JP2001156097A - Electronic circuit, lsi chip mounting structure and method of manufacturing semiconductor device - Google Patents

Electronic circuit, lsi chip mounting structure and method of manufacturing semiconductor device

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JP2001156097A
JP2001156097A JP34051299A JP34051299A JP2001156097A JP 2001156097 A JP2001156097 A JP 2001156097A JP 34051299 A JP34051299 A JP 34051299A JP 34051299 A JP34051299 A JP 34051299A JP 2001156097 A JP2001156097 A JP 2001156097A
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connection terminal
lsi chip
columnar connection
columnar
mounting structure
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Hiroyuki Tenmyo
浩之 天明
Yoshihide Yamaguchi
欣秀 山口
Mitsuko Ito
光子 伊藤
Yasunori Narizuka
康則 成塚
Hisashi Sugiyama
寿 杉山
Akiko Mizushima
明子 水島
Hiroyuki Hozoji
裕之 宝蔵寺
Chie Yoshizawa
千絵 吉沢
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an LSI chip mounting structure by which an enough connection reliability can be ensured without destroying the LSI chip and bonding members such as solder balls when reduction in size and thickness of a large- sized LSI such as system LSI is aimed by directly connecting and mounting the LSI on a printed wiring board which exhibits a coefficient of thermal expansion largely different from that of the LSI chip. SOLUTION: An LSI chip component having a plurality of conductor patterns 6 placed in a circuit part, a plurality of columnar connection terminals 8 planted in positions of connection of the plurality of conductor patterns 6 for reducing stress between components, and a protective film 9 which covers the roots of the columnar connection terminals 8 and the conductor patterns 6 in such a manner that it fortifies the roots of the columnar connection terminals 8 is connected and bonded to a printed wiring board 11 by using bonding members 10 between the extremities of the columnar connection terminals 8 of the LSI chip component and the connecting parts of the printed wiring board 11.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、熱膨張率が異なる
電子部品を相互に接続実装して機能させる電子回路に関
し、特に大きなLSIベアチップをプリント配線板に直
接はんだボールを用いて接続実装されるFC(flip
chip)実装に含まれるLSIチップ実装構造体お
よび半導体装置の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electronic circuit which functions by connecting and mounting electronic components having different coefficients of thermal expansion to each other, and in particular, a large LSI bare chip is connected and mounted directly on a printed wiring board by using solder balls. FC (flip
The present invention relates to an LSI chip mounting structure included in mounting and a method of manufacturing a semiconductor device.

【0002】[0002]

【従来の技術】熱膨張率が異なる電子部品を相互に接続
する必要がある電子回路部品は多くあるが、この要求に
対して、最も需要が多い分野は、プリント基板に代表さ
れる実装基板とシリコンから作られるLSIチップの接
続である。従来はLSIチップを配線基板上に接続する
方法としては、LSIチップの接続端子数がそれほど多
くないこと及び接続ピッチもそれほど狭くないために、
ワイヤーボンディング(WB)又はテープオートメーテ
ッドボンディング(TAB)で接続する方法が主流であ
った。これらの方法は、LSIの接続電極と配線基板上
の接続電極の間を柔軟性のある配線で接続していたため
に、接続時及び接続後の熱工程におけるLSIと配線基
板との熱膨張係数差による断線等の不良発生は殆どなか
った。これは、WB法であればAu、Al、Cu等の金
属の極細線が柔軟に変形すること、TABであれば接続
端子は配線と共に柔軟な樹脂シート上に形成されている
ことにより、外力に対して柔軟に変形することで接続部
の破壊を防ぐことができたためである。しかしながら、
これらの接続方法は、接続端子がLSI端子の4辺にの
み配設せざるを得ず、近年の端子数の増加により端子ピ
ッチの狭ピッチ化に対して十分な対応ができないという
課題がある。
2. Description of the Related Art There are many electronic circuit components which need to connect electronic components having different coefficients of thermal expansion to each other. This is the connection of LSI chips made from silicon. Conventionally, as a method of connecting an LSI chip on a wiring board, since the number of connection terminals of the LSI chip is not so large and the connection pitch is not so narrow,
The method of connecting by wire bonding (WB) or tape automated bonding (TAB) has been the mainstream. In these methods, since the connection electrode of the LSI and the connection electrode on the wiring board are connected by a flexible wiring, the difference in the thermal expansion coefficient between the LSI and the wiring board in the heat process at the time of connection and after the connection. There was almost no failure such as disconnection due to the above. This is because ultrafine wires of metals such as Au, Al, and Cu are flexibly deformed in the case of the WB method, and the connection terminals are formed on the flexible resin sheet together with the wiring in the case of the TAB method. On the other hand, it is possible to prevent the destruction of the connection part by deforming flexibly. However,
These connection methods have a problem that the connection terminals have to be arranged only on four sides of the LSI terminals, and it is not possible to sufficiently cope with the narrowing of the terminal pitch due to an increase in the number of terminals in recent years.

【0003】この課題を解決するためのベアチップの表
面が保護された薄型小型の半導体装置として、特開平1
0−242367号公報(従来技術1)に記載されてい
るように、素子形成された半導体チップと、該半導体チ
ップ上に形成された電極パッドと、該電極パッドに接続
する柱状電極と、該柱状電極の先端部を露出して半導体
チップ上に被着された樹脂層とを有するものが知られて
いる。
To solve this problem, a thin and small semiconductor device having a bare chip surface protected is disclosed in
As described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 0-242367 (prior art 1), a semiconductor chip on which an element is formed, an electrode pad formed on the semiconductor chip, a columnar electrode connected to the electrode pad, and a columnar electrode. There is known an electrode having a resin layer applied to a semiconductor chip by exposing a tip portion of an electrode.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術1に記載された構造の半導体装置では、柱状電極
の周囲を樹脂層で完全に硬化させているため、熱膨張に
よる寸法変化に追随させることができるようにするため
には、上記樹脂層を柔らかい樹脂とする必要がある。も
し、上記樹脂層における樹脂の選択において、柔らかい
という制約から、高温に耐えられるような、エポキシや
ポリイミドといった樹脂に適当なものはなく、エラスト
マー、ゴムといった低耐熱性の樹脂となる。この場合、
半導体装置をプリント配線板に接続実装する際、ハンダ
リフローに耐えることは難しいという課題を有すること
になる。
However, in the semiconductor device having the structure described in the prior art 1, since the periphery of the columnar electrode is completely cured by the resin layer, it is necessary to follow a dimensional change due to thermal expansion. In order to achieve this, the resin layer needs to be made of a soft resin. If the resin in the resin layer is selected, there is no suitable resin such as epoxy or polyimide that can withstand high temperatures due to the restriction of softness, and it is a resin with low heat resistance such as elastomer or rubber. in this case,
When a semiconductor device is connected and mounted on a printed wiring board, there is a problem that it is difficult to withstand solder reflow.

【0005】本発明の目的は、上記課題を解決すべく、
熱膨張率が異なる電子部品を相互に高信頼度で直接接続
実装して機能させることができるようにした電子回路を
提供することにある。また、本発明の他の目的は、シス
テムLSI等のような大型化されたLSIチップを熱膨
張係数が大きく異なるプリント配線板に直接接続実装し
て小型化および薄型化を図った場合において、LSIチ
ップやはんだボール等の接合部材の部品を破壊すること
なく接続信頼性を十分確保することができるようにした
LSIチップ実装構造体を提供することにある。また、
本発明の更なる他の目的は、上記LSIチップ実装構造
体を実現するために電気めっきを多用することによって
製造コストの低減を図った半導体装置の製造方法を提供
することにある。
[0005] An object of the present invention is to solve the above problems.
It is an object of the present invention to provide an electronic circuit in which electronic components having different coefficients of thermal expansion can be directly connected and mounted to each other with high reliability to function. Another object of the present invention is to reduce the size and thickness of a large-sized LSI chip such as a system LSI by directly connecting and mounting it on a printed wiring board having a significantly different coefficient of thermal expansion. An object of the present invention is to provide an LSI chip mounting structure capable of sufficiently securing connection reliability without breaking components of a joining member such as a chip and a solder ball. Also,
Still another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device in which manufacturing cost is reduced by frequently using electroplating to realize the above-mentioned LSI chip mounting structure.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】熱膨張率が異なる電子部
品を相互に接続する部位を有する電子回路の作製方法と
して、はんだボールを用いた方法に加え、最近では導電
性樹脂又は導電性接着剤を用いた接続が量産に適用され
始めているが、これも樹脂又は接着剤を硬化させるため
に、加熱を必要とする。このように、接続する際に加熱
を行う方法においては、冷却後に部品相互間の熱膨張率
の差に起因して接続部に剪断応力が発生する。この熱膨
張率の差が大きい場合は剪断力によって接続部が接続直
後に破壊されたり、ある程度の時間をかけて破壊が進む
ことになる。これを避けるためには、何らかの方法で剪
断力を低減することが必要であるが、本発明において
は、熱膨張率が異なる電子部品の少なくとも一方の接続
用の端子を垂直方向に延長することで変形しやすくし、
他の構成部分への剪断力の影響を抑制するものである。
なお、変形しやすくした部分は破断限界以下の変形に抑
制する必要がある。
Means for Solving the Problems As a method of manufacturing an electronic circuit having a part for interconnecting electronic components having different coefficients of thermal expansion, in addition to a method using a solder ball, recently, a conductive resin or a conductive adhesive has been used. Has been applied to mass production, but also requires heating to cure the resin or adhesive. As described above, in the method of heating at the time of connection, a shear stress is generated in the connection portion due to a difference in thermal expansion coefficient between components after cooling. When the difference in the coefficient of thermal expansion is large, the connection portion is broken immediately after the connection due to the shearing force, or the breakage proceeds over a certain period of time. In order to avoid this, it is necessary to reduce the shearing force by some method, but in the present invention, by extending at least one connection terminal of an electronic component having a different coefficient of thermal expansion in the vertical direction. Easy to deform,
This suppresses the influence of shearing force on other components.
In addition, it is necessary to suppress the portion which is easily deformed to a deformation below a breaking limit.

【0007】このように熱膨張率が異なる電子部品を相
互に直接接続実装する構造体、特にはんだ及び加熱接着
を用いて直接接続実装する構造体において、部品相互間
の熱膨張係数の差に起因する熱応力を、垂直方向に延長
した柱状接続端子が変形することで緩和することができ
る。従って、補助的な部材を用いないで高い信頼性で接
続することが可能となるため、低コスト且つ高信頼性の
接続が可能となる。
[0007] In a structure in which electronic components having different coefficients of thermal expansion are directly connected and mounted to each other, particularly in a structure in which electronic components having different coefficients of thermal expansion are directly connected and mounted by using solder and heat bonding, a difference in thermal expansion coefficient between the components results. The resulting thermal stress can be reduced by deforming the columnar connection terminal extending in the vertical direction. Therefore, the connection can be made with high reliability without using an auxiliary member, so that the connection with low cost and high reliability can be made.

【0008】即ち、本発明は、表面部分に配設された複
数の導電体パターンと該複数の導電体パターンの各々に
おける接続する部位に植設された電子部品相互間の応力
を緩和するための複数の柱状接続端子と該柱状接続端子
の根本部分を補強するように柱状接続端子の根本部分お
よび前記導電体パターンを被覆する保護膜とを有する第
1の電子部品と、該第1の電子部品と熱膨張率が異なる
第2の電子部品とを前記柱状接続端子の先端と第2の電
子部品の接続する部位との間において接合部材を用いて
接続実装して構成したことを特徴とする電子回路であ
る。また、本発明は、表面部分に配設された複数の導電
体パターンと該複数の導電体パターンの各々における接
続する部位に植設された電子部品相互間の応力を緩和す
るための複数の柱状接続端子と該柱状接続端子の根本部
分を補強するように柱状接続端子の根本部分および前記
導電体パターンを被覆する保護膜とを有する第1の電子
部品と、該第1の電子部品と熱膨張率が異なる第2の電
子部品とを前記柱状接続端子の先端と第2の電子部品の
接続する部位との間においてはんだ部材を用いて接続実
装して構成したことを特徴とする電子回路である。
That is, the present invention provides a method for alleviating a stress between a plurality of conductor patterns provided on a surface portion and electronic components implanted at connecting portions in each of the plurality of conductor patterns. A first electronic component having a plurality of columnar connection terminals, a protective film covering the root portions of the columnar connection terminals and the conductor pattern so as to reinforce the root portions of the columnar connection terminals, and the first electronic component And a second electronic component having a different thermal expansion coefficient by connecting and mounting using a joining member between a tip of the columnar connection terminal and a portion to which the second electronic component is connected. Circuit. The present invention also provides a plurality of columnar patterns for relaxing stress between a plurality of conductor patterns disposed on a surface portion and electronic components implanted at connecting portions in each of the plurality of conductor patterns. A first electronic component having a connection terminal and a protective film covering the root portion of the columnar connection terminal and the conductor pattern so as to reinforce the root portion of the columnar connection terminal; and thermal expansion with the first electronic component. An electronic circuit, wherein a second electronic component having a different ratio is connected and mounted using a solder member between a tip of the columnar connection terminal and a portion to which the second electronic component is connected. .

【0009】また、本発明は、前記電子回路において、
第1の電子部品の柱状接続端子の先端部分に拡散防止用
のバリア金属部分を有することを特徴とする。また、本
発明は、前記電子回路において、第1の電子部品の柱状
接続端子の根本部分に拡散防止用のバリア金属部分を有
することを特徴とする。また、本発明は、前記電子回路
において、第1の電子部品の柱状接続端子の先端部分に
はんだに対して濡れ性のよい接合金属部分を有すること
を特徴とする。また、本発明は、回路部分に配設された
複数の導電体パターン(配線パターンもしくは端子パタ
ーン)と該複数の導電体パターンの各々における接続す
る部位に植設された部品相互間の応力を緩和するための
複数の柱状接続端子と該柱状接続端子の根本部分を補強
するように柱状接続端子の根本部分および前記導電体パ
ターンを被覆する保護膜とを有するLSIチップ部品
と、該LSIチップ部品における柱状接続端子の先端と
プリント配線板の接続する部位との間においてはんだ部
材等の接合部材を用いて接続実装して構成したことを特
徴とするLSIチップ実装構造体である。
The present invention also provides the electronic circuit, wherein:
It is characterized in that the first electronic component has a barrier metal portion for preventing diffusion at a tip portion of the columnar connection terminal. Further, the present invention is characterized in that in the electronic circuit, a barrier metal portion for preventing diffusion is provided at a root portion of the columnar connection terminal of the first electronic component. Further, the present invention is characterized in that, in the electronic circuit, a joining metal portion having good wettability with respect to solder is provided at a tip portion of the columnar connection terminal of the first electronic component. In addition, the present invention relieves stress between a plurality of conductor patterns (wiring patterns or terminal patterns) provided in a circuit portion and components implanted at connecting portions in each of the plurality of conductor patterns. An LSI chip component having a plurality of pillar-shaped connection terminals, a protection film covering the base portion of the pillar-shaped connection terminal and the conductor pattern so as to reinforce the root portion of the pillar-shaped connection terminal, and An LSI chip mounting structure characterized by being connected and mounted by using a joining member such as a solder member between a tip of a columnar connection terminal and a portion to be connected to a printed wiring board.

【0010】また、本発明は、前記LSIチップ実装構
造体において、LSIチップ部品の柱状接続端子の先端
部分にはんだ部材等の接合部材拡散防止用のバリア金属
部分を有することを特徴とする。また、本発明は、前記
LSIチップ実装構造体において、LSIチップ部品の
柱状接続端子の根本部分に銅材などの導電体拡散防止用
のバリア金属部分を有することを特徴とする。また、本
発明は、前記LSIチップ実装構造体において、LSI
チップ部品の柱状接続端子の先端部分にはんだ部材等の
接合部材に対して濡れ性のよい接合金属部分を有するこ
とを特徴とする。また、本発明は、前記LSIチップ実
装構造体において、LSIチップ部品の柱状接続端子の
主たる部分が銅めっき若しくは金めっきで形成したこと
を特徴とする。また、本発明は、前記LSIチップ実装
構造体において、LSIチップ部品の柱状接続端子は、
断面積が2×10~92〜1.2×10~82程度で、長
さが25μm以上または60μm以上であることを特徴
とする。また、本発明は、前記LSIチップ実装構造体
において、接合部材がPbフリーはんだ部材であること
を特徴とする。
Further, the present invention is characterized in that in the LSI chip mounting structure, a barrier metal portion for preventing diffusion of a joining member such as a solder member is provided at a tip portion of the columnar connection terminal of the LSI chip component. Further, the present invention is characterized in that in the LSI chip mounting structure, a barrier metal portion for preventing diffusion of a conductor such as a copper material is provided at a root portion of a columnar connection terminal of the LSI chip component. The present invention also relates to the above-mentioned LSI chip mounting structure,
It is characterized in that the tip part of the columnar connection terminal of the chip component has a joining metal portion having good wettability with respect to a joining member such as a solder member. Further, the present invention is characterized in that in the LSI chip mounting structure, a main portion of a columnar connection terminal of the LSI chip component is formed by copper plating or gold plating. Further, according to the present invention, in the above-described LSI chip mounting structure, the columnar connection terminals of the LSI chip component may include:
The cross-sectional area is about 2 × 10 to 9 m 2 to 1.2 × 10 to 8 m 2 , and the length is 25 μm or more or 60 μm or more. Further, the present invention is characterized in that in the LSI chip mounting structure, the joining member is a Pb-free solder member.

【0011】また、本発明は、半導体装置の回路部分上
に電気めっき用給電膜を成膜する給電膜成膜工程と、該
給電膜成膜工程で成膜された電気めっき用給電膜上に複
数の導電体パターンを形成するための第1のレジストパ
ターンを形成する第1のレジストパターン形成工程と、
該第1のレジストパターン形成工程で形成された第1の
レジストパターンに対して電気めっき用給電膜を用いて
電気めっきを施して複数の導電体パターンを配設する導
電体配設工程と、該導電体配設工程で配設された複数の
導電体パターンの各々における接続する部位に部品相互
間の応力を緩和するための複数の柱状接続端子を形成す
るための第2のレジストパターンを形成する第2のレジ
ストパターン形成工程と、該第2のレジストパターン形
成工程で形成された第2のレジストパターンに対して前
記電気めっき用給電膜を用いて電気めっきを施して複数
の柱状接続端子を形成する柱状接続端子形成工程と、そ
の後、前記第2および第1のレジストパターンを除去す
るレジスト除去工程と、その後、前記電気めっき用給電
膜の不要部分を除去する給電除去工程と、その後、柱状
接続端子の根本部分を補強するように柱状接続端子の根
本部分および前記導電体パターンを絶縁保護膜で被覆す
る保護膜形成工程とを有することを特徴とする半導体装
置の製造方法である。この半導体装置は、半導体基板
(ウエハ)の状態であってもよい。
Further, the present invention provides a power supply film forming step of forming a power supply film for electroplating on a circuit portion of a semiconductor device, and a method of forming a power supply film on the circuit portion of the semiconductor device. A first resist pattern forming step of forming a first resist pattern for forming a plurality of conductor patterns;
A conductor providing step of providing a plurality of conductor patterns by performing electroplating on the first resist pattern formed in the first resist pattern forming step using a power supply film for electroplating; A second resist pattern for forming a plurality of columnar connection terminals for relaxing stress between components is formed at a connecting portion in each of the plurality of conductor patterns provided in the conductor providing step. Forming a plurality of columnar connection terminals by performing a second resist pattern forming step and performing electroplating on the second resist pattern formed in the second resist pattern forming step using the power feeding film for electroplating; Forming a columnar connection terminal, followed by a resist removing step of removing the second and first resist patterns, and then removing unnecessary portions of the power supply film for electroplating. A semiconductor device, comprising: a power supply removing step of performing a power supply removing step; and a protective film forming step of covering the root portion of the columnar connection terminal and the conductor pattern with an insulating protective film so as to reinforce the root portion of the columnar connection terminal. It is a manufacturing method of an apparatus. This semiconductor device may be in a state of a semiconductor substrate (wafer).

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】本発明に係るLSIチップをプリ
ント基板(プリント配線板)(実装基板)に直接はんだ
ボール接続して実装するLSIチップ実装構造体の実施
の形態について図面を用いて説明する。本発明に係るL
SIチップとしては、システムLSIのように6mm角
以上、特に10mm角程度〜21mm角程度(最大25
mm角程度も有りうる。)に大型化される傾向にある。
そこで、本発明に係るLSIチップをプリント基板(実
装基板)に直接はんだボール接続して実装するLSIチ
ップ実装構造体は、図1に示すように構成される。即
ち、大型化されたLSIチップ2の回路部分上の周辺部
には、図3(a)や図2に示すように、外部との信号や
電源の入出力を行うための多数の露出されたAlやCu
等からなる電極(端子)1の群が形成される。これら周
辺部に配列された電極1の群のピッチは通常比較的狭い
ので、プリント基板(実装基板)11に直接はんだボー
ル10で接続することはできない。そこで、大型化され
たLSIチップ2の表面(回路部分)を、図3(b)に
示すように感光性ポリイミド樹脂を塗布し、該感光性ポ
リイミド樹脂に対して露光し、現像し、加熱硬化させる
ことにより上記電極1上にスルーホール31を穿設した
ポリイミドの絶縁層3が形成される。ここで用いる絶縁
層3は、誘電率が低いものが好ましく、後の工程で形成
する配線(導電体パターン)6と、LSIチップ2の内
部に形成された素子とが電気的に影響することを避ける
ため、厚い方(5μm程度以上)が望ましい。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of an LSI chip mounting structure in which an LSI chip according to the present invention is directly connected to a printed board (printed wiring board) (mounting board) by solder ball connection and mounted will be described with reference to the drawings. . L according to the present invention
As an SI chip, as in a system LSI, a 6 mm square or more, in particular, about 10 mm square to about 21 mm square (up to 25 mm square)
There may be about mm square. ) Tends to be larger.
Therefore, an LSI chip mounting structure in which the LSI chip according to the present invention is directly mounted on a printed board (mounting board) by solder ball connection and mounted is configured as shown in FIG. That is, as shown in FIG. 3A and FIG. 2, a large number of exposed portions for inputting / outputting signals and power to / from the outside are provided on the peripheral portion of the circuit portion of the large-sized LSI chip 2. Al and Cu
Thus, a group of electrodes (terminals) 1 made of the same is formed. Since the pitch of the group of electrodes 1 arranged in the peripheral portion is usually relatively narrow, it cannot be directly connected to the printed board (mounting board) 11 by the solder ball 10. Therefore, the surface (circuit portion) of the enlarged LSI chip 2 is coated with a photosensitive polyimide resin as shown in FIG. 3B, exposed to the photosensitive polyimide resin, developed, and cured by heating. By doing so, a polyimide insulating layer 3 having a through hole 31 formed on the electrode 1 is formed. It is preferable that the insulating layer 3 used here has a low dielectric constant, and that the wiring (conductor pattern) 6 to be formed in a later step and the element formed inside the LSI chip 2 are electrically affected. To avoid this, a thicker one (about 5 μm or more) is desirable.

【0013】そして、図2に示すようにLSIチップ2
の周辺部に配列された多数の電極1の各々から接合部材
であるはんだボール10を配列する位置(接続する部位
の位置)まで、絶縁層3に穿設されたスルーホール31
を介して配線(導電体パターン)6を形成する必要があ
る。なお、LSIチップ2の最上層に電極(端子)1を
形成する際、下層から銅などの配線6を直接引き出して
もよい。このようにすることによって、はんだボール1
0を配列する位置に端子状の銅配線6を有することにな
る。更に、本発明に係るLSIチップ実装構造体は、大
型化したLSIチップ2をプリント基板(実装基板)1
1に直接はんだボール10で接続して実装するため、大
型化したLSIチップ2と実装基板11との間の異なる
熱膨張係数の影響を大きく受けことになる。LSIチッ
プ2の熱膨張率α2は、Si等の基板をベースにしてい
るため、1.7×10~6程度で、プリント基板11の熱
膨張率α1は、ガラス布を基材とし、エポキシ樹脂やイ
ミド樹脂を含浸して硬化させた絶縁基板から形成される
ため、4×10~6程度であり、大きく異なることにな
る。例えば、LSIチップ2の大きさが6mm角以上、
特に10mm角〜21mm角とした場合、室温T2を2
0℃程度、はんだ接続温度を錫/銀系のPbフリーはん
だを用いたリフロー温度T1を想定して250℃程度と
すると、プリント基板11とLSIチップ2との間に
は、熱膨張率の差に基いて、次に示す(数1)式の関係
から、2.2μm以上、特に3.7μm〜7.9μm程
度の歪Xが発生することになる。当然、LSIチップ2
の大きさが25mm角程度になると、9.3μm程度の
歪Xが発生することになる。 X=(α1−α2)(T1−T2)a/2 (数1) 但し、aは、LSIチップ2の最大寸法(対角線寸法)
である。
Then, as shown in FIG.
Through holes 31 formed in the insulating layer 3 from each of the large number of electrodes 1 arranged in the peripheral portion to the position where the solder ball 10 as the joining member is arranged (the position of the connecting portion).
It is necessary to form a wiring (conductor pattern) 6 through the substrate. When the electrode (terminal) 1 is formed on the uppermost layer of the LSI chip 2, the wiring 6 such as copper may be drawn directly from the lower layer. By doing so, the solder balls 1
The terminal-shaped copper wiring 6 is provided at the position where 0 is arranged. Further, in the LSI chip mounting structure according to the present invention, a large-sized LSI chip 2 is mounted on a printed board (mounting board) 1.
1 is directly connected with the solder balls 10 and mounted, so that it is greatly affected by different thermal expansion coefficients between the large-sized LSI chip 2 and the mounting substrate 11. Since the thermal expansion coefficient α2 of the LSI chip 2 is based on a substrate such as Si, the thermal expansion coefficient α1 of the printed circuit board 11 is about 1.7 × 10 to 6 , Since it is formed from an insulating substrate which is impregnated and cured with an imide resin, it is about 4 × 10 to 6 and thus differs greatly. For example, the size of the LSI chip 2 is 6 mm square or more,
In particular, when the size is 10 mm square to 21 mm square, the room temperature T2 is 2
When the solder connection temperature is about 250 ° C. assuming a reflow temperature T1 using tin / silver-based Pb-free solder, the difference in thermal expansion coefficient between the printed circuit board 11 and the LSI chip 2 is about 0 ° C. Based on the following equation (Equation 1), a strain X of 2.2 μm or more, especially about 3.7 μm to 7.9 μm is generated. Naturally, LSI chip 2
Is about 25 mm square, a strain X of about 9.3 μm is generated. X = (α1−α2) (T1−T2) a / 2 (Equation 1) where a is the maximum dimension (diagonal dimension) of the LSI chip 2
It is.

【0014】そこで、本発明においては、配線6上のは
んだボール10を設ける位置に、撓むことが可能な垂直
方向に延長した柱状接続端子8(LSIチップ2の大き
さが6mm角で、柱状接続端子8が銅めっき材の場合、
直径が50μm〜120μm程度(断面積で2×10~9
2〜1.2×10~82程度)で、撓むことのできる長
さが10μm程度以上〜33μm程度以上であり、LS
Iチップ2の大きさが10mm角で、柱状接続端子8が
銅めっき材の場合、直径が50μm〜120μm程度
(断面積で2×10~92〜1.2×10~82程度)
で、撓むことのできる長さが12μm程度以上〜39μ
m程度以上である。)を形成することにある。
Therefore, according to the present invention, a vertically extending columnar connection terminal 8 (the size of the LSI chip 2 is 6 mm square, When the connection terminal 8 is made of a copper plating material,
The diameter is about 50 μm to 120 μm (2 × 10 to 9
m 2 to 1.2 × 10 to 8 m 2 ), and the flexible length is about 10 μm or more to about 33 μm or more.
When the size of the I chip 2 is 10 mm square and the columnar connection terminal 8 is a copper plated material, the diameter is about 50 μm to 120 μm (about 2 × 10 to 9 m 2 to 1.2 × 10 to 8 m 2 in sectional area). )
And the length that can be bent is about 12 μm or more to 39 μm
m or more. ).

【0015】即ち、プリント基板11とLSIチップ2
との間に熱膨張率の差に基いて発生する歪Xを撓むこと
によって吸収する柱状接続端子8の形状は、上記接続端
子部分を片持ちはりとすると、次に示す(数2)式の関
係から求めることができる。 y=(WL3)/(3EI) (数2) 接続端子の形状に依存する弾性2次モーメントIは、接
続端子の断面形状が円形の場合には次に示す(数3)式
の関係を有することになる。 I=(πd4)/64 (数3) 但し、yは柱状接続端子の先端の変位量(上記歪Xに相
当する。)、Eは接続端子の材料の弾性係数、Wは接続
端子の先端にかけられる許容加重、Lは撓むことのでき
る柱状接続端子の長さ、dは柱状接続端子の直径とす
る。なお、本発明に係る構造体では、図1および図5
(b)に示すように、垂直方向に延長した柱状接続端子
8の根本部分が絶縁保護膜9で補強されているため、破
壊されることはなく、はんだボール10の方が先に破壊
されることになる。そのため、許容加重Wとして、直径
200μm程度のSn/Ag系のPbフリーはんだを用
いた場合のはんだボール10の剪断強度である250g
とした。当然、はんだボール10の直径が200μmよ
りも小さいものを用いると、許容加重Wが250gより
も小さくなる。なお、はんだボール10としては、20
0μm〜250μm程度の径のものが用いられる。ま
た、接続端子8の材料の弾性係数Eは、銅材にした場
合、1.25kg/cm2×106となる。
That is, the printed circuit board 11 and the LSI chip 2
The shape of the columnar connection terminal 8 that absorbs by bending the strain X generated based on the difference in the coefficient of thermal expansion between the connection terminal portion and the connection terminal portion is a cantilever beam. From the relationship. y = (WL 3 ) / (3EI) (Equation 2) The elastic second moment I depending on the shape of the connection terminal is expressed by the following expression (Equation 3) when the cross-sectional shape of the connection terminal is circular. Will have. I = (πd 4 ) / 64 (Equation 3) where y is the amount of displacement of the tip of the columnar connection terminal (corresponding to the strain X), E is the elastic modulus of the material of the connection terminal, and W is the tip of the connection terminal. , L is the length of a flexible columnar connection terminal, and d is the diameter of the columnar connection terminal. In the structure according to the present invention, FIGS.
As shown in (b), the root portion of the columnar connection terminal 8 extending in the vertical direction is reinforced by the insulating protective film 9, so that it is not broken, and the solder ball 10 is broken first. Will be. Therefore, as the allowable load W, 250 g, which is the shear strength of the solder ball 10 when Sn / Ag-based Pb-free solder having a diameter of about 200 μm is used.
And Of course, if the diameter of the solder ball 10 is smaller than 200 μm, the allowable load W becomes smaller than 250 g. In addition, as the solder ball 10, 20
Those having a diameter of about 0 μm to 250 μm are used. The elastic modulus E of the material of the connection terminal 8 is 1.25 kg / cm 2 × 10 6 when made of copper.

【0016】以上から、柱状接続端子8の形状は、実装
するLSIチップ2の大きさが6mm角の場合2.2μ
m程度の歪Xが発生することから、柱状接続端子8が銅
めっき材の場合、直径が50μm〜120μm程度(断
面積で2×10~92〜1.2×10~82程度)で、撓
むことのできる長さが10μm程度以上〜33μm程度
以上となり、特に、実装するLSIチップ2の大きさが
10mm角〜21mm角の場合3.7μm程度以上の歪
Xが発生することから、柱状接続端子8が銅めっき材の
場合、直径が50μm〜120μm程度(断面積で2×
10~92〜1.2×10~82程度)で、撓むことので
きる長さが12μm程度以上〜39μm程度以上必要と
なる。しかし、後述するように柱状接続端子8の根本部
分を補強するために配線パターン6を含めて柱状接続端
子8の根本部分を、数μm〜10μm程度の厚さの絶縁
保護膜9で被覆する関係で、柱状接続端子8が銅めっき
材で直径が50μmの場合、柱状接続端子8の長さとし
て25μm程度以上必要となる。何れにしても、実装す
るLSIチップ2の大きさが21mm角まで対応できる
ようにするためには、柱状接続端子8が銅めっき材の場
合、直径が100μm程度で、長さが50μm程度以上
必要となる。当然、柱状接続端子8として金材にした場
合、接続端子8の材料の弾性係数Eは、0.81kg/
cm2×106となってやわらかくなるため、柱状接続端
子8の長さを銅材に比べて短くすることが可能となる。
As described above, the shape of the columnar connection terminals 8 is 2.2 μm when the size of the LSI chip 2 to be mounted is 6 mm square.
When the columnar connection terminal 8 is made of a copper plated material, the diameter of the columnar connection terminal 8 is about 50 μm to 120 μm (about 2 × 10 to 9 m 2 to 1.2 × 10 to 8 m 2 in cross-sectional area). ), The length that can be bent is about 10 μm or more to about 33 μm or more. In particular, when the size of the LSI chip 2 to be mounted is 10 mm square to 21 mm square, a strain X of about 3.7 μm or more is generated. Therefore, when the columnar connection terminal 8 is a copper plated material, the diameter is about 50 μm to 120 μm (2 × in cross-sectional area).
(About 10 to 9 m 2 to 1.2 × 10 to 8 m 2 ), and a flexible length of about 12 μm or more to about 39 μm or more is required. However, as described later, in order to reinforce the root portion of the columnar connection terminal 8, the root portion of the columnar connection terminal 8 including the wiring pattern 6 is covered with an insulating protective film 9 having a thickness of about several μm to 10 μm. When the columnar connection terminal 8 is made of a copper plating material and has a diameter of 50 μm, the length of the columnar connection terminal 8 needs to be about 25 μm or more. In any case, in order for the size of the LSI chip 2 to be mounted to be compatible up to 21 mm square, when the columnar connection terminal 8 is a copper plating material, the diameter is about 100 μm and the length is about 50 μm or more. Becomes Naturally, when the columnar connection terminal 8 is made of gold, the elastic modulus E of the material of the connection terminal 8 is 0.81 kg /
cm 2 × 10 6 , which makes it softer, so that the length of the columnar connection terminal 8 can be made shorter than that of a copper material.

【0017】このように、垂直方向に延長した柱状接続
端子8を形成することにより、大型化したLSIチップ
2と実装基板11との間に大きな熱膨張の差が生じても
上記接続端子8が撓むことによって応力が緩和されて大
型化したLSIチップ2、およびはんだボール10等の
部品の破壊が防止され、大型化したLSIチップ2をプ
リント基板(実装基板)11に直接はんだボール10で
接続して実装することを可能にすることができる。な
お、配線6の所定個所(例えば端部)に、直径が50μ
m〜120μm程度の柱状接続端子8を植設する関係
で、この所定の個所には、直径が60μm〜130μm
程度の配線部分を形成する必要が有る。
As described above, by forming the columnar connection terminals 8 extending in the vertical direction, even if a large difference in thermal expansion occurs between the large-sized LSI chip 2 and the mounting substrate 11, the connection terminals 8 can be formed. The bending reduces the stress and reduces the size of the LSI chip 2 and the solder balls 10 and other components, which are prevented from being broken, and the enlarged LSI chip 2 is directly connected to the printed circuit board (mounting board) 11 by the solder balls 10. And implement it. In addition, at a predetermined position (for example, an end) of the wiring 6, a diameter of 50 μm is used.
In order to implant the columnar connection terminals 8 having a diameter of about 60 to 130 μm,
It is necessary to form a wiring part of a degree.

【0018】そのために、まず、図3(c)に示すよう
に、配線6と応力を緩和するための垂直方向に延長した
柱状接続端子8とを電気めっきで形成するための電気め
っき用給電膜4を、上記電極1の表面を含めてスルーホ
ール31内および絶縁層3の表面に形成した。この電気
めっき用給電膜4は、絶縁層3と接着力があることが必
要である。そのため、電気めっき用給電膜4の形成方法
としては、スパッタ、蒸着、無電解めっき等が可能であ
る。スパッタ法は、絶縁層3との接着性が良好であり、
電極(端子)1との電気的接続性が良好であることよ
り、電気めっき用給電膜4を、絶縁層3の表面側より、
クロム膜(0.05〜0.1μm程度)、銅膜(0.3
〜1.0μm程度)の順に、スパッタ法を用いて連続成
膜した。
For this purpose, first, as shown in FIG. 3 (c), a power supply film for electroplating for forming the wiring 6 and the columnar connection terminals 8 extending in the vertical direction for relaxing stress by electroplating. 4 was formed in the through hole 31 including the surface of the electrode 1 and on the surface of the insulating layer 3. The power supply film 4 for electroplating needs to have an adhesive force with the insulating layer 3. Therefore, as a method of forming the power supply film 4 for electroplating, sputtering, vapor deposition, electroless plating, or the like can be used. The sputtering method has good adhesion to the insulating layer 3,
Since the electrical connectivity with the electrode (terminal) 1 is good, the power supply film 4 for electroplating is placed on the insulating layer 3 from the front side.
Chromium film (about 0.05 to 0.1 μm), copper film (0.3
(Approximately 1.0 μm) in this order.

【0019】次に、図3(d)に示すように、配線6を
電気めっきで形成するためのレジストパターン5を形成
した。次に、図3(e)に示すように、10〜25μm
程度の幅、2〜20μm程度の厚さを有し、柱状接続端
子8を植設する個所に直径が60μm〜130μm程度
の部分を有する配線6を電気銅めっきを用いて形成し
た。電気めっき用給電膜4を負極に接続し、対向して銅
板を正極に接続し、電気銅めっきを行った。次に、図4
(a)に示すように、実装基板11と接続する際に応力
を緩和するための垂直方向に延長した柱状接続端子8を
電気銅めっきを用いて形成するための直径が50μm〜
120μm程度で、厚さが25μm以上〜50μm以上
(70μm〜100μm程度が最適である。)のレジス
トパターン7を形成した。このレジストパターン7は、
露光、現像によって形成するため、柱状接続端子8を形
成するホールとしては直径20μm程度以上必要とな
る。また、大型化したLSIチップ2を柱状接続端子8
のみで支えることになるので、強度の面から、柱状接続
端子8の直径としては50μm程度以上が必要となる。
Next, as shown in FIG. 3D, a resist pattern 5 for forming the wiring 6 by electroplating was formed. Next, as shown in FIG.
A wiring 6 having a width of about 2 μm and a thickness of about 2 μm to 20 μm, and having a portion having a diameter of about 60 μm to 130 μm at a place where the columnar connection terminal 8 is to be planted, was formed using electrolytic copper plating. The power supply film 4 for electroplating was connected to the negative electrode, and a copper plate was connected to the positive electrode so as to face each other, and electro copper plating was performed. Next, FIG.
As shown in (a), when connecting with the mounting substrate 11, the diameter for forming the columnar connection terminal 8 extended in the vertical direction for relaxing the stress by using the electrolytic copper plating is 50 μm or more.
A resist pattern 7 having a thickness of about 120 μm and a thickness of 25 μm or more to 50 μm or more (about 70 μm to 100 μm is optimal) was formed. This resist pattern 7
Since the hole is formed by exposure and development, the hole for forming the columnar connection terminal 8 needs to have a diameter of about 20 μm or more. Further, the large-sized LSI chip 2 is connected to the columnar connection terminals 8.
Only the diameter of the columnar connection terminal 8 needs to be about 50 μm or more from the viewpoint of strength.

【0020】次に、図4(b)に示すように、上記レジ
ストパターン7の内に、電気銅めっきを用いて、上記銅
の配線6に接続される応力を緩和するための垂直方向に
延長した柱状接続端子(直径が50μm〜120μm程
度で、厚さが25μm以上〜50μm以上である。(7
0μm〜100μm程度が最適である。))8を形成し
た。電気めっき用給電膜4を負極に接続し、対向して、
不溶性電極又は銅板(含リン銅が好ましい)を正極に接
続し、電気銅めっきを行った。なお、プリント基板11
としてセラミック配線基板を用いる場合には、LSIチ
ップとの間に熱膨張率の差が小さいので、当然垂直方向
に延長した接続端子8の長さを短くすることが可能であ
る。
Next, as shown in FIG. 4 (b), the resist pattern 7 is extended in a vertical direction by using electrolytic copper plating to relieve the stress connected to the copper wiring 6. Column-shaped connection terminal (having a diameter of about 50 μm to 120 μm and a thickness of 25 μm or more to 50 μm or more.
About 0 μm to 100 μm is optimal. )) 8 was formed. The power supply film 4 for electroplating is connected to the negative electrode,
An insoluble electrode or a copper plate (preferably containing phosphorus copper) was connected to the positive electrode, and electrolytic copper plating was performed. The printed circuit board 11
When a ceramic wiring board is used, since the difference in the coefficient of thermal expansion between the ceramic wiring board and the LSI chip is small, the length of the connection terminal 8 extended in the vertical direction can be naturally shortened.

【0021】次に、図4(c)に示すように、レジスト
パターン5およびレジストパターン7を剥離した。次
に、図4(d)に示すように、不要の電気めっき用給電
膜4をエッチングで除去した。次に、図5(a)に示す
ように、柱状接続端子8の根本部分を補強するためと配
線パターン6を保護するために数μm〜10μm程度の
厚さの絶縁保護膜9を形成した。ここでは、絶縁保護膜
9として、感光性樹脂を用い、接続端子部分は、露光、
現像工程で除去した。
Next, as shown in FIG. 4C, the resist pattern 5 and the resist pattern 7 were peeled off. Next, as shown in FIG. 4D, the unnecessary power supply film 4 for electroplating was removed by etching. Next, as shown in FIG. 5A, an insulating protective film 9 having a thickness of about several μm to 10 μm was formed to reinforce the root portion of the columnar connection terminal 8 and to protect the wiring pattern 6. Here, a photosensitive resin is used as the insulating protection film 9, and the connection terminal portion is exposed,
It was removed in the developing step.

【0022】特に、絶縁保護膜9は、柱状接続端子8が
撓むことが可能なように、柱状接続端子8の根本部分お
よび配線6のみを被覆して構成される。これにより、柱
状接続端子8の根本部分および配線6を補強することが
可能となり、大型化したLSIチップ2とプリント基板
11との間に大きな熱膨張の差が生じても上記接続端子
8が撓むことによって応力が緩和されて大型化したLS
Iチップ2、およびはんだボール10等の部品の破壊が
防止され、大型化したLSIチップ2をプリント基板1
1に直接はんだボール10で接続して実装することを可
能にすることができる。以上説明した図3、図4、およ
び図5(a)に示すまでの製造は、多数のLSIチップ
が配列された半導体基板(半導体ウエハ)の状態で行な
ってもよい。この場合、半導体装置としては、半導体基
板(半導体ウエハ)の状態となる。当然、この場合、L
SIチップ2をプリント基板11に接続実装する前に、
半導体基板の状態からチップ単位にダイシング装置によ
り切断して分離する必要がある。
In particular, the insulating protection film 9 is formed by covering only the root portion of the columnar connection terminal 8 and the wiring 6 so that the columnar connection terminal 8 can be bent. This makes it possible to reinforce the root portion of the columnar connection terminal 8 and the wiring 6, and the connection terminal 8 is bent even if a large difference in thermal expansion occurs between the large-sized LSI chip 2 and the printed board 11. LS with reduced stress and larger size
The destruction of components such as the I chip 2 and the solder ball 10 is prevented, and the large-sized LSI chip 2 is mounted on the printed circuit board 1.
1 can be directly connected with the solder ball 10 and mounted. The above-described manufacturing up to FIG. 3, FIG. 4, and FIG. 5A may be performed in a state of a semiconductor substrate (semiconductor wafer) on which a large number of LSI chips are arranged. In this case, the semiconductor device is in a state of a semiconductor substrate (semiconductor wafer). Of course, in this case, L
Before connecting and mounting the SI chip 2 on the printed circuit board 11,
It is necessary to cut and separate the semiconductor substrate from the state of the semiconductor substrate by a dicing device in chip units.

【0023】次に、図5(b)に示すように、大型化し
たLSIチップ2を、プリント基板(実装基板)11に
直接、錫/銀系のPbフリーはんだからなるはんだボー
ル10を用いて接続して実装した。例えば、プリント基
板11に配列形成された接続する部位であるパッドの群
上に多数のはんだボール10の群を整列させて搭載し、
必要に応じてフラックスを供給し、その上に大型化した
LSIチップ2を搭載し、加熱(はんだリフロー)する
ことにより柱状接続端子8とはんだボール10と接合接
続して実装される。このとき、はんだボール10をLS
Iチップ2にあらかじめ接続したものをプリント基板1
1に搭載することも可能である。
Next, as shown in FIG. 5B, the enlarged LSI chip 2 is directly mounted on a printed board (mounting board) 11 by using solder balls 10 made of tin / silver-based Pb-free solder. Connected and implemented. For example, a group of a large number of solder balls 10 are aligned and mounted on a group of pads, which are connected portions arranged on the printed circuit board 11,
A flux is supplied as necessary, and a large-sized LSI chip 2 is mounted thereon, and the columnar connection terminal 8 and the solder ball 10 are joined and connected by heating (solder reflow). At this time, the solder ball 10 is
Printed circuit board 1 connected to I chip 2 in advance
1 can also be mounted.

【0024】以上説明した実施の形態では、柱状接続端
子8の断面形状を円形の場合について説明したが、正方
形形状にしてもほぼ同様な作用効果を達成することがで
きる。
In the above-described embodiment, the case where the cross-sectional shape of the columnar connection terminal 8 is circular has been described. However, even when the cross-sectional shape is square, substantially the same operation and effect can be achieved.

【0025】また、柱状接続端子8の断面形状を矩形形
状にしてもよい。この場合、接続端子の形状に依存する
弾性2次モーメントIは、次に示す(数4)式の関係と
成り、上記(数3)式の関係から柱状接続端子8の形
状、特に長さLが決まることになる。接続端子8の断面
形状を矩形形状にした場合、円形の場合に比較して柱状
接続端子8の長さLを長くする必要がある。 I=(bh3)/12 (数4) 但し、b、hは矩形の各辺の長さを示す。また、柱状接
続端子8の断面形状を正六角形形状や楕円形形状にして
もよい。これらの場合、接続端子の形状に依存する弾性
2次モーメントIは、各々(数5)式、(数6)式の関
係を有し、上記(数3)式の関係から柱状接続端子8の
形状、特に長さLが決まることになる。
The cross-sectional shape of the columnar connection terminal 8 may be rectangular. In this case, the elastic second moment I depending on the shape of the connection terminal has the relationship of the following equation (4). From the relationship of the above equation (3), the shape of the columnar connection terminal 8, especially the length L Will be determined. When the cross-sectional shape of the connection terminal 8 is rectangular, it is necessary to increase the length L of the columnar connection terminal 8 as compared with a circular case. I = (bh 3 ) / 12 (Equation 4) where b and h indicate the length of each side of the rectangle. Further, the cross-sectional shape of the columnar connection terminal 8 may be a regular hexagonal shape or an elliptical shape. In these cases, the elastic second moment I depending on the shape of the connection terminal has the relations of the equations (5) and (6), respectively. The shape, especially the length L, will be determined.

【0026】 I=(5√3/16)p4 (数5) 但し、pは一辺の長さを示す。 I=(πm3n)/4 (数6) 但し、2mが長軸の長さ、2nが短軸の長さを示す。何
れにしても、接続端子8の断面形状を矩形形状や楕円形
形状にした場合方向性を有することから、図6に示すよ
うに、大型化したLSIチップ2の寸法に合わせてX、
Yの2軸方向の歪Xを均等に撓んで吸収できるように、
接続端子8を配列すればよい。また、上記接続端子8と
しては、電気めっき用給電膜4を負極に接続し、対向し
て、不溶性電極を正極に接続し、電気金めっきを行っ
て、上記レジストパターン7の内に、上記銅の配線6に
接続される応力を緩和するための垂直方向に延長した柱
状接続端子(直径が50μm〜120μm程度で、長さ
が60μm〜90μm程度である。)8を金めっきで形
成してもよい。しかし、接続端子8を金めっきで形成す
ると非常に高価なものとなる。
I = (5√3 / 16) p 4 (Equation 5) where p indicates the length of one side. I = (πm 3 n) / 4 (Equation 6) Here, 2m indicates the length of the major axis, and 2n indicates the length of the minor axis. In any case, since the connection terminal 8 has directionality when the cross-sectional shape is rectangular or elliptical, as shown in FIG.
In order to be able to evenly bend and absorb the strain X in the two axial directions of Y,
The connection terminals 8 may be arranged. In addition, as the connection terminal 8, the power supply film 4 for electroplating is connected to the negative electrode, the insoluble electrode is connected to the positive electrode, and the electroplating is performed. A column-shaped connection terminal (having a diameter of about 50 μm to 120 μm and a length of about 60 μm to 90 μm) 8 extending in the vertical direction for relaxing the stress connected to the wiring 6 is formed by gold plating. Good. However, if the connection terminal 8 is formed by gold plating, it becomes very expensive.

【0027】そこで、図7に示すように、銅配線と接す
る部分を電気めっきにより、嵩上げ金属61を用いて嵩
上げし、金めっきの長さを短くして金の消費量を減少さ
せる構造としたものである。電気めっきによる嵩上げ金
属61に用いる金属は、配線6と同等の金属としても良
いが、垂直方向に延長した接続端子8と配線6が図7
(b)に示すように、はんだボール10を介して、実装
基板11と接続する際に、拡散してしまうことを防ぐた
め、垂直方向に延長した柱状接続端子8と配線6のバリ
アメタルとなるような材料とすることも可能である。一
例を挙げると、配線6に電気銅めっき、柱状接続端子8
に電気金めっき、電気めっきによる嵩上げ金属61とし
て、電気ニッケルを用いることが可能である。ここで、
嵩上げ金属61の形成方法として、場合によっては、無
電解めっきを用いることも可能である。そして、その
後、上記実施の形態と同様に、レジストパターン7、レ
ジストパターン5、電気めっき用給電膜4を剥離し、応
力を緩和するための柱状接続端子8を補強するための絶
縁保護膜9を形成した。
Therefore, as shown in FIG. 7, a portion in contact with the copper wiring is raised by electroplating using the raised metal 61 to shorten the length of the gold plating to reduce the gold consumption. Things. The metal used for the raised metal 61 by electroplating may be the same metal as the wiring 6, but the connection terminal 8 and the wiring 6 extending in the vertical direction are not shown in FIG.
As shown in (b), when connecting to the mounting substrate 11 via the solder balls 10, the barrier metal serves as a barrier metal for the columnar connection terminals 8 and the wirings 6 extending in the vertical direction in order to prevent diffusion. Such a material is also possible. As an example, the wiring 6 is plated with electric copper and the columnar connection terminals 8 are formed.
It is possible to use electric nickel as the raised metal 61 by electrogold plating or electroplating. here,
In some cases, electroless plating can be used as a method of forming the raised metal 61. Then, similarly to the above-described embodiment, the resist pattern 7, the resist pattern 5, and the power supply film 4 for electroplating are peeled off, and the insulating protection film 9 for reinforcing the columnar connection terminals 8 for relaxing the stress is formed. Formed.

【0028】図8に示す実施の形態は、垂直方向に延長
した接続端子8を介して実装基板11と接続した際に、
はんだボール10が垂直方向に延長した接続端子8と拡
散することを防止する実装構造体である。即ち、垂直方
向に延長した接続端子8を形成した後、レジストパター
ン7を剥離することなく、続けて、電気めっきにより、
拡散防止用のはんだバリア12を形成したものである。
材料の一例を挙げると、配線6に電気銅めっき、垂直方
向に延長した接続端子8に電気金めっきまたは電気銅め
っき、はんだバリア12に、電気ニッケルを用いること
が可能である。ここで、はんだバリア12の形成方法と
して、場合によっては、無電解めっきを用いることも可
能である。そして、その後、上記実施の形態と同様に、
レジストパターン7、レジストパターン5、電気めっき
用給電膜4を剥離し、応力を緩和するための柱状接続端
子8の根本部分を補強するための絶縁保護膜9を形成す
ればよい。また、上記はんだバリア12が、実装基板1
1と接続する際に介するはんだボール10に対する濡れ
性が悪い場合には、図9および図10に示すように、金
等の接合金属81を形成すればよい。この接合金属81
の形成方法としては、場合によっては、無電解めっきを
用いることが出来る。そして、その後、レジストパター
ン7、レジストパターン5、電気めっき用給電膜4を剥
離し、応力を緩和するための柱状接続端子8の根本部分
を補強するための絶縁保護膜9を形成すればよい。
In the embodiment shown in FIG. 8, when connected to the mounting substrate 11 via the connection terminals 8 extending in the vertical direction,
This is a mounting structure for preventing the solder balls 10 from diffusing with the connection terminals 8 extending in the vertical direction. That is, after forming the connection terminal 8 extending in the vertical direction, the resist pattern 7 is not peeled off, and subsequently, by electroplating,
This is one in which a solder barrier 12 for preventing diffusion is formed.
As an example of the material, it is possible to use electric copper plating for the wiring 6, electric gold or copper plating for the connection terminals 8 extending in the vertical direction, and electric nickel for the solder barrier 12. Here, as a method of forming the solder barrier 12, in some cases, it is also possible to use electroless plating. And then, as in the above embodiment,
The resist pattern 7, the resist pattern 5, and the power supply film 4 for electroplating may be peeled off, and an insulating protective film 9 for reinforcing a root portion of the columnar connection terminal 8 for relaxing stress may be formed. The solder barrier 12 is mounted on the mounting substrate 1.
If the wettability with respect to the solder ball 10 when connecting to the first metal is low, a bonding metal 81 such as gold may be formed as shown in FIGS. 9 and 10. This joining metal 81
In some cases, electroless plating can be used. Then, after that, the resist pattern 7, the resist pattern 5, and the power supply film 4 for electroplating are peeled off, and an insulating protective film 9 for reinforcing a root portion of the columnar connection terminal 8 for relieving stress may be formed.

【0029】[0029]

【発明の効果】本発明によれば、熱膨張率が異なる電子
部品を相互に高信頼度で直接接続実装した電子回路を実
現することができる効果を奏する。また、本発明によれ
ば、システムLSI等のような大型化されたLSIチッ
プを熱膨張係数が大きく異なるプリント配線板に直接接
続実装して小型化および薄型化を図った場合において、
LSIチップやはんだボール等の接合部材の部品を破壊
することなく接続信頼性を十分に確保したLSIチップ
実装構造体を実現することができる効果を奏する。特
に、薄型化を図ったことにより、接続距離を短くするこ
とができ、その結果、今後のLSIの高速駆動に対して
も十分対応することが可能となる。また、本発明によれ
ば、上記LSIチップ実装構造体を実現するために電気
めっきを多用することによって製造コストの低減を図る
ことが可能となった。
According to the present invention, it is possible to realize an electronic circuit in which electronic components having different coefficients of thermal expansion are directly connected and mounted with high reliability. Further, according to the present invention, when a large-sized LSI chip such as a system LSI or the like is directly connected and mounted on a printed wiring board having a significantly different coefficient of thermal expansion to reduce the size and thickness,
There is an effect that it is possible to realize an LSI chip mounting structure with sufficient connection reliability without breaking parts of a joining member such as an LSI chip and a solder ball. In particular, by reducing the thickness, the connection distance can be reduced, and as a result, it is possible to sufficiently cope with future high-speed driving of LSI. Further, according to the present invention, it is possible to reduce the manufacturing cost by using electroplating extensively to realize the above-mentioned LSI chip mounting structure.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る電子回路、即ちLSIチップ実装
構造体の基本構成を示す部分断面正面図である。
FIG. 1 is a partial cross-sectional front view showing a basic configuration of an electronic circuit according to the present invention, that is, an LSI chip mounting structure.

【図2】本発明に係るLSIチップとはんだボールの配
列関係を示した模式図である。
FIG. 2 is a schematic diagram showing an arrangement relationship between an LSI chip and a solder ball according to the present invention.

【図3】本発明に係る電子回路、即ちLSIチップ実装
構造体を製造する基本プロセスの前の部分を説明するた
めの図である。
FIG. 3 is a diagram for explaining a part before a basic process of manufacturing an electronic circuit, that is, an LSI chip mounting structure according to the present invention.

【図4】本発明に係る電子回路、即ちLSIチップ実装
構造体を製造する基本プロセスの中間の部分を説明する
ための図である。
FIG. 4 is a diagram for explaining an intermediate portion of a basic process for manufacturing an electronic circuit, that is, an LSI chip mounting structure according to the present invention.

【図5】本発明に係る電子回路、即ちLSIチップ実装
構造体を製造する基本プロセスの後の部分を説明するた
めの図である。
FIG. 5 is a diagram for explaining a portion after a basic process of manufacturing an electronic circuit, that is, an LSI chip mounting structure according to the present invention.

【図6】柱状接続端子の断面を矩形形状にした場合の柱
状接続端子の配列方法を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing an arrangement method of the columnar connection terminals when the cross section of the columnar connection terminals is rectangular.

【図7】本発明に係るLSIチップおよび電子回路、即
ちLSIチップ実装構造体の他の実施の形態を示す部分
断面正面図である。
FIG. 7 is a partial sectional front view showing another embodiment of an LSI chip and an electronic circuit, that is, an LSI chip mounting structure according to the present invention.

【図8】本発明に係るLSIチップおよび電子回路、即
ちLSIチップ実装構造体の更に他の実施の形態を示す
部分断面正面図である。
FIG. 8 is a partial sectional front view showing still another embodiment of an LSI chip and an electronic circuit, that is, an LSI chip mounting structure according to the present invention.

【図9】本発明に係るLSIチップの更に他の実施の形
態を示す部分断面正面図である。
FIG. 9 is a partial sectional front view showing still another embodiment of an LSI chip according to the present invention.

【図10】本発明に係るLSIチップの更に他の実施の
形態を示す部分断面正面図である。
FIG. 10 is a partial sectional front view showing still another embodiment of an LSI chip according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…電極(端子)、2…LSIチップ、3…絶縁層、4
…電気めっき用給電膜、5…レジストパターン、6…配
線、7…レジストパターン、8…柱状接続端子、9…絶
縁保護膜、10…はんだボール、11…プリント基板
(実装基板)、12…はんだバリア、13…嵩上げ金
属、61…嵩上げ金属、81…接合金属。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Electrode (terminal), 2 ... LSI chip, 3 ... Insulation layer, 4
... Power supply film for electroplating, 5 ... Resist pattern, 6 ... Wiring, 7 ... Resist pattern, 8 ... Column connection terminal, 9 ... Insulation protective film, 10 ... Solder ball, 11 ... Printed board (mounting board), 12 ... Solder Barrier, 13: raised metal, 61: raised metal, 81: joining metal.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/92 604S (72)発明者 伊藤 光子 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 成塚 康則 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 杉山 寿 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 水島 明子 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 宝蔵寺 裕之 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 吉沢 千絵 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 Fターム(参考) 5E319 AA03 AB05 CC33 GG11 5F044 KK02 LL01 QQ02 QQ03 QQ04──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 21/92 604S (72) Inventor Mitsuko Ito 292 Yoshidacho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Hitachi, Ltd. Inside the Research Institute of Production Technology (72) Inventor Yasunori Narizuka 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Inside the Hitachi Research Institute of Manufacturing Technology (72) Inventor Hisashi Sugiyama 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Pref. Inside Hitachi, Ltd. Production Technology Research Institute (72) Inventor Akiko Mizushima 292, Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Inside Hitachi, Ltd. (72) Chie Yoshizawa, Inventor Yoshi, Totsuka-ku, Yokohama, Kanagawa Town 292 address Co., Ltd. Hitachi, Ltd., Institute of Industrial Science, the F-term (reference) 5E319 AA03 AB05 CC33 GG11 5F044 KK02 LL01 QQ02 QQ03 QQ04

Claims (13)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】表面部分に配設された複数の導電体パター
ンと該複数の導電体パターンの各々における接続する部
位に植設された電子部品相互間の応力を緩和するための
複数の柱状接続端子と該柱状接続端子の根本部分を補強
するように柱状接続端子の根本部分および前記導電体パ
ターンを被覆する保護膜とを有する第1の電子部品と、
該第1の電子部品と熱膨張率が異なる第2の電子部品と
を前記柱状接続端子の先端と第2の電子部品の接続する
部位との間において接合部材を用いて接続実装して構成
したことを特徴とする電子回路。
1. A plurality of columnar connections for alleviating stress between a plurality of conductor patterns disposed on a surface portion and electronic components implanted at connecting portions in each of the plurality of conductor patterns. A first electronic component having a terminal and a protective film covering the base portion of the columnar connection terminal and the conductor pattern so as to reinforce the base portion of the columnar connection terminal;
The first electronic component and a second electronic component having a different coefficient of thermal expansion are connected and mounted by using a joining member between a tip of the columnar connection terminal and a portion to which the second electronic component is connected. An electronic circuit, comprising:
【請求項2】表面部分に配設された複数の導電体パター
ンと該複数の導電体パターンの各々における接続する部
位に植設された電子部品相互間の応力を緩和するための
複数の柱状接続端子と該柱状接続端子の根本部分を補強
するように柱状接続端子の根本部分および前記導電体パ
ターンを被覆する保護膜とを有する第1の電子部品と、
該第1の電子部品と熱膨張率が異なる第2の電子部品と
を前記柱状接続端子の先端と第2の電子部品の接続する
部位との間においてはんだ部材を用いて接続実装して構
成したことを特徴とする電子回路。
2. A plurality of columnar connections for relaxing stress between a plurality of conductor patterns provided on a surface portion and electronic components implanted at connecting portions in each of the plurality of conductor patterns. A first electronic component having a terminal and a protective film covering the base portion of the columnar connection terminal and the conductor pattern so as to reinforce the base portion of the columnar connection terminal;
The first electronic component and a second electronic component having a different coefficient of thermal expansion are connected and mounted using a solder member between a tip of the columnar connection terminal and a portion to which the second electronic component is connected. An electronic circuit, comprising:
【請求項3】前記第1の電子部品の柱状接続端子の先端
部分に拡散防止用のバリア金属部分を有することを特徴
とする請求項1または2記載の電子回路。
3. The electronic circuit according to claim 1, further comprising a barrier metal portion for preventing diffusion at a tip portion of the pillar-shaped connection terminal of the first electronic component.
【請求項4】前記第1の電子部品の柱状接続端子の根本
部分に拡散防止用のバリア金属部分を有することを特徴
とする請求項1または2記載の電子回路。
4. An electronic circuit according to claim 1, further comprising a barrier metal portion for preventing diffusion at a root portion of the columnar connection terminal of said first electronic component.
【請求項5】前記第1の電子部品の柱状接続端子の先端
部分にはんだに対して濡れ性のよい接合金属部分を有す
ることを特徴とする請求項2記載の電子回路。
5. The electronic circuit according to claim 2, further comprising a bonding metal portion having good wettability with respect to solder at a tip portion of the columnar connection terminal of the first electronic component.
【請求項6】回路部分に配設された複数の導電体パター
ンと該複数の導電体パターンの各々における接続する部
位に植設された部品相互間の応力を緩和するための複数
の柱状接続端子と該柱状接続端子の根本部分を補強する
ように柱状接続端子の根本部分および前記導電体パター
ンを被覆する保護膜とを有するLSIチップ部品と、該
LSIチップ部品における柱状接続端子の先端とプリン
ト配線板の接続する部位との間において接合部材を用い
て接続実装して構成したことを特徴とするLSIチップ
実装構造体。
6. A plurality of columnar connection terminals for relieving stress between a plurality of conductor patterns provided in a circuit portion and components implanted at connecting portions in each of the plurality of conductor patterns. An LSI chip component having a base layer of the columnar connection terminal and a protective film covering the conductor pattern so as to reinforce the root portion of the columnar connection terminal; and a tip of the columnar connection terminal in the LSI chip component and printed wiring. An LSI chip mounting structure characterized by being connected and mounted to a portion to be connected to a board using a joining member.
【請求項7】前記LSIチップ部品の柱状接続端子の先
端部分に接合部材拡散防止用のバリア金属部分を有する
ことを特徴とする請求項6記載のLSIチップ実装構造
体。
7. The LSI chip mounting structure according to claim 6, wherein the LSI chip component has a barrier metal portion at a tip end of the columnar connection terminal for preventing diffusion of a bonding member.
【請求項8】前記LSIチップ部品の柱状接続端子の根
本部分に導電体拡散防止用のバリア金属部分を有するこ
とを特徴とする請求項6記載のLSIチップ実装構造
体。
8. The LSI chip mounting structure according to claim 6, further comprising a barrier metal portion for preventing diffusion of a conductor at a root portion of the columnar connection terminal of said LSI chip component.
【請求項9】前記LSIチップ部品の柱状接続端子の先
端部分に接合部材に対して濡れ性のよい接合金属部分を
有することを特徴とする請求項6記載のLSIチップ実
装構造体。
9. The LSI chip mounting structure according to claim 6, further comprising a bonding metal portion having good wettability to a bonding member at a tip portion of the columnar connection terminal of said LSI chip component.
【請求項10】前記LSIチップ部品の柱状接続端子の
主たる部分が銅めっきで形成したことを特徴とする請求
項6記載のLSIチップ実装構造体。
10. The LSI chip mounting structure according to claim 6, wherein a main portion of said columnar connection terminal of said LSI chip component is formed by copper plating.
【請求項11】前記LSIチップ部品の柱状接続端子
は、断面積が2×10~92〜1.2×10~82程度
で、長さが25μm以上であることを特徴とする請求項
10記載のLSIチップ実装構造体。
11. The columnar connection terminal of the LSI chip component has a cross-sectional area of about 2 × 10 to 9 m 2 to 1.2 × 10 to 8 m 2 and a length of 25 μm or more. The LSI chip mounting structure according to claim 10.
【請求項12】前記接合部材がPbフリーのはんだ部材
であることを特徴とする請求項6記載のLSIチップ実
装構造体。
12. The LSI chip mounting structure according to claim 6, wherein said joining member is a Pb-free solder member.
【請求項13】半導体装置の回路部分上に電気めっき用
給電膜を成膜する給電膜成膜工程と、該給電膜成膜工程
で成膜された電気めっき用給電膜上に複数の導電体パタ
ーンを形成するための第1のレジストパターンを形成す
る第1のレジストパターン形成工程と、 該第1のレジストパターン形成工程で形成された第1の
レジストパターンに対して電気めっき用給電膜を用いて
電気めっきを施して複数の導電体パターンを配設する導
電体配設工程と、 該導電体配設工程で配設された複数の導電体パターンの
各々における接続する部位に部品相互間の応力を緩和す
るための複数の柱状接続端子を形成するための第2のレ
ジストパターンを形成する第2のレジストパターン形成
工程と、 該第2のレジストパターン形成工程で形成された第2の
レジストパターンに対して前記電気めっき用給電膜を用
いて電気めっきを施して複数の柱状接続端子を形成する
柱状接続端子形成工程と、 その後、前記第2および第1のレジストパターンを除去
するレジスト除去工程と、 その後、前記電気めっき用給電膜の不要部分を除去する
給電除去工程と、 その後、柱状接続端子の根本部分を補強するように柱状
接続端子の根本部分および前記導電体パターンを絶縁保
護膜で被覆する保護膜形成工程とを有することを特徴と
する半導体装置の製造方法。
13. A power supply film forming step of forming a power supply film for electroplating on a circuit portion of a semiconductor device, and a plurality of conductors formed on the power supply film for electroplating formed in the power supply film formation step. A first resist pattern forming step of forming a first resist pattern for forming a pattern, and using a power supply film for electroplating on the first resist pattern formed in the first resist pattern forming step. Providing a plurality of conductor patterns by performing electroplating by applying a stress between parts to each of the plurality of conductor patterns provided in the conductor providing step. Resist pattern forming step of forming a second resist pattern for forming a plurality of pillar-shaped connection terminals for reducing stress, and a second register formed in the second resist pattern forming step. Forming a plurality of columnar connection terminals by applying electroplating to the pattern using the power supply film for electroplating, and thereafter, removing the resist for removing the second and first resist patterns. A power-supply removing step of removing unnecessary portions of the electroplating power-supplying film; and an insulating protective film formed on the columnar connection terminals and the conductor pattern so as to reinforce the columnar connection terminals. And a protective film forming step of covering with a semiconductor device.
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