JP2001168377A - Photocoupler - Google Patents

Photocoupler

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JP2001168377A
JP2001168377A JP35156799A JP35156799A JP2001168377A JP 2001168377 A JP2001168377 A JP 2001168377A JP 35156799 A JP35156799 A JP 35156799A JP 35156799 A JP35156799 A JP 35156799A JP 2001168377 A JP2001168377 A JP 2001168377A
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JP
Japan
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light
emitting element
light emitting
photocoupler
light receiving
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JP35156799A
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Japanese (ja)
Inventor
Sakae Takei
栄 武居
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Yokogawa Electric Corp
Original Assignee
Yokogawa Electric Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a small-sized photocoupler which is inexpensive and has high light transfer efficiency. SOLUTION: The photocoupler having a light emitting element and light receiving elements optically coupled with each other has the light emitting element provided on an insulating layer formed on a semiconductor substrate and the Light receiving elements formed on the semiconductor substrates while surrounding the light emitting element.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、フォトカプラに関
し、特に発光素子と受光素子との光伝達効率を向上させ
たフォトカプラに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photocoupler, and more particularly to a photocoupler having improved light transmission efficiency between a light emitting element and a light receiving element.

【0002】[0002]

【従来の技術】図3及び図4は、従来のフォトカプラの
構成を示す断面図である。図3において、発光素子1と
受光素子2は同一の絶縁基板3上に横方向に平行に配置
され、その周囲は発光素子1と受光素子2とを光学的に
結合する透明樹脂3で覆われ、さらに発光素子1、受光
素子2、透明樹脂4の全体がモールド樹脂5により封止
されている。
2. Description of the Related Art FIGS. 3 and 4 are sectional views showing the structure of a conventional photocoupler. In FIG. 3, the light emitting element 1 and the light receiving element 2 are arranged in parallel on the same insulating substrate 3 in the horizontal direction, and the periphery thereof is covered with a transparent resin 3 that optically couples the light emitting element 1 and the light receiving element 2. Further, the whole of the light emitting element 1, the light receiving element 2, and the transparent resin 4 are sealed with a mold resin 5.

【0003】そして、発光素子1より放射された光は、
透明樹脂4を介して直接、あるいは透明樹脂4とモール
ド樹脂5との界面で反射されて受光素子2に照射され、
受光素子2は照射された光の強度に対応した電気信号を
出力する。
The light emitted from the light emitting element 1 is
The light is reflected on the light receiving element 2 directly through the transparent resin 4 or at the interface between the transparent resin 4 and the mold resin 5,
The light receiving element 2 outputs an electric signal corresponding to the intensity of the emitted light.

【0004】この場合、発光素子1は、半導体のPN接
合からなり、このPN接合間にバイアスを加えると、電
子と正孔が再結合することによって光を放射するもので
あるので、その光は主としてPN接合の界面に垂直な面
である発光素子1の側面から放射される。
In this case, the light emitting element 1 is composed of a semiconductor PN junction, and when a bias is applied between the PN junctions, electrons and holes recombine to emit light. The light is mainly emitted from the side surface of the light emitting element 1 which is a surface perpendicular to the interface of the PN junction.

【0005】図4において、発光素子1は絶縁基板3に
ダイボンディングされ、受光素子2は絶縁基板6にダイ
ボンディングされ、発光素子1と受光素子2は対向配置
されている。
In FIG. 4, a light emitting element 1 is die-bonded to an insulating substrate 3, a light receiving element 2 is die bonded to an insulating substrate 6, and the light emitting element 1 and the light receiving element 2 are arranged to face each other.

【0006】そして、発光素子1と受光素子2の間に
は、両者を光学的に結合する透明樹脂4が充填され、発
光素子1と外部電極7とは金属細線8によって接続さ
れ、この外部電極7を介して発光素子1に通電可能とな
っている。そして、発光素子1、受光素子2、透明樹脂
4の全体がモールド樹脂5により封止されている。
A space between the light emitting element 1 and the light receiving element 2 is filled with a transparent resin 4 for optically coupling the two, and the light emitting element 1 and the external electrode 7 are connected by a thin metal wire 8. The light-emitting element 1 can be energized via. Then, the whole of the light emitting element 1, the light receiving element 2, and the transparent resin 4 are sealed with the mold resin 5.

【0007】この場合、発光素子1より放射された光は
均等に透明樹脂4を介して受光素子2に照射され、受光
素子2は照射された光の強度に対応した電気信号を出力
する。この構造においては、光伝達効率を高めるため
に、発光素子1と受光素子2の間隔をある程度の距離ま
で接近させることができるので、現在のフォトカプラの
主流となっている。
In this case, the light emitted from the light emitting element 1 is evenly applied to the light receiving element 2 via the transparent resin 4, and the light receiving element 2 outputs an electric signal corresponding to the intensity of the applied light. In this structure, the distance between the light-emitting element 1 and the light-receiving element 2 can be reduced to a certain distance in order to increase the light transmission efficiency.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかし、このようなフ
ォトカプラにおいては次のような問題点があった。図3
に示したフォトカプラにおいては、発光素子1から放射
される光は、主としてPN接合の界面に垂直な面である
発光素子1の側面から放射される。
However, such a photocoupler has the following problems. FIG.
In the photocoupler shown in (1), light emitted from the light emitting element 1 is mainly emitted from the side surface of the light emitting element 1 which is a plane perpendicular to the interface of the PN junction.

【0009】従って、発光素子1から受光素子2側に放
射された光は効率的に受光素子2に到達するが、受光素
子2の反対側に放射された光は透明樹脂4とモールド樹
脂5の界面で反射して受光素子2に到達するまで長い距
離を通ることとなり、光の強度の減衰量が大きくなり、
結果として光伝達効率が低下する。
Accordingly, the light emitted from the light emitting element 1 to the light receiving element 2 efficiently reaches the light receiving element 2, but the light emitted to the opposite side of the light receiving element 2 The light travels a long distance before reaching the light receiving element 2 after being reflected at the interface, and the attenuation of light intensity increases,
As a result, the light transmission efficiency decreases.

【0010】また、発光素子1と受光素子2は横方向に
配置されているので、フォトカプラ全体のサイズが大き
くなってしまう。
Further, since the light emitting element 1 and the light receiving element 2 are arranged in the horizontal direction, the size of the entire photocoupler becomes large.

【0011】図4に示したフォトカプラにおいては、発
光素子1と受光素子2をそれぞれ別の絶縁基板3,6に
ダイボンドし、発光素子1と外部電極7とを金属細線8
によって接続した後に各々を対向させ、その間に透明樹
脂4を充填する必要があるため、その製造工程が複雑で
コストが大きくなってしまう。
In the photocoupler shown in FIG. 4, the light emitting element 1 and the light receiving element 2 are die-bonded to separate insulating substrates 3 and 6, respectively, and the light emitting element 1 and the external electrode 7 are connected to the thin metal wires 8 respectively.
It is necessary to face each other after the connection and fill the transparent resin 4 between them, which complicates the manufacturing process and increases the cost.

【0012】また、発光素子1と受光素子2の間隔は、
発光素子1と外部電極7を接続する金属細線8が存在す
るために、数十ミクロンが限度であり、光伝達効率を制
限している。
The distance between the light emitting element 1 and the light receiving element 2 is
Due to the presence of the thin metal wire 8 connecting the light emitting element 1 and the external electrode 7, the limit is several tens of microns, which limits the light transmission efficiency.

【0013】本発明は上述した問題点を解決するために
なされたものであり、発光素子を取り囲むように複数の
受光素子を配置し、発光素子の裏面が接触する導電層を
設けて発光素子の電極とすることにより、安価で、光伝
達効率が高く、小型なフォトカプラを提供することを目
的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems. A plurality of light-receiving elements are arranged so as to surround a light-emitting element, and a conductive layer in which the back surface of the light-emitting element is in contact is provided. An object of the present invention is to provide a small-sized photocoupler which is inexpensive, has high light transmission efficiency, and is made of an electrode.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】本発明の請求項1におい
ては、発光素子と受光素子とが光学的に結合されるフォ
トカプラにおいて、前記発光素子は半導体基板上に形成
された絶縁層上に設けられ、前記受光素子は前記半導体
基板に複数個形成され、前記発光素子の周囲を取り囲む
ように配置されることを特徴とするフォトカプラであ
る。
According to a first aspect of the present invention, in a photocoupler in which a light emitting element and a light receiving element are optically coupled, the light emitting element is formed on an insulating layer formed on a semiconductor substrate. A plurality of the light receiving elements are provided on the semiconductor substrate, and are arranged so as to surround the light emitting elements.

【0015】本発明の請求項2においては、前記発光素
子と前記絶縁層との間に、前記発光素子に通電可能とす
る導電層を設け、この導電層を前記発光素子の電極とす
ることを特徴とする請求項1記載のフォトカプラであ
る。
According to a second aspect of the present invention, a conductive layer is provided between the light-emitting element and the insulating layer so that the light-emitting element can conduct electricity, and the conductive layer is used as an electrode of the light-emitting element. A photocoupler according to claim 1, wherein

【0016】本発明の請求項3においては、発光素子と
受光素子とが光学的に結合されるフォトカプラにおい
て、前記発光素子は絶縁基板上に設けられ、前記受光素
子は前記絶縁基板上に複数個設けられ、前記発光素子の
周囲を取り囲むように配置されることを特徴とするフォ
トカプラである。
According to a third aspect of the present invention, in the photocoupler in which the light emitting element and the light receiving element are optically coupled, the light emitting element is provided on an insulating substrate, and the light receiving element is provided on the insulating substrate in a plurality. The photocoupler is provided so as to surround the light emitting element.

【0017】本発明の請求項4においては、前記発光素
子と前記絶縁基板との間に、前記発光素子に通電可能と
する導電層を設け、この導電層を前記発光素子の電極と
することを特徴とする請求項3記載のフォトカプラであ
る。
According to a fourth aspect of the present invention, a conductive layer is provided between the light emitting element and the insulating substrate so that the light emitting element can be energized, and this conductive layer is used as an electrode of the light emitting element. A photocoupler according to claim 3, wherein

【0018】本発明の請求項5においては、複数個の前
記受光素子は、電気的に接続されていることを特徴とす
る請求項1から請求項4記載のフォトカプラである。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided the photocoupler according to any one of the first to fourth aspects, wherein the plurality of light receiving elements are electrically connected.

【0019】本発明の請求項6においては、前記受光素
子は、同一半導体基板上に形成された複数個のフォトダ
イオードが電気的に接続されたフォトダイオードアレー
であることを特徴とする請求項1から請求項5記載のフ
ォトカプラである。
According to a sixth aspect of the present invention, the light receiving element is a photodiode array in which a plurality of photodiodes formed on the same semiconductor substrate are electrically connected. To a photocoupler according to claim 5.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施例について図
面を用いて説明する。尚、以下の図面において、図3及
び図4と重複する部分は同一番号を付してその説明は適
宜に省略する。図1(a)は本発明の第一実施例の構成
を示す平面図であり、図1(b)は図1(a)のA−
A’断面図である。
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following drawings, the same parts as those in FIGS. 3 and 4 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate. FIG. 1A is a plan view showing the configuration of the first embodiment of the present invention, and FIG.
It is A 'sectional drawing.

【0021】図1(a),(b)において、四角形状の
シリコンの半導体基板10は絶縁基板3(例えばガラエ
ポ基板)にダイボンディングされ、この半導体基板10
の中心部には発光素子1が設けられ、その発光素子1の
周囲を取り囲むように複数の受光素子2が半導体基板1
0上に周知の半導体製造技術によって形成されている。
1A and 1B, a rectangular silicon semiconductor substrate 10 is die-bonded to an insulating substrate 3 (for example, a glass epoxy substrate).
A light emitting element 1 is provided at a central portion of the semiconductor substrate 1 so that a plurality of light receiving elements 2 surround the light emitting element 1.
0 is formed by a well-known semiconductor manufacturing technique.

【0022】尚、発光素子1の表面に一方の電極(図示
しない)が形成され、発光素子1の裏面が他方の電極と
なっており、この2つの電極に通電することにより発光
素子1は光を放射する。
Note that one electrode (not shown) is formed on the front surface of the light emitting element 1, and the back surface of the light emitting element 1 is the other electrode. When the two electrodes are energized, the light emitting element 1 emits light. Radiate.

【0023】そして、半導体基板10上に例えば2酸化
シリコンからなる絶縁層11が形成され、発光素子1
は、絶縁層11上にパターニングされた導電層12上
に、導電ペーストによってダイボンディングされてい
る。この場合、導電層12は例えばアルミ、銅などの薄
膜層である。
Then, an insulating layer 11 made of, for example, silicon dioxide is formed on the semiconductor substrate 10, and the light emitting element 1
Is die-bonded on the conductive layer 12 patterned on the insulating layer 11 by a conductive paste. In this case, the conductive layer 12 is a thin film layer of, for example, aluminum or copper.

【0024】そして、発光素子1の表面に形成された一
方の電極(図示しない)と外部電極7が金属細線8によ
って接続(ワイヤボンディング)され、導電層12と外
部電極70が金属細線80によって接続されている。
Then, one electrode (not shown) formed on the surface of the light emitting element 1 and the external electrode 7 are connected (wire-bonded) by the thin metal wire 8, and the conductive layer 12 and the external electrode 70 are connected by the thin metal wire 80. Have been.

【0025】この場合、発光素子1の裏面が導電層12
に接しているので、導電層12は発光素子1の他方の電
極として機能し、外部電極7,70に通電することによ
り発光素子1を発光させる。
In this case, the back surface of the light emitting element 1 is
, The conductive layer 12 functions as the other electrode of the light emitting element 1, and causes the light emitting element 1 to emit light by energizing the external electrodes 7 and 70.

【0026】また、半導体基板10に形成される複数の
受光素子2は、半導体基板10上の配線パターン(図示
しない)によって電気的に直列接続され、外部にその電
気信号が取り出し可能となっている。そして、透明樹脂
4は発光素子1と複数の受光素子2を覆い、さらにその
周囲はモールド樹脂5によって封止されている。
The plurality of light receiving elements 2 formed on the semiconductor substrate 10 are electrically connected in series by a wiring pattern (not shown) on the semiconductor substrate 10 so that their electric signals can be taken out. . The transparent resin 4 covers the light emitting element 1 and the plurality of light receiving elements 2, and the periphery thereof is sealed with a mold resin 5.

【0027】次に、本発明の第二実施例について図面を
用いて説明する。図2(a)は本発明の第二実施例の構
成を示す平面図であり、図2(b)は図2(a)のA−
A’断面図である。
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 2A is a plan view showing the configuration of the second embodiment of the present invention, and FIG.
It is A 'sectional drawing.

【0028】図2(a),(b)において、発光素子
は、絶縁基板3の表面に形成された導電層12上に導電
ペーストによってダイボンディングされ、受光素子2
a,2b,2c,2dは、発光素子1を取り囲むように
絶縁基板3にダイボンディングされている。
2 (a) and 2 (b), the light emitting element is die-bonded with a conductive paste onto a conductive layer 12 formed on the surface of the insulating substrate 3, and the light receiving element 2 is formed.
a, 2b, 2c, 2d are die-bonded to the insulating substrate 3 so as to surround the light emitting element 1.

【0029】そして、発光素子1の表面に形成された一
方の電極(図示しない)と外部電極7が金属細線8によ
り接続され、導電層12と外部電極70が金属細線80
によって接続されている。
Then, one electrode (not shown) formed on the surface of the light emitting element 1 and the external electrode 7 are connected by a thin metal wire 8, and the conductive layer 12 and the external electrode 70 are connected by a thin metal wire 80.
Connected by

【0030】この場合、発光素子1の裏面が導電層12
に接しているので、導電層12は発光素子1の他方の電
極として機能し、外部電極7,70に通電することによ
り発光素子1は光を放射する。
In this case, the back surface of the light emitting element 1 is
, The conductive layer 12 functions as the other electrode of the light emitting element 1, and the light emitting element 1 emits light when the external electrodes 7 and 70 are energized.

【0031】また、受光素子2aと受光素子2dは金属
細線13aによって、受光素子2aと受光素子2bは金
属細線13bによって,受光素子2bと受光素子2cは
金属細線13cによって接続され、さらに、受光素子2
c,2dには金属細線81,82がそれぞれ接続されて
いる。
The light receiving elements 2a and 2d are connected by a thin metal wire 13a, the light receiving elements 2a and 2b are connected by a thin metal wire 13b, the light receiving elements 2b and 2c are connected by a thin metal wire 13c. 2
Thin metal wires 81 and 82 are connected to c and 2d, respectively.

【0032】そして、外部電極(図示しない)が金属細
線81,82に接続され、この外部電極を介して、直列
接続された受光素子2a,2b,2c,2dで発生した
電気信号が外部に取り出される。そして、透明樹脂4は
発光素子1と受光素子2a,2b,2c,2dを覆い、
さらにその周囲はモールド樹脂5によって封止されてい
る。
Then, external electrodes (not shown) are connected to the thin metal wires 81 and 82, and electric signals generated by the serially connected light receiving elements 2a, 2b, 2c and 2d are taken out through these external electrodes. It is. Then, the transparent resin 4 covers the light emitting element 1 and the light receiving elements 2a, 2b, 2c, 2d,
Further, the periphery thereof is sealed with a mold resin 5.

【0033】図1及び図2に示したフォトカプラにおい
て、光は主として発光素子の側面から放射されるが、発
光素子を取り囲むように複数の受光素子が配置されてい
るので、光は複数の受光素子に直接、または最小限度の
反射により均等に到達し、光伝達効率を向上させること
ができる。
In the photocoupler shown in FIGS. 1 and 2, light is mainly emitted from the side surface of the light emitting element. However, since a plurality of light receiving elements are arranged so as to surround the light emitting element, the light is received by a plurality of light receiving elements. Light can reach the element directly or even with minimal reflection to improve light transmission efficiency.

【0034】また、図1に示したフォトカプラにおいて
は、発光素子1は受光素子2が形成されている半導体基
板10上に設けられているので、発光素子1と受光素子
2の距離を短くすることができ、光伝達効率を向上させ
ることができると共に、発光素子1と受光素子2が横方
向に配置されていないのでフォトカプラ全体のサイズを
小さくすることができる。
In the photocoupler shown in FIG. 1, since the light emitting element 1 is provided on the semiconductor substrate 10 on which the light receiving element 2 is formed, the distance between the light emitting element 1 and the light receiving element 2 is reduced. As a result, the light transmission efficiency can be improved, and the size of the entire photocoupler can be reduced because the light emitting element 1 and the light receiving element 2 are not arranged in the horizontal direction.

【0035】また、図1に示したフォトカプラにおいて
は、同一の半導体基板10上に発光素子1と複数の受光
素子2を配置しており、図2に示したフォトカプラにお
いては、同一の絶縁基板3上に発光素子1と複数の受光
素子2a,2b,2c,2dを配置し、発光素子と受光
素子を別々の基板に配置していない。従って、発光素子
と受光素子のワイヤボンディングを1回の工程で終了さ
せることができ、製造工程の簡素化により、コストを低
減させることができる。
In the photocoupler shown in FIG. 1, a light emitting element 1 and a plurality of light receiving elements 2 are arranged on the same semiconductor substrate 10, and in the photocoupler shown in FIG. The light emitting element 1 and the plurality of light receiving elements 2a, 2b, 2c, 2d are arranged on the substrate 3, and the light emitting element and the light receiving element are not arranged on separate substrates. Therefore, the wire bonding between the light emitting element and the light receiving element can be completed in one step, and the cost can be reduced by simplifying the manufacturing process.

【0036】尚、図2においては、四つの受光素子が発
光素子を取り囲む場合について説明したが、受光素子の
数はこれに限定されるものではない。また、図1及び図
2に示した受光素子は、単一のフォトダイオードであっ
ても良いし、同一半導体基板上に形成された複数個のフ
ォトダイオードが電気的に接続されたフォトダイオード
アレーであっても良く、その構成が限定されるものでは
ない。
Although the case where four light receiving elements surround the light emitting element has been described with reference to FIG. 2, the number of light receiving elements is not limited to this. The light receiving element shown in FIGS. 1 and 2 may be a single photodiode or a photodiode array in which a plurality of photodiodes formed on the same semiconductor substrate are electrically connected. And the configuration is not limited.

【0037】[0037]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
発光素子を取り囲むように複数の受光素子を配置し、発
光素子の裏面が接触する導電層を設けて発光素子の電極
としたので、安価で、光伝達効率が高く、小型なフォト
カプラを提供することができる。
As described above, according to the present invention,
A plurality of light receiving elements are arranged so as to surround the light emitting element, and a conductive layer in contact with the back surface of the light emitting element is provided as an electrode of the light emitting element. Therefore, an inexpensive, high light transmission efficiency, and small-sized photocoupler is provided. be able to.

【0038】[0038]

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第一実施例の構成を示す平面図及び断
面図である。
FIG. 1 is a plan view and a cross-sectional view showing a configuration of a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第二実施例の構成を示す平面図及び断
面図である。
FIG. 2 is a plan view and a cross-sectional view showing a configuration of a second embodiment of the present invention.

【図3】従来のフォトカプラの構成を示す断面図であ
る。
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a conventional photocoupler.

【図4】従来のフォトカプラの構成を示す断面図であ
る。
FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a conventional photocoupler.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 発光素子 2,2a,2b,2c,2d 受光素子 3,6 絶縁基板 4 透明樹脂 5 モールド樹脂 10 半導体基板 11 絶縁層 12 導電層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Light emitting element 2, 2a, 2b, 2c, 2d Light receiving element 3, 6 Insulating substrate 4 Transparent resin 5 Mold resin 10 Semiconductor substrate 11 Insulating layer 12 Conductive layer

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 発光素子と受光素子とが光学的に結合さ
れるフォトカプラにおいて、 前記発光素子は半導体基板上に形成された絶縁層上に設
けられ、 前記受光素子は前記半導体基板に複数個形成され、前記
発光素子の周囲を取り囲むように配置されることを特徴
とするフォトカプラ。
1. A photocoupler in which a light emitting element and a light receiving element are optically coupled, wherein the light emitting element is provided on an insulating layer formed on a semiconductor substrate, and the light receiving element is provided on the semiconductor substrate in plural numbers. A photocoupler formed and arranged so as to surround the periphery of the light emitting element.
【請求項2】 前記発光素子と前記絶縁層との間に、前
記発光素子に通電可能とする導電層を設け、この導電層
を前記発光素子の電極とすることを特徴とする請求項1
記載のフォトカプラ。
2. The light-emitting device according to claim 1, further comprising: a conductive layer between the light-emitting device and the insulating layer, the conductive layer being capable of conducting electricity to the light-emitting device, and the conductive layer serving as an electrode of the light-emitting device.
The photocoupler described.
【請求項3】 発光素子と受光素子とが光学的に結合さ
れるフォトカプラにおいて、 前記発光素子は絶縁基板上に設けられ、 前記受光素子は前記絶縁基板上に複数個設けられ、前記
発光素子の周囲を取り囲むように配置されることを特徴
とするフォトカプラ。
3. A photocoupler in which a light emitting element and a light receiving element are optically coupled with each other, wherein the light emitting element is provided on an insulating substrate, and the light receiving element is provided on the insulating substrate in a plurality. A photocoupler is provided so as to surround the periphery of the photocoupler.
【請求項4】 前記発光素子と前記絶縁基板との間に、
前記発光素子に通電可能とする導電層を設け、この導電
層を前記発光素子の電極とすることを特徴とする請求項
3記載のフォトカプラ。
4. Between the light emitting element and the insulating substrate,
4. The photocoupler according to claim 3, wherein a conductive layer that allows current to flow is provided in the light emitting element, and the conductive layer is used as an electrode of the light emitting element.
【請求項5】 複数個の前記受光素子は、電気的に接続
されていることを特徴とする請求項1から請求項4記載
のフォトカプラ。
5. The photocoupler according to claim 1, wherein the plurality of light receiving elements are electrically connected.
【請求項6】 前記受光素子は、同一半導体基板上に形
成された複数個のフォトダイオードが電気的に接続され
たフォトダイオードアレーであることを特徴とする請求
項1から請求項5記載のフォトカプラ。
6. The photo-detector according to claim 1, wherein said light receiving element is a photodiode array in which a plurality of photodiodes formed on the same semiconductor substrate are electrically connected. Coupler.
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