で置き換わったものを示す)、ベンゾチエニル基、インドリル基、ジベンゾチエニル基、ベンゾイミダゾリル基、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、キノキサリニル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾニル基、インドロカルバゾリル基、ヘキサアザトリフェニレニル基、ベンゾジフラニル基、ベンゾジチエニル基、ホスフォル基、シロリル基、ボリル基、ビピリジル基等)、複素環基(例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等)、アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等)、シクロアルコキシ基(例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等)、アリールオキシ基(例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等)、アルキルチオ基(例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等)、シクロアルキルチオ基(例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等)、アリールチオ基(例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等)、アルコキシカルボニル基(例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等)、アリールオキシカルボニル基(例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等)、スルファモイル基(例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、2−ピリジルアミノスルホニル基等)、アシル基(例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、2−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等)、アシルオキシ基(例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基、アクリロイル基、メタクリロイル基等)、アミド基(例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、2−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等)、カルバモイル基(例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、2−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、2−ピリジルアミノカルボニル基等)、ウレイド基(例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、2−ピリジルアミノウレイド基等)、スルフィニル基(例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、2−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、2−ピリジルスルフィニル基等)、アルキルスルホニル基(例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、2−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等)、アリールスルホニル基またはヘテロアリールスルホニル基(例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、2−ピリジルスルホニル基等)、アミノ基(例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、2−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ナフチルアミノ基、2−ピリジルアミノ基等)、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等)、フッ化炭化水素基(例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等)、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基(例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等)、ホスホノ基、ヒドロキシ基等が挙げられる。
これらの置換基は、上記の置換基によってさらに置換されていてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していてもよい。
In the general formulas 1 to 4, the aromatic hydrocarbon ring group and the aromatic heterocyclic group represented by R 1 to R 12 may each have an alkyl group (for example, a methyl group) , Ethyl group, propyl group, isopropyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group, dodecyl group, tridecyl group, tetradecyl group, pentadecyl group, etc.), cycloalkyl group (for example, cyclopentyl group, cyclohexyl group, etc.) ), Alkenyl groups (eg, vinyl, allyl, 1-propenyl, 2-butenyl, 1,3-butadienyl, 2-pentenyl, isopropenyl, etc.), alkynyl (eg, ethynyl, propargyl) Group), aromatic hydrocarbon group (aromatic hydrocarbon ring group, aromatic carbocyclic group, aryl group, etc., for example, phenyl group, Lorophenyl group, mesityl group, tolyl group, xylyl group, naphthyl group, anthryl group, azulenyl group, acenaphthenyl group, fluorenyl group, phenanthryl group, indenyl group, pyrenyl group, triphenylenyl group, biphenylyl group, etc.), aromatic heterocyclic group ( For example, furyl group, thienyl group, pyridyl group, pyridazinyl group, pyrimidinyl group, pyrazinyl group, triazinyl group, imidazolyl group, pyrazolyl group, thiazolyl group, quinazolinyl group, carbazolyl group, carbolinyl group, azacarbazolyl group (carbazole ring of the above carbazolyl group) Any one of carbon atoms constituting one or more carbon atoms is replaced by a nitrogen atom), benzofuryl group, dibenzofuryl group, azadibenzofuryl group (any carbon atom constituting the dibenzofuran ring of the dibenzofuryl group) Benzothienyl group, indolyl group, dibenzothienyl group, benzoimidazolyl group, oxazolyl group, benzoxazolyl group, quinoxalinyl group, isoxazolyl group, isothiazonyl group, indolocarbazolyl Group, hexaazatriphenylenyl group, benzodifuranyl group, benzodithienyl group, phosphor group, silylyl group, boryl group, bipyridyl group, etc., heterocyclic group (for example, pyrrolidyl group, imidazolidyl group, morpholyl group, oxazolidyl group, etc.) ), Alkoxy groups (for example, methoxy group, ethoxy group, propyloxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, octyloxy group, dodecyloxy group, etc.), cycloalkoxy groups (for example, cyclopentyloxy group, cyclohexyloxy group, etc.) , Aryloxy groups (for example, phenoxy group, naphthyloxy group, etc.), alkylthio groups (for example, methylthio group, ethylthio group, propylthio group, pentylthio group, hexylthio group, octylthio group, dodecylthio group, etc.), cycloalkylthio groups (for example, Cyclopentylthio group, cyclohexylthio group, etc.), arylthio group (eg, phenylthio group, naphthylthio group, etc.), alkoxycarbonyl group (eg, methyloxycarbonyl group, ethyloxycarbonyl group, butyloxycarbonyl group, octyloxycarbonyl group, dodecyl) Oxycarbonyl group, etc.), aryloxycarbonyl group (eg, phenyloxycarbonyl group, naphthyloxycarbonyl group, etc.), sulfamoyl group (eg, aminosulfonyl group, methylaminosulfur group) Nyl group, dimethylaminosulfonyl group, butylaminosulfonyl group, hexylaminosulfonyl group, cyclohexylaminosulfonyl group, octylaminosulfonyl group, dodecylaminosulfonyl group, phenylaminosulfonyl group, naphthylaminosulfonyl group, 2-pyridylaminosulfonyl group, etc.) An acyl group (for example, acetyl group, ethylcarbonyl group, propylcarbonyl group, pentylcarbonyl group, cyclohexylcarbonyl group, octylcarbonyl group, 2-ethylhexylcarbonyl group, dodecylcarbonyl group, phenylcarbonyl group, naphthylcarbonyl group, pyridylcarbonyl group) Etc.), acyloxy group (for example, acetyloxy group, ethylcarbonyloxy group, butylcarbonyloxy group, octylcarbonyloxy group, Silcarbonyloxy group, phenylcarbonyloxy group, acryloyl group, methacryloyl group, etc.), amide group (eg, methylcarbonylamino group, ethylcarbonylamino group, dimethylcarbonylamino group, propylcarbonylamino group, pentylcarbonylamino group, cyclohexylcarbonyl) Amino group, 2-ethylhexylcarbonylamino group, octylcarbonylamino group, dodecylcarbonylamino group, phenylcarbonylamino group, naphthylcarbonylamino group, etc.), carbamoyl group (for example, aminocarbonyl group, methylaminocarbonyl group, dimethylaminocarbonyl group) Propylaminocarbonyl group, pentylaminocarbonyl group, cyclohexylaminocarbonyl group, octylaminocarbonyl group, 2-ethylhexyl Aminocarbonyl group, dodecylaminocarbonyl group, phenylaminocarbonyl group, naphthylaminocarbonyl group, 2-pyridylaminocarbonyl group, etc.), ureido group (for example, methylureido group, ethylureido group, pentylureido group, cyclohexylureido group, octylureido) Group, dodecylureido group, phenylureido group naphthylureido group, 2-pyridylaminoureido group, etc.), sulfinyl group (for example, methylsulfinyl group, ethylsulfinyl group, butylsulfinyl group, cyclohexylsulfinyl group, 2-ethylhexylsulfinyl group, dodecylsulfinyl group) Group, phenylsulfinyl group, naphthylsulfinyl group, 2-pyridylsulfinyl group, etc.), alkylsulfonyl group (for example, methylsulfonyl group, ethyl) Sulfonyl group, butylsulfonyl group, cyclohexylsulfonyl group, 2-ethylhexylsulfonyl group, dodecylsulfonyl group, etc.), arylsulfonyl group or heteroarylsulfonyl group (for example, phenylsulfonyl group, naphthylsulfonyl group, 2-pyridylsulfonyl group, etc.), Amino group (for example, amino group, ethylamino group, dimethylamino group, butylamino group, cyclopentylamino group, 2-ethylhexylamino group, dodecylamino group, anilino group, phenylamino group, diphenylamino group, naphthylamino group, 2 -Pyridylamino group, etc.), halogen atom (eg, fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, etc.), fluorinated hydrocarbon group (eg, fluoromethyl group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, pentafluorophene) Cyano group, nitro group, hydroxy group, mercapto group, silyl group (for example, trimethylsilyl group, triisopropylsilyl group, triphenylsilyl group, phenyldiethylsilyl group), phosphono group, hydroxy group, etc. It is done.
These substituents may be further substituted with the above substituents. In addition, a plurality of these substituents may be bonded to each other to form a ring.

一般式1及び3の「Q、Q、Q、及びQ」は窒素原子、若しくはC−Rxを表わす。Rxは水素原子、炭素数6〜20の芳香族炭化水素環基、炭素数3〜20の芳香族複素環基を表わす。Rxの具体例は上記R〜R12について記載したものと同一である。一般式1及び3の「Q及びQ」は窒素原子、若しくはC−Hを表わす。好ましくはC−Hを表わす。
一般式1のQ〜Qで表わされる窒素原子の数は0、1又は2であることが好ましい。
一般式3のQ〜Qで表わされる窒素原子の数は0、2又は4であることが好ましい。
一般式2及び4の「Q及びQ」は窒素原子、若しくはC−Rzを表わす。Rzは水素原子、炭素数6〜20の芳香族炭化水素環基、炭素数3〜20の芳香族複素環基を表わす。Q、及びQ10は酸素原子、若しくは硫黄原子を表わす。
一般式2のQ〜Q10で表わされる窒素原子の数は0~4であることが好ましい。0~2であることがより好ましい。0であることが最も好ましい。
一般式4のQ〜Q10で表わされる窒素原子の数は0~2であることが好ましい。
“Q 1 , Q 3 , Q 4 , and Q 6 ” in the general formulas 1 and 3 represent a nitrogen atom or C—Rx. Rx represents a hydrogen atom, an aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 20 carbon atoms, or an aromatic heterocyclic group having 3 to 20 carbon atoms. Specific examples of Rx are the same as those described for R 1 to R 12 above. “Q 2 and Q 5 ” in the general formulas 1 and 3 represent a nitrogen atom or C—H. Preferably it represents C—H.
The number of nitrogen atoms represented by Q 1 to Q 6 in General Formula 1 is preferably 0, 1 or 2.
The number of nitrogen atoms represented by Q 1 to Q 6 in the general formula 3 is preferably 0, 2 or 4.
“Q 7 and Q 9 ” in the general formulas 2 and 4 represent a nitrogen atom or C—Rz. Rz represents a hydrogen atom, an aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 20 carbon atoms, or an aromatic heterocyclic group having 3 to 20 carbon atoms. Q 8 and Q 10 represent an oxygen atom or a sulfur atom.
The number of nitrogen atoms represented by Q 7 to Q 10 in the general formula 2 is preferably 0 to 4. More preferably, it is 0-2. Most preferably, it is zero.
The number of nitrogen atoms represented by Q 7 to Q 10 in the general formula 4 is preferably 0 to 2.

以下、一般式1〜4で表される、本発明のジ芳香環縮合シロール系化合物の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。

Figure 0005659972
Hereinafter, although the specific example of the diaromatic ring condensed silole type compound of this invention represented by General formula 1-4 is given, this invention is not limited to these.
Figure 0005659972

Figure 0005659972
Figure 0005659972

Figure 0005659972
Figure 0005659972

Figure 0005659972
Figure 0005659972

以下、本発明のジ芳香環縮合シロール系化合物の合成例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
《合成例1:化合物Si−1の合成》

Figure 0005659972

下記参照文献(e)に従い合成した出発原料(A)3.91g(10.0mmol)を無水エーテルに溶解し、窒素気流下、内温−78℃に冷却した。次に1.61MのnBuLi/ヘキサン溶液14.9mlを(22.0mmol)内温−78℃~−75℃を保ちながらゆっくりと滴下した。滴下後、同温度で2時間撹拌を行った。次いで、ジフェニルジクロロシラン2.66g(10.5mmol)を無水エーテル10mlに希釈した溶液を内温−70℃を保ちながら、滴下した。同温度で3時間撹拌したのち、冷却を止め、成り行きで室温まで戻した。溶媒を減圧下に留去し、残さをジクロロメタン−メタノール混合溶媒で再結晶し、中間体(B)を3.88g(94%)得た。次に、(B)3.50g(8.47mmol)をDMAc30mlに溶解し、カルバゾール1.49g(8.89mmol)、CuI 1.61g(8.47mmol)、炭酸カリウム1.17g(8.47mmol)L-proline 100mg(0.85mmol)を加え、窒素気流下、内温140℃で4時間加熱撹拌を行った。反応終了後、溶媒を減圧下に留去し、残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒=トルエン:メチレンクロライド=9:1)にて精製し、Si−1の白色粉末を得た。収量3.59g(収率85%) 構造は、核磁気共鳴法(H−NMR、13C−NMR等)及びMASSスペクトル(質量分析法)にて同定した。 Hereinafter, although the synthesis example of the diaromatic condensed silole type compound of this invention is given, this invention is not limited to these.
<< Synthesis Example 1: Synthesis of Compound Si-1 >>
Figure 0005659972

3.91 g (10.0 mmol) of the starting material (A) synthesized according to the following reference (e) was dissolved in anhydrous ether and cooled to an internal temperature of −78 ° C. under a nitrogen stream. Next, 14.9 ml of a 1.61 M nBuLi / hexane solution (22.0 mmol) was slowly added dropwise while maintaining the internal temperature of -78 ° C to -75 ° C. After dropping, the mixture was stirred at the same temperature for 2 hours. Subsequently, a solution obtained by diluting 2.66 g (10.5 mmol) of diphenyldichlorosilane in 10 ml of anhydrous ether was added dropwise while maintaining an internal temperature of −70 ° C. After stirring for 3 hours at the same temperature, the cooling was stopped and the temperature was returned to room temperature. The solvent was distilled off under reduced pressure, and the residue was recrystallized with a dichloromethane-methanol mixed solvent to obtain 3.88 g (94%) of intermediate (B). Next, 3.50 g (8.47 mmol) of (B) was dissolved in 30 ml of DMAc, and 1.49 g (8.89 mmol) of carbazole, 1.61 g (8.47 mmol) of CuI, 1.17 g (8.47 mmol) of potassium carbonate. 100 mg (0.85 mmol) of L-proline was added, and the mixture was heated and stirred at an internal temperature of 140 ° C. for 4 hours under a nitrogen stream. After completion of the reaction, the solvent was distilled off under reduced pressure, and the residue was purified by silica gel column chromatography (developing solvent = toluene: methylene chloride = 9: 1) to obtain a white powder of Si-1. Yield 3.59 g (yield 85%) The structure was identified by nuclear magnetic resonance ( 1 H-NMR, 13 C-NMR, etc.) and MASS spectrum (mass spectrometry).

《合成例2:化合物Si−3の合成》

Figure 0005659972
下記参照文献(e)に従い合成した出発原料(A)3.91g(10.0mmol)を無水エーテルに溶解し、窒素気流下、内温−78℃に冷却した。次に1.61MのnBuLi/ヘキサン溶液14.9mlを(22.0mmol)内温−78℃~−75℃を保ちながらゆっくりと滴下した。滴下後、同温度で2時間撹拌を行った。次いで、テトラクロロシラン0.89g(5.25mmol)を無水エーテル10mlに希釈した溶液を内温−70℃を保ちながら、滴下した。同温度で4時間撹拌したのち、冷却を止め、成り行きで室温まで戻した。溶媒を減圧下に留去し、残さをジクロロメタン−エタノール混合溶媒で再結晶し、中間体(C)を3.98g(81%)得た。次に、(B)3.50g(7.11mmol)をDMAc50mlに溶解し、カルバゾール2.50g(14.9mmol)、CuI 2.84g(14.9mmol)、炭酸カリウム2.06g(14.9mmol)L-proline 180mg(1.60mmol)を加え、窒素気流下、内温140℃で6時間加熱撹拌を行った。反応終了後、溶媒を減圧下に留去し、残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒=ヘプタン:メチレンクロライド=9:1)にて精製し、Si−3の白色粉末を得た。収量4.31g(収率91%) 構造は、核磁気共鳴法(H−NMR、13C−NMR等)及びMASSスペクトル(質量分析法)にて同定した。 << Synthesis Example 2: Synthesis of Compound Si-3 >>
Figure 0005659972
3.91 g (10.0 mmol) of the starting material (A) synthesized according to the following reference (e) was dissolved in anhydrous ether and cooled to an internal temperature of −78 ° C. under a nitrogen stream. Next, 14.9 ml of a 1.61 M nBuLi / hexane solution (22.0 mmol) was slowly added dropwise while maintaining the internal temperature of -78 ° C to -75 ° C. After dropping, the mixture was stirred at the same temperature for 2 hours. Next, a solution obtained by diluting 0.89 g (5.25 mmol) of tetrachlorosilane in 10 ml of anhydrous ether was added dropwise while maintaining the internal temperature at -70 ° C. After stirring at the same temperature for 4 hours, the cooling was stopped and the temperature was returned to room temperature. The solvent was distilled off under reduced pressure, and the residue was recrystallized with a mixed solvent of dichloromethane-ethanol to obtain 3.98 g (81%) of intermediate (C). Next, 3.50 g (7.11 mmol) of (B) was dissolved in 50 ml of DMAc, 2.50 g (14.9 mmol) of carbazole, 2.84 g (14.9 mmol) of CuI, and 2.06 g (14.9 mmol) of potassium carbonate. L-proline (180 mg, 1.60 mmol) was added, and the mixture was stirred with heating at 140 ° C. for 6 hours under a nitrogen stream. After completion of the reaction, the solvent was distilled off under reduced pressure, and the residue was purified by silica gel column chromatography (developing solvent = heptane: methylene chloride = 9: 1) to obtain a white powder of Si-3. Yield 4.31 g (yield 91%) The structure was identified by nuclear magnetic resonance ( 1 H-NMR, 13 C-NMR, etc.) and MASS spectrum (mass spectrometry).

《合成例3:化合物Si−4の合成》

Figure 0005659972
下記参照文献(a)に従い合成した出発原料(D)4.92g(10.0mmol)をDMAc60mlに溶解し、カルバゾール3.36g(20.1mmol)、CuI 3.85g(20.1mmol)、炭酸カリウム2.78g(20.1mmol)L-proline 230mg(2.00mmol)を加え、窒素気流下、内温150℃で8時間加熱撹拌を行った。反応終了後、溶媒を減圧下に留去し、残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒=ヘプタン:酢酸エチル=19:1)にて精製し、Si−4の白色粉末を得た。収量5.85g(収率88%) 構造は、核磁気共鳴法(H−NMR、13C−NMR等)及びMASSスペクトル(質量分析法)にて同定した。 << Synthesis Example 3: Synthesis of Compound Si-4 >>
Figure 0005659972
4.92 g (10.0 mmol) of starting material (D) synthesized according to the following reference (a) was dissolved in 60 ml of DMAc, and 3.36 g (20.1 mmol) of carbazole, 3.85 g (20.1 mmol) of CuI, potassium carbonate 2.78 g (20.1 mmol) L-proline 230 mg (2.00 mmol) was added, and the mixture was heated and stirred at an internal temperature of 150 ° C. for 8 hours under a nitrogen stream. After completion of the reaction, the solvent was distilled off under reduced pressure, and the residue was purified by silica gel column chromatography (developing solvent = heptane: ethyl acetate = 19: 1) to obtain a white powder of Si-4. Yield 5.85 g (yield 88%) The structure was identified by nuclear magnetic resonance ( 1 H-NMR, 13 C-NMR, etc.) and MASS spectrum (mass spectrometry).

《合成例4:化合物Si−23の合成》

Figure 0005659972
下記参照文献(b)に従い合成した出発原料(E)2.72g(10.0mmol)をDMSO 50mlに溶解し、ビスジオキサボラン3.81g(15.0mmol)、酢酸カリウム1.96g(20.0mmol)Pd(dppf)Cl0.41g(0.50mmol)を加え、窒素気流下、120℃で5時間加熱撹拌した。反応終了後、室温まで冷却し、水200mlを加え、有機層を酢酸エチルで抽出した。抽出液を飽和食塩水で洗浄した。有機層を減圧下に留去し、残さをヘプタンで懸濁洗浄することにより、中間体(F)を3.00g(収率94%)で得た。次に、(F)2.50g(7.83mmol)(C)1.82g(3.72mmol)、炭酸カリウム5.95g(43.1mmol)、Pd(dba) 0.90g(1.57mmol)。dppf 0.87g(1.57mmol)、水1mlをDME100mlに加えて溶解し、内温100℃で6時間加熱撹拌を行った。反応終了後、溶媒を減圧下に留去し、残さをシリカゲルカラムクリマトグラフィー(展開溶媒=ヘプタン:酢酸エチル=9:1)にて精製し、Si−23の白色粉末を得た。収量2.39g(収率90%) 構造は、核磁気共鳴法(H−NMR、13C−NMR等)及びMASSスペクトル(質量分析法)にて同定した。 << Synthesis Example 4: Synthesis of Compound Si-23 >>
Figure 0005659972
2.72 g (10.0 mmol) of the starting material (E) synthesized according to the following reference (b) was dissolved in 50 ml of DMSO, 3.81 g (15.0 mmol) of bisdioxaborane, 1.96 g of potassium acetate (20.20). 0 mmol) Pd (dppf) Cl 2 (0.41 g, 0.50 mmol) was added, and the mixture was heated and stirred at 120 ° C. for 5 hours under a nitrogen stream. After completion of the reaction, the reaction mixture was cooled to room temperature, 200 ml of water was added, and the organic layer was extracted with ethyl acetate. The extract was washed with saturated brine. The organic layer was distilled off under reduced pressure, and the residue was suspended and washed with heptane to obtain 3.00 g of intermediate (F) (yield 94%). Next, (F) 2.50 g (7.83 mmol) (C) 1.82 g (3.72 mmol), potassium carbonate 5.95 g (43.1 mmol), Pd (dba) 2 0.90 g (1.57 mmol) . dppf 0.87 g (1.57 mmol) and 1 ml of water were dissolved in 100 ml of DME, and the mixture was heated and stirred at an internal temperature of 100 ° C. for 6 hours. After completion of the reaction, the solvent was distilled off under reduced pressure, and the residue was purified by silica gel column chromatography (developing solvent = heptane: ethyl acetate = 9: 1) to obtain a white powder of Si-23. Yield 2.39 g (90% yield) The structure was identified by nuclear magnetic resonance ( 1 H-NMR, 13 C-NMR, etc.) and MASS spectrum (mass spectrometry).

《合成例5:化合物Si−26の合成》

Figure 0005659972
下記参照文献(b)に従い合成した出発原料(G)2.34g(10.0mmol)を酢酸30mlに溶解し、30%過酸化水素11.3ml(100mmol)を加え、95℃で5時間加熱撹拌した。反応液を減圧下で90%程度濃縮し、残さに1%重層水100mlを加え、酢酸エチルで有機層を抽出した。飽和食塩水で有機層を3回洗浄し、有機層を減圧下で濃縮した。残さにクロロホルム30mlを加え、オキシ臭化リン4.29g(15.0mmol)を加え、加熱還流を3時間行った。溶媒及び過剰のオキシ臭化リンを減圧下に留去し、残さをトルエンにて再結晶し、中間体(H)を2.50g(収率80%)得た。次に(H)2.5g(7.99mmol)を脱水エーテル50mlに溶解し、内温を−75℃に冷却した。次に1.61MのnBuLi/ヘキサン溶液 10.9ml(17.6mmol)を内温−70℃以下を保ちながらゆっくりと加えた。添加後、2時間同温度下で撹拌したのち、SiCl0.71g(4.19mmol)を脱水エーテル10mlに溶解した溶液を内温−65℃以下を保ちながらゆっくりと加えた。同温度で3時間撹拌したのち、成り行きで室温まで加温し、さらに2時間撹拌を行った。反応終了後、溶媒を減圧下に留去し、残さをメチレンクロリドーエタノール混合溶媒で再結晶し、中間体(I)を1.00g(収率75%)で得た。次に(I)1.00g(3.00mmol)を酢酸10mlに溶解し、30%過酸化水素3.3ml(30mmol)を加え、95℃で5時間加熱撹拌した。反応液を減圧下で90%程度濃縮し、残さに1%重層水10mlを加え、酢酸エチルで有機層を抽出した。飽和食塩水で有機層を3回洗浄し、有機層を減圧下で濃縮した。残さにクロロホルム10mlを加え、オキシ臭化リン2.86g(10.0mmol)を加え、加熱還流を3時間行った。溶媒及び過剰のオキシ臭化リンを減圧下に留去し、残さをトルエンにて再結晶し、中間体(J)を1.40g(収率95%)得た。次に(j)1.00g(2.03mmol)をDMAc10mlに溶解し、カルバゾール0.75g(4.47mmol)、CuI 0.85g(4.47mmol)、炭酸カリウム0.62g(4.47mmol)L-proline 50mg(0.40mmol)を加え、窒素気流下、内温150℃で6時間加熱撹拌を行った。反応終了後、溶媒を減圧下に留去し、残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒=ヘプタン:メチレンクロリド=9:1)にて精製し、Si−26の白色粉末を得た。収量1.05g(収率78%) 構造は、核磁気共鳴法(H−NMR、13C−NMR等)及びMASSスペクトル(質量分析法)にて同定した。 << Synthesis Example 5: Synthesis of Compound Si-26 >>
Figure 0005659972
2.34 g (10.0 mmol) of the starting material (G) synthesized according to the following reference (b) was dissolved in 30 ml of acetic acid, 11.3 ml (100 mmol) of 30% hydrogen peroxide was added, and the mixture was heated and stirred at 95 ° C. for 5 hours. did. The reaction solution was concentrated about 90% under reduced pressure, 100 ml of 1% multistory water was added to the residue, and the organic layer was extracted with ethyl acetate. The organic layer was washed 3 times with saturated brine, and the organic layer was concentrated under reduced pressure. To the residue, 30 ml of chloroform was added, 4.29 g (15.0 mmol) of phosphorus oxybromide was added, and the mixture was heated to reflux for 3 hours. The solvent and excess phosphorus oxybromide were distilled off under reduced pressure, and the residue was recrystallized from toluene to obtain 2.50 g of intermediate (H) (yield 80%). Next, 2.5 g (7.99 mmol) of (H) was dissolved in 50 ml of dehydrated ether, and the internal temperature was cooled to -75 ° C. Next, 10.9 ml (17.6 mmol) of a 1.61 M nBuLi / hexane solution was slowly added while maintaining the internal temperature at −70 ° C. or lower. After the addition, the mixture was stirred at the same temperature for 2 hours, and then a solution in which 0.71 g (4.19 mmol) of SiCl 4 was dissolved in 10 ml of dehydrated ether was slowly added while maintaining the internal temperature at −65 ° C. or lower. After stirring at the same temperature for 3 hours, the reaction was allowed to warm to room temperature, followed by further stirring for 2 hours. After completion of the reaction, the solvent was distilled off under reduced pressure, and the residue was recrystallized with a mixed solvent of methylene chloride ethanol to obtain 1.00 g of intermediate (I) (yield 75%). Next, 1.00 g (3.00 mmol) of (I) was dissolved in 10 ml of acetic acid, 3.3 ml (30 mmol) of 30% hydrogen peroxide was added, and the mixture was heated and stirred at 95 ° C. for 5 hours. The reaction solution was concentrated about 90% under reduced pressure, 10 ml of 1% multistory water was added to the residue, and the organic layer was extracted with ethyl acetate. The organic layer was washed 3 times with saturated brine, and the organic layer was concentrated under reduced pressure. Chloroform 10 ml was added to the residue, phosphorus oxybromide 2.86 g (10.0 mmol) was added, and the mixture was heated to reflux for 3 hours. The solvent and excess phosphorus oxybromide were distilled off under reduced pressure, and the residue was recrystallized from toluene to obtain 1.40 g of intermediate (J) (yield 95%). Next, (j) 1.00 g (2.03 mmol) is dissolved in 10 ml of DMAc, 0.75 g (4.47 mmol) of carbazole, 0.85 g (4.47 mmol) of CuI, 0.62 g (4.47 mmol) of potassium carbonate L -Proline 50 mg (0.40 mmol) was added, and the mixture was heated and stirred at an internal temperature of 150 ° C. for 6 hours under a nitrogen stream. After completion of the reaction, the solvent was distilled off under reduced pressure, and the residue was purified by silica gel column chromatography (developing solvent = heptane: methylene chloride = 9: 1) to obtain a white powder of Si-26. Yield 1.05 g (Yield 78%) The structure was identified by nuclear magnetic resonance ( 1 H-NMR, 13 C-NMR, etc.) and MASS spectrum (mass spectrometry).

《合成例6:化合物Si−32の合成》

Figure 0005659972
下記参照文献(g)に従い合成した出発原料(K)3.18g(10.0mmol)をクロロホルム60mlに溶解し、NBS3.91g(22.0mmol)を加え、室温で3時間撹拌を行った。反応終了後、有機層を充分水洗し、溶媒を減圧下に留去した。残さをトルエンから再結晶し、中間体(L)4.50g(収率95%)得た。次に、(L)4.00g(8.39mmol)を脱水エーテル50mlに溶解し、内温を−75℃に冷却した。次に1.61MのnBuLi/ヘキサン溶液 10.9ml(17.6mmol)を内温−70℃以下を保ちながらゆっくりと加えた。添加後、2時間同温度下で撹拌したのち、SiCl0.71g(4.19mmol)を脱水エーテル10mlに溶解した溶液を内温−65℃以下を保ちながらゆっくりと加えた。同温度で3時間撹拌したのち、成り行きで室温まで加温し、さらに2時間撹拌を行った。反応終了後、溶媒を減圧下に留去し、残さをメチレンクロリドーエタノール混合溶媒で再結晶し、中間体(M)を2.22g(収率80%)で得た。次に(M)2.00g(2.05mmol)を酢酸30mlに溶解し、臭素0.69g(4.31mmol)を加えて室温で5時間撹拌した。溶媒を減圧下に留去し、残さをトルエンで再結晶し、知中間体(N)を1.80g(収率90%)で得た。次に(N)1.50g(1.54mmol)をDMAc30mlに溶解し、カルバゾール1.08g(6.47mmol)、CuI 1.23g(6.47mmol)、炭酸カリウム0.89g(6.47mmol)L-proline 70mg(0.60mmol)を加え、窒素気流下、内温150℃で8時間加熱撹拌を行った。反応終了後、溶媒を減圧下に留去し、残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒=ヘプタン:メチレンクロリド=10:1)にて精製し、Si−32の白色粉末を得た。収量1.53g(収率75%) 構造は、核磁気共鳴法(H−NMR、13C−NMR等)及びMASSスペクトル(質量分析法)にて同定した。 << Synthesis Example 6: Synthesis of Compound Si-32 >>
Figure 0005659972
3.18 g (10.0 mmol) of the starting material (K) synthesized according to the following reference document (g) was dissolved in 60 ml of chloroform, 3.91 g (22.0 mmol) of NBS was added, and the mixture was stirred at room temperature for 3 hours. After completion of the reaction, the organic layer was sufficiently washed with water and the solvent was distilled off under reduced pressure. The residue was recrystallized from toluene to obtain 4.50 g of intermediate (L) (yield 95%). Next, 4.00 g (8.39 mmol) of (L) was dissolved in 50 ml of dehydrated ether, and the internal temperature was cooled to -75 ° C. Next, 10.9 ml (17.6 mmol) of a 1.61 M nBuLi / hexane solution was slowly added while maintaining the internal temperature at −70 ° C. or lower. After the addition, the mixture was stirred at the same temperature for 2 hours, and then a solution in which 0.71 g (4.19 mmol) of SiCl 4 was dissolved in 10 ml of dehydrated ether was slowly added while maintaining the internal temperature at −65 ° C. or lower. After stirring at the same temperature for 3 hours, the reaction was allowed to warm to room temperature, followed by further stirring for 2 hours. After completion of the reaction, the solvent was distilled off under reduced pressure, and the residue was recrystallized with a mixed solvent of methylene chloride ethanol to obtain 2.22 g of intermediate (M) (yield 80%). Next, 2.00 g (2.05 mmol) of (M) was dissolved in 30 ml of acetic acid, 0.69 g (4.31 mmol) of bromine was added, and the mixture was stirred at room temperature for 5 hours. The solvent was distilled off under reduced pressure, and the residue was recrystallized from toluene to obtain 1.80 g (yield 90%) of the known intermediate (N). Next, 1.50 g (1.54 mmol) of (N) was dissolved in 30 ml of DMAc, 1.08 g (6.47 mmol) of carbazole, 1.23 g (6.47 mmol) of CuI, and 0.89 g (6.47 mmol) of potassium carbonate. -Proline 70 mg (0.60 mmol) was added, and the mixture was heated and stirred at an internal temperature of 150 ° C. for 8 hours under a nitrogen stream. After completion of the reaction, the solvent was distilled off under reduced pressure, and the residue was purified by silica gel column chromatography (developing solvent = heptane: methylene chloride = 10: 1) to obtain a white powder of Si-32. Yield 1.53 g (yield 75%) The structure was identified by nuclear magnetic resonance ( 1 H-NMR, 13 C-NMR, etc.) and MASS spectrum (mass spectrometry).

《合成例7:化合物Si−46の合成》

Figure 0005659972
中間体(C)4.90g(10.0mmol)をDMAc70mlに溶解し、3−フェニルインドール4.06g(21.0mmol)、CuI 4.00g(21.0mmol)、炭酸カリウム2.90g(21.0mmol)L-proline230mg(2.00mmol)を加え、窒素気流下、内温150℃で7時間加熱撹拌を行った。反応終了後、溶媒を減圧下に留去し、残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒=ヘプタン:酢酸エチル=10:1)にて精製し、Si−46の白色粉末を得た。収量6.22g(収率87%) 構造は、核磁気共鳴法(H−NMR、13C−NMR等)及びMASSスペクトル(質量分析法)にて同定した。 << Synthesis Example 7: Synthesis of Compound Si-46 >>
Figure 0005659972
Intermediate (C) 4.90 g (10.0 mmol) was dissolved in DMAc 70 ml, 3-phenylindole 4.06 g (21.0 mmol), CuI 4.00 g (21.0 mmol), potassium carbonate 2.90 g (21. 0 mmol) L-proline (230 mg, 2.00 mmol) was added, and the mixture was heated and stirred at an internal temperature of 150 ° C. for 7 hours under a nitrogen stream. After completion of the reaction, the solvent was distilled off under reduced pressure, and the residue was purified by silica gel column chromatography (developing solvent = heptane: ethyl acetate = 10: 1) to obtain a white powder of Si-46. Yield 6.22 g (yield 87%) The structure was identified by nuclear magnetic resonance ( 1 H-NMR, 13 C-NMR, etc.) and MASS spectrum (mass spectrometry).

また、上記の合成例1〜8で示した以外のジ芳香環縮合シロール系化合物も同様にして合成した。
尚、本発明のジ芳香環縮合シロール系化合物の合成に当たり、参照した文献を下記に列挙する。
(a)Science 1998,282,913頁−915頁
(b)J.Org.Chem.,2002, VOL.67, 9392頁−9396頁
(c)J.Org.Chem.,2006, VOL.71, 7826頁−7834頁
(d)J.Am.Chem.Soc.,VOL.124,No.1,2002,49頁−57頁
(e)WO 2006/002731号公報、15頁
(f)J.C.S.,[Section]B,Pysical Organic 1996,733頁−735頁
(g)Chem. Lett.,1982, 1195頁〜1198頁
In addition, diaromatic condensed silole compounds other than those shown in Synthesis Examples 1 to 8 were synthesized in the same manner.
In addition, in the synthesis | combination of the diaromatic ring-condensed silole type compound of this invention, the reference literature is enumerated below.
(A) Science 1998, 282, pp. 913-915 (b) J. Org. Org. Chem. , 2002, VOL. 67, pages 9392-9396 (c) J. MoI. Org. Chem. , 2006, VOL. 71, pp. 7826-7834 (d) J. MoI. Am. Chem. Soc. , VOL. 124, no. 1, 2002, pages 49-57 (e) WO 2006/002731, page 15 (f) J. Am. C. S. , [Section] B, Physical Organic 1996, 733-735 (g) Chem. Lett. 1982, pp. 1195-1198

本発明の有機EL素子を構成する有機層の少なくとも1層に含有される、本発明のジ芳香環縮合シロール系化合物は、その機能が限定されることはなく、有機層内のいずれの層に含有されてもよい。
当該ジ芳香環縮合シロール系化合物は、本発明に記載の効果(高い発光効率、長い発光寿命、経時での変色が全くないまたは少ない)を得る観点からは、好ましくは発光層、正孔輸送層、電子輸送層または正孔阻止層のいずれかに含有され、正孔の輸送を担う観点からは、好ましくは発光層、正孔輸送層に含有され、最も好ましいのは発光層に含有される。
特に、当該ジ芳香環縮合シロール系化合物が発光層に含有される場合には、本発明のジ芳香環縮合シロール系化合物は、好ましくは発光ホスト化合物(ホスト材料ともいう)として用いられる。
本発明の有機EL素子を構成する各有機層は、本発明のジ芳香環縮合シロール系化合物によって単独で構成されていても良いし、当該ジ芳香環縮合シロール系化合物が他の材料と混合されその混合物によって構成されていても良い。
The function of the diaromatic ring-condensed silole compound of the present invention contained in at least one of the organic layers constituting the organic EL device of the present invention is not limited. It may be contained.
The diaromatic ring-condensed silole compound is preferably a light emitting layer or a hole transport layer from the viewpoint of obtaining the effects described in the present invention (high light emission efficiency, long light emission lifetime, no or little discoloration over time). From the viewpoint of being contained in either the electron transport layer or the hole blocking layer and responsible for hole transport, it is preferably contained in the light emitting layer and the hole transport layer, and most preferably contained in the light emitting layer.
In particular, when the diaromatic condensed silole compound is contained in the light emitting layer, the diaromatic condensed silole compound of the present invention is preferably used as a light emitting host compound (also referred to as a host material).
Each organic layer constituting the organic EL device of the present invention may be constituted solely by the diaromatic ring-condensed silole compound of the present invention, or the diaromatic ring-condensed silole compound is mixed with other materials. You may be comprised with the mixture.

《OLED素子(有機EL素子)の構成層》
本発明のOLED素子(有機EL素子)の構成層について説明する。
本発明のOLED素子(有機EL素子)は基板上に1対の電極(陰極と陽極)を有し、両電極の間に発光層を含む有機層を有する。発光素子の性質上、陽極及び陰極のうち少なくとも一方の電極は、透明であることが好ましい。
以下、本発明のOLED素子(有機EL素子)の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。
(i)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
(ii)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(iii)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極
(iv)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
(v)陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
<< Constitutional layer of OLED element (organic EL element) >>
The constituent layers of the OLED element (organic EL element) of the present invention will be described.
The OLED element (organic EL element) of the present invention has a pair of electrodes (cathode and anode) on a substrate, and has an organic layer including a light emitting layer between both electrodes. In view of the properties of the light emitting element, at least one of the anode and the cathode is preferably transparent.
Hereinafter, although the preferable specific example of the layer structure of the OLED element (organic EL element) of this invention is shown below, this invention is not limited to these.
(I) Anode / light emitting layer / electron transport layer / cathode (ii) Anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode (iii) anode / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron Transport layer / cathode (iv) anode / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer / cathode (v) anode / anode buffer layer / hole transport layer / light emitting layer / hole Blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer / cathode

本発明のOLED素子(有機EL素子)においては、青色発光層の発光極大波長は430nm〜480nmにあるものが好ましく、緑色発光層は発光極大波長が510nm〜550nmにあるものが好ましく、赤色発光層は発光極大波長が600nm〜640nmの範囲にある単色発光層であることが好ましく、これらを用いた表示素子であることが好ましい。
また、これらの少なくとも3層の発光層を積層して白色発光素子としたものであっても良い。さらに発光層間には非発光性の中間層を有していても良い。
本発明のOLED素子としては白色発光素子であることが好ましく、これらを用いた照明装置であることが好ましい。
In the OLED element (organic EL element) of the present invention, the light emitting maximum wavelength of the blue light emitting layer is preferably 430 nm to 480 nm, and the green light emitting layer preferably has a light emitting maximum wavelength of 510 nm to 550 nm, and the red light emitting layer. Is preferably a monochromatic light emitting layer having a light emission maximum wavelength in the range of 600 nm to 640 nm, and is preferably a display element using these.
Further, a white light emitting element may be formed by laminating at least three of these light emitting layers. Further, a non-light emitting intermediate layer may be provided between the light emitting layers.
The OLED element of the present invention is preferably a white light emitting element, and is preferably a lighting device using these.

《発光層》
本発明に係る発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子および正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であっても良い。
発光層の膜厚の総和は、特に制限はないが、膜の均質性や発光時に不必要な高電圧を印加するのを防止しかつ駆動電流に対する発光色の安定性向上の観点から、好ましくは2nm〜5μmの範囲に調整され、更に好ましくは2nm〜200nmの範囲に調整され、特に好ましくは10nm〜40nmの範囲に調整される。
<Light emitting layer>
The light emitting layer according to the present invention is a layer that emits light by recombination of electrons and holes injected from the electrode, the electron transport layer, or the hole transport layer, and the light emitting portion is in the layer of the light emitting layer. May also be the interface between the light emitting layer and the adjacent layer.
The total thickness of the light emitting layer is not particularly limited, but is preferably from the viewpoint of the uniformity of the film and the application of unnecessary high voltage during light emission and the improvement of the stability of the emission color with respect to the driving current. It is adjusted to the range of 2 nm to 5 μm, more preferably adjusted to the range of 2 nm to 200 nm, and particularly preferably adjusted to the range of 10 nm to 40 nm.

本発明のOLED素子の発光層には、発光ドーパント(燐光ドーパント(燐光発光性ドーパント基ともいう)又は蛍光ドーパント等)化合物と、ホスト化合物とが含有される。
特に発光層には、青色燐光ドーパント化合物とホスト化合物とが含有されることが好ましい。
The light emitting layer of the OLED device of the present invention contains a light emitting dopant (such as a phosphorescent dopant (also referred to as a phosphorescent dopant group) or a fluorescent dopant) compound and a host compound.
In particular, the light emitting layer preferably contains a blue phosphorescent dopant compound and a host compound.

(1)発光性ドーパント化合物
発光性ドーパント化合物について説明する。
発光性ドーパント化合物としては、燐光ドーパント化合物、蛍光ドーパント化合物を用いる事ができる。本発明では燐光ドーパント化合物が好ましく用いられ、青色燐光ドーパント化合物がさらに好ましく用いられる。
(1) Luminescent dopant compound A luminescent dopant compound is demonstrated.
As the luminescent dopant compound, a phosphorescent dopant compound or a fluorescent dopant compound can be used. In the present invention, a phosphorescent dopant compound is preferably used, and a blue phosphorescent dopant compound is more preferably used.

(1.1)燐光ドーパント化合物
本発明に係る燐光ドーパント化合物について説明する。
本発明に係る燐光ドーパント化合物は、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には室温(25℃)にて燐光発光する化合物であり、燐光量子収率が25℃において0.01以上の化合物であると定義されるが、好ましい燐光量子収率は0.1以上である。
上記、燐光量子収率は、第4版実験化学講座7の分光IIの398頁(1992年版、丸善)に記載の方法により測定できる。溶液中での燐光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に係る燐光ドーパント化合物は任意の溶媒のいずれかにおいれ上記燐光収率0.01以上が達成されれば良い。
(1.1) Phosphorescent dopant compound The phosphorescent dopant compound according to the present invention will be described.
The phosphorescent dopant compound according to the present invention is a compound in which light emission from an excited triplet is observed. Specifically, the phosphorescent dopant compound is a compound that emits phosphorescence at room temperature (25 ° C.). A preferred phosphorescence quantum yield is 0.1 or more, although it is defined as 0.01 or more compounds.
The above phosphorescence quantum yield can be measured by the method described in Spectral II, page 398 (1992 edition, Maruzen) of 4th edition Experimental Chemistry Course 7. Although the phosphorescence quantum yield in a solution can be measured using various solvents, the phosphorescence dopant compound according to the present invention only needs to achieve the above phosphorescence yield of 0.01 or more in any solvent.

燐光ドーパント化合物の発光原理としては2種挙げられる。
その1つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でのキャリアの再結合が起こって、発光性ホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーを燐光ドーパントに移動させることで燐光ドーパントからの発光を得る、というエネルギー移動型である。
もう1つは燐光ドーパント化合物自身がキャリアトラップとなり、燐光ドーパント上でキャリアの再結合が生じ、燐光ドーパント化合物からの発光が得られるというキャリアトラップ型である。
いずれの場合においても、燐光ドーパント化合物の励起状態のエネルギーは、ホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが良好な発光を得るための条件となる。
There are two types of emission principles of the phosphorescent dopant compound.
One of them is the recombination of carriers on the host compound to which carriers are transported, generating an excited state of the luminescent host compound, and transferring this energy to the phosphorescent dopant to obtain light emission from the phosphorescent dopant. The energy transfer type.
The other is a carrier trap type in which the phosphorescent dopant compound itself becomes a carrier trap, carrier recombination occurs on the phosphorescent dopant, and light emission from the phosphorescent dopant compound is obtained.
In any case, the excited state energy of the phosphorescent dopant compound is lower than the excited state energy of the host compound, which is a condition for obtaining good light emission.

下に、燐光ドーパントとして用いられる公知の化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。

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Specific examples of known compounds used as phosphorescent dopants are shown below, but the present invention is not limited thereto.
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(1.2)蛍光ドーパント化合物
蛍光ドーパント化合物としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリリウム系色素、オキソベンゾアントラセン系色素、フルオレッセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素または希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。
(1.2) Fluorescent dopant compound Examples of the fluorescent dopant compound include coumarin dyes, pyran dyes, cyanine dyes, croconium dyes, squarylium dyes, oxobenzoanthracene dyes, fluorescein dyes, rhodamine dyes, Examples include pyrylium dyes, perylene dyes, stilbene dyes, polythiophene dyes, and rare earth complex phosphors.

(2)発光ホスト化合物(ホスト材料、ホスト化合物、発光ホスト等ともいう)
本発明のOLED素子の発光層や発光ユニットに使用される発光ホスト化合物は、発光層に含有される化合物のうち、その層中での質量比が20%以上でかつ室温(25℃)において燐光量子収率が0.1未満の化合物と定義され、好ましくは燐光量子収率が0.01未満である。
発光ホスト化合物は、また、発光層に含有される化合物のうち、層中での質量比が20%以上であることが好ましい。
ホスト化合物としては、本発明のジ芳香環縮合シロール系化合物を用いることが好ましい。ホスト化合物は、本発明のジ芳香環縮合シロール系化合物のうちの1種単独で構成されてもよいし、当該ジ芳香環縮合シロール系化合物のうちの複数種が併用されて構成されてもよい。
ホスト化合物を複数種用いることで、キャリアの移動を調整することが可能であり、OLED素子の性能をさらに高効率化することができる。また、前記燐光ドーパントとして用いられる公知の化合物を複数種用いることで、異なる発光を混合することが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。
本発明に用いられる発光ホストとしては、低分子化合物でも、繰り返し単位を有する高分子化合物でも良く、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物(蒸着重合性発光ホスト)でも良く、このような化合物を1種または複数種用いても良い。
(2) Luminescent host compound (also referred to as host material, host compound, luminescent host, etc.)
The light emitting host compound used in the light emitting layer and the light emitting unit of the OLED device of the present invention is phosphorescent at a room temperature (25 ° C.) with a mass ratio in the layer of 20% or more among the compounds contained in the light emitting layer. The quantum yield is defined as a compound having a value of less than 0.1, and preferably the phosphorescence quantum yield is less than 0.01.
The light emitting host compound preferably has a mass ratio in the layer of 20% or more among the compounds contained in the light emitting layer.
As the host compound, it is preferable to use the diaromatic condensed silole compound of the present invention. The host compound may be composed of one of the diaromatic ring-condensed silole compounds of the present invention alone, or may be composed of a combination of a plurality of the diaromatic ring-condensed silole compounds. .
By using a plurality of types of host compounds, it is possible to adjust the movement of carriers, and the performance of the OLED element can be further increased. In addition, by using a plurality of known compounds used as the phosphorescent dopant, it is possible to mix different light emission, thereby obtaining an arbitrary emission color.
The light emitting host used in the present invention may be a low molecular compound, a high molecular compound having a repeating unit, or a low molecular compound having a polymerizable group such as a vinyl group or an epoxy group (evaporation polymerizable light emitting host). One or a plurality of such compounds may be used.

ホスト化合物には、従来から公知のホスト化合物が併用されてもよい。
公知の発光ホスト化合物として、代表的にはカルバゾール誘導体、トリアリールアミン誘導体、芳香族誘導体、含窒素複素環化合物、チオフェン誘導体、フラン誘導体、オリゴアリーレン化合物等の基本骨格を有するもの、またはカルボリン誘導体やジアザカルバゾール誘導体等が挙げられる。
併用しても良い、公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、発光の長波長化を防ぎ、高Tg(ガラス転移温度)である化合物が好ましい。
公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物等が挙げられるがこれらに限定されるものではない。
特開2001−257076号公報、同2002−308855号公報、同2001−313179号公報、同2002−319491号公報、同2001−357977号公報、同2002−334786号公報、同2002−8860号公報、同2002−334787号公報、同2002−15871号公報、同2002−334788号公報、同2002−43056号公報、同2002−334789号公報、同2002−75645号公報、同2002−338579号公報、同2002−105445号公報、同2002−343568号公報、同2002−141173号公報、同2002−352957号公報、同2002−203683号公報、同2002−363227号公報、同2002−231453号公報、同2003−3165号公報、同2002−234888号公報、同2003−27048号公報、同2002−255934号公報、同2002−260861号公報、同2002−280183号公報、同2002−299060号公報、同2002−302516号公報、同2002−305083号公報、同2002−305084号公報、同2002−308837号公報等。
Conventionally known host compounds may be used in combination with the host compound.
Known light-emitting host compounds typically include those having a basic skeleton such as carbazole derivatives, triarylamine derivatives, aromatic derivatives, nitrogen-containing heterocyclic compounds, thiophene derivatives, furan derivatives, oligoarylene compounds, carboline derivatives, And diazacarbazole derivatives.
A known host compound that may be used in combination is preferably a compound that has a hole transporting ability and an electron transporting ability, prevents a long wavelength of light emission, and has a high Tg (glass transition temperature).
Specific examples of known host compounds include, but are not limited to, compounds described in the following documents.
JP-A-2001-257076, 2002-308855, 2001-313179, 2002-319491, 2001-357777, 2002-334786, 2002-8860, 2002-334787, 2002-15871, 2002-334788, 2002-43056, 2002-334789, 2002-75645, 2002-338579, 2002-105445 gazette, 2002-343568 gazette, 2002-141173 gazette, 2002-352957 gazette, 2002-203683 gazette, 2002-363227 gazette, 2002-231453 gazette, No. 003-3165, No. 2002-234888, No. 2003-27048, No. 2002-255934, No. 2002-286061, No. 2002-280183, No. 2002-299060, No. 2002. -302516, 2002-305083, 2002-305084, 2002-308837, and the like.

次に本発明のOLED素子の構成層として用いられる、注入層、阻止層、輸送層等について説明する。
《注入層:電子注入層、正孔輸送層》
注入層は必要に応じて設けることができ、電子注入層と正孔注入層とがあり、上記の如く陽極と発光層または正孔輸送層との間や、陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させても良い。
注入層とは駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで「OLED素子とその工業化最前線(1998年11月30日、エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123〜166頁)に詳細に記載されており、正孔注入層(陽極バッファー層)と電子注入層(陰極バッファー層)とがある。
陽極バッファー層(正孔注入層)は、特開平9−45579号公報、同9−260062号公報、同8−288069号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン(エメラルディン)やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層などが挙げられる。
陰極バッファー層(電子注入層は)は、特開平6−325871号公報、同9−17574号公報、同10−74586号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。
上記バッファー層(注入層)は、ごく薄い膜であることが好ましく、素材にもよるがその膜厚は0.1nm〜5μmの範囲が好ましい。
Next, an injection layer, a blocking layer, a transport layer and the like used as a constituent layer of the OLED element of the present invention will be described.
<Injection layer: electron injection layer, hole transport layer>
The injection layer can be provided as necessary, and includes an electron injection layer and a hole injection layer, and as described above, between the anode and the light emitting layer or the hole transport layer, or between the cathode and the light emitting layer or the electron transport layer. It may be present between.
An injection layer is a layer provided between an electrode and an organic layer to reduce drive voltage and improve light emission brightness. “OLED element and its forefront of industrialization (November 30, 1998, issued by NTS)” Chapter 2 “Electrode Materials” (pages 123 to 166) of the second edition of the same, and includes a hole injection layer (anode buffer layer) and an electron injection layer (cathode buffer layer).
The details of the anode buffer layer (hole injection layer) are described in JP-A-9-45579, JP-A-9-260062, JP-A-8-288069, and the like, and representative examples thereof include copper phthalocyanine. Phthalocyanine buffer layers, oxide buffer layers typified by vanadium oxide, amorphous carbon buffer layers, polymer buffer layers using conductive polymers such as polyaniline (emeraldine) and polythiophene, and the like.
Details of the cathode buffer layer (electron injection layer) are described in JP-A-6-325871, JP-A-9-17574, JP-A-10-74586, and the like. Specifically, strontium or aluminum Metal buffer layer represented by lithium fluoride, alkali metal compound buffer layer represented by lithium fluoride, alkaline earth metal compound buffer layer represented by magnesium fluoride, oxide buffer layer represented by aluminum oxide, etc. It is done.
The buffer layer (injection layer) is preferably a very thin film, and the film thickness is preferably in the range of 0.1 nm to 5 μm although it depends on the material.

《阻止層:正孔阻止層、電子阻止層》
阻止層は上記の如く、有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。
阻止層は、例えば、特開平11−204158号公報、同11−204359号公報、および「OLED素子とその工業化最前線(1998年11月30日、エヌ・ティー・エス社発行)」の237頁等に記載されており正孔阻止層(ホールブロック層)がある。
正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ、正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔輸送を阻止することで、電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また後述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係る正孔阻止層として用いる事ができる。
本発明のOLED素子(有機EL素子)の正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。
正孔阻止層には、前述のホスト化合物として挙げたカルバゾール誘導体、またカルボリン誘導体やジアザカルバゾール誘導体等を含有することが好ましい。
<Blocking layer: hole blocking layer, electron blocking layer>
As described above, the blocking layer is provided as necessary in addition to the basic constituent layer of the organic compound thin film.
The blocking layer is, for example, pages 237 of JP-A Nos. 11-204158 and 11-204359, and “OLED elements and the forefront of industrialization (November 30, 1998, issued by NTS Corporation)”. There is a hole blocking layer (hole blocking layer).
The hole blocking layer has a function of an electron transport layer in a broad sense, and is made of a hole blocking material having a function of transporting electrons and having a remarkably small ability to transport holes. By blocking hole transport, the recombination probability of electrons and holes can be improved. Moreover, the structure of the electron carrying layer mentioned later can be used as a hole-blocking layer concerning this invention as needed.
The hole blocking layer of the OLED element (organic EL element) of the present invention is preferably provided adjacent to the light emitting layer.
The hole blocking layer preferably contains the carbazole derivative, carboline derivative, diazacarbazole derivative, or the like mentioned as the host compound.

また、発光色の異なる複数の発光層を有する場合、その発光極大波長が最も短波な発光層が、全発光層中、最も陽極に近いことが好ましい。このような場合、該最短波発光層と該発光層の次に陽極に近い発光層との間に正孔阻止層を追加して設ける事が好ましい。さらに、該位置に設けられる正孔阻止層の化合物の50質量%以上が、前記最短波発光層のホスト化合物のイオン化ポテンシャルに対し、0.3eV以上大きいことが好ましい。
イオン化ポテンシャルは化合物のHOMO(最高被占分子軌道)レベルにある電子を真空準位に放出するために必要なエネルギーと定義され、例えば、下記に示すような方法により求めることができる。
(1)米国Gaussian社製の分子軌道計算用ソフトウェアであるGaussian98(Gaussian98、Revision A.11.4,M.J.Frisch,et al,Gaussian,Inc.,Pittsburgh PA,2002.)を用い、キーワードとしてB3LYP/6−31G*を用いて構造最適化を行うことにより算出した値(eV単位換算値)の小数点第2位を四捨五入した値としてイオン化ポテンシャルを求めることができる。この計算値が有効な背景には、この手法で求めた計算値と実験値の相関が高いためである。
(2)光電子分光法で直接測定する方法により求めることもできる。きる。例えば、理研計器製の低エネルギー電子分光装置「Model AC−1」を用いて、あるいは紫外光電子分光として知られている方法を好適に用いることができる。
Moreover, when it has several light emitting layers from which luminescent color differs, it is preferable that the light emitting layer with the shortest light emission maximum wavelength is the closest to an anode among all the light emitting layers. In such a case, it is preferable to additionally provide a hole blocking layer between the shortest wave light emitting layer and the light emitting layer next to the anode next to the light emitting layer. Further, it is preferable that 50% by mass or more of the compound of the hole blocking layer provided at the position is 0.3 eV or more larger than the ionization potential of the host compound of the shortest wave emitting layer.
The ionization potential is defined as the energy required to emit electrons at the HOMO (highest occupied molecular orbital) level of the compound to the vacuum level, and can be obtained by, for example, the following method.
(1) Using Gaussian 98 (Gaussian 98, Revision A.11.4, MJ Frisch, et al, Gaussian, Inc., Pittsburgh PA, 2002.), a molecular orbital calculation software manufactured by Gaussian, USA The ionization potential can be obtained as a value obtained by rounding off the second decimal place of the value (eV unit converted value) calculated by performing structural optimization using B3LYP / 6-31G *. This calculation value is effective because the correlation between the calculation value obtained by this method and the experimental value is high.
(2) It can also be determined by a method of direct measurement by photoelectron spectroscopy. Yes. For example, a method known as ultraviolet photoelectron spectroscopy can be suitably used using a low energy electron spectrometer “Model AC-1” manufactured by Riken Keiki.

一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子輸送を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いる事ができる。
本発明に係る正孔阻止層、電子阻止層の膜厚として、好ましくは3nm〜100nmであり、さらに好ましくは5nm〜30nmである。
On the other hand, the electron blocking layer has a function of a hole transport layer in a broad sense, and is made of a material having a function of transporting holes and a very small ability to transport electrons, and transporting electrons while transporting holes. The probability of recombination of electrons and holes can be improved by blocking. Moreover, the structure of the positive hole transport layer mentioned later can be used as an electron blocking layer as needed.
The film thickness of the hole blocking layer and electron blocking layer according to the present invention is preferably 3 nm to 100 nm, and more preferably 5 nm to 30 nm.

《正孔輸送層》
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれるとみなすことができる。
正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。
正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであっても良い。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体およびピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体や導電性高分子(ポリマーやオリゴマー)、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。
《Hole transport layer》
The hole transport layer is made of a hole transport material having a function of transporting holes. In a broad sense, the hole transport layer and the electron blocking layer can be regarded as being included in the hole transport layer.
The hole transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers.
The hole transport material has any of hole injection or transport and electron barrier properties, and may be either organic or inorganic. For example, triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, Examples thereof include stilbene derivatives, silazane derivatives, aniline copolymers and conductive polymers (polymers and oligomers), particularly thiophene oligomers.

正孔輸送材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第3級アミン化合物およびスチリルアミン化合物、特に芳香族第3級アミン化合物を用いることが好ましい。また、本発明のOLED素子用材料も同様に好ましく用いることができる。
芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−〔1,1′−ビフェニル〕−4,4′−ジアミン(TPD)、4,4′−ビス〔N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル(α−NPD)、4,4′,4″−トリス〔N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン(MTDATA)等が挙げられる。
さらにこれらの材料を高分子鎖に導入、または高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
またp型−Si、p型−SiC等の無機化合物も正孔輸送材料として使用することができる。
また、特開平11−251067号公報、J.Huang et al.著文献(Applied Physics Letters 80(2002),p.139)に記載されているような、p型正孔輸送材料を用いることもできる。
The above-mentioned materials can be used as the hole transport material, but it is preferable to use a porphyrin compound, an aromatic tertiary amine compound and a styrylamine compound, particularly an aromatic tertiary amine compound. Further, the OLED element material of the present invention can also be preferably used.
Representative examples of aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds include N, N'-diphenyl-N, N'-bis (3-methylphenyl)-[1,1'-biphenyl] -4,4 '. -Diamine (TPD), 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (α-NPD), 4,4 ', 4 "-tris [N- (3-methylphenyl) ) -N-phenylamino] triphenylamine (MTDATA).
Furthermore, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or a polymer main chain can also be used.
Inorganic compounds such as p-type-Si and p-type-SiC can also be used as the hole transport material.
JP-A-11-251067, J. Org. Huang et al. A p-type hole transport material as described in a book (Applied Physics Letters 80 (2002), p. 139) can also be used.

正孔輸送層は上記のような正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法などの公知の方法によって薄膜化することにより形成することができる。
正孔輸送層の膜厚について特に制限はないが、通常は5nm〜5μm、好ましくは5nm〜200nmである。
また、正孔輸送材料は複数種の材料からなる一層構造であっても良い。
また、不純物をドープしたp性の高い正孔輸送層を用いることもできる。
The hole transport layer is formed by thinning the hole transport material as described above by, for example, a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a printing method including an ink jet method, or an LB method. be able to.
Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness of a positive hole transport layer, Usually, 5 nm-5 micrometers, Preferably it is 5 nm-200 nm.
Further, the hole transport material may have a single layer structure composed of a plurality of types of materials.
Alternatively, a hole transport layer having a high p property doped with impurities can be used.

《電子輸送層》
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。
電子輸送層は単層または複数層設けることができる。
発光層に対して陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料(正孔阻止材料を兼ねる)としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができ、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。
更に上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
また、8−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス(8−キノリノール)アルミニウム(Alq)、トリス(5,7−ジクロロ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(2−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、ビス(8−キノリノール)亜鉛(Znq)等、及びこれらの金属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、GaまたはPbに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。その他、フタロシアニン系材料やその誘導体も電子輸送材料として好ましく用いることができる。
また、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様にn型−Si、n型−SiC等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。
《Electron transport layer》
The electron transport layer is made of a material having a function of transporting electrons. In a broad sense, an electron injection layer and a hole blocking layer are also included in the electron transport layer.
The electron transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers.
An electron transport material (also serving as a hole blocking material) used for the electron transport layer adjacent to the cathode side with respect to the light emitting layer may have a function of transmitting electrons injected from the cathode to the light emitting layer. As the material, any one of conventionally known compounds can be selected and used. For example, nitro-substituted fluorene derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyran dioxide derivatives, carbodiimides, fluorenylidenemethane derivatives, anthra Examples include quinodimethane and anthrone derivatives, oxadiazole derivatives, and the like.
Furthermore, in the above oxadiazole derivative, a thiadiazole derivative in which the oxygen atom of the oxadiazole ring is substituted with a sulfur atom, and a quinoxaline derivative having a quinoxaline ring known as an electron withdrawing group can also be used as an electron transport material. Furthermore, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used.
In addition, metal complexes of 8-quinolinol derivatives such as tris (8-quinolinol) aluminum (Alq), tris (5,7-dichloro-8-quinolinol) aluminum, tris (5,7-dibromo-8-quinolinol) aluminum Tris (2-methyl-8-quinolinol) aluminum, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) zinc (Znq), and the like, and the central metals of these metal complexes are In, Mg, Metal complexes replaced with Cu, Ca, Sn, Ga or Pb can also be used as the electron transport material. In addition, phthalocyanine materials and derivatives thereof can also be preferably used as the electron transport material.
In addition, the distyrylpyrazine derivative exemplified as the material of the light emitting layer can also be used as an electron transport material, and an inorganic semiconductor such as n-type-Si, n-type-SiC, etc. as in the case of the hole injection layer and the hole transport layer. Can also be used as an electron transporting material.

電子輸送層は上記電子輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。
電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μm程度、好ましくは5nm〜200nmである。
電子輸送層は上記材料の1種または2種以上からなる一層構造であってもよい。
また、不純物をドープしたn性の高い電子輸送層を用いることもできる。
The electron transport layer can be formed by thinning the electron transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a printing method including an ink jet method, or an LB method.
Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness of an electron carrying layer, Usually, 5 nm-about 5 micrometers, Preferably it is 5 nm-200 nm.
The electron transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.
Further, an electron transport layer having a high n property doped with impurities can also be used.

《陽極》
OLED素子における陽極としては、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。
このような電極物質の具体例としては、Au等の金属、CuI、インジウムチンオキシド(ITO)、SnO、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。
また、IDIXO(In−ZnO)等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。
陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法やマスクを介してパターンを形成してもよい。
あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。
この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10%より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。
更に膜厚は材料にもよるが、通常は10nm〜1000nmの範囲であり、好ましくは10nm〜200nmの範囲で選ばれる。
"anode"
As the anode in the OLED element, an electrode material made of a metal, an alloy, an electrically conductive compound and a mixture thereof having a high work function (4 eV or more) is preferably used.
Specific examples of such electrode materials include metals such as Au, and conductive transparent materials such as CuI, indium tin oxide (ITO), SnO 2 , and ZnO.
Alternatively, an amorphous material such as IDIXO (In 2 O 3 —ZnO) capable of forming a transparent conductive film may be used.
For the anode, a thin film may be formed by vapor deposition or sputtering of these electrode materials, and a pattern may be formed through a photolithography method or a mask.
Or when using the substance which can be apply | coated like an organic electroconductivity compound, wet film-forming methods, such as a printing system and a coating system, can also be used.
When light emission is extracted from the anode, it is desirable that the transmittance be greater than 10%, and the sheet resistance as the anode is preferably several hundred Ω / □ or less.
Further, although the film thickness depends on the material, it is usually in the range of 10 nm to 1000 nm, and preferably in the range of 10 nm to 200 nm.

《陰極》
一方、陰極としては仕事関数の小さい(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。
このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。
これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al)混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。
陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。
また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm〜5μm、好ましくは50nm〜200nmの範囲で選ばれる。
なお、発光した光を透過させるため、OLED素子の陽極または陰極のいずれか一方が透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
また、陰極に上記金属を1nm〜20nmの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明または半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。
"cathode"
On the other hand, as the cathode, a material having a low work function (4 eV or less) metal (referred to as an electron injecting metal), an alloy, an electrically conductive compound, and a mixture thereof as an electrode material is used.
Specific examples of such electrode materials include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium / copper mixture, magnesium / silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) Mixtures, indium, lithium / aluminum mixtures, rare earth metals and the like.
Among these, from the point of durability against electron injection and oxidation, etc., a mixture of an electron injecting metal and a second metal which is a stable metal having a larger work function than this, for example, a magnesium / silver mixture, Magnesium / aluminum mixtures, magnesium / indium mixtures, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) mixtures, lithium / aluminum mixtures, aluminum and the like are preferred.
The cathode can be produced by forming a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering.
The sheet resistance as a cathode is preferably several hundred Ω / □ or less, and the film thickness is usually selected in the range of 10 nm to 5 μm, preferably 50 nm to 200 nm.
In order to transmit the emitted light, if either the anode or the cathode of the OLED element is transparent or translucent, the light emission luminance is improved and it is convenient.
Moreover, after producing the said metal by the film thickness of 1 nm-20 nm to a cathode, the transparent or semi-transparent cathode can be produced by producing the electroconductive transparent material quoted by description of the anode on it, By applying this, an element in which both the anode and the cathode are transmissive can be manufactured.

《支持基板》
本発明のOLED素子(有機EL素子)に用いることのできる支持基板(以下、基体、基板、基材、支持体等ともいう)としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また透明であっても不透明であってもよい。
支持基板側から光を取り出す場合には、支持基板は透明であることが好ましい。
好ましく用いられる透明な支持基板としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。
特に好ましい支持基板は、OLED素子(有機EL素子)にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。
《Support substrate》
As a support substrate (hereinafter also referred to as a substrate, substrate, substrate, support, etc.) that can be used in the OLED device (organic EL device) of the present invention, there is no particular limitation on the type of glass, plastic, etc. It may be transparent or opaque.
When extracting light from the support substrate side, the support substrate is preferably transparent.
Examples of the transparent support substrate preferably used include glass, quartz, and a transparent resin film.
A particularly preferable support substrate is a resin film capable of giving flexibility to the OLED element (organic EL element).

樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セルロースエステル類(セルロースアセテートプロピオネート(CAP)、セルロースアセテートフタレート(TAC)、セルロースナイトレート等)またはそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン(JSR製)あるいはアペル(三井化学製)といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。
樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、JIS K 7129−1992に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度(90±2)%RH)が0.01g/(m・24h)以下のバリア性フィルムであることが好ましく、更には、JIS K 7126−1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が10−3cm/(m・24h・atm)(1atmは、1.01325×10Paである)以下、水蒸気透過度が10−3g/(m・24h)以下の高バリア性フィルムであることが好ましく、さらには水蒸気透過度が10−5g/(m・24h)以下であることがより好ましい。
Examples of the resin film include polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene, polypropylene, cellulose esters (cellulose acetate propionate (CAP), cellulose acetate phthalate (TAC), and cellulose nitrate. Etc.) or derivatives thereof, polyvinylidene chloride, polyethylene vinyl alcohol, syndiotactic polystyrene, polycarbonate, norbornene resin, polymethylpentene, polyether ketone, polyimide, polyethersulfone (PES), polyphenylene sulfide, polysulfones, polyether Imide, polyether ketone imide, polyamide, fluororesin, nylon, polymethyl methacrylate, acrylic Alternatively polyarylates, and cycloolefin resins such as ARTON (manufactured by JSR) or APEL (manufactured by Mitsui Chemicals).
On the surface of the resin film, an inorganic film, an organic film, or a hybrid film of both may be formed. Water vapor permeability (25 ± 0.5 ° C.) measured by a method according to JIS K 7129-1992. , Relative humidity (90 ± 2)% RH) is preferably 0.01 g / (m 2 · 24 h) or less, and further, oxygen measured by a method according to JIS K 7126-1987. The permeability is 10 −3 cm 3 / (m 2 · 24 h · atm) (1 atm is 1.01325 × 10 5 Pa) or less, and the water vapor permeability is 10 −3 g / (m 2 · 24 h) or less. It is preferably a high barrier film, and more preferably has a water vapor permeability of 10 −5 g / (m 2 · 24 h) or less.

バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等、素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を好適に用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。
バリア膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができ、大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。
As a material for forming the barrier film, any material may be used as long as it has a function of suppressing intrusion of moisture or oxygen that causes deterioration of the element. For example, silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride, or the like is preferably used. it can. Further, in order to improve the brittleness of the film, it is more preferable to have a laminated structure of these inorganic layers and organic material layers. Although there is no restriction | limiting in particular about the lamination | stacking order of an inorganic layer and an organic layer, It is preferable to laminate | stack both alternately several times.
The method for forming the barrier film is not particularly limited. For example, the vacuum deposition method, sputtering method, reactive sputtering method, molecular beam epitaxy method, cluster ion beam method, ion plating method, plasma polymerization method, atmospheric pressure plasma weight A combination method, a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, or the like can be used, and an atmospheric pressure plasma polymerization method is particularly preferable.

不透明な支持基板としては、例えば、アルミ、ステンレス等の金属板、フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等が挙げられる。
本発明のOLED素子(有機EL素子)の発光の室温における外部取り出し量子効率は、1%以上であることが好ましく、より好ましくは5%以上である。
ここに、外部取り出し量子効率(%)=OLED素子外部に発光した光子数/OLED素子に流した電子数×100である。
また、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用しても、OLED素子からの発光色を、蛍光体で多色へ変換する色変換フィルターを併用してもよい。色変換フィルターを用いる場合においては、OLED素子の発光のλmaxは480nm以下が好ましい。
Examples of the opaque support substrate include metal plates such as aluminum and stainless steel, films, opaque resin substrates, and ceramic substrates.
The external extraction quantum efficiency at room temperature of light emission of the OLED element (organic EL element) of the present invention is preferably 1% or more, more preferably 5% or more.
Here, the external extraction quantum efficiency (%) = the number of photons emitted to the outside of the OLED element / the number of electrons sent to the OLED element × 100.
In addition, a hue improvement filter such as a color filter may be used in combination, or a color conversion filter that converts the emission color from the OLED element into multiple colors with a phosphor may be used in combination. In the case of using a color conversion filter, the λmax of light emission of the OLED element is preferably 480 nm or less.

《封止》
本発明に用いられる封止手段としては、例えば、封止部材と電極または支持基板とを、接着剤で接着する方法を挙げることができる。
封止部材としては、OLED素子の表示領域を覆うように配置されておればよく、凹板状でも平板状でもよい。また、透明性、電気絶縁性は特に問わない。
具体的には、ガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等が挙げられる。ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリスルホン等を挙げることができる。金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属または合金からなるものが挙げられる。
本発明においては、素子を薄膜化できるということからポリマーフィルム、金属フィルムを好ましく使用することができる。
更には、ポリマーフィルムは、JIS K 7126−1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が1×10−3cm/(m・24h・atm)以下、JIS K 7129−1992に準拠した方法で測定された水気透過度(25±0.5℃、相対湿度(90±2)%RH)が1×10−3g/(m・24h)以下のものであることが好ましい。
<Sealing>
As a sealing means used for this invention, the method of adhere | attaching a sealing member, an electrode, or a support substrate with an adhesive agent can be mentioned, for example.
As a sealing member, it should just be arrange | positioned so that the display area | region of an OLED element may be covered, and concave plate shape or flat plate shape may be sufficient. Further, transparency and electrical insulation are not particularly limited.
Specific examples include a glass plate, a polymer plate / film, and a metal plate / film. Examples of the polymer plate include polycarbonate, acrylic, polyethylene terephthalate, polyether sulfide, and polysulfone. Examples of the metal plate include those made of one or more metals or alloys selected from the group consisting of stainless steel, iron, copper, aluminum, magnesium, nickel, zinc, chromium, titanium, molybdenum, silicon, germanium, and tantalum.
In the present invention, a polymer film and a metal film can be preferably used because the element can be thinned.
Further, the polymer film has an oxygen permeability measured by a method according to JIS K 7126-1987 of 1 × 10 −3 cm 3 / (m 2 · 24 h · atm) or less, and conforms to JIS K 7129-1992. The water permeability (25 ± 0.5 ° C., relative humidity (90 ± 2)% RH) measured by the method is preferably 1 × 10 −3 g / (m 2 · 24 h) or less.

接着剤として具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、2−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型(二液混合)を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。
尚、熱硬化型接着剤を用いる場合、OLED素子が熱処理により劣化する場合があるので、室温から80℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。封止部分への接着剤の塗布は市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。
また、有機層を挟み支持基板と対向する側の電極の外側に該電極と有機層を被覆し、支持基板と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、該膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。
Specific examples of the adhesive include photocuring and thermosetting adhesives having reactive vinyl groups such as acrylic acid oligomers and methacrylic acid oligomers, and moisture curing adhesives such as 2-cyanoacrylates. be able to. Moreover, heat | fever and chemical curing types (two-component mixing), such as an epoxy type, can be mentioned. Moreover, hot-melt type polyamide, polyester, and polyolefin can be mentioned. Moreover, a cationic curing type ultraviolet curing epoxy resin adhesive can be mentioned.
In addition, when using a thermosetting adhesive, since an OLED element may deteriorate by heat processing, what can be adhesive-hardened from room temperature to 80 degreeC is preferable. A desiccant may be dispersed in the adhesive. Application | coating of the adhesive agent to a sealing part may use commercially available dispenser, and may print like screen printing.
In addition, it is also preferable that the electrode and the organic layer are coated on the outside of the electrode facing the support substrate with the organic layer interposed therebetween, and an inorganic or organic layer is formed in contact with the support substrate to form a sealing film. . In this case, the material for forming the film may be any material that has a function of suppressing intrusion of elements that cause deterioration of elements such as moisture and oxygen. For example, silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride, or the like may be used. it can.

更に、該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。
これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができる。
封止部材とOLED素子の表示領域との間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。
吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物(例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等)、硫酸塩(例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム等)、金属ハロゲン化物、過塩素酸類等が挙げられ、無水塩が好適に用いられる。
Further, in order to improve the brittleness of the film, it is preferable to have a laminated structure of these inorganic layers and layers made of organic materials.
The method for forming these films is not particularly limited. For example, vacuum deposition, sputtering, reactive sputtering, molecular beam epitaxy, cluster-ion beam method, ion plating method, plasma polymerization method, atmospheric pressure plasma A polymerization method, a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, or the like can be used.
In the gap between the sealing member and the display area of the OLED element, it is preferable to inject an inert gas such as nitrogen or argon, an inert liquid such as fluorinated hydrocarbon, or silicon oil in the gas phase and the liquid phase. . A vacuum is also possible. Moreover, a hygroscopic compound can also be enclosed inside.
Examples of the hygroscopic compound include metal oxides (for example, sodium oxide, potassium oxide, barium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, etc.), sulfates (for example, sodium sulfate, calcium sulfate, magnesium sulfate, etc.), metal halides. Perchloric acids and the like, and anhydrous salts are preferably used.

《保護膜、保護板》
有機層を挟み支持基板と対向する側の前記封止膜、あるいは前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために保護膜、あるいは保護板を設けてもよい。特に封止が前記封止膜により行われている場合には、保護膜、保護板を設けることが好ましい。
これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等を用いることができるが、軽量、且つ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。
《Protective film, protective plate》
In order to increase the mechanical strength of the element, a protective film or a protective plate may be provided on the outer side of the sealing film on the side facing the support substrate with the organic layer interposed therebetween or on the sealing film. In particular, when sealing is performed by the sealing film, it is preferable to provide a protective film and a protective plate.
As a material that can be used for this, the same glass plate, polymer plate / film, metal plate / film, etc. used for the sealing can be used. It is preferable to use a film.

《光取り出し》
OLED素子は空気よりも屈折率の高い(屈折率が1.7〜2.1程度)層の内部で発光し、発光層で発生した光のうち15%から20%程度の光しか取り出せないことが一般的に言われている。
これは、臨界角以上の角度θで界面(透明基板と空気との界面)に入射する光は、全反射を起こし素子外部に取り出すことができないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として光が素子側面方向に逃げるためである。
この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法(米国特許第4,774,435号明細書)、基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法(特開昭63−314795号公報)、素子の側面等に反射面を形成する方法(特開平1−220394号公報)、基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法(特開昭62−172691号公報)、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法(特開2001−202827号公報)、基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間(含む、基板と外界間)に回折格子を形成する方法(特開平11−283751号公報)等がある。
《Light extraction》
The OLED element emits light inside a layer having a higher refractive index than air (refractive index is about 1.7 to 2.1), and only 15% to 20% of the light generated in the light emitting layer can be extracted. Is generally said.
This is because light incident on the interface (interface between the transparent substrate and air) at an angle θ greater than the critical angle causes total reflection and cannot be taken out of the device, or between the transparent electrode or light emitting layer and the transparent substrate. This is because the light is totally reflected between the light and the light is guided through the transparent electrode or the light emitting layer, and as a result, the light escapes in the direction of the element side surface.
As a method for improving the light extraction efficiency, for example, a method of forming irregularities on the surface of the transparent substrate to prevent total reflection at the interface between the transparent substrate and the air (US Pat. No. 4,774,435), A method of improving efficiency by providing a light collecting property to a substrate (Japanese Patent Laid-Open No. 63-314795), a method of forming a reflective surface on a side surface of an element (Japanese Patent Laid-Open No. 1-220394), and light emission from a substrate A method of forming an antireflection film by introducing a flat layer having an intermediate refractive index between the bodies (Japanese Patent Laid-Open No. 62-172691), a flat having a lower refractive index between the substrate and the light emitter than the substrate A method of introducing a layer (Japanese Patent Laid-Open No. 2001-202827), a method of forming a diffraction grating between any one of a substrate, a transparent electrode layer and a light emitting layer (including between the substrate and the outside) (Japanese Patent Laid-Open No. 11-283951) Gazette).

本発明においては、これらの方法を本発明のOLED素子と組み合わせて用いることができるが、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、あるいは基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間(含む、基板と外界間)に回折格子を形成する方法を好適に用いることができる。本発明はこれらの手段を組み合わせることにより、更に高輝度あるいは耐久性に優れた素子を得ることができる。
透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒質を光の波長よりも長い厚みで形成すると、透明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど外部への取り出し効率が高くなる。
低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマー等が挙げられる。透明基板の屈折率は一般に1.5〜1.7程度であるので、低屈折率層は屈折率がおよそ1.5以下であることが好ましい。また、更に1.35以下であることが好ましい。
また、低屈折率媒質の厚みは媒質中の波長の2倍以上となるのが望ましい。これは低屈折率媒質の厚みが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。
In the present invention, these methods can be used in combination with the OLED element of the present invention. However, a method of introducing a flat layer having a lower refractive index than the substrate between the substrate and the light emitter, or a substrate, a transparent electrode A method of forming a diffraction grating between any of the layers and the light emitting layer (including between the substrate and the outside) can be suitably used. In the present invention, by combining these means, it is possible to obtain an element having higher luminance or durability.
When a medium having a low refractive index is formed between the transparent electrode and the transparent substrate with a thickness longer than the wavelength of light, the light extracted from the transparent electrode has a higher extraction efficiency to the outside as the refractive index of the medium is lower.
Examples of the low refractive index layer include aerogel, porous silica, magnesium fluoride, and a fluorine-based polymer. Since the refractive index of the transparent substrate is generally about 1.5 to 1.7, the low refractive index layer preferably has a refractive index of about 1.5 or less. Further, it is preferably 1.35 or less.
The thickness of the low refractive index medium is preferably at least twice the wavelength in the medium. This is because the effect of the low refractive index layer is diminished when the thickness of the low refractive index medium is about the wavelength of light and the electromagnetic wave that has exuded by evanescent enters the substrate.

全反射を起こす界面もしくはいずれかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。
この方法は回折格子が1次の回折や2次の回折といった、所謂ブラッグ回折により、光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることができる性質を利用して、発光層から発生した光のうち層間での全反射等により外に出ることができない光を、いずれかの層間もしくは、媒質中(透明基板内や透明電極内)に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。
導入する回折格子は、二次元的な周期屈折率を持っていることが望ましい。これは発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な1次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。
しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。
回折格子を導入する位置としては前述の通り、いずれかの層間もしくは媒質中(透明基板内や透明電極内)でもよいが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。このとき、回折格子の周期は媒質中の光の波長の約1/2〜3倍程度が好ましい。
回折格子の配列は正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状等、2次元的に配列が繰り返されることが好ましい。
The method of introducing a diffraction grating into an interface or any medium that causes total reflection is characterized by a high effect of improving light extraction efficiency.
This method uses the property that the diffraction grating can change the direction of light to a specific direction different from refraction by so-called Bragg diffraction, such as first-order diffraction or second-order diffraction, and light generated from the light-emitting layer. The light that cannot go out due to total reflection between layers, etc. is diffracted by introducing a diffraction grating in any layer or medium (in the transparent substrate or transparent electrode). It is intended to be taken out.
The introduced diffraction grating desirably has a two-dimensional periodic refractive index. This is because light emitted from the light-emitting layer is randomly generated in all directions, so in a general one-dimensional diffraction grating having a periodic refractive index distribution only in a certain direction, only light traveling in a specific direction is diffracted. Therefore, the light extraction efficiency does not increase so much.
However, by making the refractive index distribution a two-dimensional distribution, light traveling in all directions is diffracted, and light extraction efficiency is increased.
As described above, the position where the diffraction grating is introduced may be in any of the layers or in the medium (in the transparent substrate or in the transparent electrode), but is preferably in the vicinity of the organic light emitting layer where light is generated. At this time, the period of the diffraction grating is preferably about 1/2 to 3 times the wavelength of light in the medium.
The arrangement of the diffraction grating is preferably two-dimensionally repeated, such as a square lattice, a triangular lattice, or a honeycomb lattice.

《集光シート》
本発明のOLED素子は基板の光取り出し側に、例えば、マイクロレンズアレイ状の構造を設けるように加工したり、あるいは所謂集光シートと組み合わせたりすることにより、特定方向、例えば、素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることができる。
マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が30μmでその頂角が90度となるような四角錐を2次元に配列する。一辺は10μm〜100μmが好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付く、大きすぎると厚みが厚くなり好ましくない。
集光シートとしては、例えば、液晶表示装置のLEDバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。このようなシートとして、例えば、住友スリーエム社製輝度上昇フィルム(BEF)等を用いることができる。プリズムシートの形状としては、例えば、基材に頂角90度、ピッチ50μmの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であってもよい。
また、発光素子からの光放射角を制御するために、光拡散板・フィルムを集光シートと併用してもよい。例えば、(株)きもと製拡散フィルム(ライトアップ)等を用いることができる。
<Condenser sheet>
The OLED element of the present invention is processed on the light extraction side of the substrate, for example, by providing a microlens array-like structure, or combined with a so-called condensing sheet, so that the OLED element is arranged in a specific direction, for example, the element light emitting surface. On the other hand, the brightness | luminance in a specific direction can be raised by condensing in a front direction.
As an example of the microlens array, quadrangular pyramids having a side of 30 μm and an apex angle of 90 degrees are two-dimensionally arranged on the light extraction side of the substrate. One side is preferably 10 μm to 100 μm. If it becomes smaller than this, the effect of diffraction will generate | occur | produce and color, and if too large, thickness will become thick and is not preferable.
As the condensing sheet, for example, a sheet that is put into practical use in an LED backlight of a liquid crystal display device can be used. As such a sheet, for example, a brightness enhancement film (BEF) manufactured by Sumitomo 3M Limited can be used. As the shape of the prism sheet, for example, the base material may be formed by forming a △ -shaped stripe having a vertex angle of 90 degrees and a pitch of 50 μm, or the vertex angle is rounded and the pitch is changed randomly. Other shapes may be used.
Moreover, in order to control the light emission angle from a light emitting element, you may use together a light diffusing plate and a film with a condensing sheet. For example, a diffusion film (light-up) manufactured by Kimoto Co., Ltd. can be used.

《OLED素子(有機EL素子)の作製方法》
本発明のOLED素子の作製方法の一例として、陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極からなるOLED素子の作製法を説明する。
まず、適当な支持基板上に所望の電極物質、例えば、陽極用物質からなる薄膜を1μm以下、好ましくは10nm〜200nmの膜厚になるように、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ陽極を作製する。
<< Production Method of OLED Element (Organic EL Element) >>
As an example of the method for producing the OLED device of the present invention, a method for producing an OLED device comprising an anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode will be described.
First, a desired electrode material, for example, a thin film made of an anode material is formed on an appropriate support substrate by a method such as vapor deposition or sputtering so as to have a film thickness of 1 μm or less, preferably 10 nm to 200 nm. To do.

次に、この上にOLED素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、正孔阻止層の有機化合物薄膜を形成させる。
これら各層の形成方法としては、前記の如く蒸着法、ウェットプロセス(スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、印刷法)等があるが、均質な膜が得られやすく、且つピンホールが生成しにくい等の点から、本発明においてはウェットプロセスが好ましく、中でもスピンコート法、インクジェット法、印刷法等の塗布法による成膜が好ましい。
本発明のOLED素子材料を溶解または分散する液媒体としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、DMF、DMSO等の有機溶媒を用いることができる。
また、分散方法としては、超音波、高剪断力分散やメディア分散等の分散方法により分散することができる。
Next, an organic compound thin film of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a hole blocking layer, which are OLED element materials, is formed thereon.
As a method for forming each of these layers, there are a vapor deposition method, a wet process (spin coating method, casting method, ink jet method, printing method) and the like as described above. In view of the above, in the present invention, a wet process is preferable, and film formation by a coating method such as a spin coating method, an ink jet method, or a printing method is particularly preferable.
Examples of the liquid medium for dissolving or dispersing the OLED element material of the present invention include ketones such as methyl ethyl ketone and cyclohexanone, fatty acid esters such as ethyl acetate, halogenated hydrocarbons such as dichlorobenzene, toluene, xylene, mesitylene, Aromatic hydrocarbons such as cyclohexylbenzene, aliphatic hydrocarbons such as cyclohexane, decalin, and dodecane, and organic solvents such as DMF and DMSO can be used.
Moreover, as a dispersion method, it can disperse | distribute by dispersion methods, such as an ultrasonic wave, high shear force dispersion | distribution, and media dispersion | distribution.

これらの層を形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を1μm以下、好ましくは50nm〜200nmの範囲の膜厚になるように、例えば、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陰極を設けることにより所望のOLED素子が得られる。   After these layers are formed, a thin film made of a cathode material is formed thereon by a method such as vapor deposition or sputtering so as to have a film thickness of 1 μm or less, preferably in the range of 50 nm to 200 nm, and a cathode is provided. Thus, a desired OLED element can be obtained.

なお、作製順序を逆にして、陰極、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。
このようにして得られた多色の表示装置に、直流電圧を印加する場合には陽極を+、陰極を−の極性として電圧2V〜40V程度を印加すると発光が観測できる。また、交流電圧を印加してもよい。なお、印加する交流の波形は任意でよい。
Note that it is also possible to produce the cathode, the electron injection layer, the electron transport layer, the light emitting layer, the hole transport layer, the hole injection layer, and the anode in this order by reversing the order of production.
When a DC voltage is applied to the multicolor display device thus obtained, light emission can be observed by applying a voltage of about 2 V to 40 V with the anode as + and the cathode as-. An alternating voltage may be applied. The alternating current waveform to be applied may be arbitrary.

《用途》
本発明のOLED素子(有機EL素子)は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。
発光光源として、例えば、照明装置(家庭用照明、車内照明)、時計や液晶用バックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではないが、特に液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に好ましくに用いることができる。
本発明のOLED素子(有機EL素子)においては、必要に応じ成膜時にメタルマスクやインクジェットプリンティング法等でパターニングを施してもよい。パターニングする場合は、電極のみをパターニングしてもよいし、電極と発光層をパターニングしてもよいし、素子全層をパターニングしてもよく、素子の作製においては、従来公知の方法を用いることができる。
本発明のOLED素子(有機EL素子)や本発明に係る化合物の発光する色は、「新編色彩科学ハンドブック」(日本色彩学会編、東京大学出版会、1985)の108頁の図4.16において、分光放射輝度計CS−1000(コニカミノルタセンシング社製)で測定した結果をCIE色度座標に当てはめたときの色で決定される。
また、本発明のOLED素子(有機EL素子)が白色発光素子の場合には、白色とは、2度視野角正面輝度を上記方法により測定した際に、1000cd/mでのCIE1931表色系における色度がX=0.33±0.07、Y=0.33±0.1の領域内にあることを言う。
<Application>
The OLED element (organic EL element) of the present invention can be used as a display device, a display, and various light sources.
For example, lighting devices (home lighting, interior lighting), clock and liquid crystal backlights, billboard advertisements, traffic lights, light sources of optical storage media, light sources of electrophotographic copying machines, light sources of optical communication processors, light Examples include, but are not limited to, a light source of a sensor, and the light source can be preferably used for a backlight of a liquid crystal display device and a light source for illumination.
In the OLED element (organic EL element) of the present invention, patterning may be performed by a metal mask, an inkjet printing method, or the like at the time of film formation, if necessary. In the case of patterning, only the electrode may be patterned, the electrode and the light emitting layer may be patterned, or the entire layer of the element may be patterned. In the fabrication of the element, a conventionally known method is used. Can do.
The light emission color of the OLED element (organic EL element) of the present invention and the compound according to the present invention is shown in FIG. 4.16 on page 108 of “New Color Science Handbook” (Edited by the Japan Color Society, University of Tokyo Press, 1985). The color measured when the result measured with a spectral radiance meter CS-1000 (manufactured by Konica Minolta Sensing) is applied to the CIE chromaticity coordinates is determined.
Further, when the OLED element (organic EL element) of the present invention is a white light emitting element, white means the CIE 1931 color system at 1000 cd / m 2 when the front luminance at 2 ° viewing angle is measured by the above method. Is in the region of X = 0.33 ± 0.07, Y = 0.33 ± 0.1.

《表示装置および照明装置》
本発明のOLED素子(有機EL素子)を用いた表示装置(図1および図2参照)と照明装置(図3および図4参照)との一例を、図面に基づいて説明する。
<< Display device and lighting device >>
An example of a display device (see FIGS. 1 and 2) and an illumination device (see FIGS. 3 and 4) using the OLED element (organic EL element) of the present invention will be described based on the drawings.

図1は有機EL素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。
図1は有機EL素子の発光により画像情報の表示を行う、例えば、携帯電話等のディスプレイの模式図である。
図1に示すとおり、ディスプレイ1は複数の画素を有する表示部Aと、画像情報に基づいて表示部Aの画像走査を行う制御部Bとを、有している。
制御部Bは表示部Aと電気的に接続されている。
制御部Bは、複数の画素それぞれに外部からの画像情報に基づいて走査信号と画像データ信号を送り、走査信号により走査線毎の画素が画像データ信号に応じて順次発光して画像走査を行って画像情報を表示部Aに表示させるようになっている。
FIG. 1 is a schematic view showing an example of a display device composed of organic EL elements.
FIG. 1 is a schematic diagram of a display such as a mobile phone that displays image information by light emission of an organic EL element.
As shown in FIG. 1, the display 1 includes a display unit A having a plurality of pixels and a control unit B that performs image scanning of the display unit A based on image information.
The control unit B is electrically connected to the display unit A.
The control unit B sends a scanning signal and an image data signal to each of the plurality of pixels based on image information from the outside, and the pixels for each scanning line sequentially emit light according to the image data signal by the scanning signal to perform image scanning. The image information is displayed on the display unit A.

図2は表示部Aの模式図である。
図2に示すとおり、表示部Aは基板上に、複数の走査線5及びデータ線6を含む配線部と、複数の画素3とを、有している。
表示部Aの主要な部材の説明を以下に行う。
図2においては、画素3の発光した光が白矢印方向(下方向)へ取り出される場合を示している。
配線部の走査線5及び複数のデータ線6はそれぞれ導電材料から構成されている。
走査線5とデータ線6とは格子状に直交して、直交する位置で画素3に接続されている(詳細は図示していない)。
画素3は走査線5から走査信号が印加されると、データ線6から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。
表示部Aによれば、発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素を適宜同一基板上に並列配置することによって、フルカラー表示が可能となる。
FIG. 2 is a schematic diagram of the display unit A.
As shown in FIG. 2, the display unit A has a wiring unit including a plurality of scanning lines 5 and data lines 6 and a plurality of pixels 3 on a substrate.
The main members of the display unit A will be described below.
FIG. 2 shows a case where the light emitted from the pixel 3 is extracted in the direction of the white arrow (downward).
Each of the scanning lines 5 and the plurality of data lines 6 in the wiring portion is made of a conductive material.
The scanning lines 5 and the data lines 6 are orthogonal to each other in a lattice pattern, and are connected to the pixels 3 at the orthogonal positions (details are not shown).
When a scanning signal is applied from the scanning line 5, the pixel 3 receives an image data signal from the data line 6 and emits light according to the received image data.
According to the display unit A, full-color display can be performed by appropriately arranging pixels in which the emission color is a red region, a green region, and a blue region on the same substrate.

図3は照明装置の概略図を示している。
図3に示すとおり、有機EL素子101はガラスカバー102で覆われている
ガラスカバー102での封止作業は、好ましくは有機EL素子101を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス(純度99.999%以上の高純度窒素ガスの雰囲気下)で行なわれる。
図4は照明装置の断面図を示している。
図4に示すとおり、当該照明装置は、陰極105、有機EL層106および透明電極付きガラス基板107を有している。
当該照明装置では、ガラスカバー102内に窒素ガス108が充填され、捕水剤109が設けられている。
FIG. 3 shows a schematic diagram of the illumination device.
As shown in FIG. 3, the organic EL element 101 is covered with a glass cover 102. The sealing operation with the glass cover 102 is preferably a glove box (purity) in a nitrogen atmosphere without bringing the organic EL element 101 into contact with the atmosphere. 99.999% or higher atmosphere of high purity nitrogen gas).
FIG. 4 shows a cross-sectional view of the lighting device.
As shown in FIG. 4, the lighting device includes a cathode 105, an organic EL layer 106, and a glass substrate 107 with a transparent electrode.
In the lighting device, the glass cover 102 is filled with nitrogen gas 108 and a water catching agent 109 is provided.

以下、実施例により本発明を説明するが、本発明はこれらに限定されない。
尚、実施例において「%」の表示を用いるが、特に断りが無い限り「質量%」を表す。
また、素子の作製に用いた化合物を以下に示す。
EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention, this invention is not limited to these.
In addition, although the display of "%" is used in an Example, unless otherwise indicated, "mass%" is represented.
In addition, compounds used for manufacturing the device are shown below.

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《サンプルの作製》
(1)OLED素子1−1
100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITO(インジウムチンオキサイド)を厚さ200nmで製膜した基板を用い、ITO膜を50mm×50mmの発光面積が得られるようパターニングして陽極電極(ITO透明電極)を作製し、イソプロピルアルコールで超音波洗浄し、窒素ガスで乾燥、さらにUVオゾン洗浄を行い、透明支持基板を作製した。
この透明支持基板を市販の真空蒸着装置に入れ、4×10−4Pa以下まで減圧した後、正孔注入層としてCuPc(銅フタロシアニン)を蒸着し、20nmの正孔注入層を設けた。
更に続けて正孔輸送材料HT−1を20nm蒸着して正孔輸送層を形成し、その上にホスト材料としての本発明のジ芳香環縮合シロール系化合物Si−1と、青色燐光ドーパントD−1とを、ドーパント濃度が10%となるようにした発光層を30nm蒸着した。
更に、電子輸送材料ET−1を30nm蒸着して電子輸送層を形成し、引き続きフッ化リチウムを0.5nm蒸着し電子注入層を形成し、アルミニウム120nmを蒸着して陰極を製膜し、「OLED素子1−1」を作製した。
<Production of sample>
(1) OLED element 1-1
Using a substrate in which ITO (indium tin oxide) is formed to a thickness of 200 nm on a glass substrate of 100 mm × 100 mm × 1.1 mm, the ITO film is patterned to obtain a light emitting area of 50 mm × 50 mm, and an anode electrode (ITO) A transparent electrode) was prepared, ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with nitrogen gas, and further subjected to UV ozone cleaning to prepare a transparent support substrate.
This transparent support substrate was put into a commercially available vacuum deposition apparatus, and after reducing the pressure to 4 × 10 −4 Pa or less, CuPc (copper phthalocyanine) was deposited as a hole injection layer to provide a 20 nm hole injection layer.
Subsequently, a hole transporting material HT-1 is deposited to a thickness of 20 nm to form a hole transporting layer, on which a diaromatic condensed silole compound Si-1 of the present invention as a host material and a blue phosphorescent dopant D- 1 and a light emitting layer having a dopant concentration of 10% was deposited by 30 nm.
Further, the electron transport material ET-1 was deposited to 30 nm to form an electron transport layer, then lithium fluoride was deposited to 0.5 nm to form an electron injection layer, aluminum 120 nm was deposited to form a cathode, OLED element 1-1 "was produced.

(2)OLED素子1−2〜1−27
OLED素子1−1の作製において、表1に記載の様に電子輸送材料、ホスト材料および正孔輸送材料をそれぞれ変更した。
それ以外は同様にして、「OLED素子1−2〜1−27」を作製した。
(2) OLED elements 1-2 to 1-27
In the production of the OLED element 1-1, as shown in Table 1, the electron transport material, the host material, and the hole transport material were changed.
Other than that produced "OLED element 1-2-1-27" similarly.

《サンプル(OLED素子1−1〜1−27)の評価》
OLED素子1−1〜1−27の各々において、非発光面をガラスケースで覆い、周縁部をエポキシ系接着剤で封止し、図3および図4に示すような照明装置(平面ランプ)を形成し、各素子ごとに、下記の発光効率、発光寿命および変色(発光色の経時での変色)を評価した。
<< Evaluation of Samples (OLED Elements 1-1 to 1-27) >>
In each of the OLED elements 1-1 to 1-27, the non-light-emitting surface is covered with a glass case, the peripheral portion is sealed with an epoxy-based adhesive, and an illumination device (planar lamp) as shown in FIGS. For each element, the following light emission efficiency, light emission lifetime, and discoloration (discoloration of the light emission color over time) were evaluated.

(1)発光効率
OLED素子1−1〜1−27について、2.5mA/cmの定電流を印加し、その際の外部取出し量子効率を測定した。測定には、分光放射輝度計CS−1000(コニカミノルタセンシング社製)を用いた。
尚、効率の値は、OLED素子1−1〜1−14に対してはOLED素子1−1の測定値を100とし、OLED素子1−15〜1−20に対してはOLED素子1−15の測定値を100とし、OLED素子1−21〜1−27に対してはOLED素子1−21の測定値を100とした場合の相対値で表1に示した。
(1) Luminous efficiency About OLED elements 1-1 to 1-27, a constant current of 2.5 mA / cm 2 was applied, and the external extraction quantum efficiency at that time was measured. For the measurement, a spectral radiance meter CS-1000 (manufactured by Konica Minolta Sensing) was used.
In addition, the value of efficiency sets the measured value of the OLED element 1-1 to 100 for the OLED elements 1-1 to 1-14, and the OLED element 1-15 for the OLED elements 1-15-1 to 1-20. Table 1 shows relative values when the measured value of OLED element 1-21 is 100 with respect to OLED elements 1-21 to 1-27.

(2)発光寿命
OLED素子1−1〜1−27について、初期輝度600cd/mを与える電流で定電流駆動させ、初期輝度の1/2(300cd/m)になる時間を測定し、これを安定性の尺度とした。
尚、効率の評価と同様に、安定性の値は、OLED素子1−1〜1−14に対してはOLED素子1−1の測定値を100とし、OLED素子1−15〜1−20に対してはOLED素子1−15の測定値を100とし、OLED素子1−21〜1−27に対してはOLED素子1−20の測定値を100とした場合の相対値で表1に示した。
(2) for emission lifetime OLED element 1-1~1-27, initial luminance 600 cd / m 2 was driven at a constant current at a current giving, to measure the time to be 1/2 (300 cd / m 2) of the initial luminance, This was taken as a measure of stability.
As in the evaluation of efficiency, the stability value is 100 for the OLED elements 1-1 to 1-14, and the measured value of the OLED elements 1-1 to 1-20 is 100. On the other hand, the measured value of the OLED element 1-15 is 100, and the relative value when the measured value of the OLED element 1-20 is 100 is shown in Table 1 for the OLED elements 1-21 to 1-27. .

(3)発光色の経時での変色
OLED素子1−1〜1−27について、初期輝度600cd/mを与える電流で定電流駆動させ、初期輝度の2/3(400cd/m)になったときの発光色の変化を目視により観察し、その観察結果に対し下記のような4段階のランク評価を行った。得られた結果を表1に示す。
「◎」:変色は見られない
「○」:極わずかに黄色みを帯びている。
「△」:黄色みを帯びている。
「×」:著しく黄色みを帯びている。
(3) The emission color of the color change with time OLED element 1-1~1-27, initial luminance 600 cd / m 2 constant current was driven at a current giving, becomes the initial luminance 2/3 (400 cd / m 2) The change in emission color was observed visually, and the following four rank evaluations were performed on the observation results. The obtained results are shown in Table 1.
“◎”: No discoloration is observed. “◯”: Slightly yellowish.
“△”: Yellowish.
“×”: remarkably yellowish.

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(4)まとめ
表1に示すとおり、OLED素子1−1〜1−7,1−15〜1−18,1−21〜1−24とOLED素子1−8〜1−14,1−19〜1−20,1−25〜1−27とを比較すると、本発明の実施例であるOLED素子1−1〜1−7,1−15〜1−18,1−21〜1−24は、発光効率、発光寿命および変色(経時での発光色の変色)のいずれの特性においても優れていた。
以上から、正孔輸送層や発光層、電子輸送層などの有機層中に、ジ芳香環縮合シロール系化合物が含有されていることは、発光効率、発光寿命および変色防止の向上に有用であることがわかる。
(4) Summary As shown in Table 1, OLED elements 1-1 to 1-7, 1-15 to 1-18, 1-21 to 1-24 and OLED elements 1-8 to 1-14, 1-19 to 1-20, 1-25 to 1-27, OLED elements 1-1 to 1-7, 1-15 to 1-18, 1-21 to 1-24, which are examples of the present invention, It was excellent in all the characteristics of luminous efficiency, luminous lifetime and discoloration (discoloration of luminescent color with time).
From the above, the fact that a diaromatic condensed silole compound is contained in an organic layer such as a hole transport layer, a light emitting layer, or an electron transport layer is useful for improving luminous efficiency, light emitting lifetime, and prevention of discoloration. I understand that.

《白色発光素子X及び白色照明装置Xの作製》:本発明の実施例
陽極として20mm×20mmにパターニング済みのITO付きガラス基板上に、上記実施例1と同様にして正孔注入/輸送層としてHT−1を30nmの厚さで製膜し、さらにジ芳香環縮合シロール系化合物Si−3とドーパントD−6,D−36とを、それぞれ蒸着速度が100:0.5:8となるように調節し、膜厚40nmの発光層を設けた。
次に正孔阻止層としてBAlqを10nm製膜し、続いてAlqを30nm製膜し電子輸送層を設けた。
引き続き電子注入層としてフッ化リチウムを0.5nmの厚さに形成した後、陰極としてアルミニウム200nmを製膜して、「白色発光素子X」を作製した。
次いで、白色発光素子Xの非発光面をガラスケースで覆い、エポキシ系接着剤で封止し、図3および図4に示すような平面ランプ型の「白色照明装置X」を作製した。
白色照明装置Xに通電したところ、冷陰極管に匹敵する発光効率の白色の光が得られ、白色発光素子Xを照明装置として使用できることが分かった。この照明装置の発光寿命は良好であり、経時での発光色の変色は全く見られなかった。
<< Preparation of White Light-Emitting Element X and White Illuminating Device X >>: Example of the Present Invention As a positive hole injection / transport layer in the same manner as in Example 1 above on a glass substrate with ITO patterned to 20 mm × 20 mm as an anode HT-1 is formed into a film having a thickness of 30 nm, and the diaromatic condensed silole compound Si-3 and dopants D-6 and D-36 are deposited at a deposition rate of 100: 0.5: 8, respectively. The emission layer having a thickness of 40 nm was provided.
Next, 10 nm of BAlq was formed as a hole blocking layer, and then 30 nm of Alq 3 was formed to provide an electron transport layer.
Subsequently, lithium fluoride was formed to a thickness of 0.5 nm as an electron injection layer, and then 200 nm of aluminum was formed as a cathode to produce “white light emitting element X”.
Next, the non-light-emitting surface of the white light-emitting element X was covered with a glass case and sealed with an epoxy adhesive, and a flat lamp type “white illumination device X” as shown in FIGS. 3 and 4 was produced.
When the white lighting device X was energized, white light with luminous efficiency comparable to that of the cold cathode tube was obtained, and it was found that the white light emitting element X can be used as the lighting device. The light emission life of this lighting device was good, and no discoloration of the emission color over time was observed.

《白色発光素子Yおよび白色照明装置Yの作製》:本発明の実施例
実施例2の白色発光素子X及び白色照明装置Xの作製に用いたのと同一のガラス基板上に、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリスチレンスルホネート(PEDOT/PSS、Bayer製、Baytron P Al 4083)を純粋で70%に希釈した溶液を3000rpm、30秒スピンコートした後、乾燥し、膜厚30nmの正孔輸送層を設けた。
更に、正孔輸送層付き基板を窒素雰囲気下に移し、ジ芳香環縮合シロール系化合物Si−46(150mg)と、ドーパントD−8(6.5mg),D−34(4.0mg)とを、トルエン10mlに溶解した溶液を、1000rpm、30秒スピンコートした後、100℃で真空減圧乾燥して発光層とした。
続いて、この基板を真空蒸着装置に移し、真空度4.0×10−4Paで電子輸送層としてAlqを40nmの厚さで製膜し、引き続き電子注入層としてフッ化リチウムを0.5nmの厚さに形成した後、陰極としてアルミニウム150nmを製膜して「白色発光素子Y」を作製した。
次いで、白色発光素子Yの非発光面をガラスケースで覆い、エポキシ系接着剤で封止し、図3および図4に示すような平面ランプ型の「白色照明装置Y」を作製した。
白色照明装置Yに通電したところ、ほぼ白色の光が得られ、白色発光素子Yを照明装置として使用できることがわかった。この照明装置の発光寿命は良好であり、経時での発光色の変色は全く見られなかった。
<< Preparation of White Light-Emitting Element Y and White Lighting Device Y >>: Example of the Present Invention On the same glass substrate used for the production of white light-emitting element X and white lighting device X of Example 2, poly (3, 4-Ethylenedioxythiophene) -polystyrene sulfonate (PEDOT / PSS, Bayer, Baytron P Al 4083), a pure solution diluted to 70%, was spin-coated at 3000 rpm for 30 seconds, dried, and then positively coated with a film thickness of 30 nm. A hole transport layer was provided.
Further, the substrate with a hole transport layer was transferred to a nitrogen atmosphere, and a diaromatic condensed silole compound Si-46 (150 mg) and dopants D-8 (6.5 mg) and D-34 (4.0 mg) were added. A solution dissolved in 10 ml of toluene was spin-coated at 1000 rpm for 30 seconds, and then dried under reduced pressure at 100 ° C. to obtain a light emitting layer.
Subsequently, this substrate was transferred to a vacuum deposition apparatus, and Alq 3 was formed to a thickness of 40 nm as an electron transport layer at a degree of vacuum of 4.0 × 10 −4 Pa, and subsequently, lithium fluoride was set to a thickness of 0.04 as an electron injection layer. After forming to a thickness of 5 nm, aluminum having a thickness of 150 nm was formed as a cathode to produce “white light emitting element Y”.
Next, the non-light-emitting surface of the white light-emitting element Y was covered with a glass case and sealed with an epoxy adhesive, and a flat lamp type “white illumination device Y” as shown in FIGS. 3 and 4 was produced.
When the white lighting device Y was energized, almost white light was obtained, and it was found that the white light emitting element Y can be used as the lighting device. The light emission life of this lighting device was good, and no discoloration of the emission color over time was observed.

《比較の白色発光素子y1,y2および比較の白色照明装置y1,y2の作製》
白色発光素子Y及び白色照明装置Yの作製において、ジ芳香環縮合シロール化合物Si−23を、各々比較の化合物5(150mg)、比較の化合物6(150mg)に置き換え、それ以外は同様にして、比較の白色発光素子y1,y2の作製を行い、次いで、比較の白色照明装置y1,y2の作製を各々行った。
比較の白色発光素子y1,y2に各々通電したところ、白色照明装置y1,y2から各々白色発光が得られたが、白色発光装置y1,y2は、発光効率が本発明の実施例である白色発光素子Yを有する白色照明装置Yの約80%であり、且つ、経時で発光色が黄色く変色してしまうことが判った。
以上から、本発明の実施例である白色発光素子Yによれば、比較の白色発光素子y1,y2に比べて、発光効率、発光寿命及び経時での発光色の変色にも優れた白色照明装置を提供できることが明らかである。
<< Production of Comparative White Light Emitting Elements y1 and y2 and Comparative White Lighting Devices y1 and y2 >>
In the production of the white light-emitting element Y and the white lighting device Y, the diaromatic condensed silole compound Si-23 was replaced with the comparative compound 5 (150 mg) and the comparative compound 6 (150 mg), respectively. Comparative white light-emitting elements y1 and y2 were produced, and then comparative white lighting devices y1 and y2 were produced respectively.
When the white light-emitting elements y1 and y2 for comparison were respectively energized, white light emission was obtained from the white illumination devices y1 and y2, respectively, and the white light-emitting devices y1 and y2 had white light emission efficiency as an example of the present invention. It was found that it was about 80% of the white lighting device Y having the element Y, and the luminescent color changed to yellow over time.
From the above, according to the white light-emitting element Y which is an embodiment of the present invention, the white illumination device is superior in light emission efficiency, light-emission life and discoloration of the emitted color over time as compared with the comparative white light-emitting elements y1 and y2. It is clear that can be provided.

1 ディスプレイ
3 画素
5 走査線
6 データ線
A 表示部
B 制御部
101 有機EL素子
102 ガラスカバー
105 陰極
106 有機EL層
107 透明電極付きガラス基板
108 窒素ガス
109 捕水剤
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Display 3 Pixel 5 Scan line 6 Data line A Display part B Control part 101 Organic EL element 102 Glass cover 105 Cathode 106 Organic EL layer 107 Glass substrate with a transparent electrode 108 Nitrogen gas 109 Water trapping agent

Claims (4)

1対の電極と、前記1対の電極間に配置され、発光層を含む少なくとも1層の有機層と、を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記有機層のうちの少なくとも1層には、一般式1〜一般式4で表わされるジ芳香環縮合シロール系化合物の少なくとも1種が含有されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
Figure 0005659972
「一般式1中、R、及びRは水素原子、炭素数6〜20の芳香族炭化水素環基、炭素数3〜20の芳香族複素環基を表わす。但し、RとRが同時に水素原子であることはない。R及びRは炭素数6〜20の芳香族炭化水素環基、炭素数3〜20の芳香族複素環基を表わす。RとRは互いに結合して環を形成してもよい。Q、Q、Q、及びQは窒素原子、若しくはC−Rxを表わす。Rxは水素原子、炭素数6〜20の芳香族炭化水素環基、炭素数3〜20の芳香族複素環基を表わす。Q及びQは窒素原子、若しくはC−Hを表わす。
一般式2中、R、及びRは水素原子、炭素数6〜20の芳香族炭化水素環基、炭素数3〜20の芳香族複素環基を表わす。但し、RとRが同時に水素原子であることはない。R及びRは炭素数6〜20の芳香族炭化水素環基、炭素数3〜20の芳香族複素環基を表わす。RとRは互いに結合して環を形成してもよい。Q及びQは窒素原子、若しくはC−Rzを表わす。Rzは水素原子、炭素数6〜20の芳香族炭化水素環基、炭素数3〜20の芳香族複素環基を表わす。Q、及びQ10は酸素原子、若しくは硫黄原子を表わす。
一般式3において、R、R、及びQ〜Qは一般式1におけるものと同義である。R及びR10は水素原子、炭素数6〜20の芳香族炭化水素環基、炭素数3〜20の芳香族複素環基を表わす。
一般式4においてR、R、及びQ〜Q10は一般式2におけるものと同義である。R11及びR12は水素原子、炭素数6〜20の芳香族炭化水素環基、炭素数3〜20の芳香族複素環基を表わす。」
In an organic electroluminescence device having a pair of electrodes and at least one organic layer disposed between the pair of electrodes and including a light emitting layer,
At least one of the diaromatic ring-condensed silole compounds represented by the general formulas 1 to 4 is contained in at least one of the organic layers.
Figure 0005659972
“In General Formula 1, R 1 and R 2 represent a hydrogen atom, an aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 20 carbon atoms, or an aromatic heterocyclic group having 3 to 20 carbon atoms, provided that R 1 and R 2 There is .R 3 and R 4 not simultaneously hydrogen atoms aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 20 carbon atoms, .R 3 and R 4 representing an aromatic heterocyclic group having 3 to 20 carbon atoms with each other Q 1 , Q 3 , Q 4 , and Q 6 each represent a nitrogen atom or C—Rx, where Rx is a hydrogen atom or an aromatic hydrocarbon ring having 6 to 20 carbon atoms. Group represents an aromatic heterocyclic group having 3 to 20 carbon atoms, Q 2 and Q 5 each represent a nitrogen atom or C—H.
In General Formula 2, R 5 and R 6 represent a hydrogen atom, an aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 20 carbon atoms, or an aromatic heterocyclic group having 3 to 20 carbon atoms. However, R 5 and R 6 are not simultaneously hydrogen atoms. R 7 and R 8 represent an aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 20 carbon atoms and an aromatic heterocyclic group having 3 to 20 carbon atoms. R 7 and R 8 may combine with each other to form a ring. Q 7 and Q 9 represent a nitrogen atom or C—Rz. Rz represents a hydrogen atom, an aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 20 carbon atoms, or an aromatic heterocyclic group having 3 to 20 carbon atoms. Q 8 and Q 10 represent an oxygen atom or a sulfur atom.
In General Formula 3, R 1 , R 2 , and Q 1 to Q 6 have the same meanings as in General Formula 1. R 9 and R 10 represent a hydrogen atom, an aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 20 carbon atoms, or an aromatic heterocyclic group having 3 to 20 carbon atoms.
In the general formula 4, R 5 , R 6 , and Q 7 to Q 10 are the same as those in the general formula 2. R 11 and R 12 represent a hydrogen atom, an aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 20 carbon atoms, or an aromatic heterocyclic group having 3 to 20 carbon atoms. "
請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記発光層には、前記一般式1〜前記一般式4で表わされるジ芳香環縮合シロール系化合物の少なくとも1種が含有されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
The organic electroluminescent device according to claim 1,
The organic light-emitting device, wherein the light emitting layer contains at least one diaromatic condensed silole compound represented by the general formulas 1 to 4.
請求項1又は2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記発光層には、青色燐光ドーパント化合物が含有されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
In the organic electroluminescent element according to claim 1 or 2,
An organic electroluminescence device, wherein the light emitting layer contains a blue phosphorescent dopant compound.
請求項1〜3のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を具備することを特徴とする照明装置。   An illuminating device comprising the organic electroluminescence element according to claim 1.
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