JP2001153801A - 光電式粒子検知センサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 発光素子及び受光素子を容易に位置決めし実
装させて迷光を減少することが可能で、また、部材点数
が少なく、その実装設計の自由度を向上できて低コスト
で小型化の容易な光電式粒子検知センサを提供するこ
と。 【解決手段】 検知室９２内に光を照射する発光素子２
と、同発光素子２から出射手段５を介して出射された光
のうち、集光手段６を介して該検知室９２内に構成され
る所定検知領域９１に流入した粒子にて散乱される散乱
光を受光する受光素子３とを、その前側に検知領域９１
を設けるよう形成された樹脂成形体による回路基材８表
面に実装させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光電式粒子検知セン
サに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、光電式煙感知器などの光電式粒子
検知センサは、本体ケースの検知室内に光を照射する発
光素子と、同発光素子から出射手段を介して出射された
光のうち、集光手段を介して該検知室内に構成される所
定検知領域に流入した粒子にて散乱される散乱光を受光
する受光素子とがブリント配線板上に実装されて構成さ
れている。そして、例えば図１３に示す特開平８−１３
６４５６として開示されている光電式煙感知器Ａにおい
ては、発光素子２を一方の端部近傍に且つ受光素子３を
他方の端部近傍に実装したブリント配線板Ｂと、前記発
光素子２の発光部を一方の端部近傍に且つ煙粒子からの
散乱光を前記受光素子３に集光する集光プリズム・レン
ズＥを他方の端部近傍に支持する光学系ホルダーＤとを
本体ケースＣ内に収容し、その検知室に所定検知領域を
構成するラビリンス部材と組み合わせて形成されてい
る。

【０００３】上記の受光素子３と発光素子２とは、検知
室内でその各光軸が互いに交差するように配置されて検
知領域を構成している。そして、発光素子２から照射さ
れた光が検知室内の煙粒子により乱反射され、この散乱
光が集光手段である集光ブリズム及びレンズを介して受
光素子３にて受光され煙の存在が検知できる．

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
如く、発光素子２が比較的広い指向角度を有するので、
発光素子２と受光素子３および集光プリズム・レンズＥ
の光軸がずれると、発光素子２から照射された光の一部
やラピリンス部材にて反射され、その反射光（迷光と呼
ばれている）が受光素子３に入射してしまう。その結
果、煙粒子の存在しないゼロ点レベルにおける受光素子
からの出力が高くなり、煙等の微粒子を高感度に検知す
ることが困難となる。したがって、上記迷光を少なくす
るために、各部品の高精度な実装、組み立てが必要とな
り、生産性が悪くなるとともに、実装、組み立てコスト
が多大にかかるという問題があった。

【０００５】本発明は、上記事由に鑑みてなしたもの
で、その目的とするところは、発光素子及び受光素子を
容易に位置決めし実装させて迷光を減少することが可能
で、また、部材点数が少なく、その実装設計の自由度を
向上できて低コストで小型化の容易な光電式粒子検知セ
ンサを提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の光電式粒子検知センサにあっては、検知室
内に光を照射する発光素子と、同発光素子から出射手段
を介して出射された光のうち、集光手段を介して該検知
室内に構成される所定検知領域に流入した粒子にて散乱
される散乱光を受光する受光素子とを、その前側に検知
領域を設けるよう形成された樹脂成形体による回路基材
表面に実装させてなることを特徴としている。

【０００７】なお、本発明は、光電式煙感知器、あるい
は浮遊粉塵検知器等に好適に適用することができる。ま
た、上記回路基材の樹脂成形体を、射出成形回路基板
（ＭＩＤ基板）により構成するのが好ましい。

【０００８】上記本発明の光電式粒子検知センサの構成
によれば、樹脂成形体による回路基材表面に発光素子と
受光素子とを実装させることで、発光素子及び受光素子
を容易に位置決めし実装させて迷光を減少することが可
能で、また、部材点数が少なく、その実装設計の自由度
を向上できて低コストで小型化を容易に図ることができ
る。

【０００９】また、本発明の光電式粒子検知センサにあ
っては、検知室内に光を照射する発光素子と、同発光素
子から出射手段を介して出射された光のうち、集光手段
を介して該検知室内に構成される所定検知領域に流入し
た粒子にて散乱される散乱光を受光する受光素子とを、
その前側に検知領域を設けるよう形成された樹脂成形体
による回路基材表面に実装させ、同回路基材に出射手段
の出射レンズ及び集光手段の集光レンズを固着させるこ
とも好ましい。これによれば、出射レンズ及び集光レン
ズと発光素子及び受光素子とを確実に位置決めさせて設
けることができ、出射レンズと集光レンズとの光軸を回
路基材の形状寸法のみによって決定することができるの
で検知室内に構成される検知領域が所定位置からずれる
こともない。

【００１０】さらに、本発明は、回路基材の、発光素子
及び／又は受光素子の前側に、その発光素子あるいは受
光素子の素子表面を起点又は終点とした光反射部となる
凹所を形成したことを特徴とするものである。これによ
れば、発光素子あるいは受光素子の素子表面を起点又は
終点としてそれら前面側の凹所に反射させて検知室内へ
光を照射、あるいは検知室内から集光することが可能と
なり、発光素子及び受光素子をより容易に位置決めし実
装させることが可能で、且つ、光を絞り込んで検知領域
の所定位置からのずれをより少なくさせることができ、
また、その凹所を、前記素子表面の略中心位置を焦点と
する光学曲面にて形成するとともにその表面にメッキ処
理による光反射膜を設けることも好ましい。これによれ
ば、検知室内へ照射、あるいは検知室内から集光する光
の、光反射部により吸収される光量を減少させて照射あ
るいは集光することが可能となり、検知感度を向上でき
る。

【００１１】また、回路基材にその前面から背面へ連通
する導光部を設け、発光素子及び／又は受光素子を、同
導光部を介して光の照射または受光可能となるよう該回
路基材の背面側に配設することも好ましい。これによれ
ば、発光素子あるいは受光素子を回路基材の裏面側に配
設させて回路基板の裏面側から導光部を介して表面側の
検知室内へ照射、あるいは検知室内から光を集光させる
ことにより、発光素子あるいは受光素子の実装位置の自
由度を向上できる。この導光部は、スルーホールとし、
その樹脂表面にメッキ処理を行って形成することが可能
であるから、回路基材の配線パターンと同時に設けるこ
ともできて製造工数や部品点数の増加も無い。

【００１２】また、上記発光素子へ向け連通する前記導
光部を、その断面積が回路基材の表面から裏面側へ向け
て次第に大きくなるようテーパ状に形成することもでき
るが、この場合、より小さい出射レンズを用いて全体の
小型化設計が容易となり、成型時の導光部の金型離型性
が良く生産性に優れる。また、上記受光素子へ向け連通
する前記導光部を、その断面積が回路基材の表面から裏
面側へ向けて次第に小さくなるようテーパ状に形成する
こともでき、この場合には、より大きい集光レンズを用
いて受光効率を向上させて検知感度を向上できる。

【００１３】また、上記出射手段及び／又は集光手段
を、発光素子及び／又は受光素子と検知領域との光路の
中間となる回路基材表面に光反射面を設けて構成するこ
ともできる。これによれば、検知領域に対する発光素子
あるいは受光素子の配設位置を光路を折り返して設定す
ることが可能となり、小型化設計が容易にできる。ま
た、上記光反射面を、検知領域又は受光素子の方向へ向
けて光を集光させる光学曲面とすることが好ましい。こ
の場合、発光素子から出射された光の指向性をより高め
て検知領域あるいは受光素子へ向けて反射させることが
できて、迷光を少なくすることが可能となりより高感度
化が可能となる。

【００１４】また、上記発光素子及び／又は受光素子
の、発光制御及び／又は受光信号処理を行う回路部品
を、回路基材の背面側に配設することもできる。この場
合、発光制御あるいは受光信号処理を行う回路部品を、
発光素子あるいは受光素子へより近接させて実装するこ
とが可能となって、配線経路の回路パターンをより短く
形成することにて配線経路から空中へ放射される電磁ノ
イズ、あるいは空中から配線経路に誘起される輻射ノイ
ズの影響を軽減できて耐ノイズ性を向上できる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。 ＠ 図１乃至図５は、本発明の請求項１乃至４及び１０
全てに係る第１の実施の形態の光電式粒子検知センサ１
を示しており、該光電式粒子検知センサ１は、発光素子
２、受光素子３、検知回路４、出射レンズ５１、集光レ
ンズ６１が、回路基材８表面に実装されている。

【００１６】この光電式粒子検知センサ１は、検知室９
２内に光を照射する発光素子２と、同発光素子２から出
射手段５を介して出射された光のうち、集光手段６を介
して該検知室９２内に構成される所定検知領域９１に流
入した粒子にて散乱される散乱光を受光する受光素子３
とを、その前側に検知領域９１を設けるよう形成された
樹脂成形体による回路基材８表面に実装させ、同回路基
材８に出射手段５の出射レンズ５１及び集光手段６の集
光レンズ６１を固着させてなり、これらが、粒子導入路
を設けたラビリンス構造を有するハウジング９の内部に
配置されて構成される。

【００１７】なお、上記ハウジング９は、検知領域９１
を構成する検知室９２を形成するための略円筒状の合成
樹脂成形体で、下面側に、煙粒子をその内部へ導入する
ための導入孔９３とラビリンス構造（図示せず）とを有
している。また、このハウジング９には、上面側に検知
回路４へ電気的に接続される接続端子（図示せず）が設
けられる。

【００１８】上記回路基材８は、その前側に、出射手段
５に相当する出射レンズ５１を介した発光素子２の発光
光軸と、集光手段６に相当する集光レンズ６１を介した
受光素子３の受光光軸とは検知領域９１に向けて一致す
るように、発光素子２をその一方の端部近傍に且つ受光
素子３をその他方の端部近傍に実装するように、平面視
略円状のＭＩＤ基板にて形成されている。すなわち、発
光素子２の実装部と受光素子３の実装部から回路基材８
の中心方向へ伸びる各法線が、検知領域９１の略中心で
交差するようになっている。

【００１９】この回路基材８は、中央に、後述する発光
素子２からの光が受光素子３の側へ回り込まないよう阻
止する隔壁８１が設けられており、また、図２（ａ）、
（ｂ）に示す如く、発光素子２及び受光素子３の実装部
の前側に、その発光素子２あるいは受光素子３の素子表
面を起点又は終点とした光反射部となる凹所８２，８３
が形成されている。

【００２０】したがって、発光素子２から出射する光Ｆ
あるいは受光素子３にて受光される光Ｒがそれらの素子
表面を起点又は終点として凹所８２、８３に反射させて
検知室内へ光を照射、あるいは検知室内から集光するこ
とが可能となるので、光を絞り込んで検知領域９１の所
定位置からのずれをより少なくさせることができる。

【００２１】また、上記の凹所８２，８３以外に、図３
に示すように、例えば発光素子２の素子表面の略中心位
置を焦点とする光学曲面ＰＡにて形成するとともにその
表面にメッキ処理による光反射膜を設けた凹所８４とし
ても良い。この場合、検知室内へ照射する光の、光反射
部により吸収される光量を減少させて照射させることが
可能となり、検知感度を向上させることができる。

【００２２】上記の発光素子２あるいは受光素子３の実
装部の周囲には、この場合、出射レンズ５１あるいは集
光レンズ６１の装着の位置決めとなる段差が設けられて
いる。なお、この出射レンズ５１及び集光レンズ６１
は、トランスファーモールド成形などにて形成すること
ができる。この場合、両レンズを別に成形しておいて、
その後、上記段差に位置決めし接着するようにしてい
る。

【００２３】ＭＩＤ基板は、例えば、レーザー法などに
より形成することができる。この方法は、まず、射出成
形により基板形状を製作し、次いで、基板全体に銅スパ
ッタリング法により銅薄膜を形成させた後、レーザー加
工にて回路として必要な部分と不必要な部分とを電気的
に絶縁するよう分離し、その後、電気めっきにより回路
として必要な部分にのみにめっき層を形成する方法であ
る。なお、上記レーザー法以外に、２ショット法によっ
てもＭＩＤ基板を形成することがである。この方法は、
まず、射出成形の１ショット目にて回路として必要な部
分をめっき層の形成可能な樹脂材料を用いて成形し、次
いで、回路の不必要な部分を、最初の１ショット目の成
形体の上層としてめっき層の形成されない樹脂材料を用
いて射出成形の２ショット目として成形する方法であ
る。

【００２４】ところで、上記回路基材８は、その背面側
に発光素子２及び受光素子３の、発光制御及び受光信号
処理を行う検知回路４を構成する回路部品を配設してい
る。なお、発光素子２及び受光素子３の実装部の回路パ
ターンと検知回路４の回路パターンとは、適宜メッキ層
を有するスルーホールにて接続することができる。

【００２５】検知回路４は、この場合、可能な限りチッ
プ部品による回路部品を使用して、回路基材８の回路パ
ターン上に表面実装される。この検知回路４は、例えば
図４に示す回路ブロック図のように構成することができ
る。すなわち、発光素子２は、発振回路４１及び駆動回
路４２により、ほぼ一定周期で間欠的に点灯するように
駆動される。また、受光素子３の受光量に対応した電流
出力の受光信号は、例えば演算増幅回路を用いて構成さ
れた入力インピーダンスの非常に高い（１００ＭΩ程
度）電流／電圧変換回路４３を通して受光量に対応する
電圧出力に変換され、この電圧出力に変換された受光信
号が増幅回路４４にて増幅された後、適宜ノイズ成分の
除去された後にサンプルホールド回路４５にて上記発振
回路４１からの出力に基づいて発光素子２の点灯タイミ
ングに同期するように受光信号を取り込み、次の受光信
号が入力されるまで受光信号の電圧値を検知出力として
保持する。なお、回路基材８には、この検知回路４以外
に、直流入力を定電圧化する電源回路等の周辺回路が設
けられる。

【００２６】この場合、発光素子２は赤外光を発する発
光ダイオード、受光素子３はフォトダイオードよりな
り、両方ともチップ状部品にて形成されて、上記回路基
材８の実装部にチップ実装されている。なお、発光素子
２、受光素子３をベアチップ部品として実装部にワイア
ーボンディング実装することもできる。発光素子２と受
光素子３とは、煙粒子や浮遊粉塵粒子の検知感度を確保
するために、粒子の検知をおこなう上記検知領域９１に
対して上記光軸を正確に含わせることが重要となるが、
両素子２、３の実装部をＭＩＤ基板として一体形成して
実装することにより、容易に位置決めさせて高精度な光
軸合わせが実現できる。したがって、迷光を減少するこ
とが可能で、また、プリント基板を必要としない分、部
材点数も少なくできる。

【００２７】次に、上記図示例の光電式粒子検知センサ
１の動作を説明する。発光素子２から、ハウジング９内
の検知室９２内へ照射されて出射レンズ５１介して出射
された赤外光は、その検知領域９１内の粒子により散乱
される。そして、その散乱光の一部が集光レンズ６１を
通して受光素子３に入射し、受光素子３にて受光電流と
して検知される。この受光電流は、電流／電圧変換回路
４３にて電圧出力に変換されて増幅回路４４で信号増幅
され、発振回路４１の一定周期出力との同期検波により
微弱光の受光電流信号が正確に検出され、検知領域９１
内の粒子の存在を電圧値を検知出力として検知する。こ
のとき、受光素子３以外に向かう散乱光あるいは発光素
子２からの直接光は、ハウジング９のラビリンス構造あ
るいは回路基材８に設けられている隔壁８１により、捕
捉及び阻止されるため、受光素子３に入射することな
く、受光電流信号が著しく大きくなるような誤動作には
つながらない構造となっている。

【００２８】なお、上記実施例では、回路基材８に出射
手段５の出射レンズ５１及び集光手段６の集光レンズ６
１を固着させた光電式粒子検知センサ１を例示して説明
したが、本発明は、出射手段５と集光手段６とを発光素
子２と受光素子３にレンズを一体に設けられたものを使
用することも可能である。また、勿論、図５（ａ）に示
すように、発光素子２の前側のみに光反射部となる凹所
８２を形成したもの、あるいは図５（ｂ）に示すよう
に、発光素子２及び受光素子３のいずれもその前側に凹
所を形成しないものであっても良い。

【００２９】したがって、以上説明した光電式粒子検知
センサ１の構成によれば、発光素子２及び受光素子３を
容易に位置決めし実装させて迷光を減少することが可能
で、従来多大な時間を必要とした光軸合わせのための調
整作業を無くすことができる。また、各部品が成形によ
り一体とされるため、部材点数が少なくその実装設計の
自由度を向上でき、その上、部品組立作業が無くなり低
コストで小型化を容易に図ることができる。

【００３０】また、上記発光素子２及び受光素子３の、
発光制御及び受光信号処理を行う回路部品を、回路基材
８の背面側に配設することにより、その検知回路を発光
素子２あるいは受光素子３へより近接させて実装するこ
とが可能となって、配線経路の回路パターンをより短く
形成することにて配線経路から空中へ放射される電磁ノ
イズ、あるいは空中から配線経路に誘起される輻射ノイ
ズの影響を軽減できて耐ノイズ性を向上できる。

【００３１】図６乃至９は本発明の第２の実施の形態に
係る光電式粒子検知センサ１を示しており、上記第１の
実施の形態と同様の構成については同符号を付して詳細
説明を省略し、異なる構成、作用効果について説明す
る。

【００３２】この光電式粒子検知センサ１においては、
図６、７に示すように、上記回路基材８にその前面から
背面へ連通する導光部７を設け、発光素子２及び受光素
子３を、同導光部７を介して光の照射または受光可能と
なるよう該回路基材８の背面側に配設している。また、
この場合、導光部７は、円形状のスルーホールとし、そ
の樹脂表面にメッキ処理を行って形成しており、また上
記受光素子３へ向け連通する導光部７を、その断面積が
回路基材８の表面から裏面側へ向けて次第に小さくなる
ようテーパ状に形成し、さらに、上記出射手段５を、発
光素子２と検知領域９１との光路の中間となる回路基材
８表面に光反射面８５を設けて構成している。したがっ
て、このものにおいては、受光素子３の実装位置を、そ
のチップ部品の実装の際に障害となる隔壁８１等の突起
が無い背面側に比較的自由に設けることができ実装の自
由度を向上でき、また、上記受光素子３へ向け連通する
前記導光部７を、その断面積が回路基材８の表面から裏
面側へ向けて次第に小さくなるようテーパ状に形成する
ことにて、より大きい集光レンズ６１を用いて受光効率
を向上させて検知感度を向上でき、さらに、上記構成に
よれば、検知領域９１に対する発光素子２の配設位置を
光路を折り返して設定することが可能となり、小型化設
計が容易にできる。

【００３３】なお、本発明においては、上記による他、
図８に示すように、上記発光素子２へ向け連通する前記
導光部７を、その断面積が回路基材８の表面から裏面側
へ向けて次第に大きくなるようテーパ状に形成すること
もできるが、この場合、より小さい出射レンズ５１を用
いて全体の小型化設計が容易となり、成型時の導光部７
の金型離型性が良く生産性に優れる。また、図９に示す
ように、導光部７がテーパ状でなく真っ直ぐであった
り、例えば発光素子２の側にのみ導光部７を設けて、受
光素子３の側は回路基材８の表面に受光素子３を設けた
ものであったりする等、各種の形態をとることができ
る。

【００３４】図１０乃至１２は本発明の第３の実施の形
態に係る光電式粒子検知センサ１を示しており、上記第
１の実施の形態と同様の構成については同符号を付して
詳細説明を省略し、異なる構成、作用効果について説明
する。

【００３５】この光電式粒子検知センサ１においては、
図１０に示すように、出射手段５を、発光素子２と検知
領域９１との光路の中間となる回路基材８表面に、検知
領域９１の方向へ向けて光を集光させる光学曲面ＰＡと
した光反射面８５を設けて構成している。また、この場
合、発光素子２及び受光素子３の、発光制御及び受光信
号処理を行う検知回路４を構成する回路部品を、回路基
材８の背面側に配設してもいる。さらに、この検知回路
４の実装部分は、図１１に示すように、回路基材８に凹
所を設けてその内部に形成してあり、発光素子２及び受
光素子３との電気的な接続は、例えばスルーホール８
６，８６により、内部にめっき処理をして導通させてい
る。

【００３６】したがって、上記構成によると、発光素子
２から出射された光の指向性をより高めて検知領域ある
いは受光素子へ向けて反射させることができて、迷光を
少なくすることが可能となりより高感度化が可能とな
る。また、発光制御あるいは受光信号処理を行う回路部
品を、発光素子２あるいは受光素子３へより近接させて
実装することが可能となって、配線経路の回路パターン
をより短く形成することにて配線経路から空中へ放射さ
れる電磁ノイズ、あるいは空中から配線経路に誘起され
る輻射ノイズの影響を軽減できて耐ノイズ性を向上でき
る。

【００３７】なお、図１１（ａ）に示すように、成形品
にめっき処理をした電磁シールド用の遮蔽カバー８７を
上記凹所に被着させてあり、この遮蔽カバー８７を、同
図（ｂ）に示す如く一体ヒンジ構造とすることで、回路
基材８と同時に形成させている。したがって、部品点数
を増加させることなく、より耐ノイズ性を向上させてい
る。なお、この遮蔽カバーは、金属製の別体としても良
く、勿論、遮蔽カバーを設けることなく、本体ケースに
てその作用を実現させても良い。

【００３８】なお、本発明の光電式粒子検知センサは、
上述したもののみ限定されるものではなく、本発明の要
旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ること
は勿論である。

【００３９】

【発明の効果】本発明は、上述の実施態様の如く実施さ
れて、請求項１記載の光電式粒子検知センサにあって
は、発光素子及び受光素子を容易に位置決めし実装させ
て迷光を減少することが可能で、また、部材点数が少な
く、その実装設計の自由度を向上できて低コストで小型
化を容易に図ることができる。

【００４０】また、請求項２記載の光電式粒子検知セン
サにあっては、出射レンズ及び集光レンズと発光素子及
び受光素子とを確実に位置決めさせて設けることがで
き、出射レンズと集光レンズとの光軸を回路基材の形状
寸法のみによって決定することができるので検知室内に
構成される検知領域が所定位置からずれることもない。

【００４１】また、請求項３記載の光電式粒子検知セン
サにあっては、発光素子及び受光素子をより容易に位置
決めし実装させることが可能で、且つ、光を絞り込んで
検知領域の所定位置からのずれをより少なくさせること
ができる。

【００４２】また、請求項４記載の光電式粒子検知セン
サにあっては、検知室内へ照射、あるいは検知室内から
集光する光の、光反射部により吸収される光量を減少さ
せて照射あるいは集光することが可能となり、検知感度
を向上できる。

【００４３】また、請求項５記載の光電式粒子検知セン
サにあっては、発光素子あるいは受光素子を回路基材の
裏面側に配設させて回路基板の裏面側から導光部を介し
て表面側の検知室内へ照射、あるいは検知室内から光を
集光させることにより、発光素子あるいは受光素子の実
装位置の自由度を向上できる。

【００４４】また、請求項６記載の光電式粒子検知セン
サにあっては、より小さい出射レンズを用いて全体の小
型化設計が容易となり、成型時の導光部の金型離型性が
良く生産性に優れる。

【００４５】また、請求項７記載の光電式粒子検知セン
サにあっては、より大きい集光レンズを用いて受光効率
を向上させて検知感度を向上できる。

【００４６】また、請求項８記載の光電式粒子検知セン
サにあっては、検知領域に対する発光素子あるいは受光
素子の配設位置を光路を折り返して設定することが可能
となり、小型化設計が容易にできる。

【００４７】また、請求項９記載の光電式粒子検知セン
サにあっては、発光素子から出射された光の指向性をよ
り高めて検知領域あるいは受光素子へ向けて反射させる
ことができて、迷光を少なくすることが可能となりより
高感度化が可能となる。

【００４８】また、請求項１０記載の光電式粒子検知セ
ンサにあっては、発光制御あるいは受光信号処理を行う
回路部品を、発光素子あるいは受光素子へより近接させ
て実装することが可能となって、配線経路の回路パター
ンをより短く形成することにて配線経路から空中へ放射
される電磁ノイズ、あるいは空中から配線経路に誘起さ
れる輻射ノイズの影響を軽減できて耐ノイズ性を向上で
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の、第１の実施の形態の光電式粒子検知
センサを示す概略構成図である。

【図２】同光電式粒子検知センサの凹所を示す説明図で
ある。

【図３】同光電式粒子検知センサの凹所の他の実施例の
説明図である。

【図４】同光電式粒子検知センサの回路ブロック図であ
る。

【図５】同光電式粒子検知センサの他の実施例の概略構
成の説明図である。

【図６】第２の実施の形態の光電式粒子検知センサを示
す概略構成図である。

【図７】同光電式粒子検知センサの出射レンズを示す斜
視図である。

【図８】同光電式粒子検知センサの他の実施例の概略構
成の説明図である。

【図９】同光電式粒子検知センサの更に他の実施例の概
略構成の説明図である。

【図１０】第３の実施の形態の光電式粒子検知センサを
示す概略構成図である。

【図１１】同光電式粒子検知センサの回路基材を示す説
明図である。

【図１２】同光電式粒子検知センサの他の実施例の概略
構成の説明図である。

【図１３】本発明の、従来例の光電式粒子検知センサを
示す概略構成図である。

【符号の説明】 １ 光電式粒子検知センサ ２ 発光素子 ３ 受光素子 ４ 検知回路 ５ 出射手段 ５１ 出射レンズ ６ 集光手段 ６１ 集光レンズ ７ 導光部 ８ 回路基材 ９１ 検知領域 ９２ 検知室

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西川 尚之 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 桐畑 慎司 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 Ｆターム(参考） 2G059 AA05 BB01 EE02 JJ11 JJ14 KK01 LL01 MM11 NN01 5C085 AA03 AB01 BA33 CA30 FA06 FA18 FA20

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 検知室内に光を照射する発光素子と、同
   発光素子から出射手段を介して出射された光のうち、集
   光手段を介して該検知室内に構成される所定検知領域に
   流入した粒子にて散乱される散乱光を受光する受光素子
   とを、その前側に検知領域を設けるよう形成された樹脂
   成形体による回路基材表面に実装させてなる光電式粒子
   検知センサ。
2. 【請求項２】 検知室内に光を照射する発光素子と、同
   発光素子から出射手段を介して出射された光のうち、集
   光手段を介して該検知室内に構成される所定検知領域に
   流入した粒子にて散乱される散乱光を受光する受光素子
   とを、その前側に検知領域を設けるよう形成された樹脂
   成形体による回路基材表面に実装させ、同回路基材に出
   射手段の出射レンズ及び集光手段の集光レンズを固着さ
   せてなる光電式粒子検知センサ。
3. 【請求項３】 回路基材の、発光素子及び／又は受光素
   子の前側に、その発光素子あるいは受光素子の素子表面
   を起点又は終点とした光反射部となる凹所を形成したこ
   とを特徴とする請求項２記載の光電式粒子検知センサ。
4. 【請求項４】 凹所を、前記素子表面の略中心位置を焦
   点とする光学曲面にて形成するとともにその表面にメッ
   キ処理による光反射膜を設けたことを特徴とする請求項
   ３記載の光電式粒子検知センサ。
5. 【請求項５】 回路基材にその前面から背面へ連通する
   導光部を設け、発光素子及び／又は受光素子を、同導光
   部を介して光の照射または受光可能となるよう該回路基
   材の背面側に配設したことを特徴とする請求項２記載の
   光電式粒子検知センサ。
6. 【請求項６】 発光素子へ向け連通する前記導光部を、
   その断面積が回路基材の表面から裏面側へ向けて次第に
   大きくなるようテーパ状に形成したことを特徴とする請
   求項５記載の光電式粒子検知センサ。
7. 【請求項７】 受光素子へ向け連通する前記導光部を、
   その断面積が回路基材の表面から裏面側へ向けて次第に
   小さくなるようテーパ状に形成したことを特徴とする請
   求項５記載の光電式粒子検知センサ。
8. 【請求項８】 出射手段及び／又は集光手段を、発光素
   子及び／又は受光素子と検知領域との光路の中間となる
   回路基材表面に光反射面を設けて構成したことを特徴と
   する請求項１乃至７の何れか１つの請求項に記載の光電
   式粒子検知センサ。
9. 【請求項９】 光反射面を、検知領域又は受光素子の方
   向へ向けて光を集光させる光学曲面としたことを特徴と
   する請求項８記載の光電式粒子検知センサ。
10. 【請求項１０】 発光素子及び／又は受光素子の、発光
    制御及び／又は受光信号処理を行う回路部品を、回路基
    材の背面側に配設したことを特徴とする請求項１乃至９
    の何れか１つの請求項に記載の光電式粒子検知センサ。