JP2001158958A - Arc discharge ion plating equipment - Google Patents

Arc discharge ion plating equipment

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JP2001158958A
JP2001158958A JP34069099A JP34069099A JP2001158958A JP 2001158958 A JP2001158958 A JP 2001158958A JP 34069099 A JP34069099 A JP 34069099A JP 34069099 A JP34069099 A JP 34069099A JP 2001158958 A JP2001158958 A JP 2001158958A
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arc
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憲一 井上
Takashi Kinoshita
隆 木下
Yoshiyuki Hosokawa
佳之 細川
Shigeto Adachi
成人 足立
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for avoiding local heating and reducing droplets by suppressing abrupt current multiplication of arc current due to the growth of arc discharge and also forcing arc spots on the surface of a cathode to move, independently of an equipment running condition and an incidental condition such as the degree of target consumption while obviating the necessity of a large-scale magnetic field generating circuit in the periphery of the cathode. SOLUTION: This equipment is used for evaporating a cathode 3 material by vacuum arc discharge and ionizing the resultant evaporated atoms to form a film by vapor deposition on a material to be plated. The equipment has a magnetic field generating means 9 for generating a magnetic field penetrating an evaporation surface 3a of the cathode, and an anode electrode 4 is disposed in such a way that it intersects the lines of magnetic flux. The anode electrode 4 is provided in a state where it is divided into a plurality of pieces in a peripheral direction centering around the cathode 3 as a central axis. The resultant divided anode electrodes 4 are connected respectively at ground potential via circuit elements 16 with inductance components.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、例えば工具、金
型、ベアリングボール、軸受、スピンドルシリンダまた
は磁気ヘッド保護膜等、耐摩耗性、耐腐食性、自潤滑性
を要求される対象物表面に陰極物質を被着して、当該陰
極物質から成る、または当該陰極物質の窒化物、酸化物
等から成る薄膜を形成する薄膜形成装置(一般にアーク
式イオンプレーティング装置と呼ばれる)に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a tool, a mold, a bearing ball, a bearing, a spindle cylinder, a protective film for a magnetic head, and the like, which are required to have wear resistance, corrosion resistance, and self-lubrication. The present invention relates to a thin film forming apparatus (generally called an arc-type ion plating apparatus) for applying a cathode material and forming a thin film made of the cathode material or a nitride, an oxide, or the like of the cathode material.

【0002】[0002]

【従来の技術】アークイオンプレーティング装置におい
ては、アーク放電によって陰極から蒸発する陰極物質に
は、陰極近傍に生じるアークプラズマによってイオン化
された陰極物質イオンがかなりの割合で含まれており、
この陰極物質イオンをバイアス電界によって被処理物に
引き込んで表面に薄膜を形成する。その薄膜は、密着性
が良い、成膜速度が大きい等の利点を有しており、工具
や金型等の表面に金属膜やセラミックス膜を被覆する手
段として広く用いられている。
2. Description of the Related Art In an arc ion plating apparatus, the cathode material evaporated from a cathode by arc discharge contains a considerable proportion of cathode material ions ionized by arc plasma generated near the cathode.
The cathode material ions are attracted to the object by the bias electric field to form a thin film on the surface. The thin film has advantages such as good adhesion and a high deposition rate, and is widely used as a means for coating a metal film or a ceramic film on a surface of a tool or a mold.

【0003】膜の密着性が良いのは、陰極物質中に含ま
れている陰極物質イオンを、負バイアス電圧等による電
界によって被処理物に引き込んで衝突させ、イオンミキ
シングの効果が期待できるからである。成膜速度が大き
いのは、アーク放電の大電流を利用して陰極表面を瞬時
に加熱、溶解、蒸発する作用による。しかしながら、こ
の利点は次の副作用をもたらす。すなわち、上記陰極か
ら発生する陰極物質には、ドロップレットまたはマクロ
パーティクルと呼ばれる粗大粒子が含まれ、これが被処
理物の表面に形成される薄膜に入射付着すると、当該薄
膜の平滑性を損ねて工具等の寿命を短くしたり、薄膜の
外観を損ねたりする。
[0003] The reason why the film has good adhesion is that cathode material ions contained in the cathode material are attracted to the object to be processed by an electric field due to a negative bias voltage or the like and collide therewith, so that an effect of ion mixing can be expected. is there. The high deposition rate is due to the action of instantaneously heating, melting, and evaporating the cathode surface using the large current of arc discharge. However, this advantage has the following side effects: That is, the cathode material generated from the cathode contains coarse particles called droplets or macroparticles, and when these particles enter and adhere to the thin film formed on the surface of the workpiece, the smoothness of the thin film is impaired and the tool is damaged. Etc., shorten the service life, or impair the appearance of the thin film.

【0004】ドロップレットの原因は、陰極表面のアー
クスポット直下の局所加熱による液溜りの過大成長に起
因する。ドロップレットの径は個数は、アーク電流の増
大やアークスポットの集中、局在によって急激に増加す
る現象が観測されている。アーク放電現象は、放電電子
によって加熱した陰極表面が、蒸発した物質がアークプ
ラズマとなり、それが放電媒体となって、放電空間の等
価抵抗を下げ、さらに放電電流を増殖させるという正帰
還作用を本質的にもっていることから、アーク放電は、
一旦発生すれば、急激にアーク電流を増大させ、プラズ
マの自己ピンチまたは電源系の電圧降下で抑制されるま
でアーク放電が成長するため、どうしても局所加熱それ
に伴う液溜りの拡大が避けられない。 (従来技術A)そこで、陰極に接続する電源回路の出力
端に、インダクタ・コイルを挿入して、瞬間的なアーク
電流の増殖を抑制する方法が、特開平10-46324号公報に
ある。 (従来技術B)別の方法として、陰極表面近傍に、その
法線に対して、0〜30°の発散性の角度をつけた比較的
強い磁場(700Oe以上)を発生させ、アークイオン流と
磁場の電磁相互作用によって、陰極表面上のアークスポ
ット位置を、陰極の中心部に集中することなく、蒸発面
のやや外寄りを周回するように移動させる方法が特開平
11-36063号公報に提案されている。条件によっては、相
当早い速度で、アークスポットが動くため、局所加熱が
回避されて、液溜りの拡大、即ち、ドロップレットの発
生が抑制されることが報告されている。
[0004] The cause of the droplet is caused by excessive growth of the liquid pool due to local heating immediately below the arc spot on the cathode surface. It has been observed that the number of droplets increases rapidly due to an increase in arc current, concentration and localization of arc spots. The arc discharge phenomenon is essentially a positive feedback action in which the cathode surface heated by the discharge electrons turns the evaporated material into arc plasma, which becomes the discharge medium, lowers the equivalent resistance of the discharge space, and further increases the discharge current. Arc discharge,
Once generated, the arc current rapidly increases, and the arc discharge grows until it is suppressed by the self-pinch of the plasma or the voltage drop of the power supply system. Therefore, local heating and expansion of the liquid pool due to local heating are inevitable. (Prior Art A) Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-46324 discloses a method for suppressing an instantaneous increase in arc current by inserting an inductor coil at an output terminal of a power supply circuit connected to a cathode. (Prior Art B) As another method, a relatively strong magnetic field (700 Oe or more) is generated near the cathode surface with a divergence angle of 0 to 30 ° with respect to the normal line, and the arc ion current and A method of moving the arc spot position on the cathode surface so as to orbit the evaporation surface slightly outward without concentrating on the center of the cathode by the electromagnetic interaction of the magnetic field is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. HEI 9-163568.
It is proposed in Japanese Patent Publication No. 11-36063. It is reported that, depending on the conditions, the arc spot moves at a considerably high speed, so that local heating is avoided and the expansion of the liquid pool, that is, the generation of droplets is suppressed.

【0005】さらに、この方法では、陰極の蒸発面全体
をほぼ一様に、またはやや外周寄りを多く消耗して、陰
極表面を万遍無く使うために、陰極寿命を長くする効果
もある。 (従来技術C)もうひとつドロップレットの発生は許し
ても、それを再加熱・分解する方法が、特開平5-171427
号公報に提案されている。陰極の前方近傍に1000Oe近
い強い、しかも陰極中央に集束性の磁界を形成すること
によって、陰極表面近傍に発生したアークプラズマを閉
じ込め、このプラズマ中で発生したドロップレットを再
加熱、再溶解、再蒸発させることによって、ドロップレ
ットの分解・再利用を促して、直径、個数を低減する方
法である。
[0005] Furthermore, this method has the effect of extending the life of the cathode because the entire evaporation surface of the cathode is almost uniformly consumed, or the outer periphery thereof is slightly consumed and the cathode surface is used evenly. (Prior art C) A method of reheating and disassembling another droplet is allowed, even if the generation of the droplet is allowed.
No. 1993. By forming a strong magnetic field near 1000 Oe near the front of the cathode and at the center of the cathode, the arc plasma generated near the surface of the cathode is confined, and the droplets generated in this plasma are reheated, re-melted, and re-heated. This is a method of reducing the diameter and the number of droplets by promoting the decomposition and reuse of the droplets by evaporation.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】アーク電圧、真空度、
導入ガス種&圧力など装置運転条件や、ターゲット消耗
度など付帯条件に依存せず、また陰極周辺に大袈裟な磁
場発生回路を必要とせずに、アーク放電の成長によるア
ーク電流の急激な電流増殖を抑え込むとともに、強制的
に陰極表面上のアークスポットを移動させて、局所加熱
を避け、しかしてドロップレットを低減する方法を提供
する。まず、従来法Aでは、陰極表面の消耗変形、周辺
の境界構造により、アークスポット位置が局在した場合
は、アーク電流の増殖に伴い、頻繁に放電が止められ、
平均的に投入電力が少なくとどまり、成膜の生産性が尽
く犠牲にされる怖れがある。当然、陰極表面の均一な消
耗も期待できない。
SUMMARY OF THE INVENTION Arc voltage, degree of vacuum,
The rapid multiplication of the arc current due to the growth of the arc discharge does not depend on the equipment operating conditions such as the type of introduced gas and pressure, and the incidental conditions such as the degree of target depletion, and does not require a large magnetic field generating circuit around the cathode. Provided is a method for suppressing and forcibly moving the arc spot on the cathode surface to avoid local heating and thus reduce droplets. First, in the conventional method A, when the arc spot position is localized due to the consumption deformation of the cathode surface and the peripheral boundary structure, the discharge is frequently stopped with the multiplication of the arc current,
On average, the input power is low, and there is a fear that the productivity of film formation is sacrificed. Naturally, uniform consumption of the cathode surface cannot be expected.

【0007】次に、従来法Bでは、ある適切な運転条件
では、アークスポットが一定の速度で陰極表面を周回す
ることは事実であるが、アーク電圧、真空度、導入ガス
種&圧力など装置運転条件や、ターゲット消耗度など付
帯条件に敏感に依存し、実用的な操業に利用できる提案
ではない。実際、本願発明者の実験では、陰極に印加す
るアーク電圧の増加に伴い、ランダム放電→右回り周回
運動→左廻り周回運動と微妙に変化するとともに、ガス
種を変えると、全く周回運動が起きないこともあった。
Next, in the conventional method B, it is true that the arc spot orbits the cathode surface at a constant speed under a certain appropriate operating condition. However, the arc spot, the degree of vacuum, the type of introduced gas and the pressure, etc. The proposal is sensitive to the operating conditions and incidental conditions such as the degree of target consumption, and is not a proposal that can be used for practical operation. In fact, in the experiments of the present inventor, in accordance with the increase of the arc voltage applied to the cathode, a slight change was made in the order of random discharge → clockwise orbital movement → counterclockwise orbital movement. Sometimes it wasn't.

【0008】また、700Oeの磁場を、高電圧、大容量水
冷の要求される陰極ホルダー近傍に作るための、コイル
系または、永久磁石系を装備することは容易ではない。
さらに、理想的にアークスポットが最大速度で周回運動
する条件を出しても、ドロップレットの根絶には至らな
かった実験結果があり、本方式も抜本的解決策ではない
ことが解っている。第3の従来法Cにおいては、陰極近
傍に高密度のアークプラズマが存在することが肝要であ
るが、実現可能または運転条件としてのアーク電流、磁
束密度で得られるアークプラズマでは、発生するドロッ
プレットを全て再加熱・再溶融・再蒸発させるには、不
十分であることが、自明である。
Further, it is not easy to equip a coil system or a permanent magnet system for producing a magnetic field of 700 Oe near a cathode holder which requires high voltage and large capacity water cooling.
Furthermore, there is an experimental result that did not lead to eradication of the droplet even when the condition that the arc spot circulates at the maximum speed ideally is found, and it is understood that this method is not a drastic solution. In the third conventional method C, it is important that a high-density arc plasma exists near the cathode. However, in an arc plasma that can be realized or obtained by an arc current and a magnetic flux density as operating conditions, droplets generated Is insufficient to reheat, re-melt and re-evaporate all of the.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明は、真空アーク放
電によって陰極物質を蒸発させるとともにイオン化して
被処理物に蒸着成膜する装置において、前記陰極の蒸発
面を貫く磁界を発生させる磁界発生手段を具備し、その
磁束線に交差するようにアノード電極が設置され、当該
アノード電極は、陰極を中心軸として周方向に複数に分
割して並設され、分割された各アノード電極がインダク
タンス成分を持つ回路素子を介してそれぞれ接地電位に
接続されていることを特徴とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is directed to an apparatus for vaporizing and ionizing a cathode material by vacuum arc discharge and depositing a film on an object to be processed, wherein a magnetic field generating a magnetic field penetrating the evaporation surface of the cathode is provided. Means, and an anode electrode is provided so as to intersect the magnetic flux lines. The anode electrode is divided into a plurality in the circumferential direction with the cathode as a central axis, and each divided anode electrode has an inductance component. Are connected to the ground potential via circuit elements having

【0010】磁束線によって、アーク放電の電子流の軌
道が固定されるために、陰極表面(蒸発面)の各部位
と、電子流が吸収される分割された各アノード電極が1
対1に写像されることになる。陰極の一部で発生したア
ーク放電電流は、その部位に対応したアノード電極に吸
収され、接続されるインダクタ(コイル)回路を経て、
接地電位に至る。アーク電流が急激に増殖した場合は、
インダクタ内に誘起される逆起電力により、アーク電流
を抑制するような方向に、アノード電極の電位を変化さ
せる結果となる。
Since the orbit of the electron flow of the arc discharge is fixed by the magnetic flux lines, each part of the cathode surface (evaporation surface) and each of the divided anode electrodes where the electron flow is absorbed are separated by one.
It will be mapped to one-to-one. The arc discharge current generated in a part of the cathode is absorbed by the anode electrode corresponding to the part, and passes through the connected inductor (coil) circuit.
Reach ground potential. If the arc current grows rapidly,
The back electromotive force induced in the inductor results in changing the potential of the anode electrode in a direction that suppresses the arc current.

【0011】その場合、他のアノード電極は接地電位の
ままであるので、陰極から見ると、電位差が高く、放電
し易い条件であることになり、それらに対応する陰極部
位へとアークスポットは移動することになる。以上は、
微視的な放電現象を時系列的に描写したものであるが、
実際には、本アークイオンプレーティング装置において
は、高い電圧、大きな電流まで、安定したアーク放電が
生じるとともに、陰極表面ではアークスポットがランダ
ムまたは高速周回移動して、時間平均的には均一な放電
面を実現することになる。
In this case, since the other anode electrodes are kept at the ground potential, when viewed from the cathode, the potential difference is high and the discharge is easy, and the arc spot moves to the corresponding cathode site. Will do. The above is
It is a time series description of microscopic discharge phenomena,
Actually, in this arc ion plating apparatus, a stable arc discharge occurs even at a high voltage and a large current, and an arc spot moves randomly or at a high speed on the cathode surface, so that a time-average uniform discharge occurs. Surface will be realized.

【0012】また、上記構成によれば、陰極を貫く磁界
は弱く(10ガウス以上高々100ガウス以下;0.0
01T〜0.01T)てもよいので、磁界発生手段の構
成を簡易にすることができる。なお、前記磁界として
は、陰極の蒸発面を貫く平行または前方に発散する発散
磁界が好適である。また、前記アノード電極を、周方向
へ傾斜した方向に分割しておけば、アークスポットを一
方向に回転させることができ、運転条件(成膜条件)に
よる依存性を小さくするのに望ましい。
Further, according to the above configuration, the magnetic field penetrating the cathode is weak (10 gauss or more and 100 gauss or less at most;
01T to 0.01T), so that the configuration of the magnetic field generating means can be simplified. The magnetic field is preferably a divergent magnetic field that diverges parallel or forward through the evaporation surface of the cathode. Further, if the anode electrode is divided in a direction inclined in the circumferential direction, the arc spot can be rotated in one direction, and it is desirable to reduce dependence on operating conditions (film forming conditions).

【0013】前記装置において、アーク電流が小さな条
件で運転する場合には、インダクタ回路の逆起電力だけ
で、アークスポットを移動が困難な場合、アノード電極
を、偶数個に分割し、かつ周方向に隣り合うアノード電
極に接続された前記回路素子同士を、電磁誘導的に逆位
相にカップリングさせて、アークスポットの移動を容易
にすることができる。それは、ひとつのアノード電極に
流れ込んだ電流は、それに接続されたインダクタンスに
生じた逆起電力を発生させるとともに、両隣のアノード
のインダクタに作用して、放電を促す(引込む)極性の
起電力を、両隣のアノード電極に生ぜしめるためであ
る。
In the above-mentioned apparatus, when the arc current is operated under a small condition, if it is difficult to move the arc spot only by the back electromotive force of the inductor circuit, the anode electrode is divided into an even number, The circuit elements connected to the adjacent anode electrodes are coupled to each other in an inductively opposite phase, so that the movement of the arc spot can be facilitated. That is, the current flowing into one anode electrode generates a counter electromotive force generated in the inductance connected to it, and acts on the inductors of both adjacent anodes to generate an electromotive force of a polarity that promotes (pulls in) discharge, This is for producing the anode electrodes on both sides.

【0014】アークスポットの移動特性は、前記装置の
アノード電極に接続された回路素子に、インダクタンス
成分以外に、直列純抵抗および/または並列キャパシタ
ンス成分を追加することによって、調整可能である。本
発明では、上記のように電流が安定で、陰極表面で均一
なアーク放電を実現するとともに、陰極の蒸発面の前方
において平行進行ないし発散する磁力線を採用すれば、
陰極物質イオンが、この磁力線に沿って放射される領域
は広くなり、従って膜厚均一性の高い成膜領域も広くな
る効果も期待できる。
The movement characteristics of the arc spot can be adjusted by adding a series pure resistance and / or a parallel capacitance component to the circuit element connected to the anode electrode of the device, in addition to the inductance component. In the present invention, the current is stable as described above, while realizing a uniform arc discharge on the cathode surface, and adopting magnetic lines of force that proceed or diverge in parallel in front of the evaporation surface of the cathode,
The region where the cathode material ions are radiated along the lines of magnetic force is widened, so that the effect of widening the film formation region with high film thickness uniformity can be expected.

【0015】さらに、アークスポットの動きは、陰極の
蒸発面全体をほぼ一様に消耗させるか、やや外寄りに比
重を置きながら蒸発面全体を消耗させることになり、い
ずれにしても陰極の蒸発面を万遍無く使うので、陰極の
寿命を長くすることができる。装置としても、必要磁場
は、従来技術に対してはるかに弱く、安価な磁場発生装
置で十分である点も、装置構成、価格の点でメリットが
ある。
Further, the movement of the arc spot causes the entire evaporating surface of the cathode to be consumed almost uniformly, or the entire evaporating surface is consumed while placing a specific gravity slightly outward. Since the surfaces are used evenly, the life of the cathode can be extended. As for the device, the required magnetic field is much weaker than that of the conventional technology, and an inexpensive magnetic field generator is sufficient.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。図1は、本発明の第1実施形態に係
るアークイオンプレーティング装置1を示している。こ
の装置1は、処理室を構成する真空チャンバ2内に蒸発
源としての陰極(カソード)3と、陽極(アノード)4
とを備えている。陰極3は、正極が接地されたアーク電
源の負極に接続されている。また、真空チャンバ2自体
も接地されている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows an arc ion plating apparatus 1 according to a first embodiment of the present invention. This apparatus 1 includes a cathode (cathode) 3 as an evaporation source and an anode (anode) 4 in a vacuum chamber 2 constituting a processing chamber.
And The cathode 3 is connected to the negative pole of the arc power supply whose positive pole is grounded. Further, the vacuum chamber 2 itself is also grounded.

【0017】なお、真空チャンバ2には真空ポンプ6と
導入ガスのタンク(導入ガス供給手段)7とが接続され
ている。真空チャンバ2内には、さらに前記陰極3の蒸
発面(前面)3aを含む領域に磁界を発生させる磁界発
生手段9が設けられている。より具体的には、この磁界
発生手段9は、蒸発面を貫くとともに蒸発面3aからそ
の前方にかけての領域に磁界を形成するためのものであ
る。ここで磁界発生手段9は、蒸発面3aの周りに巻か
れた筒状(より具体的には円筒状)の磁気コイル10か
らなる。
The vacuum chamber 2 is connected to a vacuum pump 6 and an introduction gas tank (introduction gas supply means) 7. In the vacuum chamber 2, there is further provided a magnetic field generating means 9 for generating a magnetic field in a region including the evaporation surface (front surface) 3a of the cathode 3. More specifically, the magnetic field generating means 9 is for generating a magnetic field in a region penetrating the evaporation surface and extending from the evaporation surface 3a to the front thereof. Here, the magnetic field generating means 9 comprises a cylindrical (more specifically, cylindrical) magnetic coil 10 wound around the evaporation surface 3a.

【0018】この磁気コイル10は、図示していないコ
イル電源によって励磁されて、上記のような磁界を形成
する。図1には、この磁気コイル10が作る磁力線の例
を模式的に示している。この磁力線は、蒸発面に対して
ほぼ直交し、前方(図1では上方)に発散している。ま
た、陰極3の前方には、空間をおいて、被処理物12が
設置され、正極が真空チャンバ2に接続されたバイアス
電源13の負極がこの被処理物12に接続され、被処理
物が負電位に保たれる。
The magnetic coil 10 is excited by a coil power supply (not shown) to form the above-described magnetic field. FIG. 1 schematically shows an example of magnetic lines of force created by the magnetic coil 10. The lines of magnetic force are substantially orthogonal to the evaporation surface and diverge forward (upward in FIG. 1). In front of the cathode 3, a processing object 12 is provided with a space therebetween, and a negative electrode of a bias power supply 13 having a positive electrode connected to the vacuum chamber 2 is connected to the processing object 12. It is kept at a negative potential.

【0019】前記アノード電極4は、陰極3中央におけ
る蒸発面3aに対する法線を軸として、被処理物を取り
巻くように、また上記磁力線と交差(吸収)するように
配置されている。アノード電極4は、周方向に複数個
(8個:偶数個)に分割され、全体として円筒形状に形
成されている。なお、この円筒形状は前方が拡径した形
状である。各アノード電極4,4,・・は、それぞれ個
別のインダクタ(コイル)回路素子16を介して、接地
電位(真空チャンバ2)に接続されている。
The anode electrode 4 is arranged so as to surround an object to be processed and to intersect (absorb) the magnetic field lines with a normal line to the evaporation surface 3a at the center of the cathode 3 as an axis. The anode electrode 4 is divided into a plurality (8: even number) in the circumferential direction, and is formed in a cylindrical shape as a whole. Note that this cylindrical shape is a shape in which the diameter is enlarged at the front. Each of the anode electrodes 4, 4,... Is connected to a ground potential (vacuum chamber 2) via an individual inductor (coil) circuit element 16.

【0020】本実施形態のコイル10は、陰極蒸発面3
aの前方において、進行方向に向かって外に発散する磁
力線を発生し、陰極3の蒸発面3aで最大値、アノード
4表面で最小値をとる。アノード近傍で高々10Oe
(エルステッド)(約790A/m)以上の磁界を形成
すれば、この磁力線に沿って、陰極を起点とするアーク
放電の電子流は、螺旋軌道を描きながら、アノード電極
4に向かって移動する。このことは、電子の軌道半径
が、次式で与えられることから解る。 r[m]=3.4×10-6 √T[eV]/B[T] プラズマ温度として100eVを仮定しても、高々10
Gauss(0.001T)でも、軌道は1cmオーダにとどまり、
電子流は磁力線に絡み付いて流れるとの描像は、よい近
似であると言える。
The coil 10 according to the present embodiment has the cathode evaporation surface 3
In front of a, a line of magnetic force diverging outward in the traveling direction is generated, and has a maximum value on the evaporation surface 3a of the cathode 3 and a minimum value on the surface of the anode 4. At most 10 Oe near the anode
If a magnetic field of (Oersted) (about 790 A / m) or more is formed, the electron flow of the arc discharge starting from the cathode moves toward the anode electrode 4 along a line of magnetic force while drawing a spiral orbit. This can be understood from the fact that the orbital radius of the electron is given by the following equation. r [m] = 3.4 × 10 −6 √T [eV] / B [T] Even if the plasma temperature is assumed to be 100 eV, at most 10 eV
Even in Gauss (0.001T), the orbit is only on the order of 1cm,
The picture that the electron current flows entangled with the lines of magnetic force is a good approximation.

【0021】さて、アーク放電の電流増殖およびアーク
スポットの非局在化のメカニズムを、上記実施形態をも
とに説明する。発散性の磁束線によって、アーク放電の
電子流の軌道が固定されるために、陰極表面3aの各部
位と、電子流が吸収される分割されたアノード電極体
4,4,・・が1対1に写像されることになる。陰極3
の一部で発生したアーク放電電流は、その部位に対応し
たアノード電極体4に吸収され、接続されるインダクタ
(コイル)回路16を経て、接地電位に至る。
Now, the mechanism of arc current multiplication and arc spot delocalization will be described with reference to the above embodiment. Since the orbit of the electron flow of the arc discharge is fixed by the divergent magnetic flux lines, each part of the cathode surface 3a and one of the divided anode electrode bodies 4, 4,. 1 will be mapped. Cathode 3
Is absorbed by the anode electrode body 4 corresponding to the portion and reaches the ground potential via the connected inductor (coil) circuit 16.

【0022】アーク電流が急激に増殖した場合は、イン
ダクタ16内に誘起される逆起電力により、アーク電流
を抑制するような方向に、アノード電極4の電位を変化
させる結果となる。その場合、他のアノード電極4は接
地電位のままであるので、陰極3から見ると、電位差が
高く、放電し易い条件であることになり、それらに対応
する陰極部位へとアークスポットは移動することにな
る。このように、周方向に複数に分割されたリング状の
アノード電極4を用いると、ある分割アノード電極4と
隣接する他の分割アノード電極4との間に電位差を生じ
させてアークスポットを移動させることができる。
When the arc current multiplies rapidly, the back electromotive force induced in the inductor 16 changes the potential of the anode electrode 4 in such a direction as to suppress the arc current. In this case, since the other anode electrodes 4 remain at the ground potential, when viewed from the cathode 3, the potential difference is high and the discharge is easy, and the arc spot moves to the corresponding cathode site. Will be. As described above, when the ring-shaped anode electrode 4 divided into a plurality in the circumferential direction is used, a potential difference is generated between a certain divided anode electrode 4 and another adjacent divided anode electrode 4 to move the arc spot. be able to.

【0023】以上は、微視的な放電現象を時系列的に描
写したものであるが、実際には、本アークイオンプレー
ティング装置1においては、高い電圧、大きな電流ま
で、安定したアーク放電が生じるとともに、陰極表面3
aではアークスポットがランダムまたは高速周回移動し
て、時間平均的には均一な放電面を実現することにな
る。本実施形態では、上記のように電流が安定で、陰極
表面3aで均一なアーク放電を実現する以外に、陰極3
の蒸発面3aの前方において平行進行ないし発散する磁
力線の効果により、陰極物質イオンが、この磁力線に沿
って放射される領域は広くなり、従って膜厚均一性の高
い成膜領域も広くなる効果も期待できる。
Although the microscopic discharge phenomenon is described in time series in the above description, in practice, in the arc ion plating apparatus 1, a stable arc discharge can be performed up to a high voltage and a large current. As well as the cathode surface 3
In a, the arc spot moves randomly or at a high speed to realize a uniform discharge surface on a time average. In the present embodiment, the current is stable as described above, and a uniform arc discharge is realized on the cathode surface 3a.
Due to the effect of the lines of magnetic force that travel in parallel or diverge in front of the evaporation surface 3a, the region where the cathode material ions are radiated along the lines of magnetic force is widened, so that the film formation region with high film thickness uniformity is also widened. Can be expected.

【0024】さらに、アークスポットの動きは、陰極3
の蒸発面3a全体をほぼ一様に消耗させるか、やや外寄
りに比重を置きながら蒸発面3a全体を消耗させること
になり、いずれにしても陰極3の蒸発面3aを万遍無く
使うので、陰極3の寿命を長くすることができる。な
お、アークスポットの移動特性は、アノード電極4に接
続された回路素子6に、インダクタンス成分以外に、直
列純抵抗および/または並列キャパシタンス成分を追加
することによって、調整することができる。
Furthermore, the movement of the arc spot depends on the cathode 3
Or the entire evaporating surface 3a is consumed almost uniformly, or the entire evaporating surface 3a is consumed while placing a specific gravity slightly outside. In any case, the evaporating surface 3a of the cathode 3 is used evenly. The life of the cathode 3 can be extended. The movement characteristic of the arc spot can be adjusted by adding a series pure resistance and / or a parallel capacitance component to the circuit element 6 connected to the anode electrode 4 in addition to the inductance component.

【0025】図2は、本発明の第2実施形態に係るアー
クイオンプレーティング装置1を示している。この第2
実施形態はアノード電極4の形状をのぞき、他の構成に
ついては第1実施形態に準じている。第1実施形態で
は、アノード電極4の分割方向が陰極3を中心とした放
射方向であったが、本実施形態では、アノード電極4
は、放射方向から周方向へ傾斜した方向に分割されてい
る。すなわち、アノード電極4を分割する仮想線Xに着
目すれば、全体として渦巻状になっている。また、いい
かえれば、アノード電極4は、陰極を中心軸とした回転
非対称の形状、具体的には、扇風機の羽根のような形状
(プロペラ形状)にされている。これによってアークス
ポットを一方向に回転させることができ、運転条件(成
膜条件)による依存性を小さくする効果が期待できる。
FIG. 2 shows an arc ion plating apparatus 1 according to a second embodiment of the present invention. This second
The embodiment is the same as the first embodiment except for the shape of the anode electrode 4, and other configurations are the same. In the first embodiment, the dividing direction of the anode electrode 4 is a radiation direction centering on the cathode 3, but in the present embodiment, the dividing direction of the anode electrode 4 is
Are divided in a direction inclined from the radial direction to the circumferential direction. That is, if attention is paid to the imaginary line X that divides the anode electrode 4, the spiral line as a whole is formed. In other words, the anode electrode 4 has a rotationally asymmetric shape with the cathode as the central axis, specifically, a shape like a blade of a fan (propeller shape). As a result, the arc spot can be rotated in one direction, and an effect of reducing dependence on operating conditions (film forming conditions) can be expected.

【0026】すなわち、アークスポットが陰極の中心か
ら外方に向かって移動するという特性により、写像され
たアノード電極4では外方から内方に移動する現象が起
こる。この外から内への移動が周方向への移動を伴うよ
うに規制すれば、アークスポットの移動方向を一定方向
に回転させることができる。アノード電極4の分割方向
を周方向に傾斜させたのは、この点に着目したものであ
って、具体的に例えば、アノード電極4を扇風機の羽根
のような形状にすれば、その形状によって外から内に向
かうときに強制的に周方向に移動する規制を受け、図2
の例では、アークスポットは反時計回りに周回運動す
る。
That is, due to the characteristic that the arc spot moves outward from the center of the cathode, a phenomenon occurs in which the mapped anode electrode 4 moves from the outside to the inside. If the movement from the outside to the inside is regulated so as to accompany the movement in the circumferential direction, the movement direction of the arc spot can be rotated in a fixed direction. The reason why the dividing direction of the anode electrode 4 is inclined in the circumferential direction is to pay attention to this point. Specifically, for example, if the anode electrode 4 is shaped like a blade of a fan, the shape of the anode electrode 4 may be changed depending on the shape. As a result, it is forcibly moved in the circumferential direction when going in from
In the example, the arc spot orbits counterclockwise.

【0027】図3は本発明の第3実施形態、図4は本発
明の第4実施形態に係るアークイオンプレーティング装
置1を示している。これらの装置1は、アーク電流が小
さな条件でも運転を可能とするためのものである。アー
ク電流が小さいためにインダクタ回路の逆起電力だけで
アークスポットを移動させるのが困難な場合のため、ア
ノード電極4を偶数個に分割し、かつ周方向に隣り合う
アノード電極4に接続された該回路素子16同士を、電
磁誘導的に逆位相にカップリングさせて、アークスポッ
トの移動を容易にしたものである。
FIG. 3 shows an arc ion plating apparatus 1 according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 4 shows an arc ion plating apparatus 1 according to a fourth embodiment of the present invention. These devices 1 are intended to enable operation even under conditions where the arc current is small. When it is difficult to move the arc spot only by the back electromotive force of the inductor circuit due to the small arc current, the anode electrode 4 is divided into an even number and connected to the anode electrodes 4 adjacent in the circumferential direction. The circuit elements 16 are coupled in opposite phases in an electromagnetic induction manner to facilitate movement of the arc spot.

【0028】図3は、各インダクタ・コイル16を共通
のリング状磁性コア18で結合した例で、相隣り合うコ
イル16A,16Bは巻き方が逆方向である。図4は、
各インダクタ・コイル16(各コイルの巻き方は同方
向)に、二次コイル19を設け、隣り合う2次コイル1
9A,19Bを逆位相で接続して、閉回路とした例であ
る。なお、図4において、相隣り合うインダクタ・コイ
ル16の巻き方を逆にして、二次コイル19を同位相で
接続してもよい。図3、図4のいずれも、ひとつのアノ
ード電極4に流れ込んだ電流は、それに接続されたイン
ダクタンス16に生じた逆起電力を発生させるととも
に、両隣のアノード電極4のインダクタ16に作用し
て、放電を促す(引込む)極性の起電力を、両隣のアノ
ード電極4に生ぜしめる。
FIG. 3 shows an example in which the inductors 16 are connected by a common ring-shaped magnetic core 18, and the coils 16A and 16B adjacent to each other are wound in opposite directions. FIG.
A secondary coil 19 is provided on each inductor / coil 16 (the winding of each coil is in the same direction), and the adjacent secondary coil 1 is provided.
9A and 19B are connected in opposite phases to form a closed circuit. In FIG. 4, the secondary coils 19 may be connected in the same phase by reversing the winding method of the adjacent inductor coils 16. 3 and 4, the current flowing into one anode electrode 4 generates a back electromotive force generated in the inductance 16 connected to the anode electrode 4 and acts on the inductor 16 of the anode electrode 4 on both sides. An electromotive force having a polarity that promotes (pulls in) discharge is generated in the adjacent anode electrodes 4.

【0029】図5は、本発明の第5実施形態を示してい
る。この装置1では、磁界発生手段9として永久磁石2
1が採用されており、軸方向に磁極を有する筒状の永久
磁石21が陰極3のまわりに同軸状に配置され、第1実
施形態と類似の磁力線を発生させることができる。な
お、第2〜第5実施形態において説明を省略した点は第
1実施形態と同様である。
FIG. 5 shows a fifth embodiment of the present invention. In this device 1, the permanent magnet 2 is used as the magnetic field generating means 9.
1, a cylindrical permanent magnet 21 having a magnetic pole in the axial direction is arranged coaxially around the cathode 3, and can generate lines of magnetic force similar to those of the first embodiment. Note that the description of the second to fifth embodiments is omitted in the same manner as the first embodiment.

【0030】[0030]

【発明の効果】本発明によれば、アーク電圧、真空度、
導入ガス種&圧力など装置運転条件や、ターゲット消耗
度など付帯条件に依存せず、また陰極周辺に大袈裟な磁
場発生回路を必要とせずに、アーク放電の成長によるア
ーク電流の急激な電流増殖を抑え込むとともに、強制的
に陰極表面上をアークスポットを移動させて、局所加熱
を避け、しかしてドロップレットを低減することができ
る。
According to the present invention, arc voltage, degree of vacuum,
The rapid multiplication of the arc current due to the growth of the arc discharge does not depend on the equipment operating conditions such as the type of introduced gas and pressure, and the incidental conditions such as the degree of target depletion, and does not require a large magnetic field generating circuit around the cathode. While suppressing, the arc spot can be forcibly moved over the cathode surface to avoid local heating and thus reduce droplets.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1実施形態に係るアークイオンプレ
ーティング装置の平面図及び断面図である。
FIG. 1 is a plan view and a sectional view of an arc ion plating apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】第2実施形態に係るアークイオンプレーティン
グ装置の平面図である。
FIG. 2 is a plan view of an arc ion plating apparatus according to a second embodiment.

【図3】第3実施形態に係るアークイオンプレーティン
グ装置の平面図である。
FIG. 3 is a plan view of an arc ion plating apparatus according to a third embodiment.

【図4】第4実施形態に係るアークイオンプレーティン
グ装置の平面図である。
FIG. 4 is a plan view of an arc ion plating apparatus according to a fourth embodiment.

【図5】第5実施形態に係るアークイオンプレーティン
グ装置の断面図である。
FIG. 5 is a sectional view of an arc ion plating apparatus according to a fifth embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 アークイオンプレーティング装置 2 真空チャンバ 3 陰極 4 アノード電極 5 アーク電源 9 磁界発生手段 12 被処理物 16 インダクタ回路素子(コイル) DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Arc ion plating apparatus 2 Vacuum chamber 3 Cathode 4 Anode electrode 5 Arc power supply 9 Magnetic field generating means 12 Workpiece 16 Inductor circuit element (coil)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 細川 佳之 兵庫県神戸市西区高塚台1丁目5番5号 株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 (72)発明者 足立 成人 兵庫県高砂市荒井町新浜2丁目3番1号 株式会社神戸製鋼所高砂製作所内 Fターム(参考) 4K029 DD06  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Yoshiyuki Hosokawa 1-5-5 Takatsukadai, Nishi-ku, Kobe City, Hyogo Prefecture Inside Kobe Research Institute, Kobe Steel Ltd. (72) Inventor: Adult Adachi Shinhama, Araimachi, Takasago City, Hyogo Prefecture 2-3-1 No. 1 in Kobe Steel, Ltd. Takasago Works F-term (reference) 4K029 DD06

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 真空アーク放電によって陰極物質を蒸発
させるとともにイオン化して被処理物(12)に蒸着成
膜する装置において、 前記陰極の蒸発面(3a)を貫く磁界を発生させる磁界
発生手段(9)を具備し、その磁束線に交差するように
アノード電極(4)が設置され、 当該アノード電極(4)は、陰極(3)を中心軸として
周方向に複数に分割して並設され、 分割された各アノード電極(4)がインダクタンス成分
を持つ回路素子(16)を介してそれぞれ接地電位に接
続されていることを特徴とするアークイオンプレーティ
ング装置。
An apparatus for evaporating and ionizing a cathode material by vacuum arc discharge and depositing a film on an object to be processed (12), comprising: a magnetic field generating means for generating a magnetic field penetrating an evaporation surface (3a) of the cathode. 9), and an anode electrode (4) is provided so as to intersect the magnetic flux lines. The anode electrode (4) is divided into a plurality in the circumferential direction with the cathode (3) as a central axis, and is arranged side by side. An arc ion plating apparatus wherein each of the divided anode electrodes (4) is connected to a ground potential via a circuit element (16) having an inductance component.
【請求項2】 前記アノード電極(4)は、周方向へ傾
斜した方向に分割されていることを特徴とする請求項1
記載のアークイオンプレーティング装置。
2. The device according to claim 1, wherein the anode electrode is divided in a direction inclined in a circumferential direction.
An arc ion plating apparatus as described in the above.
【請求項3】 前記アノード電極(4)は、偶数個に分
割され、かつ周方向に隣り合うアノード電極(4)に接
続された前記回路素子(16)同士が、電磁誘導的に逆
位相にカップリングされていることを特徴とする請求項
1又は2記載のアークイオンプレーティング装置。
3. The anode electrode (4) is divided into an even number, and the circuit elements (16) connected to the anode electrodes (4) adjacent in the circumferential direction have opposite phases in electromagnetic induction. 3. The arc ion plating apparatus according to claim 1, wherein the apparatus is coupled.
【請求項4】 前記回路素子(16)には、インダクタ
ンス成分以外に、直列純抵抗および/または並列キャパ
シタンス成分が含まれることを特徴とする請求項1〜3
のいずれかに記載のアークイオンプレーティング装置。
4. The circuit element (16) includes a series pure resistance and / or a parallel capacitance component in addition to an inductance component.
The arc ion plating device according to any one of the above.
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