JP2001162527A - 研磨装置 - Google Patents

研磨装置

Info

Publication number
JP2001162527A
JP2001162527A JP35046399A JP35046399A JP2001162527A JP 2001162527 A JP2001162527 A JP 2001162527A JP 35046399 A JP35046399 A JP 35046399A JP 35046399 A JP35046399 A JP 35046399A JP 2001162527 A JP2001162527 A JP 2001162527A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
polished
ring
ring rotating
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP35046399A
Other languages
English (en)
Inventor
Muneyuki Matsumoto
宗之 松本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP35046399A priority Critical patent/JP2001162527A/ja
Priority to US09/728,116 priority patent/US6379228B2/en
Publication of JP2001162527A publication Critical patent/JP2001162527A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/24Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B41/00Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
    • B24B41/04Headstocks; Working-spindles; Features relating thereto
    • B24B41/047Grinding heads for working on plane surfaces

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】被研磨物の各部を均一に研磨できる研磨装置を
提供すること。 【解決手段】研磨盤12は、ほぼ円柱状の中央回転部1
3と、この中央回転部13の外周を包囲するように設け
られたほぼ円筒状の第1リング回転部14と、第1リン
グ回転部14の外周をさらに包囲するように設けられた
ほぼ円筒状の第2リング回転部15とを備えている。中
央回転部13、第1リング回転部14および第2リング
回転部15は、いずれも鉛直方向に沿う回転軸線まわり
に回転自在に支持されていて、それぞれ個別に回転速度
や回転方向を制御できるようになっている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】たとえばウエハなどの被研磨
物を研磨するための研磨装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の製造工程においては、たと
えば、ウエハの表面に層間絶縁膜や銅配線を形成した
後、その形成した層間絶縁膜や銅配線の表面を平坦化す
るために、CMP(化学的機械的研磨:Chemical Mecha
nical Polishing)処理などの研磨処理が行われる場合
がある。先行技術に係る研磨装置の概略構成は、図6に
図解的に示されている。すなわち、研磨装置は、ウエハ
Wを下向きに吸着保持した状態で鉛直方向に沿う回転軸
線まわりに回転駆動されるウエハキャリア91と、ウエ
ハキャリア91の下方に対向して設けられた研磨盤92
と、研磨盤92に研磨用剤を供給するノズル93とを備
えている。研磨盤92は、平面視においてウエハWより
も大きなほぼ円形の定盤94と、この定盤94の上面に
固定された研磨パッド95とからなり、鉛直方向に沿う
回転軸線まわりに回転駆動されるようになっている。
【0003】この構成により、ウエハキャリア91に下
向きの荷重をかけてウエハWを研磨パッド95に押し付
け、この状態でウエハキャリア91を回転駆動するとと
もに、研磨盤92を回転駆動し、併せて、ノズル93か
ら研磨パッド95の上面に研磨用剤を供給することによ
り、ウエハWの表面(研磨盤92に対向している面)を
研磨することができる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】研磨盤92に伴って回
転する研磨パッド95の各部の移動速度は、研磨パッド
95(研磨盤92)の回転中心からの距離によって異な
る。また、ウエハキャリア91に伴って回転するウエハ
Wの各部の移動速度は、ウエハWの中心からの距離によ
って異なる。そのため、ウエハWの表面の各部に対する
研磨パッド95の移動速度が均一とならず、ウエハWの
表面の各部で研磨レートの不均一を生じるおそれがあっ
た。
【0005】そこで、この発明の目的は、上述の技術的
課題を解決し、被研磨物の各部を均一に研磨できる研磨
装置を提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段および発明の効果】上記の
目的を達成するための請求項1記載の発明は、互いに独
立して動作可能な複数のベースと、この複数のベースに
それぞれ固定されており、被研磨物を研磨するための研
磨面を有する複数の研磨パッドと、上記複数のベースの
動作を個別に制御して、上記複数の研磨パッドの研磨面
で被研磨物を研磨するベース動作制御手段とを含むこと
を特徴とする研磨装置である。
【0007】上記複数のベースは、それぞれの中心を通
る直線まわりに回転するといった動作を行うものであっ
てもよいし、それぞれの中心以外の領域を通る直線を中
心とする円軌跡を描くように揺動するといった動作を行
うものであってもよい。また、それぞれに固定された研
磨パッドを研磨面に沿って直線状に移動させるといった
動作を行うものであってもよい。この発明によれば、被
研磨物の各部に対する研磨パッドの相対的な移動速度や
押圧力が均一となるように、複数のベースの動作を個別
に制御することにより、被研磨物の各部を均一に研磨す
ることができる。
【0008】請求項2記載の発明は、被研磨物を研磨す
るための研磨面を有する研磨パッドを備え、この研磨パ
ッドを、上記研磨面を被研磨物に当接させた状態で当該
研磨面の中心を通る直線まわりに回転させることによ
り、被研磨物を研磨する装置であって、上記研磨パッド
は、上記研磨面の中心を含む中央部とこの中央部を取り
囲むように設けられたリング部とに分割されていること
を特徴とする研磨装置である。
【0009】研磨パッドが一体に形成されている構成で
は、研磨パッドを研磨面の中心を通る直線まわりに回転
させて被研磨物を研磨すると、研磨パッドの研磨面の各
部の移動速度が研磨面の中心からの距離によって異なる
ために、被研磨物の各部で研磨レートの不均一を生じる
おそれがある。この発明によれば、研磨パッドが研磨面
の中心を含む中央部とこの中央部を取り囲むように設け
られたリング部とに分割されているので、中央部の回転
とリング部の回転とを個別に制御することにより、研磨
パッドの研磨面の各部の移動速度を均一にすることがで
きる。ゆえに、被研磨物の各部において均一な研磨レー
トを達成できる。
【0010】なお、請求項1または2に記載した研磨装
置は、上記研磨パッドの研磨面に、被研磨物の研磨処理
に必要な研磨用剤を供給するための研磨用剤供給手段を
さらに含むものであってもよい。この場合、上記研磨用
剤供給手段は、上記複数の研磨パッドの間や上記中央部
とリング部との間から上記研磨パッドの研磨面に研磨用
剤を供給するものであることが好ましい。請求項4記載
の発明は、上記研磨パッドの研磨面には、上記研磨用剤
供給手段から供給される研磨用剤を貯留しておくことが
できる凹部が形成されていることを特徴とする請求項3
記載の研磨装置である。
【0011】この発明によれば、研磨用剤供給手段によ
り研磨パッドの表面に供給された研磨用剤の一部を凹部
に溜めておくことができ、この凹部内に溜められた研磨
用剤を研磨処理に使用することができる。
【0012】
【発明の実施の形態】以下では、この発明の実施形態
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図1は、この
発明の一実施形態に係る研磨装置の構成を図解的に示す
側面図である。この研磨装置は、被研磨物としてのウエ
ハWの表面を化学的および機械的に研磨する装置であっ
て、ウエハWを下向きに吸着して保持するウエハキャリ
ア11と、このウエハキャリア11に対向して設けられ
た研磨盤12とを有している。ウエハキャリア11は、
図示しない回転駆動機構によって鉛直方向に沿う回転軸
線まわりに回転駆動されるようになっている。また、ウ
エハキャリア11は、図示しない荷重機構によって、ウ
エハWを研磨盤12に向けて押し付けることができるよ
うになっている。
【0013】研磨盤12は、ほぼ円柱状の中央回転部1
3と、この中央回転部13の外周を包囲するように設け
られたほぼ円筒状の第1リング回転部14と、第1リン
グ回転部14の外周をさらに包囲するように設けられた
ほぼ円筒状の第2リング回転部15とを備えている。中
央回転部13、第1リング回転部14および第2リング
回転部15は、いずれも鉛直方向に沿う回転軸線まわり
に回転自在に支持されており、この実施形態において
は、中央回転部13、第1リング回転部14および第2
リング回転部15の回転軸線はほぼ一致している。ま
た、中央回転部13、第1リング回転部14および第2
リング回転部15の上面は、ほぼ面一に設けられてお
り、これら上面が被研磨物を研磨するための研磨面にな
っている。
【0014】中央回転部13の下端は、第1リング回転
部14の下方に延びており、中央回転部13の第1リン
グ回転部14よりも下方に延びた部分には、プーリ16
が固定されている。また、第1リング回転部14の下端
は、第2リング回転部15の下方に延びており、第1リ
ング回転部14の第2リング回転部15よりも下方に延
びた部分には、プーリ17が固定されている。さらに第
2リング回転部15の外周面には、プーリ18が固定さ
れている。
【0015】プーリ16,17,18には、それぞれモ
ータ19,20,21の回転駆動力が適当な伝達機構を
介して入力されるようになっている。すなわち、プーリ
16には、タイミングベルト22が巻き掛けられてお
り、このタイミングベルト22を介して、モータ19の
回転軸に固定されたプーリ23の回転が入力されるよう
になっている。プーリ17には、タイミングベルト24
が巻き掛けられており、このタイミングベルト24を介
して、モータ20の回転軸に固定されたプーリ25の回
転が入力されるようになっている。また、プーリ18に
は、タイミングベルト26が巻き掛けられており、この
タイミングベルト26を介して、モータ21の回転軸に
固定されたプーリ27の回転が入力されるようになって
いる。
【0016】この構成により、中央回転部13、第1リ
ング回転部14および第2リング回転部15をそれぞれ
独立に回転させることができる。そして、たとえばマイ
クロコンピュータで構成される制御部Cによってモータ
19,20,21を個別に駆動制御することにより、中
央回転部13、第1リング回転部14および第2リング
回転部15の回転速度や回転方向を個別に調整すること
ができる。図2は、研磨盤12の具体的構成を示す断面
図である。研磨盤12の中央回転部13は、ほぼ円柱状
のベース28と、このベース28の上面に固定された薄
い円盤状の研磨パッド29とからなる。ベース28の外
周面には、複数個の軸受け30がはめられている。複数
個の軸受け30はまた、第1固定筒31の内周面にはめ
られていて、この第1固定筒31を中央回転部13に対
して回転自在に支持している。
【0017】第1リング回転部14は、ほぼ円筒状のベ
ース32と、このベース32の上面に固定された薄いリ
ング状の研磨パッド33とからなり、その内周面にはめ
られた軸受け34を介して、第1固定筒31の外周面に
回転自在に支持されている。この第1固定筒31の外周
面には、複数個の軸受け35がはめられている。複数個
の軸受け35はまた、第2固定筒36の内周面にはめら
れていて、この第2固定筒36を第1リング回転部14
に対して回転自在に支持している。
【0018】また、第2リング回転部15は、ほぼ円筒
状のベース37と、このベース37の上面に固定された
薄いリング状の研磨パッド38とからなり、その内周面
にはめられた軸受け39を介して、第2固定筒36の外
周面に回転自在に支持されている。第1固定筒31およ
び第2固定筒36には、それぞれ図示しない研磨用剤タ
ンクなどからの研磨用剤が流通する複数本の研磨用剤供
給管40,41が挿通している。第1固定筒31に挿通
された研磨用剤供給管40は、第1固定筒31の上面か
ら突出して、中央回転部13と第1リング回転部14と
の隙間に形成された溝42内に延びており、その先端は
2本に分岐して、上記研磨用剤タンクからの研磨用剤を
中央回転部13の研磨パッド29上と第1リング回転部
14の研磨パッド33上に上手く供給できるようになっ
ている。一方、第2固定筒36に挿通された研磨用剤供
給管41は、第2固定筒36の上面から突出して、第1
リング回転部14と第2リング回転部15との隙間に形
成された溝43内に延びており、その先端は2本に分岐
して、上記研磨用剤タンクからの研磨用剤を第1リング
回転部14の研磨パッド33上と第2リング回転部15
の研磨パッド38上に上手く供給できるようになってい
る。
【0019】第1固定筒31および第2固定筒36の上
端には、それぞれほぼU字状の断面形状を有する樋部材
44,45が固定されており、研磨用剤供給管40,4
1から研磨パッド29,33,38上に供給された研磨
用剤は、研磨パッド29,33,38上から溝42,4
3へと流れ込み、それぞれ樋部材44,45に受けられ
るようになっている。また、樋部材44,45には、そ
れぞれ図示しない複数個のドレン口が形成されており、
このドレン口を介して、樋部材44,45に流れ込んだ
研磨用剤が排液されるようになっている。
【0020】ウエハWを研磨処理する際には、ウエハキ
ャリア11(図1参照)を下降させてウエハWを中央回
転部13、第1リング回転部14および第2リング回転
部15の上面(研磨パッド29,33,38の表面)に
押し付ける。そして、研磨用剤供給管40,41(図1
参照)から研磨パッド29,33,38の表面に研磨用
剤を供給し、併せて、ウエハキャリア11を回転させる
とともに、中央回転部13、第1リング回転部14およ
び第2リング回転部15を回転させる。このとき、ウエ
ハWの表面の各部に対する研磨パッド29,33,38
の移動速度がほぼ均一となるように、中央回転部13、
第1リング回転部14および第2リング回転部15の回
転速度や回転方向を個別に制御する。これにより、ウエ
ハWの表面の各部をほぼ均一に研磨することができる。
【0021】なお、この実施形態において、中央回転部
13、第1リング回転部14および第2リング回転部1
5は、鉛直方向に沿う回転軸線まわりに回転されるとし
たが、たとえば、それぞれが水平面に沿う円軌跡を描く
ように揺動(偏心回転)されてもよい。また、中央回転
部13だけが揺動または回転されて、第1リング回転部
14および第2リング回転部15が回転または揺動され
てもよいし、中央回転部13および第1リング回転部1
4が揺動または回転されて、第2リング回転部15だけ
が回転または揺動されてもよい。さらに、中央回転部1
3および第2リング回転部15が揺動または回転され
て、第1リング回転部14だけが回転または揺動されて
もよい。これらの場合、溝42,43の幅に余裕を持た
せておくことにより、中央回転部13と第1リング回転
部14とが衝突したり、第1リング回転部14と第2リ
ング回転部15とが衝突することを防止できる。
【0022】また、研磨パッド29,33,38の材質
は同じであってもよいが、研磨パッド29,33,38
の材質を異ならせることにより、ウエハWの各部の研磨
レートをより細かく調整することが好ましい。こうした
場合、ウエハWの各部の研磨レートの均一化をより精度
良く達成でき、ウエハWの表面により良好な研磨処理を
施すことができる。さらに、研磨パッド29,33,3
8は、一体に形成されていてもよいが、複数の部分に分
割されて形成されていてもよい。たとえば、図3に示す
ように、研磨パッド33,38に十字状の溝46が形成
されることにより、研磨パッド33,38がそれぞれ4
つの部分に分割されていてもよい。また、図4に示すよ
うに、研磨パッド33,38にさらに多くの溝46が形
成されることにより、研磨パッド33,38がさらに多
くの部分に分割されていてもよい。
【0023】また、図5に示すように、研磨パッド2
9,33,38の表面に、研磨用剤を貯留しておくこと
ができる凹部47が形成されていることが好ましい。こ
の凹部47が形成されている場合、研磨パッド29,3
3,38の表面に供給された研磨用剤の一部を凹部47
に溜めておくことができ、この凹部47に溜められた研
磨用剤を研磨処理に使用することができる。この発明の
一実施形態およびいくつかの変形例について説明した
が、この発明は、さらに他の形態で実施することも可能
である。たとえば、上述の実施形態では、研磨パッド2
9,33,38の回転速度や回転方向が個別に制御され
るとしているが、研磨パッド29,33,38(中央回
転部13、第1リング回転部14および第2リング回転
部15)を所定距離だけ昇降させることができる機構が
設けられて、研磨パッド29,33,38のウエハWへ
の押圧力が制御されることにより、ウエハWの表面の均
一な研磨が達成されてもよい。また、この研磨パッド2
9,33,38のウエハWへの押圧力の制御と、研磨パ
ッド29,33,38の回転速度および回転方向の制御
とが組み合わされることにより、ウエハWの表面の均一
な研磨が達成されてもよい。
【0024】また、上述の実施形態では、研磨パッド2
9,33,38上への研磨用剤の供給を、第1固定筒3
1および第2固定筒36にそれぞれ挿通された研磨用剤
供給管40,41を介して行う構成としたが、研磨用剤
の供給は、たとえば、研磨盤12の斜め上方に配置され
たノズルを介して行うようにしてもよい。さらに、上述
の実施形態において、研磨盤12は、中央回転部13、
第1リング回転部14および第2リング回転部15を含
む構成であるとしたが、たとえば中央回転部および第1
リング回転部のみを含む構成であってもよいし、第2リ
ング回転部15の外周を包囲するように設けられた第3
リング回転部をさらに含む構成であってもよい。また、
中央回転部と4つ以上のリング回転部とを含む構成であ
ってもよい。
【0025】さらにまた、上述の実施形態では、研磨パ
ッド29,33,38が回転または揺動されるタイプの
研磨装置を取り上げたが、この発明は、たとえば、研磨
ベルトの表面に被研磨物の表面を押し付けた状態で、研
磨ベルトを走行させることにより被研磨物の表面を研磨
するベルトタイプの研磨装置に適用することもできる。
この場合、研磨ベルトが複数の部分に分割されて、その
分割された各部の走行速度などが個別に制御されること
により、被研磨物の各部の均一な研磨が達成されるとよ
い。
【0026】さらに、上述の各実施形態では、ウエハW
の表面を化学的機械的に研磨する場合を取り上げて説明
したが、化学的機械的研磨(CMP)に限らず、ウエハ
の表面を単に機械的に研磨する装置にも本発明を適用す
ることができる。この場合、研磨パッド29,33,3
8上に研磨用剤を供給するための研磨用剤供給管40,
41を省略することができる。また、ウエハWを研磨す
る装置以外に、たとえば、液用表示パネルやEL(エレ
クトロルミネッセンス)パネルなどの表示パネル用ガラ
スなどを研磨する装置に本発明を適用することもでき
る。
【0027】その他、特許請求の範囲に記載された事項
の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施形態に係る研磨装置の構成を
図解的に示す側面図である。
【図2】研磨盤の具体的構成を示す断面図である。
【図3】第1の変形例に係る研磨パッドの平面図であ
る。
【図4】第2の変形例に係る研磨パッドの平面図であ
る。
【図5】第3の変形例に係る研磨パッドの平面図であ
る。
【図6】先行技術に係る研磨装置の概略構成を示す図解
図である。
【符号の説明】
11 ウエハキャリア 12 研磨盤 13 中央回転部 14 第1リング回転部 15 第2リング回転部 28,32,37 ベース 29 研磨パッド(中央部) 33,38 研磨パッド(リング部) 40,41 研磨用剤供給管 47 凹部 C 制御部 W ウエハ

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】互いに独立して動作可能な複数のベース
    と、 この複数のベースにそれぞれ固定されており、被研磨物
    を研磨するための研磨面を有する複数の研磨パッドと、 上記複数のベースの動作を個別に制御して、上記複数の
    研磨パッドの研磨面で被研磨物を研磨するベース動作制
    御手段とを含むことを特徴とする研磨装置。
  2. 【請求項2】被研磨物を研磨するための研磨面を有する
    研磨パッドを備え、この研磨パッドを、上記研磨面を被
    研磨物に当接させた状態で当該研磨面の中心を通る直線
    まわりに回転させることにより、被研磨物を研磨する装
    置であって、 上記研磨パッドは、上記研磨面の中心を含む中央部とこ
    の中央部を取り囲むように設けられたリング部とに分割
    されていることを特徴とする研磨装置。
  3. 【請求項3】上記研磨パッドの研磨面に、被研磨物の研
    磨処理に必要な研磨用剤を供給するための研磨用剤供給
    手段をさらに含むことを特徴とする請求項1または2に
    記載の研磨装置。
  4. 【請求項4】上記研磨パッドの研磨面には、上記研磨用
    剤供給手段から供給される研磨用剤を貯留しておくこと
    ができる凹部が形成されていることを特徴とする請求項
    3記載の研磨装置。
JP35046399A 1999-12-09 1999-12-09 研磨装置 Pending JP2001162527A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP35046399A JP2001162527A (ja) 1999-12-09 1999-12-09 研磨装置
US09/728,116 US6379228B2 (en) 1999-12-09 2000-12-04 Polishing machine having a plurality of abrasive pads

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP35046399A JP2001162527A (ja) 1999-12-09 1999-12-09 研磨装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001162527A true JP2001162527A (ja) 2001-06-19

Family

ID=18410672

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP35046399A Pending JP2001162527A (ja) 1999-12-09 1999-12-09 研磨装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6379228B2 (ja)
JP (1) JP2001162527A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010023150A (ja) * 2008-07-17 2010-02-04 Nikon Corp 研磨装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050115526A (ko) * 2004-06-04 2005-12-08 삼성전자주식회사 연마 패드 어셈블리, 이를 갖는 웨이퍼 연마 장치 그리고이들을 이용한 웨이퍼 연마 방법
TWI558502B (zh) * 2014-11-07 2016-11-21 智勝科技股份有限公司 硏磨墊套組、硏磨系統以及硏磨方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5951373A (en) * 1995-10-27 1999-09-14 Applied Materials, Inc. Circumferentially oscillating carousel apparatus for sequentially processing substrates for polishing and cleaning
US6116994A (en) * 1997-04-11 2000-09-12 Ebara Corporation Polishing apparatus
US6193587B1 (en) * 1999-10-01 2001-02-27 Taiwan Semicondutor Manufacturing Co., Ltd Apparatus and method for cleansing a polishing pad

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010023150A (ja) * 2008-07-17 2010-02-04 Nikon Corp 研磨装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20010003698A1 (en) 2001-06-14
US6379228B2 (en) 2002-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100513067B1 (ko) 기판을 폴리싱하는 장치 및 방법
US5989107A (en) Method for polishing workpieces and apparatus therefor
JP2564214B2 (ja) 均一速度両面研磨装置及びその使用方法
US20020009959A1 (en) Polishing apparatus and method with belt drive system adapted to extend the lifetime of a refreshing polishing belt provided therein
JP3734878B2 (ja) ウェーハの研磨装置
TWI765125B (zh) 基板處理裝置、基板處理方法、及儲存有程式之儲存媒介
JP2000042912A (ja) 両面研磨装置
JP2001162527A (ja) 研磨装置
JP2020053421A (ja) 基板搬送装置および基板搬送装置を備える基板処理装置
KR20050050872A (ko) 화학기계적 연마장치
JPH10202511A (ja) 両面研磨装置
JP2001334456A (ja) ワークの研磨方法及び装置
KR102453254B1 (ko) 순환 구동 유닛 및 이를 포함하는 기판 연마 장치
JP2000042913A (ja) 両面研磨装置のワーク給排システム
JPH1058317A (ja) 基板の研磨方法及び装置
KR100744101B1 (ko) 웨이퍼 표면연마장비의 플래튼 구동 시스템
JP4037532B2 (ja) 両面研磨装置
KR100321551B1 (ko) 반도체 기판의 표면 요철을 제거하기 위한 반도체 웨이퍼 연마 장치
JP3998226B2 (ja) ウェーハのエッチング方法及び装置
JP2023178694A (ja) Cmp研磨装置
US20070197144A1 (en) Wafer polishing apparatus
KR20040090505A (ko) 폴리싱 헤드
JPH07299732A (ja) ウエハの研磨方法および研磨装置
JP2001334459A (ja) 揺動式両面研磨装置
JP3643686B2 (ja) ウェーハの研磨方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20061205

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080617

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080619

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080812

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090618